JPH01102982A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01102982A JPH01102982A JP26082687A JP26082687A JPH01102982A JP H01102982 A JPH01102982 A JP H01102982A JP 26082687 A JP26082687 A JP 26082687A JP 26082687 A JP26082687 A JP 26082687A JP H01102982 A JPH01102982 A JP H01102982A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一横モードで発振するＡＩＧａＩｎＰ系の
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
最近、肩磯金属熱分解法（以ＩＭＯＶＰＷと略す）によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ＪＧａｌｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
ＡｂＳｔｒａＣｌＳ ｏｆ ｔｈｅ ＩＢｔｈ ｅｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ８ｏ１ｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ−ａｌ ｓ 、ｉ
”ｏｋｙｏ 、 １９８６ 、ｐｐ 、１５３−１５６
）。このＳ造は、第１回目の成長でｎ型ＧａＡｓ基板
ｌｌ上に、ｎ型（λｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ ｘ
ｎ６．４Ｉ Ｐクラッド庖１４．ｐ型Ｌ１ａＡｓキャッ
プ層１７を順次形成する。次にフォトリングラフィによ
Ｊ、Ｓ ｉ Ｏ，をマスクとして、ｐ型ＵａＡｓキ’ｒ
ｙプ層１７とｐ 型（Ａｌｏ、ｓＧａ（、、、）ｏ、ｓ
ｘｎＯ，４１Ｐ １４を工、チングしてメｆ、＊）ラ
イブを形成する。そして、８１０！マスクをつけたまま
、第２回目の成長を行ない工、チングしたところにｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ、ｉ １８を成長してメサストライ
プをｎ型ＧａＡｓ層１８で埋め込む。次に８１０２マス
クを除去し、ｐ側全面に電極が形成できるように第３回
目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１９を成長する。
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ＪＧａｌｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
ＡｂＳｔｒａＣｌＳ ｏｆ ｔｈｅ ＩＢｔｈ ｅｏｎ
−ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ８ｏ１ｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ−ａｌ ｓ 、ｉ
”ｏｋｙｏ 、 １９８６ 、ｐｐ 、１５３−１５６
）。このＳ造は、第１回目の成長でｎ型ＧａＡｓ基板
ｌｌ上に、ｎ型（λｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ ｘ
ｎ６．４Ｉ Ｐクラッド庖１４．ｐ型Ｌ１ａＡｓキャッ
プ層１７を順次形成する。次にフォトリングラフィによ
Ｊ、Ｓ ｉ Ｏ，をマスクとして、ｐ型ＵａＡｓキ’ｒ
ｙプ層１７とｐ 型（Ａｌｏ、ｓＧａ（、、、）ｏ、ｓ
ｘｎＯ，４１Ｐ １４を工、チングしてメｆ、＊）ラ
イブを形成する。そして、８１０！マスクをつけたまま
、第２回目の成長を行ない工、チングしたところにｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ、ｉ １８を成長してメサストライ
プをｎ型ＧａＡｓ層１８で埋め込む。次に８１０２マス
クを除去し、ｐ側全面に電極が形成できるように第３回
目の成長でｐ型ＧａＡｓコンタクト層１９を成長する。
この構造によシミ流はｎ型ＧａＡｓ層１８によりブロッ
クされメサストライプ部にのみ注入される。また、メサ
ストライプ形成のエツチングのときに、メサストライプ
部以外のｐ型クラッド層の厚みを光のとじ込めには不十
分な厚みにまで工。
クされメサストライプ部にのみ注入される。また、メサ
ストライプ形成のエツチングのときに、メサストライプ
部以外のｐ型クラッド層の厚みを光のとじ込めには不十
分な厚みにまで工。
チングするのでｎ型ＧａＡｓ層１８のある部分では、こ
のｎ型ＧａＡｓ層１８に光が吸収され、メサストライプ
部のみ光は導波される。このようにこの構造では、電流
狭窒機構と光導波機構が同時につく９つけられる。
のｎ型ＧａＡｓ層１８に光が吸収され、メサストライプ
部のみ光は導波される。このようにこの構造では、電流
狭窒機構と光導波機構が同時につく９つけられる。
この構造の光導痕は１本質的にはｎ型ＧａＡｓ層１８に
おける吸収によっておこなわれる。そのため、レーザ光
は一部ＧａＡｓ層１８に吸収されるためレーザの発振閾
値が比較的高いほか、レーザが高光出力で動作すると、
ＧａＡｓ＃１８が高い電子励起状態におかれるため吸収
が飽和する現象が起こる。そのため横モード制御が不安
定になる欠点があった。本発明の目的は、この問題点を
解決した半導体レーザ装置を提供することにある。
おける吸収によっておこなわれる。そのため、レーザ光
は一部ＧａＡｓ層１８に吸収されるためレーザの発振閾
値が比較的高いほか、レーザが高光出力で動作すると、
ＧａＡｓ＃１８が高い電子励起状態におかれるため吸収
が飽和する現象が起こる。そのため横モード制御が不安
定になる欠点があった。本発明の目的は、この問題点を
解決した半導体レーザ装置を提供することにある。
第一の導電性を鳴するＧａＡｓ１！＃板上に、この基板
に格子整合するＣｋｌｘＧａｒ−ｘ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、
ｓ Ｐからなる活性層と、この活性層を挾む（ＡｌｙＧ
ａ ｌ−７）０．５Ｉｎ６４Ｐ（ｘ（ｙ）からなるクラ
ッド層により形成されたダブルヘテロ構造を設け１ｍ２
導電型クラッド層上に、ストライプ状に第２の導電型（
ＡＩ。
に格子整合するＣｋｌｘＧａｒ−ｘ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、
ｓ Ｐからなる活性層と、この活性層を挾む（ＡｌｙＧ
ａ ｌ−７）０．５Ｉｎ６４Ｐ（ｘ（ｙ）からなるクラ
ッド層により形成されたダブルヘテロ構造を設け１ｍ２
導電型クラッド層上に、ストライプ状に第２の導電型（
ＡＩ。
Ｇａ Ｉ−ｇ ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ （Ｘ ＜
Ｚ ）を設け、同じく第２の導電型クラッド層上の前記
ストライプ部分を除く部分に、第一の導１性或いは高低
抵抗を有し且つ前記（ＡＩ、 Ｇａ ｔ−、）ｅ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐの屈折率よりも大なる屈折率を有し且
２活性層（ＡＪｘＧａ、−８）ｏ、５Ｉｎ６．５ Ｐ
ｊ ｐバンドギャップの大なる組成を有するＡｌｕＧａ
、−ｕＡｓを少なくとも設けて成ることを特徴としてい
る。
Ｚ ）を設け、同じく第２の導電型クラッド層上の前記
ストライプ部分を除く部分に、第一の導１性或いは高低
抵抗を有し且つ前記（ＡＩ、 Ｇａ ｔ−、）ｅ、ｓ
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐの屈折率よりも大なる屈折率を有し且
２活性層（ＡＪｘＧａ、−８）ｏ、５Ｉｎ６．５ Ｐ
ｊ ｐバンドギャップの大なる組成を有するＡｌｕＧａ
、−ｕＡｓを少なくとも設けて成ることを特徴としてい
る。
上述の本発明の構成を用いると、電流狭９についてはｎ
型ＡＪ、ＧａＡｓを用いれば従来と同一機構である。ま
た、ＡＪを含むＡＪＧａＡｓ結晶を用いるため、特に高
抵抗層が得やすく、高抵抗ＡｌＧａＡ３を用いれば電流
狭搾がよシ容易に実現できる。
型ＡＪ、ＧａＡｓを用いれば従来と同一機構である。ま
た、ＡＪを含むＡＪＧａＡｓ結晶を用いるため、特に高
抵抗層が得やすく、高抵抗ＡｌＧａＡ３を用いれば電流
狭搾がよシ容易に実現できる。
さて、光の導波機構については１本発明によれば損失の
少ない屈折率導波型となる。（ＡＩ、Ｇａｔ−、）。、
。
少ない屈折率導波型となる。（ＡＩ、Ｇａｔ−、）。、
。
Ｉｎｏ、ｓＰのバンドギャップＥｇ（ｙ）は、ｙの増大
とともに大きくなるがｙ〜１においても高々２．３５ｅ
Ｖである。一方、ＡＪｕＧａ、−ｕＡｓのノ（ンドギャ
ップｇｇ（ｕ）は、Ｕ≧０．５で間接遷移型になるがＵ
の増加とともに単調に増大する。しかし。
とともに大きくなるがｙ〜１においても高々２．３５ｅ
Ｖである。一方、ＡＪｕＧａ、−ｕＡｓのノ（ンドギャ
ップｇｇ（ｕ）は、Ｕ≧０．５で間接遷移型になるがＵ
の増加とともに単調に増大する。しかし。
Ｕ〜１でも高々２．２ｅＶである。ところで、パンの関
係が存在するが、ｎは直接遷移型のバンドギヤ、プによ
ってはｔ琺まる。従ってＡ ｌｕ Ｇ ａ ｔ −ｕ
Ａ ｓのｕ）０．５における直接遷移ギヤ、プはＵ〜１
のとき、約３．０ｅＶと大きい。従って、大きなＵにお
いては、ｎの小さな値が対応する。この点を利用して、
ＡＩＧａＩｎＰ系混晶とＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系混晶
を本発明が精求する一定の条件下で組合わせることによ
って、損失の少ない接合面に平行方向にも正の屈折率導
波機構を有する可視光半導体レーザを得ることができる
。
係が存在するが、ｎは直接遷移型のバンドギヤ、プによ
ってはｔ琺まる。従ってＡ ｌｕ Ｇ ａ ｔ −ｕ
Ａ ｓのｕ）０．５における直接遷移ギヤ、プはＵ〜１
のとき、約３．０ｅＶと大きい。従って、大きなＵにお
いては、ｎの小さな値が対応する。この点を利用して、
ＡＩＧａＩｎＰ系混晶とＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系混晶
を本発明が精求する一定の条件下で組合わせることによ
って、損失の少ない接合面に平行方向にも正の屈折率導
波機構を有する可視光半導体レーザを得ることができる
。
すなわち、活性層に隣接する第２の導電型クラッド層に
染み出した光波は、ストライプ状の（ＡＪＧａ １−、
）６．５Ｉｎ６４ Ｐ及び、その両側に接して設けられ
たＡＪ、Ｇａ□−ｕＡｓに達するが、ストライプ部（Ａ
ｌｚＧ”ｘ−１）ｏ、ｓ Ｉｎ０．、 ＰとＡＩ、Ｇａ
１１Ａｓとの屈折率が前者のそれが大きいために、スト
ライプ部に集中し、横モード制御が有効に行われる。
染み出した光波は、ストライプ状の（ＡＪＧａ １−、
）６．５Ｉｎ６４ Ｐ及び、その両側に接して設けられ
たＡＪ、Ｇａ□−ｕＡｓに達するが、ストライプ部（Ａ
ｌｚＧ”ｘ−１）ｏ、ｓ Ｉｎ０．、 ＰとＡＩ、Ｇａ
１１Ａｓとの屈折率が前者のそれが大きいために、スト
ライプ部に集中し、横モード制御が有効に行われる。
以下１本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の断
面図であシ、第２図はこの半導体レーザ装置の製作工程
図である。
面図であシ、第２図はこの半導体レーザ装置の製作工程
図である。
まず１回目の成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｓ１ドープ
、 ｎ ＝ ２ Ｘ １ ｏ”ｃｍ−”）上に、ｎ型（
Ａｌｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓｔ Ｉ ｎｏ、４ｓ Ｐ
クラッド層２（ｆｌ＝ＩＸ１０”ｃｒｎ−３：厚み１．
２／ｊｍ）、ＧａＩｎＰ活性層３（アンドープ；厚み０
．１μｍ）、下部ｐ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、４）ｏ、
ｓＩ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４（ｐ＝５×１０１７ｃ
！ｒＬ−コ；厚み０、：ｌａｍ）、上ｓｐ型（Ａｌｏ、
ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層６
（ｐｍ５ Ｘ ｌ ０１７ｃＩＬ−３；厚みｊＡｍ）
、ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓ ’？ ヤ、プ層７ （Ｐ＝２Ｘ
１０”ｃｍ−”：厚み０．５μｍ）を順次区長形成した
（第２図］１ａＪ ）。
、 ｎ ＝ ２ Ｘ １ ｏ”ｃｍ−”）上に、ｎ型（
Ａｌｏ、５Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓｔ Ｉ ｎｏ、４ｓ Ｐ
クラッド層２（ｆｌ＝ＩＸ１０”ｃｒｎ−３：厚み１．
２／ｊｍ）、ＧａＩｎＰ活性層３（アンドープ；厚み０
．１μｍ）、下部ｐ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、４）ｏ、
ｓＩ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層４（ｐ＝５×１０１７ｃ
！ｒＬ−コ；厚み０、：ｌａｍ）、上ｓｐ型（Ａｌｏ、
ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層６
（ｐｍ５ Ｘ ｌ ０１７ｃＩＬ−３；厚みｊＡｍ）
、ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｓ ’？ ヤ、プ層７ （Ｐ＝２Ｘ
１０”ｃｍ−”：厚み０．５μｍ）を順次区長形成した
（第２図］１ａＪ ）。
成長には、威圧Ｍ ＯＶ Ｐ Ｅ法を用い成長条件は。
温度７００℃、圧カフ ０Ｔｏｒｒ、Ｖ／［１−＝２０
０゜キャリアガス（Ｈｓ）の全流量１５ （１７ｍ１ｎ
）とした。原料にはトリメチルインジウム（Ｔ１１ｄＩ
：（ＯＨ３）ＩＩｎ）、）リエチルガリウム（ＴＷＧ：
（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、）リンチルアルミニウム（’ｒ
Ｍ” ： （ＣＨｓ）ｓ Ａ−ｌ） 、アルシン（Ａｓ
Ｈ３）、ホスフィン（Ｐ）Ｉｇ）、ｐ型ドーパントには
ジメチル亜鉛（ＤＭＺ ： （ＣＨ３）２ Ｚｎ ）、
ｎ型ドーパントにはセレン化水素（Ｈ，８ｅ）を用いた
。こうして成長じたウェハにフォトリングラフィにより
ストライプ状のｄｉｏ、マスク９を形成した（第２図（
ｂ））。
０゜キャリアガス（Ｈｓ）の全流量１５ （１７ｍ１ｎ
）とした。原料にはトリメチルインジウム（Ｔ１１ｄＩ
：（ＯＨ３）ＩＩｎ）、）リエチルガリウム（ＴＷＧ：
（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ）、）リンチルアルミニウム（’ｒ
Ｍ” ： （ＣＨｓ）ｓ Ａ−ｌ） 、アルシン（Ａｓ
Ｈ３）、ホスフィン（Ｐ）Ｉｇ）、ｐ型ドーパントには
ジメチル亜鉛（ＤＭＺ ： （ＣＨ３）２ Ｚｎ ）、
ｎ型ドーパントにはセレン化水素（Ｈ，８ｅ）を用いた
。こうして成長じたウェハにフォトリングラフィにより
ストライプ状のｄｉｏ、マスク９を形成した（第２図（
ｂ））。
次にこの８ｉ０，９を用いて化学工、チンダ液によ＃）
ｐ型ＧａＡｓキャップ層７をメサ状にエツチングし、つ
づいて、上部ｐ型（ｋｌｏ、ｓ （Ｊａｏ、ｓ）ｏ、５
ｔＴ−ｎｏ、ａｅＰクラッド層６をメサ状にエツチング
した（第２図（Ｃ））。そして８ ｉ ０２マスク９を
つけたままＭＯＶＰＢにより２回目の成長を行ないｎ型
λらＧａ１−ｕＡｓ層５を成長した（第２図（ｄｌ ”
）、次に５ｉ０２マスク９をエツチングで除去しく第２
図ｔｅｌ）。
ｐ型ＧａＡｓキャップ層７をメサ状にエツチングし、つ
づいて、上部ｐ型（ｋｌｏ、ｓ （Ｊａｏ、ｓ）ｏ、５
ｔＴ−ｎｏ、ａｅＰクラッド層６をメサ状にエツチング
した（第２図（Ｃ））。そして８ ｉ ０２マスク９を
つけたままＭＯＶＰＢにより２回目の成長を行ないｎ型
λらＧａ１−ｕＡｓ層５を成長した（第２図（ｄｌ ”
）、次に５ｉ０２マスク９をエツチングで除去しく第２
図ｔｅｌ）。
ＭＯＶＰｇによシ３３回目成長を行ってｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層８を成長した（第２図げ））。２回目、３回
目の成長条件は上述の１回目の成長と同一である。最後
にｐｍ”画電極を形成して、キャビティ長２５０μｍに
へき開し１個々のチップに分離した。
ンタクト層８を成長した（第２図げ））。２回目、３回
目の成長条件は上述の１回目の成長と同一である。最後
にｐｍ”画電極を形成して、キャビティ長２５０μｍに
へき開し１個々のチップに分離した。
上述の方法によシ作製した本発明のレーザウェハ３０．
トと、従来のレーザウェハ３０．トカら表 １ 表１かられかるように１本発明を用いると、吸収損失の
少ない低閾値のレーザ装置をつくることができる。
トと、従来のレーザウェハ３０．トカら表 １ 表１かられかるように１本発明を用いると、吸収損失の
少ない低閾値のレーザ装置をつくることができる。
以上述べた実施例では、活性層をＧａＩｎＰ、クラッド
層を（ＡＡ’ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ等としたが。
層を（ＡＡ’ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、ｓ
Ｐ等としたが。
発振波長を変える（短波長にする）には１本発明の要件
を満たす範囲で活性層のＡノ組成を増やせはよい。
を満たす範囲で活性層のＡノ組成を増やせはよい。
このように本発明によシ１発振閾電流値の小さな基本横
モード制御ＡＪＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置を得るこ
とがする。
モード制御ＡＪＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置を得るこ
とがする。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図１８）
〜（ｆ）は本発明の裏作工程を示す断面図、第３図は、
従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。図に
おいて、１．１１はｎ型ＧａＡｓ基板、 ２Ｆｉｎ型（
ｋｌｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎ１１．ｓ
Ｐクラッド層。 ３．１３はＧａＩｎＰ活性層、４は下部ｐ型（ＡＡ’（
１，４Ｇ ａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｉ Ｐクラ
ッド層・５はｎ型Ａ１６，１１ Ｇ ａ６４Ａｓ層、６
は上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層、８゜１９はｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、９はＳｉｎ。 マスク、１２はｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６．５）６．５
Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、１４はｐ型（Ａｌｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、
１８はｎ型ＧａＡｓ層。 代理人 弁理士 内 原 晋 着 １ 図 （０） ’ （ｄ）（ｂ）（ｃ） （Ｃ） （ｆ）第 ２ 図
〜（ｆ）は本発明の裏作工程を示す断面図、第３図は、
従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。図に
おいて、１．１１はｎ型ＧａＡｓ基板、 ２Ｆｉｎ型（
ｋｌｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎ１１．ｓ
Ｐクラッド層。 ３．１３はＧａＩｎＰ活性層、４は下部ｐ型（ＡＡ’（
１，４Ｇ ａｏ、ｓ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｉ Ｐクラ
ッド層・５はｎ型Ａ１６，１１ Ｇ ａ６４Ａｓ層、６
は上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層、８゜１９はｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、９はＳｉｎ。 マスク、１２はｎ型（Ａｌｏ、ｓ Ｇａ６．５）６．５
Ｉｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、１４はｐ型（Ａｌｏ、ｓ
Ｇａｏ、ｓ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、
１８はｎ型ＧａＡｓ層。 代理人 弁理士 内 原 晋 着 １ 図 （０） ’ （ｄ）（ｂ）（ｃ） （Ｃ） （ｆ）第 ２ 図
Claims (1)
- 第１の導電性を有するＧａＡｓ基板上に、この基板に
格子整合する（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿
５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐからなる活性層と、この活性層を
挾む第１及び第２の導電型の（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿
ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（ｘ＜ｙ）からな
るクラッド層により形成されたダブルヘテロ構造を設け
、前記第２導電型クラッド層上に、ストライプ状に第２
の導電型（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉ
ｎ＿０＿．＿５Ｐ（ｘ＜ｚ）を設け、同じく前記第２の
導電型クラッド層上で前記ストライプ状の第２の導電型
（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿
．＿５Ｐの両側部分に、第１の導電性或いは高低抵抗を
有し且つ前記（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＩｎ＿０＿．
＿５Ｐの屈折率よりも大なる屈折率を有し且つ活性層（
Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．
＿５Ｐよりバンドギャップの大なる組成を、有するＡｌ
＿ｕＧａ＿１＿−＿ｕＡｓを少なくとも設けて成ること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082687A JPH01102982A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26082687A JPH01102982A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102982A true JPH01102982A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17353294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26082687A Pending JPH01102982A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102982A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0440471A2 (en) * | 1990-01-31 | 1991-08-07 | Nec Corporation | Transverse-mode stabilized laser diode |
| EP0477033A2 (en) * | 1990-09-21 | 1992-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US6590920B1 (en) | 1998-10-08 | 2003-07-08 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet |
| JP2008071803A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 化合物混晶半導体発光装置。 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172782A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Nec Corp | 半導体発光装置 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP26082687A patent/JPH01102982A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172782A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Nec Corp | 半導体発光装置 |
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| EP0477033A2 (en) * | 1990-09-21 | 1992-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US6590920B1 (en) | 1998-10-08 | 2003-07-08 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet |
| JP2008071803A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 化合物混晶半導体発光装置。 |
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