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JP6962955B2 - シームレスのコバルト間隙充填を可能にする方法 - Google Patents

シームレスのコバルト間隙充填を可能にする方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、一般に、半導体製造プロセスの分野に関し、より詳細には、半導体デバイスの接触構造内に接触金属層を堆積させる方法に関する。
集積回路は、基板（たとえば、半導体ウエハ）上に形成された百万個を超えるマイクロエレクトロニクスの電界効果トランジスタ（たとえば、相補型の金属−酸化物−半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタ）を含むことができ、これらの電界効果トランジスタは、回路内で協働して様々な機能を実行する。２分の１μｍ以下のフィーチャを確実に生産することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）および極超大規模集積（ＵＬＳＩ）に対する主要な技術の１つである。しかし、集積回路技術の限界に押し当たったとき、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ技術における相互接続の寸法の縮小により、処理能力に対してさらなる要求が課されるようになった。集積回路の成功に、および個々の基板およびダイの回路密度および品質を増大させるための努力の継続にとって、ゲートパターンの確実な形成が重要である。
フィーチャ寸法がより小さくなるにつれて、フィーチャの深さとフィーチャの幅との間の比として定義されるアスペクト比をより高くすることに対する要求が、２０：１以上まで着実に増大した。約２０：１以下のアスペクト比を有する幾何形状など、小さい幾何形状を有する接触構造内へ接触金属層を堆積させるときには、様々な問題が生じることがある。たとえば、従来のＰＶＤプロセスを使用して堆積させた接触金属層では、ビアが５０ｎｍ未満の限界寸法または１０：１より大きいアスペクト比を有するとき、ステップカバレッジ不良が生じ、ビアまたはトレンチ内にオーバーハングおよびボイドが形成されることが多い。また、ビアまたはトレンチの底部および側壁上の堆積が不十分な結果、堆積が不連続になり、それによってデバイスの短絡または相互接続形成不良が生じる可能性がある。さらに、接触金属層は、下にあるシリコン含有層の上で接着不良をおこすことがあり、その結果、接触金属層が基板および後の導電金属層から剥離することがある。
こうしてトランジスタ密度が増大し、その後金属コンタクトの横断面が低減するにつれて、既存の低抵抗タングステン（Ｗ）の集積方式を使用して接触抵抗要件を満たすのはかなり困難になった。タングステン接触集積方式において高抵抗の接着（たとえば、Ｂ2Ｈ6の核形成）およびバリア層（たとえば、ＴｉＮ）が必要とされる結果、接触抵抗が増大し、２２ナノメートル未満の技術ノードにとってこの方式は魅力的な選択肢ではなくなった。
したがって、高アスペクト比のフィーチャ内に接触金属層を形成する改善された方法が必要とされている。
本発明の実施形態は、概して、半導体製造プロセスの分野に関し、より詳細には、半導体デバイスの接触構造内に接触金属層を堆積させる方法に関する。特定の実施形態では、接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法が提供される。この方法は、周期的金属堆積プロセスを実行して基板上に接触金属層を堆積させるステップと、基板上に配置された接触金属層をアニールするステップとを含む。周期的金属堆積プロセスは、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させて基板上に接触金属層の一部分を堆積させるステップと、接触金属層のその部分をプラズマ処理プロセスに露出させるステップと、所定の厚さの接触金属層が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させるステップおよび接触金属層のその部分をプラズマ処理プロセスに露出させるステップを繰り返すステップとを含む。
特定の実施形態では、接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法が提供される。この方法は、バリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、湿潤層堆積を実行して基板上に湿潤層を堆積させるステップと、周期的金属堆積プロセスを実行して基板上に接触金属層を堆積させるステップとを含む。周期的金属堆積プロセスは、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させて基板上に接触金属層の一部分を堆積させるステップと、所定の厚さの接触金属層が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させるステップおよび接触金属層のその部分をプラズマ処理プロセスに露出させるステップを繰り返すステップとを含む。この方法は、基板上に配置された接触金属層をアニールするステップをさらに提供する。
特定の実施形態では、接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法が提供される。この方法は、バリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、湿潤層堆積プロセスを実行して基板上に湿潤層を堆積させるステップと、湿潤層上でアニールプロセスを実行するステップとを含む。この方法は、堆積前駆体混合ガスに接触金属層を露出させて基板上に接触金属層の一部分を堆積させることによって、金属堆積プロセスを実行して基板上に接触金属層を堆積させるステップをさらに含む。最後に、この方法は、接触金属層のその部分をプラズマ処理プロセスに露出させるステップと、基板上に配置された接触金属層をアニールするステップとを含む。
本発明の上記の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本発明のより詳細な説明は、実施形態を参照することによって得ることができる。これらの実施形態のいくつかを、添付の図面に示す。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
本明細書に記載の実施形態を実行するのに適した金属堆積処理チャンバの一実施形態の断面図である。 図１の金属堆積処理チャンバが組み込まれた例示的なマルチチャンバ処理システムの概略上面図である。 本明細書に記載の特定の実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する流れ図である。 本発明の一実施形態による接触金属層製造プロセスの形成中の半導体デバイスの横断面図である。 本発明の一実施形態による接触金属層製造プロセスの形成中の半導体デバイスの横断面図である。 本明細書に記載の特定の実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する周期的堆積プロセスの流れ図である。 本明細書に記載の特定の実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する流れ図である。 本明細書に記載の特定の実施形態による接触金属層製造プロセスの形成中の半導体デバイスの横断面図である。 本明細書に記載の特定の実施形態による接触金属層製造プロセスの形成中の半導体デバイスの横断面図である。 記載の特定の実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する流れ図である。
理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態内に有益に組み込むことができることが企図される。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の例示的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
本発明の実施形態は、コンタクトの充填のために潜在的に低接触抵抗（Ｒｃ）の１材料による解決策をもたらす、間隙充填を利用する金属ＣＶＤプロセス（たとえば、コバルトＣＶＤプロセス）を提供する。本明細書に記載の実施形態によって堆積させたＣＶＤ膜は、共形のステップカバレッジおよび低い表面粗さを有する。さらに、本明細書で実証される実施形態は、シームを形成することなく半導体デバイスのコンタクト孔を充填するプロセスを実証する。
一実施形態では、基板の上に接触金属層を堆積させる方法が提供され、この方法は、基板をコバルト前駆体ガスおよび水素ガスに露出させてフィーチャ内でシームレスの間隙充填コバルト層の一部分を選択的に形成するステップと、後処理プロセス中に、コバルト層をプラズマおよび窒素、アンモニア、水素、アンモニア／窒素混合物、またはこれらの組合せなどの試薬に露出させるステップとを含む。
以下でより詳細に説明するように、基板上に接触金属層を堆積させて、基板上に接触金属構造を形成する。本明細書では、「基板」という用語は、後の処理動作に対する基礎として働く材料層を指し、接触金属層をその上に形成するように配置される表面を含む。基板は、結晶シリコン（たとえば、Ｓｉ＜１００＞もしくはＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープもしくは非ドープ多結晶シリコン、ドープもしくは非ドープシリコンウエハ、パターン付きもしくはパターンなしウエハ、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ガラス、またはサファイアなどの材料とすることができる。基板はまた、シリコン、酸化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ガラス、およびサファイアなどの１つまたは複数の非導電性材料を含むことができる。基板はまた、二酸化ケイ素、有機ケイ酸塩、および炭素がドープされた酸化ケイ素などの誘電体材料を含むことができる。さらに、基板は、用途に応じて、金属窒化物および金属合金などの任意の他の材料を含むことができる。
１つまたは複数の実施形態では、基板は、後にその上に形成されるプラグ、ビア、コンタクト、線、およびワイアなどの相互接続フィーチャとの接続を容易にするために、ゲート誘電体層およびゲート電極層を含むゲート構造を形成することができる。基板は、直径２００ｍｍ、３００ｍｍ、もしくは４５０ｍｍのウエハ、または他の寸法などの様々な寸法、ならびに方形または正方形のパネルを有することができる。別段の指示がない限り、本明細書に記載の実施形態および例は、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ、または直径４５０ｍｍ、具体的には直径３００ｍｍの基板上で行うことができる。
本明細書では、「接触構造」という用語は、ゲート電極の一部を形成することができる接触金属層を含む材料層を指す。１つまたは複数の実施形態では、接触金属層は、ニッケル層、コバルト層、チタン層、またはこれらの任意の組合せとすることができる。
さらに、基板は、いかなる特定の寸法または形状にも限定されるものではない。基板は、中でも、４５０ｍｍなど、２００ｍｍの直径、３００ｍｍの直径、または他の直径を有する円形のウエハとすることができる。基板はまた、フラットパネルディスプレイの製造で使用される多角形のガラス基板など、任意の多角形、正方形、方形、湾曲した形、またはそれ以外の非円形の加工物とすることができる。
本明細書に記載の実施形態は、基板上に接触金属層を堆積／形成して接触構造を形成する方法を提供する。堆積プロセスは、堆積させた膜のステップカバレッジ、共形性、ならびに連続性および均一性を基板全体にわたって効率的に改善し、それによって基板全体にわたって形成される全体的な膜の特性を改善することができる。
図１は、本明細書に記載の気相堆積プロセスによって接触金属材料を形成するために使用することができる処理チャンバ１５０を示す。接触金属材料は、金属コバルト、金属ニッケル、これらの誘導体、またはこれらの組合せを含有することができる。処理チャンバ１５０を使用して、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）、パルスＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＥ−ＡＬＤ、これらの派生物、またはこれらの組合せを実行することができる。コバルト含有材料を堆積させる気相堆積プロセス中には、回旋状の液体チャネル１６２などの水チャネルを使用して、リッドアセンブリ１００の温度を調節することができる。一実施形態では、リッドアセンブリ１００は、約１００℃〜約３００℃、好ましくは約１２５℃〜約２２５℃、より好ましくは約１５０℃〜約２００℃の範囲内の温度で加熱または維持することができる。この温度は、コバルト含有材料および／またはニッケル含有材料の気相堆積プロセス中は維持される。
シャワーヘッド１５６は、ガスボックスプレート１６０にねじ留めされた比較的短い上方へ延びる縁部１５８を有する。シャワーヘッド１５６とガスボックスプレート１６０はどちらも、アルミニウム、ステンレス鋼、またはこれらの合金などの金属から形成することができ、またはそのような金属を含有することができる。回旋状の液体チャネル１６２は、ガスボックスプレート１６０の上部内に形成され、水冷カバープレート１３４によって覆われて密閉される。概して、回旋状の液体チャネル１６２を通って水が流される。しかし、リッドアセンブリ１００から離れる方へ、またはリッドアセンブリ１００の方へ、熱を伝達するために、アルコール、グリコールエーテル、および他の有機溶剤を単独で使用することができ、または水と混合することができる。回旋状の液体チャネル１６２は、蛇行しているが概して円周方向の経路として形成されており、この経路は、内側から外側へ進む際に湾曲部（たとえば、３つの鋭いＵターンまたはＵ字状の湾曲部）を有するが、内側に戻ると放射状のチャネル（図示せず）になる。回旋状の液体チャネル１６２は、水の流れが確実に乱流になるのに十分なほど狭く、したがってガスボックスプレート１６０のフランジから回旋状の液体チャネル１６２内の水への熱の流れを支援する。回旋状の液体チャネル１６２に液体温度調節システム（図示せず）を取り付けることができ、この液体温度調節システムを使用して、リッドアセンブリ１００から離れる方へ、またはリッドアセンブリ１００の方へ、熱を伝達することができる。一例では、リッドアセンブリ１００は、約１５０℃の温度で加熱または維持されるように構成されており、ジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン、すなわち「ＣＣＴＢＡ」などのコバルト前駆体源およびＨ2などの水素前駆体源と流体的に連通している。
シャワーヘッド１５６の延びる縁部１５８は、ガスボックスプレート１６０の底部の縁部１７１に取り付けられる。縁部１５８および１７１はどちらも、取り囲むリッド隔離体１７５と、シャワーヘッド１５６の取り囲まれた下部空胴１３０との間で、最大に寸法設定される。シャワーヘッド１５６とガスボックスプレート１６０との間を締め付けるねじにより、最大に寸法設定された接触面積に対して良好な熱接触が確保される。熱流面積は、リッド隔離体１７５（リッド隔離体１７５とシャワーヘッド１５６またはガスボックスプレート１６０との間の間隙を除く）の位置する外側から下部空胴１３０の位置する内側まで延びる。回旋状の液体チャネル１６２の構造により、水とガスボックスプレート１６０との間で効率的な熱伝達が提供される。ガスボックスプレート１６０のフランジとシャワーヘッド１５６との間の機械インターフェースにより、ガスボックスプレート１６０とシャワーヘッド１５６との間で効率的な熱伝達が確保される。したがって、シャワーヘッド１５６の冷却が大いに強化される。
処理チャンバ１５０は、処理チャンバ１５０内で垂直方向に動かすことができるペデスタルステム１５４に接続されたヒータペデスタル１５２をさらに収容する。ヒータペデスタル１５２のヒータ部分は、セラミック材料から形成することができる。その上部堆積位置で、ヒータペデスタル１５２は、シャワーヘッド１５６の下面１０７に密接に対向するように基板４０２を保持する。ヒータペデスタル１５２とシャワーヘッド１５６の下面１０７との間に、処理領域１２６が画定される。シャワーヘッド１５６は、下部空胴１３０と処理領域１２６との間で連通して処理ガスの通過を可能にする複数の開孔または孔１０９を有する。処理ガスは、アルミニウムから作られる水冷ガスボックスプレート１６０の中心に形成されたガスポート１３２を通って供給される。ガスボックスプレート１６０の上側は、ガスポート１３２を含むガスボックスプレート１６０の上部部分を取り囲む水冷カバープレート１３４によって覆われる。ガスポート１３２は、ブロッカプレート１４０によって下部空胴１３０から分離された上部空胴１３８へ処理ガスを供給する。ブロッカプレート１４０を通って、多数の孔１０９が配置される。一実施形態では、空胴１３０および１３８、シャワーヘッド１５６、ならびにブロッカプレート１４０は、基板４０２の上面の上へ処理ガスを均一に分散させる。
基板４０２は、ヒータペデスタル１５２上で支持することができる。ヒータペデスタル１５２は、引き上げられた堆積位置で示されている。降下させたローディング位置では、４つのリフトピン１１８を持ち上げる持ち上げチューブ１１７に、持ち上げリング１１６が取り付けられる。リフトピン１１８は、ヒータペデスタル１５２内へ摺動するように嵌合し、したがってリフトピン１１８は、チャンバ本体１２０内のロードロックポート１１９を通ってチャンバ内へローディングされた基板４０２を受け取ることができる。一実施形態では、ヒータペデスタル１５２は、プラズマ気相堆積プロセス中などに、任意選択の閉じ込めリング１１０を収容することができる。
側面パージガス源１２３は、処理チャンバ１５０に結合することができ、必要に応じて基板４０２のエッジ部分１５１にパージガスを供給するように構成することができる。一実施形態では、これらのガスは、側面パージガス源１２３から基板４０２のエッジ部分１５１へ供給することができる。これらのガスは、水素ガス、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガス、これらの組合せなどとすることができる。さらに、底部パージガス源１２５もまた、チャンバ１５０に結合することができ、チャンバ１５０の底部から基板４０２の表面へパージガスを供給することができる。同様に、底部パージガス源１２５から供給されるパージガスは、水素ガス、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガス、これらの組合せなどを含むことができる。
シャワーヘッド１５６とリッド縁部１６６との間にリッド隔離体１７５が挿入される。リッド縁部１６６をチャンバ本体１２０から持ち上げて、保守アクセスのために処理チャンバ１５０を開くことができる。処理チャンバ１５０内の真空は、処理チャンバ１５０内のポンププレナム１７２に接続された真空ポンプ１７０によって維持される。ポンププレナム１７２は、環状のポンピングチャネル１７４に接続される。
処理チャンバ１５０内に、石英から作られた環状のチャンバライナ１７９が配置され、環状のポンピングチャネル１７４の側面を画定するが、処理領域１２６と環状のポンピングチャネル１７４との間に配置されたさらなるチョーク開孔１８１も部分的に画定する。環状のチャンバライナ１７９はまた、ヒータペデスタル１５２の降下位置で閉じ込めリング１１０を支持する。チャンバライナ１７９はまた、ヒータペデスタル１５２の裏面で円周を取り囲む。チャンバライナ１７９は、チャンバ本体１２０内の狭い棚部上に位置するが、他とほとんど接触しておらず、したがって熱の輸送を最小にする。チャンバライナ１７９の下には、不透明な石英から作られたＺ字状の下部チャンバシールド１２１が位置する。下部チャンバシールド１２１は、下部チャンバシールド１２１の底部上に形成された環状のボス１７７で、チャンバ本体１２０の底部上に位置する。この石英により、ヒータペデスタル１５２の底部とチャンバ本体１２０との間の放射結合が防止される。環状のボス１７７は、チャンバ本体１２０への伝導性の熱伝達を最小にする。代替実施形態では、下部チャンバシールド１２１は、円錐形の上部部分に接合された内方へ延びる底部リップを含み、底部リップは、チャンバ本体１２０の内壁と共形である。この代替設計は動作上満足のいくものであるが、傾斜した形状は、石英で製造するのにはるかに高価である。
一実施形態では、ガスポート１３２を通って処理チャンバ１５０に遠隔プラズマ源１４１を結合して、遠隔プラズマ源１４１からシャワーヘッド１５６内の複数の孔１０９を通って処理チャンバ１５０へ基板４０２の表面まで反応性プラズマを供給することができる。遠隔プラズマ源１４１は、任意の適した位置で処理チャンバ１５０に結合して、必要に応じて反応性遠隔プラズマ源を基板４０２の表面に供給することができることに留意されたい。遠隔プラズマ源１４１に供給して解離させることができ、基板４０２の表面へさらに送達することができる適したガスには、水素、アルゴン、ヘリウム、窒素、アンモニア、これらの組合せなどが含まれる。
図１では、チャンバ１５０に制御ユニット１８０を結合して、処理条件を制御することができる。制御ユニット１８０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１８２、支持回路１８４、およびメモリ１８６を備え、メモリ１８６は関連する制御ソフトウェア１８３を収容する。制御ユニット１８０は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために産業用の設定で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つとすることができる。ＣＰＵ１８２は、ランダムアクセスメモリ、読取り専用メモリ、フロッピーディスクドライブ、コンパクトディスクドライブ、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔のデジタルストレージなど、任意の適したメモリ１８６を使用することができる。ＣＰＵ１８２には、チャンバ１５０を支持するために、様々な支持回路を結合することができる。制御ユニット１８０は、個々のチャンバ構成要素に隣接して位置する別のコントローラに結合することができる。制御ユニット１８０とチャンバ１５０の様々な他の構成要素との間の双方向通信は、集合的に信号バスと呼ばれる多数の信号ケーブルを通じて取り扱われる。これらの信号バスの一部を、図１に示す。
図２は、本明細書に開示する金属層堆積プロセスを実行するように適合することができる例示的なマルチチャンバ処理システム２００の概略上面図であり、システム２００には、図１に関連して上述したチャンバ１５０などの処理チャンバ８０が組み込まれている。システム２００は、システム２００との間で基板９０を移送する１つまたは複数のロードロックチャンバ２０２および２０４を含むことができる。概して、システム２００は真空下で維持されており、ロードロックチャンバ２０２および２０４を「ポンプダウン」して、基板９０をシステム２００内へ導入することができる。第１のロボット２１０は、ロードロックチャンバ２０２および２０４と第１の１組の１つまたは複数の基板処理チャンバ２１２、２１４、２１６、および８０との間で基板９０を移送することができる。各処理チャンバ２１２、２１４、２１６、および８０は、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、ガス抜き、前洗浄、配向、アニール、および他の基板プロセスなどの基板堆積プロセスの少なくとも１つになるように構成される。さらに、処理チャンバ２１２、２１４、２１６、および８０の１つもまた、基板９０上で堆積プロセスまたは熱アニールプロセスを実行する前に前洗浄プロセスを実行するように構成することができる。他のチャンバ２１２、２１４、２１６に対する熱アニールプロセスを実行するために利用される処理チャンバ８０の位置は例示を目的とするものであり、所望する場合、処理チャンバ８０の位置は、処理チャンバ２１２、２１４、２１６のいずれか１つと任意選択で切り換えることができる。
第１のロボット２１０はまた、１つまたは複数の移送チャンバ２２２および２２４との間で基板９０を移送することができる。移送チャンバ２２２および２２４は、超高真空の条件を維持しながらシステム２００内で基板９０を移送することを可能にするために使用することができる。第２のロボット２３０は、移送チャンバ２２２および２２４と第２の１組の１つまたは複数の処理チャンバ２３２、２３４、２３６、および２３８との間で基板９０を移送することができる。処理チャンバ２１２、２１４、２１６、および８０と同様に、処理チャンバ２３２、２３４、２３６、および２３８は、たとえば周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、前洗浄、ガス抜き、および配向に加えて、本明細書に記載の乾式エッチングプロセスを含む様々な基板処理動作を実行するように装備することができる。システム２００によって実行される特定のプロセスにとって必要でない場合、基板処理チャンバ２１２、２１４、２１６、２３２、２３４、２３６、および２３８のいずれかをシステム２００から除去することもできる。処理チャンバ８０内で前洗浄、堆積、および／または熱アニールプロセスが実行された後、必要に応じて、基板をシステム２００の処理チャンバ２１２、２１４、２１６、２３２、２３４、２３６、および２３８のいずれかへさらに移送して、他のプロセスを実行することもできる。
図３は、半導体デバイス構造内で基板上に接触金属層を堆積させるために使用されるプロセスシーケンス３００の一実施形態の流れ図を示す。図３に記載のシーケンスは、以下で論じる図４Ａ〜４Ｅに示す製造段階に対応する。図４Ａ〜４Ｅは、処理シーケンス３００によって示すデバイス構造４０８上に接触金属層４２０を製造する異なる段階中の基板４０２の概略横断面図を示し、基板４０２上にデバイス構造４０８が形成されている。図３のシーケンスは、概して、ＣＶＤ、ＡＬＤ、またはＰＶＤによって堆積させたコバルト接触金属層を参照しながら提供される。
可能な集積方式には、それだけに限定されるものではないが、（ａ）ＰＶＤ Ｔｉ＋ＡＬＤ ＴｉＮ、（ｂ）ＰＶＤ Ｔｉ＋ＣＶＤ Ｃｏ、（ｃ）ＣＶＤ Ｃｏ、および（ｄ）ＣＶＤ Ｃｏ＋ＰＶＤ Ｃｏが含まれる。ＰＶＤ Ｔｉは、ソースまたはドレインにおいて、下にあるケイ素化合物との良好な電気接触を提供する。ＡＬＤ ＴｉＮは、必要な場合、コバルト膜のリフローを助けるために、コバルト膜の接着を改善する。ＣＶＤ Ｃｏは、ＣＶＤ膜を使用するコバルト充填を行い、またはＣＶＤに続いてリフローを行う。
プロセスシーケンス３００は、ブロック３１０で、図１に示す処理チャンバ１５０または他の適した処理チャンバ内に配置された基板４０２など、図４Ａに示す基板４０２などの基板を処理チャンバ内へ設けることによって始まる。図４Ａに示す基板４０２は、基板４０２上に形成された半導体デバイス構造４０８（たとえば、接触構造を形成するように構成されたゲート構造または他の構造など）を含む。この特定のデバイス構造４０８は、高いアスペクト比または他の異形の幾何形状を有する３次元（３Ｄ）フラッシュメモリの用途、ＤＲＡＭの用途、または他の適した用途に使用することができることに留意されたい。
基板４０２上にシリコン含有層４０４が形成され、シリコン含有層４０４内には、１０：１より大きい、たとえば約２０：１より大きいアスペクト比など、高いアスペクト比を有する開口４０６が形成される。開口４０６（接触開口、接触ビア、接触トレンチ、接触チャネルなどとすることができる）はデバイス構造４０８内に形成され、下にあるシリコン含有層４０４を露出させるための開いたチャネルを形成する側壁４１２および底部４１４を有する。シリコン含有層４０４は、単一のシリコン層、または少なくとも１つのシリコン含有層が中に形成された複数層の膜スタックなど、任意の適した層を含むことができる。シリコン含有層４０４が単層の形態である実施形態では、シリコン含有層４０４は、酸化ケイ素層、酸化物層、窒化ケイ素層、窒化物層、酸窒化ケイ素層、窒化チタン層、多結晶シリコン層、微結晶シリコン層、単結晶シリコン、ドープされた多結晶シリコン層、ドープされた微結晶シリコン層、またはドープされた単結晶シリコンとすることができる。
別の例では、シリコン含有層４０４は、複合酸化物および窒化物層、窒化物層を挟む少なくとも１つまたは複数の酸化物層、ならびにこれらの組合せを含む膜スタックとすることができる。シリコン含有層４０４内にドープされる適したドーパントは、ホウ素（Ｂ）含有ドーパントまたはホスフィン（Ｐ）含有ドーパントなどのｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントを含むことができる。シリコン含有層４０４が少なくとも１つのシリコン含有層を有する複数膜スタックの形態である一実施形態では、シリコン含有層４０４は、シリコン含有層および誘電体層を含む層の対を繰り返したものを含むことができる。一実施形態では、シリコン含有層４０４は、シリコン含有層４０４内に配置された多結晶シリコン層および／または他の金属材料および／または誘電体層を含むことができる。誘電体層の適した例は、中でも、酸化物層、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、窒化物層、窒化チタン層、酸化物および窒化物層の複合物、窒化物層を挟む少なくとも１つまたは複数の酸化物層、ならびにこれらの組合せからなる群から選択することができる。
ブロック３１０に記載の金属堆積処理チャンバ内へ基板４０２を移送する前に、前洗浄プロセスを任意選択で実行して、基板の表面４１１、開口４０６の側壁４１２、および底部４１４を処理し、固有の酸化物または他の汚染物質源を除去する。固有の酸化物または他の汚染物質源を基板４０２から除去することで、低接触抵抗の表面を提供し、接触金属層を形成するための良好な接触表面を形成することができる。
実行される前洗浄プロセスは、前洗浄混合ガスを前洗浄チャンバ内へ供給することを含む。前洗浄チャンバは、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＰｒｅｃｌｅａｎ ＰＣＩＩ、ＰＣＸＴ、またはＳｉｃｏｎｉ（商標）というチャンバとすることができる。前洗浄チャンバは、例示的なマルチチャンバ処理システム２００内に組み込むことができ、必要に応じてシステム２００の処理チャンバ２１２、２１４、２１６、２３２、２３４、２３６、２３８の１つになるように構成することができる。他の製造業者から入手可能な他の前洗浄チャンバを利用して、本明細書に記載の実施形態を実行することもできることに留意されたい。
前洗浄プロセスは、システム２００内に組み込まれている前洗浄処理チャンバ内へ洗浄混合ガスを供給し、この前洗浄混合ガスからプラズマを形成して固有の酸化物を除去することによって実行される。一実施形態では、固有の酸化物を除去するために使用される前洗浄混合ガスは、アンモニア（ＮＨ3）および三フッ化窒素（ＮＦ3）の混合ガスである。処理チャンバ内へ導入される各ガスの量は、たとえば、除去すべき固有の酸化物層の厚さ、洗浄される基板の幾何形状、プラズマの容積、チャンバ本体の容積、ならびにチャンバ本体に結合された真空システムの能力に対応するように変動および調整することができる。
１つまたは複数の実施形態では、前洗浄混合ガスを提供するために追加されるガスは、アンモニア（ＮＨ3）対三フッ化窒素（ＮＦ3）のモル比が少なくとも１：１である。１つまたは複数の実施形態では、前洗浄混合ガスのモル比は、少なくとも約３：１（アンモニア対三フッ化窒素）である。これらのガスは、約５：１（アンモニア対三フッ化窒素）〜約３０：１のモル比で導入される。さらに別の実施形態では、混合ガスのモル比は、約５：１（アンモニア対三フッ化窒素）〜約１０：１である。前洗浄混合ガスのモル比はまた、約１０：１（アンモニア対三フッ化窒素）〜約２０：１とすることができる。
また、前洗浄混合ガスにパージガスまたはキャリアガスを追加することもできる。アルゴン、ヘリウム、水素、窒素、またはこれらの混合物など、任意の適したパージ／キャリアガスを使用することができる。全体的な前洗浄混合ガスは、アンモニアおよび三フッ化窒素の約０．０５体積％〜約２０体積％である。前洗浄混合ガスの残りは、パージ／キャリアガスとすることができる。
前洗浄チャンバ内の動作圧力は、変動させることができる。圧力は、約１トル〜約１０トルで維持することができる。洗浄混合ガス内でプラズマを維持するために、ＲＦソース電力を印加することができる。たとえば、前洗浄処理チャンバ内でプラズマを維持するために、約１５ワット〜約１００ワットの電力を印加することができる。電力が印加される周波数は、約３５０ｋＨｚである。この周波数は、約５０ｋＨｚ〜約３５０ｋＨｚの範囲とすることができる。プラズマエネルギーは、アンモニアガスおよび三フッ化窒素ガスを解離して反応性の化学種、たとえばフッ素ラジカルおよび／または水素ラジカルにし、これらを組み合わせて、気相の高反応性のフッ化アンモニア（ＮＨ4Ｆ）化合物および／またはフッ化水素アンモニウム（ＮＨ4Ｆ・ＨＦ）を形成する。次いでこれらの分子は、プラズマの場所から洗浄すべき基板の表面へ送達される。基板への反応性の化学種の送達を容易にするために、パージ／キャリアガスを使用することができる。一実施形態では、前洗浄プロセス後、チタン層を堆積させることができる。チタン層は、ビアと下にある基板とのインターフェースであらゆる残りの酸素を集めるように動作し、それによって下にある基板との改善された電気接触を提供する。
ブロック３２０で、ブロック３１０で金属堆積処理チャンバ１５０内に基板４０２を設けた後であるが基板４０２上に接触金属層を堆積する前に、図４Ｂに示すように、前処理プロセスを実行して基板表面４１１を前処理し、したがってシリコン含有層４０４内で表面４１１、開口４０６の側壁４１２、および底部４１４上に処理済みの表面領域４１０を形成することができる。特定の実施形態では、基板表面４１１は、基板４０２上で事前に実行された任意選択の前洗浄プロセスから残っている基板表面上に、Ｓｉ−Ｆ、Ｎ−Ｆ、Ｈ−Ｆ、およびＳｉ−Ｎの幾分弱いまたは残留のダングリングボンディング構造を有することがある。ダングリングボンドは、後の接触金属堆積プロセスで基板表面上に堆積させた金属原子の吸収または接着を望ましくない形で不利に妨げることがある。したがって、ブロック３２０の前処理プロセスを実行して、シリコン含有層４０４の表面４１１の表面ボンディング構造を効率的に変え、それによって後の接触金属堆積プロセスから提供される金属原子の接着を強化するための良好な吸収能力を有する表面を提供することができる。前処理プロセスは、Ｓｉ−Ｆ、Ｈ−Ｆ、Ｎ−Ｆ、およびＳｉ−Ｎのボンディング構造をＳｉ−ＨまたはＳｉ−Ｓｉのボンディングに効率的に変換または除去することができ、それによって金属原子の接着を助けて層を形成することができると考えられる。
一実施形態では、接触金属堆積プロセス前に前処理混合ガスを金属堆積処理チャンバ１５０内へ供給して、基板４０２の表面特性を変えることができる。一実施形態では、前処理混合ガスは、少なくともＨ2、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2などの水素含有ガスを含むことができる。また、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒなどの不活性ガスを前処理混合ガス内へ供給することもできる。さらに、Ｎ2、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2などの窒素含有ガスを前処理混合ガス内へ供給することもできる。例示的な実施形態では、基板表面４１１を前処理するために供給される前処理混合ガスは、Ｈ2ガスなどの水素含有ガスと、Ａｒガスなどの不活性ガスとを含む。別の例示的な実施形態では、基板表面４１１を前処理するために供給される前処理混合ガスは、Ｈ2ガスなどの水素含有ガスと、Ａｒガスなどの不活性ガスと、ＮＨ3ガスなどの窒素含有ガスとを含む。
前処理混合ガスは、金属堆積処理チャンバ１５０に結合された遠隔プラズマ源１４１などの遠隔プラズマ源から供給することができ、前処理混合ガスプラズマを処理チャンバ１５０から基板表面４１１へ遠隔で供給することができる。別法として、前処理混合ガスは、処理チャンバ１５０内に設置された任意の他の適した供給源から基板表面４１１へ供給することができる。
ブロック３２０の前処理プロセス中、いくつかのプロセスパラメータを調節して、前処理プロセスを制御することができる。１つの例示的な実施形態では、金属堆積処理チャンバ１５０内のプロセス圧力は、約５００ミリトル〜約１０００ミリトルなど、約５０ミリトル〜約５０００ミリトル、たとえば約７００ミリトルで調節される。前処理混合ガス内でプラズマを維持するために、ＲＦソース電力を印加することができる。たとえば、処理チャンバ１５０の内側でプラズマを維持するために、約１０００ワット〜約６０００ワットの電力を印加することができる。前処理混合ガス内で供給される水素含有ガスは、約４００ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍの速度で処理チャンバ１５０内へ流すことができ、前処理混合ガス内で供給される不活性ガスは、約２００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの速度で流すことができる。前処理混合ガス内で供給される窒素含有ガスは、約１００ｓｃｃｍ〜約３０００ｓｃｃｍの速度で流すことができる。基板４０２の温度は、摂氏約１２５度〜摂氏約２５０度で維持される。一実施形態では、基板４０２は、ガスの動作温度、圧力、および流量に応じて、約１０秒〜約２分にわたって前処理プロセスにかけられる。たとえば、基板４０２は、約３０秒〜約６０秒にわたって露出させることができる。例示的な実施形態では、基板は、約４０秒以下にわたって露出される。
任意選択で、ブロック３３０で、図４Ｃに示すように、バリア層堆積プロセスを実行して、基板上にバリア層４１６を堆積させることができる。バリア層４１６は、概して、基板上の接合材料、典型的にはシリコンまたはシリコンゲルマニウム化合物への接触金属層の拡散を防止する。バリア層は、概して、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、これらの合金、またはこれらの組合せなどの金属または窒化金属材料を含有する。バリア層４１６はまた、プラズマ窒化（Ｎ2またはＮＨ3）ＴｉおよびＰＶＤコバルトを含むことができる。バリア層４１６が窒化Ｔｉ層を含む場合、上部数オングストロームのチタンだけがＴｉＮ化合物に変換される。酸化されたＴｉおよびＴｉＮバリア層と、酸化されていないＴｉおよびＴｉＮバリア層はどちらも、改善された拡散抵抗を提供することが分かっている。バリア層４１６は、約２Å〜約１００Åの範囲内、より狭くは約３Å〜約８０Åの範囲内、より狭くは約４Å〜約５０Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約２５Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約２０Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約１５Åの範囲内、およびより狭くは約５Å〜約１０Åの範囲内の厚さを有することができる。バリア層は、概して、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマＡＬＤ（ＰＥ−ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスによって堆積される。
バリア層４１６は、以下で詳細に説明する湿潤層に類似している。上記のように、バリア層４１６は、概して、基板上の接合材料への接触金属層の拡散を防止する。湿潤層は、概して、接触金属層、いくつかの実施形態ではコバルトの接着を強化し、それによって接触金属層上で実行されるアニールプロセス中にフィーチャ内で望ましくないボイドの形成を低減させる。
ブロック３４０で、基板表面上でブロック３２０の前処理プロセスを実行して処理済みの表面領域４１０を形成した後、またはブロック３３０でバリア層４１６の堆積後、図４Ｄに示すように、処理チャンバ１５０内でＣＶＤ接触金属堆積プロセスを実行して、接触金属層４２０を堆積させることができる。接触金属層４２０は、図５に記載の周期的堆積プロセスを使用して堆積させることができる。接触金属層４２０は、開口４０６を充填する。接触金属層４２０の適した例には、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、これらの合金、またはこれらのいずれかの組合せが含まれる。本明細書に記載の１つの特定の実施形態では、基板４０２上に堆積させた接触金属層４２０は、コバルト（Ｃｏ）層である。
接触金属層４２０は、周期的金属堆積プロセスを実行して接触金属層４２０を堆積させ、それに続いて接触金属層４２０をアニールする複数のサイクルを含む多段階堆積プロセスを使用して堆積させることができる。特定の実施形態では、接触金属層４２０の厚さは、充填される最も小さいフィーチャのフィーチャ直径（限界寸法）の５０％未満とするべきである。たとえば、周期的金属堆積プロセスを実行して、フィーチャ直径の２分の１未満までフィーチャを部分的に充填し、それに続いてアニールプロセスを行う。次いで、周期的堆積プロセスに続いてアニールを行うことを繰り返して、接触金属層４２０が所定の厚さを実現するまで堆積させるはずである。代替実施形態では、単一の非周期的堆積プロセスで、接触金属層４２０を堆積させてフィーチャを完全に充填することができる。この実施形態では、次いで接触金属層４２０はアニールされる。非周期的な接触金属層４２０の堆積プロセス、および後のアニールプロセスにより、完了するのに必要とされる時間がより短くなるため、スループットが増大する。
図５は、本発明の一実施形態による半導体デバイス内に接触金属層４２０などの接触金属層を形成するブロック３４０に示す周期的堆積プロセスに対する流れ図を示す。一実施形態では、プロセスは、基板を堆積ガスに露出させて接触金属層の一部分を形成するステップ（ブロック５１０）と、任意選択で堆積チャンバをパージするステップ（ブロック５２０）と、基板をプラズマ処理プロセスに露出させるステップ（ブロック５３０）と、任意選択で堆積チャンバをパージするステップ（ブロック５４０）と、所定の厚さのコバルト接触金属層が実現されたかどうかを判定するステップ（ブロック５５０）とを含む。一実施形態では、所定の厚さを有するコバルト接触金属層が形成されなかった場合、ブロック５１０〜５５０のサイクルを繰り返すことができる。また、所定の厚さを有する接触金属層が形成された後、プロセスを停止させることができる。
接触金属堆積プロセス中、接触金属層４２０は、熱ＣＶＤプロセス、パルスＣＶＤプロセス、ＰＥ−ＣＶＤプロセス、パルスＰＥ−ＣＶＤプロセス、または熱ＡＬＤプロセス中に、コバルト前駆体またはニッケル前駆体を含む堆積前駆体混合ガスを、水素ガス（Ｈ2）またはＮＨ3ガスなどの還元混合ガス（試薬）と同時に、還元混合ガスに連続して、または別法として還元混合ガスなしで、金属堆積処理チャンバ１５０内へ導入することによって形成または堆積させることができる。さらに、堆積前駆体混合ガスはまた、処理のために同時に処理チャンバ内へ供給されるパージ混合ガスを含むことができる。別の実施形態では、接触金属層４２０は、熱ＡＬＤプロセスまたはパルスＰＥ−ＣＶＤプロセス中に、コバルト前駆体などの堆積前駆体混合ガスのパルスおよび水素ガス（Ｈ2）またはＮＨ3ガスなどの還元混合ガスのパルスを、金属堆積処理チャンバ１５０内へ連続して繰返し導入することによって形成または堆積させることができる。別の実施形態では、接触金属層４２０は、熱ＡＬＤプロセスまたはパルスＰＥ−ＣＶＤプロセス中に、水素ガス（Ｈ2）またはＮＨ3ガスなどの還元混合ガスを連続して流しながら、コバルト前駆体などの堆積前駆体混合ガスのパルスおよび還元混合ガスのパルスを金属堆積処理チャンバ１５０内へ繰返し導入することによって形成または堆積させることができる。別の実施形態では、接触金属層４２０は、ＰＥ−ＣＶＤプロセス中に、水素ガス（Ｈ2）またはＮＨ3ガスなどの還元混合ガスおよびコバルト前駆体などの堆積前駆体混合ガスをプラズマ条件下で連続して流すことによって形成または堆積させることができる。別の実施形態では、接触金属層４２０は、ＰＥ−ＣＶＤプロセス中に、水素ガス（Ｈ2）またはＮＨ3ガスなどの還元混合ガスをプラズマ条件下で連続して流し、コバルト前駆体などの堆積前駆体混合ガスを周期的にパルシングすることによって形成または堆積させることができる。
本明細書に記載のＣＶＤまたはＡＬＤプロセスによってコバルト含有材料（たとえば、金属コバルトまたはコバルト合金）を形成するのに適したコバルト前駆体には、コバルトカルボニル錯体、コバルトアミジナート化合物、コバルトセン化合物、コバルトジエニル錯体、コバルトニトロシル錯体、これらの誘導体、これらの錯体、これらのプラズマ、またはこれらの組合せが含まれる。いくつかの実施形態では、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第７，２６４，８４６号、および２００３年５月２２日に出願され、米国特許出願公開第２００５−０２２０９９８号として公開された米国特許出願第１０／４４３，６４８号にさらに記載されているＣＶＤおよびＡＬＤプロセスによって、コバルト材料を堆積させることができる。両文献を、全体として参照により本明細書に組み込む。
適したコバルト前駆体は、それだけに限定されるものではないが、コバルトカルボニル錯体、コバルトアミジナート化合物、コバルトセン化合物、コバルトジエニル錯体、コバルトニトロシル錯体、コバルトジアザジエニル（ｄｉａｚａｄｉｅｎｙｌ）錯体、水素化コバルト錯体、これらの誘導体、これらの錯体、これらのプラズマ、またはこれらの組合せを含むことができる。一実施形態では、本明細書で使用することができるコバルト前駆体の例には、ジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ、（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＨＣ≡ＣtＢｕ））、ジコバルトヘキサカルボニルメチルブチルアセチレン（（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＭｅＣ≡ＣtＢｕ））、ジコバルトヘキサカルボニルフェニルアセチレン（（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＨＣ≡ＣＰｈ））、ヘキサカルボニルメチルフェニルアセチレン（（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＭｅＣ≡ＣＰｈ））、ジコバルトヘキサカルボニルメチルアセチレン（（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＨＣ≡ＣＭｅ））、ジコバルトヘキサカルボニルジメチルアセチレン（（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＭｅＣ≡ＣＭｅ））、コバルトアミニデート（ａｍｉｎｉｄａｔｅ）（Ｃ20Ｈ42ＣｏＮ）、コバルトヘキサフルオロアセチルアセトン（Ｃｏ（Ｃ5ＨＦ6Ｏ2）2・ｘＨ2Ｏ）、コバルトアセチルアセトネート（（ＣＨ3ＣＯＣ＝ＣＯＣＨ3）3Ｃｏ）、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトン（（ＣＨ3ＣＯＣ＝ＣＯＣＨ3）2Ｃｏ）、酢酸コバルト（（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｏ）、これらの誘導体、これらの錯体、これらのプラズマ、またはこれらの組合せが含まれる。他の例示的なコバルトカルボニル錯体には、シクロペンタジエニルコバルトビス（カルボニル）（ＣｐＣｏ（ＣＯ）2）、トリカルボニルアリルコバルト（（ＣＯ）3Ｃｏ（ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2））、コバルトトリカルボニルニトロシル（Ｃｏ（ＣＯ）3ＮＯ）、これらの誘導体、これらの錯体、これらのプラズマ、またはこれらの組合せが含まれる。本明細書で使用されるコバルト前駆体の１つの特定の例は、ジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ、（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＨＣ≡ＣtＢｕ））である。ジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ、（ＣＯ）6Ｃｏ2（ＨＣ≡ＣtＢｕ））前駆体は、Ａｒガスなどのキャリアガスとともに金属堆積処理チャンバ１５０内へ供給することができることに留意されたい。
本明細書に記載の堆積プロセス中にコバルト材料を形成するためにコバルト前駆体とともに使用される代替の試薬（すなわち、還元剤）の例は、水素（たとえば、Ｈ2もしくは原子Ｈ）、窒素（たとえば、Ｎ2もしくは原子Ｎ）、アンモニア（ＮＨ3）、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）、水素およびアンモニアの混合物（Ｈ2／ＮＨ3）、ボラン（ＢＨ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、トリエチルボラン（Ｅｔ3Ｂ）、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）、メチルシラン（ＳｉＣＨ6）、ジメチルシラン（ＳｉＣ2Ｈ8）、ホスフィン（ＰＨ3）、これらの誘導体、これらのプラズマ、またはこれらの組合せを含むことができる。１つの特定の例では、本明細書で使用される試薬または還元剤はアンモニア（ＮＨ3）である。
ブロック３４０の周期的堆積プロセス中、堆積前駆体混合ガスの各パルスとプラズマ前処理プロセスとの間に、各堆積前駆体パルスまたは選択された堆積前駆体パルス間で、処理チャンバ１５０の側面／エッジおよび／または底部から基板４０２のエッジ部分１５１へパージ混合ガスを供給することができる。処理チャンバ１５０内に配置された側面パージガス源１２３および／または底部パージガス源１２５からパージ混合ガスを供給し、そのパージ混合ガスを基板４０２の表面のエッジ／周辺部へ供給することができる。本明細書に記載の基板４０２のエッジ／周辺部領域は、３００ｍｍの基板に対して、基板のエッジ／斜面から約１ｍｍ〜約５ｍｍ、または基板の中心点／中心線（たとえば、基板の中心点を通る直径）から約１４５ｍｍ〜約１４９ｍｍの基板４０２のエッジ領域を指すことができることに留意されたい。ブロック５３０のプラズマ処理プロセス中のガス流はまた、プロセスチャンバをパージする働きもすることができることも理解されよう。
一実施形態では、接触金属堆積プロセスで供給されるパージ混合ガスは、少なくとも水素含有ガスおよび不活性ガスを含むことができる。パージ混合ガスは、堆積プロセス中、必要に応じて堆積前駆体混合ガスとともに供給することができることに留意されたい。水素含有ガスの適した例は、Ｈ2、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2などを含むことができる。不活性ガスの適した例には、Ａｒ、Ｈｅ、またはＫｒが含まれる。１つの特定の実施形態では、金属堆積プロセス中に供給されるパージ混合ガスは、Ｈ2およびＡｒガスを含むことができる。
堆積プロセスの一実施形態では、堆積前駆体混合ガスのパルスが、還元ガスとともに、また任意選択でパージ／キャリア混合ガスとともに、堆積チャンバ１５０へ供給される。本明細書で、パルスという用語は、プロセスチャンバ内へ射出される１回分の材料を指す。堆積前駆体混合ガスのパルスは、所定の時間間隔にわたって継続する。堆積前駆体混合ガスの各パルスとプラズマ処理プロセスとの間で、堆積前駆体混合ガスの各パルスまたは複数のパルスの間に、パージ混合ガスを処理チャンバ内へパルシングして、基板４０２の表面によって反応／吸収されない不純物または残留の前駆体混合ガス（たとえば、コバルト前駆体からの反応されない炭素含有不純物など）を除去することができ、したがってこれらを処理チャンバからポンプで汲み出すことができる。
堆積前駆体混合ガスのパルスに対する時間間隔は、膜の厚さ要件、プロセスチャンバの体積、スループットの問題、ガスの流量などの複数の要因に応じて可変である。一実施形態では、プロセス条件は、少なくとも単層のコバルト金属前駆体が基板４０２上に吸着されるのに十分な量の前駆体を堆積前駆体混合ガスのパルスが提供するように選択されることが有利である。その後、チャンバ内に残っている余分のコバルト金属前駆体を、パージ混合ガスによって処理チャンバから除去してポンプで汲み出すことができる。
いくつかの実施形態では、単一のパルス内で還元混合ガスを堆積前駆体混合ガスと同時に供給して、接触金属層４１６を形成することができる。本明細書に示す一実施形態では、還元ガスのパルスは、堆積前駆体混合ガスの第１〜第５のパルスなど、最初の数パルス後、堆積前駆体混合ガスとともに流すことができる。
動作の際には、ブロック５１０で、堆積前駆体混合ガスの第１のパルスを処理チャンバ１５０内へパルシングして、コバルト接触金属層４２０の一部分を基板上に堆積させる。処理チャンバ１５０に入る堆積前駆体混合ガスの各パルスは、約５Å〜約１００Åの厚さを有するコバルト層を堆積させることができる。堆積前駆体混合ガスのパルシング中、いくつかのプロセスパラメータも調節される。一実施形態では、プロセス圧力は、約７トル〜約３０トルで制御される。処理温度は、摂氏約１２５度〜摂氏約２５０度である。プラズマプロセスの場合、ＲＦ電力は、約１００ワット〜約１２００ワットで制御することができる。堆積前駆体混合ガス内に供給されるコバルトガス前駆体は、約１ｓｃｃｍ〜約１０ｓｃｃｍで制御することができる。Ｈ2ガスなどの還元ガスは、約３０００ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍなど、約１００ｓｃｃｍ〜約１０，０００ｓｃｃｍで供給することができる。基板エッジ／基板底部から供給されるＨ2ガスは、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで制御することができる。アルゴンガスは、基板エッジ／基板底部から約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで供給することができる。
任意選択で、ブロック５１０後、プロセスチャンバをパージすることができる。堆積前駆体混合ガスのパルシング後、次いでパージ混合ガスを処理チャンバ内へ供給して、残留物および不純物を処理チャンバからパージ除去する。パージ混合ガスのパルシング中、プロセス圧力を約１秒〜約５秒などの比較的短い時間間隔で２トル未満などの特定の低いレベル、たとえば０．５トル未満までポンプで下げて、残留物および不純物を処理チャンバから急速にポンプで汲み出すのを助けることができる。パージ混合ガスのパルシング中、いくつかのプロセスパラメータも調節される。一実施形態では、プロセス圧力は、０．１トル〜約１トルなど、約０．１トル〜約２トル、たとえば約０．１トル〜約０．６トルで制御される。処理温度は、摂氏約１２５度〜摂氏約２５０度である。ＲＦ電力は、約１００ワット〜約８００ワットで制御することができる。パージ混合ガス内に供給されるＨ2ガスは、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで制御することができる。Ａｒガスは、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで供給することができる。
ブロック５１０で基板４０２を堆積ガスに露出させ、またはブロック５２０で堆積チャンバをパージした後、基板４０２はプラズマ処理プロセスに露出される。このプラズマ処理プロセスにより、表面粗さが低減され、コバルト接触金属層４２０の堆積させたままの部分の抵抗が改善される。例示的なプラズマ形成ガスには、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、およびこれらの組合せが含まれる。プラズマ処理プロセス中、いくつかのプロセスパラメータも調節される。一実施形態では、プロセス圧力は、約７トル〜約３０トルで制御される。処理温度は、摂氏約１２５度〜摂氏約２５０度である。ＲＦ電力は、約１００ワット〜約８００ワット、たとえば約４００ワットで制御することができる。Ｈ2ガスなどのプラズマ形成ガスは、約３０００ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍ、たとえば約４０００ｓｃｃｍで供給することができる。基板エッジ／基板底部から供給されるＨ2ガスは、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで制御することができる。Ａｒガスは、基板エッジ／基板底部から約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで供給することができる。
堆積中または堆積後のプラズマ処理は、堆積させたままの膜の表面粗さを低減させるのに役立ち、堆積させたままの膜内の炭素不純物を低減させるのに役立つことを示した。したがって、１４ｎｍ以下のトランジスタ技術ノードに予期される特に狭い（１５ｎｍ未満の限界寸法および５を上回るアスペクト比）ビアおよびトレンチ構造内のＨラジカルの持続時間は、シームレスでボイドのないコバルト間隙充填を可能にするために重要なパラメータである。ＣＶＤプロセス中のチャンバ内のＨラジカルの持続時間は、誘導結合されたプラズマ源、マイクロ波プラズマ源、または電子ビームプラズマ源を使用するプラズマ処理中、中でもＨｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの不活性ガスを流すことによって改善することができる。プラズマ源は、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．または他の販売業者から入手可能である。
ブロック５３０で基板をプラズマ処理プロセスに露出させた後、ブロック５４０で、堆積チャンバを任意選択でパージすることができる。ブロック５４０の任意選択のパージは、ブロック５２０に記載のパージプロセスと同様に実行することができる。
ブロック５５０で、所定の厚さの接触金属層４２０が実現されなかった場合、基板を堆積前駆体混合ガスに露出させることから始まり、それに続いてプラズマ前処理プロセスを行う追加のサイクルを、接触金属層４２０の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスはブロック３５０へ進み、熱アニールプロセスが実行される。
たとえば、接触金属層の全体的な厚さが１０ｎｍであり、接触層のこの部分が２ｎｍ／サイクルで堆積される場合、（２ｎｍの堆積に続いてプラズマ処理を行う）を５サイクル行う必要がある。
ブロック３５０で、基板４０２上の熱アニールチャンバ内で熱アニールプロセスを実行して、接触金属層４２０の特性を改善する。熱アニールチャンバは、必要に応じて、システム２００の処理チャンバ２１２、２１４、２１６、２３２、２３４、２３６、２３８の１つとすることができる。一実施形態では、ブロック３５０で実行される熱アニールプロセスは、摂氏約２００度〜摂氏約５００度など、摂氏約２００度〜摂氏約１４００度の温度範囲を有することができる。熱アニールプロセス中、少なくとも水素含有ガスおよび／または不活性ガス（たとえば、アルゴン）を含む混合ガスがアニールチャンバ内へ供給される。混合ガスは、アニールプロセス前にチャンバがガスで充填される静的プロセス、またはアニールプロセス中に混合ガスがアニールチャンバを通って連続して流される連続流プロセスを使用して、アニールチャンバに供給することができる。
一実施形態では、３５０の熱アニールプロセスは、水素含有ガス、不活性ガス、および窒素含有ガスの少なくとも１つを含む混合ガスをアニールチャンバ内へ約１００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で供給し、約０．５トル〜約１５トル、たとえば約５トル〜約８トルのチャンバ圧力を制御し、摂氏約１５０度〜摂氏約５００度、たとえば摂氏約３００度〜摂氏約４７５度の温度範囲を維持し、熱アニールプロセスを実行しながら、任意選択で約３０秒〜約６００秒にわたって基板を回転させることによって実行することができる。熱アニールチャンバ内に供給される混合ガスに適したガスの例は、必要に応じて、水素ガス、窒素含有ガス、不活性ガス（たとえば、アルゴン）、または他のガスを含むことができる。一実施形態では、シリサイド化プロセスを実行するために処理チャンバ内へ供給される混合ガスには、約１：３など、約１：１０〜約１：１の流れ比で供給される水素ガス（Ｈ2）が含まれる。
ブロック３５０を実行することができる適した熱処理チャンバの一例は、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なデュアルモードのガス抜き（ＤＭＤ）チャンバである。適した熱処理チャンバの他の例は、Ｖａｎｔａｇｅ（登録商標）のＶｕｌｃａｎ（商標）というＲＴＰチャンバおよびＶａｎｔａｇｅ（登録商標）のＡｓｔｒａ（商標）というＤＳＡチャンバである。アニールプロセスは、必ずしも接触金属層４２０の堆積チャンバに組み込まれるとは限らないことに留意されたい。ＲＴＰおよびＤＳＡアニールの使用により、温度の均一性および急速な温度変化のさらなる制御を提供することができる。他の製造業者から入手可能な他の熱アニールチャンバを利用して本発明を実行することもできることに留意されたい。
熱アニールプロセスが完了した後、ブロック３６０で、所定の厚さの接触金属層４２０が実現されなかった場合、ブロック３４０で周期的金属堆積を実行して接触金属層を堆積させることから始まり、それに続いてブロック３５０で接触金属層上でアニールプロセスを実行する追加のサイクルを、接触金属層４２０の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスは完了し、追加の処理ステップを実行することができる。
したがって、前述の実施形態によれば、接触金属層を接触構造内に堆積させる方法が提供される。これらの方法は、堆積させたままの接触金属層をアニールすることによって、コンタクト孔をシームレスの接触金属層で充填するステップを含む。ＣＶＤコバルト膜をアニールする結果、ボトムアップ式のシームレスの間隙充填が行われる。特定の実施形態では、コバルトのリフローのために湿潤層が必要とされない。接触金属層（たとえば、ＣＶＤコバルト層）の厚さは、フィーチャ直径（限界寸法）の５０％未満とすることができる。薄いコバルト膜の堆積と短時間のアニールの組合せを利用する周期的プロセスが使用される。短時間のアニール中の雰囲気により、シームレスのコバルト充填を実現するのに必要なアニール温度が低下する。ブランケットウエハの調査により、アニール処理後にコバルト膜の抵抗が５０％低減されることが実証されている。アニールステップ中のアニール時間、温度、大気（使用されるガスの種類）、静的ガス圧力、またはガス流の変動を使用して、粗さを低減させ、接触金属層の抵抗を改善することができる。コバルトの抵抗および粗さを低減させるには、短いアニール時間（たとえば、１分）で十分である。アニール中のガス流により、コバルト膜の抵抗がさらに改善される。アニール大気には、アルゴンおよび水素ガスまたは両方の組合せを使用することができる。ＣＶＤコバルトの代わりに、ＰＶＤコバルトを利用することもできる。ＣＶＤとＰＶＤの組合せは、ＣＶＤコバルトがＰＶＤコバルトリフローに対する湿潤層として作用する場合に利用することもできる。
図６は、本発明の一実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する流れ図を示す。図６に記載のシーケンスは、以下で論じる図７Ａ〜７Ｅに示す製造段階に対応する。図７Ａ〜７Ｅは、処理シーケンス６００によって示すデバイス構造４０８上に接触金属層４２０を製造する異なる段階中の基板４０２の概略横断面図を示し、基板４０２上にデバイス構造４０８が形成されている。図６のシーケンスは、概して、ＣＶＤ、ＡＬＤ、またはＰＶＤによって堆積させたコバルト接触金属層を参照しながら提供される。
プロセス６００の特定の態様は、図３を参照しながら説明したプロセス３００に類似しており、話を簡潔にするため、以下では繰り返さない。一実施形態では、ブロック６１０および６２０は、上記の図３に示すブロック３１０および３２０に類似している。ブロック６１０および６２０は、それぞれ図７Ａおよび図７Ｂに示す製造段階に対応する。図７Ａおよび図７Ｂの詳細な議論は、図４Ａおよび図４Ｂを参照すると見つけることができる。しかし、前処理プロセスを基板上で実行することは、ブロック６２０では任意選択とすることができる。
ブロック６３０は、図７Ｃに示すように、バリア層堆積を実行してバリア層４１６を基板４０２上に堆積させるステップを提供する。バリア層は、概して、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、これらの合金、またはこれらの組合せなどの金属または窒化金属材料を含有する。バリア層４１６はまた、プラズマ窒化（Ｎ2またはＮＨ3）ＴｉおよびＰＶＤコバルトを含むことができる。バリア層４１６が窒化Ｔｉ層を含む場合、上部数オングストロームのチタンだけがＴｉＮ化合物に変換される。酸化されていないＴｉおよびＴｉＮバリア層は、改善された拡散抵抗を提供することが分かっている。バリア層４１６は、約２Å〜約１００Åの範囲内、より狭くは約３Å〜約８０Åの範囲内、より狭くは約４Å〜約５０Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約２５Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約２０Åの範囲内、より狭くは約５Å〜約１５Åの範囲内、およびより狭くは約５Å〜約１０Åの範囲内の厚さを有することができる。バリア層は、概して、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマＡＬＤ（ＰＥ−ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスによって堆積される。
一実施形態では、バリア層堆積を実行することは、Ｔｉ含有前駆体を提供するステップを含むＡＬＤプロセスを含み、Ｔｉ含有前駆体は、不活性ガスなどのキャリアガスの存在下でチャンバへ提供することができる。別の実施形態では、Ｔｉ含有前駆体を窒素含有前駆体とともに提供して、ＴｉＮを含むバリア層を形成することができる。Ｔｉ含有前駆体および窒素含有前駆体は、不活性ガスなどのキャリアガスの存在下で提供することができる。別の実施形態では、堆積させたＴｉ層上で窒化プロセスを実行して、ＴｉＮバリア層を形成することができる。別の実施形態では、Ｔｉバリア層は、ＰＶＤ Ｔｉプロセスによって堆積される。
ブロック６３５で、図７Ｄに示すように、湿潤層堆積を実行して基板４０２上に湿潤層７１８を堆積させるステップを提供する。湿潤層７１８は、バリア層４１６の上に堆積される。湿潤層は、概して、ＰＶＤ Ｃｏ、ＣＶＤ ＴｉＮ、ＰＶＤ ＴｉＮ、ＣＶＤ Ｒｕ、ＰＶＤ Ｒｕ、ＰＶＤ Ｔｉの窒化、またはこれらの組合せから選択されるプロセスによって堆積される。ＣＶＤプロセスを使用して湿潤層７１８を堆積させる実施形態では、所望の前駆体ガスがチャンバに提供され、さらにキャリアガスの存在下で提供することができる。ＰＶＤプロセスを使用して湿潤層７１８を堆積させる実施形態では、堆積させるべき所望の材料を含むターゲットを提供し、ＰＶＤプロセスを実行してＰＶＤ湿潤層を堆積させる。一実施形態では、湿潤層はＰＶＤ ＴｉＮを含む。この実施形態では、Ｔｉターゲットが提供され、イオンで衝撃を与えてＴｉをスパッタリングし、バリア層４１６の上に湿潤層７１８を堆積させる。プラズマの存在下でＮＨ3などの窒素含有前駆体を使用する窒化プロセスをＰＶＤ Ｔｉ層上で実行し、ＴｉＮ湿潤層７１８を形成する。この実施形態では、湿潤層７１８は窒化Ｔｉ層を含み、上部数オングストロームのチタンだけがＴｉＮ化合物に変換される。別の実施形態では、湿潤層はＰＶＤ Ｃｏである。この実施形態では、Ｃｏターゲットが提供され、イオンで衝撃を与えてＣｏをスパッタリングし、バリア層４１６の上に湿潤層７１８を堆積させる。ＰＶＤ Ｃｏを使用する実施形態では、ＲＦ電力が約５５００Ｗなど、約５０００Ｗ〜約６０００Ｗの周波数で提供される。ＰＶＤ Ｃｏプロセスの電力は、約５００Ｗなど、約４００Ｗ〜約６００Ｗで提供され、ＰＶＤＣｏプロセスを実行している間のチャンバの圧力は、約１００ｍＴなど、約５０ｍＴ〜約１５０ｍＴである。
ＴｉまたはＴｉＮの湿潤層は、後のＣＶＤ Ｃｏ堆積プロセスと同じチャンバ（高真空下）内で堆積させることができることが分かるはずである。代替の実施形態では、アニール中のＣＶＤ Ｃｏ膜の凝集は、ＣＶＤ Ｃｏ（異なる膜特性を有する）を湿潤層として使用することを伴った。このＣＶＤ Ｃｏ湿潤層は、間隙充填の目的で使用されるＣＶＤ Ｃｏ膜に対する１％未満の炭素と比較すると、炭素５％を上回る高い炭素原子％を含んだ。堆積ステップ中により低いＨ２分圧を使用して、周期的Ｈ２プラズマ処理をなくすことによって、高炭素含有率のＣＶＤ Ｃｏ膜が得られた。
前述の湿潤層７１８のプロセスはいずれも、ブロック６４０で提供される後の接触金属層堆積プロセスとともに実行することができることに留意されたい。湿潤層７１８およびバリア層４１６は、概して、後の接触金属層堆積を強化する。基板上のフィーチャの底部またはフィーチャ内の他の場所に、ボイドが形成されることがあることが分かっている。ボイドは、凝集の結果として、または接触金属層がアニールされるときの接触金属層の蓄積の結果として、形成されると考えられる。基板と接触金属層との間のボイドは、接触の品質を最終的に低減させ、全体的なデバイス性能に悪影響を与えるため、ボイドは概して望ましくない。さらに、アニールプロセス中の接触金属層と下にある基板との間の相互拡散の結果、Ｃｏおよびシリコンの相互拡散が生じる。この相互拡散は、デバイス性能に悪影響を与え、予測できないデバイス挙動を招く。バリア層４１６は、単独で、または湿潤層７１８と組み合わせて、Ｃｏおよびシリコンの相互拡散を低減させる。さらに、湿潤層は、単独で、またはバリア層４１６と組み合わせて、デバイスのビアおよびトレンチを充填するために堆積されたとき、後のアニールプロセス中の凝集の可能性を低減させることによって、接触金属層の接着を強化する。
代替の実施形態では、アニールプロセス中のＣＶＤ Ｃｏ膜の凝集で、ＣＶＤ Ｃｏを湿潤層として使用することができる。このＣＶＤ Ｃｏ湿潤層は、シームレスの間隙充填に使用されるＣＶＤ Ｃｏ膜に対する低炭素含有率（１％未満の原子％）の炭素と比較すると、高炭素含有率（５％を上回る原子％）の炭素を含むことができる。堆積ステップ中により低いＨ２分圧を使用して、周期的Ｈ２プラズマ処理をなくすことによって、高炭素含有率のＣＶＤ Ｃｏ膜が得られた。
ブロック６４０は、周期的金属堆積を実行して基板上に接触金属層を堆積させるステップを提供する。周期的金属堆積プロセスのプロセスパラメータおよび説明は、図３のブロック３４０および図５に関係する対応する説明に関連して上記に見ることができる。ブロック６５０は、基板上に配置された接触金属層上でアニールプロセスを実行するステップを提供する。アニールプロセスを実行するステップのプロセスパラメータおよび説明は、図３のブロック３５０を参照することによって得ることができる。
熱アニールプロセスが完了した後、ブロック６６０で、所定の厚さの接触金属層４２０が実現されなかった場合、ブロック６４０で周期的金属堆積を実行して接触金属層を堆積させることから始まり、それに続いてブロック６５０で接触金属層上でアニールプロセスを実行する追加のサイクルを、接触金属層４２０の所望の厚さ範囲に到達するまで繰返し実行することができる。所定の厚さの接触金属層が実現された場合、プロセスは完了し、追加の処理ステップを実行することができる。
上記のように、図６に記載のプロセスシーケンス６００は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、またはＰＶＤの接触金属堆積プロセスを参照することによって得ることができる。組み込まれている（酸化されていない）ＣＶＤまたはＡＬＤ ＴｉＮバリア層４１８は、デバイスフィーチャの底部でボイドの存在を低減させた。湿潤層７１８の堆積後または接触金属層４２０の堆積後で、ブロック６５０のアニールプロセスを実行する前に、真空解消器を導入することができる。ブロック６５０のアニールプロセスは、接触金属層４２０を堆積させたチャンバ以外のチャンバ内で実行することもできることに留意されたい。さらに、ブロック６４０で提供される高周波のＨ2プラズマ処理（２０Å以下のＣＶＤ Ｃｏ厚さにおけるプラズマ処理）（関連するプラズマ処理パラメータは図５参照）は、デバイスフィーチャの底部でボイド形成をなくす際に大きな役割を果たしたことが分かった。最後に、ＣＶＤまたはＡＬＤの接触金属層のリフロー特性は、プロセスシーケンス６００で提供された前述のプロセス変数によって不純物（すなわち、炭素、酸素、窒素など）の原子パーセントを制御することによって調節することができることが分かっている。シームレスの接触金属層の間隙充填、より具体的には、シームレスのコバルト間隙充填を可能にするには、炭素不純物レベルを１パーセント以下にすることが必要になることがある。接触金属層堆積のプロセス変数に加えて、バリア層４１８および湿潤層７１８によって、不純物レベルをさらに制御することができる。
図８は、本発明の一実施形態による半導体デバイス内に接触金属層を形成する流れ図を示す。図８に記載のシーケンスは、以下で論じる図７Ａ〜７Ｅに示す製造段階に対応する。図７Ａ〜７Ｅは、処理シーケンス８００によって示すデバイス構造４０８上に接触金属層４２０を製造する異なる段階中の基板４０２の概略横断面図を示し、基板４０２上にデバイス構造４０８が形成されている。図８のシーケンスは、概して、ＰＶＤによって堆積させたコバルト接触金属層を参照しながら提供される。
処理シーケンス８００は、ブロック８１０で基板を設けることによって始まる。ブロック８１０の詳細な説明は、図３のブロック３１０および図６のブロック６１０に関係する説明を参照することによって得ることができる。ブロック８２０は、基板上で前処理プロセスを任意選択で実行するステップを提供する。ブロック８２０に関係する詳細な説明は、図３のブロック３２０および図６のブロック６２０に関係する説明を参照することによって得ることができる。
ブロック８３０は、バリア層堆積を実行して基板上にバリア層を堆積させるステップを提供する。バリア層４１６に関する概略的な説明は、図６のブロック６３０を参照することによって得ることができる。一実施形態では、上記のＴｉＮバリア層４１６などのＴｉＮバリア層が、基板上に配置される。この実施形態では、ＴｉＮ層は、約５０Åなど、約５Å〜約７５Åの厚さで提供される。しかし、１０ÅのＴｉＮ層でもバリア層として十分になりうることを示した。ＴｉＮバリア層４１６は、事前に堆積させたＴｉ層のＮＨ3もしくはＮ2による窒化によって、またはＣＶＤ堆積プロセスによって形成される。ＴｉＮバリア層４１６の堆積に対する処理パラメータは、図６のブロック６３０を参照することによって見ることができる。
ブロック８３５は、湿潤層堆積を実行して基板上に湿潤層を堆積させるステップを提供する。湿潤層７１８の概略的な説明は、図６のブロック６３５を参照することによって得ることができる。一実施形態では、湿潤層７１８は、ＣＶＤまたはＡＬＤプロセスによって堆積される。湿潤層７１８を提供するステップに適したプロセスには、ＣＶＤ ＴｉＮ、ＣＶＤ Ｃｏ、ＣＶＤ Ｒｕ、ＡＬＤ ＴａＮ、およびこれらの組合せが含まれる。一実施形態では、湿潤層は、ＣＶＤ Ｃｏプロセスによって堆積させることができる。ＣＶＤプロセス中に堆積させたコバルトは、図３に提供した周期的金属堆積プロセスを参照しながら論じたコバルト含有前駆体などのコバルト含有前駆体によって、処理チャンバに提供される。一実施形態では、コバルト含有前駆体は、熱堆積プロセス内のチャンバに提供される。熱堆積プロセスは、概して、基板４０２を加熱して基板４０２の表面上のコバルトの堆積を促進させるステップを含む。一実施形態では、熱堆積プロセスは、約１５０℃など、約１００℃〜約２００℃で基板を加熱するステップを提供する。この実施形態では、ＣＶＤ Ｃｏプロセス中に堆積させたコバルトは、バリア層４１６の上に配置された湿潤層７１８である。
ブロック８４０は、湿潤層７１８上でアニールプロセスを実行するステップを提供する。アニールプロセスは、概して、湿潤層７１８の表面粗さを低減させ、結晶構造の粒径を増大させ、かつ湿潤層７１８内に存在しうる炭素などの不純物を低減させるために実行される。アニールプロセスは、約４００℃など、約２００℃〜約５００℃の温度で実行される。アニールプロセスは、チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスが提供されるチャンバ環境内で実行することができる。一実施形態では、アルゴンガスは、チャンバ内で静的であり、湿潤層７１８のアニールが実行された後、チャンバを任意選択でパージすることができる。一実施形態では、アニールプロセスは、約３０秒〜約９０秒など、約１０秒〜約１０００秒、たとえば約６０秒の持続時間にわたって実行される。別の実施形態では、アニールプロセスは、Ｈ2ガスが静的または流動的にチャンバに提供されるチャンバ環境内で実行することができる。この実施形態では、アニールプロセスは、約１０秒〜約１０００秒の持続時間にわたって実行することができる。他の実施形態では、アニールプロセスは、アルゴンガスおよびＨ2ガスを提供できる状態で実行することができる。
ブロック８５０は、金属堆積プロセスを実行して基板上に接触金属層４２０を堆積させるステップを提供する。一実施形態では、接触金属層４２０は、ＰＶＤ Ｃｏプロセスによって堆積される。ＰＶＤ Ｃｏプロセスは、さらに、熱ＰＶＤ Ｃｏプロセスとすることができる。コバルトは、従来のプロセスを使用してスパッタリングされ、一実施形態では、スパッタリングプロセスは、アルゴンまたはＨ2などのプロセスガスの存在下で実行される。一実施形態では、ＰＶＤ Ｃｏプロセスは、約５５００Ｗなど、約５０００Ｗ〜約６０００Ｗの周波数でＲＦ電力を提供することによって実行することができる。ＲＦは、約５００Ｗなど、約２５０Ｗ〜約７５０Ｗの電力の直流電流で提供することができる。ＰＶＤ Ｃｏプロセス中のチャンバの圧力は、約１００ミリトルなど、約５０ミリトル〜約２００ミリトルの圧力で維持することができる。コバルトが基板にスパッタリングされた後、基板に熱を提供して堆積させたままのコバルトをリフローすることによって、コバルトをリフローすることができる。一実施形態では、ＰＶＤ Ｃｏリフローは、約２００℃〜約５００℃の温度まで基板を加熱することによって実行することができる。ＰＶＤ Ｃｏプロセスが用いられる実施形態では、処理に必要な温度まで基板を加熱する能力をチャンバが有する場合、接触金属層４２０の堆積とアニールの両方を同じチャンバ内で実行することができる。
ブロック８６０は、接触金属層４２０をプラズマ処理プロセスに露出させるステップを提供する。プラズマ処理プロセスは、概して、Ｈ2などのプロセスガスをチャンバに提供するステップと、ＲＦ電流を印加してプロセスガスからプラズマを形成するステップとを含む。一実施形態では、ＲＦ電流の周波数は、約４００Ｗなど、約２００Ｗ〜約８００Ｗで提供される。プラズマ処理プロセスは、約３０秒など、約１秒〜約６０秒にわたって実行される。一実施形態では、基板４０２を約１５０℃など、約１００℃〜約２００℃の温度まで加熱して、接触金属層４２０の表面粗さをさらに低減させ、接触金属層４２０内に存在しうる不純物の割合を低減させることができる。
ブロック８７０は、基板４０２上に配置された接触金属層４２０上でアニールプロセスを実行するステップを提供する。アニールプロセスは、概して、接触金属層４２０の表面粗さを低減させ、接触金属層４２０内に存在しうる炭素などの不純物を低減させるために実行される。さらに、アニールプロセスは、結晶の粒径を増大させ、その結果、抵抗がより小さくなり、集積回路の性能が改善される。アニールプロセスは、約４００℃など、約２００℃〜約５００℃の温度で実行される。アニールプロセスは、チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスおよびＨ2などのプロセスガスが提供されるチャンバ環境内でさらに実行される。一実施形態では、アルゴンおよびＨ2ガスは、チャンバ内で流動しており、接触金属層４２０のアニールが実行された後、チャンバを任意選択でパージすることができる。一実施形態では、アニールプロセスは、約６０秒など、約３０秒〜約９０秒にわたって実行される。
上記の実施形態では、基板を加熱するステップを提供するチャンバ内でＣｏ堆積およびアニールプロセスが実行される場合、周期的金属堆積プロセスを行うことなくＰＶＤ Ｃｏプロセスを実行することができる。代替実施形態では、フィーチャの底部にＰＶＤ Ｃｏ層を堆積させることができ、フィーチャの側壁上でエッチングおよび再スパッタリングして、側壁上に連続するコバルト膜を提供することができ、それによってこの領域からフィーチャの底部へのＰＶＤ Ｃｏのリフローを可能にする。接触金属層４２０の堆積は、接触金属層４２０の後の化学機械研磨に必要とされる十分な膜厚さを得るために実行される。
別の実施形態では、ＣＶＤ Ｃｏ湿潤層７１８後に堆積させた接触金属層４２０は、タングステン（Ｗ）を含むことができる。この実施形態は、概して、デュアルダマシン型の構造とともに使用され、フィーチャの下部部分は、小さい限界寸法および積極的なアスペクト比を呈する。デュアルダマシン型の構造の上部部分は、概して、下部部分と比較すると、より大きい限界寸法およびそれほど強くないアスペクト比を有する。この実施形態では、追加の接触金属層堆積の難題を呈する下部部分は、上記のようにＣＶＤ Ｃｏプロセスで充填することができる。ＣＶＤ Ｃｏプロセスは、フィーチャの下部部分を充填する。ＣＶＤ Ｃｏ堆積に続いて、ＣＶＤ Ｗプロセスを実行してフィーチャの残り部分を充填することができる。ＣＶＤ Ｗプロセスは、概して、ＣＶＤ Ｃｏプロセスより速い速度で材料を堆積させ、したがってスループットの増大を可能にする。
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (19)

  1. 半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
    シリコン含有基板上に形成される開口にバリア層を堆積させるステップであって、前記バリア層が窒化チタン（ＴｉＮ）を含む、前記バリア層を堆積させるステップと、
    コバルト（Ｃｏ）、酸化されていないチタン（Ｔｉ）又は酸化されていない窒化チタン（ＴｉＮ）を含む湿潤層を前記バリア層の上に堆積させるステップと、
    周期的金属堆積プロセスを実行して前記シリコン含有基板上に形成された開口にゲート電極の少なくとも一部を堆積させるステップを含み、
    前記ゲート電極の少なくとも一部が、金属含有層に隣接するコバルト接触金属を含み、
    前記周期的金属堆積プロセスが、
    堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて、前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させるステップ、
    前記コバルト接触金属の前記一部分を、水素（Ｈ2）含有ガスを提供すること及びＲＦ電力を与えることを含むプラズマ処理プロセスに露出させるステップ、および
    所定の厚さの前記コバルト接触金属が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させる前記ステップおよび前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセスに露出させる前記ステップを繰り返すステップを含む、
    方法。
  2. 前記堆積前駆体混合ガスは、コバルト含有前駆体および還元ガスを含む請求項１に記載の方法。
  3. 前記コバルト含有前駆体がジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）であり、前記還元ガスが水素（Ｈ2）である、請求項２に記載の方法。
  4. 周期的金属堆積プロセスを実行する前記ステップ前に、ＮＨ3を含む前処理ガスを供給して前記基板を前処理するステップ
    をさらに含む、請求項１に記載の方法。
  5. 堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させる前記ステップ、ならびに前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させる前記ステップが、同時に実行される、請求項１に記載の方法。
  6. 前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させるステップが、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、およびこれらの組合せから選択されたガスを供給して、前記コバルト接触金属の前記一部分の粗さを低減させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
  7. 接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
    ＡＬＤ ＴｉＮバリア層を堆積させることを含むバリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、
    湿潤層堆積プロセスを実行して前記バリア層に湿潤層を堆積させるステップであって、前記湿潤層が、ＣＶＤ窒化チタン（ＴｉＮ）層、ＣＶＤルテニウム（Ｒｕ）層、ＡＬＤ窒化タンタル（ＴａＮ）層又はそれらの組み合わせを含む、前記湿潤層を堆積させるステップと、
    前記堆積させた湿潤層上でアニールプロセスを実行するステップと、
    処理ガスに前記湿潤層を露出させて前記基板上に接触金属層の一部分を堆積させることによって、ＰＶＤ金属堆積プロセスを実行して前記堆積させた湿潤層上に接触金属層を堆積させるステップと、
    を備え、
    前記ＰＶＤ金属堆積プロセスを実行することは、ＰＶＤコバルト（Ｃｏ）層を堆積させることを含む方法。
  8. 前記ＰＶＤ Ｃｏ層は、約２００℃から約５００℃の間の温度、約５０００Ｗから約６０００Ｗの間のＲＦパワー及び約５０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒの間のプロセスチャンバ圧力で前記基板上にスパッタリングされる、請求項７に記載の方法。
  9. 前記バリア層は、約５Åから約７５Åの間の厚さに堆積される、請求項７に記載の方法。
  10. ＰＶＤ Ｃｏ層は、水素（Ｈ2）含有ガスを提供すること及び前記基板を約１００℃から約２００℃の温度に加熱することを含むプラズマ処理プロセスに露出させられる、請求項７に記載の方法。
  11. 前記湿潤層は、前記ＣＶＤコバルト（Ｃｏ）層である、請求項１に記載の方法。
  12. 前記基板は、熱堆積プロセス中に、約１００℃から約２００℃の間の温度に加熱される、請求項１１に記載の方法。
  13. 湿潤層堆積プロセスを実行することは、ＣＶＤルテニウム（Ｒｕ）層を含む、請求項７に記載の方法。
  14. 前記湿潤層のアニールプロセスは、約２００℃から約５００℃の間の温度で約３０秒から約９０秒の間の持続時間に対して実行される、請求項７に記載の方法。
  15. 前記湿潤層のアニールプロセスは、アルゴン又は水素含有チャンバ環境で実行される、請求項１４に記載の方法。
  16. 前記チャンバ環境は、前記湿潤層のアニールプロセスを実行した後にパージされる、請求項１５に記載の方法。
  17. 接触金属層を堆積させて半導体デバイス内に接触構造を形成する方法であって、
    窒化チタン（ＴｉＮ）バリア層を堆積させることを含むバリア層堆積プロセスを実行して基板上にバリア層を堆積させるステップと、
    湿潤層堆積プロセスを実行して前記バリア層に、ＰＶＤコバルト（Ｃｏ）、ＣＶＤコバルト（Ｃｏ）、酸化されていないチタン（Ｔｉ）又は酸化されていない窒化チタン（ＴｉＮ）の湿潤層を堆積させるステップと、
    前記湿潤層上でアニールプロセスを約２００℃から約５００℃の間の温度で約３０秒から約９０秒の間の期間に対して実行するステップと、
    周期的金属堆積プロセスを実行してシリコン含有基板上に形成された開口にゲート電極の少なくとも一部を堆積させるステップと、
    を備え、
    前記ゲート電極の少なくとも一部は、金属含有層に隣接するコバルト接触金属を含み、
    前記周期的金属堆積プロセスは、
    堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させて、前記基板上に前記コバルト接触金属の一部分を堆積させるステップ、
    前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させるステップ、および
    所定の厚さの前記コバルト接触金属が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに前記基板を露出させる前記ステップおよび前記コバルト接触金属の前記一部分をプラズマ処理プロセス又は熱処理プロセスに露出させる前記ステップを繰り返すステップを含み、
    前記方法は、更に、前記基板上に配置された前記コバルト接触金属の前記一部分をアニールするステップを含む、方法。
  18. バリア層堆積プロセスを実行することは、ＡＬＤ窒化チタン（ＴｉＮ）湿潤層を堆積させることを含む、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記基板上に配置される前記コバルト接触金属をアニールすることは、約４００℃の温度で不活性ガス及び水素（Ｈ2）ガスがチャンバ内に流される間の３０秒から９０秒の間に行われる、請求項１７に記載の方法。
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