JPS63210864A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感光体面を均一帯電する工程を含む作像プロ
セスを適用して画像出しする画像形成装置に関する。

更に詳しくは、感光体としてシリコン原子を母体として
構成されるアモルファスシリコン系感光体（Ａ−Ｓｉ感
光体）を用い、該感光体の均一帯電処理を接触帯電によ
り行う画像形成装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種９画像形成装置の代表的装置である電子写
真装置は、回転ドラム型等の感光体に帯電・光像露光・
現像の作像プロセスを適用して像形成し、その感光体面
の形成像を転写材面に転写し、定着して画像形成物（複
写物）を得る。

感光体としては、Ｃｄ５−樹脂分散系、ＺｎＯ−樹脂分
故系、Ｓｅ蒸着系、５ｅ−Ｔｅ、２４着系、Ｓｅ　−Ａ
ｓＭ着系、０ＰＣ（有機光導電体）系、Ａ−９ｉ系等各
種あり、実用されている。

感光体の帯電処理装置としては、現在実用化されている
電子写真装置の殆どが、金めつきタングステン線などの
細いワイヤ電極とシールド板を主構成部材とするコロナ
帯電器が利用されている。

コロナ帯電器を用いた帯電処理は均一帯電性がよいけれ
ども、以下のような問題点を有している。

１）高電圧印加 感光体に例えば５００〜７００ｖの表面電位を得るため
にＤＣ４〜８ＫＶといった高電圧をワイヤ電極に印加す
る必要がある。シールド板や本体へのリークを防止すべ
くワイヤ電極とシールド板の距離を犬きく維持する（５
〜８■以上）等の処置をすると帯電器自体が大型化する
し、高絶縁被覆ケーブルの使用等が不可欠となる。

２）電力効率が悪い ワイヤ電極からの放電電流の大半はシールド板へ流れ、
被帯電体たる感光体側へ流れるコロナ電流は総放電電流
の例えば５〜３０％程度のものにすぎず、゛電力効率が
悲い。

３）ワイヤ汚れ 放電効率をあげるために曲率の大きいワイヤ電極（一般
的には６０〜１００μｍの直径のものが用いられる）が
使用されるが、ワイヤ表面に形成される高電界によって
装置内の例えばトナー粒子・紙繊維片・コロナ放電生成
物等の微小な塵埃を集塵してワイヤ表面が汚れる。ワイ
ヤ汚れは放電にむらを生じ易く、中間調画像の品質に悪
影響し、又画像むら・画像白抜け・黒スジ等を生じさせ
る。

従ってかなり頻繁にワイヤや帯電器内を清掃処置する必
要がある。

４）コロナ放電生成物の発生 コロナ放電に伴ないかなり多量のオゾンの発生をみる。

オゾンは空気中の窒素を酸化して窒素酸化物（ＮＯｘ）
等を生成する。更には生成窒素耐化物は空気中の水分と
反応して硝酸などを生じさせる。このようなオゾン及び
その副次的生成物である窒素酸化物・硝酸等のコロナ放
電生成物は感光体面や周辺の機器面に付着或は作用して
感光体面の変質・劣化、機器の醇化等を生じさせる。感
光体面へのコロナ放電生成物の付着は感光体面を低抵抗
化して電荷保持能を低下させ画像ボケを生じさせる結果
となる。又コロナ帯電器のシールド板内面に付着したコ
ロナ放電生成物は電子写真装置の稼動中のみならず夜間
等の休止中に揮発遊離していき、それが該帯電器の放電
開口に対応している感光体面に付着してその感光体部分
面を低抵抗化させる。そのため装置休止後の装は再稼動
時に最初に出力される１枚目のコピーについて、上記装
置休止中の帯電器開口に対応する部分面に画像ボケを生
じることはよく知られている。

使用感光体がＡ−３ｉ感光体である場合には、特に上記
のコロナ放電生成物による問題が大きくなる。即ちＡ−
９ｉ感光体は他のＣｄ５−樹脂分散系等の感光体に比べ
て帯電能が低く、そのために該Ａ−９ｉ感光体について
のコロナ放電による帯電処理は上記のような他の感光体
の場合よりも放電（帯電）電流量を大幅に増大させる構
成がとられる。　Ａ−９ｉ感光体は特に高速電子写真装
置で用いられる場合が多く、このような場合の放電電流
量は２０００ルＡにものぼるものもある。放電電流量と
オゾン発生量は比例的関係にあることから、感光体がＡ
−３ｉ感光体であり、それをコロナ放電で帯電処理する
系においては特にオゾン発生量が多くなり、そのために
前記コロナ放電生成物の発生による問題が特に大きいも
のとなる。

上記のようなコロナ放電生成物による諸弊害を防電或は
低減させるべく、発生オゾンの積極的排除ファン手段、
吸収・分解フィルタ手段、ドラムヒータ手段等の機器を
装置に具備させる必要がある。

５）装置の小型化・低コスト化の限界 コロナ帯電方式では、コロナ帯電器自体の小型化中低コ
スト化に限界があり、又その配設のための空間的制約、
オゾン排除装置等の配設の必要性などのために画像形成
装置全体の小型化・低コスト化に限界がある。又屋外や
車両内等での使用などにより使用環境（温度・湿度等）
の変化も大きくなり、こうした環境変動に対してコロナ
帯電方式は悪影響を受は易い。

そこで最近では上記のような問題点の多いコロナ帯電器
を利用する代りに、接触（又は直接）帯電方法、即ち被
帯電体面に電圧を印加した導電性部材を当接させること
により被帯電体面に電荷を直接注入して所望の電位に帯
電処理する手法が研究され種々提案されている。

例えば、感光体面に電圧を印加したブラシを接触させて
帯電する方法（特開昭５８−１０４３４８号、同５７−
８７９５１号）、複数個の電圧印加接触子を接触させる
帯゛離性（特開昭５８−１３９１５６号）、オゾン量低
減と同時に感光体表面を摺擦研磨して植種的に画像ボケ
を解消しながら帯電する方法（特開昭５８−１５０９７
５号）、その他特開昭５７−１７８２８７号、同５Ｂ−
１０４３５１、同５８−４０５８８号など。

接触帯電法は、被帯電体面に所望の帯電電位を得るため
に導電性部材に印加する電圧は、帯電能の低いＡ−９ｉ
感光体の場合においても、コロナ帯電器を用いて同様の
帯電電位を得るために該帯電器に印加しなければならな
い電圧の数分の１或はそれ以下の低い電位で足り電力効
率がよい（例えば、コロナ放電による帯電ゼは８００〜
２０００ｇ　Ａ　／ＤＣｅ６〜８Ｋｖを要シテイタもの
が５０〜１５０ｇＡ／ＤＣ÷０．５〜１．５　Ｋｌ／で
足りる）、感光体面に接触させる導電性部材をゴム硬度
１５〜８０度（ＪＩＳ　）Ｉｓ）・電気抵抗１０５〜１
０６Ωのローラ型・バッド型等の導電性ゴム部材とし、
該導電性ゴム部材に定電圧電源より電圧を供給して感光
体面を接触帯電する方式にすると、上記の効果が著しく
、従来では困難とされていた効率のよい帯電、即ち高い
暗部電位がとれる、オゾンの発生が極〈少量である等の
有利性があり１問題の多いコロナ帯電に代る帯電処理手
法として有望である。

特にＡ−Ｓｉ感光体のように高硬度（ビッカース硬度１
０００以上）拳耐摩耗性等に優れたものに対する帯電処
理手法として適切なものと考えられる。

Ａ−Ｓｉ感光体は阻止型・高抵抗型の何れも他の感光体
に比べて耐劣化性、耐摩耗性、硬度、耐傷性き性、耐衝
撃性等にきわめて優れている。従って該Ａ−Ｓｉ感光体
は帯電処理のための導電性部材を圧接させても、感光層
の結晶化等による特性劣化。

圧痕、擦過傷、摩耗、導電性部材の表面材質との化学反
応による融着中汚損・変質等の問題は全くない、感光体
に対する導電性部材のメカニカルな当接・当接解除に伴
なう繰り返しの衝撃作用にも強い。

〔発明が解決しようとする問題点〕

Ａ−５ｉ感光体については、第２図の暦構成模型図のよ
うにへ見等の導電性基板１ａの上に電荷注入阻止層１ｂ
、感光層（Ａ−Ｓｉ光導電層）１０２表面保護層１ｄを
順に積層した所謂阻止型感光体ｌが一般に用いられてい
る。電荷注入阻止型１ｂは電子の注入を、表面保護層１
ｄは正孔の注入を、夫々阻止する役割を坦っている。こ
の阻止型の他に、単層の所謂高抵抗型がある。高抵抗型
はＡ−Ｓｉ層を醜素等のドーピングにより高抵抗化し、
電荷を保持するものである。

し■正型のＡ−Ｓｉ感光体は感光層ＩＣを純粋にできる
ため光メモリや光劣化に対しても有効な対策を打つこと
ができ単層型よりも一般に広く用いられている。

阻止型のＡ−Ｓ　ｉ感光体１の電荷注入阻止層１ｂ・感
光ＰｔＩ　Ｃ・表面保護層１ｄをまとめて、又単層型の
Ａ−Ｓｉ感光体の高抵抗型Ａ−Ｓｉ感光層を、光受容層
と称する。

従来、コロナ帯電を適用して使用される一般的な阻止型
のＡ−Ｓｉｇ光体ｌについていえば、所要の帯電表面電
位を確保し、又耐電圧性のよい耐久的なものとするため
に光受容層に関し下表のような仕様のものが利用されて
いる。

しかし従来のＡ−９ｉ感光体ｌの光受容層（ｌｂ÷１０
◆ｌｄ）は全体的に少なくとも２４ｇｍ以上のもので、
その層厚が比較的Ｈく、感光体製造時の該光受容層の成
膜には約６〜８時間と長時間を要し、これが感光体ｌの
製造コストを大幅に上昇させる大きな原因となっている
。単層型のＡ−Ｓ　ｉ感光体についても同様のことが云
える。

従ってＡ−９ｉ感光体を低コストに製造し、又その帯電
処理手段として問題点の多いコロナ帯電に代えて接触帯
電を適用して良好な画像出しができれば理想的な画像形
成装置を構成することができる。

本発明はこれを実現するものである。

口、発明の構成 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、感光体面を均一帯電する工程を含む作像プロ
セスを適用して画像出しする画像形成装置において、前
記感光体として、シリコン原子を母体として構成される
アモルファスシリコン系感光体であって、光受容層の膜
厚を２０ＪＬｍ以下ｌＯμｍ以上としたものを用い、該
感光体の均一帯電処理を、該感光体面に電圧を印加した
導電性部材を接触させることにより行う、ことを特徴と
する画像形成装置を要旨とする。

〔作　用〕

光受容層が比較的厚く、製造にコストのかかる前述従来
のＡ−９ｉ感光体について、それをコロナ帯電器により
コロナ帯電処理したときと、電圧を印加したローラ型導
電性部材を接触させて接触Ｎ主処理（以下ローラ帯電と
記す）したときにおけるＩ−Ｖ特性（帯電に要する電流
細工と感光体の帯電表面電位Ｖとの関係）、及びｖ−■
特性（帯電に要する印加電圧Ｖと感光体の帯電表面電位
Ｖとの関係）を夫々第４図及び第５図に実線グラフで示
した。

この特性グラフから明らかなようにコロナ帯電では飽和
状態となる領域があるに対して、ローラ帯電ではほとん
ど認められない。

これはＡ−５ｉ感光体の光受容層（１ｂ＋１ｃ＋Ｉｄ）
（７）　Ｒ９／’ｉ！を従来の感光体のそれよりも小さ
くした感光体においても容易に所定の帯電表面電位をと
る事が可能となる示唆を含むものと考え、従来のＡ−Ｓ
ｉ感光体の光受容層について該光受容層を構成する電荷
注入阻止層１ｂ・感光層ＩＣ・表面保護層１ｄの各層の
厚さを各々％にした光受容層薄型のＡ−９ｉ感光体を作
製し、該感光体について同様にコロナ帯電処理した場合
と、ローラ帯電した場合とにおけるｔ−Ｖ特性、及びｖ
−■特性を測定してみた。

その結果を第４図及び第５図に破線グラフで示した。

即ち光受容層の膜厚を従来のちとじた薄型の感光体は、
それをコロナ帯電で帯電処理した場合には、標準的な感
光体暗部電位を４００ｖとしたとき該４００Ｖの帯電表
面電位を確保することができないが、ローラ帯電による
ときは十分にそれを確保することが可能である。

具体的には光受容層の膜厚を２０１Ｌｍ以下１０４ｍ以
上の薄型にしても感光体の帯電処理をローラ帯電即ち接
触帯電で行うときは所定の感光体暗部電位（４００Ｖ）
を確保できることが解った。このことは高抵抗型アモル
ファスシリコン（例えば酸素・窒素・炭素などの原子を
構成原子として使用）にも適応される。

光受容層の膜厚が薄ければそれだけ感光体製造時の該層
の成膜時間が短縮化されて低コストに感光体を得ること
ができる。光受容層が２０ｇｍ以上であると成膜時間の
短縮効果は少なく、１０ｇｍ以下であると、ローラ帯電
でも所定の感光体暗部電位の確保が難しくなる。

一方光受容層を薄くすることにより該光受容層の耐電圧
性が低下し、ローラ帯電時の印加電圧に制約を受ける。

文献（Ｓｏｌｉｄｓｔａｔｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
によると、光受容層を構成する各層１ｂ・ｉｃｅ　ｌｄ
の耐電界（絶縁破壊電圧の単位層厚当りの値）は電荷注
入阻止層１ｂ、！＝感光層１ｃがほぼ等しく１表面保護
層１ｄが他に比べて１桁程度大きい。すなわち感光層１
ｃに比べて耐電界が約１０倍程度大きい表面保護層１ｄ
が実は約３倍の分押電界しかかかっておらず、また感光
層１ｃに比べて耐電界のほぼ等しい電界注入用！ト層ｉ
ｂには約１．５倍もの分担電界がかかっている。このた
めＡ−Ｓ　ｉ感光体の絶縁破壊が起こる際、最初に破壊
されるのは電界注入阻止層ｔｂのケースが多いと考えら
れる。

そこで、ローラ帯電での電圧印加はＭＡＸｌ、５ＫＶま
で行う事から、電荷注入阻止層１ｂは３〜５ｇｍある事
が望ましく、またＳｉＣを代表する表面保護層１ｄも０
．５〜２μ程度を設ける舊が望ましい。

かくして感光体としてＡ−Ｓ　ｉ感光体を用いる画像形
成装置について、該感光体として光受容層の薄い、従っ
て低コストのものを用い、その帯電処理手段として問題
点の多いコロナ帯電に代えて接触帯′屯を適用して、良
好な画像出しができるものを構成することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明に従う画像形成装この一例の概略図であ
り、本例は回転ドラム型のＡ−Ｓ　ｉ感光体を用いた接
触帯電式・転写式の電子厚真装置である。

■は軸１ｅを中心矢示方向に所定の周速度で回転駆動さ
れるドラム型感光体であり、その回転過程で接触式帯電
装置２によりその周面に正又は負の所定表面電位の均一
帯電処理を受け１次いで画像露光部３にて不図示の像露
光装置により光像露光Ｌ（スリット露光Φレーザビーム
走査露光等）を受けることにより、露光画像パターンに
対応した静電潜像が順次に形成される。潜像は現像器４
でトナー現像され、その現像像が不図示の給紙手段部か
ら搬送部５を介して転写帯電器部６へ同期搬送された転
写材Ｐ面に対して順次に転写される。像転写を受けた転
写材Ｐは分離帯電器７により感光体１面から順次に分離
されて搬送部８で不図示の像定着手段部へ導入され、画
像形成物として機外ヘプリントアウトされる。像転写後
の感光体面はクリーニング装置９により清浄化され１次
いで前露光器１０による全面光照射（除７ｔｔ露光、イ
レーザ）を受け、再び帯電装置２による均一帯電を受け
て繰返して像形成に供される。

Ａ、感光体１ 本例のドラト型Ａ−５ｉ感光体１は基体としての高純度
Ａｌｌシリンダ（アルミニウムシリンダ）ｌａの外周面
に、電荷注入阻止層（Ｂ二３０００ｐμｍドープ。

０：４０００　ｐμｍドープ）ｌｂを３ｇｍ、Ａ−９ｉ
感光層ｌＣを１５μｍ、表面保護層（ＳｉＣ層）　　ｌ
　ｄを０．５終ｍ、の各膜厚で順に形成してなるもので
ある。

従って光受容層（ｌｂ◆ｌｃ＋１ｄ）としての膜厚は１
８．５ｇｍと薄型なもので、その耐圧は１．７ＫＶであ
った。

又各層１ｂ、ｌｃ、ｌｄの各耐電界は順に１２０Ｖ　／
′μ、ａｏｖ／ｐ、　２２０Ｖ／ｇであった。

Ｂ、接触式帯電装置２ 本例の場合は導電性ローラ接触式であり、　ＳＵＳ製等
の金属芯金を軸棒２２にしてその外周に導電性弾性材層
２１（本例の場合は電気抵抗１０５Ω・ゴム硬度４５°
（ＪＩＳ　）Ｉｓ）のＥＰＤ１４．その外周表面は導電
性ウレタンゴム（ラックスキンＣＦ３７００）で面精度
を出して耐摩耗性に仕上げたもの）を一体に外装したロ
ーラを感光体１面に対して所定の加圧力（例えば線圧０
，０１〜０．２ｋｇ／ｃ＋＊）をもって常時圧接した状
態にしである。

該導電性ローラ２は本例の場合感光体ｌの回転に伴ない
従動回転するようにしたが、該ローラ２は感光体１に対
する圧接を保たせて駆動源により積極的に所定の周速度
で感光体ｌの回転方向に順方向に又は逆方向に回転駆動
させるようにしてもよいし、回転する感光体ｌに対して
非回転に加圧ＪＭ　触させてもよい、ローラ型でなくと
も第３図（ａ）や（ｂ）のように感光体１面に対して非
回転に圧接するパッド部材とすることもできる。

２３は玉記の導電性ローラ２に対する電圧印加電源であ
る。感光体ｌは該′電源２３から電圧の印加された導電
性ローラ２の接触により回転に伴ないその周面が接触方
式で均一に帯電される。

導電性ローラによる接触帯電は感光体ｌとローラ２との
曲率差による連続の任意のギャップにおいて放電を開始
し、印加電圧により一定のギャップ領域が安定的に放電
を維持するといった特徴がある。ブラシ方式の場合は点
接触の集合になるのに対し、ローラ方式では剛性をもっ
たローラを感光体に圧接し面接触になるためのギャップ
等の位置出しが安定するとともに先端放電によらないた
め耐久性も向上する。

導電性ローラ２として導電性ゴムローラを用いる１ｔに
よりより感光体に対する追従性が向上し、曲率差による
ギャップも安定する。

導電性ゴム材質はシリコーンゴムやウレタンゴムなどを
利用できるが、オイルのしみ出しによる帯電むらを防止
し、又耐庁耗性の観点からシリコーンゴムよりはウレタ
ンゴムを選択するのが好ましい、ウレタンゴムを用いる
ことにより、導電性ローラ２を感光体１と相対スピード
差を持たせることが容易になり、ローラ２の回転ガタ等
による帯電むらを低減させたり、摺擦により感光体表面
に付着した微量のコロナ生成物をかきとる効果を生ずる
。

硬度（ＪＩＳ　）Ｉｓ）は加圧機構が安定的に設定でき
る１５〜８０度、特に４５〜５５度のものとするのが好
ましいことがわかった。又抵抗値は１０５〜１０６Ωま
で高めることにより絶縁破壊を防止するとともに帯電む
らもなく、高品質の画像を得ることができることがわか
った。特にＡ−５ｉ感光体の場合において、球状突起と
呼ばれるＡ−Ｓｉ感光体特有の異常成長部へのラッシュ
カレントの保護抵抗効果が生まれ、また抵抗が高すぎて
供給電圧ムラを生ずるバもなく、他感光体に比べ同じロ
ーラ接触帯電でも倍近く電流の流れるＡ−９ｉ感光体に
よってきわめて好適な接触帯電ローラとなる。

導電性ローラ２に対する印加電圧はＤＣ（直流）だけで
もよいが、ＤＣ成分にＡＣ（交流）成分を重畳したＤＣ
＋ＡＣ電圧の方がより良好な結果を得ることができる。

ＤＣ成分５００−１（１００ＶとＡＣ１＆Ｃ１００〜１
８ＱＯＨｚ、８００〜１８００Ｖ　ｐ−ｐ　）ＤＣ＋　
ＡＣｆｆｉ畏７１を圧ヲ印加ｔルコとにより帯電むらの
ない良好な画像が得られた。

特にＶｐ−ｐは効果が大きく、１４００Ｖ　Ｐ−Ｐ　以
ｈ　ニすると導電ローラ２５の汚れをカバーし、ローラ
回転に伴なう帯電むらをほとんど解消することができる
。

Ｃ１画像出し 感光体として光受容層２８μｍの回転ドラム型のＡ−９
ｉ感光体を用い、該感光体面をコロナ帯電器で一様に帯
電処理して画像出しする既存のレーザ複写機（キャノン
製ＮＰ９０３０．３０　ｃｐｓ、プロセススピード１８
０ｍ５／５ｅｅ）を改造して、感光体を前記Ａ項の光受
容層１８．５ｇｍの感光体に取り替え、又帯電装置とし
てのコロナ帯電器を前記Ｂ項の導電性ローラ接触式の帯
電装置に取り替えて第１図例のような構成のレーザ複写
機とした。

Ｅ記改造レーザ複写機の導電性ローラ２にＤＣ＋　１．
３ＫＶの電圧を印加して感光体ｌを接触帯電処理して画
像出しをしたところ、暗部電位４００ｖを得ることがで
き、４μＪ／Ｃ１１２のレーザ霧光により５０Ｖまで除
電（明部電位）され、この際の電流は２００ｐＡであり
、良好な画像が出力された。

また導電性ローラ２に対する印加電圧をＤＣ■８ＱＯＶ
　ニ１６００Ｈｚ　−１２００Ｖ　Ｐ−Ｐ　（１）　Ａ
Ｃ電圧をノセタＤＣ＋ＡＣ重畳電圧にした場合にはロー
ラ２の表面汚れによる帯電むらも効果的に防止すること
ができ、良好な画像が出力された。

改造前のレーザ複写４１１（光受容層２８ＪＬｍのＡ−
Ｓｉ感光体、コロナ帯電処理）はＤＣ■０．９ＫＶで４
００ｖの暗部電位を得ることができ、　２．８　＃ＬＪ
　／　ｃｍ２のレーザ露光で５０ｖまで除電（明部電位
）され、この際の電流は　ｔ３ｏｇａであり、良好な画
像が出力される。このレーザ複写機について感光体だけ
を前記Ａ項の光受容層１８．５ＪＬｍの感光体に取り替
えて、これをコロナ帯電処理して画像出ししたところ、
コロナ帯電器に対する印加電圧を８ＫＶ以上にしても感
光体の暗部電位４００■を確保することができず、出力
画像は非常に濃度のうすいものしか得られなかった。

ハ、発明の詳細 な説明したようにＡ−Ｓｉ感光体に接触帯電を適用する
ことにより、低い電圧・電流で膜厚を薄くしたＡ−Ｓｉ
感光体においても従来どおりの電位を確保する事が可能
となり、これにより高圧トランスｅオゾン抜きファン等
の必要性がなくなることによる装置側のコストダウン、
Ａ−９ｉ感光体の膜厚ダウンによる製造コストダウン等
が容易に行われ、品質低下のない低コストの画像形成装
置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従うレーザ複写機の一例の概略構成図
、第２図はＡ−９ｉ感光体（阻止型）の層構成模型図、
第３図偽）・（ｂ）は夫々ローラ型以外の接触帯電用導
電性部材の構成例の横断面図、第４図は感光体のＩ−Ｖ
特性グラフ、第５図は同Ｖ−■特性グラフである。 １は回転ドラム型のＡ−９ｉ感光体、１ａは基体、１ｂ
は電荷注入阻止層、ｌｃは感光層（Ａ−Ｓｉ光導電層）
、１ｄは表面保護層、２は接触式帯電装置（ローラ型）
、２３は電圧印加電源。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）感光体面を均一帯電する工程を含む作像プロセス
   を適用して画像出しする画像形成装置において、 前記感光体として、シリコン原子を母体として構成され
   るアモルファスシリコン系感光体であって、光受容層の
   膜厚を２０μｍ以下１０μｍ以上としたものを用い、 該感光体の均一帯電処理を、該感光体面に電圧を印加し
   た導電性部材を接触させることにより行う、 ことを特徴とする画像形成装置。
2. （２）光受容層の表面保護層は炭素を含有するものであ
   る、特許請求の範囲第１項に記載の画像形成装置。
3. （３）導電性部材は、金属芯金と、それに外装したゴム
   硬度１５〜８０度、電気抵抗値１０＾５〜１０＾６Ωの
   導電性ゴム材層とからなるローラ体であり、感光体面に
   転動自由に或は非回転に接触させた、特許請求の範囲第
   １項に記載の画像形成装置。