JPH01144072A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、像担持体としてアモルファスシリコン感光体
を用いた転写方式の画像形成装置に関する。

〔従来の技術〕

アモルファスシリコン（非晶質シリコン系、以下ａ−９
ｉと記す）は優れた光導電材料として注目され、該ａ−
９ｉを感光層とする感光体は高速度電子写真装置・レー
ザビームプリンタ　（ＬＯＰ）等に像担持体として組込
む感光体として賞用されている。

即ちａ−９ｉ感光体は他の光導電材料（Ｓｅ・　ＣｄＳ
・　ＺｎＯ等の無機材料やポリビニルカルバゾール・フ
タロシアニン等の有機材料）を感光層とする感光体に比
べて、感光層の表面硬度が高（（ＪＩＳ規格、ビッカー
ス硬さ１０００　Ｋｇ／ａｍ２以上）、耐摩耗性・耐傷
付性Φ耐衝撃性等に格段に優れる、耐熱性・耐温性・耐
コロナイオン性拳電位安定性等にも優れる、光感度もよ
く半導体レーザ（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）などの長波
長光に高い感度を示し、光感度劣化をほとんど示さない
、毒性も全くない等の種々の特徴があり、それ等の本来
的な緒特性は長期にわたる繰返し使用でも物理的・化学
的な劣化や変性が殆ど認められない長寿命感光体である
。

而して該ａ−９ｉ感光体を用いた転写方式の電子写真装
置・　ＬＢＰ等の画像形成装置は他の感光体を用いたも
のと同様に感光体に対して、感光体面を一様に帯電する
主帯電工程、その帯電面に原稿画像のスリット露光、レ
ーザビーム走査露光等による画像露光をして露光パター
ンに対応した静電潜像を形成する画像露光工程、形成静
電潜像を現像剤（トナー）で現像する現像工程、現像像
を転写材に転写させる転写工程、感光体の反復使用のた
めに、像転写後の感光体面を清浄面化するクリーニング
工程、を基本的に含む画像形成プロセスを適用して画像
形成物（現像像が転写され、像定着処理された転写材）
を出力させる構成になっている。

第４図はその具体例装置の概略構成を示したもので、本
例は像担持体として回転ドラム型のａ−Ｓｉ感感光体音
用いた電子写真複写機である。

ａ−９ｉ感光体１は中心軸１ａを中心に矢示ａ方向に所
定のプロセススピード（回転周速度）で回転駆動され、
その回転過程で感光体周囲に配設された作像プロセス機
器による下記の作像工程を順次に受けて像形成が実行さ
れる。

■主帯電：主帯電器２によって所定電位の一様帯電を受
ける。

■画像露光：その一様帯電面に不図示の画像露光手段に
より原稿画像のスリット露光３　（ＬＯＰの場合は目的
の画像情報のレーザビーム走査書込み露光）がなされ、
Ｎ光パターンに対応した静電潜像が次に形成されていく
。

■現像：該静電潜像が現像器４によりトナー像として現
像される。

■転写：不図示の給紙部から転写材Ｐがシートパス８を
通して感光体ｌと転写帯電器５との間に供給され、転写
材Ｐの表面側に感光体１面側のトナー像が順次に転写さ
れていく。

■定着：転写帯電器５の位置を通過した転写材Ｐは、感
光体１面から分離されて搬送路９から不図示の定着器へ
導入されて像定着を受け。

画像形成物（コピー）として装置外へ排出される。

■クリーニング：転写材分離後の感光体１面はクリーニ
ング器６によって転写残りトナー、その他の付着汚損物
の除去がなされて清浄面化される。

■除電露光：クリーニング器６を通過した感光体１面は
除電露光器７で一様露光を受けて光メモリの消去がなさ
れ、前記クリーニング器６と該除電露光器７で物理的に
も電気的にも均一な清浄面にされた感光体１面が再び繰
返して作像に供される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

（１）　ａ−Ｓｉ感光体は他の感光体に比べて多くのダ
ングリングボンド（未結合手）を有しており、これが局
在準位となって露光による光生成キャリアの一部を捕捉
してその走行性を低下させ、あるいはキャリアの再結合
確率を低下させる。つまり、光メモリ（光疲労）を生じ
やすい。

そのため画像露光工程や他の例えばブランク露光等の露
光工程で感光体の露光明部に一旦生成されたキャリアの
一部は、感光体の反復使用過程でその感光体面部分が再
び主帯電工程で帯電を受けるときも局在準位に捕捉され
たまま再結合せずに残りやすく（光メモリの保持）、そ
の光メモリのある感光体面に主帯電工程で再帯電の電界
がかかると同時に捕捉キャリアが局在準位から開放され
、その結果光メモリの露光明部対応部分と露光暗部対応
部分（非露光部）との間で感光体表面電位に差が生じ、
その電位差パターン（光メモリパターン）がゴーストと
称される画像むらとなって出力画像にあられれやすい。

そこで従来はクリーニング工程と主帯電工程との間に除
電露光工程を設けて感光体面を均一露光して感光体内部
に潜在するキャリアを光メモリの露光明部対応部分も露
光暗部対応部分も何れも過多にして全体均一なキャリア
状態にすることにより光メモリを消去する手段が一般に
採用されている。

除電露光工程の光量を増やしたり、光波長をａ−９ｉ感
光体の分光感度ピーク　（おおむね８８０〜７００ｎ■
）にもかずけることにより、より効果的に光メモリ、従
ってゴーストを消去することが可能である。

しかしａ−９ｔ感光体は前述したように光メモリを生じ
ゃす〈除電露光工程の光を強くしたり、波長を長くして
ａ−Ｓｉ感光体の分光感度ピークにちかずけすぎると、
該除電露光により感光体内部に過多に生成された潜在キ
ャリアが実質的に再結合し終わるまえに感光体面が主帯
電工程に突入して主帯電を受ける状態を生じ、感光体面
の主帯電効率を著しく低下させるといった弊害があった
。

即ち感光体の主帯電工程はその初期過程はその前工程の
除電露光により感光体内部に過多に生成されて残存する
キャリアの再結会期として費やされてしまい、その後が
主帯電電荷による表面電位上昇期となるといったステッ
プを踏むことになるため、感光体が除電露光を受け、次
いで主帯電工程に進入する直前時において感光体内部に
存在する再結合するには至っていないキャリア量が多い
状態にあれば帯電効率が低下して主帯電工程による感光
体面の最終的な表面電位は低いものとなり、キャリア量
が少ない状態にあれば帯電効率が上昇して表面電位は高
いものとなる。つまり主帯電工程直前時での感光体内部
のキャリア量状態が、主帯電工程による最終的な感光体
表面電位の高低、すなわち帯電能（主帯電効率）に大き
く影響する。

従って、感光体の光メモリ消去のために除電露光を受け
た感光体面は該除電露光により感光体内部に過多に生成
したキャリアがおおむね再結合を終えるに要する一定時
間（おおむね１００ｍ　ｓｅｃ以上）後に主帯電工程に
進入して主帯電を受けることが帯電効率を上げる上で望
ましいのであるが、例えばプロセススピード（感光体の
面移動駆動速度）　３００　■／ｓｅｃ以上の高速複写
機などでは感光体面が除電露光工程から主帯電工程へ至
るまでの時間を上記１００■ｓｅｅ以上とることは実際
上困難であり、そのために除電露光工程の露光強度や光
線波長に制約を受け、ある程度のゴーストの発生は割り
切らざるを得ないのが現状であった。

また暗抵抗が他感光体にくらべ低く単位膜厚当りの帯電
電位がｌＯ〜１８（Ｖ／ＩＬｍ）と低く、暗減衰も現状
１００〜２００Ｖ　／ｓｅｃ程度と大きいといった問題
がある。これに対して感光層膜厚を増すことが効果的で
あるが、近年高速成膜ＣＶＤ法として脚光をあびている
マイクロウェーブ法によっても製造コストは膜厚にほぼ
比例するため膜厚は可能な限り薄いことが好ましく、そ
の結実現像器部位での電位コントラストを高く取ること
がむつかしかった。したがって、ａ−Ｓｉ感光体を用い
る画像形成装置において現像コントラストを高く取れる
画像形成プロセスが求められていた。

（２）又感光体１の少なくとも主帯電手段としては均−
帯電処理性がよいことから現在はとんどの場合、金メツ
キタングステン線等のワイヤ電極とシールド板を主構成
材とするコロナ放電器（帯電器）を利用している。即ち
該コロナ放電器のワイ中電極に高電圧を印加する事によ
って発生するコロナを被帯電体たる感光体面に作用させ
て感光体面を所望の表面電位に帯電させるものである。

しかしコロナ放電器を用いた帯電処理系においては以下
のような問題点を有している。

１）高電圧印加 感光体上に５００〜７００ｖの表面電位を得るためにＤ
Ｃ４〜８ＫＶといった高電圧をワイヤ電極に印加する必
要性があり、電極及び本体へのリークを防止すべくワイ
ヤから電極の距離を大きく維持する等のために放電器自
体が大型化し、又高絶縁被覆ケーブルの使用が不可欠で
ある。

大型放電器は画像形成装置の全体、或は画像形成装置本
体に対して着脱自由に構成した。該放電器を含むプロセ
スカートリッジＣ（第４図は感光体１・主帯電器２・現
像器４・クリーニング器６・除電露光器７の５器を−ま
とめにしてプロセスカートリッジ化している）の小型化
設計の障害因子の１つとなる。

２）帯電効率が低い ワイヤからの放電電流の大半はシールド電極へ流れ、被
帯電体たる感光体側へ流れるコロナ電流は総放電電流の
数パーセントにすぎない。

３）コロナ放電生成物の発生 コロナ放電によってオゾンの発生があり、更にはその発
生オゾンによりＮｏ！１１硝酸などが生成され、装置構
成部品の酸化、感光体表面のコロナ生成物付着汚損によ
る画像ボケ（画像流れ、特にこの現象は高湿環境下にお
いて著しい）が生じ易く、またオゾンの人体への影響を
考慮してオゾン吸収・分解フィルタ及びフィルタへの気
流発生手段であるファンが必要である。

０ワイヤ汚れ 放電効率をあげるために曲率の大きい放電ワイヤ（−数
的には６０ＩＬ〜１００　ｇの直径のものが用いられる
）が使用されるが、ワイヤ表面に形成される高電界によ
って装置内の微小な塵埃を集塵してワイヤ表面が汚れる
。ワイヤ汚れは放電にムラを生じ易く、それが画像ムラ
となってあられれる。

従ってかなり頻繁にワイヤや放電器内を清掃処理する必
要がある。

５）　ａ−９ｉ感光体は暗減衰が大きいため潜像形成後
すみやかに現像されることが画像コントラスト向上の上
で望ましく、そこで主帯電器２と現像器４は互いにでき
るだけ近接配設するのがよい、しかし実際上は主帯電器
としてのコロナ放電器は集塵作用が強いので、該コロナ
放電器２をトナーのような微粉体を扱う現像器４に近接
配設させることはむしろさける必要があるという二律背
反の問題があった。

本発明は上記に鑑みてａ−Ｓｉ感光体を用いる転写方式
の画像形成装置について前記（１）項に記載したような
ａ−９ｉ感光体の光メモリや暗減衰に起因する問題、　
（２）項に記載したような感光体の主帯電をコロナ放電
器で行うことに起因する諸問題を解消することを目的と
する。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、像担持体としてアモルファスシリコン感光体
を用いた転写方式の画像形成装置において、感光体の繰
返し使用による光メモリを消去する除電露光手段と、除
電露光後の感光体面に形成される静電潜像を現像する現
像手段との間に、静電潜像形成手段として感光体の面移
動方向に順次に、画像露光工程部と、画像露光後の感光
体面に電圧を印加した導電部材を接触させて該感光体面
を、感光体の画像露光明部領域に再結合していない光生
成キャリアが残留している時間内に帯電処理する接触帯
電手段を具備させた、ことを特徴とする画像形成装置を
要旨とする。

〔作　用〕

（ａ）本発明において静電潜像の形成はａ−９ｉ感光体
の光疲労特性を逆利用して？行うもので、前の作像の残
留光メモリが除電露光手段により消去されて該除電露光
により感光体内部全体に過多に生成したキャリアの再結
合がほぼ完了した状態の感光体面に対して、従来の主帯
電工程・画像露光工程とは逆に、先ず画像露光工程、次
いで主帯電工程を適用する。

即ち画像露光により露光明部領域に対応する感光体内に
は光キャリアが生成する。

その露光明部の光生成キャリアが再結合を完了しない間
（光疲労残留時）に該感光体面を帯電処理すると、光疲
労の残留している露光明部に対応する感光体面部分の該
帯電による表面電位上昇は僅かであるのに対して、露光
暗部に対応する感光体面部分の該帯電による表面電位は
大きく上昇し、これにより感光体面には画像露光パター
ンに対応した高コントラストの静電潜像が形成される。

（ｂ）而して本発明において上記の主帯電処理は接触（
又は直接）帯電手段により行う。

接触帯電は、被帯電体面に電圧を印加した導電部材を当
接させることにより被帯電体面に電荷を直接注入して被
帯電体面を所望の電位に帯電処理する手法であり、それ
自体は公知である０例えば感光体面に電圧を印加したブ
ラシを当接させて帯電する方法（特開昭５８−１０４３
４８号、同５７−８７９５１号）、複数個の電圧印加接
触子を接触させる帯電法（特開昭５８−１３９１５８号
）、オゾン量低減と同時に感光体表面を摺擦研磨して積
極的に画像ボケを解消しながら帯電する方法（特開昭５
８−１５０９７５号）、ソノ他特開昭５７−１７８２８
７号、同５８−１０４３５１号、同５８−４０５８８号
、特願昭８２−４３８４３号、特願昭６２−４４４９０
号があり、特に本発明に関しては特願昭８２−４３８４
３号に開示されたａ−９ｉ感光体に最も適した方式の長
所を活用している。

接触帯電法は被帯電体面に所望の帯電電位を得る為に導
電部材に印加する電圧は、帯電能の低いａ−Ｓｉ感光体
の場合においても、コロナ放電器を用いて同様の帯電電
位をうるために印加しなければならない電圧の数分の１
或はそれ以下の低い電圧で足り電力効率が良い（例えば
、コロナ放電による帯電では８００〜２０００　ｇ　Ａ
　／　ＤＣ＋　６〜８　ＫＶを要していたものが５０〜
１５０　ＩＬＡ／　ＤＣ＋０．５〜１．５　ＫＶテ足り
る）、オゾンの発生が極少量である等の有利性が認めら
れる。又コロナ放電器よりも小型で実装スペースは小さ
くてすみ、集塵性も小さい。

従ってコロナ放電器を利用する場合におけるような前記
問題点（２）−１）〜５）項の如き問題は回避される。

（ｃ）集塵性は小さいので導電部材を現像器に対して近
接配置することが可能であり、その導電部材の感光体面
移動方向上流側の直前位置を画像露光工程部とすること
により、該画像露光工程部次いで接触帯電手段により形
成された静電潜像が実質的に形成直後のほとんど減衰の
ない状態で導電部材直後に位置する現像器にて直ちに現
像されて高い現像コントラストが得られる。

〔実施例〕

第１図は本発明に従う画像形成装置の一例の概略構成を
示したもので、本例の装置も前述第４図の従来装置と同
様に回転ドラム型のａ−Ｓ　ｉ感光体を用いた電子写真
複写機であり、共通する構成機器・部材には共通の符号
を付して再度の説明を省略する。

本例の画像形成装置においては前記〔作用〕の（ａ）項
で説明したように、除電露光手段としての除電露光器７
により前の作像の残留光メモリが消去された感光体１の
面に対して先ず画像露光手段による画像露光３Ａが行わ
れ、次いでその画像露光処理面に対して接触帯電手段２
Ａによる主帯電がなされて感光体１面に画像露光パター
ンに対応した静電潜像が形成される。これは前述第４図
の従来装置の主帯電２・画像露光３の順とは逆の関係に
ある。

２１Φ２２は接触帯電手段を構成する導電部材と該導電
部材に対する電圧印加トランスである。

導電部材２１は感光体１面に適度の押圧力をもって接触
させて配置され、該部材２１の位置を通過する感光体１
面を接触帯電処理する横長の部材である。本例の画像形
成装置においては該ｉ型部材２１を金属板−導電性ゴム
板等のブレード状導電部材とし、該ブレード状導電部材
２１を現像器４の感光体面移動方向上流側において現像
器４の現像ローラ（もしくはスリーブ）４Ａに近接させ
、現像器４と同一の支持体に支持させて配設することに
より、該ブレード状導電部材２１の感光体面接触位置か
ら現像器４の現像ローラ４Ａが感光体面に対向する現像
部Ａまでの感光体面移勤行程長を短いものに設定すると
共に、該ブレード状導電部材２１を現像器４の現像剤飛
散防止部材に兼用させである。接触帯電手段２Ａにおけ
る導電部材２１はコロナ放電器とは違い集塵作用が小さ
く、又小型で実装スペースが小さくすむので上記のよう
に現像器４に対して近接配置した構成をとることが可能
である。

又感光体１面に対する画像露光工程部３Ａは上記のよう
に現像器４に近接配置した導電部材２１の感光体面移動
方向上流側において導電部材に近接させた位置に設定し
て、該画像露光工程部３Ａから導電部材２の感光体面接
触位置までの感光体面移動行程長を短くしである。その
代り、クリーニング器６寄りに配設した除電露光器７に
よる除電露光工程部から画像露光工程部３Ａまでの感光
体面移動行程長は長くなり、その間には従来装置のよう
に主帯電手段としてのコロナ放電器は存在しない。

このように主帯電手段としてのコロナ放電器が存在しな
いこと、その代りの接触帯電手段の導電部材２１は小型
で実装スペースが小さくすみ、且つ上記のように現像器
４に対して近接配置することができることから、画像形
成装置もしくはプロセスカートリッジＣを小型化・低廉
化設計することが可能となる。

第２図の実線曲線は本例装置について、回転駆動される
ａ−Ｓｉ感光体（φ３０層鴎１プロセススピード５２ｍ
ｍ／５ｅａ）の面が除電露光７→画像露光３Ａ（７８８
ｎ＋ｗの半導体レーザ、３４Ｗ／　ａｍ２）　→導電部
材２１による接触帯電（印加電圧Ｄｃ＋　ＡＣ，ＤＣ成
分＋〇、９　ＫＶ、　ＡＣ成分１４００Ｈｚ・１８００
Ｖｐｐ）　−”現像器４の現像部Ａの各工程を順次に受
けていく過程における表面電位推移を示したグラフであ
る。

破線曲線は対比例として第４図の従来装置について上記
と同じ径・プロセススピードの感光体ｌの面が除電露光
７→コロナ放電器２による主帯電（印加電圧＋７．５　
ＫＶ）→画像露光３（上記と同じ）→現像器４の各工程
を順次に受けていく過程における表面電位推移を示した
グラフである。

本例装置において、感光体１は除電露光７を受けて内部
に過多の光生成キャリアが生じることにより前の作像の
光メモリの消去がなされる。その過多の光生成キャリア
は除電露光工程部７から画像工程部３Ａまでの感光体面
移動過程長が長いので、除電露光を受けた感光体１面が
画像露光工程部へ至るまでの間に上記の光生成キャリア
の再結合がほぼ完了することになる。

キャリアの再結合がほぼ完了した該感光体重の面に対し
て画像露光３Ａがなされることにより画像露光明部領域
に対応する感光体内には光キャリアが生成する。

該画像露光３Ａを受けた感光体１面は次いで導電部材２
１で接触帯電を受ける。この場合画像露光工程部３Ａか
ら導電部材２１までの感光体面移動行程長は短いので、
画像露光３Ａを受けた感光体１面は画像露光明部領域に
対応する感光体内部に生じている光キャリアが再結合を
完了しないうち（光疲労残留時）に導電部材２１による
接触帯電を受ける。このとき画像露光明部領域の感光体
部分は、残留光キャリアの影響を受けて該キャリアの掃
き出しに帯電電流を必要とするために該感光体部分の面
の帯電による表面電位ＶＬはその上昇が小さい、しかし
画像露光暗部領域の感光体部分は残留光キャリアの影響
はないので該感光体部分の面の帯電による表面電位ＶＤ
は大きく上昇する。而して上記の明部表面電位ＶＬと暗
部表面電位ＶＤの差により感光体１面に画像露光パター
ンに対応した高コントラストの静電ＷＩ像が形成される
。

感光体の潜像形成面は次いで現像器４の現像部Ａで現像
を受ける。この場合導電部材２１による接触帯電位置か
ら現像器４の現像部Ａまでの感光体面移動行程長は短い
ので、潜像はその電位コントラストが感光体の暗減衰で
大幅に減少しないうちに現像を受けることになり高い現
像コントラスが得られ高品位の画像が出力される。

即ち現像部Ａにおける潜像の電位コントラストｖｃＩは
約４００Ｖ　（Ｖ　ｏ　−ｉ−５５０Ｖ、　Ｖ　Ｌ　：
１４５Ｖ）であった、又画像露光３ＡをＥＩＩＯｎ■と
６８ｏｎ麿のＬＥＤアレイで夫々行った場合の現像部Ａ
における潜像電位コントラストは夫々Ｖｃ、中３６５ｖ
（ＶＤ中５５５Ｖ、　ＶＬ−、１９０Ｖ）　、　ＶＯ２
＋　２４５Ｖ　（Ｖ　ｏ　中５５５Ｖ、　Ｖ　Ｌ中３１
０Ｖ）　テあった。

一方従来装置においては（破線曲線）、感光体１は除電
露光７を受けることにより前の作像の光メモリの消去作
用を受け、次いでコロナ放電器２による主帯電を受けて
感光体面の各部の表面電位が上昇していく、シかし除電
露光７を受けた感光体１面が次の主帯電２を受は始める
までの時間が短いので感光体面は除電露光で生じた光キ
ャリアの再結合が完了しないうちに主帯電２を受は始め
て感光体表面の帯電効率は低下する。

次いでその主帯電２を受けた感光体１面に画像露光３が
なされることにより画像露光明部領域の感光体部分の面
の表面電位ＶＬが低下する。この明部表面電位Ｖ’Ｌと
画像露光暗部領域の感光体部分の面の表面電位（暗部表
面電位）Ｖｏの差により感光体１面に画像露光パターン
に対応した静電潜像が形成される。

その潜像面は次いで現像器４の現像部Ａで現像を受ける
。この場合画像露光工程部から現像部Ａまでの感光体面
移動行程長が比較的長いので、感光体面が画像露光工程
部３から現像部Ａへ面移動する間に感光体の表面電位は
明部及び暗部とも減衰を続けて現像部Ａでの潜像電位コ
ントラストＶｃ、は約３５０ｖ程度となり、同一帯電付
与能力においては本例装置の場合のＶｃ、中　４００Ｖ
よりも低い。

ａ−Ｓｉ感光体１としてはそれ自体公知の任意のものが
使用される０本発明においては感光層の光疲労を積極的
に利用するために、比較的光疲労の大きい感光体が選ば
れる。製造条件として、放電パワー圧力、基板温度、ガ
ス流量等を調整することにより所望の感光体が得られる
。　ａ−９ｔ感光体は、電荷注入阻止層等におけるドー
ピング主に応じてプラス帯電やマイナス帯電も可能であ
り、本発明の効果についても同様であることは言うまで
もない。

画像露光用の光源としては、ハロゲンランプ、半導体レ
ーザ、　　ＬＥＤアレイなど任意の光源が使用されるが
、本発明が■感光層疲労を積極的に利用することから光
キャリアの再結合確率が低いこと、即ちキャリア発生密
度が比較的低いこと、■無電界状態で発生した光キャリ
アの拡散を防止するため全層にわたって光キャリアを発
生させることが望ましいことから、光学的バンドギャッ
プ１．５〜１．９　ｅＶ、誘電率１０．０〜１３．０程
度のａ−９ｉ感光体において光の侵入量（光量が１％に
減衰するまでの距離）が大きい波長を用いることが望ま
しい。下表に波長と侵入量、キャリア発生密度比を示す
。

上記の表と前記実施例から１３８Ｏｎ＋ｓ以上の波長に
おいてより高いコントラストをうろことが可能であり、
望ましい。

ブレード状導電部材２１としては、ａ−９ｉ感光体１の
表面硬度が高いことから、ステンレス、しんちゅう、銅
等の金属材料が適宜使用される。また組み立て精度に自
由度を与える導電性ゴムも好ましく、例えばシリコンゴ
ム、ポリウレタンゴム、ツー、素樹脂ゴム等に、導電性
カーボン粉、金属粉などを混合し表面材の材質をゴム硬
度１５〜８０度、電気抵抗値１０５〜１０６Ωの導電性
ゴム材として形成することが望ましい、この電気抵抗値
はゴムブレードを金属導体面に実使用と同じニップ・角
度で当接させ、これにＯＣ＋ｔにＶを印加して測定した
抵抗値である。

また、特願昭８２−４３８４３号に開示されているよう
に接触帯電においてはＤＣ＋ＡＣ電圧の方が帯電ムラが
無く良好な帯電特性を得ることができる。特にＡＣ成分
については１２００Ｈｚを越えるあたりから帯電ムラが
減少し、８００Ｖｐｐをこえると帯電効率が向上した０
本発明の実施例にように使用現像器４が現像剤を回転円
筒状現像剤担持体（スリーブ）４Ａ上にトリポを付与し
て形成し接触・非接触で感光体上に転移させる現像方式
において、通常ＤＣ成分（かぶりとりバイアス）を５０
〜３００　Ｖ、　ＡＣ成分を１２００〜１８００Ｈｚ、
　８００〜１８００Ｖ　ｐｐとＡＣ成分はほぼ同−であ
りかつ帯電電流量もおおむね１００ｇＡと小さいためＤ
Ｃ成分の抵抗分割等によって容易にトランス２２の共通
化が行えるため装置の小型化とコストダウンが可能とな
る。

感光体１の接触帯電条件は上述のようにＤＣ成分を　５
００〜１５００Ｖ　、　ＡＣ成分を１２００〜１８００
Ｈｚ、　８００〜１８００Ｖ　ＰＰの間で現像バイアス
とマツチングの良い値、例えばＡＣ成分を１４００Ｈｚ
、１８ＱＯＶｐｐトＬｌ）Ｃ成分を抵抗により帯電用の
９００■と現像用の２５０Ｖに分割するのがよい。

画像露光３Ａから導電部材２１による接触帯電までの時
間は短いほど好ましく（例えば０．０５〜１秒程度）、
画像形成装置のプロセススピード・感光体直径φによっ
て適宜決定される。

なお、同様の方式は特願昭８１−２７２０１２号に開示
されているが、該方式が主帯電器内で露光する方式であ
るためレーザと異なるハロゲンランプ−ＬＥＤアレイな
どの光源を用い原稿からの直接反射光をレンズ光学系に
よって導く場合、乱反射などの影響で効率が悪化するの
にたいして本方式は帯電器外直前で露光するため有利な
方式である。

第３図は接触帯電手段としてのブレード状導電部材２１
を感光体ｌに対してトレーリング方向に構成し現像剤（
トナー）飛散防止に対する効果を高めた例である。この
ような構成にすることによってブレード状導電部材２１
の外側エツジを使用するため現像剤の飛散付着によるブ
レード２１の感光体への密着不良などが効果的に防止さ
れる。現像剤として絶縁性トナーを用いることによりブ
レード接触部への介在による密着不良の場合を除きブレ
ード２１に飛散トナーが付着しても帯電機能に何等変化
は生じなかった。ブレード２１と感光体ｌの間へのトナ
ー塊付着の防止として該ブレードをレシプロさせる方式
も適宜とられる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に依れば、ａ−Ｓｉ感光体を用いる
転写方式の画像形成装置について、　ａ−Ｓｉ感光体の
光メモリや暗減衰に起因する問題、感光体の主帯電をコ
ロナ放電器で行うことに起因する問題が解消され、常に
高品位画像を安定に出力されることができ、且つ小型・
廉価な画像形成装置を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従う一実施例画像形成装置の概略構成
図、第２図は感光体の表面電位推移グラフ、第３図は他
の例の要部図、第４図は従来の画像形成装置例の概略構
成図である。 ｌは回転ドラム型のａ−９ｉ感光体、２は主帯電用のコ
ロナ放電器、２Ａは接触帯電手段、２１は導電部材、２
２は電圧印加トランス、３・３Ａは画像露光もしくは画
像露光工程部、４は現像器、５は転写用帯電器、６はク
リーニング器、７は除電露光器。 第２図 第３図 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、像担持体としてアモルファスシリコン感光体を用い
   た転写方式の画像形成装置において、感光体の繰返し使
   用による光メモリを消去する除電露光手段と、除電露光
   後の感光体面に形成される静電潜像を現像する現像手段
   との間に、静電潜像形成手段として感光体の面移動方向
   に順次に、画像露光工程部と、画像露光後の感光体面に
   電圧を印加した導電部材を接触させて該感光体面を、感
   光体の画像露光明部領域に再結合していない光生成キャ
   リアが残留している時間内に帯電処理する接触帯電手段
   を具備させた、 ことを特徴とする画像形成装置。 ２、接触帯電手段について感光体面に接触させた導電部
   材はブレード状部材である、特許請求の範囲第１項に記
   載の画像形成装置。 ３、ブレード状の導電部材は金属板である、特許請求の
   範囲第２項に記載の画像形成装置。 ４、ブレード状の導電部材は、感光体と当接する表面材
   がゴム硬度１５〜８０度、電気抵抗値１０＾５〜１０＾
   ６Ωの導電性ゴム材である、特許請求の範囲第２項に記
   載の画像形成装置。 ５、導電部材に対する印加電圧は直流成分と交流成分の
   重畳電圧である、特許請求の範囲第１項、第２項、第３
   項、又は第４項に記載の画像形成装置。 ６、導電部材に対する印加電圧は現像バイアスと同一の
   トランスから供給される、特許請求の範囲第５項に記載
   の画像形成装置。 ７、導電部材は現像器と同一の支持体上に支持され、現
   像剤の飛散防止部材を兼ねる、特許請求の範囲第１項に
   記載の画像形成装置。 ８、現像器に用いられている現像剤が絶縁性トナーであ
   る、特許請求の範囲第７項に記載の画像形成装置。