JP7518395B2 - 回路基板、発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、回路基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。

従来、実装した電子部品の放熱性を改良した回路基板が知られている。例えば、特許文献１には、金属製のベース板部と、ベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンと、ベース板部に設けられ、回路パターンに電気的に接続される電子部品が直接的に接合される電子部品搭載部と、を備えた回路基板が開示されている。また、例えば、特許文献２には、表面側に複数の凸部を有する金属板と、凸部に対応する部分に複数の第二開口を有する配線基板と、金属板と配線基板との間に介在し、熱硬化性樹脂の硬化物を含む絶縁層と、を含む配線基板積層体が開示されている。これらのような積層基板の製造においては、ポスト部を形成した銅板と、銅箔の回路パターンが形成された配線基板と、を貼り合わせて回路基板とする方法が用いられている。

特開２００８－９１８１４号公報 特開２０１７－５０５３９号公報

本開示は、ポスト部と配線基板の回路パターンとの接触を防止することができる回路基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。

本開示の実施形態に係る回路基板の製造方法は、上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を準備する工程と、前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように前記第１基板と前記第２基板とを加圧及び加熱して前記接着部材を用いて貼り合わせる工程と、を含み、平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、前記貼り合わせる工程において、前記ポスト部と前記第２基板との間に前記加圧及び加熱により溶融させた前記接着部材を配置する。

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、実施形態に開示される回路基板の製造方法で回路基板を製造する工程と、前記回路基板の前記ポスト部に発光部品を載置する工程と、を含む。

本開示の実施形態に係る回路基板は、上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を備え、前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように配置され、平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、前記ポスト部と前記第２基板との間に前記接着部材が配置される。

本開示の実施形態に係る発光装置は、実施形態に開示される回路基板と、前記回路基板の前記ポスト部に載置された発光部品と、を含む。

本開示に係る実施形態によれば、ポスト部と配線基板の回路パターンとの接触を防止することができる回路基板、発光装置及びそれらの製造方法を実現することができる。

実施形態に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。 図１Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。 開口部と基材露出部との関係を模式的に示す斜視図である。 図１ＡのＩＤ－ＩＤ線における模式断面図である。 実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。 図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、ポスト部を形成する前の平板の第１基板を模式的に示す平面図である。 図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、ポスト部を形成した第１基板を模式的に示す平面図である。 図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、両面銅貼積層板を模式的に示す平面図である。 図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、回路パターンを形成すると共に接着部材を配置した第２基板を模式的に示す平面図である。 図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、開口部を形成した第２基板を模式的に示す平面図である。 図８ＡのＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る回路基板の製造方法において、第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を模式的に示す平面図である。 図９ＡのＩＸＢ－ＩＸＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、レジストを形成した状態を模式的に示す平面図である。 図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき層を形成した状態を模式的に示す平面図である。 図１２ＡのＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線における模式断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、回路基板上に発光部品を載置した状態を模式的に示す平面図である。 図１３ＡのＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線における模式断面図である。 変形例１に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。 図１４Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。 図１４ＡのＸＩＶＣ－ＸＩＶＣ線における模式断面図である。 変形例１に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。 変形例２に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。 図１５Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。 図１５ＡのＸＶＣ－ＸＶＣ線における模式断面図である。 変形例２に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。 変形例３に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。 図１６Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。 図１６ＡのＸＶＩＣ－ＸＶＩＣ線における模式断面図である。 変形例３に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。 変形例４に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。 図１７Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。 図１７ＡのＸＶＩＩＣ－ＸＶＩＩＣ線における模式断面図である。 変形例４に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。 変形例５に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。 応用例に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。 応用例に係る発光装置の配線基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。 図１９ＢのＸＩＸＣ－ＸＩＸＣ線における模式断面図である。 発光部品の構成の一例を模式的に示す分解斜視図である。 発光部品のパッケージ内の構成を模式的に示す平面図である。 図２０ＢのＸＸＣ－ＸＸＣ線における模式断面図である。 発光部品の下面の構成を模式的に示す底面図である。

《実施形態》
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための回路基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。

［回路基板］
図１Ａは、実施形態に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。図１Ｃは、開口部と基材露出部との関係を模式的に示す斜視図である。図１Ｄは、図１ＡのＩＤ－ＩＤ線における模式断面図である。

回路基板１００は、上面側に凸状のポスト部１１が形成された第１基板１０と、第１面２１１側に一対の電極２２ａ、２２ｂを含む回路パターン２２を配置して、第１面２１１の反対側の第２面２１２側に接着部材２４ａを配置する基材２１を厚さ方向に貫通する開口部２５が形成された第２基板２０と、を備えている。そして、ポスト部１１の上面が開口部２５から露出し、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面と第２基板２０における基材２１の第２面２１２とが向かい合うように配置されている。また、平面視で、第２基板２０は、回路パターン２２よりも基材２１が開口部２５側に突出して露出する基材露出部２１５を有しており、ポスト部１１と第２基板２０との間に接着部材２４ｂが配置されている。

本実施形態では、回路基板１００は、基材２１の第２面２１２側に金属層２３が配置されており、金属層２３の基材２１側の面と反対側の面に接着部材２４ａが配置されており、基材露出部２１５が金属層２３から露出している。

第１基板１０は、平板部１２と、平板部１２から突出した凸状のポスト部１１とを有する。平板部１２とポスト部１１とは一体に形成されている。ポスト部１１の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成している。ただし、ポスト部１１の側面は、互いに向き合う側面において外側に向けて凸となる湾曲形状であってもよく、又は、傾斜する直線形状であっても、垂直線状であってもよい。ポスト部１１は基板をエッチング、又は、プレス等することにより形成される。平板部１２の厚みＴは、１ｍｍ以上３ｍｍ以下とすることが好ましい。平板部１２の厚みＴが１ｍｍ以上であれば、第１基板１０の強度を向上させることができる。一方、厚みＴが３ｍｍ以下であれば、第１基板１０を薄くすることができる。なお、ポスト部１１の形成の際に平板部１２の部位により厚みにわずかな違いが生じた場合、ここでの厚みＴとして、平板部１２の平均厚みとすることができる。ポスト部１１は、平面視で正方形に形成されているが、長方形や台形等の多角形、円形、楕円形であってもよく、その他の形状であってもよい。また、ポスト部１１の角部は直角に形成されているが、丸みを帯びていてもよい。

ポスト部１１を除く第１基板１０の上面、つまり、平板部１２の上面から、ポスト部１１の上面までの高さであるポスト部１１の高さＨ１が５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。ポスト部１１の高さＨ１が５０μｍ以上であれば、第１基板１０上に配置される第２基板２０の厚さを調整し易くなる。一方、高さＨ１が２００μｍ以下であれば、第１基板１０を薄くすることができる。またポスト部１１は低い程、加工が容易になり、高さＨ１のバラつきも小さくすることができる。なお、ポスト部１１の形成の際に平板部１２の部位により厚みにわずかな違いが生じた場合、ここでの高さＨ１として、平板部１２の上面からポスト部１１の上面までの平均高さとすることができる。

第１基板１０は、金属材料を用いた金属板であることが好ましい。第１基板１０を金属板とすることで、発光部品５０等から発生する熱を放出する放熱機能に優れたものとなる。第１基板１０の金属材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。特に、第１基板１０は、放熱性及び経済性の観点から、Ｃｕを用いた銅板であることが好ましい。例えば、第１基板１０は銅を９０質量％以上含む材質であることが好ましい。より好ましくは、銅を９５質量％以上含む材質であり、更に好ましくは、銅を９９質量％以上含む材質である。

第２基板２０は、基材２１と、基材２１の第１面２１１に配置される回路パターン２２と、基材２１の第２面２１２に配置される金属層２３と、基材２１の第２面２１２側に配置される接着部材２４ａと、を有する。ここで第２基板２０は片面配線構造で示しているが、より複雑な回路形成が設計的に必要な場合は多層基板を用いても差し支えない。
なお、図１Ｄで示すように、ポスト部１１と隣接する部分となる接着部材２４ｂ及び基材露出部２１５における基材２１の第１面２１１に配置される接着部材２４ｂは、予め基材２１の第２面２１２側に配置している接着部材２４ａが溶融して設置される部分となる。そのため、本実施形態の第２基板２０を構成する接着部材は、基材２１の第２面２１２側に配置される接着部材２４ａとし、ポスト部１１と第２基板２０との間に配置される接着部材２４ｂは第２基板２０に含めないものとする。すなわち、接着部材２４ａは、金属層２３の第２面２３２に配置される接着部材２４ａと、基材露出部２１５における基材２１の第２面２１２に配置される接着部材２４ａは、第２基板２０を構成する接着部材である（図１Ｄ、図８Ｂ参照）。つまり、図１Ｄにおける破線Ａの基材２１側の接着部材が第２基板２０を構成する接着部材２４ａである。なお、ポスト部１１と第２基板２０との間とは、ポスト部１１と回路パターン２２との間、ポスト部１１と基材２１との間、及び、ポスト部１１と接着部材２４ａとの間である。

基材２１は絶縁性であり、例えば、フィルム状のポリイミドを用いることができる。基材２１の厚みは、１２μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。基材２１の厚みが１２μｍ以上であれば、基材２１の強度を向上させることができる。一方、厚みが５０μｍ以下であれば、第２基板２０を薄くすることができる。基材２１の厚みは、ポスト部１１の高さＨ１に対応して適宜調整できることは勿論である。なお、基材２１としては、１枚もしくは複数枚のガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁樹脂を含浸させ、この熱硬化性絶縁樹脂を硬化させたガラスエポキシや、液晶ポリマー等を用いてもよい。基材２１がガラスエポキシである場合、厚さは、ポスト部１１の高さに対応して、例えば５０μｍ以上１８０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。

回路パターン２２は、後記するように金属層の一部を除去して形成された層であり、第１電極２２ａと第２電極２２ｂと、からなる一対の電極を含む。第１電極２２ａ及び第２電極２２ｂは、その幅を、一例として、開口部２５の幅よりも狭くポスト部１１とほぼ同じ幅寸法になるように設置されている。
回路パターン２２は、金属材料を用いることができ、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を好適に用いることができる。特に、回路パターン２２は、導電性及び経済性の観点から、Ｃｕを用いた銅箔であることが好ましい。例えば、回路パターン２２は銅を９０質量％以上含む材質であることが好ましい。より好ましくは、銅を９５質量％以上含む材質であり、更に好ましくは、銅を９９質量％以上含む材質である。

回路パターン２２の厚みは、１２μｍ以上７０μｍ以下とすることが好ましい。回路パターン２２の厚みが１２μｍ以上であれば、回路パターン２２を形成し易くなる。一方、厚みが７０μｍ以下であれば、第２基板２０を薄くすることができる。また、回路パターン２２の第１電極２２ａと、第２電極２２ｂとは、同じ厚みを有することが好ましい。このような構成であれば、第１電極２２ａ及び第２電極２２ｂを形成し易くしたり、発光部品５０を載置し易くしたりすることができる。

接着部材２４は、第１基板１０と第２基板２０とを接着する絶縁性の部材である。接着部材２４は、基材２１の第２面２１２側に配置される接着部材２４ａと、ポスト部１１と第２基板２０との間に配置される接着部材２４ｂと、を含む。接着部材２４ａは、基材露出部２１５における基材２１の第２面２１２及び金属層２３の第２面２３２に配置されている。第１基板１０の平板部１２と金属層２３との間の接着部材２４ａの厚みは、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。接着部材２４ａの厚みが２０μｍ以上であれば、接着強度を向上させることができる。一方、厚みが１００μｍ以下であれば、第２基板２０を薄くすることができる。また、同時に金属層２３をボイドなく接着部材２４に埋め込むことができる。

接着部材２４としては、例えば、耐熱性の樹脂シート、ＵＶ硬化シート等を用いることができる。ただし、後記するように、回路基板１００の製造工程において、接着部材２４ａを溶融させてポスト部１１と第２基板２０との間に接着部材２４ｂを配置するため、硬化前に、加圧及び加熱により十分な流動性を有する材料のものを用いる。接着部材２４の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、接着部材２４の弾性率は１ＧＰａ以下が好ましく、５００ＭＰａ以下がより好ましい。このような低弾性率の接着部材２４を用いることで、第１基板１０と第２基板２０の線膨張係数差による応力を低減させ冷熱サイクル特性等の信頼性を向上させることができる。

金属層２３は、基材２１と接着部材２４ａとの間に配置されており、基材露出部２１５が金属層２３から露出している。金属層２３は、第１面２３１と、第１面２３１と反対側の面である第２面２３２とを有し、第１面２３１が基材２１の第２面２１２に対向し、第２面２３２に接着部材２４ａが配置されている。回路基板１００は、第２基板２０が金属層２３を有することで、放熱性を向上させることができる。金属層２３の材質としては、例えば、回路パターン２２で例示したものを用いることができる。

回路基板１００は、ポスト部１１の上面と、ポスト部１１と第２基板２０との間に配置された接着部材２４ｂの上面と、回路パターン２２の上面と、が同一平面であってもよい。ポスト部１１の上面と、接着部材２４ｂの上面と、回路パターン２２の上面と、が同一平面でない場合、発光装置２００を製造する際に、レジスト３０の一部が薄くなったり、レジスト３０の形成時にボイドが発生したりすることがある。これにより、レジスト３０の厚みが不均一になる等の懸念が生じる。しかしながら、ポスト部１１の上面と、接着部材２４ｂの上面と、回路パターン２２の上面と、が同一平面であることで、レジスト３０の形成時に、ボイドの発生を防ぎ、均一な膜厚でレジスト３０を形成することができる。そのため、発光装置２００を製造する際に、回路基板１００に発光部品５０を載置し易くなる。
なお、「同一平面である」とは、各部材の上面がプラスマイナス１０％の範囲内において略同一平面の部位に位置することを意味し、各部材の上面が離間していることも含むものである。

図１Ｂ、図１Ｃに示すように、第２基板２０は、ポスト部１１を露出させる開口部２５を有する。なお、本実施形態の開口部２５は、接着部材２４ａを貫通する部位も含むものである（図８Ｂ参照）。回路基板１００は、ポスト部１１の側面と開口部２５の内側面との間（隙間１５）に接着部材２４ｂが配置されているが、ここでは、便宜上、接着部材２４ｂを取り除いた状態を例にとって説明する。
開口部２５は、ポスト部１１全体が収納される大きさに形成されている。ポスト部１１の側面と開口部２５の内側面とは、隙間１５を有することが好ましい。なお、隙間１５とは、ポスト部１１と基材２１との間、及び、ポスト部１１と接着部材２４ａとの間であり、隙間１５には接着部材２４ｂが配置されている。隙間１５を有することで、ポスト部１１を開口部２５に挿入し易くなる。回路基板１００は、このような隙間１５を有するため、平面視において、開口部２５の開口は、ポスト部１１よりも大きく形成されている。開口部２５の平面視形状は、ポスト部１１の形状に合わせて、適宜決定すればよい。本実施形態では、ポスト部１１の形状に合わせて、正方形に形成されている。平面視で、ポスト部１１の上面の形状と開口部２５の形状が相似の形状であることが好ましい。開口部２５の面積は、ポスト部１１の上面の面積の１．０５倍以上２倍以下が好ましく、１．１倍以上１．８倍以下が更に好ましい。

第２基板２０は、回路パターン２２から基材２１が露出した基材露出部２１５を有する。基材露出部２１５は、金属層２３からも露出している。本実施形態では、基材露出部２１５は、一対の電極２２ａ、２２ｂの開口部２５側の位置に形成され、開口部２５側に突出している。なお、基材露出部２１５とは、平面視で、一対の電極２２ａ、２２ｂが対向する位置において回路パターン２２から基材２１が露出した部位である。第２基板２０が基材露出部２１５を有することで、ポスト部１１の側面と開口部２５の内側面との隙間１５が狭い場合でも、ポスト部１１と回路パターン２２との接触を防止することができる。これにより、設計の自由度を向上させることができ、回路基板１００を所望の設計とし易くなる。仮に、第２基板２０の側面がポスト部１１の側面に接触したとしても、回路パターン２２から露出した絶縁体の基材露出部２１５側の端部がポスト部１１の側面に接触するため、回路パターン２２がポスト部１１の側面に接触することがない。これにより、回路基板１００の短絡を防止することができる。ここで、金属層２３は回路パターン２２に対し平面視で同一の位置に形成されているが、金属層２３はポスト部１１の側面からの距離を回路パターン２２に比較し１００μｍ以上離間させることができる。金属層２３とポスト部１１との距離を離すことで接触の可能性を下げ、絶縁耐圧特性等の品質を安定させることができる。

基材露出部２１５の幅Ｗは、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。基材露出部２１５の幅Ｗが５０μｍ以上であれば、ポスト部１１と回路パターン２２との接触を防止する効果をより確実に得ることができる。一方、幅Ｗが２００μｍ以下であれば、回路パターン２２を形成する領域を増やすことができ、所望の回路パターン２２を形成し易くなる。なお、基材露出部２１５の幅Ｗとは、回路パターン２２の端部から露出する最短の長さとする。

ポスト部１１の側面と、ポスト部１１の側面に対向する基材２１の側面との距離Ｄは、５０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。ポスト部１１の側面と基材２１の側面との距離Ｄが５０μｍ以上であれば、ポスト部１１を開口部２５により挿入し易くなる。一方、距離Ｄが３００μｍ以下であれば、隙間１５をより小さくすることができるため、発光装置２００を製造する際に、隙間１５に異物が混入することをより抑制することができる。これにより、ポスト部１１をより保護し易くなる。なお、ポスト部１１の側面は湾曲しているため、ここでの距離Ｄは、基材２１の開口部２５側の側面と、基材２１の側面に対向する部位のポスト部１１の側面との最短距離としている。

回路基板１００は、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面の全て、すなわち平板部１２の上面の全てと、第２基板２０における基材２１の第２面２１２とが向かい合うように配置されている。ただし、平板部１２の上面の一部と、第２基板２０における基材２１の第２面２１２とが向かい合うように配置されていてもよい。すなわち、平板部１２の上面に第２基板２０が配置されていない部位があってもよい。

回路基板１００は、ポスト部１１を中央電極とし、第１電極２２ａ、第２電極２２ｂと共に３つの電極を備えるものとし、例えば、３端子構造の発光部品を実装する回路基板として用いることもできる。なお、回路基板１００は、図示する制約上、ポスト部１１を一か所とし、開口部２５を一か所として記載しているが、その数は、複数存在していてもよいことは勿論である。

［発光装置］
次に、発光装置について説明する。
図２Ａは、実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における模式断面図である。

発光装置２００は、前記した回路基板１００と、回路基板１００のポスト部１１に載置された発光部品５０と、を含む。
発光装置２００は、少なくとも、回路基板１００と、レジスト３０と、めっき層４０と、発光部品５０と、を備えていることが好ましい。
回路基板１００は前記説明した通りである。

レジスト３０は絶縁性であり、例えばソルダーレジストである。レジスト３０は、例えば、回路基板１００上において、めっき層４０を形成する部位以外の部位に設けられている。また、レジスト３０は、例えば、ポスト部１１の上面の外周の端部と、回路パターン２２の上面の開口部２５側の端部と、を覆うように設けられている。レジスト３０としては、例えば、エポキシ等の共重合樹脂に溶剤や消泡剤等を混合した一般的なものや、酸化チタン等のフィラーを添加して白色化したものを用いることができる。一方で製品設計上、反射を抑えたい場合はカーボン等を添加した黒色の材料を用いることができる。
めっき層４０は、例えば、レジスト３０が設けられた部位以外の、ポスト部１１上及び回路パターン２２上に設けられている。めっき層４０としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ又は、これらの一種を含む合金を用いることができる。めっき層４０がこれらの材料であれば、発光部品５０から回路基板１００側に出射される光の反射率をより高めることができる。

発光部品５０は、レジスト３０及びめっき層４０を介して、回路基板１００のポスト部１１上、回路パターン２２上、及び、それらの周囲に載置されて設けられている。発光部品５０は、例えば、半田ペースト等の接着部材により回路基板１００上に接着されている。
発光部品５０としては、例えば、基板やパッケージ等に公知の発光素子を載置した発光部品を用いることができる。発光素子としては、例えば、半導体レーザ素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。また、発光部品５０は、公知の発光素子自体であってもよい。すなわち、発光装置２００は、少なくとも発光素子を含む発光部品を回路基板１００に載置したものの他、発光素子を回路基板１００に直接載置したものであってもよい。また、発光部品５０は、回路基板１００に複数のポスト部１１を配置し、複数の発光部品５０がポスト部１１に接続される構成としても構わない。

［回路基板の製造方法］
次に、実施形態に係る回路基板の製造方法の一例について説明する。
図３は、実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。図４Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、ポスト部を形成する前の平板の第１基板を模式的に示す平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における模式断面図である。図５Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、ポスト部を形成した第１基板を模式的に示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における模式断面図である。図６Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、両面銅貼積層板を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。図７Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、回路パターンを形成すると共に接着部材を配置した第２基板を模式的に示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における模式断面図である。図８Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、開口部を形成した第２基板を模式的に示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線における模式断面図である。図９Ａは、実施形態に係る回路基板の製造方法において、第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ－ＩＸＢ線における模式断面図である。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板が同時に製造される。

回路基板１００の製造方法は、上面側に凸状のポスト部１１が形成された第１基板１０と、第１面２１１側に一対の電極２２ａ、２２ｂを含む回路パターン２２を配置して、第１面２１１の反対側の第２面２１２側に接着部材２４ａを配置する基材２１を厚さ方向に貫通する開口部２５が形成された第２基板２０と、を準備する工程と、ポスト部１１の上面が開口部２５から露出し、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面と第２基板２０における基材２１の第２面２１２とが向かい合うように第１基板１０と第２基板２０とを加圧及び加熱して接着部材２４を用いて貼り合わせる工程と、を含む。そして、平面視で、第２基板２０は、回路パターン２２よりも基材２１が開口部２５側に突出して露出する基材露出部２１５を有し、貼り合わせる工程において、ポスト部１１と第２基板２０との間に加圧及び加熱により溶融させた接着部材２４ｂを配置する。

具体的には、回路基板１００の製造方法は、基板準備工程Ｓ１０１と、貼り合わせ工程Ｓ１０２と、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した回路基板１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。

（基板準備工程）
基板準備工程Ｓ１０１は、第１基板１０と、第２基板２０と、を準備する工程である。
基板準備工程Ｓ１０１では、第１基板１０の準備として、例えば、まず、銅板をエッチング又はプレスしてポスト部１１を形成した第１基板１０を製造する。

また、基板準備工程Ｓ１０１では、第２基板２０の準備として、例えば、まず、基材２１と、基材２１の第１面２１１に金属層１２２（第１金属層）である銅箔が貼り付き、基材２１の第２面２１２に金属層２３（第２金属層）である銅箔が貼り付いた市販の両面銅貼積層板２を用意する。或いは、基材２１の第１面２１１に金属層１２２が設けられた面銅貼積層板における基材２１の第２面２１２に金属層２３を接合してもよい。なお、市販の両面銅貼積層板或いは市販の片面銅貼積層板を用いずに、基材２１の第１面２１１に銅箔等の金属層１２２を接合し、基材２１の第２面２１２に銅箔等の金属層２３を接合してもよい。次に、開口部２５を形成した後に基材露出部２１５が形成されるように、金属層１２２の一部をエッチング等により除去して回路パターン２２を形成する。また、基材露出部２１５が金属層２３から露出するように金属層２３の一部をエッチング等により除去する。次に、露出した基材２１の第２面２１２及び金属層２３の第２面２３２に接着部材２４ａを設けて接着部材付基板２８とする。次に、接着部材付基板２８の所望の位置に穴開け加工を施し、開口部２５を形成して第２基板２０とする。この際、回路パターン２２から露出した基材露出部２１５を形成するように、開口部２５の位置や大きさを調整する。

なお、基板準備工程Ｓ１０１においては、前記した回路基板１００で説明した好ましい形態の第１基板及び第２基板を準備することが好ましい。例えば、基材露出部２１５の幅Ｗ、ポスト部１１の側面と基材２１の側面との距離Ｄ、平面視におけるポスト部１１の上面の形状と開口部２５の形状等について、前記した回路基板１００で説明した形態となるように第１基板及び第２基板を準備することが好ましい。

（貼り合わせ工程）
貼り合わせ工程Ｓ１０２は、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる工程である。
貼り合わせ工程Ｓ１０２では、例えば、まず、第１基板１０のポスト部１１の上面が開口部２５から露出するように、第１基板１０の上面と第２基板２０における基材２１の第２面２１２とが接着部材２４ａを介して向かい合うように配置する。次に、第１基板１０に対し第２基板２０を熱プレスすることで接着部材２４ａを加熱及び加圧し、接着部材２４ａを流動させてポスト部１１と第２基板２０との間に接着部材２４ｂを配置させる。接着部材２４ａの流動によるポスト部１１と第２基板２０との間への接着部材２４ｂの配置は、接着部材２４ａの溶剤添加量、加圧及び加熱の条件等により制御することができる。溶剤の量は、接着部材１００質量部に対し、１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。溶剤としては、例えば、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤等を用いることができる。加圧の際の圧力は、例えば１ＭＰａ以上６ＭＰａ以下が好ましい。加熱温度は、例えば１５０℃以上２００℃以下が好ましい。その後、接着部材２４を硬化させる。ここで、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる際、真空容器内で処理することが好ましい。これにより、第１基板１０と第２基板２０間の気泡の発生を抑制し、密着性を安定させることができる。また、第１基板１０と第２基板２０の密着性を上げるため、第１基板１０の表面を更に過酸化水素等でエッチング、或いはウェットブラスト等で粗化処理を行ってもよい。

貼り合わせ工程Ｓ１０２において、ポスト部１１の上面と、ポスト部１１と第２基板２０との間に配置された接着部材２４ｂの上面と、回路パターン２２の上面と、が同一平面となるように、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせてもよい。同一平面とするには、例えば、第１基板１０の平板部１２の厚みやポスト部１１の高さ、第２基板２０の基材２１の厚み、回路パターン２２の厚み、金属層２３の厚み、接着部材２４ａの厚み等を調整すると共に、加熱及び加圧の条件を調整すればよい。また、ＳＵＳ板等をポスト部１１の上面に配置しポスト部１１と第２基板２０の高さを均一にすることもできる。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板１００が同時に製造されるが、回路基板１００毎に個片化してもよいし、回路基板１００の集合体のまま、後記する発光装置２００の製造方法に移行してもよい。更に、ポスト部１１と回路パターン２２の表面に接着部材２４ｂが染み出さないように、熱プレス時に離型性のあるフィルム材で覆うことが好ましい。フィルム材としてはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド、フッ素樹脂など耐熱性のある材料を用いることができる。離型材としてはシリコーン等の一般的な離型処理剤を用いることができる。また、貼り合わせ工程を終了した後に、ポスト部１１を接着部材２４ｂが覆うことが無く、ポスト部１１の上面が必ず露出している状態となるように、除去工程を行ってもよい。

このように製造された回路基板１００では、従来の技術と比較すると以下のような優位な作用効果を有する。例えば、従来の技術のように、開口部側における配線基板の基材の端部に回路パターンが設けられていると、銅板と配線基板とを貼り合わせる際に、ポスト部と回路パターンとが接触する場合がある。そのため、回路基板が短絡する恐れが生じる。これに対し、本実施形態に係る回路基板の製造方法は、第２基板２０が基材露出部２１５を有するため、ポスト部１１の側面と開口部２５の内側面との隙間１５が狭い場合でも、ポスト部１１と回路パターン２２との接触を防止することができる。これにより、設計の自由度を向上させることができ、回路基板１００を所望の設計とし易くなる。仮に、第２基板２０の側面がポスト部１１の側面に接触したとしても、回路パターン２２から露出した基材露出部２１５側の端部がポスト部１１の側面に接触するため、回路パターン２２がポスト部１１の側面に接触することがない。これにより、回路基板１００の短絡を防止することができる。

［発光装置の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図１０は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図１１Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、レジストを形成した状態を模式的に示す平面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線における模式断面図である。図１２Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき層を形成した状態を模式的に示す平面図である。図１２Ｂは、図１２ＡのＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線における模式断面図である。図１３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、回路基板上に発光部品を載置した状態を模式的に示す平面図である。図１３Ｂは、図１３ＡのＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線における模式断面図である。

発光装置の製造方法は、前記した回路基板の製造方法で回路基板１００を製造する工程と、回路基板１００のポスト部１１に発光部品５０を載置する工程と、を含む。

具体的には、発光装置の製造方法は、回路基板製造工程Ｓ１１と、レジスト形成工程Ｓ１２と、めっき層形成工程Ｓ１３と、発光部品載置工程Ｓ１４と、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置２００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。

（回路基板製造工程）
回路基板製造工程Ｓ１１は、前記した回路基板の製造方法で回路基板１００を製造する工程である。
回路基板製造工程Ｓ１１では、前記した基板準備工程Ｓ１０１及び貼り合わせ工程Ｓ１０２を行うことで回路基板１００を製造する。

（レジスト形成工程）
レジスト形成工程Ｓ１２は、回路基板１００の上面にレジスト３０を形成する工程である。レジスト３０の形成は、例えば、スクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷法で行うことができる。また、より精度が必要な場合は光感光性のレジスト材を用いて露光並びに現像する工程で形成することができる。

（めっき層形成工程）
めっき層形成工程Ｓ１３は、回路基板１００の上面にめっき層４０を形成する工程である。めっき層４０の形成は、通常は無電解のＮｉ、Ａｕめっきを行うが無電解のＮｉ、Ｐｄ、Ａｕめっきや電解Ｎｉ、Ａｕめっきを行うこともできる。

（発光部品載置工程）
発光部品載置工程Ｓ１４は、回路基板１００上に発光部品５０を載置する工程である。
発光部品載置工程Ｓ１４では、例えば、半田ペースト等の接着部材を用いて、レジスト３０及びめっき層４０を介して、回路基板１００のポスト部１１上、回路パターン２２上、及び、それらの周囲に発光部品５０を載置する。

このようにして、発光装置２００の集合体が製造される。そして、この集合体を発光装置２００毎に個片化することにより、複数の発光装置２００が得られる。

以上、発明を実施するための形態をより具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれる。
以下、変形例及び応用例について説明する。なお、各部材の材質や配置等については、実施形態の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。また、ここでは、実施形態と主に異なる部分について説明する。

《変形例》
［変形例１］
図１４Ａは、変形例１に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。図１４Ｂは、図１４Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。図１４Ｃは、図１４ＡのＸＩＶＣ－ＸＩＶＣ線における模式断面図である。図１４Ｄは、変形例１に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。

回路基板１００Ａ及び発光装置２００Ａは、第２基板２０Ａの基材露出部２１５が、平面視で、開口部２５側にポスト部１１の周囲を取り囲むように形成されている。
具体的には、平面視で、開口部２５が四角形であり、四角形の第１の辺２５１と、この第１の辺２５１に直交する第２の辺２５２と、に沿うように、第１電極２２ａが形成されている。また、第１の辺２５１に対向する第３の辺２５３と、この第３の辺２５３に直交し第２の辺２５２に対向する第４の辺２５４と、に沿うように、第２電極２２ｂが形成されている。そして、第２基板２０Ａは、開口部２５側の基材２１が回路パターン２２から露出し、開口部２５の周囲に基材露出部２１５を有する。更に、基材露出部２１５は、平面視で、四角形の第１の辺２５１に沿うと共に、第４の辺２５４側の第２基板２０Ａの端部まで伸びるように配置されている。また、基材露出部２１５は、平面視で、四角形の第３の辺２５３に沿うと共に、第２の辺２５２側の第２基板２０Ａの端部まで伸びるように配置されている。これにより、第１電極２２ａと第２電極２２ｂとを区画している。そして、接着部材２４は、平面視で、ポスト部１１の周囲を取り囲む基材露出部２１５を好ましくは８０％以上、より好ましくは９５％以上覆うように配置されている。

このような構成であれば、接着部材２４の流動が大きくてもポスト部１１の周囲の回路パターン２２で塞き止められるため、回路パターン２２の表面に接着部材２４が流出することを防止することができる。そのため、回路基板１００Ａの表面が接着部材２４で汚れることを防止することができる。
このような形態とするには、基板準備工程において第２基板２０Ａを準備すればよい。

［変形例２］
図１５Ａは、変形例２に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＡのＸＶＣ－ＸＶＣ線における模式断面図である。図１５Ｄは、変形例２に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。

回路基板１００Ｂ及び発光装置２００Ｂは、平面視で、第２基板２０Ｂの開口部２５が略四角形であり、開口部２５が、略四角形の四隅に開口部２５の開口領域２５Ｒを部分的に外側に広げる開口延長領域２５ＲＥ１を有し、開口延長領域２５ＲＥ１が円弧状に形成されている。そして、接着部材２４は、平面視で、ポスト部１１の周囲を取り囲むように配置されていると共に開口延長領域２５ＲＥ１に配置されている。

ここで、略四角形とは、四角形に近似した形状を意味し、変形例２では、略四角形の四隅を直角とした場合に四角形となることを意味する。変形例２では、四隅が直角とならず、円弧状の開口延長領域２５ＲＥ１を有するため、開口部２５が、四隅において円弧状に形成される。

このような構成であれば、接着部材２４が開口延長領域２５ＲＥ１を介して開口部２５内に流動し易くなり、接着部材２４が開口部２５内に配置され易くなる。例えば、第１基板１０と第２基板２０Ｂとを貼り合わせる際に多少の位置ズレが生じた場合でも、接着部材２４が開口延長領域２５ＲＥ１を介して開口部２５内に配置され易くなる。
このような形態とするには、基板準備工程において第２基板２０Ｂを準備すればよい。

［変形例３］
図１６Ａは、変形例３に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。図１６Ｂは、図１６Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。図１６Ｃは、図１６ＡのＸＶＩＣ－ＸＶＩＣ線における模式断面図である。図１６Ｄは、変形例３に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。

回路基板１００Ｃ及び発光装置２００Ｃは、平面視で、第２基板２０Ｃの開口部２５が略四角形であり、略四角形の一対の辺に対向する位置に一対の電極２２ａ、２２ｂが配置されている。そして、略四角形の一対の各辺に開口部２５の開口領域２５Ｒを部分的に一対の電極２２ａ、２２ｂの各方向に広げる開口延長領域２５ＲＥ２を有している。そして、開口延長領域２５ＲＥ２が略四角形状に形成されている。第２基板２０Ｃは、開口延長領域２５ＲＥ２を有するため、開口延長領域２５ＲＥ２と回路パターン２２との間の基材露出部２１５の幅Ｗは、開口延長領域２５ＲＥ２を有さない部位に比べて小さくなっている。また、開口延長領域２５ＲＥ２の部位において、ポスト部１１の側面と、ポスト部１１の側面に対向する基材２１の側面との距離Ｄは、開口延長領域２５ＲＥ２を有さない部位に比べて長くなっている。そして、接着部材２４は、平面視で、ポスト部１１の周囲を取り囲むように配置されている。

開口部２５が略四角形とは、四角形に近似した形状を意味し、変形例３では、開口延長領域２５ＲＥ２を有さない場合に四角形となることを意味する。変形例３では、一対の電極２２ａ、２２ｂに対向する辺が直線とならず、開口領域２５Ｒを部分的に広げる開口延長領域２５ＲＥ２を有するため、開口部２５が、対向する一方の開口辺で、平面視において凹凸状態に形成される。

開口延長領域２５ＲＥ２が略四角形とは、例えば、上辺及び下辺の一方又は両方が直線状ではなく曲線状である形態も含むものである。更に、左辺及び右辺の一方又は両方が直線状ではなく曲線状である形態も含むものである。また、四角形の四隅の一つ以上が鋭角又は鈍角とならず、円弧状である形態も含むものである。なお、開口延長領域２５ＲＥ２が四角形とは、開口延長領域２５ＲＥ２と、開口領域２５Ｒと、の境界に直線を引いた場合に四角形となることを意味する。変形例３では、四角形は長方形である。ただし、開口延長領域２５ＲＥ２は長方形に限られず、例えば、正方形、台形、三角形、円弧形、その他の形状であってもよい。

このような構成であれば、接着部材２４が開口延長領域２５ＲＥ２を介して開口部２５内に流動し易くなり、接着部材２４が開口部２５内に配置され易くなる。例えば、第１基板１０と第２基板２０Ｃとを貼り合わせる際に多少の位置ズレが生じた場合でも、接着部材２４が開口延長領域２５ＲＥ２を介して開口部２５内に配置され易くなる。
このような形態とするには、基板準備工程において第２基板２０Ｃを準備すればよい。

［変形例４］
図１７Ａは、変形例４に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。図１７Ｂは、図１７Ａにおいて、接着部材を取り除いて示す平面図である。図１７Ｃは、図１７ＡのＸＶＩＩＣ－ＸＶＩＩＣ線における模式断面図である。図１７Ｄは、変形例４に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。

回路基板及び発光装置は、平面視で、ポスト部の上面の面積が、一対の電極の各々の上面の面積よりも広く、断面視で、ポスト部の上面の高さが、回路パターンの上面と同じ、又は、回路パターンの上面よりも高い形態であってもよい。ここでは、一例として、ポスト部の上面の高さが、回路パターンの上面よりも高い形態について説明する。

回路基板１００Ｄ及び発光装置２００Ｄは、平面視で、第１基板１０Ａのポスト部１１の上面の面積が、第１電極２２ａの上面の面積よりも広く、かつ、第２電極２２ｂの上面の面積よりも広い。また、回路基板１００Ｄ及び発光装置２００Ｄは、断面視で、第１基板１０Ａのポスト部１１の上面の高さが、回路パターン２２の上面よりも高い。

このような構成であれば、発光部品５０がＺθ方向へ回転することが抑制され、発光部品５０におけるＺθ方向の安定化を図ることができる。これにより、発光部品５０におけるＺθ方向への位置ずれをより抑制することができる。なお、Ｚθ方向とは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が形成する面において、任意の位置のＺ軸を回転中心軸とする仮想円の円周方向を意味する。

ポスト部１１の上面の面積は、第１電極２２ａの上面の面積を１としたときに、５倍以上であることが好ましく、１０倍以上であることがより好ましい。上限については、例えば、１５倍以下であることが好ましい。同様に、ポスト部１１の上面の面積は、第２電極２２ｂの上面の面積を１としたときに、５倍以上であることが好ましく、１０倍以上であることがより好ましい。上限については、例えば、１５倍以下であることが好ましい。
一対の電極２２ａ、２２ｂの上面の各々の面積を１としたときに、ポスト部１１の上面の面積が５倍以上であれば、発光部品５０におけるＺθ方向の安定化をより図り易くなる。また、１０倍以上であれば、Ｚθ方向の安定化を更に図り易くなる。一方、１５倍以下とすることで、回路基板１００Ｄに発光部品５０を載置し易くなる。
なお、ここでは、図１７Ａ、図１７Ｂは、図１Ａ、図１Ｂと同様の平面図としているが、ポスト部１１の上面の面積と一対の電極２２ａ、２２ｂの上面の各々の面積との比及び平面視形状は、所望の形態に合わせて適宜調整すればよい。

回路パターン２２の上面からポスト部１１の上面までの高さＨ２は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。回路パターン２２の上面からポスト部１１の上面までの高さＨ２が５μｍ以上であれば、発光部品５０におけるＺθ方向の安定化をより図り易くなる。一方、回路パターン２２の上面からポスト部１１の上面までの高さＨ２が５０μｍ以下であれば、レジスト３０及びめっき層４０を形成し易く、回路基板１００Ｄに発光部品５０を載置し易くなる。また、３０μｍ以下であれば、レジスト３０及びめっき層４０をより形成し易く、回路基板１００Ｄに発光部品５０をより載置し易くなる。
なお、レジスト３０の形成時にボイドの発生を防ぐ観点からは、回路パターン２２の上面からポスト部１１の上面までの高さＨ２は０μｍ、すなわち、ポスト部１１の上面の高さを、回路パターン２２の上面と同じとしてもよい。
ポスト部１１の高さＨ１は、例えば、１００μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
このような形態とするには、基板準備工程において第１基板１０Ａ及び第２基板２０Ｄを準備すればよい。

［変形例５］
図１８は、変形例５に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
回路基板１００Ｅ及び発光装置２００Ｅは、第２基板２０Ｅが、基材２１の第２面２１２に金属層を有さずに、基材２１の第１面２１１に回路パターン２２が配置され、基材２１の第２面２１２に接着部材２４ａが配置されている。
このような構成であれば、回路基板１００Ｅ及び発光装置２００Ｅの厚みを薄くすることができる。
回路基板１００Ｅ及び発光装置２００Ｅの製造は、基板準備工程において、例えば、基材２１の第１面２１１に金属層１２２である銅箔が設けられた市販の片面銅貼積層板を用いることで行うことができる。なお、市販の片面銅貼積層板を用いずに、基材２１の第１面２１１に銅箔等の金属層１２２を接合してもよい。

その他、例えば、めっき層は、一部にのみ設けたものであってもよく、設けないものであってもよい。めっき層を設けない部位は、第１基板、回路パターンが露出したものであってもよい。また、後記するように、ポスト部の上面に長尺状のレジストを有するものであってもよい。また、第２基板は、基材の第２面側に接着部材を備えるものとしたが、接着部材を備えないものを第２基板とし、第１基板と貼り合わせる際に別途準備した接着部材を用いるものであってもよい。

また、回路基板及び発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、或いは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。

《応用例》
次に、回路基板及び発光装置について、半導体レーザ素子を用いた場合の応用例の一例について説明する。なお、ここでは、応用例の一例として、回路基板及び発光装置の形態を前記した実施形態とはわずかに異なるものとしている。このように、実施形態の回路基板及び発光装置は、種々の形態に応用することができる。

図１９Ａは、応用例に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。図１９Ｂは、応用例に係る発光装置の配線基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。図１９Ｃは、図１９ＢのＸＩＸＣ－ＸＩＸＣ線における模式断面図である。図２０Ａは、発光部品の構成の一例を模式的に示す分解斜視図である。図２０Ｂは、発光部品のパッケージ内の構成を模式的に示す平面図である。図２０Ｃは、図２０ＢのＸＸＣ－ＸＸＣ線における模式断面図である。図２０Ｄは、発光部品の下面の構成を模式的に示す底面図である。

発光装置２００Ｆは、少なくとも、配線基板１１０と、発光部品５０Ａと、サーミスタ１５０と、を備えている。
配線基板１１０は、上面に、少なくとも、レジスト３０と、めっき層４０と、を備えている。めっき層４０は、めっき層４１と、めっき層４２ａ，４２ｂと、めっき層４３ａ，４３ｂと、めっき層４４ａ，４４ｂと、めっき層４５ａ，４５ｂと、を含む。また、配線基板１１０は、レジスト３０及びめっき層４０の下に、一対の電極２２ａ、２２ｂを含む回路パターン２２を備えている。

めっき層４１は、発光部品５０Ａが載置される中央領域のめっき層である。めっき層４２ａは、発光部品５０Ａが載置される前側領域のめっき層である。めっき層４２ｂは、発光部品５０Ａが載置される後側領域のめっき層である。めっき層４３ａ，４３ｂは、サーミスタ１５０が載置される領域のめっき層である。めっき層４４ａ，４４ｂは、サーミスタ検査端子用の所定領域のめっき層である。めっき層４５ａ，４５ｂは、レーザ素子検査端子用の所定領域のめっき層である。

めっき層４１及びめっき層４２ａ，４２ｂは、発光部品５０Ａが載置される部位である。めっき層４３ａ，４３ｂは、サーミスタ１５０が載置される部位である。めっき層４１の部位には、平面視で、長方形に形成された領域において、複数の長尺状のレジスト３０が長方形の周辺から中央に向かって延伸して配置されている。めっき層４１は、長方形に形成された領域のうち、レジスト３０が配置されていない部位である。発光装置は、ポスト部に発光部品を載置した際に、ポスト部と発光部品との間に気泡が残る場合がある。発光装置２００Ｆは、配線基板１１０がポスト部１１の上面に複数の長尺状のレジスト３０を有することで、長尺状のレジスト３０を介して気泡を分散させ易くなる。これにより、配線基板１１０の放熱性がより向上する。

レジスト３０は、めっき層４０を除く配線基板１１０の上面に設けられる。めっき層４２ａは、平面視で、めっき層４１の前側に３つ設けられている。めっき層４２ｂは、平面視で、めっき層４１の後側に３つ設けられている。めっき層４１を挟んで前後に対となって設けられためっき層４２ａ，４２ｂは、発光部品５０Ａの下面に設けられた金属膜８７と接合することで、一方から他方へと電気的に接続される。

めっき層４２ａとめっき層４５ａとは、回路パターン２２（第２電極２２ｂ）を介して電気的に接続されている。めっき層４２ｂとめっき層４５ｂとは、回路パターン２２（第１電極２２ａ）を介して電気的に接続されている。めっき層４５ａ，４５ｂは、レーザ素子検査端子として機能する。めっき層４３ａとめっき層４４ａとは、回路パターン２２を介して電気的に接続されている。めっき層４３ｂとめっき層４４ｂとは、回路パターン２２を介して電気的に接続されている。めっき層４４ａ，４４ｂは、サーミスタ検査端子として機能する。
サーミスタ１５０は、発光装置２００Ｆが作動しているときの温度を測定するために用いられる温度検知素子の一例である。サーミスタ１５０は、めっき層４３ａ及びめっき層４３ｂに接続した状態で載置され、これにより、めっき層４３ａからサーミスタ１５０を通りめっき層４３ｂへと導通させることができる。

発光部品５０Ａは、パッケージ７１と、半導体レーザ素子７２と、サブマウント７３と、光反射部材７４と、保護素子７５と、ワイヤ７６と、蓋部材７７と、接着部７８と、レンズ部材７９と、を有する。

パッケージ７１は平面視で長方形の凹部８０を有する。なお、ここでの長方形とは、パッケージ７１のように、角部や側面の一部を切り欠いた形状や、凹部８０のように、角部が湾曲した形状等、概ね長方形である形状を含むものである。また、パッケージ７１は、凹部８０の４つの内側面８２のうち、互いに向き合う短手方向の２つの内側面８２に段差部８３が形成されている。パッケージ７１は、セラミックを主材料として形成することができる。なお、パッケージ７１は、セラミックに限らず金属で形成してもよい。例えば、セラミックでは、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素をパッケージ７１の主材料に用いることができる。金属では、銅、アルミニウム、鉄、複合物として銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステンをパッケージ７１の主材料に用いることができる。

パッケージ７１の下面８４及び段差部８３の上面には、それぞれ金属膜が設けられている。また、パッケージ７１の下面８４における金属膜は、パッケージ７１の両端に対となって設けられた金属膜８７と、両端の金属膜８７の間でパッケージ７１の下面８４の中央に設けられた金属膜８８と、を有する。金属膜８７のそれぞれは、互いに向き合う２辺のそれぞれに沿って、３ヶ所ずつに互いに離間して設けられている。この金属膜８７は、配線基板１１０のめっき層４２ａ，４２ｂに接続できるように互いに向き合って形成されている。金属膜８８は、配線基板１１０のめっき層４１に接続できるように形成されている。パッケージ７１では、内部を通る金属配線により、段差部８３の上面における金属膜と下面８４における金属膜８７とは電気的に接続されている。

段差部８３の上面に設けられた金属膜である接続配線には、半導体レーザ素子７２、保護素子７５が電気的に接続されている。この導通のためにワイヤ７６が接合されている。これにより半導体レーザ素子７２及び保護素子７５は、パッケージ７１の下面８４に設けられた金属膜８７を介して電気的に接続される。

このような発光部品５０Ａは、パッケージ７１の下面８４に設けられた対の金属膜８７が、配線基板１１０のめっき層４２ａ，４２ｂと接合される。また、パッケージ７１の下面８４の中央に設けられた金属膜８８が、配線基板１１０のめっき層４１と接合される。発光部品５０Ａと配線基板１１０との接合は、半田付けによって行うことができる。

半導体レーザ素子７２は、サブマウント７３を介してパッケージ７１の凹部８０の底面８１（底部８６の上面）に載置されている。発光部品５０Ａに載置される複数の半導体レーザ素子７２は、一方向、具体的にはパッケージ７１の長手方向に並べて配置されている。また、載置される各半導体レーザ素子７２が同じ方向にレーザ光を出射するように出射端面の向きが揃えられている。一方向に並べて配置された複数の半導体レーザ素子７２は、ワイヤ７６を用いて、直列に電気接続されている。

サブマウント７３は、その下面でパッケージ７１の凹部８０の底面８１とＡｕペースト等の接着部材により接合され、その上面で半導体レーザ素子７２と接合されている。サブマウント７３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。また、サブマウント７３の上面にはＣｕめっき等の金属膜が設けられている。

光反射部材７４は、半導体レーザ素子７２からの光を反射する部材である。光反射部材７４は、その下面でパッケージ７１の凹部８０の底面８１と接着部材により接合されている。接着部材は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の粒子と有機溶剤との混合物を塗布した後、加熱により有機溶剤を除去し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の粒子を融着させている。光反射部材７４は、それぞれの半導体レーザ素子７２に対応して独立して配置されている。光反射部材７４は、下面と、上面と、側面と、傾斜面と、を有し、傾斜面が光反射面となる。光反射面は平面であり、上面から下面にかけて傾斜している。

光反射部材７４は、主材料を用いてその外形を形成し、形成した外形のうち光反射面を設けたい面に光反射膜を成膜して形成することができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくは硼珪酸ガラス（ＢＫ７）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉ等を採用することができる。光反射膜は光反射率の高い材料がよく、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜等を採用することができる。なお、光反射部材７４は、金属等の光反射率の高い材料を主材料に用いてその外形を形成した場合、光反射膜の形成は省略してもよい。

半導体レーザ素子７２から放射された光の主要部分は、対応する光反射部材７４の光反射面に照射される。なお、光反射部材７４を有さずに、半導体レーザ素子７２の出射端面を上方に向けた発光部品であってもよい。

保護素子７５は、サブマウント７３の上面に載置されている。保護素子７５は、例えば、ツェナーダイオードである。ワイヤ７６は、金属の配線である。ワイヤ７６の材質としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられる。なお、保護素子７５を有さない発光部品であってもよい。

蓋部材７７は、半導体レーザ素子７２及び光反射部材７４を覆う部材である。蓋部材７７は全体として透光性であるが、一部に非透光性の領域を有していてもよい。蓋部材７７は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。また、蓋部材７７は、一部の領域に金属膜が設けられている。なお、主材料には、サファイアの他に、例えばガラス等を用いることもできる。
蓋部材７７は、その下面において、パッケージ７１の上面（枠部８５の上面）と接合されている。蓋部材７７とパッケージ７１は、接合される領域に金属膜が設けられ、Ａｕ－Ｓｎ等を介して固定されている。発光部品５０Ａは、パッケージ７１と蓋部材７７とが接合されることで閉空間が形成される。この閉空間は気密封止された空間となる。発光部品５０Ａは、このように気密封止することで、半導体レーザ素子７２の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制することができる。

接着部７８は、蓋部材７７の上面において、蓋部材７７とレンズ部材７９とを接着する領域に形成されている。接着部７８としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂を用いることができる。

レンズ部材７９は、蓋部材７７の上面に対面して設けられている。レンズ部材７９は、レンズ形状を有するレンズ部７９１と、レンズ部７９１を支持する長方形の支持板部７９２とが一体となって形成されている。レンズ部材７９には、レンズ部７９１のそれぞれが半導体レーザ素子７２の光軸に対向する位置に設けられている。各レンズ部７９１は、対応する半導体レーザ素子７２から放射され光反射部材７４により反射された反射光がレンズ部７９１を通過してコリメートされるように、その配置及び形状が設計される。レンズ部材７９には、例えば、ＢＫ７、Ｂ２７０等のガラス等を用いることができる。

本開示の実施形態に係る回路基板及び発光装置は、各種電子機器に利用することができる。

２ 両面銅貼積層板
１０、１０Ａ 第１基板
１１ ポスト部
１２ 平板部
１５ 隙間
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ 第２基板
２１ 基材
２１１ 第１面
２１２ 第２面
２２ 回路パターン
２２ａ 第１電極
２２ｂ 第２電極
１２２ 金属層（第１金属層）
２１５ 基材露出部
２３ 金属層（第２金属層）
２３１ 第１面
２３２ 第２面
２４ 接着部材
２４ａ 接着部材
２４ｂ 接着部材
２５ 開口部
２８ 接着部材付基板
２５１ 第１の辺
２５２ 第２の辺
２５３ 第３の辺
２５４ 第４の辺
２５Ｒ 開口領域
２５ＲＥ１、２５ＲＥ２ 開口延長領域
３０ レジスト
４０ めっき層
４１ めっき層
４２ａ，４２ｂ めっき層
４３ａ，４３ｂ めっき層
４４ａ，４４ｂ めっき層
４５ａ，４５ｂ めっき層
５０、５０Ａ 発光部品
７１ パッケージ
７２ 半導体レーザ素子
７３ サブマウント
７４ 光反射部材
７５ 保護素子
７６ ワイヤ
７７ 蓋部材
７８ 接着部
７９ レンズ部材
７９１ レンズ部
７９２ 支持板部
８０ 凹部
８１ 凹部の底面
８２ 凹部の内側面
８３ 段差部
８４ 下面
８５ 枠部
８６ 底部
８７ 金属膜
８８ 金属膜
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ 回路基板
１１０ 配線基板
１５０ サーミスタ
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ 発光装置
Ｄ ポスト部の側面と基材の側面との距離
Ｈ１ ポスト部の高さ
Ｈ２ 回路パターンの上面からポスト部の上面までの高さ
Ｔ 平板部の厚み
Ｗ 基材露出部の幅

Claims (12)

1. 上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を準備する工程と、
   前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように前記第１基板と前記第２基板とを加圧及び加熱して前記接着部材を用いて貼り合わせる工程と、を含み、
   前記準備する工程において、前記第１基板は、平板部と、前記平板部から突出した前記ポスト部と、を有し、前記平板部と前記ポスト部とは一体に形成されており、前記ポスト部の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成しており、前記ポスト部の上面の形状は、平面視で、正方形、又は、長方形であり、前記ポスト部の角部は直角、又は、丸みを帯びており、
   前記準備する工程において、平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、かつ、前記基材露出部の幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、平面視で、前記開口部が略四角形であり、前記開口部が、前記略四角形の四隅に前記開口部の開口領域を部分的に外側に広げる開口延長領域を有し、前記開口延長領域が円弧状に形成されており、
   前記貼り合わせる工程において、前記ポスト部の側面と、前記ポスト部の側面に対向する前記基材露出部の側面との距離が５０μｍ以上３００μｍ以下となるように、かつ、前記ポスト部の上面と、前記ポスト部と前記第２基板との間に配置された前記接着部材の上面と、前記回路パターンの上面と、が同一平面となるように、前記ポスト部と前記第２基板との間に前記加圧及び加熱により溶融させた前記接着部材を配置する回路基板の製造方法。
2. 上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を準備する工程と、
   前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように前記第１基板と前記第２基板とを加圧及び加熱して前記接着部材を用いて貼り合わせる工程と、を含み、
   前記準備する工程において、前記第１基板は、平板部と、前記平板部から突出した前記ポスト部と、を有し、前記平板部と前記ポスト部とは一体に形成されており、前記ポスト部の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成しており、前記ポスト部の上面の形状は、平面視で、正方形、又は、長方形であり、前記ポスト部の角部は直角、又は、丸みを帯びており、
   前記準備する工程において、平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、かつ、前記基材露出部の幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、平面視で、前記開口部が略四角形であり、前記略四角形の一対の辺に対向する位置に一対の前記電極が配置され、前記略四角形の一対の各辺に前記開口部の開口領域を部分的に一対の前記電極の各方向に広げる開口延長領域を有し、前記開口延長領域が略四角形状に形成されており、
   前記貼り合わせる工程において、前記ポスト部の側面と、前記ポスト部の側面に対向する前記基材露出部の側面との距離が５０μｍ以上３００μｍ以下となるように、かつ、前記ポスト部の上面と、前記ポスト部と前記第２基板との間に配置された前記接着部材の上面と、前記回路パターンの上面と、が同一平面となるように、前記ポスト部と前記第２基板との間に前記加圧及び加熱により溶融させた前記接着部材を配置する回路基板の製造方法。
3. 前記準備する工程において、平面視で、前記ポスト部の上面の形状と前記開口部の形状が相似の形状となる前記第１基板及び前記第２基板を準備する請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
4. 前記準備する工程において、平面視で、前記開口部側に前記ポスト部の周囲を取り囲むように前記基材露出部を形成した前記第２基板を準備する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
5. 前記準備する工程において、前記基材の第２面側に金属層が配置されており、前記金属層の前記基材側の面と反対側の面に前記接着部材が配置されており、前記基材露出部が前記金属層から露出する前記第２基板を準備する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
6. 平面視で、前記ポスト部の上面の面積が、一対の前記電極の各々の上面の面積よりも広い請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法で回路基板を製造する工程と、
   前記回路基板の前記ポスト部に発光部品を載置する工程と、を含む発光装置の製造方法。
8. 上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、
   第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を備え、
   前記第１基板は、平板部と、前記平板部から突出した前記ポスト部と、を有し、前記平板部と前記ポスト部とは一体に形成されており、前記ポスト部の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成しており、
   前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように配置され、
   平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、
   前記基材露出部の幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、
   前記ポスト部の側面と、前記ポスト部の側面に対向する前記基材露出部の側面との距離が５０μｍ以上３００μｍ以下であり、
   前記ポスト部と前記第２基板との間に前記接着部材が配置され、
   前記ポスト部の上面と、前記ポスト部と前記第２基板との間に配置された前記接着部材の上面と、前記回路パターンの上面と、が同一平面であり、
   前記ポスト部の上面の形状は、平面視で、正方形、又は、長方形であり、前記ポスト部の角部は直角、又は、丸みを帯びており、平面視で、前記開口部が略四角形であり、前記開口部が、前記略四角形の四隅に前記開口部の開口領域を部分的に外側に広げる開口延長領域を有し、前記開口延長領域が円弧状に形成されている回路基板。
9. 上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、
   第１面側に一対の電極を含む回路パターンを配置して、前記第１面の反対側の第２面側に接着部材を配置する基材を厚さ方向に貫通する開口部が形成された第２基板と、を備え、
   前記第１基板は、平板部と、前記平板部から突出した前記ポスト部と、を有し、前記平板部と前記ポスト部とは一体に形成されており、前記ポスト部の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成しており、
   前記ポスト部の上面が前記開口部から露出し、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面と前記第２基板における前記基材の第２面とが向かい合うように配置され、
   平面視で、前記第２基板は、前記回路パターンよりも前記基材が前記開口部側に突出して露出する基材露出部を有し、
   前記基材露出部の幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、
   前記ポスト部の側面と、前記ポスト部の側面に対向する前記基材露出部の側面との距離が５０μｍ以上３００μｍ以下であり、
   前記ポスト部と前記第２基板との間に前記接着部材が配置され、
   前記ポスト部の上面と、前記ポスト部と前記第２基板との間に配置された前記接着部材の上面と、前記回路パターンの上面と、が同一平面であり、
   前記ポスト部の上面の形状は、平面視で、正方形、又は、長方形であり、前記ポスト部の角部は直角、又は、丸みを帯びており、平面視で、前記開口部が略四角形であり、前記略四角形の一対の辺に対向する位置に一対の前記電極が配置され、前記略四角形の一対の各辺に前記開口部の開口領域を部分的に一対の前記電極の各方向に広げる開口延長領域を有し、前記開口延長領域が略四角形状に形成されている回路基板。
10. 前記基材の第２面側に金属層が配置されており、前記金属層の前記基材側の面と反対側の面に前記接着部材が配置されており、前記基材露出部が前記金属層から露出する請求項８又は請求項９に記載の回路基板。
11. 平面視で、前記ポスト部の上面の面積が、一対の前記電極の各々の上面の面積よりも広い請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載の回路基板。
12. 請求項８乃至請求項１１のいずれか一項に記載の回路基板と、前記回路基板の前記ポスト部に載置された発光部品と、を含む発光装置。

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