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JP6854905B2 - 弾性波デバイスおよび通信装置 - Google Patents

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Description

本開示は、弾性波を利用する弾性波デバイスおよび当該弾性波デバイスを含む通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）である。
圧電基板と、当該圧電基板上に位置する励振電極とを有しており、励振電極によって圧電基板に電圧を印加することによって圧電基板を伝搬する弾性波を励振する弾性波チップが知られている。また、このような弾性波チップと、当該弾性波チップが実装された実装基板と、弾性波チップを覆う（封止する）樹脂部とを有している弾性波デバイスも知られている（例えば特許文献１）。特許文献１では、１つの実装基板に２つの弾性波チップを実装し、２つの弾性波チップを共に樹脂封止している。
国際公開第２０１３／１４１１８４号
本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている弾性波チップと、前記実装面に実装されているダミーチップと、前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有している。前記ダミーチップは、絶縁性のダミー基板と、前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている１以上のダミー端子と、を有している。前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している。
本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、実装面を有している実装基板と、前記実装面に実装されている第１チップと、前記実装面に実装されている第２チップと、前記第１チップおよび前記第２チップを覆っている樹脂部と、を有している。前記第１チップは、第１圧電基板と、前記第１圧電基板に貼り合わされた支持基板と、前記第１圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置している第１ＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極と、を有している。前記支持基板は、前記第１圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記第１圧電基板よりも厚い。前記第１チップは、前記第１ＩＤＴ電極側を前記実装面に向けて前記実装面に実装されている。前記第２チップは、前記第１圧電基板および前記支持基板の合計の厚さよりも厚い第２圧電基板を有している。前記樹脂部の前記実装面とは反対側の天面は、前記第１チップ上および前記第２チップ上に亘って平坦である。
本開示の一態様に係る通信装置は、上記の弾性波デバイスと、前記弾性波デバイスと接続されているアンテナと、前記弾性波デバイスと接続されているＩＣ（Integrated Circuit）と、を有している。
図１（ａ）および図１（ｂ）は第１実施形態に係るＳＡＷデバイスの外観を示す斜視図である。 図１（ａ）のII−II線における断面図である。 図１のＳＡＷデバイスのＳＡＷチップおよびダミーチップを模式的に示す平面図である。 第２実施形態に係るＳＡＷデバイスの要部構成を示す模式的な平面図である。 第３実施形態に係るＳＡＷデバイスの要部構成を示す模式的な断面図である。 図５のＳＡＷデバイスの要部構成を示す模式的な平面図である。 図７（ａ）は第１変形例に係るＳＡＷデバイスの要部構成を示す模式的な断面図であり、図７（ｂ）は第２変形例に係るＳＡＷデバイスの要部構成を示す模式的な断面図である。 図８（ａ）、図８（ｂ）および図８（ｃ）は第３、第４および第５変形例に係るＳＡＷデバイスを説明するための模式図である。 ＳＡＷデバイスの利用例としての通信装置の要部構成を示すブロック図である。
以下、図面を参照して本開示に係る実施形態について説明する。なお、以下の図面は、模式的なものである。従って、細部は省略されることがあり、また、寸法比率等は現実のものと必ずしも一致しない。また、複数の図面相互の寸法比率も必ずしも一致しない。
図面には、便宜上、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。本開示に係る弾性波デバイスは、いずれの方向が上方または下方とされてもよい。ただし、便宜上、Ｄ３軸方向が上下方向であるかのような用語を用いることがある。
第２実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態の構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、既に説明された実施形態の構成と対応（類似）する構成については、既に説明された実施形態の構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、既に説明された実施形態の構成と同様である。
＜第１実施形態＞
（ＳＡＷデバイスの全体構成）
図１（ａ）は、第１実施形態に係るＳＡＷデバイス１の外観を示す天面１ａ側から見た斜視図である。図１（ｂ）は、ＳＡＷデバイス１の外観を示す底面１ｂ側から見た斜視図である。
ＳＡＷデバイス１は、例えば、概ね直方体状に形成されている。ＳＡＷデバイス１の大きさは適宜に設定されてよい。一例を挙げると、平面視における１辺の長さは１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、厚さは、０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下である。ＳＡＷデバイス１の底面１ｂには、複数の外部端子３が露出している。
ＳＡＷデバイス１は、例えば、不図示の回路基板に対して底面１ｂを対向させて配置され、回路基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだ等からなるバンプを介して接合されることにより回路基板に実装される。そして、ＳＡＷデバイス１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して電気信号が入力され、入力された電気信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。
図２は、図１（ａ）のII−II線における断面図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）および図２に示すように、ＳＡＷデバイス１は、例えば、実装基板５と、実装基板５に実装されたＳＡＷチップ７およびダミーチップ９と、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９を覆う（封止する）樹脂部１１とを有している。ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９は、例えば、バンプ１６によって実装基板５に実装されている。
（実装基板）
実装基板５は、例えば、ＳＡＷチップ７をパッケージングするパッケージ（符号省略）を樹脂部１１とともに構成している。実装基板５の一方の主面は、電子素子（本実施形態ではＳＡＷチップ７およびダミーチップ９）が実装される実装面５ａとなっている。また、実装基板５は、他方の主面に上述の外部端子３を有している。
なお、主面は、例えば、板状の部材の最も広い面を指す。すなわち、主面は、板状の部材の表面または裏面を指す。以下、同様である。
実装基板５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁性の基体１３と、基体１３の表面上または内部に設けられた導体とを有している。
基体１３は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、基体１３は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。基体１３は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
実装基板５の導体は、例えば、既述の複数の外部端子３と、電子素子（７および９）を実装するための複数の実装パッド１５と、複数の実装パッド１５および複数の外部端子３を接続する複数の配線１７とを含んでいる。これらの導体の材料は、Ｃｕ等の適宜な金属とされてよい。なお、特に図示しないが、実装基板５の導体は、キャパシタまたはインダクタ等の電子素子を構成していてもよいし、適宜な電子回路を構成していてもよい。
外部端子３は、例えば、基体１３のＤ３軸負側の主面に重なる層状導体によって構成されている。その平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。また、複数の外部端子３の数、位置及び役割は、ＳＡＷデバイス１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、４つの外部端子３が底面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。
実装パッド１５は、例えば、基体１３のＤ３軸正側の主面に設けられた層状導体によって構成されている。その平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。ＳＡＷチップ７の実装のための実装パッド１５およびダミーチップ９の実装のための実装パッド１５は、材料、平面形状および／または各種の寸法が互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよく、例えば、互いに同一である。複数の実装パッド１５の数、位置および役割は、基本的に、実装基板５に実装される電子素子（７および９）の端子の数、位置および役割に対応しており、これについては後述する。
複数の配線１７は、例えば、複数の実装パッド１５と複数の外部端子３とを接続する複数の配線１７Ａを含んでいる。配線１７Ａは、例えば、基体１３を厚み方向に貫通するビア導体（符号省略）を含み、また、必要に応じて、基体１３の主面または内部に位置する、主面に平行な層状導体（符号省略）を含んでいる。ビア導体および層状導体の各種寸法は適宜に設定されてよい。複数の配線１７は、複数の配線１７Ａの他、実装面５ａに実装される電子素子（５、７）の構成に応じて、実装パッド１５同士を接続する配線または外部端子３同士を接続する配線を有していてもよい。
（ＳＡＷチップ）
ＳＡＷチップ７は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、ＳＡＷチップ７は、例えば、Ｄ３軸負側の主面７ａに露出する複数のチップ端子１９を有している。ＳＡＷチップ７は、例えば、実装基板５の実装面５ａに対して主面７ａを対向させて配置され、実装パッド１５とチップ端子１９とがバンプ１６によって接合されることにより実装面５ａに実装される。
実装基板５の実装面５ａとＳＡＷチップ７の主面７ａとは、例えば、実装パッド１５、バンプ１６およびチップ端子１９の厚さの合計の厚さで互いに離間しており、両者の間には隙間が形成されている。後述する説明から理解されるように、本実施形態では、この隙間は、ＳＡＷの伝搬を容易化する振動空間３１として利用される。
そして、ＳＡＷチップ７は、例えば、複数のチップ端子１９のいずれかを介して電気信号が入力され、入力された電気信号に所定の処理を施して複数のチップ端子１９のいずれかから出力する。この際、ＳＡＷチップ７は、電気信号からＳＡＷへの変換およびＳＡＷから電気信号への変換を行う。
ＳＡＷチップ７は、例えば、絶縁性のチップ基板２１と、チップ基板２１の表面に設けられた導体とを有している。
（チップ基板）
チップ基板２１は、例えば、概略、薄型の直方体状である。本実施形態では、ＳＡＷチップ７の外形は、チップ基板２１の外形と略同一である。チップ基板２１は、例えば、いわゆる貼り合わせ基板によって構成されている。すなわち、チップ基板２１は、圧電基板２３と、圧電基板２３の一主面に貼り合わされた支持基板２５とを有している。なお、圧電基板２３の支持基板２５とは反対側の主面２３ａは、本実施形態では、ＳＡＷチップ７の主面７ａを構成している。
圧電基板２３は、例えば、圧電性を有する単結晶基板によって構成されている。単結晶基板は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。カット角、平面形状および各種の寸法は適宜に設定されてよい。本実施形態では、圧電基板２３は矩形である。
支持基板２５は、例えば、圧電基板２３の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これにより、例えば、ＳＡＷチップ７の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板２５は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。支持基板２５は、例えば、平面視において圧電基板２３に一致する形状および寸法である。支持基板２５の厚みは、例えば、圧電基板２３の厚みよりも厚い。
圧電基板２３および支持基板２５は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、圧電基板２３および支持基板２５は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。
（ダミーチップ）
ダミーチップ９は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、ダミーチップ９は、例えば、Ｄ３軸負側の主面に露出する複数のダミー端子２７を有している。ダミーチップ９は、例えば、実装基板５の実装面５ａに対して複数のダミー端子２７が露出している主面を対向させて配置され、実装パッド１５とダミー端子２７とがバンプ１６によって接合されることにより実装面５ａに実装される。
ダミーチップ９は、ＳＡＷチップ７と同様に実装面５ａに実装されているから、両チップは実装面５ａ上において並んでいる。その並び方向は、適宜な方向とされてよい。なお、並び方向は、例えば、図示の例のようにＳＡＷチップ７およびダミーチップ９が平面視で矩形とされ、互いに１辺同士を平行にして配置されている場合には、その１辺に直交する方向とされてよい。そのように特定できない場合は、並び方向は、平面視における各チップの図形重心同士を結ぶ線の方向とされてよい。
本実施形態では、後述の説明から理解されるように、並び方向は、ＳＡＷチップ７におけるＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）とされている。別の観点では、ダミーチップ９は、ＳＡＷの伝搬方向に見て、ＳＡＷチップ７に重なっている。このときの実装面５ａに沿うとともに伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）における重なり量は、例えば、ＳＡＷチップ７のＤ２軸方向における長さの半分以上、または２／３以上であり、図示の例では全体である。
なお、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９の並び方向は、ＳＡＷの伝搬方向以外の方向（例えばＳＡＷの伝搬方向に直交する方向）とされてもよい。別の観点では、ダミーチップ９は、ＳＡＷの伝搬方向に見て、ＳＡＷチップ７に重なっていなくてもよい。
ダミーチップ９は、ＳＡＷチップ７に対して隣接している。すなわち、両者の間には他の電子素子が介在していない。ただし、他の電子素子が介在していても構わない。ダミーチップ９とＳＡＷチップ７との距離は適宜に設定されてよい。例えば、両者の距離（互いに対向する側面が平行でない場合は例えば最短距離。以下、同様。）は、両者の並び方向および／またはＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）におけるＳＡＷチップ７の長さに対して、１／２以下、１／５以下または１／１０以下である。または、両者の距離は、平面視におけるＳＡＷチップ７と実装面５ａの縁部との最短距離に対して、２倍以下または１倍以下である。
なお、実装基板５に他の電子素子が実装されており、当該他の電子素子が平面視においてダミーチップ９とＳＡＷチップ７との間に介在していない場合、ダミーチップ９とＳＡＷチップ７との距離は、当該他の電子素子とＳＡＷチップ７との距離よりも短くてもよいし、同等でもよいし、長くてもよく、例えば、短い。
ダミーチップ９の厚さは、ＳＡＷチップ７の厚さよりも薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよく、図示の例では、厚い。図示の例のようにダミーチップ９の厚さがＳＡＷチップ７の厚さよりも厚い場合において、その程度は適宜に設定されてよい。例えば、ダミーチップ９の厚さは、ＳＡＷチップ７の厚さの１．１倍以上または１．３倍以上である。また、例えば、ダミーチップ９がＳＡＷチップ７よりも厚い場合の厚さの差は、ＳＡＷチップ７の厚さ以下である。
上記に関連して、実装基板５の実装面５ａからダミーチップ９のＤ３軸正側の表面（実装面５ａとは反対側の表面）までの高さは、実装面５ａからＳＡＷチップ７のＤ３軸正側の表面までの高さよりも低くてもよいし、同等でもよいし、高くてもよく、図示の例では、高い。図示の例のようにダミーチップ９がＳＡＷチップ７よりも高い場合において、その程度は適宜に設定されてよい。例えば、ダミーチップ９の高さは、ＳＡＷチップ７の高さの１．１倍以上または１．３倍以上である。また、例えば、ダミーチップ９がＳＡＷチップ７よりも高い場合の高さの差は、ＳＡＷチップ７の高さ未満である。
ダミーチップ９の平面視における寸法は、適宜に設定されてよい。例えば、平面視において、ダミーチップ９の面積は、ＳＡＷチップ７よりも小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。また、ダミーチップ９とＳＡＷチップ７との並び方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）の長さは、いずれが大きくてもよいし、同等であってもよい（図示の例）。
ダミーチップ９は、例えば、絶縁性のダミー基板２９と、ダミー基板２９の表面に設けられた導体とを有している。本実施形態では、ダミー基板２９の形状および寸法は、ダミーチップ９の形状および寸法と概ね同等であり、上記のダミーチップ９の形状および寸法に関する説明は、ダミー基板２９の説明として読み替えてよい。
ダミー基板２９を構成する絶縁材料は、適宜なものとされてよい。例えば、ダミー基板２９の材料は、圧電体、ガラス、水晶、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料である。ダミー基板２９は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
ダミー基板２９の材料が圧電体である場合において、当該圧電体は、ＳＡＷチップ７の圧電基板２３または他の弾性波チップの圧電基板の材料として利用可能な材料であってもよいし、そのような材料でなくてもよい。また、前者の場合、ダミー基板２９を構成する圧電体は、現に共に実装基板５に実装されているＳＡＷチップ７の圧電基板２３の材料（カット角は考慮に入れても入れなくてもよい。）と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（樹脂部）
樹脂部１１は、例えば、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９の上から実装基板５の実装面５ａを覆っている。より具体的には、樹脂部１１は、例えば、概略、ＳＡＷチップ７の表面、ダミーチップ９の表面および実装面５ａの全体に当接している。当接している部分は、基本的には密着（接着）している。
ただし、樹脂部１１は、ＳＡＷチップ７の主面７ａと実装面５ａとの間（振動空間３１）には充填されていない。換言すれば、振動空間３１は、樹脂部１１によって気密に封止されている。振動空間３１内は、真空とされていてもよいし、適宜な気体が封入されていてもよい。
なお、樹脂部１１は、主面７ａと実装面５ａとの隙間に若干入り込んでいたり、逆に、当該隙間の若干外側まで退避していたりしてもよい。また、ダミーチップ９と実装面５ａとの隙間も樹脂部１１が非配置とされて、密閉空間とされてもよい。ＳＡＷチップ７（およびダミーチップ９）と樹脂部１１との間には、不図示のフィルムが介在していてもよい（ただし、このフィルムは樹脂部の一部として捉えられてもよい。）。
樹脂部１１は、ＳＡＷデバイス１の外形を実装基板５と共に構成している。樹脂部１１の外形は、例えば、平面視において実装基板５に一致する直方体状である。樹脂部１１の天面は、ＳＡＷデバイス１の天面１ａを構成しており、例えば、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９に亘って平坦である。本実施形態では、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９の実装面５ａからの高さは互いに異なる（前者が後者よりも低い）から、樹脂部１１は、ＳＡＷチップ７上の厚さとダミーチップ９上の厚さとが互いに異なる（前者が後者よりも厚い）。なお、樹脂部１１のＳＡＷチップ７上の厚みは、ＳＡＷチップ７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。
樹脂部１１は、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。
（バンプ）
バンプ１６は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、鉛を用いたはんだであってもよいし、鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ１６は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。ＳＡＷチップ７の実装のためのバンプ１６およびダミーチップ９の実装のためのバンプ１６は、例えば、同一材料からなる。バンプ１６の高さ等は適宜に設定されてよい。ＳＡＷチップ７の実装のためのバンプ１６の高さと、ダミーチップ９の実装のためのバンプ１６の高さとは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。図示の例では、バンプ１６の高さは同等とされている。
（ＳＡＷチップの導体）
図３は、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９をＤ３軸負側から見た模式的な平面図である。同図において、ハッチングが付された領域、および黒塗りの線（チップの外縁を除く）は、各チップ（７、９）のＤ３軸負側の表面に位置している層状導体を示している。
上述のように、ＳＡＷチップ７は、複数（図示の例では４つ）のチップ端子１９を有している。複数のチップ端子１９は、例えば、圧電基板２３のＤ３軸負側の主面２３ａに重なる層状導体によって構成されている。複数のチップ端子１９の位置は適宜に設定されてよく、例えば、複数のチップ端子１９は、圧電基板２３の主面２３ａの外縁に沿って配置されている。
複数のチップ端子１９は、例えば、信号が入力される少なくとも１つの入力端子１９Ｉと、信号を出力する少なくとも１つの出力端子１９Ｏと、基準電位が付与される少なくとも１つの基準電位端子１９Ｇとを含んでいる。なお、入力端子１９Ｉ、出力端子１９Ｏおよび基準電位端子１９Ｇの数は、図示の例とは異なっていてもよい。これらの端子の相対位置は適宜に設定されてよい。
ＳＡＷチップ７は、例えば、入力端子１９Ｉに入力された信号をフィルタリングして出力端子１９Ｏに出力するＳＡＷフィルタ３３を有している。図示の例では、ＳＡＷフィルタ３３は、いわゆるラダー型フィルタによって構成されている。
ラダー型フィルタは、例えば、入力端子１９Ｉと出力端子１９Ｏとの間に直列に接続された複数（１つでも可。図示の例では２つ）の直列共振子３５Ｓと、その直列のライン（直列腕）と基準電位端子１９Ｇとを接続する複数（１つでも可。図示の例では２つ）の並列共振子３５Ｐ（並列腕）とを有している。なお、以下では、単に「共振子３５」といい、直列共振子３５Ｓおよび並列共振子３５Ｐを区別しないことがある。
共振子３５は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されており、圧電基板２３の主面２３ａ上に位置しているＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極３７と、ＩＤＴ電極３７の両側に位置する１対の反射器３９とを含んでいる。これらは、例えば、主面２３ａに重なる層状導体によって構成されている。
ＩＤＴ電極３７は、互いに噛み合うように配置された１対の櫛歯電極４１を含んでいる。各櫛歯電極４１は、例えば、バスバー４３と、バスバー４３から互いに並列に延びる複数の電極指４５とを含んでいる。バスバー４３は、概ねＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に延びている。複数の電極指４５は、概ねＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に延び、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。
反射器３９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に並列に延びる複数のストリップ電極４７を有する格子状に形成されている。各反射器３９は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし（図示の例）、基準電位が付与されてもよい。
複数の電極指４５のピッチ等の各種の寸法は、共振子３５に要求される特性に応じて適宜に設定されてよい。図３は模式図であることから、電極指４５およびストリップ電極４７の本数は少なく示されているが、実際には図示よりも多数の電極指４５およびストリップ電極４７が設けられてよい。
図示の例では、ＩＤＴ電極３７および反射器３９の典型的な形状が示されている。ただし、これらの電極の形状は、公知の種々のものとされてよい。例えば、電極形状は、いわゆるアポダイズが施された形状、いわゆるダミー電極が設けられた形状、ＳＡＷの伝搬方向にバスバー４３が傾斜する形状等とされてよい。
ＩＤＴ電極３７によって圧電基板２３の主面２３ａに電圧が印加されると、例えば、主面２３ａをＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが励振され、電極指４５のピッチを半波長とするＳＡＷの定在波が立つ。この定在波により生じた信号は、ＩＤＴ電極３７によって取り出される。このようにして、共振子３５における共振が利用される。
複数のチップ端子１９および複数の共振子３５は、複数の配線４９によって互いに接続されている。複数の配線４９は、例えば、圧電基板２３の主面２３ａに重なる層状導体からなる。配線４９の幅および主面２３ａ上の位置等は適宜に設定されてよく、例えば、配線４９の幅は、図示の例よりも広くされてよい。図示の例では、複数の配線４９は、絶縁体を介して立体交差する部分を含んでいないが、そのような部分を含んでいてもよい。
ＩＤＴ電極３７、反射器３９および配線４９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、Ａｌ等の金属である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、共振子３５に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。
チップ端子１９は、例えば、ＩＤＴ電極３７等を構成する材料と同一の材料および厚さで構成されていてもよいし、当該同一の材料および厚さの層の上に他の材料からなる層が積層されて構成されていてもよい。
なお、特に図示しないが、圧電基板２３の主面２３ａは、ＩＤＴ電極３７等の導体の上から、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４等からなる保護層によって覆われていてもよい。ＩＤＴ電極３７および反射器３９の上面または下面には、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
複数のチップ端子１９のうち、いずれが入力端子１９Ｉ、出力端子１９Ｏまたは基準電位端子１９Ｇであるかは、複数のチップ端子１９に接続されるＳＡＷフィルタ３３の構成から判断できる。また、通常、ＳＡＷチップ７またはＳＡＷデバイス１の仕様書またはパンフレットにおいて、入力端子、出力端子または基準電位端子は指定されており、これに基づいて特定されてもよい。
（ダミーチップの導体）
上述のように、ダミーチップ９は、複数（図示の例では４つ）のダミー端子２７を有している。本実施形態では、ダミーチップ９は、ダミー端子２７以外の導体を有していない。従って、ダミーチップ９は、能動素子および受動素子のいずれの電子素子も構成していない。別の観点では、ダミーチップ９は、ダミー端子２７が実装基板５の実装パッド１５にバンプ１６を介して電気的に接続されているものの、実装基板５から電気的に見て、開放端を構成している。
複数のダミー端子２７は、例えば、ダミー基板２９のＤ３軸負側の主面２９ａに重なる層状導体によって構成されている。また、複数のダミー端子２７は、例えば、主面２９ａの外縁に沿って配置されている。複数のダミー端子２７の材料、平面形状および寸法は、ＳＡＷチップ７の複数のチップ端子１９の材料、平面形状および寸法と同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、両者が同一である場合、例えば、バンプ１６の高さをＳＡＷチップ７とダミーチップ９とで同等にすることが容易である。
（ＳＡＷチップとダミーチップとの導通）
複数のダミー端子２７（２７Ａ、２７Ｂ、２７Ｃおよび２７Ｄ）は、例えば、その少なくとも１つがチップ端子１９のいずれかと実装基板５（その導体）を介して導通されている（電気的に接続されている。）。図示の例では、ダミー端子２７Ａと入力端子１９Ｉとが配線１７Ｃを介して互いに導通されている。一般に、導体は、絶縁体に比較して熱伝導率が高い。従って、別の観点では、実装基板５によって、ダミー端子２７とチップ端子１９との間に熱的な経路が形成されている。
上述のように、ダミーチップ９は、電子素子を構成しておらず、実装基板５から見て開放端を構成している。従って、ＳＡＷチップ７とダミーチップ９との導通は、純粋な電気的観点においては、基本的にはＳＡＷチップ７の特性に影響を及ぼさない。なお、ダミー端子２７が導体である以上、厳密には、ダミーチップ９は、電気的観点において何らかの作用を奏する。しかし、その作用がＳＡＷチップ７に要求される特性に照らして極めて小さくなるようにダミーチップ９は構成されている。
ＳＡＷチップ７とダミーチップ９とを導通する配線１７Ｃは、既述の複数の配線１７の１つであり、例えば、図２に示すように、実装基板５の基体１３に重なる層状導体からなる。配線１７Ｃの形状、基体１３上の位置および各種寸法は適宜に設定されてよい。図示の例では、互いに導通されるダミー端子２７Ａおよび入力端子１９Ｉは、複数のダミー端子２７および複数のチップ端子１９のうち、ダミー端子２７とチップ端子１９との距離が最も短くなる組み合わせである。また、ダミー端子２７Ａおよび入力端子１９Ｉは、例えば、ＳＡＷチップ７とダミーチップ９の並び方向（Ｄ１軸方向）において互いに隣接している。そして、配線１７Ｃは、例えば、ダミー端子２７Ａと入力端子１９Ｉとの間を直線状に延びている。
（ＳＡＷデバイスの製造方法）
ＳＡＷデバイス１の製造方法は、特に図示しないが、例えば、以下のとおりである。まず、実装基板５が多数個取りされるウェハ、複数のＳＡＷチップ７および複数のダミーチップ９を作製する。次に、実装基板５のウェハに複数のバンプ１６となるペーストを配置するとともに、その上に複数のＳＡＷチップ７および複数のダミーチップ９を配置し、リフローによる接合を行う。その後、実装基板５のウェハ上に未硬化状態の樹脂を配置して当該樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂部１１となる樹脂層を形成する。その後、実装基板５をダイシングして個片化されたＳＡＷデバイス１を得る。この際、樹脂層もダイシングされて樹脂部１１となる。ただし、樹脂層のダイシングと、実装基板５のウェハのダイシングとは、別個のブレードによって順次行われてもよい。
樹脂部１１となる未硬化状態の樹脂の配置は、例えば、ディスペンサ法または印刷法によってなされてもよいし、比較的粘度が高い状態の樹脂からなるシートを配置することによってなされてもよい。樹脂の硬化は、例えば、単なる加熱によってなされてもよいし、平坦な下面を有する型によって上方から樹脂を加圧しながらの加熱によってなされてもよい。
振動空間３１は、適宜に形成されてよい。例えば、未硬化状態の樹脂の粘度を比較的高くしたり、未硬化状態の樹脂の圧力を比較的低くしたりすることによって、未硬化状態の樹脂が実装基板５とＳＡＷチップ７との間へ侵入することを抑制し、振動空間３１を形成してよい。また、未硬化状態の樹脂の配置に先立って、ＳＡＷチップ７にフィルムを被せ、フィルムによって実装基板５とＳＡＷチップ７との間への樹脂の侵入を抑制し、振動空間３１を形成してもよい。
なお、上記の製造方法は一例であり、適宜に変更されてよい。例えば、個片化された実装基板５にＳＡＷチップ７およびダミーチップ９が実装され、樹脂部１１が形成されてもよいし、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９が実装された後に実装基板５のウェハを個片化し、その後、樹脂部１１が形成されてもよい。トランスファーモールド法によって樹脂部１１が形成されたり、実装基板５に実装されたＳＡＷチップ７およびダミーチップ９を、下型の上面の凹部に配置された未硬化状態の樹脂に浸す方式のコンプレッションモールド法によって樹脂部１１が形成されたりしてもよい。
以上のとおり、ＳＡＷデバイス１は、実装面５ａを有している実装基板５と、実装面５ａに実装されているＳＡＷチップ７と、実装面５ａに実装されているダミーチップ９と、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９を覆っている樹脂部１１と、を有している。ダミーチップ９は、絶縁性のダミー基板２９と、ダミー基板２９の実装面５ａ側の表面上に位置しており、実装面５ａに接合されている１以上のダミー端子２７と、を有している。ダミーチップ９は、実装基板５側から電気的に見て開放端を構成している（能動素子または受動素子のような電子素子ではない。）。
ここで、実装基板５の平面視における大きさは、ＳＡＷデバイス１を購入するメーカー（ＳＡＷデバイス１の顧客）の仕様によって決定されることがあり、その結果、平面視において実装基板５がＳＡＷチップ７に対して大きくなり過ぎることがある。具体的には、平面視でＳＡＷチップ７の面積の２．５倍以上となる場合がある。この場合、例えば、樹脂部１１の天面１ａは、ＳＡＷチップ７上においてその周囲よりも高くなり、天面１ａが平坦でなくなることがある。この凹凸は、例えば、樹脂部１１となる未硬化状態の樹脂を実装基板５上に配置したときに、未硬化状態の樹脂がＳＡＷチップ７によって嵩上げされ、この嵩上げによる樹脂天面の高低差が硬化完了までに解消されないことによって生じる。および／または、例えば、ＳＡＷチップ７の周囲の樹脂は、ＳＡＷチップ７上の樹脂よりも厚いことから、硬化後の収縮量が相対的に大きく、この収縮量の差によって凹凸が生じる。
一方、本実施形態においては、ダミーチップ９がＳＡＷチップ７とともに実装面５ａに実装されているから、ダミーチップ９が設けられていない場合に比較して、例えば、未硬化の樹脂は嵩上げされ、および／または樹脂の厚みが低減されて樹脂の収縮量が低減される。すなわち、樹脂部１１の天面１ａに凹凸が形成される蓋然性が低減される。別の観点では、天面１ａが平坦になるような樹脂部１１の形成方法を採用する場合に、当該形成方法の条件設定が容易化される、または条件の自由度が向上する。天面１ａが平坦になる結果、例えば、ＳＡＷデバイス１の天面１ａを吸着してＳＡＷデバイス１をピックアップする場合に、ピックアップが容易化される。また、例えば、特定の治具でＳＡＷデバイス１を保持してＳＡＷデバイス１の特性を測定するときに保持が安定することから、測定誤差が低減される。
本実施形態では、ダミーチップ９は、導体として１以上のダミー端子２７のみを有している。
従って、例えば、ダミーチップ９は、実装基板５に実装するための最低限の構成のみを有していることになる。その結果、例えば、コスト削減を図ることができる。また、例えば、ダミーチップ９による寄生容量を最小限にすることができる。その結果、ＳＡＷデバイス１の特性がダミーチップ９によって低下するおそれを低減できる。
本実施形態では、ＳＡＷチップ７と１以上のダミー端子２７のうちの少なくとも１つとが実装基板５を介して導通されている。
従って、ＳＡＷチップ７の熱をダミーチップ９へ逃がすことができる。その結果、ＳＡＷチップ７の温度が安定し、ひいては、ＳＡＷチップ７の特性が安定する。すなわち、ダミーチップ９は、上記のように構造的にＳＡＷデバイス１の機能向上（形状安定）に寄与するだけでなく、熱的にもＳＡＷデバイス１の機能向上に寄与する。
本実施形態では、ＳＡＷチップ７は、信号が入力される入力端子１９Ｉと、信号を出力する出力端子１９Ｏと、基準電位が付与される基準電位端子１９Ｇと、を有している。入力端子１９Ｉは、１以上のダミー端子２７の一つと実装基板５を介して導通されている。
一般に、入力端子１９Ｉは、出力端子１９Ｏおよび基準電位端子１９Ｇに比較して、大きい電力が供給され、相対的に発熱しやすい。そのような入力端子１９Ｉをダミーチップ９に導通することによって、効果的にＳＡＷチップ７の熱をダミーチップ９に逃がすことができる。
本実施形態では、ダミー基板２９の材料は、樹脂部１１の材料よりも熱膨張係数が低い。
従って、例えば、ダミーチップ９が設けられていない場合に比較して、樹脂部１１の熱膨張によってダミーチップ９側からＳＡＷチップ７へ加えられる応力を低減することができる。その結果、例えば、圧電基板２３に意図しない応力が付与されてＳＡＷの伝搬特性が変化し、ＳＡＷデバイス１の特性が低下するおそれが低減される。このように、ダミーチップ９は、構造的および熱的にＳＡＷデバイス１の機能向上に寄与するだけでなく、力学的にもＳＡＷデバイス１の機能向上に寄与する。
本実施形態では、ダミーチップ９は、ＳＡＷチップ７よりも厚い。
従って、例えば、ダミーチップ９側からＳＡＷチップ７へ加えられる応力を低減する効果がより確実に奏される。また、例えば、ダミーチップ９の体積によって置換される樹脂部１１の体積が相対的に大きくなるから、ＳＡＷデバイス１全体として熱膨張が低減される。
本実施形態では、ＳＡＷチップ７は、所定の伝搬方向（Ｄ１軸方向）にＳＡＷが伝搬する圧電基板２３を含む。ダミーチップ９は、伝搬方向に見てＳＡＷチップ７に重なっている。
圧電基板２３の変形のうち、ＳＡＷの伝搬方向における変形が最もＳＡＷチップ７の特性に影響を及ぼしやすい。従って、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に樹脂部１１よりも熱膨張係数が低いダミーチップ９が位置して側方への応力を減じることによって、より効果的に特定低下低減の効果を得ることができる。
本実施形態では、ＳＡＷチップ７は、圧電基板２３と、圧電基板２３に貼り合わされた、圧電基板２３よりも熱膨張係数が低く、圧電基板２３よりも厚い支持基板２５と、圧電基板２３の支持基板２５とは反対側の主面２３ａ上に位置しているＩＤＴ電極３７と、を有している。
従って、例えば、ＳＡＷチップ７は、支持基板２５による温度補償効果を得ることができる。この温度補償効果は、圧電基板２３と支持基板２５との熱膨張差（別の観点では圧電基板２３に生じる熱応力）を利用している。従って、例えば、樹脂部１１からＳＡＷチップ７に意図しない応力が加えられるおそれがダミーチップ９によって低減されることにより、支持基板２５による温度補償効果が安定する。
ＳＡＷチップ７は、圧電基板２３と支持基板２５との熱膨張差によって支持基板２５側を凹とする反りが生じ、ひいては、ＳＡＷチップ７の電気的特性が低下するおそれがある。また、樹脂部１１のＳＡＷチップ７の側方に位置する部分は、その熱膨張によってＳＡＷチップ７に側方への応力を付与し、反りを助長するおそれがある。しかし、樹脂部１１の材料よりも熱膨張係数が低いダミーチップ９がＳＡＷチップ７に並列に実装された場合においては、この反りの助長が抑制される。
また、圧電基板２３側を実装面５ａ側に向けてＳＡＷチップ７を実装した場合、樹脂部１１の支持基板２５上に位置する部分は、上記の反りを抑制する作用を奏する。従って、ダミーチップ９がＳＡＷチップ７よりも厚い（実装面５ａからの高さが高い）場合においては、ＳＡＷチップ７上に樹脂部１１の厚みを確保しつつ、ダミーチップ９の位置において樹脂部１１の天面１ａに凹部が形成されるおそれを低減できていることになる。すなわち、上記の反りを抑制して特性の向上を図りつつ、天面１ａが平坦であることによる安定性を得ることができる。
また、以上の実施形態のＳＡＷデバイス１は、別の観点では、実装面５ａを有している実装基板５と、実装面５ａに実装されている第１チップ（ＳＡＷチップ７）と、実装面５ａに実装されている第２チップ（ダミーチップ９）と、ＳＡＷチップ７およびダミーチップ９を覆っている樹脂部１１と、を有している。ＳＡＷチップ７は、圧電基板２３と、圧電基板２３に貼り合わされた、圧電基板２３よりも熱膨張係数が低く、圧電基板２３よりも厚い支持基板２５と、圧電基板２３の支持基板２５とは反対側の主面２３ａ上に位置しているＩＤＴ電極３７と、を有している。また、ＳＡＷチップ７は、ＩＤＴ電極３７側（主面２３ａ側）を実装面５ａに向けて実装面５ａに実装されている。ダミーチップ９は、圧電基板２３および支持基板２５の合計の厚さよりも厚い圧電基板（圧電体からなるダミー基板２９）を有している。樹脂部１１の実装面５ａとは反対側の天面１ａは、ＳＡＷチップ７上およびダミーチップ９上に亘って平坦である。
従って、上述のように、ＳＡＷチップ７は、天面１ａ側を凹として反りを生じるおそれがあるところ、ＳＡＷチップ７上に樹脂部１１の厚みを確保して反りを抑制することができ、かつダミーチップ９の位置において樹脂部１１の天面１ａに凹部が形成されるおそれを低減できる。
＜第２実施形態＞
図４は、第２実施形態に係るＳＡＷデバイス２０１の要部構成を示す模式的な平面図であり、第１実施形態の図３に相当する。
ＳＡＷデバイス２０１は、ダミーチップ２０９にベタパターン２５１が設けられている点のみが第１実施形態のＳＡＷデバイス１と相違する。
ベタパターン２５１は、例えば、ダミー基板２９のＤ３軸負側の主面２９ａに重なる層状導体によって構成されている。ベタパターン２５１の材料および厚さは、複数のダミー端子２７の材料および厚さと同一であってもよいし、異なっていてもよく、例えば、同一である。また、複数のダミー端子２７が、ベタパターン２５１と同一の材料および厚さの層と、その層上に位置する他の材料からなる層を有していてもよい。ベタパターン２５１の材料および厚さは、ＩＤＴ電極３７の材料および厚さと同一であってもよいし、異なっていてもよい。
ベタパターン２５１の平面形状は、適宜に設定されてく、図示の例では、概略、矩形とされている。その他、特に図示しないが、ベタパターン２５１は、円形、楕円形、矩形以外の多角形とされてよいし、および／または数学でいう凸（凸集合）を構成する形状とされてよい。ベタパターン２５１は、同一面に配置された他の導体パターンよりも大きくてもいい。さらに、ダミーチップ２０９の主面２９ａの面積の４０％以上を占めていてもよい。
また、図示の例では、ベタパターン２５１は、ダミー端子２７Ｂから離れるために、矩形の１つの角部が切り欠かれている。このように、ベタパターン２５１の全体が上記のような形状（矩形等）である必要はなく、例えば、ベタパターン２５１の面積の２０％以下または１０％以下の面積を増減したときに上記のような形状となる形状であってもよい。
ベタパターン２５１は、例えば、複数のダミー端子２７の少なくとも１つと接続されている。図示の例では、ベタパターン２５１は、ダミー端子２７Ａと接続されている。このダミー端子２７Ａは、例えば、第１実施形態と同様に、ＳＡＷチップ７の入力端子１９Ｉと配線１７Ｃによって導通されている。また、図示の例では、ベタパターン２５１は、他のダミー端子２７Ａとは接続されていない。
以上のとおり、本実施形態においても、ＳＡＷデバイス２０１は、実装基板５、ＳＡＷチップ７、ダミーチップ２０９および樹脂部１１を有している。また、ダミーチップ９は、ダミー端子２７を有し、かつ実装基板５側から電気的に見て開放端を構成している。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、樹脂部１１の天面を平坦にすることが容易である。
また、本実施形態では、ダミーチップ２０９は、１以上のダミー端子２７の少なくとも１つ（本実施形態では２７Ａ）に接続されているベタパターン２５１を有している。
従って、ダミーチップ２０９は、実装基板５からダミー端子２７Ａに伝えられた熱を効率的に広い面積に伝えることができる。ひいては、ＳＡＷチップ７の熱を逃がしやすくなり、ＳＡＷデバイス２０１全体としての耐熱性および耐電性を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
図５は、第３実施形態に係るＳＡＷデバイス３０１の要部構成を示す模式的な断面図であり、第１実施形態の図２に相当する。図６は、ＳＡＷデバイス３０１の要部構成を示す模式的な平面図であり、第１実施形態の図３に相当する。
ＳＡＷデバイス３０１は、主として、ダミーチップ９に代えて、ＳＡＷチップ３０９が設けられている点が第１実施形態のＳＡＷデバイス１と相違する。
（ＳＡＷチップ）
ＳＡＷチップ３０９は、基本的には、第１実施形態のＳＡＷチップ７と同様のものであり、ＳＡＷチップ７についての説明は、ＳＡＷチップ３０９の説明とされてよい。もちろん、具体的な部分は、ＳＡＷチップ７と相違してもよい。以下では、図示の例における、ＳＡＷチップ３０９のＳＡＷチップ７との相違点を中心に説明する。
ＳＡＷチップ３０９の基板は、貼り合わせ基板ではなく、主として圧電基板３２９によって構成されている。なお、第１実施形態の圧電基板２３についての説明は、厚さを除いて、圧電基板３２９の説明とされてよい。圧電基板３２９の材料（カット角は考慮に入れても入れなくてもよい。）は、現に共に実装基板３０５に実装されている圧電基板２３の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
ＳＡＷチップ３０９は、例えば、ＳＡＷチップ７と同様に、信号が入力される少なくとも１つの入力端子３２７Ｉと、信号を出力する少なくとも１つの出力端子３２７Ｏと、基準電位が付与される少なくとも１つの基準電位端子３２７Ｇとを含んでいる。これらのチップ端子３２７は、便宜上、ＳＡＷチップ７のチップ端子１９と異なる符号を付しているが、第１実施形態におけるチップ端子１９についての説明は、チップ端子３２７についての説明とみなしてよい。
ＳＡＷチップ３０９は、例えば、ＳＡＷチップ７と同様に、入力端子３２７Ｉに入力された信号をフィルタリングして出力端子３２７Ｏに出力するＳＡＷフィルタ３６１を有している。ただし、図示の例では、ＳＡＷフィルタ３６１は、いわゆる多重モード型ＳＡＷ共振子フィルタ３６３（以下、単に「ＳＡＷフィルタ３６３」）と、このＳＡＷフィルタ３６３に直列に接続された共振子３５Ａとを含んで構成されている。
ＳＡＷフィルタ３６３は、例えば、圧電基板３２９の主面３２９ａ上に、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数（図示の例では３つ）のＩＤＴ電極３７と、その両側に配置された１対の反射器３９とを含んで構成されている。なお、本開示において、多重モードは、ダブルモードを含むものとする。共振子３５Ａは、第１実施形態で説明した１ポートＳＡＷ共振子である。
圧電基板３２９の主面３２９ａ上において、複数のＩＤＴ電極３７および複数のチップ端子３２７は、例えば、第１実施形態と同様に、主面３２９ａ上の複数の配線４９によって接続されている。なお、図示の例では、ＳＡＷフィルタ３６３と出力端子３２７Ｏとを接続する配線４９と、ＳＡＷフィルタ３６３と基準電位端子３２７Ｇとを接続する配線４９とは、絶縁体３６５を介して立体交差している。
（実装基板および樹脂部）
ＳＡＷチップ３０９は、例えば、ＳＡＷチップ７と同様に、ＩＤＴ電極３７が形成された主面３２９ａを実装基板３０５の実装面３０５ａに向けて、バンプ１６によって実装面３０５ａに実装される。また、ＳＡＷチップ７と同様に、主面３２９ａと実装面３０５ａとの間は、樹脂部１１の樹脂が充填されない振動空間３６７とされる。
実装基板３０５は、第１実施形態の実装基板５と同様のものであり、実装基板５の説明は、実装基板３０５の説明とみなしてよい。ただし、実装される電子素子がダミーチップ９に代えてＳＡＷチップ３０９とされていることに伴い、例えば、複数の実装パッド１５、複数の外部端子３、および複数の配線１７の具体的な数および配置等は適宜に変更されてよい。
複数の外部端子３は、ＳＡＷチップ７とＳＡＷチップ３０９とで別個に設けられていてもよいし、一部が両チップに共用されていてもよい。後者を換言すれば、両チップは、実装基板３０５を介して互いに電気的に接続されてよい。例えば、基準電位が付与される外部端子３は、ＳＡＷチップ７とＳＡＷチップ３０９とで共用されてよい。
また、例えば、ＳＡＷチップ７が分波器の送信フィルタとされ、ＳＡＷチップ３０９が分波器の受信フィルタとされる場合（ＳＡＷデバイス３０１が分波器を構成している場合）においては、アンテナに接続される外部端子３は、両チップによって共用されてよい。より具体的には、図６において２点鎖線（配線１７Ｅ）で示すように、ＳＡＷチップ７の出力端子１９Ｏと、ＳＡＷチップ３０９の入力端子３２７Ｉとは、外部端子３を共用してよい（互いに接続されてよい。）。なお、ＳＡＷチップ７が受信フィルタとされ、ＳＡＷチップ３０９が送信フィルタとされてもよい。
（２つのＳＡＷチップの相対関係）
第１実施形態におけるダミーチップ９のＳＡＷチップ７に対する相対的な位置、距離および厚さ等の説明は、ＳＡＷチップ３０９の説明とみなしてよい。例えば、ＳＡＷチップ３０９は、ＳＡＷチップ７よりも厚くされてよい。
以上のとおり、本実施形態においても、ＳＡＷデバイス３０１は、実装面３０５ａを有している実装基板３０５と、実装面３０５ａに実装されている第１チップ（ＳＡＷチップ７）と、実装面３０５ａに実装されている第２チップ（ＳＡＷチップ３０９）と、両チップを覆っている樹脂部１１と、を有している。ＳＡＷチップ７は、圧電基板２３と、圧電基板２３に貼り合わされた、圧電基板２３よりも熱膨張係数が低く、圧電基板２３よりも厚い支持基板２５と、圧電基板２３の支持基板２５とは反対側の主面２３ａ上に位置しているＩＤＴ電極３７と、を有している。また、ＳＡＷチップ７は、ＩＤＴ電極３７側を実装面２０５ａに向けて実装面２０５ａに実装されている。ＳＡＷチップ３０９は、圧電基板２３および支持基板２５の合計の厚さよりも厚い圧電基板３２９を有している（別の観点では、実装面３０５ａからのＳＡＷチップ３０９の高さは実装面３０５ａからのＳＡＷチップ７の高さよりも高い）。樹脂部１１の実装面３０５ａとは反対側の天面３０１ａは、ＳＡＷチップ７上およびＳＡＷチップ３０９上に亘って平坦である。
従って、例えば、第１実施形態と同様の効果が奏される。具体的には、例えば、ＳＡＷチップ７は、天面３０１ａ側を凹として反りを生じるおそれがあるところ、ＳＡＷチップ３０９に比較して相対的に低いから、ＳＡＷチップ７上に樹脂部１１の厚みを確保して、反りを低減することができる。
＜変形例＞
（第１変形例）
図７（ａ）は、第１変形例に係るＳＡＷデバイス４０１の要部構成を示す模式的な断面図である。
第１実施形態では、ダミーチップ９と共に実装されるＳＡＷチップ７が貼り合わせ基板（チップ基板２１）を有する場合について説明した。ただし、ダミーチップと共に実装されるＳＡＷチップは、第３実施形態のＳＡＷチップ３０９と同様に、貼り合わせ基板でない基板（主として圧電基板３２９によって構成されるもの）を有してよい。図７（ａ）では、ＳＡＷチップ７に代えてＳＡＷチップ３０９の符号を示し、ＳＡＷチップ３０９とダミーチップ９とが共に実装基板５に実装されている場合を例示している。なお、ダミーチップ９を例に挙げたが、第２実施形態のダミーチップ２０９についても同様である。
実施形態の説明でも言及したように、ＳＡＷチップ７（３０９）とダミーチップ９（２０９）とは互いに同一の厚さを有してよい（別の観点では実装面５ａから同一の高さが同一とされてよい。）。図７（ａ）では、この点も例示している。
（第２変形例）
図７（ｂ）は、第２変形例に係るＳＡＷデバイス４１１の要部構成を示す模式的な断面図である。
第１実施形態では、ＳＡＷチップ７として、パッケージされていないものを例示した。ただし、ＳＡＷチップは、パッケージされたものであってもよい。
図示の例では、ＳＡＷチップ４１３は、圧電基板３２９と、圧電基板３２９の主面３２９ａをＩＤＴ電極３７（図６等参照）の上から覆うカバー４１５とを有している。カバー４１５は、ＩＤＴ電極３７上に振動空間４１７を構成する形状とされている。チップ端子３２７（図６参照）には、カバー４１５を貫通する不図示の導体を介してカバー４１５の実装面５ａ側の面に形成された不図示のパッドが接続されている。このパッドが実装基板５の実装パッド１５（図２参照）にバンプ１６によって接合されることにより、ＳＡＷチップ４１３は実装面５ａに実装されている。
なお、図７（ｂ）では、ＳＡＷチップ４１３の基板として、第３実施形態のＳＡＷチップ３０９と同様に圧電基板３２９を主体としたものが示されているが、ＳＡＷチップ４１３の基板は、ＳＡＷチップ７と同様に貼り合わせ基板であってもよい。また、図７（ｂ）では、ダミーチップ９が図示されているが、ダミーチップ９は、ダミーチップ２０９または他のＳＡＷチップに置換されてよい。
実施形態の説明でも言及したように、ダミーチップ９（２０９）は、ＳＡＷチップ７（３０９）よりも薄くてもよい（別の観点では実装面５ａから同一の高さがＳＡＷチップよりも低くてもよい。）。図７（ｂ）では、この点も例示している。
（第３〜第５変形例）
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、ダミー端子２７および／またはベタパターン２５１のチップ端子１９に対する接続の変形例（第３〜第５変形例）を示す模式図である。
第１実施形態では、ダミー端子２７Ａが実装基板５の配線１７を介して入力端子１９Ｉに接続されることについてのみ説明した。ただし、複数のダミー端子２７は、適宜な数が配線１７を介してチップ端子１９に接続されてよいし、いずれのチップ端子１９に対して接続されてもよい。
例えば、ダミー端子２７は、図８（ａ）または図８（ｃ）に例示するように、全てが配線１７を介してチップ端子１９に接続されていてもよいし、図８（ｂ）に例示するように、ダミー端子２７Ａのみが配線１７を介してチップ端子１９に接続されていてもよい。図８（ｃ）に例示するように２以上のダミー端子２７が配線１７を介して同一のチップ端子１９に接続されていてもよい。
また、ダミー端子２７は、入力端子１９Ｉに限らず、図８（ａ）に例示するように、配線１７を介して出力端子１９Ｏに接続されていてもよいし、図８（ａ）または図８（ｃ）に例示するように配線１７を介して基準電位端子１９Ｇに接続されていてもよい。図８（ｂ）からベタパターン２５１を無くすことを想定した場合のダミー端子２７Ｂ〜２７Ｄから理解されるように、一部または全てのダミー端子２７は、電気的に浮遊状態とされていてもよい。
ベタパターン２５１は、配線１７を介して入力端子１９Ｉに接続されたダミー端子２７ではなく、配線１７を介して出力端子１９Ｏに接続されたダミー端子２７に接続されていてもよいし（不図示）、図８（ｃ）に例示するように配線１７を介して基準電位端子１９Ｇに接続されたダミー端子２７に接続されていてもよいし、図８（ｂ）に例示するように配線１７の接続に関しては電気的に浮遊状態のダミー端子２７（２７Ｂ〜２７Ｄ）に接続されていてもよい。
ベタパターン２５１は、１つのダミー端子２７だけでなく、図８（ｂ）または図８（ｃ）に例示するように、２以上のダミー端子２７に接続されてよい。ただし、この場合、ダミー端子２７によって互いに接続される２以上のダミー端子２７は、図８（ｃ）に例示するように、配線１７の接続に関して同一の電位が付与されるもの同士とされるか、図８（ｂ）に例示するように、配線１７の接続に関して電位が付与されるダミー端子２７と配線１７の接続に関して電気的に浮遊状態のダミー端子２７との組み合わせとされる。なお、図８（ｃ）では、ベタパターン２５１は、配線１７を介して基準電位が付与される２以上のダミー端子２７に接続されているが、配線１７を介して入力信号または出力信号の電位が付与される２以上のダミー端子２７に接続されていてもよい。
＜利用例＞
図９は、ＳＡＷデバイス１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。
通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものである。この通信装置１５１は、例えば、送信フィルタ１０３および受信フィルタ１０５を含む分波器１０１を有している。この送信フィルタ１０３もしくは受信フィルタ１０５または分波器１０１は、例えば、第１実施形態のＳＡＷデバイス１によって構成されている。なお、第１実施形態のＳＡＷデバイス１に代えて、他の実施形態または変形例に係るＳＡＷデバイスが用いられても構わない。
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１の送信フィルタ１０３に入力される。そして、送信フィルタ１０３は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１の受信フィルタ１０５に入力される。受信フィルタ１０５は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１へ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、本実施形態では、比較的高周波の通過帯（例えば５ＧＨｚ以上）も可能である。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図９では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷデバイス１、２０１、３０１、４０１および４１１それぞれは弾性波デバイスの一例である。ＳＡＷチップ７、３０９および４１３それぞれは弾性波チップの一例である。ＳＡＷチップ７は第１チップの一例である。ＳＡＷチップ７の圧電基板２３は第１圧電基板の一例である。ＳＡＷチップ７のＩＤＴ電極３７は第１ＩＤＴ電極の一例である。ＳＡＷデバイス１のダミーチップ９、ＳＡＷデバイス２０１のダミーチップ２０９およびＳＡＷデバイス３０１のＳＡＷチップ３０９は第２チップの一例である。ＳＡＷデバイス１および２０１におけるダミー基板２９は、圧電体からなる場合は第２圧電基板の一例である。ＳＡＷデバイス３０１における圧電基板３２９は第２圧電基板の一例である。ＳＡＷデバイス３０１におけるＩＤＴ電極３７は第２ＩＤＴ電極の一例である。
本開示の技術は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
ダミーチップが有する導体は、ダミー端子およびベタパターンに限定されない。例えば、両者を接続する配線が設けられてもよい。また、ダミー基板を貫通する導体が設けられてもよい。ベタパターンは、ダミー基板の、ダミー端子が設けられる主面に代えて、または加えて、他の面に設けられてもよい。
ダミーチップの形状は直方体状に限定されない。例えば、樹脂部の天面を平坦にすることに適した形状、および／または放熱に適した形状とされてもよい。例えば、ダミーチップは、矩形の基板（直方体）から延び出るヒートシンクを含む構成とされてもよい。
樹脂部の天面に他の材料からなる層が積層されてもよい。この場合であっても、例えば、当該層に凹凸が生じることが抑制される。また、例えば、樹脂部の一部がダミーチップによって置換されることによって弾性波チップに生じる熱応力が低減される。
１…ＳＡＷデバイス（弾性波デバイス）、５…実装基板、５ａ…実装面、７…ＳＡＷチップ（弾性波チップ、第１チップ）、９…ダミーチップ（第２チップ）、１１…樹脂部、２３…圧電基板（第１圧電基板）、２５…支持基板、２７…ダミー端子、２９…ダミー基板（第２圧電基板）、３７…ＩＤＴ電極。

Claims (13)

  1. 実装面を有している実装基板と、
    前記実装面に実装されている弾性波チップと、
    前記実装面に実装されているダミーチップと、
    前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有しており、
    前記ダミーチップは、
    絶縁性のダミー基板と、
    前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている１以上のダミー端子と、を有しており、
    前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成しており、
    前記ダミーチップは、前記ダミー基板の表面上に位置しており、前記１以上のダミー端子の少なくとも１つに接続されているベタパターンを有している
    弾性波デバイス。
  2. 実装面を有している実装基板と、
    前記実装面に実装されている弾性波チップと、
    前記実装面に実装されているダミーチップと、
    前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有しており、
    前記ダミーチップは、
    絶縁性のダミー基板と、
    前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている１以上のダミー端子と、を有しており、
    前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成しており、
    前記弾性波チップは、
    信号が入力される入力端子と、
    信号を出力する出力端子と、
    基準電位が付与される基準電位端子と、を有しており、
    前記入力端子は、前記１以上のダミー端子のうちの少なくとも１つと前記実装基板を介して導通されている
    弾性波デバイス。
  3. 前記ダミーチップは、導体として前記１以上のダミー端子のみを有している
    請求項２に記載の弾性波デバイス。
  4. 前記ダミーチップは、前記ダミー基板の表面上に位置しており、前記１以上のダミー端子の少なくとも１つに接続されているベタパターンを有している
    請求項２に記載の弾性波デバイス。
  5. 前記弾性波チップと前記１以上のダミー端子のうちの少なくとも１つとが前記実装基板を介して導通されている
    請求項１に記載の弾性波デバイス。
  6. 前記ダミー基板の材料は、前記樹脂部の材料よりも熱膨張係数が低い
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  7. 前記ダミーチップが前記弾性波チップよりも厚い
    請求項５に記載の弾性波デバイス。
  8. 前記弾性波チップは、所定の伝搬方向に弾性波が伝搬する圧電基板を含み、
    前記ダミーチップは、前記伝搬方向に見て前記弾性波チップに重なっている
    請求項６または７に記載の弾性波デバイス。
  9. 前記弾性波チップは、
    圧電基板と、
    前記圧電基板に貼り合わされた、前記圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記圧電基板よりも厚い支持基板と、
    前記圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置しているＩＤＴ電極と、を有している
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  10. 実装面を有している実装基板と、
    前記実装面に実装されている第１チップと、
    前記実装面に実装されている第２チップと、
    前記第１チップおよび前記第２チップを覆っている樹脂部と、を有しており、
    前記第１チップは、
    第１圧電基板と、
    前記第１圧電基板に貼り合わされた、前記第１圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記第１圧電基板よりも厚い支持基板と、
    前記第１圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置している第１ＩＤＴ電極と、を有しており、
    前記第１ＩＤＴ電極側を前記実装面に向けて前記実装面に実装されており、
    前記第２チップは、前記第１圧電基板および前記支持基板の合計の厚さよりも厚い第２圧電基板を有しており、
    前記樹脂部の前記実装面とは反対側の天面は、前記第１チップ上および前記第２チップ上に亘って平坦である
    弾性波デバイス。
  11. 前記第２チップは、前記第２圧電基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている１以上のダミー端子を有しており、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している
    請求項１０に記載の弾性波デバイス。
  12. 前記第２チップは、前記第２圧電基板の前記実装面側の表面上に位置している第２ＩＤＴ電極を有している
    請求項１０に記載の弾性波デバイス。
  13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の弾性波デバイスと、
    前記弾性波デバイスと接続されているアンテナと、
    前記弾性波デバイスと接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10204893B2 (en) 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
CN109901769B (zh) * 2017-12-07 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 特征识别结构、制作方法、驱动方法及相关装置
WO2020010136A1 (en) 2018-07-06 2020-01-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Molded direct bonded and interconnected stack
US11462419B2 (en) 2018-07-06 2022-10-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
US11296053B2 (en) 2019-06-26 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics
JP7252871B2 (ja) * 2019-09-26 2023-04-05 京セラ株式会社 基体構造体及び基体構造体を用いた電子デバイス
JP7229135B2 (ja) * 2019-09-26 2023-02-27 京セラ株式会社 電子デバイス
JP7372983B2 (ja) * 2019-09-27 2023-11-01 京セラ株式会社 弾性波フィルタ及び通信装置
US11631647B2 (en) 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
US11728273B2 (en) 2020-09-04 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
WO2022209525A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN118648241A (zh) * 2022-02-09 2024-09-13 株式会社村田制作所 弹性波装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2144546B (en) * 1983-08-04 1987-05-28 Standard Telephones Cables Ltd Surface acoustic wave accelerometer
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
JP2888040B2 (ja) * 1992-07-10 1999-05-10 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3478264B2 (ja) * 2000-03-10 2003-12-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
KR100431180B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
US6946772B2 (en) * 2002-05-14 2005-09-20 Tdk Corporation Saw element, saw device and branching filter
JPWO2005125008A1 (ja) * 2004-06-17 2008-04-17 松下電器産業株式会社 Ｆｂａｒフィルタ
JP4629013B2 (ja) * 2006-09-28 2011-02-09 株式会社豊田中央研究所 高周波回路基板
JP2012151698A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス
JP2013110299A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Murata Mfg Co Ltd 複合モジュール
JP5807715B2 (ja) 2012-03-23 2015-11-10 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ素子及びその製造方法
WO2013146374A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5989524B2 (ja) * 2012-11-30 2016-09-07 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
KR102483612B1 (ko) * 2015-02-10 2023-01-02 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP6330788B2 (ja) * 2015-11-18 2018-05-30 株式会社村田製作所 電子デバイス

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