JP7242634B2 - メモリチップ - Google Patents
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Description
本出願は、2017年7月30日に出願された米国仮特許出願第62/538722号、2017年7月30日に出願された米国仮特許出願第62/538724号、および2017年8月23日に出願された米国仮特許出願第62/548990号に対する優先権の利益を主張するものである。上記の全出願の内容全体を参照によって本願明細書に引用したものとする。
本開示全体にわたり使用されるように、「ハードウェアチップ」という用語は、1または複数の回路要素(例えばトランジスタ、コンデンサ、抵抗器および/またはその他同種のもの)が形成される半導体ウェハ(例えばシリコンまたはその他同種のもの)を指す。これらの回路要素は処理要素またはメモリデバイスを形成することができる。「処理要素」は、少なくとも1つの論理関数(例えば演算関数、論理ゲート、その他のブール演算、またはその他同種のもの)を共に実行する1または複数の回路要素を指す。処理要素は、汎用処理要素(例えば構成可能な複数のトランジスタ)、または専用処理要素(例えば特定の論理ゲート、または特定の論理関数を実行するように設計される複数の回路要素)であってもよい。「メモリ要素」は、データを記憶するのに使用できる1または複数の回路要素を指す。「メモリ要素」はさらに「メモリセル」とも呼ばれ得る。メモリ要素は、(データ記憶を維持するには電気的リフレッシュが必要である)ダイナミックメモリ、(電力損失後データが少なくともしばらくの間続く)スタティックメモリ、または不揮発性メモリであってもよい。
図3Aは、例示的なハードウェアチップ300を示す一実施形態の概略図である。ハードウェアチップ300は、CPU、GPU、および他の従来のプロセッサの上記のボトルネックを軽減するように設計された分散型プロセッサを含み得る。分散型プロセッサは、単一基板に空間的に分散される複数のプロセッササブユニットを含み得る。さらに、前述のように、本開示の分散型プロセッサでは、対応するメモリバンクがさらに単一基板に空間的に分散される。いくつかの実施形態では、分散型プロセッサは命令のセットと関連付けることができ、分散型プロセッサのプロセッササブユニットの各々は、命令のセット内に含まれる1または複数のタスクの実行を担うことができる。
上記のハードウェアチップのアーキテクチャはコードを実行するように構成することができる。例えば、各プロセッササブユニットは、ハードウェアチップ内の他のプロセッササブユニットとは別の(命令のセットを定義する)コードを個別に実行することができる。したがって、マルチスレッディングを管理するオペレーティングシステムに依存するのではなく、または(並列処理ではなく同時実行する)マルチタスキングを利用するのではなく、本開示のハードウェアチップによりプロセッササブユニットは完全並列演算をすることが可能となり得る。
図7Aおよび図7Bで示されるように、本開示のメモリチップは独立して動作することができる。あるいは、本開示のメモリチップは、メモリデバイス(例えば、1または複数のDRAMバンク)、システムオンチップ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、またはその他の処理チップおよび/またはメモリチップなど、1または複数の追加の集積回路と動作可能に接続することができる。こうした実施形態では、アーキテクチャによって実行される一連の命令におけるタスクは(例えば下記のコンパイラによって)、メモリチップのプロセッササブユニットと、追加の集積回路のあらゆるプロセッササブユニットとの間に分割することができる。例えば、その他の集積回路は、命令および/またはデータをメモリチップに入力し、メモリチップから出力を受信するホスト(例えば、図3Aのホスト350)を含んでもよい。
本開示の実施形態は、従来のプロセッサの共有メモリと比べて相対的に大型サイズの専用メモリを使用することができる。共有メモリではなく専用メモリを使用することで、メモリが増えると同時に効率が衰えることなく効率向上を持続させることが可能となる。これにより、増える共有メモリの効率向上がフォンノイマンボトルネックにより続かなくなる従来のプロセッサよりもより効率的にニューラルネットワーク処理およびデータベースクエリなどメモリ負荷の高いタスクを実行することが可能となる。
前述のように、本開示のハードウェアチップは、ハードウェアではなくソフトウェアを使用してデータ転送を管理することができる。詳細には、バス上での転送のタイミング、メモリへの読み込みおよび書き込み、およびプロセッササブユニットの計算はプロセッササブユニットが実行するサブシリーズ命令によって設定されるため、本開示のハードウェアチップは、バス上で衝突しないようにするコードを実行することができる。したがって、本開示のハードウェアチップは、データ転送(チップ内のネットワークコントローラ、プロセッササブユニット間のパケットパーサおよびパケット転送者、バスアービテータ、アービテータを回避する複数のバス、またはその他同種のものなど)を管理するために従来から使われているハードウェア機構を回避することができる。
従来のメモリバンクでは、コントローラがバンクレベルで提供される。各バンクは、一般的に矩形状で配置されるが、あらゆる幾何学的図形で配置することができる複数のマットを含む。各マットは、一般的に矩形状でも配置されるが、あらゆる幾何学的図形で配置することができる複数のメモリセルを含む。各メモリセルは、(例えば、メモリセルが高電圧で維持されるか、または低電圧で維持されるかに応じて)データの単一ビットを記憶することができる。
本開示のあらゆるメモリチップはさらに、プロセッササブユニットを使用してデータを共有することに加えて、メモリコントローラ(またはサブバンクコントローラまたはマットコントローラ)を使用してデータを共有することもできる。例えば、本開示のメモリチップは、複数のメモリバンク(例えば、SRAMバンク、DRAMバンク、またはその他同種のバンク)を含み得て、各メモリバンクが読み込みおよび書き込みを可能にするバンクコントローラ、行デコーダ、および列デコーダを自らの位置に有し、ならびに複数のバスが複数のバンクコントローラの各コントローラを複数のバンクコントローラの少なくとも1つの他のコントローラに接続する。複数のバスは、上記のようにプロセッササブユニットを接続するが、プロセッササブユニットを介さずに直接バンクコントローラを接続するバスに類似してもよい さらに、バスはバンクコントローラを接続するように記載されるが、バスは、追加または代替として、サブバンクコントローラおよび/またはマットコントローラを接続してもよい。
本開示は全体的に、オンチップデータ処理を行うプライマリ論理部分を備えるメモリチップに関する。メモリチップは、不良のプライマリ論理部分を取り替えてチップの製造歩留まりを高めることができる余剰論理部分を含み得る。したがって、チップは、論理部分の個別試験に基づいてメモリチップ内の論理ブロックの構成を可能にするオンチップコンポーネントを含み得る。論理部分専用の大面積のメモリチップは製造不具合の影響をより受けやすいためチップのこうした機能により歩留りが高まる可能性がある。例えば、大型余剰論理部分を備えるDRAMメモリチップは、歩留りを下げる製造問題の影響を受けやすい可能性がある。しかしながら、余剰論理部分を実装することにより、歩留りおよび信頼性が高まる可能性がある。なぜなら余剰論理部分を実装することにより、DRAMメモリチップの製造業者またはユーザはロジック部を完全に動作または完全に非動作にし、高度の並列処理能力を維持できるからである。開示された実施形態の説明を容易にするために、本明細書および本開示全体にわたり特定のメモリタイプ(DRAMなど)の事例を確認することができることに留意されたい。ただし、このような事例において、確認されたメモリタイプは限定することを意図するものではないことが理解されよう。むしろ、事例が本開示のある部分で明確に確認されない場合でも、DRAM、Flash、SRAM、ReRAM、PRAM、MRAM、ROM、またはその他のあらゆるメモリなどのメモリタイプを本開示の実施形態と組み合わせて使用することができる。
本開示の実施形態はさらに、高性能分散型プロセッサを含み得る。この高性能分散型プロセッサは、メモリバンクと処理ユニットとをインタフェースするメモリコントローラを含み得る。高性能分散型プロセッサは、計算するために処理ユニットへのデータの供給を促進するように構成可能にできる。例えば、処理ユニットがタスクを実行する2つのデータインスタンスを必要とする場合、メモリコントローラは、通信ラインが2つのデータインスタンスからの情報に独立してアクセスできるように構成することができる。本開示のメモリアーキテクチャは、複雑なキャッシュメモリのスキームおよび複雑なレジスタファイルのスキームと関連付けられるハードウェア要件を最小限にしようとする。通常、プロセッサチップは、コアがレジスタと直接機能できるようにするキャッシュ階層を含んでいる。しかしながら、キャッシュ操作はかなりのダイ領域を必要とし、追加電力を消費する。本開示のメモリアーキテクチャは、論理コンポーネントをメモリ内に追加することによってキャッシュ階層を使用していない。
したがって、本開示のアーキテクチャは、異なるメモリブロックからの絶え間ないデータフローまたは同時情報を処理ユニットに提供することができる。この方法では、遅延ボトルネックまたはキャッシュメモリ要件を回避することによってメモリ内の計算タスクを迅速に処理することができる。
さらに、メモリブロックは、ROMのインスタンスを備えるDRAMを含んでもよい。
さらに、サブインスタンスは、DRAMマット、DRAM、バンク、flashマット、またはSRAMマット、またはその他あらゆる種類のメモリのうち少なくとも1つを含み得る。次いで、メモリコントローラ2306は、サブインスタンスを直接アドレス指定してパイプラインメモリアクセス時の待ち時間を最小にする専用ラインを含み得る。
[項目1]
分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数のプロセッササブユニットを有し、複数のプロセッササブユニットの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと、
第1の複数のバスであって、各バスが複数のプロセッササブユニットの1つをその対応する専用メモリバンクに接続する、第1の複数のバスと、
第2の複数のバスであって、各バスが複数のプロセッササブユニットの1つを複数のプロセッササブユニットの別のプロセッササブユニットに接続する、第2の複数のバスと
を備える分散型プロセッサ。
[項目2]
基板が半導体基板である、項目1に記載の分散型プロセッサ。
[項目3]
基板が回路基板である、項目1または2に記載の分散型プロセッサ。
[項目4]
処理アレイの複数のプロセッササブユニットがメモリアレイの複数の個別のメモリバンク間に空間的に分散される、項目1から3のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目5]
チップ上の分散型プロセッサが人工知能アクセラレータプロセッサである、項目1から4のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目6]
複数のプロセッササブユニット内に含まれる他のプロセッササブユニットに対して独立した特定のアプリケーションと関連付けられるソフトウェアコードを複数のプロセッササブユニットの各々が実行するように構成される、項目1から5のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目7]
複数のプロセッササブユニットが少なくとも1つの行および少なくとも1つの列内に配置され、第2の複数のバスが、各プロセッササブユニットを同じ行における少なくとも1つの隣接するプロセッササブユニットおよび同じ列における少なくとも1つの隣接するプロセッササブユニットに接続する、項目1から6のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目8]
複数のプロセッササブユニットがスター型パターンで配置され、第2の複数のバスが各プロセッササブユニットをスター型パターン内の少なくとも1つの隣接するプロセッササブユニットに接続する、項目1から7のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目9]
各プロセッササブユニットが少なくとも2つの専用メモリバンクと関連付けられる、項目1から8のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目10]
各専用メモリバンクが少なくとも1つのダイナミックランダムアクセスメモリを含む、項目1から9のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目11]
メモリチップであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数の論理部分を有し、各論理部分がアドレスジェネレータを含み、複数のアドレスジェネレータの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと、
複数のバスであって、各バスが複数のアドレスジェネレータの1つをその対応する専用メモリバンクに接続する、複数のバスと
を備えるメモリチップ。
[項目12]
各アドレスジェネレータが、アドレスジェネレータに対応するメモリバンク内で処理するためにアクセスされるアドレスを決定するように構成される、項目11に記載のメモリチップ。
[項目13]
処理アレイがさらに複数のアクセラレータを有し、各アクセラレータが、対応するアドレスジェネレータと関連付けられ、各アクセラレータが特定の機能を実行するように構成される、項目11または12に記載のメモリチップ。
[項目14]
特定の機能が乗累算機能、最小機能、最大機能、比較機能、またはカウント機能を含む、項目13に記載のメモリチップ。
[項目15]
メモリチップが、DRAMメモリチップ、Flashメモリチップ、SRAMメモリチップ、ReRAMメモリチップ、PRAMメモリチップ、MRAMメモリチップまたはROMメモリチップの少なくとも1つである、項目13または14に記載のメモリチップ。
[項目16]
各プロセッササブユニットが縮小命令セットコンピュータ(RISC)プロセッサ、または複雑命令セットコンピュータ(CISC)プロセッサを含む、項目11から15のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目17]
外部ホストに接続されるメモリインタフェースをさらに含む、項目11から16のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目18]
メモリインタフェースが、少なくとも1つの電子素子技術連合評議会(JEDEC)規格に準拠したインタフェースまたはその変種のインタフェースを含む、項目17に記載のメモリチップ。
[項目19]
複数の論理部分の各々が複数の個別のメモリバンクの少なくとも1つのメモリバンクに対応し、複数のメモリマットが複数の個別のメモリバンクの単一メモリバンク内に含まれ、単一メモリマットが複数の個別のメモリバンクの単一メモリバンク内に含まれる、項目11から18のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目20]
分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有し、複数の個別のメモリバンクの各々が1メガバイトよりも大きい容量を有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数のプロセッササブユニットを有し、複数のプロセッササブユニットの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと
を備える分散型プロセッサ。
[項目21]
第1の複数のバスであって、各々が複数のプロセッササブユニットの1つを、対応する専用メモリバンクに接続する、第1の複数のバスと、
第2の複数のバスであって、各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のプロセッササブユニットの別の1つに接続する、第2の複数のバスと、
をさらに備える、項目20に記載の分散型プロセッサ。
[項目22]
各専用メモリバンクが少なくとも1つのダイナミックランダムアクセスメモリバンクを含む、項目20または21に記載の分散型プロセッサ。
[項目23]
各専用メモリバンクが少なくとも1つのスタティックランダムアクセスメモリバンクを含む、項目20から22のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目24]
各専用メモリバンクが同じサイズである、項目20から23のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目25]
複数の個別のメモリバンクのうち少なくとも2つが異なるサイズを有する、項目20から24のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目26]
複数のプロセッササブユニットがメモリアレイ内の複数の個別のメモリバンク間に空間的に分散される、項目20から25のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目27]
基板が半導体基板を有する、項目20から26のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目28]
分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数のプロセッササブユニットを有し、複数のプロセッササブユニットの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のプロセッササブユニットの少なくとも別の1つに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のバスにはタイミングハードウェア論理コンポーネントがなく、その結果、プロセッササブユニット間の、および複数のバスのうち対応するバス全体にわたるデータ転送がタイミングハードウェア論理コンポーネントによって制御されない、
分散型プロセッサ。
[項目29]
複数のバスにはバスアービタがなく、その結果、プロセッササブユニット間、および複数のバスのうち対応するバス全体にわたるデータ転送がバスアービタによって制御されない、項目28に記載の分散型プロセッサ。
[項目30]
複数のバスが、複数のプロセッササブユニットの対応するプロセッササブユニット間にワイヤまたは光ファイバの少なくとも1つを有する、項目28または29に記載の分散型プロセッサ。
[項目31]
複数のプロセッササブユニットが、複数のプロセッササブユニットによって実行されるコードに従って、複数のバスの少なくとも1つにわたりデータを転送するように構成される、項目28から30のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目32]
コードが、複数のバスの少なくとも1つにわたるデータ転送のタイミングを規定する、項目31に記載の分散型プロセッサ。
[項目33]
第2の複数のバスをさらに含み、第2の複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを、対応する専用メモリバンクに接続する、項目28から32のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目34]
第2の複数のバスにはタイミングハードウェア論理コンポーネントがなく、その結果、プロセッササブユニットと、対応する専用メモリバンクとの間のデータ転送がタイミングハードウェア論理コンポーネントによって制御されない、項目33に記載の分散型プロセッサ。
[項目35]
第2の複数のバスにはバスアービタがなく、その結果、プロセッササブユニットと、対応する専用メモリバンクとの間のデータ転送がバスアービタによって制御されない、項目33に記載の分散型プロセッサ。
[項目36]
複数のプロセッササブユニットがメモリアレイ内の複数の個別のメモリバンク間に空間的に分散される、項目28から35のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目37]
基板が半導体基板を含む、項目28から36のいずれか一項に記載の分散型プロセッサ。
[項目38]
メモリチップ上の分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数のプロセッササブユニットを有し、複数のプロセッササブユニットの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のバスにはタイミングハードウェア論理コンポーネントがなく、その結果、プロセッササブユニットと、複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つとの間のデータ転送、および複数のバスの対応する1つのバス全体にわたるデータ転送が、タイミングハードウェア論理コンポーネントによって制御されない、
メモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目39]
分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置されるメモリアレイであって、メモリアレイが複数の個別のメモリバンクを有する、メモリアレイと、
基板に配置される処理アレイであって、処理アレイが複数のプロセッササブユニットを有し、複数のプロセッササブユニットの各々が複数の個別のメモリバンクの対応する専用の1つと関連付けられる、処理アレイと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のプロセッササブユニットの少なくとも別の1つのプロセッササブユニットに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のプロセッササブユニットが、複数のバス全体にわたるデータ転送のタイミングを制御するソフトウェアを実行することで、複数のバスの少なくとも1つのバス上でデータ転送が衝突しないように構成される、
分散型プロセッサ。
[項目40]
メモリチップ上の分散型プロセッサであって、
基板と、
基板に配置される複数のプロセッササブユニットであって、各プロセッササブユニットが他のプロセッササブユニットから独立した一連の命令を実行するように構成され、各一連の命令が単一プロセッササブユニットによって実行される一連のタスクを定義する、複数のプロセッササブユニットと、
基板に配置される対応する複数のメモリバンクであって、複数のプロセッササブユニットの各々が、複数のプロセッササブユニットの他のあらゆるプロセッササブユニットによって共有されない少なくとも1つの専用メモリバンクに接続される、対応する複数のメモリバンクと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のプロセッササブユニットの少なくとも他の1つのプロセッササブユニットに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のバスの少なくとも1つのバス全体にわたるデータ転送が、複数のバスの少なくとも1つに接続されるプロセッササブユニット内に含まれる一連の命令によって予め定義される、
メモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目41]
各一連の命令が、対応する一連のタスクを定義するマシンコードのセットを含む、項目40に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目42]
一連のタスクは、一連の上位タスクを複数の一連のタスクとして複数の論理回路間に分散させるように構成されるコンパイラによって定義される、項目41に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目43]
一連の上位タスクが、人間が読めるプログラミング言語における命令のセットを含む、項目42に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目44]
複数のバスの少なくとも1つのバスに接続されるプロセッササブユニット内に含まれる一連の命令が送信タスクを含み、送信タスクは、複数のバスの少なくとも1つのバスに接続されるプロセッササブユニットが複数のバスの少なくとも1つのバスにデータを書き込むためのコマンドを含む、項目40から43のいずれか一項に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目45]
複数のバスの少なくとも1つのバスに接続されるプロセッササブユニット内に含まれる一連の命令が受信タスクを含み、受信タスクは、複数のバスの少なくとも1つのバスに接続されるプロセッササブユニットが複数のバスの少なくとも1つのバスからデータを読み出すためのコマンドを含む、項目40から44のいずれか一項に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目46]
メモリチップ上の分散型プロセッサであって、
メモリチップ上に配置される複数のプロセッササブユニットと、
メモリチップ上に配置される複数のメモリバンクであって、複数のメモリバンクの各々が、複数のメモリバンクのうち他のメモリバンク内に記憶されるデータから独立したデータを記憶するように構成され、複数のプロセッササブユニットの各々が複数のメモリバンク間から少なくとも1つの専用メモリバンクに接続される、複数のメモリバンクと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のメモリバンク間から1または複数の対応する専用メモリバンクに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のバスのうち特定のバス全体にわたるデータ転送が、複数のバスの特定のバスに接続される対応するプロセッササブユニットよって制御される、
メモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目47]
複数のメモリバンクの各々に記憶されるデータが、複数のメモリバンク間にデータを分散させるように構成されるコンパイラによって定義される、項目46に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目48]
コンパイラが、対応するプロセッササブユニット間に分散された複数の下位タスクを利用して、一連の上位タスク内に定義されるデータを複数のメモリバンク間に分散させるように構成される、項目47に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目49]
一連の上位タスクが、人間が読めるプログラミング言語における命令のセットを含む、項目48に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目50]
一連の下位タスクが、マシンコードにおける命令のセットを含む、項目48または49に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目51]
メモリチップ上の分散型プロセッサであって、
メモリチップ上に配置される複数のプロセッササブユニットと、
メモリチップ上に配置される複数のメモリバンクであって、複数のプロセッササブユニットの各々が複数のメモリバンク間から少なくとも1つの専用メモリバンクに接続され、複数のメモリバンクの各メモリバンクが、複数のメモリバンクのうち他のメモリバンク内に記憶されるデータから独立したデータを記憶するように構成され、複数のメモリバンク間から1つの特定のメモリバンク内に記憶される少なくともいくつかのデータが、複数のメモリバンクの少なくとも別のメモリバンク内に記憶されるデータの複製を含む、複数のメモリバンクと、
複数のバスであって、複数のバスの各々が複数のプロセッササブユニットの1つを複数のメモリバンク間から1または複数の対応する専用メモリバンクに接続する、複数のバスと、
を備え、
複数のバスのうち特定のバス全体にわたるデータ転送が、複数のバスの特定のバスに接続される対応するプロセッササブユニットよって制御される、
メモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目52]
複数のメモリバンク、および複数のメモリバンクの少なくとも別のメモリバンク間から1つの特定のメモリバンク全体にわたり複製される少なくともいくつかのデータが、メモリバンク全体にわたりデータを複製するように構成されるコンパイラによって定義される、項目51に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目53]
複数のメモリバンク、および複数のメモリバンクの少なくとも別のメモリバンク間から1つの特定のメモリバンク全体にわたり複製される少なくともいくつかのデータが、ニューラルネットワークのウェイトを含む、項目51または52に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目54]
ニューラルネットワークにおけるノードの各々が、複数のプロセッササブユニット間から少なくとも1つのプロセッササブユニットによって定義される、項目53に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目55]
ノードの各々が、ノードを定義する少なくとも1つのプロセッササブユニットによって実行されるマシンコードを含む、項目54に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目56]
複数のプロセッササブユニットおよび複数のメモリバンクを含むメモリチップ上で一連の実行命令をコンパイルするプログラムであって、複数のプロセッササブユニット間からの複数のプロセッササブユニットの各々が複数のメモリバンク間から少なくとも1つの対応する専用メモリバンクに接続され、プログラムは少なくとも1つのプロセッサに、
一連の命令をサブシリーズ命令の複数のグループに分割する手順であって、
分割する手順は、一連の命令と関連付けられたタスクを複数のプロセッササブユニットの異なるものに割り当てる手順であって、複数のプロセッササブユニットが、メモリチップに配置される複数のメモリバンク間に空間的に分散される、手順と、メモリチップの複数のプロセッササブユニットの複数対の間でデータを転送するタスクを生成し、複数のプロセッササブユニットの複数対の各々がバスによって接続される、手順と、割り当てられたタスクおよび生成されたタスクをサブシリーズ命令の複数のグループに分類し、サブシリーズ命令の複数のグループの各々が複数のプロセッササブユニットの異なる1つに対応する、手順と、を含む、手順と、
サブシリーズ命令の複数のグループの各々に対応するマシンコードを生成する手順と、
分割に従って、サブシリーズ命令の複数のグループの各々に対応する、生成されたマシンコードを、複数のプロセッササブユニットのうち対応する1つのプロセッササブユニットに割り当てる手順と
を実行させるためのプログラム。
[項目57]
一連の命令と関連付けられたタスクをプロセッササブユニットの異なるものに割り当てる手順は、メモリチップ上の2つ以上のプロセッササブユニット間の空間的近接によって決まる、項目56に記載のプログラム。
[項目58]
少なくとも1つのプロセッサに、
分類に基づいて一連の命令と関連付けられたデータを分類する手順と、
分割に従ってデータを複数のメモリバンクに割り当てる手順と
を実行させるための、項目56または57に記載のプログラム。
[項目59]
データを分類する手順は、データのうち複数のメモリバンクの2つ以上に複製するための少なくとも一部分を決定する手順を含む、項目58に記載のプログラム。
[項目60]
メモリチップであって、自らの専用の少なくとも1つのメモリバンクに各々が接続された複数のプロセッササブユニットと、対応する複数のメモリバンクとを含み、メモリチップの複数のプロセッササブユニットが、項目56から59のいずれか一項に記載のプログラムに従って生成されるマシンコードを実行するように構成される、メモリチップ。
[項目61]
メモリチップであって、メモリチップが、
複数のメモリバンクであって、各メモリバンクがバンク行デコーダおよびバンク列デコーダを有する、複数のメモリバンクと、
複数のメモリサブバンクであって、各メモリサブバンクが、読み書きを可能にするサブバンク行デコーダおよびサブバンク列デコーダを自らの位置に有し、各メモリサブバンクが、複数のメモリセルを各々が含む複数のメモリマットを有する、複数のメモリサブバンクと、
を備え、
各サブバンク行デコーダおよび各サブバンク列デコーダがバンク行デコーダおよびバンク列デコーダに接続される、
メモリチップ。
[項目62]
各メモリサブバンクがさらに、各メモリバンクのコントローラからの読み要求および書き要求を処理するか否かを決定するように構成されるサブバンクコントローラを有する、項目61に記載のメモリチップ。
[項目63]
各メモリバンクのコントローラがシステムクロックに同期される、項目62に記載のメモリチップ。
[項目64]
各メモリサブバンクのサブバンクコントローラがシステムクロックに同期されない、項目62に記載のメモリチップ。
[項目65]
各メモリサブバンクがさらに、各メモリサブバンクを専用メモリとして使用するプロセッササブユニットを有する、項目61から64のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目66]
プロセッササブユニットが、構成可能プロセッササブユニットまたはアクセラレータを含む、項目65に記載のメモリチップ。
[項目67]
各プロセッササブユニットが、バンク行デコーダおよびバンク列デコーダを使用せずにサブバンク行デコーダおよびサブバンク列デコーダを使用して各プロセッササブユニット専用のサブバンクにアクセスするように構成される、項目65または66に記載のメモリチップ。
[項目68]
メモリチップであって、メモリチップが、
複数のメモリバンクであって、各メモリバンクがバンクコントローラおよび複数のメモリサブバンクを有する、複数のメモリバンクと、
複数のメモリサブバンクであって、各メモリサブバンクが、読み書きを可能にするサブバンク行デコーダおよびサブバンク列デコーダを自らの位置に有し、各メモリサブバンクが、複数のメモリセルを各々が含む複数のメモリマットを有する、複数のメモリサブバンクと、
を備え、
各サブバンク行デコーダおよび各サブバンク列デコーダがバンクコントローラからの読み要求および書き要求を処理する、
メモリチップ。
[項目69]
各メモリサブバンクがさらに、バンクコントローラからの読み要求および書き要求を処理するか否かを決定するように構成されるサブバンクコントローラを有する、項目68に記載のメモリチップ。
[項目70]
バンクコントローラがシステムクロックに同期される、項目69に記載のメモリチップ。
[項目71]
各メモリサブバンクのサブバンクコントローラがシステムクロックに同期されない、項目69に記載のメモリチップ。
[項目72]
各メモリサブバンクがさらに、各メモリサブバンクを専用メモリとして使用するプロセッササブユニットを有する、項目68から71のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目73]
各プロセッササブユニットが、バンクコントローラを使用せずに各メモリサブバンクの行デコーダおよび列デコーダを使用して各プロセッササブユニット専用のサブバンクにアクセスするように構成された、項目72に記載のメモリチップ。
[項目74]
メモリチップであって、メモリチップが、
複数のメモリバンクであって、各メモリバンクが、読み書きを処理するバンクコントローラを自らの位置に有し、各メモリバンクが、複数のメモリセルと、マット行デコーダおよびマット列デコーダとを各々が含む複数のメモリマットを有する、複数のメモリバンク
を備え、
マット行デコーダおよびマット列デコーダがサブバンクコントローラからの読み要求および書き要求を処理する、
メモリチップ。
[項目75]
各メモリマットがさらに、バンクコントローラからのコマンドアドレスに基づいてサブバンクコントローラからの読み要求および書き要求を処理するか否かを決定するように構成されるコンパレータを有する、項目74に記載のメモリチップ。
[項目76]
各メモリマットが、1または複数のヒューズによって決定される割り当てられたアドレスレンジを有する、項目74または75に記載のメモリチップ。
[項目77]
1または複数のヒューズが、不良であるメモリマットを無効にするように構成される、項目76に記載のメモリチップ。
[項目78]
各サブバンクがさらに、各サブバンクを専用メモリとして使用するプロセッササブユニットを有する、項目74から77のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目79]
メモリチップであって、
複数のメモリバンクであって、各メモリバンクが、読み書きを可能にするバンクコントローラと、行デコーダと、列デコーダと、を自らの位置に有する、複数のメモリバンクと、
各バンクコントローラを少なくとも他の1つのバンクコントローラに接続する複数のバスと、
を備えるメモリチップ。
[項目80]
データ転送が複数のメモリバンクのメインバスに割り込むことなく複数のバスにアクセスできる、項目79に記載のメモリチップ。
[項目81]
各バンクコントローラが、複数の他のバンクコントローラに接続され、データを送信または受信するために複数の他のバンクコントローラのうちもう1つを選択するように構成可能である、項目79または80に記載のメモリチップ。
[項目82]
各メモリバンクがダイナミックランダムアクセスメモリバンクを含む、項目79から81のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目83]
各バンクコントローラが、構成可能であり、複数のメモリバンクのうち自らを有するものの中での読み書きのためのアドレスを決定するように構成される、項目79から82のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目84]
各バンクコントローラが、他のバンクコントローラから入ってくるデータを処理してから、複数のメモリバンクのうち自らを有するものにデータを渡すように構成される、項目79から83のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目85]
各コントローラが、別の空間的に隣接するコントローラに接続される、項目79から84のいずれか一項に記載のメモリチップ。
[項目86]
メモリデバイスであって、
基板と、
基板上の複数のメモリバンクと、
基板上の複数のプライマリ論理ブロックであって、複数のプライマリ論理ブロックの各々が複数のメモリバンクの少なくとも1つに接続される、複数のプライマリ論理ブロックと、
基板上の複数の余剰ブロックであって、複数の余剰ブロックの各々が複数のメモリバンクの少なくとも1つに接続され、複数の余剰ブロックの各々が複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つを複製する、複数の余剰ブロックと、
基板上の複数の設定スイッチであって、複数の設定スイッチの各々が複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つまたは複数の余剰ブロックの少なくとも1つに接続される、複数の設定スイッチと、
を備え、
複数のプライマリ論理ブロックの1つと関連付けられる不良を検出すると、
複数の設定スイッチの第1の設定スイッチが複数のプライマリ論理ブロックの1つを無効にするように構成され、
複数の設定スイッチの第2の設定スイッチが、複数のプライマリ論理ブロックの1つを複製する複数の余剰ブロックの1つを有効にするように構成される、
メモリデバイス。
[項目87]
複数の設定スイッチが複数のアクティブ化スイッチおよび複数の非アクティブ化スイッチを含み、
複数のアクティブ化スイッチの各々および複数の非アクティブ化スイッチの各々が外部入力を含み、
複数のアクティブ化スイッチの各々は、外部入力におけるアクティブ化信号がスイッチを閉じた状態にさせるように構成され、
複数の非アクティブ化スイッチの各々は、外部入力における非アクティブ化信号がスイッチを開けた状態にさせるように構成される、
項目86に記載のメモリデバイス。
[項目88]
複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つが第1の専用接続で複数のメモリバンクのサブセットに接続され、複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つを複製する複数の余剰ブロックの少なくとも1つが第2の専用接続で複数のメモリバンクのサブセットに接続される、項目86または87に記載のメモリデバイス。
[項目89]
複数の設定スイッチの各々が、複数のプライマリ論理ブロックまたは複数の余剰ブロックの少なくとも1つをクロックノードまたはパワーノードの少なくとも1つに連結する、項目86から88のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目90]
複数のプライマリ論理ブロックが、
複数のメモリバンクのうちの1つの内部の読み取りオペレーションおよび書き込みオペレーションを有効にするように構成される少なくとも1つのメモリ論理ブロックと、
メモリ内計算を実行するように構成される少なくとも1つのビジネス論理ブロックと、
を含む、項目86から89のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目91]
少なくとも1つのビジネス論理ブロックが第1のビジネス論理ブロックを含み、
複数の余剰ブロックが、第1のビジネス論理ブロックを複製する第2のビジネス論理ブロックを含む、
項目90に記載のメモリデバイス。
[項目92]
複数の設定スイッチが、ヒューズ、アンチヒューズ、不揮発性メモリデバイスまたはワンタイムプログラマブルデバイスの少なくとも1つを含む、項目86から91のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目93]
複数のプライマリ論理ブロックの各々および複数の余剰ブロックの各々がアドレスバスおよびデータバスに接続される、項目86から92のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目94]
複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つが、
少なくとも1つのローカル論理ユニットと、
少なくとも1つの計算ユニットと、
少なくとも1つの複製ユニットと、
を含み、
少なくとも1つの複製ユニットが少なくとも1つの計算ユニットを複製し、
少なくとも1つのローカル論理ユニットが少なくとも1つの計算ユニットよりも小サイズを有する、
項目86から93のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目95]
複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つが、
複数のローカル設定スイッチであって、複数のローカル設定スイッチの各々が少なくとも1つの計算ユニットまたは少なくとも1つの複製ユニットの少なくとも1つに接続される、複数のローカル設定スイッチ
を含み、
不良が少なくとも1つの計算ユニット内で検出された場合に、複数のローカル設定スイッチが、少なくとも1つのローカル計算ユニットを無効にし、少なくとも1つの複製ユニットを有効にするように構成される、
項目94に記載のメモリデバイス。
[項目96]
アドレスマネージャと、
アドレスマネージャを複数のメモリバンクの各々、複数のプライマリ論理ブロックの各々、および複数の余剰ブロックの各々に連結するアドレスバスと、
をさらに備え、
複数のプライマリ論理ブロックの1つと関連付けられる不良を検出すると、無効アドレスが複数のプライマリ論理ブロックの1つに割り当てられ、有効アドレスが複数の余剰ブロックの1つに割り当てられる、項目86から95のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目97]
複数のプライマリ論理ブロックが直列に接続され、
複数のプライマリ論理ブロックの各々が並列スイッチと並列に接続され、
複数のプライマリ論理ブロックの1つと関連付けられる不良を検出すると、複数のプライマリ論理ブロックの1つに接続される並列スイッチが複数のプライマリ論理ブロックの2つを連結するようにアクティブ化される、項目86から96のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目98]
並列スイッチがアンチヒューズを含む、項目97に記載のメモリデバイス。
[項目99]
並列スイッチが、選択されたサイクル遅延を含むサンプリング回路を有する、項目97に記載のメモリデバイス。
[項目100]
複数のプライマリ論理ブロックおよび複数の余剰ブロックが2次元格子内の基板上に配置され、
複数のプライマリ論理ブロックの各々および複数の余剰ブロックの各々が接続盤と相互接続され、入力ブロックが2次元格子の各ラインおよび各列の周辺に配置される、
項目86から99のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目101]
メモリチップがDRAMメモリ、Flashメモリ、SRAMメモリ、ReRAMメモリ、PRAMメモリまたはMRAMメモリの少なくとも1つを含む、項目86から100のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目102]
複数のプライマリ論理ブロックの各々が、複数の余剰ブロックの少なくとも1つと同等の計算能力を有する、項目86から101のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目103]
複数のプライマリ論理ブロックが、少なくとも1つのローカル計算ユニットと、少なくとも1つの余剰計算ユニットと、少なくとも1つのローカル計算ユニットを複製する少なくとも1つの余剰計算ユニットと、を含む、項目86から102のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目104]
第1の設定スイッチがさらに、複数のプライマリ論理ブロックの1つを複製する複数の余剰ブロックの1つを有効にするように構成される、項目86から103のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
[項目105]
メモリチップ上の分散型プロセッサであって、
基板と、
基板上のアドレスマネージャと、
基板上の複数のプライマリ論理ブロックであって、複数のプライマリ論理ブロックの各々が複数のメモリバンクの少なくとも1つに接続される、複数のプライマリ論理ブロックと、
基板上の複数の余剰ブロックであって、複数の余剰ブロックの各々が複数のメモリバンクの少なくとも1つに接続され、複数の余剰ブロックの各々が複数のプライマリ論理ブロックの少なくとも1つを複製する、複数の余剰ブロックと、
複数のプライマリ論理ブロックの各々と、複数の余剰ブロックの各々と、アドレスマネージャに接続される基板上のバスと、
を備え、
メモリチップ上の分散型プロセッサが、
試験プロトコルに合格している複数のプライマリ論理ブロック内のブロックに実行ID番号を割り当て、
試験プロトコルに合格していない複数のプライマリ論理ブロック内のブロックに不正ID番号を割り当て、
試験プロトコルに合格している複数の余剰ブロック内のブロックに実行ID番号を割り当てるように構成される、
メモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目106]
実行ID番号が割り当てられた複数の余剰ブロック内のブロックが、不正ID番号が割り当てられた複数のプライマリ論理ブロック内のブロックと等しいかまたはより大きい、項目105に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目107]
複数のプライマリ論理ブロックの各々および複数の余剰ブロックの各々が、ヒューズ付き識別回路を含む、項目106に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目108]
バスがコマンドライン、データライン、およびアドレスラインを含む、項目107に記載のメモリチップ上の分散型プロセッサ。
[項目109]
メモリチップ上の分散型プロセッサを構成する方法であって、
メモリチップの基板上の複数のプライマリ論理ブロックの各々に少なくとも1つの回路機能があるかを試験する段階と、
試験の結果に基づいて複数のプライマリ論理ブロック内に少なくとも1つの不良論理ブロックを識別する段階であって、少なくとも1つの不良論理ブロックがメモリチップの基板に配置される少なくとも1つのメモリバンクに接続される段階と、
メモリチップの基板上の少なくとも1つの余剰ブロックに少なくとも1つの回路機能があるかを試験する段階であって、少なくとも1つの余剰ブロックが少なくとも1つの不良論理ブロックを複製し、少なくとも1つのメモリバンクに接続される段階と、
外部信号を非アクティブ化スイッチに印加することによって少なくとも1つの不良論理ブロックを無効にする段階であって、非アクティブ化スイッチが少なくとも1つの不良論理ブロックに接続され、メモリチップの基板に配置される段階と、
外部信号をアクティブ化スイッチに印加することによって少なくとも1つの余剰ブロックを有効にする段階であって、アクティブ化スイッチが少なくとも1つの余剰ブロックに接続され、メモリチップの基板に配置される段階と
を備える、メモリチップ上の分散型プロセッサを構成する方法。
[項目110]
メモリチップ上の分散型プロセッサを構成する方法であって、
メモリチップの基板上の複数のプライマリ論理ブロックおよび複数の余剰ブロックを有効にする段階と、
メモリチップの基板上の複数のプライマリ論理ブロックの各々に少なくとも1つの回路機能があるかを試験する段階と、
試験の結果に基づいて複数のプライマリ論理ブロック内に少なくとも1つの不良論理ブロックを識別する段階であって、少なくとも1つの不良論理ブロックがメモリチップの基板に配置される少なくとも1つのメモリバンクに接続される段階と、
メモリチップの基板上の少なくとも1つの余剰ブロックに少なくとも1つの回路機能があるかを試験する段階であって、少なくとも1つの余剰ブロックが少なくとも1つの不良論理ブロックを複製し、少なくとも1つのメモリバンクに接続される段階と、
外部信号をアクティブ化スイッチに印加することによって少なくとも1つの余剰ブロックを無効にする段階であって、アクティブ化スイッチが少なくとも1つの余剰ブロックに接続され、メモリチップの基板に配置される段階と、
を備える、メモリチップ上の分散型プロセッサを構成する方法。
[項目111]
処理デバイスであって、
基板と、
基板上の複数のメモリバンクと、
複数のメモリバンクの各々に接続される基板上のメモリコントローラと、
基板上の複数の処理ユニットであって、複数の処理ユニットの各々がメモリコントローラに接続され、複数の処理ユニットが構成マネージャを有する、複数の処理ユニットと、
を備え、
構成マネージャが、
実行されるタスクであって、少なくとも1つの計算を要求するタスクの第1の指示を受信するように構成され、
少なくとも1つの計算を実行する少なくとも1つの選択された処理ユニットの能力に基づいて、複数の処理ユニットから少なくとも1つの選択された処理ユニットに信号を送るように構成され、
第2の指示を少なくとも1つの選択された処理ユニットに送信するように構成され、
メモリコントローラが、
少なくとも1つの通信ラインを利用して、少なくとも2つのメモリバンクから少なくとも1つの選択された処理ユニットにデータを送るように構成され、メモリコントローラを介して、少なくとも1つの通信ラインが、少なくとも2つのメモリバンクおよび少なくとも1つの選択された処理ユニットに接続されるように構成される、
処理デバイス。
[項目112]
第2の指示を送信する段階が、少なくとも1つの選択された処理ユニットによってタスクを実行する命令を伝達する段階を含み、少なくとも1つの選択された処理ユニットがデータをメモリコントローラに送信する、またはデータをメモリコントローラから受信するように構成される、項目111に記載の処理デバイス。
[項目113]
第2の指示を送信する段階が、データをメモリコントローラに送る命令を伝達する段階を含む、項目111または112に記載の処理デバイス。
[項目114]
少なくとも1つの選択された処理ユニットが、少なくとも2つのメモリバンクから第1のメモリバンク内の開放されたメモリラインへの一連のアクセス中に、少なくとも2つのメモリバンクから第2のメモリバンク内のメモリラインを開放するように構成される、項目111から113のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目115]
通信ラインが第1のメモリバンクに開放されるラインアクセス期間中に、選択された処理ユニットがデータを第2のメモリバンクに転送するように構成される、項目114に記載の処理デバイス。
[項目116]
メモリコントローラが、複数のメモリバンクからの少なくとも2つのデータ入力と、複数の処理ユニットの各々に接続される少なくとも2つのデータ出力と、を含み、
メモリコントローラが、2つのデータ入力を介して2つのメモリバンクからデータを同時に受信するように構成され、
メモリコントローラが、2つのデータ入力を介して受信されたデータを、少なくとも1つの選択された処理ユニットに2つのデータ出力を介して同時に送信するように構成される、項目111から115のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目117]
複数の処理ユニットが、予め定義されたタスク用に構成される複数のアクセラレータを含む、項目111から116のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目118]
複数のアクセラレータが、ベクトル乗累算ユニットまたはダイレクトメモリアクセスの少なくとも1つを含む、項目117に記載の処理デバイス。
[項目119]
構成マネージャが、RISCプロセッサまたはマイクロコントローラの少なくとも1つを含む、項目117に記載の処理デバイス。
[項目120]
メモリバンクに接続される外部インタフェースをさらに含む、項目111から119のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目121]
処理デバイスがさらに、
第1のメモリラインを通じて第1のアドレスから複数の処理ユニットの少なくとも1つにデータを供給し、ラインアクセス期間内に第2のメモリライン内の第2のアドレスを開放し、第1のアドレスが複数のメモリバンクの第1のメモリバンク内に存在し、第2のアドレスが複数のメモリバンクの第2のメモリバンク内に存在するように構成され、
第2のメモリラインを通じて第2のアドレスから複数の処理ユニットの少なくとも1つにデータを供給し、第2のラインアクセス期間内に第1のメモリライン内の第1のメモリバンクにおける第3のアドレスを開放するように構成される、
項目111から120のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目122]
コンパイラは、
タスクを実行するために同時に要求されるワードの数を決定し、
複数のメモリバンクの各々から同時にアクセスできるワードの数を決定し、
同時に要求されるワードの数が同時にアクセスできるワードの数よりも大きい場合に、同時に要求されるワードの数を複数のメモリバンク間で分割するように構成される、
項目111から121のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目123]
ワードがマシン命令を含む、項目122に記載の処理デバイス。
[項目124]
構成マネージャが、複数の処理ユニットの少なくとも1つに送信されるコマンドを記憶するローカルメモリを含む、項目111から123のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目125]
メモリコントローラが、外部インタフェースからの要求の受信に応答してタスクを割り込ませるように構成される、項目111から124のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目126]
前駆複数のメモリバンクが、DRAMマット、DRAM、バンク、フラッシュマットSRAMマット、の少なくとも1つを含む、項目111から125のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目127]
複数の処理ユニットが、少なくとも1つの演算論理ユニットと、少なくとも1つのベクトル処理論理ユニットと、少なくとも1つのレジスタと、少なくとも1つのダイレクトメモリアクセスと、を含む、項目111から126のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目128]
構成マネージャおよび複数の処理ユニットが、タスクを終了させた後で互いにメモリコントローラにアクセスをハンドオーバするように構成される、項目111から127のいずれか一項に記載の処理デバイス。
[項目129]
分散型メモリデバイスを動作するために実行される方法であって、
分散型メモリデバイスのタスクをコンパイラによってコンパイルする段階であって、タスクが少なくとも1つの計算を要求する段階を備え、コンパイルする段階が、
タスクを実行するために同時に要求されるワードの数を決定する段階と、
複数のメモリバンクの1つから同時にアクセスできるワードの数が、同時に要求されるワードの数よりも少ない場合に、基板に配置される複数のメモリバンク内に同時にアクセスされる必要のあるワードを書き込む命令を与える段階と、
基板に配置される構成マネージャによって、タスクを実行する指示を受信する段階と、
指示を受信する段階に応答して、基板に配置されるメモリコントローラが、
第1のラインアクセスサイクル内で、
第1のメモリラインを使用して複数のメモリバンクからの第1のメモリバンクから少なくとも1つの第1のワードにアクセスするように、
少なくとも1つの第1のワードを少なくとも1つの処理ユニットに送信するように、
第2のメモリバンク内の第1のメモリラインを開放して複数のメモリバンクからの第2のメモリバンクから第2のアドレスにアクセスするように、および、
第2のラインアクセスサイクル内で、
第1のメモリラインを使用して第2のメモリバンクから少なくとも1つの第2のワードにアクセスするように、
少なくとも1つの第2のワードを少なくとも1つの処理ユニットに送信するように、
第1のメモリバンク内の第2のメモリラインを使用して第1のメモリバンクから第3のアドレスにアクセスするように、構成する段階と、を有する、
方法。
[項目130]
タスクをコンパイルする段階がさらに、
タスクを実行するのに必要なサイクル数を決定する段階と、
複数のメモリバンクの単一メモリバンク内で一連のサイクルで必要されるワードを書き込む段階と、を含む、項目129に記載の方法。
[項目131]
少なくとも1つのプロセッサに、
少なくとも1つの計算を要求するタスクを実行するために同時に要求されるワードの数を決定することと、
複数のメモリバンクの1つから同時にアクセスできるワードの数が、同時に要求されるワードの数よりも少ない場合に、基板に配置される複数のメモリバンク内に同時にアクセスされる必要のあるワードを書き込むことと、
タスクを実行する指示を、基板に配置される構成マネージャに送信することと、
基板に配置されるメモリコントローラが、
第1のラインアクセスサイクル内で、第1のメモリラインを使用して複数のメモリバンクからの第1のメモリバンクから少なくとも1つの第1のワードにアクセスするように、少なくとも1つの第1のワードを少なくとも1つの処理ユニットに送信するように、第2のメモリバンク内の第1のメモリラインを開放して複数のメモリバンクからの第2のメモリバンクから第2のアドレスにアクセスするように、および、
第2のラインアクセスサイクル内で、第1のメモリラインを使用して第2のメモリバンクから少なくとも1つの第2のワードにアクセスするように、少なくとも1つの第2のワードを少なくとも1つの処理ユニットに送信するように、第1のメモリバンク内の第2のメモリラインを使用して第1のメモリバンクから第3のアドレスにアクセスするように構成する命令を送信することと
をさせる、
プログラム。
Claims (9)
- メモリチップであって、前記メモリチップが、
複数のメモリバンクであって、各メモリバンクがバンクコントローラおよび複数のメモリサブバンクを有し、各メモリサブバンクが、読み書きを可能にするサブバンク行デコーダおよびサブバンク列デコーダを自らの位置に有する、複数のメモリバンク、
を備え、
各メモリサブバンクが、複数のメモリマットを有し、
各メモリマットが、複数のメモリセル、マット行デコーダおよびマット列デコーダを含み、
複数の前記サブバンク行デコーダおよび複数の前記サブバンク列デコーダが、前記バンクコントローラからの読み要求および書き要求を受信し、前記バンクコントローラから受信した読み要求および書き要求を処理するように構成され、
複数の前記マット行デコーダおよび複数の前記マット列デコーダが、複数の前記サブバンク行デコーダおよび複数の前記サブバンク列デコーダからの読み要求および書き要求をそれぞれ処理する、
メモリチップ。 - 各メモリサブバンクがさらに、前記バンクコントローラからの読み要求および書き要求を処理するか否かを決定するように構成されるサブバンクコントローラを有する、請求項1に記載のメモリチップ。
- 前記サブバンクコントローラがシステムクロックに同期される、請求項2に記載のメモリチップ。
- 前記サブバンクコントローラがシステムクロックに同期されない、請求項2に記載のメモリチップ。
- 各メモリサブバンクがさらに、各メモリサブバンクを専用メモリとして使用するプロセッササブユニットを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のメモリチップ。
- 各プロセッササブユニットが、前記バンクコントローラを使用せずに前記サブバンクの前記サブバンク行デコーダおよび前記サブバンク列デコーダを使用して前記プロセッササブユニットに専用のサブバンクにアクセスするように構成された、請求項5に記載のメモリチップ。
- 前記バンクコントローラが、バンク行デコーダおよびバンク列デコーダを有し、
複数の前記サブバンク行デコーダおよび複数の前記サブバンク列デコーダが、前記バンク行デコーダおよびバンク列デコーダの少なくとも1つからの読み要求および書き要求を受信するように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載のメモリチップ。 - 各プロセッササブユニットが、前記バンク行デコーダおよび前記バンク列デコーダを使用せずに前記サブバンクの複数の前記サブバンク行デコーダおよび複数の前記サブバンク列デコーダを使用して前記プロセッササブユニットに専用のサブバンクにアクセスするように構成される、請求項7に記載のメモリチップ。
- 前記プロセッササブユニットが、構成可能プロセッササブユニットまたはアクセラレータを含む、請求項5から6及び8のいずれか一項、または、請求項5に従属する請求項7に記載のメモリチップ。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762538722P | 2017-07-30 | 2017-07-30 | |
US201762538724P | 2017-07-30 | 2017-07-30 | |
US62/538,724 | 2017-07-30 | ||
US62/538,722 | 2017-07-30 | ||
US201762548990P | 2017-08-23 | 2017-08-23 | |
US62/548,990 | 2017-08-23 | ||
PCT/IB2018/000995 WO2019025864A2 (en) | 2017-07-30 | 2018-07-30 | ARCHITECTURE OF DISTRIBUTED PROCESSORS BASED ON MEMORIES |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020529676A JP2020529676A (ja) | 2020-10-08 |
JP2020529676A5 JP2020529676A5 (ja) | 2021-09-09 |
JP7242634B2 true JP7242634B2 (ja) | 2023-03-20 |
Family
ID=65233543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020505784A Active JP7242634B2 (ja) | 2017-07-30 | 2018-07-30 | メモリチップ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US11023336B2 (ja) |
EP (2) | EP4187539B1 (ja) |
JP (1) | JP7242634B2 (ja) |
CN (2) | CN111149166B (ja) |
TW (2) | TW202301125A (ja) |
WO (1) | WO2019025864A2 (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6832050B2 (ja) | 2017-02-23 | 2021-02-24 | セレブラス システムズ インク. | 加速化ディープラーニング |
US11488004B2 (en) | 2017-04-17 | 2022-11-01 | Cerebras Systems Inc. | Neuron smearing for accelerated deep learning |
CA3099965C (en) | 2017-04-17 | 2022-08-02 | Cerebras Systems Inc. | Neuron smearing for accelerated deep learning |
WO2018193370A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | Cerebras Systems Inc. | Task activating for accelerated deep learning |
JP7242634B2 (ja) * | 2017-07-30 | 2023-03-20 | ニューロブレード リミテッド | メモリチップ |
US11514996B2 (en) | 2017-07-30 | 2022-11-29 | Neuroblade Ltd. | Memory-based processors |
US11144316B1 (en) | 2018-04-17 | 2021-10-12 | Ali Tasdighi Far | Current-mode mixed-signal SRAM based compute-in-memory for low power machine learning |
US11328208B2 (en) * | 2018-08-29 | 2022-05-10 | Cerebras Systems Inc. | Processor element redundancy for accelerated deep learning |
EP3647801A1 (de) * | 2018-10-30 | 2020-05-06 | dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH | Verfahren zur überprüfung eines fpga-programms |
GB2580151B (en) * | 2018-12-21 | 2021-02-24 | Graphcore Ltd | Identifying processing units in a processor |
CN114072778A (zh) * | 2019-05-07 | 2022-02-18 | 麦姆瑞克斯公司 | 存储器处理单元架构 |
US20220405221A1 (en) * | 2019-07-03 | 2022-12-22 | Huaxia General Processor Technologies Inc. | System and architecture of pure functional neural network accelerator |
US20210011732A1 (en) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | MemryX Inc. | Matrix Data Reuse Techniques in Processing Systems |
US12249189B2 (en) | 2019-08-12 | 2025-03-11 | Micron Technology, Inc. | Predictive maintenance of automotive lighting |
US12061971B2 (en) | 2019-08-12 | 2024-08-13 | Micron Technology, Inc. | Predictive maintenance of automotive engines |
TW202122993A (zh) * | 2019-08-13 | 2021-06-16 | 埃利亞德 希勒爾 | 記憶體式處理器 |
US20220269645A1 (en) | 2019-08-13 | 2022-08-25 | Neuroblade Ltd. | Memory mat as a register file |
US11055003B2 (en) * | 2019-08-20 | 2021-07-06 | Micron Technology, Inc. | Supplemental AI processing in memory |
US11182110B1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-11-23 | Xilinx, Inc. | On-chip memory block circuit |
US11449739B2 (en) | 2019-08-22 | 2022-09-20 | Google Llc | General padding support for convolution on systolic arrays |
US11573705B2 (en) * | 2019-08-28 | 2023-02-07 | Micron Technology, Inc. | Artificial intelligence accelerator |
US11017842B2 (en) | 2019-08-29 | 2021-05-25 | Micron Technology, Inc. | Copy data in a memory system with artificial intelligence mode |
US12210401B2 (en) | 2019-09-05 | 2025-01-28 | Micron Technology, Inc. | Temperature based optimization of data storage operations |
US11650746B2 (en) * | 2019-09-05 | 2023-05-16 | Micron Technology, Inc. | Intelligent write-amplification reduction for data storage devices configured on autonomous vehicles |
US10915298B1 (en) | 2019-10-08 | 2021-02-09 | Ali Tasdighi Far | Current mode multiply-accumulate for compute in memory binarized neural networks |
US12177133B2 (en) | 2019-10-16 | 2024-12-24 | Cerebras Systems Inc. | Dynamic routing for accelerated deep learning |
US12169771B2 (en) | 2019-10-16 | 2024-12-17 | Cerebras Systems Inc. | Basic wavelet filtering for accelerated deep learning |
CN112783555A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 基于risc-v向量扩展指令的编码处理方法及装置、存储介质 |
JP2022511581A (ja) * | 2019-11-15 | 2022-02-01 | バイドゥ ドットコム タイムス テクノロジー (ベイジン) カンパニー リミテッド | フレキシブルケーブル接続に基づく分散型aiトレーニングトポロジー |
EP3857384B1 (en) * | 2019-12-19 | 2022-05-11 | Google LLC | Processing sequential inputs using neural network accelerators |
US11610104B1 (en) | 2019-12-30 | 2023-03-21 | Ali Tasdighi Far | Asynchronous analog accelerator for fully connected artificial neural networks |
US11615256B1 (en) | 2019-12-30 | 2023-03-28 | Ali Tasdighi Far | Hybrid accumulation method in multiply-accumulate for machine learning |
KR20210092467A (ko) * | 2020-01-16 | 2021-07-26 | 삼성전자주식회사 | 로컬 프로세서와 글로벌 프로세서를 포함하는 메모리 다이, 메모리 장치, 및 전자 장치 |
TWI727643B (zh) * | 2020-02-05 | 2021-05-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 人工智慧加速器以及其處理方法 |
RU2732201C1 (ru) * | 2020-02-17 | 2020-09-14 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Метод построения процессоров для вывода в сверточных нейронных сетях, основанный на потоковых вычислениях |
CN111600204B (zh) * | 2020-06-05 | 2022-03-18 | 杭州交联电力设计股份有限公司 | 一种单组电气设备的自动排布方法 |
US11409594B2 (en) * | 2020-06-27 | 2022-08-09 | Intel Corporation | Self-supervised learning system for anomaly detection with natural language processing and automatic remediation |
US11693699B2 (en) | 2020-07-02 | 2023-07-04 | Apple Inc. | Hybrid memory in a dynamically power gated hardware accelerator |
WO2022020164A1 (en) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | Flex Logix Technologies, Inc. | Mac processing pipelines having programmable granularity, and methods of operating same |
WO2022046075A1 (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | Siemens Industry Software, Inc. | Method and system for protocol processing |
CN112256409B (zh) * | 2020-09-15 | 2022-03-04 | 中科驭数(北京)科技有限公司 | 基于多个数据库加速器的任务执行方法及装置 |
US11556790B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-01-17 | Micron Technology, Inc. | Artificial neural network training in memory |
WO2022082115A1 (en) | 2020-10-16 | 2022-04-21 | Neuroblade Ltd. | Memory appliances for memory intensive operations |
US11977915B2 (en) | 2020-12-15 | 2024-05-07 | Western Digital Technologies, Inc. | Non-volatile memory with intelligent compute task distribution |
US11314508B1 (en) * | 2021-02-01 | 2022-04-26 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | FPGA-based computing system for processing data in size, weight, and power constrained environments |
TWI775402B (zh) * | 2021-04-22 | 2022-08-21 | 臺灣發展軟體科技股份有限公司 | 資料處理電路及故障減輕方法 |
CN113254392B (zh) * | 2021-07-12 | 2022-06-14 | 深圳比特微电子科技有限公司 | 用于片上系统的数据存储方法和基于片上系统的设备 |
US20240362066A1 (en) * | 2021-07-20 | 2024-10-31 | The Regents Of The University Of California | Run-Time Configurable Architectures |
TWI779923B (zh) * | 2021-11-11 | 2022-10-01 | 南亞科技股份有限公司 | 圖案驗證系統及其操作方法 |
US12050781B2 (en) | 2021-11-24 | 2024-07-30 | Seagate Technology Llc | Distributed data storage system with bottleneck mitigation |
CN116264089A (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器 |
JP7243006B1 (ja) | 2021-12-20 | 2023-03-22 | エッジコーティックス ピーティーイー. リミテッド | ネットワークオンチップリコンフィギュアビリティ |
EP4460768A1 (en) | 2022-01-05 | 2024-11-13 | Neuroblade, Ltd. | Processing systems |
US12014798B2 (en) * | 2022-03-31 | 2024-06-18 | Macronix International Co., Ltd. | In memory data computation and analysis |
CN114978682B (zh) * | 2022-05-20 | 2025-01-03 | 北京紫光展锐通信技术有限公司 | 数据处理方法、装置及设备 |
TWI811038B (zh) * | 2022-07-25 | 2023-08-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 記憶體控制器與偵錯訊息輸出控制方法 |
US11630605B1 (en) | 2022-08-10 | 2023-04-18 | Recogni Inc. | Methods and systems for processing read-modify-write requests |
CN115328849B (zh) * | 2022-08-10 | 2023-10-03 | 苏州迅芯微电子有限公司 | 一种用于数据发送和接收的芯片组合结构 |
US20240070107A1 (en) * | 2022-08-30 | 2024-02-29 | Micron Technology, Inc. | Memory device with embedded deep learning accelerator in multi-client environment |
CN115237036B (zh) * | 2022-09-22 | 2023-01-10 | 之江实验室 | 一种针对晶圆级处理器系统的全数字化管理装置 |
US11896952B1 (en) * | 2023-10-12 | 2024-02-13 | King Faisal University | Adsorbent using biowaste and plastic waste for wastewater treatment |
CN118151714B (zh) * | 2024-02-26 | 2024-09-10 | 北京炎黄国芯科技有限公司 | 一种充放电数模混合电压补偿方法 |
CN118366520B (zh) * | 2024-05-10 | 2025-03-11 | 苏州异格技术有限公司 | 一种fpga加速编程方法及装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211780A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Nec Corp | アドレスエラー検出装置、アドレスエラー検出方法 |
WO2016132052A1 (fr) | 2015-02-18 | 2016-08-25 | Upmem | Circuit dram muni d'un processeur integre |
US20170194045A1 (en) | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices and memory systems including the same |
Family Cites Families (266)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4724520A (en) * | 1985-07-01 | 1988-02-09 | United Technologies Corporation | Modular multiport data hub |
US5297260A (en) | 1986-03-12 | 1994-03-22 | Hitachi, Ltd. | Processor having a plurality of CPUS with one CPU being normally connected to common bus |
US4837747A (en) * | 1986-11-29 | 1989-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Redundary circuit with a spare main decoder responsive to an address of a defective cell in a selected cell block |
US4873626A (en) * | 1986-12-17 | 1989-10-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Parallel processing system with processor array having memory system included in system memory |
US5014235A (en) * | 1987-12-15 | 1991-05-07 | Steven G. Morton | Convolution memory |
EP0421696A3 (en) | 1989-10-02 | 1992-01-29 | Motorola Inc. | Staggered access memory |
US5239654A (en) | 1989-11-17 | 1993-08-24 | Texas Instruments Incorporated | Dual mode SIMD/MIMD processor providing reuse of MIMD instruction memories as data memories when operating in SIMD mode |
US5179702A (en) | 1989-12-29 | 1993-01-12 | Supercomputer Systems Limited Partnership | System and method for controlling a highly parallel multiprocessor using an anarchy based scheduler for parallel execution thread scheduling |
JP3210319B2 (ja) | 1990-03-01 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | ニューロチップおよびそのチップを用いたニューロコンピュータ |
DE69132495T2 (de) | 1990-03-16 | 2001-06-13 | Texas Instruments Inc., Dallas | Verteilter Verarbeitungsspeicher |
US5155729A (en) | 1990-05-02 | 1992-10-13 | Rolm Systems | Fault recovery in systems utilizing redundant processor arrangements |
US5590345A (en) | 1990-11-13 | 1996-12-31 | International Business Machines Corporation | Advanced parallel array processor(APAP) |
US5713037A (en) | 1990-11-13 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Slide bus communication functions for SIMD/MIMD array processor |
DE69131272T2 (de) * | 1990-11-13 | 1999-12-09 | International Business Machines Corp., Armonk | Paralleles Assoziativprozessor-System |
JP3001252B2 (ja) * | 1990-11-16 | 2000-01-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ |
US5214747A (en) | 1990-12-24 | 1993-05-25 | Eastman Kodak Company | Segmented neural network with daisy chain control |
US5440752A (en) | 1991-07-08 | 1995-08-08 | Seiko Epson Corporation | Microprocessor architecture with a switch network for data transfer between cache, memory port, and IOU |
US5506992A (en) | 1992-01-30 | 1996-04-09 | Saxenmeyer; George | Distributed processing system with asynchronous communication between processing modules |
US5502728A (en) | 1992-02-14 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Large, fault-tolerant, non-volatile, multiported memory |
KR960002777B1 (ko) * | 1992-07-13 | 1996-02-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시 장치 |
US5345552A (en) * | 1992-11-12 | 1994-09-06 | Marquette Electronics, Inc. | Control for computer windowing display |
US5396608A (en) * | 1993-06-28 | 1995-03-07 | Analog Devices, Inc. | Method and apparatus for accessing variable length words in a memory array |
DE69431386T2 (de) | 1993-10-05 | 2003-05-15 | Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren und Gerät zur Erzeugung eines Programms für parallele Verarbeitung |
DE69430744T2 (de) | 1994-07-28 | 2003-01-30 | International Business Machines Corp., Armonk | Verbesserte Neuronalhalbleiterchipsarchitekturen und Neuronalnetzwerke darin |
JP3723599B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2005-12-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US5956703A (en) | 1995-07-28 | 1999-09-21 | Delco Electronics Corporation | Configurable neural network integrated circuit |
JP3252666B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2002-02-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP3036411B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶集積回路装置 |
JPH09198861A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP3355595B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2002-12-09 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH09288888A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
IT1288076B1 (it) | 1996-05-30 | 1998-09-10 | Antonio Esposito | Multicalcolatore elettronico numerico parallelo multiprocessore a ridondanza di processori accoppiati |
US5844856A (en) * | 1996-06-19 | 1998-12-01 | Cirrus Logic, Inc. | Dual port memories and systems and methods using the same |
US5802005A (en) * | 1996-09-23 | 1998-09-01 | Texas Instruments Incorporated | Four bit pre-fetch sDRAM column select architecture |
US5841712A (en) * | 1996-09-30 | 1998-11-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual comparator circuit and method for selecting between normal and redundant decode logic in a semiconductor memory device |
JPH10269765A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6026464A (en) | 1997-06-24 | 2000-02-15 | Cisco Technology, Inc. | Memory control system and method utilizing distributed memory controllers for multibank memory |
US6044438A (en) | 1997-07-10 | 2000-03-28 | International Business Machiness Corporation | Memory controller for controlling memory accesses across networks in distributed shared memory processing systems |
JP4039532B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2008-01-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US6096094A (en) * | 1997-10-03 | 2000-08-01 | National Instruments Corporation | Configuration manager for configuring a data acquisition system |
US5959929A (en) * | 1997-12-29 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for writing to multiple banks of a memory device |
JPH11203862A (ja) | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
NO308149B1 (no) | 1998-06-02 | 2000-07-31 | Thin Film Electronics Asa | Skalerbar, integrert databehandlingsinnretning |
US6349051B1 (en) | 1998-01-29 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | High speed data bus |
US6173356B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-01-09 | Silicon Aquarius, Inc. | Multi-port DRAM with integrated SRAM and systems and methods using the same |
US6678801B1 (en) | 1998-04-17 | 2004-01-13 | Terraforce Technologies Corp. | DSP with distributed RAM structure |
KR100273293B1 (ko) * | 1998-05-13 | 2001-01-15 | 김영환 | 리던던트 워드라인의 리프레쉬 구조 |
US6553355B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-04-22 | Indranet Technologies Limited | Autopoietic network system endowed with distributed artificial intelligence for the supply of high volume high-speed multimedia telesthesia telemetry, telekinesis, telepresence, telemanagement, telecommunications, and data processing services |
JP2000011681A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP2002519747A (ja) | 1998-06-23 | 2002-07-02 | インテリックス アクティーゼルスカブ | n項組又はRAMベース・ニューラルネットワーク分類システム及び方法 |
DE19838813A1 (de) * | 1998-08-26 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Speichersystem |
US6366989B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-04-02 | Sun Microsystems, Inc. | Programmable memory controller |
US6041400A (en) | 1998-10-26 | 2000-03-21 | Sony Corporation | Distributed extensible processing architecture for digital signal processing applications |
US6798420B1 (en) * | 1998-11-09 | 2004-09-28 | Broadcom Corporation | Video and graphics system with a single-port RAM |
US6216178B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-04-10 | Infineon Technologies Ag | Methods and apparatus for detecting the collision of data on a data bus in case of out-of-order memory accesses of different times of memory access execution |
US6067262A (en) | 1998-12-11 | 2000-05-23 | Lsi Logic Corporation | Redundancy analysis for embedded memories with built-in self test and built-in self repair |
US6449732B1 (en) | 1998-12-18 | 2002-09-10 | Triconex Corporation | Method and apparatus for processing control using a multiple redundant processor control system |
US6523018B1 (en) | 1998-12-29 | 2003-02-18 | International Business Machines Corporation | Neural chip architecture and neural networks incorporated therein |
JP2000207884A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US6389497B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-05-14 | Analog Devices, Inc. | DRAM refresh monitoring and cycle accurate distributed bus arbitration in a multi-processing environment |
US6145069A (en) | 1999-01-29 | 2000-11-07 | Interactive Silicon, Inc. | Parallel decompression and compression system and method for improving storage density and access speed for non-volatile memory and embedded memory devices |
GB9902115D0 (en) | 1999-02-01 | 1999-03-24 | Axeon Limited | Neural networks |
DE19906382A1 (de) * | 1999-02-16 | 2000-08-24 | Siemens Ag | Halbleiterspeicher mit Speicherbänken |
US6453398B1 (en) * | 1999-04-07 | 2002-09-17 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Multiple access self-testing memory |
JP3959211B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
WO2000070686A1 (en) | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, image display device, and method and apparatus for manufacture thereof |
US6404694B2 (en) | 1999-08-16 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device with address comparing functions |
US6751698B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-06-15 | Silicon Graphics, Inc. | Multiprocessor node controller circuit and method |
US6708254B2 (en) | 1999-11-10 | 2004-03-16 | Nec Electronics America, Inc. | Parallel access virtual channel memory system |
JP2001155485A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6414890B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device capable of reliably performing burn-in test at wafer level |
US6601126B1 (en) | 2000-01-20 | 2003-07-29 | Palmchip Corporation | Chip-core framework for systems-on-a-chip |
AU2001243463A1 (en) | 2000-03-10 | 2001-09-24 | Arc International Plc | Memory interface and method of interfacing between functional entities |
US6668308B2 (en) | 2000-06-10 | 2003-12-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scalable architecture based on single-chip multiprocessing |
JP4632107B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2011-02-16 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6785780B1 (en) | 2000-08-31 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Distributed processor memory module and method |
US6785841B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Processor with redundant logic |
US20020087828A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | International Business Machines Corporation | Symmetric multiprocessing (SMP) system with fully-interconnected heterogenous microprocessors |
WO2002059743A2 (en) | 2001-01-25 | 2002-08-01 | Improv Systems, Inc. | Compiler for multiple processor and distributed memory architectures |
US6714467B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-03-30 | Broadcom Corporation | Block redundancy implementation in heirarchical RAM's |
US6396760B1 (en) | 2001-03-16 | 2002-05-28 | Virage Logic Corporation | Memory having a redundancy scheme to allow one fuse to blow per faulty memory column |
US7233998B2 (en) * | 2001-03-22 | 2007-06-19 | Sony Computer Entertainment Inc. | Computer architecture and software cells for broadband networks |
JP2003092364A (ja) * | 2001-05-21 | 2003-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6385071B1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Redundant scheme for CAMRAM memory array |
JP2003068074A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003132675A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 半導体メモリ装置 |
US6778443B2 (en) * | 2001-12-25 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device having memory blocks pre-programmed before erased |
WO2003060722A1 (fr) | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Renesas Technology Corp. | Système de mémoire et carte mémoire |
US6640283B2 (en) | 2002-01-16 | 2003-10-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for cache compression engine for data compression of on-chip caches to increase effective cache size |
JP2003263892A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7107285B2 (en) | 2002-03-16 | 2006-09-12 | Questerra Corporation | Method, system, and program for an improved enterprise spatial system |
US6717834B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-06 | Intel Corporation | Dual bus memory controller |
US6877046B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for memory with embedded processor |
AU2003226394A1 (en) | 2002-04-14 | 2003-11-03 | Bay Microsystems, Inc. | Data forwarding engine |
US7836168B1 (en) | 2002-06-04 | 2010-11-16 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | System and methodology providing flexible and distributed processing in an industrial controller environment |
US7415594B2 (en) * | 2002-06-26 | 2008-08-19 | Coherent Logix, Incorporated | Processing system with interspersed stall propagating processors and communication elements |
US7159141B2 (en) | 2002-07-01 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Repairable block redundancy scheme |
GB2391083B (en) | 2002-07-19 | 2006-03-01 | Picochip Designs Ltd | Processor array |
US7120068B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Column/row redundancy architecture using latches programmed from a look up table |
KR100510496B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 페이지 길이를 변환할 수 있는 구조를 가지는 반도체메모리 장치 및 상기 반도체 메모리 장치의 페이지 길이변환방법 |
US20040153911A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-08-05 | Alon Regev | Testing of a CAM |
JP4223936B2 (ja) | 2003-02-06 | 2009-02-12 | 株式会社リコー | 投射光学系、拡大投射光学系、拡大投射装置及び画像投射装置 |
US20040181503A1 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-16 | Motorola, Inc. | Information storage and retrieval method and apparatus |
US7194568B2 (en) | 2003-03-21 | 2007-03-20 | Cisco Technology, Inc. | System and method for dynamic mirror-bank addressing |
WO2005006345A1 (ja) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Elpida Memory, Inc. | 半導体記憶装置 |
JP2005092969A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7162551B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-01-09 | Lucent Technologies Inc. | Memory management system having a linked list processor |
TWI289750B (en) | 2004-01-05 | 2007-11-11 | Sony Corp | Data storage apparatus, and data storage controlling apparatus and method |
US20050240806A1 (en) | 2004-03-30 | 2005-10-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Diagnostic memory dump method in a redundant processor |
US7519875B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-04-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for enabling a user to determine whether a defective location in a memory device has been remapped to a redundant memory portion |
JP2006294144A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7978561B2 (en) * | 2005-07-28 | 2011-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices having vertically-stacked transistors therein |
US7562271B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-07-14 | Rambus Inc. | Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device |
JP2009520295A (ja) | 2005-12-20 | 2009-05-21 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 共有メモリバンクを有するマルチプロセッサ回路 |
US7826243B2 (en) * | 2005-12-29 | 2010-11-02 | Bitmicro Networks, Inc. | Multiple chip module and package stacking for storage devices |
US8984256B2 (en) | 2006-02-03 | 2015-03-17 | Russell Fish | Thread optimized multiprocessor architecture |
JP2007207380A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20070220369A1 (en) | 2006-02-21 | 2007-09-20 | International Business Machines Corporation | Fault isolation and availability mechanism for multi-processor system |
US20080177979A1 (en) * | 2006-03-01 | 2008-07-24 | Gheorghe Stefan | Hardware multi-core processor optimized for object oriented computing |
US7613883B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-11-03 | Rambus Inc. | Memory device with mode-selectable prefetch and clock-to-core timing |
US7610537B2 (en) | 2006-04-04 | 2009-10-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for testing multi-core microprocessors |
US7882307B1 (en) | 2006-04-14 | 2011-02-01 | Tilera Corporation | Managing cache memory in a parallel processing environment |
US8648403B2 (en) | 2006-04-21 | 2014-02-11 | International Business Machines Corporation | Dynamic memory cell structures |
JP2007317247A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Nec Electronics Corp | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の動作方法 |
US7882320B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-02-01 | Dataram, Inc. | Multi-processor flash memory storage device and management system |
US7949820B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-05-24 | Dataram, Inc. | Method for managing memory access and task distribution on a multi-processor storage device |
KR20070112950A (ko) | 2006-05-24 | 2007-11-28 | 삼성전자주식회사 | 멀티-포트 메모리 장치, 멀티-포트 메모리 장치를 포함하는멀티-프로세서 시스템, 및 멀티-프로세서 시스템의 데이터전달 방법 |
US7640386B2 (en) * | 2006-05-24 | 2009-12-29 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for providing memory modules with multiple hub devices |
JP2008010082A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Nec Electronics Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びワード線駆動方法 |
KR20090039761A (ko) * | 2006-07-14 | 2009-04-22 | 인터디지탈 테크날러지 코포레이션 | 심볼 레이트 하드웨어 가속기 |
KR100748460B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2007-08-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 및 그 제어방법 |
US7783936B1 (en) * | 2006-09-28 | 2010-08-24 | L-3 Communications, Corp. | Memory arbitration technique for turbo decoding |
US20080109691A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | James Norris Dieffenderfer | Method and Apparatus for Executing a BIST Routine |
JP4215795B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2009-01-28 | エルピーダメモリ株式会社 | ルックアップテーブルカスケード回路、ルックアップテーブルカスケードアレイ回路及びそのパイプライン制御方法 |
CN101622595A (zh) * | 2006-12-06 | 2010-01-06 | 弗森多系统公司(dba弗森-艾奥) | 用于服务器内的存储区域网络的装置、系统和方法 |
US7899978B2 (en) | 2006-12-08 | 2011-03-01 | Pandya Ashish A | Dynamic programmable intelligent search memory |
KR100918299B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2009-09-18 | 삼성전자주식회사 | 배드 블록 정보를 저장하지 않는 행 디코더를 갖는 플래시메모리 장치 및 그것의 제어 방법 |
WO2008139441A2 (en) * | 2007-05-12 | 2008-11-20 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with internal signal processing unit |
US7869246B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-01-11 | Marvell World Trade Ltd. | Bit line decoder architecture for NOR-type memory array |
US7772880B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-08-10 | Neal Solomon | Reprogrammable three dimensional intelligent system on a chip |
US8042082B2 (en) | 2007-09-12 | 2011-10-18 | Neal Solomon | Three dimensional memory in a system on a chip |
US7557605B2 (en) | 2007-09-14 | 2009-07-07 | Cswitch Corporation | Heterogeneous configurable integrated circuit |
US8200992B2 (en) * | 2007-09-24 | 2012-06-12 | Cognitive Electronics, Inc. | Parallel processing computer systems with reduced power consumption and methods for providing the same |
US7721010B2 (en) * | 2007-10-31 | 2010-05-18 | Qimonda North America Corp. | Method and apparatus for implementing memory enabled systems using master-slave architecture |
US8078829B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-12-13 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Scaleable array of micro-engines for waveform processing |
US7844798B2 (en) * | 2007-12-13 | 2010-11-30 | Qimonda Ag | Command protocol for integrated circuits |
FR2925187B1 (fr) | 2007-12-14 | 2011-04-08 | Commissariat Energie Atomique | Systeme comportant une pluralite d'unites de traitement permettant d'executer des taches en parallele,en mixant le mode d'execution de type controle et le mode d'execution de type flot de donnees |
JP2009146548A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8028124B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-09-27 | International Business Machines Corporation | Fast processing memory array |
US9196346B2 (en) * | 2008-01-23 | 2015-11-24 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory with LPDRAM |
US7782703B2 (en) * | 2008-02-01 | 2010-08-24 | Qimonda North America Corp. | Semiconductor memory having a bank with sub-banks |
WO2009097681A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Mosaid Technologies Incorporated | Flexible memory operations in nand flash devices |
JP2009205258A (ja) | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
KR20090095955A (ko) | 2008-03-07 | 2009-09-10 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리의 공유 구조에서 다이렉트 억세스 기능을제공하는 멀티포트 반도체 메모리 장치 및 그를 채용한멀티 프로세서 시스템 |
US20110016278A1 (en) | 2008-03-31 | 2011-01-20 | Frederick Ware | Independent Threading of Memory Devices Disposed on Memory Modules |
US8140830B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Structural power reduction in multithreaded processor |
US20100005220A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | International Business Machines Corporation | 276-pin buffered memory module with enhanced memory system interconnect and features |
US8031505B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stacked memory module and system |
KR101493008B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2015-02-13 | 삼성전자주식회사 | 소스 라인 구동회로 및 상기 소스 라인 구동회로를 포함하는 디스플레이 장치 |
JP5599559B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2014-10-01 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及びそのリフレッシュ方法 |
US7877627B1 (en) * | 2008-12-18 | 2011-01-25 | Supercon, L.L.C. | Multiple redundant computer system combining fault diagnostics and majority voting with dissimilar redundancy technology |
TWI401691B (zh) * | 2009-03-20 | 2013-07-11 | Phison Electronics Corp | 具快閃記憶體測試功能的控制器及其儲存系統與測試方法 |
US7983065B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-19 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines |
US8516408B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-08-20 | Lsi Corporation | Optimization of circuits having repeatable circuit instances |
JP4913878B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ワード線選択回路、ロウデコーダ |
US9378003B1 (en) | 2009-07-23 | 2016-06-28 | Xilinx, Inc. | Compiler directed cache coherence for many caches generated from high-level language source code |
US8442927B2 (en) | 2009-07-30 | 2013-05-14 | Nec Laboratories America, Inc. | Dynamically configurable, multi-ported co-processor for convolutional neural networks |
US9477636B2 (en) | 2009-10-21 | 2016-10-25 | Micron Technology, Inc. | Memory having internal processors and data communication methods in memory |
US8856458B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polymorphous signal interface between processing units |
KR101107163B1 (ko) * | 2010-05-25 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 주사 구동부 및 이를 이용한 표시 장치 |
US20110296078A1 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-01 | Qualcomm Incorporated | Memory pool interface methods and apparatuses |
US9672169B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Dual in line memory module with multiple memory interfaces |
JP5508978B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | デジタルアナログ変換回路及び表示ドライバ |
US20140013129A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-09 | L. Pierre de Rochemont | Hybrid computing module |
US9612979B2 (en) | 2010-10-22 | 2017-04-04 | Intel Corporation | Scalable memory protection mechanism |
US8738860B1 (en) | 2010-10-25 | 2014-05-27 | Tilera Corporation | Computing in parallel processing environments |
KR101212738B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2012-12-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프레쉬 제어회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 리프레쉬 제어방법 |
JP2012174297A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US20140040622A1 (en) | 2011-03-21 | 2014-02-06 | Mocana Corporation | Secure unlocking and recovery of a locked wrapped app on a mobile device |
US9262246B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-02-16 | Mcafee, Inc. | System and method for securing memory and storage of an electronic device with a below-operating system security agent |
US9432298B1 (en) | 2011-12-09 | 2016-08-30 | P4tents1, LLC | System, method, and computer program product for improving memory systems |
US9348852B2 (en) * | 2011-04-27 | 2016-05-24 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Frequent pattern mining |
US8904537B2 (en) | 2011-05-09 | 2014-12-02 | F—Secure Corporation | Malware detection |
JP5658082B2 (ja) | 2011-05-10 | 2015-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8590050B2 (en) | 2011-05-11 | 2013-11-19 | International Business Machines Corporation | Security compliant data storage management |
KR20120132278A (ko) | 2011-05-26 | 2012-12-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 칩, 메모리 시스템, 및 메모리 칩에 대한 액세스 방법 |
US10078620B2 (en) | 2011-05-27 | 2018-09-18 | New York University | Runtime reconfigurable dataflow processor with multi-port memory access module |
US9177609B2 (en) * | 2011-06-30 | 2015-11-03 | Sandisk Technologies Inc. | Smart bridge for memory core |
US9098209B2 (en) | 2011-08-24 | 2015-08-04 | Rambus Inc. | Communication via a memory interface |
US8599595B1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-12-03 | Michael C. Stephens, Jr. | Memory devices with serially connected signals for stacked arrangements |
WO2013100909A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Intel Corporation | Adaptive configuration of non-volatile memory |
US9110830B2 (en) * | 2012-01-18 | 2015-08-18 | Qualcomm Incorporated | Determining cache hit/miss of aliased addresses in virtually-tagged cache(s), and related systems and methods |
US8977583B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-03-10 | International Business Machines Corporation | Synaptic, dendritic, somatic, and axonal plasticity in a network of neural cores using a plastic multi-stage crossbar switching |
US8736831B2 (en) * | 2012-05-15 | 2014-05-27 | Kla-Tencor Corp. | Substrate inspection |
US9665503B2 (en) | 2012-05-22 | 2017-05-30 | Xockets, Inc. | Efficient packet handling, redirection, and inspection using offload processors |
JP2014010845A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置 |
KR20140023806A (ko) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치의 배치 구조 |
US8677306B1 (en) | 2012-10-11 | 2014-03-18 | Easic Corporation | Microcontroller controlled or direct mode controlled network-fabric on a structured ASIC |
US8996951B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-03-31 | Elwha, Llc | Error correction with non-volatile memory on an integrated circuit |
EP2923279B1 (en) * | 2012-11-21 | 2016-11-02 | Coherent Logix Incorporated | Processing system with interspersed processors; dma-fifo |
US9449257B2 (en) | 2012-12-04 | 2016-09-20 | Institute Of Semiconductors, Chinese Academy Of Sciences | Dynamically reconstructable multistage parallel single instruction multiple data array processing system |
CN103902472B (zh) * | 2012-12-28 | 2018-04-20 | 华为技术有限公司 | 基于内存芯片互连的内存访问处理方法、内存芯片及系统 |
US10318444B2 (en) | 2013-04-11 | 2019-06-11 | The Regents Of The University Of California | Collective memory transfer devices and methods for multiple-core processors |
US9177646B2 (en) | 2013-05-06 | 2015-11-03 | International Business Machines Corporation | Implementing computational memory from content-addressable memory |
US10741226B2 (en) | 2013-05-28 | 2020-08-11 | Fg Src Llc | Multi-processor computer architecture incorporating distributed multi-ported common memory modules |
US10331583B2 (en) | 2013-09-26 | 2019-06-25 | Intel Corporation | Executing distributed memory operations using processing elements connected by distributed channels |
US9305635B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High density memory structure |
US9418719B2 (en) * | 2013-11-28 | 2016-08-16 | Gsi Technology Israel Ltd. | In-memory computational device |
US9978014B2 (en) | 2013-12-18 | 2018-05-22 | Intel Corporation | Reconfigurable processing unit |
US20150212861A1 (en) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | Qualcomm Incorporated | Value synchronization across neural processors |
CN105431831B (zh) * | 2014-02-17 | 2018-10-02 | 联发科技股份有限公司 | 数据存取方法和利用相同方法的数据存取装置 |
US10180828B2 (en) | 2014-04-29 | 2019-01-15 | Significs And Elements, Llc | Systems and methods for power optimization of processors |
US20150324690A1 (en) | 2014-05-08 | 2015-11-12 | Microsoft Corporation | Deep Learning Training System |
JP2015222467A (ja) * | 2014-05-22 | 2015-12-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マイクロコントローラ及びそれを用いた電子制御装置 |
US9003109B1 (en) | 2014-05-29 | 2015-04-07 | SanDisk Technologies, Inc. | System and method for distributed computing in non-volatile memory |
US10504020B2 (en) | 2014-06-10 | 2019-12-10 | Sightline Innovation Inc. | System and method for applying a deep learning neural network to data obtained from one or more sensors |
KR20160014976A (ko) * | 2014-07-30 | 2016-02-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US9810777B2 (en) * | 2014-08-22 | 2017-11-07 | Voxtel, Inc. | Asynchronous LADAR and imaging array |
US9984337B2 (en) | 2014-10-08 | 2018-05-29 | Nec Corporation | Parallelized machine learning with distributed lockless training |
US10175345B2 (en) * | 2014-10-17 | 2019-01-08 | Voxtel, Inc. | Event tracking imager |
JP2016081340A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社東芝 | 多重化制御装置 |
KR102251216B1 (ko) | 2014-11-21 | 2021-05-12 | 삼성전자주식회사 | 어드레스 리매핑된 메모리 칩, 이를 포함하는 메모리 모듈 및 메모리 시스템 |
KR102497704B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2023-02-09 | 바스프 에스이 | 광 검출기 |
US10445641B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-10-15 | Deepmind Technologies Limited | Distributed training of reinforcement learning systems |
US20160260024A1 (en) * | 2015-03-04 | 2016-09-08 | Qualcomm Incorporated | System of distributed planning |
US11232848B2 (en) * | 2015-04-30 | 2022-01-25 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Memory module error tracking |
US20160379109A1 (en) | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Convolutional neural networks on hardware accelerators |
KR102401271B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그 동작 방법 |
US10726328B2 (en) | 2015-10-09 | 2020-07-28 | Altera Corporation | Method and apparatus for designing and implementing a convolution neural net accelerator |
WO2017065379A1 (ko) | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 삼성전자 주식회사 | 프로세싱-인-메모리를 이용한 명령어 처리 방법 및 그 장치 |
US9904874B2 (en) | 2015-11-05 | 2018-02-27 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Hardware-efficient deep convolutional neural networks |
US11170294B2 (en) | 2016-01-07 | 2021-11-09 | Intel Corporation | Hardware accelerated machine learning |
US10157309B2 (en) | 2016-01-14 | 2018-12-18 | Nvidia Corporation | Online detection and classification of dynamic gestures with recurrent convolutional neural networks |
US9928895B2 (en) * | 2016-02-03 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof |
US10990872B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-04-27 | International Business Machines Corporation | Energy-efficient time-multiplexed neurosynaptic core for implementing neural networks spanning power- and area-efficiency |
US9601183B1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-03-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers |
US10082964B2 (en) * | 2016-04-27 | 2018-09-25 | Micron Technology, Inc | Data caching for ferroelectric memory |
WO2018005572A1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Two-dimensionally accessible non-volatile memory |
US9760827B1 (en) | 2016-07-22 | 2017-09-12 | Alpine Electronics of Silicon Valley, Inc. | Neural network applications in resource constrained environments |
KR102620562B1 (ko) * | 2016-08-04 | 2024-01-03 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
JP6271655B1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ |
US10387303B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-08-20 | Western Digital Technologies, Inc. | Non-volatile storage system with compute engine to accelerate big data applications |
US9653151B1 (en) | 2016-10-07 | 2017-05-16 | Kilopass Technology, Inc. | Memory array having segmented row addressed page registers |
US20180144244A1 (en) | 2016-11-23 | 2018-05-24 | Vital Images, Inc. | Distributed clinical workflow training of deep learning neural networks |
US10163469B2 (en) * | 2016-11-30 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | System and method for write data bus control in a stacked memory device |
US10423876B2 (en) * | 2016-12-01 | 2019-09-24 | Via Alliance Semiconductor Co., Ltd. | Processor with memory array operable as either victim cache or neural network unit memory |
US10032110B2 (en) | 2016-12-13 | 2018-07-24 | Google Llc | Performing average pooling in hardware |
US10073715B2 (en) * | 2016-12-19 | 2018-09-11 | Intel Corporation | Dynamic runtime task management |
US10191799B2 (en) * | 2016-12-29 | 2019-01-29 | Sandisk Technologies Llc | BER model evaluation |
US11062203B2 (en) | 2016-12-30 | 2021-07-13 | Intel Corporation | Neuromorphic computer with reconfigurable memory mapping for various neural network topologies |
US10114795B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-10-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Processor in non-volatile storage memory |
US12073308B2 (en) | 2017-01-04 | 2024-08-27 | Stmicroelectronics International N.V. | Hardware accelerator engine |
US11397687B2 (en) * | 2017-01-25 | 2022-07-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash-integrated high bandwidth memory appliance |
US11144820B2 (en) | 2017-02-28 | 2021-10-12 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Hardware node with position-dependent memories for neural network processing |
US10387298B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-08-20 | Hailo Technologies Ltd | Artificial neural network incorporating emphasis and focus techniques |
US10032496B1 (en) * | 2017-07-27 | 2018-07-24 | Micron Technology, Inc. | Variable filter capacitance |
JP7242634B2 (ja) * | 2017-07-30 | 2023-03-20 | ニューロブレード リミテッド | メモリチップ |
US10304497B2 (en) * | 2017-08-17 | 2019-05-28 | Micron Technology, Inc. | Power supply wiring in a semiconductor memory device |
US10810141B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-20 | Intel Corporation | Memory control management of a processor |
US10490245B2 (en) * | 2017-10-02 | 2019-11-26 | Micron Technology, Inc. | Memory system that supports dual-mode modulation |
US10388870B2 (en) * | 2017-10-25 | 2019-08-20 | Sandisk Technologies Llc | Barrier modulated cell structures with intrinsic vertical bit line architecture |
US10541273B2 (en) * | 2017-11-28 | 2020-01-21 | Sandisk Technologies Llc | Vertical thin film transistors with isolation |
US11398453B2 (en) * | 2018-01-09 | 2022-07-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | HBM silicon photonic TSV architecture for lookup computing AI accelerator |
EP3847553B1 (en) * | 2018-09-06 | 2024-11-20 | NeuroBlade Ltd. | Variable word length access in memory |
US11257538B2 (en) * | 2018-10-03 | 2022-02-22 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for improved reliability of components in dynamic random access memory (DRAM) |
TWI714003B (zh) * | 2018-10-11 | 2020-12-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 可執行人工智慧運算的記憶體晶片及其操作方法 |
-
2018
- 2018-07-30 JP JP2020505784A patent/JP7242634B2/ja active Active
- 2018-07-30 EP EP23151586.7A patent/EP4187539B1/en active Active
- 2018-07-30 CN CN201880062664.7A patent/CN111149166B/zh active Active
- 2018-07-30 TW TW111132554A patent/TW202301125A/zh unknown
- 2018-07-30 CN CN202111072866.XA patent/CN113918481A/zh active Pending
- 2018-07-30 EP EP18841178.9A patent/EP3662474B1/en active Active
- 2018-07-30 TW TW107126383A patent/TWI779069B/zh active
- 2018-07-30 WO PCT/IB2018/000995 patent/WO2019025864A2/en unknown
-
2019
- 2019-07-16 US US16/512,613 patent/US11023336B2/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,551 patent/US10664438B2/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,546 patent/US11269743B2/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,590 patent/US10762034B2/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,562 patent/US10885951B2/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,622 patent/US11126511B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-04 US US17/112,817 patent/US11301340B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-09 US US17/397,061 patent/US11914487B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-04 US US17/649,975 patent/US20220156161A1/en not_active Abandoned
-
2024
- 2024-01-08 US US18/406,346 patent/US20240143457A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211780A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Nec Corp | アドレスエラー検出装置、アドレスエラー検出方法 |
WO2016132052A1 (fr) | 2015-02-18 | 2016-08-25 | Upmem | Circuit dram muni d'un processeur integre |
US20170194045A1 (en) | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices and memory systems including the same |
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KR102782323B1 (ko) | 메모리 기반 분산 프로세서 아키텍처 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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