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JP6843745B2 - 光学要素スタックアセンブリ - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は２０１４年１０月１４日に提出されたＵＳ仮特許出願番号６２／０６３，５３２の優先権の利益を主張する。先願の開示はその全体が引用により本明細書に組み込まれる。
開示の分野
本開示は光学要素スタックアセンブリに関する。
背景
たとえば、映像アプリケーションのために、三次元（３Ｄ）映像など、距離測定アプリケーションのために、近接感知などの様々な光電子モジュールが使用される。いくつかのアプリケーションにおいて、光学エミッタアセンブリは投影光学パターンを発するために操作可能であり、映像にも距離測定にも有用である。投影光は物体上に投影される個別の特徴のパターン（すなわちテクスチャ）に帰着する。物体によって反射された光は、感知される場所であるイメージセンサに向かって戻る。感知されたシグナルは距離計算のために使用される。いくつかのケースにおいて、投影光はステレオ映像アプリケーションにおいてピクセルを合わせるために追加のテクスチャを提供する。
いくつかのモジュールにおいて、回折光学要素（ＤＯＥ）などの光学要素は、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）またはＶＣＳＥＬ列などの光源から発される光の経路内に導入される。ＤＯＥは投影光パターンを創出するのに有用である。それはまたＶＣＳＥＬまたは他の光源によって生成された投影光パターンの増加を促進する。
要約
本開示はたとえばウェハレベルの方法により組み立て可能な光学要素スタックアセンブリを説明する。
たとえば、ある態様において、スタックアセンブリを製造するウェハレベルの方法はウェハサブスタックを形成するために第１のウェハを第２のウェハに取り付けることを含む。第１のウェハまたは第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に光学要素を有する。第１および第２のウェハはそれぞれの光学要素が第１および第２のウェハの間に配置されるよう取り付けられる。方法はウェハスタックを形成するためにスペーサウェハをウェハサブスタックに取り付け、ウェハスタックをスタックアセンブリに分離することをさらに含み、それぞれ光学要素の少なくとも１つを含む。
別の態様において、スタックアセンブリを製造するウェハレベルの方法は第１および第２のウェハの提供を含み、第１のウェハまたは第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に光学要素を有する。方法は第２のウェハの対向面上に上側および下側スペーサを形成するために単一の真空注入技術の使用を含む。方法はウェハスタックを形成するために第１のウェハの第２のウェハへの取付けを含む。第１および第２のウェハは光学要素が第１および第２のウェハの間に配置されるよう取り付け可能である。ウェハスタックはその後スタックアセンブリに分離され、それぞれ光学要素の少なくとも１つを含む。
さらに他の態様において、スタックアセンブリを製造するウェハレベルの方法は第１および第２のウェハの提供を含み、第１のウェハまたは第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に光学要素を有する。方法は第２のウェハをテープに取り付け第２のウェハを単一化された基板に分離することを含む。単一化された基板は単一化された基板の対向面上に上側および下側スペーサを形成するために真空注入ツール内に位置づけられる。第１のウェハはそれぞれの光学要素が第１のウェハと単一化された基板の１つとの間に配置されるようスタックを形成するために単一化された基板に取り付けられる。スタックはその後スタックアセンブリに分離され、それぞれ光学要素の少なくとも１つを含む。
本開示は第１の基板、第１の基板に取り付けられた第２の基板および第１の基板または第２の基板の少なくとも１つの上の光学要素を含むスタックアセンブリもまた説明し、少なくとも１つの光学要素は第１と第２の基板の間に配置される。スタックアセンブリは第１または第２の基板の外側側面に取り付けられた第１のスペーサを含む。いくつかの実装において、スタックアセンブリは第１および第２の基板の間に第２のスペーサをさらに含み、第１および第２のスペーサは同一の真空射出成形ピースの一部である。さらに、いくつかのケースにおいて、真空射出成形ピースは第２の基板の側縁部を横方向に取り囲む。さらに、第１および第２の基板は１または複数の光学要素の横方向側部上に接着剤で互いに取付け可能である。
様々な実装は１または複数の以下の特徴を含む。たとえば、第１および第２のウェハそれぞれはその表面上にそれぞれの光学要素を有することができ、光学要素は互いに面する。いくつかの例において、光学要素は回折光学要素である。いくつかの実装において、光学要素は複製された光学要素である。
ウェハレベルの方法は複数のアセンブリを同時に平行に製造することを許容する。さらに、第１および第２のウェハの間のより小さいまたはより大きい距離をもたらすために、アプリケーションに応じて好適に技術が使用可能である。様々な例は以下でより詳細に説明される。他の態様、特徴および利点は以下の詳細な説明、添付の図面および請求項から容易に明らかになるであろう。
図１は光学要素スタックアセンブリの第１の例を図示する。 図２Ａは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図２Ｂは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図２Ｃは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図２Ｄは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図２Ｅは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図２Ｆは図１の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図３は光学要素スタックアセンブリの第２の例を図示する。 図４Ａは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図４Ｂは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図４Ｃは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図４Ｄは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図４Ｅは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。 図４Ｆは図３の光学要素スタックアセンブリを製造するステップの例を図示する。
詳細な説明
本開示は互いに積み重ねられた複数の基板を含む光学要素スタックアセンブリを説明する。基板の少なくとも１つはその表面上に、ＤＯＥなどの光学要素を含む。いくつかのケースにおいて、双方の基板はそれぞれの表面上に光学要素を有する。基板と、光学要素は、スタックを通過する光学シグナルが基板および光学要素を通過するように並べられる。
図１に示されるように、スタックアセンブリ１０は互いに積み重ねられた第１および第２の基板１２、１４を含む。それぞれの基板１２、１４はたとえばガラス、ポリマーまたは特定の波長または特定の波長の範囲で透過性を有する他の素材（たとえば可視の赤外線（ＩＲ）および／またはスペクトラムのＩＲ近似部分）で構成される。図１の例において、基板１２、１４は対向面上に形成された受動光学要素１６、１８を有する。図示された例において、光学要素１６、１８はＤＯＥである。他の種類の受動光学要素（たとえば反射性または回折性のレンズ、またはマイクロレンズ列などの光学要素の列）がいくつかの実装において提供可能である。さらに、いくつかのケースにおいて、基板１２は他の基板１４上の光学要素の種類とは異なる種類の光学要素を有してもよい。いくつかの例において、基板１２、１４の１つのみがその表面上に光学要素を有してもよい。
光学要素１６、１８を形成する素材の横方向側部２０は、対向する光学要素１６、１８の間の明確に規定された距離「ｄ」を提供するスペーサとして寄与する。横方向側部２０の典型的な厚さ「ｔ」は５０μｍまたはそれ未満（たとえば２５〜５０μｍ）である。図示された例において、光学要素１６、１８は特定の波長または波長範囲で透過性を有するエポキシ素材で構成される。基板１２、１４は横方向側部２０上に配置された結合剤または接着剤２２の薄い層によって互いに接続される。接着剤２２の典型的な厚さは１０μ未満（たとえば７μｍ）である。以上に説明された寸法はいくつかの実装において異なってもよい。
上側基板１４の光学要素側上の薄い非透過性コーティング２４は、それを通じて特定の波長または特定の波長の範囲の光が通過する透過性の窓を規定するのに役立つ光学ストップ２６を規定する。それぞれの基板１２、１４の外側表面は薄い非反射性コーティング（ＡＲＣ）２８で覆うことが可能である。下側基板１２のＡＲＣ側は光学要素１６、１８の間の明確に規定された距離とアセンブリ１０が取り付けられる面を提供するためにスペーサ３０を含む。スペーサ３０は、接着剤により下側基板１２のＡＲＣ側に固定可能であり、ストップ２６の下に開口３２を有する。
図２Ａから図２Ｆは図１のアセンブリ１０などの光学要素スタックアセンブリを製造するためのウェハレベル方法のステップを図示する。ウェハレベルプロセスは複数のアセンブリ１０が同時に組み立てられることを許容する。一般的に、ウェハは実質的にディスク状またはプレート状の形のアイテムを参照し、１方向（ｚ方向または垂直方向）における伸びは他の２つの方向（ｘおよびｙ方向または横方向）に対して小さい。いくつかの実装において、ウェハの直径は５ｃｍから４０ｃｍの間にあり、たとえば、１０ｃｍから３１ｃｍの間で可能である。ウェハはたとえば、２、４、６、８、または１２インチの直径で筒状であり、１インチは約２．５４ｃｍである。ウェハレベルプロセスのいくつかの実装において、各横方向に少なくとも１０のモジュールの、さらにいくつかのケースにおいては各横方向に少なくとも３０または５０またはそれ以上のモジュールでさえも供給が可能である。理解促進のために、図２Ａから図２Ｆでは単一のアセンブリ１０に対応するそれぞれのウェハの一部のみが図示される。
図２Ａに示されるように、第１の透過性ウェハ１１４は第１の表面上にＡＲＣ１２８、対向する第２の表面上に非透過性層（たとえばフォトレジスト）１２３を有して提供される。ウェハ１１４は、たとえばガラス、ポリマーまたは特定の波長または波長範囲で透過性を有する他の素材で構成可能である。図２Ｂに示されたように、層１２３はパターニングされ（たとえば標準的なフォトリソグラフィーを使用して）それぞれのアセンブリ１０のための非透過性コーティング２４を規定する非透過性素材の領域１２４を形成する。
次に、図２Ｃに示されるように、光学要素１１８（たとえばＤＯＥ）は基板１１４の第２の表面上に形成される。その１つは図１Ｃに示される光学要素１１８は、たとえば、ウェハレベルの複製によって形成可能である。一般的に、複製とはその手段によって所定のツール（たとえば光学要素のネガ要素を含むツール）構造またはそのネガ・ポジがたとえば構造化された面（たとえば光学要素のポジ要素）のエッチング、エンボス加工または鋳造を介して再生産するために使用される技術を指す。複製プロセスの特別な例において、構造化された面（たとえば光学要素または複数の光学要素を規定する）がツールの使用により、液体の、粘性のまたは塑性変形可能な素材に押され、その後、素材は、たとえば紫外線放射の使用および／または加熱による硬化により固化され、その後構造化された面ツールは除去される。こうして、構造化された面の複製が得られる。複製のための適切な素材は、たとえば、強固化可能（たとえば硬化可能）ポリマー素材または他の複製素材すなわち液体の、粘性のまたは塑性変形可能な状態から固体状態への強固化または固化ステップ（たとえば硬化ステップ）において変形可能な素材である。複製素材のヤード部１２０の厚みは典型的には５０μｍまたはそれ未満（たとえば２５〜５０μｍ）である。図２Ａから図２Ｃのプロセスはそれぞれのアセンブリ１０のために上側基板１４を提供する第１のウェハアセンブリ１４０に帰着する。
組み立てプロセスの１部として、第２の透過性ウェハ１１２が提供されその第１面上にＡＲＣ１２８を有する。その１つは図２Ｄに示される、光学要素１１６（たとえばＤＯＥ）はウェハ１１２の第２面上に形成される。光学要素１１６は、たとえば、以上に説明されたウェハレベル複製によって形成可能である。図２Ｄのプロセスはそれぞれのアセンブリ１０のための下側基板１２をもたらす第２のウェハサブアセンブリ１５０に帰着する。
次に、図２Ｅに示されるように、第１および第２のウェハサブアセンブリ１４０、１５０はウェハサブスタック１６０を形成するために互いに取り付けられる。サブアセンブリ１４０、１５０は、たとえば、結合剤または他の接着剤（たとえば結合剤接着またはスクリーン印刷により）により互いに取り付けられる。サブアセンブリ１４０、１５０は光学要素１１６、１１８が互いに向き合うよう互いに取付け可能である。さらに、図２Ｆに示されるように、スペーサウェハ１３０は第２のウェハアセンブリ１５０のＡＲＣ側に取り付けられてウェハスタック１７０を完成する。スペーサウェハ１３０は、たとえば、結合剤または他の接着剤によって取り付け可能である。ウェハレベルスタック１７０が完成すると、複数の個別のアセンブリ１０を形成するために（たとえば角切りにより）分離可能である。
図２Ａから図２Ｆのプロセスの例において、ウェハ１１２、１１４双方はそれぞれの面に複製された光学要素１１６、１１８を有する。いくつかの実装において、しかしながら、ウェハの１つのみ（第１のウェハ１１４または第２のウェハ１１２）がその面上に光学要素を有する。さらに、光学要素１１６、１１８はＤＯＥとして示されているが、他の種類の光学要素がいくつかの例において使用可能である。
図３は光学要素スタックアセンブリ３００の第２の例を図示する。スタックアセンブリ３００は互いに積み重ねられた第１および第２の基板３１２、３１４を含む。それぞれの基板３１２、３１４はたとえばガラス、ポリマーまたは特定の波長または特定の範囲の波長（たとえば可視の、赤外線（ＩＲ）および／またはスペクトラムの赤外線近似部分）に透過性のある他の素材から構成可能である。
図３の例において、基板３１２、３１４は対向する面上に形成された受動光学要素３１６、３１８を有する。図示された例において、光学要素３１６、３１８はＤＯＥである。他の種類の受動光学要素（たとえば反射性または回折性レンズ）がいくつかの実装において提供可能である。さらに、いくつかのケースにおいて、１つの基板３１２は他の基板３１４上の光学要素の種類とは異なる種類の光学要素を有してもよい。いくつかの例において、基板３１２、３１４の１つのみがその面上に光学要素を有してもよい。
上側基板３１４の光学要素側上の薄い非透過性コーティング３２４光学ストップ３２６を規定し、それを通じて特定の波長または特定の範囲内の波長の光が通過可能な透過性窓として役立つ。それぞれの基板３１２、３１４の外側面は反射防止用のコーティング（ＡＲＣ）３２８でコーティング可能である。
対向する光学要素１６、１８の間の距離「ｄ」を増すために、真空射出成形スペーサ３８０が光学要素３１６、３１８を形成する素材の横方向側部３２０を分離する。スペーサ３８０は下側基板３１２上の光学要素３１６の横方向側部３２０に（接着剤なしで）直接固定可能である。スペーサ３８０は上側基板３１４上の光学要素３１８の横方向側部３２０に結合剤または接着剤３２２によって取り付け可能である。下側基板３１２のＡＲＣ側は光学要素３１６、３１８の間の明確に規定された距離を提供し、その表面上にアセンブリ３００を取り付けるためにスペーサ３９０を含む。スペーサ３９０は真空射出成形スペーサも可能であり、下側基板のＡＲＣ側に直接（すなわち接着剤なしで）固定可能である。スペーサ３９０はストップ３２６の下に開口３３２を有する。
図３に図示されるように、スペーサ３８０および３９０は単一の真空射出成形ピースとして形成可能であり、その部分は下側基板３１２の横方向側縁部３９４を取り囲む。
図４Ａから図４Ｆは図３のアセンブリ３００のような光学要素スタックアセンブリを製造するためのウェハレベル方法のステップを図示する。図４Ａから図４Ｃはそれぞれのアセンブリ３００のための上側基板３１４を提供する第１のウェハサブアセンブリを形成するためのプロセスを示す。このプロセスの一部は図２Ａから図２Ｃにおける対応するステップと実質的に同じである。こうして、図４Ａに示されるように、第１の透過性ウェハ４１４は第１の面上のＡＲＣ４２８と対向する第２の面上の非透過性層（たとえばフォトレジスト）４２３を有して提供される。ウェハ４１４は、たとえばガラス、ポリマーまたは特定の波長または特定の範囲の波長に透過性のある他の素材で構成可能である。図４Ｂに示されるように、層４２３はパターニングされ（たとえば標準的なフォトリソグラフィー技術を用いて）それぞれのアセンブリ３００のための非透過性コーティング３２４を規定する非透過性素材の領域４２４を形成する。
次に、図４Ｃに示されるように、光学要素４１８（たとえばＤＯＥ）は基板４１４の第２の面上に形成される。その１つは図４Ｃに示される光学要素４１８は、たとえば、以上で議論されたウェハレベル複製によって形成可能である。図４Ａから図４Ｃのプロセスはそれぞれのアセンブリ３００のための上側基板３１４を提供する第１のウェハアセンブリ４４０に帰着する。
組み立てシステムの一部として、第２の透過性ウェハ４１２もまた提供されその第１面上にＡＲＣ４２８を有する（図４Ｄ）。第２のウェハの最初の準備とプロセスは図２Ｄのウェハ１１２のそれと類似していてもよい。こうして、その１つは図４Ｄに示される光学要素４１６（たとえばＤＯＥ）は、ウェハ４１２の第２面上に形成される。光学要素４１６はまた、たとえば以上で説明されたウェハレベル複製によって形成可能である。
次に、図４Ｅに図示されたように、第２のウェハサブアセンブリ４５０は貫通孔と貫通孔を満たして上側および下側スペーサ３８０、３９０を形成するプロセスに依存する。こうして、スペーサ３８０、３９０は単一の射出成形ピースとして形成され、その部分３９２は第２のウェハ４１２内で貫通孔を満たす。適切な技術はＵＳ特許番号９，０９４，５９３とＵＳ特許出願番号２０１５−００３４９７５に説明されている。技術はたとえば、角切り、マイクロマシニング、レーザ切断によるウェハを通じる貫通孔の形成を含む。真空射出はその後ウェハ内の開口を満たしスペーサを形成するためにエポキシまたは他の適切な素材を提供するために使用可能である。いくつかのケースにおいて、エポキシまたは他の素材は実質的に硬化（たとえば熱および／またはＵＶ処置への露出を介して）される。先に示されたＵＳ特許文書の開示はここに参照により取り込まれる。図４Ｅにおけるプロセスはそれぞれのアセンブリ３００のための下側基板４１２を提供する第２のウェハサブアセンブリに帰着する。
次に、図４Ｆに示されるように、第１および第２のウェハサブアセンブリ４４０、４５０はウェハスタック４７０を形成するために互いに取り付けられる。サブアセンブリ４４０、４５０は、たとえば、結合剤または他の接着剤（たとえば結合剤噴射またはスクリーン印刷により）互いに取り付けられ、光学要素４１６、４１８が互いに面するよう互いに取付け可能である。ウェハレベルスタック４７０はその後複数の個別のアセンブリ３００を形成するために（たとえばダイシングにより）分離可能である。
いくつかの例において、図４Ｅでは、第２のウェハサブアセンブリはたとえば、ＵＶ角切りテープに取り付け可能であり、その後複数の単一化された基板を形成するために角切りされる。単一化された基板はその後、上側および下側スペーサ３８０、３９０を形成するために真空射出ツールに提供可能である。そのケースにおいて、ウェハレベル方法は第１のウェハ４１４の単一化された基板への取付けを含むことができ、それぞれの光学要素４１６、４１８が第１のウェハ４１４と単一化された基板の１つとの間に配置されるようスタックを形成する。スタックはその後（たとえば角切りにより）複数のスタックアセンブリに分離され、そのそれぞれが光学要素の少なくとも１つを含む。
スペーサ３８０、３９０の形成のために真空射出技術を使用することは好適である。たとえば、上側スペーサ３８０追加は、光学要素３１６、３１８のための複製された素材の横方向側部３２０の厚みが限定（たとえばいくつかのケースにおいて５０μｍまたはそれ未満に限定される）されたとしても、光学要素３１６、３１８間の距離「ｄ」の増加を許容する。
図４Ａから図４Ｆのプロセスの例において、ウェハ４１２、４１４双方はそれぞれの面上に複製された光学要素４１６、４１８を有する。いくつかの実装において、しかしながら、ウェハの１つのみ（第１のウェハ４１４または第２のウェハ４１２のいずれか）がその表面上に光学要素を有する。さらに、光学要素４１６、４１８はＤＯＥとして示されているけれども、いくつかの例において他の種類の光学要素が使用可能である。
スタックアセンブリ１０（図１）と３００（図３）は広い範囲の光学モジュールに統合または共に使用可能である。そのようなモジュールは、光エミッタ（たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）、赤外線（ＩＲ）ＬＥＤ、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、赤外線（ＩＲ）レーザーまたは垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）および／または光センサ（たとえばＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサ））などの活性光学構成要素を含んでもよい。さらに、そのようなモジュールは様々な種類の家電製品や中でも携帯電話、携帯情報端末、タブレットおよびノートパソコン、バイオデバイス、携帯型ロボット、デジタルカメラなどの他の装置と統合可能である。
様々な修正は容易に明確で本発明の精神の範囲内である。こうして、他の実装は請求項の範囲内である。

Claims (13)

  1. 複数のスタックアセンブリを組み立てるウェハレベルの方法であって、方法は、
    第１および第２のウェハを提供するステップを備え、前記第１のウェハまたは前記第２のウェハの少なくとも１つはその面上に複数の光学要素を有し、前記第２のウェハは、前記第１のウェハに向かい合う第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有する対向面を備え、方法はさらに、
    前記第２のウェハの前記対向面上に上側および下側スペーサであって前記上側および前記下側スペーサは同一の真空射出成形ピースの一部であるものを形成するために単一の真空射出技術を使用するステップと、
    ウェハスタックを形成するために前記第１のウェハを前記第２のウェハの取り付けるステップとを備え、それぞれの光学要素が前記第１および前記第２のウェハの間に配置されるよう前記第１および前記第２のウェハは取り付けられ、方法はさらに、
    前記ウェハスタックを複数のスタックアセンブリに分離するステップを備え、そのそれぞれは前記光学要素の少なくとも１つを含む、方法。
  2. 前記第２のウェハに貫通孔を形成するステップをさらに含み、前記真空射出技術は前記貫通孔を前記上側および前記下側スペーサを形成するものと同じ素材で充填する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１および前記第２のウェハはそれぞれ複数の光学要素をそれぞれの面上に有し、それぞれのスタックアセンブリは前記光学要素の少なくとも２つを含む、請求項１または２に記載の方法。
  4. 前記第１および前記第２のウェハを取り付けるステップは前記第１および前記第２のウェハを前記光学要素の横方向側部と前記第２のスペーサ上の前記上側スペーサとの間に配置された接着剤を通じて互いに取り付けることを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 前記光学要素は回折光学要素である、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記光学要素は複製された光学要素である請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
  7. スタックアセンブリであって、
    第１の基板と、
    前記第１の基板に取り付けられた第２の基板と、
    前記第１の基板または前記第２の基板上の光学要素とを備え、前記光学要素の少なくとも１つは、前記第１および前記第２の基板の間に配置され、スタックアセンブリはさらに、
    前記第１または前記第２の基板の外側に取り付けられた第１のスペーサと、
    前記第１および前記第２の基板の間の第２のスペーサをさらに備え、前記第１および前記第２のスペーサは同一の真空射出成形ピースの一部である、スタックアセンブリ。
  8. 前記真空射出成形ピースは前記第２の基板の側縁部を横方向に取り囲む、請求項７に記載のスタックアセンブリ。
  9. 前記第１および第２のウェハはそれぞれその表面上に光学要素を有し、前記光学要素は互いに面する、請求項７または８に記載のスタックアセンブリ。
  10. それぞれの光学要素は回折光学要素である、請求項７から９のいずれか１項に記載のスタックアセンブリ。
  11. それぞれの光学要素は複製された光学要素である、請求項７から１０のいずれか１項に記載のスタックアセンブリ。
  12. 前記第１および前記第２の基板は前記光学要素の横方向側部上の接着剤によって互いに取り付けられる、請求項７に記載のスタックアセンブリ。
  13. 複数のスタックアセンブリを組み立てるウェハレベルの方法であって、方法は、
    第１および第２のウェハを提供するステップを備え、前記第１のウェハまたは前記第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に複数の光学要素を備え、前記第２のウェハは、前記第１のウェハに向かい合う第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有する対向面を備え、方法はさらに、
    前記第２のウェハをテープに取り付けて前記第２のウェハを複数の単一化された基板に分離するステップと、
    前記単一化された基板を真空射出ツール内に位置づけて前記単一化された基板の前記対向面上の上側および下側スペーサであって前記上側および前記下側スペーサは同一の真空射出成形ピースの一部であるものを形成するステップと、
    前記第１のウェハを前記単一化された基板に取り付けてそれぞれの光学要素が前記第１のウェハと前記単一化された基板の１つとの間に配置されるようスタックを形成するステップと、
    スタックを複数のスタックアセンブリに分離し、それぞれ前記光学要素の少なくとも１つを含むステップと、を備える方法。
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