JPS5923432Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5923432Y2 JPS5923432Y2 JP9455379U JP9455379U JPS5923432Y2 JP S5923432 Y2 JPS5923432 Y2 JP S5923432Y2 JP 9455379 U JP9455379 U JP 9455379U JP 9455379 U JP9455379 U JP 9455379U JP S5923432 Y2 JPS5923432 Y2 JP S5923432Y2
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- Japan
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- electrode pattern
- film substrate
- semiconductor element
- base material
- wiring board
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、ポリイミド等の耐熱性を有するフィルムを用
いて半導体素子を印刷配線基板等の配線基板に組込むよ
うにした半導体装置に関する。
いて半導体素子を印刷配線基板等の配線基板に組込むよ
うにした半導体装置に関する。
従来、トランジスタや集積回路等の半導体素子を組込む
方法として、所定数の接続端子を配設したフラットパッ
ケイジ、テ゛ユアルインラインパッゲイジ(DIP)や
セラミックの特殊パッケイジ等のパッケイジを用いる方
法が採用されている。
方法として、所定数の接続端子を配設したフラットパッ
ケイジ、テ゛ユアルインラインパッゲイジ(DIP)や
セラミックの特殊パッケイジ等のパッケイジを用いる方
法が採用されている。
しがし、上述のようなパッケイジを用いる方法にあって
は半導体素子の組込みの作業性や組込み後の信頼性に乏
しく、また組込み工程が複雑である等としてコスト高を
招く等欠点があった。
は半導体素子の組込みの作業性や組込み後の信頼性に乏
しく、また組込み工程が複雑である等としてコスト高を
招く等欠点があった。
そこで、半導体素子の自動組込みを可能とし組込み作業
の能率化を図り安価に半導体装置の提供を行ない得るよ
うにするため、ポリイミド等の耐熱性を有する長尺状の
フィルムを用いて半導体素子を組込むようにしたテープ
キャリヤ方式が用いられている。
の能率化を図り安価に半導体装置の提供を行ない得るよ
うにするため、ポリイミド等の耐熱性を有する長尺状の
フィルムを用いて半導体素子を組込むようにしたテープ
キャリヤ方式が用いられている。
このテープキャリヤ方式で半導体素子を組込んだ構造と
して、例えば第1図及び第21図に示すようなものが知
られている。
して、例えば第1図及び第21図に示すようなものが知
られている。
第1図は、ポリイミド等の耐熱性を有するフィルムを基
材としたフィルム基板1に集積回路素子(IC)等の半
導体素子2を取付けた状態を示す。
材としたフィルム基板1に集積回路素子(IC)等の半
導体素子2を取付けた状態を示す。
半導体素子2の取付けられるフィルム基板1は、°銅箔
の導電箔3をフィルム基材4の表面に接着剤等をもって
接合して構成され、そして、上記導電箔3部分にエツチ
ングが施され端子電極パターン部3a、3aが形成され
ている。
の導電箔3をフィルム基材4の表面に接着剤等をもって
接合して構成され、そして、上記導電箔3部分にエツチ
ングが施され端子電極パターン部3a、3aが形成され
ている。
そして、上面はバンプ電極5,5を形成した半導体素子
2が、上記バンプ電極5,5を上記端子電極パターン部
3 a 、3 aに対応するようにしてポンチ゛イング
されている。
2が、上記バンプ電極5,5を上記端子電極パターン部
3 a 、3 aに対応するようにしてポンチ゛イング
されている。
さらに、半導体素子2のフィルム基板1への取付は部と
なるバンプ電極5,5の端子電極パターン部3a、3a
へのボンディング部分は、保護用樹脂6によってモール
ドされている。
なるバンプ電極5,5の端子電極パターン部3a、3a
へのボンディング部分は、保護用樹脂6によってモール
ドされている。
第1図に示すように半導体素子2を取付けたフィルム基
板1は、第2図に示すような構造でアルミナ等を基材と
した印刷配設基板7上に組込まれている。
板1は、第2図に示すような構造でアルミナ等を基材と
した印刷配設基板7上に組込まれている。
すなわち、上記基板7を構成する基材7a上に形成され
た例えば銅箔の回路パターン8上に半導体素子2の下面
を対応させるとともにフィルム基板1を撓わませて端子
電極パターン部3a、3aを接続用回路パターン9,9
上に対応させてフィルム基板1を載置する。
た例えば銅箔の回路パターン8上に半導体素子2の下面
を対応させるとともにフィルム基板1を撓わませて端子
電極パターン部3a、3aを接続用回路パターン9,9
上に対応させてフィルム基板1を載置する。
そして、半導体素子2と回路パターン8間及び端子電極
パターン部3a、3aと接続用回路パターン9,9間を
半田10をもって接続して、上記半導体素子2は印刷配
線基板7に組込まれる。
パターン部3a、3aと接続用回路パターン9,9間を
半田10をもって接続して、上記半導体素子2は印刷配
線基板7に組込まれる。
このような構造のものにあっては、半導体素子2のフィ
ルム基板1ヘボイデイングするためにバンプ電極5を必
要とする。
ルム基板1ヘボイデイングするためにバンプ電極5を必
要とする。
しかし、このバンプ電極5の半導体素子2上への形成が
極めて困難であり、バンプ電極5の形成より上記素子2
の大きさに制限を受け、さらにコストアップを招く。
極めて困難であり、バンプ電極5の形成より上記素子2
の大きさに制限を受け、さらにコストアップを招く。
また、フィルム基板1の配線基板7への組込みの際に半
導体素子2と端子電極パターン部3 a 、3 aを同
時に各回路パターン9,8に半田付けする必要がある。
導体素子2と端子電極パターン部3 a 、3 aを同
時に各回路パターン9,8に半田付けする必要がある。
しかし、半導体素子2の回路パターン9への半田付けを
行う際に樹脂モールド等によって上記素子2を保護でき
ないため、半田フラックスの影響を受けてしまう。
行う際に樹脂モールド等によって上記素子2を保護でき
ないため、半田フラックスの影響を受けてしまう。
この影響を避けるため組込みに特殊な治具が必要となっ
て組込みの作業性に問題を生ずる。
て組込みの作業性に問題を生ずる。
また、この構造によると、半導体素子2は、フィルム基
板1及び配線基板7によって覆われてしまい著しく放熱
性を劣化させてしまう。
板1及び配線基板7によって覆われてしまい著しく放熱
性を劣化させてしまう。
そのためトランジスタの如く発熱の著しい素子には適用
できない。
できない。
そこで、本考案はバンプ電極を形成することから生ずる
作業の困難性及びコストアップを解消し、また組込み作
業の容易性を遠戚し、さらに放熱性の良好な半導体装置
を提供することを目的として提案された。
作業の困難性及びコストアップを解消し、また組込み作
業の容易性を遠戚し、さらに放熱性の良好な半導体装置
を提供することを目的として提案された。
以下、本考案を図面に示す実施例を参照して説明する。
本考案によって横取される半導体装置は、第3図に示す
ようにフィルム基材11の一主面11 aに接着剤を用
い又は接着剤を使用することなく銅箔等の導電箔を接合
するとともにこの導電箔部分にエツチング等を施して電
極パターン部13と端子電極パターン部14.14を形
成したフィルム基板12上に半導体素子15を取付けて
いる。
ようにフィルム基材11の一主面11 aに接着剤を用
い又は接着剤を使用することなく銅箔等の導電箔を接合
するとともにこの導電箔部分にエツチング等を施して電
極パターン部13と端子電極パターン部14.14を形
成したフィルム基板12上に半導体素子15を取付けて
いる。
そして、上記フィルム基板12の電極パターン部13に
対応するフィルム基材11の部分には、透孔をもって構
成された切欠き部16が形成され、上記電極パターン部
13を折曲して上記切欠き部16内に臨むようにされて
いる。
対応するフィルム基材11の部分には、透孔をもって構
成された切欠き部16が形成され、上記電極パターン部
13を折曲して上記切欠き部16内に臨むようにされて
いる。
この切欠き部16内にその下面13aを平面状になるよ
うに折曲げられた電極パターン部13上に半導体素子1
5は載置され半田17等をもって電気的に接続されて取
付けられている。
うに折曲げられた電極パターン部13上に半導体素子1
5は載置され半田17等をもって電気的に接続されて取
付けられている。
また、端子電極パターン部14.14の一部はフィルム
基材11の側方へ延設され、電極パターン部13と同様
に折曲げられフィルム基材11他側面である下面側へ至
るように形成されている。
基材11の側方へ延設され、電極パターン部13と同様
に折曲げられフィルム基材11他側面である下面側へ至
るように形成されている。
ところで、電極パターン部13上に接続された半導体素
子15は、この素子15の上面に設けられた電極部と端
子電極パターン部14.14とを銀等をもって形成され
たワイヤ(細線)18をもって接続され、上記端子電極
パターン部14.14に電気的に接続されている。
子15は、この素子15の上面に設けられた電極部と端
子電極パターン部14.14とを銀等をもって形成され
たワイヤ(細線)18をもって接続され、上記端子電極
パターン部14.14に電気的に接続されている。
このようにフィルム基板12上に取付けられた半導体素
子15は、合成樹脂等の樹脂19をもってモールドされ
て保護されている。
子15は、合成樹脂等の樹脂19をもってモールドされ
て保護されている。
そして、半導体素子15を取付けたフィルム基板2は、
電極パターン部13の下面13 a及び端子電極パター
ン部14.14のフィルム基材11の下面側へ延設され
た接続部14 a 、14 aをそれぞれ印刷配線基板
20上に形成された回路パターン21,22゜22に対
応させて上記配線基板19に載置されるとともに半田2
3をもって電気的に接続され該配線基板20に組込まれ
ている。
電極パターン部13の下面13 a及び端子電極パター
ン部14.14のフィルム基材11の下面側へ延設され
た接続部14 a 、14 aをそれぞれ印刷配線基板
20上に形成された回路パターン21,22゜22に対
応させて上記配線基板19に載置されるとともに半田2
3をもって電気的に接続され該配線基板20に組込まれ
ている。
本考案に用いられるフィルム基板12は、従来用いられ
ているテープキャリヤ方式において使用されるキャリヤ
テープと同様に第4図に示す如く各単位毎の半導体素子
15の取付けられる各単位毎のフィルム基板12が連続
してテープ状に形成されている。
ているテープキャリヤ方式において使用されるキャリヤ
テープと同様に第4図に示す如く各単位毎の半導体素子
15の取付けられる各単位毎のフィルム基板12が連続
してテープ状に形成されている。
そして、テープ状に形成されたフィルム基板120には
上記テープキャリヤ方式において用いられる自動送り装
置によって自動送りされ、かつ自動送りとともに半導体
素子15の自動組付けを行ない得るように位置決めを行
うスプロットの嵌合するスプロケットホール24が連続
的に設けられている。
上記テープキャリヤ方式において用いられる自動送り装
置によって自動送りされ、かつ自動送りとともに半導体
素子15の自動組付けを行ない得るように位置決めを行
うスプロットの嵌合するスプロケットホール24が連続
的に設けられている。
従って、本考案を構成する半導体素子15のフィルム基
板12への取付けは、自動ワイヤボンディング装置との
組合せによって自動化できる。
板12への取付けは、自動ワイヤボンディング装置との
組合せによって自動化できる。
なお、フィルム基板12の電極パターン部13及び端子
電極パターン部14.14は、第5図に示すようにエツ
チング等の手段によって形成された後、あらかじめフィ
ルム基材11に穿設された切欠部16及び上記基材11
の主面にそって折曲げられる。
電極パターン部14.14は、第5図に示すようにエツ
チング等の手段によって形成された後、あらかじめフィ
ルム基材11に穿設された切欠部16及び上記基材11
の主面にそって折曲げられる。
この折曲げは、第6図に示すように上記切欠部16等に
対応する突部25を形成した上金型26と平坦状の下金
型27を組合せたプレス装置28によって行なわれる。
対応する突部25を形成した上金型26と平坦状の下金
型27を組合せたプレス装置28によって行なわれる。
上述したように本考案によれば、半導体素子のフィルム
基板への組付けに当って上記素子に形成が困難なバンプ
電極を形成する必要がなく、かつ組込みにあたって、フ
ィルム基板をテープ状に形成したものを自動送り装置に
よって自動送りしながら行なえる従来のテープキャリヤ
方式による利点を失なうことがないので、組込み作業の
向上を図ることができる。
基板への組付けに当って上記素子に形成が困難なバンプ
電極を形成する必要がなく、かつ組込みにあたって、フ
ィルム基板をテープ状に形成したものを自動送り装置に
よって自動送りしながら行なえる従来のテープキャリヤ
方式による利点を失なうことがないので、組込み作業の
向上を図ることができる。
そして製造コストの上昇を防止でき、半導体装置を安価
に提供することができる。
に提供することができる。
さらに、本考案によれば半導体素子の組込みは全ていわ
ゆるフェイスアップの状態で行なうことができ、かつ組
付は後も開放された状態にあるので放熱性の良好なもの
を提供できる。
ゆるフェイスアップの状態で行なうことができ、かつ組
付は後も開放された状態にあるので放熱性の良好なもの
を提供できる。
第1図は従来の方法で半導体素子をフィルム基板に取付
けた状態を示す断面図であり、第2図は上記基板を配線
基板に組込んだ状態を示す断面図である。 第3図は本考案による半導体装置を示す断面図である。 第4図は本考案に用いられるフィルム基板を示す平面図
であり、第5図は上記フィルム基板にパターン部を形成
した状態を示す断面図であり、第6図はプレス装置によ
ってパターン部を折曲げた状態を示す概略断面図である
。 11・・・・・・フィルム基材、12・・・・・・フィ
ルム基板、13・・・・・・電極パターン部、14.1
4・・・・・・端子電極パターン部、15・・・・・・
半導体素子、16・・・・・・切欠き部、18・・・・
・・ワイヤ、20・・・・・・印刷配線基板、21・・
・・・・回路パターン。
けた状態を示す断面図であり、第2図は上記基板を配線
基板に組込んだ状態を示す断面図である。 第3図は本考案による半導体装置を示す断面図である。 第4図は本考案に用いられるフィルム基板を示す平面図
であり、第5図は上記フィルム基板にパターン部を形成
した状態を示す断面図であり、第6図はプレス装置によ
ってパターン部を折曲げた状態を示す概略断面図である
。 11・・・・・・フィルム基材、12・・・・・・フィ
ルム基板、13・・・・・・電極パターン部、14.1
4・・・・・・端子電極パターン部、15・・・・・・
半導体素子、16・・・・・・切欠き部、18・・・・
・・ワイヤ、20・・・・・・印刷配線基板、21・・
・・・・回路パターン。
Claims (1)
- 電極パターン部と端子電極パターン部をフィルム基材の
一生面に形威し、上記フィルム基材の上記電極パターン
部に対応する部分に切欠き部を設けるとともに上記電極
パターン部を折曲して上記切欠き部内に臨ませたフィル
ム基板の上部電極パターン部に半導体素子を取付け、さ
らに上記素子の電極部と端子電極パターン部とをワイヤ
で接続するとともに、少なくとも上記フィルム基板に形
成された電極パターン部の下面を配線基板上に形成され
た回路パターン上に接続して上記配線基板に組込むよう
にした半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9455379U JPS5923432Y2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9455379U JPS5923432Y2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5615053U JPS5615053U (ja) | 1981-02-09 |
JPS5923432Y2 true JPS5923432Y2 (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=29327433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9455379U Expired JPS5923432Y2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5923432Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-07-11 JP JP9455379U patent/JPS5923432Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5615053U (ja) | 1981-02-09 |
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