JP7504130B2 - 検出基板、その製造方法及び平板検出装置 - Google Patents

Description

本公開は、光電検出技術分野に関し、特に検出基板、その製造方法及び平板検出装置に関する。

Ｘ線検出技術は、工業上の非破壊検出、コンテナー走査、回路基板の検査、医療、安全防備、工業などの分野に広く応用されており、広い応用見込みがある。従来のＸ－Ｒａｙ撮影技術は、アナログ信号撮影に属し、解像度が高いとは言えず、画像品質が悪い。２０世紀９０年代の末に現れたＸ線デジタル化撮影技術（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｒａｄｉｏ Ｇｒａｐｈｙ，ＤＲ）は、Ｘ線平板検出装置を採用してＸ画像を直接にデジタル画像に変換し、変換したデジタル画像が明瞭であって、解像度が高く、かつ格納及び伝送しやすいので、従来の研究が盛んでいる。構造の相違点に応じて、Ｘ線平板検出装置は、直接変換方式（Ｄｉｒｅｃｔ ＤＲ）及び間接変換方式（Ｉｎｄｉｒｅｃｔ ＤＲ）に分けられている。その中、間接変換方式のＸ線平板検出装置に関する技術が熟し、コストが比較的に低く、検出量子効率（Ｄｅｔｅｃｔｉｖｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ，ＤＱＥ）が高く、信頼性が良いなどの利点により、広く開発及び応用されている。

Ｘ線平板検出装置は、主に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）及び光電ダイオード（ＰＩＮ）を含む。Ｘ線照射により、間接変換方式のＸ線平板検出装置のシンチレータ層又は蛍光体層は、Ｘ線光子を可視光に変換し、その後、ＰＩＮの作用により可視光を電気信号に変換し、最後に、ＴＦＴにより電気信号を読み取って電気信号を出力して表示画像を得る。

本公開の実施形態は、ベース基板と、
第１の方向に沿って延伸するデータ線及び第２の方向に沿って延伸するゲートラインと、
前記ベース基板上に位置する薄膜トランジスタと、
順次に積層して設置されて電気的に接続されている第１の電極、光電変換構造及び第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続されているバイアス線と、
を含み、
前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、かつ、前記ベース基板への順投影が前記薄膜トランジスタの活性層の前記ベース基板への順投影と少なくとも一部重なり合い、
前記第１の電極の前記データ線に近接する側に第１の突出部を有し、前記第１の突出部の前記ベース基板への順投影が、前記活性層の前記ベース基板への順投影と前記データ線の前記ベース基板への順投影との間に位置する
検出基板を提供する。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記データ線は、前記第１の突出部に近接する側に第１の凹溝を有し、前記第１の電極と前記データ線とは、第２の方向に沿った距離がほぼ等しい。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極との間に位置する絶縁層をさらに含み、前記第１の電極が前記絶縁層上のスルーホールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、
前記第１の電極は、前記ゲートラインに近接する側に第２の突出部を有し、前記第２の突出部が前記スルーホールを覆う。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記ゲートラインは、前記第２の突出部に近接する側に第２の凹溝を有し、前記第１の電極と前記ゲートラインとは、第１の方向に沿った距離がほぼ等しい。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記絶縁層は、順次に積層して設置された第１のパッシベーション層と、第２のパッシベーション層と、第３のパッシベーション層とを含み、前記第１のパッシベーション層及び前記第３のパッシベーション層はいずれも酸化珪素及び窒化酸化珪素のうちの少なくとも１種を含む。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記第２のパッシベーション層は、樹脂材料であり、かつ、厚さが１μｍ～３μｍである。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記光電変換構造の前記ベース基板への順投影が、前記スルーホールの前記ベース基板への順投影の少なくとも一部を囲む。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記光電変換構造の前記ベース基板への順投影が前記スルーホールと前記活性層の前記ベース基板への順投影を覆う。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記バイアス線の前記ベース基板への順投影と前記活性層の前記ベース基板への順投影とが互いに重なり合わない。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記活性層の材質が金属酸化物である。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、ボンディング領域に位置する透明リード線層をさらに含み、
前記データ線がボンディング領域まで延伸し、かつ、前記データ線は、前記ボンディング領域の上にある前記第１の電極の所在する層、前記バイアス線の所在する層および前記透明リード線層において、それに対応して電気的に接続されている第１の引き出し線を有する。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、前記ゲートラインが前記ボンディング領域まで延伸し、かつ、前記ゲートラインは、前記ボンディング領域の上にある前記データ線の所在する層、前記第１の電極の所在する層、前記バイアス線の所在する層および前記透明リード線層において、それに対応して電気的に接続されている第２の引き出し線を有する。

本公開の実施形態は、本公開の実施形態が提供する上記検出基板を含む平板検出装置をさらに提供する。

本公開の実施形態は、１つのベース基板を提供する工程と、
前記ベース基板上に、薄膜トランジスタの各膜層と、スルーホールを有する絶縁層と、第１の電極と、光電変換構造と、第２の電極と、バイアス線とを順次に形成する工程と、を含み、
前記第１の電極がスルーホールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、前記バイアス線が前記第２の電極と電気的に接続されている
上記検出基板の製造方法をさらに提供する。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記製造方法において、前記スルーホールを有する絶縁層を形成する工程は、具体的に前記のスルーホールを有する絶縁層を形成する工程は、具体的に、
第１の製造所において、
前記第１のパッシベーション層を形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層上に、前記薄膜トランジスタに対応する位置に第１のスルーホールを形成するステップと、
前記第２のパッシベーション層及び前記第３のパッシベーション層を形成するステップと、
第２の製造所において、
前記第２のパッシベーション層及び前記第３のパッシベーション層上に前記第１のスルーホールに対応する第２のスルーホール及び第３のスルーホールをそれぞれ形成するステップと、
を含む。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記製造方法において、前記スルーホールを有する絶縁層を形成する工程は、具体的に、
第１の製造所において、
前記第１のパッシベーション層と前記第２のパッシベーション層とを順次に形成するステップと、
前記第２のパッシベーション層を露光し、前記第２のパッシベーション層を貫通して前記薄膜トランジスタの位置に対応する第２のスルーホールを形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層上に、前記第２のスルーホールに対応する第１のスルーホールを形成するステップと、
前記第２のパッシベーション層上に、前記第３のパッシベーション層を形成するステップと、
第２の製造所において、
前記第３のパッシベーション層上に、前記第２のスルーホールに対応する第３のスルーホールを形成するステップと、
を含む。

図１は、本公開の実施形態が提供する検出基板の平面構造模式図である。 図２は、図１に示す検出基板における画素ユニットの第１の平面構造模式図である。 図３は、図２におけるI－I’線に沿った断面構造模式図である。 図４は、図１に示す検出基板における画素ユニットの第２の平面構造模式図である。 図５は、図４におけるII－II’線に沿った断面構造模式図である。 図６は、図１に示す検出基板における画素ユニットの第３の平面構造模式図である。 図７は、図６におけるIII－III’線に沿った断面構造模式図である。 図８は、図１に示す検出基板における画素ユニットの第４の平面構造模式図である。 図９は、図８におけるIV－IV’線に沿った第１の断面構造模式図である。 図１０は、図８におけるIV－IV’線に沿った第２の断面構造模式図である。 図１１は、図１に示す検出基板における画素ユニットの第５の平面構造模式図である。 図１２は、図１１におけるIV－IV’線に沿った断面構造模式図である。 図１３は、本公開の実施形態が提供する検出基板のもう１つの平面構造図である。 図１４は、図１３におけるVI－VI’、VII－VII’及びVIII－VIII’に沿った断面構造模式図である。 図１５は、本公開の実施形態が提供する検出基板の製造方法の第１のフローチャートである。 図１６は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図１７は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図１８は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図１９は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２０は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２１は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２２は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２３は、図１５に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２４は、本公開の実施形態が提供する検出基板の製造方法の第２のフローチャートである。 図２５は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２６は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２７は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２８は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図２９は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図３０は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。 図３１は、図２４に示すフローチャートを採用して図８及び図９に示す検出基板における画素ユニットを作製する過程において各工程に対応する構造模式図である。

本公開の実施形態の目的、技術案および利点をより明らかにするために、以下、本公開の実施形態の図面を参照しながら、本公開の実施形態の技術案を明瞭、完全に説明する。明らかに、説明した実施形態は、本公開の全ての実施形態ではなく、一部の実施形態である。説明する本公開の実施形態に基づき、当業者が創造的な労働を行わずに得られたその他の実施形態は、全て本公開の保護範囲に属する。

別途定義がない限り、ここで使用する技術用語又は科学用語は、当業者が理解し得る通常の意味を有する。本公開の明細書及び特許請求の範囲で使用する「第１の」、「第２の」及び類似する語は、何ら順序、数又は重要性を表すものではなく、異なる組成部分を区別するためのものに過ぎない。「有する」又は「含む」などの類似する語は、当該語の前に出現する素子又は物が、当該語の後に挙げられる素子又は物及びその同等物を含むことを意味し、その他の素子又は物は排除されない。「内」、「外」、「上」、「下」等は、相対位置関係を記述するための語に過ぎず、記述される対象の絶対位置が変化した後、当該相対位置関係が相応的に変化する可能性もある。

関連技術において、平板検出装置に含まれるＴＦＴは、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）ＴＦＴであってもよいが、ａ－Ｓｉ ＴＦＴは、移動度が低く、特性サイズが大きいなどの欠点を有するため、このような平板検出装置のフレームレートが低く、ピクセルフィルレートが低い。非晶質インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ａ－ＩＧＺＯ）ＴＦＴを代表とした酸化物ＴＦＴは、移動度が高く、透明度が高く、サイズが小く、製造温度が低く、コストが低いなどの優れた性能を有するため、ａ－ＩＧＺＯ ＴＦＴを含む平板検出装置のフレームレート及びピクセルフィルレートがいずれも高い。

ａ－ＩＧＺＯ ＴＦＴを含む平板検出装置を作製する過程において、一般的に、ａ－ＩＧＺＯ ＴＦＴにパッシベーション層及びＰＩＮ膜層を蒸着する必要がある。しかしながら、パッシベーション層及びＰＩＮ膜層の蒸着過程において、水素元素がａ－ＩＧＺＯ ＴＦＴのチャネル領域へ拡散し、ａ－ＩＧＺＯ ＴＦＴの安定性が悪くなり、さらに平板検出装置の性能が影響されてしまう。

関連技術に存在する上記問題に対して、本公開の実施形態は、検出基板、その製造方法及び平板検出装置を提供する。

以下、図面を参照しながら、本公開の実施形態が提供する検出基板、その製造方法及び平板検出装置の具体的な実施形態を詳しく説明する。図面において、各膜層の厚さ及び形状は、実の比例を反映するものではなく、本公開の内容を概略的に説明するものに過ぎない。

本公開の実施形態が提供する検出基板は、図１に示すように、ベース基板１００と、ベース基板１００上に位置するソース電極駆動装置００１、ゲート電極駆動装置００２、バイアス電圧装置００３、第１の方向ｘに沿って延伸するデータ線１０１及び第２の方向ｙに沿って延伸するゲートライン１０２と、検出領域ＡＡ内に位置する複数の画素ユニットＰと、を含む。図２及び図３に示すように、各々の画素ユニットＰは、
ベース基板１００上に位置する薄膜トランジスタ１０３と、
順次に積層して設置されて電気的に接続されている第１の電極１０４、光電変換構造１０５及び第２の電極１０６と、
第２の電極１０６と電気的に接続されているバイアス線１０７と、
データ線１０１にデータ信号を提供するソース電極駆動装置００１と、
ゲートライン１０２に走査信号を提供するゲート電極駆動装置００２と、
バイアス線１０７にバイアス電圧信号を提供するバイアス電圧装置００３と、
を含み、
第１の電極１０４が薄膜トランジスタ１０３と電気的に接続されており、ベース基板１００への順投影と薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影とが少なくとも一部重なり合い、
第１の電極１０４は、データ線１０２に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板１００への順投影が、薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影とデータ線１０１のベース基板１００への順投影との間に位置する。

あるいは、光電変換構造１０５は、ＰＮ構造であってもよいし、ＰＩＮ構造であってもよい。具体的に、ＰＩＮ構造は、第１の電極１０４上に順次に積層して設置されてＮ型不純物を有するＮ型半導体層、不純物を有さない真性半導体層、及びＰ型不純物を有するＰ型半導体層を含む。第１の真性半導体層の厚さは、Ｐ型半導体層の厚さ及びＮ型半導体層の厚さより大きくてもよい。

光電変換構造１０５は、光信号を電気信号に変換することができ、かつ、第１の電極１０４によって電気信号を薄膜トランジスタ１０３に伝送し、さらに、データ線１０１により読み出した後に画像信号に変換することができる。

第２の電極１０６と第１の電極１０４との間に対向面積が存在し、両者の間に記憶容量を形成することができ、光電変換構造１０５により変換された電気信号は、上記記憶容量に記憶され得る。具体的に、光の透過効率を向上させるために、第２の電極１０６は、透明材料、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成されてもよい。

また、第２の電極１０６のベース基板１００への順投影が光電変換構造１０５のベース基板１００への順投影内に位置し、即ち、第２の電極１０６の面積が光電変換構造１０５の面積より少し小さく、図３に示すように、第２の電極１０６のエッジと光電変換構造１０５のエッジとの間の距離が１μｍ～３μｍであり、例えば、１．０μｍ、１．５μｍ、１．８μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ等であってもよい。上記設置により、ＰＩＮ側壁がエッチング時に損なわれることによる電流漏れを減小することができる。

あるいは、ベース基板１００は、フレキシブルベース基板、例えばポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン又はポリイミド等、優れた耐熱性及び耐久性を有するプラスチック基板であってもよく、さらに剛性ベース基板、例えばガラス基板であってもよく、ここでは限定されない。

本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、第１の電極１０４のベース基板１００への順投影と薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影とが少なくとも一部重なり合い、かつ第１の電極１０４がデータ線１０１に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板１００への順投影が、活性層のベース基板１００への順投影とデータ線１０１のベース基板１００への順投影との間に位置するように設置することにより、その後の光電変換構造１０５を作製する過程において水素元素のチャネル領域への拡散を阻止し、薄膜トランジスタ１０３の安定性を有効に改善し、平板検出装置の性能を向上させた。また、第１の電極１０４の薄膜トランジスタ１０３を覆う部分は、薄膜トランジスタに補正電圧を提供することができ、薄膜トランジスタ１０３の臨界電圧を向上させ、電流漏れを減小することができる。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、薄膜トランジスタ１０３は、金属酸化物、例えばインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）により形成された活性層を含んでもよく、活性層は、チャネル領域とソース・ドレイン電極接触領域を含んでもよい。ＩＧＺＯ活性層は、優れたキャリア移動度を有するため、検出データの読取速度を向上させ、動的でリアルタイムの検出を実現することができる。

あるいは、図３に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、シンチレータ層１０８をさらに含み、上記シンチレータ層１０８の材料は、Ｘ線を可視光に変換可能な材料、例えばＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ等であり、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣａＷＯ₄、ＣｄＷＯ₄、ＮａＩ：Ｔｌ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ²⁺、ＢａＳＯ₄：Ｅｕ²⁺、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ²⁺、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ³⁺、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ³⁺、Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ³⁺、ＹＴａＯ₄、ＹＴａＯ₄：Ｎｂ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳｉＯ₄：Ｍｎ²⁺、ＬｉＩ：Ｅｕ²⁺、ＣｅＦ₃等であってもよい。

入射したＸ線をシンチレータ層１０８に含まれるシンチレーション結晶において変換して得られる可視光の波長ピークが５３０ｎｍ～５８０ｎｍであり、スペクトル範囲が３５０ｎｍ～７００ｎｍに達することができる。当該光線は非常に短い遅延効果を有し、Ｘ線が消えた後の１ｍｓ以内にＸ線照射強度の１％以下に減衰することができる。

あるいは、図２及び図３に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、第１の電極１０４のベース基板１００への順投影が、薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影を覆い、つまり、第１の電極１０４がチャネル領域Ａ、及びチャネル領域Ａの両側のソース・ドレイン電極接触領域を覆う。第１の電極１０４の活性層を覆う部分は、外部光線のチャネル領域への影響を有効に避け、信号対雑音比を向上させることができる。

あるいは、図２に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、第１の突出部の第２の方向ｙにおける幅が２μｍ～４μｍである。第１の電極１０４の第１の突出部の幅を２μｍ～４μｍとすることにより、外部光線のチャネル領域への影響を有効に避け、信号対雑音比を向上させた。

あるいは、図２に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、データ線１０１は、第１の突出部に近接する側に第１の凹溝を有し、これにより、第１の電極１０４とデータ線との第２の方向ｙに沿った距離をほぼ等しく保証し、データ線１０１の信号と第１の電極１０４の信号とのクロストーク影響を減小する。また、データ線１０１上の凹溝を有さない部分により、データ線１０１の抵抗が要求を満足することが保証され、即ち、第１の凹溝の設置によりデータ線１０１の抵抗が大きくなることは発生しない。

あるいは、図４及び図５に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、薄膜トランジスタ１０３と第１の電極１０４との間に位置する絶縁層１０９をさらに含み、第１の電極１０４は、絶縁層１０９上のスルーホールＨによって薄膜トランジスタ１０３と電気的に接続されている。

第１の電極１０４は、ゲートライン１０２に近接する側に第２の突出部を有し、第２の突出部がスルーホールＨを覆う。

スルーホールＨの存在により、薄膜トランジスタ１０３においてスルーホールＨを支える部分が大きくなり、相応的に、第１の電極１０４のゲートライン１０２に近接する側にスルーホールＨの第２の突出部を設けることにより、第１の電極１０４と薄膜トランジスタ１０３においてスルーホールＨを支える部分間の電気的な接続を有効に実現した。

あるいは、図４及び図５に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、ゲートライン１０２の第２の突出部に近接する側に第２の凹溝を有し、これにより、第１の電極１０４とゲートライン１０２との第１の方向ｘに沿った距離をほぼ等しく保証し、ゲートライン１０２の信号と第１の電極１０４の信号との間のクロストーク影響を減小した。また、ゲートライン１０２上において凹溝を有さない部分により、ゲートライン１０２の抵抗が要求を満足することが保証され、即ち、第２の凹溝の設置によりゲートライン１０２の抵抗が大きくなることは発生しない。

あるいは、図５に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、絶縁層１０９は、順次に積層して設置された第１のパッシベーション層１０９１と、第２のパッシベーション層１０９２と、第３のパッシベーション層１０９３と、を含み、第１のパッシベーション層１０９１及び第３のパッシベーション層１０９３はいずれも酸化珪素及び窒化酸化珪素のうちの少なくとも１種を含む。酸化珪素及び／又は窒化酸化珪素を採用して第１のパッシベーション層１０９１及び第３のパッシベーション層１０９３を形成することにより、関連技術において窒化珪素を採用して第１のパッシベーション層１０９１及び第３のパッシベーション層１０９３を作製することにより引き起こされた、ＩＧＺＯ材質の活性層に含まれるチャネル領域が導体化される問題を有効に避けた。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、第２のパッシベーション層１０９２は、樹脂材料であり、かつ、厚さが１μｍ～３μｍであり、例えば１μｍ、１．５μｍ、１．８μｍ、２μｍ、２．５μｍ、３μｍ等であってもよい。具体的に、樹脂材料は、ポリアクリル樹脂、ポリエポキシアクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、ポリエステルアクリレート、ポリウレタンアクリレート樹脂、フェノールエポキシアクリル樹脂等の有機絶縁材料であってもよく、ここでは限定されない。樹脂材料で作製された厚さ１μｍ～３μｍの第２のパッシベーション層１０９２は、外部水蒸気、及びその後の光電変換構造１０５の製造プロセスにおける、水素元素のチャネル領域への拡散を有効に阻止し、薄膜トランジスタ１０３の安定性を向上させた。

また、第１の電極１０４が薄膜トランジスタ１０３を覆うため、薄膜トランジスタ１０３の電極との間に寄生容量を生じることとなり、樹脂材料で構成された第２のパッシベーション層１０９２を設置することにより、第１の電極１０４と薄膜トランジスタ１０３との間の距離を増大させ、さらに寄生容量を減小し、第１の電極１０４の薄膜トランジスタ１０３への悪影響を避けることができる。

あるいは、図６～図１０に示すように、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、光電変換構造１０５のベース基板１００への順投影がスルーホールＨのベース基板１００への順投影の少なくとも一部を囲み、フィルレートを向上させた。具体的に、本公開の実施形態が提供する上記アレイ基板において、光電変換構造１０５のベース基板１００への順投影がスルーホールＨのベース基板１００への順投影の一部を囲み、測定結果から明らかなように、フィルレートが関連技術の５９．８７％から６７．０３％まで向上し、平板検出装置全体の性能を向上させた。あるいは、図１１及び図１２に示すように、光電変換構造１０５のベース基板１００への順投影がスルーホールＨのベース基板１００への順投影を完全に囲む。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、図１１及び図１２に示すように、光電変換構造１０５のベース基板１００への順投影が、スルーホールＨと活性層のベース基板１００への順投影を覆う。光電変換構造１０５は、１つの画素ユニットＰ内に占める面積が大きいため、フィルレートを大幅に向上させた。

バイアス線１０７は、第１の方向ｘに沿って検出領域ＡＡを貫通し、透明材料、例えばインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等であってもよいし、金属材料、例えば銅、銀等であってもよい。透明材料を使用する場合、光電変換構造１０５の上方に位置するバイアス線１０７は、光線を遮蔽することなく、フィルレートを有効に向上させることができる。同時に、ボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）領域のＩＴＯとともに、一回パターニングプロセスにより作製してもよく、プロセス流れを節約する。金属材料を使用する場合、バイアス線１０７の抵抗を有効に低下させ、全検出領域ＡＡ内のバイアスを一致させるように保証することができる。また、高いフィルレートを保証するために、金属材料のバイアス線１０７のベース基板１００への順投影と、活性層のベース基板１００への順投影とが互いに重なり合わない。もちろん、透明材料のバイアス線１０７のベース基板１００への順投影は、活性層のベース基板１００への順投影と互いに重なり合わなくてもよく、高いフィルレートを保証する上、生産コストを節約した。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、図１～図１２に示すように、一般的に、薄膜トランジスタ１０３のゲート電極の所在する層と活性層との間のゲート絶縁層１１０と、順次に第２の電極１０６の所在する層とバイアス線１０７の所在する層との間に位置する緩衝層１１１、樹脂層１１２及び平坦層１１３と、バイアス線１０７の所在する層とシンチレータ層１０８との間に位置する第４のパッシベーション層１１４と、を含んでもよい。

高誘電率材料、誘電材料、その他の適用可能な材料又はこれらの組み合わせでゲート絶縁層１１０を形成する。上記高誘電率材料は、例えば、酸化鉛、五酸化タンタル、二酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、その他の適切な材料又はこれらの組み合わせを含む。上記誘電材料は、例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、その他の適切な材料又はこれらの組み合わせを含む。

誘電材料又はその他の適切な材料で緩衝層１１１及び第４のパッシベーション層１１４を形成してもよい。例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、その他の適切な材料、又はこれらの組み合わせで緩衝層１１１及び第４のパッシベーション層１１４を形成する。

有機絶縁材料又はその他の適切な材料で樹脂層１１２を形成してもよい。例えば、上記有機絶縁材料は、ポリアクリル樹脂、ポリエポキシアクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、ポリエステルアクリレート、ポリウレタンアクリレート樹脂、フェノールエポキシアクリル樹脂、その他の適切な材料又はこれらの組み合わせを含む。

平坦層１１３を用いて、その後のプロセスに平坦な表面を提供し、誘電材料又はその他の適切な材料で平坦層１１３を形成してもよい。例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、その他の適切な材料又はこれらの組み合わせで平坦層１１３を形成してもよい。

図９に示すように、薄膜トランジスタ１０３は、具体的にボトムゲート型構造であってもよい。あるいは、図１０に示すように、トップゲート型構造であってもよく、ゲート電極は、水素元素の影響から活性層を保護することができる。モリブデン、アルミニウム、銀、銅、チタン、白金、タングステン、タンタル、窒化タンタル、これらの合金及びこれらの組み合わせ又はその他の適切な材料で薄膜トランジスタ１０３におけるゲート金属層及びソース・ドレイン金属層を形成してもよい。

作製プロセスを簡略化し、作製コストを節約し、生産効率を向上させるために、一回パターニングプロセスにより、ゲートライン１０２及び薄膜トランジスタ１０３のゲート電極を製造してもよい。もちろん、２回パターニングプロセスを採用して、ゲートライン１０２、及び薄膜トランジスタ１０３のゲート電極をそれぞれ製造してもよく、ここでは限定されない。

また、作製プロセスを簡略化し、作製コストを節約し、生産効率を向上させるために、さらに一回パターニングプロセスを用いて薄膜トランジスタ１０３のソース電極、ドレイン電極及びデータ線１０１を同時に製造してもよい。もちろん、２回パターニングプロセスを採用して、薄膜トランジスタ１０３のソース電極及びドレイン電極、並びにデータ線１０１をそれぞれ製造してもよく、ここでは限定されない。

あるいは、本公開の実施形態が提供する上記検出基板において、図１３及び図１４に示すように、ボンディング領域に位置する透明リード線層１１５をさらに含む。

データ線１０１がボンディング領域まで延伸し、かつ、データ線１０１は、ボンディング領域上の第１の電極１０４の所在する層、バイアス線１０７の所在する層及び透明リード線層１１５において、対応して電気的に接続されている第１の引き出し線を有する。第１の引き出し線は、それと電気的に接続されているデータ線１０１に電気信号を提供するように配置されている。ゲートライン１０２がボンディング領域まで延伸し、かつ、ゲートライン１０２は、ボンディング領域上のデータ線１０１の所在する層、第１の電極１０４の所在する層、バイアス線１０７の所在する層及び透明リード線層１１５において、対応して電気的に接続されている第２の引き出し線を有する。第２の引き出し線は、それと電気的に接続されているゲートライン１０２に電気信号を提供するように配置されている。具体的に実施する際に、上記各導電層同士は、スルーホールによって電気的に接続されている。透明リード線層１１５は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の透明導電材料で形成されてもよい。

なお、図１３及び図１４に示す検出基板では、バイアス線１０７の材質が金属材料である例を挙げてボンディング領域の配線を説明する。バイアス線１０７の材質が透明材料であれば、バイアス線１０７は、透明リード線層１１５と同一の層に位置して設置されてもよく、さらに一回パターニングプロセスを採用してバイアス線１０７と透明リード線層１１５のパターンを作製し、ボンディング領域の配線が相応的に次のように変更される。データ線１０１は、ボンディング領域上の第１の電極１０４の所在する層、バイアス線１０７の所在する層（即ち、透明リード線層１１５）において、対応して電気的に接続されている第１の引き出し線を有し、ゲートライン１０２は、ボンディング領域上のデータ線１０１の所在する層、第１の電極１０４の所在する層、バイアス線１０７の所在する層（即ち、透明リード線層１１５）において、対応して電気的に接続されている第２の引き出し線を有する。

本公開の実施形態が提供する上記検出基板に対して、本公開の実施形態は、
１つのベース基板を提供する工程と、
ベース基板上に、薄膜トランジスタの各膜層と、スルーホールを有する絶縁層と、第１の電極と、光電変換構造と、第２の電極と、バイアス線と、を順次に形成する工程と、
を含み、
第１の電極がスルーホールによって薄膜トランジスタと電気的に接続されており、バイアス線が第２の電極と電気的に接続されている、製造方法を提供する。

あるいは、本開示の実施形態が提供する製造方法において、具体的に下記の２つの可能な実現方式により、スルーホールを有する絶縁層を作製してもよい。

そのうちの１つの可能な実現方式は、具体的に、
第１の製造所において、
第１のパッシベーション層を形成するステップと、
第１のパッシベーション層上に、薄膜トランジスタに対応する位置に第１のスルーホールを形成するステップと、
第２のパッシベーション層及び第３のパッシベーション層を形成するステップと、
第２の製造所において、
第２のパッシベーション層及び第３のパッシベーション層上に、第１のスルーホールに対応する第２のスルーホール及び第３のスルーホールをそれぞれ形成するステップと、を含んでもよい。

もう１つの可能な実現方式は、具体的に、
第１の製造所において、
第１のパッシベーション層および第２のパッシベーション層を順次に形成するステップと、
第２のパッシベーション層を露光し、第２のパッシベーション層を貫通して薄膜トランジスタの位置に対応する第２のスルーホールを形成するステップと、
第１のパッシベーション層上に、第２のスルーホールに対応する第１のスルーホールを形成するステップと、
第２のパッシベーション層上に第３のパッシベーション層を形成するステップと、
第２の製造所において、
第３のパッシベーション層上に第２のスルーホールに対応する第３のスルーホールを形成するステップと、を含んでもよい。

なお、本公開の実施形態が提供する上記製造方法において、各層構造の形成に係るパターニングプロセスは、蒸着、フォトレジスト塗布、マスク板のマスキング、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離などの一部又は全部のプロセス過程のみならず、さらに他のプロセス過程を含んでもよく、具体的に実際の作製過程においてパターニングしようとするパターンに準じ、ここでは限定されない。例えば、現像後とエッチング前に、後ベークプロセスをさらに含んでもよい。

ここで、蒸着プロセスは、化学気相成長法、プラズマ強化化学気相成長法又は物理気相成長法であってもよく、ここでは限定されない。マスキングプロセスにおいて用いるマスク板は、ハーフトーンマスク板（Ｈａｌｆ Ｔｏｎｅ Ｍａｓｋ）、半透過型マスク板（Ｍｏｄｉｆｉｄｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｍａｓｋ）、シングルスリットマスク板（Ｓｉｎｇｌｅ Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ）又はグレートーンマスク板（Ｇｒａｙ Ｔｏｎｅ Ｍａｓｋ）であってもよく、ここでは限定されない。エッチングは、ドライエッチング又はウェットエッチングであってもよく、ここでは限定されない。

本公開の技術案をより良く理解するために、以下、図８及び図９に示す検出基板の作製過程を詳しく説明する。

図１５に示す製造方法を採用して、具体的に以下の工程により図８及び図９に示す構造の検出基板を作製することができる。

Ｓ１５０１
１つのベース基板１００を提供する。

Ｓ１５０２
図１６及び図１７に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層と、ゲート絶縁層１１０と、活性層と、ソース・ドレイン金属層とを順次に作製し、ここで、ゲート金属層はゲート電極及びゲートライン１０２を含み、ソース・ドレイン電極金属層は、ソース電極、ドレイン電極及びデータ線１０１を含み、データ線１０１上に第１の凹溝を有し、ゲートライン１０２上に第２の凹溝を有し、活性層の材料がインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物である。

Ｓ１５０３
図１８及び図１９に示すように、ソース・ドレイン金属層上に第１のスルーホールを有する第１のパッシベーション層１０９１を形成し、第１のスルーホールが薄膜トランジスタの位置に対応する。

Ｓ１５０４
図２０及び図２１に示すように、第１のパッシベーション層１０９１上に第２のパッシベーション層１０９２と第３のパッシベーション層１０９３とを順次に形成する。

Ｓ１５０５
図２２及び図２３に示すように、第２のパッシベーション層１０９２と第３のパッシベーション層１０９３上に、第１のスルーホールに対応する第２のスルーホール及び第３のスルーホールをそれぞれ形成する。

Ｓ１５０６
第３のパッシベーション層１０９３上に第１の電極１０４、光電変換構造１０５、第２の電極１０６、緩衝層１１１、樹脂層１１２、平坦層１１３、バイアス線１０７及び第４のパッシベーション層１１４を順次に作製し、ここで、第１の電極１０４が薄膜トランジスタ１０３と電気的に接続されており、第１の電極１０４のベース基板１００への順投影と薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影とが完全に重なり合い、第１の電極１０４は、データ線１０１に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板１００への順投影が、活性層のベース基板１００への順投影とデータ線１０１のベース基板１００への順投影との間に位置し、第１の電極１０４は、ゲートライン１０２に近接する側に第２の突出部を有し、第２の突出部がスルーホールを覆い、光電変換構造１０５は、スルーホールの一部を囲み、薄膜トランジスタ１０３の活性層を覆い、バイアス線１０７は、データ線１０１と延伸方向が同じであり、かつ、第２の電極１０６と電気的に接続されており、バイアス線１０７のベース基板１００への順投影と活性層のベース基板１００への順投影とが互いに重なり合わない。

これまで、図８及び図９に示す検出基板の作製を完成した。

なお、図１５に示す製造方法において、工程Ｓ１５０１から工程Ｓ１５０４は、第１の製造所において行われ、工程Ｓ１５０５及び工程Ｓ１５０６は、第２の製造所において行われる。

図２４に示す製造方法を採用して、具体的に以下の工程により図８及び図９に示す構造の検出基板を作製することができる。

Ｓ２４０１
１つのベース基板１００を提供する。

Ｓ２４０２
図１６及び図１７に示すように、ベース基板１００上にゲート金属層、ゲート絶縁層１１０、活性層、ソース・ドレイン金属層を順次に作製し、ここで、ゲート金属層は、ゲート電極及びゲートライン１０２を含み、ソース・ドレイン電極金属層は、ソース電極、ドレイン電極及びデータ線１０１を含み、データ線１０１上に第１の凹溝を有し、ゲートライン１０２上に第２の凹溝を有し、活性層の材料がインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物である。

Ｓ２４０３
図２５及び図２６に示すように、ソース・ドレイン金属層上に第１のパッシベーション層１０９１及び第２のパッシベーション層１０９２を順次に形成し、第２のパッシベーション層の材料が樹脂である。

Ｓ２４０４
図２７及び図２８に示すように、第２のパッシベーション層１０９２を露光し、第２のパッシベーション層１０９２を貫通して薄膜トランジスタ１０３の位置に対応する第２のスルーホールを形成する。

Ｓ２４０５
図２９及び図３０に示すように、第１のパッシベーション層１０９１上に第２のスルーホールに対応する第１のスルーホールを形成する。

Ｓ２４０６
図２０及び図３１に示すように、第２のパッシベーション層１０９２上に第３のパッシベーション層１０９３を形成する。

Ｓ２４０７
図２２及び図２３に示すように、第３のパッシベーション層１０９３上に第２のスルーホールに対応する第３のスルーホールを形成する。

Ｓ２４０８
第３のパッシベーション層１０９３上に第１の電極１０４、光電変換構造１０５、第２の電極１０６、緩衝層１１１、樹脂層１１２、平坦層１１３、バイアス線１０７及び第４のパッシベーション層１１４を順次に作製し、ここで、第１の電極１０４が薄膜トランジスタ１０３と電気的に接続されており、第１の電極１０４のベース基板１００への順投影と薄膜トランジスタ１０３の活性層のベース基板１００への順投影とが完全に重なり合い、第１の電極１０４は、データ線１０１に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板１００への順投影が、活性層のベース基板１００への順投影とデータ線１０１のベース基板１００への順投影との間に位置し、第１の電極１０４は、ゲートライン１０２に近接する側に第２の突出部を有し、第２の突出部がスルーホールを覆い、光電変換構造１０５は、スルーホールの一部を囲み、薄膜トランジスタ１０３の活性層を覆い、バイアス線１０７は、データ線１０１と延伸方向が同じであり、かつ、第２の電極１０６と電気的に接続されており、バイアス線１０７のベース基板１００への順投影と活性層のベース基板１００への順投影とが互いに重なり合わない。

これまで、図８及び図９に示す検出基板の作製を完成した。

なお、図２４に示す製造方法において、工程Ｓ２４０１から工程Ｓ２４０６は、第１の製造所において行われ、工程Ｓ２４０７及び工程Ｓ２４０８は、第２の製造所において行われる。

製造過程という点で、第１の製造所におけるすべての製造工程を完成した後、一部形成された検出基板を第２の製造所に搬送する。第２の製造所は、第１の製造所と異なる部分であってもよいし、あるいは物理的に第１の製造所から離れる製造所であってもよい。また、第１の製造所と第２の製造所とは異なる生産ラインに位置してもよいし、１本の生産ラインにおける異なる製造所であってもよい。

あるいは、本公開の実施形態は、さらに平板検出装置を提供し、当該平板検出装置が課題を解決する原理と、上記検出基板が課題を解決する原理とは類似しているので、本公開の実施形態が提供する当該平板検出装置の実施については、本公開の実施形態が提供する上記検出基板の実施を参照することができ、ここでは省略する。

本公開の実施形態が提供する検出基板、その製造方法及び平板検出装置において、ベース基板と、第１の方向に沿って延伸するデータ線及び第２の方向に沿って延伸するゲートラインと、ベース基板上に位置する薄膜トランジスタと、順次に積層して設置されて電気的に接続されている第１の電極、光電変換構造及び第２の電極と、第２の電極と電気的に接続されているバイアス線と、を含み、第１の電極が薄膜トランジスタと電気的に接続されており、かつ、ベース基板への順投影と薄膜トランジスタの活性層のベース基板への順投影とが少なくとも一部重なり合い、第１の電極がデータ線に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板への順投影が、薄膜トランジスタの活性層のベース基板への順投影とデータ線のベース基板への順投影との間に位置する。第１の電極のベース基板への順投影と薄膜トランジスタの活性層のベース基板への順投影とが少なくとも一部重なり合い、かつ、第１の電極がデータ線に近接する側に第１の突出部を有し、第１の突出部のベース基板への順投影が、活性層のベース基板への順投影とデータ線のベース基板への順投影との間に位置するように設置することにより、その後の光電変換構造の作製過程において水素元素の活性層への拡散を阻止し、薄膜トランジスタの安定性を有効に改善し、平板検出装置の性能を向上させた。

明らかに、当業者は、本願の実施形態の趣旨及び範囲を逸脱することなく本願の実施形態に対して各種の変更及び変形を行うことができる。このようにして、本願の実施形態のこれらの変更及び変形が本願の特許請求の範囲及びその同等技術の範囲内に含まれていれば、本願はこれらの変更及び変形も含む。

Claims (16)

1. ベース基板と、
   第１の方向に沿って延伸するデータ線及び第２の方向に沿って延伸するゲートラインと、
   前記ベース基板上に位置する薄膜トランジスタと、
   順次に積層して設置されて電気的に接続されている第１の電極、光電変換構造及び第２の電極と、
   前記第２の電極と電気的に接続されているバイアス線と、
   を含み、
   前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、かつ、前記ベース基板への順投影が前記薄膜トランジスタの活性層の前記ベース基板への順投影と少なくとも一部重なり合い、
   前記第１の電極の前記データ線に近接する側に第１の突出部を有し、前記第１の突出部の前記ベース基板への順投影が、前記活性層の前記ベース基板への順投影と前記データ線の前記ベース基板への順投影との間に位置する、ことを特徴とする検出基板。
2. 前記データ線は、前記第１の突出部に近接する側に第１の凹溝を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の検出基板。
3. 前記薄膜トランジスタと前記第１の電極との間に位置する絶縁層をさらに含み、前記第１の電極が前記絶縁層に形成されたスルーホールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、
   前記第１の電極は、前記ゲートラインに近接する側に第２の突出部を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の検出基板。
4. 前記ゲートラインは、前記第２の突出部に近接する側に第２の凹溝を有する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の検出基板。
5. 前記絶縁層は、順次に積層して設置された第１のパッシベーション層と、第２のパッシベーション層と、第３のパッシベーション層とを含み、前記第１のパッシベーション層及び前記第３のパッシベーション層は、いずれも酸化珪素及び窒化酸化珪素のうちの少なくとも１種を含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載の検出基板。
6. 前記第２のパッシベーション層は、樹脂材料であり、かつ、厚さが１μｍ～３μｍである、
   ことを特徴とする請求項５に記載の検出基板。
7. 前記光電変換構造の前記ベース基板への順投影が、前記スルーホールの前記ベース基板への順投影の少なくとも一部を囲む、
   ことを特徴とする請求項５に記載の検出基板。
8. 前記光電変換構造の前記ベース基板への順投影が前記スルーホールと前記活性層の前記ベース基板への順投影を覆う、
   ことを特徴とする請求項５に記載の検出基板。
9. 前記バイアス線の前記ベース基板への順投影と前記活性層の前記ベース基板への順投影とが互いに重なり合わない、
   ことを特徴とする請求項８に記載の検出基板。
10. 前記活性層の材質が金属酸化物であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の検出基板。
11. ボンディング領域に位置する透明リード線層をさらに含み、
    前記データ線がボンディング領域まで延伸し、かつ、前記データ線は、前記ボンディング領域の上にある前記第１の電極の所在する層、前記バイアス線の所在する層および前記透明リード線層において、電気的に接続されている第１の引き出し線を有する、
    ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の検出基板。
12. 前記ゲートラインが前記ボンディング領域まで延伸し、かつ、前記ゲートラインは、前記ボンディング領域の上にある前記データ線の所在する層、前記第１の電極の所在する層、前記バイアス線の所在する層および前記透明リード線層において、電気的に接続されている第２の引き出し線を有する、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の検出基板。
13. 請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の検出基板を含むことを特徴とする平板検出装置。
14. １つのベース基板を提供する工程と、
    前記ベース基板上に、薄膜トランジスタの各膜層と、スルーホールを有する絶縁層と、第１の電極と、光電変換構造と、第２の電極と、バイアス線とを順次に形成する工程と、を含み、
    前記第１の電極がスルーホールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、前記バイアス線が前記第２の電極と電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の検出基板の製造方法。
15. 前記スルーホールを有する絶縁層を形成する工程は、
    第１の製造所において、
    第１のパッシベーション層を形成するステップと、
    前記第１のパッシベーション層に、前記薄膜トランジスタに対応する位置に第１のスルーホールを形成するステップと、
    第２のパッシベーション層及び第３のパッシベーション層を形成するステップと、
    第２の製造所において、
    前記第２のパッシベーション層及び前記第３のパッシベーション層に、前記第１のスルーホールに対応する位置に第２のスルーホール及び第３のスルーホールをそれぞれ形成するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
16. 前記スルーホールを有する絶縁層を形成する工程は、
    第１の製造所において、
    第１のパッシベーション層と第２のパッシベーション層とを順次に形成するステップと、
    前記第２のパッシベーション層を露光し、前記第２のパッシベーション層を貫通して前記薄膜トランジスタの位置に対応する第２のスルーホールを形成するステップと、
    前記第１のパッシベーション層に、前記第２のスルーホールに対応する位置に第１のスルーホールを形成するステップと、
    前記第２のパッシベーション層上に、第３のパッシベーション層を形成するステップと、
    第２の製造所において、
    前記第３のパッシベーション層に、前記第２のスルーホールに対応する位置に第３のスルーホールを形成するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。

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