JP6904044B2 - 半導体パッケージ用基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体パッケージ用基板およびその製造方法に関する。

半導体パッケージ用基板（以後、単にパッケージ用基板とも称する。）の製造方法は、まずコア基板の表裏面に配線層と絶縁層を積層することにより、パッケージ用基板を多面付けした大判の配線基板（基板パネル）を形成した後、その配線基板をダイシングしてパッケージ用基板に個片化するのが通常である。

近年のパッケージ用基板のコア基板には、ガラス基板に代表される、電気的特性には優れるものの、切断面が脆弱な材料により形成されたものが使用されている。また、配線基板を作製する際に、コア基板上に、コア基板と線膨張係数の異なる樹脂層と、配線層と、を複数積層するため、温度変化があると線膨張係数の差により、コア基板と樹脂層と配線層で膨張量が異なるため、コア基板の外周部に応力が発生することが知られている。そのため、コア基板が割れの起きやすいガラス基板のような脆性材料の場合、コア基板の割れが生じる（非特許文献１）場合がある。コア基板をガラス基板とする積層体の場合、数十μｍより厚いガラス基板では、その端面から裂ける問題が起き易い。

このコア基板の断面のクラックは、ダイシング直後またはその後の工程で、傷部分からコア基板の内部に蓄積された内部応力が開放され、コア基板が裂ける方向に割れが生じる可能性がある。

この問題を解決する技術として、特許文献１には、ガラス基板などの脆性材料により形成されたコア基板の表裏面に、コア基板と線膨張係数の異なる樹脂層と配線層を複数層積層された配線基板が開示されている。この配線基板は、コア基板の周縁端部と接する樹脂層の配線基板の側面の表面から内部に向って溝部を形成することによって、コア基板の周縁端部を樹脂層と離間させることで、コア基板の周縁端部に熱的な応力が発生しない様にしている。

しかしながら、この技術においては、コア基板上の金属層をダイシングブレードで切断するため、ダイシングブレードの目詰まりによる切削力の低下から、コア基板の断面に多くのクラックを発生させてしまう懸念がある。また、ダイシング工程により個片化した直後にコア基板の破壊が発生する懸念がある。

特開２０１５−２３１００５号公報

"Empirical investigations on Die Edge Defects Glass-Panel Based Interposer for Advanced Packaging"Frank Wei, et,al, ２０１５ Electronic Components & Technology Conference（２０１５）

そこで本願発明は、脆性材料からなるコア基板に、絶縁層と配線層を積層した（絶縁層と配線層の積層体を以降ビルドアップ層と記載）配線基板を個片化および温度変化によっ
て、コア基板の切断面に信頼性に影響するような破壊を生じることのない配線基板を提供することを課題とする。

上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、脆性材料からな
るコア基板の表裏面に、少なくとも一対の配線層と絶縁層とが、この順に積層されたビル
ドアップ層を備えている半導体パッケージ用基板であって、
半導体パッケージ用基板の側端部において、コア基板と絶縁層の間に応力緩和構造が備
えられており、
前記応力緩和構造が、前記コア基板の上に備えられた樹脂層と、その樹脂層の上に前記絶縁層に接して備えられた密着層を備えており、
密着層は、絶縁層に含まれる有機物の官能基と反応する層であり、
樹脂層は無機材料を含み、
前記樹脂層と前記密着層の結合力、または、前記密着層と前記絶縁層の結合力の少なくとも一方が、前記樹脂層の内部の結合力及び前記絶縁層の内部の結合力よりも小さい
ことを特徴とする半導体パッケージ用基板である。

また請求項２に記載の発明は、前記密着層が、シランカプリング剤を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体用パッケージ基板である。

また請求項３に記載の発明は、前記脆性材料がガラスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ用基板である。

また請求項４に記載の発明は、脆性材料からなるコア基板の表裏面に、少なくとも一対
の配線層と絶縁層とが、この順に積層されたビルドアップ層を備えている半導体パッケー
ジ用基板の製造方法であって、
基板パネルの表裏面に配線層を形成する工程と、
基板パネルの半導体パッケージ用基板の周縁部となる位置に、樹脂層を形成し、その樹
脂層を含む基板パネルの全面に密着層を形成することにより応力緩和構造を形成する工程
と、
基板パネルの所定の位置をダイシング加工することにより、半導体パッケージ用基板を
個片化する工程と、を備え、
密着層は、絶縁層に含まれる有機物の官能基と反応する層であり、
樹脂層は無機材料を含み、
前記樹脂層と前記密着層の結合力、または、前記密着層と前記絶縁層の結合力の少なくとも一方が、前記樹脂層の内部の結合力及び前記絶縁層の内部の結合力よりも小さい半導体パッケージ用基板の製造方法である。

また請求項５に記載の発明は、前記密着層が、シランカプリング剤を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体用パッケージ基板の製造方法である。

また請求項６に記載の発明は、前記脆性材料がガラスであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法である。

本発明の半導体パッケージ基板によれば、脆性材料からなるコア基板を使用しているにも拘わらず、パッケージ基板の側端部に応力緩和構造を備えているため、パッケージ基板を多面付けしたパネル基板をダイシング加工して個片化することによって、パッケージ基板を作製した時点においても、またパッケージ基板が様々な熱履歴を経ても、脆性材料からなるコア基板が損傷したり、破損することがなく、信頼性が高い半導体パッケージ基板を提供することができる。

また、本発明の半導体パッケージ基板の製造方法によれば、本発明の半導体パッケージ基板の製造可能とすることができる。

本発明のパッケージ用基板（構造１）の概略構成を例示する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造２）の概略構成を例示する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１、２）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１、２）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造１）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造２）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造２）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造２）の製造工程を説明する断面図である。 本発明のパッケージ用基板（構造２）の製造工程を説明する断面図である。

以下、本発明にかかる配線基板とその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。

本明細書において、「パッケージ用基板」とは、個片化された積層体をいう。また、「基板パネル」とは、ダイシングにより個片化される前のパッケージ用基板が連結（多面付け）された状態のものをいう。一般的には基板製造段階においては、基板パネルの状態で作製し、その後ダイシング工程にて個片化し、パッケージ用基板を得る。

＜構造１＞
本発明のパッケージ用基板の第１の実施形態である構造１について説明する。
図１は本出願のパッケージ用基板の第１の実施形態である構造１の概略構
成を示す切断部端面図である。本実施形態におけるパッケージ用基板１００は、コア基板
１０とコア基板１０の厚さ方向の両面に積層された配線層２０と絶縁層３０で構成された
ビルドアップ層５０とを含む。

（コア基板）
コア基板１０の材料は、基板パネル（図示省略）および基板パネルを個片化した後のパッケージ用基板１００の電気特性を向上させる材料であれば特に限定する必要はない。例えば、コア基板１０として、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、プラスチック板、プラスチックテープ等を用いることができる。好ましくはガラス基板である。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものであってもよく、フッ酸で処理したものであってもよく、また、ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。本発明の一態様において、コア基板１０に用いるガラス基板は表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。

コア基板１０の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。

（貫通穴形成）
上記コア基板１０に、まず貫通穴７０を形成する。貫通穴７０の形成方法は、放電加工によるもの、レーザー加工によるもの、フッ酸などの薬液処理によるもの、またはその組合せによるものなどが上げられるが、何れの方法でも良く、またそれらに限定されるものでもない。

（配線層形成）
次に配線層２０を形成する。配線層２０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層２０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。前記の金属層を形成する手段としては、めっき、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなど、各種の製膜方法を使用することができる。導電性樹脂による配線層については、各種の導電性インキを、各種の印刷法（インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、など）を使用して形成することができる。配線層２０の材料としては、取り扱い易い事、導電性が高い事、およびコストの点から、好ましくは銅が用いられる。配線形成方法は限定しないが、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。例えば各種の金属材料を用いたサブトラクティブ法やＣｕめっきを用いたフルアディティブ工法を使用することも可能であるが、セミアディティブ工法によるＣｕめっき配線を好適に使用できる。サブトラクティブ法におけるエッチングレジストのパターン形成方法としては、感光性のエッチングレジストを用いた場合は、通常のフォトリソ工程によって実施できる。非感光性のエッチングレジストを使用する場合は、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、など各種の印刷法を使用してパターン形成を実施可能である。

（応力緩和構造形成）
次に樹脂層６０を形成する。樹脂層６０の形成方法としては、感光性レジストを用いたパターン形成、液状レジストの印刷パターニングなどが挙げられるが、それらに限定されるものではない。この樹脂層６０を形成する位置は、パッケージ用基板１００を多面付けした基板パネルのパッケージ用基板１００の周縁部である。基板パネルをダイシング加工して個片化することによりパッケージ用基板となるが、そのパッケージ用基板１００の側端部（ダイシング加工によって切り出された側断面）に、樹脂層６０が露出する位置に形成する。

次に密着層１を形成する。密着層１としてはシランカップリング剤などが挙げられるが、それに限定されるものではない。この工程により部分的に密着性の異なるコア基板／樹脂層界面を側端面に有したパッケージ用基板１００を得ることができる。
この樹脂層６０の上に密着層１が形成された構造は、密着層１が、絶縁層３０との密着力を弱め、応力を緩和可能とすることができる。そのため、パッケージ用基板１００の側端部に応力がかかっても、応力が緩和される応力緩和構造３００として機能する。

そのように機能する密着層１としては、上記のシランカプリング剤のような材料が適用可能である。シランカプリング剤は、一端に有機材料と結合する官能基を持ち、もう一方の端部に無機材料と結合可能な官能基を備えているために、それらを結び付けることが可
能な材料である。

このような、有機材料層／シランカプリング剤層／無機材料層なる構造においては、有機材料層とシランカプリング剤層との結合力、またはシランカプリング剤層と無機材料層との結合力、を有機材料層の内部での結合力または無機材料層内部での結合力と比べて小さくすることが可能である。

そのように、有機材料層／シランカプリング剤層の間、またはシランカプリング剤層／無機材料層の間、の結合力を弱くしておくことによって、応力が加わった場合に、それらの間でずりが生じたり、層間の剥離が起こることにより、応力を緩和することができる。

例えば、樹脂層６０に添加する無機材料の添加濃度を調整することにより、層間の結合力を弱めることが可能である。この様にして応力緩和構造３００を形成することができる。

（ビルドアップ層形成）
ビルドアップ層５０は、コア基板１０の厚さ方向の表面上に形成される。ビルドアップ層５０は、配線層２０と絶縁層３０から成り、一対の層であってもよく、またその対の層が複数層であってもよい。

配線層２０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層２０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。

また、配線層２０は、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。配線層２０の形成方法は、これらに限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷を用いることができる。好ましくはセミアディティブ法である。

絶縁層３０は、当分野で通常用いられる絶縁性材料を用いて形成することができる。具体的には、絶縁層３０は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。本発明の絶縁層３０を形成する絶縁性材料には線膨張係数が７〜１３０ｐｐｍのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。

また、絶縁性材料は、液状であっても、フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合、絶縁層３０は、スピンコート法、ダイコータ法、カーテンコータ法、ロールコータ法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合、例えば真空ラミネート法により絶縁層３０を形成することができる。上記のように形成された絶縁層３０は、加熱または光照射により硬化させてもよい。

また、前記した貫通穴７０の充填を絶縁層形成時に行ってもよい。貫通穴７０の充填は前記配線形成時にＣｕめっきで埋める方法、配線形成後に電導ペーストで充填する方法、樹脂で埋める方法などがあり、どの方法でもかまわない。

(ＳＲ形成、表面処理)
最外層の形成方法、材料は特に限定されるものではないが、ソルダーレジストと呼ばれる感光性の樹脂材料４０を形成することが多い。また、配線層の表面処理として、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅｓ、熱
による銅の酸化を防止するための耐熱表面処理の一種）処理、金めっき処理、Ｓｎめっき処理などを形成することがあるが、これらに限定するものではない。

最外層の形成方法、材料は特に限定されるものではないが、ソルダーレジストと呼ばれる感光性の樹脂材料４０を形成することが多い。また、配線層の表面処理として、ＯＳＰ処理、金めっき処理、Ｓｎめっき処理などを形成することがあるが、こちらも限定されない。

（個片化）
次に、パッケージ用基板１００が多面付けされた基板パネルをダイシング加工して個片化し、パッケージ用基板１００を得る。この時に、コア基板１０との界面付近にクラックが発生し易い。これは、ダイシング加工の際に発生する衝撃により、コア基板１０の端面に微小なクラックが発生し、これに配線層２０と絶縁層３０の熱応力がコア基板１０に引っ張り応力を発生させ、コア基板１０の側端面においてクラックを拡大させるためである。
しかしながら本発明によれば、微小クラックが発生する領域のコア基板１０と樹脂層６０は密着していないか、もしくは微小な応力で剥離する状態となっている。そのため配線層１０および樹脂層６０が引っ張り応力を発生させ、コア基板１０の側端面におけるクラックを拡大させるという現象を抑制できる。

次に、本発明のパッケージ用基板の第２の実施形態である構造２について説明する。

＜構造２＞
図２は本出願のパッケージ用基板の第２の実施形態である構造２の概略構成
を示す切断部端面図である。本実施形態におけるパッケージ用基板１０１は、コア基板１
０とコア基板１０の厚さ方向の両面に積層された配線層２０と絶縁層３０で構成されたビ
ルドアップ層５０とを含む。

（コア基板）
コア基板１０は、コア基板１０を多面付けした基板パネルおよび基板パネルを個片化した後のパッケージ用基板１００の電気特性を向上させる材料であればよい。例えば、コア基板１０として、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、プラスチック板、プラスチックテープ等を用いることができる。好ましくはガラス基板である。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものであってもよく、フッ酸で処理したものであってもよく、また、ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。本発明の一態様において、コア基板１０に用いるガラス基板は表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。

コア基板１０の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。

(貫通穴形成)
まず、上記コア基板１０に貫通穴７０を形成する。貫通穴７０の形成方法は、放電加工によるもの、レーザー加工によるもの、フッ酸などの薬液処理によるもの、またはその組合せによるものなどが上げられるが、それらに限定されるものではない。

(配線層形成)
次に配線層２０を形成する。配線層２０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層２０は、銅、銀、すず、金、タングステン
、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。配線形成方法は限定しない。配線形成方法としては例えばセミアディティブ工法によるＣｕめっき配線などがある。

(応力緩和構造形成)
本出願の第２の実施形態である構造２の製造方法においては、次に後工程で簡単に除去可能な樹脂６１を、例えばアルカリ現像型感光性レジストで形成する。このとき剥離もしくは溶解可能な樹脂層６１の厚みは５μｍ以下が望ましい。５μｍ以下とすることで除去した後の溝の厚みを５μｍ以下とすることができ、部分的に段差ができていることでダイシング時に絶縁層が欠けてしまう不具合を抑制することができる。この剥離もしくは溶解可能な樹脂層６１を形成する位置は、パッケージ用基板１０１を多面付けした基板パネルのパッケージ用基板１０１の周縁部である。基板パネルをダイシング加工して個片化することによりパッケージ用基板１０１となるが、そのパッケージ用基板１０１の側端部（ダイシング加工によって切り出された側断面）に、樹脂層６１が露出する位置に形成する。
パッケージ用基板１０１に個片化した後、この樹脂層６１を除去して形成される溝また
は空間が応力緩和構造３０１となる。

（ビルドアップ層形成)
ビルドアップ層５０は、コア基板１０の厚さ方向の表面上に形成される。ビルドアップ層５０は、配線層２０と絶縁層３０から成り、一対の層であってもよく、またその対の層が複数層であってもよい。

配線層２０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層２０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。

また、配線層２０は、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。配線層２０の形成方法は、これらに限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷を用いることができる。好ましくはセミアディティフ法である。

絶縁層３０は、当分野で通常用いられる絶縁性材料を用いて形成することができる。具体的には、絶縁層３０は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。本発明の絶縁層３０を形成する絶縁性材料には線膨張係数が７〜１３０ｐｐｍのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。

また、絶縁性材料は、液状であっても、フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合、絶縁層３０は、スピンコート法、ダイコータ法、カーテンコータ法、ロールコータ法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合、例えば真空ラミネート法により絶縁層３０を形成することができる。上記のように形成された絶縁層３０は、加熱または光照射により硬化させてもよい。

また、前記した貫通穴７０の充填を絶縁層形成時に行ってもよい。貫通穴７０の充填は前記配線形成時にＣｕめっきで埋める方法、配線形成後に電導ペーストで充填する方法、樹脂で埋める方法などがあり、どの方法でもかまわない。

(ＳＲ形成、表面処理)
最外層の形成方法、材料は特に限定されるものではないが、ソルダーレジストと呼ばれ
る感光性の樹脂材料４０を形成することが多い。また、配線層の表面処理として、ＯＳＰ処理、金めっき処理、Ｓｎめっき処理などを形成することがあるがこちらも限定されない。

（個片化）
次に、パッケージ用基板１０１が多面付けされた基板パネルを個片化し、パッケージ用基板１０１を得る。

（溝形成：応力緩和構造形成）
構造２においては、個片化後に露出した除去可能な樹脂６１を除去する。アルカリ現像型感光性ドライフィルムレジストを用いた場合には、アミン系剥離液、水酸化ナトリウム水溶液など一般的にパターン形成時の剥離工程で用いられる材料で除去可能である。
本発明によれば、コア基板１０の側端面において微小クラックが発生する領域のコア基板１０と絶縁層３０の層間に溝（空間）が形成されている。そのため配線層２０と絶縁層３０が引っ張り応力を発生させ、コア基板１０のクラックを拡大させるという現象を抑制できる。この溝（空間）が、応力緩和構造３０１として機能する。

以下、本発明および効果について具体的な例を用いて説明するが、実施例は本発明の適用範囲を限定するものではない。

＜実施例１＞

まず、図３に示すように板厚３００μｍの基板パネル２００（アルミノ珪酸塩ガラス）を準備し、必要な箇所に貫通穴７０を形成した。貫通穴７０は放電加工により形成した。

次に、図４に示すように基板パネル２００の厚さ方向の表面に銅めっきにより１０μｍの厚みの配線層２０を形成した。配線層２０の形成にはセミアディティブ法を使用した。

次に、図５に示す様に、配線層２０を形成した基板パネル２００の表裏面に感光性材料であるソルダーレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりピース（パッケージ用基板１００）外周部に相当する位置にパターニングすることにより樹脂層６０を形成した。

次に、図６に示す様に、密着層１としてシランカップリング剤を塗布した。

次に、図７に示す様に、配線層２０の形成と絶縁層３０の形成および層間の導通を得る為のビア加工を繰り返すことで、ビルドアップ層５０を得た。

次に、図８に示す様に、ソルダーレジスト４０を形成し、フォトリソグラフィープロセスにより、接合パッド８０を露出させた。

次に、図９に示す様に、ダイシングブレード９０によって基板パネル２００をダイシング加工することにより図１に示すパッケージ用基板１００を得た。ダイシングブレード９０の先端の幅は、１５０μｍだった。

このようにして作製したパッケージ用基板１００は、ダイシング加工後及び熱的な履歴を経ても、コア基板１０の側端面から割れたり、破損することは無かった。

（実施例２）
まず、図３に示すように板厚寸法を３００μｍの基板パネル２０１（アルミノ珪酸塩ガラス）を準備し、基板パネル２０１に貫通穴７０を形成した。貫通穴７０は放電加工によ
り形成した。

次に図４に示すように基板パネル２０１の厚さ方向の表面に銅めっきにより１０μｍの厚みの配線層２０を形成した。配線層２０の形成にはセミアディティブ法を使用した。

次に、図１０に示すように、基板パネル２０１の表裏面に感光性材料である液状レジストを５μｍ厚で塗布し、フォトリソグラフィによりピース（パッケージ用基板１０１）外周部に相当する位置に、剥離もしくは溶解可能な樹脂層６１をパターニングした。

次に、図１１に示す様に、配線層２０の形成と絶縁層３０の形成および層間の導通を得る為のビア加工を繰り返すことで、ビルドアップ層５０を得た。

次に、図１２に示す様に、ソルダーレジスト４０を形成し、フォトリソグラフィープロセスにより、接合パッド８０を露出させた。

次に、図１３に示す様に、ダイシングブレード９０によって基板パネル２０１をダイシング加工した。ダイシングブレード９０の先端の幅は、１５０μｍだった。次に露出した剥離もしくは溶解可能な樹脂層６１をアミン系剥離液で除去し、図２に示すパッケージ用基板１０１を得た。

このようにして作製したパッケージ用基板１０１は、ダイシング加工後及び熱的な履歴を経ても、コア基板１０の側端面から割れたり、破損することは無かった。

１ 密着層
１０ コア基板
２０ 配線層
３０ 絶縁層
４０ ソルダーレジスト
５０ ビルドアップ層
６０ 樹脂層
６１ 剥離もしくは溶解可能な樹脂層
７０ 貫通穴
８０ 接合パッド
９０ ダイシングブレード
１００ パッケージ用基板（構造１）
１０１ パッケージ用基板（構造２）
２００ 基板パネル（構造１）
２０１ 基板パネル（構造２）
３００ 応力緩和構造（構造１）
３０１ 応力緩和構造（構造２）

Claims (6)

1. 脆性材料からなるコア基板の表裏面に、少なくとも一対の配線層と絶縁層とが、この順に積層されたビルドアップ層を備えている半導体パッケージ用基板であって、
   半導体パッケージ用基板の側端部において、コア基板と絶縁層の間に応力緩和構造が備えられており、
   前記応力緩和構造が、前記コア基板の上に備えられた樹脂層と、その樹脂層の上に前記絶縁層に接して備えられた密着層を備えており、
   密着層は、絶縁層に含まれる有機物の官能基と反応する層であり、
   樹脂層は無機材料を含み、
   前記樹脂層と前記密着層の結合力、または、前記密着層と前記絶縁層の結合力の少なくとも一方が、前記樹脂層の内部の結合力及び前記絶縁層の内部の結合力よりも小さい
   ことを特徴とする半導体パッケージ用基板。
2. 前記密着層が、シランカプリング剤を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体用パッケージ基板。
3. 前記脆性材料がガラスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ用基板。
4. 脆性材料からなるコア基板の表裏面に、少なくとも一対の配線層と絶縁層とが、この順に積層されたビルドアップ層を備えている半導体パッケージ用基板の製造方法であって、
   基板パネルの表裏面に配線層を形成する工程と、
   基板パネルの半導体パッケージ用基板の周縁部となる位置に、樹脂層を形成し、その樹脂層を含む基板パネルの全面に密着層を形成することにより応力緩和構造を形成する工程と、
   基板パネルの所定の位置をダイシング加工することにより、半導体パッケージ用基板を個片化する工程と、を備え、
   密着層は、絶縁層に含まれる有機物の官能基と反応する層であり、
   樹脂層は無機材料を含み、
   前記樹脂層と前記密着層の結合力、または、前記密着層と前記絶縁層の結合力の少なくとも一方が、前記樹脂層の内部の結合力及び前記絶縁層の内部の結合力よりも小さい
   ことを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造方法。
5. 前記密着層が、シランカプリング剤を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体用パッケージ基板の製造方法。
6. 前記脆性材料がガラスであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
   

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