JP7467233B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus .
基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って鉛直方向に延設すると共に長手方向に複数のガス孔を有するインジェクタと、を備える基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この基板処理装置では、ガス孔が、処理容器の近傍の内壁に配向している。 A substrate processing apparatus is known that includes a processing vessel that houses a boat on which substrates are loaded, and an injector that extends vertically along the inner wall of the processing vessel near the processing vessel and has multiple gas holes in the longitudinal direction (see, for example, Patent Document 1). In this substrate processing apparatus, the gas holes are oriented on the inner wall near the processing vessel.
本開示は、インジェクタの傾きを抑制できる技術を提供する。 This disclosure provides technology that can suppress injector tilt.
本開示の一態様による基板処理装置は、略円筒形状を有する処理容器と、前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、前記インジェクタを前記内壁内側に押圧して保持する保持部と、を備え、前記保持部は、第1の高さ位置に設けられ、前記処理容器に対する前記インジェクタの動きを規制する規制部と、前記第1の高さ位置よりも下方の第2の高さ位置に設けられ、前記規制部により前記処理容器に対する前記インジェクタの動きが規制される方向に前記インジェクタを押圧する押圧部と、を含む。 A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing vessel having an approximately cylindrical shape, an injector extending vertically along the inside of an inner wall of the processing vessel, and a holding portion that holds the injector by pressing it against the inside of the inner wall, wherein the holding portion includes a regulating portion provided at a first height position that regulates movement of the injector relative to the processing vessel, and a pressing portion provided at a second height position lower than the first height position that presses the injector in a direction in which the movement of the injector relative to the processing vessel is regulated by the regulating portion .
本開示によれば、インジェクタの傾きを抑制できる。 This disclosure makes it possible to suppress injector tilt.
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present disclosure will be described with reference to the attached drawings. In all the attached drawings, the same or corresponding members or parts are denoted by the same or corresponding reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted.
〔基板処理装置〕
図1~図6を参照し、実施形態の基板処理装置の一例について説明する。図1は、実施形態の基板処理装置の一例を示す概略図である。図2は、図1の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す斜視図である。図3は、図1の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す断面図であり、インジェクタが配設されている高さよりも上方であり、内管を通る水平面で切断した断面を示す。図4は、図1の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す断面図であり、インジェクタを通る水平面で切断した断面を示す。図5は、図1の基板処理装置の下部の一部を拡大して示す斜視図である。図6は、図5における領域Aを拡大した図である。
[Substrate Processing Apparatus]
An example of a substrate processing apparatus according to an embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 6. Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment. Fig. 2 is a perspective view showing an enlarged view of a part of an upper portion of the substrate processing apparatus of Fig. 1. Fig. 3 is a cross-sectional view showing an enlarged view of a part of an upper portion of the substrate processing apparatus of Fig. 1, the cross-section being above the height at which the injectors are disposed and cut along a horizontal plane passing through an inner tube. Fig. 4 is a cross-sectional view showing an enlarged view of a part of an upper portion of the substrate processing apparatus of Fig. 1, the cross-section being cut along a horizontal plane passing through an injector. Fig. 5 is a perspective view showing an enlarged view of a part of a lower portion of the substrate processing apparatus of Fig. 1. Fig. 6 is an enlarged view of an area A in Fig. 5.
基板処理装置1は、処理容器10、ガス供給部20、排気部30、加熱部40、保持部100及び制御部90を備える。
The substrate processing apparatus 1 includes a
処理容器10は、ボート(図示せず)を収容する。ボートは、複数の基板を高さ方向に所定間隔を有して保持する。基板は、例えば半導体ウエハであってよい。処理容器10は、内管11及び外管12を有する。内管11は、インナーチューブとも称され、下端が開放された有天井の略円筒形状に形成されている。内管11は、天井部が例えば平坦に形成されている。外管12は、アウターチューブとも称され、下端が開放されて内管11の外側を覆う有天井の略円筒形状に形成されている。すなわち、外管12の上部は閉塞している。内管11及び外管12は、同軸状に配置されて二重管構造となっている。内管11及び外管12は、例えば石英等の耐熱材料により形成されている。
The
内管11の一側には、その長手方向(鉛直方向)に沿ってインジェクタを収容するインジェクタ収容部13が形成されている。インジェクタ収容部13は、例えば図2に示されるように、内管11の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部14を形成し、凸部14内をインジェクタ収容部13として形成している。インジェクタ収容部13に対向させて内管11の反対側の側壁には、その長手方向(鉛直方向)に沿って矩形状の開口部(図示せず)が形成されている。開口部は、内管11内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口部の鉛直方向の長さは、ボートの鉛直方向の長さと同じであるか、又は、ボートの長さよりも長く鉛直方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。
On one side of the
外管12の側壁には、ガス出口15が形成されている。外管12の下端の開口部16には、Oリング等のシール部材を介して蓋体(図示せず)が取り付けられる。蓋体は、開口部16を開閉可能であり、開口部16を気密に塞ぎ密閉する。
A gas outlet 15 is formed in the side wall of the
ガス供給部20は、複数のガス供給源(図示せず)及び複数(例えば7本)のインジェクタ21~27を有する。
The gas supply unit 20 has multiple gas supply sources (not shown) and multiple (e.g., seven)
複数のガス供給源は、各種の処理ガスを複数のインジェクタ21~27に供給する。各種の処理ガスは、例えば膜を形成するための成膜ガス、膜をエッチングして除去するためのエッチングガス、処理容器10内をクリーニングするためのクリーニングガス及び処理容器10内をパージするためのパージガスを含む。
The multiple gas supply sources supply various process gases to the multiple injectors 21-27. The various process gases include, for example, a film forming gas for forming a film, an etching gas for etching and removing the film, a cleaning gas for cleaning the inside of the
インジェクタ21~27は、内管11の内壁内側のインジェクタ収容部13において、周方向に沿って一列になるように相互に間隔をおいて配設されている。各インジェクタ21~27は、断面が円形の石英管により形成されており、複数のガス供給源から供給される各種の処理ガスを内管11内に吐出する。各インジェクタ21~27は、内管11の内壁内側において、内管11の長手方向(鉛直方向)に沿って配設されている。各インジェクタ21~27は、下部においてL字状に屈曲されて外管12の側壁を貫通して対応するガス供給源に延びている。各インジェクタ21~27は、上部においてU字状に折り返された後に下方に延設している。すなわち、各インジェクタ21~27は、折り返し型のインジェクタとして構成されている。以下、各インジェクタ21~27における、内管11の長手方向に沿って配設される部分を導入部21a~27a、折り返された後の下方に延設する部分を吐出部21b~27bと称する。また、導入部21a~27aと吐出部21b~27bとを接続する部分を屈曲部21c~27c、水平方向に配設されて外管12を貫通する部分を水平部21d~27dと称する。
The injectors 21-27 are arranged at intervals from one another in a row along the circumferential direction in the injector housing 13 inside the inner wall of the
インジェクタ21~27は、鉛直方向の長さが異なるインジェクタを含む。
インジェクタ21~23、27は、導入部21a~23a、27aの鉛直方向の長さが同じである。また、インジェクタ21~23、27は、吐出部21b~23b、27bの鉛直方向の長さが同じである。吐出部21b~23b、27bの鉛直方向の長さは、ボートの鉛直方向の長さと同じであるか、又は、ボートの長さよりも長く鉛直方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。吐出部21b~23b、27bには、長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔が開設されており、ボートの鉛直方向におけるすべての領域に各種の処理ガスを供給できるように構成されている。
The injectors 21-23, 27 have the same vertical length for the
インジェクタ24~26は、導入部24a~26aの鉛直方向の長さがこの順に長く、それぞれ処理容器10の下部、中央部及び上部に吐出部24b~26bが配設されている。吐出部24b~26bには、長手方向に沿って、所定の間隔で複数のガス孔が開設されており、それぞれ処理容器10の下部、中央部及び上部に各種の処理ガスを供給できるように構成されている。なお、各インジェクタ21~27の鉛直方向の長さはこれに限定されるものではない。
The injectors 24-26 have
複数のガス孔は、内管11の近傍の内壁側に配向している。各吐出部21b~27bは、それぞれガス孔を介して各種の処理ガスを内管11の近傍の内壁側に向けて水平方向に吐出する。吐出された各種の処理ガスは、内管11の近傍の内壁で反射した後、内管11の中心側(基板側)に向かって水平方向に拡散しながら供給される。
The multiple gas holes are oriented toward the inner wall side near the
ここで、図4を参照し、インジェクタ22の吐出部22bに開設されたガス孔22hの配向角度について説明する。図4に示されるように、ガス孔22hは、基板処理装置1の平面視において、内管11の中心とインジェクタ22の吐出部22bの中心Cとを通る径方向線L4に対して導入部22a側に角度θを付けて配置されている。これにより、ガス孔22hを介して水平方向に吐出された各種の処理ガスは、内管11の内壁で反射した後、内管11の中心側に向かって水平方向に拡散しながら供給される。また、ガス孔22hを介して水平方向に吐出された各種の処理ガスは、内管11の内壁で反射した後、更にインジェクタ22自身や隣接するインジェクタ21、23等に反射して、内管11の中心側に向かって水平方向に拡散しながら供給される。角度θは、例えば0度~60度の範囲であってよい。また、ガス孔22hは、基板処理装置1の平面視において、径方向線L4に対して導入部22aとは反対側に角度を付けて配置されていてもよい。この場合の角度は、例えば0度~60度の範囲であってよい。なお、インジェクタ21、23~26の吐出部21b、23b~26bに開設されたガス孔についても、ガス孔22hと同様の配向角度であってよい。
Here, referring to FIG. 4, the orientation angle of the
排気部30は、排気通路31、圧力調整弁32及び真空ポンプ33を有する。排気通路31は、ガス出口15に接続されている。圧力調整弁32及び真空ポンプ33は、排気通路31に介設されており、内管11と外管12との間の空間を介して開口部より排出される内管11内のガスを排気する。
The exhaust section 30 has an exhaust passage 31, a pressure adjustment valve 32, and a vacuum pump 33. The exhaust passage 31 is connected to the gas outlet 15. The pressure adjustment valve 32 and the vacuum pump 33 are interposed in the exhaust passage 31, and exhaust the gas in the
加熱部40は、処理容器10内に収容される基板を加熱する。加熱部40は、例えば外管12の外周側に、外管12を覆うように略円筒形状に形成されている。加熱部40は、鉛直方向において独立して温度を制御できるという観点から、鉛直方向において分割された複数のヒータを含むことが好ましい。ただし、加熱部40は、分割されていない1つのヒータにより構成されていてもよい。
The heating unit 40 heats the substrate housed in the
保持部100は、各インジェクタ21~27に対応して設けられ、各インジェクタ21~27を保持することにより、各インジェクタ21~27が傾くことを抑制する。保持部100の詳細については後述する。
The holding units 100 are provided corresponding to each of the
制御部90は、基板処理装置1の全体の動作を制御する。制御部90は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory)を有する。CPUは、RAM等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の熱処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガス流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。なお、レシピ及び制御部90が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピ等は、CD-ROM、DVD等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。なお、制御部90は、基板処理装置1とは別に設けられていてもよい。 The control unit 90 controls the overall operation of the substrate processing apparatus 1. The control unit 90 has a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), and a RAM (Random Access Memory). The CPU executes the desired heat treatment according to a recipe stored in a storage area such as the RAM. The recipe sets control information for the apparatus with respect to the process conditions. The control information may be, for example, gas flow rate, pressure, temperature, and process time. The recipe and the program used by the control unit 90 may be stored, for example, in a hard disk or semiconductor memory. The recipe, etc. may be set in a predetermined position and read out while being stored in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM or DVD. The control unit 90 may be provided separately from the substrate processing apparatus 1.
〔保持部〕
図2~図6を参照し、基板処理装置1に設けられ、各インジェクタ21~27を保持する保持部の一例について説明する。
[Holding part]
An example of a holder that is provided in the substrate processing apparatus 1 and holds the
保持部100は、複数のインジェクタ21~27の各々に設けられている。保持部100は、各インジェクタ21~27を内管11の近傍の内壁側に押圧して保持する。保持部100は、規制部110、突出部120及び押圧部130を含む。
The holding portion 100 is provided on each of the
規制部110は、第1の高さ位置に設けられ、処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する。第1の高さ位置は、例えば図2に示されるように、処理容器10の上部であってよい。規制部110は、第1のフック111及び係合部112を含む。
The restricting
第1のフック111は、第1の高さ位置において、内管11の近傍の内壁から内管11の中心方向に延設して中心側でインジェクタ21~27(吐出部21b~27b)に向けて屈曲するL字形状を有する。第1のフック111は、内管11と同じ材料、例えば石英により形成され、内管11の近傍の内壁に溶接固定されている。
The
係合部112は、第1の高さ位置において、インジェクタ21~27から第1のフック111の側に延設して第1のフック111と係合可能に設けられている。係合部112は、図3及び図4に示されるように、第1のフック111の側に近づくにつれて第1のフック111のL字の内側に入り込むように傾斜するテーパ面112aを有する。これにより、インジェクタ21~27が第1のフック111の側に押圧されると、係合部112が第1のフック111と係合し、インジェクタ21~27が内管11の近傍の内壁側に押し付けられ、後述する突出部120が内管11の近傍の内壁に接触する。このように、内管11とインジェクタ21~27とが、第1のフック111と係合部112との接触部P1及び内管11の近傍の内壁と突出部120との接触部P2の2箇所で接触するので、インジェクタ21~27の動きが規制される。その結果、インジェクタ21~27の吐出部21b~27bに開設されたガス孔からのガス吐出により生じる反力、インジェクタ21~27の自重による回転等によるインジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
The engaging
突出部120は、第1の高さ位置よりも高い位置、例えばインジェクタ21~27の屈曲部21c~27cにおける内管11の近傍の内壁側に設けられている。ただし、突出部120は、例えば第1の高さ位置に設けられていてもよく、第1の高さ位置よりも低い位置に設けられていてもよい。この場合、突出部120は、導入部21a~27aに設けられていてもよく、吐出部21b~27bに設けられていてもよく、導入部21a~27aと吐出部21b~27bの両方に設けられていてもよい。突出部120は、インジェクタ21~27の表面から突出する半球状を有し、内管11の近傍の内壁に接触する。突出部120は、係合部112が第1のフック111に係合し、インジェクタ21~27が内管11の近傍の内壁側に押し付けられると、内管11の近傍の内壁と接触する。例えば、インジェクタ21~27は、下端のL字状に屈曲された部分(導入部21a~27aと水平部21d~27dとの接続部分)の屈曲角度が90度よりも僅かに小さい角度(鋭角)に形成されている。そして、突出部120を内管11の近傍の内壁に押し当てた状態で水平部21d~27dをナット等により固定することにより、内管11にインジェクタ21~27が取り付けられる。このようにインジェクタ21~27が2点で固定されるため、インジェクタ21~27が傾くことを抑制できる。また、突出部120が設けられていることにより、インジェクタ21~27と内管11とが点で接触するため、成膜によるインジェクタ21~27と内管11との間の貼り付きを防止できる。一方、突出部120が設けられていない場合には、インジェクタ21~27と内管11とが線又は面で接触することになり、成膜によってインジェクタ21~27が内管11に貼り付く場合がある。
The
押圧部130は、第1の高さ位置よりも下方の第2の高さ位置に設けられ、規制部110が処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する方向にインジェクタ21~27を押圧する。押圧部130は、第2のフック131及びストッパ132を含む。
The
第2のフック131は、第2の高さ位置において、内管11の近傍の内壁から内管11の中心方向に延設して中心側でインジェクタ21~27(導入部21a~27a)に向けて屈曲するL字形状を有する。第2のフック131は、内管11と同じ材料、例えば石英により形成され、内管11の近傍の内壁に溶接固定されている。第2のフック131は、内管11の周方向において、インジェクタ21~27を挟んで第1のフック111と反対側に設けられており、第2のフック131が屈曲する方向は第1のフック111が屈曲する方向と反対方向である。
The
ストッパ132は、インジェクタ21~27(導入部21a~27a)と第2のフック131との間に挿入され、インジェクタ21~27を第2のフック131から離間させる方向に押圧する。ストッパ132は、図6に示されるように、幅広部132a、幅狭部132b及びテーパ部132cを含む。
The
幅広部132aは、一定の幅W61で形成されている。幅広部132aの幅W61は、処理容器10にインジェクタ21~27を取り付けた状態におけるインジェクタ21~27と第2のフック131のL字の内側との間の長さL6よりも長い。
The
幅狭部132bは、一定の幅W62で形成されている。幅狭部132bの幅W62は、処理容器10にインジェクタ21~27を取り付けた状態におけるインジェクタ21~27と第2のフック131のL字の内側との間の長さL6よりも短い。
The
テーパ部132cは、幅広部132aと幅狭部132bとの間に形成されている。テーパ部132cは、幅広部132aの幅W61から幅狭部132bの幅W62へ、幅が連続的に縮小するように形成されている。言い換えると、テーパ部132cは、上方から下方に向けて先細りとなるように形成されている。
The tapered
係るストッパ132が、第2の高さ位置よりも上方から下方に向けて、インジェクタ21~27と第2のフック131との間に挿入されると、インジェクタ21~27に対して第2のフック131から離間する方向に力が加わる。これにより、第1の高さ位置において係合部112が第1のフック111に係合する。なお、図5及び図6においては、インジェクタ21~23、26、27と第2のフック131との間にストッパ132が挿入され、インジェクタ24、25と第2のフック131との間にはストッパ132が挿入されていない状態を示す。
When the
以上に説明したように、実施形態の基板処理装置1によれば、規制部110及び押圧部130を含む保持部100を備える。そして、規制部110は、第1の高さ位置に設けられ、処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する。押圧部130は、第1の高さ位置よりも下方の第2の高さ位置に設けられ、規制部110が処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する方向にインジェクタ21~27を押圧する。これにより、押圧部130により規制部110が処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する方向にインジェクタ21~27を押圧することで、規制部110により処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きが規制される。その結果、インジェクタ21~27の吐出部21b~27bに開設されたガス孔からのガス吐出により生じる反力、インジェクタ21~27の自重による回転等によるインジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
As described above, the substrate processing apparatus 1 of the embodiment includes a holding unit 100 including a
図7及び図8を参照し、押圧部の変形例について説明する。図7は、押圧部の変形例を示す図である。図8は、図7の押圧部の動作の一例を示す図である。 Modifications of the pressing unit will be described with reference to Figures 7 and 8. Figure 7 is a diagram showing a modification of the pressing unit. Figure 8 is a diagram showing an example of the operation of the pressing unit in Figure 7.
押圧部230は、第1の高さ位置よりも下方の第2の高さ位置に設けられ、規制部110が処理容器10に対するインジェクタ21~27の動きを規制する方向にインジェクタ21~27を押圧する。押圧部230は、第2のフック231及びストッパ232を含む。
The
第2のフック231は、第2の高さ位置において、内管11の近傍の内壁から内管11の中心方向に延設して中心側でインジェクタ21~27(導入部21a~27a)に向けて屈曲するL字形状を有する。第2のフック231は、内管11と同じ材料、例えば石英により形成され、内管11の近傍の内壁に溶接固定されている。第2のフック231は、内管11の周方向において、インジェクタ21~27を挟んで第1のフック111と反対側に設けられており、第2のフック231の屈曲する方向は第1のフック111の屈曲する方向と反対方向である。
The
ストッパ232は、インジェクタ21~27(導入部21a~27a)と第2のフック231との間に挿入され、インジェクタ21~27を第2のフック231から離間させる方向に押圧する。ストッパ232は、テーパ部232a、幅狭部232b、切欠部232c及び落下防止部232dを含む。ストッパ232は、図8(a)に示されるように、インジェクタ21~27と第2のフック231との間に挿入された状態において、重心Gが第2のフック231の下端よりも下方、例えば幅狭部232bに位置する。
The
テーパ部232aは、第1の幅W81から第2の幅W82へ、幅が連続的に縮小するように形成されている。言い換えると、テーパ部232aは、上方から下方に向けて先細りとなるように形成されている。第1の幅W81は、処理容器10にインジェクタ21~27を取り付けた状態におけるインジェクタ21~27と第2のフック231のL字の内側との間の長さである第1の長さL81よりも長い。第2の幅W82は、第1の長さL81よりも短い。
The tapered
幅狭部232bは、テーパ部232aの下方にテーパ部232aと連続して形成されている。幅狭部232bは、一定の幅W82で形成されている。
The
切欠部232cは、幅狭部232bの下方に幅狭部232bと連続して形成されている。切欠部232cは、一定の幅W83で形成されている。切欠部232cの幅W83は、処理容器10にインジェクタ21~27を取り付けた状態におけるインジェクタ21~27と第2のフック231のL字の先端との間の長さである第2の長さL82よりも短い。切欠部232cの高さH83は、第2のフック231の高さH81よりも高い。これにより、図8(b)に示されるように、切欠部232cを第2のフック231と重なる高さ位置に持ち上げることで、第2のフック231を手前側(内管11の中心側)へ移動可能となり、ストッパ232を着脱できる。
The
落下防止部232dは、切欠部232cの下方に切欠部232cと連続して形成されている。落下防止部232dは、一定の幅W84で形成されている。落下防止部232dの幅W84は、第1の長さL81よりも短く、かつ、第2の長さL82よりも長い。これにより、図8(c)に示されるように、ストッパ232が上限位置まで持ち上げられた状態において、内管11の中心側からの平面視で第2のフック231と落下防止部232dとが重なり、ストッパ232の内管11の中心側への移動が制限される。そのため、基板処理装置1による処理の実行中にガスの流れ等によりストッパ232が上限位置まで持ち上げられた場合であっても、ストッパ232が内管11の中心側へ外れて落下することを防止できる。
The
係るストッパ232が、第2の高さ位置よりも上方から下方に向けて、インジェクタ21~27と第2のフック231との間に挿入されると、インジェクタ21~27に対して第2のフック231から離間する方向に力が加わる。これにより、第1の高さ位置において係合部112が第1のフック111に係合する。
When the
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.
上記の実施形態では、各インジェクタ21~27が折り返し型のインジェクタである場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、複数のインジェクタ21~27の一部又は全部が上部において折り返されていない非折り返し型のインジェクタであってもよい。
In the above embodiment, the
上記の実施形態では、7本のインジェクタ21~27を備える基板処理装置1を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、1本のインジェクタのみを備える基板処理装置であってもよい。また、2~6本、8本以上のインジェクタを備える基板処理装置であってもよい。
In the above embodiment, the substrate processing apparatus 1 having seven
1 基板処理装置
10 処理容器
21~27 インジェクタ
100 保持部
110 規制部
111 第1のフック
112 係合部
112a テーパ面
130 押圧部
131 第2のフック
132 ストッパ
132c テーパ部
231 第2のフック
232 ストッパ
232a テーパ部
232d 落下防止部
REFERENCE SIGNS LIST 1
Claims (8)
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタを前記内壁内側に押圧して保持する保持部と、
を備え、
前記保持部は、
第1の高さ位置に設けられ、前記処理容器に対する前記インジェクタの動きを規制する規制部と、
前記第1の高さ位置よりも下方の第2の高さ位置に設けられ、前記規制部により前記処理容器に対する前記インジェクタの動きが規制される方向に前記インジェクタを押圧する押圧部と、
を含む、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a holding portion that holds the injector by pressing it against the inside of the inner wall;
Equipped with
The holding portion is
a restricting portion provided at a first height position and configured to restrict movement of the injector relative to the processing vessel;
a pressing portion provided at a second height position lower than the first height position and configured to press the injector in a direction in which the movement of the injector with respect to the processing vessel is restricted by the restricting portion;
including,
Substrate processing equipment.
前記処理容器の内壁から前記処理容器の中心方向に延設して中心側で前記インジェクタに向けて屈曲するL字形状の第1のフックと、
前記インジェクタから前記第1のフックの側に延設して前記第1のフックと係合可能な係合部と、
を含む、
請求項1に記載の基板処理装置。 The regulating portion is
a first hook having an L-shape that extends from an inner wall of the processing vessel toward a center of the processing vessel and is bent toward the injector at the center side;
an engaging portion extending from the injector toward the first hook and capable of engaging with the first hook;
including,
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
請求項2に記載の基板処理装置。 The engaging portion has a tapered surface that engages with the first hook.
The substrate processing apparatus according to claim 2 .
前記処理容器の内壁から前記処理容器の中心方向に延設して中心側で前記インジェクタに向けて屈曲するL字形状の第2のフックと、
前記インジェクタと前記第2のフックとの間に挿入され、前記インジェクタを前記第2のフックから離間させる方向に押圧するストッパと、
を含む、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The pressing portion is
a second hook having an L-shape that extends from an inner wall of the processing vessel toward a center of the processing vessel and is bent toward the injector at the center side;
a stopper that is inserted between the injector and the second hook and presses the injector in a direction away from the second hook;
including,
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記テーパ部は、前記インジェクタと前記第2のフックとの間に挿入される、
請求項4に記載の基板処理装置。 The stopper includes a tapered portion that tapers downward,
the tapered portion is inserted between the injector and the second hook;
The substrate processing apparatus according to claim 4 .
請求項5に記載の基板処理装置。 The stopper includes a drop prevention portion that is located below the tapered portion and limits the movement of the stopper toward the center of the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 5 .
前記規制部は、前記インジェクタの下方に延設する部分に設けられ、
前記押圧部は、前記インジェクタの上方に延設する部分に設けられる、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The injector is a folded-back type injector that extends upward, is folded back at an upper portion, and then extends downward,
The restriction portion is provided at a portion extending downward from the injector,
The pressing portion is provided on a portion of the injector extending upward.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記複数のガス孔は、前記処理容器の近傍の内壁側に配向している、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The injector is formed with a plurality of gas holes extending along a longitudinal direction thereof,
The gas holes are oriented toward an inner wall side near the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
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