JP6938911B2

JP6938911B2 - 装置

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Publication number: JP6938911B2
Application number: JP2016257136A
Authority: JP
Inventors: 藤田　悟; 悟藤田
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2016-12-28
Publication date: 2021-09-22
Anticipated expiration: 2036-12-28
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Description

本発明は、装置に関する。

従来、トランスを備える装置では、銅線または銅板などで形成された巻線を半田によって回路基板に接続している（例えば、特許文献１、２参照）。
特許文献１特開２００６−０１３０９４号公報
特許文献２特開２００８−１７８２０８号公報

しかしながら、半田を介して接続を行うと接触抵抗により接続部に熱が生じてしまう。

本発明の第１の態様においては、コアと、コアの外周を周回する第１巻線部と、コアの外周を周回する第２巻線のパターンが各々形成された複数のサブ基板と、複数のサブ基板を搭載するメイン基板と、を備える装置が提供される。

上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となりうる。

本実施形態に係る装置を示す。本実施形態に係る装置の構成を示す。本実施形態に係る装置の構成を示す。トランスの断面を示す。サブ基板を示す。サブ基板の表面に形成される導電パターンの一例を示す。サブ基板の裏面に形成される導電パターンの一例を示す。変形例における装置の構成を示す。変形例における装置の構成を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態に係る装置１００の回路構成を示す。装置１００は、本実施形態では一例としてＤＣ／ＤＣコンバータであり、例えば４００Ｖ，８００Ｖなどの直流電力を１０Ｖ，５０Ｖなどの直流電力に変換する。なお、装置１００はこの逆の変換をしてもよい。装置１００は、インバータ１１、トランス１２、１または複数（本実施形態では一例として３つ）の整流回路１３、集約部１４および出力端子１５を備えてよい。

インバータ１１は、直流電源１０から供給される入力電流を交流に変換してトランス１２に供給する。本実施形態では一例として、インバータ１１は、ワイドギャップ半導体を含む。ワイドバンドギャップ半導体とは、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい半導体であり、例えばＳｉＣ、ＧａＮ、ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、または、ＺｎＯなどの半導体である。ワイドギャップ半導体を用いることにより、インバータ１１は１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの交流電力を出力することが可能となる。なお、直流電源１０は装置１００に具備されてもよい。

トランス１２は、インバータ１１から供給される交流電力を変圧すると共に、装置１００の入出力を絶縁する。トランス１２は、変圧後の交流電流を整流回路１３に供給してよい。トランス１２は、コア１２０と、１または複数（本実施形態では一例として２つ）の巻線１２１と、複数（本実施形態では一例として３つ）の巻線１２２とを有している。

コア１２０は、巻線１２１および巻線１２２の複数のペアに共通であってよい。ここで、本実施形態ではインバータ１１がワイドギャップ半導体を含み高周波の交流電流を出力することができるため、トランス１２において磁束（＝電圧×時間）が小さくなる分、コア１２０の断面積を小さくし、トランス１２を小型・軽量化することが可能となる。

２つの巻線１２１は、一次側の巻線であり、第１巻線部の一例である。２つの巻線１２１の巻き数は互いに等しくてよい。２つの巻線１２１はインバータ１１に並列に接続されてよい。

３つの巻線１２２は、二次側の巻線であり、第２巻線の一例である。３つの巻線１２２の巻き数は互いに等しくてよく、巻線１２１の巻き数よりも少なくてよい。３つの巻線１２２は整流回路１３に直列に接続されてよく、それぞれ変圧後の交流電流を整流回路１３に供給してよい。

３つの整流回路１３は、それぞれトランス１２の二次側に接続されて巻線１２２からの交流電流を整流する。整流回路１３は、整流により得られた直流電流を集約部１４に供給してよい。整流回路１３は、巻線１２２からの交流電流を整流する整流素子１３１と、整流素子３１１および出力端子１５の間に接続されたインダクタ１３２とを有してよい。本実施形態では一例として、整流回路１３はセンタータップ型全波整流回路であり、２つの整流素子１３１と、１つのインダクタ１３２とを有する。

２つの整流素子１３１は、トランス１２の巻線１２２の両端にそれぞれアノードが接続された２つのダイオードであってよく、共通のインダクタ１３２にカソードが並列接続されてよい。

インダクタ１３２は、チョークコイルとして機能してよい。ここで、本実施形態ではインバータ１１がワイドギャップ半導体を含み高周波の交流電流を出力することができるため、インダクタ１３２において磁束（＝電圧×時間）が小さくなる分、インダクタ１３２の断面積を小さくし、インダクタ１３２を小型・軽量化することが可能となる。なお、整流回路１３はインダクタ１３２を有しなくてもよい。

集約部１４は、３つの整流回路１３のそれぞれが出力する直流電流を集約する。集約部１４は、集約した直流電流を出力端子１５に供給してよい。
出力端子１５は、集約部１４から出力される直流電流を装置１００の外部に出力する。

図２Ａ，２Ｂは、本実施形態に係る装置１００の構成を示す。ここで、図中のＸＹＺ方向は互いに直交する方向であり、本実施形態では一例としてＺ方向は上下方向である。また、図２Ｂは、図２Ａにおける一部の構成（図２Ａで奥側に図示された後述のサブ基板３０、巻線１２１および第１コア１２００）のみを図示したものである。

装置１００は、上述のコア１２０および２つの巻線１２１に加え、複数（本実施形態では一例として３つ）のサブ基板３０と、コネクタ３５とメイン基板４０とを備える。

コア１２０は、各サブ基板３０を貫通して設けられている。例えば、コア１２０は、Ｙ方向から見てＥ字状の第１コア１２００と、Ｉ字状の第２コア１２０５とを有してよい。第１コア１２００は、Ｘ方向に沿って第２コア１２０５と対向しており、第２コア１２０５の側に向かって突出する３つの脚部のうち中央部の脚部であるコア本体１２０１と、両側の脚部であるヨーク部分１２０２とを有してよく、このうち少なくともコア本体１２０１がサブ基板３０を貫通してよい。なお、本実施形態では上述のようにインバータ１１がワイドギャップ半導体を含み高周波の交流電流を出力することができるため、トランス１２が小型・軽量化されてよい。

２つの巻線１２１は、それぞれコア１２０の外周を周回する。本実施形態では一例として各巻線１２１は、２つのヨーク部分１２０２の間でコア本体１２０１の外周を周回する。２つの巻線１２１は、針金などのワイヤ状の導体を巻くことで形成されてよい。また、本実施形態では一例として、巻線１２１は異なるサブ基板３０同士の間にそれぞれ配置されるが、複数のサブ基板３０に対して一方の側または両側に配置されてもよい。

３つのサブ基板３０は、メイン基板４０に搭載される。例えば、３つのサブ基板３０は互いに平行にメイン基板４０に搭載されてよい。本実施形態では一例として、３つのサブ基板３０はＸ方向と垂直に配設されている。なお、図示は省略するが、各サブ基板３０は、メイン基板４０側に突出する１または複数の固定ピンを端部に有してよく、メイン基板４０に設けられた１または複数の固定孔部に各固定ピンが嵌め込まれることでメイン基板４０に固定されてよい。固定ピンおよび固定孔部は嵌め込まれた状態で半田付けされてもよい。一例として、サブ基板３０は端部に固定用のピンヘッダを有してよく、メイン基板４０に設けられたピンソケットと嵌合することで固定されてよい。

各サブ基板３０は、矩形状のプリント回路基板であってよい。例えば、サブ基板３０は、巻線を構成するための銅板よりも強度が大きくてよい。これにより、サブ基板３０をメイン基板４０に対して強固に立設することが可能となる。

３つのサブ基板３０には、コア１２０の外周を周回する巻線１２２のパターンが各々形成されている。例えば、３つのサブ基板３０のそれぞれはコア１２０における磁心部分（本実施形態においては一例としてコア本体１２０１）を挿通させる貫通孔３００を有してよく、３つのサブ基板３０のそれぞれにおいて巻線１２２のパターンは貫通孔３００の周りを周回してよい。これにより、各巻線１２２はコア本体１２０１の外周を周回した状態で巻線１２１と対向する。貫通孔３００および巻線１２２のパターンはサブ基板３０における一方の短辺の側（図中の左側）に設けられてよい。

また、３つのサブ基板３０のそれぞれは、少なくとも１つの辺において、コア１２０における巻線１２２の外周側でヨーク部分１２０２を通す切欠き３０５を有してよい。本実施形態では一例として、各サブ基板３０は上辺および下辺にそれぞれ切欠き３０５を有している。

また、３つのサブ基板３０は、基板上に搭載された巻線１２２からの交流電流を整流する上述の整流回路１３と、整流回路１３で整流した直流電流を出力する２つの出力端子３０８とをそれぞれ有してよい。本実施形態では一例として整流回路１３はサブ基板３０における他方の短辺の側（図中の右側）に設けられてよい。また、整流回路１３はサブ基板３０の表面（図中、手前側の面）に設けられてよい。２つの出力端子３０８はサブ基板３０の表面、裏面にそれぞれ設けられてよく、それぞれ電線４２０によりコネクタ３５に接続されてよい。ここで、本実施形態では上述のようにインバータ１１がワイドギャップ半導体を含み高周波の交流電流を出力することができるため、インダクタ１３２が小型・軽量化されてよい。

なお、サブ基板３０において直流電流の流れる部分の導電パターンは、交流電流の流れる部分の導電パターンよりも長くてよい。例えば、サブ基板３０における整流回路１３の入力端子から出力端子３０８までの導電パターンは、巻線１２２のパターンにおける整流回路１３とは反対側の端部から整流回路１３の入力端子までの導電パターンよりも長くてよい。これにより、トランス１２で生じる熱を直流領域で効率よく放熱することができるため、サブ基板３０の出力端子３０８からメイン基板４０への伝熱を抑制し、メイン基板４０への集熱を防止することができる。但し、サブ基板３０において直流電流の流れる導電パターンを、交流電流の流れる導電パターンよりも短くすることで、送電経路を短くして損失を抑えてもよい。

コネクタ３５は、３つのサブ基板３０から供給される電力を装置１００の外部に出力するものであり、上述の集約部１４および出力端子１５を有する。集約部１４は、複数のサブ基板３０の出力端子３０８それぞれが出力する直流電流を集約する。例えば、集約部１４は、コネクタ３５の内部に設けられてよく、３つのサブ基板３０のそれぞれの出力端子３０８と集約部１４との間は、電線４２０により接続されてよい。集約部１４は、集約した直流電流を、出力端子１５を介して装置１００の外部に出力してよい。なお、図２Ａ，図２Ｂでは出力端子１５の図示を省略している。

メイン基板４０は、３つのサブ基板３０を搭載してよく、本実施形態では一例としてＺ方向に垂直に配設されている。メイン基板４０は矩形状のプリント基板であってよい。

メイン基板４０は、上述のインバータ１１に加え、交流出力端子４０１を有してよい。なお、図２Ａ，図２Ｂではインバータ１１の図示を省略するが、インバータ１１はメイン基板４０上に搭載されてよく、本実施形態では一例として、サブ基板３０の搭載面に設けられている。

交流出力端子４０１は、インバータ１１から供給される交流電力を出力する。交流出力端子４０１には、２つの巻線１２１が並列に接続されてよい。例えば、交流出力端子４０１と巻線１２１との間は、電線４１０により接続されてよい。

以上の装置１００によれば、巻線１２２がサブ基板３０にパターンで形成されるので半田などによる接続部を介さずに巻線１２２をサブ基板３０の回路に接続することができる。従って、接触抵抗に起因する発熱を防ぐと共に、巻線１２２で生じる熱をサブ基板３０の回路に伝えて放熱することができる。また、巻線１２２がパターンで形成されるので、銅板を用いる場合よりも巻線１２２を薄くすることができる。従って、高周波の電流を流しても表皮効果による発熱を防ぐことができる。

また、巻線１２２のパターンおよび整流回路１３が形成されたサブ基板３０を複数備えるので、各整流回路１３に流れる電流量を少なくすることができる。従って、整流回路１３での損失および発熱を抑えることができる。

また、巻線１２２のパターンが形成されたサブ基板３０同士の間に巻線１２１が配置されるので、巻線１２１，１２２が交互に積層された状態となる。従って、巻線１２１，１２２の磁気結合を向上させ、トランス１２での漏れインダクタンスを低減し、電力変換の効率を高めることができる。

また、コア１２０がコア本体１２０１に加えてヨーク部分１２０２を有するので、トランス１２での漏れ磁束、ひいては漏れインダクタンスを低減し、電力変換の効率を高めることができる。

また、インバータ１１がワイドギャップ半導体を含むことでコア１２０およびインダクタ１３２を小型・軽量化することができるため、サブ基板３０を支持するための構造を簡略化することができる。

図３は、トランス１２の断面を示す。巻線１２２のパターンは、円状または多角形状の導電パターンと絶縁層とを交互に積層して形成されてよい。例えば、巻線１２２のパターンは複数の導電パターンを積層して形成されてよい。一例として、複数のサブ基板３０のうちの少なくとも１つにおいて、巻線１２２のパターンは、複数の基板層のそれぞれで貫通孔３００の周りを一部ずつ周回することにより、貫通孔３００の周りを複数の基板層で合わせて１周を超えて周回してよい。巻線１２２のパターンは、複数の基板層の間で導電ビアにより電気的に接続されてよい。このようにして複数の導電パターンを積層して巻線１２２を形成することにより、熱伝導性の高い導電パターンが増える分、サブ基板３０の放熱効率が向上する。なお、サブ基板３０の層数は、巻線１２２の形成領域のみで多くしてもよい。この場合には、サブ基板３０００の製造コストが低減される。

また、巻線１２１と接する各サブ基板３０は、巻線１２１と接する面側において内層のみに巻線１２２のパターンを有してよい。例えば、サブ基板３０は、巻線１２２のパターンよりも外側に絶縁層を有してよい。これにより、サブ基板３０と巻線１２１とを単純に当接させて配置することで巻線１２１と巻線１２２とが絶縁されるため、両者を絶縁する手間を省くことができる。また、巻線１２１の材料として絶縁耐圧の低いものを用いることができる。なお、巻線１２２の導電パターンの周囲において導電パターンよりも外層側に絶縁層が設けられる限りにおいて、巻線１２２の導電パターンは外部に露出してもよい。この場合であっても、外層側の絶縁層がスペーサとして機能する結果、巻線１２１，１２２同士を絶縁することができる。

これに加えて／代えて、巻線１２１は絶縁電線を巻き付けて形成されてよい。ここで、絶縁電線とは、例えば三層絶縁電線など、導体が絶縁体で覆われた電線であってよい。この場合にも、サブ基板３０と巻線１２１とを単純に当接させて配置することで巻線１２１と巻線１２２とが絶縁されるため、両者を絶縁する手間を省くことができる。

図４は、サブ基板３０を示す。本実施形態では一例として、サブ基板３０は、コア本体１２０１を挿通させる貫通孔３００の上下にそれぞれヨーク部分１２０２を挿通させる切欠き３０５を有する。貫通孔３００は円形であってよい。切欠き３０５は、貫通孔３００の周囲に環状の巻線１２２のパターンを形成すべく、貫通孔３００から巻線１２２の径方向の幅寸法だけ上下に離間して形成されてよい。切欠き３０５は、巻線１２２のＹ方向の直径寸法と概ね同じ幅で形成されてよい。

図５Ａ、図５Ｂは、サブ基板３０の表面、裏面に形成される導電パターンの一例を示す。３つのサブ基板３０のうちの少なくとも１つにおいて、巻線１２２のパターンはサブ基板３０の両面上に形成されてよい。これにより巻線１２２の巻き数を容易に増やすことができる。

巻線１２２のパターンをサブ基板３０の両面に形成する場合、両面の巻線１２２のパターンは、サブ基板３０を貫通する２つの導電ビア３０１，３０２により電気的に接続されてよい。なお、この図では各面のパターンは１つの層内で概ね１回、巻かれたパターンをなしているが、２回よりも多く巻かれたパターンをなしてもよい。サブ基板３０の放熱効率を高める観点からはサブ基板３０上の少なくとも一部の導電パターンの線幅は太い方が好ましい。例えば、整流回路１３の出力側の導電パターンは巻線１２２の導電パターンよりも太くてよい。

なお、図５Ａ、図５Ｂの導電パターンでは、巻線１２２は点（１）〜（４）を順次、通るように巻かれている。すなわち、巻線１２２のパターンは、サブ基板３０の表面において上側の整流素子１３１の側から巻線１２２のパターンを経て導電ビア３０１に至り（点（１）〜（２））、裏面において導電ビア３０１から巻線１２２のパターンを経て導通ビア３０２に至る（点（３）〜（４））。点（１），（４）を通ってＹ方向に向かう導電経路はそれぞれセンタータップ型全波整流回路における両端の配線経路となっており、整流素子１３１を通って出力端子３０８に接続される。また、点（３）を通ってＹ方向に向かう導電経路は、センタータップ側の配線経路となっており、出力端子３０８に接続される。

図６Ａ、図６Ｂは、変形例における装置１００の構成を示す。本変形例における装置１００は、上述のコア１２０、２つの巻線１２１、３つのサブ基板３０、コネクタ３５およびメイン基板４０に加え、冷却部５０と、筐体６０とを備える。

冷却部５０は、３つのサブ基板３０の間に冷却風を通す。例えば、冷却部５０は冷却ファンであってよい。冷却部５０は、複数のサブ基板３０の側に向けて筐体６０の内面に取り付けられてよい。本実施形態では一例として、冷却部５０は筐体６０の内面のうちサブ基板３０の巻線１２２側の短辺に対向する側面に固定される。冷却部５０が取り付けられた筐体６０の壁部には、冷却風を外部から取り込むべく、外部と連通するスリット６１が設けられてよい。また、この壁部と対向する壁部には、冷却風を外部に排出するためのスリット６２が設けられてよい。

筐体６０は、コア１２０、２つの巻線１２１、３つのサブ基板３０、コネクタ３５、メイン基板４０および冷却部５０を収容する。本実施形態では一例として、筐体６０はメイン基板４０を内部の底面上に支持した状態で各部を収容している。また、筐体６０は、コネクタ３５を壁部に埋め込まれた状態で有している。コネクタ３５の外側面には装置１００の出力端子１５が配置されてよい。筐体６０内におけるメイン基板４０と向かい合う内面には、当該内面に沿って流れる冷却風を、サブ基板３０同士の間からメイン基板４０へと向かう方向に向ける整風部６５が設けられてよい。例えば整風部６５は、筐体６０の内部の上面に設けられた板状部材であってよく、冷却部５０から遠くなるに従って筐体６０の内部上面から離れるよう配置されてよい。

本変形例の装置１００によれば、サブ基板３０の間に冷却風を通すので、各サブ基板３０を効率よく冷却することができる。

なお、上記の変形例においては、筐体６０は装置１００の各部を収容することとして説明したが、冷却部５０を収容しなくてもよい。例えば、冷却部５０は、スリット６１の設けられた筐体６０の壁部の外側に取り付けられてもよい。これに加えて／代えて、筐体６０は、出力端子１５から電力供給を受ける少なくとも１つの負荷をさらに収容してもよい。

また、冷却部５０は巻線１２２の側の短辺からサブ基板３０の間に冷却風を通す、つまり一方の短辺側から他方の短辺側に向かって冷却風を通すこととして説明したが、各サブ基板３０を巻線１２２の側の短辺が下側になるようにメイン基板４０に立設した状態で、サブ基板３０の一方の長辺側から他方の長辺側に向かって冷却風を通してもよい。

また、上記の実施形態では、二次側の巻線１２２が導電パターンで形成されることとして説明したが、一次側の巻線１２１が導電パターンで形成されてもよいし、巻線１２１，１２２の両方が導電パターンで形成されてもよい。

また、整流回路１３をセンタータップ型全波整流回路として説明したが、他の整流回路としてもよい。例えば、整流回路１３は、フルブリッジ整流回路でもよいし、倍電流整流回路でもよい。

また、集約部１４がコネクタ３５内に設けられることとして説明したが、メイン基板４０に設けられてもよい。この場合には、サブ基板３０の出力端子３０８は電線４２０を介してメイン基板４０の集約部１４に接続されてよい。また、メイン基板４０には集約後の直流電流を出力する出力端子１５が設けられてよい。これに代えて、装置１００は、集約部１４を備えないこととしてもよい。この場合には、サブ基板３０の各整流回路１３からの直流電流をそのまま装置１００の外部のコネクタなどに出力して集約させてよい。これにより、装置１００内で集約部１４に電流を集めてから装置１００の外部に出力する場合と比較して送電経路を短くすることができるため、損失を抑えることができる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０直流電源、１１インバータ、１２トランス、１３整流回路、１４集約部、１５出力端子、３０サブ基板、３５コネクタ、４０メイン基板、５０冷却部、６０筐体、６１スリット、６５整風部、１００装置、１２０コア、１２１巻線、１２２巻線、１３１整流素子、１３２インダクタ、３００貫通孔、３０１導電ビア、３０２導通ビア、３０５切欠き、３０８出力端子、３１１整流素子、４０１交流出力端子、４１０電線、４２０電線、１２００第１コア、１２０１コア本体、１２０２ヨーク部分、１２０５第２コア

Claims

コアと、
前記コアの外周を周回する第１巻線部と、
前記コアの外周を周回する第２巻線のパターンが各々形成された複数のサブ基板と、
前記複数のサブ基板を搭載するメイン基板と、
を備え、
前記複数のサブ基板のそれぞれは、
基板上に搭載された前記第２巻線からの交流電流を整流する整流回路と、
前記整流回路で整流した直流電流を出力する出力端子と、
を有し、
前記整流回路の入力端子から前記出力端子までの導電路は、前記整流回路の前記入力端子から前記第２巻線のパターンの側の導電路よりも長い装置。
前記複数のサブ基板は互いに平行に前記メイン基板に搭載され、
前記複数のサブ基板のそれぞれは、前記コアにおける磁心部分を挿通させる貫通孔を有し、
前記複数のサブ基板のそれぞれにおいて、前記第２巻線のパターンは、前記貫通孔の周りを周回する
請求項１に記載の装置。
前記複数のサブ基板のうちの少なくとも１つにおいて、前記第２巻線のパターンは、複数の基板層のそれぞれで前記貫通孔の周りを一部ずつ周回することにより、前記貫通孔の周りを前記複数の基板層で合わせて１周を超えて周回する請求項２に記載の装置。
前記第２巻線のパターンは、前記複数の基板層の間で導電ビアにより電気的に接続される請求項３に記載の装置。
前記複数のサブ基板のうちの少なくとも１つにおいて、前記第２巻線のパターンは、サブ基板の両面上に形成される請求項３または４に記載の装置。
前記複数のサブ基板のそれぞれは、少なくとも１つの辺において、前記コアにおける巻線の外周側に位置するヨーク部分を通すための切欠きを有する請求項２から５のいずれか一項に記載の装置。
前記複数のサブ基板における異なるサブ基板同士の間にそれぞれ配置される複数の前記第１巻線部を備える請求項２から６のいずれか一項に記載の装置。
前記複数のサブ基板のうち前記第１巻線部と接するサブ基板は、前記第１巻線部と接する面側において内層のみに前記第２巻線のパターンを有する請求項７に記載の装置。
前記第１巻線部は、絶縁電線を巻き付けてなる請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
前記複数のサブ基板の基板間に冷却風を通す冷却部を更に備える請求項２から９のいずれか一項に記載の装置。
当該装置の筐体内における前記メイン基板と向かい合う内面に設けられ、当該内面に沿って流れる冷却風を、前記複数のサブ基板におけるサブ基板同士の間から前記メイン基板へと向かう方向に向ける整風部を更に備える請求項１０に記載の装置。
前記メイン基板は、前記複数のサブ基板のそれぞれが出力する直流電流を集約する集約部を有する請求項１から１１の何れか一項に記載の装置。
前記複数のサブ基板のそれぞれと前記集約部との間は、電線により接続される請求項１２に記載の装置。
前記複数のサブ基板のそれぞれは、前記整流回路と出力端子の間に接続されたインダクタを更に有する請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
前記メイン基板は、基板上に搭載され、入力電流を交流に変換して前記第１巻線部に供給するインバータを有する請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。