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JP7457621B2 - Electromagnetic wave absorber - Google Patents

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JP7457621B2 JP2020164691A JP2020164691A JP7457621B2 JP 7457621 B2 JP7457621 B2 JP 7457621B2 JP 2020164691 A JP2020164691 A JP 2020164691A JP 2020164691 A JP2020164691 A JP 2020164691A JP 7457621 B2 JP7457621 B2 JP 7457621B2
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Description

本発明は、電磁波吸収体に関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave absorber.

所定の周波数の電磁波を選択的に吸収する電磁波吸収体が知られている。電磁波吸収体は、例えば、第1の周波数選択遮蔽層と第2の周波数選択遮蔽層とを備えるものである。このような電磁波吸収体においては、第1の周波数選択遮蔽層および第2の周波数選択遮蔽層に形成された周波数選択表面(Frequency Selective Surface、FSS)素子の細線パターンによって、各層が所定の周波数の電磁波を吸収し、全体として2つの異なる周波数の電磁波を選択的に遮蔽する。 Electromagnetic wave absorbers that selectively absorb electromagnetic waves of a predetermined frequency are known. The electromagnetic wave absorber, for example, comprises a first frequency selective shielding layer and a second frequency selective shielding layer. In such electromagnetic wave absorbers, the fine line patterns of frequency selective surface (FSS) elements formed on the first frequency selective shielding layer and the second frequency selective shielding layer cause each layer to absorb electromagnetic waves of a predetermined frequency, and as a whole, selectively shield electromagnetic waves of two different frequencies.

特許文献1には、同一平面状に配設された多数個のアンテナ素子を有する反射層と、2つの反射層に挟まれた誘電体からなるスペーサ層を、有し、反射層とスペーサ層とが粘着層を介して接着されている電磁波遮蔽材が記載されている。 Patent document 1 describes an electromagnetic wave shielding material that has a reflective layer having a number of antenna elements arranged on the same plane, and a spacer layer made of a dielectric material sandwiched between two reflective layers, with the reflective layer and the spacer layer being bonded via an adhesive layer.

特開2009-105387号公報Japanese Patent Application Publication No. 2009-105387

特許文献1には、粘着層の材質が記載されていない。しかしながら、一般に用いられているアクリル系の粘着剤の誘電率を鑑みると、粘着剤を貼り合わせに用いることで、電磁波遮蔽材の周波数特性が大きく変わる可能性が高い。 Patent Document 1 does not describe the material of the adhesive layer. However, considering the dielectric constant of commonly used acrylic adhesives, there is a high possibility that the frequency characteristics of the electromagnetic wave shielding material will change significantly by using the adhesive for bonding.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、周波数特性の変化を抑制した電磁波吸収体を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave absorber that suppresses changes in frequency characteristics.

本発明は、以下の電磁波吸収体を提供する。
[1]電磁波吸収層と、前記電磁波吸収層の裏面側に配置される反射層と、前記電磁波吸収層と前記反射層の間に配置されるスペーサ層と、前記電磁波吸収層の表面に形成される保護層と、を備え、前記電磁波吸収層は周波数選択表面からなり、前記保護層は、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を含む組成物の硬化物から構成される、電磁波吸収体。
[2]前記保護層における前記変性ポリオレフィン樹脂の含有量が、前記保護層の総量中50質量%超である、[1]に記載の電磁波吸収体。
[3]前記ポリフェニレンエーテル樹脂の反応性基が、エチレン性不飽和結合を含む、[1]または[2]に記載の電磁波吸収体。
[4]前記組成物が、少なくとも1種の脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物を含む、[1]~[3]のいずれかに記載の電磁波吸収体。
[5]前記脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物の少なくとも1種が25℃で液体の化合物であり、前記25℃で液体の化合物の含有量が、前記組成物の総量中10質量%以下である、[4]に記載の電磁波吸収体。
[6]前記保護層の厚みは、1μm~500μmである、[1]~[5]のいずれかに記載の電磁波吸収体。
[7]前記電磁波吸収層は、基材と、前記基材上に設けられた電磁波吸収パターンとを含む、[1]~[6]のいずれかに記載の電磁波吸収体。
[8]前記電磁波吸収パターンは、第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンからなり、前記第1の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示す周波数が、A[GHz]であり、前記第2の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(1)を満たすB[GHz]であり、前記第3の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(2)を満たすC[GHz]である、[7]に記載の電磁波吸収体。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・(1)
0.60×A≦C≦0.963×A・・・(2)
[9]前記第1の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第1の単位が配列された第1の配列を複数有し、前記第2の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第2の単位が配列された第2の配列を複数有し、前記第3の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第3の単位が配列された第3の配列を複数有し、前記第1の配列と前記第2の配列と前記第3の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置されている、[8]に記載の電磁波吸収体。
The present invention provides the following electromagnetic wave absorber.
[1] An electromagnetic wave absorbing layer, a reflective layer disposed on the back side of the electromagnetic wave absorbing layer, a spacer layer disposed between the electromagnetic wave absorbing layer and the reflective layer, and an electromagnetic wave absorbing layer formed on the surface of the electromagnetic wave absorbing layer. an electromagnetic wave absorbing layer, the electromagnetic wave absorbing layer comprising a frequency selective surface, and the protective layer comprising a cured product of a composition containing a modified polyolefin resin and a polyphenylene ether resin having a reactive group body.
[2] The electromagnetic wave absorber according to [1], wherein the content of the modified polyolefin resin in the protective layer is more than 50% by mass based on the total amount of the protective layer.
[3] The electromagnetic wave absorber according to [1] or [2], wherein the reactive group of the polyphenylene ether resin contains an ethylenically unsaturated bond.
[4] The electromagnetic wave absorber according to any one of [1] to [3], wherein the composition contains at least one compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group.
[5] At least one of the compounds having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is a compound that is liquid at 25°C, and the content of the compound that is liquid at 25°C is 10% by mass in the total amount of the composition. The electromagnetic wave absorber according to [4] below.
[6] The electromagnetic wave absorber according to any one of [1] to [5], wherein the protective layer has a thickness of 1 μm to 500 μm.
[7] The electromagnetic wave absorber according to any one of [1] to [6], wherein the electromagnetic wave absorbing layer includes a base material and an electromagnetic wave absorbing pattern provided on the base material.
[8] The electromagnetic wave absorption pattern includes a first electromagnetic wave absorption pattern, a second electromagnetic wave absorption pattern, and a third electromagnetic wave absorption pattern, and the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern is 20 GHz or more. The frequency that shows a maximum value in the range of 110 GHz is A [GHz], and the frequency that shows the maximum value of the amount of electromagnetic wave absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern satisfies the following formula (1). GHz], and the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern reaches a maximum value is C[GHz] that satisfies the following formula (2), the electromagnetic wave absorption according to [7] body.
1.037×A≦B≦1.30×A...(1)
0.60×A≦C≦0.963×A...(2)
[9] The first electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of first arrays in which a plurality of first units having the same shape are arranged, and the second electromagnetic wave absorption pattern has a shape The third electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of second arrays in which a plurality of second units having the same shape are arranged, and the third electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of third units having the same shape. [8], wherein the base material has a plurality of third arrays, and the first array, the second array, and the third array are arranged on the base material so that they are adjacent to each other. electromagnetic wave absorber.

本発明によれば、周波数特性の変化を抑制した電磁波吸収体を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an electromagnetic wave absorber in which changes in frequency characteristics are suppressed.

本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を模式的に示し、電磁波吸収体における厚みに沿う面の断面図である。1 is a cross-sectional view of a surface along the thickness of the electromagnetic wave absorber, schematically showing an electromagnetic wave absorber according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を模式的に示し、電磁波吸収体における厚みに沿う面の断面図である。1 is a cross-sectional view of a surface along the thickness of the electromagnetic wave absorber, schematically showing an electromagnetic wave absorber according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する電磁波吸収層の一例を示す上面図である。FIG. 2 is a top view showing an example of an electromagnetic wave absorbing layer that constitutes an electromagnetic wave absorber according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第1の電磁波吸収パターンの一例を示す上面図である。It is a top view showing an example of the 1st electromagnetic wave absorption pattern which constitutes the electromagnetic wave absorber concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第1の電磁波吸収パターンの第1の単位の一例を示す上面図である。It is a top view showing an example of the 1st unit of the 1st electromagnetic wave absorption pattern which constitutes the electromagnetic wave absorber concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第2の電磁波吸収パターンの一例を示す上面図である。It is a top view showing an example of the 2nd electromagnetic wave absorption pattern which constitutes the electromagnetic wave absorber concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第2の電磁波吸収パターンの第2の単位の一例を示す上面図である。It is a top view showing an example of the 2nd unit of the 2nd electromagnetic wave absorption pattern which constitutes the electromagnetic wave absorber concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第3の電磁波吸収パターンの一例を示す上面図である。It is a top view which shows an example of the 3rd electromagnetic wave absorption pattern which comprises the electromagnetic wave absorber based on one embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を構成する第3の電磁波吸収パターンの第3の単位の一例を示す上面図である。11 is a top view showing an example of a third unit of a third electromagnetic wave absorbing pattern constituting an electromagnetic wave absorber according to one embodiment of the present invention. FIG. 図3のVIII-VIII断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 参考例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing the results of measuring the return loss of an electromagnetic wave absorber of a reference example. 実施例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing the results of measuring the return loss of an electromagnetic wave absorber according to an embodiment of the present invention. 比較例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of measuring the return loss of the electromagnetic wave absorber of a comparative example.

本明細書において「電磁波吸収パターン」とは、幾何学的な図形である単位の集合体であり、ある周波数の電磁波を選択的に吸収する物体を意味する。「電磁波吸収パターン」はいわゆるアンテナと同様の機能を有するともいえる。
本明細書において「ミリ波領域の電磁波」とは、波長が1mm~15mmの電磁波を意味する。「ミリ波領域の電磁波」とは、周波数が20GHz~300GHzである電磁波ともいえる。
本明細書において数値範囲を示す「~」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含むことを意味する。
In this specification, the term "electromagnetic wave absorbing pattern" refers to an object that is a collection of geometrically shaped units and selectively absorbs electromagnetic waves of a certain frequency. The "electromagnetic wave absorbing pattern" can be said to have the same function as an antenna.
In this specification, the term "electromagnetic waves in the millimeter wave region" refers to electromagnetic waves with a wavelength of 1 mm to 15 mm. The term "electromagnetic waves in the millimeter wave region" can also be said to be electromagnetic waves with a frequency of 20 GHz to 300 GHz.
In this specification, the use of "to" indicating a range of values means that the values before and after it are included as the lower and upper limits.

[電磁波吸収体]
以下、本発明を適用した一実施形態例について説明する。以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じ値であるとは限らない。
本発明の電磁波吸収体は、電磁波吸収層と、電磁波吸収層の裏面側に配置される反射層と、電磁波吸収層と反射層の間に配置されるスペーサ層と、電磁波吸収層の表面に形成される保護層と、を備える。
[Electromagnetic wave absorber]
An embodiment to which the present invention is applied will be described below. In the drawings used in the following explanation, important parts may be shown enlarged for convenience in order to make it easier to understand the features of the present invention, and the dimensional ratios of each component are the same as the actual values. Not necessarily.
The electromagnetic wave absorber of the present invention comprises an electromagnetic wave absorbing layer, a reflective layer placed on the back side of the electromagnetic wave absorbing layer, a spacer layer placed between the electromagnetic wave absorbing layer and the reflective layer, and a spacer layer formed on the surface of the electromagnetic wave absorbing layer. and a protective layer.

図1および図2は、本発明の一実施形態に係る電磁波吸収体を模式的に示し、電磁波吸収体における厚みに沿う面の断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る電磁波吸収体10は、電磁波吸収層20と、反射層30と、スペーサ層40と、保護層50と、を備える。
1 and 2 are schematic cross-sectional views of an electromagnetic wave absorber according to one embodiment of the present invention taken along the thickness direction of the electromagnetic wave absorber.
As shown in FIG. 1, an electromagnetic wave absorber 10 according to this embodiment includes an electromagnetic wave absorbing layer 20, a reflective layer 30, a spacer layer 40, and a protective layer 50.

反射層30は、電磁波吸収層20の他方の面(裏面)20b側に配置される。スペーサ層40は、電磁波吸収層20と反射層30の間に配置される。すなわち、電磁波吸収層20と反射層30は、スペーサ層40を介して積層されている。保護層50は、電磁波吸収層20の一方の面(表面)20aに形成される。 The reflective layer 30 is arranged on the other surface (back surface) 20b side of the electromagnetic wave absorbing layer 20. Spacer layer 40 is arranged between electromagnetic wave absorbing layer 20 and reflective layer 30. That is, the electromagnetic wave absorbing layer 20 and the reflective layer 30 are laminated with the spacer layer 40 interposed therebetween. The protective layer 50 is formed on one side (surface) 20a of the electromagnetic wave absorbing layer 20.

「電磁波吸収層」
電磁波吸収層20は周波数選択表面からなる。周波数選択表面とは、導線などで波長以下の形状の連続構造を形成することにより、特定の周波数の電磁波のみを遮断することができる面のことである。
電磁波吸収層20は、図1に示すように単層であってもよく、図2に示すように基材21と、基材21上に形成された電磁波吸収パターン22とを含んでもよい。
電磁波吸収層20が単層である場合、後述する電磁波吸収パターン22と同様の材料から構成される。
"Electromagnetic wave absorption layer"
The electromagnetic wave absorbing layer 20 consists of a frequency selective surface. A frequency selective surface is a surface that can block only electromagnetic waves of a specific frequency by forming a continuous structure with a shape smaller than the wavelength using a conductive wire or the like.
The electromagnetic wave absorbing layer 20 may be a single layer as shown in FIG. 1, or may include a base material 21 and an electromagnetic wave absorbing pattern 22 formed on the base material 21 as shown in FIG.
When the electromagnetic wave absorption layer 20 is a single layer, it is made of the same material as the electromagnetic wave absorption pattern 22 described later.

図3は、本実施形態における電磁波吸収層の一例を示す上面図である。図3に示すように、電磁波吸収層20は、平板状である基材21と、基材21の一方の面21aに形成された電磁波吸収パターン22とを有する電磁波吸収フィルムである。電磁波吸収パターン22は、第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収パターン63からなる。 FIG. 3 is a top view showing an example of the electromagnetic wave absorption layer in this embodiment. As shown in FIG. 3, the electromagnetic wave absorbing layer 20 is an electromagnetic wave absorbing film having a flat base material 21 and an electromagnetic wave absorbing pattern 22 formed on one surface 21a of the base material 21. The electromagnetic wave absorption pattern 22 includes a first electromagnetic wave absorption pattern 61, a second electromagnetic wave absorption pattern 62, and a third electromagnetic wave absorption pattern 63.

(第1の電磁波吸収パターン)
図4は、第1の電磁波吸収パターン61を示す上面図である。
図4に示すように第1の電磁波吸収パターン61は、複数の第1の単位u1で構成されている。第1の単位u1のそれぞれは、幾何学的な図形である。
すなわち、第1の電磁波吸収パターン61は、幾何学的な図形である第1の単位u1の集合体であるともいえる。
第1の単位u1は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第1の電磁波吸収パターン61は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(First electromagnetic wave absorption pattern)
FIG. 4 is a top view showing the first electromagnetic wave absorption pattern 61. As shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the first electromagnetic wave absorption pattern 61 is composed of a plurality of first units u1. Each of the first units u1 is a geometric figure.
In other words, the first electromagnetic wave absorption pattern 61 can be said to be a collection of first units u1 that are geometric figures.
Each of the first units u1 functions as one antenna. The first electromagnetic wave absorption pattern 61 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.

第1の電磁波吸収パターン61においては、複数の第1の単位u1が図4中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第1の配列R1が複数形成されている。第1の電磁波吸収パターン61は複数の第1の配列R1を有するともいえる。第1の電磁波吸収パターン61は、複数の第1の配列R1を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材20上に形成することで構成できる。
複数の第1の配列R1同士の間隔は特に制限されない。第1の配列R1同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the first electromagnetic wave absorbing pattern 61, a plurality of first arrays R1 are formed, in which a plurality of first units u1 are arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in Fig. 4. It can also be said that the first electromagnetic wave absorbing pattern 61 has a plurality of first arrays R1. The first electromagnetic wave absorbing pattern 61 can be configured by forming a plurality of first arrays R1 on the substrate 20 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The intervals between the multiple first arrays R1 are not particularly limited, and the intervals between the multiple first arrays R1 may be regular or irregular.

図5は、第1の単位u1を示す上面図である。
図5は第1の電磁波吸収パターン61を構成する第1の単位u1を示す上面図である。
図5に示すように、第1の単位u1の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第1の単位u1は、1つの十字部分S1と、4つの端部T1とを有する。十字部分S1は、図5中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T1が接している。
FIG. 5 is a top view showing the first unit u1.
FIG. 5 is a top view showing the first unit u1 that constitutes the first electromagnetic wave absorption pattern 61.
As shown in FIG. 5, the shape of the first unit u1 is a cross shape that is vertically and horizontally symmetrical. Specifically, the first unit u1 has one cross portion S1 and four end portions T1. The cross portion S1 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in FIG. Each straight end portion T1 is in contact with each of both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction so as to be orthogonal to each straight line portion.

第1の単位u1のx軸方向の長さL1、4つの端部T1のそれぞれのx軸方向の長さW1をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第1の単位u1による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。 By adjusting the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction and the length W1 of each of the four ends T1 in the x-axis direction, the electromagnetic waves generated by the first unit u1 functioning as one antenna can be adjusted. Absorption properties can be adjusted. Similarly, the electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the y-axis direction as well.

ただし、第1の単位の形状は十字状に限定されない。第1の単位の形状は、第1の電磁波吸収パターン61によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、A[GHz]となる態様であれば、特に限定されない。
例えば、第1の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。
However, the shape of the first unit is not limited to a cross shape. The shape of the first unit is not particularly limited as long as the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 has a maximum value is A [GHz].
For example, the shape of the figure that is the first unit includes a circular shape, an annular shape, a linear shape, a square shape, a polygonal shape, an H-shape, a Y-shape, a V-shape, and the like.

電磁波吸収層20においては、複数の第1の単位u1の形状は互いに同一である。ただし、複数の第1の単位u1の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第1の単位の形状は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。 In the electromagnetic wave absorption layer 20, the shapes of the plurality of first units u1 are the same. However, the shapes of the plurality of first units u1 do not have to be the same figure. In other examples of the present invention, the shapes of the plurality of first units may be the same or different as long as the absorption characteristics can be adjusted to a target frequency.

第1の電磁波吸収パターン61は、周波数がA[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値A[GHz]は、第1の電磁波吸収パターン61によって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示すときの周波数の値である。
第1の電磁波吸収パターン61によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値A[GHz]は、例えば、下記の方法X、方法Yによって特定できる。
The first electromagnetic wave absorption pattern 61 selectively absorbs electromagnetic waves having a frequency of A [GHz]. The frequency value A [GHz] is the frequency value when the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 shows a maximum value in the range of 20 GHz to 110 GHz.
The frequency value A [GHz] at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 has a maximum value can be specified by, for example, method X and method Y below.

方法X:周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を後述の標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とする。
方法Y:基材と前記基材上に形成された複数の電磁波吸収パターンを有する電磁波吸収フィルムから、単一の電磁波吸収パターンのみが残るように、基材から電磁波吸収パターンを除去する。次いで、単一の電磁波吸収パターンのみを有するフィルムに、周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を照射し、当該フィルムの電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とする。
method shall be.
Method Y: From an electromagnetic wave absorbing film having a base material and a plurality of electromagnetic wave absorbing patterns formed on the base material, the electromagnetic wave absorbing pattern is removed from the base material so that only a single electromagnetic wave absorbing pattern remains. Next, a film having only a single electromagnetic wave absorption pattern is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 GHz to 110 GHz, and the frequency of the electromagnetic waves when the amount of electromagnetic wave absorption of the film reaches the maximum value is determined as A. [GHz].

標準フィルムは、平板状である標準基材と標準基材に形成された標準パターンとを有する。
標準基材の詳細は、基材21と同内容とすることができる。そのため、標準基材の詳細は、後述の基材21の説明において詳細に説明する。
The standard film has a flat standard base material and a standard pattern formed on the standard base material.
The details of the standard base material can be the same as those of the base material 21. Therefore, details of the standard base material will be explained in detail in the description of the base material 21 described later.

標準パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の標準単位のみからなる。標準フィルムにおいては、形状が同一である1種類の図形のみからなる標準パターンが標準基材に形成されているともいえる。標準パターンは通常のFSS素子の細線パターンによって形成できる。通常、標準パターンは、第1の電磁波吸収パターン61と同一の電磁波吸収パターンである。
標準パターンにおいては、複数の標準単位の形状は、互いに同一の図形であれば特に限定されない。標準単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、十字状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。通常、標準単位の形状は第1の単位u1と同一である。
The standard pattern consists only of a plurality of standard units having the same shape. In the standard film, it can be said that a standard pattern consisting of only one type of figure having the same shape is formed on the standard base material. The standard pattern can be formed by a fine line pattern of a normal FSS element. Usually, the standard pattern is the same electromagnetic wave absorption pattern as the first electromagnetic wave absorption pattern 61.
In the standard pattern, the shapes of the plurality of standard units are not particularly limited as long as they are the same figures. Examples of the shape of the figure which is a standard unit include a circular shape, an annular shape, a linear shape, a square shape, a polygonal shape, a cross shape, an H shape, a Y shape, a V shape, and the like. Usually, the shape of the standard unit is the same as the first unit u1.

標準フィルムにおいて複数の標準単位は、図形の端部同士の間隔が1mmとなるように標準基材上に配置されている。例えば、標準単位の図形が十字形状である場合、十字の交差部分が図形の中心であり、図形の端部は十字を構成する2つの直線部分の方向のそれぞれに沿って中心から最も距離が離れている部分である。 In the standard film, a plurality of standard units are arranged on a standard base material such that the distance between the edges of the figures is 1 mm. For example, if the standard unit figure is a cross, the intersection of the crosses is the center of the figure, and the edge of the figure is the farthest distance from the center along each of the two straight line parts that make up the cross. This is the part where

標準パターンを構成する標準単位の材質は、20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射したときに、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとり得る態様であれば、特に限定されない。
標準単位の材質の詳細は、第1の単位と同内容とすることができる。
The material of the standard units constituting the standard pattern must be in a manner that allows the amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film to take the maximum value when the standard film is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 GHz to 110 GHz. However, there are no particular limitations.
The details of the material of the standard unit can be the same as those of the first unit.

標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量は、下記式(3)で算出できる。
吸収量=入力信号-反射特性(S11)-透過特性(S21)・・・(3)
入力信号は、標準フィルムに電磁波を照射した際の照射源における電磁波の強度の指標である。
反射特性(S11)は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムによって反射される電磁波の強度の指標である。反射特性(S11)は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
透過特性(S21)は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムを透過する電磁波の強度の指標である。透過特性(S21)は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
The amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film can be calculated by the following formula (3).
Absorption amount=input signal−reflection characteristic (S11)−transmission characteristic (S21) (3)
The input signal is a measure of the intensity of the electromagnetic wave at the source when the electromagnetic wave is irradiated onto a standard film.
The reflection characteristic (S11) is an index of the intensity of an electromagnetic wave reflected by a standard film when the standard film is irradiated with an electromagnetic wave from an irradiation source. The reflection characteristic (S11) can be measured by a free space method using, for example, a vector network analyzer.
The transmission characteristic (S21) is an index of the intensity of electromagnetic waves transmitted through a standard film when the standard film is irradiated with electromagnetic waves from an irradiation source. The transmission characteristic (S21) can be measured, for example, by a free space method using a vector network analyzer.

周波数A[GHz]は例えば、下記の方法で特定できる。
まず、周波数を20GHz~110GHzの範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上記式(3)で算出する。
次いで、横軸に変化させた周波数をプロットし、縦軸に上記式(3)で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に1つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とすることができる。
For example, the frequency A [GHz] can be specified by the following method.
First, a standard film is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 GHz to 110 GHz, and the amount of electromagnetic waves absorbed by the standard film is calculated using the above equation (3).
Next, an absorption spectrum diagram is created in which the changed frequency is plotted on the horizontal axis and the absorption amount calculated by the above equation (3) is plotted on the vertical axis. Usually, in this absorption spectrum diagram, there is one frequency value on the horizontal axis where the amount of absorption is the maximum value. Therefore, a single peak is formed in the plot where the amount of electromagnetic wave absorption reaches its maximum value. In this way, the frequency of electromagnetic waves when the amount of absorption of electromagnetic waves takes the maximum value can be set to A [GHz].

方法Xにおいて、あらかじめ周波数Aの数値を予測できる場合には、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、20GHz~110GHzよりも狭い範囲内で変化させてもよい。例えば、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、50GHz~110GHzの範囲内で変化させてもよい。 In method X, if the numerical value of frequency A can be predicted in advance, the frequency of the electromagnetic waves irradiated to the standard film may be varied within a range narrower than 20 GHz to 110 GHz. For example, the frequency of electromagnetic waves applied to the standard film may be varied within the range of 50 GHz to 110 GHz.

第1の電磁波吸収パターン61は、上述の方法Xによって特定される周波数がA[GHz]である電磁波を吸収する。
本実施形態における電磁波吸収層20においては、周波数の値Aは、50GHz~110GHzが好ましく、60GHz~100GHzがより好ましく、65GHz~95GHzがさらに好ましく、70GHz~90GHzが特に好ましい。周波数の値Aが前記数値範囲内であると、電磁波吸収層20がミリ波領域の電磁波を吸収でき、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に適用しやすく易くなる。
The first electromagnetic wave absorbing pattern 61 absorbs electromagnetic waves having a frequency of A [GHz] specified by the above-mentioned method X.
In the electromagnetic wave absorbing layer 20 of this embodiment, the frequency value A is preferably 50 GHz to 110 GHz, more preferably 60 GHz to 100 GHz, even more preferably 65 GHz to 95 GHz, and particularly preferably 70 GHz to 90 GHz. When the frequency value A is within the above numerical range, the electromagnetic wave absorbing layer 20 can absorb electromagnetic waves in the millimeter wave region, and can be easily applied to automobile parts, road peripheral members, building exterior wall related materials, windows, communication devices, radio telescopes, etc.

方法Yにおいては、方法Xと同様に、フィルムの電磁波の吸収量を測定できる。すなわち、周波数を20~110[GHz]の範囲内で変化させながら電磁波をフィルムに照射し、フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上記式(3)で算出する。
次いで、横軸に周波数をプロットし、縦軸に上記式(3)で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に1つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をA[GHz]とすることができる。
In method Y, similarly to method X, the amount of electromagnetic waves absorbed by the film can be measured. That is, the film is irradiated with electromagnetic waves while changing the frequency within the range of 20 to 110 [GHz], and the amount of electromagnetic waves absorbed by the film is calculated using the above equation (3).
Next, an absorption spectrum diagram is created in which the frequency is plotted on the horizontal axis and the absorption amount calculated by the above equation (3) is plotted on the vertical axis. Usually, in this absorption spectrum diagram, there is one frequency value on the horizontal axis where the amount of absorption is the maximum value. Therefore, a single peak is formed in the plot where the amount of electromagnetic wave absorption reaches its maximum value. In this way, the frequency of electromagnetic waves when the amount of absorption of electromagnetic waves takes the maximum value can be set to A [GHz].

第1の単位u1の材質は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
第1の単位の材質としては、例えば、金属の細線、導電性薄膜、導電性ペーストの定着物等が挙げられる。
金属の材質としては、銅、アルミニウム、タングステン、鉄、モリブデン、ニッケル、チタン、銀、金またはこれらの金属を2種以上含む合金(例えば、ステンレス鋼、炭素鋼等の鋼鉄、真鍮、りん青銅、ジルコニウム銅合金、ベリリウム銅、鉄ニッケル、ニクロム、ニッケルチタン、カンタル、ハステロイ、レニウムタングステン等)が挙げられる。
導電性薄膜の材質としては、金属粒子、カーボンナノ粒子、カーボンファイバー等が挙げられる。
The material of the first unit u1 is not particularly limited as long as its absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency.
Examples of the material of the first unit include a thin metal wire, a conductive thin film, and a fixed conductive paste.
Metal materials include copper, aluminum, tungsten, iron, molybdenum, nickel, titanium, silver, gold, or alloys containing two or more of these metals (for example, stainless steel, steel such as carbon steel, brass, phosphor bronze, zirconium copper alloy, beryllium copper, iron nickel, nichrome, nickel titanium, kanthal, hastelloy, rhenium tungsten, etc.).
Examples of the material for the conductive thin film include metal particles, carbon nanoparticles, and carbon fibers.

第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
例えば、第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第1の単位u1である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The interval between the ends of the figure, which is the first unit u1, is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency.
For example, the distances between the ends of the figures that are the first unit u1 may be the same or different. However, since it becomes easier to design an electromagnetic wave absorption film that is less affected by the surrounding environment, and the accuracy of the frequency band of the electromagnetic waves to be absorbed improves during manufacturing, the distance between the edges of the figure, which is the first unit u1, is , are preferably identical to each other.

(第2の電磁波吸収パターン)
図6は、第2の電磁波吸収パターン62を示す上面図である。
図6に示すように、第2の電磁波吸収パターン62は、複数の第2の単位u2で構成される。第2の単位u2のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第2の電磁波吸収パターン62は、幾何学的な図形である第2の単位u2の集合体であるともいえる。
第2の単位u2は、それぞれが1つのアンテナとして機能する。第2の電磁波吸収パターン62は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(Second electromagnetic wave absorption pattern)
FIG. 6 is a top view showing the second electromagnetic wave absorption pattern 62.
As shown in FIG. 6, the second electromagnetic wave absorption pattern 62 is composed of a plurality of second units u2. Each of the second units u2 is a geometric figure. In other words, the second electromagnetic wave absorption pattern 62 can be said to be an aggregate of second units u2 that are geometric figures.
Each of the second units u2 functions as one antenna. The second electromagnetic wave absorption pattern 62 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.

第2の電磁波吸収パターン62においては、複数の第2の単位u2が図6中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第2の配列R2が形成されている。第2の電磁波吸収パターン62は複数の第2の配列R2を有するともいえる。第2の電磁波吸収パターン62は、第2の配列R2を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材21上に形成することで構成できる。
複数の第2の配列R2同士の間隔は特に制限されない。第2の配列R2同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the second electromagnetic wave absorption pattern 62, a second array R2 is formed in which a plurality of second units u2 are arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in FIG. It can also be said that the second electromagnetic wave absorption pattern 62 has a plurality of second arrays R2. The second electromagnetic wave absorption pattern 62 can be constructed by forming the second array R2 on the base material 21 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The interval between the plurality of second arrays R2 is not particularly limited. The intervals between the second arrays R2 may be regular or irregular.

図7は、第2の単位u2を示す上面図である。
図7に示すように、第2の単位u2の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第2の単位u2は、1つの十字部分S2と、4つの端部T2とを有する。十字部分S2は、図7中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T2が接している。
FIG. 7 is a top view showing the second unit u2.
As shown in FIG. 7, the shape of the second unit u2 is a cross shape that is vertically and horizontally symmetrical. Specifically, the second unit u2 has one cross portion S2 and four end portions T2. The cross portion S2 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in FIG. Each straight end T2 is in contact with each of both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction so as to be orthogonal to each straight line portion.

電磁波吸収層20においては、第2の単位u2のx軸方向の長さL2は、第1の単位u1のx軸方向の長さL1より短い。加えて、4つの端部T2のそれぞれのx軸方向またはy軸方向の長さW2は、第1の単位u1の4つの端部T1のそれぞれの長さW1より短い。
第2の単位u2のx軸方向の長さL2、4つの端部T2のそれぞれのx軸方向の長さW2をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第2の単位u2による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
In the electromagnetic wave absorption layer 20, the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction is shorter than the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction. In addition, the length W2 of each of the four ends T2 in the x-axis direction or the y-axis direction is shorter than the length W1 of each of the four ends T1 of the first unit u1.
By adjusting the length L2 of the second unit u2 in the x-axis direction and the length W2 of each of the four ends T2 in the x-axis direction, the electromagnetic waves generated by the second unit u2 functioning as one antenna can be adjusted. Absorption properties can be adjusted. Similarly, the electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the y-axis direction as well.

電磁波吸収層20においては、複数の第2の単位u2の形状は互いに同一である。ただし、複数の第2の単位u2の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第2の単位の形状は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。 In the electromagnetic wave absorption layer 20, the shapes of the plurality of second units u2 are the same. However, the shapes of the plurality of second units u2 do not have to be the same figure. In other examples of the present invention, the shapes of the plurality of second units may be the same or different as long as the absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency.

第2の電磁波吸収パターン62は、周波数が下記式(1)を満たすB[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値B[GHz]は、第2の電磁波吸収パターン62によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値B[GHz]は、下記式(1)を満たす。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・式(1)
The second electromagnetic wave absorption pattern 62 selectively absorbs electromagnetic waves whose frequency is B [GHz] that satisfies the following formula (1). The frequency value B [GHz] is the frequency value when the amount of electromagnetic waves absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern 62 shows a maximum value. The frequency value B [GHz] satisfies the following formula (1).
1.037×A≦B≦1.30×A...Formula (1)

上記式(1)に示すように、第2の電磁波吸収パターン62は、周波数が1.037×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収する。第2の電磁波吸収パターン62は、周波数が1.17×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収することが好ましい。
第2の電磁波吸収パターン62が1.037×A[GHz]以上の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より高周波数の周波数帯で第2の電磁波吸収パターン62による電磁波の吸収量のピークと第1の電磁波吸収パターン61による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、第1の電磁波吸収パターン61を単独で有するフィルムと比較して、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯がA[GHz]より高周波数側の周波数帯に拡張される。
第2の電磁波吸収パターン62が1.30×A[GHz]以下の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より高周波数の周波数帯で第2の電磁波吸収パターン62による電磁波の吸収量のピークと第1の電磁波吸収パターン61による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
以上より、第2の電磁波吸収パターン62は周波数が1.037×A[GHz]~1.30×A[GHz]である電磁波を吸収するため、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が高周波数側の周波数帯に拡張される。
As shown in the above equation (1), the second electromagnetic wave absorption pattern 62 absorbs electromagnetic waves having a frequency of 1.037×A [GHz] to 1.30×A [GHz]. The second electromagnetic wave absorption pattern 62 preferably absorbs electromagnetic waves having a frequency of 1.17×A [GHz] to 1.30×A [GHz].
Since the second electromagnetic wave absorption pattern 62 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.037×A [GHz] or higher, the amount of electromagnetic waves absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern 62 in a frequency band higher than A [GHz] is The peak and the peak of the amount of electromagnetic wave absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 sufficiently overlap. As a result, compared to a film having only the first electromagnetic wave absorption pattern 61, the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave absorption film is expanded to a frequency band higher than A [GHz].
Since the second electromagnetic wave absorption pattern 62 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.30×A [GHz] or less, the amount of electromagnetic waves absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern 62 in a frequency band higher than A [GHz] is The difference in frequency between the peak and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 becomes smaller. As a result, a single peak is formed in which the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorbing film becomes a maximum value.
From the above, since the second electromagnetic wave absorption pattern 62 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 1.037×A [GHz] to 1.30×A [GHz], the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorption film is is extended to the higher frequency band.

ただし、第2の単位の形状は十字状に限定されない。第2の単位の形状は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。例えば、第2の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。 However, the shape of the second unit is not limited to a cross shape. The shape of the second unit is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency. For example, the shape of the figure that is the second unit includes a circular shape, an annular shape, a linear shape, a rectangular shape, a polygonal shape, an H-shape, a Y-shape, a V-shape, and the like.

第2の電磁波吸収パターン62を構成する第2の単位の材質は、B[GHz]の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
第2の単位の材質としては、第1の単位u1の材質について説明した内容と同内容である。
The material of the second unit constituting the second electromagnetic wave absorption pattern 62 is not particularly limited as long as it can absorb electromagnetic waves of B [GHz], and is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency. Not done.
The material of the second unit is the same as that described for the material of the first unit u1.

第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
例えば、第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受け難い電磁波吸収フィルムを設計し易くなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第2の単位u2である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The distance between the ends of the figure that is the second unit u2 is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to a desired frequency.
For example, the intervals between the ends of the figures that are the second units u2 may all be the same or may be different from each other. However, it is preferable that the intervals between the ends of the figures that are the second units u2 are the same from the viewpoint of making it easier to design an electromagnetic-wave-absorbing film that is less susceptible to the effects of the surrounding environment and improving the precision of the frequency band of the electromagnetic waves to be absorbed during manufacturing.

(第3の電磁波吸収パターン)
図8は、第3の電磁波吸収パターン63を示す上面図である。
図8に示すように第3の電磁波吸収パターン63は、複数の第3の単位u3で構成される。第3の単位u3のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第3の電磁波吸収パターン63は、幾何学的な図形である第3の単位u3の集合体であるともいえる。
第3の単位u3は、それぞれが1つのアンテナとして機能する。第3の電磁波吸収パターン63は、例えば、FSS素子の細線パターンでもよい。
(Third electromagnetic wave absorption pattern)
FIG. 8 is a top view showing the third electromagnetic wave absorption pattern 63.
As shown in FIG. 8, the third electromagnetic wave absorption pattern 63 is composed of a plurality of third units u3. Each of the third units u3 is a geometric figure. That is, it can be said that the third electromagnetic wave absorption pattern 63 is an aggregate of third units u3 that are geometric figures.
Each of the third units u3 functions as one antenna. The third electromagnetic wave absorption pattern 63 may be, for example, a thin line pattern of an FSS element.

第3の電磁波吸収パターン63においては、複数の第3の単位u3が図8中の両矢印Pで示す方向に沿って配列された第3の配列R3が形成されている。第3の電磁波吸収パターン63は複数の第3の配列R3を有するともいえる。第3の電磁波吸収パターン63は、第3の配列R3を両矢印Pで示す方向に沿って、所定の間隔で基材21上に形成することで構成できる。
複数の第3の配列R3同士の間隔は特に制限されない。第3の配列R3同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
In the third electromagnetic wave absorption pattern 63, a third array R3 is formed in which a plurality of third units u3 are arranged along the direction indicated by the double-headed arrow P in FIG. It can also be said that the third electromagnetic wave absorption pattern 63 has a plurality of third arrays R3. The third electromagnetic wave absorption pattern 63 can be constructed by forming the third array R3 on the base material 21 at predetermined intervals along the direction indicated by the double-headed arrow P.
The spacing between the plurality of third arrays R3 is not particularly limited. The intervals between the third arrays R3 may be regular or irregular.

図9は、第3の単位u3を示す上面図である。
図9に示すように、第3の単位u3の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第3の単位u3は、1つの十字部分S3と、4つの端部T3とを有する。十字部分S3は、図9中のx軸方向に平行な直線部分とy軸方向に平行な直線部分とで構成される。x軸方向に平行な直線部分の両端とy軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部T3が接している。
FIG. 9 is a top view showing the third unit u3.
As shown in FIG. 9, the shape of the third unit u3 is a cross shape that is vertically and horizontally symmetrical. Specifically, the third unit u3 has one cross portion S3 and four end portions T3. The cross portion S3 is composed of a straight line portion parallel to the x-axis direction and a straight line portion parallel to the y-axis direction in FIG. Each straight end T3 is in contact with each of both ends of the straight line portion parallel to the x-axis direction and both ends of the straight line portion parallel to the y-axis direction so as to be orthogonal to each straight line portion.

電磁波吸収層20においては、第3の単位u3のx軸方向の長さL3は、第1の単位u1のx軸方向の長さL1より長い。加えて、4つの端部T3のそれぞれのx軸方向またはy軸方向の長さW3は、第1の単位u1の4つの端部T1のそれぞれの長さW1より長い。
第3の単位u3のx軸方向の長さL3、4つの端部T3のそれぞれのx軸方向の長さW3をそれぞれ調整することで、1つのアンテナとして機能する第3の単位u3による電磁波の吸収特性を調節できる。y軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
In the electromagnetic wave absorption layer 20, the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction is longer than the length L1 of the first unit u1 in the x-axis direction. In addition, the length W3 of each of the four ends T3 in the x-axis direction or the y-axis direction is longer than the length W1 of each of the four ends T1 of the first unit u1.
By adjusting the length L3 of the third unit u3 in the x-axis direction and the length W3 of each of the four ends T3 in the x-axis direction, the electromagnetic waves generated by the third unit u3 functioning as one antenna can be adjusted. Absorption properties can be adjusted. Similarly, the electromagnetic wave absorption characteristics can be adjusted in the y-axis direction as well.

電磁波吸収層20においては、複数の第3の単位u3の形状は互いに同一である。ただし、複数の第3の単位u3の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第3の単位の形状は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。 In the electromagnetic wave absorbing layer 20, the shapes of the multiple third units u3 are the same. However, the shapes of the multiple third units u3 do not have to be the same figures. In another example of the present invention, the shapes of the multiple third units may be the same or different as long as the absorption characteristics can be adjusted to the desired frequency.

第3の電磁波吸収パターン63は、周波数が下記式(2)を満たすC[GHz]である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値C[GHz]は、第3の電磁波吸収パターン63によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値C[GHz]は、下記式(2)を満たす。
0.60×A≦C≦0.963×A・・・式(2)
The third electromagnetic wave absorption pattern 63 selectively absorbs electromagnetic waves whose frequency is C [GHz] that satisfies the following formula (2). The frequency value C [GHz] is the frequency value when the amount of electromagnetic waves absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern 63 shows a maximum value. The frequency value C [GHz] satisfies the following formula (2).
0.60×A≦C≦0.963×A...Formula (2)

上記式(2)に示すように、第3の電磁波吸収パターン63は、周波数が0.60×A[GHz]~0.963×A[GHz]である電磁波を吸収する。第3の電磁波吸収パターン63は、周波数が0.60×A[GHz]~0.83×A[GHz]である電磁波を吸収することが好ましい。
第3の電磁波吸収パターン63が0.60×A[GHz]以上の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より低周波数の周波数帯で第3の電磁波吸収パターン63による電磁波の吸収量のピークと第1の電磁波吸収パターン61による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収層20全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
第3の電磁波吸収パターン63が0.963×A[GHz]以下の周波数の電磁波を吸収するため、A[GHz]より低周波数の周波数帯で第3の電磁波吸収パターン63による電磁波の吸収量のピークと第1の電磁波吸収パターン61による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が第1の電磁波吸収パターン61を単独で有するフィルムと比較して、A[GHz]より低周波数側の周波数帯に拡張される。
以上より、第3の電磁波吸収パターン3は周波数が0.60×A[GHz]~0.963×A[GHz]である電磁波を吸収するため、電磁波吸収層20全体で吸収される電磁波の吸収量が低周波数側の周波数帯に拡張される。
As shown in the above equation (2), the third electromagnetic wave absorption pattern 63 absorbs electromagnetic waves having a frequency of 0.60×A [GHz] to 0.963×A [GHz]. The third electromagnetic wave absorption pattern 63 preferably absorbs electromagnetic waves having a frequency of 0.60×A [GHz] to 0.83×A [GHz].
Since the third electromagnetic wave absorption pattern 63 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 0.60×A [GHz] or higher, the amount of electromagnetic waves absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern 63 in the frequency band lower than A [GHz] is The difference in frequency between the peak and the peak of the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 becomes smaller. As a result, a single peak is formed in which the amount of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorbing layer 20 becomes a maximum value.
Since the third electromagnetic wave absorption pattern 63 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 0.963×A [GHz] or less, the amount of electromagnetic waves absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern 63 in the frequency band lower than A [GHz] is The peak and the peak of the amount of electromagnetic wave absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern 61 sufficiently overlap. As a result, the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave absorbing film is expanded to a frequency band lower than A [GHz] compared to a film having only the first electromagnetic wave absorbing pattern 61.
From the above, since the third electromagnetic wave absorption pattern 3 absorbs electromagnetic waves with a frequency of 0.60 × A [GHz] to 0.963 × A [GHz], the absorption of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorption layer 20 The amount is extended to the lower frequency band.

ただし、第3の単位u3の形状は十字状に限定されない。第3の単位u3の形状は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。例えば、第3の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、H字状、Y字状、V字状等が挙げられる。 However, the shape of the third unit u3 is not limited to a cross shape. The shape of the third unit u3 is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to a desired frequency. For example, the shape of the figure that is the third unit includes a circular shape, an annular shape, a linear shape, a rectangular shape, a polygonal shape, an H-shape, a Y-shape, a V-shape, and the like.

第3の電磁波吸収パターン63を構成する第3の単位u3の材質は、C[GHz]の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
第3の単位u3の材質としては、第1の単位u1の材質について説明した内容と同内容である。
The material of the third unit u3 constituting the third electromagnetic wave absorption pattern 63 is not particularly limited as long as it is capable of absorbing C [GHz] electromagnetic waves. Not limited.
The material of the third unit u3 is the same as that described for the material of the first unit u1.

第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、目的とする周波数に吸収特性を調整できれば、特に限定されない。
例えば、第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受け難い電磁波吸収フィルムを設計し易くなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第3の単位u3である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
The distance between the ends of the figure that is the third unit u3 is not particularly limited as long as the absorption characteristics can be adjusted to a desired frequency.
For example, the intervals between the ends of the figures that are the third units u3 may all be the same or may be different from each other. However, it is preferable that the intervals between the ends of the figures that are the third units u3 are the same from the viewpoint of making it easier to design an electromagnetic-wave-absorbing film that is less susceptible to the effects of the surrounding environment and improving the precision of the frequency band of the electromagnetic waves to be absorbed during manufacturing.

図3に示す電磁波吸収層20においては、第1の配列R1と第2の配列R2と第3の配列R3とが互いに隣り合うように両矢印Pで示す方向に沿って配列されている。このように、第1の配列R1と第2の配列R2と第3の配列R3とが互いに隣り合うように基材21に配置されているため、第1の電磁波吸収パターン61が選択的に吸収する電磁波のピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準として、第2の電磁波吸収パターン62が選択的に吸収する電磁波の周波数帯と、第3の電磁波吸収パターン63が選択的に吸収する電磁波の周波数帯の両方が重なりあう。その結果、電磁波吸収層20全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準として、高周波数側と低周波数側との両方に拡張され易くなる。 In the electromagnetic wave absorption layer 20 shown in FIG. 3, a first array R1, a second array R2, and a third array R3 are arranged along the direction indicated by a double arrow P so as to be adjacent to each other. In this way, since the first array R1, the second array R2, and the third array R3 are arranged on the base material 21 so as to be adjacent to each other, the first electromagnetic wave absorption pattern 61 selectively absorbs The frequency band of electromagnetic waves selectively absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern 62 and the electromagnetic waves selectively absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern 63 based on the frequency value A [GHz] of the peak position of the electromagnetic waves Both frequency bands overlap. As a result, the absorption range of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorption layer 20 is likely to be expanded to both the high frequency side and the low frequency side with respect to the frequency value A [GHz] at the peak position.

図3にそれぞれ示す、第1の単位u1と第2の単位u2との間隔d1、第2の単位u2と第3の単位u3との間隔d2、第3の単位u3と第1の単位u1との間隔d3は、互いに同一でもよく、異なってもよい。
間隔d1は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d2は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d3は、例えば、0.2mm~4mmでもよく、0.3mm~2mmでもよく、0.5mm~1mmでもよい。
間隔d1、間隔d2、間隔d3がそれぞれ前記数値範囲内であると、電磁波吸収層20全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値A[GHz]を基準としてさらに拡張されやすくなる。
The distance d1 between the first unit u1 and the second unit u2, the distance d2 between the second unit u2 and the third unit u3, and the distance between the third unit u3 and the first unit u1 shown in FIG. 3, respectively. The distance d3 may be the same or different.
The distance d1 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
The distance d2 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
The distance d3 may be, for example, 0.2 mm to 4 mm, 0.3 mm to 2 mm, or 0.5 mm to 1 mm.
When the distance d1, distance d2, and distance d3 are each within the above numerical range, the absorption range of electromagnetic waves absorbed by the entire electromagnetic wave absorption layer 20 is likely to be further expanded with respect to the frequency value A [GHz] at the peak position. Become.

電磁波吸収層20においては、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は互いに同一である。ただし、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。すなわち、本発明の他の例においては、第1の単位u1、第2の単位u2、第3の単位u3の形状は、互いに同一でもよく、異なってもよい。 In the electromagnetic wave absorption layer 20, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 are the same. However, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 do not have to be the same figure. That is, in other examples of the present invention, the shapes of the first unit u1, the second unit u2, and the third unit u3 may be the same or different.

電磁波吸収層20は、複数の第2の電磁波吸収パターン62を有してもよい。例えば、電磁波吸収層20は、第2の電磁波吸収パターン2に加えて、下記の電磁波吸収パターン62a、電磁波吸収パターン62bをさらに有してもよい。
電磁波吸収パターン62a:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(4)を満たすD[GHz]である電磁波吸収パターン。
電磁波吸収パターン62b:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(5)を満たすE[GHz]である電磁波吸収パターン。
1.037×A≦D<1.09×A・・・式(4)
1.09×A≦E<1.17×A・・・式(5)
上記式(4)、上記式(5)中、Aは上述の方法Xまたは方法Yで特定される周波数[GHz]である。
The electromagnetic wave absorption layer 20 may have a plurality of second electromagnetic wave absorption patterns 62. For example, in addition to the second electromagnetic wave absorption pattern 2, the electromagnetic wave absorption layer 20 may further include an electromagnetic wave absorption pattern 62a and an electromagnetic wave absorption pattern 62b described below.
Electromagnetic wave absorption pattern 62a: An electromagnetic wave absorption pattern in which the frequency value at which the absorbed amount of electromagnetic waves shows a maximum value is D [GHz] that satisfies the following formula (4).
Electromagnetic wave absorption pattern 62b: An electromagnetic wave absorption pattern in which the frequency value at which the amount of absorbed electromagnetic waves shows a maximum value is E [GHz] that satisfies the following formula (5).
1.037×A≦D<1.09×A...Formula (4)
1.09×A≦E<1.17×A...Formula (5)
In the above formula (4) and the above formula (5), A is the frequency [GHz] specified by the above method X or method Y.

電磁波吸収層20が、第2の電磁波吸収パターン62に加えて、電磁波吸収パターン62aと電磁波吸収パターン62bとをさらに有する場合、第2の電磁波吸収パターン62によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、1.17×A[GHz]~1.30×A[GHz]が好ましい。この場合、電磁波吸収層20全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の高周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、本発明の効果がさらに顕著に得られる。 When the electromagnetic wave absorption layer 20 further includes an electromagnetic wave absorption pattern 62a and an electromagnetic wave absorption pattern 62b in addition to the second electromagnetic wave absorption pattern 62, the amount of electromagnetic wave absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern 62 has a maximum value. The value of the frequency indicating this is preferably 1.17×A [GHz] to 1.30×A [GHz]. In this case, the effect of expanding the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave absorption layer 20 toward the higher frequency side is even more remarkable, and the effects of the present invention can be obtained even more noticeably.

電磁波吸収層20は、複数の第3の電磁波吸収パターンを有してもよい。例えば、電磁波吸収層20は、第3の電磁波吸収パターン63に加えて、下記の電磁波吸収パターン63aと電磁波吸収パターン63bとをさらに有してもよい。
電磁波吸収パターン63a:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(6)を満たすF[GHz]である電磁波吸収パターン。
電磁波吸収パターン63b:吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下記式(7)を満たすG[GHz]である電磁波吸収パターン。
0.91×A<F≦0.963×A・・・式(6)
0.83×A<G≦0.91×A・・・式(7)
下記式(6)、下記式(7)中、Aは上述の方法Xまたは方法Yで特定される周波数[GHz]である。
The electromagnetic wave absorption layer 20 may have a plurality of third electromagnetic wave absorption patterns. For example, in addition to the third electromagnetic wave absorption pattern 63, the electromagnetic wave absorption layer 20 may further include an electromagnetic wave absorption pattern 63a and an electromagnetic wave absorption pattern 63b described below.
Electromagnetic wave absorption pattern 63a: An electromagnetic wave absorption pattern in which the frequency value at which the amount of absorbed electromagnetic waves shows a maximum value is F [GHz] that satisfies the following formula (6).
Electromagnetic wave absorption pattern 63b: An electromagnetic wave absorption pattern in which the frequency value at which the absorbed amount of electromagnetic waves shows a maximum value is G [GHz] that satisfies the following formula (7).
0.91×A<F≦0.963×A...Formula (6)
0.83×A<G≦0.91×A...Formula (7)
In the following formulas (6) and (7), A is the frequency [GHz] specified by method X or method Y described above.

電磁波吸収層20が、第3の電磁波吸収パターン63に加えて、電磁波吸収パターン63a、電磁波吸収パターン63bをさらに有する場合、第3の電磁波吸収パターン63によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、0.60×A[GHz]~0.83×A[GHz]が好ましい。この場合、電磁波吸収層20全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の低周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、本発明の効果がさらに顕著に得られる。 When the electromagnetic wave absorption layer 20 further includes an electromagnetic wave absorption pattern 63a and an electromagnetic wave absorption pattern 63b in addition to the third electromagnetic wave absorption pattern 63, the amount of electromagnetic wave absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern 63 reaches a maximum value. The value of the frequency shown is preferably 0.60×A [GHz] to 0.83×A [GHz]. In this case, the effect of extending the frequency band of electromagnetic waves that can be absorbed by the entire electromagnetic wave absorbing layer 20 to the lower frequency side is even more remarkable, and the effects of the present invention can be obtained even more noticeably.

図10は、図3の電磁波吸収層20のVIII-VIII断面図である。
基材21は、互いに対向する2つの面21a,21bを有する。そして、基材21の一方の面21aに、第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62、第3の電磁波吸収パターン63が形成されている。図10に示すように、基材21の一方の面21aに、複数の第1の単位u1、複数の第2の単位u2、複数の第3の単位u3がそれぞれ設けられている。
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of the electromagnetic wave absorbing layer 20 in FIG.
The base material 21 has two surfaces 21a and 21b facing each other. A first electromagnetic wave absorption pattern 61, a second electromagnetic wave absorption pattern 62, and a third electromagnetic wave absorption pattern 63 are formed on one surface 21a of the base material 21. As shown in FIG. 10, a plurality of first units u1, a plurality of second units u2, and a plurality of third units u3 are provided on one surface 21a of the base material 21, respectively.

基材21は、平板状であり、かつ、一方の面21aに第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収パターン63を形成できる形態であれば、特に限定されない。基材21は単層構造でも多層構造でもよい。 The base material 21 is not particularly limited as long as it is flat and has a form in which the first electromagnetic wave absorption pattern 61, the second electromagnetic wave absorption pattern 62, and the third electromagnetic wave absorption pattern 63 can be formed on one surface 21a. Not done. The base material 21 may have a single layer structure or a multilayer structure.

基材21の厚みKは、例えば、5μm~500μmでもよく、15μm~200μmでもよく、25μm~100μmでもよい。
第1の電磁波吸収パターン61の厚みH1、第2の電磁波吸収パターン62の厚みH2、第3の電磁波吸収パターン63の厚みH3は特に限定されない。厚みH1、厚みH2、厚みH3は所望する特性に応じて任意に変更可能である。また、厚みH1、厚みH2、厚みH3は互いに同一でもよく、異なっていてもよい。
厚みH1、厚みH2、厚みH3は、例えば、1μm~100μmでもよく、5μm~50μmでもよく、10μm~30μmでもよい。厚みH1、厚みH2、厚みH3のそれぞれが厚いほど、電磁波吸収性がよくなる一方、製造コストが高くなる。この点を考慮して、厚みH1、厚みH2、厚みH3のそれぞれを設定してもよい。
The thickness K of the base material 21 may be, for example, 5 μm to 500 μm, 15 μm to 200 μm, or 25 μm to 100 μm.
The thickness H1 of the first electromagnetic wave absorption pattern 61, the thickness H2 of the second electromagnetic wave absorption pattern 62, and the thickness H3 of the third electromagnetic wave absorption pattern 63 are not particularly limited. Thickness H1, thickness H2, and thickness H3 can be arbitrarily changed according to desired characteristics. Further, the thickness H1, the thickness H2, and the thickness H3 may be the same or different.
The thickness H1, the thickness H2, and the thickness H3 may be, for example, 1 μm to 100 μm, 5 μm to 50 μm, or 10 μm to 30 μm. The thicker each of the thickness H1, the thickness H2, and the thickness H3, the better the electromagnetic wave absorbability, but the higher the manufacturing cost. Taking this point into consideration, each of the thicknesses H1, H2, and H3 may be set.

基材21の材料は、電磁波吸収体10の用途に応じて適宜選択できる。
例えば、電磁波吸収体10の透明性の具備を目的として、基材21を透明な材料で構成してもよい。他にも、電磁波吸収体10の曲面に対する追従性の具備を目的として、基材21を柔軟性のある材料で構成してもよい。電磁波吸収体10の透明性、三次元成形性の向上を目的として、基材21の表面を平滑にしてもよい。
The material of the base material 21 can be selected as appropriate depending on the use of the electromagnetic wave absorber 10.
For example, in order to provide the electromagnetic wave absorber 10 with transparency, the base material 21 may be made of a transparent material. In addition, the base material 21 may be made of a flexible material for the purpose of providing followability to the curved surface of the electromagnetic wave absorber 10. For the purpose of improving the transparency and three-dimensional formability of the electromagnetic wave absorber 10, the surface of the base material 21 may be made smooth.

例えば、基材21は樹脂で構成できる。樹脂は、熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよい。ただし、電磁波吸収体10の三次元成形性を考慮する場合、基材21は熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。
ポリオレフィン樹脂の具体例としては、ポリプロピレン、ポリエチレン等が挙げられる。ポリエステル樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。
For example, the base material 21 can be made of resin. The resin may be a thermoplastic resin or a thermosetting resin. However, when considering the three-dimensional formability of the electromagnetic wave absorber 10, it is preferable that the base material 21 contains a thermoplastic resin.
Examples of thermoplastic resins include polyolefin resins, polyester resins, polyacrylic resins, polystyrene resins, polyimide resins, polyimide amide resins, polyamide resins, polyurethane resins, polycarbonate resins, polyarylate resins, melamine resins, epoxy resins, urethane resins, Examples include silicone resin and fluororesin.
Specific examples of polyolefin resins include polypropylene, polyethylene, and the like. Specific examples of polyester resins include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and the like.

熱硬化性樹脂として、例えば、エポキシ樹脂組成物、ウレタン反応により硬化する樹脂組成物、ラジカル重合反応により硬化する樹脂組成物を用いることができる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂と硬化剤とを含む組成物である。エポキシ樹脂の具体例としては、多官能系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
硬化剤の具体例としては、アミン化合物、フェノール系硬化剤等が挙げられる。
ウレタン反応により硬化する樹脂組成物としては、例えば、(メタ)アクリルポリオールとポリイソシアネート化合物とを含む樹脂組成物が挙げられる。
As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin composition, a resin composition that is cured by a urethane reaction, or a resin composition that is cured by a radical polymerization reaction can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
The epoxy resin composition is a composition containing an epoxy resin and a curing agent. Specific examples of epoxy resins include polyfunctional epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, biphenyl epoxy resins, dicyclopentadiene epoxy resins, and the like.
Specific examples of the curing agent include amine compounds, phenolic curing agents, and the like.
Examples of the resin composition that is cured by a urethane reaction include a resin composition containing a (meth)acrylic polyol and a polyisocyanate compound.

ラジカル重合反応により硬化する樹脂組成物としては、例えば、側鎖にラジカル重合性基を有する(メタ)アクリル樹脂、不飽和ポリエステル等が挙げられる。
(メタ)アクリル樹脂としては、反応性基を有するビニル単量体の重合体と、ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体とを反応させて得られる樹脂;エポキシ樹脂の末端に(メタ)アクリル酸等を反応させた(メタ)アクリル基を有するエポキシアクリレートが挙げられる。
反応性基を有するビニル単量体の具体例としては、例えば、ヒドロキシ(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等のアクリル系単量体が挙げられる。
ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体の具体例としては、(メタ)アクリル酸、イソシアナート基含有(メタ)アクリレート等が挙げられる。
不飽和ポリエステルとしては、不飽和基を有するカルボン酸(フマル酸等)をジオールと縮合した不飽和ポリエステルが挙げられる。
基材21は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分を含んでもよい。任意成分の例としては、例えば、無機充填材、着色剤、硬化剤、老化防止剤、光安定剤、難燃剤、導電剤、帯電防止剤、可塑剤等が挙げられる。
Examples of resin compositions that can be cured by radical polymerization include (meth)acrylic resins and unsaturated polyesters having radically polymerizable groups in side chains.
The (meth)acrylic resin includes a polymer of vinyl monomers having a reactive group, and a monomer having a group capable of reacting with a reactive group derived from a vinyl monomer and having a radically polymerizable group. Resins obtained by reacting with epoxy resins include epoxy acrylates having (meth)acrylic groups obtained by reacting (meth)acrylic acid or the like at the ends of epoxy resins.
Specific examples of vinyl monomers having reactive groups include acrylic monomers such as hydroxy (meth)acrylate and glycidyl (meth)acrylate.
Specific examples of monomers that have a group that can react with a reactive group derived from a vinyl monomer and also have a radically polymerizable group include (meth)acrylic acid, isocyanate group-containing (meth)acrylate, etc. can be mentioned.
Examples of the unsaturated polyester include unsaturated polyesters obtained by condensing a carboxylic acid (such as fumaric acid) having an unsaturated group with a diol.
The base material 21 may contain optional components within a range that does not impair the effects of the present invention. Examples of optional components include inorganic fillers, colorants, curing agents, anti-aging agents, light stabilizers, flame retardants, conductive agents, antistatic agents, and plasticizers.

無機充填材としては、金属粒子、金属酸化物粒子、金属水酸化物粒子、金属窒化物系粒子等が挙げられる。より具体的には、銀粒子、銅粒子、アルミニウム粒子、ニッケル粒子、酸化亜鉛粒子、酸化アルミニウム粒子、窒化アルミニウム粒子、酸化ケイ素粒子、酸化マグネシウム粒子、窒化アルミニウム粒子、チタン粒子、窒化ホウ素粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、グラファイト粒子、カーボンナノチューブ粒子、金属ケイ素粒子、カーボンファイバー粒子、フラーレン粒子、ガラス粒子等が挙げられる。
着色剤の具体例としては、無機顔料、有機顔料、染料等が挙げられる。これらは1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
Examples of the inorganic filler include metal particles, metal oxide particles, metal hydroxide particles, metal nitride particles, and the like. More specifically, silver particles, copper particles, aluminum particles, nickel particles, zinc oxide particles, aluminum oxide particles, aluminum nitride particles, silicon oxide particles, magnesium oxide particles, aluminum nitride particles, titanium particles, boron nitride particles, nitride Examples include silicon particles, silicon carbide particles, diamond particles, graphite particles, carbon nanotube particles, metal silicon particles, carbon fiber particles, fullerene particles, and glass particles.
Specific examples of colorants include inorganic pigments, organic pigments, dyes, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

電磁波吸収体10の電磁波の吸収性能のさらなる改良を考慮して、基材21の厚み、誘電率、電気伝導率、透磁率は適宜設定可能である。
吸収対象となる電磁波の電気的特性を考慮する場合、基材21は高誘電率の層であってもよい。基材21が高誘電率の層であると、電磁波吸収体10の厚みを相対的に薄くできる。
In consideration of further improving the electromagnetic wave absorbing performance of the electromagnetic wave absorber 10, the thickness, dielectric constant, electrical conductivity, and magnetic permeability of the substrate 21 can be appropriately set.
When the electrical characteristics of the electromagnetic waves to be absorbed are taken into consideration, the base material 21 may be a layer having a high dielectric constant. When the base material 21 is a layer having a high dielectric constant, the thickness of the electromagnetic wave absorber 10 can be made relatively thin.

電磁波吸収層20は、例えば、下記の方法によって作製できる。
まず、基材21を準備する。次いで、基材21の一方の面21aに第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収63を形成する。
ここで、第1の電磁波吸収パターン61を形成する際には、第1の電磁波吸収パターン61によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がA[GHz]となるように形成する。
第2の電磁波吸収パターン62を形成する際には、第2の電磁波吸収パターン62によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がB[GHz]となるように形成する。
第3の電磁波吸収パターン63を形成する際には、第3の電磁波吸収パターン63によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がC[GHz]となるように形成する。
第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収パターン63を形成する順序は特に限定されない。第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収パターン63は、同一の工程内で形成してもよく、それぞれ別々の工程で形成してもよい。
The electromagnetic wave absorbing layer 20 can be produced, for example, by the following method.
First, the base material 21 is prepared. Next, the first electromagnetic wave absorbing pattern 61, the second electromagnetic wave absorbing pattern 62, and the third electromagnetic wave absorbing pattern 63 are formed on one surface 21a of the base material 21.
Here, when the first electromagnetic wave absorbing pattern 61 is formed, it is formed so that the frequency value at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the first electromagnetic wave absorbing pattern 61 shows a maximum value is A [GHz].
The second electromagnetic wave absorbing pattern 62 is formed so that the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the second electromagnetic wave absorbing pattern 62 exhibits a maximum value is B [GHz].
The third electromagnetic wave absorbing pattern 63 is formed so that the frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the third electromagnetic wave absorbing pattern 63 exhibits a maximum value is C [GHz].
There is no particular limitation on the order of forming the first electromagnetic wave absorbing pattern 61, the second electromagnetic wave absorbing pattern 62, and the third electromagnetic wave absorbing pattern 63. The first electromagnetic wave absorbing pattern 61, the second electromagnetic wave absorbing pattern 62, and the third electromagnetic wave absorbing pattern 63 may be formed in the same process, or may be formed in separate processes.

各電磁波吸収パターンの形成方法は、所定の周波数を形成できる態様であれば特に限定されない。各電磁波吸収パターンの形成方法の例としては、例えば、下記の方法がある。
導電性ペーストを用いて基材21の一方の面21aに各電磁波吸収パターンを印刷する印刷方法。
基材21の一方の面21aに各電磁波吸収パターンを現像する現像方法。
スパッタ法、真空蒸着または金属箔の積層によって基材21の一方の面21aに金属薄膜を設け、フォトリソグラフィによって金属薄膜のパターンを基材21の一方の面21aに形成する方法。
金属ワイヤーを基材21の一方の面21aに配置する方法。
The method of forming each electromagnetic wave absorption pattern is not particularly limited as long as it can form a predetermined frequency. Examples of methods for forming each electromagnetic wave absorption pattern include the following methods.
A printing method in which each electromagnetic wave absorption pattern is printed on one surface 21a of a base material 21 using a conductive paste.
A developing method in which each electromagnetic wave absorption pattern is developed on one surface 21a of the base material 21.
A method in which a metal thin film is provided on one surface 21a of the base material 21 by sputtering, vacuum deposition, or lamination of metal foil, and a pattern of the metal thin film is formed on the one surface 21a of the base material 21 by photolithography.
A method of arranging a metal wire on one surface 21a of a base material 21.

印刷方法では、基材21の一方の面21aに各電磁波吸収パターンを印刷して図形である各単位u1,u2,u3を形成する。印刷方法は特に限定されない。例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の方法が挙げられる。
印刷に使用する導電性ペーストとしては、例えば、金属粒子、カーボンナノ粒子およびカーボンファイバーからなる群より選ばれる少なくとも1種以上とバインダー樹脂成分とを含むペースト状の組成物が挙げられる。金属粒子としては、銅、銀、ニッケル、アルミニウム等の金属の粒子が挙げられる。
バインダー樹脂成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂;エポキシ樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。ただし、金属粒子およびバインダー樹脂成分はこれらの例示に限定されない。
導電性ペーストは、さらにカーボンブラック等の黒色顔料を含んでもよい。導電性ペーストが黒色顔料をさらに含むと、印刷された電磁波吸収パターンを構成する金属粉末の金属光沢を抑え、外光の反射を抑制できる。
In the printing method, each electromagnetic wave absorption pattern is printed on one surface 21a of the base material 21 to form each unit u1, u2, u3 which is a figure. The printing method is not particularly limited. Examples include methods such as screen printing, gravure printing, and inkjet printing.
Examples of the conductive paste used for printing include a paste-like composition containing at least one member selected from the group consisting of metal particles, carbon nanoparticles, and carbon fibers and a binder resin component. Examples of the metal particles include particles of metals such as copper, silver, nickel, and aluminum.
Examples of the binder resin component include thermoplastic resins such as polyester resins, (meth)acrylic resins, polystyrene resins, and polyamide resins; thermosetting resins such as epoxy resins, amino resins, and polyimide resins. However, the metal particles and the binder resin component are not limited to these examples.
The conductive paste may further contain a black pigment such as carbon black. When the conductive paste further contains a black pigment, the metallic luster of the metal powder constituting the printed electromagnetic wave absorption pattern can be suppressed, and the reflection of external light can be suppressed.

現像方法では、基材21の一方の面21aに電磁波吸収パターンを現像して図形である各単位u1,u2,u3を形成する。
現像方法としては、露光マスクに覆われず、露光された部分に現像物が発現するネガ型の現像方法と露光マスクに覆われ、未露光の部分には現像物が発現するポジ型の現像方法がある。すなわち、ネガ型の現像方法では、露光マスクと反対の形に現像物として各単位u1,u2,u3が形成される。一方、ポジ型の現像方法では、露光マスクと同じ形に現像物として各単位u1,u2,u3が形成される。現像物に用いる金属としては通常、銀が使用される。
In the developing method, an electromagnetic wave absorption pattern is developed on one surface 21a of the base material 21 to form each unit u1, u2, u3 which is a figure.
There are two types of development methods: a negative development method in which the developed material appears in the exposed areas that are not covered by an exposure mask, and a positive development method in which the developed material appears in the unexposed areas that are covered by the exposure mask. There is. That is, in the negative developing method, each unit u1, u2, u3 is formed as a developed object in a shape opposite to the exposure mask. On the other hand, in the positive developing method, each unit u1, u2, u3 is formed as a developed object in the same shape as the exposure mask. Silver is usually used as the metal for the developed product.

フォトリソグラフィによる電磁波吸収パターンの形成方法の一例としては、例えば、下記の方法がある。
まず、基材21の表面にレジストを塗布し、熱処理した後、レジストから溶媒を除去する。次に、レジストに所望のパターンを露光し、レジストパターンを現像してレジストパターンからなる層を形成する。次に、基材とレジストパターンからなる層の上に、全面にわたって蒸着膜を形成し、レジスト剥離剤を用いてレジストパターンからなる層とその上に乗っている蒸着膜とを同時に除去する。これにより、基材の表面に電磁波吸収パターンを形成できる。
その他の一例として、基材21上に金属薄膜を設け、金属薄膜の表面の一部にレジストを塗布し、熱処理する。次に、エッチング処理によりレジストが塗布されていない部分の金属薄膜を除去する。その後、必要に応じレジストを除去し、電磁波吸収パターンを形成する。各電磁波吸収パターンを構成する各単位u1,u2,u3の表面には、図示略の金属メッキ層をさらに設けてもよい。
An example of a method for forming an electromagnetic wave absorption pattern using photolithography includes the following method.
First, a resist is applied to the surface of the base material 21, heat treated, and then the solvent is removed from the resist. Next, a desired pattern is exposed to light on the resist, and the resist pattern is developed to form a layer consisting of the resist pattern. Next, a vapor deposited film is formed over the entire surface of the layer made of the base material and the resist pattern, and a resist stripping agent is used to simultaneously remove the layer made of the resist pattern and the vapor deposited film placed thereon. Thereby, an electromagnetic wave absorption pattern can be formed on the surface of the base material.
As another example, a metal thin film is provided on the base material 21, a resist is applied to a part of the surface of the metal thin film, and heat treatment is performed. Next, the portions of the metal thin film to which the resist is not applied are removed by etching. Thereafter, the resist is removed as necessary to form an electromagnetic wave absorption pattern. A metal plating layer (not shown) may be further provided on the surface of each unit u1, u2, u3 constituting each electromagnetic wave absorption pattern.

金属ワイヤーを構成する金属の具体例としては、各単位u1,u2,u3の材質として上述した金属と同様の金属が挙げられる。加えて、金属ワイヤーは錫、亜鉛、銀、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金、はんだ等でめっきされてもよく、炭素材料、ポリマー等により表面が被覆されていてもよい。金属ワイヤーの表面を被覆する炭素材料としては、カーボンブラック、活性炭、ハードカーボン、ソフトカーボン、メソポーラスカーボン、カーボンファイバー等の非晶質炭素;グラファイト;フラーレン;グラフェン;カーボンナノチューブ等が挙げられる。 Specific examples of the metal constituting the metal wire include the same metals as those described above as the materials for the units u1, u2, and u3. In addition, the metal wire may be plated with tin, zinc, silver, nickel, chromium, nickel-chromium alloy, solder, etc., and may have its surface coated with a carbon material, polymer, etc. Examples of the carbon material that coats the surface of the metal wire include carbon black, activated carbon, hard carbon, soft carbon, mesoporous carbon, amorphous carbon such as carbon fiber, graphite, fullerene, graphene, and carbon nanotubes.

「反射層」
反射層30は2つの面30a,30bを有する。反射層30の一方の面30aは、スペーサ層40の他方の面40bと接している。
反射層30は、電磁波吸収体10の表面に飛来し、電磁波吸収体10を透過した電磁波を反射できる形態であれば、特に限定されない。電磁波吸収体10に飛来する電磁波のうち、一部は電磁波吸収層20で反射されるか、電磁波吸収層20に吸収される。一方で、電磁波吸収層20で反射も吸収もされなかった電磁波は、電磁波吸収層20を透過する。電磁波吸収層20を透過した電磁波は、反射層30で電磁波吸収層20に向けて反射される。
例えば、2つの面30a,30bの面方向において反射層30が導電性を具備する形態であれば、電磁波吸収層20を透過した電磁波を反射できる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムに銅箔等の金属箔を貼り合わせたものを反射層30として使用してもよい。金属箔の代わりに、ITO等の当面導電膜、金属ワイヤー等で形成されたメッシュシートを使用してもよい。
"Reflective layer"
The reflective layer 30 has two surfaces 30a and 30b. One surface 30a of the reflective layer 30 is in contact with the other surface 40b of the spacer layer 40.
The reflective layer 30 is not particularly limited as long as it can reflect electromagnetic waves that have come onto the surface of the electromagnetic wave absorber 10 and passed through the electromagnetic wave absorber 10 . A part of the electromagnetic waves that come to the electromagnetic wave absorber 10 is reflected by the electromagnetic wave absorbing layer 20 or absorbed by the electromagnetic wave absorbing layer 20 . On the other hand, electromagnetic waves that are neither reflected nor absorbed by the electromagnetic wave absorption layer 20 are transmitted through the electromagnetic wave absorption layer 20. The electromagnetic waves that have passed through the electromagnetic wave absorbing layer 20 are reflected by the reflective layer 30 toward the electromagnetic wave absorbing layer 20 .
For example, if the reflective layer 30 is conductive in the plane direction of the two surfaces 30a and 30b, the electromagnetic waves transmitted through the electromagnetic wave absorbing layer 20 can be reflected. Specifically, a resin film such as polyethylene terephthalate and a metal foil such as copper foil bonded together may be used as the reflective layer 30. Instead of metal foil, a mesh sheet formed of a conductive film such as ITO, metal wire, etc. may be used.

反射層30の反射特性を考慮して反射層30の他方の面30bに金属ワイヤー、導電性糸、金属ワイヤーおよび導電性糸を含む撚糸、導電性薄膜を設けてもよい。導電性薄膜は、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の印刷方法;スパッタ法または真空蒸着;フォトリソグラフィによって面30bに設けることができる。 In consideration of the reflective properties of the reflective layer 30, a metal wire, a conductive thread, a twisted yarn containing a metal wire and a conductive thread, or a conductive thin film may be provided on the other surface 30b of the reflective layer 30. The conductive thin film can be provided on the surface 30b by, for example, a printing method such as screen printing, gravure printing, or inkjet method; sputtering method or vacuum deposition; or photolithography.

スペーサ層40を金属等の導電性を具備する物体に形成する場合には、金属等の導電性を具備する物体が反射層30の役割を果たすため、反射層30は省略できる。 When the spacer layer 40 is formed of a conductive object such as a metal, the reflective layer 30 can be omitted because the conductive object such as a metal plays the role of the reflective layer 30.

電磁波吸収体10を種々の物品の表面に適用することを目的として、反射層30の他方の面30bを接着性としてもよい。反射層30の他方の面30bを接着性とする場合には、面30bを覆う剥離フィルムを設けてもよい。剥離フィルムは電磁波吸収体10の使用時には除去される。剥離フィルムが接着面を覆うことで、流通時の取扱性がよくなる。
例えば、反射層30の他方の面30bが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、反射層30の他方の面30bを接着性とすることができる。
For the purpose of applying the electromagnetic wave absorber 10 to the surfaces of various articles, the other surface 30b of the reflective layer 30 may be made adhesive. When the other surface 30b of the reflective layer 30 is adhesive, a release film may be provided to cover the surface 30b. The release film is removed when the electromagnetic wave absorber 10 is used. The release film covers the adhesive surface, making it easier to handle during distribution.
For example, by adopting a multilayer structure in which the other surface 30b of the reflective layer 30 is an adhesive layer containing an adhesive, the other surface 30b of the reflective layer 30 can be made adhesive.

接着剤としては、熱により接着するヒートシールタイプの接着剤;湿潤させて貼付性を発現させる接着剤;圧力により接着する感圧性接着剤(粘着剤)等が挙げられる。これらの中でも、簡便さの観点から、粘着剤(感圧性接着剤)が好ましい。
粘着剤の具体例としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤およびゴム系粘着剤からなる群から選ばれる少なくともいずれかが好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。
Examples of the adhesive include a heat-seal type adhesive that adheres by heat; an adhesive that exhibits stickiness by wetting; a pressure-sensitive adhesive (adhesive) that adheres by pressure; and the like. Among these, pressure-sensitive adhesives (pressure-sensitive adhesives) are preferred from the viewpoint of simplicity.
Specific examples of the adhesive include acrylic adhesives, urethane adhesives, rubber adhesives, polyester adhesives, silicone adhesives, polyvinyl ether adhesives, and the like. Among these, at least one selected from the group consisting of acrylic adhesives, urethane adhesives, and rubber adhesives is preferred, and acrylic adhesives are more preferred.

アクリル系粘着剤としては、例えば、下記のアクリル系重合体が挙げられる。
直鎖のアルキル基または分岐鎖のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体(1)(すなわち、少なくともアルキル(メタ)アクリレートを単量体として重合することで得られる重合体)。
環状構造を有する(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体(2)(すなわち、環状構造を有する(メタ)アクリレートを少なくとも重合することで得られる重合体)。
アクリル系重合体は単独重合体でも共重合体でもよい。アクリル系重合体が共重合体である場合、共重合の形態は特に限定されない。アクリル系共重合体は、ブロック共重合体でもランダム共重合体でもグラフト共重合体でもよい。
Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include the following acrylic polymers.
Acrylic polymer (1) containing a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate having a linear alkyl group or a branched alkyl group (that is, by polymerizing at least an alkyl (meth)acrylate as a monomer) (obtained polymer).
An acrylic polymer (2) containing a structural unit derived from a (meth)acrylate having a cyclic structure (that is, a polymer obtained by polymerizing at least a (meth)acrylate having a cyclic structure).
The acrylic polymer may be a homopolymer or a copolymer. When the acrylic polymer is a copolymer, the form of copolymerization is not particularly limited. The acrylic copolymer may be a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer.

アクリル系粘着剤としては、下記のアクリル系共重合体(Q)が好ましい。
アクリル系共重合体(Q):炭素数1~20の鎖状アルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート(以下、「単量体成分(q1’)」と記載する。)に由来する構成単位(q1)と官能基含有モノマー(以下、「単量体成分(q2’)」と記載する。)に由来する構成単位(q2)とを含む共重合体。
アクリル系共重合体(Q)は、構成単位(q1)および構成単位(q2)以外のその他の構成単位(q3)をさらに含んでもよい。構成単位(q3)は、単量体成分(q1’)および単量体成分(q2’)以外の他の単量体成分(q3’)に由来する構成単位である。
As the acrylic pressure-sensitive adhesive, the following acrylic copolymer (Q) is preferred.
Acrylic copolymer (Q): A copolymer containing a structural unit (q1) derived from an alkyl (meth)acrylate having a chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (hereinafter referred to as "monomer component (q1')") and a structural unit (q2) derived from a functional group-containing monomer (hereinafter referred to as "monomer component (q2')").
The acrylic copolymer (Q) may further include a structural unit (q3) other than the structural unit (q1) and the structural unit (q2). The structural unit (q3) is a structural unit derived from a monomer component (q3') other than the monomer component (q1') and the monomer component (q2').

単量体成分(q1’)が有する鎖状アルキル基の炭素数としては、粘着特性の向上の観点から、1~12が好ましく、4~8がより好ましく、4~6がさらに好ましい。単量体成分(q1’)の具体例としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n-ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、ブチル(メタ)アクリレートおよび2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートが好ましく、ブチル(メタ)アクリレートがより好ましい。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
The number of carbon atoms in the chain alkyl group of the monomer component (q1') is preferably from 1 to 12, more preferably from 4 to 8, even more preferably from 4 to 6, from the viewpoint of improving adhesive properties. Specific examples of the monomer component (q1') include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, Examples include lauryl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, and stearyl (meth)acrylate. Among these, butyl (meth)acrylate and 2-ethylhexyl (meth)acrylate are preferred, and butyl (meth)acrylate is more preferred.
These may be used alone or in combination of two or more.

単量体成分(q2’)としては、例えば、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、シアノ基含有モノマー、ケト基含有モノマー、アルコキシシリル基含有モノマー等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましい。
ヒドロキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートが好ましい。
カルボキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が挙げられ、(メタ)アクリル酸が好ましい。
エポキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
アミノ基含有モノマーの具体例としては、例えば、ジアミノエチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
シアノ基含有モノマーの具体例としては、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the monomer component (q2') include hydroxy group-containing monomers, carboxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, cyano group-containing monomers, keto group-containing monomers, alkoxysilyl group-containing monomers, etc. Can be mentioned. Among these, hydroxy group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers are preferred.
Specific examples of hydroxy group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate. Examples include hydroxybutyl (meth)acrylate. Among these, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is preferred.
Specific examples of the carboxyl group-containing monomer include (meth)acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, etc., with (meth)acrylic acid being preferred.
Specific examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth)acrylate and the like.
Specific examples of the amino group-containing monomer include diaminoethyl (meth)acrylate and the like.
Specific examples of the cyano group-containing monomer include acrylonitrile and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.

単量体成分(q3’)としては、例えば、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレート、アクリロイルモルフォリン等の環状構造を有する(メタ)アクリレート;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the monomer component (q3') include cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclo Examples include (meth)acrylates having a cyclic structure such as pentenyloxyethyl (meth)acrylate, imido(meth)acrylate, and acryloylmorpholine; vinyl acetate; and styrene.
These may be used alone or in combination of two or more.

構成単位(q1)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、50質量%~99.5質量%が好ましく、55質量%~99質量%がより好ましく、60質量%~97質量%がさらに好ましく、65質量%~95質量%が特に好ましい。
構成単位(q2)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、0.質量%1~50質量%が好ましく、0.5質量%~40質量%がより好ましく、1.0質量%~30質量%がさらに好ましく、1.5質量%~20質量%が特に好ましい。
構成単位(q3)の含有量は、アクリル系共重合体(Q)の全構成単位100質量%に対して、0~40質量%が好ましく、0~30質量%がより好ましく、0~25質量%がさらに好ましく、0~20質量%が特に好ましい。
The content of the structural unit (q1) is preferably 50% by mass to 99.5% by mass, more preferably 55% by mass to 99% by mass, even more preferably 60% by mass to 97% by mass, and particularly preferably 65% by mass to 95% by mass, based on 100% by mass of all structural units of the acrylic copolymer (Q).
The content of the structural unit (q2) is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 40% by mass, even more preferably 1.0 to 30% by mass, and particularly preferably 1.5 to 20% by mass, based on 100% by mass of all structural units of the acrylic copolymer (Q).
The content of the structural unit (q3) is preferably from 0 to 40 mass%, more preferably from 0 to 30 mass%, even more preferably from 0 to 25 mass%, and particularly preferably from 0 to 20 mass%, based on 100 mass% of all structural units of the acrylic copolymer (Q).

アクリル系共重合体は架橋剤により架橋されていてもよい。架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。アクリル系共重合体を架橋する場合には、単量体成分(q2’)に由来する官能基を、架橋剤と反応する架橋点として利用できる。 The acrylic copolymer may be crosslinked with a crosslinking agent. Examples of the crosslinking agent include epoxy crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, metal chelate crosslinking agents, and the like. When crosslinking an acrylic copolymer, a functional group derived from the monomer component (q2') can be used as a crosslinking point that reacts with a crosslinking agent.

耐衝撃性の向上等を目的として、接着層は紫外線、可視エネルギー線、赤外線、電子線等のエネルギー線で硬化する材質で構成してもよい。この場合、接着層はエネルギー線硬化性の成分を含む。
エネルギー線硬化性の成分としては、例えばエネルギー線が紫外線である場合には、1分子中に紫外線重合性の官能基を2つ以上有する化合物等が挙げられる。1分子中に紫外線重合性の官能基を2つ以上有する化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、オリゴエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ変性(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
For the purpose of improving impact resistance, etc., the adhesive layer may be made of a material that is cured by energy rays such as ultraviolet rays, visible energy rays, infrared rays, and electron beams. In this case, the adhesive layer contains an energy ray-curable component.
Examples of the energy ray-curable component include, when the energy ray is ultraviolet rays, compounds having two or more ultraviolet polymerizable functional groups in one molecule. Specific examples of compounds having two or more ultraviolet polymerizable functional groups in one molecule include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated isocyanuric acid tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, Tetramethylolmethanetetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1. 4-Butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, dicyclopentadiene dimethoxy di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, oligoester(meth)acrylate, urethane(meth)acrylate ) acrylate oligomers, epoxy-modified (meth)acrylates, polyether (meth)acrylates, and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.

接着層がエネルギー線硬化性である場合、光重合開始剤の併用が好ましい。光重合開始剤により、硬化速度が高くなる。
光重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサントン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、2-クロロアンスラキノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、2-ベンゾチアゾール-N,N-ジエチルジチオカルバメート、オリゴ{2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-プロペニル)フェニル]プロパノン}等が挙げられる。
When the adhesive layer is energy ray curable, it is preferable to use a photopolymerization initiator together. The photoinitiator increases the curing rate.
Specific examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4 -Diethylthioxanthone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, benzyldiphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 2-chloroanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphos Examples include fin oxide, 2-benzothiazole-N,N-diethyldithiocarbamate, and oligo{2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-propenyl)phenyl]propanone}.

「スペーサ層」
スペーサ層40は、電磁波吸収層20が有する基材21の他方の面21bに設けられている。
スペーサ層40は2つの面40a,40bを有する。スペーサ層40の一方の面40aは、基材21の他方の面21bと接している。スペーサ層40の他方の面40bには、反射層30が設けられている。
スペーサ層40は、単層構造でも多層構造でもよい。
"Spacer layer"
The spacer layer 40 is provided on the other surface 21b of the base material 21 that the electromagnetic wave absorption layer 20 has.
Spacer layer 40 has two surfaces 40a and 40b. One surface 40a of the spacer layer 40 is in contact with the other surface 21b of the base material 21. The reflective layer 30 is provided on the other surface 40b of the spacer layer 40.
The spacer layer 40 may have a single layer structure or a multilayer structure.

スペーサ層40の材料は、電磁波吸収フィルムの用途に応じて適宜選択できる。例えば、電磁波吸収フィルムの透明性の具備を目的として、スペーサ層40を透明な材料で構成してもよい。他にも、電磁波吸収フィルムの曲面に対する追従性の具備を目的として、スペーサ層40を柔軟性のある材料で構成してもよい。
柔軟性のある材料としては、プラスチックフィルム、ゴム、紙、布、不織布、発泡シート、ゴムシート等が挙げられる。これらの中でも、電磁波吸収体10の曲面に対する追従性の点から、発泡シートが好ましい。
プラスチックフィルムを構成する樹脂の具体例としては、例えば、上述の基材21について説明した熱可塑性樹脂と同様のものを用いることができる。
発泡シートとしては、例えば、前記プラスチックフィルムを構成する樹脂を発泡させ、シート状に形成した発泡シートを用いることができる。発泡シートの具体例としては、ポリエチレンフォーム、ポリプロピレンフォーム、ポリウレタンフォーム等が挙げられる。
The material of the spacer layer 40 can be appropriately selected depending on the use of the electromagnetic wave absorbing film. For example, the spacer layer 40 may be made of a transparent material for the purpose of providing transparency to the electromagnetic wave absorbing film. Alternatively, the spacer layer 40 may be made of a flexible material for the purpose of providing followability to the curved surface of the electromagnetic wave absorbing film.
Examples of flexible materials include plastic films, rubber, paper, cloth, nonwoven fabrics, foam sheets, rubber sheets, and the like. Among these, foam sheets are preferred from the viewpoint of conformability to the curved surface of the electromagnetic wave absorber 10.
As a specific example of the resin constituting the plastic film, the same thermoplastic resin as described for the above-mentioned base material 21 can be used, for example.
As the foamed sheet, for example, a foamed sheet formed into a sheet shape by foaming the resin constituting the plastic film can be used. Specific examples of foam sheets include polyethylene foam, polypropylene foam, polyurethane foam, and the like.

スペーサ層40による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサ層40の厚みは、吸収対象となる電磁波の波長およびスペーサ層40の比誘電率に合わせて適宜変更される。
スペーサ層40による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサ層40のz軸方向の厚みは、下記式(8)を満たすことが好ましい。
(スペーサ層40のz軸方向の厚み)=(λ)×(1/4)/(ε)1/2・・・式(8)
上記式(8)中、λは飛来する電磁波の波長であり、εはスペーサ層40の比誘電率である。スペーサ層40のz軸方向の厚みは、吸収特性のために適宜調整してもよい。例えば、式(8)で得られるスペーサ層40のz軸方向の厚みの、0.1倍から3.0倍の範囲で変更することができる。
When considering the wavelength shortening effect of the spacer layer 40, the thickness of the spacer layer 40 is appropriately changed according to the wavelength of the electromagnetic wave to be absorbed and the dielectric constant of the spacer layer 40.
When considering the wavelength shortening effect of the spacer layer 40, the thickness of the spacer layer 40 in the z-axis direction preferably satisfies the following formula (8).
(Thickness of spacer layer 40 in z-axis direction) = (λ) x (1/4)/(ε) 1/2 ...Equation (8)
In the above formula (8), λ is the wavelength of the incoming electromagnetic wave, and ε is the relative dielectric constant of the spacer layer 40. The thickness of the spacer layer 40 in the z-axis direction may be adjusted as appropriate for absorption characteristics. For example, it can be changed within a range of 0.1 to 3.0 times the thickness in the z-axis direction of the spacer layer 40 obtained by equation (8).

スペーサ層40のz軸方向の厚みと波長λとの関係が上記式(8)を満たす場合、電磁波吸収体10はいわゆるλ/4構造となる。これにより、電磁波吸収体10による電磁波の吸収量の極大値がさらに高くなる。
スペーサ層40の厚みは、吸収対象となる電磁波の波長λに応じて適宜設定できる。スペーサ層40の厚みは、例えば、25μm~5000μmでもよく、50μm~4500μmでもよく、100μm~4000μmでもよい。
スペーサ層40は高誘電率の材質で構成してもよい。スペーサ層40が高誘電率の層であると、スペーサ層40の厚みを相対的に薄くできる。
スペーサ層40の誘電率を考慮する場合、スペーサ層40はチタン酸バリウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも1種以上を含むことが好ましい。
When the relationship between the thickness of the spacer layer 40 in the z-axis direction and the wavelength λ satisfies the above formula (8), the electromagnetic wave absorber 10 has a so-called λ/4 structure, which further increases the maximum absorption amount of electromagnetic waves by the electromagnetic wave absorber 10.
The thickness of the spacer layer 40 can be appropriately set depending on the wavelength λ of the electromagnetic wave to be absorbed. The thickness of the spacer layer 40 may be, for example, 25 μm to 5000 μm, 50 μm to 4500 μm, or 100 μm to 4000 μm.
The spacer layer 40 may be made of a material with a high dielectric constant. If the spacer layer 40 is a layer with a high dielectric constant, the thickness of the spacer layer 40 can be made relatively thin.
When the dielectric constant of the spacer layer 40 is taken into consideration, the spacer layer 40 preferably contains at least one material selected from the group consisting of barium titanate, titanium oxide, and strontium titanate.

スペーサ層40は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも1種以上を含むことが好ましく、これらの中でも発泡シートを含むことがより好ましい。スペーサ層40は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも1種以上であると、電磁波吸収体10の曲面に対する追従性が向上する。
スペーサ層40は、単一のシートからなる単層構造でも、複数のシートの積層物である多層構造でもよい。スペーサ層40を構成するシートの材質および構造は、電磁波吸収シートの用途に応じて適宜選択できる。
It is preferable that the spacer layer 40 contains at least one kind selected from the group consisting of a plastic film, a foam sheet, and a rubber sheet, and among these, it is more preferable that the spacer layer 40 contains a foam sheet. When the spacer layer 40 is made of at least one kind selected from the group consisting of a plastic film, a foam sheet, and a rubber sheet, the ability to follow the curved surface of the electromagnetic wave absorber 10 is improved.
The spacer layer 40 may have a single layer structure made of a single sheet or a multilayer structure made of a laminate of a plurality of sheets. The material and structure of the sheet constituting the spacer layer 40 can be selected as appropriate depending on the use of the electromagnetic wave absorbing sheet.

スペーサ層40の2つの面40a、40bは、接着性であることが好ましい。これにより、2つの面40a、40bのそれぞれに、電磁波吸収層10と反射層30を貼り合わせることができる。例えば、2つの面40a、40bが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、2つの面40a、40bを接着性とすることができる。
接着層の詳細および好ましい態様については、基材21における接着層について説明した内容と同内容とすることができる。
The two surfaces 40a, 40b of the spacer layer 40 are preferably adhesive. Thereby, the electromagnetic wave absorbing layer 10 and the reflective layer 30 can be bonded to each of the two surfaces 40a and 40b. For example, by employing a multilayer structure in which the two surfaces 40a, 40b are adhesive layers containing an adhesive, the two surfaces 40a, 40b can be made adhesive.
The details and preferred embodiments of the adhesive layer can be the same as those described for the adhesive layer in the base material 21.

「保護層」
保護層50は、電磁波吸収層20の一方の面20aに設けられている。電磁波吸収層20が、基材21と電磁波吸収パターン22とを有する場合、保護層50は、電磁波吸収層20を覆うように、基材21の一方の面21aに設けられる。
保護層50は、電磁波吸収層20を保護できる形態であれば、特に限定されない。
"Protective layer"
The protective layer 50 is provided on one surface 20a of the electromagnetic wave absorbing layer 20. When the electromagnetic wave absorption layer 20 has the base material 21 and the electromagnetic wave absorption pattern 22, the protective layer 50 is provided on one surface 21a of the base material 21 so as to cover the electromagnetic wave absorption layer 20.
The protective layer 50 is not particularly limited as long as it can protect the electromagnetic wave absorbing layer 20.

保護層50の厚みは、1μm~500μmが好ましく、3μm~100μmがより好ましく、5μm~50μmがさらに好ましい。保護層50の厚みが上記下限値以上であると、電磁波吸収層の凹凸に十分追従し保護することができる。保護層50の厚みが上記上限値以下であると、保護層を構成する組成物の側面からの染み出しが抑制され、電磁波吸収体の柔軟性に柔軟性を付与できる。 The thickness of the protective layer 50 is preferably 1 μm to 500 μm, more preferably 3 μm to 100 μm, and even more preferably 5 μm to 50 μm. When the thickness of the protective layer 50 is equal to or greater than the above lower limit, it can adequately conform to and protect the irregularities of the electromagnetic wave absorbing layer. When the thickness of the protective layer 50 is equal to or less than the above upper limit, the composition constituting the protective layer is prevented from seeping out from the sides, and flexibility can be imparted to the electromagnetic wave absorber.

保護層50は、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を含む組成物の硬化物から構成される。この組成物の硬化物とすることで、低誘電特性の保護層を得ることができ、周波数特性の変化を抑制することができる。 The protective layer 50 is composed of a cured product of a composition containing a modified polyolefin resin and a polyphenylene ether resin having a reactive group. By making a cured product of this composition, a protective layer with low dielectric properties can be obtained, and changes in frequency characteristics can be suppressed.

変性ポリオレフィン樹脂としては、特に限定されないが、例えば、酸変性ポリオレフィン樹脂、シラン変性ポリオレフィン樹脂等が挙げられる。接着強度に優れる点から、酸変性ポリオレフィン樹脂が好ましい。 Examples of the modified polyolefin resin include, but are not particularly limited to, acid-modified polyolefin resins, silane-modified polyolefin resins, and the like. Acid-modified polyolefin resins are preferred because they have excellent adhesive strength.

保護層50における変性ポリオレフィン樹脂の含有量が、保護層50の総量中50質量%超であることが好ましく、55質量%以上であることがより好ましく、60質量%以上であることがさらに好ましい。保護層50における変性ポリオレフィン樹脂の含有量の上限は、保護層50の総量中90質量%以下でもよく、80質量%以下でもよい。変性ポリオレフィン樹脂の含有量が上記下限値を下回ると、保護層50が高い誘電特性となり、電磁波吸収体の反射減衰量が高くなってしまう。 The content of the modified polyolefin resin in the protective layer 50 is preferably more than 50% by mass, more preferably 55% by mass or more, and even more preferably 60% by mass or more, based on the total amount of the protective layer 50. The upper limit of the content of the modified polyolefin resin in the protective layer 50 may be 90% by mass or less, or 80% by mass or less based on the total amount of the protective layer 50. If the content of the modified polyolefin resin is below the above lower limit, the protective layer 50 will have high dielectric properties, and the reflection loss of the electromagnetic wave absorber will increase.

反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂は、特に限定されないが、反応性基がエチレン性不飽和結合を含むポリフェニレンエーテル樹脂が好ましい。エチレン性不飽和結合を含む基を含む反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂の反応性基の具体例としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、シクロペンテニル基、ビニルベンジル基、ビニルナフチル基等が挙げられる。より低誘電特性を有する組成物が得られ易いことから、反応性基は、ビニルベンジル基がより好ましい。 The polyphenylene ether resin having a reactive group is not particularly limited, but a polyphenylene ether resin in which the reactive group contains an ethylenically unsaturated bond is preferable. Specific examples of the reactive group of the polyphenylene ether resin having a reactive group containing a group containing an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a cyclopentenyl group, a vinylbenzyl group, and a vinylnaphthyl group. Examples include groups. The reactive group is more preferably a vinylbenzyl group because a composition having lower dielectric properties can be easily obtained.

保護層50における反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂の含有量が、保護層50の総量中1質量%~50質量%であることが好ましく、10質量%~50質量%であることがより好ましい。反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂の含有量が上記下限値以上であると、硬化後のガラス転移温度が高くなり、高温高湿耐性が高くなる。反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂の含有量が上記上限値以下であると、接着強度が低くなり、保護層50が電磁波吸収層20からはがれてしまう可能性がある。 The content of polyphenylene ether resin having reactive groups in the protective layer 50 is preferably 1% by mass to 50% by mass, and more preferably 10% by mass to 50% by mass, of the total amount of the protective layer 50. If the content of polyphenylene ether resin having reactive groups is equal to or greater than the lower limit, the glass transition temperature after curing is high, and the resistance to high temperature and high humidity is high. If the content of polyphenylene ether resin having reactive groups is equal to or less than the upper limit, the adhesive strength is low, and the protective layer 50 may peel off from the electromagnetic wave absorbing layer 20.

上記組成物は、さらに、脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物を少なくとも1種含むことが好ましい。脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、少なくとも1個以上の脂環式構造を有する多価アルコールのポリグリシジルエーテル化物や、シクロヘキセンやシクロペンテン環含有化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られるシクロヘキセンオキサイドやシクロペンテンオキサイド含有化合物等のシクロアルケンオキサイド化合物が挙げられる。これらの中でも、高い接着強度が付与できる観点から、脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物は、25℃で液体の化合物であることが好ましい。 The composition preferably further contains at least one compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group. The compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is not particularly limited, but examples thereof include polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols having at least one alicyclic structure, and cycloalkene oxide compounds such as cyclohexene oxide and cyclopentene oxide-containing compounds obtained by epoxidizing cyclohexene or cyclopentene ring-containing compounds with an oxidizing agent. Among these, from the viewpoint of being able to impart high adhesive strength, it is preferable that the compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is a compound that is liquid at 25°C.

脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物の含有量が、上記組成物の総量中保護層50の総量中1質量%以上であることが好ましく、2質量%~15質量%であることがより好ましい。脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物の含有量が上記上限値以下であると、接着強度が低くなり、保護層50が電磁波吸収層20からはがれてしまう可能性がある。 The content of the compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass to 15% by mass, based on the total amount of the protective layer 50 in the total amount of the composition. preferable. If the content of the compound having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is below the above upper limit, the adhesive strength will decrease, and the protective layer 50 may peel off from the electromagnetic wave absorbing layer 20.

上記組成物は、さらに、硬化剤を含有してもよい。硬化剤を含有させることで上記組成物は、より効率よく硬化反応が進行するため好ましい。
硬化剤としては、硬化反応を開始させるものであれば特に限定されない。経時安定性や生産性に優れることから、硬化剤としては、加熱により硬化反応を開始させるものが好ましく用いられる。
加熱により硬化反応を開始させる硬化剤としては、熱カチオン重合開始剤や、それ以外の熱反応性硬化剤が挙げられる。
The composition may further contain a curing agent. It is preferable that the composition contains a curing agent because the curing reaction proceeds more efficiently.
The curing agent is not particularly limited as long as it starts a curing reaction. Since it has excellent stability over time and productivity, a curing agent that initiates a curing reaction by heating is preferably used.
Examples of the curing agent that initiates the curing reaction by heating include thermal cationic polymerization initiators and other heat-reactive curing agents.

[電磁波吸収体の製造方法]
電磁波吸収体10は、例えば、下記の方法によって製造できる。
変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を含む組成物を調製する。
組成物は、溶媒に、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を加えて、これらを撹拌、混合し、溶媒に前記の樹脂を溶解することによって得られる。
組成物は、必要に応じて、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂以外に、種々の添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、シランカップリング剤、硬化剤等が挙げられる。
硬化剤としては、硬化反応を開始させるものであれば特に限定されない。経時安定性や生産性に優れることから、硬化剤としては、加熱により硬化反応を開始させるものが好ましく用いられる。硬化剤を含有させることで上記組成物は、より効率よく硬化反応が進行するため好ましい。加熱により硬化反応を開始させる硬化剤としては、熱カチオン重合開始剤や、それ以外の熱反応性硬化剤が挙げられる。
シランカップリング剤としては、公知のシランカップリング剤を用いることができる。なかでも、分子内にアルコキシシリル基を少なくとも1個有する有機ケイ素化合物が好ましい。
溶媒としては、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を溶解できるものであれば特に限定されないが、例えば、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンnの等ケトン系溶媒;n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒;等が挙げられる。
[Method of manufacturing electromagnetic wave absorber]
The electromagnetic wave absorber 10 can be manufactured, for example, by the following method.
A composition is prepared that includes a modified polyolefin resin and a polyphenylene ether resin having reactive groups.
The composition can be obtained by adding the modified polyolefin resin and the polyphenylene ether resin having a reactive group to a solvent, stirring and mixing them to dissolve the resins in the solvent.
The composition may contain various additives, such as a silane coupling agent and a curing agent, in addition to the modified polyolefin resin and the polyphenylene ether resin having a reactive group, as necessary.
The curing agent is not particularly limited as long as it initiates a curing reaction. As the curing agent, one that initiates a curing reaction by heating is preferably used because of its excellent stability over time and productivity. By including a curing agent, the curing reaction of the composition proceeds more efficiently, which is preferable. As the curing agent that initiates a curing reaction by heating, a thermal cationic polymerization initiator or other thermally reactive curing agent can be mentioned.
As the silane coupling agent, known silane coupling agents can be used, among which, an organosilicon compound having at least one alkoxysilyl group in the molecule is preferred.
The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the modified polyolefin resin and the polyphenylene ether resin having a reactive group, and examples thereof include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene; ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, n-hexane and n-heptane; and alicyclic hydrocarbon solvents such as cyclopentane, cyclohexane and methylcyclohexane.

上述のようにして作製した電磁波吸収層20の一方の面20aに、上記組成物を塗布し、得られた塗膜を加熱して、硬化させ、電磁波吸収層20上に保護層50を形成する。
組成物の塗布方法は特に限定されない。塗布方法としては、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の印刷法を用いた方法が挙げられる。
The above composition is applied to one side 20a of the electromagnetic wave absorbing layer 20 produced as described above, and the resulting coating film is heated and cured to form a protective layer 50 on the electromagnetic wave absorbing layer 20. .
The method of applying the composition is not particularly limited. Examples of the coating method include methods using printing methods such as screen printing, gravure printing, and inkjet printing.

剥離フィルムの剥離処理面上に、上記組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥して、接着剤層を形成する。この接着剤層上に、もう1枚の剥離フィルムの剥離処理面を貼り合わせて接着シートを得る。
次に、接着シートの剥離フィルムの一方を剥離して、電磁波吸収層20の他方の面20bに、露出した接着シートの一方の面を貼付する。
The above-mentioned composition is applied onto the release-treated surface of the release film, and the resulting coating film is dried to form an adhesive layer. The release-treated surface of another release film is bonded onto this adhesive layer to obtain an adhesive sheet.
Next, one side of the release film of the adhesive sheet is peeled off, and the exposed one side of the adhesive sheet is attached to the other side 20b of the electromagnetic wave absorbing layer 20.

次に、接着シートの剥離フィルムのもう一方を剥離して、露出した接着シートの他方の面に、スペーサ層40となる材料を貼付する。
次に、スペーサ層40の他方の面40bに、スペーサ層40の場合と同様に、上記接着シートを介して、反射層30となる材料を貼付する。
以上の方法により、電磁波吸収10を得る。
Next, the other side of the release film of the adhesive sheet is peeled off, and a material that will become the spacer layer 40 is attached to the other exposed surface of the adhesive sheet.
Next, as in the case of the spacer layer 40, the material that will become the reflective layer 30 is attached to the other surface 40b of the spacer layer 40 via the adhesive sheet.
By the above method, electromagnetic wave absorption 10 is obtained.

以上説明したように、本実施形態の電磁波吸収体10にあっては、電磁波吸収層20と、電磁波吸収層20の裏面20b側に配置される反射層30と、電磁波吸収層20と反射層30の間に配置されるスペーサ層40と、電磁波吸収層20の表面20aに形成される保護層50と、を備え、電磁波吸収層20は周波数選択表面からなり、保護層50は、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を含む組成物の硬化物から構成される。そのため、本実施形態の電磁波吸収体10は、電磁波吸収層20の保護のために設けた保護層50によって、周波数特性の変化が少ない。
本実施形態の電磁波吸収体10は、電磁波吸収層20が、基材21と、基材21上に設けられた電磁波吸収パターン22とを含み、電磁波吸収パターン22が、第1の電磁波吸収パターン61、第2の電磁波吸収パターン62および第3の電磁波吸収パターン63からなる場合、幅広い周波数帯域に対応することができる。
As explained above, in the electromagnetic wave absorber 10 of this embodiment, the electromagnetic wave absorbing layer 20, the reflective layer 30 disposed on the back surface 20b side of the electromagnetic wave absorbing layer 20, the electromagnetic wave absorbing layer 20 and the reflective layer 30, The electromagnetic wave absorbing layer 20 includes a spacer layer 40 disposed between the layers, and a protective layer 50 formed on the surface 20a of the electromagnetic wave absorbing layer 20. The electromagnetic wave absorbing layer 20 is made of a frequency selective surface, and the protective layer 50 is made of It is composed of a cured product of a composition containing a polyphenylene ether resin having a reactive group. Therefore, in the electromagnetic wave absorber 10 of this embodiment, the change in frequency characteristics is small due to the protective layer 50 provided to protect the electromagnetic wave absorbing layer 20.
In the electromagnetic wave absorber 10 of this embodiment, the electromagnetic wave absorbing layer 20 includes a base material 21 and an electromagnetic wave absorbing pattern 22 provided on the base material 21, and the electromagnetic wave absorbing pattern 22 includes a first electromagnetic wave absorbing pattern 61. , the second electromagnetic wave absorption pattern 62 and the third electromagnetic wave absorption pattern 63, it is possible to support a wide frequency band.

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[実施例]
厚みが50μmであるPETフィルム上に、図3に示すような第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンを形成し、図2に示すような実施例の電磁波吸収フィルムを作製した。
第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンの形状は、図5,7,9にそれぞれ示す十字状とした。第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンの厚みは、いずれも18μmとした。また、第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンの材質として、いずれも銅を用いた。
変性ポリオレフィン樹脂(商品名:ユニストールH-200、三井化学社製)100質量部、ポリフェニレンエーテル樹脂(商品名:OPE-2St 1,200、三菱ガス化学社製)50質量部、環状エーテル基含有化合物(商品名:YX8000、三菱ケミカル社製)3質量部、硬化剤(商品名:サンエイドSI-B3、三新化学社製)0.15質量部、およびシランカップリング剤(商品名:KBM-4803、信越化学社製)0.2質量部をトルエンに溶解し、接着剤組成物を調製した。
電磁波吸収フィルムの一方の面に、電磁波吸収パターンを覆うように、上記接着剤組成物を塗布し、得られた塗膜を160℃で1時間加熱して、硬化させ、電磁波吸収フィルム上に、電磁波吸収パターンを覆う保護層を形成した。
剥離フィルム(第1剥離フィルム、商品名:SP-PET752150、リンテック社製)の剥離処理面上に、上記接着剤組成物を塗布し、得られた塗膜を100℃で2分間乾燥し、厚みが15μmの接着剤層を形成した。この接着剤層上に、もう1枚の剥離フィルム(第2剥離フィルム、商品名:SP-PET381130、リンテック社製)の剥離処理面を貼り合わせて接着シートを得た。
接着シートの第1剥離フィルムを剥離して、電磁波吸収フィルムの他方の面に、露出した接着シートの一方の面を貼付した。
接着シートの第2剥離フィルムを剥離して、露出した接着シートの他方の面に、スペーサ層として発泡ウレタン材(商品名:ポロンHH-48、厚み2mm、ロジャース・イノアックコーポレーション社製)を貼付した。
次に、スペーサ層の他方の面(電磁波吸収フィルムとは反対側の面)に、上記接着シートを介して、反射層として電解銅箔(商品名:CF-V9S-SV、厚み18μm、福田金属粉工業社製)を貼付した。
以上の工程により、実施例の電磁波吸収体を得た。
[Example]
A first electromagnetic wave absorption pattern, a second electromagnetic wave absorption pattern, and a third electromagnetic wave absorption pattern as shown in FIG. An absorbent film was produced.
The shapes of the first electromagnetic wave absorption pattern, the second electromagnetic wave absorption pattern, and the third electromagnetic wave absorption pattern were cross-shaped as shown in FIGS. 5, 7, and 9, respectively. The thicknesses of the first electromagnetic wave absorption pattern, the second electromagnetic wave absorption pattern, and the third electromagnetic wave absorption pattern were all 18 μm. Furthermore, copper was used as the material for the first electromagnetic wave absorption pattern, the second electromagnetic wave absorption pattern, and the third electromagnetic wave absorption pattern.
100 parts by mass of modified polyolefin resin (trade name: UNISTOL H-200, manufactured by Mitsui Chemicals), 50 parts by mass of polyphenylene ether resin (trade name: OPE-2St 1,200, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), containing cyclic ether group 3 parts by mass of compound (product name: YX8000, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 0.15 parts by mass of curing agent (product name: SAN-AID SI-B3, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.), and silane coupling agent (product name: KBM- 4803, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was dissolved in toluene to prepare an adhesive composition.
The above adhesive composition is applied to one side of the electromagnetic wave absorbing film so as to cover the electromagnetic wave absorbing pattern, and the resulting coating film is heated at 160 ° C. for 1 hour to cure, and on the electromagnetic wave absorbing film, A protective layer was formed to cover the electromagnetic wave absorption pattern.
The above adhesive composition was applied onto the release-treated surface of a release film (first release film, trade name: SP-PET752150, manufactured by Lintec), and the resulting coating film was dried at 100°C for 2 minutes to determine the thickness. formed an adhesive layer with a thickness of 15 μm. On this adhesive layer, the release-treated side of another release film (second release film, trade name: SP-PET381130, manufactured by Lintec Corporation) was laminated to obtain an adhesive sheet.
The first release film of the adhesive sheet was peeled off, and one side of the exposed adhesive sheet was attached to the other side of the electromagnetic wave absorbing film.
The second release film of the adhesive sheet was peeled off, and a urethane foam material (trade name: Poron HH-48, thickness 2 mm, manufactured by Rogers INOAC Corporation) was attached as a spacer layer to the other surface of the exposed adhesive sheet. .
Next, electrolytic copper foil (trade name: CF-V9S-SV, thickness 18 μm, Fukuda Metals Co., Ltd. (manufactured by Powder Industry Co., Ltd.) was attached.
Through the above steps, the electromagnetic wave absorber of the example was obtained.

[比較例]
上記接着剤組成物を用いて保護層を形成する代わりに、粘着剤付きフィルム(商品名:PET25PLシン、厚み43μm、基材:PETフィルム、基材厚さ:25μm、粘着剤:アクリル系粘着剤、リンテック社製)を保護層として用いた。粘着剤付きフィルムを電磁波吸収フィルムの一方の面に、電磁波吸収パターンを覆うように貼り付けて、保護層50を形成した。
こと以外は、実施例と同様にして、比較例の電磁波吸収体を得た。
[Comparative Example]
Instead of forming a protective layer using the above adhesive composition, a film with adhesive (product name: PET25PL Thin, thickness 43 μm, substrate: PET film, substrate thickness: 25 μm, adhesive: acrylic adhesive, manufactured by Lintec Corporation) was used as the protective layer. The film with adhesive was attached to one side of the electromagnetic wave absorbing film so as to cover the electromagnetic wave absorbing pattern, thereby forming a protective layer 50.
Except for this, the electromagnetic wave absorber of the comparative example was obtained in the same manner as in the example.

[評価]
「電磁波吸収性の評価」
実施例および比較例で得られた電磁波吸収体について、75GHz~85GHzの帯域でベクトルネットワークアナライザを用いたフリースペース法にて、電磁波の反射特性(S11)を取得し、これを反射減衰(吸収)量として評価した。例えば、全反射の場合、減衰なしで0dBとし、一部反射の場合、90%減衰で-10dB、99%減衰で-20dBとした。
なお、保護層を設けていないこと以外は実施例と同様にして作製した電磁波吸収体を参考例とした。
結果を表1および図11~図13に示す。図11は、参考例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。図12は、実施例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。図13は、比較例の電磁波吸収体の反射減衰量を測定した結果を示す図である。
[evaluation]
"Evaluation of electromagnetic wave absorption"
For the electromagnetic wave absorbers obtained in the examples and comparative examples, the electromagnetic wave reflection characteristics (S11) were obtained using the free space method using a vector network analyzer in the band of 75 GHz to 85 GHz, and this was calculated as reflection attenuation (absorption). Evaluated as quantity. For example, in the case of total reflection, it is 0 dB with no attenuation, and in the case of partial reflection, it is -10 dB with 90% attenuation, and -20 dB with 99% attenuation.
Note that an electromagnetic wave absorber produced in the same manner as in the example except that no protective layer was provided was used as a reference example.
The results are shown in Table 1 and FIGS. 11 to 13. FIG. 11 is a diagram showing the results of measuring the return loss of the electromagnetic wave absorber of the reference example. FIG. 12 is a diagram showing the results of measuring the return loss of the electromagnetic wave absorber of the example. FIG. 13 is a diagram showing the results of measuring the return loss of the electromagnetic wave absorber of the comparative example.

Figure 0007457621000001
Figure 0007457621000001

表1および図11~図13に示す結果から、実施例の電磁波吸収体は、参考例の電磁波吸収体に対して、周波数のピークのずれがわずかであり、反射減衰量がほぼ同等であった。すなわち、実施例の電磁波吸収体は、保護層を有するものの、参考例の電磁波吸収体に対して、周波数特性の変化が少ないことが確認された。
一方、比較例の電磁波吸収体は、参考例の電磁波吸収体に対して、周波数のピークのずれが大きく、反射減衰量が少なくなった。すなわち、比較例の電磁波吸収体は、PETフィルムを保護層として設けたことにより、参考例の電磁波吸収体に対して、周波数特性の変化が大きくなったことが確認された。
From the results shown in Table 1 and FIGS. 11 to 13, the electromagnetic wave absorber of the example had a slight shift in the frequency peak and the return loss was almost the same as that of the electromagnetic wave absorber of the reference example. . That is, although the electromagnetic wave absorber of the example had a protective layer, it was confirmed that the change in frequency characteristics was small compared to the electromagnetic wave absorber of the reference example.
On the other hand, the electromagnetic wave absorber of the comparative example had a large frequency peak shift and a small amount of return loss compared to the electromagnetic wave absorber of the reference example. That is, it was confirmed that the electromagnetic wave absorber of the comparative example had a larger change in frequency characteristics than the electromagnetic wave absorber of the reference example because the PET film was provided as a protective layer.

本発明の電磁波吸収体は、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に用いることができる。 The electromagnetic wave absorber of the present invention can be used for automobile parts, road peripheral members, building exterior wall related materials, windows, communication equipment, radio telescopes, and the like.

10 電磁波吸収体
20 電磁波吸収層
21 基材
22 電磁波吸収パターン
30 反射層
40 スペーサ層
50 保護層
61 第1の電磁波吸収パターン
62 第2の電磁波吸収パターン
63 第3の電磁波吸収パターン
10 Electromagnetic wave absorber 20 Electromagnetic wave absorbing layer 21 Base material 22 Electromagnetic wave absorbing pattern 30 Reflective layer 40 Spacer layer 50 Protective layer 61 First electromagnetic wave absorbing pattern 62 Second electromagnetic wave absorbing pattern 63 Third electromagnetic wave absorbing pattern

Claims (9)

電磁波吸収層と、
前記電磁波吸収層の裏面側に配置される反射層と、
前記電磁波吸収層と前記反射層の間に配置されるスペーサ層と、
前記電磁波吸収層の表面に形成される保護層と、を備え、
前記電磁波吸収層は周波数選択表面からなり、
前記保護層は、変性ポリオレフィン樹脂および反応性基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を含む組成物の硬化物から構成される、電磁波吸収体。
an electromagnetic wave absorption layer;
a reflective layer disposed on the back side of the electromagnetic wave absorbing layer;
a spacer layer disposed between the electromagnetic wave absorbing layer and the reflective layer;
a protective layer formed on the surface of the electromagnetic wave absorbing layer,
the electromagnetic wave absorbing layer comprises a frequency selective surface;
The protective layer is an electromagnetic wave absorber made of a cured product of a composition containing a modified polyolefin resin and a polyphenylene ether resin having a reactive group.
前記保護層における前記変性ポリオレフィン樹脂の含有量が、前記保護層の総量中50質量%超である、請求項1に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the content of the modified polyolefin resin in the protective layer is more than 50% by mass based on the total amount of the protective layer. 前記ポリフェニレンエーテル樹脂の反応性基が、エチレン性不飽和結合を含む、請求項1または2に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to claim 1 or 2, wherein the reactive group of the polyphenylene ether resin contains an ethylenically unsaturated bond. 前記組成物が、少なくとも1種の脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 3, wherein the composition contains a compound having at least one alicyclic skeleton and a cyclic ether group. 前記脂環式骨格および環状エーテル基を有する化合物の少なくとも1種が25℃で液体の化合物であり、前記25℃で液体の化合物の含有量が、前記組成物の総量中10質量%以下である、請求項4に記載の電磁波吸収体。 At least one of the compounds having an alicyclic skeleton and a cyclic ether group is a compound that is liquid at 25°C, and the content of the compound that is liquid at 25°C is 10% by mass or less in the total amount of the composition. , The electromagnetic wave absorber according to claim 4. 前記保護層の厚みは、1μm~500μmである、請求項1~5のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 5, wherein the protective layer has a thickness of 1 μm to 500 μm. 前記電磁波吸収層は、基材と、前記基材上に設けられた電磁波吸収パターンとを含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。 The electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 6, wherein the electromagnetic wave absorbing layer includes a substrate and an electromagnetic wave absorbing pattern provided on the substrate. 前記電磁波吸収パターンは、第1の電磁波吸収パターン、第2の電磁波吸収パターンおよび第3の電磁波吸収パターンからなり、
前記第1の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が20GHz~110GHzの範囲で極大値を示す周波数が、A[GHz]であり、
前記第2の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(1)を満たすB[GHz]であり、
前記第3の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下記式(2)を満たすC[GHz]である、請求項7に記載の電磁波吸収体。
1.037×A≦B≦1.30×A・・・(1)
0.60×A≦C≦0.963×A・・・(2)
The electromagnetic wave absorption pattern includes a first electromagnetic wave absorption pattern, a second electromagnetic wave absorption pattern, and a third electromagnetic wave absorption pattern,
The frequency at which the amount of electromagnetic wave absorbed by the first electromagnetic wave absorption pattern has a maximum value in the range of 20 GHz to 110 GHz is A [GHz],
The frequency at which the amount of electromagnetic waves absorbed by the second electromagnetic wave absorption pattern has a maximum value is B [GHz] that satisfies the following formula (1),
The electromagnetic wave absorber according to claim 7, wherein the frequency at which the amount of electromagnetic wave absorbed by the third electromagnetic wave absorption pattern shows a maximum value is C [GHz] that satisfies the following formula (2).
1.037×A≦B≦1.30×A...(1)
0.60×A≦C≦0.963×A...(2)
前記第1の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第1の単位が配列された第1の配列を複数有し、
前記第2の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第2の単位が配列された第2の配列を複数有し、
前記第3の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第3の単位が配列された第3の配列を複数有し、
前記第1の配列と前記第2の配列と前記第3の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置されている、請求項8に記載の電磁波吸収体。
The first electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of first arrays in which a plurality of first units having the same shape are arranged,
The second electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of second arrays in which a plurality of second units having the same shape are arranged,
The third electromagnetic wave absorption pattern has a plurality of third arrays in which a plurality of third units having the same shape are arranged,
The electromagnetic wave absorber according to claim 8, wherein the first array, the second array, and the third array are arranged on the base material so that they are adjacent to each other.
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