JP7361343B2 - モジュール - Google Patents

Description

本開示は、モジュールに関連する。

特許文献１は、弾性波デバイスに関する技術の一例を開示する。

特開２０１９－５４３５４号公報

弾性波デバイスは、他の電子デバイスとともにモジュールの配線基板に実装される。弾性波デバイスは、他の電子デバイスとともに封止部に封止される。この際、封止部と配線基板との密着性の向上が望まれる。

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、封止部と配線基板の密着性に優れたモジュールを提供することである。

本開示に係るモジュールは、
配線基板と、
前記配線基板上に実装された弾性波デバイスと、
前記配線基板上の外縁部分に形成された第１メタルパターンと、
前記弾性波デバイスを機密封止する封止部と、
を備え、
前記第１メタルパターンは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、
前記封止部は、前記第１メタルパターンと前記配線基板の露出部との両方に接合したモジュールとした。

前記配線基板上に実装され、前記弾性波デバイスとは異なる第１電子デバイスと、
前記第１電子デバイスよりも前記配線基板の縁部から離れた位置で前記配線基板上に実装された第２電子デバイスと、
を備え、
前記第１電子デバイスと前記配線基板の前記縁部とに隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域において、前記封止部と前記配線基板の露出部が接合する面積は、前記封止部と前記第１メタルパターンが接合する面積よりも大きく、
前記第２電子デバイスと前記配線基板の前記縁部とに隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域において、前記封止部と前記配線基板の露出部が接合する面積は、前記封止部と前記第１メタルパターンが接合する面積よりも小さいことが、本開示の一形態とされる。

前記弾性波デバイスと電気的に接続された複数の電極パッド、
を備え、
前記複数の電極パッドの少なくとも一つは、グランド電位であり、グランド電位の前記電極パッドは、前記第１メタルパターンと電気的に接続されたことが、本開示の一形態とされる。

前記第１メタルパターンよりも前記配線基板の中央の側において前記第１メタルパターンに隣接して前記配線基板上に形成され、信号が流れる配線パターンと、
前記配線パターンよりも前記配線基板の中央の側において前記配線パターンに隣接して前記配線基板上に形成され、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、グランド電位である第２メタルパターンと、
を備えたことが、本開示の一形態とされる。

前記封止部は、合成樹脂で形成されたことが、本発明の一形態とされる。

前記弾性波デバイスは、弾性表面波共振器を用いたフィルタであることが、本発明の一形態とされる。

前記弾性波デバイスは、音響薄膜共振器を用いたフィルタであることが、本開示の一形態とされる。

前記配線基板上に実装されたスイッチと、
前記配線基板上に実装されたパワーアンプと、
を備え、
前記弾性波デバイスは、ＴＤＤフィルタであり、前記スイッチにより送信信号と受信信号とが切り替えられ、前記パワーアンプにより増幅された信号を送信することが、本開示の一形態とされる。

本開示によれば、封止部と配線基板の密着性に優れたモジュールを提供することができる。

実施の形態１におけるモジュールの縦断面図である。 実施の形態１におけるモジュールの等価回路図である。 実施の形態１におけるモジュールの要部の平面図である。 実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第１層の平面図である。 実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第２層の平面図である。 実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第３層の平面図である。 実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第４層の平面図である。 実施の形態１におけるモジュールに実装された弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。 実施の形態１におけるモジュールに実装された弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

実施の形態１．
図１は実施の形態１におけるモジュールの縦断面図である。

図１に示されるように、モジュール１は、配線基板１１と第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３と複数の電極パッド１４と複数の配線パターン１５と複数のバンプ１６と弾性波デバイス１７とスイッチ１８とパワーアンプ１９と複数の電子デバイス２０と封止部２１とを備える。

例えば、配線基板１１は、多層の樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板１１は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。配線基板１１は、複数の外部接続端子１３１を備える。

第１メタルパターン１２は、配線基板１１上の外縁部分に形成される。例えば、第１メタルパターン１２は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、第１メタルパターン１２は、１０μｍから２０μｍの厚みを有する。

複数の第２メタルパターン１３の各々は、配線基板１１上において第１メタルパターン１２よりも配線基板１１の中央の側に形成される。例えば、複数の第２メタルパターン１３の各々は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、複数の第２メタルパターン１３の各々は、１０μｍから２０μｍの厚みを有する。

第１グループの電極パッド１４の各々は、配線基板１１上において第１メタルパターン１２と重なるように形成される。第１グループの電極パッド１４の各々は、第１メタルパターン１２と電気的に接続される。例えば、第１グループの電極パッド１４の各々は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、第１グループの電極パッド１４の各々は、１０μｍから２０μｍの厚みを有する。第１グループの電極パッド１４の各々は、グランド電位である。

第２グループの電極パッド１４の各々は、配線基板１１上において第２メタルパターン１３と重なるように形成される。第２グループの電極パッド１４は、第２メタルパターン１３と電気的に接続される。例えば、第２グループの電極パッド１４の各々は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、第２グループの電極パッド１４の各々は、１０μｍから２０μｍの厚みを有する。第２グループの電極パッド１４の各々は、グランド電位である。

第３グループの電極パッド１４の各々は、配線基板１１上において第１メタルパターン１２にも第２メタルパターン１３にも重ならないように形成される。例えば、第３グループの電極パッド１４の各々は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、第３グループの電極パッド１４の各々は、１０μｍから２０μｍの厚みを有する。

複数の配線パターン１５の各々は、モジュール１の内部において電気信号が流れ得るように設けられる。具体的には、複数の配線パターン１５の各々は、配線基板１１上において第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３との間に形成される。例えば、複数の配線パターン１５の各々は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金で形成される。例えば、複数の配線パターン１５の各々は、複数の金属層が積層された積層金属膜で形成される。例えば、配線パターンの厚みは、１５００ｎｍから４５００ｎｍである。

複数のバンプ１６の各々は、複数の電極パッド１４のいずれかと電気的に接続される。例えば、バンプ１６は、金バンプである。例えば、バンプ１６の高さは、１０μｍから５０μｍである。

例えば、弾性波デバイス１７は、送受信が同じ周波数帯のＴＤＤフィルタである。弾性波デバイス１７は、バンプ１６を介して配線基板１１の主面にフリップチップボンディングにより実装される。図示されないが、弾性波デバイス１７は、配線基板と複数のバンプと少なくとも１つの弾性波デバイスチップと封止部とを備える。

例えば、配線基板は、配線基板１１と同等である。

複数のバンプは、配線基板と電気的に接続される。例えば、バンプは、金バンプである。例えば、バンプの高さは、１０μｍから５０μｍである。

例えば、弾性波デバイスチップは、チップ基板と配線パターンと複数の弾性波素子とを備える。

例えば、チップ基板は、タンタル酸リチウムまたはリチウムナイオベートで形成される。チップ基板の主面は、複数のバンプを介して配線基板とボンディングされることで電気的に接続される。

配線パターンは、チップ基板の主面に形成される。例えば、配線パターンは、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金で形成される。例えば、配線パターンの厚みは、１５００ｎｍから４５００ｎｍである。

複数の弾性波素子は、チップ基板の主面に形成される。複数の弾性波素子は、配線パターンと電気的に接続される。例えば、複数の弾性波素子は、所望の周波数帯の電気信号が通過し得るように設けられる。例えば、複数の弾性波素子は、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタとして機能する。

スイッチ１８は、配線基板１１の主面に実装される。スイッチ１８は、ワイヤボンディングにより配線パターン１５と電気的に接続される。スイッチ１８は、モジュール１の送信信号と受信信号とを切り替え得るように設けられる。

パワーアンプ１９は、配線基板１１の主面に実装される。パワーアンプ１９は、ワイヤボンディングにより配線パターン１５と電気的に接続される。パワーアンプ１９は、モジュール１の送信信号を増幅し得るように設けられる。

例えば、電子デバイス２０は、インダクタである。例えば、電子デバイス２０は、キャパシタである。電子デバイス２０は、バンプ１６を介して配線基板１１の主面にフリップチップボンディングにより実装される。電子デバイス２０は、インピーダンスマッチングのために実装される。

封止部２１は、弾性波デバイス１７とスイッチ１８とパワーアンプ１９と複数の電子デバイス２０とを覆うように形成される。封止部２１は、配線基板１１とともに、弾性波デバイス１７とスイッチ１８とパワーアンプ１９と複数の電子デバイス２０とを気密封止する。例えば、封止部２１は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。例えば、封止部２１は、金属で形成される。例えば、封止部２１は、絶縁層と金属層とで形成される。

封止部２１が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部２１は、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。

次に、図２を用いて、モジュール１の動作の概要を説明する。
図２は実施の形態１におけるモジュールの等価回路図である。

図２に示されるように、モジュール１は、送信端子Ｔｅｒｍ＿Ｔと受信端子Ｔｅｒｍ＿Ｒとアンテナ端子Ｔｅｒｍ＿ＡＮＴとを備える。

スイッチ１８が第１状態の際、モジュール１の送信信号の経路が確立される。この際、送信信号は、送信端子Ｔｅｒｍ＿Ｔを通過した後、パワーアンプ１９を通過する。この際、送信信号は、増幅される。その後、送信信号は、スイッチ１８を通過する。その後、送信信号は、弾性波デバイス１７を通過する。その後、送信信号は、アンテナ端子Ｔｅｒｍ＿Ｔを通過する。

スイッチ１８が第２状態の際、モジュール１の受信信号の経路が確立される。この際、受信信号は、アンテナ端子Ｔｅｒｍ＿ＡＮＴを通過した後、弾性波デバイス１７を通過する。その後、受信信号は、スイッチ１８を通過する。その後、受信信号は、受信端子Ｔｅｒｍ＿Ｒを通過する。

次に、図３を用いて、モジュール１の要部を説明する。
図３は実施の形態１におけるモジュールの要部の平面図である。

図３に示されるように、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有する。図示されないが、封止部２１は、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３と配線基板１１の露出部とに接合する。

図３において、第１電子デバイス２０ａは、配線基板１１の右側かつ下側に配置される。第２電子デバイス２０ｂは、配線基板１１の右側かつ上側に配置される。第２電子デバイス２０ｂは、第１電子デバイス２０ａよりも配線基板１１の右縁部から離れた位置に配置される。

第１電子デバイス２０ａと配線基板１１の右縁部とに隣接する領域Ａにおいて、封止部２１と配線基板１１の露出部が接合する面積は、封止部２１と第１メタルパターン１２が接合する面積よりも大きい。

第２電子デバイス２０ｂと配線基板１１の右縁部とに隣接する領域Ｂにおいて、封止部２１と配線基板１１の露出部が接合する面積は、封止部２１と第１メタルパターン１２が接合する面積よりも小さい。

配線パターン１５は、メタルパターンに適宜挟まれるように配置される。

例えば、領域Ｃにおいて、配線パターン１５は、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とに挟まれるように配置される。具体的には、配線パターン１５は、第１メタルパターン１２よりも配線基板１１の中央の側において第１メタルパターン１２に隣接する。第２メタルパターン１３は、配線パターン１５よりも配線基板１１の中央の側において配線パターン１５に隣接する。

例えば、領域Ｄにおいて、配線パターン１５は、第１メタルパターン１２に挟まれるように配置される。具体的には、配線パターン１５は、第１メタルパターン１２の凹部に収まるように配置される。

例えば、領域Ｅにおいて、配線パターン１５は、同じ第２メタルパターン１３に挟まれるように配置される。具体的には、配線パターン１５は、第２メタルパターン１３の凹部に収まるように配置される。

例えば、領域Ｆにおいて、配線パターン１５は、異なる第２メタルパターン１３に挟まれるように配置される。具体的には、第２メタルパターン１３の一方は、配線パターン１５の一側に隣接する。第２メタルパターン１３の他方は、配線パターン１５の他側に隣接する。

次に、図４から図７を用いて、配線基板１１を説明する。
図４は実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第１層の平面図である。図５は実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第２層の平面図である。図６は実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第３層１４３の平面図である。図７は実施の形態１におけるモジュールが備えた配線基板の第４層の平面図である。

図４の第１層１４１は、配線基板１１の主面を形成する表面を有する層である。図４に示されるように、第１層１４１は、複数の第１層用ビア１４１ａを備える。第１層１４１において、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とは、電気的に接続されていない。

図５の第２層１４２は、第１層１４１の裏面に接合される層である。図５に示されるように、第２層１４２は、第２層用メタルパターン１４２ａと複数の第２層用配線パターン１４２ｂと複数の第２層用ビア１４２ｃとを備える。

図６の第３層１４３は、第２層１４２の裏面に接合される層である。図６に示されるように、第３層１４３は、第３層用メタルパターン１４３ａと複数の第３層用配線パターン１４３ｂと複数の第３層用ビア１４３ｃとを備える。

図７の第４層１４４は、第３層１４３の裏面に接合される層である。第４層１４４は、配線基板１１の主面とは反対側の面を形成する層である。図７に示されるように、第４層１４４は、第４層用メタルパターン１４４ａと複数の外部接続端子１３１とを備える。

第１層１４１から第４層１４４が積層されると、所望の電気的な接続が確立される。例えば、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とは、第１層１４１におけるグランド電位のビアと第２層用メタルパターン１４２ａとを介して電気的に接続される。その結果、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とは、グランド電位となる。

次に、図８を用いて、弾性波素子の第１例を説明する。
図８は実施の形態１におけるモジュールに実装された弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。

図８の例は、弾性波素子が弾性表面波共振器である例である。図８に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）２２ａと一対の反射器２２ｂとは、チップ基板の主面に形成される。一対の反射器２２ｂの一方は、ＩＤＴ２２ａの一側に隣接する。一対の反射器２２ｂの他方は、ＩＤＴ２２ａの他側に隣接する。ＩＤＴ２２ａと一対の反射器２２ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

例えば、ＩＤＴ２２ａと一対の反射器２２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ２２ａと一対の反射器２２ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ２２ａと一対の反射器２２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、ＩＤＴ２２ａと一対の反射器２２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

ＩＤＴ２２ａは、一対の櫛形電極２２ｃを備える。一対の櫛形電極２２ｃは、互いに対向する。櫛形電極２２ｃは、複数の電極指２２ｄとバスバー２２ｅとを備える。複数の電極指２２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー２２ｅは、複数の電極指２２ｄを接続する。

次に、図９を用いて、弾性波素子の第２例を説明する。
図９は実施の形態１におけるモジュールに実装された弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

図９の例は、弾性波素子が圧電薄膜共振器である例である。図９において、チップ基板６０は、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板である。

圧電膜６２は、チップ基板６０上に設けられる。例えば、圧電膜６２は、窒化アルミニウムで形成される。

下部電極６４と上部電極６６とは、圧電膜６２を挟むように設けられる。例えば、下部電極６４と上部電極６６とは、ルテニウム等の金属で形成される。

空隙６８は、下部電極６４とチップ基板６０との間に形成される。

音響薄膜共振器において、下部電極６４と上部電極６６とは、圧電膜６２の内部に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。

以上で説明された実施の形態１によれば、第１メタルパターン１２は、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有する。封止部２１は、第１メタルパターン１２と配線基板１１の露出部との両方に接合する。第１メタルパターン１２が封止部２１と接合する領域の境界線が長くなり、さらに、凹凸形状においては第１メタルパターン１２の凹部部分に、ギザギザ形状においては、第１メタルパターン１２の谷部分に、封止部２１が入り込む。このため、アンカー効果が得られ、封止部２１と配線基板１１の密着性を向上させることができる。

なお、第１メタルパターン１２は、配線基板１１の端部から１５μｍ程度内側に形成される。このため、封止部２１と配線基板１１の端部との密着性を向上させることができる。

また、第１電子デバイス２０ａと配線基板１１の縁部とに隣接する領域Ａにおいて、封止部２１と配線基板１１の露出部が接合する面積は、封止部２１と第１メタルパターン１２が接合する面積よりも大きい。第２電子デバイス２０ｂと配線基板１１の縁部とに隣接する領域Ｂにおいて、封止部２１と配線基板１１の露出部が接合する面積は、封止部２１と第１メタルパターン１２が接合する面積よりも小さい。このため、配線基板１１の縁部に近い第１電子デバイス２０ａの近傍においても、封止部２１と配線基板１１の露出部とが密着することで、封止部２１と配線基板１１の密着性をより確実に向上させることできる。さらに、配線基板１１の縁部から第２電子デバイス２０ｂの近傍においても、封止部２１と配線基板１１の露出部とが密着するだけでなく、ある程度の面積を有した第１メタルパターン１２の領域が封止部２１と接合することで、封止部２１と配線基板１１の密着性をより確実に向上させることできる。

また、第２メタルパターン１３は、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有する。封止部２１は、第２メタルパターン１３と配線基板１１の露出部との両方に接合する。第２メタルパターン１３が封止部２１と接合する領域の境界線が長くなり、さらに、凹凸形状においては第２メタルパターン１３の凹部部分に、ギザギザ形状においては、第２メタルパターン１３の谷部分に、封止部２１が入り込む。このため、アンカー効果が得られ、封止部２１と配線基板１１の密着性を向上させることができる。

また、第１メタルパターン１２と第２メタルパターン１３とは、配線基板１１と封止部２１との間の熱伝導性を高める。このため、モジュール１の放熱性をよくする。

また、第１メタルパターン１２は、グランド電位の電極パッド１４と電気的に接続される。このため、グランドを強化することができる。なお、第１メタルパターン１２は、少なくとも１つのグランド電位の電極パッド１４と電気的に接続されていればよい。

また、配線パターン１５は、第１メタルパターン１２よりも配線基板１１の中央の側において第１メタルパターン１２に隣接する。第２メタルパターン１３は、配線パターン１５よりも配線基板１１の中央の側において配線パターン１５に隣接する。このため、配線パターン１５とグランドのカップリング減少を抑制することができる。その結果、モジュール１の特性の劣化を抑制することができる。

ここで、第１メタルパターン１２または第２メタルパターン１３が配線パターン１５に近接している場合、当該メタルパターンと配線パターン１５との間には、寄生容量が発生する。例えば、当該メタルパターンと配線パターン１５との間の距離が一定である場合、一定の寄生容量が発生する。この際、当該メタルパターンがギザギザ形状部分を有すれば、当該メタルパターンと配線パターン１５との間の距離を調整することができる。このため、当該メタルパターンによる放熱の効果を可能な限り増やしつつ、当該メタルパターンと配線パターン１５との間の寄生容量が問題とならないように調整することができる。

また、封止部２１は、合成樹脂で形成される。このため、特に、配線基板１１の露出部に対して封止部２１の密着性を向上させることができる。

また、弾性波デバイス１７は、弾性表面波共振器を用いたフィルタである。このため、所望の周波数帯の電気信号が通過させるモジュール１を得ることができる。

また、弾性波デバイス１７は、音響薄膜共振器を用いたフィルタである。このため、所望の周波数帯の電気信号が通過させるモジュール１を得ることができる。

また、弾性波デバイス１７は、ＴＤＤフィルタである。弾性波デバイス１７においては、スイッチ１８により送信信号と受信信号とが切り替えられる。弾性波デバイス１７は、パワーアンプ１９により増幅された信号を送信する。モジュール１において、送信信号と受信信号とを切り替えられるだけでなく、適切な送信信号を出力することができる。

なお、弾性波デバイス１７として、２つの弾性波デバイスチップが実装されたデュプレクサ、１つの弾性波デバイスチップが実装されたバンドパスフィルタ、４つの弾性波デバイスチップが実装されたクアッドプレクサを採用してもよい。

また、弾性波デバイス１７として、弾性波デバイスチップを直接的に配線基板１１を実装してもよい。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

１ モジュール、 １１ 配線基板、 １２ 第１メタルパターン、 １３ 第２メタルパターン、 １４ 電極パッド、 １５ 配線パターン、 １６ バンプ、 １７ 弾性波デバイス、 １８ スイッチ、 １９ パワーアンプ、 ２０ 電子デバイス、 ２０ａ 第１電子デバイス、 ２０ｂ 第２電子デバイス、 ２１ 封止部、 ２２ａ ＩＤＴ、 ２２ｂ 反射器、 ２２ｃ 櫛形電極、 ２２ｄ 電極指、 ２２ｅ バスバー、 ６０ チップ基板、 ６２ 圧電膜、 ６４ 下部電極、 ６６ 上部電極、 ６８ 空隙、 １３１ 外部接続端子、 １４１ 第１層、 １４１ａ 第１層用ビア、 １４２ 第２層、 １４２ａ 第２層用メタルパターン、 １４２ｂ 第２層用配線パターン、 １４２ｃ 第２層用ビア、 １４３ 第３層、 １４３ａ 第３層用メタルパターン、 １４３ｂ 第３層用配線パターン、 １４３ｃ 第３層用ビア、 １４４ 第４層、 １４４ａ 第４層用メタルパターン

Claims (8)

1. 配線基板と、
   前記配線基板上に実装された弾性波デバイスと、
   前記配線基板上の外縁部分に形成された第１メタルパターンと、
   前記弾性波デバイスを機密封止する封止部と、
   を備え、
   前記第１メタルパターンは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、
   前記封止部は、前記第１メタルパターンと前記配線基板の露出部との両方に接合したモジュール。
2. 前記配線基板上に実装され、前記弾性波デバイスとは異なる第１電子デバイスと、
   前記第１電子デバイスよりも前記配線基板の縁部から離れた位置で前記配線基板上に実装された第２電子デバイスと、
   を備え、
   前記第１電子デバイスと前記配線基板の前記縁部とに隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域において、前記封止部と前記配線基板の露出部が接合する面積は、前記封止部と前記第１メタルパターンが接合する面積よりも大きく、
   前記第２電子デバイスと前記配線基板の前記縁部とに隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域において、前記封止部と前記配線基板の露出部が接合する面積は、前記封止部と前記第１メタルパターンが接合する面積よりも小さい請求項１に記載のモジュール。
3. 前記弾性波デバイスと電気的に接続された複数の電極パッド、
   を備え、
   前記複数の電極パッドの少なくとも一つは、グランド電位であり、グランド電位の前記電極パッドは、前記第１メタルパターンと電気的に接続された請求項１または請求項２に記載のモジュール。
4. 前記第１メタルパターンよりも前記配線基板の中央の側において前記第１メタルパターンに隣接して前記配線基板上に形成され、信号が流れる配線パターンと、
   前記配線パターンよりも前記配線基板の中央の側において前記配線パターンに隣接して前記配線基板上に形成され、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、グランド電位である第２メタルパターンと、
   を備えた請求項３に記載のモジュール。
5. 前記封止部は、合成樹脂で形成された請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のモ ジュール。
6. 前記弾性波デバイスは、弾性表面波共振器を用いたフィルタである請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のモジュール。
7. 前記弾性波デバイスは、音響薄膜共振器を用いたフィルタである請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のモジュール。
8. 前記配線基板上に実装されたスイッチと、前記配線基板上に実装されたパワーアンプと、
   を備え、
   前記弾性波デバイスは、ＴＤＤフィルタであり、前記スイッチにより送信信号と受信信号とが切り替えられ、前記パワーアンプにより増幅された信号を送信する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のモジュール。

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