JPH01143257A - 静電遮蔽膜 - Google Patents
静電遮蔽膜Info
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- JPH01143257A JPH01143257A JP62301246A JP30124687A JPH01143257A JP H01143257 A JPH01143257 A JP H01143257A JP 62301246 A JP62301246 A JP 62301246A JP 30124687 A JP30124687 A JP 30124687A JP H01143257 A JPH01143257 A JP H01143257A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- insulating
- electrically conductive
- shielding film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野〕
密着型イメージセンサ、ＴＰＴなど微弱な電気信号を扱
う素子の電気雑音を少なくする静電遮蔽膜およびその膜
を用いた電子デバイスの構造に関する。
う素子の電気雑音を少なくする静電遮蔽膜およびその膜
を用いた電子デバイスの構造に関する。
〔従来の技術］
従来技術を実例を示しながら説明する。
第１図はアモルファスシリコンを用いたＴＰＴで絶縁基
板（１）上にゲート電極（２）、絶縁膜（３）、アモル
ファスシリコ７１層（４）、アモルファスシリコンｎ’
Ｊｉ（５）、電気導電膜（６）が積層されている。
板（１）上にゲート電極（２）、絶縁膜（３）、アモル
ファスシリコ７１層（４）、アモルファスシリコンｎ’
Ｊｉ（５）、電気導電膜（６）が積層されている。
このＴＰＴ素子を平面上にならべて例えば液晶の駆動に
用いたりする。
用いたりする。
アモルファスシリコンＴＰＴの場合、ＯＮ抵抗が非常に
高いので、微電流のスイッチング素子に使う場合非常に
電気雑音に弱い。
高いので、微電流のスイッチング素子に使う場合非常に
電気雑音に弱い。
第２図はアモルファスシリコンを用いたイメージセンサ
で絶縁基板（７）上に電気導電膜（８）、アモルファス
シリコ７１層（９）、透光性電気導電膜００）からなる
ショットキダイオードタイプのイメージセンサである。
で絶縁基板（７）上に電気導電膜（８）、アモルファス
シリコ７１層（９）、透光性電気導電膜００）からなる
ショットキダイオードタイプのイメージセンサである。
通常このタイプのイメージセンサは暗電流が数ピコアン
ペア（ＰＡ）Ｌかないためやはり非常に電気雑音に弱い
。
ペア（ＰＡ）Ｌかないためやはり非常に電気雑音に弱い
。
他にも一般的に薄膜素子の場合端どの素子が電気雑音の
影響をうけやすい。
影響をうけやすい。
〔発明の構成］
本発明は従来のグランドシールドを薄膜素子の近傍にお
くことで電気雑音の影響を小さくすることができる構造
である。
くことで電気雑音の影響を小さくすることができる構造
である。
第３図は本発明の構成を示す。
同図 （Ａ）は絶縁基板０１）上に電気導電膜０２）、
絶縁薄膜面を順次積層し絶縁薄膜面の上に薄膜素子０４
）を形成する。電気導電膜Ｑ２）をアース電位又は特定
の電位にすることで薄膜素子０４）に近接したシールド
とすることができる。
絶縁薄膜面を順次積層し絶縁薄膜面の上に薄膜素子０４
）を形成する。電気導電膜Ｑ２）をアース電位又は特定
の電位にすることで薄膜素子０４）に近接したシールド
とすることができる。
又、同図（Ｂ）は薄膜素子側の上に絶縁層０５）電気導
電薄膜０６）を積層し薄膜素子０４）を電気導電薄膜０
２）、０６）で挾む形になりさらにシールド効果をあげ
ることができる。
電薄膜０６）を積層し薄膜素子０４）を電気導電薄膜０
２）、０６）で挾む形になりさらにシールド効果をあげ
ることができる。
第４図に本発明の実施例を示す。
本実施例は本発明の静電遮蔽膜をイメージセンサ−に応
用した一例である。
用した一例である。
ガラス基板０７）上に公知のスパッタリング法で電気導
電膜として５ｎＯｚ０８）を１μ−成膜、次に公知の熱
ＣＶＤ法で５ｉＯｚ０９）を１μｓ成膜、その上に公知
のプラズマＣＶＤ法でａ−３ｔ（至）ｎ層■層ｎ層をそ
れぞれ０．１．１． Ｏｌｏ、１μｓ成膜、その上に
絶縁層としてエポキシ樹脂（２３）を公知のスクリーン
印刷法で成膜、次に電気導電膜としてＡ ｆｆｉ （２
４）を公知のスパッタ法で形成し、こうしてシールド構
造型ミー３ｉイメージセンサを完成した。
電膜として５ｎＯｚ０８）を１μ−成膜、次に公知の熱
ＣＶＤ法で５ｉＯｚ０９）を１μｓ成膜、その上に公知
のプラズマＣＶＤ法でａ−３ｔ（至）ｎ層■層ｎ層をそ
れぞれ０．１．１． Ｏｌｏ、１μｓ成膜、その上に
絶縁層としてエポキシ樹脂（２３）を公知のスクリーン
印刷法で成膜、次に電気導電膜としてＡ ｆｆｉ （２
４）を公知のスパッタ法で形成し、こうしてシールド構
造型ミー３ｉイメージセンサを完成した。
本実施例のイメージセンサ−の耐電気雑音性が如何に優
れているかを実証するために、本発明の性電遮蔽膜を用
いないイメージセンサ−との比較を行った。
れているかを実証するために、本発明の性電遮蔽膜を用
いないイメージセンサ−との比較を行った。
この２つのサンプルにたいして、同じ原稿（真っ黒な原
稿）の読み取りをさせた時の読み取り信号を第５図（Ａ
）（Ｂ）に示す。
稿）の読み取りをさせた時の読み取り信号を第５図（Ａ
）（Ｂ）に示す。
同図（Ａ）は本発明の遮蔽膜を用いなかった場合のイメ
ージセンサ−の読み取り信号で、８本／４すのイメージ
センサ−のビット毎の信号出力を示しており、駆動用の
スイッチングノイズ、静電気等の為に各信号がばらつい
ている様子が良く分る。
ージセンサ−の読み取り信号で、８本／４すのイメージ
センサ−のビット毎の信号出力を示しており、駆動用の
スイッチングノイズ、静電気等の為に各信号がばらつい
ている様子が良く分る。
−力木発明の遮蔽膜を用いたイメージセンサ−の場合は
同図（Ｂ）にしめすようにビット毎の各信号がほぼ一定
であり、ばらつきがみられない。
同図（Ｂ）にしめすようにビット毎の各信号がほぼ一定
であり、ばらつきがみられない。
このように、本発明の遮蔽膜をもちいることにより数ナ
ノアンペア（ｎＡ）から数ピコアンペア（ｐＡ）とうい
う非常に微弱な信号を扱う薄膜機能素子に対するシール
ド効果を上げることができ簡単に電気雑音に強い薄膜応
用製品を実用化することが可能となった。
ノアンペア（ｎＡ）から数ピコアンペア（ｐＡ）とうい
う非常に微弱な信号を扱う薄膜機能素子に対するシール
ド効果を上げることができ簡単に電気雑音に強い薄膜応
用製品を実用化することが可能となった。
〔効果］
数Ａ〜数ｐＡの微弱信号を扱う薄膜素子に対するシール
ド効果をあげることができ簡単に電気雑音に強い薄膜応
用製品を実用化することが可能となった。
ド効果をあげることができ簡単に電気雑音に強い薄膜応
用製品を実用化することが可能となった。
従来はノイズ分を補正回路等で修正しなくてはならず、
そのため複雑な補正回路が必要であったが、本発明の遮
蔽膜によって簡単な補正回路のみで実現可能となった
そのため複雑な補正回路が必要であったが、本発明の遮
蔽膜によって簡単な補正回路のみで実現可能となった
第１図、第２図は従来の電気雑音に弱い素子の構造を示
す。 第３図、第４図は本発明の静電遮蔽膜を応用した素子の
構造を示す。 第５回はイメージセンサ−の読み取り信号の様子をしめ
す。 ピ、ド険。 第５図
す。 第３図、第４図は本発明の静電遮蔽膜を応用した素子の
構造を示す。 第５回はイメージセンサ−の読み取り信号の様子をしめ
す。 ピ、ド険。 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に導電膜と絶縁膜とを積層し導電膜をあ
る特定の電位にした静電遮蔽膜。 ２、特許請求の範囲の第１項において絶縁膜上に微弱電
流を流す素子を形成した上に絶縁層、導電膜と積層し上
下の導電膜を特定の電位にした静電遮蔽膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301246A JPH01143257A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 静電遮蔽膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301246A JPH01143257A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 静電遮蔽膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143257A true JPH01143257A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17894532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301246A Pending JPH01143257A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 静電遮蔽膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143257A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090141A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2008209555A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、半導体装置、表示装置およびこれを備える電子機器 |
| US7619194B2 (en) | 2007-02-26 | 2009-11-17 | Epson Imaging Devices Corporation | Electro-optical device, semiconductor device, display device, and electronic apparatus having the display device |
| US7852440B2 (en) | 2006-07-12 | 2010-12-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2017049568A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117267A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS60192370A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPS6143463A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61166162A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Ricoh Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1987
- 1987-11-28 JP JP62301246A patent/JPH01143257A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8169572B2 (en) | 2006-10-04 | 2012-05-01 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic apparatus |
| JP2008209555A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、半導体装置、表示装置およびこれを備える電子機器 |
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| JP2017049568A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 半導体装置、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
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