JP6962480B2 - 磁性ペースト - Google Patents

Description

本発明は、磁性ペースト、及び磁性ペーストを用いて得られるインダクタ素子、回路基板に関する。

磁性材料は、モーター、インダクタ素子等様々な用途に使用されており、このような用途に対応するため、多くの磁性材料が提案されている。

例えば、特許文献１には、特定の磁性粒子と樹脂とを含む、耐熱性に優れるボンド磁石が提案されており、このボンド磁石はモーター等の部品に好適に使用できることが記載されている。

また、例えば、特許文献２には、特定の合金粒子とバインダーとを含む磁性体ペーストを、ベースフィルム上に塗工、乾燥させることでインダクタを作製することが記載されている。

特開２０１５−７０１０２号公報 特開２０１２−１６４９５９号公報

近年、インダクタ素子等の機器の小型化、薄型化の要求が高まってきており、より微細なパターンを有する磁性層を形成することが切望されている。このような磁性層を形成する方法として、ディスペンサを用いて磁性ペーストにより磁性層を形成する方法がある。

一方、磁性粉体は比重が大きいため、保存等する際に、時間経過に伴い磁性ペースト中の磁性粉体が沈降して偏在化する場合がある。一般に、粒径が大きい磁性粉体は沈降し易い傾向にあり、磁性粉体の含有量の偏在化や、粒径の偏在化が生じ得る。また磁性ペーストを調製する際や磁性ペーストを使用する前に、真空脱泡や遠心分離等の脱泡操作を行う場合があるが、その際も、磁性ペースト中の磁性粉体が偏在化する場合がある。特に遠心分離を伴う脱泡は、磁性粉体の偏在化が生じやすい。
このような磁性粉体の偏在化が生じた場合、例えば、形成された磁性層において、磁性粉体の含有量が少なくなった磁性ペースト部分では、所望の比透磁率が得られない場合や、粘度やチキソトロピーが低下し磁性層の形成が困難になる場合がある。また、ディスペンサを用いて磁性層を形成する場合、ディスペンサからの磁性ペーストの吐出性が低下することがある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、磁性粉体の偏在化が抑制された磁性ペースト、及び当該磁性ペーストを使用したインダクタ素子、回路基板を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究をした結果、所定の粒径分布を有する磁性粉体を磁性ペーストに含有させることにより磁性粉体の偏在化が抑制されることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、
（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ_１０）が０．２μｍ以上２．０μｍ以下、５０％粒径（Ｄ_５０）が２．０μｍ以上４．３μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ_９０）が４．３μｍ以上８．５μｍ以下である、磁性ペースト。
［２］ （Ｂ）成分が、エポキシ樹脂を含む、［１］に記載の磁性ペースト。
［３］ （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、［１］又は［２］に記載の磁性ペースト。
［４］ （Ａ）成分が、酸化鉄粉である、［１］〜［３］のいずれかに記載の磁性ペースト。
［５］ 酸化鉄粉が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、［４］に記載の磁性ペースト。
［６］ （Ａ）成分が、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライトである、［１］〜［５］のいずれかに記載の磁性ペースト。
［７］ Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト中のＭｎの含有量は、３．０質量％以上１５質量％以下である、［６］に記載の磁性ペースト。
［８］ （Ａ）成分の含有量が、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、［１］〜［７］のいずれかに記載の磁性ペースト。
［９］ （Ｄ_９０−Ｄ_１０）／Ｄ_５０が、２．５以下である、［１］〜［８］のいずれかに記載の磁性ペースト。
［１０］ インダクタ素子形成用である、［１］〜［９］のいずれかに記載の磁性ペースト。
［１１］ ［１］〜［１０］のいずれかに記載の磁性ペーストの硬化物である磁性層を含む、インダクタ素子。
［１２］ ［１１］に記載のインダクタ素子を含む、回路基板。

本発明によれば、磁性粉体の偏在化が抑制された磁性ペースト、及び当該磁性ペーストを使用したインダクタ素子、回路基板を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るインダクタ素子の模式的な平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の実施形態によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

［磁性ペースト］
本発明の磁性ペーストは、（Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、（Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ_１０）が０．２μｍ以上２．０μｍ以下、５０％粒径（Ｄ_５０）が２．０μｍ以上４．３μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ_９０）が４．３μｍ以上８．５μｍ以下である。

本発明では、所定の粒径分布を有する磁性粉体を含有させることにより、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化が抑制され、その結果ディスペンサからの吐出性等にも優れる磁性ペーストを得ることができる。さらには、この磁性ペーストの硬化物は、周波数が１０〜２００ＭＨｚで比透磁率の向上が可能である。

磁性ペーストは、必要に応じて、さらに（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）分散剤、（Ｅ）その他の添加剤を含み得る。以下、本発明の磁性ペーストに含まれる各成分について詳細に説明する。

＜（Ａ）磁性粉体＞
磁性ペーストは、（Ａ）磁性粉体を含有する。（Ａ）磁性粉体は、この粒径分布における１０％粒径（Ｄ_１０）が０．２μｍ以上２．０μｍ以下、５０％粒径（Ｄ_５０）が２．０μｍ以上４．３μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ_９０）が４．３μｍ以上８．５μｍ以下である。このような粒径分布を有する（Ａ）磁性粉体を磁性ペーストに含有させることで、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制することが可能となる。また、このような粒径分布を有する（Ａ）磁性粉体を磁性ペーストに含有させることで、磁性ペーストの硬化物における比透磁率を向上させることが可能になる。なお上記粒径分布は磁性ペースト中に含まれる（Ａ）磁性粉体全体の粒径分布を表す。

（Ａ）磁性粉体の粒径分布は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、（Ａ）磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、１０％粒径（Ｄ_１０）、５０％粒径（Ｄ_５０）、及び９０％粒径（Ｄ_９０）を測定することができる。測定サンプルは、（Ａ）磁性粉体を超音波により純水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。

粒径分布における１０％粒径（Ｄ_１０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が１０％となるときの粒径をいう。５０％粒径（Ｄ_５０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が５０％となるときの粒径をいう。また、９０％粒径（Ｄ_９０）とは、上記の方法により粒径分布を測定した結果、粒径分布曲線において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が９０％となるときの粒径をいう。ここで（Ａ）磁性粉体の平均粒径は、５０％粒径（Ｄ_５０）の粒径を意味する。以下、１０％粒径（Ｄ_１０）をＤ_１０、５０％粒径（Ｄ_５０）をＤ_５０、及び９０％粒径（Ｄ_９０）をＤ_９０ということがある。

粒径分布におけるＤ_１０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、０．２μｍ以上であり、好ましくは０．２５μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上である。上限は２．０μｍ以下であり、好ましくは２．０μｍ未満、より好ましくは１．９５μｍ以下、さらに好ましくは１．９μｍ以下である。

粒径分布におけるＤ_５０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、２．０μｍ以上であり、好ましくは２．０５μｍ以上、より好ましくは２．１μｍ以上である。上限は４．３μｍ以下であり、好ましくは４．３μｍ未満であり、より好ましくは４．２５μｍ以下、さらに好ましくは４．２μｍ以下である。

粒径分布におけるＤ_９０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、４．３μｍ以上であり、好ましくは４．３５μｍ以上、より好ましくは４．４μｍ以上である。上限は８．５μｍ以下であり、好ましくは８．４５μｍ以下、より好ましくは８．４μｍ以下である。

Ｄ_５０−Ｄ_１０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは１．５μｍ以上、より好ましくは１．６μｍ以上、さらに好ましくは１．７μｍ以上、１．８μｍ以上、１．９μｍ以上である。上限は、好ましくは４．１μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下である。

Ｄ_９０−Ｄ_１０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは４．３μｍ以上、より好ましくは４．４μｍ以上、さらに好ましくは４．５μｍ以上、４．６μｍ以上である。上限は、好ましくは８．３μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、さらに好ましくは６．５μｍ以下である。

Ｄ_９０／Ｄ_５０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは２．７以下、より好ましくは２．６以下、さらに好ましくは２．５以下である。下限は、好ましくは１以上、より好ましくは１．３以上、さらに好ましくは１．５以上である。

Ｄ_９０／Ｄ_１０としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは１４以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましくは１３以下である。下限は、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上、４以上、４．５以上である。

（Ｄ_９０−Ｄ_１０）／（２×Ｄ_５０−Ｄ_１０）としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは２以下、より好ましくは１．８以下、さらに好ましくは１．５以下である。下限は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．３以上、さらに好ましくは０．５以上である。

（Ｄ_９０−Ｄ_１０）／Ｄ_５０としては、磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、好ましくは２．５以下、より好ましくは２．４以下、さらに好ましくは２．３以下である。下限は、好ましくは１以上、より好ましくは１．３以上、さらに好ましくは１．５以上、特に好ましくは１．７以上である。

（Ａ）磁性粉体としては、軟磁性粉体、硬磁性粉体のいずれであってもよいが、磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、軟磁性粉体であることが好ましい。

（Ａ）磁性粉体としては、例えば、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト、Ｙ系フェライト、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄などの酸化鉄粉；純鉄粉末；Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などの鉄合金系金属粉；Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類等が挙げられる。

中でも、（Ａ）磁性粉体としては、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化を抑制する観点から、酸化鉄粉が好ましい。酸化鉄粉としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトであることが好ましく、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライトであることがより好ましい。Ｆｅ−Ｍｎ系フェライトとしては、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト中のＭｎの含有量は、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライトを１００質量％としたとき、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは３．０質量％以上、さらに好ましくは５．０質量％以上であり、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下であることが好ましい。

（Ａ）磁性粉体としては、市販品を用いることができ、２種以上を併用してもよい。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、パウダーテック社製「Ｍ０５Ｓ」等のＭシリーズ；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」；ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。

（Ａ）磁性粉体は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、好ましくは１を超え、より好ましくは１．０５以上である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすいが、本発明においては、磁気損失を低くする観点、また好ましい粘度を有する磁性ペーストを得る観点から、球状の磁性粉体を用いる方が好ましい。

（Ａ）磁性粉体の比表面積は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ^２／ｇ以上である。また、好ましくは１５ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは１２ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは１０ｍ^２／ｇ以下である。（Ａ）磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。

（Ａ）磁性粉体の真比重は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは３．５ｇ／ｃｍ^３以上、より好ましくは４．０ｇ／ｃｍ^３以上、さらに好ましくは４．５ｇ／ｃｍ^３以上である。また、好ましくは６．５ｇ／ｃｍ^３以下、より好ましくは６．０ｇ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５．５ｇ／ｃｍ^３以下である。真比重は、ピクノメーター法によって測定できる。

（Ａ）磁性粉体の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、磁性ペースト中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、さらに好ましくは７５体積％以下である。

（Ａ）磁性粉体の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは５５質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上である。また、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下である。
なお、本発明において、磁性ペースト中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

（Ａ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ａ）磁性粉体は、例えば分級を行うことで所定の粒径分布に調整することが可能である。また、上記粒径分布は磁性ペースト中に含まれる（Ａ）成分全体の粒径分布を表す。よって、２種以上の磁性粉体を混合してなる（Ａ）成分が所定の粒径分布を有するように調整すればよく、例えば、所定の粒径分布を有さない磁性粉体を複数混合し、（Ａ）成分全体として所定の粒径分布を有すればよい。

＜（Ｂ）バインダー樹脂＞
磁性ペーストは、（Ｂ）バインダー樹脂を含有する。（Ｂ）バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等の熱硬化性樹脂；フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。（Ｂ）バインダー樹脂としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、中でもエポキシ樹脂が好ましい。（Ｂ）バインダー樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。以下、各樹脂について説明する。
ここで、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、及び酸無水物系樹脂のように、エポキシ樹脂と反応して磁性ペーストを硬化させられる成分をまとめて「硬化剤」ということがある。

−熱硬化性樹脂−
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂は、例えば、グリシロール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂及び固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、比透磁率を高くするために磁性粉体を多く含有させる場合等に、磁性ペーストの粘度が高くなりすぎるのを防ぎ、ペースト状にし易くする観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ−５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ−４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．１〜１：４、より好ましくは１：０．３〜１：３．５、さらに好ましくは１：０．６〜１：３である。

（Ｂ）成分としてのエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

（Ｂ）成分としてのエポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

活性エステル系樹脂としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いることができる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系樹脂の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系樹脂の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好ましい。

フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）；四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）、「Ｆ−ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２）等が挙げられる。

シアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系樹脂の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０３（カルボジイミド基当量：２１６、Ｖ−０５（カルボジイミド基当量：２６２）、Ｖ−０７（カルボジイミド基当量：２００）；Ｖ−０９（カルボジイミド基当量：２００）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２）が挙げられる。

アミン系樹脂としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する樹脂が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

酸無水物系樹脂としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する樹脂が挙げられる。酸無水物系樹脂の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

（Ｂ）成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂とすべての硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：５の範囲が好ましく、１：０．５〜１：３がより好ましく、１：１〜１：２がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、磁性ペースト中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、磁性ペースト中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。

−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３万以上、より好ましくは５万以上、さらに好ましくは１０万以上である。また、好ましくは１００万以下、より好ましくは７５万以下、さらに好ましくは５０万以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を、カラムとして昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

アクリル樹脂としては、熱膨張率および弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。

官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００〜１００００００であり、より好ましくは３００００〜９０００００である。

官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００であり、より好ましくは２５００〜３００００である。

ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の電化ブチラール「４０００−２」、「５０００−Ａ」、「６０００−Ｃ」、「６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ−１」などのＫＳシリーズ、「ＢＬ−１」などのＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のビニル基を有するオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ−２Ｓｔ １２００」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

中でも、熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。

（Ｂ）バインダー樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す磁性層を得る観点から、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは４質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。

また、（Ｂ）バインダー樹脂はエポキシ樹脂であることが好ましく、液状エポキシ樹脂であることがより好ましい。液状エポキシ樹脂は、（Ａ）成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。上限は、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５５質量％以下、２０質量％以下である。

＜（Ｃ）硬化促進剤＞
磁性ペーストは、任意の成分として、さらに（Ｃ）硬化促進剤を含んでいてもよい。

硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、磁性ペーストの粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ−５０」、「ＰＮ−２３」、「ＭＹ−２５」等が挙げられる。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２Ｐ４ＭＺ」、「２ＰＨＺ−ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

（Ｃ）硬化促進剤としては、本発明の所望の効果を得る観点から、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。

（Ｃ）硬化促進剤の含有量は、磁性ペーストの硬化促進を促す観点から、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、上限は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。

＜（Ｄ）分散剤＞
磁性ペーストは、任意の成分として、さらに（Ｄ）分散剤を含んでいてもよい。

（Ｄ）分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸等のリン酸エステル系分散剤；ドデシルベンゼルスルホン酸ナトリウム、ラウリル酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテルサルフェートのアンモニウム塩等のアニオン性分散剤；オルガノシロキサン系分散剤、アセチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド等の非イオン性分散剤等が挙げられる。これらの中でも、アニオン性分散剤が好ましい。分散剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

リン酸エステル系分散剤は、市販品を用いることができる。市販品として、例えば東邦化学工業社製「フォスファノール」シリーズの「ＲＳ−４１０」、「ＲＳ−６１０」、「ＲＳ−７１０」等が挙げられる。

オルガノシロキサン系分散剤としては、市販品として、ビックケミー社製「ＢＹＫ３４７」、「ＢＹＫ３４８」等が挙げられる。

ポリオキシアルキレン系分散剤としては、市販品として、日油株式会社製「マリアリム」シリーズの「ＡＫＭ−０５３１」、「ＡＦＢ−１５２１」、「ＳＣ−０５０５Ｋ」、「ＳＣ−１０１５Ｆ」及び「ＳＣ−０７０８Ａ」、並びに「ＨＫＭ−５０Ａ」等が挙げられる。

アセチレングリコールとしては、市販品として、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ．製「サーフィノール」シリーズの「８２」、「１０４」、「４４０」、「４６５」及び「４８５」、並びに「オレフィンＹ」等が挙げられる。

（Ｄ）分散剤の含有量は、本発明の効果を顕著に発揮させる観点から、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

＜（Ｅ）その他の添加剤＞
磁性ペーストは、さらに必要に応じて、（Ｅ）その他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、ポットライフ向上のためのホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、無機充填材（但し、磁性粉体に該当するものは除く）、難燃剤、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

上述した磁性ペースト中に含まれる溶剤の含有量は、磁性ペーストの全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。有機溶剤の含有量を斯かる範囲内とすることにより、有機溶剤の揮発による問題（例えばボイドの発生等）を抑制することができ、また取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。

＜磁性ペーストの製造方法＞
磁性ペーストは、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサー、高速回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。本発明の磁性ペーストは、製造後等に脱泡を行ってよい。例えば、静置による脱泡、遠心分離による脱泡、真空脱泡、撹拌脱泡、およびこれらの組合せ等による脱泡が挙げられる。

＜磁性ペーストの物性等＞
本発明の磁性ペーストは、所定の粒径分布を有する磁性粉体を含有するので、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化が抑制されるという特性を示す。具体的には、例えば、磁性ペーストを遠心分離機（例えば、シンキー社製、自転公転攪拌機「あわとり錬太郎」ＡＲＥ−２５０やＡＲＥ−３１０等）を使用し、回転数２０００ｒｐｍで５分間遠心分離し、遠心分離前の磁性ペーストと遠心分離後の容器最上層の磁性ペーストの粘度を、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ−８０Ｕ」等）を用い、３°×Ｒ９．７コーンロータ、サンプル温度２５±２℃の条件で、回転数が０．５ｒｐｍの場合及び５ｒｐｍの場合にて測定する。（０．５ｒｐｍの粘度）／（５ｒｐｍの粘度）より、チキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．を算出し、遠心分離前の磁性ペーストのチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．をＴ．Ｉ．（α）、遠心分離後の容器最上層の磁性ペーストのチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．をＴ．Ｉ．（β）とし、チキソトロピーインデックスの比（Ｔ．Ｉ．（β）／Ｔ．Ｉ．（α））を算出する。その結果、Ｔ．Ｉ．（β）／Ｔ．Ｉ．（α）としては、好ましくは０．７以上１．０以下、より好ましくは０．８以上１．０以下、さらに好ましくは０．９以上１．０以下である。Ｔ．Ｉ．（β）／Ｔ．Ｉ．（α）の測定の詳細は、後述する実施例に記載の方法により測定することができる。

本発明の磁性ペーストは、所定の粒径分布を有する磁性粉体を含有するので、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化が抑制されるという特性を示す。この結果、磁性ペーストは吐出性等に優れるという特性を示す。具体的には、例えば磁性ペーストをシリンジに充填し、遠心分離機による遠心脱泡を行う。シリンジにニードルを接続し、ディスペンサにて吐出試験（１０分ごとにガラスプレート上に１００点を吐出、１ｍｍ×１ｍｍ、クリアランスギャップ１００μｍ）を行うと、磁性ペーストが詰まることなくシリンジから吐出が可能である。吐出性の詳細は、後述する実施例に記載の方法により測定することができる。

磁性ペーストを熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、通常周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。例えば、シート状の磁性ペーストを１８０℃で９０分間熱硬化し、シート状の硬化物を得る。この硬化物の周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは５以上、より好ましくは７以上、さらに好ましくは７．５以上である。また、上限は通常２０以下等とし得る。

［インダクタ素子］
本発明のインダクタ素子は、本発明の磁性ペーストの硬化物である磁性層を含む。ここで、インダクタ素子には、電子部品としてのインダクタ素子だけでなく、回路基板に含まれるインダクタ素子が包含される。図１は、本発明の一実施形態に係るインダクタ素子の模式的な平面図である。インダクタ素子１は、基板１１と、磁性層１２と、導体で形成された配線１３とを備え、配線１３は、磁性層１２に覆われるとともに、配線１３はコア部１４を中心として渦巻状に形成されている。また、コア部１４は、磁性層１２が埋め込まれている。

以下、インダクタ素子の製造方法を通してインダクタ素子及びその製造方法について説明する。

インダクタ素子の製造方法は、
（１）磁性ペーストを基板上に吐出させ、該磁性ペーストを熱硬化させ、第１の磁性層を形成する工程、
（２）第１の磁性層上に配線を形成する工程、
（３）第１の磁性層、コア部及び配線上に磁性ペーストを吐出し、該磁性ペーストを熱硬化させ、第２の磁性層を形成する工程、
を含む。ここで、磁性層１２は、第１及び第２の磁性層を含めたものである。

＜工程（１）＞
工程（１）は、磁性ペーストを基板上に吐出させ、該磁性ペーストを熱硬化させ、第１の磁性層を形成する。工程（１）を行うにあたって、磁性ペーストを準備する工程を含んでいてもよい。磁性ペーストは、上記において説明したとおりである。

基板は、通常、絶縁性の基板である。基板の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。基板は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

磁性ペーストは、シリンジ、ニードル及びカートリッジ等に充填され、ディスペンサ等の吐出装置にて磁性ペーストを吐出することで基板上に塗布される。また、磁性ペーストは、全面印刷又はパターン印刷により、基板上に塗布されてもよい。塗布後に熱硬化され、第１の磁性層が得られる。

磁性ペーストの熱硬化条件は、磁性ペーストの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。磁性ペーストの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。

磁性ペーストを熱硬化させる前に、磁性ペーストに対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。予備加熱処理の温度は、好ましくは５０℃以上、好ましくは６０℃、より好ましくは７０℃以上、好ましくは１２０℃未満、好ましくは１１０℃以下、より好ましくは１００℃以である。予備加熱処理の時間は、通常好ましくは５分以上、より好ましくは１５分以上であり、好ましくは１５０分以下、より好ましくは１２０分以下である。

＜工程（２）＞
工程（２）では、工程（１）で形成した第１の磁性層上に配線を形成する。配線の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって第１の磁性層の表面にめっきして、渦巻状の配線パターンを有する配線を形成する。

配線の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

ここで、第１の磁性層上に配線を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。第１の磁性層の面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成し、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する配線を形成できる。配線を形成後、配線のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、基板を１５０〜２００℃で２０〜９０分間加熱することにより行うことができる。

配線を形成後、形成されためっきシード層上に、渦巻状のパターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。この場合、露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望のパターンを有する配線を形成する。

配線の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

＜工程（３）＞
工程（３）は、第１の磁性層、コア部及び配線上に磁性ペーストを吐出し、該磁性ペーストを熱硬化させ、第２の磁性層を形成する。第２の磁性層の形成方法は、第１の磁性層と同様である。第１の磁性層を形成する磁性ペーストと、第２の磁性層を形成する磁性ペーストとは、同一でも相異なっていてもよい。

工程（１）後、第１の磁性層上に絶縁層を形成する工程を設けてもよい。また、工程（２）後、配線上に絶縁層を形成する工程を設けてもよい。絶縁層は、プリント配線板の絶縁層と同様に形成してもよく、該プリント配線板の絶縁層と同様の材料を用いてもよい。

［回路基板］
回路基板は、本発明のインダクタ素子を含む。回路基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

（磁性粉体ａの調製）
球状の磁性粉体として、軟磁性粒子粉末（Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、商品名「Ｍシリーズ」、球状、パウダーテック社製）を用いた。乾式分級器（日清エンジニアリング社製、ターボクラシファイアＴＣ−１５ＮＳ）を用いて、回転羽根の回転速度１８５０ｒｐｍ、風量１．５ｍ^３／ｍｉｎの条件で、この軟磁性粒子粉末に送風し、重量の軽い粒子を吹き飛ばし、重量の重い粒子を採取することにより、磁性粉体ａを得た。

レーザー回折式の粒径分布測定器（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−２２００、分散媒：純水、超音波稼働、屈折率１．７０−０．５０ｉ）を用いて、磁性粉体ａの粒径分布を測定した。その結果、磁性粉体ａの粒径分布は、Ｄ_１０が０．４２６μｍ、Ｄ_５０が２．７２μｍ、及びＤ_９０が５．４３μｍであった。

（磁性粉体ｂ〜ｇの調製）
磁性粉体ａを調整する際の回転羽根の回転速度及び風量を適宜変更することで磁性粉体ｂ〜ｇを調製した。磁性粉体ｂ〜ｇの粒径分布を実施例１と同様にして測定したところ、下記表１のとおりであった（単位はすべてμｍ）。

＜実施例１：磁性ペースト１の製造＞
磁性粉体ａを８０質量部に対して、エポキシ樹脂（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）を１５質量部、硬化促進剤（「２Ｐ４ＭＺ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）を５質量部加え、高速回転ミキサーで均一に分散し磁性ペースト１を得た。

＜実施例２〜４、比較例１〜３：磁性ペースト２〜７の製造＞
下記表２に示す配合割合で各成分を配合し、実施例１と同様にして高速回転ミキサーで均一に分散し、磁性ペースト２〜７を得た。

＜磁性ペーストのチキソトロピー（Ｔ．Ｉ．（β）／Ｔ．Ｉ．（α））の測定＞
各磁性ペースト１〜７を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ−８０Ｕ」、３°×Ｒ９．７コーンロータ（測定サンプル０．２２ｍｌ）、回転数は０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍ）を用いて粘度を測定し、（０．５ｒｐｍの粘度）／（５ｒｐｍの粘度）より、チキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．（α）を算出した。次に磁性ペースト１〜７を遠心分離機（シンキー社製、自転公転攪拌機「あわとり錬太郎」ＡＲＥ−２５０、１５０ｍｌ容器、２０００ｒｐｍ、５分）により遠心脱泡を行った。サンプル容器最上層の樹脂ペーストを分析用サンプルとして採取し、各磁性ペーストを２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ−８０Ｕ」、３°×Ｒ９．７コーンロータ（測定サンプル０．２２ｍｌ）、回転数は０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍ）を用いて粘度を測定し、（０．５ｒｐｍの粘度）／（５ｒｐｍの粘度）より、各磁性ペーストのチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．（β）を算出した。遠心分離前の磁性ペーストのチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．であるＴ．Ｉ．（α）、遠心分離後の容器最上層の磁性ペーストのチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．であるＴ．Ｉ．（β）について、Ｔ．Ｉ．（β）／Ｔ．Ｉ．（α）の値を算出した。

遠心分離後の磁性ペーストについては、粒径の大きい磁性粉体ほど沈降する傾向となり、容器上層に相対的に粒径の小さい磁性粉体が偏在化し、粘度が上昇する傾向が見られた。またその場合、０．５ｒｐｍの粘度上昇よりも、５ｒｐｍの粘度の上昇が高い傾向となり、上層のチキソトロピーが低下する傾向が見られた。

＜吐出性の評価＞
各磁性ペースト１〜７をシリンジ（武蔵エンジニアリング社製、ＰＳＹ−１０Ｅ、プランジャーＭＬＰ−Ｂ−１０Ｅ）に充填し、遠心分離機（武蔵エンジニアリング社製、ＡＷＡＴＯＲＮ３、２０００ｒｐｍ、５分）による遠心脱泡を行った。シリンジにニードル（武蔵エンジニアリング社製、ゲージ２２、内径０．４２ｍｍ）を接続し、ディスペンサ（武蔵エンジニアリング社製、ＩＭＡＧＥ ＭＡＳＴＥＲ３５０ＰＣ ＳｍａｒｔＳＭΩＸ、吐出圧力２００ＭＰａ・ｓ、吐出時間０．２ｓｅｃ）にて吐出試験（１０分ごとにガラスプレート上に１００点を吐出、１ｍｍ×１ｍｍ、クリアランスギャップ１００μｍ）を行い、以下の基準で評価した。
○：磁性ペーストが詰まることなくシリンジから吐出が可能。
×：吐出時に磁性ペーストが詰まり、シリンジから吐出することができない。

＜比透磁率の測定＞
支持体として、シリコン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各磁性ペースト１〜７を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後のペースト層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１８０℃で９０分間加熱することによりペースト層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１００ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）を測定した。

実施例１〜４より、磁性粉体とバインダー樹脂とを含有し、磁性粉体の粒径分布が所定の範囲内である磁性ペーストは、遠心分離後も、磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化が抑制されており、遠心分離前後のチキソトロピーの変化が小さくなっている。また磁性粉体の偏在化が抑制された結果、遠心分離前後のチキソトロピーの変化が小さくなったことから、シリンジからの吐出性も良好となっていることが分かる。また本発明の磁性ペーストは得られる硬化物の比透磁率も高くなることが分かる。
一方、比較例１〜３より、磁性粉体の粒径分布が所定の範囲外であると、遠心分離後の磁性ペースト中の磁性粉体の偏在化によりチキソトロピーの変化が顕著となっていることが分かる。また吐出性の評価では、チキソトロピーの増大に起因すると考えられる磁性ペーストの詰まりによってシリンジからの吐出が困難となった。さらに、得られる硬化物の比透磁率も低くなることが分かる。

１ インダクタ素子
１１ 基板
１２ 磁性層
１３ 配線層
１４ コア部

Claims (12)

1. （Ａ）磁性粉体、及び（Ｂ）バインダー樹脂を含み、
   （Ａ）成分の粒径分布における１０％粒径（Ｄ_１０）が０．２μｍ以上２．０μｍ以下、５０％粒径（Ｄ_５０）が２．０μｍ以上４．３μｍ以下、及び９０％粒径（Ｄ_９０）が４．３μｍ以上８．５μｍ以下であり、（Ｄ _９０ −Ｄ _１０ ）／Ｄ _５０ が、１．５以上２．５以下であり、Ｄ _９０ −Ｄ _１０ が、４．３以上８．３以下である、磁性ペースト。
2. （Ｂ）成分が、エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の磁性ペースト。
3. （Ａ）成分が、軟磁性粉体である、請求項１又は２に記載の磁性ペースト。
4. （Ａ）成分が、酸化鉄粉である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁性ペースト。
5. 酸化鉄粉が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、請求項４に記載の磁性ペースト。
6. （Ａ）成分が、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライトである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁性ペースト。
7. Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト中のＭｎの含有量は、３．０質量％以上１５質量％以下である、請求項６に記載の磁性ペースト。
8. （Ａ）成分の含有量が、磁性ペースト中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁性ペースト。
9. 溶剤の含有量が、磁性ペーストの全質量に対して１．０質量％未満である、又は溶剤を含有しない、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁性ペースト。
10. インダクタ素子形成用である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁性ペースト。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁性ペーストの硬化物である磁性層を含む、インダクタ素子。
12. 請求項１１に記載のインダクタ素子を含む、回路基板。

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