JP6849010B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、たとえば金属端子からなる外部端子が接続してある電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等の電子部品としては、単体で直接に基板等に面実装する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子などの外部端子が取り付けられたものが提案されている。外部端子が取り付けられている電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性および信頼性等が要求される分野において使用されている。

外部端子を用いた電子部品では、外部端子の一端がチップ部品の端子電極に接続され、他端が回路基板などの実装面に半田などで接続される。最近では、このような外部端子を用いた電子部品が回路基板に実装された状態で、音鳴きという現象が発生することが課題となっている。

特開２００８−１３０９５４号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、音鳴きを低減することができる電子部品を提供することである。

本発明者らは、外部端子付きの電子部品での音鳴きが、端子電極と外部端子との接合領域を制限することで低減できることを見い出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明に係る電子部品は、
素体の端面に端子電極が形成されたチップ部品と、
前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
前記外部端子が、
前記端子電極の端面電極部に向き合うように配置される端子電極接続部と、
実装面に接続可能な実装接続部と、
前記実装面から最も近い前記素体の一側面を前記実装面から離して前記素体の一側面を支持するように、前記素体の一側面に向き合っている支持部と、を有し、
前記外部端子の端子電極接続部と前記端子電極の端面電極部との間には、接合領域と非接合領域とが形成してあり、
前記非接合領域が、前記端子電極接続部から前記支持部にまで形成してあることを特徴とする。

音鳴きは、実装基板が可聴領域の振動数で振動して可聴音が発生する現象であり、その振動の原因は素体の大部分を構成するセラミック層に高周波電圧が印加されたときに電歪効果により振動し、その振動が外部端子および／または実装面に伝わることにより発生するのではないかと考えられている。本発明者等は、非接合領域を、端子電極接続部から前記支持部にまで形成することで、音鳴きを低減できることを見出した。その理由としては、必ずしも明らかではないが、非接合領域が振動の緩和領域となり、チップ部品の電歪振動が実装面に伝わりにくくなるためではないかと考えられる。

前記非接合領域では、前記外部端子と前記端子電極との間には隙間が形成されていてもよいし、これらが接触していても良い。非接合領域では、半田や導電性接着剤などによる接続がないことで、振動の緩和領域となり、音鳴きが防止されるのではないかと考えられる。

好ましくは、前記端子電極接続部と前記実装接続部とが連結部により連結され、
前記支持部が、前記端子電極接続部と前記連結部との境界位置で、前記素体の前記一側面に向けて突出して、前記端子電極接続部と一体に成形してある。このように構成することで、支持部の形成が容易になると共に、特に、ハンダや導電性接着剤などによる接合作業前または作業時における外部端子によるチップ部品の保持が確実なものとなる。

好ましくは、前記端子電極接続部の幅方向に沿って、前記連結部と前記支持部とは位置ズレしており、前記支持部は、前記端子電極接続部の幅方向に沿った両側から、前記素体の前記一側面に向けて突出する一対の支持部で構成してあり、
前記素体の端面近くでは、前記実装面と垂直方向から見て、前記実装接続部と前記支持部とは重ならない部分を有する。

このように構成することで、実装接続部の半田が支持部にまで延びることを防止でき、いわゆる半田ブリッジ現象を抑制することができる。半田ブリッジが生じてしまうと、音鳴きが生じやすくなることから、半田ブリッジの低減が望まれている。なお、半田ブリッジの低減が図れるために、実装面とチップ部品との隙間を、たとえば０．２ｍｍ以下にもすることが可能であり、装置全体の薄型化にも寄与する。

好ましくは、前記実装面に平行な方向に沿った前記連結部の幅(Ｗ１)が前記端子電極接続部の幅(Ｗ０)よりも小さくなっている。このように構成することで、チップ部品の電歪振動が実装面に伝わりにくくなるので、さらに音鳴きを低減できる。

好ましくは、前記連結部の幅(Ｗ１)と前記端子電極接続部の幅(Ｗ０)との比率（Ｗ１／Ｗ０）が、０．３〜０．８、さらに好ましくは０．５〜０．７である。このような関係にある時に、音鳴き防止効果が高まると共に、外部端子の十分な機械的強度を確保することができる。

非接合領域を形成するための手段としては、特に限定されないが、たとえば半田を用いて接合する場合には、端子電極に向き合う外部端子の表面に、半田付着防止処理を施すことで、非接合領域を形成することができる。半田付着防止処理としては、たとえばレーザー剥離処理、レジスト塗布処理、めっき領域の限定処理、半田溜まり形成処理などが例示される。

なお、半田付着防止処理は、端子電極にも行っても良い。また、半田以外で、たとえば導電性接着剤を用いて接合領域を形成する場合には、その導電性接着剤の塗布領域を制限することで、非接合領域を形成することができる。好ましくは、接合領域は、半田を用いて形成する。接合強度を向上させることができると共に、電気抵抗を低減することができるからである。

図１は本発明の一実施形態に係る電子部品の斜視図である。 図２は図１に示す電子部品の正面図である。 図３は図１に示す電子部品の平面図である。 図４は図１に示す電子部品の右側面図（左側面図も同じ形状）である。 図５は図１に示す電子部品の底面図である。 図６は図１に示す外部端子の斜視図である。 図７Ａは図６に示す外部端子の正面図である。 図７Ｂは図７Ａに示す外部端子の変形例を示す正面図である。 図８は図６に示す外部端子の平面図である。 図９Ａは図６に示す外部端子の右側面図である。 図９Ｂは図６に示す外部端子の左側面図である。 図１０は図６に示す外部端子の底面図である。 図１１は図１に示す電子部品を実装した状態を示す概略図である。 図１２は本発明の他の実施形態に係る電子部品の斜視図である。 図１３は本発明のさらに他の実施形態に係る電子部品の斜視図である。 図１４は本発明のさらに他の実施形態に係る電子部品の斜視図である。 図１５は図１４に示す外部端子の斜視図である。 図１６は本発明の実施例と比較例に係る電子部品の音鳴きの比較を示すグラフである。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品としてのセラミックコンデンサ１０を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品としてのチップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０のＹ軸方向の両端面にそれぞれ取り付けられた一対の金属端子（外部端子）３０とを有する。

なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ２０に一対の金属端子３０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限らず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子３０が取り付けられたものであっても良い。

チップコンデンサ２０は、コンデンサ素体２６と、コンデンサ素体２６のＹ軸方向の両端面にそれぞれ形成してある一対の端子電極２２とを有する。コンデンサ素体２６は、Ｙ軸方向の端面に対して略垂直な４つの側面２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを有する。図２に示すように、これらの側面の内、１つの側面２６ａが、回路基板６０の実装面６２に対して最も近づく底側面となる。本実施形態では、底側面２６ａと平行に対向する側面２６ｂが上側面となる。その他の側面２６ｃ，２６ｄは、実装面６２に対して略垂直に配置される。

なお、各図面において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直であり、実装面６２に対して垂直方向をＺ軸とし、Ｙ軸は、素体２６の端面に垂直な方向であり、Ｘ軸は、側面２６ｃおよび側面２６ｄに垂直な方向である。

コンデンサ素体２６は、内部にセラミック層としての誘電体層と内部電極層とを有し、これらの誘電体層と内部電極層とが交互に積層してある。誘電体層の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。

内部電極層に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

端子電極２２の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極２２の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極２２の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。特に、Ｃｕ焼付層/Ｎｉめっき層/Ｓｎめっき層とするのが好ましい。

また、本実施形態では、好ましくは、端子電極２２は、少なくとも樹脂電極層を有する多層電極膜で構成してある。樹脂電極層が振動を吸収することで、後述する音鳴きをさらに有効に抑制することができる。樹脂電極層を有する端子電極２２としては、たとえば素体２６に接触する側から焼付層／樹脂電極層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層からなることが好ましい。

また、端子電極２２は、図２に示すように、素体２６のＹ軸方向の両端面にそれぞれ位置して端面を覆う端面電極部２２ａと、素体２６の端面から当該端面近くの複数の側面２６ａ〜２６ｄを所定被覆幅Ｌ１で被覆するように端面電極部２２ａと一体に形成される側面電極部２２ｂとを有する。

本実施形態では、側面電極部２２ｂは、実質的に形成されていなくとも良く、端子電極２２は、端面電極部２２ａのみで実質的に構成してあることが好ましい。仮に側面電極部２２ｂが形成されているとしても、後述する金属端子３０における支持部３８のＹ軸方向の突出長さＬ２が、側面電極部２２ｂの被覆幅Ｌ１よりも長いことが好ましい。このように構成することで、端子電極２２と実装接続部３４との間での半田ブリッジを効果的に抑制することができる。

図１〜図１０に示すように、各金属端子３０は、素体２０のＹ軸方向の端面に形成してある端子電極２２の端面電極部２２ａと向き合うように配置される端子電極接続部３２と、実装面６２に接続可能な実装接続部３４と、を有する。図２に示すように、実装面６２から最も近い素体２６の底側面２６ａを実装面６２から所定距離Ｈ５で離すように端子電極接続部３２と実装接続部３４とは、これらと一体に成形してある連結部３６により連結してある。金属端子３０の厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．０５〜０．１０ｍｍである。

連結部３６は、実装接続部３４が底側面２６ａに所定距離（所定距離Ｈ５から実装接続部３４の厚みを引いた距離）で向き合うように、端子電極接続部３２から底側面２６ａ方向（内側）に折り曲げられた曲折形状を有する。曲折形状の外側曲げ半径Ｒは、所定距離Ｈ５などとの関係で求められ、所定距離Ｈ５と同程度以下であり、好ましくは所定距離Ｈ５の０．３倍以上である。このように構成することで、部品の小型化に寄与すると共に、音鳴き防止効果が向上する。

図４に示すように、連結部の幅Ｗ１は端子電極接続部３２の幅Ｗ０よりも小さくなっている。連結部３６の幅Ｗ１と端子電極接続部３２の幅Ｗ０との比率Ｗ１／Ｗ０は、好ましくは、０．３〜０．８、さらに好ましくは０．５〜０．７である。このような関係にある時に、音鳴き防止効果が高まると共に、金属端子の十分な機械的強度を確保することができる。なお、端子電極接続部３２の幅Ｗ０は、素体２６のＸ軸方向幅Ｗ３と略同一か、あるいは少し小さくても良い。Ｗ３／Ｗ０は、好ましくは１．０〜１．４である。

音鳴きは、素体２６の大部分を構成するセラミック層に高周波電圧が印加されて電歪効果により振動し、その振動が金属端子３０および／または実装面６２に伝わることにより発生すると考えられる。本実施形態では、連結部３６の幅Ｗ１が端子電極接続部３２の幅Ｗ０よりも小さくなっていることから、チップコンデンサ２０の電歪振動が実装面６２に伝わりにくくなり、この点でも音鳴きを低減できる。

図１に示すように、端子電極接続部３２には、素体２６の端面の一部を覆わない形状の溝３３が形成してあり、溝３３は、連結部３６には達しないように形成してある。溝３３は、図４に示すように、実装面６２とは反対側に位置する素体２６の上側面２６ｂに向けて開口する開口部３３ａを有する。また、好ましくは、溝３３は、端子電極接続部３２のＸ軸方向（幅方向）の中央部に形成してある。さらに、好ましくは、溝３３の両側に位置する端子電極接続部３２には、端面電極部２２ａに接続される一対の接続片３２ａ，３２ａが形成してある。

図４に示すように、溝３３のＸ軸方向幅Ｗ４は、端子電極接続部３２の幅Ｗ０に対しての比率（Ｗ４／Ｗ０）が、好ましくは０．３〜０．５である。なお、溝３３のＸ軸方向の両側に形成される接続片３２ａ，３２ａのそれぞれの幅Ｗ５ａ，Ｗ５ｂは、同じでも異なっていても良い。また、溝３３のＺ軸方向の深さＨ１は、特に限定されないが、素体２６のＺ軸方向高さＨ０との関係で決定されることが好ましく、Ｈ１／Ｈ０は、好ましくは０〜１、さらに好ましくは０．１〜０．６である。このような関係にある時に、端子電極２２と金属端子３０との接続が特に容易であると共に、接続強度が向上し、しかも半田ブリッジも抑制できる。

なお、素体２６の底側面２６ａからの端子電極接続部３２のＺ軸方向高さＨ２は、素体２６のＺ軸方向高さＨ０と同程度が好ましく、または少し小さくても良い。すなわち、Ｈ２／Ｈ０は、好ましくは０．７〜１．０である。

本実施形態では、溝３３を形成することで、小さいチップコンデンサ２０（たとえば１ｍｍ×０．５ｍｍ×１ｍｍ以下）においても、金属端子３０の端子電極接続部３２と端子電極２２の端面電極部２２ａとの半田５０などによる接続が容易となると共に、これらの接続強度も向上する。また、溝３３が形成してあることで、金属端子３０と端子電極２２との接続の確認が容易であり、接続不良を効果的に防止することができる。さらに、溝３３は、連結部３６には達していないために、溝３３による貫通孔が連結部３６には形成されず、その貫通孔に半田が充填されて半田ブリッジが生じるおそれがなくなる。

図４に示すように、本実施形態では、連結部の幅Ｗ１と同一方向（Ｘ軸）に沿って、実装接続部３４の幅Ｗ２が、連結部３６の幅Ｗ１よりも大きい。このように構成することで、実装接続部３４と実装面６２との接続強度が向上する。また、連結部の幅Ｗ１と同一方向に沿って、実装接続部の幅Ｗ２が、素体２６の幅Ｗ３と略等しいことが好ましいが、素体２６の幅Ｗ３より多少狭くても良い。すなわち、Ｗ２／Ｗ３は、好ましくは０．７〜１．０である。このように構成することで、実装接続部３４と実装面６２との接続強度が向上するとともに、必要以上に実装接続部３４が大きくならず（素体２６のＸ軸方向幅Ｗ３からはみ出さない）、部品の小型化にも寄与する。

図２に示すように、実装接続部３４と連結部３６との境界位置と素体２６の端面との間のＹ軸方向距離Ｌ３は、支持部３８の突出長さＬ２などとの関係で決定され、Ｌ３／Ｌ２は、好ましくは０．６〜１．０である。また、実装接続部３４のＹ軸方向長さＬ４は、素体２６のＹ軸方向長さＬ０との関係などにより決定され、Ｌ４／Ｌ０は、好ましくは０．２〜０．４である。

本実施形態では、端子電極接続部３２と連結部３６との境界位置では、素体２６の底側面２６ａに向けて突出して底側面２６ａを保持する支持部３８が、端子電極接続部３２と一体に成形してある。支持部３８は、端子電極接続部３２の幅方向（Ｘ軸）に沿った両側から、素体２６の底側面２６ａに向けて突出する一対の支持部３８，３８で構成してある。

図２に示すように、本実施形態では、金属端子３０の端子電極接続部３２と端子電極２２の端面電極部２２ａとの間には、接合領域５０ａと非接合領域５０ｂとが形成してあり、非接合領域５０ｂが、端子電極接続部３２から支持部３８にまで形成してある。

接合領域５０ａは、半田５０により、金属端子３０の端子電極接続部３２と端子電極２２の端面電極部２２ａとが機械的および電気的に接合してある領域である。また、非接合領域５０ｂは、半田５０が存在しない領域であり、金属端子３０の端子電極接続部３２と端子電極２２の端面電極部２２ａとがハンダによる接合が成されていない領域である。この非接合領域５０ｂは、端子電極接続部３２から支持部３８にまで連続的に形成してある。

本実施形態では、非接合領域５０ｂを、端子電極接続部３２から支持部３８にまで形成することで、音鳴きを低減できる。その理由としては、必ずしも明らかではないが、非接合領域５０ｂが振動の緩和領域となり、チップコンデンサ２０の電歪振動が実装面６２に伝わりにくくなるためではないかと考えられる。

接合領域５０ａは、端子電極接続部３２のＺ軸方向上端から下方に向けて所定の高さＨ６の範囲で形成されることが好ましい。この接合領域５０ａが形成される高さＨ６は、端子電極接続部３２のＺ軸方向上端から支持部３８の上表面３８ａまでの高さＨ７よりも小さい。特に限定されないが、Ｈ６／Ｈ７は、好ましくは、０．２以上で１．０未満、さらに好ましくは０．３〜０．９、特に好ましくは０．４〜０．８である。少なくともこのような範囲でＨ６／Ｈ７を変化させても、音鳴き現象を低減することができると共に、金属端子３０と端子電極２２との十分な接合強度が得られることが確認された。

非接合領域５０ｂを、端子電極接続部３２の下方位置（高さＨ６の下端位置）から支持部３８にまで形成するための手段としては、特に限定されないが、たとえば図６に示すように、少なくとも支持部３８の上表面３８ａに半田付着防止領域（図６中の点々によるハッチング部分）を形成すれば良い。半田付着防止領域は、支持部３８の上表面３８ａと共に、その近くに位置する端子電極接続部３２における端面電極部２２ａとの対向面３２ｂにも形成する。さらに、連結部３６の内側面３６ａの少なくとも一部にまで連続して半田付着防止領域を形成しても良い。

なお、実装接続部３４の上面３４ａと底面３４ｂには、図１１に示すように、半田５２が付着して実装接続部３４を回路基板６０の実装面６２に強固に接続するために、半田付着防止領域を形成しないことが好ましい。また、連結部３６の外表面３６ｂにも、半田５２が付着して実装接続部３４を回路基板６０の実装面６２に強固に接続するために、半田付着防止領域を形成しないことが好ましい。ただし、実装接続部３４の上面３４ａは、必ずしも半田５２が付着しなくても良いことから、そこに半田付着防止領域を、前述した半田付着防止領域に連続して形成しても良い。

図６および図７Ａに示す金属端子３０の端子電極接続部３２において、半田付着防止領域が形成されていないＺ軸方向の高さＨ６ａは、図２に示す接合領域５０ａの高さＨ６と略一致するが、半田５０の量などによっては、必ずしも一致しなくても良い。

なお、図２などでは、一対の支持部３８，３８は、素体２６の底側面２６ａに接触するように描いてあるが、実際には必ずしも接触していなくてもよい。また、非接合領域５０ｂにおいて、端面電極部２２ａと端子電極接続部３２との間には、隙間が存在するように描いてあるが、必ずしも隙間が常にある必要はなく、少なくとも一部が接触していても良い。ただし、半田５０により接合ではない。

一対の支持部３８，３８のＸ軸方向幅は、それぞれ同じであることが好ましいが、必ずしも同じではなくても良い。本実施形態では、図２に示すように、Ｘ軸方向に沿って、連結部３６と支持部３８とは位置ズレしており、素体２６の底側面２６ａ側に向けて端子電極接続部３２から折り曲げてある。

本実施形態では、支持部３８を設けることで、特に、半田５０による接合前または半田５０による接合作業に際し、金属端子３０によるチップコンデンサ２０の保持が確実なものとなり、半田の作業が容易になる。半田５０による接合により、金属端子３０は多少変形することがあり、接合後に、支持部３８は、チップコンデンサ２０の底側面２６ａに接触しなくなることもあるが、何ら問題なく、むしろ音鳴き防止の観点からは好ましい。

また、本実施形態では、図５に示すように、素体２６のＹ軸方向の両端面近くでは、実装面と垂直方向（Ｚ軸方向）から見て、実装接続部３４と支持部３８とは重ならない部分を有する。このように構成することで、図１１に示すように、実装面６２に形成してある回路パターン６４と実装接続部３４とを接続する半田５２が支持部３８にまで延びることを有効に防止でき、いわゆる半田ブリッジ現象を抑制することができる。

半田ブリッジが生じてしまうと、音鳴きが生じやすくなることから、半田ブリッジの低減が望まれている。なお、半田ブリッジの低減が図れるために、実装面６２とチップ部品２０との隙間を、たとえばＨ５＝０．２ｍｍ以下にもすることが可能であり、装置全体の高さＨ３を低減することができ、装置の薄型化にも寄与する。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０が直方体形状の場合は、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ）×厚み（０．１〜５．６ｍｍ）程度である。

セラミックコンデンサ１０の製造方法
以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。まず、チップコンデンサ２０を製造する。焼成後に誘電体層となるグリーンシートを形成するために、グリーンシート用塗料を準備する。グリーンシート用塗料は、本実施形態では、誘電体材料の原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。

誘電体材料の原料としては、焼成後にチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムとなる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。

次に、上述のグリーンシート用塗料を用いて、キャリアシート上に、グリーンシートを形成する。次に、グリーンシートの一方の表面に、焼成後に内部電極層となる電極パターンを形成する。電極パターンの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法、薄膜法などが例示される。グリーンシートの上に電極パターンを形成した後、乾燥することにより、電極パターンが形成されたグリーンシートを得る。

内部電極層用塗料を製造する際に用いる導電体材料としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いることが好ましい。このような導電体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。

次に、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、キャリアシートから剥離しつつ所望の積層数まで積層し、グリーン積層体を得る。なお、積層の最初と最後には、内部電極パターンが形成されていない外層用グリーンシートを、積層する。

その後、このグリーン積層体を最終加圧し、必要に応じて研磨処理を行い、脱バインダ処理を行う。続いて、グリーンチップの焼成を実施する。焼成条件は特に限定されない。焼成後に、必要に応じてアニール処理、研磨等を施すことにより、図１に示すコンデンサ素体２６を得る。

その後、コンデンサ素体２６に端子電極２２を形成する。端子電極２２は、たとえば端子電極用塗料を焼きつけて下地電極を形成した後、下地電極の表面にめっきによる金属被膜を形成することにより、作製する。なお、端子電極用塗料は、上記した内部電極層用塗料と同様にして調製することができる。

また、樹脂電極層を有する端子電極２２を形成する場合には、たとえば素体２６の端面に焼付層から成る下地電極を形成した後、樹脂電極ペースト膜を塗布して樹脂電極層を形成する。その後に、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成すれば良い。

金属端子３０の製造では、まず、平板状の金属板材を準備する。金属板材の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。

次に、金属板材を機械加工することにより、図６〜図１０に示す金属端子３０を得る。具体的な加工方法は特に限定されないが、たとえばプレス加工が好ましく用いられる。金属端子３０の表面には、めっきによる金属被膜を形成してもよい。

めっきに用いる材料としては、特に限定されないが、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等が挙げられる。めっき処理の後、またはめっき処理に際して、たとえば後述する方法により、金属端子３０の表面における所定領域には、半田付着防止処理を行い、半田付着防止領域を形成する。

上述のようにして得られたチップコンデンサ２０のＹ軸方向の両端面に形成してある端子電極２２に、金属端子３０の端子電極接続部３２を接続する。本実施形態では、これらを半田５０により接続し、図２に示すように、接合領域５０ａと非接合領域５０ｂとを形成する。非接合領域５０ｂは、金属端子３０の所定領域の表面に形成された半田付着防止領域に対応して形成される。

半田付着防止領域は、下記のようにして形成される。たとえば金属端子３０の全表面に対して、錫めっきなどが施されて、半田が付着しやすい表面になっている場合において、金属端子３０における半田付着防止領域を形成したい領域のみに、レーザ照射を行えばよい。レーザ照射により錫めっき層を除去され、半田が付着しにくい表面が露出し、希望とする表面に半田付着防止領域を形成することができる。

あるいは、半田の付着を防止するレジスト層を、金属端子３０における半田付着防止領域を形成したい領域のみに形成して、希望とする表面に半田付着防止領域を形成しても良い。レジスト層としては、たとえばプリント基板等に用いられる一般的なソルダ―レジストインクが使用可能で、その主成分は硬化性エポキシ樹脂から形成される。または、金属端子３０の表面に、錫めっきを行う際に、そのめっき領域を限定して行うことで、その錫めっきがされない領域に、半田付着防止領域を形成しても良い。

あるいは、図７Ｂに示すように、端子電極接続部３２のＺ軸方向の上端から下方に向けて所定の高さＨ６ａの位置に、半田溜まり用凹部３２ｃを端子電極接続部３２の内面に形成することで、その凹部３２ｃより下方を、半田付着防止領域としても良い。凹部３２ｃは、Ｙ軸方向に連続的に形成してあることが好ましい。この凹部３２ｃに余分な半田が流れ込んで溜まることにより、たとえば図２に示す半田５０が、支持部３８までは到達しなくなり、その手前に、非接合領域５０ｂが形成される。

（第２実施形態）
図１２は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ａの斜視図である。本実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ａは、図１〜図１１に示す第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態では、端子電極３０Ａの端子電極接続部３２Ａには、図１に示す溝３３が形成されていない。本実施形態のセラミックコンデンサ１０Ａは、図１に示す溝３３が形成されていない以外は、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏する。

（第３実施形態）
図１３は、本発明の第３実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ｂの斜視図である。本実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ｂは、図１〜図１１に示す第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図１３に示すように、本実施形態では、チップコンデンサ２０Ｂの素体２６の端面に形成してある端子電極２２の側面電極部２２ｂにおけるＹ軸方向長さが、第１実施形態の端子電極２２における側面電極部２２ｂにおけるＹ軸方向長さよりも長く構成してある。本実施形態のセラミックコンデンサ１０Ｂは、端子電極２２の側面電極部２２ｂにおけるＹ軸方向長さが、第１実施形態の端子電極２２における側面電極部２２ｂにおけるＹ軸方向長さよりも長い以外は、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏する。

（第４実施形態）
図１４は、本発明の第４実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ｃの斜視図である。本実施形態に係るセラミックコンデンサ１０Ｃは、図１〜図１１に示す第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と下記に示す以外は、同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、共通する部分には、共通する部材符号を付し、共通する部分の説明は省略する。

図１４に示すように、本実施形態では、上述した第１実施形態の金属端子３０の代わりに、金属端子３０Ｃを用いている以外は、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏する。

図１５に示すように、本実施形態では、端子電極接続部３２ＣのＺ軸方向上端のＸ軸方向の中央部に設けられる溝３３の深さＨ１が、端子電極接続部３２ＣのＺ軸方向上端から支持部３８Ｃの上表面３８ａまでの高さＨ７と略等しくなっている。

この溝３３のＸ軸方向の両側には、一対の接続片３２ａ，３２ａが形成してあり、その溝３３のＺ軸方向の底部に、単一の支持部３８Ｃが設けられている。支持部３８Ｃを構成する支持片は、溝３３から内側（図１４に示すチップコンデンサ２０の側）に向けて折り曲げられ、連結部３６Ｃおよび接続片３２ａ，３２ａと一体に形成されている。溝３３の深さＨ１は、図４に示す素体２６のＺ軸方向高さＨ０と同程度が好ましく、Ｈ１／Ｈ０は、約１であることが好ましい。

図１４に示すように、本実施形態では、金属端子３０Ｃの端子電極接続部３２Ｃと端子電極２２の端面電極部２２ａとの間には、接合領域５０ａと非接合領域５０ｂとが形成してあり、非接合領域５０ｂが、端子電極接続部３２Ｃから支持部３８Ｃにまで形成してある。

接合領域５０ａは、半田５０により、金属端子３０Ｃの端子電極接続部３２Ｃと端子電極２２の端面電極部２２ａとが機械的および電気的に接合してある領域である。また、非接合領域５０ｂは、半田５０が存在しない領域であり、金属端子３０Ｃの端子電極接続部３２Ｃと端子電極２２の端面電極部２２ａとがハンダによる接合が成されていない領域である。この非接合領域５０ｂは、端子電極接続部３２Ｃから支持部３８Ｃにまで連続的に形成してある。

非接合領域５０ｂを、端子電極接続部３２Ｃの下方位置（支持部３８Ｃの近く）から支持部３８Ｃにまで形成するための手段としては、特に限定されないが、たとえば図１５に示すように、少なくとも支持部３８Ｃの上表面３８ａに半田付着防止領域（図１５中の点々によるハッチング部分）を形成すれば良い。半田付着防止領域は、支持部３８Ｃの上表面３８ａと共に、その近くに位置する端子電極接続部３２Ｃにおける端面電極部２２ａとの対向面３２ｂにも形成する。さらに、連結部３６Ｃの内側面３６ａの少なくとも一部にまで連続して半田付着防止領域を形成しても良い。

なお、図１５に示す実装接続部３４の上面３４ａと底面３４ｂには、図１１に示す半田５２が付着して実装接続部３４を回路基板６０の実装面６２に強固に接続するために、半田付着防止領域を形成しないことが好ましい。また、図１５に示す連結部３６Ｃの外表面３６ｂにも、図１１に示す半田５２が付着して実装接続部３４を回路基板６０の実装面６２に強固に接続するために、半田付着防止領域を形成しないことが好ましい。ただし、図１５に示す実装接続部３４の上面３４ａおよび支持部３８Ｃの下面３８ｂは、必ずしも図１１に示す半田５２が付着しなくても良いことから、そこに半田付着防止領域を、前述した半田付着防止領域に連続して形成しても良い。

図６および図７Ａに示す金属端子３０の端子電極接続部３２において、半田付着防止領域が形成されていないＺ軸方向の高さＨ６ａは、図１４に示す接合領域５０ａのＺ軸方向高さと略一致するが、半田５０の量などによっては、必ずしも一致しなくても良い。

（その他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば本発明では、金属端子３０の端子電極接続部３２に形成する溝３３の形状は、図示する実施形態に示すように底部角部が丸みを帯びた四角形状に限定されず、たとえば半円状、Ｕ字形状、楕円状、逆三角形状、その他の多角形状などであっても良い。

また、上述した実施形態では、接合領域５０ａを、半田５０を用いて形成してあるが、導電性接着剤により形成しても良い。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
Ｗ１／Ｗ０＝０．５である図１〜図１０に示すセラミックコンデンサ１０を作製し、図１１に示すように、回路基板６０の実装面６２に半田５２を用いてコンデンサ１０を実装した。Ｈ６／Ｈ７は、０．５６であった。

この実施例１のコンデンサ１０について、音鳴きを評価するために、２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚの周波数の交流を印加して音圧レベルを測定する試験を行った。結果を図１６に示す。図１６において、縦軸は、音鳴きを示す音圧レベル（ＳＰＬ）を示し、単位はｄＢである。また、横軸は、可聴範囲での音鳴きの周波数を示す。

比較例１
Ｈ６／Ｈ７は１であり、しかも、支持部３８と端子電極２２との間にも、半田による接合領域１０ａが形成された以外は、実施例１と同様にして、音鳴きを評価するために、２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚの周波数の交流を印加して音圧レベルを測定する試験を行った。結果を図１６に示す。

比較例２
Ｗ１／Ｗ０＝１とし、支持部３８を設けなかった以外は、実施例１と同様にして、セラミックコンデンサを作製し、同様な試験を行った。結果を図１６に示す。

評価
図１６に示すように、実施例１のコンデンサでは、比較例１および比較例２のコンデンサに比較して、音鳴きが抑制されることが確認できた。

実施例２
Ｈ６／Ｈ７を０．３〜０．９の範囲で変化させた以外は、実施例１と同様にして、セラミックコンデンサを作製し、同様な試験を行った。実施例１と同様な結果が得られた。また、接合強度も実施例１と同等に満足できるレベルであることが確認できた。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…セラミックコンデンサ
２０，２０Ｂ…チップコンデンサ
２２…端子電極
２２ａ…端面電極部
２２ｂ…側面電極部
２６…素体
２６ａ…底側面
２６ｂ…上側面
２０ｃ…側面
２０ｄ…側面
３０，３０Ａ，３０Ｃ…金属端子
３２，３２Ａ，３２Ｃ…端子電極接続部
３２ａ…接続片
３３…溝
３４…実装接続部
３６，３６Ｃ…連結部
３８，３８Ｃ…支持部
５０，５２…半田
５０ａ…接合領域
５０ｂ…非接合領域
６０…回路基板
６２…実装面

Claims (17)

1. 素体の端面に端子電極が形成されたチップ部品と、
   前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
   前記外部端子が、
   前記端子電極の端面電極部に向き合うように配置される端子電極接続部と、
   実装面に接続可能な実装接続部と、
   前記実装面から最も近い前記素体の一側面を前記実装面から離して前記素体の一側面を支持するように、前記素体の一側面に向き合っている支持部と、を有し、
   前記外部端子の端子電極接続部と前記端子電極の端面電極部との間には、接合領域と非接合領域とが形成してあり、
   前記非接合領域が、前記端子電極接続部から前記支持部にまで形成してあり、
   前記端子電極接続部と前記実装接続部とが連結部により連結され、
   前記連結部が、実装面上で前記素体の端面を含む面よりも内側まで延びて、前記実装接続部と前記連結部との境界位置が、前記素体の端面を含む面よりも所定距離だけ内側に位置しており、
   前記実装接続部と前記連結部との前記境界位置と、前記素体の前記端面を含む面との間の距離（Ｌ３）は、前記支持部の突出長さ（Ｌ２）に対して、０．６〜１．０（Ｌ３／Ｌ２）である電子部品。
2. 前記支持部が、前記端子電極接続部と前記連結部との境界位置で、前記素体の前記一側面に向けて突出して成形してある請求項１に記載の電子部品。
3. 前記実装接続部と前記連結部との前記境界位置において、前記連結部の幅（Ｗ１）が前記実装面に平行な方向に沿った前記実装接続部の幅（Ｗ２）よりも小さい請求項１または２に記載の電子部品。
4. 前記実装面に平行な方向に沿った前記連結部の幅(Ｗ１)が前記端子電極接続部の幅(Ｗ
   ０)よりも小さくなっている請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記連結部の幅(Ｗ１)と前記端子電極接続部の幅(Ｗ０)との比率（Ｗ１／Ｗ０）が、０．３〜０．８である請求項４に記載の電子部品。
6. 前記端子電極の端面電極部に向き合う前記端子電極接続部の内面と、前記素体の一側面に向き合っている前記支持部の上表面とが、前記外部端子の同じ側の表面であり、
   前記非接合領域が、前記端子電極接続部の内面から前記支持部の上面にまで形成してある請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記端子電極接続部には、前記素体の端面の一部を覆わない形状の溝が形成してあり、前記溝は、前記実装面とは反対側に位置する前記素体の上側面に向けて開口する開口部を有する請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品。
8. 素体の端面に端子電極が形成されたチップ部品と、
   前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
   前記外部端子が、
   前記端子電極の端面電極部に向き合うように配置される端子電極接続部と、
   実装面に接続可能な実装接続部と、
   前記実装面から最も近い前記素体の一側面を前記実装面から離して前記素体の一側面を支持するように、前記素体の一側面に向き合っている支持部と、を有し、
   前記端子電極接続部では、前記端面電極が露出している開口部と、前記開口部の横幅方向の両側に位置する接続片とが形成してあり、
   前記端子電極接続部の前記接続片と前記端子電極の端面電極部との間には、接合領域と非接合領域とが形成してあり、
   前記支持部の上面と、前記実装面から最も近い前記素体の一側面と、の間には隙間があり互いに接触していない電子部品。
9. 素体の端面に端子電極が形成されたチップ部品と、
   前記端子電極に電気的に接続される外部端子とを有する電子部品であって、
   前記外部端子が、
   前記端子電極の端面電極部に向き合うように配置される端子電極接続部と、
   実装面に接続可能な実装接続部と、
   前記実装面から最も近い前記素体の一側面を前記実装面から離して前記素体の一側面を支持するように、前記素体の一側面に向き合っている支持部と、を有し、
   前記端子電極接続部では、前記端面電極が露出している開口部と、前記開口部の横幅方向の両側に位置する接続片とが形成してあり、
   前記端子電極接続部の前記接続片と前記端子電極の端面電極部との間には、接合領域と非接合領域とが形成してあり、
   前記非接合領域が、前記支持部の上面にも形成してある電子部品。
10. 前記支持部は、前記開口部の実装面側の端縁から折り曲げて形成してある請求項８または９に記載の電子部品。
11. 前記端子電極接続部と前記実装接続部とが連結部により連結され、
    前記実装面に平行な方向に沿った前記連結部の幅(Ｗ１)が前記端子電極接続部の幅(Ｗ
    ０)よりも小さくなっている請求項８〜１０のいずれかに記載の電子部品。
12. 前記連結部の幅(Ｗ１)と前記端子電極接続部の幅(Ｗ０)との比率（Ｗ１／Ｗ０）が、０．３〜０．８である請求項１１に記載の電子部品。
13. 前記非接合領域では、前記外部端子と前記端子電極との間には隙間が形成されている請求項１〜１２のいずれかに記載の電子部品。
14. 前記非接合領域では、前記端子電極に向き合う前記外部端子の表面に、半田付着防止処理が施されている請求項１〜１３のいずれかに記載の電子部品。
15. 前記接合領域は、前記端子電極接続部の前記実装面とは反対側の上端から下方に向けて所定高さ（Ｈ６）で形成してあり、
    前記所定高さ（Ｈ６）は、前記端子電極接続部の前記実装面とは反対側の上端から前記支持部の上表面までの高さ（Ｈ７）よりも小さい請求項１〜１４のいずれかに記載の電子部品。
16. 前記接合領域の前記所定高さ（Ｈ６）と、前記端子電極接続部の前記実装面とは反対側の上端から前記支持部の上表面までの高さ（Ｈ７）との比率が、０．４〜０．８である請求項１５に記載の電子部品。
17. 前記実装面と、前記実装面から最も近い前記素体の一側面との隙間の距離が、０．２ｍｍ以下である請求項１〜１６のいずれかに記載の電子部品。

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