JP7603382B2 - 撮像素子および撮像素子の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、例えば、配線間に空隙を有する撮像素子および撮像素子の製造方法に関する。

半導体装置では、半導体集積回路素子の微細化に伴い、素子間および素子内を結ぶ配線の間隔が狭くなってきている。これに対して、例えば、特許文献１では、配線間に空隙（エアギャップ）を形成して配線間の容量を低減させた半導体装置が開示されている。

特開２００８－１９３１０４号公報

ところで、近年、積層型のイメージセンサが一般的になりつつあり、配線容量の低減が求められている。

配線容量を低減させることが可能な撮像素子およびその製造方法を提供することが望ましい。

本開示の一実施形態の撮像素子は、誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に埋め込まれ、一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層と、第５の絶縁膜および第１の配線層に積層され、隣り合う複数の第１の配線の間に空隙を形成すると共に誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された、複数の第１の配線の上方に窪みを有する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜に積層されると共に表面が平坦な、第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて形成された第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を間に、複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する第１の導電膜とを備えたものである。

本開示の一実施形態の撮像素子の製造方法は、誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層を埋め込み形成し、第１の配線層の所定の領域において、隣り合う複数の第１の配線の間に第１の開口を形成し、誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて第１の絶縁膜を成膜することにより、隣り合う複数の第１の配線の間に空隙を形成し、第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を成膜した後、第２の絶縁膜の表面を平坦化し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を間にして複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する位置に第１の導電膜を形成する。

本開示の一実施形態の撮像素子および一実施形態の撮像素子の製造方法では、一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層上に、隣り合う複数の第１の配線の間に空隙を形成する第１の絶縁膜を設け、さらに表面が平坦な第２の絶縁膜を設けるようにした。これにより、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を間にして、複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する位置に、例えば、接合用のパッド電極として用いることが可能な第１の導電膜を形成することができるようになる。

本開示の実施の形態に係る配線構造の垂直方向の断面構成の一例を表す模式図である。 図１に示した配線構造の水平方向の断面構成の一例を表す模式図である。 図１に示した配線構造の水平方向の断面構成の他の例を表す模式図である。 図１に示した配線構造の製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ａに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ｂに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ｃに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ｄに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ｅに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図３Ｆに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 レジスト膜のレイアウトを説明する図である。 レジスト膜のレイアウトの一例およびこれによって形成される開口の形状を表す平面模式図である。 レジスト膜のレイアウトの他の例およびこれによって形成される開口の形状を表す平面模式図である。 本開示の実施の形態に係る撮像素子の垂直方向の断面構成の一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の概略構成の一例を表す図である。 図４に示した撮像素子に図１に示した配線構造を適用した図である。 図７に示したセンサ画素および読み出し回路の一例を表す図である。 図７に示したセンサ画素および読み出し回路の一例を表す図である。 図７に示したセンサ画素および読み出し回路の一例を表す図である。 図７に示したセンサ画素および読み出し回路の一例を表す図である。 複数の読み出し回路と複数の垂直信号線との接続態様の一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平面内での配線レイアウトの一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平面内での配線レイアウトの一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平面内での配線レイアウトの一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の水平面内での配線レイアウトの一例を表す図である。 図４に示した撮像素子の製造過程の一例を表す図である。 図２０Ａに続く製造過程の一例を表す図である。 図２０Ｂに続く製造過程の一例を表す図である。 図２０Ｃに続く製造過程の一例を表す図である。 図２０Ｄに続く製造過程の一例を表す図である。 図２０Ｅに続く製造過程の一例を表す図である。 図２０Ｆに続く製造過程の一例を表す図である。 本開示の変形例１に係る配線構造の製造工程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ａに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｂに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｃに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｄに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｅに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｆに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｇに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｈに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｉに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２１Ｊに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 参考例としての配線構造の製造工程を表す断面模式図である。 本開示の変形例２に係る配線構造の製造工程の一例を表す断面模式図である。 図２３Ａに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２３Ｂに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２３Ｃに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２３Ｄに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２３Ｅに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例３に係る配線構造の製造工程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ａに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｂに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｃに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｄに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｅに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｆに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２４Ｇに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例４に係る配線構造の製造工程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ａに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ｂに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ｃに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ｄに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ｅに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 図２５Ｆに続く製造過程の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例５に係る撮像素子の垂直方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例６に係る撮像素子の垂直方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例７に係る撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例７に係る撮像素子の水平方向の断面構成の他の例を表す図である。 本開示の変形例８に係る撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例９に係る撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例１０に係る撮像素子の水平方向の断面構成の一例を表す図である。 本開示の変形例１０に係る撮像素子の水平方向の断面構成の他の例を表す図である。 本開示の変形例１０に係る撮像素子の水平方向の断面構成の他の例を表す図である。 本開示の変形例１１に係る撮像素子に撮像素子の回路構成の一例を表す図である。 本開示の変形例１２に係る図３５の撮像素子を３つの基板を積層して構成した例を表す図である。 本開示の変形例１３に係るロジック回路を、センサ画素の設けられた基板と、読み出し回路の設けられた基板とに分けて形成した例を表す図である。 本開示の変形例１４に係るロジック回路を、第３基板に形成した例を表す図である。 上記実施の形態およびその変形例に係る撮像素子を備えた撮像システムの概略構成の一例を表す図である。 図３９の撮像システムにおける撮像手順の一例を表す図である。 非積層型の固体撮像素子および本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像素子の構成例の概要を示す図である。 積層型の固体撮像素子の第１の構成例を示す断面図である。 積層型の固体撮像素子の第２の構成例を示す断面図である。 積層型の固体撮像素子の第３の構成例を示す断面図である。 本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像素子の他の構成例を示す断面図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。

以下、本開示における一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態（一方向に延伸すると共に、隣り合う配線間の空隙を有する複数の配線を有する配線層上に異なる材料からなる絶縁膜を積層し、その絶縁膜を間に、複数の配線の上方に、例えば接合用のパッド電極となる導電膜を有する撮像素子の例）
１－１．配線構造の構成
１－２．配線構造の製造方法
１－３．撮像素子の構成
１－４．撮像素子の製造方法
１－５．作用・効果
２．変形例
２－１．変形例１（配線構造の製造工程の他の例）
２－２．変形例２（配線構造の製造工程の他の例）
２－３．変形例３（配線構造の製造工程の他の例）
２－４．変形例４（配線構造の製造工程の他の例）
２－５．変形例５（平面型ＴＧを用いた例）
２－６．変形例６（パネル外縁でＣｕ－Ｃｕ接合を用いた例）
２－７．変形例７（センサ画素と読み出し回路との間にオフセットを設けた例）
２－８．変形例８（読み出し回路の設けられたシリコン基板が島状となっている例）
２－９．変形例９（読み出し回路の設けられたシリコン基板が島状となっている例）
２－１０．変形例１０（ＦＤを８つのセンサ画素で共有した例）
２－１１．変形例１１（カラム信号処理回路を一般的なカラムＡＤＣ回路で構成した例）
２－１２．変形例１２（撮像装置を、７つの基板を積層して構成した例）
２－１３．変形例１３（ロジック回路を第１基板、第２基板に設けた例）
２－１４．変形例１４（ロジック回路を第７基板に設けた例）
３．適用例
４．応用例

＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る配線構造（配線構造１００）の垂直方向の断面構成の一例を模式的に表したものである。図２Ａは、図１に示した配線構造１００の水平方向の断面構成の一例を模式的に表したものである。図２Ｂは、図１に示した配線構造１００の水平方向の断面構成の他の例を模式的に表したものである。また、図１は、図２Ａに示したＩ－Ｉ線の断面に対応している。配線構造１００は、例えば、複数の配線層が積層された多層配線構造を有するものであり、例えば、後述する撮像素子１に適用可能なものである。

本実施の形態の配線構造１００は、一方向（例えばＹ軸方向）に延伸する複数の配線（例えば、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６）を有する配線層１１２に、例えば、隣り合う配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｘ４と配線１１２Ｘ５との間に、それぞれ空隙Ｇを形成する絶縁膜１２３と、表面が平坦な絶縁膜１２４がこの順に積層されたものである。更に、一方向に延伸する複数の配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６の少なくとも一部（例えば、図１では、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ４）と正対する位置には、絶縁膜１２３および絶縁膜１２４を間にして、導電膜１２７（具体的には、導電膜１２７Ｘ１）が設けられている。この複数の配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６および配線層１１２が、それぞれ、本開示の「第１の配線」および「第１の配線層」の一具体例に相当する。絶縁膜１２３が本開示の「第１の絶縁膜」の一具体例に相当し、絶縁膜１２４が本開示の「第２の絶縁膜」の一具体例に相当する。更に、導電膜１２７Ｘ１が、本開示の「第１の導電膜」の一具体例に相当する。

（１－１．配線構造の構成）
配線構造１００は、例えばシリコン基板（図示せず）等の上に、第１層１１０および第２層１２０がこの順に積層された構成を有する。第１層１１０は、複数の配線（例えば、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６）からなる配線層１１２を有し、第２層１２０は、例えば、第１層１１０に設けられた複数の配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ５の隣り合う配線間に空隙Ｇを形成する絶縁膜１２２と、絶縁膜１２２を覆う共に、表面が平坦な絶縁膜１２３と、絶縁膜１２２および絶縁膜１２３を間に形成された導電膜１２７を有する。導電膜１２７は、例えば、空隙Ｇが形成された空隙形成領域１００Ｘの上方に設けられた導電膜１２７Ｘ１と、空隙Ｇが形成されていない配線（例えば、配線１１２Ｘ６）の上方に設けられた導電膜１２７Ｘ２とを有する。

第１層１１０は、絶縁膜１１１に複数の配線（例えば、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６）を有する配線層１１２が埋め込み形成されている。

絶縁膜１１１は、例えば、比誘電率（ｋ）が３．０以下の低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）を用いて形成されている。具体的には、絶縁膜１１１の材料としては、例えば、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ポーラスシリカ、ＳｉＯＦ、無機ＳＯＧ、有機ＳＯＧおよびポリアリルエーテル等の有機高分子等が挙げられる。

配線層１１２は、例えば一方向に延伸する複数の配線からなり、例えば、Ｙ軸方向に延伸する配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６を有する。配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６は、例えばＬｉｎｅ（Ｌ）／Ｓｐａｃｅ（Ｓ）=４０～２００ｎｍ／４０～２００ｎｍで並列形成されている。配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６は、例えば、絶縁膜１１１に設けられた開口Ｈ１に埋め込み形成されており、例えば、開口Ｈ１の側面および底面に形成されたバリアメタル１１２Ａと、開口Ｈ１を埋設する金属膜１１２Ｂとから構成されている。バリアメタル１１２Ａの材料としては、例えば、Ｔｉ（チタン）もしくはＴａ（タンタル）の単体、またはそれらの窒化物あるいは合金等が挙げられる。金属膜１１２Ｂの材料としては、例えば、Ｃｕ（銅），Ｗ（タングステン）またはアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属を主体とする金属材料が挙げられる。

第１層１１０には、隣り合う配線の間、具体的には、例えば、配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｖ４と配線１１２Ｘ５との間にそれぞれ空隙Ｇを形成するための開口Ｈ２が設けられている。この開口Ｈ２は、後述する空隙形成領域１００Ｘに相当する。

開口Ｈ２内では、隣り合う配線の間（配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４および配線１１２Ｖ４と配線１１２Ｘ５との間）の絶縁膜１１１は、後述するフォトリソグラフィ技術を用いたドライエッチングにより、所定の深さまで掘り込まれている。開口Ｈ２内の配線（配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ３，１１２Ｘ４，１１２Ｘ５）は、後述するフォトリソグラフィ技術を用いたドライエッチングにより、上面の一部または全部が後退し、開口Ｈ２の外側の配線（例えば、配線１１２Ｘ１，１１２Ｘ６）とは異なる断面形状となっている。特に、詳細は後述するが、複数の配線１１２Ｘ１～１１２Ｘ６の配列方向（Ｘ軸方向）の開口Ｈ２の端部は、空隙Ｇが形成される複数の配線のうちの両端の配線（例えば、配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５）上に形成されている。このため、配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５は、それぞれ、左右非対称な断面形状をとなっている。具体的には、配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５は、図１に示したように、空隙Ｇと隣接する側の上面の端部に段差が形成されており、その反対側の上面の端部は略直角な断面形状を有している。

第２層１２０は、複数の絶縁膜（絶縁膜１２１～１２６）が積層されると共に、例えば、最上層の絶縁膜１２６に導電膜１２７が埋め込み形成されている。具体的には、第１層１１０側から順に、絶縁膜１２１、絶縁膜１２２、絶縁膜１２３、絶縁膜１２４、絶縁膜１２５および絶縁膜１２６がこの順に積層されている。配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｖ４と配線１１２Ｘ５との間の開口Ｈ２は、第２層１２０を構成する絶縁膜１２３によって閉塞されている。これにより、配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｖ４と配線１１２Ｘ５との間には、それぞれ、並走する配線間の容量を低下させる空隙Ｇが、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６の延伸方向の全体または一部領域に亘って形成される（空隙形成領域１００Ｘ）。

この空隙形成領域１００Ｘは、具体的には、例えば図２Ａに示したように、配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｖ４と配線１１２Ｘ５との間に連続して設けられている。あるいは、例えば後述する撮像素子１のように、複数の配線（例えば、パッド電極５８および複数の垂直信号線２４）が絶縁層（例えば絶縁層５７）を間にして積層され、その略対向する位置においてビアＶを介して電気的に接続されており、その下層側の複数の配線（複数の垂直信号線２４）間に空隙Ｇを形成する場合には、空隙形成領域１００Ｘは、例えば、図２Ｂに示したように、ビアＶを避けて形成することが好ましい。つまり、空隙形成領域１００Ｘは、ビアＶを間に複数の領域に分けて形成するようにしてもよい。

絶縁膜１２１は、例えば、銅（Ｃｕ）を用いて配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６を形成した場合に、銅（Ｃｕ）の拡散を防ぐためのものである。絶縁膜１２１は、上記開口Ｈ２を除く、絶縁膜１１１および埋め込み形成された配線１１２Ｘ１および配線１１２Ｘ６ならびに開口Ｈ２の端部が形成される配線１１２Ｘ２および配線１１２Ｘ５の一部を覆うように設けられている。絶縁膜１２１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）またはＳｉＣ_ｘＮ_ｙ等を用いて形成されている。

絶縁膜１２２は、絶縁膜１２１と同様に、例えば、銅（Ｃｕ）を用いて配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６を形成した場合に、銅（Ｃｕ）の拡散を防ぐためのものである。絶縁膜１２２は、絶縁膜１２１上に設けられると共に、開口Ｈ２の側面および底面を覆うように延在形成されている。絶縁膜１２２は、上記のように、銅（Ｃｕ）の拡散を防ぐ絶縁材料を、段差被覆性に優れた製法を用いることで形成することができる。具体的には、絶縁膜１２２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）またはＳｉＣ_ｘＮ_ｙ等を、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。

絶縁膜１２３は、絶縁膜１２２上に設けられると共に、開口Ｈ２内の隣り合う複数の配線間に空隙Ｇを形成するためのものである。絶縁膜１２３は、被覆性が低く、例えば、比誘電率（ｋ）が３．０以下のＬｏｗ－ｋ材料を用いて形成されている。具体的には、絶縁膜１３２Ａの材料としては、例えば、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ポーラスシリカ、ＳｉＯＦ、無機ＳＯＧ、有機ＳＯＧおよびポリアリルエーテル等の有機高分子等が挙げられる。

絶縁膜１２４は、絶縁膜１２３上に設けられ、絶縁膜１２３の、空隙Ｇの上方の凹凸を埋め、空隙Ｇの上方に、詳細は後述するが、Ｃｕ－Ｃｕ接合等のハイブリッドボンディングを用いたデバイスの積層が可能な平坦な表面を形成するためのものである。絶縁膜１２４の材料としては、例えば、絶縁膜１２３よりも研磨レートの高く、例えば、比誘電率（ｋ）が４．０付近となる材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ），ＳｉＯＣ，ＳｉＯＦおよびＳｉＯＮ等が挙げられる。なお、絶縁膜１２４は、上記材料のいずれか１種からなる単層膜でもよいし、２種以上からなる積層膜として形成されていてもよい。

絶縁膜１２５は、後述する導電膜１２７を成膜した際に生じる応力による反りを低減するためのものである。絶縁膜１２５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって成膜され、例えば、比誘電率（ｋ）が７．０以上となる、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等を用いて形成することができる。

絶縁膜１２６は、絶縁膜１２５上に設けられ、例えば、後述する撮像素子１の第２基板２０と第３基板３０との接合面を形成するものである。絶縁膜１２６の材料としては、接合面の平坦化が可能なように、例えば、絶縁膜１２３よりも研磨レートの高く、例えば、比誘電率（ｋ）が４．０付近となる材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ），ＳｉＯＣ，ＳｉＯＦおよびＳｉＯＮ等が挙げられる。なお、絶縁膜１２６は、上記材料のいずれか１種からなる単層膜でもよいし、２種以上からなる積層膜として形成されていてもよい。

導電膜１２７は、例えば、一方向に延伸する配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６を有する配線層１１２の直上に設けられる配線層であり、例えば、絶縁膜１２６および絶縁膜１２５の一部に設けられた開口Ｈ３に埋め込み形成され、絶縁膜１２６と同一平面を形成している。導電膜１２７は、複数の導電膜（例えば、導電膜１２７Ｘ１および導電膜１２７Ｘ２）を有し、少なくとも一部の導電膜１２７は、一方向に延伸すると共に、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６の少なくとも一部と正対するように設けられている。一例として、図１では、導電膜１２７Ｘ１が、例えば、配線間に空隙Ｇを有する配線１１２Ｘ２、配線１１２Ｘ３および配線１１２Ｘ４と正対する位置に、例えば、配線１１２Ｘ２および配線１１２Ｘ３と同様に、Ｙ軸方向に延在して形成されている。開口Ｈ３内には、絶縁膜１２１～絶縁膜１２５を貫通し、配線１１２Ｘ１まで達する開口Ｈ４がさらに設けられている。導電膜１２７Ｘ１は、この開口Ｈ４内にも埋め込まれており、配線１１２Ｘ１と電気的に接続されている。

導電膜１２７は、開口Ｈ３および開口Ｈ４の側面および底面に形成されたバリアメタル１２７Ａと、開口Ｈ３および開口Ｈ４を埋設する金属膜１２７Ｂとから構成されている。バリアメタル１２７Ａの材料としては、例えば、Ｔｉ（チタン）もしくはＴａ（タンタル）の単体、またはそれらの窒化物やあるいは合金等が挙げられる。金属膜１２７Ｂの材料としては、例えば、Ｃｕ（銅），Ｗ（タングステン）またはアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属を主体とする金属材料が挙げられる。

（１－２．配線構造の製造方法）
まず、絶縁膜１１１に配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６を含む配線層１１２を埋め込み形成した後、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて表面を研磨し、第１層１１０を形成する。続いて、図３Ａに示したように、第１層１１０上に、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法またがＣＶＤ法を用いて、絶縁膜１２１を、例えば、５ｎｍ～２５０ｎｍの厚みで成膜する。

次に、図３Ｂに示したように、フォトリソグラフィ技術を用いて、配線１２１Ｘ２～配線１１２Ｘ５に対応する位置に開口１３１Ｈを有するレジスト膜１３１を、絶縁膜１２１上にパターニングする。続いて、図３Ｃに示したように、開口１３１Ｈ内に露出している絶縁膜１２１、配線１１２Ｘ２～配線１１２Ｘ５の一部および絶縁膜１１１を、例えばドライエッチングして開口Ｈ２（空隙形成領域Ｘ）を形成する。このとき、レジスト膜１３１のパターンは、空隙形成領域１００Ｘが以下のようなパターンとなるように形成することが好ましい。

例えば、空隙形成領域１００Ｘは、図４に示したように、複数の配線（例えば配線１１２Ｘ２～１１２Ｘ５）の配列方向（Ｘ軸方向）の空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｘが、それぞれの配線間に空隙Ｇを形成する複数の配線のうちの両端の配線（配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５）上に形成されることが好ましい。更に、複数の配線（例えば配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５）の上方に絶縁膜を間に他の配線（図示せず）が形成され、その他の配線と電気的に接続するためのビアＶが設けられている場合には、複数の配線の延伸方向（Ｙ軸方向）の空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｙは、ビアＶから所定の距離離れていることが好ましい。

具体的には、空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｘと、端部１００Ｅｘが形成される配線（例えば配線１１２Ｘ２）の空隙Ｇが形成される側の側面との距離Ｘは、配線１１２Ｘ２の幅Ｄよりも小さいことが好ましい（Ｄ＞Ｘ）。また、空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｙと、ビアＶとの距離Ｙは、空隙形成領域１００ＸのＹ軸方向の中点からビアＶまでの距離Ｌよりも小さいことが好ましい（Ｌ＞Ｙ）。更に、ＸおよびＹは、それぞれ、下記数式（１），（２）を満たすことが好ましい。ＸおよびＹが、上記を満たすことにより、空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｘは、空隙Ｇが形成される複数の配線の両端の配線（配線１１２Ｘ２，１１２Ｘ５）上に形成され、空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｙは、ビアＶを避けて形成されるようになる。
（数１）
Ｘ＞√（（ＣＤ_{3σ_配線}／２）^２＋（ＣＤ_{3σ_空隙形成領域}／２）^２＋（ＯＶＬ_3σX／２）^２）・・・（１）

（数２）
Ｙ＞√（（ＣＤ_{3σ_ヒ゛ア}／２）^２＋（ＣＤ_{3σ_空隙形成領域}／２）^２＋（ＯＶＬ_3σY／２）^２）・・・（２）

なお、ＣＤ_{3σ_配線}は、配線（例えば配線１１２Ｘ２）のＸ軸方向の両端部の標準偏差（ばらつき）×３であり、ＣＤ_{3σ_空隙形成領域}は、空隙形成領域１００ＸのＸ軸方向の両端部の標準偏差（ばらつき）×３であり、ＣＤ_{3σ_ヒ゛ア}は、ビアＶのＸ軸方向の両端部の標準偏差（ばらつき）×３である。Ｌ_3σXおよびＬ_3σYは、それぞれ、レジスト膜１３１のパターンの、例えば中心位置のＸ軸方向およびＹ軸方向の標準偏差（ばらつき）×３である。

更に、空隙形成領域１００Ｘを形成するレジスト膜１３１の開口１３１Ｈは、以下のような平面形状とすることが好ましい。例えば図５Ａに示したように、レジスト膜１３１の開口１３１Ｈを矩形形状（Ａ）にした場合、それによって形成される開口Ｈ２は、光近接効果により略楕円形状（Ｂ）となり、各配線間に形成される空隙Ｇの形成範囲にばらつきが生じる。このため、レジスト膜１３１の開口１３１Ｈの平面形状は、例えば図５Ｂに示したような、開口１３１の四隅に光近接効果補正（ＯＰＣ）を付加した形状（Ａ）とすることが好ましい。これにより、略矩形形状を有する開口Ｈ２（Ｂ）が形成され、各配線間に形成される空隙Ｇの形成範囲が略一様となる。

次に、レジスト膜１３１を除去した後、図３Ｄに示したように、例えば、ＡＬＤ法を用いて、絶縁膜１２１上および開口Ｈ２の側面および底面を被覆する絶縁膜１２２を、例えば、０．５ｎｍ～１５ｎｍの厚みで成膜する。続いて、図３Ｅに示したように、例えばＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＯＣあるいは窒化シリコンからなる、例えば膜厚１００ｎｍ～５００ｎｍの絶縁膜１２３を成膜する。これにより、開口Ｈ２は閉塞され、配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｘ４と配線１１２Ｖ５との間に空隙Ｇが形成される。

次に、図３Ｆに示したように、絶縁膜１２３上に、例えばＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＯ_ｘからなる、膜厚２００ｎｍ～３００ｎｍの絶縁膜１２４を成膜する。続いて、図３Ｇに示したように、例えばＣＭＰ法を用いて絶縁膜１２４を研磨し、表面を平坦化する。

次に、例えば、ＣＶＤ法を用いて、絶縁膜１２４上に絶縁膜１２５を、例えば、５０ｎｍ～５００ｎｍの厚みで成膜した後、例えばＣＶＤ法により、絶縁膜１２５上に絶縁膜１２６を、例えば、１００ｎｍ～２μｍの厚みで成膜する。続いて、開口Ｈ２と同様の方法を用いて、絶縁膜１２６および絶縁膜１２５の一部を、例えばドライエッチングして開口Ｈ３を形成した後、さらに、開口Ｈ３内に、絶縁膜１２１～絶縁膜１２５を貫通して配線１１２Ｘ１まで達する開口Ｈ４を形成する。その後、例えば、スパッタを用いて開口Ｈ３および開口Ｈ４の側面および底面にバリアメタル１２７Ａを成膜した後、例えば、メッキを用いて開口Ｈ３および開口Ｈ４内に、金属膜１２７Ｂを成膜する。最後に、絶縁膜１２６上に形成されたバリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂを研磨して除去し、絶縁膜１２６および導電膜１２７が同一平面を構成する平坦面を形成する。以上により、図１に示した配線構造１００が完成する。

（１－３．撮像素子の構成）
図６は、本開示の一実施の形態に係る撮像素子（撮像素子１）の垂直方向の断面構成の一例を表したものである。図７は、図６に示した撮像素子１の概略構成の一例を表したものである。撮像素子１は、半導体基板１１に、光電変換を行うセンサ画素１２を有する第１基板１０と、半導体基板２１に、センサ画素１２から出力された電荷に基づく画像信号を出力する読み出し回路２２を有する第２基板２０と、半導体基板３１に、画素信号を処理するロジック回路３２を有する第３基板３０とが積層された３次元構造を有する撮像素子である。上記配線構造１００は、例えば、図８に示したように、例えば、第３基板３０と接合される第２基板２０の接合面近傍の配線構造に適用される。

第１基板１０は、上記のように、半導体基板１１に、光電変換を行う複数のセンサ画素１２を有している。半導体基板１１は、本開示の「第１半導体基板」の一具体例に相当する。複数のセンサ画素１２は、第１基板１０における画素領域１３内に行列状に設けられている。第２基板２０は、半導体基板２１に、センサ画素１２から出力された電荷に基づく画素信号を出力する読み出し回路２２を４つのセンサ画素１２ごとに１つずつ有している。半導体基板２１は、本開示の「第２半導体基板」の一具体例に相当する。第２基板２０は、行方向に延在する複数の画素駆動線２３と、列方向に延在する複数の垂直信号線２４とを有している。第３基板３０は、半導体基板３１に、画素信号を処理するロジック回路３２を有している。半導体基板３１は、本開示の「第３半導体基板」の一具体例に相当する。ロジック回路３２は、例えば、垂直駆動回路３３、カラム信号処理回路３４、水平駆動回路３５およびシステム制御回路３６を有している。ロジック回路３２（具体的には水平駆動回路３５）は、センサ画素１２ごとの出力電圧Ｖｏｕｔを外部に出力する。ロジック回路３２では、例えば、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、ＣｏＳｉ_２やＮｉＳｉ等のサリサイド (Self Aligned Silicide)プロセスを用いて形成されたシリサイドからなる低抵抗領域が形成されていてもよい。

垂直駆動回路３３は、例えば、複数のセンサ画素１２を行単位で順に選択する。カラム信号処理回路３４は、例えば、垂直駆動回路３３によって選択された行の各センサ画素１２から出力される画素信号に対して、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling：ＣＤＳ）処理を施す。カラム信号処理回路３４は、例えば、ＣＤＳ処理を施すことにより、画素信号の信号レベルを抽出し、各センサ画素１２の受光量に応じた画素データを保持する。水平駆動回路３５は、例えば、カラム信号処理回路３４に保持されている画素データを順次、外部に出力する。システム制御回路３６は、例えば、ロジック回路３２内の各ブロック（垂直駆動回路３３、カラム信号処理回路３４および水平駆動回路３５）の駆動を制御する。

図９は、センサ画素１２および読み出し回路２２の一例を表したものである。以下では、図９に示したように、４つのセンサ画素１２が１つの読み出し回路２２を共有している場合について説明する。ここで、「共有」とは、４つのセンサ画素１２の出力が共通の読み出し回路２２に入力されることを指している。

各センサ画素１２は、互いに共通の構成要素を有している。図９には、各センサ画素１２の構成要素を互いに区別するために、各センサ画素１２の構成要素の符号の末尾に識別番号（１，２，３，４）が付与されている。以下では、各センサ画素１２の構成要素を互いに区別する必要のある場合には、各センサ画素１２の構成要素の符号の末尾に識別番号を付与するが、各センサ画素１２の構成要素を互いに区別する必要のない場合には、各センサ画素１２の構成要素の符号の末尾の識別番号を省略するものとする。

各センサ画素１２は、例えば、フォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤと電気的に接続された転送トランジスタＴＲと、転送トランジスタＴＲを介してフォトダイオードＰＤから出力された電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョンＦＤとを有している。フォトダイオードＰＤは、光電変換を行って受光量に応じた電荷を発生する。フォトダイオードＰＤのカソードが転送トランジスタＴＲのソースに電気的に接続されており、フォトダイオードＰＤのアノードが基準電位線（例えばグラウンド）に電気的に接続されている。転送トランジスタＴＲのドレインがフローティングディフュージョンＦＤに電気的に接続され、転送トランジスタＴＲのゲートは画素駆動線２３に電気的に接続されている。転送トランジスタＴＲは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランジスタである。

１つの読み出し回路２２を共有する各センサ画素１２のフローティングディフュージョンＦＤは、互いに電気的に接続されると共に、共通の読み出し回路２２の入力端に電気的に接続されている。読み出し回路２２は、例えば、リセットトランジスタＲＳＴと、選択トランジスタＳＥＬと、増幅トランジスタＡＭＰとを有している。なお、選択トランジスタＳＥＬは、必要に応じて省略してもよい。リセットトランジスタＲＳＴのソース（読み出し回路２２の入力端）がフローティングディフュージョンＦＤに電気的に接続されており、リセットトランジスタＲＳＴのドレインが電源線ＶＤＤおよび増幅トランジスタＡＭＰのドレインに電気的に接続されている。リセットトランジスタＲＳＴのゲートは画素駆動線２３に電気的に接続されている。増幅トランジスタＡＭＰのソースが選択トランジスタＳＥＬのドレインに電気的に接続されており、増幅トランジスタＡＭＰのゲートがリセットトランジスタＲＳＴのソースに電気的に接続されている。選択トランジスタＳＥＬのソース（読み出し回路２２の出力端）が垂直信号線２４に電気的に接続されており、選択トランジスタＳＥＬのゲートが画素駆動線２３に電気的に接続されている。

転送トランジスタＴＲは、転送トランジスタＴＲがオン状態となると、フォトダイオードＰＤの電荷をフローティングディフュージョンＦＤに転送する。転送トランジスタＴＲのゲート（転送ゲートＴＧ）は、例えば、図６に示したように、半導体基板１１の表面からｐウェル層４２を貫通してＰＤ４１に達する深さまで延在している。リセットトランジスタＲＳＴは、フローティングディフュージョンＦＤの電位を所定の電位にリセットする。リセットトランジスタＲＳＴがオン状態となると、フローティングディフュージョンＦＤの電位を電源線ＶＤＤの電位にリセットする。選択トランジスタＳＥＬは、読み出し回路２２からの画素信号の出力タイミングを制御する。増幅トランジスタＡＭＰは、画素信号として、フローティングディフュージョンＦＤに保持された電荷のレベルに応じた電圧の信号を生成する。増幅トランジスタＡＭＰは、ソースフォロア型のアンプを構成しており、フォトダイオードＰＤで発生した電荷のレベルに応じた電圧の画素信号を出力するものである。増幅トランジスタＡＭＰは、選択トランジスタＳＥＬがオン状態となると、フローティングディフュージョンＦＤの電位を増幅して、その電位に応じた電圧を、垂直信号線２４を介してカラム信号処理回路３４に出力する。リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬは、例えば、ＣＭＯＳトランジスタである。

なお、図１０に示したように、選択トランジスタＳＥＬが、電源線ＶＤＤと増幅トランジスタＡＭＰとの間に設けられていてもよい。この場合、リセットトランジスタＲＳＴのドレインが電源線ＶＤＤおよび選択トランジスタＳＥＬのドレインに電気的に接続されている。選択トランジスタＳＥＬのソースが増幅トランジスタＡＭＰのドレインに電気的に接続されており、選択トランジスタＳＥＬのゲートが画素駆動線２３に電気的に接続されている。増幅トランジスタＡＭＰのソース（読み出し回路２２の出力端）が垂直信号線２４に電気的に接続されており、増幅トランジスタＡＭＰのゲートがリセットトランジスタＲＳＴのソースに電気的に接続されている。また、図１１および図１２に示したように、ＦＤ転送トランジスタＦＤＧが、リセットトランジスタＲＳＴのソースと増幅トランジスタＡＭＰのゲートとの間に設けられていてもよい。

ＦＤ転送トランジスタＦＤＧは、変換効率を切り替える際に用いられる。一般に、暗い場所での撮影時には画素信号が小さい。Ｑ＝ＣＶに基づき、電荷電圧変換を行う際に、フローティングディフュージョンＦＤの容量（ＦＤ容量Ｃ）が大きければ、増幅トランジスタＡＭＰで電圧に変換した際のＶが小さくなってしまう。一方、明るい場所では、画素信号が大きくなるので、ＦＤ容量Ｃが大きくなければ、フローティングディフュージョンＦＤで、フォトダイオードＰＤの電荷を受けきれない。さらに、増幅トランジスタＡＭＰで電圧に変換した際のＶが大きくなりすぎないように（言い換えると、小さくなるように）、ＦＤ容量Ｃが大きくなっている必要がある。これらを踏まえると、ＦＤ転送トランジスタＦＤＧをオンにしたときには、ＦＤ転送トランジスタＦＤＧ分のゲート容量が増えるので、全体のＦＤ容量Ｃが大きくなる。一方、ＦＤ転送トランジスタＦＤＧをオフにしたときには、全体のＦＤ容量Ｃが小さくなる。このように、ＦＤ転送トランジスタＦＤＧをオンオフ切り替えることで、ＦＤ容量Ｃを可変にし、変換効率を切り替えることができる。

図１３は、複数の読み出し回路２２と、複数の垂直信号線２４との接続態様の一例を表したものである。複数の読み出し回路２２が、垂直信号線２４の延在方向（例えば列方向）に並んで配置されている場合、複数の垂直信号線２４は、読み出し回路２２ごとに１つずつ割り当てられていてもよい。例えば、図１３に示したように、４つの読み出し回路２２が、垂直信号線２４の延在方向（例えば列方向）に並んで配置されている場合、４つの垂直信号線２４が、読み出し回路２２ごとに１つずつ割り当てられていてもよい。なお、図１３では、各垂直信号線２４を区別するために、各垂直信号線２４の符号の末尾に識別番号（１，２，３，４）が付与されている。

次に、撮像素子１の垂直方向の断面構成について図６を用いて説明する。撮像素子１は、上記のように、第１基板１０、第２基板２０および第３基板３０がこの順に積層された構成を有し、さらに、第１基板１０の裏面（光入射面）側に、カラーフィルタ４０および受光レンズ５０を備えている。カラーフィルタ４０および受光レンズ５０は、それぞれ、例えば、センサ画素１２ごとに１つずつ設けられている。つまり、撮像素子１は、裏面照射型の撮像素子である。

第１基板１０は、半導体基板１１の表面（面１１Ｓ１）上に絶縁層４６を積層して構成されている。第１基板１０は、層間絶縁膜５１の一部として、絶縁層４６を有している。絶縁層４６は、半導体基板１１と、後述の半導体基板２１との間に設けられている。半導体基板１１は、シリコン基板で構成されている。半導体基板１１は、例えば、表面の一部およびその近傍に、ｐウェル層４２を有しており、それ以外の領域（ｐウェル層４２よりも深い領域）に、ｐウェル層４２とは異なる導電型のＰＤ４１を有している。ｐウェル層４２は、ｐ型の半導体領域で構成されている。ＰＤ４１は、ｐウェル層４２とは異なる導電型（具体的にはｎ型）の半導体領域で構成されている。半導体基板１１は、ｐウェル層４２内に、ｐウェル層４２とは異なる導電型（具体的にはｎ型）の半導体領域として、フローティングディフュージョンＦＤを有している。

第１基板１０は、フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＲおよびフローティングディフュージョンＦＤをセンサ画素１２ごとに有している。第１基板１０は、半導体基板１１の面１１Ｓ１側（光入射面側とは反対側、第２基板２０側）の一部に、転送トランジスタＴＲおよびフローティングディフュージョンＦＤが設けられた構成となっている。第１基板１０は、各センサ画素１２を分離する素子分離部４３を有している。素子分離部４３は、半導体基板１１の法線方向（半導体基板１１の表面に対して垂直な方向）に延在して形成されている。素子分離部４３は、互いに隣接する２つのセンサ画素１２の間に設けられている。素子分離部４３は、互いに隣接するセンサ画素１２同士を電気的に分離する。素子分離部４３は、例えば、酸化シリコンによって構成されている。素子分離部４３は、例えば、半導体基板１１を貫通している。第１基板１０は、例えば、さらに、素子分離部４３の側面であって、且つ、フォトダイオードＰＤ側の面に接するｐウェル層４４を有している。ｐウェル層４４は、フォトダイオードＰＤとは異なる導電型（具体的にはｐ型）の半導体領域で構成されている。第１基板１０は、例えば、さらに、半導体基板１１の裏面（面１１Ｓ２、他の面）に接する固定電荷膜４５を有している。固定電荷膜４５は、半導体基板１１の受光面側の界面準位に起因する暗電流の発生を抑制するため、負に帯電している。固定電荷膜４５は、例えば、負の固定電荷を有する絶縁膜によって形成されている。そのような絶縁膜の材料としては、例えば、酸化ハフニウム、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化チタンまたは酸化タンタルが挙げられる。固定電荷膜４５が誘起する電界により、半導体基板１１の受光面側の界面にホール蓄積層が形成される。このホール蓄積層によって、界面からの電子の発生が抑制される。カラーフィルタ４０は、半導体基板１１の裏面側に設けられている。カラーフィルタ４０は、例えば、固定電荷膜４５に接して設けられており、固定電荷膜４５を介してセンサ画素１２と対向する位置に設けられている。受光レンズ５０は、例えば、カラーフィルタ４０に接して設けられており、カラーフィルタ４０および固定電荷膜４５を介してセンサ画素１２と対向する位置に設けられている。

第２基板２０は、半導体基板２１上に絶縁層５２を積層して構成されている。絶縁層５２は、第２基板２０は、層間絶縁膜５１の一部として、絶縁層５２を有している。絶縁層５２は、半導体基板２１と、半導体基板３１との間に設けられている。半導体基板２１は、シリコン基板で構成されている。第２基板２０は、４つのセンサ画素１２ごとに、１つの読み出し回路２２を有している。第２基板２０は、半導体基板２１の表面（第３基板３０と対向する面２１Ｓ１、一の面）側の一部に読み出し回路２２が設けられた構成となっている。第２基板２０は、半導体基板１１の表面（面１１Ｓ１）に対して半導体基板２１の裏面（面２１Ｓ２）を向けて第１基板１０に貼り合わされている。つまり、第２基板２０は、第１基板１０に、フェイストゥーバックで貼り合わされている。第２基板２０は、さらに、半導体基板２１と同一の層内に、半導体基板２１を貫通する絶縁層５３を有している。第２基板２０は、層間絶縁膜５１の一部として、絶縁層５３を有している。絶縁層５３は、後述の貫通配線５４の側面を覆うように設けられている。

第１基板１０および第２基板２０からなる積層体は、層間絶縁膜５１と、層間絶縁膜５１内に設けられた貫通配線５４を有している。上記積層体は、センサ画素１２ごとに、１つの貫通配線５４を有している。貫通配線５４は、半導体基板２１の法線方向に延びており、層間絶縁膜５１のうち、絶縁層５３を含む箇所を貫通して設けられている。第１基板１０および第２基板２０は、貫通配線５４によって互いに電気的に接続されている。具体的には、貫通配線５４は、フローティングディフュージョンＦＤおよび後述の接続配線５５に電気的に接続されている。

第１基板１０および第２基板２０からなる積層体は、さらに、層間絶縁膜５１内に設けられた貫通配線４７，４８（後述の図１４参照）を有している。上記積層体は、センサ画素１２ごとに、１つの貫通配線４７と、１つの貫通配線４８とを有している。貫通配線４７，４８は、それぞれ、半導体基板２１の法線方向に延びており、層間絶縁膜５１のうち、絶縁層５３を含む箇所を貫通して設けられている。第１基板１０および第２基板２０は、貫通配線４７，４８によって互いに電気的に接続されている。具体的には、貫通配線４７は、半導体基板１１のｐウェル層４２と、第２基板２０内の配線とに電気的に接続されている。貫通配線４８は、転送ゲートＴＧおよび画素駆動線２３に電気的に接続されている。

第２基板２０は、例えば、絶縁層５２内に、読み出し回路２２や半導体基板２１と電気的に接続された複数の接続部５９を有している。第２基板２０は、さらに、例えば、絶縁層５２上に配線層５６を有している。配線層５６は、例えば、絶縁層５７と、絶縁層５７内に設けられた複数の画素駆動線２３および複数の垂直信号線２４を有している。配線層５６は、さらに、例えば、絶縁層５７内に複数の接続配線５５を４つのセンサ画素１２ごとに１つずつ有している。接続配線５５は、読み出し回路２２を共有する４つのセンサ画素１２に含まれるフローティングディフュージョンＦＤに電気的に接続された各貫通配線５４を互いに電気的に接続している。ここで、貫通配線５４，４８の総数は、第１基板１０に含まれるセンサ画素１２の総数よりも多く、第１基板１０に含まれるセンサ画素１２の総数の２倍となっている。また、貫通配線５４，４８，４７の総数は、第１基板１０に含まれるセンサ画素１２の総数よりも多く、第１基板１０に含まれるセンサ画素１２の総数の３倍となっている。

配線層５６は、さらに、例えば、絶縁層５７内に複数のパッド電極５８を有している。各パッド電極５８は、例えば、Ｃｕ（銅）、タングステン（Ｗ）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属で形成されている。各パッド電極５８は、配線層５６の表面に露出している。各パッド電極５８は、第２基板２０と第３基板３０との電気的な接続と、第２基板２０と第３基板３０との貼り合わせに用いられる。複数のパッド電極５８は、例えば、画素駆動線２３および垂直信号線２４ごとに１つずつ設けられている。ここで、パッド電極５８の総数（または、パッド電極５８とパッド電極６４（後述）との接合の総数は、例えば、第１基板１０に含まれるセンサ画素１２の総数よりも少ない。

図８は、上記配線構造１００を、撮像素子１に適用した際の断面構成を模式的に表したものである。本実施の形態では、例えば、複数の垂直信号線２４が、上記配線構造１００における配線１１２Ｘ３および配線１１２Ｘ４に相当し、電源線ＶＳＳが、上記配線構造１００における配線１１２Ｘ２および配線１１２Ｘ５に相当する。図６では示していないが、絶縁層５７は、図８に示したように複数の絶縁膜１５１～絶縁膜１５７を含んで構成されており、そのうちの絶縁膜１５４が、互いに並走する電源線ＶＳＳと垂直信号線２４との間および複数の垂直信号線２４の配線間に空隙Ｇを形成している。配線層５６の表面に露出している各パッド電極５８は、上記配線構造１００における導電膜１２７Ｘ１および導電膜１２７Ｘ２に相当する。

各パッド電極５８のうち一部（パッド電極５８Ｘ１）は、グラウンド線（配線１１２Ｘ１）と電気的に接続されている。グラウンド線は、例えば、図示していないが、半導体基板１１のｐウェルやグランド（ＧＮＤ）に接続されている。これにより、パッド電極５８Ｘ１は、垂直信号線２４の積層方向に対するシールド配線として用いることができ、垂直信号線２４におけるノイズの発生を低減することが可能となる。

更に、シールド配線として機能するパッド電極５８Ｘ１は、後述する第３基板３０側のパッド電極６４Ｘ１と接合されている。これにより、シールド配線をパッド電極５８Ｘ１単独で形成した場合と比較して、シールド配線のインピーダンスを下げることが可能となる。また、シールド配線として機能するパッド電極５８Ｘ１は、例えば、垂直信号線２４と同様に、画素領域１３を縦断するように設けられており、画素領域１３の領域端を超えた周縁近傍で終端している。

第３基板３０は、例えば、半導体基板３１上に層間絶縁膜６１を積層して構成されている。なお、第３基板３０は、後述するように、第２基板２０に、表面側の面同士で貼り合わされていることから、第３基板３０内の構成について説明する際には、上下の説明が、図面での上下方向とは逆となっている。半導体基板３１は、シリコン基板で構成されている。第３基板３０は、半導体基板３１の表面（面３１Ｓ１）側の一部にロジック回路３２が設けられた構成となっている。第３基板３０は、さらに、例えば、層間絶縁膜６１上に配線層６２を有している。配線層６２は、例えば、絶縁層６３と、絶縁層６３内に設けられた複数のパッド電極６４（例えば、パッド電極６４Ｘ１およびパッド電極６４Ｘ２）を有している。複数のパッド電極６４は、ロジック回路３２と電気的に接続されている。各パッド電極６４は、例えば、Ｃｕ（銅）で形成されている。各パッド電極６４は、配線層６２の表面に露出している。各パッド電極６４は、第２基板２０と第３基板３０との電気的な接続と、第２基板２０と第３基板３０との貼り合わせに用いられる。また、パッド電極６４は、必ずしも複数でなくてもよく、１つでもロジック回路３２と電気的に接続が可能である。第２基板２０および第３基板３０は、パッド電極５８，６４同士の接合によって、互いに電気的に接続されている。つまり、転送トランジスタＴＲのゲート（転送ゲートＴＧ）は、貫通配線５４と、パッド電極５８，６４とを介して、ロジック回路３２に電気的に接続されている。第３基板３０は、半導体基板２１の表面（面２１Ｓ１）側に半導体基板３１の表面（面３１Ｓ１）を向けて第２基板２０に貼り合わされている。つまり、第３基板３０は、第２基板２０に、フェイストゥーフェイスで貼り合わされている。

図１４および図１５は、撮像素子１の水平方向の断面構成の一例を表したものである。図１４および図１５の上側の図は、図１の断面Ｓｅｃ１での断面構成の一例を表す図であり、図１４および図１５の下側の図は、図１の断面Ｓｅｃ２での断面構成の一例を表す図である。図１４には、２×２の４つのセンサ画素１２を２組、第２方向Ｈに並べた構成が例示されており、図１５には、２×２の４つのセンサ画素１２を４組、第１方向Ｖおよび第２方向Ｈに並べた構成が例示されている。なお、図１４および図１５の上側の断面図では、図１の断面Ｓｅｃ１での断面構成の一例を表す図に、半導体基板１１の表面構成の一例を表す図が重ね合わされると共に、絶縁層４６が省略されている。また、図１４および図１５の下側の断面図では、図１の断面Ｓｅｃ２での断面構成の一例を表す図に、半導体基板２１の表面構成の一例を表す図が重ね合わされている。

図１４および図１５に示したように、複数の貫通配線５４、複数の貫通配線４８および複数の貫通配線４７は、第１基板１０の面内において第１方向Ｖ（図１４の上下方向、図１５の左右方向）に帯状に並んで配置されている。なお、図１４および図１５には、複数の貫通配線５４、複数の貫通配線４８および複数の貫通配線４７が第１方向Ｖに２列に並んで配置されている場合が例示されている。第１方向Ｖは、マトリクス状の配置された複数のセンサ画素１２の２つの配列方向（例えば行方向および列方向）のうち一方の配列方向（例えば列方向）と平行となっている。読み出し回路２２を共有する４つのセンサ画素１２において、４つのフローティングディフュージョンＦＤは、例えば、素子分離部４３を介して互いに近接して配置されている。読み出し回路２２を共有する４つのセンサ画素１２において、４つの転送ゲートＴＧは、４つのフローティングディフュージョンＦＤを囲むように配置されており、例えば、４つの転送ゲートＴＧによって円環形状となる形状となっている。

絶縁層５３は、第１方向Ｖに延在する複数のブロックで構成されている。半導体基板２１は、第１方向Ｖに延在すると共に、絶縁層５３を介して第１方向Ｖと直交する第２方向Ｈに並んで配置された複数の島状のブロック２１Ａで構成されている。各ブロック２１Ａには、例えば、複数組のリセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬが設けられている。４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、４つのセンサ画素１２と対向する領域内にある、リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬによって構成されている。４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、絶縁層５３の左隣りのブロック２１Ａ内の増幅トランジスタＡＭＰと、絶縁層５３の右隣りのブロック２１Ａ内のリセットトランジスタＲＳＴおよび選択トランジスタＳＥＬとによって構成されている。

図１６、図１７、図１８および図１９は、撮像素子１の水平面内での配線レイアウトの一例を表したものである。図１６～図１９には、４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２が４つのセンサ画素１２と対向する領域内に設けられている場合が例示されている。図１６～図１９に記載の配線は、例えば、配線層５６において互いに異なる層内に設けられている。

互いに隣接する４つの貫通配線５４は、例えば、図１６に示したように、接続配線５５と電気的に接続されている。互いに隣接する４つの貫通配線５４は、さらに、例えば、図１６に示したように、接続配線５５および接続部５９を介して、絶縁層５３の左隣りブロック２１Ａに含まれる増幅トランジスタＡＭＰのゲートと、絶縁層５３の右隣りブロック２１Ａに含まれるリセットトランジスタＲＳＴのゲートとに電気的に接続されている。

電源線ＶＤＤは、例えば、図１７に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２と対向する位置に配置されている。電源線ＶＤＤは、例えば、図１７に示したように、接続部５９を介して、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２の増幅トランジスタＡＭＰのドレインおよびリセットトランジスタＲＳＴのドレインに電気的に接続されている。２本の画素駆動線２３が、例えば、図１７に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２と対向する位置に配置されている。一方の画素駆動線２３（第２制御線）は、例えば、図１７に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２のリセットトランジスタＲＳＴのゲートに電気的に接続された配線ＲＳＴＧである。他方の画素駆動線２３（第３制御線）は、例えば、図１７に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２の選択トランジスタＳＥＬのゲートに電気的に接続された配線ＳＥＬＧである。各読み出し回路２２において、増幅トランジスタＡＭＰのソースと、選択トランジスタＳＥＬのドレインとが、例えば、図１７に示したように、配線２５を介して、互いに電気的に接続されている。

２本の電源線ＶＳＳが、例えば、図１８に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２と対向する位置に配置されている。各電源線ＶＳＳは、例えば、図１８に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各センサ画素１２と対向する位置において、複数の貫通配線４７に電気的に接続されている。４本の画素駆動線２３が、例えば、図１８に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２と対向する位置に配置されている。４本の画素駆動線２３の各々は、例えば、図１８に示したように、第２方向Ｈに並んで配置された各読み出し回路２２に対応する４つのセンサ画素１２のうちの１つのセンサ画素１２の貫通配線４８に電気的に接続された配線ＴＲＧである。つまり、４本の画素駆動線２３（第１制御線）は、第２方向Ｈに並んで配置された各センサ画素１２の転送トランジスタＴＲのゲート（転送ゲートＴＧ）に電気的に接続されている。図１８では、各配線ＴＲＧを区別するために、各配線ＴＲＧの末尾に識別子（１，２，３，４）が付与されている。

垂直信号線２４は、例えば、図１９に示したように、第１方向Ｖに並んで配置された各読み出し回路２２と対向する位置に配置されている。垂直信号線２４（出力線）は、例えば、図１９に示したように、第１方向Ｖに並んで配置された各読み出し回路２２の出力端（増幅トランジスタＡＭＰのソース）に電気的に接続されている。

（１－４．撮像素子の製造方法）
次に、撮像素子１の製造方法について説明する。図２０Ａ～図２０Ｇは、撮像素子１の製造過程の一例を表したものである。

まず、半導体基板１１に、ｐウェル層４２や、素子分離部４３、ｐウェル層４４を形成する。次に、半導体基板１１に、フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＲおよびフローティングディフュージョンＦＤを形成する（図２０Ａ）。これにより、半導体基板１１に、センサ画素１２が形成される。このとき、センサ画素１２に用いる電極材料として、サリサイドプロセスによるＣｏＳｉ_２やＮｉＳｉ等の耐熱性の低い材料を用いないことが好ましい。むしろ、センサ画素１２に用いる電極材料としては、耐熱性の高い材料を用いることが好ましい。耐熱性の高い材料としては、例えば、ポリシリコンが挙げられる。その後、半導体基板１１上に、絶縁層４６を形成する（図２０Ａ）。このようにして、第１基板１０が形成される。

次に、第１基板１０（絶縁層４６Ｂ）上に、半導体基板２１を貼り合わせる（図２０Ｂ）。その後、必要に応じて半導体基板２１を薄肉化する。この際、半導体基板２１の厚さを、読み出し回路２２の形成に必要な膜厚にする。半導体基板２１の厚さは、一般的には数百ｎｍ程度である。しかし、読み出し回路２２のコンセプトによっては、ＦＤ（Fully Depletion）型も可能であるので、その場合には、半導体基板２１の厚さとしては、数ｎｍ～数μｍの範囲を採り得る。

続いて、半導体基板２１と同一の層内に、絶縁層５３を形成する（図２０Ｃ）。絶縁層５３を、例えば、フローティングディフュージョンＦＤと対向する箇所に形成する。例えば、半導体基板２１に対して、半導体基板２１を貫通するスリット（開口２１Ｈ）を形成して、半導体基板２１を複数のブロック２１Ａに分離する。その後、スリットを埋め込むように、絶縁層５３を形成する。その後、半導体基板２１の各ブロック２１Ａに、増幅トランジスタＡＭＰ等を含む読み出し回路２２を形成する（図２０Ｃ）。このとき、センサ画素１２の電極材料として、耐熱性の高い金属材料が用いられている場合には、読み出し回路２２のゲート絶縁膜を、熱酸化により形成することが可能である。

次に、半導体基板２１上に絶縁層５２を形成する。このようにして、絶縁層４６，５２，５３からなる層間絶縁膜５１を形成する。続いて、層間絶縁膜５１に貫通孔５１Ａ，５１Ｂを形成する（図２０Ｄ）。具体的には、絶縁層５２のうち、読み出し回路２２と対向する箇所に、絶縁層５２を貫通する貫通孔５１Ｂを形成する。また、層間絶縁膜５１のうち、フローティングディフュージョンＦＤと対向する箇所（つまり、絶縁層５３と対向する箇所）に、層間絶縁膜５１を貫通する貫通孔５１Ａを形成する。

続いて、貫通孔５１Ａ，５１Ｂに導電性材料を埋め込むことにより、貫通孔５１Ａ内に貫通配線５４を形成すると共に、貫通孔５１Ｂ内に接続部５９を形成する（図２０Ｅ）。さらに、絶縁層５２上に、貫通配線５４と接続部５９とを互いに電気的に接続する接続配線５５を形成する（図２０Ｅ）。その後、配線層５６を、絶縁層５２上に形成する（図２０Ｆ）。このようにして、第２基板２０が形成される。

次に、第２基板２０を、半導体基板３１の表面側に半導体基板２１の表面を向けて、ロジック回路３２や配線層６２が形成された第３基板３０に貼り合わせる（図２０Ｇ）。このとき、第２基板２０のパッド電極５８と、第３基板３０のパッド電極６４とを互いに接合することにより、第２基板２０と第３基板３０とを互いに電気的に接続する。このようにして、撮像素子１が製造される。

（１－５．作用・効果）
本実施の形態の配線構造１００およびこれを適用した撮像素子１では、一方向（例えばＹ軸方向）に延伸する複数の配線（例えば、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６）を有する配線層１１２上に、例えば、隣り合う配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｘ４と配線１１２Ｘ５との間に、それぞれ空隙Ｇを形成する絶縁膜１２３および表面が平坦な絶縁膜１２４をこの順に積層した。更に、この絶縁膜１２３および絶縁膜１２４を間にして、複数の配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６の少なくとも一部（例えば、配線間に空隙Ｇを有する配線１１２Ｘ２、配線１１２Ｘ３および配線１１２Ｘ４）と正対する位置に導電膜１２７を設けるようにした。これにより、配線構造１００を撮像素子１の第２基板２０の、第３基板３０との接合面およびその近傍の配線構造に適用することが可能となる。具体的には、導電膜１２７を、第２基板２０と第３基板３０とのＣｕ－Ｃｕ接合用のパッド電極５８として用いることが可能となる。以下、これについて説明する。

前述したように、近年、半導体装置では、半導体集積回路素子の微細化に伴い、素子間および素子内を結ぶ配線の間隔が狭くなってきており、配線間の容量（寄生容量）が増加する傾向にある。このため、一般的な半導体装置では、Ｌｏｗ－ｋ材料を用いて積層方向の配線間を電気的に絶縁すると共に、並列する配線間に空隙を設けることで、配線間の寄生容量の低下が図られている。このような半導体装置では、空隙を形成するＬｏｗ－ｋ材料からなる絶縁膜の、空隙の上方の表面には凹凸が形成される。

上記のような半導体装置において、配線間に空隙を有する配線層の直上に、３次元接続技術の１つであるハイブリッドボンディングを適用しようとすると、空隙上方の段差によってウェハオンウェハ（ＷｏＷ）の接合性が著しく劣化する。ＷｏＷの接合性を向上させる方法として、絶縁膜の表面を平坦化処理することが考えられるが、Ｌｏｗ－ｋ材料からなる絶縁膜は、ＷｏＷ接合が可能なレベルまで表面を平坦化することが難しい。

これに対して、本実施の形態では、一方向に延伸する複数の配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ６の配線間に空隙Ｇを形成する絶縁膜１２３上に、表面が平坦な絶縁膜１２４を設け、絶縁膜１２３および絶縁膜１２４を間にして、ＷｏＷ接合に用いることが可能な導電膜１２７を形成するようにした。導電膜１２７は、絶縁膜１２４に積層された絶縁膜１２６に埋め込み形成されており、導電膜１２７と絶縁膜１２６とは、ＷｏＷ接合が可能なレベルの同一平面を形成することができる。これにより、例えば、３次元構造を有する撮像素子１において、例えば、画素領域１３を縦断する複数の垂直信号線２４の配線間に空隙Ｇを形成すると共に、複数の垂直信号線２４の直上に、Ｃｕ－Ｃｕ接合に用いられるパッド電極５８を形成することが可能となる。

以上により、本実施の形態の撮像素子１では、画素領域１３を縦断する複数の垂直信号線２４の配線間の配線容量を低減することが可能となる。また、配線間に空隙Ｇを有する、例えば、垂直信号線２４の直上に、他の配線層を挟むことなくＣｕ－Ｃｕ接合用のパッド電極５８を形成することができるため、例えば、半導体基板２１等の法線方向に延びる貫通配線４７，４８の長さを短縮することが可能となる。よって、貫通配線４７，４８間の配線容量を低減させることが可能となる。

また、本実施の形態では、第３基板３０とのＣｕ－Ｃｕ接合に用いられるパッド電極５８の１つ（例えば、パッド電極５８Ｘ１）を、半導体基板１１のｐウェルや、グランド（ＧＮＤ）に接続されているグラウンド線とを電気的に接続したので、パッド電極５８Ｘ１に、垂直信号線２４の積層方向に対するシールド配線としての機能を付加することが可能となる。よって、垂直信号線２４におけるノイズの発生が低減され、例えば、撮像素子１の画質を向上させることが可能となる。

また、Ｃｕ－Ｃｕ接合用のパッド電極５８Ｘ１をシールド配線として用いることにより、パッド電極５８Ｘ１と接合される第３基板３０側のパッド電極６４Ｘ１も垂直信号線２４の積層方向に対するシールド配線として用いることができる。これにより、シールド配線のインピーダンスを下げることが可能となる。よって、垂直信号線２４におけるノイズの発生をさらに低減させることが可能となる。

また、配線間に空隙を設ける場合、配線間の空隙は、一般に、リソグラフィ技術によるパターニング後、配線間の絶縁膜をドライエッチングで加工して形成する。しかしながら、配線と空隙を形成するパターンとの重ね合わせの位置がずれると、意図しない箇所に空隙が形成される虞がある。例えば、空隙を形成するパターンの端部が配線間に位置した場合、配線間に絶縁膜の一部が残存し、各配線間に形成される空隙の形状が不均一になる。空隙の形状が不均一になると、配線間の配線容量が変わり、電気的特性が悪化してしまう。また、上下の配線間を導通させるビアを形成する位置に空隙を形成すると、ドライエッチング時に配線が加工されることにより、電気特性の悪化や断線が懸念される。

これに対して、本実施の形態では、上記製造工程におけるばらつきを考慮し、複数の配線（例えば配線１１２Ｘ２～１１２Ｘ５）の配列方向（Ｘ軸方向）の空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｘが配線間に空隙Ｇが形成される両端の配線上に形成されるように、また、複数の配線の延伸方向（Ｙ軸方向）の空隙形成領域１００Ｘの端部１００ＥｙがビアＶを避けて形成されるようにした。具体的には、配線幅Ｄに対して、空隙Ｇと隣接する側の側面から空隙形成領域１００Ｘの端部１００Ｅｘまでの距離ＸがＤ＞Ｘを満たすと共に、空隙形成領域１００ＸのＹ軸方向の中点からビアＶまでの距離Ｌに対して、空隙形成領域１００Ｘの端部１００ＥｙからビアＶまでの距離ＹがＬ＞Ｙを満たし、さらに、Ｘ，Ｙがそれぞれ上記数式（１），（２）を満たすようにレジスト膜１３１のパターンを形成するようにした。これにより、各配線間には、略一様な形状の空隙Ｇがセルフアライメントに形成されるようになる。よって、空隙の形状のばらつきによる配線容量のばらつきの発生を低減することが可能となる。

以下に、変形例１～１４について説明する。なお、以下の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

＜２．変形例＞
（２－１．変形例１）
図２１Ａ～図２１Ｋは、本開示の配線構造（配線構造１００Ａ）の製造工程の一変形例（変形例１）を表したものである。

まず、上記実施の形態と同様にして、配線１１２Ｘ２と配線１１２Ｘ３との間、配線１１２Ｘ３と配線１１２Ｘ４との間および配線１１２Ｘ４と配線１１２Ｘ５との間に空隙Ｇを形成する絶縁膜１２３を形成（図３Ｅ）した後、例えば、図２１Ａの断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）に示したように、絶縁膜１２３上に、配線１１２Ｘ１と正対する位置に、リソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１の配線幅と同等以上の開口を有するレジスト膜１３２をパターニングする。

続いて、図２１Ｂに示したように、レジスト膜１３２から露出した、配線１１２Ｘ１の上方およびその周辺の絶縁膜１２３および絶縁膜１２２の一部を、例えばドライエッチングして開口Ｈ５を形成し、例えば、アッシングによりレジスト膜１３２を除去する。次に、図２１Ｃに示したように、開口Ｈ５内および絶縁膜１２３上に、例えば、ＣＶＤ法を用いて、例えばＳｉＯ_ｘからなる、膜厚５０ｎｍ～２μｍの絶縁膜１２４を成膜した後、図２１Ｄに示したように、例えばＣＭＰ法を用いて絶縁膜１２４を研磨して表面を平坦化する。

続いて、図２１Ｅに示したように、絶縁膜１２４上に絶縁膜１２５および絶縁膜１２６を上記実施の形態と同様の方法を用いて成膜した後、絶縁膜１２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ４と正対する位置および配線１１２Ｘ６の上方に開口を有するレジスト膜１３３をパターニングする。

次に、図２１Ｆに示したように、絶縁膜１２６および絶縁膜１２５の一部を、例えばドライエッチングして開口Ｈ６を形成した後、例えば、アッシングによりレジスト膜１３３を除去する。続いて、図２１Ｇに示したように、例えば、フォトリソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１と正対する位置に開口を有するレジスト膜１３４を、開口Ｈ６内の絶縁膜１２５および絶縁膜１２６上にパターニングする。次に、図２１Ｈに示したように、配線１１２Ｘ１上の絶縁膜１２２～絶縁膜１２５をエッチングして開口Ｈ７を形成する。

続いて、図２１Ｉに示したように、例えば、アッシングによりレジスト膜１３４を除去した後、図２１Ｊに示したように、開口Ｈ７内に露出した絶縁膜１２１を、例えばドライエッチングにより除去し、配線１１２Ｘ１の表面を露出させる。次に、例えばスパッタを用いて開口Ｈ６および開口Ｈ７の側面および底面にバリアメタル１２７Ａを成膜した後、例えば、メッキを用いて開口Ｈ６および開口Ｈ７内に、金属膜１２７Ｂを成膜する。最後に、絶縁膜１２６上に形成されたバリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂを研磨する。以上により、図２１Ｋに示したような、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とを電気的に接続する接続部周囲に低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３のない配線構造１００Ａが完成する。

一般に、図１に示したような、下層の配線（配線１１２Ｘ１）と上層の配線（導電膜１２７）とを電気的に接続するための開口を形成する場合には、開口加工後の後処理として、残ったレジスト膜を除去するアッシング工程が常温条件下にて行われる。

ところで、図６に示したような撮像素子１では、第２基板２０と第３基板３０とのＣｕ－Ｃｕ接合に用いられるパッド電極５８，６４のサイズはμｍオーダーであるため、コストの観点から、リソグラフィ工程において長波長光源の露光機が選択される。長波長光源の露光機を選択する場合、より厚膜なレジスト膜が必要となる。その場合、ドライエッチング後のレジスト膜の除去工程において、例えば２００℃以上の雰囲気下でのアッシングが必要となる。

図１に示した配線構造のように、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７Ｘ１とを電気的に接続する接続部を形成する開口に、低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３が露出していると、上記のような高温条件のアッシングを行った場合、例えば、図２２に示したように、絶縁膜１２３部分がボーイング形状となる。これは、高温アッシングによって、絶縁膜１２３を構成する低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）のメチル基（Ｓｉ－ＣＨ_ｘ）が切れ、さらに、その後のウェットプロセスによって膜後退が加速されることによって発生する現象である。

このような状態で、開口Ｈ７内にバリアメタル１２７Ａを成膜しようとすると、ボーイング形状部においてバリアメタル１２７Ａの被覆性が悪化し、バリア特性が劣化する。バリア特性が劣化した状態で、例えば銅（Ｃｕ）からなる金属膜１２７Ｂを埋め込んだ場合、銅が絶縁膜中へ拡散しやすくなり、例えば、ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）の懸念が高まる。更に、歪なボーイング形状部においては、金属膜１２７Ｂの埋め込み不良が発生しやすくなり、例えば、配線の導通不良等を引き起こす虞がある。

これに対して、本変形例では、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とを電気的に接続する開口Ｈ７の周囲の絶縁膜１２３を予め除去し、低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３よりもアッシング耐性の高い、例えばＳｉＯ_ｘからなる絶縁膜１２４を埋め込むようにした。これにより、所望の形状を有する開口Ｈ７を形成することが可能となる。よって、図２１Ｋに示した配線構造１００Ａおよびこれを適用した撮像素子１の製造歩留まりおよび電気的な信頼性を向上させることが可能となる。

（２－２．変形例２）
図２３Ａ～図２３Ｆは、本開示の配線構造（配線構造１００Ｂ）の製造工程の一変形例（変形例２）を表したものである。

まず、上記実施の形態と同様にして、絶縁膜１２４の表面を平坦化した後、絶縁膜１２５および絶縁膜１２６をこの順に形成する（図３Ｇ）。続いて、上記変形例１と同様にして、絶縁膜１２６および絶縁膜１２５の一部をエッチングして開口Ｈ６を形成した後、例えば、フォトリソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１と正対する位置に開口を有するレジスト膜１３４を開口Ｈ６内および絶縁膜１２６上にパターニングし、図２３Ａに示したように、配線１１２Ｘ１上の絶縁膜１２３～絶縁膜１２６をエッチングして開口Ｈ７を形成する。

次に、図２３Ｂに示したように、例えば、常温アッシングによりレジスト膜１３４を除去する。このとき、レジスト膜１３４を厚膜に形成した場合、図２３Ｂに示したように、例えば、形成面積の大きなレジスト膜１３４が部分的に残存する場合がある。続いて、図２３Ｃに示したように、例えばＡＬＤ法を用いて、例えば、残存するレジスト膜１３４上および絶縁膜１２６の上面ならびに開口Ｈ６および開口Ｈ７の側面および底面に、例えば、ＳｉＯ_ｘからなる保護膜１２８を形成する。なお、保護膜１２８は、アッシング耐性を有する絶縁材料からなるものであればよい。保護膜１２８の材料としては、ＳｉＯ_ｘの他に、例えばＳｉＮやＳｉＣＮ等を用いることができる。

次に、図２３Ｄに示したように、例えば、全面エッチバックにより、上面に形成された保護膜１２８を除去する。続いて、図２３Ｅに示したように、外周端およびその近傍に残存するレジスト膜１３４を、高温アッシングにより除去すると共に、開口Ｈ７内に露出した絶縁膜１２１および絶縁膜１２２を除去する。このとき、開口Ｈ７内の低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３は保護膜１２８で被覆されているため、上述したような絶縁膜１２３の後退は起こらない。

次に、例えばスパッタを用いて開口Ｈ６および開口Ｈ７の側面および底面にバリアメタル１２７Ａを成膜した後、例えば、メッキを用いて開口Ｈ６および開口Ｈ７内に、金属膜１２７Ｂを成膜する。最後に、絶縁膜１２６上に形成されたバリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂを研磨する。最後に、絶縁膜１２６上に形成されたバリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂを研磨する。以上により、図２３Ｆに示したような、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とを電気的に接続する接続部周囲に保護膜１２８を有する配線構造１００Ｂが完成する。よって、上記変形例１と同様に、配線構造１００Ｂおよびこれを適用した撮像素子１の製造歩留まりおよび電気的な信頼性を向上させることが可能となる。

（２－３．変形例３）
図２４Ａ～図２４Ｈは、本開示の配線構造（配線構造１００Ｃ）の製造工程の一変形例（変形例３）を表したものである。

まず、上記実施の形態と同様にして絶縁膜１２４まで形成した後、絶縁膜１２４の表面を平坦化する（図３Ｇ）。続いて、図２４Ａに示したように、上記変形例１と同様にして、フォトリソグラフィ技術により、絶縁膜１２４上の配線１１２Ｘ１と正対する位置に開口を有するレジスト膜１３５を形成する。

次に、図２４Ｂに示したように、配線１１２Ｘ１上の絶縁膜１２１～絶縁膜１２４をエッチングして開口Ｈ８を形成した後、アッシングにより、レジスト膜１３５を除去する。このとき、アッシングは常温にて行うため、低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３の後退は起こらない。続いて、図２４Ｃに示したように、例えばスパッタを用いて、開口Ｈ８の側面および底面ならびに絶縁膜１２４上にバリアメタル１２９Ａを成膜した後、例えばＣＶＤやスパッタを用いて開口Ｈ６８内およびバリアメタル１２９Ａ上に、例えば、タングステン（Ｗ）からなる金属膜１２９Ｂを成膜する。

次に、図２４Ｄに示したように、例えばＣＭＰにより、絶縁膜１２４上のバリアメタル１２９Ａおよび金属膜１２９Ｂを研磨して除去する。これにより、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とを電気的に接続する接続部（ビア１２９）が形成される。続いて、図２４Ｅに示したように、例えば、ＣＶＤ法により、絶縁膜１２４およびビア１２９上に、例えば絶縁膜１２５ならびに絶縁膜１２６を成膜した後、図２４Ｆに示したように、絶縁膜１２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ４と正対する位置および配線１１２Ｘ６上に開口を有するレジスト膜１３６をパターニングする。

次に、図２４Ｇに示したように、例えば、ドライエッチングにより、絶縁膜１２６および絶縁膜１２５を貫通し、ビア１２９を露出させる開口９を形成する。続いて、図２４Ｈに示したように、上記変形例２と同様の方法を用いて、バリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂからなる導電膜１２７（導電膜１２７Ｘ１，１２７Ｘ２）を形成する。以上により、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とがタングステン（Ｗ）からなるビア１２９によって電気的に接続された配線構造１００Ｃが完成する。よって、上記変形例１と同様に、配線構造１００Ｃおよびこれを適用した撮像素子１の製造歩留まりおよび電気的な信頼性を向上させることが可能となる。

また、本変形例では、上記実施の形態の配線構造１００Ａとは異なり、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７ならびに接続部（ビア１２９）を同時形成していないが、接続部（ビア１２９）を、タングステン（Ｗ）を用いて形成しているため、銅（Ｃｕ）拡散を防ぐための絶縁膜の形成を省くことが可能となる。Ｃｕ拡散防止の特性を持つ絶縁膜は、例えば比誘電率が５．０以上と比較的誘電率の高い膜となるため、実効誘電率が上昇する虞がある。これに対して、本変形例では、実効誘電率を上昇させることなく、配線構造１００Ｃを形成することが可能となる。

（２－４．変形例４）
図２５Ａ～図２５Ｇは、本開示の配線構造（配線構造１００Ｄ）の製造工程の一変形例（変形例４）を表したものである。

まず、上記変形例３と同様にして、図２５Ａに示したように、配線１１２Ｘ１上の絶縁膜１２１～絶縁膜１２４をエッチングして開口Ｈ８を形成した後、常温アッシングにより、レジスト膜１３５を除去する。続いて、図２５Ｂに示したように、例えばスパッタを用いて、開口Ｈ８の側面および底面ならびに絶縁膜１２４上にバリアメタル１３０Ａを成膜した後、例えばメッキ法により、開口Ｈ８内およびバリアメタル１３０Ａ上に、例えば、銅（Ｃｕ）からなる金属膜１３０Ｂを成膜する。

次に、図２５Ｃに示したように、例えばＣＭＰにより、絶縁膜１２４上のバリアメタル１３０Ａおよび金属膜１３０Ｂを研磨して除去する。これにより、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とを電気的に接続するビア１３０が形成される。続いて、図２５Ｄに示したように、例えば、ＣＶＤ法により、絶縁膜１２４およびビア１３０上に、絶縁膜１４１、絶縁膜１２５および絶縁膜１２６をこの順に成膜する。絶縁膜１４１は、銅（Ｃｕ）の拡散を防ぐためのものであり、例えば、比誘電率（ｋ）が５．０以上となる。絶縁膜１４１は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）、ＳｉＣ_ｘＮ_ｙ等を用いて形成される。

続いて、図２５Ｅに示したように、絶縁膜１２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術により、配線１１２Ｘ１～配線１１２Ｘ４と正対する位置および配線１１２Ｘ６上に開口を有するレジスト膜１３７をパターニングする。次に、図２５Ｆに示したように、例えば、ドライエッチングにより、絶縁膜１２６、絶縁膜１２５および絶縁膜１４１を貫通し、ビア１３０を露出させる開口９を形成する。

続いて、図２５Ｇに示したように、上記変形例２と同様の方法を用いて、バリアメタル１２７Ａおよび金属膜１２７Ｂからなる導電膜１２７（導電膜１２７Ｘ１，１２７Ｘ２）を形成する。以上により、アッシング時に低誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜１２３を後退させることなく、配線１１２Ｘ１と導電膜１２７とが電気的に接続された配線構造１００Ｄが完成する。よって、上記変形例１と同様に、配線構造１００Ｄおよびこれを適用した撮像素子１の製造歩留まりおよび電気的な信頼性を向上させることが可能となる。

（２－５．変形例５）
図２６は、上記実施の形態の変形例（変形例５）に係る撮像素子（撮像素子１）の垂直方向の断面構成の一例を表したものである。本変形例では、転送トランジスタＴＲが、平面型の転送ゲートＴＧを有している。そのため、転送ゲートＴＧは、ｐウェル層４２を貫通しておらず、半導体基板１１の表面だけに形成されている。転送トランジスタＴＲに平面型の転送ゲートＴＧが用いられる場合であっても、撮像素子１は、上記実施の形態と同様の効果を有する。

（２－６．変形例６）
図２７は、上記実施の形態の変形例（変形例６）に係る撮像素子（撮像素子１）の垂直方向の断面構成の一例を表したものである。本変形例では、第２基板２０と第３基板３０との電気的な接続が、第１基板１０における周辺領域１４と対向する領域でなされている。周辺領域１４は、第１基板１０の額縁領域に相当しており、画素領域１３の周縁に設けられている。本変形例では、第２基板２０は、周辺領域１４と対向する領域に、複数のパッド電極５８を有しており、第３基板３０は、周辺領域１４と対向する領域に、複数のパッド電極６４を有している。第２基板２０および第３基板３０は、周辺領域１４と対向する領域に設けられたパッド電極５８，６４同士の接合によって、互いに電気的に接続されている。

このように、本変形例では、第２基板２０および第３基板３０が、周辺領域１４と対向する領域に設けられたパッド電極５８，６４同士の接合によって、互いに電気的に接続されている。これにより、画素領域１３と対向する領域で、パッド電極５８，６４同士を接合する場合と比べて、１画素あたりの面積の微細化を阻害するおそれを低減することができる。従って、上記実施の形態の効果に加えて、今までと同等のチップサイズで、１画素あたりの面積の微細化を阻害することのない３層構造の撮像素子１を提供することができる。

（２－７．変形例７）
図２８は、上記実施の形態の変形例（変形例７）に係る撮像素子（撮像素子１）の垂直方向の断面構成の一例を表したものである。図２９は、上記実施の形態の変形例（変形例７）に係る撮像素子（撮像素子１）の垂直方向の断面構成の他の例を表すものである。図２８および図２９の上側の図は、図１の断面Ｓｅｃ１での断面構成の一変形例であり、図２８の下側の図は、図１の断面Ｓｅｃ２での断面構成の一変形例である。なお、図２８および図２９の上側の断面図では、図１の断面Ｓｅｃ１での断面構成の一変形例を表す図に、図１の半導体基板１１の表面構成の一変形例を表す図が重ね合わされると共に、絶縁層４６が省略されている。また、図２８および図２９の下側の断面図では、図１の断面Ｓｅｃ２での断面構成の一変形例を表す図に、半導体基板２１の表面構成の一変形例を表す図が重ね合わされている。

図２８および図２９に示したように、複数の貫通配線５４、複数の貫通配線４８および複数の貫通配線４７（図中の行列状に配置された複数のドット）は、第１基板１０の面内において第１方向Ｖ（図２８および図２９の左右方向）に帯状に並んで配置されている。なお、図２８および図２９には、複数の貫通配線５４、複数の貫通配線４８および複数の貫通配線４７が第１方向Ｖに２列に並んで配置されている場合が例示されている。読み出し回路２２を共有する４つのセンサ画素１２において、４つのフローティングディフュージョンＦＤは、例えば、素子分離部４３を介して互いに近接して配置されている。読み出し回路２２を共有する４つのセンサ画素１２において、４つの転送ゲートＴＧ（ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３，ＴＧ４）は、４つのフローティングディフュージョンＦＤを囲むように配置されており、例えば、４つの転送ゲートＴＧによって円環形状となる形状となっている。

絶縁層５３は、第１方向Ｖに延在する複数のブロックで構成されている。半導体基板２１は、第１方向Ｖに延在すると共に、絶縁層５３を介して第１方向Ｖと直交する第２方向Ｈに並んで配置された複数の島状のブロック２１Ａで構成されている。各ブロック２１Ａには、例えば、リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬが設けられている。４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、４つのセンサ画素１２と正対して配置されておらず、第２方向Ｈにずれて配置されている。

図２８では、４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、第２基板２０において、４つのセンサ画素１２と対向する領域を第２方向Ｈにずらした領域内にある、リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬによって構成されている。４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、１つのブロック２１Ａ内の増幅トランジスタＡＭＰ、リセットトランジスタＲＳＴおよび選択トランジスタＳＥＬによって構成されている。

図２９では、４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、第２基板２０において、４つのセンサ画素１２と対向する領域を第２方向Ｈにずらした領域内にある、リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰ、選択トランジスタＳＥＬおよびＦＤ転送トランジスタＦＤＧによって構成されている。４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、１つのブロック２１Ａ内の増幅トランジスタＡＭＰ、リセットトランジスタＲＳＴ、選択トランジスタＳＥＬおよびＦＤ転送トランジスタＦＤＧによって構成されている。

本変形例では、４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２は、例えば、４つのセンサ画素１２と正対して配置されておらず、４つのセンサ画素１２と正対する位置から第２方向Ｈにずれて配置されている。このようにした場合には、配線２５を短くすることができ、または、配線２５を省略して、増幅トランジスタＡＭＰのソースと、選択トランジスタＳＥＬのドレインとを共通の不純物領域で構成することもできる。その結果、読み出し回路２２のサイズを小さくしたり、読み出し回路２２内の他の箇所のサイズを大きくしたりすることができる。

（２－８．変形例８）
図３０は、上記実施の形態の変形例（変形例８）に係る撮像素子（撮像素子１）の水平方向の断面構成の一例を表したものである。図３０には、図１６の断面構成の一変形例が示されている。

本変形例では、半導体基板２１が、絶縁層５３を介して第１方向Ｖおよび第２方向Ｈに並んで配置された複数の島状のブロック２１Ａで構成されている。各ブロック２１Ａには、例えば、一組のリセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬが設けられている。このようにした場合には、互いに隣接する読み出し回路２２同士のクロストークを、絶縁層５３によって抑制することができ、再生画像上での解像度低下や混色による画質劣化を抑制することができる。

（２－９．変形例９）
図３１は、上記実施の形態の変形例（変形例９）に係る撮像素子（撮像素子１）の水平方向の断面構成の一例を表したものである。図３１には、図３０の断面構成の一変形例が示されている。

本変形例では、４つのセンサ画素１２によって共有される１つの読み出し回路２２が、例えば、４つのセンサ画素１２と正対して配置されておらず、第１方向Ｖにずれて配置されている。本変形例では、さらに、変形例８と同様、半導体基板２１が、絶縁層５３を介して第１方向Ｖおよび第２方向Ｈに並んで配置された複数の島状のブロック２１Ａで構成されている。各ブロック２１Ａには、例えば、一組のリセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰおよび選択トランジスタＳＥＬが設けられている。本変形例では、さらに、複数の貫通配線４７および複数の貫通配線５４が、第２方向Ｈにも配列されている。具体的には、複数の貫通配線４７が、ある読み出し回路２２を共有する４つの貫通配線５４と、その読み出し回路２２の第２方向Ｈに隣接する他の読み出し回路２２を共有する４つの貫通配線５４との間に配置されている。このようにした場合には、互いに隣接する読み出し回路２２同士のクロストークを、絶縁層５３および貫通配線４７によって抑制することができ、再生画像上での解像度低下や混色による画質劣化を抑制することができる。

（２－１０．変形例１０）
図３２は、上記実施の形態の変形例（変形例１０）に係る撮像素子（撮像素子１）の水平方向の断面構成の一例を表したものである。図３２には、図１４の断面構成の一変形例が示されている。

本変形例では、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに有し、フローティングディフュージョンＦＤを４つのセンサ画素１２ごとに共有している。従って、本変形例では、４つのセンサ画素１２ごとに、１つの貫通配線５４が設けられている。

マトリクス状に配置された複数のセンサ画素１２において、１つのフローティングディフュージョンＦＤを共有する４つのセンサ画素１２に対応する単位領域を、１つのセンサ画素１２分だけ第１方向Ｖにずらすことにより得られる領域に対応する４つのセンサ画素１２を、便宜的に、４つのセンサ画素１２Ａと称することとする。このとき、本変形例では、第１基板１０は、貫通配線４７を４つのセンサ画素１２Ａごとに共有している。従って、本変形例では、４つのセンサ画素１２Ａごとに、１つの貫通配線４７が設けられている。

本変形例では、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに分離する素子分離部４３を有している。素子分離部４３は、半導体基板１１の法線方向から見て、センサ画素１２を完全には囲っておらず、フローティングディフュージョンＦＤ（貫通配線５４）の近傍と、貫通配線４７の近傍に、隙間（未形成領域）を有している。そして、その隙間によって、４つのセンサ画素１２による１つの貫通配線５４の共有や、４つのセンサ画素１２Ａによる１つの貫通配線４７の共有を可能にしている。本変形例では、第２基板２０は、フローティングディフュージョンＦＤを共有する４つのセンサ画素１２ごとに読み出し回路２２を有している。

図３３は、本変形例に係る撮像素子１の水平方向の断面構成の他の例を表したものである。図３３には、図３０の断面構成の一変形例が示されている。本変形例では、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに有し、フローティングディフュージョンＦＤを４つのセンサ画素１２ごとに共有している。更に、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに分離する素子分離部４３を有している。

図３４は、本変形例に係る撮像素子１の水平方向の断面構成の他の例を表したものである。図３４には、図３１の断面構成の一変形例が示されている。本変形例では、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに有し、フローティングディフュージョンＦＤを４つのセンサ画素１２ごとに共有している。更に、第１基板１０は、フォトダイオードＰＤおよび転送トランジスタＴＲをセンサ画素１２ごとに分離する素子分離部４３を有している。

（２－１１．変形例１１）
図３５は、上記実施の形態および変形例５～６の変形例（変形例１１）に係る撮像素子（撮像素子１）の回路構成の一例を表したものである。本変形例に係る撮像素子１は、列並列ＡＤＣ搭載のＣＭＯＳイメージセンサである。

図３５に示すように、本変形例に係る撮像素子１は、光電変換部を含む複数のセンサ画素１２が行列状（マトリックス状）に２次元配置されてなる画素領域１３に加えて、垂直駆動回路３３、カラム信号処理回路３４、参照電圧供給部３８、水平駆動回路３５、水平出力線３７およびシステム制御回路３６を有する構成となっている。

このシステム構成において、システム制御回路３６は、マスタークロックＭＣＫに基づいて、垂直駆動回路３３、カラム信号処理回路３４、参照電圧供給部３８および水平駆動回路３５等の動作の基準となるクロック信号や制御信号等を生成し、垂直駆動回路３３、カラム信号処理回路３４、参照電圧供給部３８および水平駆動回路３５等に対して与える。

また、垂直駆動回路３３は、画素領域１３の各センサ画素１２と共に、第１基板１０形成されており、さらに、読み出し回路２２の形成されている第２基板２０にも形成される。カラム信号処理回路３４、参照電圧供給部３８、水平駆動回路３５、水平出力線３７およびシステム制御回路３６は、第３基板３０に形成される。

センサ画素１２としては、ここでは図示を省略するが、例えば、フォトダイオードＰＤの他に、フォトダイオードＰＤで光電変換して得られる電荷をフローティングディフュージョンＦＤに転送する転送トランジスタＴＲとを有する構成のものを用いることができる。また、読み出し回路２２としては、ここでは図示を省略するが、例えば、フローティングディフュージョンＦＤの電位を制御するリセットトランジスタＲＳＴと、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタＡＭＰと、画素選択を行うための選択トランジスタＳＥＬとを有する３トランジスタ構成のものを用いることができる。

画素領域１３には、センサ画素１２が２次元配置されると共に、このｍ行ｎ列の画素配置に対して行毎に画素駆動線２３が配線され、列毎に垂直信号線２４が配線されている。複数の画素駆動線２３の各一端は、垂直駆動回路３３の各行に対応した各出力端に接続されている。垂直駆動回路３３は、シフトレジスタ等によって構成され、複数の画素駆動線２３を介して画素領域１３の行アドレスや行走査の制御を行う。

カラム信号処理回路３４は、例えば、画素領域１３の画素列毎、即ち、垂直信号線２４毎に設けられたＡＤＣ（アナログ－デジタル変換回路）３４－１～３４－ｍを有し、画素領域１３の各センサ画素１２から列毎に出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。

参照電圧供給部３８は、時間が経過するにつれてレベルが傾斜状に変化する、いわゆるランプ（ＲＡＭＰ）波形の参照電圧Ｖｒｅｆを生成する手段として、例えばＤＡＣ（デジタル－アナログ変換回路）３８Ａを有している。なお、ランプ波形の参照電圧Ｖｒｅｆを生成する手段としては、ＤＡＣ３８Ａに限られるものではない。

ＤＡＣ３８Ａは、システム制御回路３６から与えられる制御信号ＣＳ１による制御の下に、当該システム制御回路３６から与えられるクロックＣＫに基づいてランプ波形の参照電圧Ｖｒｅｆを生成してカラム信号処理回路３４のＡＤＣ３４－１～３４－ｍに対して供給する。

なお、ＡＤＣ３４－１～３４－ｍの各々は、センサ画素１２全ての情報を読み出すプログレッシブ走査方式での通常フレームレートモードと、通常フレームレートモード時に比べて、センサ画素１２の露光時間を１／Ｎに設定してフレームレートをＮ倍、例えば２倍に上げる高速フレームレートモードとの各動作モードに対応したＡＤ変換動作を選択的に行い得る構成となっている。この動作モードの切り替えは、システム制御回路３６から与えられる制御信号ＣＳ２，ＣＳ３による制御によって実行される。また、システム制御回路３６に対しては、外部のシステムコントローラ（図示せず）から、通常フレームレートモードと高速フレームレートモードの各動作モードとを切り替えるための指示情報が与えられる。

ＡＤＣ３４－１～３４－ｍは全て同じ構成となっており、ここでは、ＡＤＣ３４－ｍを例に挙げて説明するものとする。ＡＤＣ３４－ｍは、比較器３４Ａ、計数手段である例えばアップ／ダウンカウンタ（図中、Ｕ／ＤＣＮＴと記している）３４Ｂ、転送スイッチ３４Ｃおよびメモリ装置３４Ｄを有する構成となっている。

比較器３４Ａは、画素領域１３のｎ列目の各センサ画素１２から出力される信号に応じた垂直信号線２４の信号電圧Ｖｘと、参照電圧供給部３８から供給されるランプ波形の参照電圧Ｖｒｅｆとを比較し、例えば、参照電圧Ｖｒｅｆが信号電圧Ｖｘよりも大なるときに出力Ｖｃｏが“Ｈ”レベルになり、参照電圧Ｖｒｅｆが信号電圧Ｖｘ以下のときに出力Ｖｃｏが“Ｌ”レベルになる。

アップ／ダウンカウンタ３４Ｂは非同期カウンタであり、システム制御回路３６から与えられる制御信号ＣＳ２による制御の下に、システム制御回路３６からクロックＣＫがＤＡＣ１８Ａと同時に与えられ、当該クロックＣＫに同期してダウン（ＤＯＷＮ）カウントまたはアップ（ＵＰ）カウントを行うことにより、比較器３４Ａでの比較動作の開始から比較動作の終了までの比較期間を計測する。

具体的には、通常フレームレートモードでは、１つのセンサ画素１２からの信号の読み出し動作において、１回目の読み出し動作時にダウンカウントを行うことにより１回目の読み出し時の比較時間を計測し、２回目の読み出し動作時にアップカウントを行うことにより２回目の読み出し時の比較時間を計測する。

一方、高速フレームレートモードでは、ある行のセンサ画素１２についてのカウント結果をそのまま保持しておき、引き続き、次の行のセンサ画素１２について、前回のカウント結果から１回目の読み出し動作時にダウンカウントを行うことで１回目の読み出し時の比較時間を計測し、２回目の読み出し動作時にアップカウントを行うことで２回目の読み出し時の比較時間を計測する。

転送スイッチ３４Ｃは、システム制御回路３６から与えられる制御信号ＣＳ３による制御の下に、通常フレームレートモードでは、ある行のセンサ画素１２についてのアップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント動作が完了した時点でオン（閉）状態となって当該アップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント結果をメモリ装置３４Ｄに転送する。

一方、例えばＮ＝２の高速フレームレートでは、ある行のセンサ画素１２についてのアップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント動作が完了した時点でオフ（開）状態のままであり、引き続き、次の行のセンサ画素１２についてのアップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント動作が完了した時点でオン状態となって当該アップ／ダウンカウンタ３４Ｂの垂直２画素分についてのカウント結果をメモリ装置３４Ｄに転送する。

このようにして、画素領域１３の各センサ画素１２から垂直信号線２４を経由して列毎に供給されるアナログ信号が、ＡＤＣ３４－１～３４－ｍにおける比較器３４Ａおよびアップ／ダウンカウンタ３４Ｂの各動作により、Ｎビットのデジタル信号に変換されてメモリ装置３４Ｄに格納される。

水平駆動回路３５は、シフトレジスタ等によって構成され、カラム信号処理回路３４におけるＡＤＣ３４－１～３４－ｍの列アドレスや列走査の制御を行う。この水平駆動回路３５による制御の下に、ＡＤＣ３４－１～３４－ｍの各々でＡＤ変換されたＮビットのデジタル信号は順に水平出力線３７に読み出され、当該水平出力線３７を経由して撮像データとして出力される。

なお、本開示には直接関連しないため特に図示しないが、水平出力線３７を経由して出力される撮像データに対して各種の信号処理を施す回路等を、上記構成要素以外に設けることも可能である。

上記構成の本変形例に係る列並列ＡＤＣ搭載の撮像素子１では、アップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント結果を、転送スイッチ３４Ｃを介して選択的にメモリ装置３４Ｄに転送することができるため、アップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント動作と、当該アップ／ダウンカウンタ３４Ｂのカウント結果の水平出力線３７への読み出し動作とを独立して制御することが可能である。

（２－１２．変形例１２）
図３６は、図３５の撮像素子を３つの基板（第１基板１０，第２基板２０，第３基板３０）を積層して構成した例を表したものである。本変形例では、第１基板１０において、中央部分に、複数のセンサ画素１２を含む画素領域１３が形成されており、画素領域１３の周囲に垂直駆動回路３３が形成されている。また、第２基板２０において、中央部分に、複数の読み出し回路２２を含む読み出し回路領域１５が形成されており、読み出し回路領域１５の周囲に垂直駆動回路３３が形成されている。第３基板３０において、カラム信号処理回路３４、水平駆動回路３５、システム制御回路３６、水平出力線３７および参照電圧供給部３８が形成されている。これにより、上記実施の形態およびその変形例と同様、基板同士を電気的に接続する構造に起因して、チップサイズが大きくなったり、１画素あたりの面積の微細化を阻害したりしてしまうことがない。その結果、今までと同等のチップサイズで、１画素あたりの面積の微細化を阻害することのない３層構造の撮像素子１を提供することができる。なお、垂直駆動回路３３は、第１基板１０のみに形成されても、第２基板２０のみに形成されてもよい。

（２－１３．変形例１３）
図３７は、上記実施の形態およびその変形例５～１２の変形例（変形例１３）に係る撮像素子（撮像素子１）の断面構成の一例を表したものである。上記実施および変形例５～１２等では、撮像素子１は、３つの基板（第１基板１０，第２基板２０，第３基板３０）を積層して構成されていた。しかし、上記第５の実施の形態における撮像素子５，６のように、２つの基板（第１基板１０，第２基板２０）を積層して構成されていてもよい。このとき、ロジック回路３２は、例えば、図３７に示したように、第１基板１０と、第２基板２０とに分けて形成されていてもよい。ここで、ロジック回路３２のうち、第１基板１０側に設けられた回路３２Ａでは、高温プロセスに耐え得る材料（例えば、ｈｉｇｈ－ｋ）からなる高誘電率膜とメタルゲート電極とが積層されたゲート構造を有するトランジスタが設けられている。一方、第２基板２０側に設けられた回路３２Ｂでは、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、ＣｏＳｉ_２やＮｉＳｉ等のサリサイド（Self Aligned Silicide）プロセスを用いて形成されたシリサイドからなる低抵抗領域２６が形成されている。シリサイドからなる低抵抗領域は、半導体基板の材料と金属との化合物で形成されている。これにより、センサ画素１２を形成する際に、熱酸化等の高温プロセスを用いることができる。また、ロジック回路３２のうち、第２基板２０側に設けられた回路３２Ｂにおいて、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、シリサイドからなる低抵抗領域２６を設けた場合には、接触抵抗を低減することができる。その結果、ロジック回路３２での演算速度を高速化することができる。

（２－１４．変形例１４）
図３８は、上記実施の形態およびその変形例５～１２の変形例（変形例１４）に係る撮像素子１の断面構成の一変形例を表す。上記実施の形態およびその変形例５～１２に係る第３基板３０のロジック回路３２において、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、ＣｏＳｉ_２やＮｉＳｉ等のサリサイド (Self Aligned Silicide)プロセスを用いて形成されたシリサイドからなる低抵抗領域３９が形成されていてもよい。これにより、センサ画素１２を形成する際に、熱酸化等の高温プロセスを用いることができる。また、ロジック回路３２において、ソース電極およびドレイン電極と接する不純物拡散領域の表面に、シリサイドからなる低抵抗領域３９を設けた場合には、接触抵抗を低減することができる。その結果、ロジック回路３２での演算速度を高速化することができる。

なお、上記実施の形態およびその変形例５～１４では、導電型が逆になっていてもよい。例えば、上記実施の形態およびその変形例５～１４の記載において、ｐ型をｎ型に読み替えると共に、ｎ型をｐ型に読み替えてもよい。このようにした場合であっても、上記実施の形態およびその変形例５～１４と同様の効果を得ることができる。

＜３．適用例＞
図３９は、上記実施の形態およびその変形例５～１４に係る撮像素子（撮像素子１）を備えた撮像システム７の概略構成の一例を表したものである。

撮像システム７は、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像素子や、スマートフォンやタブレット型端末等の携帯端末装置等の電子機器である。撮像システム７は、例えば、光学系２４１、シャッタ装置２４２、撮像素子１、ＤＳＰ回路２４３、フレームメモリ２４４、表示部２４５、記憶部２４６、操作部２４７および電源部２４８を備えている。撮像システム７において、シャッタ装置２４２、撮像素子１、ＤＳＰ回路２４３、フレームメモリ２４４、表示部２４５、記憶部２４６、操作部２４７および電源部２４８は、バスライン２４９を介して相互に接続されている。

撮像素子１は、入射光に応じた画像データを出力する。光学系２４１は、１枚または複数枚のレンズを有するものであり、被写体からの光（入射光）を撮像素子１に導き、撮像素子１の受光面に結像させる。シャッタ装置２４２は、光学系２４１および撮像素子１の間に配置され、操作部２４７の制御に従って、撮像素子１への光照射期間および遮光期間を制御する。ＤＳＰ回路２４３は、撮像素子１から出力される信号（画像データ）を処理する信号処理回路である。フレームメモリ２４４は、ＤＳＰ回路２４３により処理された画像データを、フレーム単位で一時的に保持する。表示部２４５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル等のパネル型表示装置からなり、撮像素子１で撮像された動画又は静止画を表示する。記憶部２４６は、撮像素子１で撮像された動画又は静止画の画像データを、半導体メモリやハードディスク等の記録媒体に記録する。操作部２４７は、ユーザによる操作に従い、撮像システム７が有する各種の機能についての操作指令を発する。電源部２４８は、撮像素子１、ＤＳＰ回路２４３、フレームメモリ２４４、表示部２４５、記憶部２４６および操作部２４７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

次に、撮像システム７における撮像手順について説明する。

図４０は、撮像システム７における撮像動作のフローチャートの一例を表す。ユーザは、操作部２４７を操作することにより撮像開始を指示する（ステップＳ１０１）。すると、操作部２４７は、撮像指令を撮像素子１に送信する（ステップＳ１０２）。撮像素子１（具体的にはシステム制御回路３６）は、撮像指令を受けると、所定の撮像方式での撮像を実行する（ステップＳ１０３）。

撮像素子１は、光学系２４１およびシャッタ装置２４２を介して受光面に結像された光（画像データ）をＤＳＰ回路２４３に出力する。ここで、画像データとは、フローティングディフュージョンＦＤに一時的に保持された電荷に基づいて生成された画素信号の全画素分のデータである。ＤＳＰ回路２４３は、撮像素子１から入力された画像データに基づいて所定の信号処理（例えばノイズ低減処理等）を行う（ステップＳ１０４）。ＤＳＰ回路２４３は、所定の信号処理がなされた画像データをフレームメモリ２４４に保持させ、フレームメモリ２４４は、画像データを記憶部２４６に記憶させる（ステップＳ１０５）。このようにして、撮像システム７における撮像が行われる。

本適用例では、撮像素子１が撮像システム７に適用される。これにより、撮像素子１を小型化もしくは高精細化することができるので、小型もしくは高精細な撮像システム７を提供することができる。

図４１は、非積層型の固体撮像素子（固体撮像素子２３２１０）および本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像素子（固体撮像素子２３０２０）の構成例の概要を示す図である。

図４１のＡは、非積層型の固体撮像素子の概略構成例を示している。固体撮像素子２３０１０は、図４１のＡに示すように、１枚のダイ（半導体基板）２３０１１を有する。このダイ２３０１１には、画素がアレイ状に配置された画素領域２３０１２と、画素の駆動その他の各種の制御を行う制御回路２３０１３と、信号処理するためのロジック回路２３０１４とが搭載されている。

図４１のＢ及びＣは、積層型の固体撮像素子の概略構成例を示している。固体撮像素子２３０２０は、図４１のＢ及びＣに示すように、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４との２枚のダイが積層され、電気的に接続されて、１つの半導体チップとして構成されている。このセンサ第２３０２１およびロジックダイ２３０２４が、本開示の「第１基板」および「第２基板」の一具体例に相当する。

図４１のＢでは、センサダイ２３０２１には、画素領域２３０１２と制御回路２３０１３が搭載され、ロジックダイ２３０２４には、信号処理を行う信号処理回路を含むロジック回路２３０１４が搭載されている。さらに、センサ第２０３２１には、例えば、上述した読み出し回路２２等が搭載されていてもよい。

図４１のＣでは、センサダイ２３０２１には、画素領域２３０１２が搭載され、ロジックダイ２３０２４には、制御回路２３０１３及びロジック回路２３０１４が搭載されている。

図４２は、積層型の固体撮像素子２３０２０の第１の構成例を示す断面図である。

センサダイ２３０２１には、画素領域２３０１２となる画素を構成するＰＤ（フォトダイオード）や、ＦＤ（フローティングディフュージョン）、Ｔｒ（ＭＯＳ ＦＥＴ）、及び、制御回路２３０１３となるＴｒ等が形成される。さらに、センサダイ２３０２１には、複数層、本例では３層の配線２３１１０を有する配線層２３１０１が形成される。なお、制御回路２３０１３（となるＴｒ）は、センサダイ２３０２１ではなく、ロジックダイ２３０２４に構成することができる。

ロジックダイ２３０２４には、ロジック回路２３０１４を構成するＴｒが形成される。さらに、ロジックダイ２３０２４には、複数層、本例では３層の配線２３１７０を有する配線層２３１６１が形成される。また、ロジックダイ２３０２４には、内壁面に絶縁膜２３１７２が形成された接続孔２３１７１が形成され、接続孔２３１７１内には、配線２３１７０等と接続される接続導体２３１７３が埋め込まれる。

センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とは、互いの配線層２３１０１及び２３１６１が向き合うように貼り合わされ、これにより、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが積層された積層型の固体撮像素子２３０２０が構成されている。センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが貼り合わされる面には、保護膜等の膜２３１９１が形成されている。

センサダイ２３０２１には、センサダイ２３０２１の裏面側（ＰＤに光が入射する側）（上側）からセンサダイ２３０２１を貫通してロジックダイ２３０２４の最上層の配線２３１７０に達する接続孔２３１１１が形成される。さらに、センサダイ２３０２１には、接続孔２３１１１に近接して、センサダイ２３０２１の裏面側から１層目の配線２３１１０に達する接続孔２３１２１が形成される。接続孔２３１１１の内壁面には、絶縁膜２３１１２が形成され、接続孔２３１２１の内壁面には、絶縁膜２３１２２が形成される。そして、接続孔２３１１１及び２３１２１内には、接続導体２３１１３及び２３１２３がそれぞれ埋め込まれる。接続導体２３１１３と接続導体２３１２３とは、センサダイ２３０２１の裏面側で電気的に接続され、これにより、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが、配線層２３１０１、接続孔２３１２１、接続孔２３１１１、及び、配線層２３１６１を介して、電気的に接続される。

図４３は、積層型の固体撮像素子２３０２０の第２の構成例を示す断面図である。

固体撮像素子２３０２０の第２の構成例では、センサダイ２３０２１に形成する１つの接続孔２３２１１によって、センサダイ２３０２１（の配線層２３１０１（の配線２３１１０））と、ロジックダイ２３０２４（の配線層２３１６１（の配線２３１７０））とが電気的に接続される。

すなわち、図４３では、接続孔２３２１１が、センサダイ２３０２１の裏面側からセンサダイ２３０２１を貫通してロジックダイ２３０２４の最上層の配線２３１７０に達し、且つ、センサダイ２３０２１の最上層の配線２３１１０に達するように形成される。接続孔２３２１１の内壁面には、絶縁膜２３２１２が形成され、接続孔２３２１１内には、接続導体２３２１３が埋め込まれる。上述の図４２では、２つの接続孔２３１１１及び２３１２１によって、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが電気的に接続されるが、図４３では、１つの接続孔２３２１１によって、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが電気的に接続される。

図４４は、積層型の固体撮像素子２３０２０の第３の構成例を示す断面図である。

図４４の固体撮像素子２３０２０は、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが貼り合わされる面に、保護膜等の膜２３１９１が形成されていない点で、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とが貼り合わされる面に、保護膜等の膜２３１９１が形成されている図４２の場合と異なる。

図４４の固体撮像素子２３０２０は、配線２３１１０及び２３１７０が直接接触するように、センサダイ２３０２１とロジックダイ２３０２４とを重ね合わせ、所要の加重をかけながら加熱し、配線２３１１０及び２３１７０を直接接合することで構成される。

図４５は、本開示に係る技術を適用し得る積層型の固体撮像素子の他の構成例を示す断面図である。

図４５では、固体撮像素子２３４０１は、センサダイ２３４１１と、ロジックダイ２３４１２と、メモリダイ２３４１３との３枚のダイが積層された３層の積層構造になっている。

メモリダイ２３４１３は、例えば、ロジックダイ２３４１２で行われる信号処理において一時的に必要となるデータの記憶を行うメモリ回路を有する。

図４５では、センサダイ２３４１１の下に、ロジックダイ２３４１２及びメモリダイ２３４１３が、その順番で積層されているが、ロジックダイ２３４１２及びメモリダイ２３４１３は、逆順、すなわち、メモリダイ２３４１３及びロジックダイ２３４１２の順番で、センサダイ２３４１１の下に積層することができる。

なお、図４５では、センサダイ２３４１１には、画素の光電変換部となるＰＤや、画素Ｔｒのソース／ドレイン領域が形成されている。

ＰＤの周囲にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、ゲート電極と対のソース／ドレイン領域により画素Ｔｒ２３４２１、画素Ｔｒ２３４２２が形成されている。

ＰＤに隣接する画素Ｔｒ２３４２１が転送Ｔｒであり、その画素Ｔｒ２３４２１を構成する対のソース／ドレイン領域の一方がＦＤになっている。

また、センサダイ２３４１１には、層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜には、接続孔が形成される。接続孔には、画素Ｔｒ２３４２１、及び、画素Ｔｒ２３４２２に接続する接続導体２３４３１が形成されている。

さらに、センサダイ２３４１１には、各接続導体２３４３１に接続する複数層の配線２３４３２を有する配線層２３４３３が形成されている。

また、センサダイ２３４１１の配線層２３４３３の最下層には、外部接続用の電極となるアルミパッド２３４３４が形成されている。すなわち、センサダイ２３４１１では、配線２３４３２よりもロジックダイ２３４１２との接着面２３４４０に近い位置にアルミパッド２３４３４が形成されている。アルミパッド２３４３４は、外部との信号の入出力に係る配線の一端として用いられる。

さらに、センサダイ２３４１１には、ロジックダイ２３４１２との電気的接続に用いられるコンタクト２３４４１が形成されている。コンタクト２３４４１は、ロジックダイ２３４１２のコンタクト２３４５１に接続されるとともに、センサダイ２３４１１のアルミパッド２３４４２にも接続されている。

そして、センサダイ２３４１１には、センサダイ２３４１１の裏面側（上側）からアルミパッド２３４４２に達するようにパッド孔２３４４３が形成されている。

本開示に係る技術は、以上のような固体撮像素子に適用することができる。例えば、配線２３１１０や配線層２３１６１には、例えば、上述した複数の画素駆動線２３および複数の垂直信号線２４が設けられていてもよい。その場合、この複数の垂直信号線２４の配線間に図１に示したような空隙Ｇが形成することで、配線間の容量を低減することができる。また、配線間の容量の増加を抑えることで、配線容量のばらつきを低減することができる。

＜４．応用例＞
（応用例１）
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図４６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させると共に、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図４７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図４７では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図４７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。更に、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、上記実施の形態およびその変形例に係る撮像素子１は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、ノイズの少ない高精細な撮影画像を得ることができるので、移動体制御システムにおいて撮影画像を利用した高精度な制御を行うことができる。

（応用例２）
図４８は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

図４８では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向且つて照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ： Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。

ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。更に、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注すると共に当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

図４９は、図４８に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００のカメラヘッド１１１０２に設けられた撮像部１１４０２に好適に適用され得る。撮像部１１４０２に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１１４０２を小型化もしくは高精細化することができるので、小型もしくは高精細な内視鏡１１１００を提供することができる。

以上、実施の形態およびその変形例１～１４、適用例ならびに応用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記変形例１～４では、上記実施の形態に示した配線間に空隙Ｇを有する配線構造１００の変形例としてその製造方法を説明したが、本技術は、誘電率材料（Ｌｏｗ－ｋ材料）からなる絶縁膜を用いた配線構造を有するものであれば、配線間に空隙Ｇの有無に関わらず適用することができ、上記変形例１～４と同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態等では、複数の画素駆動線２３は行方向に、複数の垂直信号線は列方向に延在する例を示したが、互いに同一方向に延在するようにしてもよい。また、画素駆動線２３は、垂直方向等、適宜その延在方向を変えることができる。

更に、上記実施の形態等では、３次元構造を有する撮像素子を例に本技術を説明したがこれに限らない。本技術は、３次元積層型の大規模集積化（ＬＳＩ）されたあらゆる半導体装置に適用することができる。

なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。

なお、本開示は以下のような構成をとることも可能である。以下の構成の本技術によれば、一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層上に、隣り合う複数の第１の配線の間に空隙を形成する第１の絶縁膜を設け、さらに表面が平坦な第２の絶縁膜を設けることにより、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を間にして、複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する位置に、例えば、接合用のパッド電極として用いることが可能な第１の導電膜を形成することができるようになる。よって、例えば、積層方向に延びる貫通配線の長さを短縮することが可能となり、配線容量を低減することができるようになる。
（１）
誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に埋め込まれ、一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層と、
前記第５の絶縁膜および前記第１の配線層に積層され、隣り合う前記複数の第１の配線の間に空隙を形成すると共に誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された、前記複数の第１の配線の上方に窪みを有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜に積層されると共に表面が平坦な、前記第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間に、前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する第１の導電膜と
を備えた撮像素子。
（２）
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線の一部と前記第１の導電膜とを電気的に接続する接続部をさらに有する、前記（１）に記載の撮像素子。
（３）
前記接続部は、前記第１の導電膜と一体形成されている、前記（２）に記載の撮像素子。
（４）
前記接続部は、前記第１の導電膜とは異なる材料を用いて形成されている、前記（２）または（３）に記載の撮像素子。
（５）
前記接続部の周囲には、前記第１の絶縁膜とは異なる絶縁膜が形成されている、前記（２）乃至（４）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（６）
前記複数の第１の配線のうち、隣り合う配線間に前記空隙が形成されている両端の前記第１の配線は、それぞれ、左右非対称な断面形状を有している、前記（１）乃至（５）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（７）
隣り合う配線間に前記空隙が形成されている両端の前記第１の配線は、前記空隙と隣接する上面端部に段差を有し、前記空隙とは反対側の上面端部は略直角な断面形状を有している、前記（６）に記載の撮像素子。
（８）
前記空隙は、前記複数の第１の配線を含む空隙形成領域に設けられている、前記（１）乃至（７）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（９）
前記空隙形成領域は、前記第１の配線上に前記第１の配線の並列方向の端部を有する、前記（８）に記載の撮像素子。
（１０）
前記空隙形成領域は、前記複数の第１の配線の延伸方向に複数の領域に分かれて形成されている、前記（８）または（９）に記載の撮像素子。
（１１）
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間に、前記複数の第１の配線と少なくとも一部が対向すると共に、前記複数の第１の配線とビアを介して電気的に接続された１または複数の第２の配線をさらに備え、
前記空隙形成領域は、前記ビアを間に複数の領域に分かれて形成されている、前記（８）乃至（１０）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（１２）
第３の絶縁膜をさらに有し、
前記第１の導電膜は、前記第３の絶縁膜に埋め込み形成され、前記第１の導電膜の表面は、前記第３の絶縁膜と同一平面を形成している、前記（１）乃至（１１）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（１３）
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ），ＳｉＯＣ，ＳｉＯＦまたはＳｉＯＮを用いて形成されている、前記（１）乃至（１２）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（１４）
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に、反りを矯正する第４の絶縁膜をさらに有する、前記（１２）または（１３）に記載の撮像素子。
（１５）
第１半導体基板に、光電変換を行うセンサ画素を有する第１基板と、
第２半導体基板に、前記センサ画素から出力された電荷に基づく画素信号を出力する読み出し回路を有する第２基板と、
第３半導体基板に、前記画素信号を処理するロジック回路および前記画素信号を保持するメモリ回路の少なくとも一方を有する第３基板とをさらに備え、
前記第１基板、前記第２基板および前記第３基板はこの順に積層されている、前記（１）乃至（１４）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子。
（１６）
更に、
前記第２基板は、前記第３基板と面する側に、前記第１の導電膜が埋め込み形成された第３の絶縁膜を含む多層配線層を有し、
前記第３基板は、前記第２基板と面する側に、前記第２基板と面する面と同一平面を形成する第２の導電膜を含む多層配線層を有し、
前記第２基板および前記第３基板は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との接合によって、互いに電気的に接続されている、前記（１５）に記載の撮像素子。
（１７）
誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層を埋め込み形成し、
前記第１の配線層の所定の領域において、隣り合う前記複数の第１の配線の間に第１の開口を形成し、
誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて第１の絶縁膜を成膜することにより、前記隣り合う前記複数の第１の配線の間に空隙を形成し、
前記第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を成膜した後、前記第２の絶縁膜の表面を平坦化し、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間にして前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する位置に第１の導電膜を形成する
撮像素子の製造方法。
（１８）
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜をさらに形成し、
前記第３の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する第２の開口および前記第３の絶縁膜の一部を貫通する第３の開口を設けた後、前記第２の開口および前記第３の開口に前記第１の導電膜を埋設する、前記（１７）に記載の撮像素子の製造方法。
（１９）
前記第２の絶縁膜を平坦化した後、
前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する接続部を形成し、前記第１の配線層と前記第１の導電膜とを電気的に接続する、
前記（１７）または（１８）に記載の撮像素子の製造方法。
（２０）
前記第１の絶縁膜を成膜した後、
前記複数の第１の配線のいずれかに達する第４の開口を形成し、前記第２の絶縁膜を成膜する、前記（１７）乃至（１９）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
（２１）
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜をさらに形成した後、
２段階エッチングにより前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する第５の開口を形成し、
前記第５の開口の側面および底面を被覆する保護膜を形成した後、
前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対すると共に、前記第５の開口を埋設する前記第１の導電膜を成膜する、前記（１７）乃至（２０）のうちのいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。

１…撮像素子、７…撮像システム、１０…第１基板、１１，２１，３１…半導体基板、１２…センサ画素、１３…画素領域、２０…第２基板、２２…読み出し回路、２３…画素駆動線、２４…垂直信号線、３０…第３基板、３２…ロジック回路、４０…カラーフィルタ、４９，４９Ａ，４９Ｂ，４９Ｃ…絶縁層、４９Ａ１，４９Ａ２，４９Ｃ１，４９Ｃ２…絶縁膜、５０…受光レンズ、５１，６１…層間絶縁膜、１００…配線構造、１１０…第１層、１１１，１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６，１４１…絶縁膜、１１２…配線層、１１２Ａ，１２７Ａ，１２９Ａ…バリアメタル、１１２Ｂ，１２７Ｂ，１２９Ｂ…金属膜、１１２Ｘ１～１１２Ｘ６，１１２Ｙ…配線、１２０…第２層、１２７…導電膜、１２８…保護膜、１２９，１３０…ビア、Ｇ…空隙。

Claims (21)

1. 誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に埋め込まれ、一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層と、
   前記第５の絶縁膜および前記第１の配線層に積層され、隣り合う前記複数の第１の配線の間に空隙を形成すると共に誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された、前記複数の第１の配線の上方に窪みを有する第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に積層されると共に表面が平坦な、前記第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて形成された第２の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間に、前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する第１の導電膜と
   を備えた撮像素子。
2. 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線の一部と前記第１の導電膜とを電気的に接続する接続部をさらに有する、請求項１に記載の撮像素子。
3. 前記接続部は、前記第１の導電膜と一体形成されている、請求項２に記載の撮像素子。
4. 前記接続部は、前記第１の導電膜とは異なる材料を用いて形成されている、請求項２に記載の撮像素子。
5. 前記接続部の周囲には、前記第１の絶縁膜とは異なる絶縁膜が形成されている、請求項２に記載の撮像素子。
6. 前記複数の第１の配線のうち、隣り合う配線間に前記空隙が形成されている両端の前記第１の配線は、それぞれ、左右非対称な断面形状を有している、請求項１に記載の撮像素子。
7. 隣り合う配線間に前記空隙が形成されている両端の前記第１の配線は、前記空隙と隣接する上面端部に段差を有し、前記空隙とは反対側の上面端部は略直角な断面形状を有している、請求項６に記載の撮像素子。
8. 前記空隙は、前記複数の第１の配線を含む空隙形成領域に設けられている、請求項１に記載の撮像素子。
9. 前記空隙形成領域は、前記第１の配線上に前記第１の配線の並列方向の端部を有する、請求項８に記載の撮像素子。
10. 前記空隙形成領域は、前記複数の第１の配線の延伸方向に複数の領域に分かれて形成されている、請求項８に記載の撮像素子。
11. 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間に、前記複数の第１の配線と少なくとも一部が対向すると共に、前記複数の第１の配線とビアを介して電気的に接続された１または複数の第２の配線をさらに備え、
    前記空隙形成領域は、前記ビアを間に複数の領域に分かれて形成されている、請求項８に記載の撮像素子。
12. 第３の絶縁膜をさらに有し、
    前記第１の導電膜は、前記第３の絶縁膜に埋め込み形成され、前記第１の導電膜の表面は、前記第３の絶縁膜と同一平面を形成している、請求項１に記載の撮像素子。
13. 前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ），ＳｉＯＣ，ＳｉＯＦまたはＳｉＯＮを用いて形成されている、請求項１に記載の撮像素子。
14. 前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に、反りを矯正する第４の絶縁膜をさらに有する、請求項１２に記載の撮像素子。
15. 第１半導体基板に、光電変換を行うセンサ画素を有する第１基板と、
    第２半導体基板に、前記センサ画素から出力された電荷に基づく画素信号を出力する読み出し回路を有する第２基板と、
    第３半導体基板に、前記画素信号を処理するロジック回路および前記画素信号を保持するメモリ回路の少なくとも一方を有する第３基板とをさらに備え、
    前記第１基板、前記第２基板および前記第３基板はこの順に積層されている、請求項１に記載の撮像素子。
16. 更に、
    前記第２基板は、前記第３基板と面する側に、前記第１の導電膜が埋め込み形成された第３の絶縁膜を含む多層配線層を有し、
    前記第３基板は、前記第２基板と面する側に、前記第２基板と面する面と同一平面を形成する第２の導電膜を含む多層配線層を有し、
    前記第２基板および前記第３基板は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との接合によって、互いに電気的に接続されている、請求項１５に記載の撮像素子。
17. 誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて形成された第５の絶縁膜に一方向に延伸する複数の第１の配線を有する第１の配線層を埋め込み形成し、
    前記第１の配線層の所定の領域において、隣り合う前記複数の第１の配線の間に第１の開口を形成し、
    誘電率ｋが３．０以下の低誘電率材料を用いて第１の絶縁膜を成膜することにより、前記隣り合う前記複数の第１の配線の間に空隙を形成し、
    前記第１の絶縁膜よりも研磨レートの高い材料を用いて前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を成膜した後、前記第２の絶縁膜の表面を平坦化し、
    前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を間にして前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対する位置に第１の導電膜を形成する
    撮像素子の製造方法。
18. 前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜をさらに形成し、
    前記第３の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する第２の開口および前記第３の絶縁膜の一部を貫通する第３の開口を設けた後、前記第２の開口および前記第３の開口に前記第１の導電膜を埋設する、請求項１７に記載の撮像素子の製造方法。
19. 前記第２の絶縁膜を平坦化した後、
    前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する接続部を形成し、前記第１の配線層と前記第１の導電膜とを電気的に接続する、
    請求項１７に記載の撮像素子の製造方法。
20. 前記第１の絶縁膜を成膜した後、
    前記複数の第１の配線のいずれかに達する第４の開口を形成し、前記第２の絶縁膜を成膜する、請求項１７に記載の撮像素子の製造方法。
21. 前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜をさらに形成した後、
    ２段階エッチングにより前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記複数の第１の配線のいずれかに達する第５の開口を形成し、
    前記第５の開口の側面および底面を被覆する保護膜を形成した後、
    前記複数の第１の配線の少なくとも一部と正対すると共に、前記第５の開口を埋設する前記第１の導電膜を成膜する、請求項１７に記載の撮像素子の製造方法。

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