JP7398886B2 - 流量制御器、ガス供給系及び流量制御方法 - Google Patents
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Description
[処理システムの全体構成]
まず、第1実施形態に係る処理システム10aの全体構成の一例について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る処理システム10aの一例を示す図である。処理システム10aは、ガス供給系100及び処理装置101aを有する。ガス供給系100は、流量制御器FD、一次側バルブFV1、及び二次側バルブFV2を有し、ガス供給源GSから処理装置101aへのガスの供給を制御する。処理装置101aは、例えば容量結合型プラズマエッチング装置である。
処理装置101aは、例えば、表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる略円筒形のチャンバCを有している。チャンバCは、接地されている。チャンバCの内部には載置台120が設けられている。載置台120は、被処理体の一例である半導体ウエハWを載置する。
流量制御器FDは、ガス供給源GSから処理装置101aにガスを供給するためのガス供給管150に接続されている。ガス供給管150は、処理装置101aのガス導入口140に接続されている。流量制御器FDの上流側(ガス供給源GS側)には一次側バルブFV1が配置され、流量制御器FDの下流側(処理装置101a側)には二次側バルブFV2が配置されている。一次側バルブFV1及び二次側バルブFV2は、供給開始指令が制御部102から発行された時点で、全開に制御される。
Q=CP1 ・・・(1)
次に、第1実施形態に係る流量制御器FDによる流量制御方法について説明する。図2は、第1実施形態に係る流量制御方法の一例を示す図である。
次に、第2実施形態について説明する。図4は、第2実施形態に係る処理システム10aの一例を示す図である。第2実施形態に係る処理システム10aは、図1に示す第1実施形態に係る処理システム10aと略同様の構成であるため、同一の部分については同一の符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
10a 処理システム
100 ガス供給系
101a 処理装置
102 制御部
201 制御バルブ
202、302 バルブ制御部
203 圧力計
204 圧力計
205 オリフィス
206 配管
207 配管
208 配管
209 記憶部
209a、209b 関係情報
Claims (4)
- 処理装置に供給されるガスの流量を制御可能なバルブと、
制御部と
を有し、
前記制御部は、
前記ガスの供給開始を指示する指令が前記処理装置から発行された時点で、前記バルブを開いて前記ガスの流量の制御を開始し、
前記ガスの流量が所定の目標流量に到達するまでの過渡期間に、所定の周期で前記ガスの流量を積算した積算流量と所定の目標積算流量との差分に基づき、該差分を補償する、前記ガスの流量の時間的変化率を決定し、
決定した前記時間的変化率で前記ガスの流量が変化するよう前記バルブの開度を制御し、
前記過渡期間に含まれる任意の時点での前記積算流量と前記目標積算流量との差分と、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記積算流量の増加量とを一致させる演算を行うことで、前記差分を補償する時間的変化率を決定し、
前記時間的変化率は、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記処理装置に供給される前記ガスの流量の波形の傾きに該当する、
ことを特徴とする流量制御器。 - 前記制御部は、決定した前記時間的変化率が所定の閾値よりも大きい場合に、当該時間的変化率を前記閾値まで減少させ、減少後の時間的変化率で前記ガスの流量が変化するよう前記バルブの開度を制御する請求項1に記載の流量制御器。
- 処理装置にガスを供給するガス供給系であって、
前記ガスの供給源と、
前記ガスの供給源から前記処理装置に供給される前記ガスの流量を制御する流量制御器と、
を有し、
前記流量制御器は、
前記処理装置に供給されるガスの流量を制御可能なバルブと、
制御部と
を有し、
前記制御部は、
前記ガスの供給開始を指示する指令が前記処理装置から発行された時点で、前記バルブを開いて前記ガスの流量の制御を開始し、
前記ガスの流量が所定の目標流量に到達するまでの過渡期間に、所定の周期で前記ガスの流量を積算した積算流量と所定の目標積算流量との差分に基づき、該差分を補償する、前記ガスの流量の時間的変化率を決定し、
決定した前記時間的変化率で前記ガスの流量が変化するよう前記バルブの開度を制御し、
前記過渡期間に含まれる任意の時点での前記積算流量と前記目標積算流量との差分と、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記積算流量の増加量とを一致させる演算を行うことで、前記差分を補償する時間的変化率を決定し、
前記時間的変化率は、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記処理装置に供給される前記ガスの流量の波形の傾きに該当する、
ことを特徴とするガス供給系。 - 処理装置に供給されるガスの供給開始を指示する指令が前記処理装置から発行された時点で、前記ガスの流量を制御可能なバルブを開いて前記ガスの流量の制御を開始する工程と、
前記ガスの流量が所定の目標流量に到達するまでの過渡期間に、所定の周期で前記ガスの流量を積算した積算流量と所定の目標積算流量との差分に基づき、該差分を補償する、前記ガスの流量の時間的変化率を決定する工程と、
決定した前記時間的変化率で前記ガスの流量が変化するよう前記バルブの開度を制御する工程と、
前記過渡期間に含まれる任意の時点での前記積算流量と前記目標積算流量との差分と、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記積算流量の増加量とを一致させる演算を行うことで、前記差分を補償する時間的変化率を決定する工程と
を含み、
前記時間的変化率は、前記過渡期間の前記任意の時点以降の期間における前記処理装置に供給される前記ガスの流量の波形の傾きに該当する、
ことを特徴とする流量制御方法。
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---|---|---|---|---|
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JP7432923B2 (ja) * | 2020-08-21 | 2024-02-19 | 伸和コントロールズ株式会社 | 流量制御装置及び方法、並びに、流体供給システム |
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KR102767698B1 (ko) * | 2022-10-19 | 2025-02-12 | 에스케이매직 주식회사 | 유로 개폐 장치 및 그의 제어 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004178478A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ガス託送における払出ガス量制御方法 |
JP2009094425A (ja) | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20090125154A1 (en) | 2006-06-06 | 2009-05-14 | Esko Yli-Koski | Control Method and Control System for a Flow Control Valve |
JP2017011260A (ja) | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57178511A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | Controller for flow rate of received water |
US5865205A (en) * | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
JPH11351204A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-24 | Kobe Steel Ltd | 油圧アクチュエータの流量制御装置 |
JP3814492B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2006-08-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US7628860B2 (en) * | 2004-04-12 | 2009-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed mass flow delivery system and method |
JP4805724B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2011-11-02 | テルモ株式会社 | シリンジポンプ |
JP5134841B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-01-30 | Ckd株式会社 | ガス供給ユニット |
JP5376390B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2013-12-25 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池システム |
JP5082832B2 (ja) | 2007-12-26 | 2012-11-28 | 日立金属株式会社 | 流量制御装置、流量制御方法及び流量制御装置の検定方法 |
JP5095570B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 濃度制御系の故障検知方法及びそれを用いた基板処理装置 |
JP5538119B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-07-02 | 株式会社フジキン | ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法 |
US9448564B2 (en) * | 2013-02-15 | 2016-09-20 | Reno Technologies, Inc. | Gas delivery system for outputting fast square waves of process gas during semiconductor processing |
JP6047540B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-12-21 | Ckd株式会社 | 流量検定ユニット |
US10261521B2 (en) * | 2015-06-16 | 2019-04-16 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing method, and storage medium |
CN105045303B (zh) * | 2015-07-28 | 2017-11-14 | 新疆大全新能源有限公司 | 一种多晶硅生产过程中反应原料流量的控制方法 |
US10031007B2 (en) * | 2015-09-16 | 2018-07-24 | Tokyo Electron Limited | Method of calculating output flow rate of flow rate controller |
JP2017097634A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 株式会社平間理化研究所 | 薬液調製供給装置、薬液の販売方法及び薬液販売システム、並びに、電解液調製供給装置、電解液の販売方法及び電解液販売システム |
CN107291111A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-24 | 刘洋宏 | 气体流量信号转换信号数据模块 |
JP6380448B2 (ja) * | 2016-04-05 | 2018-08-29 | トヨタ自動車株式会社 | ハイブリッド車両 |
CN107329502A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-07 | 伟创力电子技术(苏州)有限公司 | 一种自动控制氮气流量系统 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004178478A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ガス託送における払出ガス量制御方法 |
US20090125154A1 (en) | 2006-06-06 | 2009-05-14 | Esko Yli-Koski | Control Method and Control System for a Flow Control Valve |
JP2009094425A (ja) | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2017011260A (ja) | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法および記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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