JP6926782B2 - 水素発生用電極及びその製造方法並びに水素発生用電極を用いた電気分解方法 - Google Patents
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Description
導電性基材はニッケルエキスパンドメタルを用いた。ニッケルエキスパンドメタルは、前処理として、10wt%の塩酸溶液を用いて温度50℃で10分間エッチングした後、水洗、乾燥した。
ジニトロジアンミン白金硝酸溶液(田中貴金属製)と硝酸ニッケル6水和物と硝酸パラジウム2水和物(小島化学薬品製)と水を用いて、白金、ニッケル及びパラジウムを含む触媒層形成用液(白金:48モル%、ニッケル:48モル%、パラジウム:4モル%)を作製した。
電極の表面積の測定は、Autosorb−iQ(登録商標)(Quantachrome Instruments製)を使用し、Arガス吸着法にて電極1g当たりの表面積を測定し、下式により触媒重量1g当たりの表面積に換算した。
ここで、(単位重量当たりの触媒層重量)=(触媒層重量)÷(基材重量)である。
第1工程実施前の導電性基材の測定重量と、該導電性基材に第1工程と第2工程を施した後の電極の測定重量との差分を触媒層の重量とした。
32wt%水酸化ナトリウム水溶液の電解液(容量約1L)を用いて、対極にNi、温度88℃、電流密度6.0kA/m2の条件で10分間、水電解を行い、カレントインタラプター法により、水素過電圧を測定した。
電極の0.1Hzにおけるインピーダンスは、1260型インピーダンスアナライザー(Solartron社製)、及び、1287型ポテンショスタット/ガルバノスタット(Solartron社製)を使用し、800Hz〜0.1Hzの周波数範囲で、以下の条件で測定した。
参照電極:Hg/HgO
対極:Niコイル
測定温度:室温
設定電位:1.10V vs Hg/HgO
電位振幅:5mV
なお、参照電極と測定電極はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂製のチュープを用いて液絡させたが、該チューブの先端と測定電極との間隔を800Hzにおけるインピーダンスが0.43〜0.47Ωになるよう調整した。
以下に示す手法にて第1工程を実施した。
導電性基材として1.4m×0.4mのニッケルエキスパンドメタルを用いた以外は実施例1と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、66mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは0.778mVであった。
300℃で30分間焼成することで第2工程を行った以外は実施例2と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、65mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは0.796mVであった。
400℃で30分間焼成することで第2工程を行った以外は実施例2と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、65mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは0.825mVであった。
第2工程を実施しなかった以外は実施例1と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、70mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは0.913mVであった。
導電性基材として1.4m×0.4mのニッケルエキスパンドメタルを用いた以外は比較例1と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、71mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは0.918mVであった。
第1工程において、触媒層形成用液を、ニッケルエキスパンドメタルの片面に5mL/m2の塗布量で塗布し、引き続き、ニッケルエキスパンドメタルの他方の面に5mL/m2の塗布量で塗布したこと、及び、塗布、乾燥、熱分解の一連の操作を12回繰り返した以外は実施例2と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、80mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは1.056mVであった。
第2工程を550℃で30分間焼成した以外は実施例2と同様に操作して電極を作製し、実施例1と同様に電気化学的還元処理を行い、水素過電圧を測定したところ、76mVであった。続いて、0.1Hzにおけるインピーダンスを測定したところ0.1Hzにおけるインピーダンスは1.021mVであった。
Claims (12)
- 導電性基材上に、白金、ニッケル及びパラジウムを主成分とする触媒層が担持されてなる水素発生用電極であって、前記触媒層が、合金、アモルファス金属、金属酸化物又は金属水酸化物の状態であり、かつ、Arガス吸着法にて測定した、細孔径が0.4nm以上100nm未満の範囲における触媒層重量当たりの累積表面積が45m2/g以上であり、触媒層の重量が、導電性基材の投影面積当たり、10g/m2以上であることを特徴とする水素発生用電極。
- 細孔径が0.4nm以上1nm以下の範囲における触媒層重量当たりの累積表面積が10m2/g以上であることを特徴とする請求項1に記載の水素発生用電極。
- 1mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液中で設定電位:1.10V vs Hg/HgO、電位振幅:5mVで測定したインピーダンスが0.1Hzで0.9Ω以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水素発生用電極。
- 前記触媒層中のパラジウム含有量が1モル%以上55モル%以下であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかの項に記載の水素発生用電極。
- 前記触媒層中のパラジウム含有量が4〜48モル%、ニッケル含有量が48〜4モル%、残部が白金であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかの項に記載の水素発生用電極。
- 白金、ニッケル及びパラジウムを含む触媒層形成用液を導電性基材上に塗布、乾燥、熱分解し、導電性基材上に触媒層を形成する第1工程を行うに際し、前記触媒層形成用液の塗布量を導電性基材の投影面積あたり13〜31mL/m2に制御して塗布した後、乾燥、熱分解する工程を4〜8回繰返し行った後、300〜500℃で焼成を行う第2工程を行うことを特徴とする、請求項1〜請求項5のいずれかの項に記載の水素発生用電極の製造方法。
- 前記触媒層形成用液中のパラジウム含有量が1〜55モル%であることを特徴とする請求項6に記載の水素発生用電極の製造方法。
- 前記触媒層形成用液中のパラジウム含有量が4〜48モル%、ニッケル含有量が48〜4モル%、残部が白金であることを特徴とする請求項6に記載の水素発生用電極の製造方法。
- 前記第2工程を行った後に、導電性基板上の触媒層を還元処理することを特徴とする請求項7〜請求項8のいずれかの項に記載の水素発生用電極の製造方法。
- 還元処理が、水又はアルカリ金属塩化物水溶液の電気分解での電気化学的還元処理であることを特徴とする請求項9に記載の水素発生用電極の製造方法。
- 請求項1〜請求項5のいずれかの項に記載の水素発生用電極を陰極として使用し、隔膜を挟んで陽極を配置した電解槽で水又はアルカリ金属塩化物水溶液を電気分解し、前記陰極上から水素ガス及びアルカリ金属水酸化物水溶液を生成し、陽極上から酸素ガス又は塩素ガスを生成することを特徴とする電気分解方法。
- 隔膜が陽イオン交換膜であることを特徴とする請求項11に記載の電気分解方法。
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