JP7444639B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

処理ユニットと、排気切替装置とを備える基板処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。排気切替装置には、処理ユニットから排出される排気が上流排気管を介して流入する。排気切替装置は、複数種類の排気処理設備にそれぞれ異なる下流排気管を介して接続している。排気切替装置は、複数種類の排気処理設備のうちの１つに排気を排出する。具体的には、排気切替装置は、排気の種類に応じて、排気の排出先を切り替える。

特開２０１４－１９７５９２号公報

しかしながら、排気切替装置を備える基板処理装置では、処理ユニットにおいて、酸性の薬液を使用する処理と、アルカリ性の薬液を使用する処理とが実行される場合、上流排気管に結晶（塩）が堆積する可能性がある。上流排気管に結晶が堆積した場合、上流排気管におけるガスの流れが結晶によって阻害されるため、上流排気管を定期的に洗浄する必要があり、利便性に改善の余地がある。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、排気管において結晶（塩）が発生し難い基板処理装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、基板保持部と、基板回転部と、処理液供給部と、第１ガードと、排気部と、第１カップ部と、第２カップ部と、移動機構と、制御部とを備える。前記基板保持部は、前記基板を水平に保持する。前記基板回転部は、上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる。前記処理液供給部は、前記基板に処理液を供給する。前記第１ガードは、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記排気部は、複数の下流側排気ポートを有する。前記排気部は、前記第１ガードの内側に配置される。前記第１カップ部は、前記第１ガードと前記排気部との間に配置される。前記第１カップ部は、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記第２カップ部は、前記第１カップ部と前記排気部との間に配置される。前記第２カップ部は、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記移動機構は、前記第１ガード、前記第１カップ部及び前記第２カップ部を前記上下方向に個別に昇降させる。前記制御部は、前記移動機構を制御する。前記第１カップ部は、第２ガードと、第１液受け部と、第１排液ポートとを有する。前記第２ガードは、前記処理液を受け止める。前記第１液受け部は、前記第１ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第１排液ポートは、前記第１液受け部に設けられる。前記第１排液ポートは、前記第１液受け部から前記処理液を排出させる。前記第２カップ部は、第３ガードと、第２液受け部と、第２排液ポートと、第３液受け部と、第３排液ポートと、開閉部とを有する。前記第３ガードは、前記処理液を受け止める。前記第２液受け部は、前記第２ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第２排液ポートは、前記第２液受け部に設けられる。前記第２排液ポートは、前記第２液受け部から前記処理液を排出させる。前記第３液受け部は、前記第３ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第３排液ポートは、前記第３液受け部に設けられる。前記第３排液ポートは、前記第３液受け部から前記処理液を排出させる。前記開閉部は、前記複数の下流側排気ポートを開閉する。前記開閉部は、前記第３液受け部に接続する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第１ガード、前記第１カップ部及び前記第２カップ部を前記上下方向に個別に昇降させることにより、前記第１ガード、前記第２ガード及び前記第３ガードのうちの１つに前記処理液を受け止めさせて、前記第１排液ポート、前記第２排液ポート及び前記第３排液ポートのうちの１つから前記処理液を排出させつつ、前記第１液受け部、前記第２液受け部又は前記第３液受け部から発生するガスを前記複数の下流側排気ポートのうちの１つに流入させる。

ある実施形態では、前記制御部が、前記基板回転部が前記基板を回転させている間に、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのうちから、開放する下流側排気ポートを変更する。

ある実施形態において、前記開閉部は、前記第３ガードと前記排気部との間に配置される壁部を有する。前記壁部は、前記複数の下流側排気ポートにそれぞれ対応する複数の上流側排気ポートを有する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのいずれか１つに、前記複数の上流側排気ポートのいずれか１つを選択的に重ねる。

ある実施形態において、前記制御部は、前記下流側排気ポートと前記上流側排気ポートとが重なる面積を調整する。

ある実施形態において、前記複数の下流側排気ポートは、周方向において互いに異なる位置に設けられており、前記複数の上流側排気ポートは、前記周方向において互いに異なる位置に設けられている。

ある実施形態において、前記複数の下流側排気ポートは、前記上下方向において互いに異なる位置に設けられている。

ある実施形態において、前記排気部は、複数のダクト部材を更に有する。前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通する。前記複数の下流側排気ポートの少なくとも１つは、上層下流側排気ポートと、下層下流側排気ポートとを含む。前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられている。前記上層下流側排気ポートは、前記下層下流側排気ポートよりも上方に設けられている。前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える。

ある実施形態において、前記排気部は、複数のダクト部材を更に有する。前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通する。前記複数の下流側排気ポートの少なくとも１つは、大下流側排気ポートと、小下流側排気ポートとを含む。前記大下流側排気ポートは、前記小下流側排気ポートよりも断面積が大きい。前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられている。前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える。

本発明によれば、排気管において結晶（塩）が発生し難くなる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの模式図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。 第２ガード部及び排気部の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 第２ガード部及び排気部の断面を模式的に示す別の図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 第２ガード部及び排気部の断面を模式的に示す別の図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 ガード部及び昇降部を示す図である。 排気部の側壁の展開図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第２ガード部の動作を示す図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第２ガード部の動作を示す図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。 本発明の実施形態５に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態５に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態５に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。 ガード部、開閉部及び昇降部を示す図である。 本発明の実施形態７に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。 ガード部、開閉部、昇降部及び回動部を示す図である。 本発明の実施形態８に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明に係る基板処理装置の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

［実施形態１］
以下、図１～図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。まず図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハである。基板Ｗは略円板状である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理ユニット１と、流体キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、及びセンターロボットＣＲを制御する。本実施形態において、制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０４とを含む。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１の各々は、処理液を基板Ｗに供給して、基板Ｗを処理する。流体キャビネット１００Ａは、処理液を収容する。

複数の処理ユニット１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１（図１では３つの処理ユニット１）を含む。流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。流体キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。処理ユニット１については、図２を参照して後述する。

制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有する。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

記憶部１０４は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。

記憶部１０４は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０４は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。

続いて図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の模式図である。詳しくは、図２は、処理ユニット１の模式的な断面図である。

図２に示すように、処理ユニット１は、チャンバー２と、スピンチャック３と、スピンモータ部４と、ガード部５と、昇降部６と、排気部７と、処理液供給部１１と、第１ノズル移動機構１１０と、第２ノズル移動機構１２０とを備える。また、図２に示すように、基板処理装置１００は、第１供給配管Ｐ１と、第１バルブＶ１と、第２供給配管Ｐ２と、第２バルブＶ２と、第３供給配管Ｐ３と、第３バルブＶ３とを備える。

チャンバー２は、内部空間を有する略箱形状の筐体であり、チャンバー２の内部と外部とは区画される。チャンバー２には、図示しないシャッター及びその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じており、その結果、チャンバー２内外の雰囲気は遮断される。センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗがチャンバー２内部に搬入される際、あるいは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗがチャンバー２内部から搬出される際に、シャッターが開放される。チャンバー２の上部には図示しないＦＦＵユニット（ファンフィルタユニット）が設置されており、チャンバー２の上部から下方に向けてダウンフローで、塵埃の除去されたエアー、又は不活性ガスが供給される。

チャンバー２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。処理ユニット１は、チャンバー２内で基板Ｗを水平に保持して、基板Ｗを１枚ずつ処理する。チャンバー２には、スピンチャック３、スピンモータ部４、ガード部５、昇降部６、排気部７、処理液供給部１１、第１ノズル移動機構１１０、及び第２ノズル移動機構１２０が収容される。また、チャンバー２には、第１供給配管Ｐ１～第３供給配管Ｐ３のそれぞれの一部が収容される。

スピンチャック３は、基板Ｗを水平に保持する。スピンチャック３は、基板保持部の一例である。具体的には、スピンチャック３は、複数のチャック部材３１と、スピンベース３３とを有する。複数のチャック部材３１は、基板Ｗの周縁に沿ってスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３１は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３１を支持する。

スピンモータ部４は、回転軸線ＡＸを中心として基板Ｗとスピンチャック３とを一体に回転させる。回転軸線ＡＸは、上下方向に延びる。本実施形態では、回転軸線ＡＸは、略鉛直方向に延びる。回転軸線ＡＸは中心軸の一例であり、スピンモータ部４は基板回転部の一例である。詳しくは、スピンモータ部４は、回転軸線ＡＸを中心としてスピンベース３３を回転させる。したがって、スピンベース３３は、回転軸線ＡＸを中心として回転する。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３１に保持された基板Ｗが、回転軸線ＡＸを中心として回転する。

具体的には、スピンモータ部４は、モータ本体４１と、シャフト４３とを有する。シャフト４３はスピンベース３３に結合される。モータ本体４１は、シャフト４３を回転させる。その結果、スピンベース３３が回転する。

処理液供給部１１は、基板Ｗに処理液を供給する。本実施形態において、処理液供給部１１は、第１処理液、第２処理液、及び第３処理液を基板Ｗに供給する。より具体的には、処理液供給部１１は、第１ノズル１１ａと、第２ノズル１１ｂと、第３ノズル１１ｃとを有する。

第１ノズル１１ａは、基板Ｗに第１処理液を供給する。詳しくは、第１ノズル１１ａは、回転中の基板Ｗに向けて第１処理液を吐出する。本実施形態において、第１処理液は、酸性の薬液である。酸性の薬液（第１処理液）は、例えばＤＨＦ（ｄｉｌｕｔｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ：希フッ酸）であり得る。

第１供給配管Ｐ１は、第１ノズル１１ａに第１処理液を供給する。第１供給配管Ｐ１は、第１処理液が流通する管状部材である。第１バルブＶ１は、第１供給配管Ｐ１に配置される。第１バルブＶ１は、第１ノズル１１ａへの第１処理液の供給及び供給停止を切り替える。詳しくは、第１バルブＶ１が開くと、第１ノズル１１ａから基板Ｗに向けて第１処理液が吐出される。一方、第１バルブＶ１が閉じると、第１処理液の吐出が停止する。また、第１バルブＶ１は、第１供給配管Ｐ１において第１バルブＶ１よりも下流へ流れる第１処理液の流量を制御する。詳しくは、第１バルブＶ１の開度に応じて、第１バルブＶ１よりも下流へ流れる第１処理液の流量が調整される。第１バルブＶ１は、例えば、モータバルブである。

第１ノズル移動機構１１０は、略水平方向に第１ノズル１１ａを移動させる。詳しくは、第１ノズル移動機構１１０は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第１ノズル１１ａを旋回させる。第１ノズル１１ａは、移動しながら（旋回しながら）、基板Ｗに向けて第１処理液を吐出する。第１ノズル１１ａは、スキャンノズルと称されることがある。

具体的には、第１ノズル移動機構１１０は、ノズルアーム１１１と、第１回転軸１１３と、第１駆動部１１５とを有する。ノズルアーム１１１は略水平方向に沿って延びる。ノズルアーム１１１の先端部に第１ノズル１１ａが配置される。ノズルアーム１１１は第１回転軸１１３に結合される。第１回転軸１１３は、略鉛直方向に沿って延びる。第１駆動部１１５は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第１回転軸１１３を回転させて、第１回転軸１１３を中心にノズルアーム１１１を略水平面に沿って回転させる。その結果、第１ノズル１１ａが略水平面に沿って移動する。詳しくは、第１ノズル１１ａは、第１回転軸１１３の周りを旋回する。第１駆動部１１５は、例えば、ステッピングモータを含む。

第２ノズル１１ｂは、基板Ｗに第２処理液を供給する。詳しくは、第２ノズル１１ｂは、回転中の基板Ｗに向けて第２処理液を吐出する。本実施形態において、第２処理液は、アルカリ性の薬液である。アルカリ性の薬液（第２処理液）は、例えばＳＣ１であり得る。なお、ＳＣ１は、「ＮＨ₄ＯＨ」、「Ｈ₂Ｏ₂」、及び「Ｈ₂Ｏ」を含む混合液である。

第２供給配管Ｐ２は、第２ノズル１１ｂに第２処理液を供給する。第２バルブＶ２は、第２供給配管Ｐ２に配置される。第２供給配管Ｐ２及び第２バルブＶ２の構成は、第１供給配管Ｐ１及び第１バルブＶ１と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。

第２ノズル移動機構１２０は、略水平方向に第２ノズル１１ｂを移動させる。詳しくは、第２ノズル移動機構１２０は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第２ノズル１１ｂを旋回させる。第２ノズル１１ｂは、移動しながら（旋回しながら）、基板Ｗに向けて第２処理液を吐出する。第２ノズル１１ｂは、スキャンノズルと称されることがある。

具体的には、第２ノズル移動機構１２０は、ノズルアーム１２１と、第２回転軸１２３と、第２駆動部１２５とを有する。第２駆動部１２５は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第２回転軸１２３を回転させて、第２回転軸１２３を中心にノズルアーム１２１を略水平面に沿って回転させる。その結果、第２ノズル１１ｂが、第２回転軸１２３の周りを旋回する。なお、第２ノズル移動機構１２０の構成は、第１ノズル移動機構１１０と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。

第３ノズル１１ｃは、基板Ｗに第３処理液を供給する。詳しくは、第３ノズル１１ｃは、回転中の基板Ｗに向けて第３処理液を吐出する。本実施形態において、第３処理液は、有機薬液である。有機薬液（第３処理液）は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）のような有機溶剤であり得る。第３ノズル１１ｃは、静止した状態で第３処理液を吐出する。第３ノズル１１ｃは、固定ノズルと称されることがある。

第３供給配管Ｐ３は、第３ノズル１１ｃに第３処理液を供給する。第３バルブＶ３は、第３供給配管Ｐ３に配置される。第３供給配管Ｐ３及び第３バルブＶ３の構成は、第１供給配管Ｐ１及び第１バルブＶ１と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。

なお、第１ノズル１１ａは、固定ノズルであってもよい。同様に、第２ノズル１１ｂは、固定ノズルであってもよい。また、第３ノズル１１ｃはスキャンノズルであってもよい。

ガード部５は、スピンチャック３及びスピンモータ部４の外方に配置される。ガード部５は、略筒形状を有する。換言すると、ガード部５は、スピンチャック３及びスピンモータ部４を取り囲んでいる。ガード部５は、回転する基板Ｗから飛散する処理液（第１処理液～第３処理液）を受け止める。

詳しくは、基板Ｗの回転中に処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。この結果、基板Ｗの周囲に処理液が飛散して、基板Ｗから飛散した処理液がガード部５によって受け止められる。本実施形態において、ガード部５は、図３を参照して後述する第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３を有する。第１ガード５１は、第１処理液を受け止める。第１カップ部５２は、第２処理液を受け止める。第２カップ部５３は、第３処理液を受け止める。ガード部５の詳細については、図３～図１４を参照して後述する。

昇降部６は、図３を参照して後述する第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３を上下方向に個別に昇降させる。昇降部６は、移動機構の一例である。詳しくは、昇降部６は、第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３をそれぞれ、液受け位置と退避位置との間で昇降させる。液受け位置は、退避位置よりも上方の位置である。

具体的には、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗがチャンバー２内部に搬入される際、あるいは、センターロボットＣＲ（図１）により基板Ｗがチャンバー２内部から搬出される際に、第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３は退避位置に配置される。また、第１ガード５１は、第１処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。第１カップ部５２は、第２処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。第２カップ部５３は、第３処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。昇降部６の詳細については、図１５を参照して後述する。

排気部７は、ガード部５の内側に配置される。具体的には、排気部７は、スピンモータ部４とガード部５との間に配置される。排気部７は、略筒形状を有する。排気部７には、ガード部５において処理液（第１処理液～第３処理液）から発生したガスが流入する。排気部７の詳細については、図３～図１４を参照して後述する。

排気部７に流入したガスは、排気機構８によって吸引される。排気機構８は、基板処理装置１００の外部に配置される。したがって、処理液（第１処理液～第３処理液）から発生したガスは、排気機構８によってチャンバー２（基板処理装置１００）の外部に排出される。排気機構８は、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。

続いて図２及び図３を参照して、ガード部５、及び排気部７を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部の断面を模式的に示す図である。まず図３を参照して、排気部７を説明する。図３に示すように、排気部７は、側壁７１と、天井壁７２と、第１ダクト部材７３とを有する。排気機構８は、第１排気機構８ａを含む。また、図３に示すように、基板処理装置１００は、第１排気管Ｐ４を備える。

側壁７１は環状であり、略鉛直方向に延びる。側壁７１は、スピンモータ部４の外方に配置されて、スピンモータ部４を取り囲む。側壁７１の下端は、チャンバー２の底壁２１に接続している。換言すると、チャンバー２の底壁２１は、側壁７１の内側空間を下方から覆う。

天井壁７２は、側壁７１の内側空間を上方から覆う。具体的には、天井壁７２は、側壁７１の上端に接続し、側壁７１の内方に拡がる。天井壁７２は、スピンモータ部４のシャフト４３が貫通する開口７２ａを有する。

第１ダクト部材７３は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第１ダクト部材７３は、側壁７１の内側に配置されて、チャンバー２の内方から外方へ延びる。第１ダクト部材７３の上端は、天井壁７２に接続している。換言すると、天井壁７２は、第１ダクト部材７３の上端の開口を覆う。

第１ダクト部材７３には、図２を参照して説明した第１処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁７１は、第１ダクト部材７３の内側空間に連通する第１下流側排気ポート７１ａを有する。第１下流側排気ポート７１ａは、側壁７１を貫通する貫通穴であり、第１ダクト部材７３に対向する。

第１ダクト部材７３の下端は、第１排気管Ｐ４の一端に連結されている。第１排気管Ｐ４は、ガスが流通する管状部材である。第１排気管Ｐ４の他端は、第１排気機構８ａに接続している。第１排気機構８ａは、第１排気管Ｐ４を介して、第１ダクト部材７３に流入したガス（第１処理液から発生するガス）を吸引する。第１排気機構８ａは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第１排気管Ｐ４には、バルブが配置されていてもよい。

本実施形態において、第１ダクト部材７３は、第１管状部７３ａと、第２管状部７３ｂとを有する。第１管状部７３ａは、略管状であり、側壁７１の内側に配置されて、側壁７１の内面に接続する。第１管状部７３ａの下端部は、チャンバー２の底壁２１に埋設される。第２管状部７３ｂは、管状であり、チャンバー２の外方に配置されて、第１管状部７３ａの下端に連結する。第１排気管Ｐ４は、第２管状部７３ｂの下端に連結されている。

より詳しくは、第１管状部７３ａは、側壁７１の内面側に、略鉛直方向に延びる開口を有する。第１下流側排気ポート７１ａは、第１管状部７３ａの開口を介して第１管状部７３ａの内側空間に連通する位置に設けられる。本実施形態では、第１下流側排気ポート７１ａから第１管状部７３ａに流入したガスが流通する流通空間が、第１管状部７３ａの内面及び側壁７１の内面によって構成される。

続いて図３を参照して、ガード部５を説明する。図３に示すように、ガード部５は、第１ガード部５ａと、第２ガード部５ｂとを有する。第１ガード部５ａは、回転する基板Ｗから飛散する処理液（第１処理液及び第２処理液）を受け止める。第２ガード部５ｂは、第１ガード部５ａと排気部７との間に配置されて、回転する基板Ｗから飛散する処理液（第３処理液）を受け止める。第２ガード部５ｂは、開閉部の一例である。

本実施形態において、第１ガード部５ａは、第１ガード５１と、第１カップ部５２とを有する。第２ガード部５ｂは、第２カップ部５３を有する。図２を参照して説明したように、昇降部６は、第１ガード５１、第１カップ部５２、及び第２カップ部５３を上下方向に個別に昇降させる。

図３は、第１ガード５１が液受け位置に配置され、第１カップ部５２及び第２カップ部５３が退避位置に配置されている状態を示している。以下、第１ガード５１が液受け位置に配置され、第１カップ部５２及び第２カップ部５３が退避位置に配置されている状態を、「第１状態」と記載する場合がある。第１状態において、第１ノズル１１ａ（図２）から基板Ｗに向けて第１処理液が吐出される。

第１ガード５１は、略筒形状を有し、スピンチャック３よりも外方に位置する。第１状態において、回転する基板Ｗから第１処理液が飛散すると、第１ガード５１が、基板Ｗから飛散する第１処理液を受け止める。

具体的には、第１ガード５１は、上下方向における第１ガード５１の中央部から上部にわたり、回転軸線ＡＸに向かって上方に傾斜している。また、第１ガード５１の下部は、略鉛直方向に延びる。第１状態において、第１ガード５１の先端５１ａは、基板Ｗよりも上方に位置する。一方、第１状態において、第１カップ部５２及び第２カップ部５３は、基板Ｗよりも下方に位置する。この結果、回転する基板Ｗから飛散した第１処理液は、第１ガード５１によって受け止められる。第１ガード５１に付着した第１処理液は、第１ガード５１の内面５１ｃを伝って流れ、第１ガード５１の下端５１ｂから下方へ流れ落ちる。

第１カップ部５２は、第１ガード５１の内側に配置される。第１カップ部５２は、略筒形状を有し、スピンチャック３よりも外方に位置する。第１カップ部５２は、第２ガード５２１と、第１液受け部５２２とを有する。第１液受け部５２２は、第２ガード５２１から外方に突出する。第１液受け部５２２は、第１ガード５１の下端５１ｂの下方に位置する。第１液受け部５２２は、環状であり、環状の溝（液溜り部）を形成する。第１液受け部５２２は、第１ガード５１の下端５１ｂから流れ落ちた処理液（第１処理液）を受け止める。この結果、第１液受け部５２２に処理液（第１処理液）が集められる。

第２カップ部５３は、第１カップ部５２の内側に配置される。第２カップ部５３は、略筒状である。第２カップ部５３は、第３ガード５３１と、第２液受け部５３２と、第３液受け部５３３と、遮断壁部５４とを有する。遮断壁部５４は、壁部の一例である。

遮断壁部５４は、環状であり、略鉛直方向に延びる。遮断壁部５４は、第１ガード部５ａと排気部７との間に配置される。本実施形態において、遮断壁部５４は、第１カップ部５２と排気部７との間に配置される。より具体的には、遮断壁部５４は、排気部７に近接する位置に配置される。

遮断壁部５４は、第１下流側排気ポート７１ａに対応する第１上流側排気ポート５４ａを有する。第１上流側排気ポート５４ａは、遮断壁部５４を貫通する貫通穴である。第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとは、周方向における位置が略一致している。また、第１状態において、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第１状態において、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとは重なっている。換言すると、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下流側排気ポート７１ａを介して、第１ダクト部材７３の内側空間に連通している。

続いて図４及び図５を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について更に説明する。図４は、第２ガード部５ｂ及び排気部７の断面を模式的に示す図である。図５は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の展開図である。詳しくは、図４及び図５は、第１状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図４に示すように、排気部７は、第２ダクト部材７４及び第３ダクト部材７５を更に有する。第２ダクト部材７４及び第３ダクト部材７５は、第１ダクト部材７３と同様に、排気部７の内側に配置されている。

図５に示すように、排気部７の側壁７１は、第２下流側排気ポート７１ｂと、第３下流側排気ポート７１ｃとを更に有する。また、遮断壁部５４は、第２下流側排気ポート７１ｂに対応する第２上流側排気ポート５４ｂと、第３下流側排気ポート７１ｃに対応する第３上流側排気ポート５４ｃとを更に有する。

第２上流側排気ポート５４ｂ及び第３上流側排気ポート５４ｃは、第１上流側排気ポート５４ａと同様に遮断壁部５４を貫通している。第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第３上流側排気ポート５４ｃは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。詳しくは、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２ダクト部材７４に対向する位置に設けられる。第３上流側排気ポート５４ｃは、第３ダクト部材７５に対向する位置に設けられる。

第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、第１下流側排気ポート７１ａと同様に排気部７の側壁７１を貫通している。第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。

詳しくは、第１下流側排気ポート７１ａは、周方向において第１上流側排気ポート５４ａと略同じ位置に設けられる。第２下流側排気ポート７１ｂは、周方向において第２上流側排気ポート５４ｂと略同じ位置に設けられる。第３下流側排気ポート７１ｃは、周方向において第３上流側排気ポート５４ｃと略同じ位置に設けられる。したがって、第２下流側排気ポート７１ｂは、第２ダクト部材７４に対向する位置に設けられる。第３下流側排気ポート７１ｃは、第３ダクト部材７５に対向する位置に設けられる。

第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第３上流側排気ポート５４ｃは、上下方向における位置が略一致する。第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。詳しくは、第１下流側排気ポート７１ａは、第２下流側排気ポート７１ｂよりも低い位置に設けられており、第２下流側排気ポート７１ｂは、第３下流側排気ポート７１ｃよりも低い位置に設けられている。

図５に示すように、第１状態において、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下流側排気ポート７１ａと重なる。一方、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下流側排気ポート７１ｂと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。同様に、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。なお、図５において、斜線は、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとが重なっていることを示している。

したがって、第１状態においては、図４及び図５に示すように、第２カップ部５３の内側空間は、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１下流側排気ポート７１ａを介して、排気部７の内側空間と連通する。より詳しくは、第２カップ部５３の内側空間は、第１状態において、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。

続いて図３を参照して、第１処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第１ガード５１の内面５１ｃに付着した第１処理液、及び、第１液受け部５２２に溜まっている第１処理液から発生するガスの流れについて説明する。

基板処理装置１００が使用されている間、第１排気機構８ａによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。したがって、第１処理液から発生したガスは、第１ガード５１と第１カップ部５２との隙間から、第２ガード５２１の先端５２１ａとスピンチャック３との隙間、及び、第３ガード５３１の先端５３１ａとスピンチャック３との隙間を介して、第２カップ部５３の内側空間に流入する。

図４及び図５を参照して説明したように、第１状態では、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。したがって、第１処理液から発生したガスは、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１下流側排気ポート７１ａを介して、第１ダクト部材７３の内側空間に流入する。この結果、第１処理液から発生するガスは、第１排気管Ｐ４を介して、第１排気機構８ａに流入する。

続いて図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。図６に示すように、第１液受け部５２２は、第１排液ポート５２２ａを有する。また、図６に示すように、基板処理装置１００は、第１排液管Ｐ５を備える。

第１排液ポート５２２ａは、第１液受け部５２２の底部に設けられる。第１排液ポート５２２ａは、第１液受け部５２２の底部を貫通する貫通穴である。第１排液管Ｐ５の一端は、第１排液ポート５２２ａに連結している。第１排液管Ｐ５の他端は、第１排液部９ａに接続している。なお、第１排液管Ｐ５には、バルブが配置されていてもよい。

第１液受け部５２２で集められた第１処理液は、第１排液管Ｐ５を介して、第１排液部９ａへと排出される。第１排液部９ａは、基板処理装置１００の外部に配置される。したがって、第１処理液は、チャンバー２（基板処理装置１００）の外部に排出される。第１排液部９ａへ排出された第１処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第１排液部９ａへ排出された第１処理液は廃棄されてもよい。

続いて図２及び図７～図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。まず図７を参照して、ガード部５、及び排気部７を説明する。図７は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。図７に示すように、排気機構８は、第２排気機構８ｂを含む。また、図７に示すように、基板処理装置１００は、第２排気管Ｐ６を備える。まず図７を参照して、排気部７を説明する。

排気部７の第２ダクト部材７４は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第２ダクト部材７４は、側壁７１の内側に配置されて、チャンバー２の内方から外方へ延びる。第２ダクト部材７４の上端は、天井壁７２に接続している。換言すると、天井壁７２は、第２ダクト部材７４の上端の開口を覆う。

第２ダクト部材７４には、図２を参照して説明した第２処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁７１の第２下流側排気ポート７１ｂを介して、第２ダクト部材７４の内側空間にガスが流入する。

第２ダクト部材７４の下端は、第２排気管Ｐ６の一端に連結されている。第２排気管Ｐ６は、ガスが流通する管状部材である。第２排気管Ｐ６の他端は、第２排気機構８ｂに接続している。第２排気機構８ｂは、第２排気管Ｐ６を介して、第２ダクト部材７４に流入したガス（第２処理液から発生するガス）を吸引する。第２排気機構８ｂは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第２排気管Ｐ６には、バルブが配置されていてもよい。

本実施形態において、第２ダクト部材７４は、図３を参照して説明した第１ダクト部材７３と同様に、第１管状部７４ａと、第２管状部７４ｂとを有する。第２排気管Ｐ６は、第２ダクト部材７４の第２管状部７４ｂの下端に連結されている。なお、第２ダクト部材７４の第１管状部７４ａ及び第２管状部７４ｂの構成は、第１ダクト部材７３の第１管状部７３ａ及び第２管状部７３ｂと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。

続いて図７を参照して、ガード部５を説明する。図７は、第１ガード５１及び第１カップ部５２が液受け位置に配置されている状態を示している。このとき、第２カップ部５３（第２ガード部５ｂ）は、退避位置と液受け位置との間の中間位置に配置されている。以下、第１ガード５１及び第１カップ部５２が液受け位置に配置され、第２カップ部５３が中間位置に配置されている状態を、「第２状態」と記載する場合がある。第２状態において、第２ノズル１１ｂ（図２）から基板Ｗに向けて第２処理液が吐出される。

第１カップ部５２の第２ガード５２１は、略筒形状を有し、スピンチャック３よりも外方に位置する。第２状態において、回転する基板Ｗから第２処理液が飛散すると、第２ガード５２１が、基板Ｗから飛散する第２処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第２ガード５２１の上部は、回転軸線ＡＸに向かって上方に傾斜している。また、第２ガード５２１の中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。

第２状態において、第２ガード５２１の先端５２１ａは、基板Ｗよりも上方に位置している。また、第２状態において、第１カップ部５２は、第１ガード５１に近接している。換言すると、第２状態において、第１ガード５１と第１カップ部５２との隙間は、第１状態における隙間と比べて小さくなっている。一方、第２状態において、第２カップ部５３は、基板Ｗよりも下方に位置する。

したがって、回転する基板Ｗから飛散した第２処理液は、第２ガード５２１によって受け止められる。第２ガード５２１に付着した第２処理液は、第２ガード５２１の内面５２１ｃを伝って流れ、第２ガード５２１の下端５２１ｂから下方へ流れ落ちる。

第２カップ部５３の第２液受け部５３２は、第２カップ部５３の第３ガード５３１から外方に突出する。第２液受け部５３２は、第２ガード５２１の下端５２１ｂの下方に位置する。第２液受け部５３２は、環状であり、環状の溝（液溜り部）を形成する。第２液受け部５３２は、第２ガード５２１の下端５２１ｂから流れ落ちた処理液（第２処理液）を受け止める。この結果、第２液受け部５３２に処理液（第２処理液）が集められる。

図４及び図５を参照して説明したように、遮断壁部５４の第２上流側排気ポート５４ｂと、排気部７の第２下流側排気ポート７１ｂとは、周方向における位置が略一致している。また、図７に示すように、第２状態において、遮断壁部５４の第２上流側排気ポート５４ｂと、排気部７の第２下流側排気ポート７１ｂとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第２状態において、第２上流側排気ポート５４ｂと第２下流側排気ポート７１ｂとは重なっている。換言すると、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下流側排気ポート７１ｂを介して、第２ダクト部材７４の内側空間に連通している。

続いて図８及び図９を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について更に説明する。図８は、第２ガード部５ｂ及び排気部７の断面を模式的に示す別の図である。図９は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図８及び図９は、第２状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図９に示すように、第２状態において、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下流側排気ポート７１ｂと重なる。一方、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下流側排気ポート７１ａと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。同様に、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。なお、図９において、斜線は、第２上流側排気ポート５４ｂと第２下流側排気ポート７１ｂとが重なっていることを示している。

したがって、第２状態においては、図８及び図９に示すように、第２カップ部５３の内側空間は、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第２下流側排気ポート７１ｂを介して、排気部７の内側空間と連通する。より詳しくは、第２カップ部５３の内側空間は、第２状態において、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。

続いて図７を参照して、第２処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第２ガード５２１の内面５２１ｃに付着した第２処理液、及び、第２液受け部５３２に溜まっている第２処理液から発生するガスの流れについて説明する。

基板処理装置１００が使用されている間、第２排気機構８ｂによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。したがって、第２処理液から発生したガスは、第２ガード５２１と第２カップ部５３との隙間から、第３ガード５３１の先端５３１ａとスピンチャック３との隙間を介して、第２カップ部５３の内側空間に流入する。

図８及び図９を参照して説明したように、第２状態では、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。したがって、第２処理液から発生したガスは、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第２下流側排気ポート７１ｂを介して、第２ダクト部材７４の内側空間に流入する。この結果、第２処理液から発生するガスは、第２排気管Ｐ６を介して、第２排気機構８ｂに流入する。

続いて図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。図１０に示すように、第２液受け部５３２は、第２排液ポート５３２ａを有する。また、図１０に示すように、基板処理装置１００は、第２排液管Ｐ７を備える。

第２排液ポート５３２ａは、第２液受け部５３２の底部に設けられる。第２排液ポート５３２ａは、第２液受け部５３２の底部を貫通する貫通穴である。第２排液管Ｐ７の一端は、第２排液ポート５３２ａに連結している。第２排液管Ｐ７の他端は、第２排液部９ｂに接続している。なお、第２排液管Ｐ７には、バルブが配置されていてもよい。

第２液受け部５３２で集められた第２処理液は、第２排液管Ｐ７を介して、第２排液部９ｂへと排出される。第２排液部９ｂは、基板処理装置１００の外部に配置される。したがって、第２処理液は、チャンバー２（基板処理装置１００）の外部に排出される。第２排液部９ｂへ排出された第２処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第２排液部９ｂへ排出された第２処理液は廃棄されてもよい。

続いて図２及び図１１～図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。まず図１１を参照して、ガード部５、及び排気部７を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。図１１に示すように、排気機構８は、第３排気機構８ｃを含む。また、図１１に示すように、基板処理装置１００は、第３排気管Ｐ８を備える。まず図１１を参照して、排気部７を説明する。

排気部７の第３ダクト部材７５は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第３ダクト部材７５は、側壁７１の内側に配置されて、チャンバー２の内方から外方へ延びる。第３ダクト部材７５の上端は、天井壁７２に接続している。換言すると、天井壁７２は、第３ダクト部材７５の上端の開口を覆う。

第３ダクト部材７５には、図３を参照して説明した第３処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁７１の第３下流側排気ポート７１ｃを介して、第３ダクト部材７５の内側空間にガスが流入する。

第３ダクト部材７５の下端は、第３排気管Ｐ８の一端に連結されている。第３排気管Ｐ８は、ガスが流通する管状部材である。第３排気管Ｐ８の他端は、第３排気機構８ｃに接続している。第３排気機構８ｃは、第３排気管Ｐ８を介して、第３ダクト部材７５に流入したガス（第３処理液から発生するガス）を吸引する。第３排気機構８ｃは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第３排気管Ｐ８には、バルブが配置されていてもよい。

本実施形態において、第３ダクト部材７５は、図３を参照して説明した第１ダクト部材７３と同様に、第１管状部７５ａと、第２管状部７５ｂとを有する。第３排気管Ｐ８は、第３ダクト部材７５の第２管状部７５ｂの下端に連結されている。なお、第３ダクト部材７５の第１管状部７５ａ及び第２管状部７５ｂの構成は、第１ダクト部材７３の第１管状部７３ａ及び第２管状部７３ｂと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。

続いて図１１を参照して、ガード部５を説明する。図１１は、第１ガード５１、第１カップ部５２、及び第２カップ部５３が液受け位置に配置されている状態を示している。以下、第１ガード５１、第１カップ部５２、及び第２カップ部５３が液受け位置に配置されている状態を、「第３状態」と記載する場合がある。第３状態において、第３ノズル１１ｃ（図２）から基板Ｗに向けて第３処理液が吐出される。

第２カップ部５３の第３ガード５３１は、略筒形状を有し、スピンチャック３よりも外方に位置する。第３状態において、回転する基板Ｗから第３処理液が飛散すると、第３ガード５３１が、基板Ｗから飛散する第３処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第３ガード５３１の上部は、回転軸線ＡＸに向かって上方に傾斜している。また、第３ガード５３１の中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。

第２カップ部５３の第３液受け部５３３は、第３ガード５３１の下端に接続して、第３ガード５３１から内方に突出する（拡がる）。第３液受け部５３３は、環状であり、環状の溝（液溜り部）を形成する。なお、遮断壁部５４は、第３液受け部５３３の内側の縁部（内側の上端部）に接続して、第３液受け部５３３の内側の縁部から上方に延びる。

第３状態において、第３ガード５３１の先端５３１ａは、基板Ｗよりも上方に位置している。また、第３状態において、第１カップ部５２は、第１ガード５１に近接している。換言すると、第３状態において、第１ガード５１と第１カップ部５２との隙間は、第１状態における隙間と比べて小さくなっている。同様に、第３状態において、第２カップ部５３は、第１カップ部５２に近接している。換言すると、第３状態において、第１カップ部５２と第２カップ部５３との隙間は、第１状態及び第２状態における隙間と比べて小さくなっている。

したがって、回転する基板Ｗから飛散した第３処理液は、第３ガード５３１によって受け止められる。第３ガード５３１に付着した第３処理液は、第３ガード５３１の内面５３１ｂを伝って流れ、第３液受け部５３３へ流入する。第３液受け部５３３は、第３ガード５３１から流入した処理液（第３処理液）を受け止める。この結果、第３液受け部５３３に処理液（第３処理液）が集められる。

図４及び図５を参照して説明したように、遮断壁部５４の第３上流側排気ポート５４ｃと、排気部７の第３下流側排気ポート７１ｃとは、周方向における位置が略一致している。また、図１１に示すように、第３状態において、遮断壁部５４の第３上流側排気ポート５４ｃと、排気部７の第３下流側排気ポート７１ｃとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第３状態において、第３上流側排気ポート５４ｃと第３下流側排気ポート７１ｃとは重なっている。換言すると、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃを介して、第３ダクト部材７５の内側空間に連通している。

続いて図１２及び図１３を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について更に説明する。図１２は、第２ガード部５ｂ及び排気部７の断面を模式的に示す別の図である。図１３は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図１２及び図１３は、第３状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図１３に示すように、第３状態において、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重なる。一方、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下流側排気ポート７１ａと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。同様に、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下流側排気ポート７１ｂと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。なお、図１３において、斜線は、第３上流側排気ポート５４ｃと第３下流側排気ポート７１ｃとが重なっていることを示している。

したがって、第３状態においては、図１２及び図１３に示すように、第２カップ部５３の内側空間は、第３上流側排気ポート５４ｃ及び第３下流側排気ポート７１ｃを介して、排気部７の内側空間と連通する。より詳しくは、第２カップ部５３の内側空間は、第３状態において、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第３ダクト部材７５とのみ連通する。

続いて図１１を参照して、第３処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した第３処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている第３処理液から発生するガスの流れについて説明する。

基板処理装置１００が使用されている間、第３排気機構８ｃによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。図１２及び図１３を参照して説明したように、第３状態では、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第３ダクト部材７５とのみ連通する。したがって、第３処理液から発生したガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第３上流側排気ポート５４ｃ及び第３下流側排気ポート７１ｃを介して、第３ダクト部材７５の内側空間に流入する。この結果、第３処理液から発生するガスは、第３排気管Ｐ８を介して、第３排気機構８ｃに流入する。

続いて図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。図１４に示すように、第３液受け部５３３は、第３排液ポート５３３ａを有する。また、図１４に示すように、基板処理装置１００は、第３排液管Ｐ９を備える。

第３排液ポート５３３ａは、第３液受け部５３３の底部に設けられる。第３排液ポート５３３ａは、第３液受け部５３３の底部を貫通する貫通穴である。第３排液管Ｐ９の一端は、第３排液ポート５３３ａに連結している。第３排液管Ｐ９の他端は、第３排液部９ｃに接続している。なお、第３排液管Ｐ９には、バルブが配置されていてもよい。

第３液受け部５３３で集められた第３処理液は、第３排液管Ｐ９を介して、第３排液部９ｃへと排出される。第３排液部９ｃは、基板処理装置１００の外部に配置される。したがって、第３処理液は、チャンバー２（基板処理装置１００）の外部に排出される。第３排液部９ｃへ排出された第３処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第３排液部９ｃへ排出された第３処理液は廃棄されてもよい。

続いて図１５を参照して、ガード部５及び昇降部６を説明する。図１５は、ガード部５及び昇降部６を示す図である。図１５に示すように、昇降部６は、第１昇降部６１～第３昇降部６３を含む。第１昇降部６１～第３昇降部６３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

第１ガード５１は、第１昇降部６１に連結される。第１昇降部６１は、チャンバー２の底壁２１に取り付けられている。第１昇降部６１は、第１ガード５１を鉛直方向に昇降させる。第１昇降部６１は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第１ガード５１を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。

第１カップ部５２は、第２昇降部６２に連結される。第２昇降部６２は、チャンバー２の底壁２１に取り付けられている。第２昇降部６２は、第１カップ部５２を鉛直方向に昇降させる。第２昇降部６２は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第１カップ部５２を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。

第２カップ部５３は、第３昇降部６３に連結される。第３昇降部６３は、チャンバー２の底壁２１に取り付けられている。第３昇降部６３は、第２カップ部５３を鉛直方向に昇降させる。第３昇降部６３は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第２カップ部５３を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。

以上、図１～図１５を参照して本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、第２カップ部５３を昇降させることにより、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃを開閉することができる。具体的には、処理液から発生するガスが第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃのうちの１つに流入するように、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃを開閉することができる。詳しくは、制御部１０２が、昇降部（第３昇降部６３）を制御して、第２カップ部５３を昇降させることにより、３つの下流側排気ポート（第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃ）のいずれか１つに、３つの上流側排気ポート（第１上流側排気ポート５４ａ～第３上流側排気ポート５４ｃ）のいずれか１つを選択的に重ねることができる。したがって、酸性のガスの排出先と、アルカリ性のガスの排出先と、有機薬液から発生するガスの排出先とを切り替えることができる。

また、本実施形態によれば、第１処理液（酸性の薬液）から発生する酸性のガスを第１排気管Ｐ４に排出し、第２処理液（アルカリ性の薬液）から発生するアルカリ性のガスを第２排気管Ｐ６に排出することができる。その結果、排気管において結晶（塩）が発生し難くなる。

また、本実施形態によれば、スピンチャック３が基板Ｗを回転させている間に、第２カップ部５３の昇降動作によって、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃのうちから、開放する下流側排気ポートを変更することができる。したがって、スピンチャック３が基板Ｗを回転させている間に、酸性のガスの排出先と、アルカリ性のガスの排出先と、有機薬液から発生するガスの排出先とを切り替えることができる。

また、本実施形態によれば、ガスの排出先の切り替えと同時に、酸性の薬液の排出先と、アルカリ性の薬液の排出先と、有機薬液の排出先とを切り替えることができる。

また、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３を個別に昇降させることができる。したがって、第１ガード５１と第１カップ部５２とを近接させることができる。また、第１カップ部５２と第２カップ部５３とを近接させることができる。その結果、上下方向におけるチャンバー２の寸法の大型化を抑制することができる。換言すると、チャンバー２の小型化を図ることができる。

また、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３を互いに独立して動作させることができる。具体的には、第１ガード５１、第１カップ部５２及び第２カップ部５３を個別に昇降させることができる。したがって、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。例えば、本実施形態では、酸性の薬液を第１排液ポート５２２ａから排出させ、酸性のガスを第１ダクト部材７３へ排出させたが、酸性の薬液を第１排液ポート５２２ａから排出させ、酸性のガスを第２ダクト部材７４から排出させることができる。

また、本実施形態では、第１ノズル１１ａから酸性の薬液を吐出し、第２ノズル１１ｂからアルカリ性の薬液を吐出し、第３ノズル１１ｃから有機薬液を吐出したが、第１ノズル１１ａ～第３ノズル１１ｃから基板Ｗに供給する処理液の種類は特に限定されない。例えば、第１ノズル１１ａから酸性の薬液を吐出させ、第２ノズル１１ｂから別の酸性の薬液を吐出させ、第３ノズル１１ｃからアルカリ性の薬液を吐出させてもよい。この場合、第１処理液（酸性の薬液）を第１排液ポート５２２ａから排出させ、第２処理液（酸性の薬液）を第２排液ポート５３２ａから排出させる一方で、第１処理液から発生するガス（酸性のガス）及び第２処理液から発生するガス（酸性のガス）を、例えば、第１ダクト部材７３へ排出させることができる。

なお、本実施形態において、第１排液部９ａ～第３排液部９ｃは基板処理装置１００の外部に配置されたが、第１排液部９ａ～第３排液部９ｃのいずれかは基板処理装置１００の内部に配置されてもよい。換言すると、基板処理装置１００は、第１排液部９ａ～第３排液部９ｃのいずれかを備え得る。

また、本実施形態において、第１上流側排気ポート５４ａ～第３上流側排気ポート５４ｃは、上下方向における位置が互いに略一致していたが、第１上流側排気ポート５４ａ～第３上流側排気ポート５４ｃは、上下方向における位置が互いに異なっていてもよい。

また、本実施形態において、第１ガード部５ａは、２つのガード（第１ガード５１及び第２ガード５２１）を有したが、第１ガード部５ａは、１つのガード、又は３つ以上のガードを有してもよい。

また、本実施形態において、第１ガード部５ａは、１つのカップ部（第１カップ部５２）を有したが、第１ガード部５ａは、２つ以上のカップ部を有してもよい。

また、本実施形態において、第１ガード部５ａは、第１ガード５１を有したが、第１ガード５１は省略され得る。この場合、第１液受け部５２２は省略されてもよい。

また、本実施形態において、第１ガード５１及び第１カップ部５２は個別に昇降されたが、第１ガード５１及び第１カップ部５２は一体で昇降されてもよい。具体的には、単一の部材によって第１ガード５１及び第１カップ部５２が構成されてもよい。

また、本実施形態において、第２カップ部５３は第３ガード５３１を有したが、第３ガード５３１は省略されてもよい。この場合、第２液受け部５３２は、第１ガード部５ａに設けられてもよい。換言すると、第１ガード部５ａ（ガード部５）の内側に、遮断壁部５４を含む部材のみが配置されてもよい。

また、本実施形態において、第２カップ部５３は、１つのガード（第３ガード５３１）を有したが、第２カップ部５３は、２つ以上のガードを有してもよい。

また、本実施形態において、排気部７は３つのダクト部材（第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５）を有したが、排気部７は、２つのダクト部材、又は４つ以上のダクト部材を有してもよい。したがって、排気部７は、２つの下流側排気ポート、又は４つ以上の下流側排気ポートを有してもよい。また、遮断壁部５４は、２つの上流側排気ポート、又は４つ以上の上流側排気ポートを有してもよい。

［実施形態２］
続いて図１６、図１７（ａ）、及び図１７（ｂ）を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、排気部７の側壁７１が実施形態１と異なる。

図１６は、排気部７の側壁７１の展開図である。図１６に示すように、本実施形態において、第１下流側排気ポート７１ａは、第１小下流側排気ポート７１ａＳと、第１大下流側排気ポート７１ａＬとを含む。同様に、第２下流側排気ポート７１ｂは、第２小下流側排気ポート７１ｂＳと、第２大下流側排気ポート７１ｂＬとを含む。第３下流側排気ポート７１ｃは、第３小下流側排気ポート７１ｃＳと、第３大下流側排気ポート７１ｃＬとを含む。

第１小下流側排気ポート７１ａＳ、第１大下流側排気ポート７１ａＬ、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ、第２大下流側排気ポート７１ｂＬ、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ、及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬは、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。本実施形態において、第１小下流側排気ポート７１ａＳ、第１大下流側排気ポート７１ａＬ、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ、第２大下流側排気ポート７１ｂＬ、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ、及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬは、上下方向における位置がこの順序で高くなる。

第１大下流側排気ポート７１ａＬは、第１小下流側排気ポート７１ａＳよりも断面積が大きい。第１小下流側排気ポート７１ａＳと、第１大下流側排気ポート７１ａＬとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第１小下流側排気ポート７１ａＳが、第１大下流側排気ポート７１ａＬよりも低い位置に設けられている。但し、第１大下流側排気ポート７１ａＬが、第１小下流側排気ポート７１ａＳよりも低い位置に設けられてもよい。

第２大下流側排気ポート７１ｂＬは、第２小下流側排気ポート７１ｂＳよりも断面積が大きい。第２小下流側排気ポート７１ｂＳと、第２大下流側排気ポート７１ｂＬとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第２小下流側排気ポート７１ｂＳが、第２大下流側排気ポート７１ｂＬよりも低い位置に設けられている。但し、第２大下流側排気ポート７１ｂＬが、第２小下流側排気ポート７１ｂＳよりも低い位置に設けられてもよい。

第３大下流側排気ポート７１ｃＬは、第３小下流側排気ポート７１ｃＳよりも断面積が大きい。第３小下流側排気ポート７１ｃＳと、第３大下流側排気ポート７１ｃＬとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第３小下流側排気ポート７１ｃＳが、第３大下流側排気ポート７１ｃＬよりも低い位置に設けられている。但し、第３大下流側排気ポート７１ｃＬが、第３小下流側排気ポート７１ｃＳよりも低い位置に設けられてもよい。

続いて図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照して、第２ガード部５ｂについて説明する。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第２ガード部５ｂの動作を示す図である。

図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、遮断壁部５４の第１上流側排気ポート５４ａの断面積は、第１大下流側排気ポート７１ａＬと略等しく、第１小下流側排気ポート７１ａＳよりも大きい。したがって、第１上流側排気ポート５４ａが第１大下流側排気ポート７１ａＬと重なる場合、第１上流側排気ポート５４ａが第１小下流側排気ポート７１ａＳと重なる場合に比べて、有効面積が大きくなる。よって、第１上流側排気ポート５４ａが第１大下流側排気ポート７１ａＬと重なる場合、第１上流側排気ポート５４ａが第１小下流側排気ポート７１ａＳと重なる場合に比べて、排気量が大きくなる。

図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１小下流側排気ポート７１ａＳ及び第１大下流側排気ポート７１ａＬの一方に第１上流側排気ポート５４ａを重ねる。同様に、処理液から発生したガスを第２ダクト部材７４の内側空間に流入させる際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ及び第２大下流側排気ポート７１ｂＬの一方に第２上流側排気ポート５４ｂを重ね、処理液から発生したガスを第３ダクト部材７５の内側空間に流入させる際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬの一方に第３上流側排気ポート５４ｃを重ねる。

以上、図１６、図１７（ａ）、及び図１７（ｂ）を参照して本発明の実施形態２について説明した。本実施形態によれば、第１下流側排気ポート７１ａは、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを含む。したがって、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる（選択することができる）。同様に、第２下流側排気ポート７１ｂは、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを含み、第３下流側排気ポート７１ｃは、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを含む。したがって、処理液から発生したガスを第２ダクト部材７４の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる（選択することができる）。また、処理液から発生したガスを第３ダクト部材７５の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる（選択することができる）。

なお、本実施形態において、第１小下流側排気ポート７１ａＳ、第１大下流側排気ポート７１ａＬ、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ、第２大下流側排気ポート７１ｂＬ、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ、及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬは、上下方向における位置がこの順序で高くなったが、第１小下流側排気ポート７１ａＳ、第１大下流側排気ポート７１ａＬ、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ、第２大下流側排気ポート７１ｂＬ、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ、及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬの配置順序は、この順序に限定されない。第１小下流側排気ポート７１ａＳ、第１大下流側排気ポート７１ａＬ、第２小下流側排気ポート７１ｂＳ、第２大下流側排気ポート７１ｂＬ、第３小下流側排気ポート７１ｃＳ、及び第３大下流側排気ポート７１ｃＬは、上下方向において互いに異なる位置に設けられていればよい。

また、本実施形態では、第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ、及び第３下流側排気ポート７１ｃの全てが、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを有したが、第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ、及び第３下流側排気ポート７１ｃのうちの１つ又は２つが、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを有してもよい。

また、本実施形態において、第１下流側排気ポート７１ａは、互いに断面積が異なる２種類の下流側排気ポートを有したが、第１下流側排気ポート７１ａは、互いに断面積が異なる３種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。第２下流側排気ポート７１ｂも同様に、互いに断面積が異なる３種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。同様に、第３下流側排気ポート７１ｃは、互いに断面積が異なる３種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。

［実施形態３］
続いて図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、第２ガード部５ｂの動作が実施形態１、２と異なる。

図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第２ガード部５ｂの動作を示す図である。図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際に、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとが重なる面積（有効面積）を調整して排気量を調整する。

具体的には、図１８（ａ）に示すように、制御装置１０１は、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際に、第１下流側排気ポート７１ａの上下方向における位置に対して、第１上流側排気ポート５４ａの上下方向における位置が一致するように、第１上流側排気ポート５４ａを第１下流側排気ポート７１ａに重ねる。このとき、排気量は最大となる。あるいは、図１８（ｂ）に示すように、制御装置１０１は、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際に、第１下流側排気ポート７１ａの上下方向における位置に対して、第１上流側排気ポート５４ａの上下方向における位置がずれるように、第１上流側排気ポート５４ａを第１下流側排気ポート７１ａに重ねる。このとき、排気量は、最大の排気量よりも少ない量となる。

同様に、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液から発生したガスを第２ダクト部材７４の内側空間に流入させる際に、第２上流側排気ポート５４ｂと第２下流側排気ポート７１ｂとが重なる面積（有効面積）を調整して排気量を調整する。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理液から発生したガスを第３ダクト部材７５の内側空間に流入させる際に、第３上流側排気ポート５４ｃと第３下流側排気ポート７１ｃとが重なる面積（有効面積）を調整して排気量を調整する。

以上、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して本発明の実施形態３について説明した。本実施形態によれば、処理液から発生したガスを第１ダクト部材７３の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。同様に、処理液から発生したガスを第２ダクト部材７４の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。また、処理液から発生したガスを第３ダクト部材７５の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。

なお、本実施形態では、第１ダクト部材７３の内側空間にガスを流入させる際の排気量、第２ダクト部材７４の内側空間にガスを流入させる際の排気量、及び第３ダクト部材７５の内側空間にガスを流入させる際の排気量を調整したが、これらの排気量のうちの１つ又は２つの排気量が調整されてもよい。

［実施形態４］
続いて図１９～図２８を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、排気部７の側壁７１が実施形態１～３と異なる。

図１９は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図１９は、図３を参照して説明した第１状態における処理ユニット１を示す。

図１９に示すように、第１下流側排気ポート７１ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と、第１上層下流側排気ポート７１ａ２とを含む。第１下層下流側排気ポート７１ａ１と、第１上層下流側排気ポート７１ａ２とは、上下方向に並べて設けられている。具体的には、第１上層下流側排気ポート７１ａ２が、第１下層下流側排気ポート７１ａ１よりも上方に設けられている。

図１９に示すように、第１状態において、第１下層下流側排気ポート７１ａ１は、第１上流側排気ポート５４ａと重なる。一方、第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第２カップ部５３の内側空間は、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１下層下流側排気ポート７１ａ１を介して、第１ダクト部材７３の内側空間と連通する。

続いて図２０を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について説明する。図２０は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の展開図である。詳しくは、図２０は、第１状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図２０に示すように、第２下流側排気ポート７１ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２とを含む。換言すると、側壁７１は、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と、第１上層下流側排気ポート７１ａ２と、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２と、第３下流側排気ポート７１ｃとを有する。第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２とは、上下方向に並べて設けられている。具体的には、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２が、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１よりも上方に設けられている。

第１下層下流側排気ポート７１ａ１、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１、第３下流側排気ポート７１ｃ、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２、及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。本実施形態において、第１下層下流側排気ポート７１ａ１、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１、第３下流側排気ポート７１ｃ、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２、及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、上下方向における位置がこの順序で高くなる。

図２０に示すように、第１状態において、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と重なり、第１上層下流側排気ポート７１ａ２と重ならない。第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、遮断壁部５４と重なる。第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第１状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。なお、図２０において、斜線は、第１上流側排気ポート５４ａと第１下層下流側排気ポート７１ａ１とが重なっていることを示している。

続いて図１９を参照して、第１状態におけるガスの流れについて説明する。図２０を参照して説明したように、第１状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。したがって、図１９に示すように、第１状態において、第１処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１下層下流側排気ポート７１ａ１を介して、第１ダクト部材７３の内側空間に流入する。

続いて図２１及び図２２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１について更に説明する。図２１は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図２１は、図７を参照して説明した第２状態における処理ユニット１を示す。図２２は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図２２は、第２状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図２１及び図２２に示すように、第２状態において、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と重なり、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２と重ならない。第２上層下流側排気ポート７１ｂ２は、遮断壁部５４と重なる。第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第２状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。なお、図２２において、斜線は、第２上流側排気ポート５４ｂと第２下層下流側排気ポート７１ｂ１とが重なっていることを示している。

したがって、図２１に示すように、第２状態において、第２処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第２下層下流側排気ポート７１ｂ１を介して、第２ダクト部材７４の内側空間に流入する。

続いて図２３及び図２４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１について更に説明する。図２３は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図２３は、図１１を参照して説明した第３状態における処理ユニット１を示す。図２４は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図２４は、第３状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図２３及び図２４に示すように、第３状態において、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重なる。一方、第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。同様に、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第３状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第３ダクト部材７５とのみ連通する。なお、図２４において、斜線は、第３上流側排気ポート５４ｃと第３下流側排気ポート７１ｃとが重なっていることを示している。

したがって、図２３に示すように、第３状態において、第３処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第３上流側排気ポート５４ｃ及び第３下流側排気ポート７１ｃを介して、第３ダクト部材７５の内側空間に流入する。

続いて図２５を参照して、ガード部５を説明する。図２５は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。図２５に示すように、ガード部５は、第３状態から更に上昇する。具体的には、第１ガード５１は、液受け位置から更に上昇して、液受け位置よりも上方の第１上昇位置に配置される。第１カップ部５２及び第２カップ部５３も同様に、液受け位置から更に上昇して、液受け位置よりも上方の第１上昇位置に配置される。換言すると、ガード部５は、第１上昇位置に配置される。以下、ガード部５が第１上昇位置に配置されている状態を、「第４状態」と記載する場合がある。第４状態では、第３ガード５３１が処理液を受け止める。

続いて図２６を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について説明する。図２６は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図２６は、第４状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図２６に示すように、第４状態において、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２と重なり、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と重ならない。第２下層下流側排気ポート７１ｂ１は、遮断壁部５４と重なる。第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第４状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。なお、図２６において、斜線は、第２上流側排気ポート５４ｂと第２上層下流側排気ポート７１ｂ２とが重なっていることを示している。

続いて図２５を参照して、第４状態におけるガスの流れについて説明する。図２６を参照して説明したように、第４状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。したがって、図２５に示すように、第４状態において、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２を介して、第２ダクト部材７４の内側空間に流入する。

続いて図２７を参照して、ガード部５を説明する。図２７は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。図２７に示すように、ガード部５は、第１上昇位置（第４状態）から更に上昇する。具体的には、第１ガード５１は、第１上昇位置から更に上昇して、第１上昇位置よりも上方の第２上昇位置に配置される。第１カップ部５２及び第２カップ部５３も同様に、第１上昇位置から更に上昇して、第１上昇位置よりも上方の第２上昇位置に配置される。換言すると、ガード部５は、第２上昇位置に配置される。以下、ガード部５が第２上昇位置に配置されている状態を、「第５状態」と記載する場合がある。第５状態では、第３ガード５３１が処理液を受け止める。

続いて図２８を参照して、第２ガード部５ｂ及び排気部７について説明する。図２８は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の別の展開図である。詳しくは、図２８は、第５状態における第２ガード部５ｂ及び排気部７を示す。

図２８に示すように、第５状態において、第１上流側排気ポート５４ａは、第１上層下流側排気ポート７１ａ２と重なり、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と重ならない。第１下層下流側排気ポート７１ａ１は、遮断壁部５４と重なる。第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。したがって、第５状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。なお、図２８において、斜線は、第１上流側排気ポート５４ａと第１上層下流側排気ポート７１ａ２とが重なっていることを示している。

続いて図２７を参照して、第５状態におけるガスの流れについて説明する。図２８を参照して説明したように、第５状態において、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。したがって、図２７に示すように、第５状態において、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２を介して、第１ダクト部材７３の内側空間に流入する。

以上、図１９～図２８を参照して本発明の実施形態４を説明した。本実施形態によれば、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスの排出先を、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５の間で切り替えることができる。

なお、本実施形態において、第１下層下流側排気ポート７１ａ１、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１、第３下流側排気ポート７１ｃ、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２、及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、上下方向における位置がこの順序で高くなったが、第１下層下流側排気ポート７１ａ１、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１、第３下流側排気ポート７１ｃ、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２、及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２の配置順序は、この順序に限定されない。第１下層下流側排気ポート７１ａ１、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１、第３下流側排気ポート７１ｃ、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２、及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、上下方向において互いに異なる位置に設けられていればよい。

［実施形態５］
続いて図２９～図３４を参照して本発明の実施形態５について説明する。但し、実施形態１～４と異なる事項を説明し、実施形態１～４と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態５は、ガスが流通する経路が実施形態１～４と異なる。

まず、図２９、図３０及び図３２を参照して、排気部７を説明する。図２９は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図２９は、図３を参照して説明した第１状態における処理ユニット１を示す。図３０は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３０は、図７を参照して説明した第２状態における処理ユニット１を示す。図３２は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３２は、図１１を参照して説明した第３状態における処理ユニット１を示す。

図２９に示すように、第１下流側排気ポート７１ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と、第１上層下流側排気ポート７１ａ２とを含む。換言すると、排気部７の側壁７１は、第１下層下流側排気ポート７１ａ１と、第１上層下流側排気ポート７１ａ２とを有する。図３０に示すように、第２下流側排気ポート７１ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２とを含む。換言すると、排気部７の側壁７１は、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１と、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２とを有する。図３２に示すように、排気部７の側壁７１は、第３下流側排気ポート７１ｃを有する。

続いて図２９及び図３０を参照して、ガード部５を説明する。図２９及び図３０に示すように、第２カップ部５３の第３液受け部５３３は、排気部７の側壁７１との間に隙間を形成する。より具体的には、排気部７の側壁７１と第３液受け部５３３の内側の壁部との間に隙間が形成される。なお、第３液受け部５３３の内側の壁部は、第３液受け部５３３のうち、遮断壁部５４の下端が接続する部分であり、遮断壁部５４の下方に位置する。第３液受け部５３３の内側の壁部は、環状である。第３液受け部５３３の内側の壁部は、側壁７１に対して傾斜している。具体的には、第３液受け部５３３の内側の壁部は、下側である程、側壁７１から遠ざかるように、傾斜している。

続いて図３０及び図３１を参照して、ガード部５を更に説明する。図３１は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３１は、第２状態における処理ユニット１を示す。

図３１に示すように、第２ガード部５ｂは、閉塞部材５３４を有する。閉塞部材５３４は、棒状部材である。例えば、閉塞部材５３４は、円柱状であり得る。閉塞部材５３４は、周方向における位置が第１下流側排気ポート７１ａ（第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２）と略一致している。閉塞部材５３４は、第２カップ部５３から、排気部７の側壁７１に向かって突出する。より具体的には、閉塞部材５３４は、第３液受け部５３３の内側の壁部に設けられる。

続いて図２９を参照して、チャンバー２を説明する。図２９に示すように、チャンバー２は、外壁２２を有する。外壁２２は、略筒状である。外壁２２は、ガード部５を囲み、ガード部５との間に隙間を形成する。

続いて図２９を参照して、第１状態におけるガスの流れについて説明する。図２９に示すように、第１状態において、第１下層下流側排気ポート７１ａ１は、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）に連通する。一方、第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、遮断壁部５４と重なる。第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。なお、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２は、遮断壁部５４と重なり、第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。第３下流側排気ポート７１ｃは、遮断壁部５４と重なり、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。

したがって、図２９に示すように、第１状態において、第１ガード５１の内面５１ｃに付着した処理液、及び、第１液受け部５２２に溜まっている処理液から発生するガスは、チャンバー２の外壁２２とガード部５との間の隙間（空間）に流入した後、チャンバー２の底壁２１とガード部５との間の隙間（空間）に流入する。第１状態において、チャンバー２の底壁２１とガード部５との間の隙間（空間）は、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）に連通している。よって、ガスは、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）から、第１下層下流側排気ポート７１ａ１を介して、第１ダクト部材７３の内側空間に流入する。

続いて図３０及び図３１を参照して、第２状態におけるガスの流れについて説明する。図３０に示すように、第２状態において、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１は、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）に連通する。一方、第２上層下流側排気ポート７１ｂ２は、遮断壁部５４と重なる。第２上流側排気ポート５４ｂは、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。

また、図３１に示すように、第２状態において、第１下層下流側排気ポート７１ａ１は、閉塞部材５３４と重なる。この結果、第１下層下流側排気ポート７１ａ１は、閉塞部材５３４によって閉塞される。第１上層下流側排気ポート７１ａ２は、遮断壁部５４と重なる。第１上流側排気ポート５４ａは、第１下層下流側排気ポート７１ａ１及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２のいずれとも重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。なお、第３下流側排気ポート７１ｃは、遮断壁部５４と重なり、第３上流側排気ポート５４ｃは、第３下流側排気ポート７１ｃと重ならず、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。

したがって、図３０に示すように、第２状態において、第２ガード５２１の内面５２１ｃに付着した処理液、及び、第２液受け部５３２に溜まっている処理液から発生するガスは、チャンバー２の外壁２２とガード部５との間の隙間（空間）に流入した後、チャンバー２の底壁２１とガード部５との間の隙間（空間）に流入する。第２状態において、チャンバー２の底壁２１とガード部５との間の隙間（空間）は、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）に連通している。よって、ガスは、側壁７１と第３液受け部５３３との間の隙間（空間）から、第２下層下流側排気ポート７１ｂ１を介して、第２ダクト部材７４の内側空間に流入する。

続いて図３２を参照して、第３状態におけるガスの流れについて説明する。図３２に示すように、第３状態では、第３上流側排気ポート５４ｃが第３下流側排気ポート７１ｃと重なり、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第３ダクト部材７５とのみ連通する。したがって、図３２に示すように、第３状態において、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第３上流側排気ポート５４ｃ及び第３下流側排気ポート７１ｃを介して、第３ダクト部材７５の内側空間に流入する。

続いて図３３を参照して、図２５を参照して説明した第４状態におけるガスの流れについて説明する。図３３は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３３は、第４状態における処理ユニット１を示す。

図３３に示すように、第４状態では、第２上流側排気ポート５４ｂが第２上層下流側排気ポート７１ｂ２と重なり、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第２ダクト部材７４とのみ連通する。したがって、図３３に示すように、第４状態において、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第２上層下流側排気ポート７１ｂ２を介して、第２ダクト部材７４の内側空間に流入する。

続いて図３４を参照して、図２７を参照して説明した第５状態におけるガスの流れについて説明する。図３４は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３４は、第５状態における処理ユニット１を示す。

図３４に示すように、第５状態では、第１上流側排気ポート５４ａが第１上層下流側排気ポート７１ａ２と重なり、第２カップ部５３の内側空間は、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５のうち、第１ダクト部材７３とのみ連通する。したがって、図３４に示すように、第５状態において、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスは、第２カップ部５３の内側空間から、第１上流側排気ポート５４ａ及び第１上層下流側排気ポート７１ａ２を介して、第１ダクト部材７３の内側空間に流入する。

以上、図２９～図３４を参照して本発明の実施形態５を説明した。本実施形態によれば、第３ガード５３１の内面５３１ｂに付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスの排出先を、第１ダクト部材７３～第３ダクト部材７５の間で切り替えることができる。

［実施形態６］
続いて図３５～図３８を参照して本発明の実施形態６について説明する。但し、実施形態１～５と異なる事項を説明し、実施形態１～５と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態６は、処理ユニット１が開閉部５４Ａを備える点で実施形態１～５と異なる。

まず図３５～図３７を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３５は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部の断面を模式的に示す図である。図３６は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３５は、図３を参照して説明した第１状態における処理ユニット１を示す。図３６は、図１１を参照して説明した第３状態における処理ユニット１を示す。

図３５に示すように、処理ユニット１は、開閉部５４Ａを備える。開閉部５４Ａは、ガード部５と排気部７との間に配置される。具体的には、開閉部５４Ａは、第２カップ部５３の内側に配置される。実施形態６における第２カップ部５３は、第３液受け部５３３及び遮断壁部５４を有していない。本実施形態において、第２カップ部５３の第３ガード５３１は、第１円筒部５３５ａ、第２円筒部５３５ｂ、及び連結部５３５ｃを有する。

第１円筒部５３５ａは、略筒形状を有する。第１円筒部５３５ａは、基板Ｗから飛散する処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第１円筒部５３５ａの上部は、回転軸線ＡＸに向かって上方に傾斜している。また、第１円筒部５３５ａの中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。第２カップ部５３の第２液受け部５３２は、第１円筒部５３５ａから外方に突出する。

第２円筒部５３５ｂは、略筒形状を有する。具体的には、第２円筒部５３５ｂは、略鉛直方向に延びる。第２円筒部５３５ｂは、第１円筒部５３５ａの内側に、第１円筒部５３５ａから離れて配置される。

連結部５３５ｃは、第１円筒部５３５ａと第２円筒部５３５ｂとを連結する。連結部５３５ｃは、環状である。本実施形態において、連結部５３５ｃは、第１円筒部５３５ａの内面から内側に突出して、第２円筒部５３５ｂの上端に接続する。より詳しくは、連結部５３５ｃは、鉛直方向に対して斜め下方に傾斜している。

開閉部５４Ａは、略筒形状を有する。開閉部５４Ａは、実施形態１において説明した遮断壁部５４を有する。また、開閉部５４Ａは、底壁５５と、外壁５６とを有する。遮断壁部５４は、図４及び図５を参照して説明した第１上流側排気ポート５４ａ～第３上流側排気ポート５４ｃを有する。

開閉部５４Ａの底壁５５は、遮断壁部５４の下端に接続する。開閉部５４Ａの底壁５５は、環状であり、遮断壁部５４の下端から外方に拡がる。開閉部５４Ａの外壁５６は、開閉部５４Ａの底壁５５の外側の縁部に接続する。開閉部５４Ａの外壁５６は、環状であり、底壁５５の外側の縁部から略上方向に延びる。開閉部５４Ａの外壁５６は、第２カップ部５３の内側に配置される。具体的には、開閉部５４Ａの外壁５６は、第１円筒部５３５ａと第２円筒部５３５ｂとの間の隙間に配置される。

図３６に示すように、開閉部５４Ａは、第３液受け部５３３を有する。具体的には、遮断壁部５４の下部、底壁５５、及び外壁５６の下部が第３液受け部５３３を構成する。回転する基板Ｗから飛散した処理液は、第２カップ部５３の第１円筒部５３５ａによって受け止められる。第１円筒部５３５ａに付着した第３処理液は、第１円筒部５３５ａから、連結部５３５ｃ及び第２円筒部５３５ｂを介して、第３液受け部５３３へ流入する。

図３５及び図３６に示すように、開閉部５４Ａは、第１上流側排気ポート５４ａが第１下流側排気ポート７１ａに重なる位置と、第３上流側排気ポート５４ｃが第３下流側排気ポート７１ｃに重なる位置との間で昇降する。したがって、実施形態１～５と同様に、開閉部５４Ａを昇降させることにより、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃのうちの１つを開放し、残りを閉鎖することができる。その結果、ガスの排気先を切り替えることができる。

図３７は、処理ユニット１の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３７は、図１１を参照して説明した第３状態における処理ユニット１を示す。図３６及び図３７に示すように、開閉部５４Ａは、ガード部５とは独立して昇降させることができる。したがって、図３７に示すように、第３状態において、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとが重なる位置に開閉部５４Ａを配置させて、第３ガード５３１に付着した処理液、及び、第３液受け部５３３に溜まっている処理液から発生するガスを、第１ダクト部材７３へ流入させることができる。

続いて図３８を参照して本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図３８は、ガード部５、開閉部５４Ａ、及び昇降部６を示す図である。図３８に示すように、昇降部６は、第４昇降部６４を更に含む。第１昇降部６１～第４昇降部６４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

第４昇降部６４は、チャンバー２の底壁２１に取り付けられている。開閉部５４Ａは、第４昇降部６４に連結される。第４昇降部６４は、開閉部５４Ａを鉛直方向に昇降させる。したがって、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３、及び開閉部５４Ａを個別に昇降させることができる。

具体的には、第４昇降部６４は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、開閉部５４Ａを上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。

以上、図３５～図３８を参照して本発明の実施形態６を説明した。本実施形態によれば、開閉部５４Ａを昇降させることにより、第１処理液（酸性の薬液）から発生する酸性のガスを第１排気管Ｐ４に排出し、第２処理液（アルカリ性の薬液）から発生するアルカリ性のガスを第２排気管Ｐ６に排出することができる。その結果、排気管において結晶（塩）が発生し難くなる。

また、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３及び開閉部５４Ａを互いに独立して動作させることができる。したがって、実施形態１～５と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。

［実施形態７］
続いて図３９～図４１を参照して本発明の実施形態７について説明する。但し、実施形態１～６と異なる事項を説明し、実施形態１～６と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態７は、第１上流側排気ポート５４ａ～第３上流側排気ポート５４ｃ及び第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃの位置が実施形態１～６と異なる。また、実施形態７は、開閉部５４Ｂの動作方向が実施形態１～６と異なる。

まず図３９を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３９は、本実施形態の基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図３９は、図１１を参照して説明した第３状態における処理ユニット１を示す。

図３９に示すように、処理ユニット１は、開閉部５４Ｂを備える。開閉部５４Ｂは、ガード部５と排気部７との間に配置される。具体的には、開閉部５４Ｂは、第２カップ部５３の内側に配置される。実施形態７における第２カップ部５３は、実施形態６と同様に、第３液受け部５３３及び遮断壁部５４を有していない。実施形態７における第２カップ部５３の第３ガード５３１は、実施形態６と同様に、第１円筒部５３５ａ、第２円筒部５３５ｂ、及び連結部５３５ｃを有する。第１円筒部５３５ａ、第２円筒部５３５ｂ、及び連結部５３５ｃの構成は、実施形態６において説明した第１円筒部５３５ａ、第２円筒部５３５ｂ、及び連結部５３５ｃと略同様であるため、その説明は割愛する。

開閉部５４Ｂは、略筒形状を有する。開閉部５４Ｂは、遮断壁部５４を有する。また、開閉部５４Ｂは、実施形態６において説明した開閉部５４Ａと同様に、底壁５５と、外壁５６とを有する。遮断壁部５４は、環状であり、略鉛直方向に延びる。遮断壁部５４は、排気部７に近接する位置に配置される。開閉部５４Ｂの底壁５５及び外壁５６の構成は、実施形態６において説明した開閉部５４Ａの底壁５５及び外壁５６と略同様であるため、その説明は割愛する。

続いて図４０を参照して、開閉部５４Ｂ及び排気部７について説明する。図４０は、排気部７の側壁７１及び遮断壁部５４の展開図である。詳しくは、図４０は、第１上流側排気ポート５４ａが第１下流側排気ポート７１ａと重なる位置に開閉部５４Ｂが配置されている状態を示している。なお、図４０において、斜線は、第１上流側排気ポート５４ａと第１下流側排気ポート７１ａとが重なっていることを示している。

図４０に示すように、実施形態７において、第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ、第３上流側排気ポート５４ｃ、第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、上下方向における位置が略一致する。また、実施形態７において、第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ及び第３上流側排気ポート５４ｃは、不等角度間隔で設けられる。第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃも同様に不等角度間隔で設けられる。

より詳しくは、第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ、第３上流側排気ポート５４ｃ、第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、第１上流側排気ポート５４ａが第１下流側排気ポート７１ａと重なるとき、第２上流側排気ポート５４ｂが第２下流側排気ポート７１ｂと重ならず、第３上流側排気ポート５４ｃが第３下流側排気ポート７１ｃと重ならない位置に設けられている。このとき、第２上流側排気ポート５４ｂは、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。同様に、第３上流側排気ポート５４ｃは、排気部７の側壁７１の壁面（外面）と重なる。

また、第１上流側排気ポート５４ａ、第２上流側排気ポート５４ｂ、第３上流側排気ポート５４ｃ、第１下流側排気ポート７１ａ、第２下流側排気ポート７１ｂ及び第３下流側排気ポート７１ｃは、第２上流側排気ポート５４ｂが第２下流側排気ポート７１ｂと重なるとき、第１上流側排気ポート５４ａが第１下流側排気ポート７１ａと重ならず、第３上流側排気ポート５４ｃが第３下流側排気ポート７１ｃと重ならない位置に設けられている。また、第３上流側排気ポート５４ｃが第３下流側排気ポート７１ｃと重なるとき、第１上流側排気ポート５４ａが第１下流側排気ポート７１ａと重ならず、第２上流側排気ポート５４ｂが第２下流側排気ポート７１ｂと重ならない位置に設けられている。

続いて図４１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図４１は、ガード部５、開閉部５４Ｂ、昇降部６及び回動部１２を示す図である。図４１に示すように、処理ユニット１は、回動部１２を更に備える。第１昇降部６１～第３昇降部６３及び回動部１２は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

回動部１２は、図２を参照して説明した回転軸線ＡＸを中心として開閉部５４Ｂを回転させる。具体的には、回動部１２は、開閉部５４Ｂの回転位置を制御する。回動部１２は、モータ等の駆動源及び回動機構を有しており、駆動源によって回動機構を駆動して、開閉部５４Ｂを回転させる。回動機構は、例えば、少なくとも１つのギヤを含む。

回動部１２が開閉部５４Ｂの回転位置を制御することにより、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃのうちの１つを開放し、残りを閉鎖することができる。したがって、ガスの排気先を切り替えることができる。

以上、図３９～図４１を参照して本発明の実施形態７を説明した。本実施形態によれば、開閉部５４Ｂを回転させることにより、第１処理液（酸性の薬液）から発生する酸性のガスを第１排気管Ｐ４に排出し、第２処理液（アルカリ性の薬液）から発生するアルカリ性のガスを第２排気管Ｐ６に排出することができる。その結果、排気管において結晶（塩）が発生し難くなる。

また、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３及び開閉部５４Ｂを互いに独立して動作させることができる。具体的には、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３を個別に昇降させることができる。また、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３とは独立して開閉部５４Ｂを回転させることができる。したがって、実施形態１～６と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。

［実施形態８］
続いて図４２を参照して本発明の実施形態８について説明する。但し、実施形態１～７と異なる事項を説明し、実施形態１～７と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態８は、処理ユニット１が開閉部５４Ｃを備える点で実施形態１～７と異なる。

図４２は、本実施形態に係る基板処理装置１００が備える処理ユニット１の一部を模式的に示す図である。詳しくは、図４２は、排気部７の側壁７１と、開閉部５４Ｃと、開閉駆動部１３とを示す。

図４２に示すように、処理ユニット１は、開閉部５４Ｃを備える。また、図４２に示すように、基板処理装置１００は、開閉駆動部１３を備える。本実施形態において、開閉部５４Ｃは、第１開閉部５４１～第３開閉部５４３を含む。また、開閉駆動部１３は、第１開閉駆動部１３ａ～第３開閉駆動部１３ｃを含む。

第１開閉部５４１～第３開閉部５４３は第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃにそれぞれ対応する。具体的には、第１開閉部５４１は、周方向における位置が第１下流側排気ポート７１ａと略一致している。同様に、第２開閉部５４２は、周方向における位置が第２下流側排気ポート７１ｂと略一致している。第３開閉部５４３は、周方向における位置が第３下流側排気ポート７１ｃと略一致している。

第１開閉部５４１～第３開閉部５４３は、排気部７の側壁７１の外面に配置されている。第１開閉部５４１～第３開閉部５４３は、排気部７の側壁７１の外面に、鉛直方向にスライド自在に取り付けられてもよい。

第１開閉駆動部１３ａは、第１開閉部５４１を鉛直方向に昇降させる。同様に、第２開閉駆動部１３ｂは、第２開閉部５４２を鉛直方向に昇降させる。第３開閉駆動部１３ｃは、第３開閉部５４３を鉛直方向に昇降させる。第１開閉駆動部１３ａ～第３開閉駆動部１３ｃは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

詳しくは、第１開閉駆動部１３ａは、第１開閉部５４１が第１下流側排気ポート７１ａと重なる閉鎖位置と、第１開閉部５４１が第１下流側排気ポート７１ａと重ならない開放位置との間で、第１開閉部５４１を昇降させる。第１開閉部５４１が閉鎖位置に配置されることにより、第１下流側排気ポート７１ａが閉鎖される。第１開閉部５４１が開放位置に配置されることにより、第１下流側排気ポート７１ａが開放される。

第１開閉駆動部１３ａは、例えば、シリンダを含む。この場合、シリンダのロッドが第１開閉部５４１に連結される。したがって、シリンダを駆動させることにより、第１開閉部５４１を昇降させることができる。

第２開閉駆動部１３ｂ及び第３開閉部５４３の構成は、第１開閉駆動部１３ａと略同様であるため、その詳細な説明は省略する。

以上、図４２を参照して本発明の実施形態８を説明した。本実施形態によれば、第１開閉部５４１～第３開閉部５４３を昇降させることにより、第１処理液（酸性の薬液）から発生する酸性のガスを第１排気管Ｐ４に排出し、第２処理液（アルカリ性の薬液）から発生するアルカリ性のガスを第２排気管Ｐ６に排出することができる。その結果、排気管において結晶（塩）が発生し難くなる。

また、本実施形態によれば、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３、及び第１開閉部５４１～第３開閉部５４３を互いに独立して動作させることができる。具体的には、第１ガード５１、第１カップ部５２、第２カップ部５３、及び第１開閉部５４１～第３開閉部５４３を個別に昇降させることができる。したがって、実施形態１～７と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。

なお、本実施形態において、開閉駆動部１３は開閉部５４Ｃを昇降させたが、開閉駆動部１３は開閉部５４Ｃを周方向に移動させてもよい。

また、本実施形態において、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃの上下方向の位置は略同じであるが、第１下流側排気ポート７１ａ～第３下流側排気ポート７１ｃの上下方向の位置は、互いに異なっていてもよい。

以上、図面（図１～図４２）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、図１～図４２を参照して説明した実施形態では、基板Ｗは半導体ウエハであったが、基板Ｗは、半導体ウエハに限定されない。例えば、基板Ｗは、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板であり得る。

また、図１～図４２を参照して説明した実施形態では、基板Ｗを保持する構成として、基板Ｗを挟持する挟持式のチャックについて説明したが、基板Ｗを保持する構成として、バキューム式のチャックが採用されてもよい。

また、図１～図４２を参照して説明した実施形態では、処理液供給部１１は３つのノズル（第１ノズル１１ａ～第３ノズル１１ｃ）を有したが、処理液供給部１１は、２つのノズル、又は４つ以上のノズルを有してもよい。

また、図１～図４２を参照して説明した実施形態では、処理液供給部１１は、基板Ｗの上方から基板Ｗへ向けて処理液を吐出するノズルである上部ノズルを有したが、処理液供給部１１は、上部ノズルに加えて、下部ノズルを有してもよい。下部ノズルは、スピンベース３３の中央に位置する開口を介して、スピンベース３３から上方に突出するノズルである。下部ノズルの上端は、基板Ｗの下方に位置し、基板Ｗの下面の中央部に対向する。下部ノズルは、基板Ｗの下面の中央部に向けて処理液を供給する。

本発明は、基板を処理する分野に有用である。

１ ：処理ユニット
３ ：スピンチャック
４ ：スピンモータ部
５ ：ガード部
５ａ ：第１ガード部
５ｂ ：第２ガード部
６ ：昇降部
７ ：排気部
１１ ：処理液供給部
１２ ：回動部
１３ ：開閉駆動部
５１ ：第１ガード
５２ ：第１カップ部
５３ ：第２カップ部
５４ ：遮断壁部
５４Ａ ：開閉部
５４Ｂ ：開閉部
５４Ｃ ：開閉部
５４ａ ：第１上流側排気ポート
５４ｂ ：第２上流側排気ポート
５４ｃ ：第３上流側排気ポート
７１ａ ：第１下流側排気ポート
７１ｂ ：第２下流側排気ポート
７１ｃ ：第３下流側排気ポート
７３ ：第１ダクト部材
７４ ：第２ダクト部材
７５ ：第３ダクト部材
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
５２１ ：第２ガード
５２２ａ ：第１排液ポート
５３１ ：第３ガード
５３２ａ ：第２排液ポート
５３３ａ ：第３排液ポート
Ｗ ：基板

Claims (8)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を水平に保持する基板保持部と、
   上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる基板回転部と、
   前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第１ガードと、
   複数の下流側排気ポートを有し、前記第１ガードの内側に配置される排気部と、
   前記第１ガードと前記排気部との間に配置され、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第１カップ部と、
   前記第１カップ部と前記排気部との間に配置され、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第２カップ部と、
   前記第１ガード、前記第１カップ部及び前記第２カップ部を前記上下方向に個別に昇降させる移動機構と、
   前記移動機構を制御する制御部と
   を備え、
   前記第１カップ部は、
   前記処理液を受け止める第２ガードと、
   前記第１ガードが受け止めた前記処理液を受ける第１液受け部と、
   前記第１液受け部に設けられて、前記第１液受け部から前記処理液を排出させる第１排液ポートと
   を有し、
   前記第２カップ部は、
   前記処理液を受け止める第３ガードと、
   前記第２ガードが受け止めた前記処理液を受ける第２液受け部と、
   前記第２液受け部に設けられて、前記第２液受け部から前記処理液を排出させる第２排液ポートと、
   前記第３ガードが受け止めた前記処理液を受ける第３液受け部と、
   前記第３液受け部に設けられて、前記第３液受け部から前記処理液を排出させる第３排液ポートと、
   前記複数の下流側排気ポートを開閉する開閉部と
   を有し、
   前記開閉部は、前記第３液受け部に接続し、
   前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第１ガード、前記第１カップ部及び前記第２カップ部を前記上下方向に個別に昇降させることにより、前記第１ガード、前記第２ガード及び前記第３ガードのうちの１つに前記処理液を受け止めさせて、前記第１排液ポート、前記第２排液ポート及び前記第３排液ポートのうちの１つから前記処理液を排出させつつ、前記第１液受け部、前記第２液受け部又は前記第３液受け部から発生するガスを前記複数の下流側排気ポートのうちの１つに流入させる、基板処理装置。
2. 前記基板回転部が前記基板を回転させている間に、前記制御部が、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのうちから、開放する下流側排気ポートを変更する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記開閉部は、前記第３ガードと前記排気部との間に配置される壁部を有し、
   前記壁部は、前記複数の下流側排気ポートにそれぞれ対応する複数の上流側排気ポートを有し、
   前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのいずれか１つに、前記複数の上流側排気ポートのいずれか１つを選択的に重ねる、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記下流側排気ポートと前記上流側排気ポートとが重なる面積を調整する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記複数の下流側排気ポートは、周方向において互いに異なる位置に設けられており、
   前記複数の上流側排気ポートは、前記周方向において互いに異なる位置に設けられている、請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記複数の下流側排気ポートは、前記上下方向において互いに異なる位置に設けられている、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記排気部は、複数のダクト部材を更に有し、
   前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通し、
   前記複数の下流側排気ポートの少なくとも１つは、上層下流側排気ポートと、下層下流側排気ポートとを含み、
   前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられており、
   前記上層下流側排気ポートは、前記下層下流側排気ポートよりも上方に設けられており、
   前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通し、
   前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記排気部は、複数のダクト部材を更に有し、
   前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通し、
   前記複数の下流側排気ポートの少なくとも１つは、大下流側排気ポートと、小下流側排気ポートとを含み、
   前記大下流側排気ポートは、前記小下流側排気ポートよりも断面積が大きく、
   前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられており、
   前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通し、
   前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第２カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。

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