JP7021617B2 - 熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物の硬化物からなる封止層を有するウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置 - Google Patents
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- HBQPTOZUJZGQKI-UHFFFAOYSA-N CC(C1CC1)(NN)OC Chemical compound CC(C1CC1)(NN)OC HBQPTOZUJZGQKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Description
[1]
(A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有する直鎖状ポリフルオロ化合物:100質量部、
(B)1分子中に、1価のパーフルオロアルキル基若しくは1価のパーフルオロオキシアルキル基を有するか、又は2価のパーフルオロアルキレン基若しくは2価のパーフルオロオキシアルキレン基を有し、さらにケイ素原子に直結した水素原子(SiH基)を2個以上有する含フッ素オルガノ水素シロキサン:(A)成分中のアルケニル基1モルに対して(B)成分中のSiH基が0.3~3モルとなる量、
(C)白金族金属系触媒:(A)成分に対して白金族金属原子の質量換算で0.1~2,000ppm、
を含有する熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物の硬化物からなる封止層を保護材として有し、人体に接触する環境で用いられるものであるウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
[2]
前記(A)成分の直鎖状ポリフルオロ化合物のアルケニル基含有量が、0.005~0.3mol/100gである[1]に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
[3]
前記(A)成分が有するパーフルオロポリエーテル構造が、下記一般式(1)
-(CaF2aO)b- (1)
(式(1)中、aは1~6の整数であり、bは1~300の整数である。)
で表される構造を含む[1]又は[2]に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
[4]
前記(A)成分が、下記一般式(2)及び/又は下記一般式(3)
で表される直鎖状ポリフルオロ化合物である[1]~[3]のいずれかに記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
[5]
熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物の硬化物からなる封止層が、少なくともリードフレーム上に接着した半導体素子の表面全体を被覆するものである[1]~[4]のいずれかに記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
[6]
前記熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物が前記(A)、(B)、(C)成分、及び(D)ヒドロシリル化付加反応制御剤からなる[1]~[5]のいずれかに記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
(A)成分は、1分子中に2個以上のアルケニル基を有し、さらに主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有する直鎖状ポリフルオロ化合物である。
-CaF2aO- (4)
(式(4)中、aは1~6の整数である。)
で表される繰り返し単位を多数含むものであり、例えば下記一般式(1)で表されるもの等が挙げられる。
-(CaF2aO)b- (1)
(式(1)中、aは1~6の整数であり、bは1~300の整数、好ましくは1~200の整数である。)
-CF2O-
-CF2CF2O-
-CF2CF2CF2O-
-CF(CF3)CF2O-
-CF2CF2CF2CF2O-
-CF2CF2CF2CF2CF2CF2O-
-C(CF3)2O-
-CF2O-
-CF2CF2O-
-CF2CF2CF2O-
-CF(CF3)CF2O-
(B)成分は、1分子中に、1価のパーフルオロアルキル基若しくは1価のパーフルオロオキシアルキル基を有するか、又は2価のパーフルオロアルキレン基若しくは2価のパーフルオロオキシアルキレン基を有し、さらにケイ素原子に直結した水素原子(ヒドロシリル基(SiH基))を2個以上有する含フッ素オルガノ水素シロキサンである。含フッ素オルガノ水素シロキサンは、好ましくは1分子中に、上記の1価又は2価の含フッ素有機基(1価のパーフルオロアルキル基、1価のパーフルオロオキシアルキル基、2価のパーフルオロアルキレン基又は2価のパーフルオロオキシアルキレン基)を1個以上、及びケイ素原子に直結した水素原子を2個以上有し、上記(A)成分の架橋剤として機能するものである。
CfF2f+1- (5)
(式(5)中、fは1~10の整数、好ましくは3~7の整数である。)
-ChF2h- (7)
(式(7)中、hは1~20の整数、好ましくは2~10の整数である。)
-CF2O-(CF2CF2O)k(CF2O)l-CF2- (9)
(式(9)中、k及びlはそれぞれ1~50の整数、好ましくは1~30の整数であり、k+lの平均値は2~100、好ましくは2~80である。各繰り返し単位同士はランダムに結合されていてよい。)
-CH2CH2-、
-CH2CH2CH2-、
-CH2CH2CH2OCH2-、
-CH2CH2CH2-NH-CO-、
-CH2CH2CH2-N(Ph)-CO-、
-CH2CH2CH2-N(CH3)-CO-、
-CH2CH2CH2-N(CH2CH3)-CO-、
-CH2CH2CH2-N(CH(CH3)2)-CO-、
-CH2CH2CH2-O-CO-、
-CH2CH2-Si(CH3)2-Ph’-N(CH3)-CO-、
-CH2CH2CH2-Si(CH3)2-Ph’-N(CH3)-CO-
(但し、Phはフェニル基、Ph’はフェニレン基である。)
等の炭素数2~13のものが挙げられる。
上記(B)成分の配合量は、上記(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、(B)成分中のケイ素原子に直結した水素原子(SiH基)が0.3~3モルとなる量であり、好ましくは0.5~2モルとなる量(モル比)である。SiH基が0.3モルより少ないと、架橋度合いが不十分になり、一方3モルより多いと、保存安定性が損なわれたり、硬化後得られる硬化物の耐熱性が低下したりする。
(C)成分である白金族金属系触媒は、ヒドロシリル化反応触媒である。ヒドロシリル化反応触媒は、組成物中に含有されるアルケニル基、特には(A)成分中のアルケニル基と、組成物中に含有されるSiH基、特には(B)成分中のSiH基との付加反応を促進する触媒である。このヒドロシリル化反応触媒は、一般に貴金属又はその化合物であり、高価格であることから、比較的入手し易い白金又は白金化合物がよく用いられる。
本発明にかかる熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物には、その実用性を高めるために、上記の(A)~(C)成分以外にも、任意成分として、ヒドロシリル化付加反応制御剤((D)成分)、無機質充填剤((E)成分)、可塑剤、粘度調節剤、可撓性付与剤、接着性付与剤等の各種配合剤(添加剤)を必要に応じて添加することができる。これら添加剤の配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で任意である。
(式(17)中、X’はCg’F2g’+1-(g’は1~3の整数)で表される基であり、f’は1~500の整数、好ましくは1~300の整数である。)
(式(18)中、Z’は上記X’と同じであり、h’及びi’はそれぞれ0~300の整数、好ましくは0~150の整数である。但し、h’とi’が共に0の場合は除く。また、j’は1~300の整数、好ましくは1~150の整数である。各繰り返し単位同士はランダムに結合されていてよい。)
[式(19)中、Rfは下記一般式(20)
F-[CF(CF3)CF2O]l’-Cm’F2m’- (20)
(式(20)中、l’は1~200の整数、好ましくは1~150の整数であり、m’は1~3の整数である。)
で示される基であり、A''は-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-又は-CO-NR13-D''-〔なお、これら各基は、左端がRfに、右端が炭素原子に結合される。また、R13は水素原子、メチル基、フェニル基又はアリル基であり、D''は-CH2-、下記構造式(21)で示される基又は下記構造式(22)で示される基である。
F-(CF2CF2CF2O)f''-CF2CF3
(f''は1~200の整数である。)
CF3-{(OCF(CF3)CF2)h''-(OCF2)j''}-O-CF3
(h''は1~200の整数、j''は1~200の整数である。各繰り返し単位同士はランダムに結合されていてよい。)
CF3-{(OCF2CF2)i''-(OCF2)j''}-O-CF3
(i''は1~200の整数、j''は1~200の整数である。各繰り返し単位同士はランダムに結合されていてよい。)
下記実施例に用いられる(A)~(D)成分を下記に示す。
(A-1):下記式(23)で示される直鎖状ポリフルオロ化合物(粘度10,900mPa・s、ビニル基含有量0.012mol/100g)
(A-2):下記式(24)で示される直鎖状ポリフルオロ化合物(粘度11,000mPa・s、ビニル基含有量0.0122mol/100g)
(B-1):下記式(25)で示される含フッ素オルガノ水素シロキサン(SiH基含有量0.00523mol/g)
(A-1)成分100部、(B-1)成分2.3部及び(D)成分0.2部をプラネタリーミキサーで室温にて均一に混合した後、(C)成分0.2部を加え、再び均一に混合して硬化性組成物1を調製した。
次に、アルミニウム配線を形成した6mm×6mmの大きさのシリコンチップ(半導体素子)を14pin-DIPフレーム(42アロイ)に接着し、更に、該シリコンチップ表面のアルミニウム電極とリードフレームとを30μmφの金線でワイヤボンディングしたテスト用の電子回路を直径30mmのガラスシャーレに入れ、そこに硬化性組成物1を3.8部流し込み、電子回路全体を硬化性組成物1で被覆(ポッティング)した。これを150℃のオーブンに入れて15分間加熱して硬化性組成物1を硬化させた。
このようにして電子回路の表面全体が硬化性組成物1の硬化物層で被覆(封止)した半導体装置のサンプルを作製した(図1参照)。
なお、図1において、1はシリコンチップ、2はアルミニウム電極、3はリードフレーム、4は金線、5は硬化性組成物の硬化物(封止層)である。
このサンプルを3.5質量%濃度の食塩水に浸漬した状態で、23℃で500時間放置した。その後、サンプルを取り出し、電子回路のアルミニウム電極の外観を顕微鏡で観察した。
(A-2)成分100部、(B-2)成分3.1部を使用したこと以外は実施例1と同様にして硬化性組成物2を調製し、更に、該硬化性組成物2を使用したこと以外は実施例1と同様にして電子回路の表面全体が硬化性組成物2の硬化物層で被覆(封止)した半導体装置のサンプルを作製し、実施例1と同様の条件で電子回路のアルミニウム電極の外観を顕微鏡で観察した。
実施例1における硬化性組成物1の代りに、ポリジメチルシロキサンを主成分とする付加硬化型シリコーンゴム組成物SYLGARD184(ダウコーニング社製)を用いた。すなわち、SYLGARD184の主剤100部及び硬化剤10部をカップに秤量し、均一に混合して硬化性シリコーンゴム組成物3を調製し、更に、該硬化性シリコーンゴム組成物3を使用したこと以外は実施例1と同様にして電子回路の表面全体が硬化性シリコーンゴム組成物3の硬化物層で被覆(封止)した半導体装置のサンプルを作製し、実施例1と同様の条件で電子回路のアルミニウム電極の外観を顕微鏡で観察した。
2 アルミニウム電極
3 リードフレーム
4 金線
5 硬化性組成物の硬化物(封止層)
Claims (6)
- (A)1分子中に2個以上のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有する直鎖状ポリフルオロ化合物:100質量部、
(B)1分子中に、1価のパーフルオロアルキル基若しくは1価のパーフルオロオキシアルキル基を有するか、又は2価のパーフルオロアルキレン基若しくは2価のパーフルオロオキシアルキレン基を有し、さらにケイ素原子に直結した水素原子(SiH基)を2個以上有する含フッ素オルガノ水素シロキサン:(A)成分中のアルケニル基1モルに対して(B)成分中のSiH基が0.3~3モルとなる量、
(C)白金族金属系触媒:(A)成分に対して白金族金属原子の質量換算で0.1~2,000ppm、
を含有する熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物の硬化物からなる封止層を保護材として有し、人体に接触する環境で用いられるものであるウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。 - 前記(A)成分の直鎖状ポリフルオロ化合物のアルケニル基含有量が、0.005~0.3mol/100gである請求項1に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
- 前記(A)成分が有するパーフルオロポリエーテル構造が、下記一般式(1)
-(CaF2aO)b- (1)
(式(1)中、aは1~6の整数であり、bは1~300の整数である。)
で表される構造を含む請求項1又は2に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。 - 前記(A)成分が、下記一般式(2)及び/又は下記一般式(3)
で表される直鎖状ポリフルオロ化合物である請求項1~3のいずれか1項に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。 - 熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物の硬化物からなる封止層が、少なくともリードフレーム上に接着した半導体素子の表面全体を被覆するものである請求項1~4のいずれか1項に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
- 前記熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物が前記(A)、(B)、(C)成分、及び(D)ヒドロシリル化付加反応制御剤からなる請求項1~5のいずれか1項に記載のウェアラブルセンサーデバイス用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|---|
JP2009277887A (ja) | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光装置 |
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