JPH01201736A - マイクロコンピュータ - Google Patents
マイクロコンピュータInfo
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- JPH01201736A JPH01201736A JP63026903A JP2690388A JPH01201736A JP H01201736 A JPH01201736 A JP H01201736A JP 63026903 A JP63026903 A JP 63026903A JP 2690388 A JP2690388 A JP 2690388A JP H01201736 A JPH01201736 A JP H01201736A
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- Japan
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- ecc
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/22—Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
- G06F11/2205—Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested
- G06F11/2215—Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested to test error correction or detection circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
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- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は誤り検出訂正機能を有するE2PROM等の
不揮発性半導体記憶装置を内蔵したマイクロコンピュー
タに関するものである。
不揮発性半導体記憶装置を内蔵したマイクロコンピュー
タに関するものである。
第3図は従来の誤り検出・訂正回路付きE2PROMを
内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック構
成図である。同図に示すように、コラムラッチCLを有
するE2PROMメモリセルアレイMAとデータバスD
B間にエラー検出・訂正(FCC)コード生成回路1.
誤り訂正回路2及びマルチプレクサ3が設けられている
。
内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック構
成図である。同図に示すように、コラムラッチCLを有
するE2PROMメモリセルアレイMAとデータバスD
B間にエラー検出・訂正(FCC)コード生成回路1.
誤り訂正回路2及びマルチプレクサ3が設けられている
。
FCCコード生成回路1は書込み時に書込みデータWD
より生成ECCコードED1を生成し、コラムラッチC
Lに出力し、読出し時にメモリセルアレイMAより取出
した読゛出しデータRDより再生成ECCコードED2
を生成し誤り訂正回路2に出力している。
より生成ECCコードED1を生成し、コラムラッチC
Lに出力し、読出し時にメモリセルアレイMAより取出
した読゛出しデータRDより再生成ECCコードED2
を生成し誤り訂正回路2に出力している。
誤り訂正回路2はメモリセルアレイMAより読出しデー
タRDと読出しECCコードED3及び前述した再生成
ECCコードED2を入力し、読出しデータRDの誤り
を検出、訂正した訂正データCDと共に、ビット訂正コ
ードBDをマルチプレクサ3に出力している。このマル
チプレクサ3よりデータバスDBに訂正データCDある
いはピット訂正コードBDを選択的に出力する。
タRDと読出しECCコードED3及び前述した再生成
ECCコードED2を入力し、読出しデータRDの誤り
を検出、訂正した訂正データCDと共に、ビット訂正コ
ードBDをマルチプレクサ3に出力している。このマル
チプレクサ3よりデータバスDBに訂正データCDある
いはピット訂正コードBDを選択的に出力する。
このような構成において、書込み時に図示しないCPU
より書込みデータWDがデータバスDBを介してコラム
ラッチCLに与えられると共に、ECCコード生成回路
1に与えられる。ECCコード生成回路1は書込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1を生成し、コラ
ムラッチCLに出力する。従って、コラムラッチCLに
は書込みデータW Dと生成ECCコードED1が与え
られることになる。そして、コラムラッチCLで保持さ
れた所定数のデータ(WD、EDl)がメモリセルアレ
イMAに一括して書込まれる。
より書込みデータWDがデータバスDBを介してコラム
ラッチCLに与えられると共に、ECCコード生成回路
1に与えられる。ECCコード生成回路1は書込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1を生成し、コラ
ムラッチCLに出力する。従って、コラムラッチCLに
は書込みデータW Dと生成ECCコードED1が与え
られることになる。そして、コラムラッチCLで保持さ
れた所定数のデータ(WD、EDl)がメモリセルアレ
イMAに一括して書込まれる。
一方、読出し時はメモリセルアレイMAより読出しデー
タRD及び読出しECCコードED3が取り出され、誤
り訂正回路2に出力される。また、読出しデータRDは
ECCコード生成回路1にも出力され、ECCコード生
成回路1はこの読出しデータRDに基づき再生成ECC
コードED2を生成し、誤り訂正回路2に出力する。従
って、誤り訂正回路2に、読出しデータRD、読出しE
CCコードED3及び再生成ECCコードED2を出力
することになる。
タRD及び読出しECCコードED3が取り出され、誤
り訂正回路2に出力される。また、読出しデータRDは
ECCコード生成回路1にも出力され、ECCコード生
成回路1はこの読出しデータRDに基づき再生成ECC
コードED2を生成し、誤り訂正回路2に出力する。従
って、誤り訂正回路2に、読出しデータRD、読出しE
CCコードED3及び再生成ECCコードED2を出力
することになる。
これらのデータRD、ED 、ED3を入力しま
た誤り訂正回路2は、読出しECCコードED3と再生
成ECCコードED2の排他的論理和によりビット訂正
コードBDを生成する。そして、このビット訂正コード
BDを解析することで、読出しデータRDに読出し不良
ビットがあれば、読出しデータRDより不良ビットを検
出し訂正したデータを訂正データCDとして、読出し不
良ビットがなければ読出しデータRDをそのまま訂正デ
ータCDとしてマルチプレクサ3に出力する。この時、
ビット訂正コードBDもマルチプレクサ3に出力される
。そして、CPtJはマルチプレクサ3を介して選択的
に訂正データCDをデータバスDBに取込むことで読出
しが行える。このようにして、E2PROMのメモリセ
ルアレイMA内のメモリセル不良による誤りを訂正して
読出すことができる。
成ECCコードED2の排他的論理和によりビット訂正
コードBDを生成する。そして、このビット訂正コード
BDを解析することで、読出しデータRDに読出し不良
ビットがあれば、読出しデータRDより不良ビットを検
出し訂正したデータを訂正データCDとして、読出し不
良ビットがなければ読出しデータRDをそのまま訂正デ
ータCDとしてマルチプレクサ3に出力する。この時、
ビット訂正コードBDもマルチプレクサ3に出力される
。そして、CPtJはマルチプレクサ3を介して選択的
に訂正データCDをデータバスDBに取込むことで読出
しが行える。このようにして、E2PROMのメモリセ
ルアレイMA内のメモリセル不良による誤りを訂正して
読出すことができる。
従来の誤り検出・訂正回路付E2FROMを内蔵したマ
イクロコンピュータは以上のように構成されており、E
CCコード生成回路1の生成ECCコードED1が必ず
E PROMメモリセルアレイMAに取込まれる。こ
のため、ECCコード生成回路1単独の検査を行うこと
ができず、E2PROM全体(ECCコード生成回路1
.誤り訂正回路2及びE2PROMメモリセルアレイM
A>の検査を、書込みデータWDと訂正データCDを検
証することにより行うことで、類推するしかなかった。
イクロコンピュータは以上のように構成されており、E
CCコード生成回路1の生成ECCコードED1が必ず
E PROMメモリセルアレイMAに取込まれる。こ
のため、ECCコード生成回路1単独の検査を行うこと
ができず、E2PROM全体(ECCコード生成回路1
.誤り訂正回路2及びE2PROMメモリセルアレイM
A>の検査を、書込みデータWDと訂正データCDを検
証することにより行うことで、類推するしかなかった。
しかも、この方法では、非常に多くのテストパターンと
しての書込みデータを必要とし、検査時間に艮時間要す
るため、検査効率が悪いという問題点があった。
しての書込みデータを必要とし、検査時間に艮時間要す
るため、検査効率が悪いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、FCCコード生成回路の単独検査が行え、不
揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させたエラー検
出訂正機能を有するマイクロコンピュータを得ることを
目的とする。
たもので、FCCコード生成回路の単独検査が行え、不
揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させたエラー検
出訂正機能を有するマイクロコンピュータを得ることを
目的とする。
この発明にかかるマイクロコンピュータは、エラー検出
・訂正コード生成回路及び記憶データの誤り・検出訂正
回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を内蔵し、前記エ
ラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラー検
出・訂正コードを直接データバス上に読出すことのでき
るエラー検出・訂正コード読出し手段を備えて構成され
ている。
・訂正コード生成回路及び記憶データの誤り・検出訂正
回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を内蔵し、前記エ
ラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラー検
出・訂正コードを直接データバス上に読出すことのでき
るエラー検出・訂正コード読出し手段を備えて構成され
ている。
この発明におけるエラー検出・訂正コード読出し手段は
、エラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラ
ー検出・訂正コードを直接読出すことができるため、不
揮発性半導体記憶装置を全く用いることなく、エラー検
出・訂正コード生成回路の検査が行える。
、エラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラ
ー検出・訂正コードを直接読出すことができるため、不
揮発性半導体記憶装置を全く用いることなく、エラー検
出・訂正コード生成回路の検査が行える。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例であるエラー検出訂正機能
を有するE2PROMを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図である。同図に示すように
FCCコードレジスタ4がECCコード生成回路1.デ
ータバスDB間に新たに設けられた。FCCコードレジ
スタ4はECCコード生成回路1より生成された生成E
CCコードED1を格納し、CPUの指令により格納し
た生成ECCコードED1をデータバスDB上に生成す
る。他の構成は第3図で示した従来例と同じであるので
説明は省略する。
を有するE2PROMを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図である。同図に示すように
FCCコードレジスタ4がECCコード生成回路1.デ
ータバスDB間に新たに設けられた。FCCコードレジ
スタ4はECCコード生成回路1より生成された生成E
CCコードED1を格納し、CPUの指令により格納し
た生成ECCコードED1をデータバスDB上に生成す
る。他の構成は第3図で示した従来例と同じであるので
説明は省略する。
このような構成において、E(、Cコード生成回路1の
単独検査は以下のように行われる。所定のパターンで図
示しないCPUより書込みデータWDをデータバスDB
上に与え書込みを行う。この時、書込みデータWDはコ
ラムラッチCLと共に、ECCコード生成回路1に与え
られ、そして、ECCコード生成回路1より占込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1がコラムラッチ
CL及びECCレジスタ4に出力される。従って、1回
の書込みサイクル中FCCレジスタ4は生成FCCコー
ドED1を保持することになる。
単独検査は以下のように行われる。所定のパターンで図
示しないCPUより書込みデータWDをデータバスDB
上に与え書込みを行う。この時、書込みデータWDはコ
ラムラッチCLと共に、ECCコード生成回路1に与え
られ、そして、ECCコード生成回路1より占込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1がコラムラッチ
CL及びECCレジスタ4に出力される。従って、1回
の書込みサイクル中FCCレジスタ4は生成FCCコー
ドED1を保持することになる。
この状態で、CPUよりFCCフードレジスタ4にアク
セスすることで、FCCコ〜ド生成回路1より当該書込
みデータWDに基づき生成された生成ECCコードED
1が、データバスDBを介して取込める。そして、取込
んだ生成ECCコードED1と、予め算出された当該書
込みデータWDに基づき生成されるべき期待ECCコー
ドEDの比較を行い、その一致・不一致を判定すること
で、ECCコード生成回路1が正確な動作を行っている
か否かの検査が行われる。
セスすることで、FCCコ〜ド生成回路1より当該書込
みデータWDに基づき生成された生成ECCコードED
1が、データバスDBを介して取込める。そして、取込
んだ生成ECCコードED1と、予め算出された当該書
込みデータWDに基づき生成されるべき期待ECCコー
ドEDの比較を行い、その一致・不一致を判定すること
で、ECCコード生成回路1が正確な動作を行っている
か否かの検査が行われる。
このように、ECCコード生成回路1の出力である生成
ECCコードED1が直接データバスDB上に取込める
ことでECCコード生成回路1の単独検査が行うことが
できる。その結果、従来より行われていたE2PRoM
全体の検査からFCCコード訂正回路1を検査対象から
除外することでテストパターン数も減らすことができ、
検査時間の短縮化により検査効率の向上も図れる。この
ようなマイクロコンピュータは、高い信頼性が要求され
るICカード等に内蔵される場合、特に有効である。
ECCコードED1が直接データバスDB上に取込める
ことでECCコード生成回路1の単独検査が行うことが
できる。その結果、従来より行われていたE2PRoM
全体の検査からFCCコード訂正回路1を検査対象から
除外することでテストパターン数も減らすことができ、
検査時間の短縮化により検査効率の向上も図れる。この
ようなマイクロコンピュータは、高い信頼性が要求され
るICカード等に内蔵される場合、特に有効である。
また、ベージモード書込み機能を有するE2PROMで
は、FCCコードレジスタ4として、例えばシフトレジ
スタを用いることで、1ページの単位の書込みデータW
Dに基づきECCコード生成回路1により生成された生
成FCCコードを格納する。そして、コラムラッチC[
への書込みデータ設定後、順次FCCコードレジスタ4
内のベージ単位のECCコードED1をデータバスDB
上に取込み、期待ECCコードEDと比較することで1
回の書込みサイクルでページ単位の書込みデータWDに
対するECCコード生成回路1の単独検査が行える。
は、FCCコードレジスタ4として、例えばシフトレジ
スタを用いることで、1ページの単位の書込みデータW
Dに基づきECCコード生成回路1により生成された生
成FCCコードを格納する。そして、コラムラッチC[
への書込みデータ設定後、順次FCCコードレジスタ4
内のベージ単位のECCコードED1をデータバスDB
上に取込み、期待ECCコードEDと比較することで1
回の書込みサイクルでページ単位の書込みデータWDに
対するECCコード生成回路1の単独検査が行える。
また、第1図の破線で示す如くE2PROMメモリセル
アレイMAからの読出しECCコードED3をマルチプ
レクサ3を介して読出せる構成にすることで、生成E
CC−コードED、と読出しECCコードED3を共に
データバスDB上に取り出すことができる。その結果、
生成ECCコードED1と読出しECCコードED3の
比較により、生成ECCコードED1が書込まれるメモ
リセルアレイMA内のメモリセルのピット不良を直接検
証することが可能になる。
アレイMAからの読出しECCコードED3をマルチプ
レクサ3を介して読出せる構成にすることで、生成E
CC−コードED、と読出しECCコードED3を共に
データバスDB上に取り出すことができる。その結果、
生成ECCコードED1と読出しECCコードED3の
比較により、生成ECCコードED1が書込まれるメモ
リセルアレイMA内のメモリセルのピット不良を直接検
証することが可能になる。
なお、この実施例ではECCコード生成回路1゜データ
バスDB間にFCCコードレジスタ4を設けたことによ
り、生成ECCコードED1の直接読出しを実現したが
、第2図に示すように、データバスDB、FCCコード
生成回路2間にデークラッチ5を設け、生成ECCコー
ドED1がマルチプレクサ3を介する構成にすることに
より、生成ECCコードED1の直接読出しが実現でき
る。
バスDB間にFCCコードレジスタ4を設けたことによ
り、生成ECCコードED1の直接読出しを実現したが
、第2図に示すように、データバスDB、FCCコード
生成回路2間にデークラッチ5を設け、生成ECCコー
ドED1がマルチプレクサ3を介する構成にすることに
より、生成ECCコードED1の直接読出しが実現でき
る。
この構成では、書込みデータWD、が1回の書込みライ
クル中データラッチ5より出力されつづけるため、EC
Cコード生成回路1からも生成ECCコードED1がマ
ルチプレクサ3に出力され続ける。従ってマルチプレク
サ3より選択的に生成ECCコードED1をデータバス
DB上に出力させることで生成ECCコードED1を直
接読出すことができる。
クル中データラッチ5より出力されつづけるため、EC
Cコード生成回路1からも生成ECCコードED1がマ
ルチプレクサ3に出力され続ける。従ってマルチプレク
サ3より選択的に生成ECCコードED1をデータバス
DB上に出力させることで生成ECCコードED1を直
接読出すことができる。
以上説明したように、この発明によれば、エラー検出・
訂正コード読出し手段により′、エラー検出・訂正回路
よりエラー検出・訂正コードを直接読出すことができる
ため、エラー検出・訂正コード生成回路の単独検査が行
え、不揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させるこ
とができる効果がある。
訂正コード読出し手段により′、エラー検出・訂正回路
よりエラー検出・訂正コードを直接読出すことができる
ため、エラー検出・訂正コード生成回路の単独検査が行
え、不揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させるこ
とができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例であるエラー検査訂正機能
を有する12180Mを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図、第2図はこの発明の他の
実施例であるエラー検査訂正機能を有する12180M
を内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック
構成図、第3図は従来のエラー検査訂正機能を有する1
2180Mを内蔵したマイクロコンピュータの一部を示
すブロック構成図である。 図において、1はFCCコード生成回路、4はFCCコ
ードレジスタ、5はデータラッチ、ED、は生成ECC
コード、MAはE PROMメモリセルアレイ、DB
はデータバスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 ED、−−−一生服ECCコード。 第2図 第3図
を有する12180Mを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図、第2図はこの発明の他の
実施例であるエラー検査訂正機能を有する12180M
を内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック
構成図、第3図は従来のエラー検査訂正機能を有する1
2180Mを内蔵したマイクロコンピュータの一部を示
すブロック構成図である。 図において、1はFCCコード生成回路、4はFCCコ
ードレジスタ、5はデータラッチ、ED、は生成ECC
コード、MAはE PROMメモリセルアレイ、DB
はデータバスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 ED、−−−一生服ECCコード。 第2図 第3図
Claims (1)
- (1)エラー検出・訂正コード生成回路及び記憶データ
の誤り・検出訂正回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
を内蔵したマイクロコンピュータにおいて、 前記エラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエ
ラー検出・訂正コードを直接データバス上に読出すこと
のできるエラー検出・訂正コード読出し手段を備えたこ
とを特徴とするマイクロコンピュータ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63026903A JPH01201736A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | マイクロコンピュータ |
FR898901481A FR2627004B1 (fr) | 1988-02-08 | 1989-02-06 | Dispositif a memoire ayant pour fonction de detecter et de corriger une erreur dans l'information stockee |
DE3903496A DE3903496A1 (de) | 1988-02-08 | 1989-02-06 | Speicherbaustein |
US07/306,565 US5056089A (en) | 1988-02-08 | 1989-02-06 | Memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63026903A JPH01201736A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | マイクロコンピュータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01201736A true JPH01201736A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12206189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63026903A Pending JPH01201736A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | マイクロコンピュータ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5056089A (ja) |
JP (1) | JPH01201736A (ja) |
DE (1) | DE3903496A1 (ja) |
FR (1) | FR2627004B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102309327A (zh) * | 2006-09-13 | 2012-01-11 | 株式会社东芝 | 磁共振图像诊断装置及其控制方法 |
Families Citing this family (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2830308B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 情報処理装置 |
JPH04141900A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JPH06325595A (ja) * | 1991-03-27 | 1994-11-25 | Nec Kyushu Ltd | 誤り訂正回路付きprom装置 |
WO1992019046A1 (en) * | 1991-04-15 | 1992-10-29 | Motorola Gmbh | EEPROM MEMORY SYSTEMS FOR 'n OUT OF m' CODES |
JPH0614003A (ja) * | 1991-07-31 | 1994-01-21 | Nec Corp | データ処理回路 |
KR940010838B1 (ko) * | 1991-10-28 | 1994-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 데이타 출력 콘트롤 회로 |
JP3070025B2 (ja) * | 1992-02-04 | 2000-07-24 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR950008789B1 (ko) * | 1992-07-30 | 1995-08-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치 |
JPH0729395A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Eeprom装置 |
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DE4413257A1 (de) * | 1994-04-16 | 1995-10-19 | Philips Patentverwaltung | Integrierte Schaltungsanordnung mit einem EEPROM, Halbleiterscheibe mit solchen integrierten Schaltungen sowie Verfahren zur Verwendung einer solchen Halbleiterscheibe |
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