JPH01137253A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１，１，１．−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
１．１−ジクロロ−２，２，２−トリフルオロエタン（
以下ＲＩ２３という）又は１．２−ジクロロ−１，１−
ジフルオロエタン（以下Ｒ１３２ｂという）の１ａと！
、１−ジクロロー１−フルオロエタン（以下ＲＩ４１ｂ
という）との共沸組成物を有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。

本発明のレジスト現像剤の有効成分であるＲ１２３／Ｒ
１４１ｂ＝約６７／３３の共沸組成物又はＲ１３２ｂ／
Ｒ１４１ｂ・約１５．６／８４．５の共沸組成物（共沸
割合は重量％）は、良好な現像ができる優れた溶剤であ
る。これら２種の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれ
らの混合物として用いることができる。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例λば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも１種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、０〜５０重里％、好ましくは１０〜４０重量％、さら
に好ましくは２０〜３Ｏｆｆｆｆｆｉ％である。

本発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルベンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２〜メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
、３．３−　トリメチルペンタン、２．３．４−トリメ
チルペンタン、２．２．３−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１
−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、
シクロペンタン、メチルシクロベンクン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−
ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔａｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール％５ｅｃ−アミルアルコ
ール。

１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１−ブタ
ノール、イソペンチルアルコール、Ｌｅｒｔ−ペンチル
アルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンデ
ルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチルートペン
タノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル
−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−ヘプタツー
ル、３−ヘプタツール、ｌ−オクタノール、２−オクタ
ノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−ノナノー
ル、３．５．５−１−ツメチル−１−ヘキサノール、１
−デカノール、ｌ−ウンデカノール、１−ドデカノール
、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベンジ
ルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロ
ヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メ
チルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノー
ル、α−テルピネオール、アビニチノール、２．６−シ
メチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルアルコー
ル、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール
等から選ばれるものである。より好ましくはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等である。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ″、Ｒ−ＣＯ，Ｒ−Ｃ
Ｏ−Ｉｆ’　−ｒコｒ−Ｃ１１□１ ＣＤ−Ｒ＃、　Ｒ−ＣＤ−Ｒ″、　Ｒ−ＣＤ−Ｒ”　（
ここで、　Ｒ，Ｒ’、Ｒ＃は炭素数１〜９の飽和又は不
飽和炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタ
ノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、
４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、２．４−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１．１．　ｉ　トリクロルエタン、１，１．２
−１−ジクロルエタン、１．　Ｉ、　１．２−テトラク
ロルエタン、１．１．２．２−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１，２
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、！、　１．１トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ＋−ＣＯＤ−Ｒａ、　Ｒ１−Ｃ−Ｒ，−ＣＯＯ
−Ｒ４゜ＯＲ。

０ＯＲ４ （ここで８３．Ｒ，ｌ、Ｒ−、Ｒ４，Ｒａ、Ｒ６は１１
又は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルブチルアセテート、酢酸シクロヘキ
シル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペン
チル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソ
ペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２−
メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステ
アリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、
安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペン
チル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエ
チン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシル
、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブ
チル、シュウ酸ジベンヂル、マロン酸ジエチル、マレイ
ン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチ
ル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸
ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、
フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチ
ル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸ブチル
、酢酸エチル等である。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜７ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（１Ｂ１ｙ１
ｉｎｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリン
ト基板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［小量％］ Ｏ：良好に現像できる　△：やや不良 ×：不　良 ［発明の効果］ 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。

又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１，１−ジクロロ−２，２，２−トリフルオロエ
   タン又は１，２−ジクロロ−１，１−ジフルオロエタン
   の１種と１，１−ジクロロ−１−フルオロエタンとの共
   沸組成物を有効成分として含有するレジスト現像剤。
2. （２）レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
   ばれる少なくとも１種が含まれている特許請求の範囲第
   １項記載のレジスト現像剤。