JP6819836B1 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

磁気記録媒体の熱安定性及び電磁変換特性をさらに向上させることを目的とする。本技術は、ベース層と、前記ベース層上に設けられており且つ磁性粉を含む磁性層と、を有する層構造を有し、前記磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ３以下であり、前記磁性層の下記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である、磁気記録媒体を提供する。ΔＭ＝｛Ｉｄ（Ｈ）＋２Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（∞）｝／Ｉｒ（∞） ・・・・（１）［式（１）中、Ｉｄ（Ｈ）は直流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（Ｈ）は交流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（∞）は印加磁界を６ｋＯｅとして測定される残留磁化である。］

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。

近年、ＩｏＴ、ビッグデータ、及び人工知能などの発展に伴い、収集及び保存されるデータの量が大幅に増加している。大量のデータを記録するための媒体として、しばしば磁気記録媒体が用いられる。

磁気記録媒体に関して、これまでに種々の技術が提案されている。例えば、磁気記録媒体に含まれる磁性粉に関する技術として、下記特許文献１には、少なくとも、非磁性支持体上に、強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性塗料を塗布することによって形成された磁性層を有する磁気記録媒体であって、上記磁性層中に、カルボキシル基と、少なくとも１以上のヒドロキシル基とを分子中に有し、芳香環が２個以上の場合には縮合環である芳香族化合物を、上記強磁性粉末１００〔重量部〕に対し、０．４〔重量部〕〜１０〔重量部〕含有してなることを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。

特開２００２−３７３４１３号公報

本技術は、優れた熱安定性及び電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供することを主な目的とする。

本技術は、磁性粉を含む磁性層と、
下地層、
及びベース層をこの順に有する磁気記録媒体であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
（前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み）／（前記ベース層の平均厚み）の比が０．１６以上であり、
前記ベース層は、ポリエステル類を含み、
前記磁気記録媒体の熱安定性Ｋ _ｕ Ｖ _ａｃｔ ／ｋ _Ｂ Ｔが６３以上であり、
前記磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ ^３ 以上２３００ｎｍ^３以下であり、
前記磁性層の下記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である、磁気記録媒体を提供する。
ΔＭ＝｛Ｉｄ（Ｈ）＋２Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（∞）｝／Ｉｒ（∞） ・・・・（１）
［式（１）中、Ｉｄ（Ｈ）は直流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（Ｈ）は交流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（∞）は印加磁界を６ｋＯｅとして測定される残留磁化である。］
前記磁性層は、さらに結着剤を含みうる。
前記磁性粉は垂直配向させられたものでありうる。
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭは、−０．３５≦ΔＭでありうる。
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭは、−０．３≦ΔＭでありうる。
前記磁性粉の平均粒子体積は１６００ｎｍ^３以下でありうる。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは５．３μｍ以下でありうる。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは５．２μｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂは４．８μｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂは４．４μｍ以下でありうる。
前記ベース層はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）から形成されているものでありうる。
前記記録媒体の長手方向における飽和磁化量Ｍｓは以下の関係を満たすものでありうる。
３．０×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓ
前記磁性層の平均厚みは８０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みは７０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みは６０ｎｍ以下でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６７％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は７０％以上でありうる。
前記磁気記録媒体は、前記磁性層、下地層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有しうる。
（前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み＋前記バック層の平均厚み）／（磁気記録媒体の平均厚み）の比が０．１９以上でありうる。
前記磁気記録媒体のＳＮＲは０．３ｄＢ以上でありうる。
前記磁性粉は六方晶フェライトを含みうる。
本技術は、前記テープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含むテープカートリッジを提供する。
前記磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ^３以下でありうる。
前記磁性粉の平均粒子体積が１４００ｎｍ^３以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．２μｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みが５０ｎｍ以下でありうる。
本技術は、前記磁気記録媒体を備えるカートリッジを提供する。
前記カートリッジは、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部をさらに備えうる。
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、ΔＭ≦−０．２７でありうる。

残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線、ＩＲＭ曲線）の例を示す図である。 残留磁化曲線（Ｉｄ（Ｈ）曲線、Ｉｒ（Ｈ）曲線）の例を示す図である。 残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の例を示す図である。 残留磁化曲線（ＩＲＭ曲線）の例を示す図である。 残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線、ＩＲＭ曲線）の例を示す図である。 磁気的相互作用ΔＭ（Ｈ）の例を示す図である。 本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 図８Ａは、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの概略図である。図８Ｂは、データバンドの拡大図である。 磁性層のＴＥＭ写真の例である。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。 記録再生装置の概略図である。 カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 変形例の磁気記録媒体の断面の模式図である。 磁性層に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。 カートリッジの変形例の構成の一例を示す分解斜視図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。

本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）磁気記録媒体の製造方法
（３）記録再生装置
（４）カートリッジ
（５）カートリッジの変形例
（６）効果
（７）変形例
３．実施例

１．本技術の説明

本技術の磁気記録媒体は、特定の粒子体積を有する磁性粉を含む磁性層を有し、前記磁性層における磁気的相互作用ΔＭが特定の数値範囲内にある。これによって、本技術の磁気記録媒体は、熱安定性に優れるとともに、電磁変換特性にも優れている。磁気的相互作用ΔＭ、熱安定性Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ／ｋ_ＢＴ及び電磁変換特性ＳＮＲについて、以下でより詳細に説明する。

磁気記録媒体には高記録密度化が求められている。高記録密度化を実現し、さらには電磁変換特性を向上させるために、磁性粉を微細化することにより磁性層における磁性粉の充填率を向上させることが考えられる。
しかし、磁性粉を微細化すると、磁性粉が凝集して磁性層中においてあたかも粗大粒子が存在しているかの状態となりノイズが増加し、ＳＮＲが低下してしまう。このため、磁性粉の分散性を向上させることが求められる。

また、磁性粉の微細化により、前記磁性粉の粒子体積がより小さくなることによって、磁気記録媒体（具体的には磁性層）に記録された磁化が、熱エネルギーによって失われやすくなり、これは、データ信号の減衰をもたらしうる。このように、磁気記録媒体に含まれる磁性粉の粒子体積がより小さくなるにつれて、磁気記録媒体の熱に対する安定性（熱安定性ともいう）が低下し、磁気記録媒体の保存安定性が低下しうる。従って、熱安定性の観点からは、磁性粉の粒子は適度に凝集していることが必要と考えられる。このように、磁性粉の粒子体積の低下は、記録密度の向上及び電磁変換特性の向上をもたらす一方で、熱安定性の低下をもたらすこともある。

磁気記録媒体の磁性層中の磁性粉の凝集状態に関するパラメータは、以下の式（１）に示される磁気的相互作用ΔＭにより表すことができる。
ΔＭ＝｛Ｉｄ（Ｈ）＋２Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（∞）｝／Ｉｒ（∞） ・・・・（１）
この式（１）において、Ｉｄ（Ｈ）は直流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（Ｈ）は交流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（∞）は印加磁界を６ｋＯｅとして測定される残留磁化である。

本技術の磁気記録媒体は、磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である。熱安定性を良好なものとする観点から、磁気的相互作用ΔＭが、好ましくはΔＭ≦−０．２２５、より好ましくはΔＭ≦−０．２３、さらに好ましくはΔＭ≦−０．２３５、さらに好ましくはΔＭ≦−０．２７でありうる。また、電磁変換特性を良好なものとする観点から、磁気的相互作用ΔＭが、好ましくは−０．３５≦ΔＭ、より好ましくは−０．３≦ΔＭ、さらに好ましくは−０．２８≦ΔＭでありうる。すなわち、磁気的相互作用ΔＭが、好ましくは−０．３５≦ΔＭ≦−０．２２５、より好ましくは−０．３≦ΔＭ≦−０．２３、さらに好ましくは−０．２８≦ΔＭ≦−０．２３５でありうる。本技術の磁気記録媒体は、磁気的相互作用ΔＭが上記数値範囲内にあることによって、熱安定性及び電磁変換特性の両方が良好なものとなる。なお、磁気的相互作用ΔＭが、小さすぎる場合（例えば−０．３６２より小さい場合）、熱安定性を良好なものとすることができるが、電磁変換特性が悪化しうる。磁気的相互作用ΔＭが、大きすぎる場合（例えば、−０．２２より大きい場合）、電磁変換特性を良好なものとすることができるが、熱安定性が悪化しうる。

磁気的相互作用ΔＭは、磁性粉粒子の凝集状態を示すパラメータである。磁気的相互作用ΔＭについて、図を参照しながら以下に説明する。
磁性粉粒子間に相互作用が存在しない場合、図１に示されるようにＩｄ（Ｈ）は、十分に強い印加磁界によりサンプルの磁化を一方向に飽和させた後、磁界を０に戻し、負の印加磁界に対する残留磁界の値として得られる残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線：DC demagnetization remanence curve）として計測される。また、図１に示されるようにＩｒ（Ｈ）は、消磁を行い、サンプルの磁化分布を等方的にし、その状態から正の印加磁界に対する残留磁化の値として得られる残留磁化曲線（ＩＲＭ曲線：Isothermal Remanent Magnetization）として計測される。

図２に示されるようにＩｄ（Ｈ）曲線（換言するとＤＣＤ曲線）において、Ｈ＝０におけるＩｄ（Ｈ）の値（Ｉｄ（０））は、十分にサンプルの磁化を飽和させたときの値に等しく、この値はＩｒ（∞）と同じ値を示す。Ｉｄ（Ｈ）曲線（ＤＣＤ曲線）は、負の印加磁界の増加に対して徐々に減少し、全体の半分の磁界が反転したときにＩｄ（Ｈ）＝０となる。このときのＨの値をＨｒと表記する。さらに、磁界を印加すると最終的にＩｄ（∞）＝Ｉｒ（∞）となる。

図２に示されるようにＩｒ（Ｈ）曲線（換言するとＩＲＭ曲線）において、初期状態は等方的に消磁されている。磁界の印加により反転する磁化量は全体の磁性粉の粒子数（磁化量）の半分となる。正の磁界の印加に対してＩｒ（Ｈ）値（ＩＲＭ値）は徐々に増加して、Ｈｒに達すると磁性粉粒子間相互作用が存在しない媒体のＩｒ（Ｈ）値（ＩＲＭ値）は、Ｉｒ（∞）値の半分の値になる。さらに、磁界を印加すると最終的にはＩｒ（∞）値となる。

磁性粉粒子間相互作用が存在しない場合のＩｄ（Ｈ）とＩｒ（Ｈ）の関係は、以下のようになる。
Ｉｄ（Ｈ）＝Ｉｒ（∞）−２Ｉｒ（Ｈ）
移項すると、下記のとおりとなる。
２Ｉｒ（Ｈ）＝Ｉｒ（∞）−Ｉｄ（Ｈ）
上記式の右辺は、ＤＣＤ曲線において反転した磁化量に対応する。上記式の両辺を規格化すると、下記式（２）のとおりとなる。
Ｍｄ（Ｈ）＝１−２Ｍｒ（Ｈ）・・・（２）
但し、測定時には、Ｍｄ（Ｈ）＝Ｉｄ（Ｈ）／Ｉｄ（０）、Ｍｒ（Ｈ）＝{Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（０）}／{Ｉｒ（∞）−Ｉｒ（０）}と補正する。Ｉｒ（∞）≒Ｉｄ（０）だが完全には一致しないためである。また、Ｉｒ（０）を完全に消磁できず０にならないためである。

上記式（２）は、磁性粉粒子間相互作用が存在しない、一軸単磁区微粒子の集合体に対して当てはまる式であり、粒子内部の磁化反転機構や、粒子配向に依存しない。すなわち、磁性粉粒子間相互作用が存在する場合には上記式（２）は当てはまらず、右辺と左辺の等号が成立しない。そこで、下記式（３）に示されるΔＭ（Ｈ）により、磁性粉粒子間相互作用を定量的に扱うことを検討した。
ΔＭ（Ｈ）＝Ｍｄ（Ｈ）−｛１−２Ｍｒ（Ｈ）｝・・・・（３）
但し、Ｍｄ（Ｈ）＝Ｉｄ（Ｈ）／Ｉｄ（０）、Ｍｒ（Ｈ）＝{Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（０）}／{Ｉｒ（∞）−Ｉｒ（０）}を示す。

磁性粉粒子間相互作用が存在する場合、Ｍｄ（０）の状態では磁化の方向がほぼそろっているので、磁性粉が塗布された塗膜内部には磁化と同方向を向いた場が作用する。そのため、Ｈがある程度の大きさに達するまでは、Ｍｄ（Ｈ）の変化が小さい。図３に示されるように、ＨがＨｒに近づいていくとＶｏｒｔｅｘ（磁気モーメントの渦構造）生成ならびにＶｏｒｔｅｘ ｍｏｔｉｏｎによる磁化反転の急激な進行によりＭｄ（Ｈ）の値は急激に負へと変化する。

一方、ＩＲＭ（換言するとＩｒ（Ｈ））の測定は、消磁状態から開始されるため、磁界を印加する前から、既に多数のＶｏｒｔｅｘにより塗膜は埋め尽くされている。従って、図４に示されるように、Ｈを増加させていくと前記図３のＤＣＤ測定の場合と比較してＨが小さな領域からＶｏｒｔｅｘ ｍｏｔｉｏｎによる急激な磁化反転が進行する。

前記式（３）に当てはめて検討すると、Ｍｒ（Ｈ）の増加量がＭｄ（Ｈ）の減少量よりも大きくなるので、結果として、ΔＭ（Ｈ）の値が正となる。図５に示されるように、急激な磁化反転が進みやすい（Ｍｒ（Ｈ）の変化開始点が早い）ということは、磁性粉粒子間の相互作用が強いと考えられ、上記のようにΔＭが正に転じることは磁性粉粒子間の相互作用が大きいことを表している。

本技術において、上記式（３）におけるＩｒ（Ｈ）は、０〜６ｋＯｅの範囲のＨにおいて２００Ｏｅ毎に測定する。また、Ｉｄ（Ｈ）は、０〜−６ｋＯｅの範囲のＨにおいて２００Ｏｅ毎に測定する。図６に示されるように、測定された各Ｉｒ（Ｈ）値と各Ｉｄ（Ｈ）値から算出されるΔＭ（Ｈ）の最小値を磁性粉粒子間の相互作用の強さを示す指標ΔＭとした。

すなわち、本技術において、ΔＭが上記数値範囲内に含まれることにより、磁気記録媒体の熱安定性を向上させることができ、さらに、電磁変換特性を向上させることができる。

本技術の磁気記録媒体は、良好なＳＮＲを確保し、また、ノイズの発生を抑制する観点から、長手方向における磁気記録媒体の飽和磁化量Ｍｓは、好ましくは３．０×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓであり、より好ましくは、３．２×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓであり、さらにより好ましくは３．４×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓでありうる。

飽和磁化量Ｍｓは、以下のようにして求めることができる。まず、ＶＳＭを用いて、磁気記録媒体のＭ−Ｈヒステリシスループを得る。次に、得られたＭ−Ｈヒステリシスループから、飽和磁化量Ｍｓを求める。

前述した磁性粉の微細化による粒子体積の低下による熱安定性の低下について以下に説明する。磁気記録媒体の熱安定性と保磁力との関係は、以下に示されるＢｅａｎ’ｓ方程式により表すことができる。
この方程式において、Ｖ_act＝磁気記録媒体に含まれる磁性粉の活性化体積、Ｈ_c=保磁力、Ｋ_u＝結晶磁気異方性、Ｍ=磁化量、ｋ_B=ボルツマン定数、且つ、Ｔ=温度である。
この方程式に含まれるパラメータから構成されるＫ_uＶ_act／ｋ_BＴが熱安定性の指標値として知られており、この値が高いほど熱安定性が高い。熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴから分かるとおり、磁性粉を微細化すること、すなわち磁性粉の粒子体積を小さくすることは、熱安定性の低下をもたらす。熱安定性の低下は磁気記録媒体の保存安定性の低下をもたらし、これは、磁気記録媒体が長期間にわたって保存される場合に特に問題となる。

本技術の磁気記録媒体は、熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが好ましくは６３以上、より好ましくは６５以上、さらに好ましくは７０以上、さらにより好ましくは８０以上でありうる。本技術の磁気記録媒体は、その熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴが上記数値範囲内にあることによって、熱安定性に優れており、これにより保存安定性に優れており、長期保存における安定性にも優れている。さらに、当該磁気記録媒体は、出力信号の観点からも優れている。

本技術の磁気記録媒体は、ＳＮＲが好ましくは０．３ｄＢ以上、より好ましくは０．５ｄＢ以上でありうる。本技術の磁気記録媒体は、そのＳＮＲが上記数値範囲内にあることによって、電磁変換特性が良好なものとなる。

本技術の磁気記録媒体に含まれる磁性粉の平均粒子体積は、２３００ｎｍ^３以下であり、好ましくは２０００ｎｍ^３以下であり、より好ましくは１６００ｎｍ³以下であり、より望ましくは１５００ｎｍ^３以下、さらに望ましくは１４００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは１３００ｍ³以下でありうる。当該平均粒子体積が上記数値範囲内にあることによって、電磁変換特性が向上される。本技術の磁気記録媒体に含まれる磁性粉の平均粒子体積はこのように非常に小さいにもかかわらず、本技術の磁気記録媒体は上記のとおり熱安定性に優れている。電磁変換特性及び熱安定性の両立は難しいところ、本技術によって電磁変換特性及び熱安定性の両方を向上させることができる。特には、ΔＭを上記で述べた数値範囲内とすることによって、磁性粉の平均粒子体積がこのように小さいものであっても、磁気記録媒体の電磁変換特性及び熱安定性が優れたものになる。
磁性粉の平均粒子体積は、例えば５００ｎｍ³以上、特には７００ｎｍ³以上であってよい。

本技術において、垂直方向における角形比は好ましくは６５％以上、より好ましくは６７％以上、さらに好ましくは７０％以上でありうる。角形比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたｃＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。

本技術において、長手方向における角形比は好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、さらに好ましくは２０％以下でありうる。角形比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。

本技術の磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、好ましくは５．８μｍ以下、より好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．５μｍ以下、さらにより好ましくは５．４μｍ以下、さらに好ましくは５．３μｍ以下、さらに好ましくは５．２μｍ以下、さらに好ましくは５．１μｍ以下、さらに好ましくは５．０μｍ以下でありうる。本技術の磁気記録媒体はこのように全厚が薄いものであってよい。本技術の磁気記録媒体の全厚をこのように薄くすることによって、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。すなわち、本技術によって、電磁変換特性及び熱安定性の向上に加えて、記録容量の向上も可能となる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。

本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば、５ｍｍ〜３０ｍｍであり、特には７ｍｍ〜２６ｍｍであり、より特には１０ｍｍ〜２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ〜１９ｍｍでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば、５００ｍ〜１５００ｍでありうる。例えば、ＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

本技術に従う磁気記録媒体はテープ状であり、例えば、長尺状の磁気記録テープでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体は、例えば、磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。

本技術の一つの好ましい実施態様において、本技術の磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層（基体ともいう）、及びバック層を備えていてよい。これら４層は、この順に積層されていてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、これらの層に加えて、他の層を含んでいてもよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば、塗布型の磁気記録媒体でありうる。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。

２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）

（１）磁気記録媒体の構成

まず、図７を参照して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状のベース層１１と、ベース層１１の一方の主面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた磁性層１３と、ベース層１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。

磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層１３の表面が、磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。なお、本明細書において、“垂直方向”とは、磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。

（ベース層）
ベース層１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。ベース層１１は、長尺のフィルム状を有する。ベース層１１の平均厚みは、好ましくは４．８μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、より好ましくは４．５μｍ以下、より好ましくは４．４μｍ以下、さらにより好ましくは４．２μｍ以下、さらにより好ましくは４．０μｍ以下でありうる。ベース層１１の平均厚みが４．８μｍ以下であると、一つのデータカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。ベース層１１の平均厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．３μｍ以上、さらにより好ましくは３．５μｍ以上でありうる。ベース層１１の平均厚みが３μｍ以上であると、ベース層１１の強度低下を抑制することができる。

ベース層１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３及びバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（ベース層１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

ベース層１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。ベース層１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

ベース層１１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含む。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、ベース層を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えば、ベース層１１の主たる成分がポリエステルであることは、ベース層１１中のポリエステルの含有割合が例えばベース層１１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、ベース層１１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。本技術においては、ベース層１１が、好ましくはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）から形成されていてもよい。
この実施態様において、ベース層１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

（磁性層）
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３は、図８Ａに示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_S（＝（Ｓ_SB／Ｓ）×１００）は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下でありうる。一方、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_Sは、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上でありうる。

磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの比率Ｒ_Sは、以下のようにして求められる。例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_SBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Sを求める。
割合Ｒ_S［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_SB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００

サーボバンドＳＢの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上、さらにより好ましくは９＋４ｎ以上でありうる。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの数は、特に限定されるものではないが、例えば、３３以下である。

サーボバンドＳＢの数は以下のようにして確認可能である。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）によって観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンドＳＢの数をカウントする。

サーボバンド幅Ｗ_SBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下でありうる。サーボバンド幅Ｗ_SBは、好ましくは１０μｍ以上でありうる。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_SBのサーボ信号を読み取り可能な記録ヘッドの製造は、困難を伴いうる。

サーボバンド幅Ｗ_SBの幅は以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面を、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンド幅Ｗ_SBの幅を測定する。
図１６（ａ）は、磁気記録テープの磁性層に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図１６（ａ）に示されるとおり、前記磁性層は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。前記磁性層は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。図１６（ｂ）に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度θ１で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ｂと、所定角度θ１で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ｂと、からなるフレーム単位を繰り返し有する。前記角度θ１は、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２０°でありうる。

磁性層１３は、図８Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらにより好ましくは１．０μｍ以下でありうる。データトラック幅Ｗは、好ましくは０．０２μｍ以上でありうる。

データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、前記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁性層１３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦２００、より好ましくはＷ／Ｌ≦６０、さらにより好ましくはＷ／Ｌ≦４５、特に好ましくはＷ／Ｌ≦３０となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、ＳＮＲが著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、ＳＮＲの悪化を抑えるためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦６０の範囲にあることが好ましい。但し、Ｗ／Ｌは上記範囲に限定されるものではなく、Ｗ／Ｌ≦２３またはＷ／Ｌ≦１３であってもよい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、１≦Ｗ／Ｌである。

磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは５５ｎｍ以下、より好ましくは５３ｎｍ以下、さらにより好ましくは５２ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４８ｎｍ以下、又は４４ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上でありうる。磁化反転間距離の最小値Ｌは、磁性粒子サイズによって考慮される。

磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigitalInstruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下でありうる。磁性層１３の平均厚みが８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。 磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上でありうる。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦８０ｎｍ、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦７０ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦６０ｎｍでありうる。

磁性層１３の平均厚みは、例えば、以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚み［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）

磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば、六方晶フェライト、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、Ｃｏ含有スピネルフェライト、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。特に好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライトである。前記六方晶フェライトは、特に好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。前記ε酸化鉄は、特に好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。これらの磁性粒子については、例えば、磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。
磁性粉の平均粒子体積は、２３００ｎｍ^３以下であり、好ましくは１６００ｎｍ³以下、より好ましくは１４００ｎｍ³以下でありうる。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．９以下でありうる。

（磁性粉が六方晶フェライトを含む実施態様）

本技術の好ましい実施態様に従い、磁性粉は六方晶フェライトを含み、より特には六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライトは、好ましくはＭ型構造を有する六方晶フェライトである。六方晶フェライトは、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ、Ｓｒ、およびＣａのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には、例えば、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト、及びカルシウムフェライトから選ばれる１つ又は２以上の組合せであってよく、特に好ましくはバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトである。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えば、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。例えば、前記磁性粉の平均粒子サイズは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば、５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．９以下、さらにより好ましくは２．０以上２．９以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性の向上をもたらしうる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｈ−９５００）を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９にＴＥＭ写真の例を示す。図９において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅ及び平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、２３００ｎｍ³以下であり、好ましくは２０００ｎｍ³以下であり、より好ましくは１６００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは１３００ｎｍ³以下でありうる。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ³以上、より好ましくは７００ｎｍ³以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば、２３００ｎｍ³以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば、５００ｎｍ³以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べたとおり、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。

本技術の特に好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉又はストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば、高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下でありうる。

磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下でありうる。磁性層１３の平均厚みが８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上でありうる。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦８０ｎｍ、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦７０ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦６０ｎｍでありうる。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）における角形比が、好ましくは６５％以上、より好ましくは６７％以上、さらに好ましくは７０％以上でありうる。

（磁性粉がε酸化鉄を含む実施態様）

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲを得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有していてもよい。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図１０に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金又はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えば、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子は、図１１に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば、０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳＮＲを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば、４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．９以下、さらにより好ましくは１．０以上２．５以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲にあると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｈ−９５００）を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、２３００ｎｍ³以下であり、好ましくは１６００ｎｍ³以下、より好ましくは１３００ｎｍ³以下でありうる。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ³以上、より好ましくは７００ｎｍ³以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば、２３００ｎｍ³以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば、５００ｎｍ³以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｈ−９５００）を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均粒子体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

磁性層１３が磁性粉としてε酸化鉄を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下でありうる。磁性層１３の平均厚みが８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上でありうる。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦８０ｎｍ、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦７０ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦６０ｎｍでありうる。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）における角形比が、好ましくは６５％以上、より好ましくは６７％以上、さらに好ましくは７０％以上でありうる。

（磁性粉がＣｏ含有スピネルフェライトを含む実施態様）

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」ともいう）の粉末を含みうる。すなわち、当該磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトは、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

コバルトフェライトは、例えば、以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下でありうる。

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び平均粒子サイズは、磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合と同じ方法で求められる。

磁性粉の平均粒子体積は、２３００ｎｍ³以下であり、好ましくは１６００ｎｍ³以下、より好ましくは１３００ｎｍ³以下でありうる。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ³以上、より好ましくは７００ｎｍ³以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば、２３００ｎｍ³以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば、５００ｎｍ³以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を得ることができる。

磁性層１３が磁性粉としてＣｏ含有スピネルフェライトを含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下でありうる。磁性層１３の平均厚みが８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上でありうる。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えば、ＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦８０ｎｍ、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦７０ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ≦ｔ_ｍ≦６０ｎｍでありうる。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）における角形比が、好ましくは６５％以上、より好ましくは６７％以上、さらに好ましくは７０％以上でありうる。

（結着剤）

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応が行われた構造を有する樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムから選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせが用いられうる。

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよい。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えば、リチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ⁻は、例えば、弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1〜１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2〜１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）

前記磁性層は、潤滑剤を含みうる。前記潤滑剤は、例えば、脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルから選ばれる１種又は２以上であってよく、好ましくは脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含みうる。前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般化学式（１）又は一般化学式（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般化学式（１）により示される化合物及び一般化学式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般化学式（３）又は一般化学式（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般化学式（３）により示される化合物及び一般化学式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般化学式（１）に示される化合物及び一般化学式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般化学式（３）に示される化合物及び一般化学式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般化学式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、一般化学式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、一般化学式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
（但し、一般化学式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

前記潤滑剤として、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。前記潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。

（帯電防止剤）

帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）

研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）

硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００〜４５００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）

防錆剤としては、例えば、フェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）

非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）

下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上１．４μｍ以下でありうる。さらに望ましくは０．６μｍ以上１．０μｍ以下でありうる。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。
本技術の好ましい実施態様において、磁性層１３とベース層１１との間に下地層１２が設けられており、下地層１２の平均厚みが２．０μｍ以下であってよい。

（非磁性粉）

非磁性粉は、例えば、無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤）

上述の磁性層１３に含まれる結着剤に関する説明が、下地層に含まれる結着剤についても当てはまる。

（添加剤）

上述の磁性層１３に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤に関する説明が、下地層に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤についても当てはまる。

（バック層）

バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含みうる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤および非磁性粉に関する説明が、バック層に含まれる結着剤および非磁性粉についても当てはまる。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下でありうる。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚み（本明細書内において「平均厚みｔ_ｂ」又は「ｔ_ｂ」ともいう）は０．６μｍ以下であることが好ましい。より望ましくは０．４μｍ以下、さらに望ましくは０．３μｍ以下でありうる。バック層１４の平均厚みｔ_ｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みが薄い場合、例えば５．８μｍ以下、であっても、下地層１２及びベース層１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。バック層１４の平均厚みｔ_ｂの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。
本技術の好ましい実施態様において、ベース層１１の２つの面のうち、磁性層１３が設けられている側の面と反対側の面に、バック層１４が設けられており、バック層１４の平均厚みが０．６μｍ以下であってよい。

バック層１４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は本明細書内以下に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ）

磁気記録媒体１０の平均厚み（本明細書内において「平均厚みｔ_Ｔ」又は「ｔ_Ｔ」ともいうは、好ましくは５．８μｍ以下、より好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．５μｍ以下、さらにより好ましくは５．４μｍ以下、好ましくは５．３μｍ以下、より好ましくは５．２μｍ以下、さらにより好ましくは５．１μｍ以下、５．０μｍ以下、４．８μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔが上記数値範囲内にあることによって（例えば、ｔ_Ｔ≦５．３μｍであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

本技術においては、磁性層１３、下地層１２、及びベース層１１をこの順に有する層構造を有する場合、磁性層１３と下地層１２を形成する塗膜の方がベース層１１よりもヤング率が大きく、引張に強く、ベース層１１が薄く、塗膜の割合が高いとテンションがかけられても耐えられる観点から、（前記磁性層１３の平均厚み＋前記下地層１２の平均厚み）／（前記ベース層１１の平均厚み）の比が、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．１６以上でありうる。当該比は、例えば、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３３以下、さらに好ましくは０．３０以下であってもよい。

また、上記と同じ観点から、（磁性層１３の平均厚み＋前記下地層１２の平均厚み＋バック層１４の平均厚み）／（磁気記録媒体１０の平均厚み）の比は、好ましくは０．１７以上、より好ましくは０．１８以上、さらに好ましくは０．１９以上でありうる。当該比は、例えば、好ましくは０．３０以下、より好ましくは０．２８以下、さらに好ましくは０．２５以下であってもよい。

（磁気的相互作用ΔＭ）

磁気的相互作用ΔＭは以下のようにして求められる。先ず、磁気記録媒体１０の両面がテープで補強された後、φ６ｍｍのパンチで打ち抜かれて測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を有さない任意のインクでマーキングを行う。サンプルを試料棒に貼り付ける際に、磁気記録媒体（テープ）の長手方向が試料棒に対して垂直になるように貼り付けた。そして、消磁機を用いて測定サンプルを消磁する。

具体的な操作手順は以下のとおりである。
（１）振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer:VSM）（VSM振動試料型7400-Sシリーズ Lake Shore社製）の電源（Model 642 Electromagnet Power Supply Lake Shore社製）を入れ、冷却水のチラー（循環装置）を起動して装置を稼働させる。
（２）振動試料型磁力計の電源を入れる。
（３）ＩＤＥＡＳ−ＶＳＭ ｖｅｒｓｉｏｎ４のソフトを立ち上げる。
（４）サンプルホルダーをエタノールで拭き、両面テープをサンプルホルダーに貼り、その上に標準Ｎｉサンプル（７０．６ｍｇ、３．８７６ｅｍｕ）を取り付ける。
（５）イオナイザーの電源を入れ、サンプルホルダーを除電する。
（６）サンプルホルダーを振動試料型磁力計の印加磁界に対して水平方向となるように取り付け、１５０００Ｇで磁化校正を行う。
（７）Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎをｍｏｍｅｎｔ ｇａｉｎに設定し、Ｙｅｓをクリックする。Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｉｎｔ ＣａｌｉｂｒａｔｉｏｎをＯＫとし、ｅｍｕを標準Ｎｉサンプルの値として入力し、Ｆｉｅｌｄは１５０００Ｇと入力し、ＯＫを押して磁化校正を行う。
（８）Ｒａｍｐ ＴｏのＡｎｇｌｅ ｓｅｔにおいて、左側のＡｎｇｌｅ値を＋９０°に設定するサンプルホルダーがぶつからない位置までＸ軸のつまみを回してサンプルホルダーを移動させる。
（９）Ｒａｍｐ ｔｏのＦｉｅｌｄを１５０００Ｇに設定してＯＫをクリックする。Ｈｅａｄ Ｄｒｉｖｅを駆動させる。
（１０）ＤｉｓｐｌａｙｓのＶＳＭ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ、Ｃｈａｒｔ Ｒｅｃｏｒｄｅｒ、Ｍｏｍｅｎｔ Ｘ、Ｍｏｍｅｎｔにチェックを入れてＯＫとする。
（１１）Ｙ軸とＸ軸のつまみを合わせてサンプルホルダーを中心に合わせる。
（１２）サンプルホルダーの位置調整後、ＶＳＭ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒを閉じる。
（１３）Ｈｅａｄ Ｄｒｉｖｅの駆動を停止させ、Ｒａｍｐ ｔｏにおいて、Ｆｉｅｌｄを０と入力し、サンプルホルダーを消磁する。
（１４）その後、振動試料型磁力計からサンプルホルダーを取り外し、標準Ｎｉサンプルを外す。
（１５）両面テープのみ貼られた状態で、ＣａｌｉｂｒａｔｉｏｎｓのＭｏｍｅｎｔ ｏｆｆｓｅｔにおいてＯＫを入力してオフセットを行い、測定サンプルを取り付ける。
（１６）その後、Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔにおいて、所望の測定モード条件を選択する。
（１７）Ｓｔａｒｔを押して測定を開始する。
（１８）測定終了後、Ｈｅａｄ Ｄｒｉｖｅの駆動を停止させて測定サンプルを取り替える。
（１９）測定終了後、装置起動時とは逆の順番で装置を停止させる。

更に、詳細に説明すると、測定サンプルに関しては、交流消磁して測定される残留磁化Ｉｒ（Ｈ）を以下の方法で測定する。交流消磁を行い、外部磁場を０Ｏｅにする。その後、ある一方向に磁場を２００Ｏｅ印加した後に０Ｏｅに戻した時の残留磁化をＩｒ（２００Ｏｅ）、さらに２００Ｏｅ＋２００Ｏｅ（４００Ｏｅ）印加した後に０Ｏｅに戻した時の残留磁化をＩｒ（４００Ｏｅ）として、これらの操作を２００Ｏｅごとに行い、６ｋＯｅまで磁場を増加させる。印加磁界を６ｋＯｅとしたときの残留磁化をＩｒ（∞）とした。

次に、直流消磁して測定される残留磁化Ｉｄ（Ｈ）を以下の方法で測定する。１０ｋＯｅの外部磁場をかけて直流消磁を行い、外部磁場を０Ｏｅにする。その後、直流消磁を行った磁場方向とは逆方向に磁場を２００Ｏｅ印加した後に０Ｏｅに戻した時の残留磁化をＩｄ（２００Ｏｅ）、さらに再度直流消磁を行い、２００Ｏｅ＋２００Ｏｅ（４００Ｏｅ）印加した後に０Ｏｅに戻した時の残留磁化をＩｄ（４００Ｏｅ）として、これらの操作を２００Ｏｅごとに行い、６ｋＯｅまで磁場を増加させる。

上記で図６を参照して説明したとおり、得られた各Ｉｄ（Ｈ）、各Ｉｒ（Ｈ）、及びＩｒ（∞）を用いて式（１）により各ΔＭ（Ｈ）を算出し、算出されたΔＭ（Ｈ）のうちの最小値を、測定サンプルの磁気的相互作用ΔＭとする。
但し、測定時には、Ｍｄ（Ｈ）＝Ｉｄ（Ｈ）／Ｉｄ（０）、Ｍｒ（Ｈ）＝{Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（０）}／{Ｉｒ（∞）−Ｉｒ（０）}と補正する。Ｉｒ（∞）≒Ｉｄ（０）だが完全には一致しないためである。また、Ｉｒ（０）を完全に消磁できず０にならないためである。

（熱安定性）

再生出力の劣化を防止する観点から、本技術の磁気記録媒体の熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴは、例えば、好ましくは６３以上であり、より好ましくは７０以上、さらに好ましくは８０以上、さらにより好ましくは９０以上でありうる。本技術の磁気記録媒体は、平均粒子体積が小さい磁性粉を含むにもかかわらず、このような高い熱安定性を有し、これにより保存安定性に優れている。
本技術の磁気記録媒体の熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴは、好ましくは１５０以下でありうる。

磁気記録媒体の熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴは、例えば、磁性粉の合成工程時において、ガラス溶解後の材料状態を安定化させることにより達成することができる。例えば、ガラス溶解時に溶解温度を任意に設定するが、この時の溶解温度を高温にすることによってガラス溶解後の材料のアモルファス状態をより均一化させ、これにより材料状態を安定化することができる。また、熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴは、垂直配向度を向上させることによっても、調整することができる。

磁気記録媒体の熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ(Ｋ_u：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖ_act：磁性粉の活性化体積、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）は、以下に示すシャーロックの式を用いて算出される（参考文献：IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 50, NO.11, NOVEMBER 2014、及び、J. Flanders and M. P.Sharrock: J. Appl. Phys., 62, 2918 (1987)）。
Ｈ_r（ｔ’）＝Ｈ₀［１−｛ｋ_BＴ／（Ｋ_uＶ_act）ｌｎ（ｆ₀ｔ’／０．６９３）ⁿ｝］
（但し、Ｈ_r：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ₀：磁場変化量、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｋ_u：結晶磁気異方性定数、Ｖ_act：磁性粉の活性化体積、ｆ₀：周波数因子、ｎ：係数）

なお、（ａ）残留磁場Ｈ_r、（ｂ）磁化減衰量ｔ’および（ｃ）磁場変化量Ｈ₀は以下のようにして求められる。また、（ｄ）周波数因子ｆ₀および（ｅ）係数ｎは以下の数値が用いられる。また、絶対温度Ｔは２５℃である。
（ａ）残留磁場Ｈ_rは、Hayama製パルスＶＳＭ「HR-PVSM20」により測定できる。測定には磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６ｍｍのパンチで打ち抜かれて、得られたサンプルを用いる。測定を開始する前にサンプルに６３５８［Ｏｅ］の磁場を印加しサンプルを一方向に磁気的に配向させる。その後、０〜２０２３０［Ｏｅ］まで５０５．７５［Ｏｅ］ごとに磁場を断続的に印加し、その際の磁化量を測定し印加磁場をＸ軸、磁化量をＹ軸とし値をプロットする。得られたグラフでＹ＝０となる際のＸが残留磁場Ｈ_rである。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、測定する磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６ｍｍのパンチで打ち抜かれて、得られたサンプルを用い、印加振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）により磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量から下記参考文献に記載のフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する（参考文献：I. P. J. Flanders and M. P. Sharrock, “An analysis of time-dependent magnetization and coercivity and of their relationship to print-through in recording tapes,” J. Appl. Phys., vol. 62, pp. 2918-2928, 1987.）。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃ２を意味する。磁性粉が配向されていない場合つまり無配向の場合、垂直方向における保磁力Ｈｃ１として用いる。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。具体例を挙げると、垂直配向テープＨｃ＝２６００［Ｏｅ］の場合「３条件の外部磁場」は正の磁化が得られる磁場＝２４００［Ｏｅ］、保磁力Ｈｃ近傍の磁場＝２６００［Ｏｅ］、負の磁化が得られる磁場＝２８００［Ｏｅ］として算出する。ただし、この具体例として挙げた数値は実際の測定に際し数値範囲を限定するものではない。
（ｃ）磁場変化量Ｈ₀は、（ｂ）で測定した際の測定磁場と磁化減衰量をシャーロックの式に代入し算出した定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ₀は一定値であり、ｆ₀＝５．０×１０⁹Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、磁性粉の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有し、且つ磁気テープを垂直配向した場合、ｎ＝０．５に設定される。一方、磁性粉が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、もしくは磁性粉が一軸結晶磁気異方性だが磁気テープが無配向の場合、ｎ＝０．７７に設定される。

（垂直方向における角形比Ｒｓ２）

本技術の磁気記録媒体の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｒｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは６７％以上、さらにより好ましくは７０％以上でありうる。角形比Ｒｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｒｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば、６５％以上であること）を意味してもよい。

垂直方向における角形比Ｒｓ２は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を6.25mm×64mmに打ち抜いた後、三つ折りにして6.25mm×8mmの測定サンプルが作製される。そして、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈヒステリシスループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１を6.25mm×64mmに打ち抜いた後、三つ折りにして6.25mm×8mmの、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈヒステリシスループが測定される。

測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈヒステリシスループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈヒステリシスループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈヒステリシスループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈヒステリシスループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈヒステリシスループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈヒステリシスループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈヒステリシスループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈヒステリシスループの飽和磁化量Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｒｓ２（％）が計算される。なお、上記のＭ−Ｈヒステリシスループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈヒステリシスループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｒｓ２（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（長手方向における角形比Ｒｓ１）

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｒｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、更により好ましくは２０％以下でありうる。長手方向における角形比Ｒｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の長手方向における角形比Ｒｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば、３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。

長手方向における角形比Ｒｓ１は、Ｍ−Ｈヒステリシスループを磁気記録媒体１０及びベース層１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は垂直方向における角形比Ｒｓ２と同様にして求められる。

垂直方向における角形比Ｒｓ２及び長手方向における角形比Ｒｓ１は、例えば、磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、長手方向における角形比Ｒｓ１が小さくなるのに対して、垂直方向における角形比Ｒｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、長手方向における角形比Ｒｓ１が小さくなるのに対して、垂直方向における角形比Ｒｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、長手方向における角形比Ｒｓ１が小さくなるのに対して、垂直方向における角形比Ｒｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、長手方向における角形比Ｒｓ１が小さくなるのに対して、垂直方向における角形比Ｒｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（長手方向に測定した飽和磁化量Ｍｓ）

本技術において、良好なＳＮＲを確保し、また、ノイズの発生を抑制する観点から、長手方向における磁気記録媒体の飽和磁化量Ｍｓは、好ましくは３．０×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓであり、より好ましくは、３．２×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓであり、さらにより好ましくは３．４×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓでありうる。
飽和磁化量Ｍｓは、上述した長手方向における角形比Ｒｓ１の測定と同様にして求められる。

本技術の磁気記録媒体は、良好な電磁変換特性を得る観点から、ＳＮＲが好ましくは０．３ｄＢ以上、より好ましくは０．５ｄＢ以上でありうる。

（２）磁気記録媒体の製造方法

次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。なお、磁性層形成用塗料調製における分散時間の延長により磁気的相互作用ΔＭが大きくなり、電磁変換特性が良好となる傾向がある。

次に、下地層形成用塗料をベース層１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えば、ソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。また、乾燥の際に、例えば、ソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、ベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁性粉をベース層の厚み方向、すなわち、垂直方向に磁場配向処理をすることで、磁気的相互作用ΔＭが小さくなり（絶対値が大きくなる）、熱安定性がより良好となる傾向がある。また、このような垂直配向により角形比Ｒｓを向上させることができる。したがって、磁性粉の垂直配向度を向上することができる。磁性層１３の形成後、ベース層１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

磁気的相互作用ΔＭは、磁性層中における磁性粉粒子の凝集の度合いを示すものである。凝集の度合いに影響を及ぼす要素として、磁性層中の磁性粉粒子の平均粒子体積、分散処理、配向処理等が挙げられる。本技術では、平均粒子体積を特定値以下とするとともに、磁性粉粒子を垂直配向させることによって磁性層の磁気的相互作用ΔＭを上記数値範囲内に制御することができる。

角形比Ｒｓ１、Ｒｓ２（以下、角形比Ｒｓと略す）は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｒｓをさらに高めるためには、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｒｓをさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｒｓの調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

その後、得られた磁気記録媒体１０をコアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

（３）記録再生装置

［記録再生装置の構成］

次に、図１２を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。

記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下でありうる。

記録再生装置３０は、図１２に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。

スピンドル３１は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。

スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。

ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

［記録再生装置の動作］

次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。

まず、磁気記録カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。

次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

（４）カートリッジ

［カートリッジの構成］

本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えば、リールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば、記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。前記調整情報は、例えば、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。当該幅方向の寸法情報は、以下［カートリッジメモリの構成］において述べる磁気記録媒体の製造時（製造後の初期）の寸法情報、及び／又は、当該磁気記録媒体の記録及び／又は再生処理において取得される寸法情報であってよい。

図１３を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０を備えるカートリッジ１０Ａの構成の一例について説明する。

図１３は、カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録媒体カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）１０が巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープ１０の一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。

カートリッジメモリ２１１は、カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置３０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。

［カートリッジメモリの構成］

図１４を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。

図１４は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。

メモリ３３６は、カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ−９規格またはＬＴＯ−１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は、約３２ＫＢの記憶容量を有する。

メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば、製造情報（例えば、カートリッジ１０Ａの固有番号等）、使用履歴（例えば、テープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０Ａに関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープ１０に記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープ１０に対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープ１０の幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ−９規格またはＬＴＯ−１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置３０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置３０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０に送信する。

（５）カートリッジの変形例

［カートリッジの構成］

上述の磁気記録カートリッジの一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジである場合について説明したが、本技術の磁気記録カートリッジは、２リールタイプのカートリッジであってもよい。すなわち、本技術の磁気記録カートリッジは、磁気テープが巻き取られるリールを１つ又は複数（例えば２つ）有してよい。以下で、図１７を参照しながら、２つのリールを有する本技術の磁気記録カートリッジの例を説明する。

図１７は、２リールタイプのカートリッジ４２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ４２１は、合成樹脂製の上ハーフ４０２と、上ハーフ４０２の上面に開口された窓部４０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材４２３と、上ハーフ４０２の内側に固着されリール４０６、４０７の浮き上がりを防止するリールホルダー４２２と、上ハーフ４０２に対応する下ハーフ４０５と、上ハーフ４０２と下ハーフ４０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール４０６、４０７と、リール４０６、４０７に巻かれた磁気テープＭＴ１と、上ハーフ４０２と下ハーフ４０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド４０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴ１を保護するバックリッド４０９Ａとを備える。

リール４０６は、磁気テープＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部４０６ａを中央部に有する下フランジ４０６ｂと、下フランジ４０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ４０６ｃと、ハブ部４０６ａと上フランジ４０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート４１１とを備える。リール４０７はリール４０６と同様の構成を有している。

窓部材４２３には、リール４０６、４０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー４２２を組み付けるための取付孔４２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴ１は、第１の実施形態における磁気テープＴと同様である。

（６）効果

磁気記録媒体１０は、磁性層１３に含まれる磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ³以下であり、磁性層１３の磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である。これにより、磁気記録媒体１０は、熱安定性及び電磁変換特性が良好なものとなる。

（７）変形例

（変形例１）

磁気記録媒体１０が、図１５に示すように、ベース層１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、ベース層１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、ベース層１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることによりベース層１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅およびＺｒＯ₂のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。

バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下でありうる。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。

（変形例２）

磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。

３．実施例

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、ベースフィルム（ベース層）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚み、磁性粉の平均粒子体積、磁気的相互作用ΔＭ、垂直方向における角形比Ｒｓ２、長手方向における角形比Ｒｓ１、飽和磁化量Ｍｓ、及び熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ（測定温度は２５℃）は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。
また、ＳＮＲは、以下のとおりに測定した。
（２５℃環境におけるＳＮＲ）
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚとした。
また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法（スペクトラムアナライザを使用する測定方法）に基づき算出した。その結果を、実施例４のＳＮＲを１．０ｄＢとする相対値で以下表１に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
磁性粉（Ｍ型構造を有する六方晶フェライト、組成：Ba-Ferrite、平均粒子体積：１６００ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：２質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：２質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１０質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、磁気テープを以下に説明するとおりにして作製した。

まず、磁気テープのベース層となる支持体として、長尺状を有する、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルム（ベースフィルム）を準備した。次に、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に、最終製品にしたときの平均厚みが１．１μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に最終製品にしたときの平均厚みが８０ｎｍとなるように磁性層を形成した。

続いて、下地層及び磁性層が形成されたＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、最終製品にしたときの平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。そして、下地層、磁性層、およびバック層が形成されたＰＥＮフィルムに対して硬化処理を行った。その後、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚み５．６μｍの磁気テープが得られた。得られた磁気テープは、表１に示されるとおりのベースフィルム（ベース層）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚み、磁性粉の平均粒子体積、磁気的相互作用ΔＭ、垂直方向における角形比Ｒｓ２、長手方向における角形比Ｒｓ１、飽和磁化量Ｍｓ、熱安定性Ｋ_uＶ_act／ｋ_BＴ（測定温度は２５℃）及びＳＮＲを有した。

［実施例２］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を１４５０ｎｍ^３へとさらに微粒子化し、磁性層形成用塗料の調製における分散時間を延長した点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例３］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を１４５０ｎｍ^３へとさらに微粒子化した点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例４］
実施例１とは、磁性層形成用塗料の調製における分散時間を短縮した点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例５］
磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。具体的には、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの走行方向（長手方向）に一旦磁場配向させたのちに、ＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向（垂直配向）させた点で実施例１とは相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例６］
実施例１とは、最終製品にした時の磁性層の平均厚みが９０ｎｍとなるようにした点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例７］
実施例１とは、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させ、磁性層形成用塗料の調製における分散時間を短縮した点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例８］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を２３００ｎｍ^３へと大きくし、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させ、磁性層形成用塗料の調製における分散時間を延長し、また分散性を向上させた点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［実施例９］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を２３００ｎｍ^３へと大きくし、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させ、また、分散性を向上させた点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［比較例１］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を２５００ｎｍ^３へと大きくした点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープの構成及び物性は、表１に示されるとおりの値を有した。

［比較例２］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を１２６０ｎｍ^３へとさらに微粒子化し、最終製品にした時の磁性層の平均厚みが６０ｎｍとなるようにした点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表１に示されるとおりの構成及び物性を有した。

［比較例３］
実施例１とは、磁性粉の平均粒子体積を１２６０ｎｍ^３へとさらに微粒子化した点で相違するが、その他の条件及び方法は、実施例１と同一にして磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表１に示されるとおりの構成及び物性を有した。

表１から、以下のことが分かる。

実施例１〜９の磁気テープはいずれも、磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ^３以下であり、磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２の関係を満たしていた。そのため、実施例１〜９の磁気テープはいずれも、熱安定性Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ／ｋ_ＢＴが６３以上を示し、良好なものであった。また、実施例１〜９の磁気テープはいずれも、ＳＮＲが０．３ｄＢ以上を示し、電磁変換特性が良好なものであった。これらの結果より、本技術の磁気記録媒体は、熱安定性及び電磁変換特性のいずれも良好なものであることが分かる。
実施例１〜７は、実施例８及び実施例９と比べて、電磁変換特性がさらに良好なものとなっていた。実施例１〜７においては、磁性粉の平均粒子体積が２０００ｎｍ^３よりも小さいのに対し、実施例８、９はいずれも磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ^３と大きく、磁性粉の平均粒子体積を小さくすることにより電磁変換特性が向上することが分かる。

磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ^３以下であり、磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２の関係を満たさない比較例１〜３は、熱安定性又は電磁変換特性のいずれかが劣ったものとなることが分かる。

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕
ベース層と、
前記ベース層上に設けられており且つ磁性粉を含む磁性層と、
を有する層構造を有する磁気記録媒体であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．４μｍ以下であり、
前記磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ^３以下であり、
前記磁性層の下記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である、磁気記録媒体。
ΔＭ＝｛Ｉｄ（Ｈ）＋２Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（∞）｝／Ｉｒ（∞） ・・・・（１）
［式（１）中、Ｉｄ（Ｈ）は直流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（Ｈ）は交流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（∞）は印加磁界を６ｋＯｅとして測定される残留磁化である。］
〔２〕
前記磁性粉が垂直配向させられた、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３５≦ΔＭである、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３≦ΔＭである、〔１〕〜〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕
前記磁性粉の平均粒子体積が１６００ｎｍ^３以下である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．３μｍ以下である、〔１〕〜〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．２μｍ以下である、〔１〕〜〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．８μｍ以下である、〔１〕〜〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．４μｍ以下である、〔１〕〜〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１０〕
前記ベース層がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）から形成されている、〔１〕〜〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕
前記記録媒体の長手方向における飽和磁化量Ｍｓが以下の関係を満たしている、〔１〕〜〔１０〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
３．０×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓ
〔１２〕
前記磁性層の平均厚みが８０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕
前記磁性層の平均厚みが７０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕
前記磁性層の平均厚みが６０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６７％以上である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が７０％以上である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕
前記磁性層、下地層、及びベース層をこの順に有する層構造を有する、〔１〕〜〔１７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１９〕
（前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み）／（前記ベース層の平均厚み）の比が０．１６以上である、〔１８〕に記載の磁気記録媒体。
〔２０〕
前記磁性層、下地層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有する、〔１〕〜〔１９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２１〕
（前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み＋前記バック層の平均厚み）／（磁気記録媒体の平均厚み）の比が０．１９以上である、〔２０〕に記載の磁気記録媒体。
〔２２〕
前記磁気記録媒体の熱安定性Ｋ_ｕＶ_ａｃｔ／ｋ_ＢＴが６３以上である、〔１〕〜〔２１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２３〕
前記磁気記録媒体のＳＮＲが０．３ｄＢ以上である、〔１〕〜〔２２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２４〕
前記磁性粉が六方晶フェライトを含む、〔１〕〜〔２３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２５〕
〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含むテープカートリッジ。
〔２６〕
前記磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ^３以下である、〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２７〕
前記磁性粉の平均粒子体積が１４００ｎｍ^３以下である、〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２８〕
前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．２μｍ以下である、〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２９〕
前記磁性層の平均厚みが５０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔３０〕
〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
〔３１〕
前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部をさらに備える〔３０〕に記載のカートリッジ。
〔３２〕
前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、ΔＭ≦−０．２７である、〔１〕〜〔２４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１１ ベース層（ベース層）
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

Claims (30)

1. 磁性粉を含む磁性層と、
   下地層、
   及びベース層をこの順に有する磁気記録媒体であり、
   前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
   （前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み）／（前記ベース層の平均厚み）の比が０．１６以上であり、
   前記ベース層は、ポリエステル類を含み、
   前記磁気記録媒体の熱安定性Ｋ _ｕ Ｖ _ａｃｔ ／ｋ _Ｂ Ｔが６３以上であり、
   前記磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ ^３ 以上２３００ｎｍ^３以下であり、
   前記磁性層の下記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３６２≦ΔＭ≦−０．２２である、磁気記録媒体。
   ΔＭ＝｛Ｉｄ（Ｈ）＋２Ｉｒ（Ｈ）−Ｉｒ（∞）｝／Ｉｒ（∞） ・・・・（１）
   ［式（１）中、Ｉｄ（Ｈ）は直流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（Ｈ）は交流消磁して測定される残留磁化であり、Ｉｒ（∞）は印加磁界を６ｋＯｅとして測定される残留磁化である。］
2. 前記磁性層は、さらに結着剤を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記磁性粉が垂直配向させられた、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３５≦ΔＭである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、−０．３≦ΔＭである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記磁性粉の平均粒子体積が１６００ｎｍ^３以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．３μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
8. 前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．２μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
9. 前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．８μｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
10. 前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．４μｍ以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
11. 前記ベース層がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）から形成されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
12. 前記記録媒体の長手方向における飽和磁化量Ｍｓが以下の関係を満たしている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
    ３．０×１０^−３ｅｍｕ≦Ｍｓ
13. 前記磁性層の平均厚みが８０ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
14. 前記磁性層の平均厚みが７０ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
15. 前記磁性層の平均厚みが６０ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
16. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
17. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６７％以上である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
18. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が７０％以上である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
19. 前記磁性層、下地層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
20. （前記磁性層の平均厚み＋前記下地層の平均厚み＋前記バック層の平均厚み）／（磁気記録媒体の平均厚み）の比が０．１９以上である、請求項１９に記載の磁気記録媒体。
21. 前記磁気記録媒体のＳＮＲが０．３ｄＢ以上である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
22. 前記磁性粉が六方晶フェライトを含む、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
23. 請求項１〜２２のいずれか１項に記載のテープ状の磁気記録媒体と、
    記録再生装置と通信を行う通信部と、
    記憶部と、
    通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
    前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含むテープカートリッジ。
24. 前記磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ^３以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
25. 前記磁性粉の平均粒子体積が１４００ｎｍ^３以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
26. 前記ベース層の平均厚みｔ_Ｂが４．２μｍ以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
27. 前記磁性層の平均厚みが５０ｎｍ以下である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
28. 請求項１〜２２のいずれか１項に記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
29. 前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部をさらに備える請求項２８に記載のカートリッジ。
30. 前記磁性層の上記式（１）により算出される磁気的相互作用ΔＭが、ΔＭ≦−０．２７である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。