JP7395271B2 - 発光装置、表示装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents
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図1乃至9を参照して、本実施の形態に係る発光装置について説明する。
θa~θf:絶縁層3の開口21における傾斜角(下部電極2表面と絶縁層3の側面の傾斜の角度)
Φa:るつぼと点Aの角度(Φa=arctan(Y/(X+r)))
Φb:るつぼと点Bの角度(Φb=arctan(Y/(X-r)))
Φo:るつぼと点Oの角度(Φo=arctan(Y/X))
角度Φa、Φb、及びΦoは、より具体的には、るつぼのノズル106の開口部を通り基板101の表面(絶縁層3の開口21内の下部電極2の表面)に平行な線と、ノズル106の開口部の中心と点A、点B、及び点Oのいずれかを通る線が成す角を指す。
Ta:a×sin(Φa-θa)
Tb:a×sin(Φa+θb)
Tc:a×sin(Φo-θc)
Td:a×sin(Φo+θd)
Te:a×sin(Φb-θe)
Tf:a×sin(Φb+θf)
但し、膜厚Ta~Tfは0以上であり、正弦関数は括弧内の値として負の値を取らないものとする。これは、図5(A)中の傾斜角θaの傾斜31aからも解るように、傾斜の角度がるつぼと各点における角度以上の場合には側面に堆積しない(膜厚は0となり負の値はとらない)ためである。
θa→θf
θb→θe
傾斜角θaの傾斜31a(側面)における堆積量は点Aでは最小であり、移動中に徐々に増加し、点Bで最大となる。一方、傾斜角θbの傾斜31b(側面)における堆積量は点Aでは最大であり、点Bに移動するまで徐々に減少し、点Bで最小となる。
sin(Φa-θa)+sin(Φb+θa)=sin(Φa+θb)+sin(Φb-θb) (1)
sin(Φa-θa)+sin(Φb+θa)=sin(Φa+θa)+sin(Φb-θa) (2)
Φb-Φa=θb-θa (3)
Ta6>Tb6>Tc6>Td6
Ta6>Tf6>Te6>Td6 (4)
Ta6<Tb6<Tc6<Td6
Ta6<Tf6<Te6<Td6 (5)
θa6>θb6>θc6>θd6
θa6>θf6>θe6>θd6 (6)
θa6<θb6<θc6<θd6
θa6<θf6<θe6<θd6 (7)
θa7<θb7<θc7<θd7
θa7<θg7<θg6<θe6 (8)
本実施の形態では、実施の形態1に用いられる発光素子10として、有機EL素子を用いた場合の具体的な構成例いついて説明する。
基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、陽極2と配線の導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。
電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。
陰極の上に、封止層または保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を抑え、表示不良の発生を抑えることができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機EL層に対する水等の浸入を抑えてもよい。例えば、陰極7形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、CVD法で厚さ2μmの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。CVD法の成膜の後で原子堆積法(ALD法)を用いた保護層を設けてもよい。
保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。
カラーフィルタと保護層との間に密着層または平坦化層を有してもよい。密着層または平坦化層は、有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。
平坦化層の上には、対抗基板を有してよい。対抗基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対抗基板と呼ばれる。対抗基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。
本実施の形態に係る発光素子を構成する有機層(正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等)は、以下に示す方法により形成される。
本実施の形態では、発光装置100の用途について図10乃至図14を用いて説明する。実施の形態1で説明した発光装置100は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。
2 下部電極
3 絶縁層
4 有機層
5 上部電極
100 発光装置
Claims (22)
- 配線層を有する素子基板と、
前記素子基板上に配される第1電極と、
前記素子基板上に配され、前記第1電極の端部を覆う絶縁層と、
前記第1電極及び前記絶縁層上に配される電荷輸送層と、前記電荷輸送層の上に配される発光層と、を有する有機層と、
前記有機層を挟んで前記第1電極上に配される第2電極と、
を有し、
前記絶縁層は前記第1電極上で開口をなす第1側面及び第2側面を有し、
前記有機層は蒸着膜であり、
前記素子基板、前記第1電極、前記開口、及び前記有機層を通る断面において、前記第1側面及び前記第2側面は、前記第1電極に対して傾斜しており、
前記断面における、前記第1側面の一点における接線と前記第1電極が成す角のうち前記絶縁層側の角を第1角、及び前記第1側面の前記一点と同じ高さにある前記第2側面の一点における接線と前記第1電極がなす角のうち前記絶縁層側の角を第2角としたとき、
前記第1角の角度と前記第2角の角度は異なることを特徴とする発光装置。 - 前記第1角および前記第2角は、ともに鋭角であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記絶縁層は、前記第1側面及び前記第2側面とともに前記開口をなす第3側面を有し、
前記素子基板、前記第1電極、前記開口、及び前記有機層を通り前記断面とは異なる第2の断面において、前記第3側面は前記第1電極に対して傾斜しており、
前記第1側面の前記一点と同じ高さにある前記第3側面の一点における接線と前記第1電極が成す角のうち前記絶縁層側の角を第3角としたとき、前記第3角の角度は前記第1角及び前記第2角の角度とは異なる請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記第3角の角度は、前記第1角の角度より大きく前記第2角の角度より小さい請求項3に記載の発光装置。
- 前記絶縁層は、前記第1側面、前記第2側面及び前記第3側面とともに前記開口をなす第4側面を有し、
前記第2の断面において、前記第4側面は前記第1電極に対して傾斜しており、
前記第1側面の前記一点と同じ高さにある前記第4側面の一点における接線と前記第1電極が成す角のうち前記絶縁層側の角を第4角としたとき、前記第4角の角度は、前記第1角の角度よりより大きく前記第2角の角度より小さい請求項4に記載の発光装置。 - 前記第1電極の表面に対する平面視において、前記第3側面は前記第1側面及び前記第2側面の間にある請求項3乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記絶縁層の側面の一点における接線と前記第1電極が成す角のうち前記絶縁層側の角の角度は、前記第1側面から前記第2側面まで単調変化する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記開口は、前記開口内の前記第1電極の表面に対する平面視において六角形である請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記開口は、前記開口内の前記第1電極の表面に対する平面視において矩形である請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記素子基板上において、前記第1電極と隣り合って配される第3電極を有し、
前記絶縁層は前記第3電極の端部を覆い、
前記絶縁層は、前記第3電極上に第2開口を有し、前記第3電極は前記第2開口において前記有機層を挟んで前記第2電極と対向する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記絶縁層は、感光性樹脂を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記絶縁層は無機材料を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 第1の状態において、前記第1側面は前記第2側面よりも蒸着源のノズルからの距離が小さく、第2の状態において、前記素子基板は、前記第1の状態から180°回転した位置にあり、
前記第1の状態において、前記ノズルの開口部を通り前記開口内の前記第1電極の表面に平行な線と、前記ノズルの開口部の中心と前記開口における前記第1電極の前記表面の中心を通る線が成す角のうち小さい角を第5角、
前記第2の状態において、前記ノズルの前記開口部を通り前記開口内の前記第1電極の前記表面に平行な前記線と、前記ノズルの前記開口部の前記中心と前記開口における前記第1電極の前記表面の中心を通る前記線が成す角のうち小さい角を第6角としたとき、
前記第2角の角度と前記第1角の角度の差は、0より前記第6角の角度と前記第5角の角度の差に近い請求項1乃至12のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第2角の角度と前記第1角の角度の差は、前記第6角の角度と前記第5角の角度の差と等しい請求項13に記載の発光装置。
- 表示部に前記請求項1乃至14のいずれか1項に記載の発光装置を有し、
前記発光装置にはトランジスタが接続されている表示装置。 - 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は請求項1乃至14のいずれか1項に記載の発光装置を有する光電変換装置。 - 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有する電子機器。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有する照明装置。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有する移動体。
- 第1電極と、前記第1電極上に開口を有し前記第1電極の端部を覆う絶縁層が配された素子基板を用意する工程と、
前記第1電極及び前記絶縁層上に蒸着法により有機層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁層は前記第1電極上の開口をなす第1側面および第2側面を有し、
前記素子基板、前記第1電極、及び前記開口を通る断面において、前記第1側面及び前記第2側面は、前記第1電極に対して傾斜しており、
前記断面における、前記第1側面の一点における接線と前記第1電極が成す角のうち前記絶縁層側の角を第1角、及び前記第1側面の前記一点と同じ高さにある前記第2側面の一点における接線と前記第1電極がなす角のうち前記絶縁層側の角を第2角としたとき、
前記第1角の角度と前記第2角の角度は異なる発光装置の製造方法。 - 前記有機層を形成する工程において、第1の状態において、前記第1側面は前記第2側面よりも蒸着源のノズルからの距離が小さく、第2の状態において、前記素子基板は、前記第1の状態から180°回転した位置にあり、
前記第1の状態において、前記ノズルの開口部を通り前記開口内の前記第1電極の表面に平行な線と、前記ノズルの開口部の中心と前記開口における前記第1電極の前記表面の中心を通る線が成す角のうち小さい角を第5角、
前記第2の状態において、前記ノズルの前記開口部を通り前記開口内の前記第1電極の前記表面に平行な前記線と、前記ノズルの前記開口部の前記中心と前記開口における前記第1電極の前記表面の中心を通る前記線が成す角のうち小さい角を第6角としたとき、
前記第2角の角度と前記第1角の角度の差は、0より前記第6角の角度と前記第5角の角度の差に近い請求項20に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第2角の角度と前記第1角の角度の差は、前記第6角の角度と前記第5角の角度の差と等しい請求項21に記載の発光装置の製造方法。
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US20020003402A1 (en) | 2000-07-07 | 2002-01-10 | Nec Corporation | Organic electroluminescence element and manufacturing method therefor |
JP2003203781A (ja) | 2001-10-30 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
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