JP7225747B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
電子写真方式の画像形成装置は、複写機およびレーザビームプリンター等の画像形成装置において利用されている。画像形成装置に用いられる電子写真感光体としては、有機の光導電性材料を用いた有機感光体が主流となっている。有機感光体を製造する場合、例えば、アルミニウム等の導電性基体の上に下引層（中間層と呼ばれる場合もある）を形成し、その後、感光層を形成する場合が多い。
例えば、特許文献１には、「導電性支持体と、金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である下引層と、感光層と、をこの順に有し、且つ前記感光層のうち前記下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、前記下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜－｜ＥｆＵ｜）が０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある電子写真感光体。」が開示されている。
また、特許文献２には、「導電性基材と、前記導電性基材上に設けられ、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、酸性基を持つ電子受容性化合物と、を含有し、温度２２℃、湿度５０％ＲＨ、交流電圧±１Ｖ、且つ周波数１Ｈｚの測定条件下での交流インピーダンスが１×１０５Ω以上１×１０８Ω以下であり、温度２２℃、湿度５０％ＲＨ、交流電圧±１Ｖ、且つ周波数１００Ｈｚの測定条件下での交流インピーダンスが１×１０３Ω以上１×１０８Ω以下である下引き層と、前記下引き層上に設けられた感光層と、を有する電子写真感光体。」が開示されている。
また、特許文献３には、「導電性支持体上に少なくとも下引き層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層されてなる電子写真感光体において、該下引き層が、帯電極性と同極性の電荷移動能を有する物質を含有し、該電荷発生層が電荷発生物質とともに、少なくとも正孔輸送物質及び電子輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光体。」が開示されている。
近年、電子写真感光体を含め、画像形成装置の性能向上に伴い、同じ画像を連続して出力する市場要求も高まっている。そして、連続出力時特有に発生する現象も顕在化している、
具体的には、連続出力時に、下引層及び電荷発生層に印加される電界、電流等の負荷
により下引層と電荷発生層と界面に電荷が蓄積し、蓄積電荷の影響で画像濃度が変動する現象が生じることがある。特に、連続出力時に生じる露光部の蓄積電荷に起因して、露光部と非露光部の電位差が生じ、この電位差が履歴として残り、次の画像形成時に残像として顕在化する現象（以下、「連続プリントゴースト」とも称する）が生じることがある。
具体的には、連続出力時に、下引層及び電荷発生層に印加される電界、電流等の負荷
により下引層と電荷発生層と界面に電荷が蓄積し、蓄積電荷の影響で画像濃度が変動する現象が生じることがある。特に、連続出力時に生じる露光部の蓄積電荷に起因して、露光部と非露光部の電位差が生じ、この電位差が履歴として残り、次の画像形成時に残像として顕在化する現象（以下、「連続プリントゴースト」とも称する）が生じることがある。
本発明の課題は、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．３０Ｃ超えである電子写真感光体に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。
上記課題は、以下の手段により解決される。
＜１＞
導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、
前記下引層及び前記電荷発生層の間に流れる電流値を、前記下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の前記電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下である電子写真感光体。
＜２＞
前記電流値の積分値が、０．０８Ｃ以上０．１５Ｃ以下である＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞
前記下引層が、結着樹脂、金属酸化物粒子、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物を含む＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
結着樹脂が、ウレタン樹脂であり、
前記電子輸送性化合物が、前記アントラキノン骨格に水酸基を持つ電子輸送性化合物であり、
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種である＜３＞に記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記電子輸送性化合物の含有量が、前記金属酸化物粒子に対して１．２質量％以上１．８質量％ある＜３＞又は＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記電荷発生層が、結着樹脂、および電荷発生材料を含む＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜７＞
前記結着樹脂が、ビニル系樹脂であり、
前記電荷発生材料が、クロロガリウムフタロシアニン顔料及びヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の少なくとも一種である＜６＞に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記電荷発生材料の含有量が、前記結着樹脂に対して１４０質量％以上１６０質量％ある＜６＞又は＜７＞に記載の電子写真感光体。
＜９＞
前記下引層が、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物を含み、
前記電荷発生層が、電荷発生材料を含み、
前記電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量が、前記電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対して１．６質量％以上２．０質量％ある＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１０＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１１＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
＜１２＞
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、前記電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない＜１１＞に記載の画像形成装置
導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、
前記下引層及び前記電荷発生層の間に流れる電流値を、前記下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の前記電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下である電子写真感光体。
＜２＞
前記電流値の積分値が、０．０８Ｃ以上０．１５Ｃ以下である＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞
前記下引層が、結着樹脂、金属酸化物粒子、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物を含む＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
結着樹脂が、ウレタン樹脂であり、
前記電子輸送性化合物が、前記アントラキノン骨格に水酸基を持つ電子輸送性化合物であり、
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種である＜３＞に記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記電子輸送性化合物の含有量が、前記金属酸化物粒子に対して１．２質量％以上１．８質量％ある＜３＞又は＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記電荷発生層が、結着樹脂、および電荷発生材料を含む＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜７＞
前記結着樹脂が、ビニル系樹脂であり、
前記電荷発生材料が、クロロガリウムフタロシアニン顔料及びヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の少なくとも一種である＜６＞に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記電荷発生材料の含有量が、前記結着樹脂に対して１４０質量％以上１６０質量％ある＜６＞又は＜７＞に記載の電子写真感光体。
＜９＞
前記下引層が、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物を含み、
前記電荷発生層が、電荷発生材料を含み、
前記電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量が、前記電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対して１．６質量％以上２．０質量％ある＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１０＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１１＞
＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
＜１２＞
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、前記電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない＜１１＞に記載の画像形成装置
＜１＞、＜３＞、＜４＞、＜６＞、＜７＞に係る発明によれば、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．３０Ｃ超えである電子写真感光体に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜２＞に係る発明によれば、２００秒間の電流値の積分値が０．１５Ｃ超えである電子写真感光体に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、金属酸化物粒子に対する電子輸送性化合物の含有量が１．２質量％未満又は１．８質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜８＞に係る発明によれば、結着樹脂に対する電荷発生材料の含有量が１４０質量％未満又は１６０質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜９＞に係る発明によれば、電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対する電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量が１．６質量％未満又は２．０質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、金属酸化物粒子に対する電子輸送性化合物の含有量が１．２質量％未満又は１．８質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜８＞に係る発明によれば、結着樹脂に対する電荷発生材料の含有量が１４０質量％未満又は１６０質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜９＞に係る発明によれば、電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対する電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量が１．６質量％未満又は２．０質量％超えである場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜１０＞、＜１１＞に係る発明によれば、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．３０Ｃ超えである電子写真感光体を備える場合に比べ、連続プリントゴーストの発生を抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
＜１２＞に係る発明によれば、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．３０Ｃ超えである電子写真感光体を備える場合に比べ、除電手段を備えなくても、連続プリントゴーストの発生を抑制する画像形成装置が提供される。
＜１２＞に係る発明によれば、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．３０Ｃ超えである電子写真感光体を備える場合に比べ、除電手段を備えなくても、連続プリントゴーストの発生を抑制する画像形成装置が提供される。
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。
［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）は、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有する。
そして、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下である。
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）は、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有する。
そして、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下である。
本実施形態に係る感光体は、上記構成により、連続プリントゴーストの発生を抑制する。その理由は、次の通り推測される。
まず、電子写真感光体は、導電性基体上に感光層が設けられた層構成を有する。一般に、感光層の塗工性の向上、導電性基体表面の保護、導電性基体表面の欠陥の被覆、感光層の電気的破壊からの保護、感光層のキャリア注入性の向上等のために、導電性基体と感光層との間に、感光性を有さない下引層を介在させている。これにより、近年の電子写真感光体の長寿命化、高耐久化を実現している。
しかしながら、近年、感光体を含め、画像形成装置の性能向上に伴い、同じ画像を連続して出力する市場要求も高まっている。そして、連続出力時特有に発生する現象も顕在化している、
例えば、連続出力時に、下引層及び電荷発生層に印加される電界、電流等の負荷により下引層と電荷発生層と界面に電荷が蓄積し、蓄積電荷の影響で画像濃度が変動する現象が生じることがある。具体的には、連続出力時に生じる蓄積電荷に起因して、露光部と非露光部の電位差が生じ、この電位差が履歴として残り、次の画像形成時に残像として顕在化する現象（連続プリントゴースト）が生じることがある。
例えば、連続出力時に、下引層及び電荷発生層に印加される電界、電流等の負荷により下引層と電荷発生層と界面に電荷が蓄積し、蓄積電荷の影響で画像濃度が変動する現象が生じることがある。具体的には、連続出力時に生じる蓄積電荷に起因して、露光部と非露光部の電位差が生じ、この電位差が履歴として残り、次の画像形成時に残像として顕在化する現象（連続プリントゴースト）が生じることがある。
特に、連続プリントゴーストは、プロセス方向（記録媒体の搬送方向）に連続する同じ画像（例えば図５参照）を出力し続けた場合に発生しやすい。
プロセス方向に連続する画像を出力し続けると、感光体にも周方向に連続的に露光され、露光部における、下引層と電荷発生層の界面に電荷が蓄積され易くなる。その蓄積電荷の影響で発生する下引層と電荷発生層との界面の高電界状態により、電荷注入防止性（以下、「電荷ブロッキング性」とも称する）の低下と共に、連続的に露光された部分（露光部）の表面電位も低下し易くなる。その結果、露光部と非露光部の表面電位差が発生し、例えば、線状又は帯状の同じ画像を連続出力後に、ハーフトーン画像を出力すると、前画像が形成された部分に濃度差を生じ、連続プリントゴーストとして顕現する（例えば図６参照）。
プロセス方向に連続する画像を出力し続けると、感光体にも周方向に連続的に露光され、露光部における、下引層と電荷発生層の界面に電荷が蓄積され易くなる。その蓄積電荷の影響で発生する下引層と電荷発生層との界面の高電界状態により、電荷注入防止性（以下、「電荷ブロッキング性」とも称する）の低下と共に、連続的に露光された部分（露光部）の表面電位も低下し易くなる。その結果、露光部と非露光部の表面電位差が発生し、例えば、線状又は帯状の同じ画像を連続出力後に、ハーフトーン画像を出力すると、前画像が形成された部分に濃度差を生じ、連続プリントゴーストとして顕現する（例えば図６参照）。
また、連続プリントゴーストは、感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、感光体の表面を除電する除電手段を備えない画像形成装置（以下、イレーズレス電子写真装置ともいう）において、発生し易い。
それに対して、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分を０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下にすると、同じ画像を連続出力しても、下引き層と電荷発生層との界面に電荷が蓄積され難くなる。これは、連続的に露光した場合の電荷蓄積が抑制され、下引層と電荷発生層との界面における電荷ブロッキング性の低下が抑制され、感光体の表面電位低下が起き難くなると考えられるためである。
なお、２００秒間の電流値の積分値が０．０５Ｃ未満になると、通常使用時の感光体の帯電状態が維持できなくなることから、カブリ、濃度上昇等の画像欠陥が起こる。
以上から、本実施形態に係る感光体は、連続プリントゴーストの発生を抑制すると推測される。
本実施形態に係る感光体において、２００秒間の電流値の積分値の差分は、０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下であるが、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、０．０８Ｃ以上０．１５Ｃ以下が好ましく、０．９Ｃ以上１．２Ｃ以下がより好ましい。
２００秒間の電流値の積分値の差分を上記範囲に制御する方法としては、例えば、１）下引層中の金属酸化物粒子、金属酸化物粒子の表面処理剤、電子輸送性化合物の種類および量を調整する方法、２）下引層形成用塗布液の金属酸化物粒子および電子輸送性化合物の分散条件（例えば、横型サンドミルの使用、分散時間等）を調整する方法、３）電荷発生層中の結着樹脂、電荷発生材料、その他添加剤の種類および量を調整する方法、４）下引層と電荷発生層との材料の量比（例えば、電子輸送性化合物と電荷発生材料との量比）を調整する方法等が挙げられる。
２００秒間の電流値の積分値の差分は、次の方法により測定される。
強誘電体評価装置（株式会社東陽テクニカ製、Ｍｏｄｅｌ ６２５２）を用いて、測定試料の下引層及び電荷発生層に４０Ｖの電圧を印加する。
電圧印加を下引層側＋４０Ｖの電圧とし、この電圧印加を６００秒間印加し続ける。その後、下引層側を－４０Ｖの電圧に切り替えて２００秒間以上印加する。その時に、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を測定する。そして、下引層側を－４０Ｖの電圧に切り替えてから２００秒間経過するまでの電流値を積分し、積分値Ａを算出する。
一方、電圧印加を下引層側－４０Ｖの電圧とし、この電圧印加を６００秒間印加し続ける。その後、下引層側を＋４０Ｖの電圧に切り替えて２００秒間以上印加する。その時に、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を測定する。そして、下引層側を＋４０Ｖの電圧に切り替えてから２００秒間経過するまでの電流値を積分し、積分値Ｂを算出する。
そして、積分値Ａと積分値Ｂとの差分（積分値Ａ－積分値Ｂ）を２００秒間の電流値の積分値の差分として求める（具体的には、図４中の点線斜線部の領域の面積を算出する）。
なお、図４は、下引層及び電荷発生層に印加する電圧を、下引層側＋４０Ｖから－４０Ｖに反転した後に流れる電流値、及び下引層側－４０Ｖから＋４０Ｖに反転した後に流れる電流値と、電圧印加時間（反転前の６００秒経過後の電圧印加時間）との関係を示す図である。図４中、電流値は、絶対値で示している。
強誘電体評価装置（株式会社東陽テクニカ製、Ｍｏｄｅｌ ６２５２）を用いて、測定試料の下引層及び電荷発生層に４０Ｖの電圧を印加する。
電圧印加を下引層側＋４０Ｖの電圧とし、この電圧印加を６００秒間印加し続ける。その後、下引層側を－４０Ｖの電圧に切り替えて２００秒間以上印加する。その時に、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を測定する。そして、下引層側を－４０Ｖの電圧に切り替えてから２００秒間経過するまでの電流値を積分し、積分値Ａを算出する。
一方、電圧印加を下引層側－４０Ｖの電圧とし、この電圧印加を６００秒間印加し続ける。その後、下引層側を＋４０Ｖの電圧に切り替えて２００秒間以上印加する。その時に、下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を測定する。そして、下引層側を＋４０Ｖの電圧に切り替えてから２００秒間経過するまでの電流値を積分し、積分値Ｂを算出する。
そして、積分値Ａと積分値Ｂとの差分（積分値Ａ－積分値Ｂ）を２００秒間の電流値の積分値の差分として求める（具体的には、図４中の点線斜線部の領域の面積を算出する）。
なお、図４は、下引層及び電荷発生層に印加する電圧を、下引層側＋４０Ｖから－４０Ｖに反転した後に流れる電流値、及び下引層側－４０Ｖから＋４０Ｖに反転した後に流れる電流値と、電圧印加時間（反転前の６００秒経過後の電圧印加時間）との関係を示す図である。図４中、電流値は、絶対値で示している。
ここで、測定試料は、測定対象の感光体から、電荷発生層上に形成された層（電荷輸送層、保護層等）を除去した後、電荷発生層上に、金電極を真空蒸着法により蒸着した試料とする。
また、測定試料は、測定対象の感光体を作製するための下引層形成用塗布液および電荷発生層形成用塗布液により作製してもよい。
具体的には、下引層用塗布液をアルミ基体上に浸漬塗布法により塗布し、１８７℃で２５分間乾燥させて硬化し、厚さ２５μｍの下引層を形成した。次に、電荷発生層用塗布液を、下引層上に浸漬塗布法により塗布し、１５２℃で６分間乾燥させ、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。そして、電荷発生層上に、金電極を真空蒸着法により装着した。このようにして、測定試料を作製する。
具体的には、下引層用塗布液をアルミ基体上に浸漬塗布法により塗布し、１８７℃で２５分間乾燥させて硬化し、厚さ２５μｍの下引層を形成した。次に、電荷発生層用塗布液を、下引層上に浸漬塗布法により塗布し、１５２℃で６分間乾燥させ、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。そして、電荷発生層上に、金電極を真空蒸着法により装着した。このようにして、測定試料を作製する。
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体について詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。
図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。ただし、保護層５は、必要に応じて設けられる層である。
以下、図１に示す電子写真感光体７Ａの各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
具体的には、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、下引層は、結着樹脂、金属酸化物粒子、電子輸送性化合物を含む層であることが好ましい。
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
具体的には、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、下引層は、結着樹脂、金属酸化物粒子、電子輸送性化合物を含む層であることが好ましい。
下引層に用いる結着樹脂について説明する。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と架橋剤との反応により得られる架橋樹脂が好適である。
具体的には、特に、末端基に水酸基を持つ又は樹脂原料に水酸基を持つ樹脂（ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ガゼイン、フェノール樹脂等からなる群から選択される少なくとも１種）と、ＯＨ基と反応する反応性基を持つ硬化剤（イソシアネート化合物、フェノール化合物、メラミン等からなる群から選択される少なくとも１種）との反応により得られる架橋樹脂が好ましく、ウレタン樹脂（特に、ポリビニルアルコール樹脂（ブチラール樹脂等）とイソシアネート化合物との反応生成物）がより好ましい。
なお、結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
次に、金属酸化物粒子について説明する。
金属酸化物粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の金属酸化物粒子が挙げられる。
これらの中でも、金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等が挙げられる。これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種が好ましく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
なお、金属酸化物粒子は１種単種で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。
金属酸化物粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の金属酸化物粒子が挙げられる。
これらの中でも、金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等が挙げられる。これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種が好ましく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
なお、金属酸化物粒子は１種単種で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。
金属酸化物粒子の平均一次粒子径は、５００ｎｍ以下がよく、具体的には、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましい。
金属酸化物粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により観察する。観察したＳＥＭ画像における一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の個数基準の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｐ）を、金属酸化物粒子の平均一次粒径とする。
金属酸化物粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
金属酸化物粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１００質量％以上４００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１５０質量％以上３００質量％以下である。
金属酸化物粒子は、表面処理が施されていることがよい。
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、表面処理剤としては、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、表面処理剤としては、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
表面処理剤の処理量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
次に、電子輸送性化合物について説明する。
電子輸送性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等が挙げられる。
これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、電子輸送性化合物としては、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物（以下、「アントラキノン系電荷輸送化合物」とも称する）が好ましい。
アントラキノン系電子輸送性化合物は、アントラキノン骨格に置換基（例えば、水酸基、アミノ基等）を有する化合物であってもよい。
アントラキノン系電子輸送性化合物としては、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が挙げられる。
電子輸送性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等が挙げられる。
これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、電子輸送性化合物としては、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物（以下、「アントラキノン系電荷輸送化合物」とも称する）が好ましい。
アントラキノン系電子輸送性化合物は、アントラキノン骨格に置換基（例えば、水酸基、アミノ基等）を有する化合物であってもよい。
アントラキノン系電子輸送性化合物としては、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が挙げられる。
アントラキノン系電子輸送性化合物の中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、水酸基（ヒドロキシ基）を持つアントラキノン系電子輸送性化合物が好ましい。
ここで、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、アントラキノン系電子輸送性化合物として、水酸基を持つアントラキノン系電子輸送性化合物と、水酸基を持たないアントラキノン系電子輸送性化合物（好ましくは置換基を有さないアントラキノン系電子輸送性化合物）と、を併用することも好ましい。
このときの、水酸基を持つアントラキノン系電子輸送性化合物Ａと、水酸基を持たないアントラキノン系電子輸送性化合物（好ましくは置換基を有さないアントラキノン系電子輸送性化合物）Ｂと、の質量比（Ａ／Ｂ）は、３０／７０以上７０／３０以下が好ましく、２０／８０以上８０／２０以下が好ましい。
ここで、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、アントラキノン系電子輸送性化合物として、水酸基を持つアントラキノン系電子輸送性化合物と、水酸基を持たないアントラキノン系電子輸送性化合物（好ましくは置換基を有さないアントラキノン系電子輸送性化合物）と、を併用することも好ましい。
このときの、水酸基を持つアントラキノン系電子輸送性化合物Ａと、水酸基を持たないアントラキノン系電子輸送性化合物（好ましくは置換基を有さないアントラキノン系電子輸送性化合物）Ｂと、の質量比（Ａ／Ｂ）は、３０／７０以上７０／３０以下が好ましく、２０／８０以上８０／２０以下が好ましい。
水酸基を持つアントラキノン系電子輸送性化合物は、アントラキノン骨格のうちの芳香環の水素原子の少なくとも一つが水酸基で置換された化合物であり、具体的には、下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物等が好ましく、下記一般式（１）で表される化合物がより好ましく、下記一般式（１Ａ）で表される化合物が更に好ましい。
一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上４以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上４以下の整数を表す（つまり、ｎ１およびｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。
一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及ｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及ｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及ｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。
ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分岐状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、直鎖状、または分岐状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、オクトキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１以上８以下のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
一般式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基；アルキルベンゼンから水素原子が１個外れた基（ベンジル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等）；ナフチル基；ナフタレンのアルキル基置換体から水素原子が１個外れた基；が挙げられる。
なお、アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基に置換する置換基としては、例えば、炭素数１以上６以下のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基等）、上記炭素数６以上３０以下のアリール基、上記炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、アミド基、ヒドロキシ基、エステル基、エーテル基、アルデヒド基が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、直鎖状、または分岐状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、オクトキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１以上８以下のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
一般式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基；アルキルベンゼンから水素原子が１個外れた基（ベンジル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等）；ナフチル基；ナフタレンのアルキル基置換体から水素原子が１個外れた基；が挙げられる。
なお、アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基に置換する置換基としては、例えば、炭素数１以上６以下のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基等）、上記炭素数６以上３０以下のアリール基、上記炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、アミド基、ヒドロキシ基、エステル基、エーテル基、アルデヒド基が挙げられる。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１は、水素原子、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表す。ｎは１以上７以下の整数を表す。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す炭素数６以上３０以下のアリール基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下のアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ）中、ｎとしては、好ましくは１以上７以下の整数、より好ましくは２以上５以下の整数である。
一般式（１Ａ）中、Ｒ１１が表す炭素数６以上３０以下のアリール基としては、一般式（１）中におけるＲ１及びＲ２が表す炭素数６以上３０以下のアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ）中、ｎとしては、好ましくは１以上７以下の整数、より好ましくは２以上５以下の整数である。
ここで、アントラキノン系電子輸送性化合物の具体的を以下に示す。但し、これらに限定されるものではない。
なお、下記の化合物の具体例において、「例示化合物」と称し、例えば、下記（１－１）の化合物であれば「例示化合物（１－１）」と称す。
また、下記例示化合物中、「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｂｕ」はｎ－ブチル基、「Ｃ５Ｈ１１」はｎ－ペンチル基、「Ｃ６Ｈ１３」はｎ－ヘキシル基、「Ｃ７Ｈ１５」はｎ－ヘプチル基、「Ｃ８Ｈ１７」はｎ－オクチル基、「Ｃ９Ｈ１９」はｎ－ノニル基、「Ｃ１０Ｈ２１」はｎ－デシル基を表す。
なお、下記の化合物の具体例において、「例示化合物」と称し、例えば、下記（１－１）の化合物であれば「例示化合物（１－１）」と称す。
また、下記例示化合物中、「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｂｕ」はｎ－ブチル基、「Ｃ５Ｈ１１」はｎ－ペンチル基、「Ｃ６Ｈ１３」はｎ－ヘキシル基、「Ｃ７Ｈ１５」はｎ－ヘプチル基、「Ｃ８Ｈ１７」はｎ－オクチル基、「Ｃ９Ｈ１９」はｎ－ノニル基、「Ｃ１０Ｈ２１」はｎ－デシル基を表す。
電子受容性化合物は、下引層中に金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
ここで、金属酸化物粒子に対する電子輸送性化合物の含有量は、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、０．０１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１．２質量％以上１．８質量％以下がより好ましく、１．６質量％以上１．７質量％がより好ましい。
また、後述する電荷発生層中の電荷発生材料の単位体積あたりの含有量に対する電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量は、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、０．１質量％以上１０質量％が好ましく、１．６質量％以上２．０質量％がより好ましく、１．６質量％以上１．９質量％がさらに好ましく、１．７質量％以上１．９質量％が特に好ましい。
なお、単位体積当たりの含有量とは、各成分が含まれる対象の層の単位体積（１μｍ３）当たりに含まれる含有量を意味する。
なお、単位体積当たりの含有量とは、各成分が含まれる対象の層の単位体積（１μｍ３）当たりに含まれる含有量を意味する。
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の形成は、特に制限されないが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
下引層形成用塗布液を調製するときの金属酸化物粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５－２６３００７号公報、特開平５－２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５－９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５－１４０４７２号公報、特開平５－１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４－１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４－７８１４７号公報、特開２００５－１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ－型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２－１５５２８２号公報の段落［０２８８］～［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ－１）～（ＣＧ－２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、電荷発生材料としては、金属フタロシアニンが好ましく、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、及びクロロガリウムフタロシアニン顔料からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましく、クロロガリウムフタロシアニン顔料がより好ましい。
電荷発生材料の含有量は、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、結着樹脂に対して１００質量％以上２００質量％が好ましく、１４０質量％以上１６０質量％以下がより好ましく、１４５質量％以上１５５質量％がさらに好ましい。
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
これらの中でも、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、結着樹脂としては、ビニル系樹脂（ビニル基を有する単量体に由来する構造単位を含む重合体）が好ましく、塩化ビニル系樹脂（塩化ビニルに由来する構造単位を含む重合体）がより好ましい。そして、塩化ビニル系樹脂としては、塩化ビニルと酢酸ビニルとを少なくとも重合した共重合体がさらに好ましい。
なお、塩化ビニル系樹脂としては、全構成単位に対して、塩化ビニルに由来する構造単位を含む５０質量％以上（好ましくは７０質量％以上９０質量％、より好ましくは８０質量％以上９０質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以上８５質量％以下）含む樹脂がよい。
なお、塩化ビニル系樹脂としては、全構成単位に対して、塩化ビニルに由来する構造単位を含む５０質量％以上（好ましくは７０質量％以上９０質量％、より好ましくは８０質量％以上９０質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以上８５質量％以下）含む樹脂がよい。
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
具体的には、例えば、電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の制御し、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、電荷発生層には、添加剤として、カップリング剤を含んでいてもよい。
カップリング剤としては、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
これらの中でも、カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
なお、カップリング剤の含有量は、結着樹脂に対して、０．０１質量％以上２．０質量％以下（好ましくは０．３質量％以上０．６質量％以下）がよい。
具体的には、例えば、電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の制御し、連続プリントゴーストの発生抑制の観点から、電荷発生層には、添加剤として、カップリング剤を含んでいてもよい。
カップリング剤としては、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
これらの中でも、カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
なお、カップリング剤の含有量は、結着樹脂に対して、０．０１質量％以上２．０質量％以下（好ましくは０．３質量％以上０．６質量％以下）がよい。
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
構造式（ａ－１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
構造式（ａ－２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８－１７６２９３号公報、特開平８－２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、－ＯＨ、－ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、－ＮＨ２、－ＳＨ、－ＣＯＯＨ、－ＳｉＲＱ１
３－Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１～３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
ただし、トナー像の転写後（つまり電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後）、帯電前（つまり電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前）に、電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない場合、特に、感光層と下引層との界面で電荷が蓄積し、連続プリントゴーストが生じやすい。しかし、本実施形態に係る電子写真感光体を適用することで、除電手段を備えない場合であっても、連続プリントゴーストの発生が抑制されやすくなる。
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
＜実施例１＞
酸化亜鉛粒子（平均粒子径：７２ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１４ｍ２／ｇ）６０質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、ＫＢＭ６０３（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）０．７５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
酸化亜鉛粒子（平均粒子径：７２ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１４ｍ２／ｇ）６０質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、ＫＢＭ６０３（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）０．７５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子６０質量部と、電子輸送性化合物としてアントラキノン０．５質量部とプルプリン０．５質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部に溶解し、混合液を得た。この混合溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いた横型サンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（合併））４．０質量部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。
この塗布液を、浸漬塗布法にて直径３０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８７℃で２５分の乾燥硬化を行い、厚さ２５μｍの下引層を得た。
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、ビニル系共重合体樹脂（Ｖｉｎｎｏｌ Ｈ１５／４５Ｍ、ＷＡＣＫＥＲ社製、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体樹脂、共重合質量比（塩化ビニル：酢酸ビニル）＝８４．９：１５．１（質量比）、Ｍｗ＝５００００）１０重量部およびｎ－ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用の塗布液を得た。
この塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１５２℃で６分間乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を得た。
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量３００００）０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次に、電荷輸送物質として、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－［１，１’］ビフェニル－４，４’－ジアミン４質量部と、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４０，０００）６質量部、酸化防止剤として２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール０．１質量部を混合して、テトラヒドロフラン２４質量部及びトルエン１１質量部を混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。このＢ液に前記Ａ液を加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返した液に、フッ素変性シリコーンオイル（商品名：ＦＬ－１００ 信越化学工業社製）を５ｐｐｍ添加し、十分に撹拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。
この塗布液を電荷発生層上に２１．０μｍ塗布して１４０℃で２５分間乾燥して電荷輸送層を形成した。
以上の工程を経て、実施例１の感光体を得た。
＜実施例２＞
下引層の形成において、アントラキノン０．５質量部とプルプリン０．５質量部との代わりに、プルプリン１．５質量部を用い、横型サンドミルの分散時間を３時間とし、電荷発生層の形成において、ビニル系共重合体樹脂（Ｖｉｎｎｏｌ Ｈ１５／４５Ｍ」の代わりに、塩化ビニル－酢酸ビニル系共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製、共重合比（塩化ビニル：酢酸ビニル：マレイン酸）＝約８６％：約１３％：約１％（質量比））を用いた以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例２の感光体を得た。
下引層の形成において、アントラキノン０．５質量部とプルプリン０．５質量部との代わりに、プルプリン１．５質量部を用い、横型サンドミルの分散時間を３時間とし、電荷発生層の形成において、ビニル系共重合体樹脂（Ｖｉｎｎｏｌ Ｈ１５／４５Ｍ」の代わりに、塩化ビニル－酢酸ビニル系共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製、共重合比（塩化ビニル：酢酸ビニル：マレイン酸）＝約８６％：約１３％：約１％（質量比））を用いた以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例２の感光体を得た。
＜実施例３＞
下引層の形成において、酸化亜鉛粒子の代わりに、酸化チタン粒子（テイカ社製、平均粒子径：６８ｎｍ、比表面積値：１６ｍ２／ｇ）を用い、プルプリンを１．３質量部とし、横型サンドミルの分散時間を３時間とした以外は、実施例２と同様にして、実施例３の感光体を作製した。
下引層の形成において、酸化亜鉛粒子の代わりに、酸化チタン粒子（テイカ社製、平均粒子径：６８ｎｍ、比表面積値：１６ｍ２／ｇ）を用い、プルプリンを１．３質量部とし、横型サンドミルの分散時間を３時間とした以外は、実施例２と同様にして、実施例３の感光体を作製した。
＜実施例４＞
下引層の形成において、プルプリンを１．３質量部とし、横型サンドミルの分散時間を５時間とし、電荷発生層の形成において、添加物としてＫＢＭ６０３（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）を０．５質量部添加した以外は、実施例２と同様にして、実施例４の感光体を作製した。
下引層の形成において、プルプリンを１．３質量部とし、横型サンドミルの分散時間を５時間とし、電荷発生層の形成において、添加物としてＫＢＭ６０３（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業社製）を０．５質量部添加した以外は、実施例２と同様にして、実施例４の感光体を作製した。
＜実施例５＞
下引き層の形成において、アントラキノンを０．４質量部、プルプリンを０．４質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例５の感光体を作製した。
下引き層の形成において、アントラキノンを０．４質量部、プルプリンを０．４質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例５の感光体を作製した。
＜実施例６＞
下引き層の形成において、アントラキノン０．５質量部とプルプリン０．５質量部の代わりに、プルプリン１．０５質量部とした以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例６の感光体を作製した。
下引き層の形成において、アントラキノン０．５質量部とプルプリン０．５質量部の代わりに、プルプリン１．０５質量部とした以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例６の感光体を作製した。
＜実施例７＞
下引き層の形成において、アントラキノンを０．３質量部、プルプリンを０．３質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例７の感光体を作製した。
下引き層の形成において、アントラキノンを０．３質量部、プルプリンを０．３質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例７の感光体を作製した。
＜実施例８＞
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶を１２質量部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例８の感光体を作製した。
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶を１２質量部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例８の感光体を作製した。
＜実施例９＞
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶を１７質量部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例９の感光体を作製した。
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶を１７質量部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例９の感光体を作製した。
＜実施例１０＞
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶の代わりに、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜及び２８．０゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１４．５質量部とした以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例１０の感光体を作製した。
電荷発生層の形成において、クロロガリウムフタロシアニン結晶の代わりに、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜及び２８．０゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１４．５質量部とした以外は、実施例１の感光体と同様にして、実施例１０の感光体を作製した。
＜比較例１＞
下引層の形成において、プルプリンを１．０質量部とし、横型サンドミルの分散時間を６時間とした以外は、実施例２と同様にして、比較例１の感光体を作製した。
下引層の形成において、プルプリンを１．０質量部とし、横型サンドミルの分散時間を６時間とした以外は、実施例２と同様にして、比較例１の感光体を作製した。
＜比較例２＞
下引層の形成において、酸化亜鉛粒子の代わりに黒鉛を用い、横型サンドミルの分散時間を４時間とした以外は、実施例２と同様にして、比較例２の感光体を作製した。
下引層の形成において、酸化亜鉛粒子の代わりに黒鉛を用い、横型サンドミルの分散時間を４時間とした以外は、実施例２と同様にして、比較例２の感光体を作製した。
＜比較例３＞
特開２０１８－６３３６７の実施例１に示される方法と同様にして、比較例３の感光体を作製した。
特開２０１８－６３３６７の実施例１に示される方法と同様にして、比較例３の感光体を作製した。
＜極性反転法による測定＞
－測定試料の作製－
上記実施例および比較例の感光体を作製する際に用いた下引層用塗布液および電荷発生層用塗布液を用いて、既述の方法に従って測定試料を作製した。
－測定試料の作製－
上記実施例および比較例の感光体を作製する際に用いた下引層用塗布液および電荷発生層用塗布液を用いて、既述の方法に従って測定試料を作製した。
－測定方法－
得られた測定用試料に対して、既述の方法に従って、「下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分（表中、「電流積分値差分」と表記）」を測定した。
得られた測定用試料に対して、既述の方法に従って、「下引層及び電荷発生層の間に流れる電流値を、下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分（表中、「電流積分値差分」と表記）」を測定した。
＜連続プリントゴーストの評価＞
連続プリントゴーストの評価は、次の通り実施した。
まず、富士ゼロックス社製「ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａ」の改造機（除電装置を外した改造機）に、各例の感光体を装着した。
この改造機を用いて、低温低湿（１０℃１５％ＲＨ）の環境下で、画像の出力を行った。具体的には、プロセス方向に連続した帯状の画像（図５参照）をＡ４紙に５０００枚連続で出力した。その直後に、全面３０％ハーフトーン画像をＡ４紙に出力した。
そして、図６に示す連続プリントゴーストの発生について、下記基準で評価した。
Ｇ０・・・連続プリントゴースト未発生
Ｇ０．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ１・・・軽微な連続プリントゴースト発生
Ｇ１．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ２・・・連続プリントゴースト発生
Ｇ２．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ３・・・重度な連続プリントゴースト発生
なお、Ｇ２以上で実使用上問題があるレベルと判定した。
連続プリントゴーストの評価は、次の通り実施した。
まず、富士ゼロックス社製「ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａ」の改造機（除電装置を外した改造機）に、各例の感光体を装着した。
この改造機を用いて、低温低湿（１０℃１５％ＲＨ）の環境下で、画像の出力を行った。具体的には、プロセス方向に連続した帯状の画像（図５参照）をＡ４紙に５０００枚連続で出力した。その直後に、全面３０％ハーフトーン画像をＡ４紙に出力した。
そして、図６に示す連続プリントゴーストの発生について、下記基準で評価した。
Ｇ０・・・連続プリントゴースト未発生
Ｇ０．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ１・・・軽微な連続プリントゴースト発生
Ｇ１．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ２・・・連続プリントゴースト発生
Ｇ２．５・Ｇ０とＧ１の間のレベル
Ｇ３・・・重度な連続プリントゴースト発生
なお、Ｇ２以上で実使用上問題があるレベルと判定した。
ここで、図５中、ＳＩは、帯状の画像を示し、矢印はプロセス方向（紙搬送方向）を示す。
また、図６中、ＣＰＧは、連続プリントゴーストを示し、ＨＴはハーフトーン画像を示し、矢印はプロセス方向（紙搬送方向）を示す。
また、図６中、ＣＰＧは、連続プリントゴーストを示し、ＨＴはハーフトーン画像を示し、矢印はプロセス方向（紙搬送方向）を示す。
＜カブリの評価＞
カブリの評価は、次の通り実施した。
まず、富士ゼロックス社製「ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａ」の改造機（除電装置を外した改造機）に、各例の感光体を装着した。
この改造機を用いて、高温高湿（２８℃８５％ＲＨ）の条件下で、Ａ４紙を白紙で一枚出力し、トナーのカブリを評価した。
トナーのカブリが、発生しなかった場合を「ＯＫ」、発生した場合を「ＮＧ］として評価した。
カブリの評価は、次の通り実施した。
まず、富士ゼロックス社製「ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａ」の改造機（除電装置を外した改造機）に、各例の感光体を装着した。
この改造機を用いて、高温高湿（２８℃８５％ＲＨ）の条件下で、Ａ４紙を白紙で一枚出力し、トナーのカブリを評価した。
トナーのカブリが、発生しなかった場合を「ＯＫ」、発生した場合を「ＮＧ］として評価した。
上記結果から、電圧極性の反転後、２００秒間の電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．３０Ｃ以下となる、本実施例の感光体は、当該電流の積分値の差分が０．３０Ｃ超えとなる比較例１の感光体に比べ、連続プリントゴーストの発生が抑制されることがわかる。
一方、本実施例の感光体は、当該電流の積分値の差分が０．０５Ｃ未満となる比較例２の感光体に比べ、カブリの発生が抑制されていることがわかる。
一方、本実施例の感光体は、当該電流の積分値の差分が０．０５Ｃ未満となる比較例２の感光体に比べ、カブリの発生が抑制されていることがわかる。
なお、表１中、「電荷輸送性化合物の電荷発生材料に対する含有量」とは、電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対する電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量（質量％）を示す。
１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、６ 単層型感光層、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材、１３３ 繊維状部材、３００ プロセスカートリッジ
Claims (12)
- 導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で有し、
前記下引層は、アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物として、プルプリンを含み、
前記下引層及び前記電荷発生層の間に流れる電流値を、前記下引層側に＋４０Ｖから－４０Ｖの電圧および前記下引層側に－４０Ｖから＋４０Ｖの電圧を印加する極性反転法で測定したとき、各電圧極性の反転後、２００秒間の前記電流値の積分値の差分が０．０５Ｃ以上０．１３Ｃ以下である電子写真感光体。 - 前記電流値の積分値が、０．０８Ｃ以上０．１３Ｃ以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
- 前記下引層が、結着樹脂、金属酸化物粒子、前記アントラキノン骨格を有する電子輸送性化合物を含む請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
- 結着樹脂が、ウレタン樹脂であり、
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種である請求項３に記載の電子写真感光体。 - 前記電子輸送性化合物の含有量が、前記金属酸化物粒子に対して１．２質量％以上１．８質量％ある請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
- 前記電荷発生層が、結着樹脂、および電荷発生材料を含む請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 前記結着樹脂が、ビニル系樹脂であり、
前記電荷発生材料が、クロロガリウムフタロシアニン顔料及びヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の少なくとも一種である請求項６に記載の電子写真感光体。 - 前記電荷発生材料の含有量が、前記結着樹脂に対して１４０質量％以上１６０質量％ある請求項６又は請求項７に記載の電子写真感光体。
- 前記電荷発生層が、電荷発生材料を含み、
前記電子輸送性化合物の単位体積当たりの含有量が、前記電荷発生材料の単位体積当たりの含有量に対して１．６質量％以上２．０質量％ある請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。 - 請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。 - 請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。 - 前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、前記電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない請求項１１に記載の画像形成装置。
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