JP6751604B2 - 物質精製方法及び装置、高純度物質の連続精製システム - Google Patents
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Description
(1)溶湯保持容器に収容した精製すべき溶融物質中に冷却体を浸漬し、この冷却体を回転させながら冷却体表面に前記物質の結晶を晶出させる物質精製方法において、前記冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aと、冷却体の溶融物質への浸漬深さaとの比A/aが、0.3≦A/a≦3.0であることを特徴とする物質精製方法。
(2)冷却体の溶融物質への浸漬深さaが150mm以上500mm以下、かつ冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aが700mm以下である前項1に記載の物質精製方法。
(3)A/aが0.5≦A/a≦2.0である前項1または2に記載の物質精製方法。
(4)前記冷却体の周速が700mm/s以上8000mm/s未満となるように冷却体を回転させながら溶融物質中に浸漬させていき、且つ溶融物質に浸漬するときの冷却体の温度を、前記物質の固相線温度×0.7以上で固相線温度以下とする前項1〜3のいずれかに記載の物質精製方法。
(5)前記冷却体の表面に前記物質の結晶を晶出、成長させた後に冷却体を溶融物質から引き上げるときに、冷却体に晶出した結晶部分の溶融物質との界面における周速が700mm/s以上、8000mm/s未満となるように冷却体を回転させながら引き上げを行う前項1〜4のいずれかに記載の物質精製方法。
(6)冷却体浸漬後の精製初期の冷却体の最大周速がその後の平均周速より高速である前項1〜5のいずれかに記載の物質精製方法。
(7)精製初期とは精製開始から全精製時間×0.1まで(但し、10秒以上120秒以下)である前項6に記載の物質精製法。
(8)前記物質がアルミニウムである前項1〜7のいずれかに記載の物質精製方法。
(9)精製すべき溶融物質を収容する溶湯保持容器と、前記溶湯保持容器に収容された溶融物質中に浸漬される回転可能な冷却体とを備え、前記冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aと、冷却体の溶融物質への浸漬深さaとの比A/aが、0.3≦A/a≦3.0に設定されていることを特徴とする物質精製装置。
(10)冷却体の溶融物質への浸漬深さaが150mm以上500mm以下、かつ冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aが700mm以下に設定されている前項9に記載の物質精製装置。
(11)A/aが0.5≦A/a≦2.0である前項9または10に記載の物質精製装置。
(12)物質を溶解するための溶解炉と、前項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、前記溶解炉からの溶湯が順に送り込まれる、直列的に連結された複数の溶湯保持容器と、前項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、各溶湯保持容器と対を成し、溶湯内で高純度物質を晶出させるための回転可能な冷却体とを備え、最終の溶湯保持容器から系外へ溶湯が排出される一連の装置を1組のラインとし、前記ラインが複数組用いられたN次ライン(ただし2≦N)からなり、(n−1)次ライン(ただし2≦n≦N)で冷却体に付着凝固して回収された高純度物質塊は、続くn次ラインの溶解炉で溶解され、溶解炉で溶解された溶湯が順々に溶湯保持容器を通り、排出されるものとなされ、かつ、n次ラインの前記溶湯保持容器及び該保持槽と対に配置された前記冷却体の数は、(n−1)次ラインのそれより少ないことを特徴とする高純度物質の連続精製システム。
(13)ラインの次数Nが2または3であることを特徴とする前項12に記載の高純度物質の連続精製システム。
(14)前記物質がアルミニウムであり、前記複数組のラインの内、1つあるいは複数のラインの溶解炉にホウ素が添加されることを特徴とする前項12または13に記載の高純度物質の連続精製システム。
(15)溶解炉と溶湯保持容器の間に、ホウ素の添加が可能な撹拌槽が設置され、前記溶解炉から撹拌槽までの間のいずれかの場所においてホウ素が添加されるものとなされていることを特徴とする前項14に記載の高純度物質の連続精製システム。
(16)溶解炉と溶湯保持容器の間に、包晶不純物を不溶性ホウ素化合物として分離抽出が可能な分離槽が設置されていることを特徴とする前項14または15に記載の高純度物質の連続精製システム。
(17)物質を溶解するための溶解炉と、前項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、前記溶解炉からの溶湯が順に送り込まれる、直列的に連結された複数の溶湯保持容器と、前項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、各溶湯保持容器と対を成し、溶湯内で高純度物質を晶出させるための回転可能な冷却体と、を備え、最終の溶湯保持容器から系外へ溶湯が排出される一連の装置を1組のラインとし、前記ラインが複数組用いられたN次ライン(ただし2≦N)からなり、(n−1)次ライン(ただし2≦n≦N)で回転冷却体に付着凝固して回収された高純度物質塊は、続くn次ラインの溶解炉で溶解され、溶解炉で溶解された溶湯が順々に溶湯保持容器を通り、排出されるものとなされ、1次ラインで排出される溶湯はライン外に排出される一方、n次ラインで排出される溶湯は(n−1)次ラインの溶解炉に戻されるものとなされ、かつ、n次ラインの前記溶湯保持容器及び該保持槽と対に配置された前記冷却体の数は、(n−1)次ラインのそれより少ないことを特徴とする高純度物質の連続精製システム。
(18)ラインの次数Nが2または3であることを特徴とする前項17に記載の高純度物質の連続精製システム。
(19)前記物質がアルミニウムであり、前記複数組のラインの内、1つあるいは複数のラインの溶解炉にホウ素が添加されることを特徴とする前項17または18に記載の高純度物質の連続精製システム。
(20)溶解炉と溶湯保持容器の間に、ホウ素の添加が可能な撹拌槽が設置され、前記溶解炉から撹拌槽までの間のいずれかの場所においてホウ素が添加されるものとなされていることを特徴とする前項19に記載の高純度物質の連続精製システム。
(21)溶解炉と溶湯保持容器の間に、包晶不純物を不溶性ホウ素化合物として分離抽出が可能な分離槽が設置されていることを特徴とする前項19または20に記載の高純度物質の連続精製システム。
[第1の実施形態]
図1はこの発明の一実施形態に係る物質精製装置の概略構成と、これを用いた物質精製方法を説明するための図である。なお、この実施形態では、物質がアルミニウム等の金属である場合について説明する。
次に、この発明の他の実施形態に係る高純度物質の連続精製システムについて説明する。このシステムでは、高純度物質が高純度アルミニウムである場合を例にとって説明する。
この実施形態による高純度アルミニウムの連続精製装置は、アルミニウムを溶解するための溶解炉を備え、溶解炉からの溶湯を直列的に接続された複数のるつぼに順に送り込み、最終のるつぼから系外へ溶湯が排出される一連の装置を1組のラインとして、まず1次ラインを構成する。このとき各るつぼと対をなして、溶湯内で高純度アルミニウムを晶出させるための回転可能な冷却体を備えたものとする。
1.1次ラインと同じく、アルミニウムを溶解するための溶解炉と、前記溶解炉からの溶湯が順に送り込まれる、直列的に連結された複数のるつぼと、各るつぼと対を成し、溶湯内で高純度アルミニウムを晶出させるための冷却体と、を備え、最終のるつぼから系外へ溶湯が排出される一連の装置からなる1組のラインを、さらに1組以上組み合わせて、N次ライン(ただし2≦N)を構成する。
a:回収率(SW2/SW1)は常に1未満となり、回収されるアルミニウム塊から不純物濃度を低減するには、回収率を低くする必要がある。この結果、冷却体によりn次のラインでアルミニウム塊が抽出される所要時間と、(n−1)次のラインでアルミニウム塊が抽出される所要時間を連動させるには、るつぼの数が、n次のラインにおいて(n−1)次よりも回収率に応じて減少されなければならない。
b:n次ラインのるつぼの数は、n−1次ラインのるつぼの数より少なくする場合、n−1次ラインの回収重量に対するn次ラインの回収重量の比率が小さいほど、より高い純度のアルミニウム塊が得られる。
c:前述したようにるつぼを次数に伴い減少させた精製ラインを、n次ラインまで並列的に設置することにより、小さな設備面積で、エネルギー効率を高め、共晶不純物を従来開示されている精製設備よりもさらに低減できる設備・システムが得られる。このとき、このラインのエネルギー効率を総合的に高める目的において、各ラインの間隔は極力近接させることが望ましい。
d:このとき2次以上のn次ラインで排出された溶湯は、冷却・凝固されることなく直ちに(n−1)次ラインの溶解炉に戻入され、再利用されても良い。この再利用により(n−1)次ラインの溶解炉では、溶解原料と同水準の純度の原料を、溶解エネルギーを要することなく利用が可能となり、エネルギー効率がさらに高まる。
ラインの次数(N次)は、2次または3次であることが望ましい。3次を超えて設備を構築しても設備の複雑性が増し、操業面や経済性の面での優位性が乏しくなる。
N次のラインの少なくとも1つにおいて、溶解炉11、21、31にホウ素を添加し、Ti、Zr、V等の包晶系の不純物とホウ素を反応させても良い。また、溶解炉と冷却体を伴うるつぼの間に、ホウ素の添加が可能な撹拌槽が設置されてもよい。この撹拌槽においてホウ素を添加することによっても、Ti、Zr、V等の包晶系の不純物とホウ素を反応させることができる。また、溶解炉や撹拌槽だけでなく溶解炉や撹拌槽を連結する樋においてホウ素を添加しても良い。ホウ素は、Al−B(ボロン/ホウ素)母合金として添加するのが一般的であるが、それに限定されるものではない。添加した後、包晶系不純物とホウ素の反応を促進させる方法として、永久磁石による非接触式の溶湯撹拌、黒鉛製の回転子による撹拌、または溶湯中に処理ガスを吹き込む方法、等がある。
前述のホウ素の添加と撹拌により、溶湯からは、Ti、Zr、V等の包晶元素とホウ素とを反応させて不溶性ホウ素化合物を生成させ除去することにより、包晶不純物を除去することが可能となる。このとき不溶性ホウ素化合物の分離は撹拌槽の表面において浮滓として機械的に除去することができる。
図2および図3は本発明の一実施形態に係る高純度アルミニウムの精製システムを示す。
(実施例1)
表1に示す不純物濃度(質量ppm)のアルミニウム原料からなるアルミニウム溶湯(元溶湯)をるつぼ1に収容し、精製処理を実施した。精製装置及び精製条件は次の通りである。
冷却体2の底面からるつぼ1の底面までの距離A、及び冷却体2の溶融アルミニウム6中への浸漬深さaの値を表1のように変更した以外は、実施例1と同じ条件で、精製を行った。なお、アルミニウム溶湯の不純物濃度は表1の通りであった。
実施例4の条件において、溶湯6への浸潰の際は冷却体2の温度を470℃(アルミニウムの固相線温度×0.7)とし、溶湯6への浸潰部分の最少径部の周速5000mm/sにて冷却体2を回転させながら浸漬し、精製開始から全精製時間×0.1まで、その周速を維持した。それ以降は周速を4000mm/sに設定した。
精製システムに供したアルミニウム原料と、精製後のアルミニウム塊の組成を表2に、各精製条件を表3に示す。
図5に示すように、冷却体130、230を配置したるつぼ13、23の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個に設定した連続2回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、重量比で、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。
図6に示すように、冷却体130、230を配置したるつぼ13、23の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個に設定した連続2回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン及び2次ラインにおける各溶解炉11、21の次段に配置した撹拌槽12、22にホウ素を濃度が0.007%になるように添加した。
図7に示すように、冷却体130,230、330を配置したるつぼ13、23、33の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個に設定した連続3回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン及び3次ラインにおける各溶解炉11、21、31の次段に配置した撹拌槽12、22、32にホウ素を濃度が0.006%になるように添加した。
図8に示すように、冷却体130、230、330を配置したるつぼ13、23、33の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個に設定した連続3回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン及び3次ラインにおける各溶解炉11、21、31の次段に配置した撹拌槽12、22、32にホウ素を濃度が0.006%になるように添加した。
図9に示すように、冷却体130、230、330、430を配置したるつぼ13、23、33、43の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個、4次ラインでは2個に設定した連続4回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン、3次ライン及び4次ラインにおける各溶解炉11、21、31、41の次段に配置した撹拌槽12、22、32、42にホウ素を濃度が0.005%になるように添加した。
各るつぼ13、23及び冷却体130、230として、第1の実施形態における比較例1と同じ仕様のものを用いた以外は、実施例21と同じ条件で、精製を行った。
精製システムに供したアルミニウム母材と、精製後のアルミニウム塊の組成を表4に、各精製条件を表5に示す。
図10に示すように、冷却体130、230を配置したるつぼ13、23の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個に設定した連続2回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、重量比で、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。
図11に示すように、冷却体130、230を配置したるつぼ13、23の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個に設定した連続2回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン及び2次ラインにおける各溶解炉11、21の次段に配置した撹拌槽12、22にホウ素を濃度が0.007%になるように添加した。
図12に示すように、冷却体130、230、330を配置したるつぼ13、23、33の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個に設定した連続3回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、重量比でFe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン及び3次ラインにおける各溶解炉11、21、31の次段に配置した撹拌槽12、22、32にホウ素を濃度が0.006%になるように添加した。
図13に示すように、冷却体130、230、330を配置したるつぼ13、23、33の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個に設定した連続3回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン及び3次ラインにおける各溶解炉11、21、31の次段に配置した撹拌槽12、22、32にホウ素を濃度が0.006%になるように添加した。
図14に示すように、冷却体130、230、330、430を配置したるつぼ13、23、33、43の数を、1次ラインでは10個、2次ラインでは5個、3次ラインでは3個、4次ラインでは2個に設定した連続4回精製システムにて、アルミニウムを精製した。元のアルミニウム中に含まれる組成は、Fe0.04%、Si0.02%、Ti0.001%、V0.003%である。1次ライン、2次ライン、3次ライン及び4次ラインにおける各溶解炉11、21、31、41の次段に配置した撹拌槽12、22、32、42にホウ素を濃度が0.005%になるように添加した。
12、22、32、42 撹拌槽
1、13、23、33、43 るつぼ(溶湯保持容器)
2、130、230、330 冷却体
16、26、35 分離槽
15、25、36、46 樋
27、37、47 溶湯戻し装置
6、60 溶湯
Claims (21)
- 溶湯保持容器に収容した精製すべき溶融物質中に冷却体を浸漬し、この冷却体を回転させながら冷却体表面に前記物質の結晶を晶出させる物質精製方法において、
前記冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aと、溶融物質の液面から冷却体の底面までの距離である冷却体の溶融物質への浸漬深さaとの比A/aが、0.3≦A/a≦3.0であることを特徴とする物質精製方法。 - 冷却体の溶融物質への浸漬深さaが150mm以上500mm以下、かつ冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aが700mm以下である請求項1に記載の物質精製方法。
- A/aが0.5≦A/a≦2.0である請求項1または2に記載の物質精製方法。
- 前記冷却体の周速が700mm/s以上8000mm/s未満となるように冷却体を回転させながら溶融物質中に浸漬させていき、且つ溶融物質に浸漬するときの冷却体の温度を、前記物質の固相線温度×0.7以上で固相線温度以下とする請求項1〜3のいずれかに記載の物質精製方法。
- 前記冷却体の表面に前記物質の結晶を晶出、成長させた後に冷却体を溶融物質から引き上げるときに、冷却体に晶出した結晶部分の溶融物質との界面における周速が700mm/s以上、8000mm/s未満となるように冷却体を回転させながら引き上げを行う請求項1〜4のいずれかに記載の物質精製方法。
- 冷却体浸漬後の精製初期の冷却体の最大周速がその後の平均周速より高速である請求項1〜5のいずれかに記載の物質精製方法。
- 精製初期とは精製開始から全精製時間×0.1まで(但し、10秒以上120秒以下)である請求項6に記載の物質精製法。
- 前記物質がアルミニウムである請求項1〜7のいずれかに記載の物質精製方法。
- 精製すべき溶融物質を収容する溶湯保持容器と、前記溶湯保持容器に収容された溶融物質中に浸漬される回転可能な冷却体とを備え、
前記冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aと、溶融物質の液面から冷却体の底面までの距離である冷却体の溶融物質への浸漬深さaとの比A/aが、0.3≦A/a≦3.0に設定されていることを特徴とする物質精製装置。 - 冷却体の溶融物質への浸漬深さaが150mm以上500mm以下、かつ冷却体の底面から溶湯保持容器の底面までの距離Aが700mm以下に設定されている請求項9に記載の物質精製装置。
- A/aが0.5≦A/a≦2.0である請求項9または10に記載の物質精製装置。
- 物質を溶解するための溶解炉と、請求項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、前記溶解炉からの溶湯が順に送り込まれる、直列的に連結された複数の溶湯保持容器と、請求項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、各溶湯保持容器と対を成し、溶湯内で高純度物質を晶出させるための回転可能な冷却体とを備え、最終の溶湯保持容器から系外へ溶湯が排出される一連の装置を1組のラインとし、
前記ラインが複数組用いられたN次ライン(ただし2≦N)からなり、(n−1)次ライン(ただし2≦n≦N)で冷却体に付着凝固して回収された高純度物質塊は、続くn次
ラインの溶解炉で溶解され、溶解炉で溶解された溶湯が順々に溶湯保持容器を通り、排出されるものとなされ、
かつ、n次ラインの前記溶湯保持容器及び該保持槽と対に配置された前記冷却体の数は、(n−1)次ラインのそれより少ないことを特徴とする高純度物質の連続精製システム。 - ラインの次数Nが2または3であることを特徴とする請求項12に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 前記物質がアルミニウムであり、前記複数組のラインの内、1つあるいは複数のラインの溶解炉にホウ素が添加されることを特徴とする請求項12または13に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 溶解炉と溶湯保持容器の間に、ホウ素の添加が可能な撹拌槽が設置され、前記溶解炉から撹拌槽までの間のいずれかの場所においてホウ素が添加されるものとなされていることを特徴とする請求項14に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 溶解炉と溶湯保持容器の間に、包晶不純物を不溶性ホウ素化合物として分離抽出が可能な分離槽が設置されていることを特徴とする請求項14または15に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 物質を溶解するための溶解炉と、請求項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、前記溶解炉からの溶湯が順に送り込まれる、直列的に連結された複数の溶湯保持容器と、請求項9〜11のいずれかに記載の物質精製装置に用いられ、各溶湯保持容器と対を成し、溶湯内で高純度物質を晶出させるための回転可能な冷却体と、を備え、最終の溶湯保持容器から系外へ溶湯が排出される一連の装置を1組のラインとし、
前記ラインが複数組用いられたN次ライン(ただし2≦N)からなり、(n−1)次ライン(ただし2≦n≦N)で回転冷却体に付着凝固して回収された高純度物質塊は、続くn次ラインの溶解炉で溶解され、溶解炉で溶解された溶湯が順々に溶湯保持容器を通り、排出されるものとなされ、
1次ラインで排出される溶湯はライン外に排出される一方、n次ラインで排出される溶湯は(n−1)次ラインの溶解炉に戻されるものとなされ、
かつ、n次ラインの前記溶湯保持容器及び該保持槽と対に配置された前記冷却体の数は、(n−1)次ラインのそれより少ないことを特徴とする高純度物質の連続精製システム。 - ラインの次数Nが2または3であることを特徴とする請求項17に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 前記物質がアルミニウムであり、前記複数組のラインの内、1つあるいは複数のラインの溶解炉にホウ素が添加されることを特徴とする請求項17または18に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 溶解炉と溶湯保持容器の間に、ホウ素の添加が可能な撹拌槽が設置され、前記溶解炉から撹拌槽までの間のいずれかの場所においてホウ素が添加されるものとなされていることを特徴とする請求項19に記載の高純度物質の連続精製システム。
- 溶解炉と溶湯保持容器の間に、包晶不純物を不溶性ホウ素化合物として分離抽出が可能な分離槽が設置されていることを特徴とする請求項19または20に記載の高純度物質の連続精製システム。
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