JPH01187422A - 低温用温度計 - Google Patents
低温用温度計Info
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- JPH01187422A JPH01187422A JP1298788A JP1298788A JPH01187422A JP H01187422 A JPH01187422 A JP H01187422A JP 1298788 A JP1298788 A JP 1298788A JP 1298788 A JP1298788 A JP 1298788A JP H01187422 A JPH01187422 A JP H01187422A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000750 Niobium-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000657 niobium-tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、低温或いは極低温を測定するための低温用温
度計に関するものである。
度計に関するものである。
[従来の技術]
従来、−膜内に低温或いは極低温の温度を広範囲に正確
に測定し得る温度計は殆ど知られていない。−100℃
程度の低温用温度計には、SiC結晶、5nSe薄膜か
ら成るサーミスタが用いられているが、この低温度用温
度計は時定数が30〜60秒と長く、正確な温度測定が
難しいという欠点がある。
に測定し得る温度計は殆ど知られていない。−100℃
程度の低温用温度計には、SiC結晶、5nSe薄膜か
ら成るサーミスタが用いられているが、この低温度用温
度計は時定数が30〜60秒と長く、正確な温度測定が
難しいという欠点がある。
また極低温用の温度計としては、Ge半導体素子を使用
した抵抗式温度計がある。この抵抗式温度計はその電気
抵抗を四端子法で測定することにより、温度を間接的に
検出するものである。しかし、このGe半導体素子はカ
プセル内にヘリウムガスを封入しているため、熱伝導率
が小さく正確な温度測定が難しい。更に、カプセル内の
配線には熱の侵入を抑えるために、極めて細いリード線
が使用されているので、過大電流が僅かでも流れると断
線してしまう虞れがある。
した抵抗式温度計がある。この抵抗式温度計はその電気
抵抗を四端子法で測定することにより、温度を間接的に
検出するものである。しかし、このGe半導体素子はカ
プセル内にヘリウムガスを封入しているため、熱伝導率
が小さく正確な温度測定が難しい。更に、カプセル内の
配線には熱の侵入を抑えるために、極めて細いリード線
が使用されているので、過大電流が僅かでも流れると断
線してしまう虞れがある。
常温から高温測定が可能な温度計が従来までに種々製造
されているのに対して、このように低温から極低温まで
の広範囲の温度測定を正確になし得る温度計は、現在の
ところ皆無と云ってよい。
されているのに対して、このように低温から極低温まで
の広範囲の温度測定を正確になし得る温度計は、現在の
ところ皆無と云ってよい。
[発明の目的]
本発明の目的は、上述の欠点を解消し、低温度の温度検
知部分に超伝導材を用いて、低温から極低温までの広範
囲の温度が測定できる低温用温度計を提供することにあ
る。
知部分に超伝導材を用いて、低温から極低温までの広範
囲の温度が測定できる低温用温度計を提供することにあ
る。
[発明の概要]
上述の目的を達成するための本発明の要旨は、低温にお
ける超伝導臨界温度が互いに異なる複数個の超伝導材を
配設し、これらの超伝導材を並列的又は直列的に接続す
るように電極を設け、これらの電極間を流れる電流値を
基に低温測定を行うことを特徴とする低温用温度計であ
る。
ける超伝導臨界温度が互いに異なる複数個の超伝導材を
配設し、これらの超伝導材を並列的又は直列的に接続す
るように電極を設け、これらの電極間を流れる電流値を
基に低温測定を行うことを特徴とする低温用温度計であ
る。
[発明の実施例]
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第1図は低温用温度計1の平面図、第2図は断面図であ
る。図面において、例えば金属製の基板2上に薄膜状の
超伝導材3〜6がコーティングされ、これらの超伝導材
3〜6は互いに超伝導臨界温度が異なり、隣接した状態
で配列されている。
る。図面において、例えば金属製の基板2上に薄膜状の
超伝導材3〜6がコーティングされ、これらの超伝導材
3〜6は互いに超伝導臨界温度が異なり、隣接した状態
で配列されている。
超伝導材3〜6には、例えば23にで臨界温度に達する
Nb3Geから成る超伝導材3.30にで臨界温度に達
するLa−Ba−Cu−0系のセラミ−/ り、或いは
Y:0.4、Ba:0.6、Cub:2.22のような
組成比の超伝導材4、更に98にで臨界温度に達するY
−Ba−Cu−0系の四元合金から成る超伝導材5.1
23にで臨界温度に達するY−Ba−Cu−0系の同様
に四元合金から成る超伝導材6が用いられている。
Nb3Geから成る超伝導材3.30にで臨界温度に達
するLa−Ba−Cu−0系のセラミ−/ り、或いは
Y:0.4、Ba:0.6、Cub:2.22のような
組成比の超伝導材4、更に98にで臨界温度に達するY
−Ba−Cu−0系の四元合金から成る超伝導材5.1
23にで臨界温度に達するY−Ba−Cu−0系の同様
に四元合金から成る超伝導材6が用いられている。
これらの超伝導材3〜6の両端には、超伝導材3〜6が
並列的に接続されるように電極7.8が接続され、更に
電極7.8にはそれぞれリード線9a、9bが接続され
、超伝導材3〜6と電極7.8を保護する目的でエポキ
シ樹脂等に代表される合成樹脂被覆部材10がオーバー
コーテイングされている。この合成樹脂被覆部材10は
電極7.8とリード線9a、9bを固着する目的を併せ
持つ材料が選択されている。また、基板2には熱伝導性
が良いAu、Ag、Cu或いはステンレス等の熱伝導性
の良好な合金を用いることが好適である。
並列的に接続されるように電極7.8が接続され、更に
電極7.8にはそれぞれリード線9a、9bが接続され
、超伝導材3〜6と電極7.8を保護する目的でエポキ
シ樹脂等に代表される合成樹脂被覆部材10がオーバー
コーテイングされている。この合成樹脂被覆部材10は
電極7.8とリード線9a、9bを固着する目的を併せ
持つ材料が選択されている。また、基板2には熱伝導性
が良いAu、Ag、Cu或いはステンレス等の熱伝導性
の良好な合金を用いることが好適である。
また、98に−123にの間の任意の臨界温度を得る場
合には、Y−Ba−Cu−0系の組成比を種々選択する
ことによって、目的とする温度の検出を可能とする超伝
導材を得ることができる。
合には、Y−Ba−Cu−0系の組成比を種々選択する
ことによって、目的とする温度の検出を可能とする超伝
導材を得ることができる。
更に、前記以外の超伝導材においても、合金の組成比を
変更することによって所望の臨界温度とすることが可能
である。従って、低温領域での温度を測定するためには
、種々の組成と組成比を持ったセラミック又は結晶から
成る超伝導材を用いればよいことになる。
変更することによって所望の臨界温度とすることが可能
である。従って、低温領域での温度を測定するためには
、種々の組成と組成比を持ったセラミック又は結晶から
成る超伝導材を用いればよいことになる。
第3図は低温用温度計1を被測定物Sの表面に接着して
温度測定を行う場合を示し、各超伝導材3〜6がそれぞ
れ定められた臨界温度に達すると、該当する超伝導材3
〜6の抵抗が零になる。
温度測定を行う場合を示し、各超伝導材3〜6がそれぞ
れ定められた臨界温度に達すると、該当する超伝導材3
〜6の抵抗が零になる。
従って、臨界温度に対応した超伝導材の面積抵抗が減少
した分だけ電流が流れるので、この電流値を測定するこ
とによって温度計測が可能となり、この場合の印加電圧
は各種電池等による微小電流で充分である。更に、リー
ド線9a、9bも超伝導材とすると電流損失が無くなる
ので、使用する電池の寿命は著しく延長され、温度計と
しても延命され経済的なメリットがある。
した分だけ電流が流れるので、この電流値を測定するこ
とによって温度計測が可能となり、この場合の印加電圧
は各種電池等による微小電流で充分である。更に、リー
ド線9a、9bも超伝導材とすると電流損失が無くなる
ので、使用する電池の寿命は著しく延長され、温度計と
しても延命され経済的なメリットがある。
本実施例によって得られる低温用温度計1の温度測定範
囲は、第1表の通りである。
囲は、第1表の通りである。
第1表
超伝導材 温度K
Nb3Ge 23L a :
0.4、B a :0.6、Cu O:2.22 30
Y、Ba2 、Cu207 98Y :0.
4、B a :0.f3、Cuo:2.22 123即
ち、第1表に示すように、この低温用温度計1は23に
という液体水素温度(20K)近くまでの低温から、1
23K(−150℃)までの低温に至るまでの温度を測
定することができる。
0.4、B a :0.6、Cu O:2.22 30
Y、Ba2 、Cu207 98Y :0.
4、B a :0.f3、Cuo:2.22 123即
ち、第1表に示すように、この低温用温度計1は23に
という液体水素温度(20K)近くまでの低温から、1
23K(−150℃)までの低温に至るまでの温度を測
定することができる。
先の実施例では、超伝導材を4種類選定して、測定温度
を4点とした場合の実施例を示したが、例えばLa−B
a−Cu−0系、Y−Ba−Cu−0系の超伝導材の組
成比を変化させることにより、超伝導材の臨界温度が著
しく変化することを利用して、測定温度範囲内における
測定点を増加し、測定をより連続的とすることができる
。例えば、 Y−Ba−Cu−0系の超伝導材の場合に
は、98に〜123にとの広範囲の温度測定を可能にし
ているので、組成比を変化させることによって例えば5
に毎の臨界温度を有する超伝導材を造れば、先の実施例
の4種類の超伝導材を更に4種類増やし、8ステツプの
温度測定が可能となる。
を4点とした場合の実施例を示したが、例えばLa−B
a−Cu−0系、Y−Ba−Cu−0系の超伝導材の組
成比を変化させることにより、超伝導材の臨界温度が著
しく変化することを利用して、測定温度範囲内における
測定点を増加し、測定をより連続的とすることができる
。例えば、 Y−Ba−Cu−0系の超伝導材の場合に
は、98に〜123にとの広範囲の温度測定を可能にし
ているので、組成比を変化させることによって例えば5
に毎の臨界温度を有する超伝導材を造れば、先の実施例
の4種類の超伝導材を更に4種類増やし、8ステツプの
温度測定が可能となる。
また、第4図に示すようにNb3Snから成る超伝導材
11を用いて液体水素温度20Kを、La:1.85、
Sr:0.5、CuO2から成る超伝導材12を用いて
液体窒素温度77Kを測定するための超伝導材11.1
2を筒状の二層構造とした二点計測用の低温用温度計が
得られる。
11を用いて液体水素温度20Kを、La:1.85、
Sr:0.5、CuO2から成る超伝導材12を用いて
液体窒素温度77Kを測定するための超伝導材11.1
2を筒状の二層構造とした二点計測用の低温用温度計が
得られる。
この場合は回路的には超伝導材11.12を直列的に接
続して、その両側に電極13.14を設けた状態となる
。なお、超伝導材11.12の臨界温度はそれぞれ18
K、56にである。
続して、その両側に電極13.14を設けた状態となる
。なお、超伝導材11.12の臨界温度はそれぞれ18
K、56にである。
上述の実施例のように、特定の臨界温度温度を有する多
数点の超伝導材を任意に配設することにより、低温から
極低温の多点温度計測が可能になる。また、他の任意の
形状の低温用温度計を目的に応じて造ることもできる。
数点の超伝導材を任意に配設することにより、低温から
極低温の多点温度計測が可能になる。また、他の任意の
形状の低温用温度計を目的に応じて造ることもできる。
なお、寸法的にも超伝導材は数JLmの幅のものが使用
でき、極めて小型の低温用温度計が実現できる。
でき、極めて小型の低温用温度計が実現できる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る低温用温度計は、超伝
導材の種類、組成比、面積抵抗比の変化を任意に選択す
ることによって、−100℃以下の極低温度までを測定
することが可能になる。また、測定温度ステップは超伝
導材の種類と組成比を変えることにより面積抵抗の変化
に基づき、任意に多数ステップの温度測定を可能とし、
殆ど連続して低温度から極低温までの温度を測定するこ
とができる。
導材の種類、組成比、面積抵抗比の変化を任意に選択す
ることによって、−100℃以下の極低温度までを測定
することが可能になる。また、測定温度ステップは超伝
導材の種類と組成比を変えることにより面積抵抗の変化
に基づき、任意に多数ステップの温度測定を可能とし、
殆ど連続して低温度から極低温までの温度を測定するこ
とができる。
図面は本発明に係る低温用温度計の実施例を示し、第1
図は平面図、第2図は第1図のI−n線に沿った断面図
、第3図は測温状態の斜視図、第4図は円形温度計の断
面図である。 符号1は温度計、2は基板、3〜6.11.12は超伝
導材、7.8.13.14は電極、9a、9bはリード
線、lOは合成樹脂被覆部材である。 特許出願人 キャノン株式会社
図は平面図、第2図は第1図のI−n線に沿った断面図
、第3図は測温状態の斜視図、第4図は円形温度計の断
面図である。 符号1は温度計、2は基板、3〜6.11.12は超伝
導材、7.8.13.14は電極、9a、9bはリード
線、lOは合成樹脂被覆部材である。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 1、低温における超伝導臨界温度が互いに異なる複数個
の超伝導材を配設し、これらの超伝導材を並列的又は直
列的に接続するように電極を設け、これらの電極間を流
れる電流値を基に低温測定を行うことを特徴とする低温
用温度計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298788A JPH01187422A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 低温用温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298788A JPH01187422A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 低温用温度計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01187422A true JPH01187422A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11820557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1298788A Pending JPH01187422A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 低温用温度計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01187422A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012112574A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1298788A patent/JPH01187422A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012112574A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
US9995639B2 (en) | 2012-12-18 | 2018-06-12 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Sensor element, thermometer as well as method for determining a temperature |
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