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JPH01104506U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH01104506U
JPH01104506U JP13588U JP13588U JPH01104506U JP H01104506 U JPH01104506 U JP H01104506U JP 13588 U JP13588 U JP 13588U JP 13588 U JP13588 U JP 13588U JP H01104506 U JPH01104506 U JP H01104506U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
semiconductor laser
laser beam
control
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13588U
Other languages
English (en)
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Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP13588U priority Critical patent/JPH01104506U/ja
Publication of JPH01104506U publication Critical patent/JPH01104506U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図a,b,cは、この考案による半導体レ
ーザ測長器の光源装置の実施例における構成図と
気体セルの構造図およびその波長選択特性の説明
図、第2図は、トワイマン・グリーン型の干渉計
による従来の測長器の構成図である。 1…レーザ光源、2…ビームスプリツタ、3…
参照ミラー、4…測定ミラー、5…受光器、6…
移動体、7…固定部、8…光源光学部、9…ベー
ス盤、10…半導体レーザ素子、11…温度安定
器、11a…ヒートシンク、11b…ペルチエ素
子、11c…放熱器、11d…温度センサ、12
…レンズ、13…制御用ビームスプリツタ、14
…光フアイバー、15…制御部筐体、16…波長
基準器、16a…気体セル、16b,16c…レ
ンズ、17…電流制御回路、18…注入電流源、
19…温度制御回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体レーザ素子を用いた干渉計方式の測
    長器において、ビームスプリツタ、参照ミラーお
    よび受光器よりなる干渉計の固定部を固定したベ
    ース盤に、該半導体レーザ素子、該素子に対する
    温度安定器および上記半導体レーザ素子より出射
    されるレーザビームより制御用レーザビームを分
    割する制御ビームスプリツタとよりなる光源光学
    部を上記固定部に対応して固定し、上記ベース盤
    に対して任意の位置に制御部筐体を設け、該筐体
    に収容された波長基準器と上記光学光源部の間を
    光フアイバーで接続して上記分割された制御用レ
    ーザビームを該光フアイバーを通して受光し、上
    記波長基準器の気体セルにおいて変動する該レー
    ザビームの波長を選択吸収して出力される信号電
    圧により、上記半導体レーザ素子の注入電流を制
    御する電流制御回路および注入電流源とを上記制
    御筐体に収納したことを特徴とする、半導体レー
    ザ測長器の光源装置。 (2) 硬化ガラス管の両端を良質の光学ガラスで
    封止して真空とし、内部に例えばルビジウムなど
    の、上記半導体レーザ素子の発振波長の変動範囲
    内の1波長を吸収線とするアルカリ金属をガス状
    として充填した気体セルと、上記光フアイバーに
    より導かれたレーザビームを上記気体セルの一端
    より入力して他端より出力させる投光レンズおよ
    び受光レンズと、該気体セルにより吸収された波
    長以外の透過する波長のレーザビームを受光して
    上記信号電圧を出力する受光器とにより構成され
    た上記波長基準器とする、請求項1記載の半導体
    レーザ測長器の光源装置。
JP13588U 1988-01-06 1988-01-06 Pending JPH01104506U (ja)

Priority Applications (1)

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JP13588U JPH01104506U (ja) 1988-01-06 1988-01-06

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JP13588U JPH01104506U (ja) 1988-01-06 1988-01-06

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JPH01104506U true JPH01104506U (ja) 1989-07-14

Family

ID=31198893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13588U Pending JPH01104506U (ja) 1988-01-06 1988-01-06

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01104506U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59218903A (ja) * 1983-05-27 1984-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学計測装置
JPS62155578A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Yokogawa Electric Corp レ−ザ発生装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59218903A (ja) * 1983-05-27 1984-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学計測装置
JPS62155578A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Yokogawa Electric Corp レ−ザ発生装置

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