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JP7090467B2 - Thermal spraying device - Google Patents

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JP7090467B2 JP2018093566A JP2018093566A JP7090467B2 JP 7090467 B2 JP7090467 B2 JP 7090467B2 JP 2018093566 A JP2018093566 A JP 2018093566A JP 2018093566 A JP2018093566 A JP 2018093566A JP 7090467 B2 JP7090467 B2 JP 7090467B2
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Description

以下の開示は、溶射装置に関する。 The following disclosure relates to a thermal spraying device.

溶射装置は、溶射材料と作動ガスとを溶射ガンへ輸送及び供給し、溶射ガンへ電力を印加してプラズマを発生する。溶射ガンにおいては、発生したプラズマの熱により溶射材料が溶融され、プラズマ化した作動ガスとともに対象物へ溶射されて皮膜を形成する。溶射とは、プラズマを発生させ、プラズマの熱を用いて溶射材料を溶融し、溶融した溶射材料により対象物表面に溶射皮膜を形成する表面改質技術である。 The thermal spraying device transports and supplies the thermal spray material and the working gas to the thermal spray gun, and applies electric power to the thermal spray gun to generate plasma. In the thermal spray gun, the thermal spray material is melted by the heat of the generated plasma, and is sprayed onto the object together with the plasma-generated working gas to form a film. Thermal spraying is a surface modification technique that generates plasma, melts the thermal spray material using the heat of the plasma, and forms a thermal spray coating on the surface of the object by the molten thermal spray material.

プラズマ溶射により形成される皮膜の品質を安定させるため、様々な技術が提案されている。たとえば、溶射ガンの内部を冷却することで発生する結露を防止する技術が提案されている(特許文献1)。また、溶射装置の電子部品を低コストで冷却する技術が提案されている(特許文献2)。また、溶融した溶射材料の酸化による溶射皮膜の品質低下を防止する技術が提案されている(特許文献3)。また、溶射材料の粒子が噴射ノズルの内壁に付着することを防止するため、ノズルを複数のリング状部品を筒状に連結して構成し、内壁段差部分に環状の噴射口を形成した加速ノズルが提案されている(特許文献4)。また、同様に溶射材料の粒子が噴射ノズルの内壁に付着することを防止するため、噴射ノズルの周方向内壁にシールドガスを筒状に噴射する噴射口を設けた噴射ノズル装置が提案されている(特許文献5)。さらに、溶射材料の溶融した粒子のノズル内壁への付着を防止するため、ノズルの先端に向けて内径が連続的または段階的に拡大するノズル孔を設け、ノズル孔の周方向内壁にシールドガスを噴射する噴射口を形成した溶射装置が提案されている(特許文献6)。 Various techniques have been proposed to stabilize the quality of the film formed by plasma spraying. For example, a technique for preventing dew condensation generated by cooling the inside of a thermal spray gun has been proposed (Patent Document 1). Further, a technique for cooling electronic components of a thermal spraying device at low cost has been proposed (Patent Document 2). Further, a technique for preventing deterioration of the quality of the thermal spray coating due to oxidation of the molten thermal spray material has been proposed (Patent Document 3). Further, in order to prevent particles of the thermal spray material from adhering to the inner wall of the injection nozzle, the nozzle is configured by connecting a plurality of ring-shaped parts in a tubular shape, and an annular injection port is formed on the step portion of the inner wall. Has been proposed (Patent Document 4). Similarly, in order to prevent particles of the spraying material from adhering to the inner wall of the injection nozzle, an injection nozzle device having an injection port for injecting a shield gas in a tubular shape on the circumferential inner wall of the injection nozzle has been proposed. (Patent Document 5). Furthermore, in order to prevent the molten particles of the thermal spray material from adhering to the inner wall of the nozzle, a nozzle hole whose inner diameter gradually expands toward the tip of the nozzle is provided, and a shield gas is applied to the inner wall in the circumferential direction of the nozzle hole. A thermal spraying device having an injection port for injection has been proposed (Patent Document 6).

特開2001-81540号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-81540 特開2004-304011号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-304011 特開2017-222921号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-22921 特許第4268193号公報Japanese Patent No. 4268193 特許第4897001号公報Japanese Patent No. 4897001 特許第5284774号公報Japanese Patent No. 5284774 横澤 肇、「ボルテックスチューブのエネルギ分離性能に関する研究」、名古屋大学図書No.806997、1980年2月2日Hajime Yokozawa, "Study on Energy Separation Performance of Vortex Tubes", Nagoya University Book No.806997, February 2, 1980 川端 浩和、「高温タービン翼フィルム冷却の熱流体特性及び流れ制御技術に関する研究」、平成26年度岩手大学大学院工学研究科、博士学位論文Hirokazu Kawabata, "Study on Thermal Fluid Characteristics and Flow Control Technology for Cooling High Temperature Turbine Blade Films", 2014 Graduate School of Engineering, Iwate University, Doctoral Dissertation

本開示は、溶射装置における溶射材料の堆積を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for suppressing the deposition of thermal spray material in a thermal spraying apparatus.

本開示の一態様による溶射装置は、第1の気体導入部と、保護層形成部と、を備える。第1の気体導入部は、アノード電極およびカソード電極を収容する外筒の内部にガスを導入する。保護層形成部は、第1の気体導入部から導入されるガスにより、プラズマ噴流が通過する空間に露出するアノード電極の表面を覆う、前記プラズマ噴流と分離した保護層を形成する。 The thermal spraying apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a first gas introduction portion and a protective layer forming portion. The first gas introduction unit introduces gas into the outer cylinder accommodating the anode electrode and the cathode electrode. The protective layer forming portion forms a protective layer separated from the plasma jet, which covers the surface of the anode electrode exposed to the space through which the plasma jet passes by the gas introduced from the first gas introduction portion.

本開示によれば、溶射装置における溶射材料の堆積を抑制することができる。 According to the present disclosure, it is possible to suppress the deposition of thermal spray material in a thermal spraying device.

図1Aは、第1の実施形態に係る溶射装置の概略正面図である。FIG. 1A is a schematic front view of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment. 図1Bは、第1の実施形態に係る溶射装置を図1AのA-Aに沿って見た概略断面図である。FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment as viewed along the line AA of FIG. 1A. 図1Cは、第1の実施形態に係る溶射装置の概略背面図である。FIG. 1C is a schematic rear view of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment. 図1Dは、第1の実施形態に係る溶射装置を図1AのB-Bに沿って見た概略断面図である。FIG. 1D is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment as viewed along the line BB of FIG. 1A. 図2Aは、第1の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部の概略正面図である。FIG. 2A is a schematic front view of a protective layer forming portion of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment. 図2Bは、第1の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部を図2AのA’-A’に沿って見た概略断面図である。FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the protective layer forming portion of the thermal spraying apparatus according to the first embodiment as viewed along A'-A'of FIG. 2A. 図3Aは、第2の実施形態に係る溶射装置の概略正面図である。FIG. 3A is a schematic front view of the thermal spraying apparatus according to the second embodiment. 図3Bは、第2の実施形態に係る溶射装置を図3AのA-Aに沿って見た概略断面図である。FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus according to the second embodiment as viewed along the line AA of FIG. 3A. 図3Cは、第2の実施形態に係る溶射装置の概略背面図である。FIG. 3C is a schematic rear view of the thermal spraying apparatus according to the second embodiment. 図3Dは、第2の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部について説明するための図である。FIG. 3D is a diagram for explaining a protective layer forming portion of the thermal spraying device according to the second embodiment. 図4Aは、第2の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部の一例について説明するための図である。FIG. 4A is a diagram for explaining an example of a protective layer forming portion of the thermal spraying device according to the second embodiment. 図4Bは、第2の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部の一例についてさらに説明するための図である。FIG. 4B is a diagram for further explaining an example of the protective layer forming portion of the thermal spraying device according to the second embodiment. 図5Aは、第3の実施形態に係る溶射装置の概略正面図である。FIG. 5A is a schematic front view of the thermal spraying apparatus according to the third embodiment. 図5Bは、第3の実施形態に係る溶射装置を図5AのA-Aに沿って見た概略断面図である。FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus according to the third embodiment as viewed along the line AA of FIG. 5A. 図5Cは、第3の実施形態に係る溶射装置の概略背面図である。FIG. 5C is a schematic rear view of the thermal spraying apparatus according to the third embodiment. 図5Dは、第3の実施形態に係る溶射装置の保護層形成部について説明するための図である。FIG. 5D is a diagram for explaining a protective layer forming portion of the thermal spraying device according to the third embodiment.

開示する一つの実施形態において、溶射装置は、第1の気体導入部と、保護層形成部と、を備える。第1の気体導入部は、アノード電極およびカソード電極を収容する外筒の内部にガスを導入する。保護層形成部は、第1の気体導入部から導入されるガスにより、プラズマ噴流が通過する空間に露出するアノード電極の表面を覆う、プラズマ噴流と分離した保護層を形成する。 In one disclosed embodiment, the thermal spraying apparatus comprises a first gas introduction section and a protective layer forming section. The first gas introduction unit introduces gas into the outer cylinder accommodating the anode electrode and the cathode electrode. The protective layer forming portion forms a protective layer separated from the plasma jet, which covers the surface of the anode electrode exposed to the space through which the plasma jet passes by the gas introduced from the first gas introduction portion.

また、開示する一つの実施形態において、保護層形成部は、第1の気体導入部から導入されるガスと、アノード電極の表面付近に存在する空気と、の2層を含む保護層を形成してもよい。 Further, in one of the disclosed embodiments, the protective layer forming portion forms a protective layer including two layers, that is, the gas introduced from the first gas introduction portion and the air existing near the surface of the anode electrode. You may.

また、開示する一つの実施形態において、保護層形成部は、カソード電極を周囲から包囲して固定される旋回整流部であり、第1の気体導入部は、保護層形成部に対して径方向外側からガスを導入してもよい。 Further, in one of the disclosed embodiments, the protective layer forming portion is a swirling rectifying portion that surrounds and fixes the cathode electrode from the surroundings, and the first gas introducing portion is a radial direction with respect to the protective layer forming portion. Gas may be introduced from the outside.

また、開示する一つの実施形態において、旋回整流部は、略リング形状であり、外側から内側に向けて径方向に対して傾斜して延びる2以上の案内溝を有してもよい。 Further, in one disclosed embodiment, the swirling rectifying unit may have a substantially ring shape and may have two or more guide grooves extending radially inward from the outside to the inside.

また、開示する一つの実施形態において、旋回整流部は、外周部と、外周部よりも軸方向に厚みが少ない内周部と、を有し、案内溝は外周部に形成されてもよい。 Further, in one of the disclosed embodiments, the swirling rectifying portion has an outer peripheral portion and an inner peripheral portion having a thickness smaller in the axial direction than the outer peripheral portion, and the guide groove may be formed in the outer peripheral portion.

また、開示する一つの実施形態において、保護層形成部は、気体通路と、円筒状部分と、孔部とを備えてもよい。気体通路は、アノード電極内に形成され、第1の気体導入部からガスが導入される。円筒状部分は、気体通路とプラズマ噴流が通過する空間と、を離隔する。孔部は、円筒状部分に形成され、気体通路とプラズマ噴流が通過する空間とを連通させる。 Further, in one disclosed embodiment, the protective layer forming portion may include a gas passage, a cylindrical portion, and a hole portion. The gas passage is formed in the anode electrode, and gas is introduced from the first gas introduction portion. The cylindrical portion separates the gas passage from the space through which the plasma jet passes. The hole portion is formed in a cylindrical portion and communicates the gas passage and the space through which the plasma jet passes.

また、開示する一つの実施形態において、孔部は、円筒状部分の、プラズマ噴流が通過する空間側の開口部が反対側の開口部よりもプラズマ噴流の下流側に位置するよう傾斜してもよい。 Further, in one disclosed embodiment, the hole may be inclined so that the opening on the space side through which the plasma jet passes in the cylindrical portion is located on the downstream side of the plasma jet with respect to the opening on the opposite side. good.

また、開示する一つの実施形態において、孔部は、孔部の中心軸が、外筒の中心方向から接線方向にずれるように形成されてもよい。 Further, in one disclosed embodiment, the hole portion may be formed so that the central axis of the hole portion deviates from the central direction of the outer cylinder in the tangential direction.

また、開示する一つの実施形態において、孔部は、円筒状部分の、プラズマ噴流が通過する空間側の開口部に向けて反対側の開口部から広がる扇形状であってもよい。 Further, in one disclosed embodiment, the hole portion may have a fan shape extending from the opening on the opposite side toward the opening on the space side through which the plasma jet passes in the cylindrical portion.

また、開示する一つの実施形態に係る溶射装置は、カソード電極の外周に沿って設けられる空間に第2のガスを導入する第2の気体導入部をさらに備えてもよい。 Further, the thermal spraying device according to one of the disclosed embodiments may further include a second gas introduction portion for introducing the second gas into a space provided along the outer periphery of the cathode electrode.

また、開示する一つの実施形態において、保護層形成部は、気体通路と、第1の多孔質部と、を備えてもよい。気体通路は、アノード電極内に形成され、第1の気体導入部からガスが導入される。第1の多孔質部は、表面がプラズマ噴流が通過する空間に露出され、気体通路と、プラズマ噴流が通過する空間とを隔離する。 Further, in one disclosed embodiment, the protective layer forming portion may include a gas passage and a first porous portion. The gas passage is formed in the anode electrode, and gas is introduced from the first gas introduction portion. The surface of the first porous portion is exposed to the space through which the plasma jet passes, and separates the gas passage from the space through which the plasma jet passes.

また、開示する一つの実施形態において、第1の多孔質部は、金属の焼結体または多孔質金属であってもよい。 Further, in one disclosed embodiment, the first porous portion may be a sintered body of metal or a porous metal.

また、開示する一つの実施形態に係る溶射装置は、カソード電極の周囲に配置され、誘電体材料で形成される第2の多孔質部と、第2の多孔質部にガスを導入する第2の気体導入部と、をさらに備えてもよい。 Further, the thermal spraying apparatus according to one of the disclosed embodiments is arranged around the cathode electrode and has a second porous portion formed of a dielectric material and a second porous portion for introducing gas into the second porous portion. The gas introduction unit of the above may be further provided.

以下に、開示する実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態は限定的なものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。 Hereinafter, the disclosed embodiments will be described in detail with reference to the drawings. The present embodiment is not limited. Each embodiment can be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other.

(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る溶射装置100Aは、プラズマ噴流を発生させて対象物に溶射皮膜を形成するプラズマ溶射装置たとえば溶射ガンである。溶射ガンは、たとえば、筒状に形成されるアノード電極とカソード電極とを備える。カソード電極の筒内部に作動ガスと溶射材料とが導入される。アノード電極とカソード電極との間に直流電力が印加され、作動ガスのプラズマ噴流が発生する。発生したプラズマ噴流により溶射材料が溶解し、対象物上に付着して溶射皮膜を形成する。なお、以下、発生したプラズマ噴流が通過する筒部をノズルとも呼ぶ。
(First Embodiment)
The thermal spraying device 100A according to the first embodiment is a plasma spraying device, for example, a thermal spraying gun, which generates a plasma jet to form a thermal spray coating on an object. The thermal spray gun includes, for example, an anode electrode and a cathode electrode formed in a cylindrical shape. A working gas and a thermal spraying material are introduced inside the cylinder of the cathode electrode. DC power is applied between the anode electrode and the cathode electrode, and a plasma jet of working gas is generated. The generated plasma jet melts the thermal spray material and adheres to the object to form a thermal spray coating. Hereinafter, the tubular portion through which the generated plasma jet passes is also referred to as a nozzle.

プラズマ噴流が発生するときには、プラズマの熱の影響によりノズル内表面上に溶射材料の粉体が付着することがある。溶射材料の粉体が堆積すると発生するプラズマ噴流の状態が変化する。また、堆積量が増加するとノズルが閉塞する可能性もある。 When a plasma jet is generated, the powder of the thermal spray material may adhere to the inner surface of the nozzle due to the influence of the heat of the plasma. The state of the plasma jet generated when the powder of the thermal spray material is deposited changes. In addition, the nozzle may be blocked when the amount of deposit increases.

この点、カソード電極の周囲にガスを吹き付け、吹き付けたガスをプラズマ噴流と一緒に下流に吹き出してカソード電極の周囲および下流における溶射材料の堆積を防止することが考えられる。しかし、かかる手段では、吹き付けるガスの流れが短絡的になり下流経路全体を保護することは難しい。また、カソード電極に吹き付けるガスと作動ガスとが合流して流量が増大することでプラズマ噴流の温度が低下することが考えられる。また、カソード電極に吹き付けるガスとプラズマ噴流とが接触すると、プラズマ噴流の温度が不均一になったり温度勾配が大きくなったりすることも考えられる。他方、溶射装置はエジェクタ効果を利用した構造を有する場合、カソード電極側の空間とプラズマ噴流通路との間に差圧が発生する。このため、カソード電極の作動ガス孔の周辺に溶射材料が堆積しやすい。 In this regard, it is conceivable to blow a gas around the cathode electrode and blow the blown gas downstream together with the plasma jet to prevent the accumulation of the thermal spray material around the cathode electrode and downstream. However, it is difficult to protect the entire downstream path by such means because the flow of the blown gas becomes short-circuited. Further, it is conceivable that the temperature of the plasma jet decreases as the gas blown to the cathode electrode and the working gas merge to increase the flow rate. Further, when the gas blown to the cathode electrode and the plasma jet come into contact with each other, it is conceivable that the temperature of the plasma jet becomes non-uniform or the temperature gradient becomes large. On the other hand, when the thermal spraying device has a structure utilizing the ejector effect, a differential pressure is generated between the space on the cathode electrode side and the plasma jet passage. Therefore, the thermal spray material tends to be deposited around the working gas hole of the cathode electrode.

第1の実施形態に係る溶射装置100Aは、ノズル内に旋回流を生成することでノズルの内表面を保護する保護層を形成するとともに、旋回流によりノズルの内表面を冷却する。このため、第1の実施形態に係る溶射装置100Aは、溶射装置100A内、たとえばノズルの内壁に溶射材料が堆積することを抑制することができる。 The thermal spraying device 100A according to the first embodiment forms a protective layer that protects the inner surface of the nozzle by generating a swirling flow in the nozzle, and cools the inner surface of the nozzle by the swirling flow. Therefore, the thermal spraying device 100A according to the first embodiment can suppress the accumulation of the thermal spraying material in the thermal spraying device 100A, for example, on the inner wall of the nozzle.

(第1の実施形態に係る溶射装置100Aの構成の一例)
図1Aは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの概略正面図である。図1Aは、溶射装置100Aを出口側(プラズマ噴流が噴出する側)から見た状態を示す。図1Bは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aを図1AのA-Aに沿って見た概略断面図である。図1Cは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの概略背面図である。図1Cは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aを入口側(溶射材料が導入される側)から見た状態を示す。図1Dは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aを図1AのB-Bに沿って見た概略断面図である。
(An example of the configuration of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment)
FIG. 1A is a schematic front view of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment. FIG. 1A shows a state in which the thermal spraying device 100A is viewed from the outlet side (the side where the plasma jet is ejected). FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus 100A according to the first embodiment as viewed along AA of FIG. 1A. FIG. 1C is a schematic rear view of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment. FIG. 1C shows a state in which the thermal spraying device 100A according to the first embodiment is viewed from the inlet side (the side where the thermal spraying material is introduced). FIG. 1D is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus 100A according to the first embodiment as viewed along the line BB of FIG. 1A.

溶射装置100Aは、外筒1、アノード電極2、カソード電極3、冷却機構4、保護層形成部5、第1の気体導入部6、を備える。 The thermal spraying device 100A includes an outer cylinder 1, an anode electrode 2, a cathode electrode 3, a cooling mechanism 4, a protective layer forming portion 5, and a first gas introducing portion 6.

外筒1は、溶射装置100Aの外側構造部である。外筒1は、絶縁体または誘電体で形成される。外筒1は略円筒状の形状を有する。外筒1の一方端は、溶射材料および作動ガスが導入される入口11である。外筒1の他方端は、溶射装置100A内で発生したプラズマ噴流が噴出される出口12である。外筒1は、内部にアノード電極2およびカソード電極3を収容する。また、外筒1内部には、冷却機構4の冷却媒体CMが流れる流路の一部が収容される。 The outer cylinder 1 is an outer structural portion of the thermal spraying device 100A. The outer cylinder 1 is formed of an insulator or a dielectric. The outer cylinder 1 has a substantially cylindrical shape. One end of the outer cylinder 1 is an inlet 11 into which the thermal spray material and the working gas are introduced. The other end of the outer cylinder 1 is an outlet 12 from which the plasma jet generated in the thermal spraying device 100A is ejected. The outer cylinder 1 houses the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 inside. Further, a part of the flow path through which the cooling medium CM of the cooling mechanism 4 flows is housed inside the outer cylinder 1.

アノード電極2は、外筒1の内側かつ出口12近傍に配置される。アノード電極2は略円筒状の形状を有し、中心にプラズマ噴流が通過する空間S1が形成される。 The anode electrode 2 is arranged inside the outer cylinder 1 and in the vicinity of the outlet 12. The anode electrode 2 has a substantially cylindrical shape, and a space S1 through which a plasma jet passes is formed in the center.

カソード電極3は、アノード電極2よりも外筒1の入口11側に配置される。カソード電極3は、略円筒状の形状を有し、中心に作動ガスおよび溶射材料が通過する空間S2が形成される。 The cathode electrode 3 is arranged on the inlet 11 side of the outer cylinder 1 with respect to the anode electrode 2. The cathode electrode 3 has a substantially cylindrical shape, and a space S2 through which the working gas and the thermal spray material pass is formed in the center.

冷却機構4は、冷却媒体CMを溶射装置100Aの内部に循環させることにより、アノード電極2およびカソード電極3を冷却する。図1Aの例では、外筒1の内部に冷却媒体CMを導入する流路が設けられ、カソード電極3の近傍に冷却媒体CMが導入される。冷却媒体CMは、カソード電極3を冷却した後、アノード電極2の近傍に引き回され、アノード電極2の周囲を通過する(図1D参照)。その後、冷却媒体CMは、導入された方向とは反対側の方向へと冷却機構4の流路内を通って移送される。なお、冷却機構4の構成や配置は特に限定されず、アノード電極2およびカソード電極3を冷却することができれば、異なる位置に流路を配置してもよい。 The cooling mechanism 4 cools the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 by circulating the cooling medium CM inside the thermal spraying device 100A. In the example of FIG. 1A, a flow path for introducing the cooling medium CM is provided inside the outer cylinder 1, and the cooling medium CM is introduced in the vicinity of the cathode electrode 3. After cooling the cathode electrode 3, the cooling medium CM is routed in the vicinity of the anode electrode 2 and passes around the anode electrode 2 (see FIG. 1D). After that, the cooling medium CM is transferred in the direction opposite to the direction in which it is introduced through the flow path of the cooling mechanism 4. The configuration and arrangement of the cooling mechanism 4 are not particularly limited, and the flow paths may be arranged at different positions as long as the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 can be cooled.

保護層形成部5は、第1の気体導入部6から導入されるガスにより、空間S1に露出するアノード電極2の表面を覆う保護層を形成する。保護層は、第1の気体導入部6から導入されるガスと、アノード電極2の表面付近に存在する大気と、の2層から構成される。保護層形成部5は略リング状であり、中央をカソード電極3が貫通する。保護層形成部5は、カソード電極3の周囲にカソード電極3を包囲するように配置され、アノード電極2とカソード電極3との間を隔絶する。保護層形成部5は、絶縁体または誘電体で形成される。保護層形成部5は、たとえば、カソード電極3を周囲から包囲して固定されるリング形状の旋回整流部(旋回整流板)である。保護層形成部5は、保護層形成部5の外周側から内周側へ向けて吹き付けられるガスを整流してカソード電極3に向けて案内し旋回流を生成する。 The protective layer forming portion 5 forms a protective layer that covers the surface of the anode electrode 2 exposed to the space S1 by the gas introduced from the first gas introducing portion 6. The protective layer is composed of two layers, a gas introduced from the first gas introduction unit 6 and an atmosphere existing near the surface of the anode electrode 2. The protective layer forming portion 5 has a substantially ring shape, and the cathode electrode 3 penetrates the center thereof. The protective layer forming portion 5 is arranged around the cathode electrode 3 so as to surround the cathode electrode 3, and isolates the anode electrode 2 from the cathode electrode 3. The protective layer forming portion 5 is formed of an insulator or a dielectric. The protective layer forming portion 5 is, for example, a ring-shaped swirling straightening vane (swiveling straightening vane) that surrounds and fixes the cathode electrode 3 from the surroundings. The protective layer forming portion 5 rectifies the gas blown from the outer peripheral side to the inner peripheral side of the protective layer forming portion 5 and guides it toward the cathode electrode 3 to generate a swirling flow.

図2Aは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの保護層形成部5の概略正面図である。図2Bは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの保護層形成部5を図2AのA’-A’に沿って見た概略断面図である。 FIG. 2A is a schematic front view of the protective layer forming portion 5 of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment. FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the protective layer forming portion 5 of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment as viewed along A'-A'of FIG. 2A.

図2Aに示すように、保護層形成部5は、案内溝51と、内周溝52と、フランジ53と、を有する。 As shown in FIG. 2A, the protective layer forming portion 5 has a guide groove 51, an inner peripheral groove 52, and a flange 53.

案内溝51は、保護層形成部5の外周部に複数設けられ、保護層形成部5の外側から内側に向けて保護層形成部5の径方向に対して各々同様の角度に傾斜して形成される。案内溝51は、保護層形成部5の出口12側表面を切り欠いて形成される凹部である。図2Aの例では、保護層形成部5は6つの案内溝51を有する。ただし、案内溝51の数は6に限定されない。案内溝51は2以上の任意の数であってよい。案内溝51の数はたとえば3以上が好ましい。案内溝51は、保護層形成部5の外側から内側へと吹き付けられるガスをカソード電極3の方向に案内する。 A plurality of guide grooves 51 are provided on the outer peripheral portion of the protective layer forming portion 5, and are formed so as to be inclined at the same angle with respect to the radial direction of the protective layer forming portion 5 from the outside to the inside of the protective layer forming portion 5. Will be done. The guide groove 51 is a recess formed by cutting out the surface of the protective layer forming portion 5 on the outlet 12 side. In the example of FIG. 2A, the protective layer forming portion 5 has six guide grooves 51. However, the number of guide grooves 51 is not limited to 6. The guide grooves 51 may be any number of 2 or more. The number of guide grooves 51 is preferably, for example, 3 or more. The guide groove 51 guides the gas blown from the outside to the inside of the protective layer forming portion 5 toward the cathode electrode 3.

内周溝52は、保護層形成部5の内周部にカソード電極3を囲むように設けられ、案内溝51と略同一の厚みを有する。内周溝52は、案内溝51に沿って案内される気体をカソード電極3の周囲を旋回する方向に案内する。 The inner peripheral groove 52 is provided in the inner peripheral portion of the protective layer forming portion 5 so as to surround the cathode electrode 3, and has substantially the same thickness as the guide groove 51. The inner peripheral groove 52 guides the gas guided along the guide groove 51 in the direction of swirling around the cathode electrode 3.

フランジ53は、保護層形成部5の最外周部に設けられ、入口11側に配置される。 The flange 53 is provided on the outermost peripheral portion of the protective layer forming portion 5 and is arranged on the inlet 11 side.

第1の気体導入部6(図1D参照)は、アノード電極2およびカソード電極3を収容する外筒1の内部にガスを導入する。第1の気体導入部6は、外筒1の外部から保護層形成部5に向けてガスを導入する。第1の気体導入部6が導入するガスを以下、シールドガスSGと呼ぶ。第1の気体導入部6は、外筒1を貫通してシールドガスSGを案内する気体通路61と、シールドガスSGの流量を制御しシールドガスSGを供給する気体供給部62(たとえばマスフローコントローラ、MFC)と、気体通路61と気体供給部62とを接続する配管63とを有する(図1D参照)。第1の気体導入部6の気体通路61は、外筒1を貫通して保護層形成部5の外周に至る。第1の気体導入部6の気体供給部62は、配管63を介して気体通路61に所定の流量のシールドガスSGを供給する。気体通路61は、保護層形成部5の外周に向けてシールドガスSGを案内する。シールドガスSGは、保護層形成部5の案内溝51に沿って内周溝52に至り、カソード電極3の周囲を旋回する旋回流を形成する。形成された旋回流は、カソード電極3側からアノード電極2側へと流れ、遠心力によりアノード電極2の表面上を旋回する保護層を形成する。その後、旋回流は、出口12から溶射装置100Aの外に吹き出される。 The first gas introduction unit 6 (see FIG. 1D) introduces gas into the outer cylinder 1 accommodating the anode electrode 2 and the cathode electrode 3. The first gas introduction unit 6 introduces gas from the outside of the outer cylinder 1 toward the protective layer forming unit 5. The gas introduced by the first gas introduction unit 6 is hereinafter referred to as a shield gas SG. The first gas introduction unit 6 includes a gas passage 61 that penetrates the outer cylinder 1 and guides the shield gas SG, and a gas supply unit 62 that controls the flow rate of the shield gas SG and supplies the shield gas SG (for example, a mass flow controller, It has an MFC) and a pipe 63 connecting the gas passage 61 and the gas supply unit 62 (see FIG. 1D). The gas passage 61 of the first gas introduction portion 6 penetrates the outer cylinder 1 and reaches the outer periphery of the protective layer forming portion 5. The gas supply unit 62 of the first gas introduction unit 6 supplies a predetermined flow rate of the shield gas SG to the gas passage 61 via the pipe 63. The gas passage 61 guides the shield gas SG toward the outer periphery of the protective layer forming portion 5. The shield gas SG reaches the inner peripheral groove 52 along the guide groove 51 of the protective layer forming portion 5 and forms a swirling flow that swirls around the cathode electrode 3. The formed swirling flow flows from the cathode electrode 3 side to the anode electrode 2 side, and forms a protective layer that swirls on the surface of the anode electrode 2 by centrifugal force. After that, the swirling flow is blown out of the thermal spraying device 100A from the outlet 12.

なお、図示しないが、溶射装置100Aはアノード電極2とカソード電極3との間に直流電力を印加して放電させる手段を備える。 Although not shown, the thermal spraying device 100A includes means for applying DC power between the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 to discharge the electric power.

(プラズマ溶射時の各部の動作等)
溶射装置100Aにおいてプラズマ溶射を実行する際には、入口11から作動ガスと溶射材料とが空間S2へ導入される。また、冷却機構4による冷却、第1の気体導入部6から保護層形成部5に導入されるシールドガスSGによる旋回流の形成が実行される。また、アノード電極2とカソード電極3との間に直流電力が印加され放電が行われる。導入される作動ガスは放電によりプラズマ化する。プラズマが発する熱は溶射材料を溶融しプラズマ噴流が発生される。プラズマ噴流は、空間S1を通って出口12から対象物へと噴射される。このとき、空間S1に露出されるアノード電極2の表面と旋回流の間には、空間S1内の空気が存在する。保護層形成部5により形成されたシールドガスSGの旋回流の遠心力によって空間S1内の空気がアノード電極2の表面に押し付けられ保護層が形成される。この時形成される保護層は、大気の層と、シールドガスSGの層の2層を含む。
(Operation of each part during plasma spraying, etc.)
When performing plasma spraying in the thermal spraying device 100A, the working gas and the thermal spraying material are introduced into the space S2 from the inlet 11. Further, cooling by the cooling mechanism 4 and formation of a swirling flow by the shield gas SG introduced from the first gas introduction unit 6 into the protective layer forming unit 5 are executed. Further, DC power is applied between the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 to perform discharge. The introduced working gas is turned into plasma by electric discharge. The heat generated by the plasma melts the thermal spray material and a plasma jet is generated. The plasma jet is ejected from the outlet 12 to the object through the space S1. At this time, air in the space S1 exists between the surface of the anode electrode 2 exposed to the space S1 and the swirling flow. The air in the space S1 is pressed against the surface of the anode electrode 2 by the centrifugal force of the swirling flow of the shield gas SG formed by the protective layer forming portion 5, and the protective layer is formed. The protective layer formed at this time includes two layers, an atmospheric layer and a shield gas SG layer.

(第1の実施形態の効果)
上記のように、第1の実施形態に係る溶射装置は、第1の気体導入部と、保護層形成部と、を備える。第1の気体導入部は、アノード電極およびカソード電極を収容する外筒の内部にガスを導入する。保護層形成部は、第1の気体導入部から導入されるガスにより、プラズマ噴流と分離した保護層を形成する。保護層は、プラズマ噴流が通過する空間S1に露出するアノード電極の表面を覆う。これにより、保護層は、溶射装置内で発生されるプラズマ噴流による熱や生成物からアノード電極を保護する。また、保護層は、プラズマ噴流による熱や生成物とアノード電極との間の緩衝材として働く。また、保護層は、アノード電極を冷却する機能も有する。このため、第1の実施形態によれば、溶射装置における溶射材料の堆積を抑制することができる。また、保護層は旋回流であるため、溶射装置のノズル中心近傍を流れるプラズマ噴流と混合せず、プラズマ噴流を阻害しない。
(Effect of the first embodiment)
As described above, the thermal spraying apparatus according to the first embodiment includes a first gas introduction portion and a protective layer forming portion. The first gas introduction unit introduces gas into the outer cylinder accommodating the anode electrode and the cathode electrode. The protective layer forming portion forms a protective layer separated from the plasma jet by the gas introduced from the first gas introduction portion. The protective layer covers the surface of the anode electrode exposed to the space S1 through which the plasma jet passes. Thereby, the protective layer protects the anode electrode from heat and products generated by the plasma jet generated in the thermal spraying device. The protective layer also acts as a cushioning material between the heat generated by the plasma jet and the product and the anode electrode. The protective layer also has a function of cooling the anode electrode. Therefore, according to the first embodiment, it is possible to suppress the deposition of the thermal spray material in the thermal spraying apparatus. Further, since the protective layer is a swirling flow, it does not mix with the plasma jet flowing near the center of the nozzle of the thermal spraying device and does not obstruct the plasma jet.

また、第1の実施形態に係る溶射装置において、保護層形成部は、カソード電極を周囲から包囲して固定される旋回整流部であり、第1の気体導入部は、保護層形成部に対して径方向外側から気体を導入する。このため、旋回整流部は高速の旋回流を発生させて、遠心力により、保護層をアノード電極の表面上に押し付けつつ旋回させる。このとき、旋回流は、音速または音速に近い高速ともなる。このため、第1の実施形態に係る溶射装置は、アノード電極をプラズマ噴流から保護すると同時に高速の旋回流により冷却することができる。 Further, in the thermal spraying apparatus according to the first embodiment, the protective layer forming portion is a swirling rectifying portion that surrounds and fixes the cathode electrode from the surroundings, and the first gas introducing portion refers to the protective layer forming portion. Introduce gas from the outside in the radial direction. Therefore, the swirling rectifying unit generates a high-speed swirling flow and swirls the protective layer while pressing it on the surface of the anode electrode by centrifugal force. At this time, the swirling flow also becomes the speed of sound or a high speed close to the speed of sound. Therefore, the thermal spraying device according to the first embodiment can protect the anode electrode from the plasma jet and at the same time cool it by a high-speed swirling flow.

また、第1の実施形態に係る溶射装置は、高速の旋回流である保護層により、アノード電極およびカソード電極上に発生または付着する酸化膜や付着物などをクリーニングすることができる。たとえば、上記第1の実施形態において、アノード電極2およびカソード電極3に電力を印加しない状態で、シールドガスSGにブラスト粉体を添加し、保護層形成部5に旋回流を形成させる。これによって、アノード電極2およびカソード電極3の表面をクリーニングすることができる。また、アノード電極2およびカソード電極3に電力を印加した状態でクリーニングを行う場合には、ブラスト粉体に代えて反応性ガスをシールドガスSGに添加してもよい。また、ブラスト粉体に加えて反応性ガスをシールドガスSGに添加してもよい。 Further, the thermal spraying apparatus according to the first embodiment can clean the oxide film and deposits generated or adhered on the anode electrode and the cathode electrode by the protective layer which is a high-speed swirling flow. For example, in the first embodiment, the blast powder is added to the shield gas SG in a state where no electric power is applied to the anode electrode 2 and the cathode electrode 3, and a swirling flow is formed in the protective layer forming portion 5. Thereby, the surfaces of the anode electrode 2 and the cathode electrode 3 can be cleaned. Further, when cleaning is performed with electric power applied to the anode electrode 2 and the cathode electrode 3, a reactive gas may be added to the shield gas SG instead of the blast powder. Further, a reactive gas may be added to the shield gas SG in addition to the blast powder.

また、第1の実施形態に係る溶射装置において、旋回整流部は、略リング形状であり、外側から内側に向けて径方向に対して傾斜して延びる2以上の案内溝を有する。また、旋回整流部は、外周部と、外周部よりも軸方向に厚みが少ない内周部と、を有し、案内溝は外周部に形成される。このため、第1の実施形態に係る溶射装置は、簡易な構成により保護層を形成して溶射材料の堆積を抑制することができる。 Further, in the thermal spraying apparatus according to the first embodiment, the swirling rectifying portion has a substantially ring shape and has two or more guide grooves extending radially inward from the outside to the inside. Further, the swirl rectifying portion has an outer peripheral portion and an inner peripheral portion having a thickness smaller in the axial direction than the outer peripheral portion, and a guide groove is formed in the outer peripheral portion. Therefore, the thermal spraying apparatus according to the first embodiment can form a protective layer with a simple configuration and suppress the deposition of the thermal spraying material.

(変形例1:保護層形成部5の形状)
上記第1の実施形態においては、保護層形成部5に案内溝51と内周溝52とを設けて旋回流を発生させるものとした。これに限らず、案内溝51に代えて、貫通孔を設けてもよい。たとえば、保護層形成部5の外周から径方向に傾斜して延びる複数の孔を、保護層形成部5の軸方向に延び空間S1側で開口するリング状の孔で相互に連通させて貫通孔を形成してもよい。保護層形成部5の外周上に開口する孔の数は、案内溝51と同様、特に限定されないが、2以上の孔を設けることが好ましい。
(Modification 1: Shape of protective layer forming portion 5)
In the first embodiment, the protective layer forming portion 5 is provided with a guide groove 51 and an inner peripheral groove 52 to generate a swirling flow. Not limited to this, a through hole may be provided instead of the guide groove 51. For example, a plurality of holes extending radially from the outer periphery of the protective layer forming portion 5 are communicated with each other by a ring-shaped hole extending in the axial direction of the protective layer forming portion 5 and opening on the space S1 side to form a through hole. May be formed. The number of holes opened on the outer periphery of the protective layer forming portion 5 is not particularly limited as in the guide groove 51, but it is preferable to provide two or more holes.

(第2の実施形態)
第2の実施形態に係る溶射装置100Bは、第1の実施形態に係る溶射装置100Aと異なり、アノード電極の内部に形成されガスを通過させる気体通路(気体通路21、後述)を備える。そして、第2の実施形態に係る溶射装置100Bのアノード電極は、アノード電極内部に形成されガスを通過させる気体通路とプラズマ噴流が通過する空間S1とを連通させる孔部を備える。そして、第2の実施形態に係る溶射装置100Bは、アノード電極内部に形成される気体通路から、プラズマ噴流が通過する空間S1に露出するアノード電極の表面に向けてガスを流すことにより膜状の層流を形成する。第2の実施形態では、かかる膜状の層流により保護層を形成する。
(Second embodiment)
Unlike the thermal spraying device 100A according to the first embodiment, the thermal spraying device 100B according to the second embodiment includes a gas passage (gas passage 21, which will be described later) formed inside the anode electrode to allow gas to pass through. The anode electrode of the thermal spraying apparatus 100B according to the second embodiment includes a hole formed inside the anode electrode to allow a gas passage through which the gas passes and a space S1 through which the plasma jet passes. Then, the spraying apparatus 100B according to the second embodiment is in the form of a film by flowing gas from the gas passage formed inside the anode electrode toward the surface of the anode electrode exposed in the space S1 through which the plasma jet passes. Form a laminar flow. In the second embodiment, the protective layer is formed by such a film-like laminar flow.

(第2の実施形態に係る溶射装置100Bの構成の一例)
図3Aは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの概略正面図である。図3Bは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bを図3AのA-Aに沿って見た概略断面図である。図3Cは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの概略背面図である。図3Dは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの保護層形成部5Bについて説明するための図である。第2の実施形態に係る溶射装置100Bの大まかな構成は第1の実施形態に係る溶射装置100Aと同様である。このため、同様の構成については説明を省略し、同様の参照符号を付する。
(An example of the configuration of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment)
FIG. 3A is a schematic front view of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus 100B according to the second embodiment as viewed along AA of FIG. 3A. FIG. 3C is a schematic rear view of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. FIG. 3D is a diagram for explaining the protective layer forming portion 5B of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. The rough configuration of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment is the same as that of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment. Therefore, the description of the same configuration is omitted, and the same reference numerals are given.

図3A乃至図3Dに示すように、第2の実施形態に係る溶射装置100Bは、溶射装置100Aと同様、外筒1B、アノード電極2B、カソード電極3B、冷却機構4Bを備える。溶射装置100Bはさらに、第1の気体導入部6B(図3D参照)と、第2の気体導入部7B(図3D参照)と、リング8と、を備える。 As shown in FIGS. 3A to 3D, the thermal spraying device 100B according to the second embodiment includes an outer cylinder 1B, an anode electrode 2B, a cathode electrode 3B, and a cooling mechanism 4B, similarly to the thermal spraying device 100A. The thermal spraying device 100B further includes a first gas introduction unit 6B (see FIG. 3D), a second gas introduction unit 7B (see FIG. 3D), and a ring 8.

外筒1Bの構成および材料は、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの外筒1と同様である。外筒1Bの入口11Bおよび出口12Bも、第1の実施形態に係る溶射装置100Aの外筒1の入口11および出口12と同様である。 The configuration and material of the outer cylinder 1B are the same as those of the outer cylinder 1 of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment. The inlet 11B and the outlet 12B of the outer cylinder 1B are also the same as the inlet 11 and the outlet 12 of the outer cylinder 1 of the thermal spraying device 100A according to the first embodiment.

アノード電極2Bは、気体通路21と、複数の孔部22と、円筒状部分23と、を備える。アノード電極2Bはまた、内部に冷却機構4Bの冷却媒体CMが流れる流路41Bが形成される。 The anode electrode 2B includes a gas passage 21, a plurality of holes 22, and a cylindrical portion 23. The anode electrode 2B also has a flow path 41B in which the cooling medium CM of the cooling mechanism 4B flows.

気体通路21は、アノード電極2Bの内部に形成され、第1の気体導入部6Bと連通する。気体通路21はまた、円筒状部分23に形成される複数の孔部22によって空間S1と連通される。第1の気体導入部6Bは、気体通路21に第1のシールドガスSG1を導入する。 The gas passage 21 is formed inside the anode electrode 2B and communicates with the first gas introduction portion 6B. The gas passage 21 is also communicated with the space S1 by a plurality of holes 22 formed in the cylindrical portion 23. The first gas introduction unit 6B introduces the first shield gas SG1 into the gas passage 21.

複数の孔部22は、円筒状部分23に形成され気体通路21と空間S1とを連通する。孔部22は、たとえば、円筒状部分23の気体通路21側表面では円形、円筒状部分23の空間S1側表面では楕円形であってよい。また、孔部22は、円筒状部分23の空間S1側の開口部が反対側の開口部よりも出口12Bに近くなるよう、傾斜をつけて形成される。また、孔部22は、空間S1側の開口部の径が反対側の開口部の径よりも大きくなるように形成してもよい。また、孔部22は、途中から分岐するように形成してもよい。たとえば、空間S1近傍で、孔部22が途中から主孔と、主孔よりも径方向に対する傾斜が大きい副孔とに分岐し、主孔と副孔の開口部が同じ大きさを持つように形成してもよい。また、孔部22は、孔部22の中心軸が、外筒1Bの中心方向から接線方向にずれるように形成してもよい。たとえば、孔部22を外筒1Bの断面上に投影した場合、孔部22の軸方向が外筒1Bの径方向に対して傾斜するように形成してもよい。 The plurality of holes 22 are formed in the cylindrical portion 23 and communicate the gas passage 21 with the space S1. The hole 22 may be, for example, circular on the surface of the cylindrical portion 23 on the gas passage 21 side and elliptical on the surface of the cylindrical portion 23 on the space S1 side. Further, the hole portion 22 is formed with an inclination so that the opening on the space S1 side of the cylindrical portion 23 is closer to the outlet 12B than the opening on the opposite side. Further, the hole portion 22 may be formed so that the diameter of the opening on the space S1 side is larger than the diameter of the opening on the opposite side. Further, the hole portion 22 may be formed so as to branch from the middle. For example, in the vicinity of the space S1, the hole portion 22 branches from the middle into a main hole and a sub-hole having a larger radial inclination than the main hole so that the main hole and the opening of the sub-hole have the same size. It may be formed. Further, the hole portion 22 may be formed so that the central axis of the hole portion 22 deviates from the central direction of the outer cylinder 1B in the tangential direction. For example, when the hole portion 22 is projected onto the cross section of the outer cylinder 1B, the hole portion 22 may be formed so as to be inclined with respect to the radial direction of the outer cylinder 1B.

円筒状部分23は、プラズマ噴流が通過する空間S1に表面が露出する、アノード電極2Bの最内周部分である。円筒状部分23には、複数の孔部22が形成される。円筒状部分23は気体通路21と空間S1とを離隔し、複数の孔部22によって気体通路21と空間S1とを連通させる。 The cylindrical portion 23 is the innermost peripheral portion of the anode electrode 2B whose surface is exposed in the space S1 through which the plasma jet passes. A plurality of holes 22 are formed in the cylindrical portion 23. The cylindrical portion 23 separates the gas passage 21 and the space S1, and communicates the gas passage 21 and the space S1 with a plurality of holes 22.

アノード電極2Bは、第1の気体導入部6Bから導入されるガスにより、空間S1に露出するアノード電極2Bの表面を覆う膜状の層流を保護層として形成する、保護層形成部5Bである。保護層は、第1の気体導入部6Bから導入されるガスによって構成される。 The anode electrode 2B is a protective layer forming portion 5B that forms a film-like laminar flow covering the surface of the anode electrode 2B exposed to the space S1 as a protective layer by the gas introduced from the first gas introducing portion 6B. .. The protective layer is composed of the gas introduced from the first gas introduction unit 6B.

カソード電極3Bの構成は、第1の実施形態のカソード電極3と概ね同様である。 The configuration of the cathode electrode 3B is substantially the same as that of the cathode electrode 3 of the first embodiment.

リング8は、カソード電極3Bを外側から包囲するように配置され、アノード電極2Bとカソード電極3Bとの間を隔絶する。リング8は、絶縁体または誘電体のリング状の部材である。リング8には、外筒1Bの入口11B側にリング8表面に沿って軸方向所定幅の空間S3が設けられる。また、リング8とカソード電極3Bとの間には、カソード電極3Bの周囲に径方向所定幅のリング状の空間S4が形成される。また、リング8とカソード電極3Bとの間には、空間S4と空間S1とを連通させる空間S5が設けられる。空間S5はたとえば、リング8の任意の位置に形成され、空間S4と空間S1とを連通させる貫通孔であってもよい。 The ring 8 is arranged so as to surround the cathode electrode 3B from the outside, and isolates the anode electrode 2B from the cathode electrode 3B. The ring 8 is a ring-shaped member of an insulator or a dielectric. The ring 8 is provided with a space S3 having a predetermined axial width along the surface of the ring 8 on the inlet 11B side of the outer cylinder 1B. Further, between the ring 8 and the cathode electrode 3B, a ring-shaped space S4 having a predetermined radial width is formed around the cathode electrode 3B. Further, a space S5 for communicating the space S4 and the space S1 is provided between the ring 8 and the cathode electrode 3B. The space S5 may be, for example, a through hole formed at an arbitrary position of the ring 8 and communicating the space S4 and the space S1.

第1の気体導入部6Bは、外筒1Bを貫通し、アノード電極2B内に形成される気体通路21と連通する気体通路61Bと、気体通路61Bに第1のシールドガスSG1を供給するMFC等の気体供給部62Bと、気体通路61Bと気体供給部62Bとを接続する配管63Bと、を有する。第1の気体導入部6Bの気体供給部62Bは、配管63Bを介して気体通路21に所定の流量の第1のシールドガスSG1を供給する。供給された第1のシールドガスSG1は、孔部22を通って、空間S1に露出するアノード電極2Bの表面上に膜状の層流である保護層を形成する。なお、第1のシールドガスSG1の流量は、アノード電極2Bの表面で放電しない流量に制御される。また、第1のシールドガスSG1の流量は、アノード電極2Bの表面を切れ目なく覆うように制御される。 The first gas introduction unit 6B has a gas passage 61B that penetrates the outer cylinder 1B and communicates with the gas passage 21 formed in the anode electrode 2B, an MFC that supplies the first shield gas SG1 to the gas passage 61B, and the like. It has a gas supply unit 62B of the above, and a pipe 63B connecting the gas passage 61B and the gas supply unit 62B. The gas supply unit 62B of the first gas introduction unit 6B supplies the first shield gas SG1 at a predetermined flow rate to the gas passage 21 via the pipe 63B. The supplied first shield gas SG1 passes through the hole 22 and forms a protective layer which is a film-like laminar flow on the surface of the anode electrode 2B exposed to the space S1. The flow rate of the first shield gas SG1 is controlled to a flow rate that does not discharge on the surface of the anode electrode 2B. Further, the flow rate of the first shield gas SG1 is controlled so as to seamlessly cover the surface of the anode electrode 2B.

第2の気体導入部7Bは、第2のシールドガスSG2を案内する気体通路71Bと、第2のシールドガスSG2の流量を制御し気体通路71Bに第2のシールドガスSG2を供給する気体供給部72B(たとえばMFC)と、外筒1Bを貫通して気体通路71Bと気体供給部72Bとを接続する配管73Bと、を有する。気体通路71Bは、リング8の入口11B側の空間S3、リング8とカソード電極3Bとの間に設けられる空間S4、S5を含む。気体通路71Bは、空間S3,S4,S5を通じて空間S1に連通する。気体通路71Bの空間S1側の開口部は、第2のシールドガスSG2がプラズマ噴流に混入しない位置に配置される。第2の気体導入部7Bは、所定の流量の第2のシールドガスSG2を、気体供給部72Bから配管73Bを介して気体通路71Bに供給し、気体通路71Bから空間S1へと第2のシールドガスを導入する。 The second gas introduction unit 7B is a gas supply unit that controls the flow rate of the gas passage 71B that guides the second shield gas SG2 and the second shield gas SG2 and supplies the second shield gas SG2 to the gas passage 71B. It has a 72B (for example, MFC) and a pipe 73B that penetrates the outer cylinder 1B and connects the gas passage 71B and the gas supply unit 72B. The gas passage 71B includes a space S3 on the inlet 11B side of the ring 8, and spaces S4 and S5 provided between the ring 8 and the cathode electrode 3B. The gas passage 71B communicates with the space S1 through the spaces S3, S4, and S5. The opening on the space S1 side of the gas passage 71B is arranged at a position where the second shield gas SG2 does not mix with the plasma jet. The second gas introduction unit 7B supplies the second shield gas SG2 having a predetermined flow rate from the gas supply unit 72B to the gas passage 71B via the pipe 73B, and the second shield from the gas passage 71B to the space S1. Introduce gas.

このように、第2の実施形態に係る溶射装置100Bは、第1の気体導入部6Bと、アノード電極2B(気体通路21、孔部22、円筒状部分23)と、を含む、アノード電極2Bを冷却し保護する機構を備える。また、第2の実施形態に係る溶射装置100Bは、第2の気体導入部7Bと、リング8と、を含む、カソード電極3Bを冷却し保護する機構を備える。 As described above, the thermal spraying apparatus 100B according to the second embodiment includes the anode electrode 2B including the first gas introduction portion 6B and the anode electrode 2B (gas passage 21, hole portion 22, cylindrical portion 23). It is equipped with a mechanism to cool and protect the gas. Further, the thermal spraying device 100B according to the second embodiment includes a mechanism for cooling and protecting the cathode electrode 3B including the second gas introduction unit 7B and the ring 8.

図3Dは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの保護層形成部5Bについて説明するための図である。図3Dに示すように、第1の気体導入部6Bにより気体通路21に導入される第1のシールドガスSG1は、気体通路21から孔部22を通って空間S1に導入される。空間S1に導入された第1のシールドガスSG1は、孔部22の形状および傾斜角度により、出口12B方向に流れる膜状の層流を形成する。層流は膜冷却によりアノード電極2Bの表面を冷却し保護する。他方、第2の気体導入部7Bにより気体通路71Bに導入される第2のシールドガスSG2は、空間S3,S4,S5を通過して空間S1に導入される。空間S3,S4,S5を通過する間に、第2のシールドガスSG2は、カソード電極3Bを冷却する。 FIG. 3D is a diagram for explaining the protective layer forming portion 5B of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. As shown in FIG. 3D, the first shield gas SG1 introduced into the gas passage 21 by the first gas introduction unit 6B is introduced into the space S1 from the gas passage 21 through the hole portion 22. The first shield gas SG1 introduced into the space S1 forms a film-like laminar flow flowing in the outlet 12B direction depending on the shape and inclination angle of the hole 22. The laminar flow cools and protects the surface of the anode electrode 2B by membrane cooling. On the other hand, the second shield gas SG2 introduced into the gas passage 71B by the second gas introduction unit 7B passes through the spaces S3, S4 and S5 and is introduced into the space S1. While passing through the spaces S3, S4 and S5, the second shield gas SG2 cools the cathode electrode 3B.

図4Aおよび図4Bは、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの保護層形成部5Bの一例について説明するための図である。図4Aは、アノード電極2Bに形成される孔部22の配置を簡略的に示す。ここでは、アノード電極2Bを板状に広げた状態を図に示す。板状に展開したアノード電極2Bの大きさは、一例として、軸方向の長さ19.8ミリメートル(mm)、管径φ5mm、周長は5π(15.7mm)とする。板厚は1mm、孔径は0.6mmとする。また、孔部22は、傾斜角度30度でアノード電極の円筒状部分23を貫通する(図5B)。孔径0.6mm=1Dとして、各孔から出るガスの広がり範囲を周長方向の孔間隔3D、ガスの流れる長さは管長さ方向に15Dとする。上流側から1番目および3番目の列の孔を、ガスの広がり範囲、流れ長さに基づき配置する。そして、上流側から2番目および4番目の列の孔を1番目および3番目の列の孔よりも周長方向に1.5Dずらし、ガスの流れない箇所が発生しないように配置する。こうして、たとえば孔径を0.8mm以下として、全部で26個の孔を配置することができる。このように孔部22を配置することで、第1のシールドガスSGによりアノード電極2Bの表面上に切れ目なく膜状の保護層を形成することができる。 4A and 4B are diagrams for explaining an example of the protective layer forming portion 5B of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. FIG. 4A simply shows the arrangement of the holes 22 formed in the anode electrode 2B. Here, the state in which the anode electrode 2B is spread out in a plate shape is shown in the figure. As an example, the size of the anode electrode 2B developed in a plate shape is 19.8 mm (mm) in the axial direction, the tube diameter is φ5 mm, and the peripheral length is 5π (15.7 mm). The plate thickness is 1 mm and the hole diameter is 0.6 mm. Further, the hole portion 22 penetrates the cylindrical portion 23 of the anode electrode at an inclination angle of 30 degrees (FIG. 5B). Assuming that the hole diameter is 0.6 mm = 1D, the spread range of the gas emitted from each hole is the hole spacing of 3D in the peripheral length direction, and the gas flow length is 15D in the pipe length direction. The holes in the first and third rows from the upstream side are arranged based on the spread range and flow length of the gas. Then, the holes in the second and fourth rows from the upstream side are shifted by 1.5D in the circumferential length direction from the holes in the first and third rows, and arranged so that no gas does not flow. In this way, for example, the hole diameter is set to 0.8 mm or less, and a total of 26 holes can be arranged. By arranging the holes 22 in this way, a film-like protective layer can be seamlessly formed on the surface of the anode electrode 2B by the first shield gas SG.

なお、第1のシールドガスSG1と第2のシールドガスSG2とを同一の供給部から供給することも可能ではあるが、本実施形態では、電気的短絡を防止する観点で別々の2系統からシールドガスを供給している。 Although it is possible to supply the first shield gas SG1 and the second shield gas SG2 from the same supply unit, in the present embodiment, the shields are shielded from two separate systems from the viewpoint of preventing an electrical short circuit. Supplying gas.

(第2の実施形態の効果)
上記第2の実施形態に係る溶射装置100Bにおいて、保護層形成部は、気体通路と、円筒状部分と、孔部と、を備える。気体通路は、アノード電極内に形成され、第1の気体導入部からガスが導入される。円筒状部分は、気体通路と、プラズマ噴流が通過する空間と、を離隔する。孔部は、円筒状部分に形成され、気体通路とプラズマ噴流が通過する空間とを連通させる。このため、第2の実施形態によれば、アノード電極表面に、膜状の層流が形成される。このため、溶射装置は、膜冷却によりアノード電極表面を冷却し、保護することができる。また、溶射装置における溶射材料の堆積を抑制することができる。また、第2の実施形態に係る溶射装置においては、膜状の層流である保護層により、プラズマ噴流からの飛散物がアノード電極表面に密着することを抑止することができる。また、保護層は、プラズマ噴流による熱の影響による電極表面への酸化膜等の堆積を低減することができる。
(Effect of the second embodiment)
In the thermal spraying device 100B according to the second embodiment, the protective layer forming portion includes a gas passage, a cylindrical portion, and a hole portion. The gas passage is formed in the anode electrode, and gas is introduced from the first gas introduction portion. The cylindrical portion separates the gas passage from the space through which the plasma jet passes. The hole portion is formed in a cylindrical portion and communicates the gas passage and the space through which the plasma jet passes. Therefore, according to the second embodiment, a film-like laminar flow is formed on the surface of the anode electrode. Therefore, the thermal spraying device can cool and protect the surface of the anode electrode by film cooling. In addition, the deposition of thermal spray material in the thermal spraying device can be suppressed. Further, in the thermal spraying apparatus according to the second embodiment, the protective layer, which is a film-like laminar flow, can prevent the scattered matter from the plasma jet from coming into close contact with the surface of the anode electrode. Further, the protective layer can reduce the deposition of an oxide film or the like on the electrode surface due to the influence of heat due to the plasma jet.

また、第2の実施形態において、孔部は、円筒状部分23の空間S1側の開口部が反対側の開口部よりもプラズマ噴流の下流側に位置するよう傾斜してもよい。また、孔部は、孔部の中心軸が、外筒の中心方向から接線方向にずれた形状を有してもよい。たとえば、孔部は、孔部を外筒の断面上に投影した場合、孔部の軸方向が外筒の径方向に対して傾斜するように形成されてもよい。このため、プラズマ噴流が通過する空間に導入されるガスは、プラズマ噴流を貫通する方向に導入されることがなく、プラズマ噴流の流れを乱さない。このため、第2の実施形態に係る溶射装置は、プラズマ噴流の温度を低下させることがない。また、第2の実施形態においては、プラズマ噴流が通過する空間に導入されるガスは、プラズマ噴流に合流または混合するように導入されない。このため、第2の実施形態に係る溶射装置は、プラズマ噴流の温度を低下させることがない。 Further, in the second embodiment, the hole portion may be inclined so that the opening portion of the cylindrical portion 23 on the space S1 side is located on the downstream side of the plasma jet with respect to the opening portion on the opposite side. Further, the hole portion may have a shape in which the central axis of the hole portion is deviated from the center direction of the outer cylinder in the tangential direction. For example, the hole may be formed so that the axial direction of the hole is inclined with respect to the radial direction of the outer cylinder when the hole is projected onto the cross section of the outer cylinder. Therefore, the gas introduced into the space through which the plasma jet passes is not introduced in the direction penetrating the plasma jet and does not disturb the flow of the plasma jet. Therefore, the thermal spraying apparatus according to the second embodiment does not lower the temperature of the plasma jet. Further, in the second embodiment, the gas introduced into the space through which the plasma jet passes is not introduced so as to join or mix with the plasma jet. Therefore, the thermal spraying apparatus according to the second embodiment does not lower the temperature of the plasma jet.

また、第2の実施形態において、孔部は、円筒状部分23の空間S1側の開口部に向けて反対側の開口部から広がる扇形状であってもよい。このように構成することで、溶射装置のアノード電極の表面上に切れ目なく膜状の保護層を形成することができる。 Further, in the second embodiment, the hole portion may have a fan shape extending from the opening on the opposite side toward the opening on the space S1 side of the cylindrical portion 23. With this configuration, a film-like protective layer can be seamlessly formed on the surface of the anode electrode of the thermal spraying device.

また、第2の実施形態に係る溶射装置100Bにおいて、保護層形成部5Bはさらに、カソード電極の外周に沿って設けられる空間(たとえば空間S4、S5)に第2のガスを導入する第2の気体導入部をさらに備えてもよい。このように構成することで、溶射装置はアノード電極を冷却保護するだけでなく、カソード電極を冷却することができる。 Further, in the thermal spraying apparatus 100B according to the second embodiment, the protective layer forming portion 5B further introduces a second gas into a space (for example, spaces S4 and S5) provided along the outer periphery of the cathode electrode. A gas introduction unit may be further provided. With this configuration, the thermal spraying device can not only cool and protect the anode electrode, but also cool the cathode electrode.

また、第2の実施形態に係る溶射装置は、第1の実施形態に係る溶射装置と同様、保護層をクリーニング手段として用いてもよい。 Further, the thermal spraying device according to the second embodiment may use the protective layer as a cleaning means as in the thermal spraying device according to the first embodiment.

なお、プラズマ噴流が通過する空間の壁面をガスを用いて冷却する手法は種々考えられる。たとえば、ノズルの軸に対して垂直方向からガスを導入する場合や、ノズルの壁面に段差をつけて段差部の開口から下流方向にガスを導入する場合が考えられる。しかし、ノズルの軸に対して垂直方向からガスを導入した場合、ガスの出口部分では反時計回りと時計回りの1対の渦が形成される。そして、渦により壁から遠ざかる方向に速度成分が形成されるために、壁の冷却が阻害される。壁面に段差をつけた場合も、導入されるガスの方向がプラズマ噴流の流れの方向と略同一となって拡散せず、冷却効率は低下する。以上を考慮すると、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの孔部22の形状は、上記のように軸方向に対して傾斜する方向とすることが好ましい。 Various methods of cooling the wall surface of the space through which the plasma jet passes by using gas can be considered. For example, there may be a case where the gas is introduced from a direction perpendicular to the axis of the nozzle, or a case where a step is provided on the wall surface of the nozzle and the gas is introduced in the downstream direction from the opening of the step portion. However, when the gas is introduced from the direction perpendicular to the axis of the nozzle, a pair of counterclockwise and clockwise vortices are formed at the gas outlet portion. Then, the vortex forms a velocity component in the direction away from the wall, which hinders the cooling of the wall. Even if a step is provided on the wall surface, the direction of the introduced gas is substantially the same as the direction of the flow of the plasma jet and does not diffuse, so that the cooling efficiency is lowered. In consideration of the above, it is preferable that the shape of the hole 22 of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment is in a direction inclined with respect to the axial direction as described above.

(変形例)
上記第2の実施形態においては、リング8はリング状の部材であり、カソード電極3Bとの間に所定の空間S3乃至S5が設けられるものとした。これに限らず、リング8を同心円状に層をなす複数のリングを重ねた形状とし、各層の境界から第2のシールドガスSG2が導入されるように構成してもよい。
(Modification example)
In the second embodiment, the ring 8 is a ring-shaped member, and a predetermined space S3 to S5 is provided between the ring 8 and the cathode electrode 3B. Not limited to this, the ring 8 may have a shape in which a plurality of rings forming concentric layers are stacked, and the second shield gas SG2 may be introduced from the boundary of each layer.

(第3の実施形態)
第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、プラズマ噴流が通過する空間側に露出する部分が多孔質材料で形成されるアノード電極を備える。そして、溶射装置100Cは、多孔質のアノード電極表面からシールドガスを滲み出させて滲み出たガスの膜により保護層を形成することで溶射材料の堆積を抑制する。また、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、多孔質のアノード電極を介してシールドガスを滲み出させることで効率的にアノード電極を冷却する。
(Third embodiment)
The thermal spraying device 100C according to the third embodiment includes an anode electrode whose portion exposed on the space side through which the plasma jet passes is made of a porous material. Then, the thermal spraying device 100C exudes a shield gas from the surface of the porous anode electrode and forms a protective layer by a film of the exuded gas to suppress the deposition of the thermal spray material. Further, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment efficiently cools the anode electrode by exuding the shield gas through the porous anode electrode.

図5Aは、第3の実施形態に係る溶射装置100Cの概略正面図である。図5Bは、第3の実施形態に係る溶射装置100Cを図5AのA-Aに沿って見た概略断面図である。図5Cは、第3の実施形態に係る溶射装置100Cの概略背面図である。図5Dは、第3の実施形態に係る溶射装置100Cの保護層形成部5Cについて説明するための図である。第3の実施形態に係る溶射装置100Cの大まかな構成は第1、第2の実施形態に係る溶射装置100A,100Bと同様である。このため、同様の構成については説明を省略し、同様の参照符号を付する。 FIG. 5A is a schematic front view of the thermal spraying device 100C according to the third embodiment. FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the thermal spraying apparatus 100C according to the third embodiment as viewed along AA of FIG. 5A. FIG. 5C is a schematic rear view of the thermal spraying device 100C according to the third embodiment. FIG. 5D is a diagram for explaining the protective layer forming portion 5C of the thermal spraying device 100C according to the third embodiment. The rough configuration of the thermal spraying device 100C according to the third embodiment is the same as that of the thermal spraying devices 100A and 100B according to the first and second embodiments. Therefore, the description of the same configuration is omitted, and the same reference numerals are given.

図5A乃至図5Dに示すように、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、溶射装置100A,100Bと同様、外筒1C、アノード電極2C、カソード電極3C、冷却機構4Cを備える。溶射装置100Cはさらに、第1の気体導入部6C(図5D参照)と、第2の気体導入部7C(図5D参照)と、リング8C(以下、第2の多孔質部とも呼ぶ。)と、を備える。 As shown in FIGS. 5A to 5D, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment includes an outer cylinder 1C, an anode electrode 2C, a cathode electrode 3C, and a cooling mechanism 4C, similarly to the thermal spraying devices 100A and 100B. The thermal spraying device 100C further includes a first gas introduction section 6C (see FIG. 5D), a second gas introduction section 7C (see FIG. 5D), and a ring 8C (hereinafter, also referred to as a second porous section). , Equipped with.

外筒1Cの構成および材料は、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの外筒1Bと同様である。外筒1Cの入口11Cおよび出口12Cも、第2の実施形態に係る溶射装置100Bの外筒1Bの入口11Bおよび出口12Bと同様である。 The configuration and material of the outer cylinder 1C are the same as those of the outer cylinder 1B of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment. The inlet 11C and the outlet 12C of the outer cylinder 1C are also the same as the inlet 11B and the outlet 12B of the outer cylinder 1B of the thermal spraying device 100B according to the second embodiment.

アノード電極2Cは、アノード電極2C内部に形成され第1の気体導入部6Cと連通する気体通路24と、表面が空間S1に露出し気体通路24と空間S1とを隔離する多孔質部25(第1の多孔質部)と、を備える。アノード電極2Cは、また、内部に冷却機構4Cの冷却媒体CMが流れる流路41Cが形成される。 The anode electrode 2C has a gas passage 24 formed inside the anode electrode 2C and communicating with the first gas introduction portion 6C, and a porous portion 25 (the first) having a surface exposed to the space S1 and separating the gas passage 24 and the space S1. 1) and. In the anode electrode 2C, a flow path 41C through which the cooling medium CM of the cooling mechanism 4C flows is formed inside.

気体通路24は、アノード電極2Cの内部に形成される空間である。気体通路24には、第1の気体導入部6Cから第1のシールドガスSG1が導入される。 The gas passage 24 is a space formed inside the anode electrode 2C. The first shield gas SG1 is introduced into the gas passage 24 from the first gas introduction unit 6C.

多孔質部25は、空間S1と気体通路24とを隔離する円筒状の部材である。多孔質部25は、金属の焼結体、多孔質金属、金属線を固めたバルク素材、または、金属繊維を圧縮整形したものなどで形成する。多孔質部25は、複数の微細な通気孔または通気経路を有する。 The porous portion 25 is a cylindrical member that separates the space S1 from the gas passage 24. The porous portion 25 is formed of a metal sintered body, a porous metal, a bulk material obtained by solidifying a metal wire, or a compression-shaped metal fiber. The porous portion 25 has a plurality of fine ventilation holes or ventilation paths.

アノード電極2Cは、後述する第1の気体導入部6Cから導入されるガスにより、空間S1に露出するアノード電極2Cの表面を覆う保護層を形成する、保護層形成部5Cである。保護層は、第1の気体導入部6Cから導入されるガスによって構成される。 The anode electrode 2C is a protective layer forming portion 5C that forms a protective layer covering the surface of the anode electrode 2C exposed to the space S1 by the gas introduced from the first gas introducing portion 6C described later. The protective layer is composed of the gas introduced from the first gas introduction unit 6C.

カソード電極3Cは、第1の実施形態のカソード電極3と同様である。 The cathode electrode 3C is the same as the cathode electrode 3 of the first embodiment.

冷却機構4Cは、第2の実施形態の冷却機構4Bと同様である。 The cooling mechanism 4C is the same as the cooling mechanism 4B of the second embodiment.

第1の気体導入部6Cは、外筒1Cを貫通してアノード電極2C内に形成される気体通路24と連通する気体通路61Cと、気体通路61Cに第1のシールドガスSG1を供給する気体供給部62C(たとえばMFC)と、気体通路61Cと気体供給部62Cとを接続する配管63Cと、を有する。第1の気体導入部6Cの気体供給部62Cは、配管63Cを介して気体通路61Cに所定の流量の第1のシールドガスSG1を供給する。気体通路61Cは、気体通路24に向けて第1のシールドガスSG1を案内する。第1のシールドガスSG1は、気体通路24から多孔質部25を通ってアノード電極2Cの表面上に膜状の保護層を形成する。 The first gas introduction unit 6C supplies a gas passage 61C that penetrates the outer cylinder 1C and communicates with the gas passage 24 formed in the anode electrode 2C, and a gas supply that supplies the first shield gas SG1 to the gas passage 61C. It has a section 62C (for example, MFC) and a pipe 63C connecting the gas passage 61C and the gas supply section 62C. The gas supply unit 62C of the first gas introduction unit 6C supplies the first shield gas SG1 at a predetermined flow rate to the gas passage 61C via the pipe 63C. The gas passage 61C guides the first shield gas SG1 toward the gas passage 24. The first shield gas SG1 forms a film-like protective layer on the surface of the anode electrode 2C from the gas passage 24 through the porous portion 25.

第2の気体導入部7Cは、リング8Cの外周に沿って形成される気体通路71Cと、気体通路71Cに第2のシールドガスSG2を供給する気体供給部72C(たとえばMFC)と、外筒1Cを貫通し気体通路71Cと気体供給部72Cとを接続する配管73Cと、を有する。第2の気体導入部7Cの気体供給部72Cは、配管73Cを介して気体通路71Cに所定の流量の第2のシールドガスSG2を供給する。供給された第2のシールドガスSG2は、気体通路71Cからリング8C内部に滲みこみカソード電極3Cの周囲へと導入され、空間S1へと流れる。 The second gas introduction unit 7C includes a gas passage 71C formed along the outer periphery of the ring 8C, a gas supply unit 72C (for example, MFC) that supplies the second shield gas SG2 to the gas passage 71C, and an outer cylinder 1C. It has a pipe 73C which penetrates the gas passage 71C and connects the gas passage 71C and the gas supply unit 72C. The gas supply unit 72C of the second gas introduction unit 7C supplies the second shield gas SG2 at a predetermined flow rate to the gas passage 71C via the pipe 73C. The supplied second shield gas SG2 seeps into the ring 8C from the gas passage 71C, is introduced around the cathode electrode 3C, and flows into the space S1.

リング8Cは、絶縁体または誘電体の材料で形成される多孔質材料のリング形状の部材である。リング8Cの形状は、カソード電極3Cの外周形状に合わせた形状を有する。リング8Cは内部に、気体が通過することができる複数の微細な通気孔または通気経路を有する。また、リング8Cは、緻密な部材で形成してもよい。リング8Cを緻密な部材で形成する場合、たとえばリング8C内部に、気体通路71Cと空間S1とを連通させる貫通孔を設ける。そして、空間S1に面したリング8Cの表面を多孔質の絶縁体または誘電体の材料で膜状に覆う。第2の気体導入部7Cの気体通路71Cと空間S1とを連通させることができれば、リング8C中、緻密な部材と多孔質材料との配置箇所は特に限定されない。 The ring 8C is a ring-shaped member of a porous material formed of an insulating or dielectric material. The shape of the ring 8C has a shape that matches the outer peripheral shape of the cathode electrode 3C. The ring 8C has, inside, a plurality of fine vents or vents through which gas can pass. Further, the ring 8C may be formed of a dense member. When the ring 8C is formed of a dense member, for example, a through hole for communicating the gas passage 71C and the space S1 is provided inside the ring 8C. Then, the surface of the ring 8C facing the space S1 is covered in a film shape with a porous insulator or dielectric material. As long as the gas passage 71C of the second gas introduction portion 7C and the space S1 can be communicated with each other, the arrangement location of the dense member and the porous material in the ring 8C is not particularly limited.

このように、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、第1の気体導入部6Cと、アノード電極2C(気体通路24、多孔質部25)と、を含む、アノード電極を冷却し保護する機構を備える。また、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、第2の気体導入部7Cと、多孔質のリング8Cと、を含む、カソード電極3Cを冷却し保護する機構を備える。 As described above, the thermal spraying apparatus 100C according to the third embodiment cools and protects the anode electrode including the first gas introduction portion 6C and the anode electrode 2C (gas passage 24, porous portion 25). Equipped with a mechanism. Further, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment includes a mechanism for cooling and protecting the cathode electrode 3C, which includes a second gas introduction unit 7C and a porous ring 8C.

図5Dは、第3の実施形態に係る溶射装置100Cの保護層形成部5Cについて説明するための図である。図5Dに示すように、第1の気体導入部6Cにより気体通路24に導入される第1のシールドガスSG1は、気体通路24から多孔質部25を通って空間S1に導入される。空間S1に導入された第1のシールドガスSG1は、多孔質部25の表面から滲みだすようにアノード電極2C表面を覆う保護層の膜を形成する。保護層はトランスピレーション冷却により、アノード電極2Cの表面を冷却し保護する。他方、第2の気体導入部7Cによりリング8C(第2の多孔質部)の外周に沿って形成される気体通路71Cに導入される第2のシールドガスSG2は、リング8C内部に形成される複数の通気孔または通気経路を通過して空間S1に導入される。気体通路71Cからリング8C内を通過する間に、第2のシールドガスSG2は、カソード電極3Cの外周を冷却する。なお、第1のシールドガスSG1および第2のシールドガスSG2の流量は、プラズマ噴流を加速させたり、プラズマ噴流を貫通したりすることがないレベルに設定する。また、第1のシールドガスSG1の流量は、放電時にアノード電極2C上で放電しない流量に制御される。 FIG. 5D is a diagram for explaining the protective layer forming portion 5C of the thermal spraying device 100C according to the third embodiment. As shown in FIG. 5D, the first shield gas SG1 introduced into the gas passage 24 by the first gas introduction unit 6C is introduced into the space S1 from the gas passage 24 through the porous portion 25. The first shield gas SG1 introduced into the space S1 forms a protective layer film covering the surface of the anode electrode 2C so as to seep out from the surface of the porous portion 25. The protective layer cools and protects the surface of the anode electrode 2C by transpilation cooling. On the other hand, the second shield gas SG2 introduced into the gas passage 71C formed along the outer periphery of the ring 8C (second porous portion) by the second gas introduction portion 7C is formed inside the ring 8C. It is introduced into the space S1 through a plurality of ventilation holes or ventilation paths. While passing through the ring 8C from the gas passage 71C, the second shield gas SG2 cools the outer periphery of the cathode electrode 3C. The flow rates of the first shield gas SG1 and the second shield gas SG2 are set to a level that does not accelerate the plasma jet or penetrate the plasma jet. Further, the flow rate of the first shield gas SG1 is controlled to a flow rate that does not discharge on the anode electrode 2C at the time of discharge.

(第3の実施形態の効果)
上記第3の実施形態に係る溶射装置100Cにおいて、保護層形成部5Cは、気体通路24と、第1の多孔質部25と、を備える。気体通路24は、アノード電極2C内に形成され、第1の気体導入部6Cからガスが導入される。第1の多孔質部25は、気体通路24と空間S1を隔離し、表面がプラズマ噴流が通過する空間S1に露出される。このように、アノード電極2Cに第1の多孔質部25を設け、当該多孔質部25にガスを通過させることにより、多孔質部25の表面から滲みだすようにアノード電極2C表面を覆う保護層の膜を形成する。このため、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、アノード電極2Cを保護し、溶射材料の堆積を抑制することができる。また、ガスはアノード電極2Cから滲み出すように空間S1に導入されるため、プラズマ噴流に干渉しない。また、ガスは、プラズマ噴流を貫通するように導入されないため、プラズマ噴流の流れを乱すことがない。また、ガスは、プラズマ噴流に合流または混合するように導入されないため、プラズマ噴流の温度を低下させない。また、ガスは、多孔質部25を透過してアノード電極2Cの全面から空間S1に導入されるため、ガスの流量を低減することができる。
(Effect of the third embodiment)
In the thermal spraying device 100C according to the third embodiment, the protective layer forming portion 5C includes a gas passage 24 and a first porous portion 25. The gas passage 24 is formed in the anode electrode 2C, and gas is introduced from the first gas introduction unit 6C. The first porous portion 25 separates the gas passage 24 from the space S1, and its surface is exposed to the space S1 through which the plasma jet passes. In this way, by providing the anode electrode 2C with the first porous portion 25 and allowing gas to pass through the porous portion 25, a protective layer covering the surface of the anode electrode 2C so as to exude from the surface of the porous portion 25. Form a film of. Therefore, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment can protect the anode electrode 2C and suppress the deposition of the thermal spraying material. Further, since the gas is introduced into the space S1 so as to exude from the anode electrode 2C, it does not interfere with the plasma jet. Further, since the gas is not introduced so as to penetrate the plasma jet, the flow of the plasma jet is not disturbed. Also, since the gas is not introduced to join or mix with the plasma jet, it does not lower the temperature of the plasma jet. Further, since the gas passes through the porous portion 25 and is introduced into the space S1 from the entire surface of the anode electrode 2C, the flow rate of the gas can be reduced.

また、第3の実施形態に係る溶射装置100Cにおいて、第1の多孔質部25は、金属の焼結体または多孔質金属であってよい。このため、第1の多孔質部25として、プラズマ噴流経路内の各部の材料に適した多孔質材料を選択することができる。たとえば、導電体、絶縁体、誘電体等を適宜選択することができる。 Further, in the thermal spraying apparatus 100C according to the third embodiment, the first porous portion 25 may be a sintered metal or a porous metal. Therefore, as the first porous portion 25, a porous material suitable for the material of each portion in the plasma jet path can be selected. For example, a conductor, an insulator, a dielectric and the like can be appropriately selected.

また、第3の実施形態に係る溶射装置100Cはさらに、カソード電極3Cの周囲に配置され、誘電体材料で形成される第2の多孔質部8Cを備えてもよい。また、溶射装置100Cは、第2の多孔質部8Cにガスを導入する第2の気体導入部7Cを備えてもよい。このため、第3の実施形態に係る溶射装置100Cは、第2の多孔質部8Cを透過するガスによりカソード電極3Cを冷却し保護することができる。また、ガスは第2の多孔質部8Cを透過して滲み出すように空間S1に導入される。このため、ガスはプラズマ噴流に干渉しない。また、ガスは第2の多孔質部8Cを透過して空間S1に導入されるとき、プラズマ噴流を貫通する方向および流量で導入されない。このため、ガスはプラズマ噴流の流れを乱すことがない。また、ガスは、第2の多孔質部8Cを透過して空間S1に導入されるとき、プラズマ噴流に合流または混合するように導入されない。このため、ガスはプラズマ噴流の温度を低下させることがない。また、ガスは、第2の多孔質部8Cを透過して第2の多孔質部8C全面から空間S1に導入されるため、ガスの流量を低減することができる。 Further, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment may further include a second porous portion 8C which is arranged around the cathode electrode 3C and is formed of a dielectric material. Further, the thermal spraying device 100C may include a second gas introduction unit 7C for introducing gas into the second porous portion 8C. Therefore, the thermal spraying device 100C according to the third embodiment can cool and protect the cathode electrode 3C by the gas passing through the second porous portion 8C. Further, the gas is introduced into the space S1 so as to permeate through the second porous portion 8C and exude. Therefore, the gas does not interfere with the plasma jet. Further, when the gas is introduced into the space S1 through the second porous portion 8C, it is not introduced in the direction and the flow rate through the plasma jet. Therefore, the gas does not disturb the flow of the plasma jet. Further, when the gas is introduced into the space S1 through the second porous portion 8C, it is not introduced so as to join or mix with the plasma jet. Therefore, the gas does not lower the temperature of the plasma jet. Further, since the gas permeates through the second porous portion 8C and is introduced into the space S1 from the entire surface of the second porous portion 8C, the flow rate of the gas can be reduced.

なお、第1の多孔質部25および第2の多孔質部8Cの材料はトランスピレーション冷却を実現できるものであればよく、特に限定されない。このため、プラズマ噴流経路内の各部材の材料に応じて適当な多孔質材料を選択することができる。たとえば、第1の多孔質部25および第2の多孔質部8Cとして多孔質膜を利用する場合、導電体、絶縁体または誘電体等から材料を選択することができる。また、第1の多孔質部25および第2の多孔質部8Cを母材を多孔質膜で覆った構造とする場合には、表面に配置される多孔質膜を剥離して母材を再生処理して再利用してもよい。 The materials of the first porous portion 25 and the second porous portion 8C are not particularly limited as long as they can realize transpilation cooling. Therefore, an appropriate porous material can be selected according to the material of each member in the plasma jet path. For example, when a porous membrane is used as the first porous portion 25 and the second porous portion 8C, a material can be selected from a conductor, an insulator, a dielectric, and the like. When the first porous portion 25 and the second porous portion 8C have a structure in which the base material is covered with a porous film, the porous film arranged on the surface is peeled off to regenerate the base material. It may be processed and reused.

また、溶射装置100Cに導入するガス(第1および第2のシールドガスSG1,SG2)に反応性ガスを添加して利用することで、各部材表面の洗浄処理をしてもよい。 Further, the surface of each member may be cleaned by adding a reactive gas to the gas (first and second shielded gases SG1 and SG2) introduced into the thermal spraying device 100C.

(変形例:アノード電極2C、リング8Cの材質等)
なお、上記に説明した例のほか、アノード電極2Cの構成は様々に変形することができる。たとえば、アノード電極2Cを、金属と焼結金属で構成してもよい。この場合、アノード電極2Cから空間S1に滲み出す第1のシールドガスSG1の流量は、焼結金属の金属球体サイズによって調整することができる。
(Modification example: material of anode electrode 2C, ring 8C, etc.)
In addition to the examples described above, the configuration of the anode electrode 2C can be variously modified. For example, the anode electrode 2C may be composed of a metal and a sintered metal. In this case, the flow rate of the first shield gas SG1 exuding from the anode electrode 2C into the space S1 can be adjusted by the size of the metal sphere of the sintered metal.

またたとえば、アノード電極2Cを金属と金網で構成してもよい。この場合、アノード電極2Cから空間S1に滲み出す第1のシールドガスSG1の流量は、金網の線径や密度等によって調整することができる。 Further, for example, the anode electrode 2C may be made of metal and wire mesh. In this case, the flow rate of the first shield gas SG1 exuding from the anode electrode 2C into the space S1 can be adjusted by adjusting the wire diameter, density, and the like of the wire mesh.

またたとえば、アノード電極2Cを金属で構成した上で、内部に設けられる気体通路24と、空間S1とを連通する貫通孔を形成し、貫通孔を膜状の焼結金属材料で覆ってもよい。また、貫通孔を導電性材料により形成される多孔質の膜で覆ってもよい。また、貫通孔を絶縁体または誘電体の材料により形成される多孔質の膜で覆ってもよい。また、アノード電極2Cを絶縁体または誘電体の膜で覆う場合には、カソード電極3Cと対向する部分は膜で覆わないように形成してもよい。また、アノード電極2Cを絶縁体または誘電体の膜で覆う場合には、プラズマ着火性能が維持できるよう膜厚を調整する。 Further, for example, the anode electrode 2C may be made of metal, a through hole for communicating the gas passage 24 provided inside and the space S1 may be formed, and the through hole may be covered with a film-shaped sintered metal material. .. Further, the through holes may be covered with a porous film formed of a conductive material. Further, the through holes may be covered with a porous film formed of an insulator or a dielectric material. When the anode electrode 2C is covered with an insulator or a dielectric film, the portion facing the cathode electrode 3C may be formed so as not to be covered with the film. When the anode electrode 2C is covered with an insulator or a dielectric film, the film thickness is adjusted so that the plasma ignition performance can be maintained.

なお、溶射装置の形状は上記実施形態において説明した例に限定されない。たとえば、溶射材料や作動ガスの導入位置が上記実施形態とは異なる場合であっても、上記保護層形成部を利用することができる。すなわち、溶射噴流が通過するノズル部分に保護層を形成するように保護層形成部を配置することで、溶射装置の構造詳細に関わらず、上記実施形態の効果を奏することができる。 The shape of the thermal spraying device is not limited to the example described in the above embodiment. For example, even when the introduction position of the thermal spray material or the working gas is different from that of the above embodiment, the protective layer forming portion can be used. That is, by arranging the protective layer forming portion so as to form the protective layer in the nozzle portion through which the thermal spray jet passes, the effect of the above embodiment can be obtained regardless of the structural details of the thermal spraying device.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiments may be omitted, replaced or modified in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist.

1,1B,1C 外筒
2,2B,2C アノード電極
21 気体通路
22 孔部
23 円筒状部分
24 気体通路
25 多孔質部
3,3B,3C カソード電極
5,5B,5C 保護層形成部
51 案内溝
52 内周溝
53 フランジ
6,6B,6C 第1の気体導入部
61,61B,61C 気体通路
62,62B,62C 気体供給部
63,63B,63C 配管
7B,7C 第2の気体導入部
71B,71C 気体通路
72B,72C 気体供給部
73B,73C 配管
8,8C リング
100A,100B,100C 溶射装置
CM 冷却媒体
SG シールドガス
1,1B, 1C Outer cylinder 2,2B, 2C Anode electrode 21 Gas passage 22 Hole part 23 Cylindrical part 24 Gas passage 25 Porous part 3,3B, 3C Cathode electrode 5,5B, 5C Protective layer forming part 51 Guide groove 52 Inner peripheral groove 53 Flange 6, 6B, 6C First gas introduction part 61, 61B, 61C Gas passage 62, 62B, 62C Gas supply part 63, 63B, 63C Pipe 7B, 7C Second gas introduction part 71B, 71C Gas passage 72B, 72C Gas supply unit 73B, 73C Piping 8,8C ring
100A, 100B, 100C Thermal spraying device CM Cooling medium SG Shield gas

Claims (3)

アノード電極およびカソード電極を収容する外筒の内部にガスを導入する第1の気体導入部と、
前記第1の気体導入部から導入されるガスにより、プラズマ噴流が通過する空間に露出する前記アノード電極の表面を覆う、前記プラズマ噴流と分離した保護層を形成する保護層形成部と、
を備え
前記保護層形成部は、
前記カソード電極を周囲から包囲して固定される旋回整流部であり、
前記第1の気体導入部は、前記保護層形成部に対して径方向外側から内側へと前記カソード電極に向けてガスを導入し、
前記旋回整流部は、略リング形状であり、外側から内側に向けて径方向に対して傾斜して延びる2以上の案内溝を有する溶射装置。
A first gas introduction unit that introduces gas inside the outer cylinder that houses the anode electrode and the cathode electrode, and
A protective layer forming portion that covers the surface of the anode electrode exposed to the space through which the plasma jet passes by the gas introduced from the first gas introducing portion and forms a protective layer separated from the plasma jet.
Equipped with
The protective layer forming portion is
It is a swirling rectifying unit that surrounds and fixes the cathode electrode from the surroundings.
The first gas introduction portion introduces gas toward the cathode electrode from the outer side to the inner side in the radial direction with respect to the protective layer forming portion.
The swirling rectifying unit has a substantially ring shape, and is a thermal spraying device having two or more guide grooves extending radially inward from the outside .
前記保護層形成部は、前記第1の気体導入部から導入されるガスと、前記アノード電極の表面付近に存在する空気と、の2層を含む前記保護層を形成する、請求項1に記載の溶射装置。 The first aspect of the present invention, wherein the protective layer forming portion forms the protective layer including two layers of a gas introduced from the first gas introduction portion and air existing near the surface of the anode electrode. Thermal spraying device. 前記旋回整流部は、外周部と、前記外周部よりも軸方向に厚みが少ない内周部と、を有し、
前記案内溝は前記外周部に形成される、請求項に記載の溶射装置。
The swirling rectifying portion has an outer peripheral portion and an inner peripheral portion having a thickness smaller in the axial direction than the outer peripheral portion.
The thermal spraying device according to claim 1 , wherein the guide groove is formed on the outer peripheral portion.
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JPH0390554A (en) * 1989-08-31 1991-04-16 Nippon Steel Corp Method and device for reduced pressure plasma flame spraying
JPH04131649U (en) * 1991-05-16 1992-12-03 三菱重工業株式会社 plasma spray gun
US5486383A (en) * 1994-08-08 1996-01-23 Praxair Technology, Inc. Laminar flow shielding of fluid jet

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