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JP7251916B2 - R-t-b系永久磁石 - Google Patents

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Description

本発明は、R-T-B系永久磁石に関する。
R-T-B系の組成を有する希土類永久磁石は、優れた磁気特性を有する磁石であり、その磁気特性の更なる向上を目指して多くの検討がなされている。磁気特性を表す指標としては、一般的に、残留磁束密度(残留磁化)Brおよび保磁力HcJが用いられる。これらの値が高い磁石は優れた磁気特性を有するといえる。
特許文献1では、各種希土類元素を含有する微粉末を水あるいは有機溶媒に分散させたスラリーに磁石体を浸漬させた後に加熱して粒界拡散させた希土類永久磁石が記載されている。
国際公開第2006/43348号パンフレット
本発明は、残留磁束密度Brおよび保磁力HcJが高いR-T-B系永久磁石を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明のR-T-B系永久磁石は、
Rが希土類元素であり、TがFeおよびCoであり、Bがホウ素であるR-T-B系永久磁石であって、
Rとして少なくともDyおよびTbを含有し、
Mを含有し、
Mは、Cu、Ga、Al、Mn、Zr、Ti、Cr、Ni、Nb、Ag、Hf、Ta、W、Si、Bi、Snから選択される1種以上の元素であり、
Mとして少なくともCuを含有し、
R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、
Rの合計含有量が28.05質量%~30.60質量%、
Dyの含有量が1.0質量%~6.5質量%、
Cuの含有量が0.04質量%~0.50質量%、
Coの含有量が0.5質量%~3.0質量%、
Bの含有量が0.85質量%~0.95質量%であり、
Tbの濃度分布が、前記R-T-B系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを特徴とする。
本願発明のR-T-B系永久磁石は、上記の範囲内の組成および濃度分布を有することで、残留磁束密度Brおよび保磁力HcJが高いR-T-B系永久磁石となる。
Rとして少なくともNdを含有してもよい。
Rとして少なくともPrを含有してもよく、Prの含有量が0より大きく10.0質量%以下であってもよく、Prの含有量が5.0質量%~10.0質量%であってもよい。
Dyの含有量が2.5質量%~6.5質量%であってもよい。
Rとして少なくともNdおよびPrを含有してもよい。
MとしてさらにGaを含有してもよく、
Gaの含有量が0.08質量%~0.30質量%であってもよい。
MとしてさらにAlを含有してもよく、
Alの含有量が0.15質量%~0.30質量%であってもよい。
MとしてさらにZrを含有してもよく、
Zrの含有量が0.10質量%~0.30質量%であってもよい。
Rの合計含有量をTREとする場合に、TRE/Bが原子数比で2.21~2.62であってもよい。
Tb/Cが原子数比で0.10~0.95であってもよい。
14B/(Fe+Co)が原子数比で1.01以下であってもよい。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石の模式図である。
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
<R-T-B系永久磁石>
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石1は、R14B結晶から成る粒子および粒界を有する。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石1は任意の形状とすることができる。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石1は、Tbを含む複数の特定の元素を特定の範囲の含有量で含有させることで、残留磁束密度Br、保磁力HcJ、耐食性および製造安定性を向上させることができる。
また、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石1は、Tbの濃度が、前記R-T-B系永久磁石1の外側から内側に向かって低下する濃度分布を有する。
具体的には、図1で示すように、本実施形態に係る直方体形状のR-T-B系永久磁石1が表面部および中心部を有する場合において、表面部におけるTbの含有量が、中心部におけるTbの含有量よりも2%以上高くすることができ、5%以上、または10%以上とすることもできる。なお、前記表面部とは、R-T-B系永久磁石1の表面をいう。例えば、図1の点C,C´(図1の互いに向かい合う表面の重心)は表面部である。前記中心部とは、R-T-B系永久磁石1の中心をいう。例えば、R-T-B系永久磁石1の厚みの半分の部分をいう。例えば、図1の点M(点Cと点C´との中点)は中心部である。
Tbの含有量に前述の濃度分布を発生させる方法に特に制限はないが、後述するTbの粒界拡散により磁石内にTbの濃度分布を発生させることができる。
Rは希土類元素である。希土類元素とは、長周期型周期表の第3族に属するScとYとランタノイド元素を含む。ランタノイド元素には、例えば、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luが含まれる。また、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石では、Rとして、必ずTbを含有する。また、RとしてNdを含むことが好ましい。
一般に希土類元素は軽希土類元素と重希土類元素に分類されるが、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石における軽希土類元素はSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Euであり、重希土類元素はGd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luである。
Tは、FeおよびCoである。また、M以外の遷移金属および不可避不純物を含んでもよい。RにもMにも含まれない遷移金属および不可避不純物の含有量は0.1質量%以下とすることが好ましく、0.05質量%以下がより好ましい。なお、TにはC、OおよびNは含まれない。
Bは、ホウ素である。
Mは、Cu、Ga、Al、Mn、Zr、Ti、Cr、Ni、Nb、Ag、Hf、Ta、W、Si、Bi、Snから選択される1種以上の元素であり、Cuを必ず含む。
Rの合計含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、28.05質量%以上30.60質量%以下である。Rの合計含有量が28.05質量%未満の場合には、保磁力HcJが低下する。Rの合計含有量が30.60質量%超の場合には、残留磁束密度Brが低下する。また、Rの合計含有量は28.25質量%以上30.60%以下、29.25質量%以上30.60質量%以下、または、29.45質量%以上30.60質量%以下としてもよく、29.45質量%以上30.45質量%以下としてもよい。また、Rの合計含有量を29.45質量%以上とすることで、焼結時の変形量が少なくなり、製造安定性が向上する。Rの合計含有量を29.45質量%以上30.45質量%以下とし、後述するようにBの含有量を0.88質量%以上0.94質量%以下とすることで角型比Hk/HcJもさらに向上する。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石における軽希土類元素の含有量の合計をTRLとし、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%とした場合において、TRLが21.4質量%以上29.1質量%以下であってもよく、21.4質量%以上27.6質量%以下であってもよい。TRLが当該範囲内であることにより、磁気特性を向上させることができる。
さらに、本実施形態のR-T-B系永久磁石は、Ndの含有量は任意である。また、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、Ndの含有量は0質量%~30.1質量%であってもよく、0質量%~29.6質量%であってもよく、19.6質量%~29.6質量%、19.6質量%~24.6質量%、19.6質量%~22.6質量%であってもよい。また、Prの含有量は0.0質量%~10.0質量%である。すなわち、Prを含有しなくてもよい。本実施形態のR-T-B系永久磁石は、RとしてNdおよびPrを含有してもよい。この場合、Prの含有量は5.0質量%以上10.0質量%以下としてもよく、5.0質量%以上7.5質量%以下としてもよい。また、Prの含有量が10.0質量%以下である場合には保磁力HcJの温度変化率が優れる。特に高温における保磁力HcJを高くする観点からはPrの含有量を0.0質量%~7.5質量%としてもよい。
また、本実施形態のR-T-B系永久磁石は、Rとして重希土類元素を含んでもよい。重希土類元素としてはTbおよびDyを必須とする。R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、Dyの含有量は1.0質量%以上、6.5質量%以下である。Dyの含有量が少なすぎる場合には保磁力HcJおよび耐食性が低下する。Dyの含有量が多すぎる場合には残留磁束密度Brが低下し、コストアップの要因となる。また、Dyの含有量は2.5質量%以上、6.5質量%以下であることが好ましい。Dyの含有量が2.5質量%以上、6.5質量%以下である場合には、保磁力HcJがさらに向上するとともに、高温減磁率が小さくなる。
Tbの含有量はR、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.15質量%以上1.0質量%以下であってもよく、0.15質量%以上0.75質量%以下、0.15質量%以上0.50質量%以下であってよい。Tbの含有量を0.15質量%以上とすることで保磁力HcJを向上させることができる。Tbの含有量を1.0質量%以下とすることで残留磁束密度Brの維持およびコスト低減の効果がある。
本明細書における高温減磁率の定義について以下に示す。まず、4000kA/mのパルス磁場により試料の着磁を行う。室温(23℃)における試料の総磁束量をB0とする。次に、試料を200℃に2時間高温暴露し、室温に戻す。試料温度が室温に戻ったら、再度総磁束量を測定し、これをB1とする。このときに、本明細書における高温減磁率をDとすると、
D=100*(B1-B0)/B0(%)
である。上式で計算される高温減磁率の絶対値が小さいことを単に高温減磁率が小さいと記載する場合がある。
Coの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.5質量%以上3.0質量%以下である。Coを含有することで耐食性が向上する。Coの含有量が0.5質量%未満であると、R-T-B系永久磁石の耐食性が悪化する。Coの含有量が3.0質量%を超えると、耐食性改善の効果が頭打ちとなるとともに高コストとなる。また、Coの含有量は、1.0質量%以上3.0質量%以下であってもよい。
Bの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.85質量%以上0.95質量%以下である。Bが0.85質量%未満であると高角型性を実現しにくくなる。すなわち、角型比Hk/HcJを向上させにくくなる。Bが0.95質量%超であると、角型比Hk/HcJが低下する。また、Bの含有量は0.88質量%以上0.94質量%以下であってもよい。Bの含有量を0.88質量%以上とすることで、残留磁束密度Brがさらに向上する傾向にある。Bの含有量を0.94質量%以下とすることで、保磁力HcJがさらに向上する傾向にある。
Mの合計含有量は任意であるが、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.04質量%以上1.5質量%以下であることが好ましい。Mの合計含有量が多すぎる場合には残留磁束密度Brが低下する傾向がある。
Cuの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.04質量%以上0.50質量%以下である。Cuの含有量が0.04質量%未満であると、保磁力HcJが低下する傾向にある。Cuの含有量が0.50質量%を超えると、保磁力HcJが低下する傾向にあり、さらに残留磁束密度Brが低下する傾向にある。また、Cuの含有量は、0.10質量%以上0.50質量%以下であってもよく、0.10質量%以上0.30質量%以下であってもよい。Cuを0.10質量%以上含有することにより耐食性が向上する傾向にある。
Gaの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.08質量%以上0.30質量%以下であってもよい。Gaを0.08質量%以上含有することで保磁力HcJが十分に向上する。0.30質量%を超えると、副相(例えば、R-T-Ga相)が生成しやすくなり、残留磁束密度Brが低下する。また、Gaの含有量は、0.10質量%以上0.25質量%以下であってもよい。
Alの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.15質量%以上0.30質量%以下であってもよい。Alの含有量を0.15質量%以上とすることで、保磁力HcJを向上させることができる。さらに、時効温度および粒界拡散後の熱処理温度の変化に対する保磁力HcJの変化が小さくなり、量産時における特性のばらつきが小さくなる。すなわち、製造安定性が向上する。Alの含有量が0.30質量%以下であることにより、残留磁束密度Brを向上させることができる。さらに、保磁力HcJの温度変化率を向上させることができる。また、Alの含有量は0.15質量%以上0.25質量%以下であってもよい。Alの含有量を0.15質量%以上0.25質量%以下とすることにより、時効温度および粒界拡散後の熱処理温度の変化に対する磁気特性(特に保磁力)の変化がさらに小さくなる。
Zrの含有量は、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.10質量%以上0.30質量%以下であってもよい。Zrを含有することで、焼結時の異常粒成長を抑制し、角型比Hk/HcJおよび低磁場下での着磁率が改善される。Zrの含有量を0.10質量%以上とすることにより、Zrの含有による焼結時の異常粒成長抑制効果が大きくなり、角型比Hk/HcJおよび低磁場下での着磁率が改善する。0.30質量%以下とすることにより、残留磁束密度Brを向上させることができる。また、Zrの含有量は、0.15質量%以上0.30質量%以下であってもよく、0.15質量%以上0.25質量%以下であってもよい。Zrの含有量を0.15質量%以上とすることにより、焼結安定温度範囲が広くなる。すなわち、焼結時において異常粒成長抑制効果がさらに大きくなる。そして、特性のバラツキが小さくなり、製造安定性が向上する。
また、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は、Mnを含んでもよい。Mnを含む場合には、Mnの含有量が、R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、0.02質量%~0.10質量%であってもよい。Mnの含有量が0.02質量%以上であると、残留磁束密度Brが向上する傾向にあるとともに、保磁力HcJが向上する傾向にある。Mnの含有量が0.10質量%以下であると、保磁力HcJが向上する傾向にある。また、Mnの含有量は0.02質量%以上0.06質量%以下であってもよい。
また、R元素の含有量の合計をTREとしたときに、TRE/Bが原子数比で2.21以上2.62以下であってもよい。TRE/Bが上記の範囲内であることで残留磁束密度Brおよび保磁力HcJが向上する。
また、14B/(Fe+Co)が原子数比で0より大きく1.01以下であってもよい。14B/(Fe+Co)が1.01以下であることで角型比が向上する傾向にある。14B/(Fe+Co)は1.00以下であってもよい。
また、Tbの含有量をCの含有量で割った原子数比Tb/Cは0.10以上0.95以下であってもよい。Tb/Cが上記の範囲内であることにより、保磁力HcJの温度特性が良好になる。さらに、高温での保磁力HcJも向上し、高温減磁率が小さくなる。また、Tb/Cは、0.10以上0.65以下であってもよく、0.13以上0.50以下であってもよく、0.20以上0.45以下であってもよい。また、0.13以上0.63以下、0.17以上0.63以下、0.21以上0.63以下、0.21以上0.44以下であってもよい。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石における炭素(C)の含有量は、R-T-B系永久磁石の総質量に対して1100ppm以下であってもよく、1000ppm以下、または900ppm以下であってもよい。また、600ppm~1100ppm、600ppm~1000ppm、または600ppm~900ppmであってもよい。炭素の含有量を1100ppm以下とすることで保磁力HcJが向上する傾向にある。特に保磁力HcJを向上させる観点からは、炭素の含有量を900ppm以下とすることができる。また、炭素の含有量が600ppm未満であるR-T-B系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる
なお、特に角型比Hk/HcJを向上させる観点からは、炭素の含有量を800ppm~1100ppmとすることができる。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石において、窒素(N)の含有量は、R-T-B系永久磁石の総質量に対して1000ppm以下としてもよく、700ppm以下、または600ppm以下としてもよい。また、250ppm~1000ppm、250ppm~700ppm、または250ppm~600ppmであってもよい。窒素の含有量が少ないほど保磁力HcJが向上しやすくなる。また、窒素の含有量が、250ppm未満であるR-T-B系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石において、酸素(O)の含有量は、R-T-B系永久磁石の総質量に対して1000ppm以下であってよく、800ppm以下、700ppm以下、または500ppm以下であってもよい。また、350ppm~500ppmであってもよい。しかし、酸素の含有量の下限は特に存在しないが、酸素の含有量が、350ppm未満であるR-T-B系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる。また、酸素の含有量を1000ppm以上、3000ppm以下とすることで耐食性を向上させることができる。
さらに、後述する粒界拡散前のRの合計含有量を29.1質量%以上としつつ、酸素の含有量を1000ppm以下、800ppm以下、700ppm以下、または500ppm以下に低減することで焼結時の変形を抑制でき、製造安定性を向上させることができる。なお、後述する粒界拡散前のRの合計含有量が29.1質量%以上である場合、粒界拡散後のRの合計含有量は、例えば29.25質量%以上となる。
Rの合計含有量を所定量以上としつつ酸素の含有量を低減することで焼結時の変形を抑制できるのは、以下に示す理由であると考える。R-T-B系焼結磁石の焼結機構は液相焼結であり、Rリッチ相と言われる粒界相成分が焼結時に液相を生成して、緻密化を促進する。一方、酸素はRリッチ相と反応しやすく、酸素の含有量が増えると希土類酸化物相が形成され、Rリッチ相量が減少する。一般に焼結炉内にはごく微量であるが酸化性の不純物ガスが存在する。このため、焼結過程において成形体表面近傍でRリッチ相が酸化され、局所的にRリッチ相量が減少することがある。Rの合計含有量が多く、酸素の含有量が少ない組成ではRリッチ相量が多く、酸化が焼結時の収縮挙動へ与える影響は小さい。Rの合計含有量が少ないおよび/または酸素の含有量が多い組成ではRリッチ相量が少ないため、焼結過程での酸化は焼結時の収縮挙動に影響を与える。結果として、部分的に縮率、すなわち寸法が変化することで焼結体の変形が起こる。したがって、Rの合計含有量を所定量以上としつつ酸素の含有量を低減することで焼結時の変形を抑制できる。
なお、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石中に含まれる各種成分の測定法は、従来から一般的に知られている方法を用いることができる。各種元素量については、例えば、蛍光X線分析および誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP分析)等により測定される。酸素の含有量は、例えば、不活性ガス融解-非分散型赤外線吸収法により測定される。炭素の含有量は、例えば、酸素気流中燃焼-赤外線吸収法により測定される。窒素の含有量は、例えば、不活性ガス融解-熱伝導度法により測定される。
また、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は、複数の主相粒子と粒界とを含む。主相粒子は、コアと、コアを被覆するシェルとからなるコアシェル粒子であってもよい。そして、少なくともシェルには重希土類元素が存在してもよく、Tbが存在してもよい。
重希土類元素をシェル部に存在させることで、効率的にR-T-B系永久磁石の磁気特性を向上させることができる。
本実施形態においては、軽希土類元素に対する重希土類元素の割合(重希土類元素/軽希土類元素(モル比))が、主相粒子中心部(コア)における前記割合の2倍以上となっている部分をシェルと規定する。
シェルの厚みには特に制限はないが、500nm以下であってもよい。また、主相粒子の粒径にも特に制限はないが、3.0μm以上6.5μm以下であってもよい。
主相粒子を上記のコアシェル粒子とする方法は任意である。例えば、後述する粒界拡散による方法がある。重希土類元素が粒界を拡散し、当該重希土類元素が主相粒子の表面の希土類元素Rと置換することで重希土類元素の割合が高いシェルが形成され、前記のコアシェル粒子となる。
以下、R-T-B系永久磁石の製造方法について詳しく説明していくが、R-T-B系永久磁石の製造方法はこれに制限されず、その他の公知の方法を用いてもよい。
[原料粉末の準備工程]
原料粉末は、公知の方法により作製することができる。本実施形態では、単独の合金を使用する1合金法の場合について説明するが、組成の異なる第1合金と第2合金を混合して原料粉末を作製するいわゆる2合金法でもよい。
まず、R-T-B系永久磁石の原料合金を準備する(合金準備工程)。合金準備工程では、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石の組成に対応する原料金属を公知の方法で溶解した後、鋳造することによって所望の組成を有する原料合金を作製する。
原料金属としては、例えば、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボロン、CoやCu等の金属、さらにはこれらの合金や化合物等を使用することができる。原料金属から原料合金を鋳造する鋳造方法は任意の方法としてもよい。磁気特性の高いR-T-B系永久磁石を得るためにストリップキャスト法を用いてもよい。得られた原料合金は、必要に応じて既知の方法で均質化処理を行ってもよい。また、重希土類元素(Dy、Tb等)については原料金属に添加してもよく、後述する粒界拡散にてR-T-B系永久磁石に導入してもよい。Dyは原料合金に添加し、Tbは粒界拡散にてR-T-B系永久磁石に導入するのが好ましい。また、Tbの濃度分布をR-T-B系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布とする方法は任意であるが、Tbの少なくとも一部を粒界拡散させる場合にはR-T-B系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布としやすくなる。また、この時点ではTbを添加せず、後述する粒界拡散のみによってTbを添加してもよい。この場合には特にコストを抑制しやすくなる。
前記原料合金を作製した後、粉砕する(粉砕工程)。なお、粉砕工程から焼結工程までの各工程の雰囲気は、高い磁気特性を得る観点から、低酸素濃度とすることができる。例えば、各工程の酸素の濃度を200ppm以下としてもよい。各工程の酸素濃度を制御することで、R-T-B系永久磁石に含まれる酸素量を制御することができる。
以下、前記粉砕工程として、粒径が数百μm~数mm程度になるまで粉砕する粗粉砕工程と、粒径が数μm程度になるまで微粉砕する微粉砕工程の2段階で実施する場合を以下に記述するが、微粉砕工程のみの1段階で実施してもよい。
粗粉砕工程では、粒径が数百μm~数mm程度になるまで粗粉砕する。これにより、粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は任意の方法で行うことができ、水素吸蔵粉砕を行う方法や粗粉砕機を用いる方法など、公知の方法で行うことができる。水素吸蔵粉砕を行う場合、脱水素処理時の雰囲気中窒素ガス濃度の制御を行うことで、R-T-B系永久磁石に含まれる窒素量を制御することができる。
次に、得られた粗粉砕粉末を平均粒子径が数μm程度になるまで微粉砕する(微粉砕工程)。これにより、微粉砕粉末(原料粉末)を得る。前記微粉砕粉末の平均粒径は、1μm以上10μm以下、2μm以上6μm以下、または3μm以上5μm以下であってもよい。微粉砕工程の雰囲気中窒素ガス濃度の制御を行うことで、R-T-B系永久磁石に含まれる窒素量を制御することができる。
微粉砕は任意の方法で実施される。例えば、各種微粉砕機を用いる方法で実施される。
前記粗粉砕粉末を微粉砕する際、ラウリン酸アミド、オレイン酸アミド等の各種粉砕助剤を添加することにより、成形時に配向性の高い微粉砕粉末を得ることができる。また、粉砕助剤の添加量を変化させることにより、R-T-B系永久磁石に含まれる炭素量を制御することができる。
[成形工程]
成形工程では、上記微粉砕粉末を目的の形状に成形する。成形は任意の方法で行ってよい。本実施形態では、上記微粉砕粉末を金型内に充填し、磁場中で加圧する。これにより得られた成形体は、主相結晶が特定方向に配向しているので、より残留磁束密度Brの高いR-T-B系永久磁石が得られる。
成形時の加圧は、20MPa~300MPaで行うことができる。印加する磁場は、950kA/m以上とすることができ、950kA/m~1600kA/mとすることもできる。印加する磁場は静磁場に制限されず、パルス状磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
なお、成形方法としては、上記のように微粉砕粉末をそのまま成形する乾式成形の他、微粉砕粉末を油等の溶媒に分散させたスラリーを成形する湿式成形を適用することもできる。
微粉砕粉末を成形して得られる成形体の形状は任意の形状とすることができる。また、この時点での成形体の密度は4.0Mg/m~4.3Mg/mとすることができる。
[焼結工程]
焼結工程は、成形体を真空または不活性ガス雰囲気中で焼結し、焼結体を得る工程である。焼結温度は、組成、粉砕方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、成形体に対して、例えば、真空中または不活性ガスの存在下、1000℃以上1200℃以下、1時間以上20時間以下で加熱する処理を行うことにより焼成する。これにより、高密度の焼結体が得られる。本実施形態では、最低7.45Mg/m以上の密度の焼結体を得る。焼結体の密度は、7.50Mg/m以上であってもよい。
[時効処理工程]
時効処理工程は、焼結体を焼結温度より低温で熱処理する工程である。時効処理を行うか否かには特に制限はなく、時効処理の回数にも特に制限はなく所望の磁気特性に応じて適宜実施する。また、後述する粒界拡散工程を採用する場合、粒界拡散工程が時効処理工程を兼ねてもよい。本実施形態に係るR-T-B系永久磁石では、2回の時効処理を行う。以下、時効処理を2回行う実施形態について説明する。
1回目の時効工程を第一時効工程、2回目の時効工程を第二時効工程とし、第一時効工程の時効温度をT1、第二時効工程の時効温度をT2とする。
第一時効工程における温度T1および時効時間には、特に制限はない。700℃以上900℃以下で1時間~10時間とすることができる。
第二時効工程における温度T2および時効時間には、特に制限はない。500℃以上700℃以下で1時間~10時間とすることができる。
このような時効処理によって、最終的に得られるR-T-B系永久磁石の磁気特性、特に保磁力HcJを向上させることができる。
以下、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石にTbを粒界拡散させる方法について説明する。
[加工工程(粒界拡散前)]
粒界拡散前に、必要に応じて、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石を所望の形状に加工する工程を有してもよい。加工方法は、例えば切断、研削などの形状加工や、バレル研磨などの面取り加工などが挙げられる。
[粒界拡散工程]
粒界拡散は、R-T-B系永久磁石の表面に、塗布または蒸着等によって重希土類元素(本実施形態ではTb)の金属、重希土類元素を含む化合物や合金等を付着させた後、熱処理を行うことにより、実施することができる。重希土類元素の粒界拡散により、最終的に得られるR-T-B系永久磁石の保磁力HcJをさらに向上させることができる。R-T-B系永久磁石に粒界拡散させる重希土類元素としてはTbが好ましい。Tbを用いることにより、より高い保磁力HcJを得ることができる。
以下に説明する実施形態では、Tbを含有する塗料を作製し、塗料をR-T-B系永久磁石の表面に塗布する。
塗料の態様は任意である。Tbを含む化合物として何を用いるか、溶媒または分散媒として何を用いるかも任意である。また、塗料におけるTbの濃度は任意である。Tbを含む化合物として、例えばフッ化物や水素化物を用いることができる。
本実施形態に係る粒界拡散工程における拡散処理温度は、800℃~950℃とすることができる。拡散処理時間は1時間~50時間とすることができる。なお、粒界拡散工程が前記時効処理工程を兼ねてもよい。
上記の拡散処理温度および拡散処理時間とすることで、製造コストを低く抑えると共に、Tbの濃度分布を好適なものとし易くなる。
また、拡散処理後に、さらに熱処理を施してもよい。その場合の熱処理温度は450℃~600℃とすることができる。熱処理時間は1時間~10時間とすることができる。このような熱処理によって、最終的に得られるR-T-B系永久磁石の磁気特性、特に保磁力HcJを向上させることができる。
また、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石の製造安定性は、時効温度、拡散処理温度または拡散処理後の熱処理温度の変化に対する磁気特性の変化量の大きさで確認できる。以下、拡散処理工程について説明するが、時効工程、拡散処理後の熱処理についても同様である。
例えば、拡散処理温度の変化に対する磁気特性の変化量が大きければ、わずかな拡散処理温度の変化で磁気特性が変化することとなる。このため、粒界拡散工程において許容される拡散処理温度の範囲が狭くなり、製造安定性が低くなる。逆に、拡散処理温度の変化に対する磁気特性の変化量が小さければ、拡散処理温度が変化しても磁気特性が変化しにくいこととなる。このため、粒界拡散工程において許容される拡散処理温度の範囲が広くなり、製造安定性が高くなる。さらに、高温、短時間で粒界拡散させることが可能となるため、製造コストも低減できる。
[加工工程(粒界拡散後)]
粒界拡散工程の後には、R-T-B系永久磁石の各種加工を行ってもよい。実施する加工の種類に特に制限はない。例えば切断、研削などの形状加工や、バレル研磨などの面取り加工などの表面加工を行ってもよい。
以上の方法により得られた本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は、着磁することにより、R-T-B系永久磁石製品となる。
このようにして得られる本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は、所望の特性を有する。具体的には、残留磁束密度Brおよび保磁力HcJが高く、耐食性と製造安定性も優れている。
本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は、モーター、発電機等の用途に好適に用いられる。
なお、本発明は、上述した実施形態に制限されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
R-T-B系永久磁石の製造方法は上記の方法に制限されず、適宜変更してもよい。例えば、上記のR-T-B系永久磁石の製造方法は焼結による製造方法であるが、本実施形態に係るR-T-B系永久磁石は熱間加工によって製造されていてもよい。熱間加工によってR-T-B系永久磁石を製造する方法は、以下の工程を有する。
(a)原料金属を溶解し、得られた浴湯を急冷して薄帯を得る溶解急冷工程
(b)薄帯を粉砕してフレーク状の原料粉末を得る粉砕工程
(c)粉砕した原料粉末を冷間成形する冷間成形工程
(d)冷間成形体を予備加熱する予備加熱工程
(e)予備加熱した冷間成形体を熱間成形する熱間成形工程
(f)熱間成形体を所定の形状に塑性変形させる熱間塑性加工工程。
(g)R-T-B系永久磁石を時効処理する時効処理工程
なお、時効処理工程以降の工程は焼結により製造する場合と同様である。
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に制限されない。以下の実施例では、R-T-B系焼結磁石について説明する。
(実験例1)
(R-T-B系焼結磁石の作製)
原料として、Nd、Pr、DyFe合金、電解鉄、低炭素フェロボロン合金を準備した。さらに、Al、Ga、Cu、Co、Mn、Zrを、純金属またはFeとの合金の形で準備した。
前記原料に対し、ストリップキャスト法により、最終的に得られる磁石組成が下記表1~表3に示す各試料の組成となるように原料合金を作製した。また、前記原料合金の合金厚みは0.2mm~0.4mmとした。表1~表3に示したC、N、O以外の各元素の含有量(質量%)はR、T、BおよびMの合計含有量を100質量%としたときの値である。
次いで、原料合金に対して室温で1時間、水素ガスをフローさせて水素を吸蔵させた。次いで雰囲気をArガスに切り替え、600℃で1時間、脱水素処理を行い、原料合金を水素吸蔵粉砕した。試料番号130~132については窒素含有量が所定の量となるように脱水素処理時の雰囲気中窒素ガス濃度を調整した。さらに、冷却後にふるいを用いて425μm以下の粒度の粉末とした。なお、水素吸蔵粉砕から後述する焼結工程までは、常に酸素濃度200ppm未満の低酸素雰囲気とした。なお、試料番号124~127については酸素含有量が所定の量となるように酸素濃度を調整した。
次いで、水素吸蔵粉砕およびふるいを用いた後の原料合金の粉末に対し、質量比で0.1%のオレイン酸アミドを粉砕助剤として添加し、混合した。試料番号113~118については、炭素含有量が所定の量となるように粉砕助剤の添加量を調整した。
次いで、衝突板式のジェットミル装置を用いて窒素気流中で微粉砕し、平均粒径が3.9μm~4.2μmである微粉(原料粉末)を得た。試料番号128、129についてはArと窒素との混合ガス気流中で微粉砕し、窒素含有量が所定の量となるように窒素ガス濃度を調整した。なお、前記平均粒径は、レーザ回折式の粒度分布計で測定した平均粒径D50である。
得られた微粉を磁界中で成形して成形体を作製した。このときの印加磁場は1200kA/mの静磁界である。また、成形時の加圧力は98MPaとした。なお、磁界印加方向と加圧方向とを直交させるようにした。この時点での成形体の密度を測定したところ、全ての成形体の密度が4.10Mg/m~4.25Mg/mの範囲内であった。
次に、前記成形体を焼結し、焼結体を得た。焼結条件は、組成等により最適条件が異なるが、1040℃~1100℃の範囲内で4時間保持とした。焼結雰囲気は真空中とした。このとき焼結密度は7.45Mg/m~7.55Mg/mの範囲にあった。その後、Ar雰囲気、大気圧中で、第一時効温度T1=850℃で1時間の第一時効処理を行い、さらに、第二時効温度T2=520℃で1時間の第二時効処理を行った。
その後、時効処理後の焼結体をバーチカルにより14mm×10mm×4.2mm(磁化容易軸方向厚み4.2mm)に加工して後述するTbの粒界拡散前の焼結体を作製した。
さらに、前記した工程で得られた焼結体を、エタノール100質量%に対し硝酸3質量%とした硝酸とエタノールとの混合溶液に3分間浸漬させた後にエタノールに1分間浸漬するエッチング処理を行った。前記混合溶液に3分間浸漬させた後にエタノールに1分間浸漬させるエッチング処理は2回行った。次いで、エッチング処理後の焼結体の全面に対し、TbH粒子(平均粒径D50=10.0μm)をエタノールに分散させたスラリーを、磁石の質量に対するTbの質量比で0.2質量%~1.2質量%塗布した。表1~表3に記載のTbの含有量になるように塗布量を変化させた。
前記スラリーを塗布、乾燥させた後に大気圧でArをフローしながら930℃、18時間の拡散処理を実施し、続いて520℃、4時間の熱処理を施した。次いで、14mm×10mm×4.2mm試料の表面を各面あたり0.1mm削り落とし、表1~表3に示す各試料のR-T-B系焼結磁石を得た。
得られた各R-T-B系焼結磁石の平均組成を測定した。各試料をスタンプミルにより粉砕し、分析に供した。各種金属元素量については、蛍光X線分析により測定した。ホウ素(B)の含有量はICP分析により測定した。酸素の含有量は不活性ガス融解-非分散型赤外線吸収法により、炭素の含有量は酸素気流中燃焼-赤外線吸収法により、窒素の含有量は不活性ガス融解-熱伝導度法により測定した。各試料における組成が表1~表3の通りであることを確認した。なお、Feの含有量を残部(bal.)としているのは、上記の表1~表3に記載していない元素の含有量をFeの含有量に含めてR、T、BおよびMの合計を100質量%にしているという意味である。また、本実施例では、Rの合計含有量TREは28.20質量%以上、30.50質量%以下である。表1~表3に示したC、N、Oの含有量(ppm)はそれぞれR-T-B系永久磁石の総質量に対する含有量を表す。
得られた各R-T-B系焼結磁石の表面について、BHトレーサーで残留磁束密度Brの評価を行った。前記R-T-B系焼結磁石の厚みが薄いため、前記R-T-B系焼結磁石を3枚重ねして評価した。なお、測定前に4000kA/mのパルス磁場により着磁を行った。また、前期R-T-B系焼結磁石をバーチカルにより7mm×7mm×7mmに加工して得られた試料について、パルスBHトレーサーで保磁力HcJを評価した。残留磁束密度Brを評価した試料と保磁力HcJを評価した試料とは別個の試料である。なお、測定前に4000kA/mのパルス磁場により着磁を行った。結果を表1~表3に記す。
一般的には、残留磁束密度Brと保磁力HcJとはトレードオフの関係にある。すなわち、残留磁束密度Brが高いほど保磁力HcJが低くなり、保磁力HcJが高いほど残留磁束密度Brが低くなる傾向にある。そこで、本実施例では、残留磁束密度Brおよび保磁力HcJを総合的に評価するための性能指数PI(Potential Index)を設定した。mT単位で測定した残留磁束密度の大きさをBr(mT)、kA/m単位で測定した保磁力の大きさをHcJ(kA/m)とする場合に、
PI=Br+25×HcJ×4π/2000
とした。本実施例では、Br≧1230mT、HcJ≧2150kA/m、かつ、PI≧1740の場合に、残留磁束密度Brおよび保磁力HcJが良好であるとした。また、角型比Hk/HcJは95%以上の場合を良好とした。なお、本実施例では角型比Hk/HcJは磁化J-磁場H曲線の第2象限(J-H減磁曲線)において、磁化JがBrの90%になったときの磁場の大きさをHk(kA/m)として、Hk/HcJで計算される。そして、BHトレーサーを用いて測定温度200℃で測定し、角型比Hk/HcJを算出した。
Br≧1230mT、HcJ≧2150kA/m、PI≧1740、かつ、Hk/HcJ≧95.0%である場合を○、いずれかの特性が良好ではない場合を×と評価した。なお、HcJ≧2250kA/mである場合がさらに好ましい。
また、各R-T-B系焼結磁石に対し、耐食性試験を行った。耐食性試験は、飽和蒸気圧下におけるPCT試験(プレッシャークッカー試験:Pressure Cooker Test)により実施した。具体的には、R-T-B系焼結磁石を2気圧、100%RHの環境下に1000時間おいて、試験前後での質量変化を測定した。磁石の表面積あたりの質量減少が3mg/cm以下である場合に耐食性が良好であると判断とした。質量減少が2mg/cm以下である場合に耐食性が特に良好であると判断とした。耐食性が特に良好な場合を◎、耐食性が良好な場合を○、耐食性が良好でない場合を×とした。ただし、今回耐食性試験を実施した試料で耐食性が良好でないものはなかった。
さらに、各試料について、高温減磁率を測定した。まず、試料の形状をパーミアンス係数が0.5となる形状に加工した。そして、4000kA/mのパルス磁場により試料の着磁を行い、室温(23℃)における試料の総磁束量を測定し、これをB0とした。総磁束量は、例えばフラックスメーター等により測定した。次に試料を200℃に2時間高温暴露し、室温に戻す。試料温度が室温に戻ったら、再度残留磁束を測定し、これをB1とした。高温減磁率をD(%)とすると、
D=100*(B1-B0)/B0(%)
となる。高温減磁率の絶対値が1%未満である場合を良好とした。
Figure 0007251916000001
Figure 0007251916000002
Figure 0007251916000003
表1では、TREおよびBを変化させた。また、NdとPrの質量比が概ね3:1になるようにNdおよびPrを含有させた。表2では、TREおよびDyを変化させた。表3の試料番号91~132では、B以外の各成分の含有量を変化させた。また、試料番号133~135では、TREを固定してNdおよびPrの含有量を変化させた。
表1~表3より、全ての実施例はBr、HcJ、PI、角型比および耐食性が良好であった。これに対し、全ての比較例はBr、HcJ、PI、角型比および耐食性のうち一つ以上が良好ではなかった。なお、全ての実施例および比較例のR-T-B系焼結磁石について、電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)を用いてTb濃度分布を分析し、Tbの濃度分布が、外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを確認した。
また、Dyの含有量が2.5質量%以上6.5質量%以下であり、Tb/Cが0.10以上0.95以下である実施例は高温減磁率が良好になる傾向にあった。
さらに、Cの含有量が900ppm~1100ppmである実施例は、角型比が良好になる傾向にあった。
1…R-T-B系永久磁石

Claims (7)

  1. Rが希土類元素であり、TがFeおよびCoであり、Bがホウ素であるR-T-B系永久磁石であって、
    Rとして少なくともDyおよびTbを含有し、
    Mを含有し、
    Mは、Cu、Ga、Al、Mn、Zr、Ti、Cr、Ni、Nb、Ag、Hf、Ta、W、Si、Bi、Snから選択される1種以上の元素であり、
    Mとして少なくともCuおよびZrを含有し、
    R、T、BおよびMの合計質量を100質量%として、
    Rの合計含有量が28.05質量%~30.60質量%、
    Dyの含有量が2.5質量%~6.5質量%、
    Cuの含有量が0.04質量%~0.50質量%、
    Zrの含有量が0.10質量%~0.30質量%、
    Coの含有量が1.0質量%~3.0質量%、
    Bの含有量が0.85質量%~0.94質量%であり、
    Oの含有量が前記R-T-B系永久磁石の総質量に対して1000ppm以下であり、
    Tbの濃度分布が、前記R-T-B系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを特徴とするR-T-B系永久磁石。
  2. Rとして少なくともNdを含有する請求項1に記載のR-T-B系永久磁石。
  3. Rとして少なくともPrを含有し、Prの含有量が0より大きく10.0質量%以下であるである請求項1または2に記載のR-T-B系永久磁石。
  4. Rの合計含有量をTREとする場合に、TRE/Bが原子数比で2.21~2.62である請求項1~3のいずれかに記載のR-T-B系永久磁石。
  5. Tb/Cが原子数比で0.10~0.95である請求項1~4のいずれかに記載のR-T-B系永久磁石。
  6. 14B/(Fe+Co)が原子数比で1.01以下である請求項1~5のいずれかに記載のR-T-B系永久磁石。
  7. Rの合計含有量が29.45質量%~30.60質量%である請求項1~6のいずれかに記載のR-T-B系永久磁石。
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