JP7631159B2 - Drawing device - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本発明は、基板に対する描画を行う描画装置に関する。 The present invention relates to a drawing device that draws on a substrate.
従来、半導体基板、プリント基板、または、有機EL表示装置もしくは液晶表示装置用のガラス基板等(以下、「基板」という。)に形成された感光材料に光を照射することにより、パターンの描画を行う描画装置が使用されている。 Conventionally, a drawing device has been used that draws a pattern by irradiating light onto a photosensitive material formed on a semiconductor substrate, a printed circuit board, or a glass substrate for an organic electroluminescence display device or a liquid crystal display device (hereinafter referred to as a "substrate").
例えば、特許文献1のパターン露光装置では、光源から出力された光がDMD(Digital Micromirror Device)によって空間変調されることによりパターン光が形成され、当該パターン光が光学系により感光材料上に結像される。当該光学系は、DMDにより形成されたパターン光を結像する第1結像光学系と、第1結像光学系の結像面に配置されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイを通過した光を感光材料上に結像させる第2結像光学系と、を含む。マイクロレンズアレイは、DMDの複数のマイクロミラーにそれぞれ対応するように二次元配列された複数のマイクロレンズを備える。当該パターン露光装置では、フォーカス制御部によりマイクロレンズアレイが光軸方向に移動されることにより、基板上におけるパターン光の結像位置が調節される。
For example, in the pattern exposure device of
ところで、特許文献1のようなパターン露光装置では、スループットを向上させるために光量を増大させると、パターンの描画中に第1結像光学系中のレンズ温度が上昇するおそれがある。この場合、熱レンズ効果によって第1結像光学系の焦点距離が変動し、マイクロレンズアレイの各マイクロレンズ上に結像するべきDMDのマイクロミラーの像の結像位置が光軸方向にずれる(すなわち、ピントが合わなくなる)。その結果、一のマイクロレンズ上に結像するマイクロミラーの像が、隣接するマイクロレンズまで広がり、基板上において本来描画すべきでないスポットにも光が照射されて描画精度が低下するおそれがある。
However, in a pattern exposure apparatus such as that described in
なお、熱レンズ効果による焦点距離の変動量は、レンズ中央部とレンズ周辺部とで異なるため、マイクロレンズアレイを単に光軸方向に移動するだけでは、マイクロレンズアレイの中央部に位置するマイクロレンズ上の結像位置のずれ、および、マイクロレンズアレイの周辺部に位置するマイクロレンズ上の結像位置のずれの双方を好適に調節することは困難である。また、透過率の高い材質のレンズを使用して熱レンズ効果を低減させることも考えられるが、レンズのコストが増大する。 In addition, since the amount of change in focal length due to the thermal lens effect differs between the center and periphery of the lens, it is difficult to appropriately adjust both the shift in the image formation position on the microlens located in the center of the microlens array and the shift in the image formation position on the microlens located in the periphery of the microlens array by simply moving the microlens array in the optical axis direction. It is also possible to reduce the thermal lens effect by using lenses made of a material with high transmittance, but this increases the cost of the lenses.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、熱レンズ効果による描画精度の低下を抑制することを目的としている。 The present invention has been developed in consideration of the above problems, and aims to suppress the deterioration of drawing accuracy due to the thermal lens effect.
請求項1に記載の発明は、基板に対する描画を行う描画装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板に対して光を照射してパターンを描画する描画ヘッドと、前記基板保持部を前記描画ヘッドに対して相対移動させる基板移動機構と、前記描画ヘッドから前記基板に照射される光の結像位置を調節するフォーカス制御部とを備え、前記描画ヘッドは、光源からの光を空間光変調する空間光変調部と、前記空間光変調部からの光の光路上に配置される結像光学系と、複数のマイクロレンズを有し、前記結像光学系からの光を集光するマイクロレンズアレイと、前記結像光学系の温度を測定する温度センサと、前記マイクロレンズアレイを湾曲させるアレイ変形機構とを備え、前記フォーカス制御部は、前記温度センサによる前記結像光学系の測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御することにより、光軸方向における前記複数のマイクロレンズのそれぞれの位置を前記結像光学系からの光の結像位置へと近づける。
The invention described in
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の描画装置であって、前記温度センサは、前記結像光学系に含まれる一の光学素子の中央部における温度である第1測定温度を取得し、前記フォーカス制御部は、前記第1測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御する。
The invention described in claim 2 is the drawing device described in
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の描画装置であって、前記温度センサは、前記一の光学素子の前記中央部から離間した他の部位における温度である第2測定温度も取得し、前記フォーカス制御部は、前記第1測定温度および前記第2測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御する。
The invention described in
請求項4に記載の発明は、請求項2または3に記載の描画装置であって、前記一の光学素子は、前記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち屈折率温度係数が最大の光学素子である。
The invention described in
請求項5に記載の発明は、請求項2ないし4のいずれか1つに記載の描画装置であって、前記一の光学素子は、前記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち線膨張係数が最大の光学素子である。 The invention described in claim 5 is the drawing device described in any one of claims 2 to 4, in which the one optical element is the optical element having the largest linear expansion coefficient among the multiple optical elements included in the imaging optical system.
請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の描画装置であって、前記マイクロレンズアレイの光軸方向に垂直な形状は、1組の長辺と1組の短辺とを有する長方形状であり、前記アレイ変形機構は、前記マイクロレンズアレイの前記1組の長辺に平行な長手方向における中央部を、前記マイクロレンズアレイの前記長手方向における両端部に対して前記光軸方向に相対的に変位させる変位部を備える。
The invention described in claim 6 is the drawing device described in any one of
本発明では、熱レンズ効果による描画精度の低下を抑制することができる。 The present invention can suppress the deterioration of drawing accuracy due to the thermal lens effect.
図1は、本発明の一の実施の形態に係る描画装置1を示す斜視図である。描画装置1は、空間光変調された略ビーム状の光を基板9上の感光材料に照射し、当該光の照射領域を基板9上にて走査することによりパターンの描画を行う直接描画装置である。図1では、互いに直交する3つの方向をX方向、Y方向およびZ方向として矢印にて示している。図1に示す例では、X方向およびY方向は互いに垂直な水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。他の図においても同様である。
Figure 1 is a perspective view showing a
描画装置1は、ステージ21と、ステージ移動機構22と、撮像部3と、描画部4と、制御部10とを備える。制御部10は、ステージ移動機構22、撮像部3および描画部4等を制御する。ステージ21は、撮像部3および描画部4の下方(すなわち、(-Z)側)において、水平状態の基板9を下側から保持する略平板状の基板保持部である。基板9は、例えばプリント配線基板である。ステージ21は、例えば、基板9の下面を吸着して保持するバキュームチャックである。ステージ21は、バキュームチャック以外の構造を有していてもよい。ステージ21上に載置された基板9の上面90は、Z方向に対して略垂直であり、X方向およびY方向に略平行である。
The
ステージ移動機構22は、基板9を保持するステージ21を、撮像部3および描画部4に対して水平方向(すなわち、基板9の上面90に略平行な方向)に相対的に移動する基板移動機構である。ステージ移動機構22は、第1移動機構23と、第2移動機構24とを備える。第2移動機構24は、ステージ21をガイドレールに沿ってX方向に直線移動する。第1移動機構23は、ステージ21を第2移動機構24と共にガイドレールに沿ってY方向に直線移動する。第1移動機構23および第2移動機構24の駆動源は、例えば、リニアサーボモータ、または、ボールネジにモータが取り付けられたものである。第1移動機構23および第2移動機構24の構造は、様々に変更されてよい。
The
描画装置1では、Z方向に延びる回転軸を中心としてステージ21を回転するステージ回転機構が設けられてもよい。また、ステージ21をZ方向に移動するステージ昇降機構が描画装置1に設けられてもよい。ステージ回転機構として、例えば、サーボモータが利用可能である。ステージ昇降機構として、例えば、リニアサーボモータが利用可能である。ステージ回転機構およびステージ昇降機構の構造は、様々に変更されてよい。
The
撮像部3は、X方向に配列される複数(図1に示す例では、2つ)の撮像ヘッド31を備える。各撮像ヘッド31は、ステージ21およびステージ移動機構22を跨いで設けられるヘッド支持部30により、ステージ21およびステージ移動機構22の上方にて支持される。2つの撮像ヘッド31のうち、一方の撮像ヘッド31はヘッド支持部30に固定されており、他方の撮像ヘッド31はヘッド支持部30上においてX方向に移動可能である。これにより、2つの撮像ヘッド31間のX方向の距離を変更することができる。なお、撮像部3の撮像ヘッド31の数は、1であってもよく、3以上であってもよい。
The
各撮像ヘッド31は、図示省略の撮像センサおよび光学系を備えるカメラである。各撮像ヘッド31は、例えば、2次元の画像を取得するエリアカメラである。撮像センサは、例えば、マトリクス状に配列された複数のCCD(Charge Coupled Device)等の素子を備える。各撮像ヘッド31では、図示省略の光源から基板9の上面90へと導かれた照明光の反射光が、光学系を介して撮像センサへと導かれる。撮像センサは、基板9の上面90からの反射光を受光し、略矩形状の撮像領域の画像を取得する。上記光源としては、LED(Light Emitting Diode)等の様々な光源が利用可能である。なお、各撮像ヘッド31は、ラインカメラ等、他の種類のカメラであってもよい。
Each
描画部4は、X方向およびY方向に配列される複数(図1に示す例では、5つ)の描画ヘッド41を備える。各描画ヘッド41は、ステージ21およびステージ移動機構22を跨いで設けられるヘッド支持部40により、ステージ21およびステージ移動機構22の上方にて支持される。ヘッド支持部40は、撮像部3のヘッド支持部30よりも(+Y)側に配置されている。各描画ヘッド41は、後述する光源、光学系および空間光変調部等を備える。複数の描画ヘッド41は、略同じ構造を有する。なお、描画部4の描画ヘッド41の数は1であってもよく、複数であってもよい。
The
描画装置1では、描画部4の複数の描画ヘッド41から変調された(すなわち、空間光変調された)光を基板9の上面90上に照射しつつ、ステージ移動機構22により基板9をY方向に移動する。これにより、複数の描画ヘッド41からの光の照射領域が基板9上にてY方向に走査され、基板9に対するパターンの描画が行われる。以下の説明では、Y方向を「走査方向」とも呼び、X方向を「幅方向」とも呼ぶ。ステージ移動機構22は、各描画ヘッド41からの光の照射領域を基板9上にて走査方向に移動する走査機構である。
In the
描画装置1では、基板9に対する描画は、いわゆるシングルパス(ワンパス)方式で行われる。具体的には、ステージ移動機構22により、ステージ21が複数の描画ヘッド41に対してY方向に相対移動され、複数の描画ヘッド41からの光の照射領域が、基板9の上面90上にてY方向(すなわち、走査方向)に1回のみ走査される。これにより、基板9に対する描画が完了する。なお、描画装置1では、ステージ21のY方向への移動とX方向へのステップ移動とが繰り返されるマルチパス方式により、基板9に対する描画が行われてもよい。なお、描画装置1においてマルチパス方式の描画が行われる場合、Y方向は主走査方向であり、X方向は副走査方向である。また、ステージ移動機構22の第1移動機構23は、ステージ21を主走査方向に移動させる主走査機構であり、第2移動機構24は、ステージ21を副走査方向に移動させる副走査機構である。
In the
図2は、制御部10が備えるコンピュータ100の構成を示す図である。コンピュータ100は、プロセッサ101と、メモリ102と、入出力部103と、バス104とを備える通常のコンピュータである。バス104は、プロセッサ101、メモリ102および入出力部103を接続する信号回路である。メモリ102は、各種情報を記憶する。メモリ102は、例えば、記憶媒体108に予め記憶されているプログラム109を読み出して記憶する。記憶媒体108は、例えば、USBメモリ、CD-ROM、ハードディスクドライブ(HDD)、ソリッドステートディスク(SSD)である。
Figure 2 is a diagram showing the configuration of the
プロセッサ101は、メモリ102に記憶される上記プログラム109等に従って、メモリ102等を利用しつつ様々な処理(例えば、数値計算や画像処理)を実行する。入出力部103は、操作者からの入力を受け付けるキーボード105およびマウス106、並びに、プロセッサ101からの出力等を表示するディスプレイ107を備える。なお、制御部10は、プログラマブルロジックコントローラ(PLC:Programmable Logic Controller)や回路基板等であってもよく、これらと1つ以上のコンピュータとの組み合わせであってもよい。
The
図3は、コンピュータ100によって上記プログラム109が実行されることにより実現される制御部10の機能を示すブロック図である。図3では、制御部10以外の構成も併せて示す。制御部10は、記憶部111と、撮像制御部112と、位置検出部113と、描画制御部114と、フォーカス制御部115とを備える。
Figure 3 is a block diagram showing the functions of the
記憶部111は、主にメモリ102により実現され、描画装置1におけるパターンの描画に関する各種情報を予め記憶する。記憶部111に記憶されている情報には、例えば、基板9に描画される予定のパターンのCADデータが含まれる。
The
撮像制御部112、位置検出部113、描画制御部114およびフォーカス制御部115は、主にプロセッサ101により実現される。撮像制御部112は、撮像部3およびステージ移動機構22を制御することにより、基板9の上面90(図1参照)を撮像部3に撮像させて、アライメントマークを含む撮像画像を取得させる。当該撮像画像は、記憶部111へと送られて格納される。位置検出部113は、当該撮像画像に基づいてステージ21(図1参照)上における基板9の位置(すなわち、描画部4に対する基板9の相対位置)を検出する。描画制御部114は、位置検出部113により検出された基板9の位置等に基づいて、描画部4およびステージ移動機構22を制御することにより、基板9上の描画位置を調節しつつ、描画部4に基板9に対するパターンの描画を実行させる。フォーカス制御部115は、基板9に対するパターンの描画の際に、描画部4の描画ヘッド41から基板9に照射される光の結像位置を調節する。
The
図4は、描画ヘッド41の構成を示す側面図である。図5は、描画ヘッド41の一部を拡大して示す図である。図5では、描画ヘッド41の複数の構成を、実際の配置とは異なる一直線上に並べて示す。また、図5では、後述するマイクロレンズアレイ43のマイクロレンズを実際よりも大きく描いている。さらに、図5では、後述する温度センサ45およびアレイ変形機構46の図示を省略している。
Figure 4 is a side view showing the configuration of the drawing
描画ヘッド41は、空間光変調部412および投影光学系413を備える。描画ヘッド41では、図示省略の光源からの光が、図示省略の照明光学系において強度分布が略均一な光とされた後、空間光変調部412へと導かれる。光源としては、LD(Laser Diode)等の様々な光源が利用可能である。空間光変調部412は、照明光学系を介した光源からの光を空間光変調して、パターンの描画に使用される必要光のみを投影光学系413へと導く。本実施の形態では、空間光変調部412は、空間光変調素子であるDMD(Digital Micromirror Device)を備える。DMDは、例えば、1920×1080個のマイクロミラー(すなわち、変調素子)を、メモリセル上にマトリクス状に配列することによって構成される。各マイクロミラーは、1辺が約10μmの略正方形であり、DMDは、約20mm×10mmの略長方形である。
The drawing
投影光学系413は、空間光変調部412にて変調された光(すなわち、パターン光)を基板9の上面90へと導く。投影光学系413は、結像光学系42と、マイクロレンズアレイ43と、もう1つの結像光学系44とを備える。以下の説明では、結像光学系42,44をそれぞれ、「第1結像光学系42」および「第2結像光学系44」と呼ぶ。
The projection
第1結像光学系42は、第1鏡筒421と、第2鏡筒422とを備える。第1鏡筒421および第2鏡筒422はそれぞれ、1つ以上の光学素子(例えば、レンズ)である光学素子群を保持する。第1鏡筒421および第2鏡筒422は、空間光変調部412によって形成されたパターン光の光路上に配置される。第1鏡筒421に保持される光学素子群は、空間光変調部412から出力されたパターン光を平行光に整形して第2鏡筒422へと導く。第2鏡筒422に保持される光学素子群は、像側テレセントリックであり、第1鏡筒421を通過したパターン光を、第1結像光学系42の光軸J1に平行にマイクロレンズアレイ43へと導く。第1結像光学系42は、例えば、1倍を超える横倍率(本実施の形態では、約2倍)でパターン光を結像する拡大光学系である。
The first imaging
マイクロレンズアレイ43は、空間光変調部412のDMDの複数のマイクロミラーと同数の複数のマイクロレンズを備える。複数のマイクロレンズは、上述の複数のマイクロミラーにそれぞれ対応しており、マトリクス状に配列される。マイクロレンズアレイ43の各マイクロレンズの光軸は、第1結像光学系42の光軸J1に略平行(すなわち、図4中のY方向に略平行)である。空間光変調部412の各マイクロミラーで反射した光束は、第1結像光学系42を通過した後、当該マイクロミラーに対応するマイクロレンズに入射して集光される。換言すれば、マイクロレンズアレイ43は、第1結像光学系42からの光を集光する。第1結像光学系42は、マイクロレンズアレイ43の複数のマイクロレンズ上に入射する光がマイクロレンズアレイ43のマイクロレンズのピッチで並ぶスポットアレイとなるように設計される。当該スポットアレイの像サイズは、第1結像光学系42によって約2倍に拡大されており、約40mm×20mmである。
The
マイクロレンズアレイ43を通過したパターン光は、マイクロレンズアレイ43の(-Y)側に位置するミラー47によって(-Z)方向に反射され、ミラー47の(-Z)側に位置する第2結像光学系44に入射する。なお、図5では、ミラー47の図示を省略している。
The pattern light that passes through the
第2結像光学系44は、第1鏡筒441と、第2鏡筒442とを備える。第1鏡筒441および第2鏡筒442はそれぞれ、1つ以上の光学素子(例えば、レンズ)である光学素子群を保持する。第1鏡筒441および第2鏡筒442は、マイクロレンズアレイ43を通過したパターン光の光路上に配置される。第2結像光学系44は、例えば、両側テレセントリックである。第2結像光学系44の像側をテレセントリックとすることにより、基板9上の上面90の位置が第2結像光学系44の光軸J2に平行な方向(すなわち、Z方向)にずれた場合であっても、基板9の上面90上のパターン光の像の大きさが一定となるため、基板9に対するパターンの描画を精度良く行うことができる。また、第2結像光学系44の物体側もテレセントリックとすることにより、後述するように、マイクロレンズアレイ43を上述の光軸J1に平行な方向に移動させる場合であっても、第2結像光学系44の像側におけるパターン光の像の大きさを維持した状態で、基板9に対するパターンの描画を行うことができる。
The second imaging
第2結像光学系44は、例えば、1倍を超える横倍率(本実施の形態では、約3倍)で拡大して結像する拡大光学系である。上述のスポットアレイは、第2結像光学系44により約3倍に拡大されることによって、約120m×60mmの大きさとなって基板9の上面90上に投影される。
The second imaging
描画装置1では、基板9に対するパターン光の照射が継続されるのに伴って第1結像光学系42の温度が上昇し、熱レンズ効果によって第1結像光学系42の焦点距離が変動する場合がある。熱レンズ効果とは、第1結像光学系42に入射した光の一部が、第1結像光学系42に含まれる光学素子に吸収されて当該光学素子が昇温し、当該光学素子の熱膨張による形状誤差や屈折率変化等によって焦点距離が変動する現象である。当該焦点距離の変動量は、第1結像光学系42の光軸J1近傍と、光軸J1から離れた位置とで異なる。また、基板9上に描画されるパターンの形状によっては、空間光変調部412から第1結像光学系42に入射するパターン光の光量分布が偏り、第1結像光学系42の光軸J1近傍の上昇温度と、光軸J1から離れた位置の上昇温度とが異なる場合がある。この場合、第1結像光学系42の光軸J1近傍と光軸J1から離れた位置とにおける上記熱レンズ効果による焦点距離の変化の差が大きくなる可能性がある。
In the
描画装置1では、図4に示すように、描画ヘッド41が、温度センサ45と、アレイ変形機構46とをさらに備える。温度センサ45は、第1結像光学系42の近傍に配置され、第1結像光学系42の温度を測定する。具体的には、温度センサ45は、第1結像光学系42に含まれる一の光学素子の温度を測定する。アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43を湾曲させる機構である。なお、図5では、温度センサ45およびアレイ変形機構46の図示を省略している。
As shown in FIG. 4, in the
図6は、温度センサ45による温度測定が行われる一の光学素子423(本実施の形態では、レンズ)を示す図である。図4および図5に示す例では、光学素子423は、第1結像光学系42の第2鏡筒422により保持される。光学素子423は、第1結像光学系42に含まれる複数の光学素子のうち、上述の熱レンズ効果が大きい光学素子であることが好ましい。光学素子423は、例えば、第1結像光学系42に含まれる複数の光学素子のうち屈折率温度係数(dn/dT)が最大の光学素子である。また、光学素子423は、例えば、第1結像光学系42に含まれる複数の光学素子のうち線膨張係数が最大の光学素子であってもよい。光学素子423は、例えば、第1結像光学系42における集光位置からの光軸J1方向(すなわち、光軸J1に平行な方向)の距離が大きい光学素子であってもよい。
6 is a diagram showing one optical element 423 (a lens in this embodiment) whose temperature is measured by the
図6に示す例では、温度センサ45は、3つのセンサ要素451を備える。各センサ要素451としては、例えば、非接触式の赤外線温度センサ等が利用可能である。3つのセンサ要素451のうち、中央の1つのセンサ要素451は、光学素子423の中央部における温度(以下、「第1測定温度」とも呼ぶ。)を取得する。光学素子423の中央部とは、光学素子423において、マイクロレンズアレイ43の中央部(すなわち、X方向およびZ方向の中央部)に対応する部位である。図6に示す例では、光学素子423の中央部は、光学素子423の光軸近傍の部位であり、光学素子423がレンズである場合は径方向の中心部である。上記3つのセンサ要素451のうち、最も(+X)側のセンサ要素451は、光学素子423のZ方向の中央部における(+X)側の端部の温度(以下、「第2測定温度」とも呼ぶ。)を取得する。上記3つのセンサ要素451のうち、最も(-X)側のセンサ要素451は、光学素子423のZ方向の中央部における(-X)側の端部の温度(以下、「第3測定温度」とも呼ぶ。)を取得する。
In the example shown in FIG. 6, the
図6では、光学素子423上における各センサ要素451の測定点452を丸印にて示す。最も(+X)側のセンサ要素451の測定点452、および、最も(-X)側のセンサ要素451の測定点452はそれぞれ、中央のセンサ要素451の測定点452(すなわち、光学素子423の中央部)から離間した他の部位である。最も(+X)側の測定点452と中央の測定点452との間のX方向における距離は、最も(-X)側の測定点452と中央の測定点452との間のX方向における距離と略同じである。
In FIG. 6, the measurement points 452 of each
基板9上に描画されるパターンの形状によっては、光学素子423に入射するパターン光の光量分布が偏り、第1測定温度と第2測定温度および第3測定温度とが異なる場合がある。また、第2測定温度と第3測定温度とが異なる場合もある。
Depending on the shape of the pattern drawn on the
図7は、マイクロレンズアレイ43を(-Y)側からY方向に沿って(すなわち、第1結像光学系42の光軸J1に平行な方向に沿って)見た図である。図8は、マイクロレンズアレイ43を(+Z)側からZ方向に沿って見た図である。マイクロレンズアレイ43のY方向に垂直な形状は、X方向に略平行な1組の長辺と、Z方向に略平行な1組の短辺とを有する略長方形である。以下の説明では、当該1組の長辺に平行なX方向を、マイクロレンズアレイ43の長手方向とも呼ぶ。
Figure 7 is a view of the
マイクロレンズアレイ43は、略矩形枠状のレンズフレーム432により保持される。図8では、レンズフレーム432を二点鎖線にて示す。レンズフレーム432は、マイクロレンズアレイ43のX方向の両側の側縁およびZ方向の両側の側縁に略全長に亘って固定される。換言すれば、レンズフレーム432は、マイクロレンズアレイ43の側縁に略全周に亘って接触することにより、マイクロレンズアレイ43を保持する。
The
アレイ変形機構46は、レンズフレーム432近傍に配置される複数の変位部461を備える。変位部461は、レンズフレーム432の所定の部位に接触し、当該部位をY方向に押圧することにより微小に変位させる。変位部461としては、例えば、ピエゾアクチュエータが利用可能である。また、アレイ変形機構46は、ピエゾアクチュエータ以外の変位部461を備えていてもよい。
The
図7および図8に示す例では、レンズフレーム432の(-Y)側に6つの変位部461が配置される。6つの変位部461のうち3つの変位部461は、レンズフレーム432の(-Z)側の端部(すなわち、レンズフレーム432の一の長辺近傍)において、(-X)側の端部、X方向の中央部、および、(+X)側の端部に配置される。6つの変位部461のうち他の3つの変位部461は、レンズフレーム432の(+Z)側の端部(すなわち、レンズフレーム432の他の長辺近傍)において、(-X)側の端部、X方向の中央部、および、(+X)側の端部に配置される。(+Z)側の3つの変位部461と(-Z)側の3つの変位部461とは、例えば、X方向において略同じ位置に位置する。
7 and 8, six
レンズフレーム432の(+Y)側には、上記6つの変位部461とレンズフレーム432を挟んでY方向に対向する6つの変位部461が配置される。レンズフレーム432を挟んでY方向に対向する各2つの変位部461は、同期して進退する。レンズフレーム432を挟んでY方向に対向する2つの変位部461において、例えば、(+Y)側の変位部461がレンズフレーム432を(-Y)方向に押し、(-Y)側の変位部461が同期して(-Y)方向に変位すると、レンズフレーム432のうち当該2つの変位部461に挟まれる部位が(-Y)方向に変位し、マイクロレンズアレイ43のうち当該2つの変位部461近傍の部位も(-Y)方向に変位する。
On the (+Y) side of the
描画ヘッド41では、例えば、図9に示すように、X方向の中央部に配置された複数の変位部461によりレンズフレーム432のX方向の中央部が(-Y)側へと変位され、X方向の両端部に配置された複数の変位部461によりレンズフレーム432のX方向の両端部が(+Y)側へと変位されることにより、マイクロレンズアレイ43のX方向の中央部(すなわち、長手方向の中央部)が、(-Y)側に凸となるように湾曲する。このとき、(+X)側の変位部461の変位量と(-X)側の変位部461の変位量とを異ならせることにより、マイクロレンズアレイ43の(+X)側の湾曲状態と(-X)側の湾曲状態とを異ならせることもできる。なお、図9では、マイクロレンズアレイ43の湾曲の程度を実際よりも大きく描いている。
9, in the drawing
また、マイクロレンズアレイ43を(-Y)側に凸となるように湾曲させる場合、レンズフレーム432のX方向の中央部が(-Y)側へと変位され、X方向の両端部はY方向に変位しなくてもよい。あるいは、レンズフレーム432のX方向の両端部が(+Y)側へと変位され、X方向の中央部はY方向に変位しなくてもよい。すなわち、描画ヘッド41では、マイクロレンズアレイ43の長手方向における中央部が長手方向における両端部に対してY方向に相対的に変位されることにより、マイクロレンズアレイ43がY方向に湾曲する。
When the
描画ヘッド41において、マイクロレンズアレイ43のX方向の中央部が(+Y)側に凸となるようにマイクロレンズアレイ43を湾曲させる場合については、各変位部461のY方向における変位が逆向きである点を除き、上記と同様である。
In the case of the drawing
描画装置1では、上述のように、基板9に対する描画中の熱レンズ効果により、第1結像光学系42の焦点距離(すなわち、Y方向における焦点までの距離)が変動し、マイクロレンズアレイ43上に位置すべきパターン光の結像面(すなわち、空間光変調部412のDMDの複数のマイクロミラーの像が結像される仮想的な面)が湾曲し、マイクロレンズアレイ43上からY方向にずれる場合がある。また、上記焦点距離の変動量は、第1結像光学系42の光軸J1近傍に対応するマイクロレンズアレイ43の中央部と、マイクロレンズアレイ43の端部とで異なる場合もある。図7に例示するマイクロレンズアレイ43はX方向に長い略矩形状であるため、X方向における焦点距離の変動量の差が大きくなる。換言すれば、上記結像面の湾曲の程度はX方向において大きくなる。
In the
そこで、描画装置1では、図6に示す温度センサ45により光学素子423の温度が測定され、測定された温度に基づいてフォーカス制御部115(図3参照)がアレイ変形機構46を制御することにより、マイクロレンズアレイ43が、パターン光の上記結像面の湾曲に合わせて湾曲される。
In the
具体的には、図10に示すように、温度センサ45の3つのセンサ要素451(図6参照)により、光学素子423の第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度が取得される(ステップS11)。取得された第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度は、温度センサ45から記憶部111(図3参照)に送られる。
Specifically, as shown in FIG. 10, the first measured temperature, the second measured temperature, and the third measured temperature of the
記憶部111には、温度-変位情報が予め記憶されている。温度-変位情報は、第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度と、アレイ変形機構46の複数の変位部461の変位量との関係を示す情報である。温度-変位情報は、第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度の複数の組み合わせを含み、各組み合わせに対して複数の変位部461によるレンズフレーム432の最適な変位量が関連付けられている。当該最適な変位量とは、アレイ変形機構46により湾曲したマイクロレンズアレイ43の平面視における形状(すなわち、Z方向に沿って見た場合の形状)と、光学素子423の温度が第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度である場合のパターン光の湾曲した上記結像面の平面視における形状とが、好適に近づくように予め決定されたものである。温度-変位情報は、シミュレーションにより取得されてもよく、描画装置1において光学素子423の温度を様々に変更して取得されてもよい。
The
フォーカス制御部115は、ステップS11にて取得された第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度と、上述の温度-変位情報とに基づいて、複数の変位部461の変位量を求め、当該変位量に基づいてアレイ変形機構46を制御してマイクロレンズアレイ43を変形させる(ステップS12)。これにより、マイクロレンズアレイ43の各マイクロレンズが、光軸J1方向において、空間光変調部412の対応するマイクロミラーからの光の結像位置に好適に近づく。好ましくは、マイクロレンズアレイ43の各マイクロレンズの光軸J1方向における位置は、対応するマイクロミラーからの光の結像位置に一致する。
The
描画装置1では、基板9に対するパターンの描画が行われている間、上述のステップS11~S12が継続的に行われる。これにより、描画中に光学素子423の温度が変化した場合であっても、マイクロレンズアレイ43の各マイクロレンズの光軸J1方向における位置を、対応するマイクロミラーからの光の結像位置に近づけた状態を維持することができる。その結果、一のマイクロレンズ上に結像するマイクロミラーの像が隣接するマイクロレンズまで広がる現象(いわゆる、漏れ光)の発生を抑制し、描画精度の低下を抑制することができる。
In the
なお、描画装置1では、必ずしも光学素子423の第1測定温度、第2測定温度および第3測定温度が取得される必要はない。例えば、第1結像光学系42からのパターン光の上記結像面が、光軸J1の(+X)側および(-X)側で略同様に湾曲する場合、温度センサ45により光学素子423の第1測定温度および第2測定温度のみが取得されてもよい。この場合、温度-変位情報は、第1測定温度および第2測定温度の複数の組み合わせを含み、各組み合わせに対して複数の変位部461によるレンズフレーム432の最適な変位量が関連付けられている。また、例えば、第1結像光学系42からのパターン光の上記結像面の湾曲状態が、光学素子423の第1測定温度のみからある程度精度良く求めることができる場合、温度センサ45により光学素子423の第1測定温度のみが取得されてもよい。この場合、温度-変位情報は、複数の第1測定温度を含み、各第1測定温度に対して複数の変位部461によるレンズフレーム432の最適な変位量が関連付けられている。
In addition, in the
以上に説明したように、基板9に対する描画を行う描画装置1は、基板保持部(上記例では、ステージ21)と、描画ヘッド41と、基板移動機構(上記例では、ステージ移動機構22)と、フォーカス制御部115とを備える。基板保持部は、基板9を保持する。描画ヘッド41は、基板9に対して光を照射してパターンを描画する。基板移動機構は、基板保持部を描画ヘッド41に対して相対移動させる。フォーカス制御部115は、描画ヘッド41から基板9に照射される光の結像位置を調節する。
As described above, the
描画ヘッド41は、空間光変調部412と、結像光学系(上記例では、第1結像光学系42)と、マイクロレンズアレイ43と、温度センサ45と、アレイ変形機構46とを備える。空間光変調部412は、光源からの光を空間光変調する。結像光学系は、空間光変調部412からの光の光路上に配置される。マイクロレンズアレイ43は、複数のマイクロレンズを有し、当該結像光学系からの光を集光する。温度センサ45は、当該結像光学系の温度を測定する。アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43を湾曲させる。フォーカス制御部115は、温度センサ45による結像光学系の測定温度に基づいてアレイ変形機構46を制御することにより、光軸J1方向における複数のマイクロレンズのそれぞれの位置を当該結像光学系からの光の結像位置へと近づける。
The drawing
これにより、熱レンズ効果によって結像光学系の焦点距離が変動し、当該焦点距離の変動量が光軸J1近傍と光軸J1から離れた部位とで異なる場合であっても、マイクロレンズアレイ43において一のマイクロレンズ上に結像するマイクロミラーの像が隣接するマイクロレンズまで広がる現象(いわゆる、漏れ光)の発生を抑制することができる。その結果、熱レンズ効果による描画精度の低下を抑制することができる。
As a result, even if the focal length of the imaging optical system fluctuates due to the thermal lens effect and the amount of fluctuation in the focal length differs between the vicinity of the optical axis J1 and a portion away from the optical axis J1, it is possible to suppress the occurrence of a phenomenon in which the image of the micromirror formed on one microlens in the
上述のように、温度センサ45は、上記投影光学系に含まれる一の光学素子423の中央部における温度である第1測定温度を取得し、フォーカス制御部115は、第1測定温度に基づいてアレイ変形機構46を制御することが好ましい。これにより、当該投影光学系における熱レンズ効果を精度良く推定することができる。その結果、当該投影光学系における熱レンズ効果の影響を好適に抑制し、描画精度の低下を好適に抑制することができる。
As described above, it is preferable that the
上述のように、温度センサ45は、上記一の光学素子423の中央部から離間した他の部位における温度である第2測定温度も取得し、フォーカス制御部115は、第1測定温度および第2測定温度に基づいてアレイ変形機構46を制御することが好ましい。これにより、上記投影光学系における熱レンズ効果をさらに精度良く推定することができる。その結果、当該投影光学系における熱レンズ効果の影響をさらに好適に抑制し、描画精度の低下をより一層好適に抑制することができる。
As described above, it is preferable that the
上述のように、当該一の光学素子423は、上記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち屈折率温度係数が最大の光学素子であることが好ましい。このように、複数の光学素子のうち熱レンズ効果が大きい光学素子423を選択し、当該光学素子423の温度に基づいてアレイ変形機構46を制御することにより、当該投影光学系における熱レンズ効果の影響を好適に抑制し、描画精度の低下を好適に抑制することができる。
As described above, it is preferable that the
上述のように、当該一の光学素子423は、上記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち線膨張係数が最大の光学素子であることも好ましい。このように、複数の光学素子のうち熱レンズ効果が大きい光学素子423を選択し、当該光学素子423の温度に基づいてアレイ変形機構46を制御することにより、当該投影光学系における熱レンズ効果の影響を好適に抑制し、描画精度の低下を好適に抑制することができる。
As described above, it is also preferable that the
上記例では、マイクロレンズアレイ43の光軸J1方向に垂直な形状は、1組の長辺と1組の短辺とを有する長方形状である。この場合、アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43の当該1組の長辺に平行な長手方向における中央部を、マイクロレンズアレイ43の長手方向における両端部に対して光軸J1方向に相対的に変位させる変位部461を備えることが好ましい。このように、熱レンズ効果による焦点距離の変動量の差が大きい長手方向において、マイクロレンズアレイ43の複数のマイクロレンズの位置を調節することにより、熱レンズ効果の影響を好適に抑制し、描画精度の低下を好適に抑制することができる。
In the above example, the shape of the
上述の描画装置1では、様々な変更が可能である。
The above-mentioned
例えば、上述の光学素子423は、必ずしもレンズには限定されず、プリズム等の他の光学素子であってもよい。
For example, the
投影光学系413では、アレイ変形機構46に加えて、マイクロレンズアレイ43を光軸J1方向に移動させるアレイ移動機構が設けられてもよい。そして、熱レンズ効果による焦点距離の変動量が大きい場合等、アレイ変形機構46によるマイクロレンズアレイ43の湾曲と、アレイ移動機構によるマイクロレンズアレイ43の移動とを組み合わせることにより、光軸J1方向における複数のマイクロレンズのそれぞれの位置が、第1結像光学系42からの光の結像位置へと近づけられてもよい。これにより、第1結像光学系42における熱レンズ効果の影響をさらに好適に抑制し、描画精度の低下をより一層好適に抑制することができる。
In the projection
描画装置1では、フォーカス制御部115によるアレイ変形機構46の制御は、第1結像光学系42の温度に基づいて行われるのであれば、必ずしも第1結像光学系42の光学素子423の温度に基づいて行われる必要はない。例えば、温度センサ45により第1鏡筒421または第2鏡筒422の温度が測定され、当該温度に基づいてアレイ変形機構46が制御されてもよい。
In the
また、描画装置1では、第2結像光学系44の温度も測定され、フォーカス制御部115によるアレイ変形機構46の制御が、第1結像光学系42の温度および第2結像光学系44の温度に基づいて行われてもよい。これにより、第2結像光学系44に含まれる光学素子の熱レンズ効果による焦点距離の変動の影響も抑制することができる。その結果、熱レンズ効果による描画精度の低下をさらに抑制することができる。
In addition, in the
空間光変調部412では、DMDは必ずしもマトリクス状に配列された複数のマイクロミラーを備える必要はなく、直線状に配列された複数のマイクロミラーを備えていてもよい。また、空間光変調部412は、DMDに代えて、GLV(Grating Light Valve)(シリコン・ライト・マシーンズ(サニーベール、カリフォルニア)の登録商標)等の他の空間光変調素子を備えていてもよい。
In the spatial
上述の例では、アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43の長手方向(すなわち、X方向)における中央部を両端部に対して相対的に変位させることによりマイクロレンズアレイ43をX方向において湾曲させるが、これには限定されない。例えば、アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43の長手方向に垂直な方向(すなわち、Z方向)における中央部を両端部に対して相対的に変位させることにより、マイクロレンズアレイ43をZ方向において湾曲させてもよい。あるいは、アレイ変形機構46は、マイクロレンズアレイ43をX方向およびZ方向の双方において湾曲させてもよい。
In the above example, the
マイクロレンズアレイ43のY方向に垂直な形状は、必ずしも略長方形状である必要はなく、様々に変更されてよい。例えば、マイクロレンズアレイ43の当該形状は、略正方形状であってもよい。
The shape of the
投影光学系413では、第2結像光学系44は必ずしも設けられる必要はない。また、マイクロレンズアレイ43を通過したパターン光を、必ずしもミラー47によって反射される必要は無い。すなわち、ミラー47を省略し、空間光変調部412、第1結像光学系42,マイクロレンズアレイ43をZ方向に一直線上に配置してもよい。
The projection
上述の基板9は、必ずしもプリント配線基板には限定されない。描画装置1では、例えば、半導体基板、液晶表示装置や有機EL表示装置等のフラットパネル表示装置用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、太陽電池パネル用の基板等の位置検出が行われてもよい。
The above-mentioned
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。 The configurations in the above embodiment and each modified example may be combined as appropriate as long as they are not mutually inconsistent.
1 描画装置
9 基板
21 ステージ
22 ステージ移動機構
41 描画ヘッド
42 第1結像光学系
43 マイクロレンズアレイ
45 温度センサ
46 アレイ変形機構
115 フォーカス制御部
412 空間光変調部
423 光学素子
461 変位部
REFERENCE SIGNS
Claims (6)
基板を保持する基板保持部と、
前記基板に対して光を照射してパターンを描画する描画ヘッドと、
前記基板保持部を前記描画ヘッドに対して相対移動させる基板移動機構と、
前記描画ヘッドから前記基板に照射される光の結像位置を調節するフォーカス制御部と、
を備え、
前記描画ヘッドは、
光源からの光を空間光変調する空間光変調部と、
前記空間光変調部からの光の光路上に配置される結像光学系と、
複数のマイクロレンズを有し、前記結像光学系からの光を集光するマイクロレンズアレイと、
前記結像光学系の温度を測定する温度センサと、
前記マイクロレンズアレイを湾曲させるアレイ変形機構と、
を備え、
前記フォーカス制御部は、前記温度センサによる前記結像光学系の測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御することにより、光軸方向における前記複数のマイクロレンズのそれぞれの位置を前記結像光学系からの光の結像位置へと近づけることを特徴とする描画装置。 A drawing apparatus for drawing on a substrate, comprising:
A substrate holder for holding a substrate;
a drawing head that draws a pattern on the substrate by irradiating the substrate with light;
a substrate moving mechanism that moves the substrate holding unit relative to the drawing head;
a focus control unit that adjusts an imaging position of light irradiated from the drawing head onto the substrate;
Equipped with
The imaging head includes:
a spatial light modulation unit that spatially modulates light from a light source;
an imaging optical system disposed on an optical path of light from the spatial light modulation unit;
a microlens array having a plurality of microlenses and configured to collect light from the imaging optical system;
a temperature sensor for measuring a temperature of the imaging optical system;
an array deformation mechanism for curving the microlens array;
Equipped with
The focus control unit controls the array deformation mechanism based on the temperature measured by the temperature sensor of the imaging optical system, thereby bringing the positions of each of the multiple microlenses in the optical axis direction closer to the imaging position of light from the imaging optical system.
前記温度センサは、前記結像光学系に含まれる一の光学素子の中央部における温度である第1測定温度を取得し、
前記フォーカス制御部は、前記第1測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御することを特徴とする描画装置。 The drawing device according to claim 1 ,
The temperature sensor acquires a first measured temperature which is a temperature at a center portion of one optical element included in the imaging optical system;
The imaging apparatus, wherein the focus control unit controls the array deformation mechanism based on the first measured temperature.
前記温度センサは、前記一の光学素子の前記中央部から離間した他の部位における温度である第2測定温度も取得し、
前記フォーカス制御部は、前記第1測定温度および前記第2測定温度に基づいて前記アレイ変形機構を制御することを特徴とする描画装置。 The drawing device according to claim 2,
The temperature sensor also acquires a second measured temperature, which is a temperature at another portion of the one optical element that is spaced apart from the central portion;
The drawing apparatus, wherein the focus control unit controls the array deformation mechanism based on the first measured temperature and the second measured temperature.
前記一の光学素子は、前記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち屈折率温度係数が最大の光学素子であることを特徴とする描画装置。 4. The drawing device according to claim 2,
The imaging apparatus according to claim 1, wherein the one optical element is an optical element having a maximum refractive index temperature coefficient among a plurality of optical elements included in the imaging optical system.
前記一の光学素子は、前記結像光学系に含まれる複数の光学素子のうち線膨張係数が最大の光学素子であることを特徴とする描画装置。 5. The drawing device according to claim 2,
The imaging apparatus according to claim 1, wherein the one optical element is an optical element having a maximum linear expansion coefficient among a plurality of optical elements included in the imaging optical system.
前記マイクロレンズアレイの光軸方向に垂直な形状は、1組の長辺と1組の短辺とを有する長方形状であり、
前記アレイ変形機構は、前記マイクロレンズアレイの前記1組の長辺に平行な長手方向における中央部を、前記マイクロレンズアレイの前記長手方向における両端部に対して前記光軸方向に相対的に変位させる変位部を備えることを特徴とする描画装置。 6. The drawing device according to claim 1,
The shape of the microlens array perpendicular to the optical axis direction is a rectangle having one pair of long sides and one pair of short sides,
The array deformation mechanism is characterized in that it includes a displacement unit that displaces a central portion of the microlens array in a longitudinal direction parallel to the pair of long sides in the optical axis direction relative to both ends of the microlens array in the longitudinal direction.
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