[go: up one dir, main page]

JP7444639B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP7444639B2
JP7444639B2 JP2020034033A JP2020034033A JP7444639B2 JP 7444639 B2 JP7444639 B2 JP 7444639B2 JP 2020034033 A JP2020034033 A JP 2020034033A JP 2020034033 A JP2020034033 A JP 2020034033A JP 7444639 B2 JP7444639 B2 JP 7444639B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust port
downstream exhaust
guard
section
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020034033A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021136408A (en
Inventor
仁司 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2020034033A priority Critical patent/JP7444639B2/en
Publication of JP2021136408A publication Critical patent/JP2021136408A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7444639B2 publication Critical patent/JP7444639B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

処理ユニットと、排気切替装置とを備える基板処理装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。排気切替装置には、処理ユニットから排出される排気が上流排気管を介して流入する。排気切替装置は、複数種類の排気処理設備にそれぞれ異なる下流排気管を介して接続している。排気切替装置は、複数種類の排気処理設備のうちの1つに排気を排出する。具体的には、排気切替装置は、排気の種類に応じて、排気の排出先を切り替える。 A substrate processing apparatus including a processing unit and an exhaust switching device has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Exhaust gas discharged from the processing unit flows into the exhaust gas switching device via an upstream exhaust pipe. The exhaust gas switching device is connected to multiple types of exhaust treatment equipment via different downstream exhaust pipes. The exhaust gas switching device discharges exhaust gas to one of multiple types of exhaust treatment equipment. Specifically, the exhaust gas switching device switches the exhaust destination according to the type of exhaust gas.

特開2014-197592号公報Japanese Patent Application Publication No. 2014-197592

しかしながら、排気切替装置を備える基板処理装置では、処理ユニットにおいて、酸性の薬液を使用する処理と、アルカリ性の薬液を使用する処理とが実行される場合、上流排気管に結晶(塩)が堆積する可能性がある。上流排気管に結晶が堆積した場合、上流排気管におけるガスの流れが結晶によって阻害されるため、上流排気管を定期的に洗浄する必要があり、利便性に改善の余地がある。 However, in a substrate processing apparatus equipped with an exhaust switching device, when a process using an acidic chemical solution and a process using an alkaline chemical solution are executed in the processing unit, crystals (salts) accumulate in the upstream exhaust pipe. there is a possibility. If crystals are deposited on the upstream exhaust pipe, the flow of gas in the upstream exhaust pipe is obstructed by the crystals, so the upstream exhaust pipe must be cleaned periodically, and there is room for improvement in convenience.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、排気管において結晶(塩)が発生し難い基板処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus in which crystals (salts) are less likely to be generated in the exhaust pipe.

本発明の一態様によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、基板保持部と、基板回転部と、処理液供給部と、第1ガードと、排気部と、第1カップ部と、第2カップ部と、移動機構と、制御部とを備える。前記基板保持部は、前記基板を水平に保持する。前記基板回転部は、上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる。前記処理液供給部は、前記基板に処理液を供給する。前記第1ガードは、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記排気部は、複数の下流側排気ポートを有する。前記排気部は、前記第1ガードの内側に配置される。前記第1カップ部は、前記第1ガードと前記排気部との間に配置される。前記第1カップ部は、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記第2カップ部は、前記第1カップ部と前記排気部との間に配置される。前記第2カップ部は、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める。前記移動機構は、前記第1ガード、前記第1カップ部及び前記第2カップ部を前記上下方向に個別に昇降させる。前記制御部は、前記移動機構を制御する。前記第1カップ部は、第2ガードと、第1液受け部と、第1排液ポートとを有する。前記第2ガードは、前記処理液を受け止める。前記第1液受け部は、前記第1ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第1排液ポートは、前記第1液受け部に設けられる。前記第1排液ポートは、前記第1液受け部から前記処理液を排出させる。前記第2カップ部は、第3ガードと、第2液受け部と、第2排液ポートと、第3液受け部と、第3排液ポートと、開閉部とを有する。前記第3ガードは、前記処理液を受け止める。前記第2液受け部は、前記第2ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第2排液ポートは、前記第2液受け部に設けられる。前記第2排液ポートは、前記第2液受け部から前記処理液を排出させる。前記第3液受け部は、前記第3ガードが受け止めた前記処理液を受ける。前記第3排液ポートは、前記第3液受け部に設けられる。前記第3排液ポートは、前記第3液受け部から前記処理液を排出させる。前記開閉部は、前記複数の下流側排気ポートを開閉する。前記開閉部は、前記第3液受け部に接続する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第1ガード、前記第1カップ部及び前記第2カップ部を前記上下方向に個別に昇降させることにより、前記第1ガード、前記第2ガード及び前記第3ガードのうちの1つに前記処理液を受け止めさせて、前記第1排液ポート、前記第2排液ポート及び前記第3排液ポートのうちの1つから前記処理液を排出させつつ、前記第1液受け部、前記第2液受け部又は前記第3液受け部から発生するガス前記複数の下流側排気ポートのうちの1つに流入させる According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus processes a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate holding section, a substrate rotation section, a processing liquid supply section, a first guard, an exhaust section, a first cup section, a second cup section, a moving mechanism, and a control section. Equipped with. The substrate holding section holds the substrate horizontally. The substrate rotating section rotates the substrate and the substrate holding section together about a central axis extending in the vertical direction. The processing liquid supply section supplies a processing liquid to the substrate. The first guard receives the processing liquid scattered from the rotating substrate. The exhaust section has a plurality of downstream exhaust ports. The exhaust part is arranged inside the first guard . The first cup part is disposed between the first guard and the exhaust part. The first cup portion receives the processing liquid scattered from the rotating substrate. The second cup part is disposed between the first cup part and the exhaust part. The second cup portion receives the processing liquid scattered from the rotating substrate. The moving mechanism individually raises and lowers the first guard, the first cup portion, and the second cup portion in the vertical direction. The control unit controls the moving mechanism. The first cup portion has a second guard, a first liquid receiving portion , and a first liquid drain port . The second guard receives the processing liquid. The first liquid receiving portion receives the processing liquid received by the first guard. The first liquid drain port is provided in the first liquid receiving portion. The first liquid drain port discharges the processing liquid from the first liquid receiving portion. The second cup portion includes a third guard, a second liquid receiving portion, a second drain port, a third liquid receiving portion, a third drain port, and an opening/closing portion. The third guard receives the processing liquid. The second liquid receiving portion receives the processing liquid received by the second guard. The second liquid drain port is provided in the second liquid receiving portion. The second liquid drain port discharges the processing liquid from the second liquid receiving portion. The third liquid receiving portion receives the processing liquid received by the third guard. The third liquid drain port is provided in the third liquid receiving section. The third liquid drain port discharges the processing liquid from the third liquid receiving portion. The opening/closing section opens and closes the plurality of downstream exhaust ports. The opening/closing part is connected to the third liquid receiving part. The control unit controls the moving mechanism to individually raise and lower the first guard, the first cup portion, and the second cup portion in the vertical direction, thereby moving the first guard, the second guard, and the second cup portion up and down individually. One of the third guards receives the processing liquid and discharges the processing liquid from one of the first drainage port, the second drainage port, and the third drainage port. At the same time, gas generated from the first liquid receiving portion, the second liquid receiving portion, or the third liquid receiving portion is caused to flow into one of the plurality of downstream exhaust ports.

ある実施形態では、前記制御部が、前記基板回転部が前記基板を回転させている間に、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのうちから、開放する下流側排気ポートを変更する。 In one embodiment, the control unit controls the moving mechanism to move the second cup unit up and down in the up and down direction while the substrate rotation unit is rotating the substrate, and moves the second cup unit up and down in the up and down direction. Among the exhaust ports, change the downstream exhaust port to be opened.

ある実施形態において、前記開閉部は、前記第3ガードと前記排気部との間に配置される壁部を有する。前記壁部は、前記複数の下流側排気ポートにそれぞれ対応する複数の上流側排気ポートを有する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのいずれか1つに、前記複数の上流側排気ポートのいずれか1つを選択的に重ねる。 In one embodiment, the opening/closing section includes a wall section disposed between the third guard and the exhaust section . The wall portion has a plurality of upstream exhaust ports corresponding to the plurality of downstream exhaust ports, respectively. The control section controls the moving mechanism to move the second cup section up and down in the vertical direction , and connects any one of the plurality of downstream exhaust ports to any one of the plurality of upstream exhaust ports. Selectively overlap one another.

ある実施形態において、前記制御部は、前記下流側排気ポートと前記上流側排気ポートとが重なる面積を調整する。 In one embodiment, the control unit adjusts an area where the downstream exhaust port and the upstream exhaust port overlap.

ある実施形態において、前記複数の下流側排気ポートは、周方向において互いに異なる位置に設けられており、前記複数の上流側排気ポートは、前記周方向において互いに異なる位置に設けられている。 In one embodiment, the plurality of downstream exhaust ports are provided at mutually different positions in the circumferential direction, and the plurality of upstream exhaust ports are provided at mutually different positions in the circumferential direction.

ある実施形態において、前記複数の下流側排気ポートは、前記上下方向において互いに異なる位置に設けられている。 In one embodiment, the plurality of downstream exhaust ports are provided at different positions in the up-down direction.

ある実施形態において、前記排気部は、複数のダクト部材を更に有する。前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通する。前記複数の下流側排気ポートの少なくとも1つは、上層下流側排気ポートと、下層下流側排気ポートとを含む。前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられている。前記上層下流側排気ポートは、前記下層下流側排気ポートよりも上方に設けられている。前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える。 In one embodiment, the exhaust section further includes a plurality of duct members. Each of the plurality of downstream exhaust ports communicates with the plurality of duct members. At least one of the plurality of downstream exhaust ports includes an upper downstream exhaust port and a lower downstream exhaust port. The upper downstream exhaust port and the lower downstream exhaust port are arranged side by side in the vertical direction. The upper downstream exhaust port is provided above the lower downstream exhaust port. The upper downstream exhaust port and the lower downstream exhaust port communicate with one of the plurality of duct members. The control section controls the moving mechanism to move the second cup section up and down in the vertical direction, thereby switching the destination of the gas among the plurality of duct members.

ある実施形態において、前記排気部は、複数のダクト部材を更に有する。前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通する。前記複数の下流側排気ポートの少なくとも1つは、大下流側排気ポートと、小下流側排気ポートとを含む。前記大下流側排気ポートは、前記小下流側排気ポートよりも断面積が大きい。前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられている。前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通する。前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える。 In one embodiment, the exhaust section further includes a plurality of duct members. Each of the plurality of downstream exhaust ports communicates with the plurality of duct members. At least one of the plurality of downstream exhaust ports includes a large downstream exhaust port and a small downstream exhaust port. The large downstream exhaust port has a larger cross-sectional area than the smaller downstream exhaust port. The large downstream exhaust port and the small downstream exhaust port are arranged side by side in the vertical direction. The large downstream exhaust port and the small downstream exhaust port communicate with one of the plurality of duct members. The control section controls the moving mechanism to move the second cup section up and down in the vertical direction, thereby switching the destination of the gas among the plurality of duct members.

本発明によれば、排気管において結晶(塩)が発生し難くなる。 According to the present invention, crystals (salts) are less likely to form in the exhaust pipe.

本発明の実施形態1に係る基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの模式図である。1 is a schematic diagram of a processing unit included in a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a cross section of a part of a processing unit included in a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 第2ガード部及び排気部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of a 2nd guard part and an exhaust part. 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。FIG. 3 is a developed view of a side wall and a blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit included in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit included in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 第2ガード部及び排気部の断面を模式的に示す別の図である。FIG. 7 is another diagram schematically showing a cross section of the second guard part and the exhaust part. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit included in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit included in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 第2ガード部及び排気部の断面を模式的に示す別の図である。FIG. 7 is another diagram schematically showing a cross section of the second guard part and the exhaust part. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit included in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. ガード部及び昇降部を示す図である。It is a figure showing a guard part and an elevating part. 排気部の側壁の展開図である。FIG. 3 is a developed view of the side wall of the exhaust section. (a)及び(b)は、第2ガード部の動作を示す図である。(a) and (b) are diagrams showing the operation of the second guard section. (a)及び(b)は、第2ガード部の動作を示す図である。(a) and (b) are diagrams showing the operation of the second guard section. 本発明の実施形態4に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of a part of a processing unit included in a substrate processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。FIG. 3 is a developed view of a side wall and a blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態4に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of another part of the processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 4 of this invention is equipped. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態4に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of another part of the processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 4 of this invention is equipped. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. 排気部の側壁及び遮断壁部の別の展開図である。FIG. 7 is another developed view of the side wall and the blocking wall of the exhaust section. 本発明の実施形態5に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of a part of processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 5 of this invention is equipped. 本発明の実施形態5に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of another part of the processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 5 of this invention is equipped. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. 本発明の実施形態5に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of another part of the processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 5 of this invention is equipped. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. 本発明の実施形態6に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of a part of a processing unit included in a substrate processing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention. 本発明の実施形態6に係る基板処理装置が備える処理ユニットの他の一部の断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of another part of the processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 6 of this invention is equipped. 処理ユニットの他の状態の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit in another state. ガード部、開閉部及び昇降部を示す図である。It is a figure showing a guard part, an opening-and-closing part, and an elevating part. 本発明の実施形態7に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部の断面を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of a part of a processing unit included in a substrate processing apparatus according to Embodiment 7 of the present invention. 排気部の側壁及び遮断壁部の展開図である。FIG. 3 is a developed view of a side wall and a blocking wall of the exhaust section. ガード部、開閉部、昇降部及び回動部を示す図である。It is a figure showing a guard part, an opening-and-closing part, an elevating part, and a rotating part. 本発明の実施形態8に係る基板処理装置が備える処理ユニットの一部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a part of processing unit with which the substrate processing apparatus based on Embodiment 8 of this invention is equipped.

以下、図面を参照して本発明に係る基板処理装置の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments. Note that the description may be omitted as appropriate for parts where the description overlaps. Further, in the figures, the same or corresponding parts are given the same reference numerals and the description will not be repeated.

[実施形態1]
以下、図1~図15を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。まず図1を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置100の模式図である。詳しくは、図1は、基板処理装置100の模式的な平面図である。基板処理装置100は、基板Wを処理する。より具体的には、基板処理装置100は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。本実施形態において、基板Wは半導体ウエハである。基板Wは略円板状である。
[Embodiment 1]
The substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 15. First, with reference to FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 1 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 processes a substrate W. More specifically, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type apparatus that processes the substrates W one by one. In this embodiment, the substrate W is a semiconductor wafer. The substrate W has a substantially disk shape.

図1に示すように、基板処理装置100は、複数の処理ユニット1と、流体キャビネット100Aと、複数の流体ボックス100Bと、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、制御装置101とを備える。制御装置101は、基板処理装置100の各部の動作を制御する。例えば、制御装置101は、ロードポートLP、インデクサーロボットIR、及びセンターロボットCRを制御する。本実施形態において、制御装置101は、制御部102と、記憶部104とを含む。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of processing units 1, a fluid cabinet 100A, a plurality of fluid boxes 100B, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, a center robot CR, A control device 101 is provided. The control device 101 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100. For example, the control device 101 controls the load port LP, indexer robot IR, and center robot CR. In this embodiment, the control device 101 includes a control section 102 and a storage section 104.

ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。処理ユニット1の各々は、処理液を基板Wに供給して、基板Wを処理する。流体キャビネット100Aは、処理液を収容する。 Each of the load ports LP accommodates a plurality of stacked substrates W. The indexer robot IR transports the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 1. Each of the processing units 1 supplies a processing liquid to the substrate W to process the substrate W. Fluid cabinet 100A accommodates processing liquid.

複数の処理ユニット1は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置される複数のタワーTW(図1では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の処理ユニット1(図1では3つの処理ユニット1)を含む。流体ボックス100Bは、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。流体キャビネット100A内の処理液は、いずれかの流体ボックス100Bを介して、流体ボックス100Bに対応するタワーTWに含まれる全ての処理ユニット1に供給される。処理ユニット1については、図2を参照して後述する。 The plurality of processing units 1 form a plurality of towers TW (four towers TW in FIG. 1) arranged so as to surround the center robot CR in plan view. Each tower TW includes a plurality of processing units 1 (three processing units 1 in FIG. 1) stacked one above the other. Each fluid box 100B corresponds to a plurality of towers TW. The processing liquid in the fluid cabinet 100A is supplied to all processing units 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 100B via one of the fluid boxes 100B. The processing unit 1 will be described later with reference to FIG.

制御部102は、プロセッサーを有する。制御部102は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、又は、MPU(Micro Processing Unit)を有する。あるいは、制御部102は、汎用演算機を有してもよい。 Control unit 102 has a processor. The control unit 102 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit). Alternatively, the control unit 102 may include a general-purpose computing machine.

記憶部104は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容及び処理手順を規定する。 Storage unit 104 stores data and computer programs. The data includes recipe data. The recipe data includes information indicating multiple recipes. Each of the plurality of recipes defines processing contents and processing procedures for the substrate W.

記憶部104は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部104は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部104はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部102は、記憶部104に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置100の各部の動作を制御する。 The storage unit 104 has a main storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. The storage unit 104 may further include an auxiliary storage device. The auxiliary storage device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive. Storage unit 104 may include removable media. The control section 102 controls the operation of each section of the substrate processing apparatus 100 based on the computer program and data stored in the storage section 104.

続いて図1及び図2を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図2は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の模式図である。詳しくは、図2は、処理ユニット1の模式的な断面図である。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 is a schematic diagram of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the processing unit 1.

図2に示すように、処理ユニット1は、チャンバー2と、スピンチャック3と、スピンモータ部4と、ガード部5と、昇降部6と、排気部7と、処理液供給部11と、第1ノズル移動機構110と、第2ノズル移動機構120とを備える。また、図2に示すように、基板処理装置100は、第1供給配管P1と、第1バルブV1と、第2供給配管P2と、第2バルブV2と、第3供給配管P3と、第3バルブV3とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 1 includes a chamber 2, a spin chuck 3, a spin motor part 4, a guard part 5, an elevating part 6, an exhaust part 7, a processing liquid supply part 11, and a third part. A first nozzle moving mechanism 110 and a second nozzle moving mechanism 120 are provided. Further, as shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes a first supply pipe P1, a first valve V1, a second supply pipe P2, a second valve V2, a third supply pipe P3, and a third supply pipe P1. and a valve V3.

チャンバー2は、内部空間を有する略箱形状の筐体であり、チャンバー2の内部と外部とは区画される。チャンバー2には、図示しないシャッター及びその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じており、その結果、チャンバー2内外の雰囲気は遮断される。センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部に搬入される際、あるいは、センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部から搬出される際に、シャッターが開放される。チャンバー2の上部には図示しないFFUユニット(ファンフィルタユニット)が設置されており、チャンバー2の上部から下方に向けてダウンフローで、塵埃の除去されたエアー、又は不活性ガスが供給される。 The chamber 2 is a substantially box-shaped housing having an internal space, and the inside and outside of the chamber 2 are partitioned. The chamber 2 is provided with a shutter and its opening/closing mechanism (not shown). Normally, the shutter is closed, and as a result, the atmosphere inside and outside the chamber 2 is blocked. The shutter is opened when the substrate W is carried into the chamber 2 by the center robot CR (FIG. 1) or when the substrate W is carried out from the chamber 2 by the center robot CR (FIG. 1). An FFU unit (fan filter unit) (not shown) is installed in the upper part of the chamber 2, and air from which dust has been removed or inert gas is supplied in a downward flow from the upper part of the chamber 2.

チャンバー2には基板Wが1枚ずつ収容される。処理ユニット1は、チャンバー2内で基板Wを水平に保持して、基板Wを1枚ずつ処理する。チャンバー2には、スピンチャック3、スピンモータ部4、ガード部5、昇降部6、排気部7、処理液供給部11、第1ノズル移動機構110、及び第2ノズル移動機構120が収容される。また、チャンバー2には、第1供給配管P1~第3供給配管P3のそれぞれの一部が収容される。 The chamber 2 accommodates one substrate W at a time. The processing unit 1 holds the substrates W horizontally within the chamber 2 and processes the substrates W one by one. The chamber 2 accommodates a spin chuck 3, a spin motor section 4, a guard section 5, an elevating section 6, an exhaust section 7, a processing liquid supply section 11, a first nozzle moving mechanism 110, and a second nozzle moving mechanism 120. . Further, the chamber 2 accommodates a portion of each of the first supply pipe P1 to the third supply pipe P3.

スピンチャック3は、基板Wを水平に保持する。スピンチャック3は、基板保持部の一例である。具体的には、スピンチャック3は、複数のチャック部材31と、スピンベース33とを有する。複数のチャック部材31は、基板Wの周縁に沿ってスピンベース33に設けられる。複数のチャック部材31は基板Wを水平な姿勢で保持する。スピンベース33は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材31を支持する。 The spin chuck 3 holds the substrate W horizontally. The spin chuck 3 is an example of a substrate holding section. Specifically, the spin chuck 3 includes a plurality of chuck members 31 and a spin base 33. A plurality of chuck members 31 are provided on the spin base 33 along the periphery of the substrate W. The plurality of chuck members 31 hold the substrate W in a horizontal position. The spin base 33 has a substantially disk shape and supports the plurality of chuck members 31 in a horizontal position.

スピンモータ部4は、回転軸線AXを中心として基板Wとスピンチャック3とを一体に回転させる。回転軸線AXは、上下方向に延びる。本実施形態では、回転軸線AXは、略鉛直方向に延びる。回転軸線AXは中心軸の一例であり、スピンモータ部4は基板回転部の一例である。詳しくは、スピンモータ部4は、回転軸線AXを中心としてスピンベース33を回転させる。したがって、スピンベース33は、回転軸線AXを中心として回転する。その結果、スピンベース33に設けられた複数のチャック部材31に保持された基板Wが、回転軸線AXを中心として回転する。 The spin motor section 4 rotates the substrate W and the spin chuck 3 together around the rotation axis AX. The rotation axis AX extends in the vertical direction. In this embodiment, the rotation axis AX extends substantially vertically. The rotation axis AX is an example of a central axis, and the spin motor section 4 is an example of a substrate rotation section. Specifically, the spin motor section 4 rotates the spin base 33 around the rotation axis AX. Therefore, the spin base 33 rotates around the rotation axis AX. As a result, the substrate W held by the plurality of chuck members 31 provided on the spin base 33 rotates about the rotation axis AX.

具体的には、スピンモータ部4は、モータ本体41と、シャフト43とを有する。シャフト43はスピンベース33に結合される。モータ本体41は、シャフト43を回転させる。その結果、スピンベース33が回転する。 Specifically, the spin motor section 4 includes a motor main body 41 and a shaft 43. Shaft 43 is coupled to spin base 33. The motor body 41 rotates the shaft 43. As a result, the spin base 33 rotates.

処理液供給部11は、基板Wに処理液を供給する。本実施形態において、処理液供給部11は、第1処理液、第2処理液、及び第3処理液を基板Wに供給する。より具体的には、処理液供給部11は、第1ノズル11aと、第2ノズル11bと、第3ノズル11cとを有する。 The processing liquid supply unit 11 supplies the processing liquid to the substrate W. In this embodiment, the processing liquid supply unit 11 supplies the first processing liquid, the second processing liquid, and the third processing liquid to the substrate W. More specifically, the processing liquid supply section 11 includes a first nozzle 11a, a second nozzle 11b, and a third nozzle 11c.

第1ノズル11aは、基板Wに第1処理液を供給する。詳しくは、第1ノズル11aは、回転中の基板Wに向けて第1処理液を吐出する。本実施形態において、第1処理液は、酸性の薬液である。酸性の薬液(第1処理液)は、例えばDHF(diluted hydrofluoric acid:希フッ酸)であり得る。 The first nozzle 11a supplies the first processing liquid to the substrate W. Specifically, the first nozzle 11a discharges the first processing liquid toward the rotating substrate W. In this embodiment, the first treatment liquid is an acidic chemical liquid. The acidic chemical solution (first treatment solution) may be, for example, DHF (diluted hydrofluoric acid).

第1供給配管P1は、第1ノズル11aに第1処理液を供給する。第1供給配管P1は、第1処理液が流通する管状部材である。第1バルブV1は、第1供給配管P1に配置される。第1バルブV1は、第1ノズル11aへの第1処理液の供給及び供給停止を切り替える。詳しくは、第1バルブV1が開くと、第1ノズル11aから基板Wに向けて第1処理液が吐出される。一方、第1バルブV1が閉じると、第1処理液の吐出が停止する。また、第1バルブV1は、第1供給配管P1において第1バルブV1よりも下流へ流れる第1処理液の流量を制御する。詳しくは、第1バルブV1の開度に応じて、第1バルブV1よりも下流へ流れる第1処理液の流量が調整される。第1バルブV1は、例えば、モータバルブである。 The first supply pipe P1 supplies the first processing liquid to the first nozzle 11a. The first supply pipe P1 is a tubular member through which the first treatment liquid flows. The first valve V1 is arranged in the first supply pipe P1. The first valve V1 switches between supplying and stopping the supply of the first processing liquid to the first nozzle 11a. Specifically, when the first valve V1 opens, the first processing liquid is discharged toward the substrate W from the first nozzle 11a. On the other hand, when the first valve V1 is closed, the discharge of the first processing liquid is stopped. Further, the first valve V1 controls the flow rate of the first processing liquid flowing downstream from the first valve V1 in the first supply pipe P1. Specifically, the flow rate of the first processing liquid flowing downstream from the first valve V1 is adjusted according to the opening degree of the first valve V1. The first valve V1 is, for example, a motor valve.

第1ノズル移動機構110は、略水平方向に第1ノズル11aを移動させる。詳しくは、第1ノズル移動機構110は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第1ノズル11aを旋回させる。第1ノズル11aは、移動しながら(旋回しながら)、基板Wに向けて第1処理液を吐出する。第1ノズル11aは、スキャンノズルと称されることがある。 The first nozzle moving mechanism 110 moves the first nozzle 11a in a substantially horizontal direction. Specifically, the first nozzle moving mechanism 110 rotates the first nozzle 11a around a rotation axis extending in a substantially vertical direction. The first nozzle 11a discharges the first processing liquid toward the substrate W while moving (turning). The first nozzle 11a is sometimes called a scan nozzle.

具体的には、第1ノズル移動機構110は、ノズルアーム111と、第1回転軸113と、第1駆動部115とを有する。ノズルアーム111は略水平方向に沿って延びる。ノズルアーム111の先端部に第1ノズル11aが配置される。ノズルアーム111は第1回転軸113に結合される。第1回転軸113は、略鉛直方向に沿って延びる。第1駆動部115は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第1回転軸113を回転させて、第1回転軸113を中心にノズルアーム111を略水平面に沿って回転させる。その結果、第1ノズル11aが略水平面に沿って移動する。詳しくは、第1ノズル11aは、第1回転軸113の周りを旋回する。第1駆動部115は、例えば、ステッピングモータを含む。 Specifically, the first nozzle moving mechanism 110 includes a nozzle arm 111, a first rotating shaft 113, and a first drive section 115. The nozzle arm 111 extends substantially horizontally. A first nozzle 11a is arranged at the tip of the nozzle arm 111. The nozzle arm 111 is coupled to a first rotation shaft 113. The first rotating shaft 113 extends substantially vertically. The first drive unit 115 rotates the first rotation shaft 113 about a rotation axis that runs substantially vertically, and rotates the nozzle arm 111 about the first rotation shaft 113 along a substantially horizontal plane. As a result, the first nozzle 11a moves along a substantially horizontal plane. Specifically, the first nozzle 11a revolves around the first rotation axis 113. The first drive unit 115 includes, for example, a stepping motor.

第2ノズル11bは、基板Wに第2処理液を供給する。詳しくは、第2ノズル11bは、回転中の基板Wに向けて第2処理液を吐出する。本実施形態において、第2処理液は、アルカリ性の薬液である。アルカリ性の薬液(第2処理液)は、例えばSC1であり得る。なお、SC1は、「NH4OH」、「H22」、及び「H2O」を含む混合液である。 The second nozzle 11b supplies the second processing liquid to the substrate W. Specifically, the second nozzle 11b discharges the second processing liquid toward the rotating substrate W. In this embodiment, the second treatment liquid is an alkaline chemical liquid. The alkaline chemical solution (second treatment solution) may be, for example, SC1. Note that SC1 is a liquid mixture containing "NH 4 OH", "H 2 O 2 ", and "H 2 O".

第2供給配管P2は、第2ノズル11bに第2処理液を供給する。第2バルブV2は、第2供給配管P2に配置される。第2供給配管P2及び第2バルブV2の構成は、第1供給配管P1及び第1バルブV1と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 The second supply pipe P2 supplies the second processing liquid to the second nozzle 11b. The second valve V2 is arranged in the second supply pipe P2. The configurations of the second supply pipe P2 and the second valve V2 are substantially the same as those of the first supply pipe P1 and the first valve V1, so a detailed explanation thereof will be omitted.

第2ノズル移動機構120は、略水平方向に第2ノズル11bを移動させる。詳しくは、第2ノズル移動機構120は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第2ノズル11bを旋回させる。第2ノズル11bは、移動しながら(旋回しながら)、基板Wに向けて第2処理液を吐出する。第2ノズル11bは、スキャンノズルと称されることがある。 The second nozzle moving mechanism 120 moves the second nozzle 11b in a substantially horizontal direction. Specifically, the second nozzle moving mechanism 120 rotates the second nozzle 11b around a rotation axis extending in a substantially vertical direction. The second nozzle 11b discharges the second processing liquid toward the substrate W while moving (turning). The second nozzle 11b is sometimes called a scan nozzle.

具体的には、第2ノズル移動機構120は、ノズルアーム121と、第2回転軸123と、第2駆動部125とを有する。第2駆動部125は、略鉛直方向に沿った回転軸線を中心として第2回転軸123を回転させて、第2回転軸123を中心にノズルアーム121を略水平面に沿って回転させる。その結果、第2ノズル11bが、第2回転軸123の周りを旋回する。なお、第2ノズル移動機構120の構成は、第1ノズル移動機構110と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 Specifically, the second nozzle moving mechanism 120 includes a nozzle arm 121, a second rotation shaft 123, and a second drive section 125. The second drive unit 125 rotates the second rotation shaft 123 about the rotation axis along the substantially vertical direction, and rotates the nozzle arm 121 about the second rotation shaft 123 along the substantially horizontal plane. As a result, the second nozzle 11b rotates around the second rotation axis 123. Note that the configuration of the second nozzle moving mechanism 120 is substantially the same as that of the first nozzle moving mechanism 110, so a detailed explanation thereof will be omitted.

第3ノズル11cは、基板Wに第3処理液を供給する。詳しくは、第3ノズル11cは、回転中の基板Wに向けて第3処理液を吐出する。本実施形態において、第3処理液は、有機薬液である。有機薬液(第3処理液)は、例えばIPA(イソプロピルアルコール)のような有機溶剤であり得る。第3ノズル11cは、静止した状態で第3処理液を吐出する。第3ノズル11cは、固定ノズルと称されることがある。 The third nozzle 11c supplies the third processing liquid to the substrate W. Specifically, the third nozzle 11c discharges the third processing liquid toward the rotating substrate W. In this embodiment, the third treatment liquid is an organic chemical liquid. The organic chemical solution (third treatment solution) may be, for example, an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol). The third nozzle 11c discharges the third processing liquid in a stationary state. The third nozzle 11c is sometimes referred to as a fixed nozzle.

第3供給配管P3は、第3ノズル11cに第3処理液を供給する。第3バルブV3は、第3供給配管P3に配置される。第3供給配管P3及び第3バルブV3の構成は、第1供給配管P1及び第1バルブV1と略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 The third supply pipe P3 supplies the third processing liquid to the third nozzle 11c. The third valve V3 is arranged in the third supply pipe P3. The configurations of the third supply pipe P3 and the third valve V3 are substantially the same as those of the first supply pipe P1 and the first valve V1, so a detailed explanation thereof will be omitted.

なお、第1ノズル11aは、固定ノズルであってもよい。同様に、第2ノズル11bは、固定ノズルであってもよい。また、第3ノズル11cはスキャンノズルであってもよい。 Note that the first nozzle 11a may be a fixed nozzle. Similarly, the second nozzle 11b may be a fixed nozzle. Further, the third nozzle 11c may be a scan nozzle.

ガード部5は、スピンチャック3及びスピンモータ部4の外方に配置される。ガード部5は、略筒形状を有する。換言すると、ガード部5は、スピンチャック3及びスピンモータ部4を取り囲んでいる。ガード部5は、回転する基板Wから飛散する処理液(第1処理液~第3処理液)を受け止める。 The guard part 5 is arranged outside the spin chuck 3 and the spin motor part 4. The guard portion 5 has a substantially cylindrical shape. In other words, the guard section 5 surrounds the spin chuck 3 and the spin motor section 4. The guard portion 5 receives processing liquids (first to third processing liquids) scattered from the rotating substrate W.

詳しくは、基板Wの回転中に処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。この結果、基板Wの周囲に処理液が飛散して、基板Wから飛散した処理液がガード部5によって受け止められる。本実施形態において、ガード部5は、図3を参照して後述する第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53を有する。第1ガード51は、第1処理液を受け止める。第1カップ部52は、第2処理液を受け止める。第2カップ部53は、第3処理液を受け止める。ガード部5の詳細については、図3~図14を参照して後述する。 Specifically, when the processing liquid is supplied to the substrate W while the substrate W is rotating, the processing liquid supplied to the substrate W is thrown around the substrate W. As a result, the processing liquid is scattered around the substrate W, and the processing liquid scattered from the substrate W is received by the guard portion 5. In this embodiment, the guard part 5 includes a first guard 51, a first cup part 52, and a second cup part 53, which will be described later with reference to FIG. The first guard 51 receives the first processing liquid. The first cup portion 52 receives the second processing liquid. The second cup portion 53 receives the third processing liquid. Details of the guard portion 5 will be described later with reference to FIGS. 3 to 14.

昇降部6は、図3を参照して後述する第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53を上下方向に個別に昇降させる。昇降部6は、移動機構の一例である。詳しくは、昇降部6は、第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53をそれぞれ、液受け位置と退避位置との間で昇降させる。液受け位置は、退避位置よりも上方の位置である。 The elevating section 6 individually raises and lowers a first guard 51, a first cup section 52, and a second cup section 53, which will be described later with reference to FIG. 3, in the vertical direction. The elevating section 6 is an example of a moving mechanism. Specifically, the elevating section 6 moves the first guard 51, the first cup section 52, and the second cup section 53 up and down between the liquid receiving position and the retracted position, respectively. The liquid receiving position is above the retracted position.

具体的には、センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部に搬入される際、あるいは、センターロボットCR(図1)により基板Wがチャンバー2内部から搬出される際に、第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53は退避位置に配置される。また、第1ガード51は、第1処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。第1カップ部52は、第2処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。第2カップ部53は、第3処理液を受け止める際に、液受け位置に配置される。昇降部6の詳細については、図15を参照して後述する。 Specifically, when the substrate W is carried into the chamber 2 by the center robot CR (FIG. 1), or when the substrate W is carried out from the chamber 2 by the center robot CR (FIG. 1), The guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 are arranged at the retracted position. Further, the first guard 51 is arranged at a liquid receiving position when receiving the first processing liquid. The first cup portion 52 is arranged at a liquid receiving position when receiving the second processing liquid. The second cup portion 53 is arranged at a liquid receiving position when receiving the third processing liquid. Details of the elevating section 6 will be described later with reference to FIG. 15.

排気部7は、ガード部5の内側に配置される。具体的には、排気部7は、スピンモータ部4とガード部5との間に配置される。排気部7は、略筒形状を有する。排気部7には、ガード部5において処理液(第1処理液~第3処理液)から発生したガスが流入する。排気部7の詳細については、図3~図14を参照して後述する。 The exhaust part 7 is arranged inside the guard part 5. Specifically, the exhaust section 7 is arranged between the spin motor section 4 and the guard section 5. The exhaust section 7 has a substantially cylindrical shape. Gas generated from the processing liquids (first to third processing liquids) in the guard section 5 flows into the exhaust section 7 . Details of the exhaust section 7 will be described later with reference to FIGS. 3 to 14.

排気部7に流入したガスは、排気機構8によって吸引される。排気機構8は、基板処理装置100の外部に配置される。したがって、処理液(第1処理液~第3処理液)から発生したガスは、排気機構8によってチャンバー2(基板処理装置100)の外部に排出される。排気機構8は、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。 The gas that has flowed into the exhaust section 7 is sucked by the exhaust mechanism 8. The exhaust mechanism 8 is arranged outside the substrate processing apparatus 100. Therefore, the gas generated from the processing liquids (first to third processing liquids) is discharged to the outside of the chamber 2 (substrate processing apparatus 100) by the exhaust mechanism 8. The exhaust mechanism 8 includes, for example, a suction pump or an exhaust fan.

続いて図2及び図3を参照して、ガード部5、及び排気部7を説明する。図3は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部の断面を模式的に示す図である。まず図3を参照して、排気部7を説明する。図3に示すように、排気部7は、側壁71と、天井壁72と、第1ダクト部材73とを有する。排気機構8は、第1排気機構8aを含む。また、図3に示すように、基板処理装置100は、第1排気管P4を備える。 Next, the guard section 5 and the exhaust section 7 will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. First, the exhaust section 7 will be explained with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the exhaust section 7 includes a side wall 71, a ceiling wall 72, and a first duct member 73. The exhaust mechanism 8 includes a first exhaust mechanism 8a. Further, as shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 includes a first exhaust pipe P4.

側壁71は環状であり、略鉛直方向に延びる。側壁71は、スピンモータ部4の外方に配置されて、スピンモータ部4を取り囲む。側壁71の下端は、チャンバー2の底壁21に接続している。換言すると、チャンバー2の底壁21は、側壁71の内側空間を下方から覆う。 The side wall 71 is annular and extends substantially vertically. The side wall 71 is disposed outside the spin motor section 4 and surrounds the spin motor section 4 . The lower end of the side wall 71 is connected to the bottom wall 21 of the chamber 2 . In other words, the bottom wall 21 of the chamber 2 covers the inner space of the side wall 71 from below.

天井壁72は、側壁71の内側空間を上方から覆う。具体的には、天井壁72は、側壁71の上端に接続し、側壁71の内方に拡がる。天井壁72は、スピンモータ部4のシャフト43が貫通する開口72aを有する。 The ceiling wall 72 covers the inner space of the side wall 71 from above. Specifically, the ceiling wall 72 is connected to the upper end of the side wall 71 and extends inward of the side wall 71. The ceiling wall 72 has an opening 72a through which the shaft 43 of the spin motor section 4 passes.

第1ダクト部材73は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第1ダクト部材73は、側壁71の内側に配置されて、チャンバー2の内方から外方へ延びる。第1ダクト部材73の上端は、天井壁72に接続している。換言すると、天井壁72は、第1ダクト部材73の上端の開口を覆う。 The first duct member 73 has a substantially tubular shape and extends substantially vertically. More specifically, the first duct member 73 is arranged inside the side wall 71 and extends from the inside of the chamber 2 to the outside. The upper end of the first duct member 73 is connected to the ceiling wall 72. In other words, the ceiling wall 72 covers the opening at the upper end of the first duct member 73.

第1ダクト部材73には、図2を参照して説明した第1処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁71は、第1ダクト部材73の内側空間に連通する第1下流側排気ポート71aを有する。第1下流側排気ポート71aは、側壁71を貫通する貫通穴であり、第1ダクト部材73に対向する。 Gas generated from the first processing liquid described with reference to FIG. 2 flows into the first duct member 73. Specifically, the side wall 71 has a first downstream exhaust port 71a that communicates with the inner space of the first duct member 73. The first downstream exhaust port 71 a is a through hole that penetrates the side wall 71 and faces the first duct member 73 .

第1ダクト部材73の下端は、第1排気管P4の一端に連結されている。第1排気管P4は、ガスが流通する管状部材である。第1排気管P4の他端は、第1排気機構8aに接続している。第1排気機構8aは、第1排気管P4を介して、第1ダクト部材73に流入したガス(第1処理液から発生するガス)を吸引する。第1排気機構8aは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第1排気管P4には、バルブが配置されていてもよい。 The lower end of the first duct member 73 is connected to one end of the first exhaust pipe P4. The first exhaust pipe P4 is a tubular member through which gas flows. The other end of the first exhaust pipe P4 is connected to the first exhaust mechanism 8a. The first exhaust mechanism 8a sucks the gas (gas generated from the first processing liquid) that has flowed into the first duct member 73 via the first exhaust pipe P4. The first exhaust mechanism 8a includes, for example, a suction pump or an exhaust fan. Note that a valve may be disposed in the first exhaust pipe P4.

本実施形態において、第1ダクト部材73は、第1管状部73aと、第2管状部73bとを有する。第1管状部73aは、略管状であり、側壁71の内側に配置されて、側壁71の内面に接続する。第1管状部73aの下端部は、チャンバー2の底壁21に埋設される。第2管状部73bは、管状であり、チャンバー2の外方に配置されて、第1管状部73aの下端に連結する。第1排気管P4は、第2管状部73bの下端に連結されている。 In this embodiment, the first duct member 73 has a first tubular portion 73a and a second tubular portion 73b. The first tubular portion 73a has a substantially tubular shape, is disposed inside the side wall 71, and is connected to the inner surface of the side wall 71. A lower end portion of the first tubular portion 73 a is embedded in the bottom wall 21 of the chamber 2 . The second tubular portion 73b has a tubular shape, is disposed outside the chamber 2, and is connected to the lower end of the first tubular portion 73a. The first exhaust pipe P4 is connected to the lower end of the second tubular portion 73b.

より詳しくは、第1管状部73aは、側壁71の内面側に、略鉛直方向に延びる開口を有する。第1下流側排気ポート71aは、第1管状部73aの開口を介して第1管状部73aの内側空間に連通する位置に設けられる。本実施形態では、第1下流側排気ポート71aから第1管状部73aに流入したガスが流通する流通空間が、第1管状部73aの内面及び側壁71の内面によって構成される。 More specifically, the first tubular portion 73a has an opening extending substantially vertically on the inner surface side of the side wall 71. The first downstream exhaust port 71a is provided at a position communicating with the inner space of the first tubular portion 73a via the opening of the first tubular portion 73a. In this embodiment, a circulation space through which gas flows from the first downstream exhaust port 71a to the first tubular portion 73a is configured by the inner surface of the first tubular portion 73a and the inner surface of the side wall 71.

続いて図3を参照して、ガード部5を説明する。図3に示すように、ガード部5は、第1ガード部5aと、第2ガード部5bとを有する。第1ガード部5aは、回転する基板Wから飛散する処理液(第1処理液及び第2処理液)を受け止める。第2ガード部5bは、第1ガード部5aと排気部7との間に配置されて、回転する基板Wから飛散する処理液(第3処理液)を受け止める。第2ガード部5bは、開閉部の一例である。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the guard section 5 includes a first guard section 5a and a second guard section 5b. The first guard portion 5a receives the processing liquid (the first processing liquid and the second processing liquid) scattered from the rotating substrate W. The second guard part 5b is arranged between the first guard part 5a and the exhaust part 7, and receives the processing liquid (third processing liquid) scattered from the rotating substrate W. The second guard portion 5b is an example of an opening/closing portion.

本実施形態において、第1ガード部5aは、第1ガード51と、第1カップ部52とを有する。第2ガード部5bは、第2カップ部53を有する。図2を参照して説明したように、昇降部6は、第1ガード51、第1カップ部52、及び第2カップ部53を上下方向に個別に昇降させる。 In this embodiment, the first guard portion 5a includes a first guard 51 and a first cup portion 52. The second guard portion 5b has a second cup portion 53. As described with reference to FIG. 2, the elevating section 6 individually raises and lowers the first guard 51, the first cup section 52, and the second cup section 53 in the vertical direction.

図3は、第1ガード51が液受け位置に配置され、第1カップ部52及び第2カップ部53が退避位置に配置されている状態を示している。以下、第1ガード51が液受け位置に配置され、第1カップ部52及び第2カップ部53が退避位置に配置されている状態を、「第1状態」と記載する場合がある。第1状態において、第1ノズル11a(図2)から基板Wに向けて第1処理液が吐出される。 FIG. 3 shows a state in which the first guard 51 is placed at the liquid receiving position, and the first cup portion 52 and the second cup portion 53 are placed at the retracted position. Hereinafter, a state in which the first guard 51 is arranged at the liquid receiving position and the first cup part 52 and the second cup part 53 are arranged at the retracted position may be referred to as a "first state". In the first state, the first processing liquid is discharged toward the substrate W from the first nozzle 11a (FIG. 2).

第1ガード51は、略筒形状を有し、スピンチャック3よりも外方に位置する。第1状態において、回転する基板Wから第1処理液が飛散すると、第1ガード51が、基板Wから飛散する第1処理液を受け止める。 The first guard 51 has a substantially cylindrical shape and is located outward from the spin chuck 3 . In the first state, when the first processing liquid scatters from the rotating substrate W, the first guard 51 catches the first processing liquid scattering from the substrate W.

具体的には、第1ガード51は、上下方向における第1ガード51の中央部から上部にわたり、回転軸線AXに向かって上方に傾斜している。また、第1ガード51の下部は、略鉛直方向に延びる。第1状態において、第1ガード51の先端51aは、基板Wよりも上方に位置する。一方、第1状態において、第1カップ部52及び第2カップ部53は、基板Wよりも下方に位置する。この結果、回転する基板Wから飛散した第1処理液は、第1ガード51によって受け止められる。第1ガード51に付着した第1処理液は、第1ガード51の内面51cを伝って流れ、第1ガード51の下端51bから下方へ流れ落ちる。 Specifically, the first guard 51 extends from the center to the upper part of the first guard 51 in the vertical direction and is inclined upward toward the rotation axis AX. Further, the lower portion of the first guard 51 extends substantially vertically. In the first state, the tip 51a of the first guard 51 is located above the substrate W. On the other hand, in the first state, the first cup part 52 and the second cup part 53 are located below the substrate W. As a result, the first processing liquid splashed from the rotating substrate W is received by the first guard 51. The first processing liquid adhering to the first guard 51 flows along the inner surface 51c of the first guard 51, and flows downward from the lower end 51b of the first guard 51.

第1カップ部52は、第1ガード51の内側に配置される。第1カップ部52は、略筒形状を有し、スピンチャック3よりも外方に位置する。第1カップ部52は、第2ガード521と、第1液受け部522とを有する。第1液受け部522は、第2ガード521から外方に突出する。第1液受け部522は、第1ガード51の下端51bの下方に位置する。第1液受け部522は、環状であり、環状の溝(液溜り部)を形成する。第1液受け部522は、第1ガード51の下端51bから流れ落ちた処理液(第1処理液)を受け止める。この結果、第1液受け部522に処理液(第1処理液)が集められる。 The first cup portion 52 is arranged inside the first guard 51. The first cup portion 52 has a substantially cylindrical shape and is located outward from the spin chuck 3 . The first cup portion 52 includes a second guard 521 and a first liquid receiving portion 522. The first liquid receiving portion 522 projects outward from the second guard 521. The first liquid receiving portion 522 is located below the lower end 51b of the first guard 51. The first liquid receiving portion 522 is annular and forms an annular groove (liquid reservoir). The first liquid receiving portion 522 receives the processing liquid (first processing liquid) flowing down from the lower end 51b of the first guard 51. As a result, the processing liquid (first processing liquid) is collected in the first liquid receiving portion 522.

第2カップ部53は、第1カップ部52の内側に配置される。第2カップ部53は、略筒状である。第2カップ部53は、第3ガード531と、第2液受け部532と、第3液受け部533と、遮断壁部54とを有する。遮断壁部54は、壁部の一例である。 The second cup part 53 is arranged inside the first cup part 52. The second cup portion 53 has a substantially cylindrical shape. The second cup portion 53 includes a third guard 531, a second liquid receiving portion 532, a third liquid receiving portion 533, and a blocking wall portion 54. The blocking wall portion 54 is an example of a wall portion.

遮断壁部54は、環状であり、略鉛直方向に延びる。遮断壁部54は、第1ガード部5aと排気部7との間に配置される。本実施形態において、遮断壁部54は、第1カップ部52と排気部7との間に配置される。より具体的には、遮断壁部54は、排気部7に近接する位置に配置される。 The blocking wall portion 54 is annular and extends substantially vertically. The blocking wall portion 54 is arranged between the first guard portion 5a and the exhaust portion 7. In this embodiment, the blocking wall part 54 is arranged between the first cup part 52 and the exhaust part 7. More specifically, the blocking wall part 54 is arranged at a position close to the exhaust part 7.

遮断壁部54は、第1下流側排気ポート71aに対応する第1上流側排気ポート54aを有する。第1上流側排気ポート54aは、遮断壁部54を貫通する貫通穴である。第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとは、周方向における位置が略一致している。また、第1状態において、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第1状態において、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとは重なっている。換言すると、第1上流側排気ポート54aは、第1下流側排気ポート71aを介して、第1ダクト部材73の内側空間に連通している。 The blocking wall portion 54 has a first upstream exhaust port 54a corresponding to the first downstream exhaust port 71a. The first upstream exhaust port 54a is a through hole that penetrates the blocking wall portion 54. The first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a are substantially aligned in position in the circumferential direction. Further, in the first state, the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a are substantially aligned in the vertical direction. Therefore, in the first state, the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a overlap. In other words, the first upstream exhaust port 54a communicates with the inner space of the first duct member 73 via the first downstream exhaust port 71a.

続いて図4及び図5を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について更に説明する。図4は、第2ガード部5b及び排気部7の断面を模式的に示す図である。図5は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の展開図である。詳しくは、図4及び図5は、第1状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be further explained with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross section of the second guard part 5b and the exhaust part 7. FIG. 5 is a developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIGS. 4 and 5 show the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the first state.

図4に示すように、排気部7は、第2ダクト部材74及び第3ダクト部材75を更に有する。第2ダクト部材74及び第3ダクト部材75は、第1ダクト部材73と同様に、排気部7の内側に配置されている。 As shown in FIG. 4, the exhaust section 7 further includes a second duct member 74 and a third duct member 75. The second duct member 74 and the third duct member 75 are arranged inside the exhaust part 7 similarly to the first duct member 73.

図5に示すように、排気部7の側壁71は、第2下流側排気ポート71bと、第3下流側排気ポート71cとを更に有する。また、遮断壁部54は、第2下流側排気ポート71bに対応する第2上流側排気ポート54bと、第3下流側排気ポート71cに対応する第3上流側排気ポート54cとを更に有する。 As shown in FIG. 5, the side wall 71 of the exhaust section 7 further includes a second downstream exhaust port 71b and a third downstream exhaust port 71c. The blocking wall portion 54 further includes a second upstream exhaust port 54b corresponding to the second downstream exhaust port 71b, and a third upstream exhaust port 54c corresponding to the third downstream exhaust port 71c.

第2上流側排気ポート54b及び第3上流側排気ポート54cは、第1上流側排気ポート54aと同様に遮断壁部54を貫通している。第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b及び第3上流側排気ポート54cは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。詳しくは、第2上流側排気ポート54bは、第2ダクト部材74に対向する位置に設けられる。第3上流側排気ポート54cは、第3ダクト部材75に対向する位置に設けられる。 The second upstream exhaust port 54b and the third upstream exhaust port 54c penetrate the blocking wall 54 similarly to the first upstream exhaust port 54a. The first upstream exhaust port 54a, the second upstream exhaust port 54b, and the third upstream exhaust port 54c are provided at different positions in the circumferential direction. Specifically, the second upstream exhaust port 54b is provided at a position facing the second duct member 74. The third upstream exhaust port 54c is provided at a position facing the third duct member 75.

第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、第1下流側排気ポート71aと同様に排気部7の側壁71を貫通している。第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、周方向において互いに異なる位置に設けられている。 The second downstream exhaust port 71b and the third downstream exhaust port 71c penetrate the side wall 71 of the exhaust section 7, similar to the first downstream exhaust port 71a. The first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c are provided at different positions in the circumferential direction.

詳しくは、第1下流側排気ポート71aは、周方向において第1上流側排気ポート54aと略同じ位置に設けられる。第2下流側排気ポート71bは、周方向において第2上流側排気ポート54bと略同じ位置に設けられる。第3下流側排気ポート71cは、周方向において第3上流側排気ポート54cと略同じ位置に設けられる。したがって、第2下流側排気ポート71bは、第2ダクト部材74に対向する位置に設けられる。第3下流側排気ポート71cは、第3ダクト部材75に対向する位置に設けられる。 Specifically, the first downstream exhaust port 71a is provided at substantially the same position as the first upstream exhaust port 54a in the circumferential direction. The second downstream exhaust port 71b is provided at substantially the same position as the second upstream exhaust port 54b in the circumferential direction. The third downstream exhaust port 71c is provided at substantially the same position as the third upstream exhaust port 54c in the circumferential direction. Therefore, the second downstream exhaust port 71b is provided at a position facing the second duct member 74. The third downstream exhaust port 71c is provided at a position facing the third duct member 75.

第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b及び第3上流側排気ポート54cは、上下方向における位置が略一致する。第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。詳しくは、第1下流側排気ポート71aは、第2下流側排気ポート71bよりも低い位置に設けられており、第2下流側排気ポート71bは、第3下流側排気ポート71cよりも低い位置に設けられている。 The first upstream exhaust port 54a, the second upstream exhaust port 54b, and the third upstream exhaust port 54c are substantially aligned in the vertical direction. The first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c are provided at different positions in the vertical direction. Specifically, the first downstream exhaust port 71a is provided at a lower position than the second downstream exhaust port 71b, and the second downstream exhaust port 71b is located at a lower position than the third downstream exhaust port 71c. It is provided.

図5に示すように、第1状態において、第1上流側排気ポート54aは、第1下流側排気ポート71aと重なる。一方、第2上流側排気ポート54bは、第2下流側排気ポート71bと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。同様に、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。なお、図5において、斜線は、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 5, in the first state, the first upstream exhaust port 54a overlaps the first downstream exhaust port 71a. On the other hand, the second upstream exhaust port 54b does not overlap with the second downstream exhaust port 71b, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Similarly, the third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Note that in FIG. 5, diagonal lines indicate that the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a overlap.

したがって、第1状態においては、図4及び図5に示すように、第2カップ部53の内側空間は、第1上流側排気ポート54a及び第1下流側排気ポート71aを介して、排気部7の内側空間と連通する。より詳しくは、第2カップ部53の内側空間は、第1状態において、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。 Therefore, in the first state, as shown in FIG. 4 and FIG. communicates with the inner space of More specifically, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the first duct member 73 among the first to third duct members 73 to 75 in the first state.

続いて図3を参照して、第1処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第1ガード51の内面51cに付着した第1処理液、及び、第1液受け部522に溜まっている第1処理液から発生するガスの流れについて説明する。 Next, with reference to FIG. 3, the flow of gas generated from the first processing liquid will be described. In detail, the flow of gas generated from the first processing liquid adhering to the inner surface 51c of the first guard 51 and the first processing liquid accumulated in the first liquid receiving portion 522 will be described.

基板処理装置100が使用されている間、第1排気機構8aによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。したがって、第1処理液から発生したガスは、第1ガード51と第1カップ部52との隙間から、第2ガード521の先端521aとスピンチャック3との隙間、及び、第3ガード531の先端531aとスピンチャック3との隙間を介して、第2カップ部53の内側空間に流入する。 While the substrate processing apparatus 100 is in use, suction by the first exhaust mechanism 8a is continuously performed at a constant output. Therefore, the gas generated from the first processing liquid is transmitted from the gap between the first guard 51 and the first cup part 52 to the gap between the tip 521a of the second guard 521 and the spin chuck 3, and the tip of the third guard 531. It flows into the inner space of the second cup portion 53 through the gap between the spin chuck 531a and the spin chuck 3.

図4及び図5を参照して説明したように、第1状態では、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。したがって、第1処理液から発生したガスは、第1上流側排気ポート54a及び第1下流側排気ポート71aを介して、第1ダクト部材73の内側空間に流入する。この結果、第1処理液から発生するガスは、第1排気管P4を介して、第1排気機構8aに流入する。 As described with reference to FIGS. 4 and 5, in the first state, the inner space of the second cup portion 53 is limited to the first duct member 73 among the first duct member 73 to the third duct member 75. communicate. Therefore, the gas generated from the first processing liquid flows into the inner space of the first duct member 73 via the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a. As a result, the gas generated from the first processing liquid flows into the first exhaust mechanism 8a via the first exhaust pipe P4.

続いて図6を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図6は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。図6に示すように、第1液受け部522は、第1排液ポート522aを有する。また、図6に示すように、基板処理装置100は、第1排液管P5を備える。 Next, with reference to FIG. 6, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described. FIG. 6 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 6, the first liquid receiving portion 522 has a first liquid drain port 522a. Further, as shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 100 includes a first drain pipe P5.

第1排液ポート522aは、第1液受け部522の底部に設けられる。第1排液ポート522aは、第1液受け部522の底部を貫通する貫通穴である。第1排液管P5の一端は、第1排液ポート522aに連結している。第1排液管P5の他端は、第1排液部9aに接続している。なお、第1排液管P5には、バルブが配置されていてもよい。 The first liquid drain port 522a is provided at the bottom of the first liquid receiving portion 522. The first liquid drain port 522a is a through hole that penetrates the bottom of the first liquid receiving portion 522. One end of the first drain pipe P5 is connected to the first drain port 522a. The other end of the first drain pipe P5 is connected to the first drain section 9a. Note that a valve may be disposed in the first drain pipe P5.

第1液受け部522で集められた第1処理液は、第1排液管P5を介して、第1排液部9aへと排出される。第1排液部9aは、基板処理装置100の外部に配置される。したがって、第1処理液は、チャンバー2(基板処理装置100)の外部に排出される。第1排液部9aへ排出された第1処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第1排液部9aへ排出された第1処理液は廃棄されてもよい。 The first processing liquid collected in the first liquid receiving part 522 is discharged to the first liquid drain part 9a via the first liquid drain pipe P5. The first liquid drain section 9a is arranged outside the substrate processing apparatus 100. Therefore, the first processing liquid is discharged to the outside of the chamber 2 (substrate processing apparatus 100). The first processing liquid discharged to the first liquid drainage part 9a is recovered and reused as necessary. The first processing liquid discharged to the first liquid drainage section 9a may be discarded.

続いて図2及び図7~図10を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。まず図7を参照して、ガード部5、及び排気部7を説明する。図7は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。図7に示すように、排気機構8は、第2排気機構8bを含む。また、図7に示すように、基板処理装置100は、第2排気管P6を備える。まず図7を参照して、排気部7を説明する。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described with reference to FIG. 2 and FIGS. 7 to 10. First, the guard section 5 and the exhaust section 7 will be explained with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 7, the exhaust mechanism 8 includes a second exhaust mechanism 8b. Further, as shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 100 includes a second exhaust pipe P6. First, the exhaust section 7 will be explained with reference to FIG.

排気部7の第2ダクト部材74は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第2ダクト部材74は、側壁71の内側に配置されて、チャンバー2の内方から外方へ延びる。第2ダクト部材74の上端は、天井壁72に接続している。換言すると、天井壁72は、第2ダクト部材74の上端の開口を覆う。 The second duct member 74 of the exhaust section 7 has a substantially tubular shape and extends substantially vertically. More specifically, the second duct member 74 is arranged inside the side wall 71 and extends from the inside of the chamber 2 to the outside. The upper end of the second duct member 74 is connected to the ceiling wall 72. In other words, the ceiling wall 72 covers the opening at the upper end of the second duct member 74.

第2ダクト部材74には、図2を参照して説明した第2処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁71の第2下流側排気ポート71bを介して、第2ダクト部材74の内側空間にガスが流入する。 Gas generated from the second processing liquid described with reference to FIG. 2 flows into the second duct member 74. Specifically, gas flows into the inner space of the second duct member 74 via the second downstream exhaust port 71b of the side wall 71.

第2ダクト部材74の下端は、第2排気管P6の一端に連結されている。第2排気管P6は、ガスが流通する管状部材である。第2排気管P6の他端は、第2排気機構8bに接続している。第2排気機構8bは、第2排気管P6を介して、第2ダクト部材74に流入したガス(第2処理液から発生するガス)を吸引する。第2排気機構8bは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第2排気管P6には、バルブが配置されていてもよい。 A lower end of the second duct member 74 is connected to one end of the second exhaust pipe P6. The second exhaust pipe P6 is a tubular member through which gas flows. The other end of the second exhaust pipe P6 is connected to the second exhaust mechanism 8b. The second exhaust mechanism 8b sucks the gas (gas generated from the second processing liquid) that has flowed into the second duct member 74 via the second exhaust pipe P6. The second exhaust mechanism 8b includes, for example, a suction pump or an exhaust fan. Note that a valve may be disposed in the second exhaust pipe P6.

本実施形態において、第2ダクト部材74は、図3を参照して説明した第1ダクト部材73と同様に、第1管状部74aと、第2管状部74bとを有する。第2排気管P6は、第2ダクト部材74の第2管状部74bの下端に連結されている。なお、第2ダクト部材74の第1管状部74a及び第2管状部74bの構成は、第1ダクト部材73の第1管状部73a及び第2管状部73bと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 In this embodiment, the second duct member 74 has a first tubular portion 74a and a second tubular portion 74b, similar to the first duct member 73 described with reference to FIG. The second exhaust pipe P6 is connected to the lower end of the second tubular portion 74b of the second duct member 74. Note that the configurations of the first tubular portion 74a and the second tubular portion 74b of the second duct member 74 are substantially the same as those of the first tubular portion 73a and the second tubular portion 73b of the first duct member 73, so detailed description thereof will be omitted. is omitted.

続いて図7を参照して、ガード部5を説明する。図7は、第1ガード51及び第1カップ部52が液受け位置に配置されている状態を示している。このとき、第2カップ部53(第2ガード部5b)は、退避位置と液受け位置との間の中間位置に配置されている。以下、第1ガード51及び第1カップ部52が液受け位置に配置され、第2カップ部53が中間位置に配置されている状態を、「第2状態」と記載する場合がある。第2状態において、第2ノズル11b(図2)から基板Wに向けて第2処理液が吐出される。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIG. FIG. 7 shows a state in which the first guard 51 and the first cup portion 52 are arranged at the liquid receiving position. At this time, the second cup portion 53 (second guard portion 5b) is arranged at an intermediate position between the retracted position and the liquid receiving position. Hereinafter, a state in which the first guard 51 and the first cup part 52 are arranged at the liquid receiving position and the second cup part 53 is arranged at the intermediate position may be referred to as a "second state". In the second state, the second processing liquid is discharged toward the substrate W from the second nozzle 11b (FIG. 2).

第1カップ部52の第2ガード521は、略筒形状を有し、スピンチャック3よりも外方に位置する。第2状態において、回転する基板Wから第2処理液が飛散すると、第2ガード521が、基板Wから飛散する第2処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第2ガード521の上部は、回転軸線AXに向かって上方に傾斜している。また、第2ガード521の中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。 The second guard 521 of the first cup portion 52 has a substantially cylindrical shape and is located outward from the spin chuck 3 . In the second state, when the second processing liquid scatters from the rotating substrate W, the second guard 521 catches the second processing liquid scattering from the substrate W. Specifically, the upper part of the second guard 521 in the vertical direction is inclined upward toward the rotation axis AX. Further, the center and lower portions of the second guard 521 extend substantially vertically.

第2状態において、第2ガード521の先端521aは、基板Wよりも上方に位置している。また、第2状態において、第1カップ部52は、第1ガード51に近接している。換言すると、第2状態において、第1ガード51と第1カップ部52との隙間は、第1状態における隙間と比べて小さくなっている。一方、第2状態において、第2カップ部53は、基板Wよりも下方に位置する。 In the second state, the tip 521a of the second guard 521 is located above the substrate W. Further, in the second state, the first cup portion 52 is close to the first guard 51. In other words, in the second state, the gap between the first guard 51 and the first cup portion 52 is smaller than the gap in the first state. On the other hand, in the second state, the second cup portion 53 is located below the substrate W.

したがって、回転する基板Wから飛散した第2処理液は、第2ガード521によって受け止められる。第2ガード521に付着した第2処理液は、第2ガード521の内面521cを伝って流れ、第2ガード521の下端521bから下方へ流れ落ちる。 Therefore, the second processing liquid scattered from the rotating substrate W is received by the second guard 521. The second processing liquid adhering to the second guard 521 flows along the inner surface 521c of the second guard 521, and flows down from the lower end 521b of the second guard 521.

第2カップ部53の第2液受け部532は、第2カップ部53の第3ガード531から外方に突出する。第2液受け部532は、第2ガード521の下端521bの下方に位置する。第2液受け部532は、環状であり、環状の溝(液溜り部)を形成する。第2液受け部532は、第2ガード521の下端521bから流れ落ちた処理液(第2処理液)を受け止める。この結果、第2液受け部532に処理液(第2処理液)が集められる。 The second liquid receiving portion 532 of the second cup portion 53 projects outward from the third guard 531 of the second cup portion 53 . The second liquid receiving portion 532 is located below the lower end 521b of the second guard 521. The second liquid receiving portion 532 is annular and forms an annular groove (liquid reservoir). The second liquid receiving portion 532 receives the processing liquid (second processing liquid) flowing down from the lower end 521b of the second guard 521. As a result, the processing liquid (second processing liquid) is collected in the second liquid receiving portion 532.

図4及び図5を参照して説明したように、遮断壁部54の第2上流側排気ポート54bと、排気部7の第2下流側排気ポート71bとは、周方向における位置が略一致している。また、図7に示すように、第2状態において、遮断壁部54の第2上流側排気ポート54bと、排気部7の第2下流側排気ポート71bとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第2状態において、第2上流側排気ポート54bと第2下流側排気ポート71bとは重なっている。換言すると、第2上流側排気ポート54bは、第2下流側排気ポート71bを介して、第2ダクト部材74の内側空間に連通している。 As described with reference to FIGS. 4 and 5, the second upstream exhaust port 54b of the blocking wall portion 54 and the second downstream exhaust port 71b of the exhaust portion 7 are substantially aligned in the circumferential direction. ing. Further, as shown in FIG. 7, in the second state, the second upstream exhaust port 54b of the blocking wall portion 54 and the second downstream exhaust port 71b of the exhaust section 7 are substantially aligned in the vertical direction. ing. Therefore, in the second state, the second upstream exhaust port 54b and the second downstream exhaust port 71b overlap. In other words, the second upstream exhaust port 54b communicates with the inner space of the second duct member 74 via the second downstream exhaust port 71b.

続いて図8及び図9を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について更に説明する。図8は、第2ガード部5b及び排気部7の断面を模式的に示す別の図である。図9は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図8及び図9は、第2状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be further explained with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is another diagram schematically showing a cross section of the second guard part 5b and the exhaust part 7. As shown in FIG. FIG. 9 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIGS. 8 and 9 show the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the second state.

図9に示すように、第2状態において、第2上流側排気ポート54bは、第2下流側排気ポート71bと重なる。一方、第1上流側排気ポート54aは、第1下流側排気ポート71aと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。同様に、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。なお、図9において、斜線は、第2上流側排気ポート54bと第2下流側排気ポート71bとが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 9, in the second state, the second upstream exhaust port 54b overlaps the second downstream exhaust port 71b. On the other hand, the first upstream exhaust port 54a does not overlap with the first downstream exhaust port 71a, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Similarly, the third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Note that in FIG. 9, diagonal lines indicate that the second upstream exhaust port 54b and the second downstream exhaust port 71b overlap.

したがって、第2状態においては、図8及び図9に示すように、第2カップ部53の内側空間は、第2上流側排気ポート54b及び第2下流側排気ポート71bを介して、排気部7の内側空間と連通する。より詳しくは、第2カップ部53の内側空間は、第2状態において、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。 Therefore, in the second state, as shown in FIG. 8 and FIG. communicates with the inner space of More specifically, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the second duct member 74 among the first to third duct members 73 to 75 in the second state.

続いて図7を参照して、第2処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第2ガード521の内面521cに付着した第2処理液、及び、第2液受け部532に溜まっている第2処理液から発生するガスの流れについて説明する。 Next, with reference to FIG. 7, the flow of gas generated from the second processing liquid will be described. In detail, the flow of gas generated from the second processing liquid adhering to the inner surface 521c of the second guard 521 and the second processing liquid accumulated in the second liquid receiving portion 532 will be described.

基板処理装置100が使用されている間、第2排気機構8bによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。したがって、第2処理液から発生したガスは、第2ガード521と第2カップ部53との隙間から、第3ガード531の先端531aとスピンチャック3との隙間を介して、第2カップ部53の内側空間に流入する。 While the substrate processing apparatus 100 is in use, suction by the second exhaust mechanism 8b is continuously performed at a constant output. Therefore, the gas generated from the second processing liquid flows from the gap between the second guard 521 and the second cup part 53 to the second cup part 53 through the gap between the tip 531a of the third guard 531 and the spin chuck 3. flows into the inner space of.

図8及び図9を参照して説明したように、第2状態では、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。したがって、第2処理液から発生したガスは、第2上流側排気ポート54b及び第2下流側排気ポート71bを介して、第2ダクト部材74の内側空間に流入する。この結果、第2処理液から発生するガスは、第2排気管P6を介して、第2排気機構8bに流入する。 As described with reference to FIGS. 8 and 9, in the second state, the inner space of the second cup portion 53 is connected only to the second duct member 74 among the first duct member 73 to the third duct member 75. communicate. Therefore, the gas generated from the second processing liquid flows into the inner space of the second duct member 74 via the second upstream exhaust port 54b and the second downstream exhaust port 71b. As a result, the gas generated from the second processing liquid flows into the second exhaust mechanism 8b via the second exhaust pipe P6.

続いて図10を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図10は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。図10に示すように、第2液受け部532は、第2排液ポート532aを有する。また、図10に示すように、基板処理装置100は、第2排液管P7を備える。 Next, with reference to FIG. 10, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described. FIG. 10 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 10, the second liquid receiving portion 532 has a second drain port 532a. Further, as shown in FIG. 10, the substrate processing apparatus 100 includes a second drain pipe P7.

第2排液ポート532aは、第2液受け部532の底部に設けられる。第2排液ポート532aは、第2液受け部532の底部を貫通する貫通穴である。第2排液管P7の一端は、第2排液ポート532aに連結している。第2排液管P7の他端は、第2排液部9bに接続している。なお、第2排液管P7には、バルブが配置されていてもよい。 The second liquid drain port 532a is provided at the bottom of the second liquid receiving portion 532. The second liquid drain port 532a is a through hole that penetrates the bottom of the second liquid receiving portion 532. One end of the second drain pipe P7 is connected to the second drain port 532a. The other end of the second drain pipe P7 is connected to the second drain section 9b. Note that a valve may be disposed in the second drain pipe P7.

第2液受け部532で集められた第2処理液は、第2排液管P7を介して、第2排液部9bへと排出される。第2排液部9bは、基板処理装置100の外部に配置される。したがって、第2処理液は、チャンバー2(基板処理装置100)の外部に排出される。第2排液部9bへ排出された第2処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第2排液部9bへ排出された第2処理液は廃棄されてもよい。 The second processing liquid collected in the second liquid receiving part 532 is discharged to the second liquid drain part 9b via the second liquid drain pipe P7. The second drain portion 9b is arranged outside the substrate processing apparatus 100. Therefore, the second processing liquid is discharged to the outside of the chamber 2 (substrate processing apparatus 100). The second processing liquid discharged to the second drainage part 9b is recovered and reused as necessary. The second processing liquid discharged to the second drainage part 9b may be discarded.

続いて図2及び図11~図14を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。まず図11を参照して、ガード部5、及び排気部7を説明する。図11は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。図11に示すように、排気機構8は、第3排気機構8cを含む。また、図11に示すように、基板処理装置100は、第3排気管P8を備える。まず図11を参照して、排気部7を説明する。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further explained with reference to FIG. 2 and FIGS. 11 to 14. First, with reference to FIG. 11, the guard section 5 and the exhaust section 7 will be explained. FIG. 11 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 11, the exhaust mechanism 8 includes a third exhaust mechanism 8c. Further, as shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 100 includes a third exhaust pipe P8. First, the exhaust section 7 will be explained with reference to FIG.

排気部7の第3ダクト部材75は、略管状であり、略鉛直方向に延びる。より具体的には、第3ダクト部材75は、側壁71の内側に配置されて、チャンバー2の内方から外方へ延びる。第3ダクト部材75の上端は、天井壁72に接続している。換言すると、天井壁72は、第3ダクト部材75の上端の開口を覆う。 The third duct member 75 of the exhaust section 7 has a substantially tubular shape and extends substantially vertically. More specifically, the third duct member 75 is arranged inside the side wall 71 and extends from the inside of the chamber 2 to the outside. The upper end of the third duct member 75 is connected to the ceiling wall 72. In other words, the ceiling wall 72 covers the opening at the upper end of the third duct member 75.

第3ダクト部材75には、図3を参照して説明した第3処理液から発生するガスが流入する。具体的には、側壁71の第3下流側排気ポート71cを介して、第3ダクト部材75の内側空間にガスが流入する。 Gas generated from the third processing liquid described with reference to FIG. 3 flows into the third duct member 75. Specifically, gas flows into the inner space of the third duct member 75 via the third downstream exhaust port 71c of the side wall 71.

第3ダクト部材75の下端は、第3排気管P8の一端に連結されている。第3排気管P8は、ガスが流通する管状部材である。第3排気管P8の他端は、第3排気機構8cに接続している。第3排気機構8cは、第3排気管P8を介して、第3ダクト部材75に流入したガス(第3処理液から発生するガス)を吸引する。第3排気機構8cは、例えば、吸引ポンプ又は排気ファンを含む。なお、第3排気管P8には、バルブが配置されていてもよい。 The lower end of the third duct member 75 is connected to one end of the third exhaust pipe P8. The third exhaust pipe P8 is a tubular member through which gas flows. The other end of the third exhaust pipe P8 is connected to the third exhaust mechanism 8c. The third exhaust mechanism 8c sucks the gas (gas generated from the third processing liquid) that has flowed into the third duct member 75 via the third exhaust pipe P8. The third exhaust mechanism 8c includes, for example, a suction pump or an exhaust fan. Note that a valve may be disposed in the third exhaust pipe P8.

本実施形態において、第3ダクト部材75は、図3を参照して説明した第1ダクト部材73と同様に、第1管状部75aと、第2管状部75bとを有する。第3排気管P8は、第3ダクト部材75の第2管状部75bの下端に連結されている。なお、第3ダクト部材75の第1管状部75a及び第2管状部75bの構成は、第1ダクト部材73の第1管状部73a及び第2管状部73bと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。 In this embodiment, the third duct member 75 has a first tubular portion 75a and a second tubular portion 75b, similar to the first duct member 73 described with reference to FIG. The third exhaust pipe P8 is connected to the lower end of the second tubular portion 75b of the third duct member 75. Note that the configurations of the first tubular part 75a and the second tubular part 75b of the third duct member 75 are substantially the same as those of the first tubular part 73a and the second tubular part 73b of the first duct member 73, so detailed description thereof will be omitted. is omitted.

続いて図11を参照して、ガード部5を説明する。図11は、第1ガード51、第1カップ部52、及び第2カップ部53が液受け位置に配置されている状態を示している。以下、第1ガード51、第1カップ部52、及び第2カップ部53が液受け位置に配置されている状態を、「第3状態」と記載する場合がある。第3状態において、第3ノズル11c(図2)から基板Wに向けて第3処理液が吐出される。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIG. FIG. 11 shows a state in which the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 are arranged at the liquid receiving position. Hereinafter, the state in which the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 are arranged at the liquid receiving position may be referred to as a "third state". In the third state, the third processing liquid is discharged toward the substrate W from the third nozzle 11c (FIG. 2).

第2カップ部53の第3ガード531は、略筒形状を有し、スピンチャック3よりも外方に位置する。第3状態において、回転する基板Wから第3処理液が飛散すると、第3ガード531が、基板Wから飛散する第3処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第3ガード531の上部は、回転軸線AXに向かって上方に傾斜している。また、第3ガード531の中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。 The third guard 531 of the second cup portion 53 has a substantially cylindrical shape and is located outward from the spin chuck 3 . In the third state, when the third processing liquid scatters from the rotating substrate W, the third guard 531 catches the third processing liquid scattering from the substrate W. Specifically, the upper part of the third guard 531 in the vertical direction is inclined upward toward the rotation axis AX. Further, the center and lower portions of the third guard 531 extend substantially vertically.

第2カップ部53の第3液受け部533は、第3ガード531の下端に接続して、第3ガード531から内方に突出する(拡がる)。第3液受け部533は、環状であり、環状の溝(液溜り部)を形成する。なお、遮断壁部54は、第3液受け部533の内側の縁部(内側の上端部)に接続して、第3液受け部533の内側の縁部から上方に延びる。 The third liquid receiving portion 533 of the second cup portion 53 is connected to the lower end of the third guard 531 and protrudes (expands) inward from the third guard 531. The third liquid receiving portion 533 is annular and forms an annular groove (liquid reservoir). Note that the blocking wall portion 54 is connected to the inner edge (inner upper end portion) of the third liquid receiving portion 533 and extends upward from the inner edge of the third liquid receiving portion 533 .

第3状態において、第3ガード531の先端531aは、基板Wよりも上方に位置している。また、第3状態において、第1カップ部52は、第1ガード51に近接している。換言すると、第3状態において、第1ガード51と第1カップ部52との隙間は、第1状態における隙間と比べて小さくなっている。同様に、第3状態において、第2カップ部53は、第1カップ部52に近接している。換言すると、第3状態において、第1カップ部52と第2カップ部53との隙間は、第1状態及び第2状態における隙間と比べて小さくなっている。 In the third state, the tip 531a of the third guard 531 is located above the substrate W. Further, in the third state, the first cup portion 52 is close to the first guard 51. In other words, in the third state, the gap between the first guard 51 and the first cup portion 52 is smaller than the gap in the first state. Similarly, in the third state, the second cup portion 53 is close to the first cup portion 52. In other words, in the third state, the gap between the first cup part 52 and the second cup part 53 is smaller than the gap in the first state and the second state.

したがって、回転する基板Wから飛散した第3処理液は、第3ガード531によって受け止められる。第3ガード531に付着した第3処理液は、第3ガード531の内面531bを伝って流れ、第3液受け部533へ流入する。第3液受け部533は、第3ガード531から流入した処理液(第3処理液)を受け止める。この結果、第3液受け部533に処理液(第3処理液)が集められる。 Therefore, the third processing liquid scattered from the rotating substrate W is received by the third guard 531. The third processing liquid adhering to the third guard 531 flows along the inner surface 531b of the third guard 531 and flows into the third liquid receiving portion 533. The third liquid receiving portion 533 receives the processing liquid (third processing liquid) flowing from the third guard 531. As a result, the processing liquid (third processing liquid) is collected in the third liquid receiving portion 533.

図4及び図5を参照して説明したように、遮断壁部54の第3上流側排気ポート54cと、排気部7の第3下流側排気ポート71cとは、周方向における位置が略一致している。また、図11に示すように、第3状態において、遮断壁部54の第3上流側排気ポート54cと、排気部7の第3下流側排気ポート71cとは、上下方向における位置が略一致している。したがって、第3状態において、第3上流側排気ポート54cと第3下流側排気ポート71cとは重なっている。換言すると、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cを介して、第3ダクト部材75の内側空間に連通している。 As described with reference to FIGS. 4 and 5, the third upstream exhaust port 54c of the blocking wall portion 54 and the third downstream exhaust port 71c of the exhaust portion 7 are substantially aligned in the circumferential direction. ing. Further, as shown in FIG. 11, in the third state, the third upstream exhaust port 54c of the blocking wall portion 54 and the third downstream exhaust port 71c of the exhaust section 7 are substantially aligned in the vertical direction. ing. Therefore, in the third state, the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c overlap. In other words, the third upstream exhaust port 54c communicates with the inner space of the third duct member 75 via the third downstream exhaust port 71c.

続いて図12及び図13を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について更に説明する。図12は、第2ガード部5b及び排気部7の断面を模式的に示す別の図である。図13は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図12及び図13は、第3状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be further explained with reference to FIGS. 12 and 13. FIG. 12 is another diagram schematically showing a cross section of the second guard part 5b and the exhaust part 7. As shown in FIG. FIG. 13 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIGS. 12 and 13 show the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the third state.

図13に示すように、第3状態において、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重なる。一方、第1上流側排気ポート54aは、第1下流側排気ポート71aと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。同様に、第2上流側排気ポート54bは、第2下流側排気ポート71bと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。なお、図13において、斜線は、第3上流側排気ポート54cと第3下流側排気ポート71cとが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 13, in the third state, the third upstream exhaust port 54c overlaps the third downstream exhaust port 71c. On the other hand, the first upstream exhaust port 54a does not overlap with the first downstream exhaust port 71a, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Similarly, the second upstream exhaust port 54b does not overlap with the second downstream exhaust port 71b, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Note that in FIG. 13, diagonal lines indicate that the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c overlap.

したがって、第3状態においては、図12及び図13に示すように、第2カップ部53の内側空間は、第3上流側排気ポート54c及び第3下流側排気ポート71cを介して、排気部7の内側空間と連通する。より詳しくは、第2カップ部53の内側空間は、第3状態において、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第3ダクト部材75とのみ連通する。 Therefore, in the third state, as shown in FIGS. 12 and 13, the inner space of the second cup part 53 is discharged from the exhaust part 7 through the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c. communicates with the inner space of More specifically, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the third duct member 75 among the first to third duct members 73 to 75 in the third state.

続いて図11を参照して、第3処理液から発生するガスの流れについて説明する。詳しくは、第3ガード531の内面531bに付着した第3処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている第3処理液から発生するガスの流れについて説明する。 Next, with reference to FIG. 11, the flow of gas generated from the third processing liquid will be described. In detail, the flow of gas generated from the third processing liquid adhering to the inner surface 531b of the third guard 531 and the third processing liquid accumulated in the third liquid receiving portion 533 will be described.

基板処理装置100が使用されている間、第3排気機構8cによる吸引は、継続的に一定の出力にて行われている。図12及び図13を参照して説明したように、第3状態では、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第3ダクト部材75とのみ連通する。したがって、第3処理液から発生したガスは、第2カップ部53の内側空間から、第3上流側排気ポート54c及び第3下流側排気ポート71cを介して、第3ダクト部材75の内側空間に流入する。この結果、第3処理液から発生するガスは、第3排気管P8を介して、第3排気機構8cに流入する。 While the substrate processing apparatus 100 is in use, suction by the third exhaust mechanism 8c is continuously performed at a constant output. As described with reference to FIGS. 12 and 13, in the third state, the inner space of the second cup portion 53 is only connected to the third duct member 75 among the first to third duct members 73 to 75. communicate. Therefore, the gas generated from the third processing liquid flows from the inner space of the second cup portion 53 to the inner space of the third duct member 75 via the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c. Inflow. As a result, the gas generated from the third processing liquid flows into the third exhaust mechanism 8c via the third exhaust pipe P8.

続いて図14を参照して、本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図14は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。図14に示すように、第3液受け部533は、第3排液ポート533aを有する。また、図14に示すように、基板処理装置100は、第3排液管P9を備える。 Next, with reference to FIG. 14, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described. FIG. 14 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 14, the third liquid receiving portion 533 has a third drain port 533a. Further, as shown in FIG. 14, the substrate processing apparatus 100 includes a third drain pipe P9.

第3排液ポート533aは、第3液受け部533の底部に設けられる。第3排液ポート533aは、第3液受け部533の底部を貫通する貫通穴である。第3排液管P9の一端は、第3排液ポート533aに連結している。第3排液管P9の他端は、第3排液部9cに接続している。なお、第3排液管P9には、バルブが配置されていてもよい。 The third liquid drain port 533a is provided at the bottom of the third liquid receiving portion 533. The third liquid drain port 533a is a through hole that penetrates the bottom of the third liquid receiving portion 533. One end of the third drain pipe P9 is connected to the third drain port 533a. The other end of the third drain pipe P9 is connected to the third drain portion 9c. Note that a valve may be disposed in the third drain pipe P9.

第3液受け部533で集められた第3処理液は、第3排液管P9を介して、第3排液部9cへと排出される。第3排液部9cは、基板処理装置100の外部に配置される。したがって、第3処理液は、チャンバー2(基板処理装置100)の外部に排出される。第3排液部9cへ排出された第3処理液は必要に応じて回収されて再利用される。第3排液部9cへ排出された第3処理液は廃棄されてもよい。 The third processing liquid collected in the third liquid receiving part 533 is discharged to the third liquid drain part 9c via the third liquid drain pipe P9. The third drain portion 9c is arranged outside the substrate processing apparatus 100. Therefore, the third processing liquid is discharged to the outside of the chamber 2 (substrate processing apparatus 100). The third processing liquid discharged to the third drainage part 9c is recovered and reused as necessary. The third processing liquid discharged to the third drainage part 9c may be discarded.

続いて図15を参照して、ガード部5及び昇降部6を説明する。図15は、ガード部5及び昇降部6を示す図である。図15に示すように、昇降部6は、第1昇降部61~第3昇降部63を含む。第1昇降部61~第3昇降部63は、制御装置101(制御部102)によって制御される。 Next, with reference to FIG. 15, the guard section 5 and the elevating section 6 will be explained. FIG. 15 is a diagram showing the guard section 5 and the elevating section 6. As shown in FIG. As shown in FIG. 15, the elevating section 6 includes a first elevating section 61 to a third elevating section 63. The first lifting/lowering section 61 to the third lifting/lowering section 63 are controlled by a control device 101 (control section 102).

第1ガード51は、第1昇降部61に連結される。第1昇降部61は、チャンバー2の底壁21に取り付けられている。第1昇降部61は、第1ガード51を鉛直方向に昇降させる。第1昇降部61は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第1ガード51を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。 The first guard 51 is connected to the first lifting section 61 . The first elevating section 61 is attached to the bottom wall 21 of the chamber 2 . The first lifting section 61 moves the first guard 51 up and down in the vertical direction. The first elevating section 61 has a driving source such as a motor and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the driving source to raise or lower the first guard 51. The lifting mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

第1カップ部52は、第2昇降部62に連結される。第2昇降部62は、チャンバー2の底壁21に取り付けられている。第2昇降部62は、第1カップ部52を鉛直方向に昇降させる。第2昇降部62は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第1カップ部52を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。 The first cup part 52 is connected to a second elevating part 62. The second elevating section 62 is attached to the bottom wall 21 of the chamber 2. The second elevating section 62 moves the first cup section 52 up and down in the vertical direction. The second elevating section 62 has a driving source such as a motor and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the driving source to raise or lower the first cup section 52. The lifting mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

第2カップ部53は、第3昇降部63に連結される。第3昇降部63は、チャンバー2の底壁21に取り付けられている。第3昇降部63は、第2カップ部53を鉛直方向に昇降させる。第3昇降部63は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、第2カップ部53を上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。 The second cup part 53 is connected to the third elevating part 63. The third elevating section 63 is attached to the bottom wall 21 of the chamber 2. The third lifting section 63 moves the second cup section 53 up and down in the vertical direction. The third elevating section 63 has a driving source such as a motor and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the driving source to raise or lower the second cup section 53. The lifting mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

以上、図1~図15を参照して本発明の実施形態1を説明した。本実施形態によれば、第2カップ部53を昇降させることにより、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cを開閉することができる。具体的には、処理液から発生するガスが第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cのうちの1つに流入するように、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cを開閉することができる。詳しくは、制御部102が、昇降部(第3昇降部63)を制御して、第2カップ部53を昇降させることにより、3つの下流側排気ポート(第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71c)のいずれか1つに、3つの上流側排気ポート(第1上流側排気ポート54a~第3上流側排気ポート54c)のいずれか1つを選択的に重ねることができる。したがって、酸性のガスの排出先と、アルカリ性のガスの排出先と、有機薬液から発生するガスの排出先とを切り替えることができる。 Embodiment 1 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1 to 15. According to this embodiment, by raising and lowering the second cup portion 53, the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c can be opened and closed. Specifically, the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c are arranged so that the gas generated from the processing liquid flows into one of the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c. The exhaust port 71c can be opened and closed. Specifically, the control unit 102 controls the elevating portion (third elevating portion 63) to raise and lower the second cup portion 53, thereby opening the three downstream exhaust ports (first downstream exhaust port 71a to third elevating portion 63). Any one of the three upstream exhaust ports (first upstream exhaust port 54a to third upstream exhaust port 54c) can be selectively overlapped with any one of the downstream exhaust ports 71c). Therefore, the destination for acidic gas, the destination for alkaline gas, and the destination for gas generated from the organic chemical can be switched.

また、本実施形態によれば、第1処理液(酸性の薬液)から発生する酸性のガスを第1排気管P4に排出し、第2処理液(アルカリ性の薬液)から発生するアルカリ性のガスを第2排気管P6に排出することができる。その結果、排気管において結晶(塩)が発生し難くなる。 Further, according to the present embodiment, acidic gas generated from the first processing liquid (acidic chemical liquid) is discharged to the first exhaust pipe P4, and alkaline gas generated from the second processing liquid (alkaline chemical liquid) is discharged. It can be discharged to the second exhaust pipe P6. As a result, crystals (salts) are less likely to form in the exhaust pipe.

また、本実施形態によれば、スピンチャック3が基板Wを回転させている間に、第2カップ部53の昇降動作によって、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cのうちから、開放する下流側排気ポートを変更することができる。したがって、スピンチャック3が基板Wを回転させている間に、酸性のガスの排出先と、アルカリ性のガスの排出先と、有機薬液から発生するガスの排出先とを切り替えることができる。 Further, according to the present embodiment, while the spin chuck 3 is rotating the substrate W, the vertical movement of the second cup portion 53 causes one of the first downstream exhaust ports 71a to the third downstream exhaust ports 71c to The downstream exhaust port to be opened can be changed from Therefore, while the spin chuck 3 is rotating the substrate W, the destination for acidic gas discharge, the destination for alkaline gas discharge, and the discharge destination for gas generated from the organic chemical solution can be switched.

また、本実施形態によれば、ガスの排出先の切り替えと同時に、酸性の薬液の排出先と、アルカリ性の薬液の排出先と、有機薬液の排出先とを切り替えることができる。 Furthermore, according to the present embodiment, at the same time as switching the gas discharge destination, it is possible to switch the discharge destination of the acidic chemical solution, the alkaline chemical solution, and the organic chemical solution.

また、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53を個別に昇降させることができる。したがって、第1ガード51と第1カップ部52とを近接させることができる。また、第1カップ部52と第2カップ部53とを近接させることができる。その結果、上下方向におけるチャンバー2の寸法の大型化を抑制することができる。換言すると、チャンバー2の小型化を図ることができる。 Moreover, according to this embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 can be raised and lowered individually. Therefore, the first guard 51 and the first cup portion 52 can be brought close to each other. Further, the first cup portion 52 and the second cup portion 53 can be placed close to each other. As a result, it is possible to suppress the size of the chamber 2 from increasing in the vertical direction. In other words, the chamber 2 can be made smaller.

また、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53を互いに独立して動作させることができる。具体的には、第1ガード51、第1カップ部52及び第2カップ部53を個別に昇降させることができる。したがって、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。例えば、本実施形態では、酸性の薬液を第1排液ポート522aから排出させ、酸性のガスを第1ダクト部材73へ排出させたが、酸性の薬液を第1排液ポート522aから排出させ、酸性のガスを第2ダクト部材74から排出させることができる。 Moreover, according to this embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 can be operated independently of each other. Specifically, the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 can be raised and lowered individually. Therefore, the combination of the liquid drainage destination and the exhaust destination can be changed. For example, in the present embodiment, the acidic chemical solution is discharged from the first drain port 522a and the acidic gas is discharged to the first duct member 73, but the acidic chemical solution is discharged from the first drain port 522a, Acidic gas can be discharged from the second duct member 74.

また、本実施形態では、第1ノズル11aから酸性の薬液を吐出し、第2ノズル11bからアルカリ性の薬液を吐出し、第3ノズル11cから有機薬液を吐出したが、第1ノズル11a~第3ノズル11cから基板Wに供給する処理液の種類は特に限定されない。例えば、第1ノズル11aから酸性の薬液を吐出させ、第2ノズル11bから別の酸性の薬液を吐出させ、第3ノズル11cからアルカリ性の薬液を吐出させてもよい。この場合、第1処理液(酸性の薬液)を第1排液ポート522aから排出させ、第2処理液(酸性の薬液)を第2排液ポート532aから排出させる一方で、第1処理液から発生するガス(酸性のガス)及び第2処理液から発生するガス(酸性のガス)を、例えば、第1ダクト部材73へ排出させることができる。 Furthermore, in the present embodiment, the acidic chemical liquid was discharged from the first nozzle 11a, the alkaline chemical liquid was discharged from the second nozzle 11b, and the organic chemical liquid was discharged from the third nozzle 11c. The type of processing liquid supplied from the nozzle 11c to the substrate W is not particularly limited. For example, an acidic chemical may be ejected from the first nozzle 11a, another acidic chemical may be ejected from the second nozzle 11b, and an alkaline chemical may be ejected from the third nozzle 11c. In this case, while the first processing liquid (acidic chemical solution) is discharged from the first drainage port 522a and the second processing liquid (acidic chemical solution) is discharged from the second drainage port 532a, the first processing liquid The generated gas (acidic gas) and the gas (acidic gas) generated from the second processing liquid can be discharged to the first duct member 73, for example.

なお、本実施形態において、第1排液部9a~第3排液部9cは基板処理装置100の外部に配置されたが、第1排液部9a~第3排液部9cのいずれかは基板処理装置100の内部に配置されてもよい。換言すると、基板処理装置100は、第1排液部9a~第3排液部9cのいずれかを備え得る。 Note that in this embodiment, the first to third drainage parts 9a to 9c are arranged outside the substrate processing apparatus 100, but any one of the first to third drainage parts 9a to 9c is It may be placed inside the substrate processing apparatus 100. In other words, the substrate processing apparatus 100 can include any one of the first liquid drain section 9a to the third liquid drain section 9c.

また、本実施形態において、第1上流側排気ポート54a~第3上流側排気ポート54cは、上下方向における位置が互いに略一致していたが、第1上流側排気ポート54a~第3上流側排気ポート54cは、上下方向における位置が互いに異なっていてもよい。 In addition, in the present embodiment, the positions of the first upstream exhaust port 54a to the third upstream exhaust port 54c substantially coincide with each other in the vertical direction, but the first upstream exhaust port 54a to the third upstream exhaust port 54c The ports 54c may have different positions in the vertical direction.

また、本実施形態において、第1ガード部5aは、2つのガード(第1ガード51及び第2ガード521)を有したが、第1ガード部5aは、1つのガード、又は3つ以上のガードを有してもよい。 Further, in the present embodiment, the first guard section 5a has two guards (the first guard 51 and the second guard 521), but the first guard section 5a has one guard or three or more guards. It may have.

また、本実施形態において、第1ガード部5aは、1つのカップ部(第1カップ部52)を有したが、第1ガード部5aは、2つ以上のカップ部を有してもよい。 Moreover, in this embodiment, the first guard part 5a has one cup part (the first cup part 52), but the first guard part 5a may have two or more cup parts.

また、本実施形態において、第1ガード部5aは、第1ガード51を有したが、第1ガード51は省略され得る。この場合、第1液受け部522は省略されてもよい。 Further, in the present embodiment, the first guard portion 5a has the first guard 51, but the first guard 51 may be omitted. In this case, the first liquid receiving portion 522 may be omitted.

また、本実施形態において、第1ガード51及び第1カップ部52は個別に昇降されたが、第1ガード51及び第1カップ部52は一体で昇降されてもよい。具体的には、単一の部材によって第1ガード51及び第1カップ部52が構成されてもよい。 Further, in the present embodiment, the first guard 51 and the first cup part 52 are raised and lowered individually, but the first guard 51 and the first cup part 52 may be raised and lowered integrally. Specifically, the first guard 51 and the first cup portion 52 may be configured by a single member.

また、本実施形態において、第2カップ部53は第3ガード531を有したが、第3ガード531は省略されてもよい。この場合、第2液受け部532は、第1ガード部5aに設けられてもよい。換言すると、第1ガード部5a(ガード部5)の内側に、遮断壁部54を含む部材のみが配置されてもよい。 Further, in this embodiment, the second cup portion 53 has the third guard 531, but the third guard 531 may be omitted. In this case, the second liquid receiving part 532 may be provided in the first guard part 5a. In other words, only the member including the blocking wall portion 54 may be arranged inside the first guard portion 5a (guard portion 5).

また、本実施形態において、第2カップ部53は、1つのガード(第3ガード531)を有したが、第2カップ部53は、2つ以上のガードを有してもよい。 Further, in the present embodiment, the second cup portion 53 has one guard (the third guard 531), but the second cup portion 53 may have two or more guards.

また、本実施形態において、排気部7は3つのダクト部材(第1ダクト部材73~第3ダクト部材75)を有したが、排気部7は、2つのダクト部材、又は4つ以上のダクト部材を有してもよい。したがって、排気部7は、2つの下流側排気ポート、又は4つ以上の下流側排気ポートを有してもよい。また、遮断壁部54は、2つの上流側排気ポート、又は4つ以上の上流側排気ポートを有してもよい。 Further, in the present embodiment, the exhaust section 7 has three duct members (the first duct member 73 to the third duct member 75), but the exhaust section 7 has two duct members or four or more duct members. It may have. Therefore, the exhaust section 7 may have two downstream exhaust ports or four or more downstream exhaust ports. Further, the blocking wall portion 54 may have two upstream exhaust ports or four or more upstream exhaust ports.

[実施形態2]
続いて図16、図17(a)、及び図17(b)を参照して本発明の実施形態2について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態2は、排気部7の側壁71が実施形態1と異なる。
[Embodiment 2]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 16, 17(a), and 17(b). However, matters that are different from Embodiment 1 will be explained, and explanations of matters that are the same as Embodiment 1 will be omitted. The second embodiment differs from the first embodiment in the side wall 71 of the exhaust section 7.

図16は、排気部7の側壁71の展開図である。図16に示すように、本実施形態において、第1下流側排気ポート71aは、第1小下流側排気ポート71aSと、第1大下流側排気ポート71aLとを含む。同様に、第2下流側排気ポート71bは、第2小下流側排気ポート71bSと、第2大下流側排気ポート71bLとを含む。第3下流側排気ポート71cは、第3小下流側排気ポート71cSと、第3大下流側排気ポート71cLとを含む。 FIG. 16 is a developed view of the side wall 71 of the exhaust section 7. As shown in FIG. As shown in FIG. 16, in this embodiment, the first downstream exhaust port 71a includes a first small downstream exhaust port 71aS and a first large downstream exhaust port 71aL. Similarly, the second downstream exhaust port 71b includes a second small downstream exhaust port 71bS and a second large downstream exhaust port 71bL. The third downstream exhaust port 71c includes a third small downstream exhaust port 71cS and a third large downstream exhaust port 71cL.

第1小下流側排気ポート71aS、第1大下流側排気ポート71aL、第2小下流側排気ポート71bS、第2大下流側排気ポート71bL、第3小下流側排気ポート71cS、及び第3大下流側排気ポート71cLは、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。本実施形態において、第1小下流側排気ポート71aS、第1大下流側排気ポート71aL、第2小下流側排気ポート71bS、第2大下流側排気ポート71bL、第3小下流側排気ポート71cS、及び第3大下流側排気ポート71cLは、上下方向における位置がこの順序で高くなる。 First small downstream exhaust port 71aS, first large downstream exhaust port 71aL, second small downstream exhaust port 71bS, second large downstream exhaust port 71bL, third small downstream exhaust port 71cS, and third large downstream The side exhaust ports 71cL are provided at different positions in the vertical direction. In this embodiment, the first small downstream exhaust port 71aS, the first large downstream exhaust port 71aL, the second small downstream exhaust port 71bS, the second large downstream exhaust port 71bL, the third small downstream exhaust port 71cS, The positions of the third large downstream exhaust port 71cL in the vertical direction become higher in this order.

第1大下流側排気ポート71aLは、第1小下流側排気ポート71aSよりも断面積が大きい。第1小下流側排気ポート71aSと、第1大下流側排気ポート71aLとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第1小下流側排気ポート71aSが、第1大下流側排気ポート71aLよりも低い位置に設けられている。但し、第1大下流側排気ポート71aLが、第1小下流側排気ポート71aSよりも低い位置に設けられてもよい。 The first large downstream exhaust port 71aL has a larger cross-sectional area than the first small downstream exhaust port 71aS. The first small downstream exhaust port 71aS and the first large downstream exhaust port 71aL are arranged side by side in the vertical direction. In this embodiment, the first small downstream exhaust port 71aS is provided at a lower position than the first large downstream exhaust port 71aL. However, the first large downstream exhaust port 71aL may be provided at a lower position than the first small downstream exhaust port 71aS.

第2大下流側排気ポート71bLは、第2小下流側排気ポート71bSよりも断面積が大きい。第2小下流側排気ポート71bSと、第2大下流側排気ポート71bLとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第2小下流側排気ポート71bSが、第2大下流側排気ポート71bLよりも低い位置に設けられている。但し、第2大下流側排気ポート71bLが、第2小下流側排気ポート71bSよりも低い位置に設けられてもよい。 The second large downstream exhaust port 71bL has a larger cross-sectional area than the second smaller downstream exhaust port 71bS. The second small downstream exhaust port 71bS and the second large downstream exhaust port 71bL are provided side by side in the vertical direction. In this embodiment, the second small downstream exhaust port 71bS is provided at a lower position than the second large downstream exhaust port 71bL. However, the second large downstream exhaust port 71bL may be provided at a lower position than the second small downstream exhaust port 71bS.

第3大下流側排気ポート71cLは、第3小下流側排気ポート71cSよりも断面積が大きい。第3小下流側排気ポート71cSと、第3大下流側排気ポート71cLとは、上下方向に並べて設けられている。本実施形態では、第3小下流側排気ポート71cSが、第3大下流側排気ポート71cLよりも低い位置に設けられている。但し、第3大下流側排気ポート71cLが、第3小下流側排気ポート71cSよりも低い位置に設けられてもよい。 The third large downstream exhaust port 71cL has a larger cross-sectional area than the third small downstream exhaust port 71cS. The third small downstream exhaust port 71cS and the third large downstream exhaust port 71cL are provided side by side in the vertical direction. In this embodiment, the third small downstream exhaust port 71cS is provided at a lower position than the third large downstream exhaust port 71cL. However, the third large downstream exhaust port 71cL may be provided at a lower position than the third small downstream exhaust port 71cS.

続いて図17(a)及び図17(b)を参照して、第2ガード部5bについて説明する。図17(a)及び図17(b)は、第2ガード部5bの動作を示す図である。 Next, the second guard portion 5b will be explained with reference to FIGS. 17(a) and 17(b). FIGS. 17(a) and 17(b) are diagrams showing the operation of the second guard portion 5b.

図17(a)及び図17(b)に示すように、遮断壁部54の第1上流側排気ポート54aの断面積は、第1大下流側排気ポート71aLと略等しく、第1小下流側排気ポート71aSよりも大きい。したがって、第1上流側排気ポート54aが第1大下流側排気ポート71aLと重なる場合、第1上流側排気ポート54aが第1小下流側排気ポート71aSと重なる場合に比べて、有効面積が大きくなる。よって、第1上流側排気ポート54aが第1大下流側排気ポート71aLと重なる場合、第1上流側排気ポート54aが第1小下流側排気ポート71aSと重なる場合に比べて、排気量が大きくなる。 As shown in FIGS. 17(a) and 17(b), the cross-sectional area of the first upstream exhaust port 54a of the blocking wall 54 is approximately equal to the first large downstream exhaust port 71aL, and It is larger than the exhaust port 71aS. Therefore, when the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first large downstream exhaust port 71aL, the effective area becomes larger than when the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first small downstream exhaust port 71aS. . Therefore, when the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first large downstream exhaust port 71aL, the displacement becomes larger than when the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first small downstream exhaust port 71aS. .

図17(a)及び図17(b)に示すように、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際に、制御装置101(制御部102)は、第1小下流側排気ポート71aS及び第1大下流側排気ポート71aLの一方に第1上流側排気ポート54aを重ねる。同様に、処理液から発生したガスを第2ダクト部材74の内側空間に流入させる際に、制御装置101(制御部102)は、第2小下流側排気ポート71bS及び第2大下流側排気ポート71bLの一方に第2上流側排気ポート54bを重ね、処理液から発生したガスを第3ダクト部材75の内側空間に流入させる際に、制御装置101(制御部102)は、第3小下流側排気ポート71cS及び第3大下流側排気ポート71cLの一方に第3上流側排気ポート54cを重ねる。 As shown in FIGS. 17(a) and 17(b), when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the first duct member 73, the control device 101 (control unit 102) The first upstream exhaust port 54a is overlapped with one of the downstream exhaust port 71aS and the first large downstream exhaust port 71aL. Similarly, when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the second duct member 74, the control device 101 (control unit 102) controls the second small downstream exhaust port 71bS and the second large downstream exhaust port. 71bL, and when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the third duct member 75, the control device 101 (control unit 102) controls the third small downstream side exhaust port 54b. The third upstream exhaust port 54c is overlapped with one of the exhaust port 71cS and the third large downstream exhaust port 71cL.

以上、図16、図17(a)、及び図17(b)を参照して本発明の実施形態2について説明した。本実施形態によれば、第1下流側排気ポート71aは、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを含む。したがって、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる(選択することができる)。同様に、第2下流側排気ポート71bは、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを含み、第3下流側排気ポート71cは、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを含む。したがって、処理液から発生したガスを第2ダクト部材74の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる(選択することができる)。また、処理液から発生したガスを第3ダクト部材75の内側空間に流入させる際の排気量を切り替えることができる(選択することができる)。 Embodiment 2 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 16, 17(a), and 17(b). According to this embodiment, the first downstream exhaust port 71a includes two types of downstream exhaust ports that have different cross-sectional areas. Therefore, it is possible to switch (select) the exhaust amount when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the first duct member 73. Similarly, the second downstream exhaust port 71b includes two types of downstream exhaust ports with different cross-sectional areas, and the third downstream exhaust port 71c includes two types of downstream exhaust ports with different cross-sectional areas. . Therefore, it is possible to switch (select) the exhaust amount when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the second duct member 74. Furthermore, the amount of exhaust gas generated from the processing liquid flowing into the inner space of the third duct member 75 can be switched (selectable).

なお、本実施形態において、第1小下流側排気ポート71aS、第1大下流側排気ポート71aL、第2小下流側排気ポート71bS、第2大下流側排気ポート71bL、第3小下流側排気ポート71cS、及び第3大下流側排気ポート71cLは、上下方向における位置がこの順序で高くなったが、第1小下流側排気ポート71aS、第1大下流側排気ポート71aL、第2小下流側排気ポート71bS、第2大下流側排気ポート71bL、第3小下流側排気ポート71cS、及び第3大下流側排気ポート71cLの配置順序は、この順序に限定されない。第1小下流側排気ポート71aS、第1大下流側排気ポート71aL、第2小下流側排気ポート71bS、第2大下流側排気ポート71bL、第3小下流側排気ポート71cS、及び第3大下流側排気ポート71cLは、上下方向において互いに異なる位置に設けられていればよい。 In this embodiment, the first small downstream exhaust port 71aS, the first large downstream exhaust port 71aL, the second small downstream exhaust port 71bS, the second large downstream exhaust port 71bL, and the third small downstream exhaust port 71cS and the third large downstream exhaust port 71cL are located higher in the vertical direction in this order, but the first small downstream exhaust port 71aS, the first large downstream exhaust port 71aL, and the second small downstream exhaust port The arrangement order of the port 71bS, the second large downstream exhaust port 71bL, the third small downstream exhaust port 71cS, and the third large downstream exhaust port 71cL is not limited to this order. First small downstream exhaust port 71aS, first large downstream exhaust port 71aL, second small downstream exhaust port 71bS, second large downstream exhaust port 71bL, third small downstream exhaust port 71cS, and third large downstream The side exhaust ports 71cL may be provided at different positions in the vertical direction.

また、本実施形態では、第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b、及び第3下流側排気ポート71cの全てが、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを有したが、第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b、及び第3下流側排気ポート71cのうちの1つ又は2つが、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを有してもよい。 Furthermore, in this embodiment, the first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c all have two types of downstream exhaust ports having different cross-sectional areas. However, one or two of the first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c have two types of downstream exhaust ports having different cross-sectional areas. It's okay.

また、本実施形態において、第1下流側排気ポート71aは、互いに断面積が異なる2種類の下流側排気ポートを有したが、第1下流側排気ポート71aは、互いに断面積が異なる3種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。第2下流側排気ポート71bも同様に、互いに断面積が異なる3種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。同様に、第3下流側排気ポート71cは、互いに断面積が異なる3種類以上の下流側排気ポートを有してもよい。 Further, in the present embodiment, the first downstream exhaust port 71a has two types of downstream exhaust ports having different cross-sectional areas, but the first downstream exhaust port 71a has three or more types having different cross-sectional areas. It may have a downstream exhaust port. Similarly, the second downstream exhaust port 71b may include three or more types of downstream exhaust ports having mutually different cross-sectional areas. Similarly, the third downstream exhaust port 71c may include three or more types of downstream exhaust ports having mutually different cross-sectional areas.

[実施形態3]
続いて図18(a)及び図18(b)を参照して本発明の実施形態3について説明する。但し、実施形態1、2と異なる事項を説明し、実施形態1、2と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態3は、第2ガード部5bの動作が実施形態1、2と異なる。
[Embodiment 3]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 18(a) and 18(b). However, matters that are different from Embodiments 1 and 2 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 and 2 will be omitted. The third embodiment differs from the first and second embodiments in the operation of the second guard portion 5b.

図18(a)及び図18(b)は、第2ガード部5bの動作を示す図である。図18(a)及び図18(b)に示すように、制御装置101(制御部102)は、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際に、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとが重なる面積(有効面積)を調整して排気量を調整する。 FIGS. 18(a) and 18(b) are diagrams showing the operation of the second guard portion 5b. As shown in FIGS. 18(a) and 18(b), when the control device 101 (control unit 102) causes the gas generated from the processing liquid to flow into the inner space of the first duct member 73, The exhaust amount is adjusted by adjusting the area (effective area) where the side exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a overlap.

具体的には、図18(a)に示すように、制御装置101は、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際に、第1下流側排気ポート71aの上下方向における位置に対して、第1上流側排気ポート54aの上下方向における位置が一致するように、第1上流側排気ポート54aを第1下流側排気ポート71aに重ねる。このとき、排気量は最大となる。あるいは、図18(b)に示すように、制御装置101は、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際に、第1下流側排気ポート71aの上下方向における位置に対して、第1上流側排気ポート54aの上下方向における位置がずれるように、第1上流側排気ポート54aを第1下流側排気ポート71aに重ねる。このとき、排気量は、最大の排気量よりも少ない量となる。 Specifically, as shown in FIG. 18(a), the control device 101 controls the upper and lower portions of the first downstream exhaust port 71a when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the first duct member 73. The first upstream exhaust port 54a overlaps the first downstream exhaust port 71a such that the position of the first upstream exhaust port 54a in the vertical direction matches the position in the vertical direction. At this time, the displacement becomes maximum. Alternatively, as shown in FIG. 18(b), the control device 101 controls the position of the first downstream exhaust port 71a in the vertical direction when the gas generated from the processing liquid flows into the inner space of the first duct member 73. In contrast, the first upstream exhaust port 54a is overlapped with the first downstream exhaust port 71a such that the position of the first upstream exhaust port 54a in the vertical direction is shifted. At this time, the displacement amount is smaller than the maximum displacement amount.

同様に、制御装置101(制御部102)は、処理液から発生したガスを第2ダクト部材74の内側空間に流入させる際に、第2上流側排気ポート54bと第2下流側排気ポート71bとが重なる面積(有効面積)を調整して排気量を調整する。また、制御装置101(制御部102)は、処理液から発生したガスを第3ダクト部材75の内側空間に流入させる際に、第3上流側排気ポート54cと第3下流側排気ポート71cとが重なる面積(有効面積)を調整して排気量を調整する。 Similarly, the control device 101 (control unit 102) controls the second upstream exhaust port 54b and the second downstream exhaust port 71b when causing the gas generated from the processing liquid to flow into the inner space of the second duct member 74. The displacement is adjusted by adjusting the area where the two overlap (effective area). Furthermore, when the control device 101 (control unit 102) causes the gas generated from the processing liquid to flow into the inner space of the third duct member 75, the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c are configured to Adjust the displacement by adjusting the overlapping area (effective area).

以上、図18(a)及び図18(b)を参照して本発明の実施形態3について説明した。本実施形態によれば、処理液から発生したガスを第1ダクト部材73の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。同様に、処理液から発生したガスを第2ダクト部材74の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。また、処理液から発生したガスを第3ダクト部材75の内側空間に流入させる際の排気量を調整することができる。 Embodiment 3 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 18(a) and 18(b). According to this embodiment, the amount of exhaust gas generated from the processing liquid flowing into the inner space of the first duct member 73 can be adjusted. Similarly, the amount of exhaust gas generated from the processing liquid flowing into the inner space of the second duct member 74 can be adjusted. Further, the amount of exhaust gas generated from the processing liquid flowing into the inner space of the third duct member 75 can be adjusted.

なお、本実施形態では、第1ダクト部材73の内側空間にガスを流入させる際の排気量、第2ダクト部材74の内側空間にガスを流入させる際の排気量、及び第3ダクト部材75の内側空間にガスを流入させる際の排気量を調整したが、これらの排気量のうちの1つ又は2つの排気量が調整されてもよい。 In addition, in this embodiment, the displacement amount when gas flows into the inner space of the first duct member 73, the displacement amount when gas flows into the inner space of the second duct member 74, and the displacement amount when the gas flows into the inner space of the third duct member 75. Although the exhaust volume when gas flows into the inner space has been adjusted, one or two of these exhaust volumes may be adjusted.

[実施形態4]
続いて図19~図28を参照して本発明の実施形態4について説明する。但し、実施形態1~3と異なる事項を説明し、実施形態1~3と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態4は、排気部7の側壁71が実施形態1~3と異なる。
[Embodiment 4]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 to 28. However, matters that are different from Embodiments 1 to 3 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 3 will be omitted. The fourth embodiment is different from the first to third embodiments in the side wall 71 of the exhaust section 7.

図19は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図19は、図3を参照して説明した第1状態における処理ユニット1を示す。 FIG. 19 is a diagram schematically showing a cross section of a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 19 shows the processing unit 1 in the first state described with reference to FIG.

図19に示すように、第1下流側排気ポート71aは、第1下層下流側排気ポート71a1と、第1上層下流側排気ポート71a2とを含む。第1下層下流側排気ポート71a1と、第1上層下流側排気ポート71a2とは、上下方向に並べて設けられている。具体的には、第1上層下流側排気ポート71a2が、第1下層下流側排気ポート71a1よりも上方に設けられている。 As shown in FIG. 19, the first downstream exhaust port 71a includes a first lower downstream exhaust port 71a1 and a first upper downstream exhaust port 71a2. The first lower downstream exhaust port 71a1 and the first upper downstream exhaust port 71a2 are arranged side by side in the vertical direction. Specifically, the first upper downstream exhaust port 71a2 is provided above the first lower downstream exhaust port 71a1.

図19に示すように、第1状態において、第1下層下流側排気ポート71a1は、第1上流側排気ポート54aと重なる。一方、第1上層下流側排気ポート71a2は、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第2カップ部53の内側空間は、第1上流側排気ポート54a及び第1下層下流側排気ポート71a1を介して、第1ダクト部材73の内側空間と連通する。 As shown in FIG. 19, in the first state, the first lower downstream exhaust port 71a1 overlaps the first upstream exhaust port 54a. On the other hand, the first upper downstream exhaust port 71a2 overlaps the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, the inner space of the second cup portion 53 communicates with the inner space of the first duct member 73 via the first upstream exhaust port 54a and the first lower downstream exhaust port 71a1.

続いて図20を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について説明する。図20は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の展開図である。詳しくは、図20は、第1状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, with reference to FIG. 20, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be explained. FIG. 20 is a developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 20 shows the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the first state.

図20に示すように、第2下流側排気ポート71bは、第2下層下流側排気ポート71b1と、第2上層下流側排気ポート71b2とを含む。換言すると、側壁71は、第1下層下流側排気ポート71a1と、第1上層下流側排気ポート71a2と、第2下層下流側排気ポート71b1と、第2上層下流側排気ポート71b2と、第3下流側排気ポート71cとを有する。第2下層下流側排気ポート71b1と、第2上層下流側排気ポート71b2とは、上下方向に並べて設けられている。具体的には、第2上層下流側排気ポート71b2が、第2下層下流側排気ポート71b1よりも上方に設けられている。 As shown in FIG. 20, the second downstream exhaust port 71b includes a second lower downstream exhaust port 71b1 and a second upper downstream exhaust port 71b2. In other words, the side wall 71 includes a first lower downstream exhaust port 71a1, a first upper downstream exhaust port 71a2, a second lower downstream exhaust port 71b1, a second upper downstream exhaust port 71b2, and a third downstream exhaust port 71a1. It has a side exhaust port 71c. The second lower downstream exhaust port 71b1 and the second upper downstream exhaust port 71b2 are arranged side by side in the vertical direction. Specifically, the second upper downstream exhaust port 71b2 is provided above the second lower downstream exhaust port 71b1.

第1下層下流側排気ポート71a1、第2下層下流側排気ポート71b1、第3下流側排気ポート71c、第2上層下流側排気ポート71b2、及び第1上層下流側排気ポート71a2は、上下方向において互いに異なる位置に設けられている。本実施形態において、第1下層下流側排気ポート71a1、第2下層下流側排気ポート71b1、第3下流側排気ポート71c、第2上層下流側排気ポート71b2、及び第1上層下流側排気ポート71a2は、上下方向における位置がこの順序で高くなる。 The first lower downstream exhaust port 71a1, the second lower downstream exhaust port 71b1, the third downstream exhaust port 71c, the second upper downstream exhaust port 71b2, and the first upper downstream exhaust port 71a2 are mutually arranged in the vertical direction. located in different locations. In this embodiment, the first lower downstream exhaust port 71a1, the second lower downstream exhaust port 71b1, the third downstream exhaust port 71c, the second upper downstream exhaust port 71b2, and the first upper downstream exhaust port 71a2 are , the position in the vertical direction increases in this order.

図20に示すように、第1状態において、第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1と重なり、第1上層下流側排気ポート71a2と重ならない。第1上層下流側排気ポート71a2は、遮断壁部54と重なる。第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第1状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。なお、図20において、斜線は、第1上流側排気ポート54aと第1下層下流側排気ポート71a1とが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 20, in the first state, the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first lower downstream exhaust port 71a1 and does not overlap with the first upper downstream exhaust port 71a2. The first upper downstream exhaust port 71a2 overlaps the blocking wall portion 54. The second upstream exhaust port 54b does not overlap with either the second lower downstream exhaust port 71b1 or the second upper downstream exhaust port 71b2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. The third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, in the first state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the first duct member 73 among the first to third duct members 73 to 75. Note that in FIG. 20, diagonal lines indicate that the first upstream exhaust port 54a and the first lower downstream exhaust port 71a1 overlap.

続いて図19を参照して、第1状態におけるガスの流れについて説明する。図20を参照して説明したように、第1状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。したがって、図19に示すように、第1状態において、第1処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第1上流側排気ポート54a及び第1下層下流側排気ポート71a1を介して、第1ダクト部材73の内側空間に流入する。 Next, with reference to FIG. 19, the flow of gas in the first state will be described. As described with reference to FIG. 20, in the first state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the first duct member 73 among the first to third duct members 73 to 75. Therefore, as shown in FIG. 19, in the first state, gas generated from the first processing liquid is transferred from the inner space of the second cup portion 53 to the first upstream exhaust port 54a and the first lower downstream exhaust port 71a1. It flows into the inner space of the first duct member 73 through the.

続いて図21及び図22を参照して、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1について更に説明する。図21は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図21は、図7を参照して説明した第2状態における処理ユニット1を示す。図22は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図22は、第2状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, with reference to FIGS. 21 and 22, the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described. FIG. 21 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 21 shows the processing unit 1 in the second state described with reference to FIG. FIG. 22 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 22 shows the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the second state.

図21及び図22に示すように、第2状態において、第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1と重なり、第2上層下流側排気ポート71b2と重ならない。第2上層下流側排気ポート71b2は、遮断壁部54と重なる。第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第2状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。なお、図22において、斜線は、第2上流側排気ポート54bと第2下層下流側排気ポート71b1とが重なっていることを示している。 As shown in FIGS. 21 and 22, in the second state, the second upstream exhaust port 54b overlaps with the second lower downstream exhaust port 71b1 and does not overlap with the second upper downstream exhaust port 71b2. The second upper downstream exhaust port 71b2 overlaps the blocking wall portion 54. The first upstream exhaust port 54a does not overlap with either the first lower downstream exhaust port 71a1 or the first upper downstream exhaust port 71a2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. The third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, in the second state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the second duct member 74 among the first to third duct members 73 to 75. Note that in FIG. 22, diagonal lines indicate that the second upstream exhaust port 54b and the second lower downstream exhaust port 71b1 overlap.

したがって、図21に示すように、第2状態において、第2処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第2上流側排気ポート54b及び第2下層下流側排気ポート71b1を介して、第2ダクト部材74の内側空間に流入する。 Therefore, as shown in FIG. 21, in the second state, gas generated from the second processing liquid is transferred from the inner space of the second cup portion 53 to the second upstream exhaust port 54b and the second lower downstream exhaust port 71b1. The liquid flows into the inner space of the second duct member 74 through.

続いて図23及び図24を参照して、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1について更に説明する。図23は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図23は、図11を参照して説明した第3状態における処理ユニット1を示す。図24は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図24は、第3状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, with reference to FIGS. 23 and 24, the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described. FIG. 23 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 23 shows the processing unit 1 in the third state described with reference to FIG. 11. FIG. 24 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 24 shows the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the third state.

図23及び図24に示すように、第3状態において、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重なる。一方、第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。同様に、第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第3状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第3ダクト部材75とのみ連通する。なお、図24において、斜線は、第3上流側排気ポート54cと第3下流側排気ポート71cとが重なっていることを示している。 As shown in FIGS. 23 and 24, in the third state, the third upstream exhaust port 54c overlaps the third downstream exhaust port 71c. On the other hand, the first upstream exhaust port 54a does not overlap with either the first lower downstream exhaust port 71a1 or the first upper downstream exhaust port 71a2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Similarly, the second upstream exhaust port 54b does not overlap with either the second lower downstream exhaust port 71b1 or the second upper downstream exhaust port 71b2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, in the third state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the third duct member 75 among the first to third duct members 73 to 75. Note that in FIG. 24, diagonal lines indicate that the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c overlap.

したがって、図23に示すように、第3状態において、第3処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第3上流側排気ポート54c及び第3下流側排気ポート71cを介して、第3ダクト部材75の内側空間に流入する。 Therefore, as shown in FIG. 23, in the third state, gas generated from the third processing liquid flows from the inner space of the second cup portion 53 to the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c. It flows into the inner space of the third duct member 75 through the air.

続いて図25を参照して、ガード部5を説明する。図25は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。図25に示すように、ガード部5は、第3状態から更に上昇する。具体的には、第1ガード51は、液受け位置から更に上昇して、液受け位置よりも上方の第1上昇位置に配置される。第1カップ部52及び第2カップ部53も同様に、液受け位置から更に上昇して、液受け位置よりも上方の第1上昇位置に配置される。換言すると、ガード部5は、第1上昇位置に配置される。以下、ガード部5が第1上昇位置に配置されている状態を、「第4状態」と記載する場合がある。第4状態では、第3ガード531が処理液を受け止める。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIG. 25. FIG. 25 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. As shown in FIG. 25, the guard portion 5 further rises from the third state. Specifically, the first guard 51 further rises from the liquid receiving position and is disposed at a first raised position above the liquid receiving position. Similarly, the first cup part 52 and the second cup part 53 are further raised from the liquid receiving position and are arranged at the first raised position above the liquid receiving position. In other words, the guard part 5 is arranged at the first raised position. Hereinafter, the state in which the guard portion 5 is disposed at the first raised position may be referred to as a "fourth state." In the fourth state, the third guard 531 receives the processing liquid.

続いて図26を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について説明する。図26は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図26は、第4状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, with reference to FIG. 26, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be explained. FIG. 26 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 26 shows the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the fourth state.

図26に示すように、第4状態において、第2上流側排気ポート54bは、第2上層下流側排気ポート71b2と重なり、第2下層下流側排気ポート71b1と重ならない。第2下層下流側排気ポート71b1は、遮断壁部54と重なる。第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第4状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。なお、図26において、斜線は、第2上流側排気ポート54bと第2上層下流側排気ポート71b2とが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 26, in the fourth state, the second upstream exhaust port 54b overlaps with the second upper downstream exhaust port 71b2 and does not overlap with the second lower downstream exhaust port 71b1. The second lower downstream exhaust port 71b1 overlaps with the blocking wall portion 54. The first upstream exhaust port 54a does not overlap with either the first lower downstream exhaust port 71a1 or the first upper downstream exhaust port 71a2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. The third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, in the fourth state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the second duct member 74 among the first to third duct members 73 to 75. Note that in FIG. 26, diagonal lines indicate that the second upstream exhaust port 54b and the second upper downstream exhaust port 71b2 overlap.

続いて図25を参照して、第4状態におけるガスの流れについて説明する。図26を参照して説明したように、第4状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。したがって、図25に示すように、第4状態において、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第2上流側排気ポート54b及び第2上層下流側排気ポート71b2を介して、第2ダクト部材74の内側空間に流入する。 Next, with reference to FIG. 25, the flow of gas in the fourth state will be described. As described with reference to FIG. 26, in the fourth state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the second duct member 74 among the first to third duct members 73 to 75. Therefore, as shown in FIG. 25, in the fourth state, the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving part 533 are The air flows from the inner space of the portion 53 into the inner space of the second duct member 74 via the second upstream exhaust port 54b and the second upper downstream exhaust port 71b2.

続いて図27を参照して、ガード部5を説明する。図27は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。図27に示すように、ガード部5は、第1上昇位置(第4状態)から更に上昇する。具体的には、第1ガード51は、第1上昇位置から更に上昇して、第1上昇位置よりも上方の第2上昇位置に配置される。第1カップ部52及び第2カップ部53も同様に、第1上昇位置から更に上昇して、第1上昇位置よりも上方の第2上昇位置に配置される。換言すると、ガード部5は、第2上昇位置に配置される。以下、ガード部5が第2上昇位置に配置されている状態を、「第5状態」と記載する場合がある。第5状態では、第3ガード531が処理液を受け止める。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIG. 27. FIG. 27 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. As shown in FIG. 27, the guard portion 5 further rises from the first raised position (fourth state). Specifically, the first guard 51 further rises from the first raised position and is disposed at a second raised position above the first raised position. Similarly, the first cup part 52 and the second cup part 53 are further raised from the first raised position and are arranged at a second raised position above the first raised position. In other words, the guard part 5 is arranged at the second raised position. Hereinafter, the state in which the guard portion 5 is disposed at the second raised position may be referred to as a "fifth state". In the fifth state, the third guard 531 receives the processing liquid.

続いて図28を参照して、第2ガード部5b及び排気部7について説明する。図28は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の別の展開図である。詳しくは、図28は、第5状態における第2ガード部5b及び排気部7を示す。 Next, with reference to FIG. 28, the second guard part 5b and the exhaust part 7 will be explained. FIG. 28 is another developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 28 shows the second guard part 5b and the exhaust part 7 in the fifth state.

図28に示すように、第5状態において、第1上流側排気ポート54aは、第1上層下流側排気ポート71a2と重なり、第1下層下流側排気ポート71a1と重ならない。第1下層下流側排気ポート71a1は、遮断壁部54と重なる。第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。したがって、第5状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。なお、図28において、斜線は、第1上流側排気ポート54aと第1上層下流側排気ポート71a2とが重なっていることを示している。 As shown in FIG. 28, in the fifth state, the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first upper downstream exhaust port 71a2 and does not overlap with the first lower downstream exhaust port 71a1. The first lower downstream exhaust port 71a1 overlaps the blocking wall portion 54. The second upstream exhaust port 54b does not overlap with either the second lower downstream exhaust port 71b1 or the second upper downstream exhaust port 71b2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. The third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Therefore, in the fifth state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the first duct member 73 among the first to third duct members 73 to 75. Note that in FIG. 28, diagonal lines indicate that the first upstream exhaust port 54a and the first upper downstream exhaust port 71a2 overlap.

続いて図27を参照して、第5状態におけるガスの流れについて説明する。図28を参照して説明したように、第5状態において、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。したがって、図27に示すように、第5状態において、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第1上流側排気ポート54a及び第1上層下流側排気ポート71a2を介して、第1ダクト部材73の内側空間に流入する。 Next, with reference to FIG. 27, the flow of gas in the fifth state will be described. As described with reference to FIG. 28, in the fifth state, the inner space of the second cup portion 53 communicates only with the first duct member 73 among the first to third duct members 73 to 75. Therefore, as shown in FIG. 27, in the fifth state, the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving part 533 are The air flows from the inner space of the portion 53 into the inner space of the first duct member 73 via the first upstream exhaust port 54a and the first upper downstream exhaust port 71a2.

以上、図19~図28を参照して本発明の実施形態4を説明した。本実施形態によれば、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスの排出先を、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75の間で切り替えることができる。 Embodiment 4 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 19 to 28. According to the present embodiment, the gas generated from the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the processing liquid accumulated in the third liquid receiving portion 533 is discharged from the first duct member 73 to the first duct member 73. It is possible to switch between the three duct members 75.

なお、本実施形態において、第1下層下流側排気ポート71a1、第2下層下流側排気ポート71b1、第3下流側排気ポート71c、第2上層下流側排気ポート71b2、及び第1上層下流側排気ポート71a2は、上下方向における位置がこの順序で高くなったが、第1下層下流側排気ポート71a1、第2下層下流側排気ポート71b1、第3下流側排気ポート71c、第2上層下流側排気ポート71b2、及び第1上層下流側排気ポート71a2の配置順序は、この順序に限定されない。第1下層下流側排気ポート71a1、第2下層下流側排気ポート71b1、第3下流側排気ポート71c、第2上層下流側排気ポート71b2、及び第1上層下流側排気ポート71a2は、上下方向において互いに異なる位置に設けられていればよい。 In this embodiment, the first lower downstream exhaust port 71a1, the second lower downstream exhaust port 71b1, the third downstream exhaust port 71c, the second upper downstream exhaust port 71b2, and the first upper downstream exhaust port 71a2 is located higher in the vertical direction in this order: first lower downstream exhaust port 71a1, second lower downstream exhaust port 71b1, third downstream exhaust port 71c, second upper downstream exhaust port 71b2. , and the first upper downstream exhaust port 71a2 are not limited to this order. The first lower downstream exhaust port 71a1, the second lower downstream exhaust port 71b1, the third downstream exhaust port 71c, the second upper downstream exhaust port 71b2, and the first upper downstream exhaust port 71a2 are mutually arranged in the vertical direction. It is sufficient if they are provided at different positions.

[実施形態5]
続いて図29~図34を参照して本発明の実施形態5について説明する。但し、実施形態1~4と異なる事項を説明し、実施形態1~4と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態5は、ガスが流通する経路が実施形態1~4と異なる。
[Embodiment 5]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 29 to 34. However, matters that are different from Embodiments 1 to 4 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 4 will be omitted. Embodiment 5 differs from Embodiments 1 to 4 in the route through which gas flows.

まず、図29、図30及び図32を参照して、排気部7を説明する。図29は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図29は、図3を参照して説明した第1状態における処理ユニット1を示す。図30は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図30は、図7を参照して説明した第2状態における処理ユニット1を示す。図32は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図32は、図11を参照して説明した第3状態における処理ユニット1を示す。 First, the exhaust section 7 will be explained with reference to FIGS. 29, 30, and 32. FIG. 29 is a diagram schematically showing a cross section of a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 29 shows the processing unit 1 in the first state described with reference to FIG. FIG. 30 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 30 shows the processing unit 1 in the second state described with reference to FIG. FIG. 32 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 32 shows the processing unit 1 in the third state described with reference to FIG. 11.

図29に示すように、第1下流側排気ポート71aは、第1下層下流側排気ポート71a1と、第1上層下流側排気ポート71a2とを含む。換言すると、排気部7の側壁71は、第1下層下流側排気ポート71a1と、第1上層下流側排気ポート71a2とを有する。図30に示すように、第2下流側排気ポート71bは、第2下層下流側排気ポート71b1と、第2上層下流側排気ポート71b2とを含む。換言すると、排気部7の側壁71は、第2下層下流側排気ポート71b1と、第2上層下流側排気ポート71b2とを有する。図32に示すように、排気部7の側壁71は、第3下流側排気ポート71cを有する。 As shown in FIG. 29, the first downstream exhaust port 71a includes a first lower downstream exhaust port 71a1 and a first upper downstream exhaust port 71a2. In other words, the side wall 71 of the exhaust section 7 has a first lower downstream exhaust port 71a1 and a first upper downstream exhaust port 71a2. As shown in FIG. 30, the second downstream exhaust port 71b includes a second lower downstream exhaust port 71b1 and a second upper downstream exhaust port 71b2. In other words, the side wall 71 of the exhaust section 7 has a second lower downstream exhaust port 71b1 and a second upper downstream exhaust port 71b2. As shown in FIG. 32, the side wall 71 of the exhaust section 7 has a third downstream exhaust port 71c.

続いて図29及び図30を参照して、ガード部5を説明する。図29及び図30に示すように、第2カップ部53の第3液受け部533は、排気部7の側壁71との間に隙間を形成する。より具体的には、排気部7の側壁71と第3液受け部533の内側の壁部との間に隙間が形成される。なお、第3液受け部533の内側の壁部は、第3液受け部533のうち、遮断壁部54の下端が接続する部分であり、遮断壁部54の下方に位置する。第3液受け部533の内側の壁部は、環状である。第3液受け部533の内側の壁部は、側壁71に対して傾斜している。具体的には、第3液受け部533の内側の壁部は、下側である程、側壁71から遠ざかるように、傾斜している。 Next, the guard portion 5 will be explained with reference to FIGS. 29 and 30. As shown in FIGS. 29 and 30, a gap is formed between the third liquid receiving portion 533 of the second cup portion 53 and the side wall 71 of the exhaust portion 7. As shown in FIGS. More specifically, a gap is formed between the side wall 71 of the exhaust part 7 and the inner wall part of the third liquid receiving part 533. Note that the inner wall portion of the third liquid receiving portion 533 is a portion of the third liquid receiving portion 533 to which the lower end of the blocking wall portion 54 is connected, and is located below the blocking wall portion 54 . The inner wall portion of the third liquid receiving portion 533 is annular. The inner wall portion of the third liquid receiving portion 533 is inclined with respect to the side wall 71. Specifically, the inner wall portion of the third liquid receiving portion 533 is inclined so that the lower the third liquid receiving portion 533 is, the farther it is from the side wall 71.

続いて図30及び図31を参照して、ガード部5を更に説明する。図31は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図31は、第2状態における処理ユニット1を示す。 Next, the guard portion 5 will be further explained with reference to FIGS. 30 and 31. FIG. 31 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. Specifically, FIG. 31 shows the processing unit 1 in the second state.

図31に示すように、第2ガード部5bは、閉塞部材534を有する。閉塞部材534は、棒状部材である。例えば、閉塞部材534は、円柱状であり得る。閉塞部材534は、周方向における位置が第1下流側排気ポート71a(第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2)と略一致している。閉塞部材534は、第2カップ部53から、排気部7の側壁71に向かって突出する。より具体的には、閉塞部材534は、第3液受け部533の内側の壁部に設けられる。 As shown in FIG. 31, the second guard portion 5b includes a closing member 534. As shown in FIG. The closing member 534 is a rod-shaped member. For example, the closure member 534 can be cylindrical. The position of the closing member 534 in the circumferential direction substantially coincides with the first downstream exhaust port 71a (the first lower downstream exhaust port 71a1 and the first upper downstream exhaust port 71a2). The closing member 534 protrudes from the second cup portion 53 toward the side wall 71 of the exhaust portion 7 . More specifically, the closing member 534 is provided on the inner wall of the third liquid receiving portion 533.

続いて図29を参照して、チャンバー2を説明する。図29に示すように、チャンバー2は、外壁22を有する。外壁22は、略筒状である。外壁22は、ガード部5を囲み、ガード部5との間に隙間を形成する。 Next, the chamber 2 will be explained with reference to FIG. 29. As shown in FIG. 29, the chamber 2 has an outer wall 22. As shown in FIG. The outer wall 22 has a substantially cylindrical shape. The outer wall 22 surrounds the guard part 5 and forms a gap therebetween.

続いて図29を参照して、第1状態におけるガスの流れについて説明する。図29に示すように、第1状態において、第1下層下流側排気ポート71a1は、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)に連通する。一方、第1上層下流側排気ポート71a2は、遮断壁部54と重なる。第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。なお、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2は、遮断壁部54と重なり、第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。第3下流側排気ポート71cは、遮断壁部54と重なり、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。 Next, with reference to FIG. 29, the flow of gas in the first state will be described. As shown in FIG. 29, in the first state, the first lower downstream exhaust port 71a1 communicates with the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving part 533. On the other hand, the first upper downstream exhaust port 71a2 overlaps the blocking wall portion 54. The first upstream exhaust port 54a does not overlap with either the first lower downstream exhaust port 71a1 or the first upper downstream exhaust port 71a2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Note that the second lower downstream exhaust port 71b1 and the second upper downstream exhaust port 71b2 overlap the blocking wall 54, and the second upstream exhaust port 54b overlaps the second lower downstream exhaust port 71b1 and the second upper downstream exhaust port 71b2. It does not overlap with any of the side exhaust ports 71b2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. The third downstream exhaust port 71c overlaps with the blocking wall 54, and the third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. .

したがって、図29に示すように、第1状態において、第1ガード51の内面51cに付着した処理液、及び、第1液受け部522に溜まっている処理液から発生するガスは、チャンバー2の外壁22とガード部5との間の隙間(空間)に流入した後、チャンバー2の底壁21とガード部5との間の隙間(空間)に流入する。第1状態において、チャンバー2の底壁21とガード部5との間の隙間(空間)は、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)に連通している。よって、ガスは、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)から、第1下層下流側排気ポート71a1を介して、第1ダクト部材73の内側空間に流入する。 Therefore, as shown in FIG. 29, in the first state, the processing liquid adhering to the inner surface 51c of the first guard 51 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the first liquid receiving part 522 are removed from the chamber 2. After flowing into the gap (space) between the outer wall 22 and the guard part 5, it flows into the gap (space) between the bottom wall 21 of the chamber 2 and the guard part 5. In the first state, the gap (space) between the bottom wall 21 of the chamber 2 and the guard part 5 communicates with the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving part 533. Therefore, gas flows into the inner space of the first duct member 73 from the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving portion 533 via the first lower downstream exhaust port 71a1.

続いて図30及び図31を参照して、第2状態におけるガスの流れについて説明する。図30に示すように、第2状態において、第2下層下流側排気ポート71b1は、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)に連通する。一方、第2上層下流側排気ポート71b2は、遮断壁部54と重なる。第2上流側排気ポート54bは、第2下層下流側排気ポート71b1及び第2上層下流側排気ポート71b2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。 Next, the flow of gas in the second state will be described with reference to FIGS. 30 and 31. As shown in FIG. 30, in the second state, the second lower downstream exhaust port 71b1 communicates with the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving part 533. On the other hand, the second upper downstream exhaust port 71b2 overlaps the blocking wall portion 54. The second upstream exhaust port 54b does not overlap with either the second lower downstream exhaust port 71b1 or the second upper downstream exhaust port 71b2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7.

また、図31に示すように、第2状態において、第1下層下流側排気ポート71a1は、閉塞部材534と重なる。この結果、第1下層下流側排気ポート71a1は、閉塞部材534によって閉塞される。第1上層下流側排気ポート71a2は、遮断壁部54と重なる。第1上流側排気ポート54aは、第1下層下流側排気ポート71a1及び第1上層下流側排気ポート71a2のいずれとも重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。なお、第3下流側排気ポート71cは、遮断壁部54と重なり、第3上流側排気ポート54cは、第3下流側排気ポート71cと重ならず、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。 Further, as shown in FIG. 31, in the second state, the first lower downstream exhaust port 71a1 overlaps with the closing member 534. As a result, the first lower downstream exhaust port 71a1 is closed by the closing member 534. The first upper downstream exhaust port 71a2 overlaps the blocking wall portion 54. The first upstream exhaust port 54a does not overlap with either the first lower downstream exhaust port 71a1 or the first upper downstream exhaust port 71a2, but overlaps with the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Note that the third downstream exhaust port 71c overlaps with the blocking wall 54, the third upstream exhaust port 54c does not overlap with the third downstream exhaust port 71c, and the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7 overlaps with

したがって、図30に示すように、第2状態において、第2ガード521の内面521cに付着した処理液、及び、第2液受け部532に溜まっている処理液から発生するガスは、チャンバー2の外壁22とガード部5との間の隙間(空間)に流入した後、チャンバー2の底壁21とガード部5との間の隙間(空間)に流入する。第2状態において、チャンバー2の底壁21とガード部5との間の隙間(空間)は、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)に連通している。よって、ガスは、側壁71と第3液受け部533との間の隙間(空間)から、第2下層下流側排気ポート71b1を介して、第2ダクト部材74の内側空間に流入する。 Therefore, in the second state, as shown in FIG. After flowing into the gap (space) between the outer wall 22 and the guard part 5, it flows into the gap (space) between the bottom wall 21 of the chamber 2 and the guard part 5. In the second state, the gap (space) between the bottom wall 21 of the chamber 2 and the guard part 5 communicates with the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving part 533. Therefore, gas flows into the inner space of the second duct member 74 from the gap (space) between the side wall 71 and the third liquid receiving portion 533 via the second lower downstream exhaust port 71b1.

続いて図32を参照して、第3状態におけるガスの流れについて説明する。図32に示すように、第3状態では、第3上流側排気ポート54cが第3下流側排気ポート71cと重なり、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第3ダクト部材75とのみ連通する。したがって、図32に示すように、第3状態において、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第3上流側排気ポート54c及び第3下流側排気ポート71cを介して、第3ダクト部材75の内側空間に流入する。 Next, with reference to FIG. 32, the flow of gas in the third state will be described. As shown in FIG. 32, in the third state, the third upstream exhaust port 54c overlaps the third downstream exhaust port 71c, and the inner space of the second cup portion 53 is connected to the first duct member 73 to the third duct member. 75, only the third duct member 75 communicates with the third duct member 75. Therefore, as shown in FIG. 32, in the third state, the processing liquid adhering to the inner surface 531b of the third guard 531 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving part 533 are removed from the second cup. The air flows from the inner space of the portion 53 into the inner space of the third duct member 75 via the third upstream exhaust port 54c and the third downstream exhaust port 71c.

続いて図33を参照して、図25を参照して説明した第4状態におけるガスの流れについて説明する。図33は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図33は、第4状態における処理ユニット1を示す。 Next, with reference to FIG. 33, the flow of gas in the fourth state described with reference to FIG. 25 will be described. FIG. 33 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. Specifically, FIG. 33 shows the processing unit 1 in the fourth state.

図33に示すように、第4状態では、第2上流側排気ポート54bが第2上層下流側排気ポート71b2と重なり、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第2ダクト部材74とのみ連通する。したがって、図33に示すように、第4状態において、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第2上流側排気ポート54b及び第2上層下流側排気ポート71b2を介して、第2ダクト部材74の内側空間に流入する。 As shown in FIG. 33, in the fourth state, the second upstream exhaust port 54b overlaps the second upper downstream exhaust port 71b2, and the inner space of the second cup portion 53 is connected to the first duct member 73 to the third duct member 73. Of the members 75, only the second duct member 74 communicates. Therefore, as shown in FIG. 33, in the fourth state, the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving part 533 are The air flows from the inner space of the portion 53 into the inner space of the second duct member 74 via the second upstream exhaust port 54b and the second upper downstream exhaust port 71b2.

続いて図34を参照して、図27を参照して説明した第5状態におけるガスの流れについて説明する。図34は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図34は、第5状態における処理ユニット1を示す。 Next, with reference to FIG. 34, the flow of gas in the fifth state described with reference to FIG. 27 will be described. FIG. 34 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. Specifically, FIG. 34 shows the processing unit 1 in the fifth state.

図34に示すように、第5状態では、第1上流側排気ポート54aが第1上層下流側排気ポート71a2と重なり、第2カップ部53の内側空間は、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75のうち、第1ダクト部材73とのみ連通する。したがって、図34に示すように、第5状態において、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスは、第2カップ部53の内側空間から、第1上流側排気ポート54a及び第1上層下流側排気ポート71a2を介して、第1ダクト部材73の内側空間に流入する。 As shown in FIG. 34, in the fifth state, the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first upper downstream exhaust port 71a2, and the inner space of the second cup portion 53 is connected to the first duct member 73 to the third duct member 73. Of the members 75, only the first duct member 73 communicates. Therefore, as shown in FIG. 34, in the fifth state, the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving part 533 are The air flows from the inner space of the portion 53 into the inner space of the first duct member 73 via the first upstream exhaust port 54a and the first upper downstream exhaust port 71a2.

以上、図29~図34を参照して本発明の実施形態5を説明した。本実施形態によれば、第3ガード531の内面531bに付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスの排出先を、第1ダクト部材73~第3ダクト部材75の間で切り替えることができる。 Embodiment 5 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 29 to 34. According to the present embodiment, the gas generated from the processing liquid attached to the inner surface 531b of the third guard 531 and the processing liquid accumulated in the third liquid receiving portion 533 is discharged from the first duct member 73 to the first duct member 73. It is possible to switch between the three duct members 75.

[実施形態6]
続いて図35~図38を参照して本発明の実施形態6について説明する。但し、実施形態1~5と異なる事項を説明し、実施形態1~5と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態6は、処理ユニット1が開閉部54Aを備える点で実施形態1~5と異なる。
[Embodiment 6]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 35 to 38. However, matters that are different from Embodiments 1 to 5 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 5 will be omitted. Embodiment 6 differs from Embodiments 1 to 5 in that the processing unit 1 includes an opening/closing section 54A.

まず図35~図37を参照して本実施形態の基板処理装置100を説明する。図35は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部の断面を模式的に示す図である。図36は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の他の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図35は、図3を参照して説明した第1状態における処理ユニット1を示す。図36は、図11を参照して説明した第3状態における処理ユニット1を示す。 First, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 35 to 37. FIG. 35 is a diagram schematically showing a cross section of a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. FIG. 36 is a diagram schematically showing a cross section of another part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 35 shows the processing unit 1 in the first state described with reference to FIG. FIG. 36 shows the processing unit 1 in the third state described with reference to FIG. 11.

図35に示すように、処理ユニット1は、開閉部54Aを備える。開閉部54Aは、ガード部5と排気部7との間に配置される。具体的には、開閉部54Aは、第2カップ部53の内側に配置される。実施形態6における第2カップ部53は、第3液受け部533及び遮断壁部54を有していない。本実施形態において、第2カップ部53の第3ガード531は、第1円筒部535a、第2円筒部535b、及び連結部535cを有する。 As shown in FIG. 35, the processing unit 1 includes an opening/closing section 54A. The opening/closing part 54A is arranged between the guard part 5 and the exhaust part 7. Specifically, the opening/closing part 54A is arranged inside the second cup part 53. The second cup portion 53 in the sixth embodiment does not have the third liquid receiving portion 533 and the blocking wall portion 54. In this embodiment, the third guard 531 of the second cup portion 53 includes a first cylindrical portion 535a, a second cylindrical portion 535b, and a connecting portion 535c.

第1円筒部535aは、略筒形状を有する。第1円筒部535aは、基板Wから飛散する処理液を受け止める。具体的には、上下方向における第1円筒部535aの上部は、回転軸線AXに向かって上方に傾斜している。また、第1円筒部535aの中央部及び下部は、略鉛直方向に延びる。第2カップ部53の第2液受け部532は、第1円筒部535aから外方に突出する。 The first cylindrical portion 535a has a substantially cylindrical shape. The first cylindrical portion 535a receives the processing liquid scattered from the substrate W. Specifically, the upper portion of the first cylindrical portion 535a in the vertical direction is inclined upward toward the rotation axis AX. Further, the center and lower portions of the first cylindrical portion 535a extend substantially vertically. The second liquid receiving portion 532 of the second cup portion 53 projects outward from the first cylindrical portion 535a.

第2円筒部535bは、略筒形状を有する。具体的には、第2円筒部535bは、略鉛直方向に延びる。第2円筒部535bは、第1円筒部535aの内側に、第1円筒部535aから離れて配置される。 The second cylindrical portion 535b has a substantially cylindrical shape. Specifically, the second cylindrical portion 535b extends substantially vertically. The second cylindrical portion 535b is arranged inside the first cylindrical portion 535a and away from the first cylindrical portion 535a.

連結部535cは、第1円筒部535aと第2円筒部535bとを連結する。連結部535cは、環状である。本実施形態において、連結部535cは、第1円筒部535aの内面から内側に突出して、第2円筒部535bの上端に接続する。より詳しくは、連結部535cは、鉛直方向に対して斜め下方に傾斜している。 The connecting portion 535c connects the first cylindrical portion 535a and the second cylindrical portion 535b. The connecting portion 535c is annular. In this embodiment, the connecting portion 535c protrudes inward from the inner surface of the first cylindrical portion 535a and connects to the upper end of the second cylindrical portion 535b. More specifically, the connecting portion 535c is inclined diagonally downward with respect to the vertical direction.

開閉部54Aは、略筒形状を有する。開閉部54Aは、実施形態1において説明した遮断壁部54を有する。また、開閉部54Aは、底壁55と、外壁56とを有する。遮断壁部54は、図4及び図5を参照して説明した第1上流側排気ポート54a~第3上流側排気ポート54cを有する。 The opening/closing portion 54A has a substantially cylindrical shape. The opening/closing section 54A has the blocking wall section 54 described in the first embodiment. Moreover, the opening/closing part 54A has a bottom wall 55 and an outer wall 56. The blocking wall portion 54 has the first upstream exhaust port 54a to the third upstream exhaust port 54c described with reference to FIGS. 4 and 5.

開閉部54Aの底壁55は、遮断壁部54の下端に接続する。開閉部54Aの底壁55は、環状であり、遮断壁部54の下端から外方に拡がる。開閉部54Aの外壁56は、開閉部54Aの底壁55の外側の縁部に接続する。開閉部54Aの外壁56は、環状であり、底壁55の外側の縁部から略上方向に延びる。開閉部54Aの外壁56は、第2カップ部53の内側に配置される。具体的には、開閉部54Aの外壁56は、第1円筒部535aと第2円筒部535bとの間の隙間に配置される。 The bottom wall 55 of the opening/closing section 54A is connected to the lower end of the blocking wall section 54. The bottom wall 55 of the opening/closing portion 54A is annular and extends outward from the lower end of the blocking wall portion 54. The outer wall 56 of the opening/closing part 54A is connected to the outer edge of the bottom wall 55 of the opening/closing part 54A. The outer wall 56 of the opening/closing portion 54A is annular and extends substantially upward from the outer edge of the bottom wall 55. The outer wall 56 of the opening/closing part 54A is arranged inside the second cup part 53. Specifically, the outer wall 56 of the opening/closing part 54A is arranged in the gap between the first cylindrical part 535a and the second cylindrical part 535b.

図36に示すように、開閉部54Aは、第3液受け部533を有する。具体的には、遮断壁部54の下部、底壁55、及び外壁56の下部が第3液受け部533を構成する。回転する基板Wから飛散した処理液は、第2カップ部53の第1円筒部535aによって受け止められる。第1円筒部535aに付着した第3処理液は、第1円筒部535aから、連結部535c及び第2円筒部535bを介して、第3液受け部533へ流入する。 As shown in FIG. 36, the opening/closing section 54A has a third liquid receiving section 533. Specifically, the lower part of the blocking wall part 54, the bottom wall 55, and the lower part of the outer wall 56 constitute the third liquid receiving part 533. The processing liquid scattered from the rotating substrate W is received by the first cylindrical portion 535a of the second cup portion 53. The third processing liquid adhering to the first cylindrical part 535a flows from the first cylindrical part 535a into the third liquid receiving part 533 via the connecting part 535c and the second cylindrical part 535b.

図35及び図36に示すように、開閉部54Aは、第1上流側排気ポート54aが第1下流側排気ポート71aに重なる位置と、第3上流側排気ポート54cが第3下流側排気ポート71cに重なる位置との間で昇降する。したがって、実施形態1~5と同様に、開閉部54Aを昇降させることにより、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cのうちの1つを開放し、残りを閉鎖することができる。その結果、ガスの排気先を切り替えることができる。 As shown in FIGS. 35 and 36, the opening/closing portion 54A has a position where the first upstream exhaust port 54a overlaps the first downstream exhaust port 71a, and a position where the third upstream exhaust port 54c overlaps with the third downstream exhaust port 71c. Go up and down between the positions that overlap. Therefore, similarly to Embodiments 1 to 5, by raising and lowering the opening/closing part 54A, one of the first to third downstream exhaust ports 71a to 71c can be opened and the remaining ones can be closed. can. As a result, the gas exhaust destination can be switched.

図37は、処理ユニット1の他の状態の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図37は、図11を参照して説明した第3状態における処理ユニット1を示す。図36及び図37に示すように、開閉部54Aは、ガード部5とは独立して昇降させることができる。したがって、図37に示すように、第3状態において、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとが重なる位置に開閉部54Aを配置させて、第3ガード531に付着した処理液、及び、第3液受け部533に溜まっている処理液から発生するガスを、第1ダクト部材73へ流入させることができる。 FIG. 37 is a diagram schematically showing a cross section of the processing unit 1 in another state. Specifically, FIG. 37 shows the processing unit 1 in the third state described with reference to FIG. 11. As shown in FIGS. 36 and 37, the opening/closing part 54A can be raised and lowered independently of the guard part 5. Therefore, as shown in FIG. 37, in the third state, the opening/closing part 54A is arranged at a position where the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a overlap, and the removal The liquid and the gas generated from the processing liquid accumulated in the third liquid receiving portion 533 can flow into the first duct member 73.

続いて図38を参照して本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図38は、ガード部5、開閉部54A、及び昇降部6を示す図である。図38に示すように、昇降部6は、第4昇降部64を更に含む。第1昇降部61~第4昇降部64は、制御装置101(制御部102)によって制御される。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further explained with reference to FIG. FIG. 38 is a diagram showing the guard part 5, the opening/closing part 54A, and the elevating part 6. As shown in FIG. 38, the elevating section 6 further includes a fourth elevating section 64. The first elevation section 61 to the fourth elevation section 64 are controlled by a control device 101 (control section 102).

第4昇降部64は、チャンバー2の底壁21に取り付けられている。開閉部54Aは、第4昇降部64に連結される。第4昇降部64は、開閉部54Aを鉛直方向に昇降させる。したがって、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53、及び開閉部54Aを個別に昇降させることができる。 The fourth elevating section 64 is attached to the bottom wall 21 of the chamber 2 . The opening/closing section 54A is connected to the fourth elevating section 64. The fourth elevating section 64 raises and lowers the opening/closing section 54A in the vertical direction. Therefore, according to this embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, the second cup part 53, and the opening/closing part 54A can be raised and lowered individually.

具体的には、第4昇降部64は、モータ等の駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、開閉部54Aを上昇又は下降させる。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。 Specifically, the fourth elevating section 64 has a driving source such as a motor and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the driving source to raise or lower the opening/closing section 54A. The lifting mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

以上、図35~図38を参照して本発明の実施形態6を説明した。本実施形態によれば、開閉部54Aを昇降させることにより、第1処理液(酸性の薬液)から発生する酸性のガスを第1排気管P4に排出し、第2処理液(アルカリ性の薬液)から発生するアルカリ性のガスを第2排気管P6に排出することができる。その結果、排気管において結晶(塩)が発生し難くなる。 Embodiment 6 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 35 to 38. According to this embodiment, by raising and lowering the opening/closing part 54A, acidic gas generated from the first processing liquid (acidic chemical liquid) is discharged to the first exhaust pipe P4, and the second processing liquid (alkaline chemical liquid) is discharged to the first exhaust pipe P4. The alkaline gas generated from the exhaust gas can be discharged to the second exhaust pipe P6. As a result, crystals (salts) are less likely to form in the exhaust pipe.

また、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53及び開閉部54Aを互いに独立して動作させることができる。したがって、実施形態1~5と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。 Moreover, according to this embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, the second cup part 53, and the opening/closing part 54A can be operated independently from each other. Therefore, similar to Embodiments 1 to 5, the combination of the liquid drainage destination and the exhaust destination can be changed.

[実施形態7]
続いて図39~図41を参照して本発明の実施形態7について説明する。但し、実施形態1~6と異なる事項を説明し、実施形態1~6と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態7は、第1上流側排気ポート54a~第3上流側排気ポート54c及び第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cの位置が実施形態1~6と異なる。また、実施形態7は、開閉部54Bの動作方向が実施形態1~6と異なる。
[Embodiment 7]
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 39 to 41. However, matters that are different from Embodiments 1 to 6 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 6 will be omitted. Embodiment 7 differs from Embodiments 1 to 6 in the positions of first upstream exhaust port 54a to third upstream exhaust port 54c and first downstream exhaust port 71a to third downstream exhaust port 71c. Furthermore, the seventh embodiment differs from the first to sixth embodiments in the operating direction of the opening/closing portion 54B.

まず図39を参照して本実施形態の基板処理装置100を説明する。図39は、本実施形態の基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部の断面を模式的に示す図である。詳しくは、図39は、図11を参照して説明した第3状態における処理ユニット1を示す。 First, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 39 is a diagram schematically showing a cross section of a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. Specifically, FIG. 39 shows the processing unit 1 in the third state described with reference to FIG. 11.

図39に示すように、処理ユニット1は、開閉部54Bを備える。開閉部54Bは、ガード部5と排気部7との間に配置される。具体的には、開閉部54Bは、第2カップ部53の内側に配置される。実施形態7における第2カップ部53は、実施形態6と同様に、第3液受け部533及び遮断壁部54を有していない。実施形態7における第2カップ部53の第3ガード531は、実施形態6と同様に、第1円筒部535a、第2円筒部535b、及び連結部535cを有する。第1円筒部535a、第2円筒部535b、及び連結部535cの構成は、実施形態6において説明した第1円筒部535a、第2円筒部535b、及び連結部535cと略同様であるため、その説明は割愛する。 As shown in FIG. 39, the processing unit 1 includes an opening/closing section 54B. The opening/closing part 54B is arranged between the guard part 5 and the exhaust part 7. Specifically, the opening/closing part 54B is arranged inside the second cup part 53. The second cup portion 53 in the seventh embodiment does not have the third liquid receiving portion 533 and the blocking wall portion 54, similarly to the sixth embodiment. The third guard 531 of the second cup portion 53 in the seventh embodiment includes a first cylindrical portion 535a, a second cylindrical portion 535b, and a connecting portion 535c, as in the sixth embodiment. The configurations of the first cylindrical portion 535a, the second cylindrical portion 535b, and the connecting portion 535c are substantially the same as those of the first cylindrical portion 535a, the second cylindrical portion 535b, and the connecting portion 535c described in the sixth embodiment. I will omit the explanation.

開閉部54Bは、略筒形状を有する。開閉部54Bは、遮断壁部54を有する。また、開閉部54Bは、実施形態6において説明した開閉部54Aと同様に、底壁55と、外壁56とを有する。遮断壁部54は、環状であり、略鉛直方向に延びる。遮断壁部54は、排気部7に近接する位置に配置される。開閉部54Bの底壁55及び外壁56の構成は、実施形態6において説明した開閉部54Aの底壁55及び外壁56と略同様であるため、その説明は割愛する。 The opening/closing portion 54B has a substantially cylindrical shape. The opening/closing section 54B has a blocking wall section 54. Further, the opening/closing section 54B has a bottom wall 55 and an outer wall 56, similar to the opening/closing section 54A described in the sixth embodiment. The blocking wall portion 54 is annular and extends substantially vertically. The blocking wall section 54 is arranged at a position close to the exhaust section 7. The configurations of the bottom wall 55 and outer wall 56 of the opening/closing section 54B are substantially the same as the bottom wall 55 and the outer wall 56 of the opening/closing section 54A described in the sixth embodiment, so a description thereof will be omitted.

続いて図40を参照して、開閉部54B及び排気部7について説明する。図40は、排気部7の側壁71及び遮断壁部54の展開図である。詳しくは、図40は、第1上流側排気ポート54aが第1下流側排気ポート71aと重なる位置に開閉部54Bが配置されている状態を示している。なお、図40において、斜線は、第1上流側排気ポート54aと第1下流側排気ポート71aとが重なっていることを示している。 Next, referring to FIG. 40, the opening/closing section 54B and the exhaust section 7 will be described. FIG. 40 is a developed view of the side wall 71 and the blocking wall portion 54 of the exhaust section 7. As shown in FIG. Specifically, FIG. 40 shows a state in which the opening/closing portion 54B is arranged at a position where the first upstream exhaust port 54a overlaps the first downstream exhaust port 71a. Note that in FIG. 40, diagonal lines indicate that the first upstream exhaust port 54a and the first downstream exhaust port 71a overlap.

図40に示すように、実施形態7において、第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b、第3上流側排気ポート54c、第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、上下方向における位置が略一致する。また、実施形態7において、第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b及び第3上流側排気ポート54cは、不等角度間隔で設けられる。第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cも同様に不等角度間隔で設けられる。 As shown in FIG. 40, in the seventh embodiment, a first upstream exhaust port 54a, a second upstream exhaust port 54b, a third upstream exhaust port 54c, a first downstream exhaust port 71a, a second downstream exhaust port The positions of the third downstream exhaust port 71b and the third downstream exhaust port 71c in the vertical direction are substantially the same. Furthermore, in the seventh embodiment, the first upstream exhaust port 54a, the second upstream exhaust port 54b, and the third upstream exhaust port 54c are provided at unequal angular intervals. The first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c are similarly provided at unequal angular intervals.

より詳しくは、第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b、第3上流側排気ポート54c、第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、第1上流側排気ポート54aが第1下流側排気ポート71aと重なるとき、第2上流側排気ポート54bが第2下流側排気ポート71bと重ならず、第3上流側排気ポート54cが第3下流側排気ポート71cと重ならない位置に設けられている。このとき、第2上流側排気ポート54bは、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。同様に、第3上流側排気ポート54cは、排気部7の側壁71の壁面(外面)と重なる。 More specifically, the first upstream exhaust port 54a, the second upstream exhaust port 54b, the third upstream exhaust port 54c, the first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c, when the first upstream exhaust port 54a overlaps with the first downstream exhaust port 71a, the second upstream exhaust port 54b does not overlap with the second downstream exhaust port 71b, and the third upstream exhaust port 54c It is provided at a position that does not overlap with the third downstream exhaust port 71c. At this time, the second upstream exhaust port 54b overlaps the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7. Similarly, the third upstream exhaust port 54c overlaps the wall surface (outer surface) of the side wall 71 of the exhaust section 7.

また、第1上流側排気ポート54a、第2上流側排気ポート54b、第3上流側排気ポート54c、第1下流側排気ポート71a、第2下流側排気ポート71b及び第3下流側排気ポート71cは、第2上流側排気ポート54bが第2下流側排気ポート71bと重なるとき、第1上流側排気ポート54aが第1下流側排気ポート71aと重ならず、第3上流側排気ポート54cが第3下流側排気ポート71cと重ならない位置に設けられている。また、第3上流側排気ポート54cが第3下流側排気ポート71cと重なるとき、第1上流側排気ポート54aが第1下流側排気ポート71aと重ならず、第2上流側排気ポート54bが第2下流側排気ポート71bと重ならない位置に設けられている。 In addition, the first upstream exhaust port 54a, the second upstream exhaust port 54b, the third upstream exhaust port 54c, the first downstream exhaust port 71a, the second downstream exhaust port 71b, and the third downstream exhaust port 71c are , when the second upstream exhaust port 54b overlaps with the second downstream exhaust port 71b, the first upstream exhaust port 54a does not overlap with the first downstream exhaust port 71a, and the third upstream exhaust port 54c overlaps with the third downstream exhaust port 71b. It is provided at a position that does not overlap with the downstream exhaust port 71c. Further, when the third upstream exhaust port 54c overlaps with the third downstream exhaust port 71c, the first upstream exhaust port 54a does not overlap with the first downstream exhaust port 71a, and the second upstream exhaust port 54b overlaps with the third downstream exhaust port 71c. It is provided at a position that does not overlap with the second downstream exhaust port 71b.

続いて図41を参照して本実施形態の基板処理装置100を更に説明する。図41は、ガード部5、開閉部54B、昇降部6及び回動部12を示す図である。図41に示すように、処理ユニット1は、回動部12を更に備える。第1昇降部61~第3昇降部63及び回動部12は、制御装置101(制御部102)によって制御される。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described with reference to FIG. 41. FIG. 41 is a diagram showing the guard part 5, the opening/closing part 54B, the elevating part 6, and the rotating part 12. As shown in FIG. 41, the processing unit 1 further includes a rotating section 12. The first to third lifting sections 61 to 63 and the rotating section 12 are controlled by a control device 101 (control section 102).

回動部12は、図2を参照して説明した回転軸線AXを中心として開閉部54Bを回転させる。具体的には、回動部12は、開閉部54Bの回転位置を制御する。回動部12は、モータ等の駆動源及び回動機構を有しており、駆動源によって回動機構を駆動して、開閉部54Bを回転させる。回動機構は、例えば、少なくとも1つのギヤを含む。 The rotating portion 12 rotates the opening/closing portion 54B around the rotation axis AX described with reference to FIG. Specifically, the rotating section 12 controls the rotational position of the opening/closing section 54B. The rotating part 12 has a drive source such as a motor and a rotating mechanism, and the rotating mechanism is driven by the drive source to rotate the opening/closing part 54B. The rotation mechanism includes, for example, at least one gear.

回動部12が開閉部54Bの回転位置を制御することにより、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cのうちの1つを開放し、残りを閉鎖することができる。したがって、ガスの排気先を切り替えることができる。 By controlling the rotational position of the opening/closing part 54B by the rotating part 12, one of the first to third downstream exhaust ports 71a to 71c can be opened and the remaining ones can be closed. Therefore, the gas exhaust destination can be changed.

以上、図39~図41を参照して本発明の実施形態7を説明した。本実施形態によれば、開閉部54Bを回転させることにより、第1処理液(酸性の薬液)から発生する酸性のガスを第1排気管P4に排出し、第2処理液(アルカリ性の薬液)から発生するアルカリ性のガスを第2排気管P6に排出することができる。その結果、排気管において結晶(塩)が発生し難くなる。 Embodiment 7 of the present invention has been described above with reference to FIGS. 39 to 41. According to this embodiment, by rotating the opening/closing part 54B, acidic gas generated from the first processing liquid (acidic chemical solution) is discharged to the first exhaust pipe P4, and the second processing liquid (alkaline chemical solution) is discharged to the first exhaust pipe P4. The alkaline gas generated from the exhaust gas can be discharged to the second exhaust pipe P6. As a result, crystals (salts) are less likely to form in the exhaust pipe.

また、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53及び開閉部54Bを互いに独立して動作させることができる。具体的には、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53を個別に昇降させることができる。また、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53とは独立して開閉部54Bを回転させることができる。したがって、実施形態1~6と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。 Moreover, according to this embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, the second cup part 53, and the opening/closing part 54B can be operated independently from each other. Specifically, the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53 can be raised and lowered individually. Moreover, the opening/closing part 54B can be rotated independently of the first guard 51, the first cup part 52, and the second cup part 53. Therefore, similar to Embodiments 1 to 6, the combination of the liquid drainage destination and the exhaust destination can be changed.

[実施形態8]
続いて図42を参照して本発明の実施形態8について説明する。但し、実施形態1~7と異なる事項を説明し、実施形態1~7と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態8は、処理ユニット1が開閉部54Cを備える点で実施形態1~7と異なる。
[Embodiment 8]
Next, Embodiment 8 of the present invention will be described with reference to FIG. However, matters that are different from Embodiments 1 to 7 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 7 will be omitted. Embodiment 8 differs from Embodiments 1 to 7 in that the processing unit 1 includes an opening/closing section 54C.

図42は、本実施形態に係る基板処理装置100が備える処理ユニット1の一部を模式的に示す図である。詳しくは、図42は、排気部7の側壁71と、開閉部54Cと、開閉駆動部13とを示す。 FIG. 42 is a diagram schematically showing a part of the processing unit 1 included in the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. Specifically, FIG. 42 shows the side wall 71 of the exhaust section 7, the opening/closing section 54C, and the opening/closing drive section 13.

図42に示すように、処理ユニット1は、開閉部54Cを備える。また、図42に示すように、基板処理装置100は、開閉駆動部13を備える。本実施形態において、開閉部54Cは、第1開閉部541~第3開閉部543を含む。また、開閉駆動部13は、第1開閉駆動部13a~第3開閉駆動部13cを含む。 As shown in FIG. 42, the processing unit 1 includes an opening/closing section 54C. Further, as shown in FIG. 42, the substrate processing apparatus 100 includes an opening/closing drive section 13. In this embodiment, the opening/closing section 54C includes a first opening/closing section 541 to a third opening/closing section 543. Further, the opening/closing drive unit 13 includes a first opening/closing drive unit 13a to a third opening/closing drive unit 13c.

第1開閉部541~第3開閉部543は第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cにそれぞれ対応する。具体的には、第1開閉部541は、周方向における位置が第1下流側排気ポート71aと略一致している。同様に、第2開閉部542は、周方向における位置が第2下流側排気ポート71bと略一致している。第3開閉部543は、周方向における位置が第3下流側排気ポート71cと略一致している。 The first opening/closing part 541 to the third opening/closing part 543 correspond to the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c, respectively. Specifically, the position of the first opening/closing portion 541 in the circumferential direction substantially coincides with the first downstream exhaust port 71a. Similarly, the position of the second opening/closing portion 542 in the circumferential direction substantially coincides with the second downstream exhaust port 71b. The position of the third opening/closing portion 543 in the circumferential direction substantially coincides with the third downstream exhaust port 71c.

第1開閉部541~第3開閉部543は、排気部7の側壁71の外面に配置されている。第1開閉部541~第3開閉部543は、排気部7の側壁71の外面に、鉛直方向にスライド自在に取り付けられてもよい。 The first opening/closing section 541 to the third opening/closing section 543 are arranged on the outer surface of the side wall 71 of the exhaust section 7. The first opening/closing section 541 to the third opening/closing section 543 may be attached to the outer surface of the side wall 71 of the exhaust section 7 so as to be slidable in the vertical direction.

第1開閉駆動部13aは、第1開閉部541を鉛直方向に昇降させる。同様に、第2開閉駆動部13bは、第2開閉部542を鉛直方向に昇降させる。第3開閉駆動部13cは、第3開閉部543を鉛直方向に昇降させる。第1開閉駆動部13a~第3開閉駆動部13cは、制御装置101(制御部102)によって制御される。 The first opening/closing drive section 13a moves the first opening/closing section 541 up and down in the vertical direction. Similarly, the second opening/closing drive section 13b moves the second opening/closing section 542 up and down in the vertical direction. The third opening/closing drive section 13c moves the third opening/closing section 543 up and down in the vertical direction. The first opening/closing drive section 13a to the third opening/closing drive section 13c are controlled by the control device 101 (control section 102).

詳しくは、第1開閉駆動部13aは、第1開閉部541が第1下流側排気ポート71aと重なる閉鎖位置と、第1開閉部541が第1下流側排気ポート71aと重ならない開放位置との間で、第1開閉部541を昇降させる。第1開閉部541が閉鎖位置に配置されることにより、第1下流側排気ポート71aが閉鎖される。第1開閉部541が開放位置に配置されることにより、第1下流側排気ポート71aが開放される。 Specifically, the first opening/closing drive unit 13a has two positions: a closed position where the first opening/closing part 541 overlaps with the first downstream exhaust port 71a, and an open position where the first opening/closing part 541 does not overlap with the first downstream exhaust port 71a. The first opening/closing part 541 is raised and lowered between the positions. By placing the first opening/closing portion 541 in the closed position, the first downstream exhaust port 71a is closed. By placing the first opening/closing portion 541 in the open position, the first downstream exhaust port 71a is opened.

第1開閉駆動部13aは、例えば、シリンダを含む。この場合、シリンダのロッドが第1開閉部541に連結される。したがって、シリンダを駆動させることにより、第1開閉部541を昇降させることができる。 The first opening/closing drive section 13a includes, for example, a cylinder. In this case, the rod of the cylinder is connected to the first opening/closing part 541. Therefore, by driving the cylinder, the first opening/closing section 541 can be raised and lowered.

第2開閉駆動部13b及び第3開閉部543の構成は、第1開閉駆動部13aと略同様であるため、その詳細な説明は省略する。 The configurations of the second opening/closing drive section 13b and the third opening/closing section 543 are substantially the same as those of the first opening/closing drive section 13a, so detailed description thereof will be omitted.

以上、図42を参照して本発明の実施形態8を説明した。本実施形態によれば、第1開閉部541~第3開閉部543を昇降させることにより、第1処理液(酸性の薬液)から発生する酸性のガスを第1排気管P4に排出し、第2処理液(アルカリ性の薬液)から発生するアルカリ性のガスを第2排気管P6に排出することができる。その結果、排気管において結晶(塩)が発生し難くなる。 Embodiment 8 of the present invention has been described above with reference to FIG. According to the present embodiment, by raising and lowering the first opening/closing part 541 to the third opening/closing part 543, acidic gas generated from the first processing liquid (acidic chemical solution) is discharged to the first exhaust pipe P4. The alkaline gas generated from the second processing liquid (alkaline chemical solution) can be discharged to the second exhaust pipe P6. As a result, crystals (salts) are less likely to form in the exhaust pipe.

また、本実施形態によれば、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53、及び第1開閉部541~第3開閉部543を互いに独立して動作させることができる。具体的には、第1ガード51、第1カップ部52、第2カップ部53、及び第1開閉部541~第3開閉部543を個別に昇降させることができる。したがって、実施形態1~7と同様に、排液先と排気先との組み合わせを変更することができる。 Further, according to the present embodiment, the first guard 51, the first cup part 52, the second cup part 53, and the first opening/closing part 541 to the third opening/closing part 543 can be operated independently of each other. Specifically, the first guard 51, the first cup part 52, the second cup part 53, and the first opening/closing part 541 to the third opening/closing part 543 can be raised and lowered individually. Therefore, similar to Embodiments 1 to 7, the combination of the liquid drainage destination and the exhaust destination can be changed.

なお、本実施形態において、開閉駆動部13は開閉部54Cを昇降させたが、開閉駆動部13は開閉部54Cを周方向に移動させてもよい。 In the present embodiment, the opening/closing drive section 13 moves the opening/closing section 54C up and down, but the opening/closing drive section 13 may move the opening/closing section 54C in the circumferential direction.

また、本実施形態において、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cの上下方向の位置は略同じであるが、第1下流側排気ポート71a~第3下流側排気ポート71cの上下方向の位置は、互いに異なっていてもよい。 Further, in this embodiment, the vertical positions of the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c are approximately the same, but the positions of the first downstream exhaust port 71a to the third downstream exhaust port 71c are approximately the same. The positions in the vertical direction may be different from each other.

以上、図面(図1~図42)を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 42). However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various forms without departing from the spirit thereof. Further, the plurality of components disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, some of the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some of the components shown in one embodiment may be configured. Elements may be deleted from the embodiment.

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 The drawings mainly schematically show each component in order to facilitate understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each illustrated component may vary depending on the convenience of drawing. The above image may differ from the actual one. Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example, and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes can be made without substantially departing from the effects of the present invention. .

例えば、図1~図42を参照して説明した実施形態では、基板Wは半導体ウエハであったが、基板Wは、半導体ウエハに限定されない。例えば、基板Wは、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板であり得る。 For example, in the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 42, the substrate W is a semiconductor wafer, but the substrate W is not limited to a semiconductor wafer. For example, the substrate W may be a liquid crystal display substrate, a field emission display (FED) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, a ceramic substrate, or It can be a substrate for solar cells.

また、図1~図42を参照して説明した実施形態では、基板Wを保持する構成として、基板Wを挟持する挟持式のチャックについて説明したが、基板Wを保持する構成として、バキューム式のチャックが採用されてもよい。 Furthermore, in the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 42, a clamp-type chuck that clamps the substrate W has been described as a configuration for holding the substrate W, but a vacuum-type chuck has been described as a configuration for holding the substrate W. A chuck may also be employed.

また、図1~図42を参照して説明した実施形態では、処理液供給部11は3つのノズル(第1ノズル11a~第3ノズル11c)を有したが、処理液供給部11は、2つのノズル、又は4つ以上のノズルを有してもよい。 Furthermore, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 42, the processing liquid supply section 11 has three nozzles (the first nozzle 11a to the third nozzle 11c), but the processing liquid supply section 11 has two nozzles. It may have one nozzle or four or more nozzles.

また、図1~図42を参照して説明した実施形態では、処理液供給部11は、基板Wの上方から基板Wへ向けて処理液を吐出するノズルである上部ノズルを有したが、処理液供給部11は、上部ノズルに加えて、下部ノズルを有してもよい。下部ノズルは、スピンベース33の中央に位置する開口を介して、スピンベース33から上方に突出するノズルである。下部ノズルの上端は、基板Wの下方に位置し、基板Wの下面の中央部に対向する。下部ノズルは、基板Wの下面の中央部に向けて処理液を供給する。 Further, in the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 42, the processing liquid supply section 11 has an upper nozzle that is a nozzle that discharges the processing liquid from above the substrate W toward the substrate W. The liquid supply section 11 may have a lower nozzle in addition to the upper nozzle. The lower nozzle is a nozzle that protrudes upward from the spin base 33 through an opening located at the center of the spin base 33. The upper end of the lower nozzle is located below the substrate W and faces the center of the lower surface of the substrate W. The lower nozzle supplies the processing liquid toward the center of the lower surface of the substrate W.

本発明は、基板を処理する分野に有用である。 The present invention is useful in the field of processing substrates.

1 :処理ユニット
3 :スピンチャック
4 :スピンモータ部
5 :ガード部
5a :第1ガード部
5b :第2ガード部
6 :昇降部
7 :排気部
11 :処理液供給部
12 :回動部
13 :開閉駆動部
51 :第1ガード
52 :第1カップ部
53 :第2カップ部
54 :遮断壁部
54A :開閉部
54B :開閉部
54C :開閉部
54a :第1上流側排気ポート
54b :第2上流側排気ポート
54c :第3上流側排気ポート
71a :第1下流側排気ポート
71b :第2下流側排気ポート
71c :第3下流側排気ポート
73 :第1ダクト部材
74 :第2ダクト部材
75 :第3ダクト部材
100 :基板処理装置
101 :制御装置
521 :第2ガード
522a :第1排液ポート
531 :第3ガード
532a :第2排液ポート
533a :第3排液ポート
W :基板
1: Processing unit 3: Spin chuck 4: Spin motor section 5: Guard section 5a: First guard section 5b: Second guard section 6: Elevating section 7: Exhaust section 11: Processing liquid supply section 12: Rotating section 13: Opening/closing drive section 51: First guard 52: First cup section 53: Second cup section 54: Blocking wall section 54A: Opening/closing section 54B: Opening/closing section 54C: Opening/closing section 54a: First upstream exhaust port 54b: Second upstream side Side exhaust port 54c: Third upstream exhaust port 71a: First downstream exhaust port 71b: Second downstream exhaust port 71c: Third downstream exhaust port 73: First duct member 74: Second duct member 75: First 3 duct member 100: Substrate processing device 101: Control device 521: Second guard 522a: First drain port 531: Third guard 532a: Second drain port 533a: Third drain port W: Substrate

Claims (8)

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる基板回転部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第1ガードと
複数の下流側排気ポートを有し、前記第1ガードの内側に配置される排気部と、
前記第1ガードと前記排気部との間に配置され、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第1カップ部と、
前記第1カップ部と前記排気部との間に配置され、回転する前記基板から飛散する前記処理液を受け止める第2カップ部と、
前記第1ガード、前記第1カップ部及び前記第2カップ部を前記上下方向に個別に昇降させる移動機構と、
前記移動機構を制御する制御部と
を備え、
前記第1カップ部は、
前記処理液を受け止める第2ガードと、
前記第1ガードが受け止めた前記処理液を受ける第1液受け部と
前記第1液受け部に設けられて、前記第1液受け部から前記処理液を排出させる第1排液ポートと
を有し、
前記第2カップ部は、
前記処理液を受け止める第3ガードと、
前記第2ガードが受け止めた前記処理液を受ける第2液受け部と、
前記第2液受け部に設けられて、前記第2液受け部から前記処理液を排出させる第2排液ポートと、
前記第3ガードが受け止めた前記処理液を受ける第3液受け部と、
前記第3液受け部に設けられて、前記第3液受け部から前記処理液を排出させる第3排液ポートと、
前記複数の下流側排気ポートを開閉する開閉部と
を有し、
前記開閉部は、前記第3液受け部に接続し、
前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第1ガード、前記第1カップ部及び前記第2カップ部を前記上下方向に個別に昇降させることにより、前記第1ガード、前記第2ガード及び前記第3ガードのうちの1つに前記処理液を受け止めさせて、前記第1排液ポート、前記第2排液ポート及び前記第3排液ポートのうちの1つから前記処理液を排出させつつ、前記第1液受け部、前記第2液受け部又は前記第3液受け部から発生するガス前記複数の下流側排気ポートのうちの1つに流入させる、基板処理装置。
A substrate processing apparatus that processes a substrate,
a substrate holder that holds the substrate horizontally;
a substrate rotation unit that rotates the substrate and the substrate holding unit together around a central axis extending in the vertical direction;
a processing liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate;
a first guard that catches the processing liquid scattered from the rotating substrate;
an exhaust section having a plurality of downstream exhaust ports and disposed inside the first guard ;
a first cup part that is disposed between the first guard and the exhaust part and receives the processing liquid scattered from the rotating substrate;
a second cup part that is disposed between the first cup part and the exhaust part and receives the processing liquid scattered from the rotating substrate;
a moving mechanism that individually raises and lowers the first guard, the first cup part, and the second cup part in the vertical direction;
a control section that controls the moving mechanism;
Equipped with
The first cup portion is
a second guard that receives the processing liquid;
a first liquid receiving part that receives the processing liquid received by the first guard ;
a first liquid drain port provided in the first liquid receiving part and configured to discharge the processing liquid from the first liquid receiving part;
has
The second cup portion is
a third guard that receives the processing liquid;
a second liquid receiving part that receives the processing liquid received by the second guard;
a second liquid drain port provided in the second liquid receiving part and configured to discharge the processing liquid from the second liquid receiving part;
a third liquid receiving part that receives the processing liquid received by the third guard;
a third liquid drain port provided in the third liquid receiving part and discharging the processing liquid from the third liquid receiving part;
an opening/closing part that opens and closes the plurality of downstream exhaust ports;
has
The opening/closing part is connected to the third liquid receiving part,
The control unit controls the moving mechanism to individually raise and lower the first guard, the first cup portion, and the second cup portion in the vertical direction, thereby moving the first guard, the second guard, and the second cup portion up and down individually. One of the third guards receives the processing liquid and discharges the processing liquid from one of the first drainage port, the second drainage port, and the third drainage port. The substrate processing apparatus further comprises causing gas generated from the first liquid receiving part, the second liquid receiving part, or the third liquid receiving part to flow into one of the plurality of downstream exhaust ports.
前記基板回転部が前記基板を回転させている間に、前記制御部が、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのうちから、開放する下流側排気ポートを変更する、請求項1に記載の基板処理装置。 While the substrate rotating section is rotating the substrate, the control section controls the moving mechanism to move the second cup section up and down in the up and down direction, and from among the plurality of downstream exhaust ports. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the downstream exhaust port to be opened is changed. 前記開閉部は、前記第3ガードと前記排気部との間に配置される壁部を有し
記壁部は、前記複数の下流側排気ポートにそれぞれ対応する複数の上流側排気ポートを有し、
前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させ、前記複数の下流側排気ポートのいずれか1つに、前記複数の上流側排気ポートのいずれか1つを選択的に重ねる、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
The opening/closing part has a wall part disposed between the third guard and the exhaust part ,
The wall portion has a plurality of upstream exhaust ports each corresponding to the plurality of downstream exhaust ports,
The control section controls the moving mechanism to move the second cup section up and down in the vertical direction , and connects any one of the plurality of downstream exhaust ports to any one of the plurality of upstream exhaust ports. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the two are selectively overlapped.
前記制御部は、前記下流側排気ポートと前記上流側排気ポートとが重なる面積を調整する、請求項3に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit adjusts an area where the downstream exhaust port and the upstream exhaust port overlap. 前記複数の下流側排気ポートは、周方向において互いに異なる位置に設けられており、
前記複数の上流側排気ポートは、前記周方向において互いに異なる位置に設けられている、請求項3又は請求項4に記載の基板処理装置。
The plurality of downstream exhaust ports are provided at mutually different positions in the circumferential direction,
5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the plurality of upstream exhaust ports are provided at mutually different positions in the circumferential direction.
前記複数の下流側排気ポートは、前記上下方向において互いに異なる位置に設けられている、請求項5に記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the plurality of downstream exhaust ports are provided at mutually different positions in the vertical direction. 前記排気部は、複数のダクト部材を更に有し、
前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通し、
前記複数の下流側排気ポートの少なくとも1つは、上層下流側排気ポートと、下層下流側排気ポートとを含み、
前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられており、
前記上層下流側排気ポートは、前記下層下流側排気ポートよりも上方に設けられており
前記上層下流側排気ポート及び前記下層下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通し、
前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える、請求項1から請求項のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The exhaust section further includes a plurality of duct members,
Each of the plurality of downstream exhaust ports communicates with the plurality of duct members,
At least one of the plurality of downstream exhaust ports includes an upper downstream exhaust port and a lower downstream exhaust port,
The upper downstream exhaust port and the lower downstream exhaust port are arranged side by side in the vertical direction,
The upper downstream exhaust port is provided above the lower downstream exhaust port,
The upper downstream exhaust port and the lower downstream exhaust port communicate with one of the plurality of duct members,
Claims 1 to 6, wherein the control unit controls the moving mechanism to move the second cup part up and down in the vertical direction, thereby switching the destination of the gas among the plurality of duct members . The substrate processing apparatus according to any one of the above.
前記排気部は、複数のダクト部材を更に有し、
前記複数の下流側排気ポートはそれぞれ前記複数のダクト部材に連通し、
前記複数の下流側排気ポートの少なくとも1つは、大下流側排気ポートと、小下流側排気ポートとを含み、
前記大下流側排気ポートは、前記小下流側排気ポートよりも断面積が大きく、
前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記上下方向に並べて設けられており
前記大下流側排気ポート及び前記小下流側排気ポートは、前記複数のダクト部材のうちの一のダクト部材に連通し、
前記制御部は、前記移動機構を制御して前記第2カップ部を前記上下方向に昇降させることにより、前記複数のダクト部材の間で前記ガスの排出先を切り替える、請求項1から請求項のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The exhaust section further includes a plurality of duct members,
Each of the plurality of downstream exhaust ports communicates with the plurality of duct members,
At least one of the plurality of downstream exhaust ports includes a large downstream exhaust port and a small downstream exhaust port,
The large downstream exhaust port has a larger cross-sectional area than the small downstream exhaust port,
The large downstream exhaust port and the small downstream exhaust port are arranged side by side in the vertical direction,
The large downstream exhaust port and the small downstream exhaust port communicate with one of the plurality of duct members,
Claims 1 to 7, wherein the control unit controls the moving mechanism to move the second cup part up and down in the vertical direction, thereby switching the destination of the gas among the plurality of duct members . The substrate processing apparatus according to any one of the above.
JP2020034033A 2020-02-28 2020-02-28 Substrate processing equipment Active JP7444639B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020034033A JP7444639B2 (en) 2020-02-28 2020-02-28 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020034033A JP7444639B2 (en) 2020-02-28 2020-02-28 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021136408A JP2021136408A (en) 2021-09-13
JP7444639B2 true JP7444639B2 (en) 2024-03-06

Family

ID=77661625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020034033A Active JP7444639B2 (en) 2020-02-28 2020-02-28 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7444639B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197592A (en) 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processor
JP2016134514A (en) 2015-01-20 2016-07-25 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197592A (en) 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processor
JP2016134514A (en) 2015-01-20 2016-07-25 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021136408A (en) 2021-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5312856B2 (en) Substrate processing equipment
JP5270251B2 (en) Substrate processing equipment
US10639683B2 (en) Recovery piping cleaning method and substrate processing apparatus
KR101895630B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus including the substrate cleaning apparatus
KR20190022357A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
TWI753789B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102328464B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5641556B2 (en) Substrate processing equipment
EP3796368B1 (en) Transport device having local purge function
JP5031684B2 (en) Substrate processing equipment
KR102081706B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
JP7444639B2 (en) Substrate processing equipment
JP5318010B2 (en) Substrate processing equipment
KR20140071312A (en) Apparatus for Processing Substrate
KR20190112638A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102274725B1 (en) Substrate cleaning apparatus
JP2021141087A (en) Substrate processing method and substrate processing device
US20240162056A1 (en) Apparatus for processing substrate
JP2021136418A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102689735B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102649167B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102096953B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20220097244A (en) Apparatus of treating a substrate
KR20220097245A (en) Apparatus of treating a substrate
KR20240068097A (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7444639

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150