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JPH01201736A - マイクロコンピュータ - Google Patents

マイクロコンピュータ

Info

Publication number
JPH01201736A
JPH01201736A JP63026903A JP2690388A JPH01201736A JP H01201736 A JPH01201736 A JP H01201736A JP 63026903 A JP63026903 A JP 63026903A JP 2690388 A JP2690388 A JP 2690388A JP H01201736 A JPH01201736 A JP H01201736A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
code
data
generated
correction
ecc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63026903A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Furuta
茂 古田
Toshiyuki Matsubara
利之 松原
Sozo Fujioka
藤岡 宗三
Kenichi Takahira
高比良 賢一
Atsuo Yamaguchi
敦男 山口
Takeshi Inoue
健 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63026903A priority Critical patent/JPH01201736A/ja
Priority to FR898901481A priority patent/FR2627004B1/fr
Priority to DE3903496A priority patent/DE3903496A1/de
Priority to US07/306,565 priority patent/US5056089A/en
Publication of JPH01201736A publication Critical patent/JPH01201736A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • G06F11/2205Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested
    • G06F11/2215Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing using arrangements specific to the hardware being tested to test error correction or detection circuits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1076Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は誤り検出訂正機能を有するE2PROM等の
不揮発性半導体記憶装置を内蔵したマイクロコンピュー
タに関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の誤り検出・訂正回路付きE2PROMを
内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック構
成図である。同図に示すように、コラムラッチCLを有
するE2PROMメモリセルアレイMAとデータバスD
B間にエラー検出・訂正(FCC)コード生成回路1.
誤り訂正回路2及びマルチプレクサ3が設けられている
FCCコード生成回路1は書込み時に書込みデータWD
より生成ECCコードED1を生成し、コラムラッチC
Lに出力し、読出し時にメモリセルアレイMAより取出
した読゛出しデータRDより再生成ECCコードED2
を生成し誤り訂正回路2に出力している。
誤り訂正回路2はメモリセルアレイMAより読出しデー
タRDと読出しECCコードED3及び前述した再生成
ECCコードED2を入力し、読出しデータRDの誤り
を検出、訂正した訂正データCDと共に、ビット訂正コ
ードBDをマルチプレクサ3に出力している。このマル
チプレクサ3よりデータバスDBに訂正データCDある
いはピット訂正コードBDを選択的に出力する。
このような構成において、書込み時に図示しないCPU
より書込みデータWDがデータバスDBを介してコラム
ラッチCLに与えられると共に、ECCコード生成回路
1に与えられる。ECCコード生成回路1は書込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1を生成し、コラ
ムラッチCLに出力する。従って、コラムラッチCLに
は書込みデータW Dと生成ECCコードED1が与え
られることになる。そして、コラムラッチCLで保持さ
れた所定数のデータ(WD、EDl)がメモリセルアレ
イMAに一括して書込まれる。
一方、読出し時はメモリセルアレイMAより読出しデー
タRD及び読出しECCコードED3が取り出され、誤
り訂正回路2に出力される。また、読出しデータRDは
ECCコード生成回路1にも出力され、ECCコード生
成回路1はこの読出しデータRDに基づき再生成ECC
コードED2を生成し、誤り訂正回路2に出力する。従
って、誤り訂正回路2に、読出しデータRD、読出しE
CCコードED3及び再生成ECCコードED2を出力
することになる。
これらのデータRD、ED  、ED3を入力しま た誤り訂正回路2は、読出しECCコードED3と再生
成ECCコードED2の排他的論理和によりビット訂正
コードBDを生成する。そして、このビット訂正コード
BDを解析することで、読出しデータRDに読出し不良
ビットがあれば、読出しデータRDより不良ビットを検
出し訂正したデータを訂正データCDとして、読出し不
良ビットがなければ読出しデータRDをそのまま訂正デ
ータCDとしてマルチプレクサ3に出力する。この時、
ビット訂正コードBDもマルチプレクサ3に出力される
。そして、CPtJはマルチプレクサ3を介して選択的
に訂正データCDをデータバスDBに取込むことで読出
しが行える。このようにして、E2PROMのメモリセ
ルアレイMA内のメモリセル不良による誤りを訂正して
読出すことができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の誤り検出・訂正回路付E2FROMを内蔵したマ
イクロコンピュータは以上のように構成されており、E
CCコード生成回路1の生成ECCコードED1が必ず
E  PROMメモリセルアレイMAに取込まれる。こ
のため、ECCコード生成回路1単独の検査を行うこと
ができず、E2PROM全体(ECCコード生成回路1
.誤り訂正回路2及びE2PROMメモリセルアレイM
A>の検査を、書込みデータWDと訂正データCDを検
証することにより行うことで、類推するしかなかった。
しかも、この方法では、非常に多くのテストパターンと
しての書込みデータを必要とし、検査時間に艮時間要す
るため、検査効率が悪いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、FCCコード生成回路の単独検査が行え、不
揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させたエラー検
出訂正機能を有するマイクロコンピュータを得ることを
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明にかかるマイクロコンピュータは、エラー検出
・訂正コード生成回路及び記憶データの誤り・検出訂正
回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を内蔵し、前記エ
ラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラー検
出・訂正コードを直接データバス上に読出すことのでき
るエラー検出・訂正コード読出し手段を備えて構成され
ている。
〔作用〕
この発明におけるエラー検出・訂正コード読出し手段は
、エラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエラ
ー検出・訂正コードを直接読出すことができるため、不
揮発性半導体記憶装置を全く用いることなく、エラー検
出・訂正コード生成回路の検査が行える。
〔実施例〕 第1図はこの発明の一実施例であるエラー検出訂正機能
を有するE2PROMを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図である。同図に示すように
FCCコードレジスタ4がECCコード生成回路1.デ
ータバスDB間に新たに設けられた。FCCコードレジ
スタ4はECCコード生成回路1より生成された生成E
CCコードED1を格納し、CPUの指令により格納し
た生成ECCコードED1をデータバスDB上に生成す
る。他の構成は第3図で示した従来例と同じであるので
説明は省略する。
このような構成において、E(、Cコード生成回路1の
単独検査は以下のように行われる。所定のパターンで図
示しないCPUより書込みデータWDをデータバスDB
上に与え書込みを行う。この時、書込みデータWDはコ
ラムラッチCLと共に、ECCコード生成回路1に与え
られ、そして、ECCコード生成回路1より占込みデー
タWDに基づき生成ECCコードED1がコラムラッチ
CL及びECCレジスタ4に出力される。従って、1回
の書込みサイクル中FCCレジスタ4は生成FCCコー
ドED1を保持することになる。
この状態で、CPUよりFCCフードレジスタ4にアク
セスすることで、FCCコ〜ド生成回路1より当該書込
みデータWDに基づき生成された生成ECCコードED
1が、データバスDBを介して取込める。そして、取込
んだ生成ECCコードED1と、予め算出された当該書
込みデータWDに基づき生成されるべき期待ECCコー
ドEDの比較を行い、その一致・不一致を判定すること
で、ECCコード生成回路1が正確な動作を行っている
か否かの検査が行われる。
このように、ECCコード生成回路1の出力である生成
ECCコードED1が直接データバスDB上に取込める
ことでECCコード生成回路1の単独検査が行うことが
できる。その結果、従来より行われていたE2PRoM
全体の検査からFCCコード訂正回路1を検査対象から
除外することでテストパターン数も減らすことができ、
検査時間の短縮化により検査効率の向上も図れる。この
ようなマイクロコンピュータは、高い信頼性が要求され
るICカード等に内蔵される場合、特に有効である。
また、ベージモード書込み機能を有するE2PROMで
は、FCCコードレジスタ4として、例えばシフトレジ
スタを用いることで、1ページの単位の書込みデータW
Dに基づきECCコード生成回路1により生成された生
成FCCコードを格納する。そして、コラムラッチC[
への書込みデータ設定後、順次FCCコードレジスタ4
内のベージ単位のECCコードED1をデータバスDB
上に取込み、期待ECCコードEDと比較することで1
回の書込みサイクルでページ単位の書込みデータWDに
対するECCコード生成回路1の単独検査が行える。
また、第1図の破線で示す如くE2PROMメモリセル
アレイMAからの読出しECCコードED3をマルチプ
レクサ3を介して読出せる構成にすることで、生成E 
CC−コードED、と読出しECCコードED3を共に
データバスDB上に取り出すことができる。その結果、
生成ECCコードED1と読出しECCコードED3の
比較により、生成ECCコードED1が書込まれるメモ
リセルアレイMA内のメモリセルのピット不良を直接検
証することが可能になる。
なお、この実施例ではECCコード生成回路1゜データ
バスDB間にFCCコードレジスタ4を設けたことによ
り、生成ECCコードED1の直接読出しを実現したが
、第2図に示すように、データバスDB、FCCコード
生成回路2間にデークラッチ5を設け、生成ECCコー
ドED1がマルチプレクサ3を介する構成にすることに
より、生成ECCコードED1の直接読出しが実現でき
る。
この構成では、書込みデータWD、が1回の書込みライ
クル中データラッチ5より出力されつづけるため、EC
Cコード生成回路1からも生成ECCコードED1がマ
ルチプレクサ3に出力され続ける。従ってマルチプレク
サ3より選択的に生成ECCコードED1をデータバス
DB上に出力させることで生成ECCコードED1を直
接読出すことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、エラー検出・
訂正コード読出し手段により′、エラー検出・訂正回路
よりエラー検出・訂正コードを直接読出すことができる
ため、エラー検出・訂正コード生成回路の単独検査が行
え、不揮発性半導体記憶装置の検査効率を向上させるこ
とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例であるエラー検査訂正機能
を有する12180Mを内蔵したマイクロコンピュータ
の一部を示すブロック構成図、第2図はこの発明の他の
実施例であるエラー検査訂正機能を有する12180M
を内蔵したマイクロコンピュータの一部を示すブロック
構成図、第3図は従来のエラー検査訂正機能を有する1
2180Mを内蔵したマイクロコンピュータの一部を示
すブロック構成図である。 図において、1はFCCコード生成回路、4はFCCコ
ードレジスタ、5はデータラッチ、ED、は生成ECC
コード、MAはE  PROMメモリセルアレイ、DB
はデータバスである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 ED、−−−一生服ECCコード。 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エラー検出・訂正コード生成回路及び記憶データ
    の誤り・検出訂正回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
    を内蔵したマイクロコンピュータにおいて、 前記エラー検出・訂正コード生成回路より生成されたエ
    ラー検出・訂正コードを直接データバス上に読出すこと
    のできるエラー検出・訂正コード読出し手段を備えたこ
    とを特徴とするマイクロコンピュータ。
JP63026903A 1988-02-08 1988-02-08 マイクロコンピュータ Pending JPH01201736A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63026903A JPH01201736A (ja) 1988-02-08 1988-02-08 マイクロコンピュータ
FR898901481A FR2627004B1 (fr) 1988-02-08 1989-02-06 Dispositif a memoire ayant pour fonction de detecter et de corriger une erreur dans l'information stockee
DE3903496A DE3903496A1 (de) 1988-02-08 1989-02-06 Speicherbaustein
US07/306,565 US5056089A (en) 1988-02-08 1989-02-06 Memory device

Applications Claiming Priority (1)

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JP63026903A JPH01201736A (ja) 1988-02-08 1988-02-08 マイクロコンピュータ

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ID=12206189

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JP63026903A Pending JPH01201736A (ja) 1988-02-08 1988-02-08 マイクロコンピュータ

Country Status (4)

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US (1) US5056089A (ja)
JP (1) JPH01201736A (ja)
DE (1) DE3903496A1 (ja)
FR (1) FR2627004B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102309327A (zh) * 2006-09-13 2012-01-11 株式会社东芝 磁共振图像诊断装置及其控制方法

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2830308B2 (ja) * 1990-02-26 1998-12-02 日本電気株式会社 情報処理装置
JPH04141900A (ja) * 1990-10-01 1992-05-15 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
JPH06325595A (ja) * 1991-03-27 1994-11-25 Nec Kyushu Ltd 誤り訂正回路付きprom装置
WO1992019046A1 (en) * 1991-04-15 1992-10-29 Motorola Gmbh EEPROM MEMORY SYSTEMS FOR 'n OUT OF m' CODES
JPH0614003A (ja) * 1991-07-31 1994-01-21 Nec Corp データ処理回路
KR940010838B1 (ko) * 1991-10-28 1994-11-17 삼성전자 주식회사 데이타 출력 콘트롤 회로
JP3070025B2 (ja) * 1992-02-04 2000-07-24 富士通株式会社 半導体記憶装置
KR950008789B1 (ko) * 1992-07-30 1995-08-08 삼성전자주식회사 멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치
JPH0729395A (ja) * 1993-06-25 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp Eeprom装置
US5502732A (en) * 1993-09-20 1996-03-26 International Business Machines Corporation Method for testing ECC logic
DE4413257A1 (de) * 1994-04-16 1995-10-19 Philips Patentverwaltung Integrierte Schaltungsanordnung mit einem EEPROM, Halbleiterscheibe mit solchen integrierten Schaltungen sowie Verfahren zur Verwendung einer solchen Halbleiterscheibe
JPH08203278A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Sony Corp 半導体メモリ
US5878061A (en) * 1996-03-14 1999-03-02 Intel Corporation Providing serial data clock signal transitions with parity bits
DE69622149T2 (de) * 1996-03-21 2002-11-28 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren zur Wiederherstellung fehlerhafter Speichereinrichtungen
US5909049A (en) * 1997-02-11 1999-06-01 Actel Corporation Antifuse programmed PROM cell
JPH10285146A (ja) * 1997-03-31 1998-10-23 Ando Electric Co Ltd ビット誤り測定回路
JPH11175362A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Ave Co Ltd 誤り訂正装置及びデータ再生装置
JP3230485B2 (ja) 1998-04-09 2001-11-19 日本電気株式会社 1チップマイクロコンピュータ
US6678854B1 (en) * 1999-10-12 2004-01-13 Ericsson, Inc. Methods and systems for providing a second data signal on a frame of bits including a first data signal and an error-correcting code
US6802036B2 (en) * 2001-11-19 2004-10-05 Sun Microsystems, Inc. High-speed first-in-first-out buffer
JP3935151B2 (ja) * 2004-01-26 2007-06-20 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US7099221B2 (en) 2004-05-06 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Memory controller method and system compensating for memory cell data losses
US20060010339A1 (en) 2004-06-24 2006-01-12 Klein Dean A Memory system and method having selective ECC during low power refresh
US7340668B2 (en) 2004-06-25 2008-03-04 Micron Technology, Inc. Low power cost-effective ECC memory system and method
US7116602B2 (en) 2004-07-15 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method and system for controlling refresh to avoid memory cell data losses
US6965537B1 (en) 2004-08-31 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Memory system and method using ECC to achieve low power refresh
JP2006179131A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Fujitsu Ltd メモリシステム及び半導体記憶装置
US7996745B2 (en) 2005-05-19 2011-08-09 Stmicroelectronics S.R.L. ECC for single 4-bits symbol correction of 32 symbols words with 21 maximum row weight matrix
EP1724687B1 (en) * 2005-05-19 2010-04-14 STMicroelectronics Srl ECC for single 4-bits symbol correction of 32 symbols words based on a matrix having a maximum row weight of 21
EP1724686B1 (en) * 2005-05-19 2010-04-07 STMicroelectronics Srl ECC for single 4-bits symbol correction of 32 symbols words based on a matrix having a maximum row weight matrix of 22
US20060277444A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Nicholas Holian Recordation of error information
US8050086B2 (en) 2006-05-12 2011-11-01 Anobit Technologies Ltd. Distortion estimation and cancellation in memory devices
KR101202537B1 (ko) 2006-05-12 2012-11-19 애플 인크. 메모리 디바이스를 위한 결합된 왜곡 추정 및 에러 보정 코딩
WO2007132452A2 (en) 2006-05-12 2007-11-22 Anobit Technologies Reducing programming error in memory devices
US8239735B2 (en) 2006-05-12 2012-08-07 Apple Inc. Memory Device with adaptive capacity
US7298152B1 (en) * 2006-05-19 2007-11-20 The Boeing Company Damage detection system
US8060806B2 (en) * 2006-08-27 2011-11-15 Anobit Technologies Ltd. Estimation of non-linear distortion in memory devices
US7894289B2 (en) 2006-10-11 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Memory system and method using partial ECC to achieve low power refresh and fast access to data
US7900120B2 (en) 2006-10-18 2011-03-01 Micron Technology, Inc. Memory system and method using ECC with flag bit to identify modified data
WO2008053473A2 (en) 2006-10-30 2008-05-08 Anobit Technologies Ltd. Memory cell readout using successive approximation
WO2008053472A2 (en) 2006-10-30 2008-05-08 Anobit Technologies Ltd. Reading memory cells using multiple thresholds
JP2008112522A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Fujitsu Ltd 誤り検出装置および誤り検出方法
US7924648B2 (en) 2006-11-28 2011-04-12 Anobit Technologies Ltd. Memory power and performance management
WO2008068747A2 (en) 2006-12-03 2008-06-12 Anobit Technologies Ltd. Automatic defect management in memory devices
US7900102B2 (en) 2006-12-17 2011-03-01 Anobit Technologies Ltd. High-speed programming of memory devices
US7593263B2 (en) 2006-12-17 2009-09-22 Anobit Technologies Ltd. Memory device with reduced reading latency
KR100850207B1 (ko) 2006-12-29 2008-08-04 삼성전자주식회사 시스터메틱 코드 발생을 위한 듀얼 클럭킹 방법을 채용한메모리 장치
US8151166B2 (en) 2007-01-24 2012-04-03 Anobit Technologies Ltd. Reduction of back pattern dependency effects in memory devices
US7751240B2 (en) 2007-01-24 2010-07-06 Anobit Technologies Ltd. Memory device with negative thresholds
CN101715595A (zh) 2007-03-12 2010-05-26 爱诺彼得技术有限责任公司 存储器单元读取阈的自适应估计
US8001320B2 (en) 2007-04-22 2011-08-16 Anobit Technologies Ltd. Command interface for memory devices
US8234545B2 (en) 2007-05-12 2012-07-31 Apple Inc. Data storage with incremental redundancy
US8429493B2 (en) * 2007-05-12 2013-04-23 Apple Inc. Memory device with internal signap processing unit
US7925936B1 (en) 2007-07-13 2011-04-12 Anobit Technologies Ltd. Memory device with non-uniform programming levels
US8259497B2 (en) * 2007-08-06 2012-09-04 Apple Inc. Programming schemes for multi-level analog memory cells
US8174905B2 (en) 2007-09-19 2012-05-08 Anobit Technologies Ltd. Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells
US7773413B2 (en) 2007-10-08 2010-08-10 Anobit Technologies Ltd. Reliable data storage in analog memory cells in the presence of temperature variations
US8000141B1 (en) 2007-10-19 2011-08-16 Anobit Technologies Ltd. Compensation for voltage drifts in analog memory cells
US8068360B2 (en) 2007-10-19 2011-11-29 Anobit Technologies Ltd. Reading analog memory cells using built-in multi-threshold commands
WO2009050703A2 (en) 2007-10-19 2009-04-23 Anobit Technologies Data storage in analog memory cell arrays having erase failures
KR101509836B1 (ko) 2007-11-13 2015-04-06 애플 인크. 멀티 유닛 메모리 디바이스에서의 메모리 유닛의 최적화된 선택
US8225181B2 (en) * 2007-11-30 2012-07-17 Apple Inc. Efficient re-read operations from memory devices
US8209588B2 (en) 2007-12-12 2012-06-26 Anobit Technologies Ltd. Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays
US8456905B2 (en) * 2007-12-16 2013-06-04 Apple Inc. Efficient data storage in multi-plane memory devices
US8085586B2 (en) 2007-12-27 2011-12-27 Anobit Technologies Ltd. Wear level estimation in analog memory cells
US8156398B2 (en) 2008-02-05 2012-04-10 Anobit Technologies Ltd. Parameter estimation based on error correction code parity check equations
US7924587B2 (en) 2008-02-21 2011-04-12 Anobit Technologies Ltd. Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition
US7864573B2 (en) 2008-02-24 2011-01-04 Anobit Technologies Ltd. Programming analog memory cells for reduced variance after retention
US8230300B2 (en) 2008-03-07 2012-07-24 Apple Inc. Efficient readout from analog memory cells using data compression
US8059457B2 (en) 2008-03-18 2011-11-15 Anobit Technologies Ltd. Memory device with multiple-accuracy read commands
US8400858B2 (en) 2008-03-18 2013-03-19 Apple Inc. Memory device with reduced sense time readout
JP2010026896A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Nec Electronics Corp メモリシステム、及び、メモリエラー要因特定方法
US7995388B1 (en) 2008-08-05 2011-08-09 Anobit Technologies Ltd. Data storage using modified voltages
US8949684B1 (en) 2008-09-02 2015-02-03 Apple Inc. Segmented data storage
US8169825B1 (en) 2008-09-02 2012-05-01 Anobit Technologies Ltd. Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods
US8000135B1 (en) 2008-09-14 2011-08-16 Anobit Technologies Ltd. Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals
US8482978B1 (en) 2008-09-14 2013-07-09 Apple Inc. Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals
US8239734B1 (en) 2008-10-15 2012-08-07 Apple Inc. Efficient data storage in storage device arrays
US8261159B1 (en) 2008-10-30 2012-09-04 Apple, Inc. Data scrambling schemes for memory devices
US8208304B2 (en) 2008-11-16 2012-06-26 Anobit Technologies Ltd. Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N
US8397131B1 (en) 2008-12-31 2013-03-12 Apple Inc. Efficient readout schemes for analog memory cell devices
US8248831B2 (en) 2008-12-31 2012-08-21 Apple Inc. Rejuvenation of analog memory cells
US8924661B1 (en) 2009-01-18 2014-12-30 Apple Inc. Memory system including a controller and processors associated with memory devices
US8228701B2 (en) * 2009-03-01 2012-07-24 Apple Inc. Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays
US8832354B2 (en) 2009-03-25 2014-09-09 Apple Inc. Use of host system resources by memory controller
US8259506B1 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Apple Inc. Database of memory read thresholds
US8238157B1 (en) 2009-04-12 2012-08-07 Apple Inc. Selective re-programming of analog memory cells
US8479080B1 (en) 2009-07-12 2013-07-02 Apple Inc. Adaptive over-provisioning in memory systems
US8495465B1 (en) 2009-10-15 2013-07-23 Apple Inc. Error correction coding over multiple memory pages
US8677054B1 (en) 2009-12-16 2014-03-18 Apple Inc. Memory management schemes for non-volatile memory devices
US8694814B1 (en) 2010-01-10 2014-04-08 Apple Inc. Reuse of host hibernation storage space by memory controller
US8677203B1 (en) 2010-01-11 2014-03-18 Apple Inc. Redundant data storage schemes for multi-die memory systems
US8694853B1 (en) 2010-05-04 2014-04-08 Apple Inc. Read commands for reading interfering memory cells
US8572423B1 (en) 2010-06-22 2013-10-29 Apple Inc. Reducing peak current in memory systems
US8595591B1 (en) 2010-07-11 2013-11-26 Apple Inc. Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells
US9104580B1 (en) 2010-07-27 2015-08-11 Apple Inc. Cache memory for hybrid disk drives
US8767459B1 (en) 2010-07-31 2014-07-01 Apple Inc. Data storage in analog memory cells across word lines using a non-integer number of bits per cell
US8856475B1 (en) 2010-08-01 2014-10-07 Apple Inc. Efficient selection of memory blocks for compaction
US8493781B1 (en) 2010-08-12 2013-07-23 Apple Inc. Interference mitigation using individual word line erasure operations
US8694854B1 (en) 2010-08-17 2014-04-08 Apple Inc. Read threshold setting based on soft readout statistics
US9021181B1 (en) 2010-09-27 2015-04-28 Apple Inc. Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals
JP2012128778A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Sony Corp データ転送装置、メモリ制御装置、およびメモリシステム
US8612842B2 (en) * 2011-05-25 2013-12-17 Infineon Technologies Ag Apparatus for generating a checksum
CN102568605B (zh) * 2011-12-23 2014-12-24 青岛海信信芯科技有限公司 系统总线检错纠错方法和nand flash控制器
US11068341B2 (en) * 2019-09-05 2021-07-20 Microchip Technology Inc. Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array
US11556416B2 (en) 2021-05-05 2023-01-17 Apple Inc. Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds
KR20220168737A (ko) * 2021-06-17 2022-12-26 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US11847342B2 (en) 2021-07-28 2023-12-19 Apple Inc. Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248943A (en) * 1975-10-17 1977-04-19 Hitachi Ltd Testing function of electronic equipment
JPS5351938A (en) * 1976-10-20 1978-05-11 Fujitsu Ltd Error check circuit test system in data processing unit
JPS5362937A (en) * 1976-11-17 1978-06-05 Toshiba Corp Momory control device
JPS5693192A (en) * 1979-12-25 1981-07-28 Fujitsu Ltd Diagnosis system
JPS61226852A (ja) * 1985-03-30 1986-10-08 Toshiba Corp 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3825894A (en) * 1973-09-24 1974-07-23 Ibm Self-checking parity checker for two or more independent parity coded data paths
US4327408A (en) * 1979-04-17 1982-04-27 Data General Corporation Controller device with diagnostic capability for use in interfacing a central processing unit with a peripheral storage device
US4531213A (en) * 1982-03-03 1985-07-23 Sperry Corporation Memory through checking system with comparison of data word parity before and after ECC processing
US4513418A (en) * 1982-11-08 1985-04-23 International Business Machines Corporation Simultaneous self-testing system
JPS59110010A (ja) * 1982-12-14 1984-06-25 Nec Corp デ−タ記憶装置の保守診断回路
US4527269A (en) * 1983-02-08 1985-07-02 Ampex Corporation Encoder verifier
US4601034A (en) * 1984-03-30 1986-07-15 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for testing very large scale integrated memory circuits
JPS60219700A (ja) * 1984-04-13 1985-11-02 Sharp Corp 誤り訂正機能内蔵半導体集積回路
JPS61102841A (ja) * 1984-10-24 1986-05-21 Nec Corp 回線品質監視装置
US4730320A (en) * 1985-02-07 1988-03-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
JPH0690879B2 (ja) * 1985-02-20 1994-11-14 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH0646520B2 (ja) * 1985-02-07 1994-06-15 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US4670876A (en) * 1985-05-15 1987-06-02 Honeywell Inc. Parity integrity check logic
US4736376A (en) * 1985-10-25 1988-04-05 Sequoia Systems, Inc. Self-checking error correcting encoder/decoder
JPS62120699A (ja) * 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS63129600A (ja) * 1986-11-19 1988-06-01 Nec Corp 誤り検出・訂正回路付半導体記憶装置
US4809273A (en) * 1987-01-29 1989-02-28 International Business Machines Corporation Device for verifying operation of a checking code generator
JP6232823B2 (ja) * 2013-08-08 2017-11-22 日清紡ケミカル株式会社 燃料電池セパレータ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248943A (en) * 1975-10-17 1977-04-19 Hitachi Ltd Testing function of electronic equipment
JPS5351938A (en) * 1976-10-20 1978-05-11 Fujitsu Ltd Error check circuit test system in data processing unit
JPS5362937A (en) * 1976-11-17 1978-06-05 Toshiba Corp Momory control device
JPS5693192A (en) * 1979-12-25 1981-07-28 Fujitsu Ltd Diagnosis system
JPS61226852A (ja) * 1985-03-30 1986-10-08 Toshiba Corp 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102309327A (zh) * 2006-09-13 2012-01-11 株式会社东芝 磁共振图像诊断装置及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5056089A (en) 1991-10-08
FR2627004B1 (fr) 1993-01-15
FR2627004A1 (fr) 1989-08-11
DE3903496A1 (de) 1989-08-17
DE3903496C2 (ja) 1991-01-31

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