JP7087738B2 - 光通信装置、及び光通信装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光通信装置、及び光通信装置の製造方法に関する。

光通信用モジュールは、シリコンフォトニクス技術を用いて作製されたＩＣチップ（以下、ＳｉＰチップという。）を用いることが多い。このような光通信用モジュールは、例えば、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）のような多波長を扱うＳＦＰ＋（Small Form-Factor Pluggable Plus）以下程度の小型の装置に使用される。

一般に、光通信用モジュールは、ＴＯＳＡ（Transmitter Optical SubAssembly）、ＲＯＳＡ（Receiver Optical SubAssembly）やＢＯＳＡ（Bi-directional Optical SubAssembly）と呼ばれる光学モジュールを基板に三次元実装するのが一般的である。例えば、特許文献１には、光送受信モジュールと送受信回路とをＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板で接続した光トランシーバが開示されている。

特開２０１３－１７２０３７号公報（図９）

光送受信モジュールと、電子部品を実装したＰＣＢ（Printed Circuit Board）とを接続するためには、リード線を基板に複雑に実装したり、特許文献１に記載の技術のように、ＦＰＣを駆使したりする必要があり、組立工程が複雑であった。また、光学部品（ＬＤ（LASER Diode）やＰＤ（Photo Diode）等）は小型であっても、光モジュール化することによって、大きくなり、通信モジュールの小型化の妨げになるという問題があった。

また、ＳｉＰ（Silicon Photonics）チップは、光学部品をモノリシックに作り込んだものであって、非常に小型である。しかしながら、光モジュール化により、その小型化の意味を失うことになる。可能であれば、ＰＣＢ上へのＳｉＰチップの表面実装が望ましいが、ＰＣＢの温度による形状変化（伸縮）のため光学系が変動してしまうので、現状では難しい。そこで、例えば、ステンレスのような金属の上に光学系を構築する必要がある。

ところで、光学系（例えば、光回路やレンズ）を構築した金属筐体の両側に線状凹部を設け、該線状凹部にＰＣＢを挿入するＰＣＢ挿入型の構造をとることが考えられる。このときであっても、ＰＣＢ（電気回路基板）の位置決め（特に、挿入方向の位置決め）が難しい。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、電気回路基板と光回路部との位置決めを行うことができる光通信装置、及び光通信装置の製造方法を提供することを課題とする。

前記目的を達成するために、本発明は、通信用光ファイバが接続される光通信装置であって、前記光通信装置は、信号光を送受信する光回路部と、前記信号光の入出力端と前記通信用光ファイバの入出力端とを空間的に光学結合させる光結合素子と、前記光回路部及び前記光結合素子が組み込まれるベース基材と、前記光回路部を制御する制御回路が組み込まれ、複数のＶＩＡ孔を備えた電気回路基板とを備え、前記ベース基材は、前記光回路部及び前記光結合素子の組み込み領域外に溝又は凹部が形成され、何れかの前記ＶＩＡ孔と、前記溝又は前記凹部に挿入された固定ピンをさらに備えることを特徴とする。

固定ピンは、電気回路基板のＶＩＡ孔に挿入（圧入）され、ベース基材に形成された溝又は凹部に挿入（嵌入）される。これにより、光回路部及び光結合素子が組み込まれたベース基材と、制御回路が組み込まれた電気回路基板とが位置決めされる。したがって、光回路部及び光結合素子と制御回路とが位置決めされる。

本発明によれば、電気回路基板と光回路部との位置決めを行うことができる。

本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す斜視図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置の平面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置の正面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるベース基材の平面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるベース基材の正面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるＰＣＢの平面図である。 光回路部、及び制御回路の平面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される圧入ピン及びＰＣＢの断面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置の第１製造工程を説明する平面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置の第２製造工程を説明する平面図である。 本発明の第１実施形態である光通信装置の第３製造工程を説明する平面図である。 本発明の第２実施形態である光通信装置の第１製造工程を説明する平面図である。 本発明の第２実施形態である光通信装置の第２製造工程を説明する平面図である。 本発明の第２実施形態である光通信装置の第３製造工程を説明する平面図である。 本発明の第２実施形態である光通信装置の第４製造工程を説明する平面図である。 本発明の第３実施形態である光通信装置で使用される光電融合モジュールの平面図である。 本発明の第１変形例のベース基材の溝の断面図である。 幅と間隔とが同程度で溝を形成したベース基材の斜視図である。 複数の円形凹部を形成したベース基材の斜視図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。

（第１実施形態）
（構成の説明）
図１は、本発明の第１実施形態である光通信装置の内部構造を示す斜視図であり、図２Ａは、その平面図であり、図２Ｂは、その正面図である。
光通信装置１ａは、ベース基材１０ａと、光回路部としてのＳｉＰチップ２０と、電気回路基板としてのＰＣＢ３０と、制御回路としてのＩＣ４０と、レセプタクルバッファ板５０と、レセプタクル６０と、光結合素子としてのレンズ６５と、単数又は複数の固定ピンとしての圧入ピン７０，７０，・・・と、複数（例えば、２本）のワイヤ８０，８０とを備えて構成される。なお、レセプタクル６０は、通信用光ファイバ１００に接続されるものである。なお、通信用光ファイバ１００は、ピグテイル型（同軸型）のもので構わない。

図３Ａは、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるベース基材の平面図である。図３Ｂは、その正面図である。
ベース基材１０ａは、平面視矩形状の金属製部材であり、断面視コ字状（略Ｕ字状）を呈している。ベース基材１０ａの底部１３には、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５の組み込み領域外に溝１１ａが網状に形成されている。これにより、ベース基材１０ａの底部１３には、十字状溝、及びその交差箇所（交点）が複数形成される。また、ベース基材１０ａの側壁１４ａ，１４ｂには、ライン状の線状凹部１２ａ，１２ｂが形成されている。なお、線状凹部１２ａ，１２ｂにはＰＣＢ３０の両側が挿入される。

ベース基材１０ａの底部１３には、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５が配設されている。ＳｉＰチップ２０は、シリコン細線導波路により構成された光回路部であり、Ｓｉフォトダイオード２３（図５）等の光電変換素子が形成されることがある。このため、ＳｉＰチップ２０の上面には、複数の電極パッド２６，２６が形成されており、該電極パッド２６，２６がＩＣ４０とワイヤ８０，８０で電気的に接続される。

図４は、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用されるＰＣＢの平面図である。
ＰＣＢ３０は、図６の断面図に記載されているように、グランド層３４ｃ、グランド層３４ｃに近接する配線層３４ｄ、電源層３４ｂ、電源層３４ｂに近接する配線層３４ａ、及び絶縁層３５ａ，３５ｂ，３５ｃを備えた多層基板である。また、ＰＣＢ３０は、配線層３４ａ，３４ｄ、電源層３４ｂを接続する複数の配線用ＶＩＡ（不図示）と、グランド層３４ｃと配線層３４ａ，３４ｄとを接続する複数のグランドＶＩＡ３１，３１，・・・とを有している。

なお、ＰＣＢ３０は、高速信号向けに設計されるので、グランド強化のためにグランドＶＩＡ３１が多数形成されている。また、ＰＣＢ３０の最表層、特に、ＩＣ４０の下部の配線層３４ａ（図６）には、ベタパターン３２（図４）と、ベタパターン３２及びグランド層３４ｃ（図６）とを接続するグランドＶＩＡ３１とが形成されている。

ＰＣＢ３０は、平面視Ｕ字状に形成されており、全輻がベース基材１０ａの線状凹部１２ａ，１２ｂの幅に略一致している。なお、Ｕ字状の凹部は、図２Ａに示されているように、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５を組み込む領域となっている。

図５は、光回路部、及び制御回路の平面図である。
光回路部としてのＳｉＰチップ２０は、例えば、一芯双方向通信モジュールの光回路であり、上面に複数の電極パッド２６，２６が形成されたものである。また、ＳｉＰチップ２０は、例えば、スポットサイズ変換器２１ａ，２１ｂと、波長分割フィルタとしての波長合分波器２２と、受光素子としてのフォトダイオード２３とがＳｉ基板（不図示）の表面に形成されたものである。

波長合分波器２２は、シリコン細線導波路により構成され、波長分割フィルタとして使用される。波長合分波器２２は、スポットサイズ変換器２１ａに入射したレーザ光をフォトダイオード２３に導く。また、波長合分波器２２は、スポットサイズ変換器２１ｂに入射したレーザ光をスポットサイズ変換器２１ａに導く。

スポットサイズ変換器２１ａは、レンズ６５とシリコン細線導波路との間を結合するものであり、信号光の入出力端として機能する。なお、シリコン細線導波路は、コア材をシリコンとし、クラッド材を石英とする光導波路であり、石英光導波路に比べて光の経路を鋭く曲げることができる。

ＩＣ４０は、例えば、レーザダイオード４３と、レーザダイオード４３を駆動制御する駆動制御回路４４と、フォトダイオード２３を制御する制御回路としてのトランスインピーダンスアンプ４１と、モニタ用フォトダイオード４２と、トランスインピーダンスアンプ４１に接続される電極パッド４６，４６を備える。また、電極パッド４６，４６と、ＳｉＰチップ２０の電極パッド２６，２６とは、近接配置される。

レーザダイオード４３は、スポットサイズ変換器２１ｂにレーザ光（信号光）を照射するものである。トランスインピーダンスアンプ４１は、フォトダイオード２３が出力する電流信号を電圧信号に変換する。モニタ用フォトダイオード４２は、レーザダイオード４３の発光強度をモニタする。

ところで、ＳｉＰチップ２０は、１本の通信用光ファイバ１００で、双方向通信を行うため、フォトダイオード２３が入射する光の波長と、通信用光ファイバ１００の他端に設けられているレーザダイオードが発光した光の波長とは、異なるように設定されている。

レンズ６５は、スポットサイズ変換器２１ａと通信用光ファイバ１００の入出力端とを空間的に光学結合させるものである。

図６は、本発明の第１実施形態である光通信装置で使用される圧入ピン及びＰＣＢの断面図である。
ＰＣＢ３０は、絶縁層３５ａ，３５ｂ，３５ｃ及び金属層（グランド層３４ｃ、配線層３４ａ，３４ｄ、電源層３４ｂ）が交互に積層された多層基板である。また、ＰＣＢ３０は、グランド層３４ｃの全域と、配線層３４ａ，３４ｄの円環領域（円帯領域）とを電気的に接続した円筒状金属が形成されている。この円筒状金属と、配線層３４ａ，３４ｄの円環領域とをグランドＶＩＡ３１と称し、円筒状金属の内面をＶＩＡ孔と称するものとする。なお、グランドＶＩＡ３１を形成する円筒状金属は、電源層３４ｂ及び前記円帯領域以外の配線層３４ａ，３４ｄと絶縁している。

固定ピンとしての圧入ピン７０は、頭部７１と軸部７２とで形成されている。軸部７２の外径は、ＰＣＢ３０のグランドＶＩＡ３１の内径よりも僅かに太く形成されており、圧入により、グランドＶＩＡ３１と電気的に接合する。また、軸部７２の外径は、溝１１ａの幅よりも僅かに太く形成されている。なお、圧入ピン７０が嵌入される十字状の交差箇所においては、軸部７２の太さは、交差部の対角線の長さよりも僅かに太くすることが好ましい。また、圧入ピン７０は、ステンレス、アルミ及び銅タングステン合金の何れかの材料で形成されている。

また、溝１１ａの幅は、グランドＶＩＡ３１の内径よりも僅かに短い。このため、軸部７２の嵌入により、軸部７２の先端形状と溝１１ａの形状とが略一致し、圧入ピン７０とベース基材１０ａとが電気的に接触する。また、溝１１ａの深さは、圧入ピンが安定する深さ以上（例えば、０．５ｍｍ以上）であれば構わない。頭部７１は、所定の工具を用いたカシメによって、断面視半楕円形状に形成される。

図７，８，９は、本発明の第１実施形態である光通信装置の製造工程を説明する平面図である。図７が第１工程（ＳＰ１）を示し、図８が第２工程（ＳＰ２）を示し、図９が第３工程（ＳＰ３）を示す。

図７に示すように、第１製造工程（ＳＰ１）では、ベース基材１０ａ及びＰＣＢ３０に部品が搭載される。具体的に、ベース基材１０ａの上面には、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５が取り付けられる。また、ベース基材１０ａの前面には、レセプタクル６０を有したレセプタクルバッファ板５０が取り付けられる。また、ＰＣＢ３０には、表面実装によって、ＩＣ４０等が搭載される。

図８に示すように、第２製造工程（ＳＰ２）では、ベース基材１０ａの両側の線状凹部１２ａ，１２ｂにＰＣＢ３０が後方から挿入される。そして、ＰＣＢ３０の先端とレセプタクルバッファ板５０とが当接することによって、ＰＣＢ３０のグランドＶＩＡ３１の位置と、ベース基材１０ａの溝１１ａの十字状の交差箇所とが略一致する。

図９に示すように、第３製造工程（ＳＰ３）では、圧入ピン７０がグランドＶＩＡ３１に挿入される。そして、所定形状の工具を介して、圧入ピン７０の頭部７１（図６）が叩かれることにより、頭部７１が所定形状に変形すると共に、軸部７２（図６）の先端が溝１１ａの形状に変形し、嵌入する。溝１１ａの形状に変形するためには、溝１１ａの幅は、グランドＶＩＡ３１の内径よりも短いことが好ましい。この結果、ベース基材１０ａとＰＣＢ３０とがカシメにより、固定される。また、ＰＣＢ３０のグランドＶＩＡ３１の位置が溝１１ａの十字状の交差箇所に一致する。

さらに、ＳｉＰチップ２０の電極パッド２６，２６とＩＣ４０の電極パッド４６，４６との間をワイヤ８０，８０で接続する。以上により、光通信装置１ａが完成する。

ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５は、ベース基材１０ａの所定の位置に配設されている。圧入ピン７０によって、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５とグランドＶＩＡ３１との位置関係が固定されるので、グランドＶＩＡ３１の近傍に配設されているＩＣ４０とＳｉＰチップ２０及びレンズ６５との位置関係が固定される。したがって、ＰＣＢ３０の熱膨張に関わらず、ＩＣ４０の内部のレーザダイオード４３とＳｉＰチップ２０及びレンズ６５との位置関係が固定される。

また、ＳｉＰチップ２０の電極パッド２６とＩＣ４０の電極パッド４６との位置関係が固定されるので、ワイヤ８０の長さが一定になる。また、電極パッド２６，２６と電極パッド４６，４６とは、近接配置されている。したがって、ＩＣ４０からＳｉＰチップ２０に伝達する高周波信号の波形が良好になる。

以上説明したように、第１実施形態の光通信装置１ａによれば、ＳｉＰチップ２０を実装するベース基材１０ａの上面にグランドＶＩＡ３１の内径以下の幅の溝１１ａを有している。また、グランドＶＩＡ３１に位置決め固定用の圧入ピン７０を挿入（圧入）すると共に、溝１１ａに挿入（嵌入）することによって、ベース基材１０ａとＰＣＢ３０とを固定することができる。つまり、ＰＣＢ３０の板厚精度を考慮することなく、線状凹部１２ａ，１２ｂを形成することにより、ＰＣＢ３０を固定することができる。

ベース基材１０ａが複数の溝１１ａを有しているので、ＰＣＢ３０の設計者は、位置決めや固定用の穴（凹部）をある程度自由度を持って設計することができる。また、グランドＶＩＡ３１を用いるため、別途位置決めや固定用の孔の追加設計が不要となり、設計自由度が向上する。ＰＣＢ３０の設計自由度のため、結果的に、ＳｉＰチップ２０を用いた光通信装置１ａの全体サイズを小さくすることができる。

（第２実施形態）
前記第１実施形態の光通信装置１ａは、ＩＣ４０の周辺に圧入ピン７０を設けたが、ＩＣ４０の直下にも圧入ピン７０を設けることができる。そのような構成の光通信装置１ｂ（図１３）を実現するためには、製造工程が第１実施形態と異なる。

図１０，１１，１２，１３は、本発明の第２実施形態である光通信装置の製造工程を説明する平面図である。図１０が第１工程（ＳＰ１１）を示し、図１１が第２工程（ＳＰ１２）を示し、図１２が第３工程（ＳＰ１３）を示し、図１３が第３工程（ＳＰ１３）を示す。

図１０に示すように、第１製造工程（ＳＰ１１）では、ベース基材１０ａ及びＰＣＢ３０に部品が搭載される。このとき、ＰＣＢ３０にＩＣ４０が搭載されない点で、前記第１実施形態の図７（ＳＰ１）と相違する。このため、ベタパターン３２の中央部のグランドＶＩＡ３１が確認できる。図１１に示すように、第２製造工程（ＳＰ１２）では、前記第１実施形態の図８（ＳＰ８）と同様に、ベース基材１０ａの両側の線状凹部１２ａ，１２ｂにＰＣＢ３０が後方から挿入される。

図１２に示すように、第３製造工程（ＳＰ１３）では、複数の圧入ピン７０がグランドＶＩＡ３１に圧入され、溝１１ａに嵌入される。このとき、ＩＣ４０が搭載される領域の周辺部だけでなく、その領域（つまり、ＩＣ４０の直下）にも圧入ピン７０が圧入される点で、前記第１実施形態の図９（ＳＰ３）と相違する。

さらに、図１３に示すように、第４工程（ＳＰ１４）において、ＩＣ４０が半田付けにより、搭載される。そして、ＳｉＰチップ２０の電極パッド２６とＩＣ４０の電極パッド４６との間をワイヤ８０で接続する。これにより、光通信装置１ｂが完成する。

本実施形態の光通信装置１ｂは、ＩＣ４０の直下にも、グランドＶＩＡ３１が打たれている。このため、ベタパターン３２と、グランド層３４ｃとの電気的接続が確実になる。したがって、光通信装置１ｂは、前記実施形態の光通信装置１ａよりも高周波特性が良好になる。

（第３実施形態）
前記第１，２実施形態の光通信装置１ａ，１ｂは、フォトダイオード２３をＳｉＰチップ２０に含め、レーザダイオード４３をＩＣ４０に内蔵させたが、ＳｉＰチップ２０を、フォトダイオード２３やレーザダイオード４３等の電気回路をＳｉ基板上に表面実装で搭載した光電融合モジュール２５とすることもできる。

図１４は、本発明の第３実施形態である光通信装置で使用される光電融合モジュールの平面図である。
光電融合モジュール２５は、光回路２７と電気回路２８とをモジュール化したものであり、全体として光回路部として機能する。光回路２７がスポットサイズ変換器２１ａと、波長分割フィルタとしての波長合分波器２２とを備え、電気回路２８が光信号受信部としてのフォトダイオード２３と、光信号生成部としてのレーザダイオード４３と、駆動制御回路４４と、トランスインピーダンスアンプ４１と、モニタ用フォトダイオード４２と、複数の電極パッド２６，２６，２６，２６を備える。なお、電気回路２８は、Ｓｉ基板上に表面実装で固定される。

また、ＩＣ４０（図１，図２Ａ等）は、図示しないが、駆動制御回路４４及びトランスインピーダンスアンプ４１を制御する制御回路が形成されており、電極パッド４６が電極パッド２６と同数設けられている。また、ワイヤ８０も電極パッド２６と同数設けられる。

本実施形態の光通信装置１ｃ（図示せず）によれば、電極パッド２６，２６，２６，２６と電極パッド４６とは、前記第１，２実施形態の光通信装置１ａ，１ｂと同様に、近接配置している。また、ＳｉＰチップ２０の電極パッド２６とＩＣ４０の電極パッド４６との位置関係が固定されるので、ワイヤ８０の長さが一定になる。したがって、ＩＣ４０からＳｉＰチップ２０に伝達する高周波信号の波形が良好になる。

（変形例）
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。

（１）前記実施形態の溝１１ａは、断面視矩形状であり、浅い部分の幅と深い部分の幅とが等しかったが、深部に行くほど幅を拡げることもできる。図１５は、本発明の第１変形例のベース基材の溝の断面図である。ベース基材１０ｂに形成された溝１１ｂは、断面視台形形状である。つまり、溝１１ｂは、深部の幅の方が表面の幅よりも長い。固定ピンとしての圧入ピン７０が圧入（嵌入）されたときに、軸部７２の先端が断面視台形形状に変形するので、圧入ピン７０がベース基材１０ｂから取り外れ難い。なお、圧入ピン７０が樹脂部材であれば、加熱による熱変形が起こりやすい。

（２）前記第１実施形態の溝１１ａは、幅が圧入ピン７０の軸部７２の外径よりも僅かに小さくし、隣接する溝１１ａとの間隔を長くしていた。図１６は、幅と間隔とが同程度で溝を形成したベース基材の斜視図である。ベース基材１０ｃは、溝１１ｃと隣接する溝１１ｃとの間隔（ピッチ）が溝１１ｃの幅に近づき、複数の柱１８が形成されたものである。また、隣接する溝１１ｃとの間隔は、前記実施形態の隣接する溝１１ａとの間隔よりも短いので、圧入ピン７０を打つ位置の自由度が向上する。つまり、グランドＶＩＡ３１の位置を決定する基板設計の自由度が向上する。この結果、モジュールの伝送特性の向上，小型化の効果が得られる

（３）前記第１実施形態の溝１１ａは、直線的であったが、円など他の形状の凹部を複数形成しても構わない。また、円柱状の柱を複数形成しても構わない。図１７は、複数の円形凹部を形成したベース基材の斜視図である。ベース基材１０ｄは、円形凹部１９が複数形成されている。これによっても、圧入ピン７０を打つ位置の自由度が向上する。つまり、グランドＶＩＡ３１の位置を決定する基板設計の自由度が向上する。この結果、モジュールの伝送特性の向上や小型化の効果が得られる

（４）前記実施形態の光通信装置１ａは、ベース基材１０ａの両側の線状凹部１２ａ，１２ｂにＰＣＢ３０を挿入していたが、ＰＣＢ３０をベース基材１０ｂ（図示せず）に載置する平置きでも構わない。つまり、ベース基材１０ａは、両側に線状凹部１２ａ，１２ｂを設けていたが、これらが無くても構わない。

（５）前記第１，２実施形態では、光通信装置１ａ，１ｂについて、説明したが、例えばレーザポインタのような装置でも、溝１１ａ、ＰＣＢ３０及び圧入ピン７０の組合せを使用することができる。前記した光通信装置１ａの外観図（図１）では，封止について明記していないが，蓋を設けて封止することもできる。

（６）前記第１，２実施形態では、ベース基材１０ａに予め、ＳｉＰチップ２０及びレンズ６５を配設してから（ＳＰ１）、ＰＣＢ３０を線状凹部１２ａ，１２ｂに挿入したが（ＳＰ２）、ＰＣＢ３０を線状凹部１２ａ，１２ｂに挿入してから、ベース基材１０ａにＳｉＰチップ２０及びレンズ６５を配設することも可能である。

１ａ，１ｂ，１ｃ 光通信装置
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ ベース基材
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 溝
１２ａ，１２ｂ 線状凹部
１４ａ，１４ｂ 側壁
１９ 円形凹部
２０ ＳｉＰチップ（光回路部）
２２ 波長合分波器（波長分割フィルタ）
２３ フォトダイオード（第３実施形態における光信号受信部）
２５ 光電融合モジュール（光回路部）
２６，４６ 電極パッド
３０ ＰＣＢ（電気回路基板）
３１ グランドＶＩＡ（ＶＩＡ孔）
３２ ベタパターン
４０ ＩＣ（制御回路）
４３ レーザダイオード（第３実施形態における光信号生成部）
６５ レンズ（光結合素子）
７０ 圧入ピン（固定ピン）
８０ ワイヤ
１００ 通信用光ファイバ

Claims (9)

1. 通信用光ファイバが接続される光通信装置であって、
   信号光を送受信する光回路部と、
   前記信号光の入出力端と前記通信用光ファイバの入出力端とを空間的に光学結合させる光結合素子と、
   前記光回路部及び前記光結合素子が組み込まれるベース基材と、
   前記光回路部を制御する制御回路が組み込まれ、複数のＶＩＡ孔を備えた電気回路基板とを備え、
   前記ベース基材は、前記光回路部及び前記光結合素子の組み込み領域外に溝又は凹部が形成され、
   何れかの前記ＶＩＡ孔と前記溝又は前記凹部とに挿入された固定ピンをさらに備える
   ことを特徴とする光通信装置。
2. 請求項１に記載の光通信装置であって、
   前記固定ピンが挿入される前記ＶＩＡ孔は、前記制御回路の直下及び近傍の何れか一方又は双方に配設されている
   ことを特徴とする光通信装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光通信装置であって、
   前記ベース基材は、前記光回路部の光軸方向に、前記電気回路基板を挿入する線状凹部が側壁に形成されている
   ことを特徴とする光通信装置。
4. 請求項１に記載の光通信装置であって、
   前記固定ピンは、前記溝又は前記凹部に嵌入されるものであり、
   前記電気回路基板は、前記ベース基材に固定される
   ことを特徴とする光通信装置。
5. 請求項４に記載の光通信装置であって、
   前記溝は、連続して併設された十字状溝であり、
   前記固定ピンは、前記十字状溝の交差箇所に嵌入される
   ことを特徴とする光通信装置。
6. 請求項１に記載の光通信装置であって、
   前記固定ピンは、ステンレス、アルミ及び銅タングステン合金の何れかの材料で形成されている
   ことを特徴とする光通信装置。
7. 請求項１に記載の光通信装置であって、
   前記溝は、断面視で深部の幅の方が表面の幅よりも長い
   ことを特徴とする光通信装置。
8. 請求項１に記載の光通信装置であって、
   前記光回路部は、送信信号光を生成する光信号生成部、受信信号光を受信する光信号受信部、及び前記送信信号光と前記受信信号光とを分割する波長分割フィルタを有する
   ことを特徴とする光通信装置。
9. 信号光を送受信する光回路部と、前記信号光の入出力端と通信用光ファイバの入出力端とを空間的に光学結合させる光結合素子と、前記光回路部及び前記光結合素子の組み込み領域外に溝又は凹部が形成されたベース基材と、前記光回路部を制御する制御回路が組み込まれ、複数のＶＩＡ孔を備えた電気回路基板とを備えた光通信装置を製造する光通信装置の製造方法であって、
   前記ベース基材に前記光回路部及び前記光結合素子が組み込まれる第１工程と、
   前記第１工程で組み込まれた前記電気回路基板が、前記ベース基材の第１凹部に挿入される第２工程と、
   前記第２工程で挿入された前記電気回路基板の複数の前記ＶＩＡ孔の少なくとも何れか一つと、前記溝又は前記凹部とに固定ピンが挿入される第３工程と
   を有することを特徴とする光通信装置の製造方法。

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