JP7396858B2 - 圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents
圧電デバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7396858B2 JP7396858B2 JP2019199728A JP2019199728A JP7396858B2 JP 7396858 B2 JP7396858 B2 JP 7396858B2 JP 2019199728 A JP2019199728 A JP 2019199728A JP 2019199728 A JP2019199728 A JP 2019199728A JP 7396858 B2 JP7396858 B2 JP 7396858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- mask
- axis
- etching
- piezoelectric device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 184
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02047—Treatment of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02023—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/022—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Description
この圧電デバイスによれば、ATカット水晶振動子本来の振動以外の不要振動を従来に比べ抑制できるため、振動子のインピダンスすなわちクリスタルインピダンス(以下、CIともいう)を従来に比べ改善できる。
この出願はこのような点に鑑みなされたものであり、従って、この出願の目的は上記問題点を軽減できる圧電デバイスと、その製造方法とを提供することにある。
然も、前記第2の辺の直線状の部分の長さをW1とし、当該水晶片のZ′方向に沿った幅寸法をW0としたとき、W1/W0が0.90以上であることが好ましく、より好ましくは、W1/W0が0.93以上であることが良く、さらに好ましくは0.96以上であることが良い。
また、この発明を実施するに当たり、前記略直角は、前記2つの角部のC面取りの表記で定義した場合であれば、当該C寸法が20μm以下であることが好ましい。
前記ウエットエッチング用の耐エッチングマスクであって、前記ATカット水晶片のパタンをマトリクス状に形成する第1マスク部と、前記マトリクスの間で、前記Z′軸に相当する方向に沿って伸び、前記X方向に沿って順次に配列された桟形成用のパタンを形成する第2マスク部と、当該ウエットエッチング後にATカット水晶片を桟に保持するためのブリッジパタンを形成する第3マスク部と、当該ATカット水晶片の前記第2の辺側の角部と前記第3マスク部との間に設けられ第2エッチング完了時には当該箇所の水晶を消失させる所定幅Wを持つ第4マスク部と、を有した耐エッチングマスクを、水晶ウエハに形成する工程と、
前記耐エッチングマスクを形成した水晶ウエハをフッ酸系のウエットエッチング液に所定時間浸漬する第1エッチング工程と、
前記第1エッチングが済んだ水晶ウエハから、前記第1マスク部及び第4マスク部を除去する工程と、
前記第1マスク部と第4マスク部とを除去した水晶ウエハをフッ酸系のウエットエッチング液に所定時間浸漬する当該第2エッチング工程と、
前記第2エッチング工程が済んだ水晶ウエハに励振用電極を形成する工程と、
前記励振用電極の形成が済んだ水晶ウエハから当該ATカット水晶片を個片化する工程と、
前記個片化した当該ATカット水晶片を容器に接続固定する固定と、
を含むことを特徴とする。
また、この出願に係る圧電デバイスの製造方法の発明によれば、所定の第1~第4マスク部を具える耐エッチングマスクによって水晶ウエハに当該マスクを形成した後、この水晶ウエハを第1エッチングし、その後、第1マスク部及び第4マスク部除去した状態で、第2エッチングをするので、第2エッチングの際は、水晶片の第4マスク部を除去した部分は徐々に消失するものの水晶片の先端の角部は消失するまでは至らない。このため、水晶片の先端側の平面積が減少することを防止しつつ、第1~第3の面を持つ所望の側面を有した水晶片を容易に製造できる。
先ず、図1~図3を参照して、実施形態の圧電デバイス10について説明する。ここで、図1(A)は圧電デバイス10の上面図、図1(B)は図1(A)のP-P線に沿った圧電デバイス10の断面図である。なお、図1(A)では、図1(B)に具わる蓋部材35の図示を省略してある。また、図2(A)は実施形態の圧電デバイス10に具わるATカット水晶片20の上面図、図2(B)は図2(A)中のP-P線に沿った水晶片20の断面図、図2(C)は図2(A)中のQ-Q線に沿った水晶片20の断面図である。また、図3(A)は、ATカット水晶片20の、水晶のZ′軸と交差する側面を説明する図、図
3(B)は図3(A)中のN部分を拡大して示した図である。なお、図2中に示した座標軸X,Y′、Z′は、それぞれATカット水晶片20(以下、水晶片20と略称することもある)での水晶の結晶軸を示す。
この水晶片20は、その両主面に励振用電極21と引出電極23とを具える。引出電極23は、励振用電極21から、水晶片20の1つの辺である第1の辺20aの両端付近に、引き出してある。
この水晶片20は、図1(A)に示したように、容器30の凹部30a内に実装してある。具体的には、この水晶片20は、その第1の辺20a側のかつ第1の辺20aに沿う両端付近で、容器30の支持パッド30bに、例えば導電性接着剤33によって固定してある。従って、水晶片20は、第1の辺20a側で容器30に片持ち保持されている。
容器30としては、例えばセラミック製パッケージを用いることができる。この容器30の外部側の底面には、この圧電デバイス10を他の電子装置に接続するための、外部実装端子30cを設けてある。支持パッド30bと外部実装端子30cとは、図示しないビア配線によって接続してある。
また、容器30の凹部30aを囲む土手部に、好適な蓋部材35を接合して、水晶片20は容器30内に封止されている。
水晶片20の、水晶のZ′軸と交差する側面(Z′面)各々は、図3(A)、(B)に示したように、第1の面20c,第2の面20dおよび第3の面20eの、3つの面で構成された側面としてある。しかも、第1の面20cは、この水晶片20の主面20fと交わっている面であり、かつ、主面20fを水晶のX軸を回転軸としてθ1回転させた面に相当する面である。
そして、上記の角度θ1、θ2、θ3は、この出願人に係る実験から、下記が好ましいことが分かっている。θ1=4°±3.5°、θ2=-57°±5°、θ3=-42°±5°、より好ましくは、θ1=4°±3°、θ2=-57°±3°、θ3=-42°±3°である。
この図3を用いて説明した側面を持つ水晶片の場合、側面が独特な嘴状になっているため、Z′方向に伝搬する不要な振動を減衰でき、圧電デバイスの特性の改善に寄与できる。なお、この構造に関しては、この出願人に係る、特開2016-197778号公報に記載されているので、ここではその詳細な説明は省略する。
なお、水晶片20の水晶のX軸に沿った断面(P-P線に沿った断面)は、図2(B)に示したように、X軸方向に沿った両端部側がそれぞれ凸状の形状になっている。
具体的には、図1(A)、図2(A)に示したように、角部20xを構成する2つの辺である短辺すなわち第2の辺20bと水晶片20の長辺20zとが交差する角度θx、また、角部20yを構成する2つの辺である短辺すなわち第2の辺20bと水晶片20の長辺20zとが交差する角度θyは、それぞれ、平面視したとき85~90度の範囲の角度であることが好ましく、さらに好ましくは、87~90度の範囲が良い。このような角度であると、そうでない場合に比べ、圧電デバイス10のCIを改善できる(詳細は実施例参照)。
なお、角度θxおよびθyは、同じでも異なっても良いが、典型的には、水晶の結晶軸の異方性が原因で、若干異なっている。
また、2つの角部20x、20yの略直角について、2つの角部のC面取りの表記のC寸法の観点から見ると、20μm以下であるのが良い。このようなC寸法であると、そうでない場合に比べ、圧電デバイス10のCIを改善できる(詳細は実施例参照)。
なお、直線状の部分の長さW1は、後述する製造方法において説明する第4のパタンの寸法W(図4(C)参照)の値や、水晶ウエハをフッ酸系のエッチャントによってエッチングする時間によって変化する。W1/W0は1若しくは1に近い方が好ましいので、第4のパタンの寸法Wの値や、水晶ウエハをフッ酸系のエッチャントによってエッチングする時間は、W1/W0が1に近くなるように設定するのが良い。
次に、図4(A)~(C)、図5(A)、(B)を参照して、実施形態の圧電デバイス10を製造する好ましい方法について説明する。なお、図4(A)~(C)は圧電デバイス10に用いる水晶片20を製造する工程の要部を説明する図である。特に図4(A)は中間状態の水晶ウエハ20Wを説明する平面図である。図4(B)は、この水晶ウエハに耐エッチングマスク40を形成した状態を示す図であって、図4(A)中のM部分を拡大して示した平面図である。図4(C)は、水晶片20の角部20x、20yを略直角にする手段を説明するための図であって、図4(B)中のR部分を拡大して示した平面図である。また、図5(A)、(B)は、図4(B)の状態から工程が進んだ状態を説明する図である。
具体的には、ウエットエッチング用の耐エッチングマスク40(図4(B)参照)であって、ATカット水晶片20のパタンをマトリクス状に形成する第1マスク部40aと、前記マトリクスの間で、前記Z′軸に相当する方向に沿って伸び、前記X方向に沿って順次に配列された桟形成用のパタンを形成する第2マスク部40bと、当該ウエットエッチング後にATカット水晶片を桟に保持するためのブリッジパタンを形成する第3マスク部40cと、当該ATカット水晶片の前記第2の辺側の角部と前記第3マスク部との間に設けられ当該ウエットエッチング完了時には当該箇所の水晶を消失させる所定幅Wを持つ第4マスク部40dと、を有した耐エッチングマスク40を、水晶ウエハ20wに形成する工程を用いる。ここで、第4マスク部40dは、第1マスク部40aの水晶片の先端側の2つの角部に相当する部分と、第2マスク部40bとの間に設ける。
この耐エッチングマスク40は、具体的には、水晶ウエハ20Wの表裏前面に耐エッチング性を持つ金属膜を形成し、その表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対し、上記第1~第4マスク部形成用のホトマスクを用いて露光等をして、その後0、金属膜を選択的に除去して、形成することができる。
なお、第4マスク部40dの水晶のZ′軸に沿う方向の幅W(図4(C)参照)は、第4マスク部40d下の水晶部分が、後述の第2エッチング工程終了後に、消失するような所定の幅(実施例等参照)としてある。
次に、第1エッチングが済んだ水晶ウエハから、前記第1マスク部40aと、第4マスク部40dとを除去する。なお、この実施形態の場合は、第3マスク部40cも除去する。このようなマスク部の加工は、周知のフォトリソグラフィ技術で行える。ただし、既に説明した通り、第3マスク部40cはその大きさが小さい場合は、除去せずに残存させた方が好ましい。
上記の耐エッチングの加工が済むと、第1、第2及び第3マスク部で覆われていた水晶部分が露出する(図5(A)参照)。
次に、図6、図7、図8を参照して実施例及び比較例を説明する。
実施例の圧電デバイスとして、発振周波数が27.12MHz、水晶片20のX寸法が約870μm、水晶片20のZ′寸法が約640μmの水晶片を、上記した製造方法によって複数個製造し、それらを容器に実装し、さらに容器を蓋部材によって封止して実施例の圧電デバイスを複数個製造した。
また、比較例の圧電デバイスとして、周波数、X寸法、Z′寸法は上記実施例と同じであるが、製造の際には第4マスク部40d(図4(B)参照)を有していない耐エッチングマスクを用いて、比較例の晶片を複数個製造し、それらを容器に実装し、さらに容器を蓋部材によって封止して、比較例の圧電デバイスを複数個製造した。
図6及び図7(B)から、比較例で用いた水晶片120は、その先端側、すなわち水晶片の導電性接着剤によって支持する側とは反対側を平面的に見たとき、先端の中央P1から両角部に向かう領域R1、R2各々が略三角形状にエッチングされてしまい、その分だけ水晶片の面積が減少していることが分かる。
一方、実施例で用いた水晶片20は、図7(A)から、その先端側の両角部20x、20yは略直角になっており、然も、両角部20x、20yの間は直線状になっていることが分かる。すなわち、水晶片20は平面的に見てしっかりとして長方形状のものになっていることが分かる。
また、比較例の水晶片120の先端部の直線部分の寸法を測定したところ、その寸法は130~160μm程度と狭いことが分かった。然も、直線状の部分の端から水晶片の角部に向かってなで肩の形状になっていた。
実施例の圧電デバイスのCIの分布では、平均値が83.5Ω、標準偏差が6.6Ωであり、比較例の圧電デバイスのCIの分布では、平均値が123.6Ω、標準偏差が13.0Ωであった。実施例の方が、CIの平均値で40.1Ω優れており、標準偏差で6.4 Ω優れていた。この結果から、本発明の圧電デバイスが従来に比べて優れることが分かる。
4.他の実施形態
上述においては、圧電デバイス及びその製造方法の各発明の実施形態について説明したが、本発明は上記例に限られなし。例えば、用いる容器は上記例に限られず、例えば、平板状のベースと、水晶片を収納する凹部を持つキャップ状の蓋部材とから成る容器を用いた圧電デバイス等、他の構造の圧電デバイスに対しても本発明を適用できる。また、適用できる周波数や水晶片の大きさも上記の例に限られない。水晶片の小型化が進めば進むほど、本発明の貢献度は高まる。
20a:第1の辺、 20b:第2の辺
20c:第1の面、 20d:第2の面
20e:第3の面、 20f:主面
20x、20y:角部、 20W:3水晶ウエハ
30:容器
40:耐エッチングマスク、 40a:第1マスク部
40b:第2マスク部、 40c:第3マスク部
40d:第4マスク部、 120:比較例の圧電デバイス
C:C面取りの表記のC寸法
Claims (4)
- 水晶の結晶軸で表わされるX-Z′面を主面とし、前記主面の平面形状が四角形状であり、水晶の結晶軸のZ′軸と交差する側面の少なくとも一方を、第1~第3の3つの面であってこの順に交わっている第1~第3の3つの面で構成してあり、かつ、前記第1の面は、前記主面を水晶のX軸を回転軸として4±3.5°回転させた面に相当する面であり、前記第2の面は、前記主面を水晶のX軸を回転軸として-57±5°回転させた面に相当する面であり、前記第3の面は、前記主面を水晶のX軸を回転軸として-42±5°回転させた面に相当する面であり、前記Z′軸に平行な2辺のうちの第1の辺の側で導電性接着剤によって容器に接続固定されているATカット水晶片と、当該容器と、を具える圧電デバイスにおいて、
前記ATカット水晶片は、前記第1の辺と対向する第2の辺の側に前記四角形状に由来する2つの角部を備え、かつ、前記第2の辺は、前記2つの角部の間において直線状であり、
前記2つの角部は、C面取りの表記のC寸法で言って、10~20μm以下の角部であり、
前記直線状の部分の長さをW1とし、当該水晶片のZ′方向に沿った幅寸法をW0としたとき、W1/W0が0.93~0.99であることを特徴とする圧電デバイス。 - 前記W1/W0が0.96~0.99であることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記ATカット水晶片は、前記第1の辺及び第2の辺を短辺とし、かつ、水晶のX軸方向に沿う辺を長辺とする平面視で長方形状のATカット水晶片であることを特徴とする請求項1または2に記載の圧電デバイス。
- 請求項1~3のいずれか1項に記載の圧電デバイスを、フォトリソグラフィ技術およびウエットエッチング技術によって製造するに当たり、
前記ウエットエッチング用の耐エッチングマスクであって、前記ATカット水晶片のパタンをマトリクス状に形成する第1マスク部と、前記マトリクスの間で、前記Z′軸に相当する方向に沿って伸び、前記X方向に沿って順次に配列された桟形成用のパタンを形成する第2マスク部と、当該ウエットエッチング後にATカット水晶片を桟に保持するためのブリッジパタンを形成する第3マスク部と、当該ATカット水晶片の前記第2の辺側の角部と前記第3マスク部との間に設けられ第2エッチング工程完了時には当該箇所の水晶を消失させる所定幅Wを持つ第4マスク部と、を有した耐エッチングマスクを、水晶ウエハに形成する工程と、
前記耐エッチングマスクを形成した水晶ウエハをフッ酸系のウエットエッチング液に所定時間浸漬する第1エッチング工程と、
前記第1エッチングが済んだ水晶ウエハから、前記第1マスク部及び第4マスク部を除去する工程と、
前記第1マスク部及び第4マスク部を除去した水晶ウエハをフッ酸系のウエットエッチング液に所定時間浸漬する当該第2エッチング工程と、
前記第2エッチング工程が済んだ水晶ウエハに励振用電極を形成する工程と、
前記励振用電極の形成が済んだ水晶ウエハから当該ATカット水晶片を個片化する工程と、
個片化した当該ATカット水晶片を容器に接続固定する工程と、
を含むことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019199728A JP7396858B2 (ja) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
CN202011130124.3A CN112787619A (zh) | 2019-11-01 | 2020-10-21 | 压电元件及其制造方法 |
TW109136732A TWI788716B (zh) | 2019-11-01 | 2020-10-22 | 壓電元件及其製造方法 |
US17/080,860 US11824516B2 (en) | 2019-11-01 | 2020-10-27 | Piezoelectric device and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019199728A JP7396858B2 (ja) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021072588A JP2021072588A (ja) | 2021-05-06 |
JP7396858B2 true JP7396858B2 (ja) | 2023-12-12 |
Family
ID=75688796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019199728A Active JP7396858B2 (ja) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11824516B2 (ja) |
JP (1) | JP7396858B2 (ja) |
CN (1) | CN112787619A (ja) |
TW (1) | TWI788716B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7514196B2 (ja) * | 2021-02-12 | 2024-07-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004019424A3 (de) | 2002-08-16 | 2004-07-08 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
JP2007158566A (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動片および圧電デバイス |
JP2013027009A (ja) | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法及び圧電振動片 |
JP2016197778A (ja) | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 日本電波工業株式会社 | Atカット水晶片及び水晶振動子 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334108A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Seiko Epson Corp | 水晶振動片用マスク |
JP2004180274A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
US7915791B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-03-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Quartz crystal device accomodating crystal blanks of multiple shapes and sizes |
JP2009253883A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動デバイス |
TW201251157A (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-16 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric vibrator, electronic device, and electronic apparatus |
JP6549452B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-07-24 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
JP6613482B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-12-04 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
WO2017061591A1 (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動素子、及びこの水晶振動素子を備える水晶振動子 |
JP6555779B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-08-07 | 日本電波工業株式会社 | Atカット水晶片及び水晶振動子 |
CN109314502B (zh) * | 2016-06-21 | 2022-06-17 | 株式会社村田制作所 | 水晶振动元件、水晶振子以及水晶振动元件的制造方法 |
JP2018074271A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
JP6797764B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2020-12-09 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子およびその製造方法 |
JP6904863B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-07-21 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス、圧電振動片および圧電振動片の製造方法 |
CN110401429A (zh) * | 2018-04-24 | 2019-11-01 | 日本电波工业株式会社 | 晶体振子及其制造方法 |
JP7514196B2 (ja) * | 2021-02-12 | 2024-07-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-11-01 JP JP2019199728A patent/JP7396858B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-21 CN CN202011130124.3A patent/CN112787619A/zh active Pending
- 2020-10-22 TW TW109136732A patent/TWI788716B/zh active
- 2020-10-27 US US17/080,860 patent/US11824516B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004019424A3 (de) | 2002-08-16 | 2004-07-08 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
JP2007158566A (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動片および圧電デバイス |
JP2013027009A (ja) | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法及び圧電振動片 |
JP2016197778A (ja) | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 日本電波工業株式会社 | Atカット水晶片及び水晶振動子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI788716B (zh) | 2023-01-01 |
CN112787619A (zh) | 2021-05-11 |
TW202119663A (zh) | 2021-05-16 |
JP2021072588A (ja) | 2021-05-06 |
US20210135650A1 (en) | 2021-05-06 |
US11824516B2 (en) | 2023-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI639302B (zh) | At切割水晶片、水晶振子、及水晶振盪器 | |
TWI672838B (zh) | 晶體振子 | |
US10819307B2 (en) | Crystal unit and manufacturing method thereof | |
CN101924528B (zh) | 晶体振子的制造方法 | |
JP7396858B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
TWI664813B (zh) | At切割晶片、晶體共振器及晶體振子 | |
JP7514196B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
US10771038B2 (en) | Crystal unit | |
JP6108955B2 (ja) | 水晶振動素子 | |
TWI871463B (zh) | 壓電元件及其製造方法 | |
CN107431474B (zh) | At切割晶体片以及晶体振子 | |
US10840882B2 (en) | Crystal unit and manufacturing method thereof | |
JP2016174328A (ja) | ウェーハの製造方法及びウェーハ | |
JP6904863B2 (ja) | 圧電デバイス、圧電振動片および圧電振動片の製造方法 | |
JP6386298B2 (ja) | 水晶素子の製造方法 | |
JP7054177B2 (ja) | 水晶デバイス及びその製造方法 | |
JP2017169081A (ja) | 水晶振動子及びその製造方法 | |
JP2020048072A (ja) | 水晶振動子 | |
TW201946301A (zh) | 晶體振子及其製造方法 | |
CN116266748A (zh) | 振动片的制造方法以及振动片集合体 | |
JP2006186810A (ja) | 圧電振動片の製造方法および圧電振動子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7396858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |