JPH01135050A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置のパンケージング技術に関し、フ
ィルムキャリヤ方式による半導体装置に適用して特に有
効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

プラスチックフィルムに積層されたリードパターンに半
導体ペレノ）をボンディングして封止材で打止した半導
体装置として、フィルムキャリア（テープキャリア）方
式の半導体装置（以下、単にフィルムキャリアという）
があり、例えば、特願昭５２−７９８８２号に記載され
ている。

上記フィルムキャリアには、プラスチックフィルムに銅
箔を積層してフォトレジスト／エツチングにより所定の
リードパターンを形成した後、リードパターンの表面に
さらにソルダレジストを積層した構造のものが知られて
いる。

ソルダレジストを積層する目的は、リードパターンの表
面をソルダレジストで保護することにより、フィルムキ
ャリアを実装基板に半田付けする際の半田の飛び敗りに
よるリードパターン間の短絡防止や、基板実装後におけ
る銅のマイグレーション防止などを図ることにある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者は、リードパターンの表面にソルダレジストを
積層した上記フィルムキャリアに下記のような問題が生
じていることを見出した。

すなわち、インナーリードボンディング工程や樹脂封止
工程が完了した上記フィルムキャリアは、その後、専用
リールに巻き取られてアウターリードボンディング工程
に搬送されるが、専用リールに巻き取る際などにプラス
チックフィルムに曲げ応力が加わると、プラスチックフ
ィルムの可撓性がソルダレジストを積層したことによっ
て低下するために、プラスチックフィルムと封止材との
境界部に曲げ応力が集中して、この境界部近傍が折れ曲
がり易くなる。

そのためにソルダレジストと封止材との接合部にクラッ
クが発生し、封止材の耐湿性が低下する結果、へ！配線
の腐食など、フィルムキャリヤの信頼性低下を引き起こ
すという問題がある。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は、曲げ応力による封止材とソルダレジストと
の接合部のクラック発生を防止することのできる技術を
提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、リードパターンとソルダレジストとが積層さ
れたプラスチックフィルムに形成されたデバイスホール
の周囲に補強層を設け、上記ＩＪ−ドパターンにボンデ
ィングされた半導体ペレットを封止材で封止した半導体
装置構造とするものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、デバイスホールの周囲の曲げ剛
性が強化されるため、外部からプラスチックフィルムに
加わる曲げ応力が補強層の外周部に集中し、その結果、
プラスチックフィルムと封止材との境界部の折れ曲がり
が防止され、ソルダレジストと封止材との接合部にクラ
ックが発生するのを確実に防止することができる。

〔実施例〕

第１図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す部
分破断斜視図、第２図は、この半導体装置の第１図ｒ−
１線断面図、第３図は、この半導体装置におけるプラス
チックフィルムの折れ曲がり状態を示す断面図である。

本実施例の半導体装置は、ポリイミド樹脂などからなる
プラスチックフィルムｌに半導体ベレット２がボンディ
ングされたフィルムキャリアであり、プラスチックフィ
ルム１の所定個所に打ち抜き形成された矩形のデバイス
ホール３の内部に配置された半導体ペレット２の上面お
よび側面がエポキシ樹脂などの封止材４で封止されてい
る。

デバイスホール３の周囲には、銅箔からなる所定のリー
ドパターン５が形成され、デバイスホール３の内部に突
出したインナーリード５ａの先端に半導体ベレット２の
バンプ２ａが接合されている。

本実施例のフィルムキャリアは、デバイスホール３およ
びスプロケットホール６が打ち抜き形成された個所を除
いたプラスチックフィルム１の表面にエポキシ樹脂など
からなるソルダーレジスト７が積層され、このソルダー
レジスト７でリードパターン５の表面を保護することに
より、フィルムキャリアを実装基板に半田付けする際の
半田の飛び敗りによるリードパターン５同士の短絡や、
基板実装後における銅のマイグレーノヨンなどが防止さ
れるようになっている。

ソルダレジストマの表面のデバイスホール３の周囲には
、ソルダーレジスト７と同じエポキシ樹脂などからなる
矩形の補強層８が積層され、デバイスホール３の周囲の
プラスチックフィルムｌの曲げ剛性が強化されるように
なっている。

次に、上記フィルムキャリアの製造工程の一例を説明す
る。

まず、デバイスホール３とスプロケットホール６とが打
ち抜き形成されたプラスチックフィルム１の表面に接着
剤９で銅箔が積層され、フォトレジスト／エンチングに
より所定のリードパターン５を形成した後、インナーリ
ード５ａにＳｎ（スズ）などのメツキが施される。

次いで、デバイスホール３およびスプロケットホール６
を除いたプラスチックフィルム１の表面にスクリーン印
刷などによってソルダーレジスト７が積層され、その表
面のデバイスホール３の周囲に再度ソルダーレジストが
積層され、これが補強層８とされる。

次いて、Ａｕ（金）メツキの施されたバンプ２ａを有す
る半導体ペレット２がインナーリード５ａの先端にボン
ディングされ、洗浄工程を経た後、半導体ペレット２の
上面および側面が封止材４によって封止される。

上記のようにして製造されたフィルムキャリアは、電気
検査を経た後、専用リールに巻き取られてアウターリー
ドボンディング工程に搬送されるが、デバイスホール３
の周囲に補強層８を積層したことにより、デバイスホー
ル３の周囲のプラスチックフィルムｌの曲げ剛性が強化
されたため、専用リールに巻き取る際などにプラスチッ
クフィルムｌに曲げ応力が加わっても、第３図に示すよ
うに、補強層８の外周部８ａに曲げ応力が集中してその
近傍が折れ曲がる結果、プラスチックフィルム１と封止
材４との境界部近傍の折れ曲がりを防止することができ
る。

このように、本実施例によれば、次の効果を得ることが
できる。

（１）、デバイスホール３の周囲のソルダーレジスト７
の表面に再度ソルダーレジストを積層してこれを補強層
８としたことにより、デバイスホール３の周囲のプラス
チックフィルムｌの曲げ剛性が強化され、外部からプラ
スチックフィルム１に加えられた曲げ応力が補強層８の
外周部８ａに集中する結果、プラスチックフィルムｌと
封止材４との境界部近傍の折れ曲がりが防止され、これ
により、ソルダレジスト７と封止材４との接合部にクラ
ブタが発生するのを確実に防止することができる。

（２）、上記（１）により、封止材４の耐湿性の低下に
起因するＡβ配線の腐食などが防止される、フィルムキ
ャリヤの信頼性が向上する。

（３）、上記〔１）により、デバイスホール３の周囲の
プラスチックフィルム１の熱膨張・収縮が抑制され、基
板実装時の位置合わせ精度が向上する。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば、実施例では、ソルダレジストで補強層を構成し
たが、金属板やプラスチック板などをデバイスホールの
周囲のソルダーレジスト表面に接着して補強層を構成し
てもよい。

また、外部から加わる曲げ応力がプラスチックフィルム
と封止材との境界部に集中するのを防止できるものであ
れば、補強層の形状、面積などは、任竜に変更してもよ
い。

さらに、ソルダーレジストの表面に補強層を設ける構成
に代えて、第４図に示すように、プラスチックフィルム
１の裏面側のデバイスホール３の周囲に接着剤９を介し
て補強層８を積層してもよい。

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるフィルムキャリア
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えば、フレキシブルプリント基板（Ｆ
ＰＣ）のように、プラスチックフィルムに積層された導
体パターンにＩＣその他の電子部品を搭載したものに適
用することも可能である。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、リードパターンとソルダレジストとが積層さ
れたプラスチックフィルムのデバイスホールの周囲に補
強層を設け、このリードパターンにボンディングされた
半導体ベレ７）を封止材で封止した半導体装置構造とす
ることにより、デバイスホールの周囲の曲げ剛性が強化
され、外部からプラスチックフィルムに加わる曲げ応力
が補強層の外周部に集中する結果、プラスチックフィル
ムと封止材との境界部の折れ曲がりが防止され、これに
より、ソルダレジストと封止材との接合部にクラックが
発生するのを確実に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す部分
破断斜視図、 第２図はこの半導体装置の第１図（−Ｉ線断面図、 第３図はこの半導体装置におけるプラスチックフィルム
の折れ曲がり状態を示す断面図、第４図は本発明の他の
実施例である半導体装置を示す断面図である。 ｌ・・・プラスチックフィルム、２・・・半導体ペレッ
ト、２ａ・・・バンプ、３・・・デバイスホール、４・
・・１を止材、５・・・リードパターン、５ａ・　・　
・インナーリード、６・　・・スプロケットホール、７
・・・ソルダレジスト、８・・・補強層、８ａ・・・外
周部、９・・・接符剤。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プラスチックフィルムに積層されたリードパターン
   に半導体ペレットをボンディングして封止材で封止する
   とともに、前記リードパターンの表面にソルダレジスト
   を積層してなる半導体装置であって、前記プラスチック
   フィルムに形成されたデバイスホールの周囲に補強層を
   設けたことを特徴とする半導体装置。 ２、ソルダレジストの表面に補強層を設けたことを特徴
   とする特許請求範囲第１項記載の半導体装置。 ３、補強層がソルダレジストからなることを特徴とする
   特許請求範囲第１項記載の半導体装置。 ４、補強層が金属板であることを特徴とする特許請求範
   囲第１項記載の半導体装置。 ５、補強層がプラスチック板であることを特徴とする特
   許請求範囲第１項記載の半導体装置。