JPH01204022A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH01204022A JPH01204022A JP2748388A JP2748388A JPH01204022A JP H01204022 A JPH01204022 A JP H01204022A JP 2748388 A JP2748388 A JP 2748388A JP 2748388 A JP2748388 A JP 2748388A JP H01204022 A JPH01204022 A JP H01204022A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal element
- cell
- cell thickness
- thickness
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- Pending
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- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 24
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は液晶素子の製造方法に関し、特にセル厚の制御
方法を改良した液晶素子の製造方法に関する。
方法を改良した液晶素子の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来より、液晶素子は直示型の表示素子として精力的に
研究開発が行われ、現在では液晶TV等に広く用いられ
ている。
研究開発が行われ、現在では液晶TV等に広く用いられ
ている。
この液晶素子は、一般には2枚の電極基板間に液晶材を
挟持する構造が用いられていて、−膜内な製造方法は下
記の通りである。すなわち、配向処理をほどこした2枚
の電極付基板の一方に、セル厚調整用のガラスファイバ
ー等のスペーサ材を散布し、他方の基板にはエポキシ系
接着剤等をスクリーン印刷法等により印刷し、この2枚
を貼合わせ、オープン内で加圧、焼成し、所定のセル厚
を17、真空槽内で液晶を注入する。
挟持する構造が用いられていて、−膜内な製造方法は下
記の通りである。すなわち、配向処理をほどこした2枚
の電極付基板の一方に、セル厚調整用のガラスファイバ
ー等のスペーサ材を散布し、他方の基板にはエポキシ系
接着剤等をスクリーン印刷法等により印刷し、この2枚
を貼合わせ、オープン内で加圧、焼成し、所定のセル厚
を17、真空槽内で液晶を注入する。
[発明が解決しようとする課題]
上記の製造方法により作られた液晶素子の表示コントラ
ストは、液晶セルのセル厚に大きく左右される。例えば
TN型液晶パネルでは第3図に示すように、表示コント
ラストとセル厚との関係に最適値が存在する。このセル
厚最適値からセル厚がずれると、表示コントラストは大
きく低下する。
ストは、液晶セルのセル厚に大きく左右される。例えば
TN型液晶パネルでは第3図に示すように、表示コント
ラストとセル厚との関係に最適値が存在する。このセル
厚最適値からセル厚がずれると、表示コントラストは大
きく低下する。
そのため液晶素子のセル厚は精度よく制御される必要が
ある。
ある。
しかし、セル厚は、一方の基板上に散布されるスペーサ
材の散布密度や、他方の基板上の接着剤の焼成条件等に
影響されるため、液晶素子のセル厚を精度よく制御する
ための加圧値の調整が非常に難かしく、従来の製造方法
では歩留りが良くなかった。
材の散布密度や、他方の基板上の接着剤の焼成条件等に
影響されるため、液晶素子のセル厚を精度よく制御する
ための加圧値の調整が非常に難かしく、従来の製造方法
では歩留りが良くなかった。
本発明の目的は、上記の欠点を除去して液晶セルのセル
厚を精度よくコントロールし、再現性の良い液晶素子の
製造方法を提供することにある。
厚を精度よくコントロールし、再現性の良い液晶素子の
製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、電極を有する2枚の基板の間に液晶を挟持し
てなる液晶素子の製造方法において、2枚の基板を互い
に間隔を保持しつつ圧着させるに際し、電極が対向する
部位の静電容量を少なくとも1箇所で測定し、その測定
値により液晶素子の加圧値を調整することを特徴とする
液晶素子の製造方法である。
てなる液晶素子の製造方法において、2枚の基板を互い
に間隔を保持しつつ圧着させるに際し、電極が対向する
部位の静電容量を少なくとも1箇所で測定し、その測定
値により液晶素子の加圧値を調整することを特徴とする
液晶素子の製造方法である。
[作用]
液晶素子は、第4図にその断面を示すように、ガラス、
プラスチック等で形成された一対の基板31間に、電極
32と、ざらに液晶を配向させるための高分子等の配向
膜33を介して液晶34が挟持されている。
プラスチック等で形成された一対の基板31間に、電極
32と、ざらに液晶を配向させるための高分子等の配向
膜33を介して液晶34が挟持されている。
この液晶素子に液晶材が充満されていない場合の電気的
な等両回路は、第5図のようになる。すなわち、配向膜
による両静電容tcp、cp間に、空気の静電容量C8
が接続された回路となる。この空気の静電容量Cは、真
空の誘電率をε。、比誘電率をεい電極面積を51セル
厚をdとすると、 co =εo” εΔ 番 S/d となる。配向膜、空気の静電容量について第5図に示し
た合成容MC1を求めると、 となる。すなわち、セル厚dが変化すると、合成容量C
1も変化することになる。
な等両回路は、第5図のようになる。すなわち、配向膜
による両静電容tcp、cp間に、空気の静電容量C8
が接続された回路となる。この空気の静電容量Cは、真
空の誘電率をε。、比誘電率をεい電極面積を51セル
厚をdとすると、 co =εo” εΔ 番 S/d となる。配向膜、空気の静電容量について第5図に示し
た合成容MC1を求めると、 となる。すなわち、セル厚dが変化すると、合成容量C
1も変化することになる。
以上により、液晶素子の組立て時に静電容量を測定して
おけば、セル厚が最適値の時の容量との差を計算し、そ
の差に応じて基板の加圧値を変化することで、液晶セル
のセル厚を精度よくコントロールすることができる。
おけば、セル厚が最適値の時の容量との差を計算し、そ
の差に応じて基板の加圧値を変化することで、液晶セル
のセル厚を精度よくコントロールすることができる。
[実施例1
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図は、本発明の一実施例を示した構成図である。第
1図において、1は電極を有する2枚の基板の間に液晶
を挟持した液晶素子で、基板面にセル厚調整用のスペー
サ材が散布され、それぞれ各1枚の電極がスクリーン印
刷により接着されている。液晶素子1は、オーブン2内
に固定されていて、静電容量測定器3に接続され、加圧
機4が取付けられている。加圧機4は加圧機制御器5を
備えていて、その加圧機制御器5は前記静電容量測定器
3に接続されている。
1図において、1は電極を有する2枚の基板の間に液晶
を挟持した液晶素子で、基板面にセル厚調整用のスペー
サ材が散布され、それぞれ各1枚の電極がスクリーン印
刷により接着されている。液晶素子1は、オーブン2内
に固定されていて、静電容量測定器3に接続され、加圧
機4が取付けられている。加圧機4は加圧機制御器5を
備えていて、その加圧機制御器5は前記静電容量測定器
3に接続されている。
第2図は、上記装置の動作の一例を示す)0−チャート
である。セル厚調整用スペーサ材として511Ir1の
ガラスファイバを散布し、上記の装置により液晶素子を
製造したところ、第2図のフローチャートに従って、接
着剤焼成時に第1図の加圧機4に対する加圧値が調整さ
れ、接着剤焼成後の液晶素子のセル厚は正しり5IJI
r&となった。
である。セル厚調整用スペーサ材として511Ir1の
ガラスファイバを散布し、上記の装置により液晶素子を
製造したところ、第2図のフローチャートに従って、接
着剤焼成時に第1図の加圧機4に対する加圧値が調整さ
れ、接着剤焼成後の液晶素子のセル厚は正しり5IJI
r&となった。
このようにして多数の液晶素子を製作したが、すべて設
定セル厚の素子が得られることが確認された。
定セル厚の素子が得られることが確認された。
上記の如く、本発明によれば液晶素子組立て時にセル厚
変化による容量の変化に応じて加圧値が調整されるため
、液晶素子のセル厚が精度よくコ −ントロールさ
れ、製造歩留りが向上する。
変化による容量の変化に応じて加圧値が調整されるため
、液晶素子のセル厚が精度よくコ −ントロールさ
れ、製造歩留りが向上する。
[発明の効果]
以上、説明したとおり、本発明によれば、液晶素子のセ
ル厚を精度よくコントロールし、再現性のよい液晶素子
の製造方法を提供することができる。
ル厚を精度よくコントロールし、再現性のよい液晶素子
の製造方法を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は本発明の
実施例の動作のフローチャート、第3図はセル厚とコン
トラストの特性図、第4図は一般的な液晶セル構造の縦
断面図、第5図はセル内の静電容量の等価回路図である
。 1・・・液晶素子 2・・・オーブン3・・
・静電容量測定器 4・・・加圧機5・・・加圧機
制御器
実施例の動作のフローチャート、第3図はセル厚とコン
トラストの特性図、第4図は一般的な液晶セル構造の縦
断面図、第5図はセル内の静電容量の等価回路図である
。 1・・・液晶素子 2・・・オーブン3・・
・静電容量測定器 4・・・加圧機5・・・加圧機
制御器
Claims (1)
- (1)電極を有する2枚の基板の間に液晶を挟持してな
る液晶素子の製造方法において、2枚の基板を互いに間
隔を保持しつつ圧着させるに際し、電極が対向する部位
の静電容量を少なくとも1箇所で測定し、その測定値に
より液晶素子の加圧値を調整することを特徴とする液晶
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2748388A JPH01204022A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2748388A JPH01204022A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01204022A true JPH01204022A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12222378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2748388A Pending JPH01204022A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01204022A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7137301B2 (en) | 2004-10-07 | 2006-11-21 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor |
US7140085B2 (en) * | 1997-12-23 | 2006-11-28 | Inficon Gmbh | Process for manufacturing a capacitive vacuum measuring cell |
US7141447B2 (en) | 2004-10-07 | 2006-11-28 | Mks Instruments, Inc. | Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor |
US7284439B2 (en) * | 1997-12-22 | 2007-10-23 | Mks Instruments, Inc. | Method for producing a pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2748388A patent/JPH01204022A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7284439B2 (en) * | 1997-12-22 | 2007-10-23 | Mks Instruments, Inc. | Method for producing a pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures |
US7389697B2 (en) | 1997-12-22 | 2008-06-24 | Mks Instruments | Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures |
US7140085B2 (en) * | 1997-12-23 | 2006-11-28 | Inficon Gmbh | Process for manufacturing a capacitive vacuum measuring cell |
US7137301B2 (en) | 2004-10-07 | 2006-11-21 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor |
US7141447B2 (en) | 2004-10-07 | 2006-11-28 | Mks Instruments, Inc. | Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor |
US7624643B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-12-01 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor |
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