JP6733599B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。

電子写真感光体は、像担持体として電子写真方式の画像形成装置（例えば、プリンター又は複合機）において用いられる。電子写真感光体は、感光層を備える。電子写真感光体は、例えば、単層型電子写真感光体又は積層型電子写真感光体が用いられる。単層型電子写真感光体は、電荷発生の機能と、電荷輸送の機能とを有する感光層を備える。積層型電子写真感光体は、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを含む感光層を備える。

特許文献１には、ポリアリレート樹脂を含有する電子写真感光体が記載されている。ポリアリレート樹脂は、例えば、化学式（Ｅ−１）で表される繰返し単位を有する。

特開２００５−１８９７１６号公報

しかしながら、本発明者らの検討により、特許文献１のポリアリレート樹脂を用いた電子写真感光体では、耐かぶり性を向上させるには不充分であることが判明した。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は耐かぶり性に優れる感光層を備えた電子写真感光体を提供することである。また、本発明の別の目的は、画像不良の発生を抑制するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することである。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。前記感光層は、単層型感光層である。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含む。前記バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂を含む。前記ポリアリレート樹脂は、一般式（１）で表される。前記電子輸送剤は、一般式（ＨＴＭ１）、一般式（ＨＴＭ２）、一般式（ＨＴＭ３）、一般式（ＨＴＭ４）、一般式（ＨＴＭ５）、一般式（ＨＴＭ６）、一般式（ＨＴＭ７）又は一般式（ＨＴＭ８）で表される。前記感光層の引っ掻き深さは、０．５０μｍ以下である。前記感光層のビッカース硬度は、１７．０ＨＶ以上である。

前記一般式（１）中、Ｑ¹及びＱ⁴は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁵及びＱ⁶は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表す。Ｑ²及びＱ³は、互いに同一ではない。Ｑ¹が水素原子を表す場合、Ｑ²及びＱ³は、互いに結合することはない。Ｑ¹がメチル基を表す場合、Ｑ²及びＱ³は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに同一ではない。Ｑ⁴が水素原子を表す場合、Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに結合することはない。Ｑ⁴がメチル基を表す場合、Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに結合して環を形成してもよい。ｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。

前記一般式（ＨＴＭ１）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ａ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹¹は互いに同一であっても異なってもよい。ａ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹²は互いに同一であっても異なってもよい。ａ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹³は互いに同一であっても異なってもよい。ａ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

前記一般式（ＨＴＭ２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

前記一般式（ＨＴＭ３）中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は水素原子を表す。

前記一般式（ＨＴＭ４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｂ１、ｂ２、ｂ３及びｂ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｂ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴²は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴³は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

前記一般式（ＨＴＭ５）中、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³及びＲ⁵⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｃ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｃ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵²は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵³は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

前記一般式（ＨＴＭ６）中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴及びＲ⁶⁵は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

前記一般式（ＨＴＭ７）中、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｄ１、ｄ２及びｄ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｄ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｄ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷²は互いに同一であっても異なってもよい。ｄ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷³は互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ⁷⁴は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

前記一般式（ＨＴＭ８）中、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²及びＲ⁸³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｅ１、ｅ２及びｅ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｅ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｅ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸²は互いに同一であっても異なってもよい。ｅ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸³は互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵及びＲ⁸⁶は、各々独立に、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は水素原子を表す。

本発明のプロセスカートリッジは、上述の電子写真感光体を備える。

本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記像担持体は、上述の電子写真感光体である。前記帯電部は、前記像担持体の表面を正極性に帯電させる。前記露光部は、帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記像担持体の前記表面と記録媒体とを接触させながら前記トナー像を前記像担持体から前記記録媒体へ転写する。

本発明の電子写真感光体は、耐かぶり性に優れる。また、本発明のプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、画像不良の発生を抑制することができる。

（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体の構造の一例を示す部分断面図である。 本発明の第二実施形態に係る画像形成装置の一例を示す図である。 引っ掻き装置の構成の一例を示す図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 図３に示す固定台と、引っ掻き針と、電子写真感光体との側面図である。 感光層の表面に形成された引っ掻き傷を示す図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨を限定するものではない。また、本明細書において、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。

以下、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌｉｄｅｎｅ）基及びハロゲン原子は、それぞれ次の意味である。

炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基又はヘキシル基が挙げられる。

炭素原子数１以上５以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上５以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチル−２−ブチル基又はネオペンチル基が挙げられる。

炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基又はｔ−ブチル基が挙げられる。

炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基が挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基は、直鎖状又は分岐鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｓ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基又はヘキシルオキシ基が挙げられる。

炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、非置換である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基又は炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基が挙げられる。より具体的な炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基又はフェナントリル基が挙げられる。

炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基は、非置換である。炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基又はシクロヘプチリデン基が挙げられる。

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられる。

＜第一実施形態：電子写真感光体＞
本発明の第一実施形態に係る電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）の構造を説明する。図１は、第一実施形態の一例である感光体１の構造を示す部分断面図である。図１（ａ）に示すように、感光体１は、導電性基体２と、感光層３とを備える。感光層３は、単層型感光層３ｃである。図１（ａ）に示すように、感光層３は導電性基体２上に直接的に設けられてもよい。また、図１（ｂ）に示すように、感光体１は、例えば、導電性基体２と、中間層４（例えば、下引き層）と、感光層３とを備える。図１（ｂ）に示すように、感光層３は、導電性基体２上に中間層４を介して間接的に設けられている。また、図１（ｃ）に示すように、感光体１は、最表面層として保護層５を備えてもよい。

以下、感光体の要素（導電性基体、感光層及び中間層）を説明する。更に感光体の製造方法も説明する。

［１．導電性基体］
導電性基体としては、少なくとも表面部が導電性を有する材料（導電性材料）で構成される導電性基体を用いることができる。導電性基体としては、例えば、導電性材料で構成される導電性基体又は導電性材料で被覆される導電性基体が挙げられる。導電性材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム又はインジウムが挙げられる。これらの導電性材料は、一種単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。二種以上の組合せとしては、例えば、合金（より具体的には、アルミニウム合金、ステンレス鋼又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性材料の中でも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて適宜選択することができる。導電性基体の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚みは、導電性基体の形状に応じて、適宜選択することができる。

［２．感光層］
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含む。感光層は更に添加剤を含有してもよい。感光層の厚さは、感光層としての機能を十分に発現できれば、特に限定されない。具体的には、感光層の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

感光層のビッカース硬度は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ２２４４に準拠する方法で測定する。ビッカース硬度の測定には、硬度計（株式会社マツザワ製「マイクロビッカース硬度計 ＤＭＨ−１型」）が使用される。ビッカース硬度の測定は、温度２３℃、ダイヤモンド圧子の荷重（試験力）１０ｇｆ、試験力に到達するまでの所要時間５秒、ダイヤモンド圧子の接近速度２ｍｍ／秒及び試験力の保持時間１秒の条件で行う。

感光層のビッカース硬度は、１７．０ＨＶ以上であり、耐かぶり性を更に向上させる観点から１９．０ＨＶ以上であることが好ましく、２２．０ＨＶ以上であることがより好ましい。なお、感光層のビッカース硬度の上限としては、感光体の感光層として機能し得る限り特に限定されないが、製造コストの観点から２５．０ＨＶが好ましい。

なお、ビッカース硬度は、例えば、後述するポリアリレート樹脂（１）を表す一般式（１）のｒ、ｓ、ｔ及びｕの値、一般式（１）のＱ¹〜Ｑ⁶で表される置換基の種類、並びに後述する電子輸送剤の種類及び含有量を調整することにより制御可能である。

感光層の引っ掻き深さは、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−５で規定される引っ掻き装置を用いて、以下に示す第一ステップ、第二ステップ、第三ステップ、及び第四ステップを行うことにより測定される。引っ掻き装置は、固定台と引っ掻き針とを備える。引っ掻き針は、直径１ｍｍの半球状のサファイアの先端を有している。

第一ステップでは、感光体の長手方向が固定台の長手方向と平行になるように、感光体１を固定台の上面に固定する。第二ステップでは、引っ掻き針を感光層の表面に対して垂直に当接させる。第三ステップでは、引っ掻き針から感光層に１０ｇの荷重を付与しながら、固定台及び固定台の上面に固定された感光体１を、固定台の長手方向に３０ｍｍ／分の速度で３０ｍｍ移動させる。この第三ステップにより、感光層の表面に引っ掻き傷が形成される。第四ステップでは、引っ掻き傷の最大深さである引っ掻き深さを測定する。

以上、引っ掻き深さの測定方法の概要を説明した。引っ掻き深さの測定方法は、実施例で詳細に説明する。

感光層の引っ掻き深さは、０．５０μｍ以下である。感光層の引っ掻き深さは、感光層の硬度を示す特性値である。感光層の引っ掻き深さが０．５０μｍ以下であるとは、所定の冶具を用いて所定の条件に基づき感光層の表面を引っ掻いた際に形成される引っ掻き傷が０．５０μｍ以下であることを示す。感光層の引っ掻き深さは、耐かぶり性を更に向上させる観点から０．３５μｍ以下であることが好ましく、０．２０μｍ以下であることがより好ましい。なお、感光層の引っ掻き深さの下限としては、感光体１の感光層として機能し得る限り特に限定されず、例えば、０．００μｍであってもよいが、製造コストの観点から０．０５μｍが好ましい。

なお、引っ掻き深さは、例えば後述するポリアリレート樹脂（１）を表す一般式（１）のｒ、ｓ、ｔ及びｕの値、一般式（１）のＱ¹〜Ｑ⁶で表される置換基の種類、並びに後述する電子輸送剤の種類及び含有量を調整することにより制御可能である。

以下、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、バインダー樹脂及び任意成分である添加剤について説明する。

（電荷発生剤）
電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤であれば特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（より具体的には、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム又はアモルファスシリコン等）の粉末、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料又はキナクリドン系顔料が挙げられる。

フタロシアニン系顔料としては、例えば、フタロシアニン又はフタロシアニン誘導体が挙げられる。フタロシアニンとしては、例えば、無金属フタロシアニン顔料（より具体的には、Ｘ型無金属フタロシアニン（ｘ−Ｈ₂Ｐｃ）等）が挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、例えば、金属フタロシアニン顔料（より具体的には、チタニルフタロシアニン又はＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン等）が挙げられる。フタロシアニン系顔料の結晶形状については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。フタロシアニン系顔料の結晶形状としては、例えば、α型、β型、Ｘ型又はＹ型が挙げられる。電荷発生剤は、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの電荷発生剤のうち、フタロシアニン系顔料が好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニンがより好ましい。

また、デジタル光学式の画像形成装置に感光体を適用する場合は、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する電荷発生剤を用いることが好ましい。７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料が挙げられ、電荷を効率よく発生させる観点からＸ型無金属フタロシアニン（ｘ−Ｈ₂Ｐｃ）が好ましい。なお、デジタル光学式の画像形成装置としては、例えば、半導体レーザーのような光源を使用したレーザービームプリンター及びファクシミリが挙げられる。

また、短波長レーザー光源を用いた画像形成装置に感光体を適用する場合は、電荷発生剤として、例えばアンサンスロン系顔料又はペリレン系顔料が好適に用いられる。短波長レーザーの波長は、例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下程度である。

電荷発生剤としては、例えば、化学式（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−４）で表されるフタロシアニン系顔料（以下、それぞれ電荷発生剤（ＣＧＭ−１）〜（ＣＧＭ−４）と記載することがある。）が挙げられる。

電荷発生剤の含有量は、電荷を効率よく発生させる観点から、バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上４．５質量部以下であることが特に好ましい。

（正孔輸送剤）
正孔輸送剤は、一般式（ＨＴＭ１）、一般式（ＨＴＭ２）、一般式（ＨＴＭ３）、一般式（ＨＴＭ４）一般式（ＨＴＭ５）、一般式（ＨＴＭ６）、一般式（ＨＴＭ７）又は一般式（ＨＴＭ８）で表される。以下、これらの正孔輸送剤をそれぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）と記載することがある。

一般式（ＨＴＭ１）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ａ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹¹は互いに同一であっても異なってもよい。ａ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹²は互いに同一であっても異なってもよい。ａ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹³は互いに同一であっても異なってもよい。ａ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

一般式（ＨＴＭ１）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。ａ１及びａ３が１を表しａ２及びａ４が０を表すか、又はａ１及びａ３が０を表しａ２及びａ４が１を表すことが好ましい。

一般式（ＨＴＭ２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

一般式（ＨＴＭ２）中、Ｒ²¹及びＲ²²は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。Ｒ²³及びＲ²⁴は、水素原子を表すことが好ましい。

一般式（ＨＴＭ３）中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は水素原子を表す。

一般式（ＨＴＭ３）中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。

一般式（ＨＴＭ４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｂ１、ｂ２、ｂ３及びｂ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｂ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴²は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴³は互いに同一であっても異なってもよい。ｂ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

一般式（ＨＴＭ４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。ｂ１及びｂ３が１を表しｂ２及びｂ４が０を表すか、又はｂ１及びｂ３が０を表しｂ２及びｂ４が１を表すことが好ましい。

一般式（ＨＴＭ５）中、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³及びＲ⁵⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｃ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｃ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵²は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵³は互いに同一であっても異なってもよい。ｃ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵⁴は互いに同一であっても異なってもよい。

一般式（ＨＴＭ５）中、Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。ｃ１及びｃ２は１を表し、ｃ２及びｃ４は０を表すことが好ましい。

一般式（ＨＴＭ６）中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴及びＲ⁶⁵は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

一般式（ＨＴＭ６）中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴及びＲ⁶⁵は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。

一般式（ＨＴＭ７）中、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｄ１、ｄ２及びｄ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｄ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｄ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷²は互いに同一であっても異なってもよい。ｄ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷³は互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ⁷⁴は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。

一般式（ＨＴＭ７）中、ｄ１、ｄ２及びｄ３は０を表すことが好ましい。Ｒ⁷⁴は水素原子を表すことが好ましい。

一般式（ＨＴＭ８）中、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²及びＲ⁸³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。ｅ１、ｅ２及びｅ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｅ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸¹は互いに同一であっても異なってもよい。ｅ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸²は互いに同一であっても異なってもよい。ｅ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸³は互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵及びＲ⁸⁶は、各々独立に、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は水素原子を表す。

一般式（ＨＴＭ８）中、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²及びＲ⁸³は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがおり好ましい。ｅ１、ｅ２及びｅ３は、０又は１を表すことが好ましい。Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵及びＲ⁸⁶は、各々独立に、フェニル基又は水素原子を表すことが好ましい。

感光体の感度特性を向上させる観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）、（ＨＴＭ４）又は（ＨＴＭ６）〜（ＨＴＭ８）が好ましく、正孔輸送剤（ＨＴＭ６）又は（ＨＴＭ８）がより好ましい。

正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）としては、例えば、化学式（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）で表される正孔輸送剤（以下、それぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）と記載することがある）が挙げられる。

感光体の感度特性を向上させる観点から、正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）、（ＨＴＭ４−１）又は（ＨＴＭ６−１）〜（ＨＴＭ８−２）が好ましく、正孔輸送剤（ＨＴＭ６−１）、（ＨＴＭ８−１）又は（ＨＴＭ８−２）がより好ましい。

感光層は、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）以外に他の正孔輸送剤を含んでもよい。他の正孔輸送剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体；ジアミン誘導体（より具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、ジ（アミノフェニルエテニル）ベンゼン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体等）；オキサジアゾール系化合物（より具体的には、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等）；スチリル系化合物（より具体的には、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等）；カルバゾール系化合物（より具体的には、ポリビニルカルバゾール等）；有機ポリシラン化合物；ピラゾリン系化合物（より具体的には、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等）；ヒドラゾン系化合物；インドール系化合物；オキサゾール系化合物；イソオキサゾール系化合物；チアゾール系化合物；チアジアゾール系化合物；イミダゾール系化合物；ピラゾール系化合物；トリアゾール系化合物のうち、正孔輸送剤（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）とは異なる構造の化合物が使用できる。

正孔輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。

（電子輸送剤）
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。

これらの電子輸送剤のうち、一般式（ＥＴＭ１）で表される電子輸送剤（以下、電子輸送剤（ＥＴＭ１）と記載することがある）が好ましい。

一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ⁹¹、Ｒ⁹²、Ｒ⁹³及びＲ⁹⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表す。ｆ１及びｆ２は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｆ１が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＲ⁹²は互いに同一であっても異なってもよい。ｆ２が２以上４以下の整数を表す場合、複数のＲ⁹³は互いに同一であっても異なってもよい。

一般式（ＥＴＭ１）中、Ｒ⁹¹及びＲ⁹⁴は、炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表すことが好ましく、２−メチル−ブチル基を表すことがより好ましい。Ｒ⁹²及びＲ⁹³は、水素原子を表すことが好ましい。

電子輸送剤（ＥＴＭ１）としては、例えば、化学式（ＥＴＭ１−１）で表される電子輸送剤が挙げられる。

電子輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、５質量部以上１００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上８０質量部以下であることがより好ましい。

（バインダー樹脂）
バインダー樹脂は、一般式（１）で表されるポリアリレート樹脂（以下、ポリアリレート樹脂（１）と記載することがある。）を含む。

一般式（１）中、Ｑ¹及びＱ⁴は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁵及びＱ⁶は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表す。Ｑ²及びＱ³は、互いに同一ではない。Ｑ¹が水素原子を表す場合、Ｑ²及びＱ³は、互いに結合することはない。Ｑ¹がメチル基を表す場合、Ｑ²及びＱ³は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに同一ではない。Ｑ⁴が水素原子を表す場合、Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに結合することはない。Ｑ⁴がメチル基を表す場合、Ｑ⁵及びＱ⁶は、互いに結合して環を形成してもよい。ｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。

一般式（１）中、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁵及びＱ⁶が表す炭素原子数１以上４以下のアルキル基は、メチル基又はエチル基が好ましい。一般式（１）中、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁵及びＱ⁶は、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基又はエチル基を表すことがより好ましい。Ｑ²及びＱ³の一方がメチル基を表し、Ｑ²及びＱ³の他方がエチル基を表すことが更に好ましい。Ｑ⁵及びＱ⁶の一方がメチル基を表し、Ｑ⁵及びＱ⁶の他方がエチル基を表すことが更に好ましい。

感光体の耐かぶり性を更に向上させる観点から、一般式（１）中、Ｑ¹及びＱ⁴がメチル基を表すことが好ましい。一般式（１）中、Ｑ¹がメチル基を表す場合、Ｑ²及びＱ³は、互いに結合して環を形成することがより好ましい。一般式（１）中、Ｑ⁴がメチル基を表す場合、Ｑ⁵及びＱ⁶は互いに結合して環を形成することがより好ましい。環としては、例えば、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌｉｄｅｎｅ）基が挙げられ、シクロヘキシリデン基がより好ましい。

ポリアリレート樹脂（１）は、一般式（１−３）で表される繰返し単位と、一般式（１−４）で表される繰返し単位とを有する。以下、これらの繰返し単位をそれぞれ繰返し単位（１−３）及び（１−４）と記載することがある。ｒ及びｓが１以上の整数を表す場合、ポリアリレート樹脂（１）は、一般式（１−１）で表される繰返し単位と、一般式（１−２）で表される繰返し単位とを更に有する。以下、これらの繰返し単位をそれぞれ繰返し単位（１−１）及び（１−２）と記載することがある。

一般式（１−１）及び（１−３）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及びＱ⁶は、それぞれ一般式（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及びＱ⁶と同義である。

ポリアリレート樹脂（１）は、ｒ及びｓが１以上の整数を表す場合、繰返し単位（１−１）〜（１−４）のみを有してもよい。また、ポリアリレート樹脂（１）は、繰返し単位（１−１）〜（１−４）以外の繰返し単位を有してもよい。ポリアリレート樹脂（１）中の繰返し単位の物質量の合計に対する繰返し単位（１−１）〜（１−４）の物質量の合計の比率（モル分率）は、０．８０以上が好ましく、０．９０以上がより好ましく、１．００が更に好ましい。

ポリアリレート樹脂（１）における繰返し単位（１−１）〜（１−４）の配列は、芳香族ジオール由来の繰返し単位と芳香族ジカルボン酸由来の繰返し単位とが互いに隣接する限り、特に限定されない。ポリアリレート樹脂（１）が繰返し単位（１−１）〜（１−４）のみを有する場合、例えば、繰返し単位（１−１）及び（１−３）は、繰返し単位（１−２）又は繰返し単位（１−４）と隣接して互いに結合している。

一般式（１）中のｒ及びｓは、０以上４９以下の整数を表す。ｔ及びｕは、１以上５０以下の整数を表す。ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００である。ｒ＋ｔ＝ｓ＋ｕである。感光体の耐かぶり性を更に向上させる観点から、ｓは１５以上３５以下の整数を表し、ｕは１５以上３５以下の整数を表すことが好ましい。ｓ／（ｓ＋ｕ）は０．３０以上０．７０以下を表すことが好ましい。感光体の耐かぶり性を更に向上させる観点から、ｓ／（ｓ＋ｕ）は０．３０以上０．７０以下を表すことが好ましい。

なお、一般式（１）において、ｒは、ポリアリレート樹脂（１）に含まれる、繰返し単位（１−１）〜（１−４）の数の合計に対する、繰返し単位（１−１）の数の比率（単位：百分率）を表す。ｓは、ポリアリレート樹脂（１）に含まれる、繰返し単位（１−１）〜（１−４）の数の合計に対する、繰返し単位（１−２）の数の比率を表す。ｔは、ポリアリレート樹脂（１）に含まれる、繰返し単位（１−１）〜（１−４）の数の合計に対する、繰返し単位（１−３）の数の比率を表す。ｕは、ポリアリレート樹脂（１）に含まれる、繰返し単位（１−１）〜（１−４）の数の合計に対する、繰返し単位（１−４）の数の比率を表す。なお、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは、各々、１本の樹脂鎖から得られる値ではなく、感光層に含有されるポリアリレート樹脂（１）全体（複数の樹脂鎖）から得られる数平均値である。

ポリアリレート樹脂（１）は、繰返し単位（１−１）〜（１−４）以外の繰返し単位を有してもよい。ポリアリレート樹脂（１）中の全繰返し単位の物質量の合計に対する繰返し単位（１−１）〜（１−４）の物質量の合計の比率（モル分率）は、０．８０以上が好ましく、０．９０以上がより好ましく、１．００が更に好ましい。

ポリアリレート樹脂（１）としては、例えば、化学式（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）で表されるポリアリレート樹脂（以下、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）と記載することがある）が挙げられる。

感光体の耐かぶり性を更に向上させる観点から、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）のうち、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）、（Ｒ−３）又は（Ｒ−４）が好ましく、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）がより好ましい。

バインダー樹脂の粘度平均分子量は、２０，０００以上であることが好ましく、２５，０００以上であることがより好ましく、３０，０００以上であることが更に好ましい。また、バインダー樹脂の粘度平均分子量は、７０，０００以下であることが好ましく、５０，０００以下であることがより好ましく、４０，０００以下であることが更に好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が３０，０００以上である場合、バインダー樹脂の耐摩耗性を高めることができ、感光層３が摩耗しにくくなる。一方、バインダー樹脂の粘度平均分子量が４０，０００以下である場合、感光層の形成時に、バインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層の形成が容易になる傾向がある。

バインダー樹脂としては、ポリアリレート樹脂（１）のみを単独で用いてもよいし、ポリアリレート樹脂（１）以外の樹脂（その他の樹脂）を含んでもよい。その他の樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂（より具体的には、ポリアリレート樹脂（１）以外のポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、アクリル共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂又はポリエステル樹脂等）、熱硬化性樹脂（より具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂又はこれら以外の架橋性熱硬化性樹脂等）、又は光硬化性樹脂（より具体的には、エポキシ−アクリル酸系樹脂又はウレタン−アクリル酸系共重合体等）が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。

（バインダー樹脂の製造方法）
バインダー樹脂の製造方法は、ポリアリレート樹脂（１）を製造できれば、特に限定されない。ポリアリレート樹脂（１）の製造方法（合成方法）としては、例えば、ポリアリレート樹脂（１）の繰返し単位を構成するための芳香族ジオール誘導体と芳香族ジカルボン酸誘導体とを縮重合させる方法が挙げられる。ポリアリレート樹脂（１）の具体的な合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（より具体的には、溶液重合、溶融重合又は界面重合等）を採用することができる。以下、ポリアリレート樹脂（１）の合成方法の一例を説明する。

ポリアリレート樹脂（１）は、例えば、反応式（Ｒ−１）で表される反応（以下、反応（Ｒ−１）と記載することがある）に従って又はこれに準じる方法によって製造される。ポリアリレート樹脂の製造方法は、例えば、反応（Ｒ−１）を含む。

反応（Ｒ−１）において、一般式（１−５）中のＱ¹、Ｑ²及びＱ³、並びに一般式（１−７）中のＱ⁴、Ｑ⁵及びＱ⁶は、それぞれ一般式（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及びＱ⁶と同義である。一般式（１）中のＧ¹は、ハロゲン原子（より具体的には、塩素原子等）又は炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基を表す。Ｇ²は炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表す。

反応（Ｒ−１）では、一般式（１−５）で表される芳香族ジオール誘導体及び一般式（１−７）で表される芳香族ジオール誘導体（以下、それぞれ芳香族ジオール誘導体（１−５）及び（１−７）と記載することがある）と、一般式（１−６）で表される芳香族ジカルボン酸誘導体及び一般式（１−８）で表される芳香族ジカルボン酸誘導体（以下、それぞれ芳香族ジカルボン酸誘導体（１−６）及び（１−８）と記載することがある）とを反応させて、ポリアリレート樹脂（１）を得る。

芳香族ジカルボン酸誘導体（１−６）及び（１−８）の合計物質量１モルに対する、芳香族ジオール誘導体（１−５）及び（１−７）の合計物質量は、０．９モル以上１．１モル以下であることが好ましい。上記範囲であると、ポリアリレート樹脂（１）を精製し易く、ポリアリレート樹脂（１）の収率が向上する。

反応（Ｒ−１）は、アルカリ及び触媒の存在下で進行させてもよい。触媒としては、例えば、第三級アンモニウム（より具体的には、トリアルキルアミン等）又は第四級アンモニウム塩（より具体的には、ベンジルトリメチルアンモニウムブロマイド等）が挙げられる。アルカリとしては、例えば、アルカリ金属の水酸化物（より具体的には、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等）、及びアルカリ土類金属の水酸化物（より具体的には、水酸化カルシウム等）が挙げられる。反応（Ｒ−１）は、溶媒中及び不活性ガス雰囲気下で進行させてもよい。溶媒としては、例えば、水又はクロロホルムが挙げられる。不活性ガスとしては、例えば、アルゴンが挙げられる。反応（Ｒ−１）の反応時間は、２時間以上５時間以下が好ましい。反応温度は、５℃以上２５℃以下が好ましい。

芳香族ジカルボン酸誘導体（１−６）及び（１−８）としては、例えば、芳香族ジカルボン酸又はその誘導体が挙げられる。芳香族ジカルボン酸としては、例えば、２，６−ナフタレンジカルボン酸又は１，４−ナフタレンジカルボン酸が挙げられる。芳香族ジカルボン酸誘導体としては、例えば、芳香族ジカルボン酸のエステル、無水物又はハロゲン化物（ハロゲン化アルカノイル）が挙げられる。反応（Ｒ−１）に用いるジカルボン酸としては、芳香族ジカルボン酸（１−６）及び（１−８）以外に他のジカルボン酸を用いてもよい。

芳香族ジオール誘導体（１−５）及び（１−７）としては、例えば、芳香族ジオール又はその誘導体が挙げられる。芳香族ジオールとしては、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ブタン又は１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタンが挙げられる。芳香族ジオール誘導体としては、例えば、芳香族ジオールのエステル（より具体的には、ジアセテート等）が挙げられる。反応（Ｒ−１）に用いるジオールとしては、芳香族ジオール（１−５）及び（１−７）以外の他のジオール（より具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＥ又はビスフェノールＦ等）を用いてもよい。

ポリアリレート樹脂（１）の製造では、必要に応じて他の工程（例えば、精製工程等）を含んでもよい。精製工程を設ける場合、精製方法としては、例えば、公知の方法（より具体的には、ろ過、クロマトグラフィー又は晶析等）が挙げられる。

（添加剤）
任意成分である添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、ドナー、界面活性剤又はレベリング剤が挙げられる。添加剤を添加する場合は、これらの添加剤の一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。

酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、チオエーテル化合物又はホスファイト化合物が挙げられる。これらの酸化防止剤の中でも、ヒンダードフェノール化合物又はヒンダードアミン化合物が好ましい。

［３．中間層］
中間層は、例えば、無機粒子と、樹脂（中間層用樹脂）とを含有する。中間層を介在させると、電流リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、電気抵抗の上昇を抑えることができる。

無機粒子としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄又は銅等）の粒子、金属酸化物（より具体的には、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ又は酸化亜鉛等）の粒子又は非金属酸化物（より具体的には、シリカ等）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。なお、無機粒子は、表面処理を施してもよい。

中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができれば、特に限定されない。

［４．感光体の製造方法］
感光体の製造方法について説明する。感光体の製造方法は、例えば、感光層形成工程を有する。感光層形成工程では、感光層を形成するための塗布液（以下、感光層用塗布液と記載することがある。）を調製する。次いで、感光層用塗布液を導電性基体上に塗布し、塗布膜を形成する。次いで、適宜な方法で塗布膜を乾燥させることによって、塗布膜に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去して感光層を形成する。感光層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤（ＥＴＭ１）〜（ＥＴＭ５）の何れか一種と、バインダー樹脂としてのポリアリレート樹脂（１）と、溶剤とを含む。このような感光層用塗布液は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤（ＥＴＭ１）〜（ＥＴＭ５）の何れか一種と、バインダー樹脂としてのポリアリレート樹脂（１）とを溶剤に溶解又は分散させることにより調製する。感光層用塗布液は、必要に応じて各種添加剤を加えてもよい。

以下、感光層形成工程の詳細を説明する。感光層用塗布液に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できれば、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール等）、脂肪族炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン等）、エーテル（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル又はジエチレングリコールジメチルエーテル等）、ケトン（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン等）、エステル（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの溶剤のうち、非ハロゲン溶剤を用いることが好ましい。

感光層用塗布液は、それぞれ各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散器を用いることができる。

感光層用塗布液は、各成分の分散性又は形成される感光層の表面平滑性を向上させるために、例えば、界面活性剤又はレベリング剤を含有してもよい。

感光層用塗布液を塗布する方法としては、感光層用塗布液を均一に塗布できる方法であれば、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法又はバーコート法が挙げられる。

感光層用塗布液に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去する方法としては、塗布液中の溶剤の少なくとも一部を蒸発させ得る方法であれば、特に限定されない。除去する方法としては、例えば、加熱、減圧又は加熱と減圧との併用が挙げられる。より具体的には、高温乾燥機又は減圧乾燥機等を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。

なお、感光体の製造方法は、必要に応じて中間層を形成する工程等を更に有してもよい。中間層を形成する工程は、公知の方法を適宜選択することができる。

＜第二実施形態：画像形成装置＞
以下、第二実施形態に係る画像形成装置について説明する。第二実施形態に係る画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記像担持体は、上述の第一実施形態に係る感光体である。前記帯電部は、前記像担持体の表面を正極性に帯電させる。前記露光部は、帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記像担持体の前記表面と記録媒体とを接触させながら前記トナー像を前記像担持体から前記記録媒体へ転写する。

第二実施形態に係る画像形成装置は、画像不良（より具体的には、かぶり等）を抑制することができる。その理由は、以下のように推測される。第二実施形態に係る画像形成装置は、像担持体として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、耐かぶり性に優れる。よって、第二実施形態に係る画像形成装置は、画像不良を抑制することができる。

以下、第二実施形態に係る画像形成装置の一態様として、タンデム方式のカラー画像形成装置を例に図２を参照しながら説明する。

図２に示す画像形成装置１００は、直接転写方式の画像形成装置である。通常、直接転写方式を採用する画像形成装置では、像担持体が被転写体としての記録媒体に接触するため、像担持体の表面に微小な成分が付着し易く、画像不良が発生し易い。しかし、第二実施形態の一例である画像形成装置１００は、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、耐かぶり性に優れる。よって、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備えると、直接転写方式を採用する画像形成装置１００であっても、画像不良の発生を抑制できると考えられる。

画像形成装置１００は、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄと、転写ベルト５０と、定着部５２とを備える。以下、区別する必要がない場合には、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄの各々を、画像形成ユニット４０と記載する。

画像形成ユニット４０は、像担持体３０と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とを備える。画像形成ユニット４０の中央位置に、像担持体３０が設けられる。像担持体３０は、矢符方向（反時計回り）に回転可能に設けられる。像担持体３０の周囲には、帯電部４２を基準として像担持体３０の回転方向の上流側から順に、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とが設けられる。なお、画像形成ユニット４０には、クリーニング部又は除電部（不図示）が更に備えられてもよい。

画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄの各々によって、転写ベルト５０上の記録媒体Ｐに、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。

帯電部４２は、帯電ローラーである。帯電ローラーは、像担持体３０の表面と接触しながら像担持体３０の表面を帯電する。通常、帯電ローラーを備える画像形成装置では、画像不良が生じ易い。しかし、画像形成装置１００は、像担持体３０として第一実施形態に係る感光体を備える。第一実施形態に係る感光体は、耐かぶり性に優れる。よって、帯電部４２として帯電ローラーを備えた画像形成装置１００であっても、画像不良の発生は抑制される。このように第二実施形態の一例である画像形成装置１００は、接触帯電方式を採用している。他の接触帯電方式の帯電部としては、例えば、帯電ブラシが挙げられる。なお、帯電部は非接触方式であってもよい。非接触方式の帯電部としては、例えば、コロトロン帯電部又はスコロトロン帯電部が挙げられる。

帯電部４２が印加する電圧は、特に限定されない。帯電部４２が印加する電圧としては、例えば、直流電圧、交流電圧及び重畳電圧（直流電圧に交流電圧が重畳した電圧）が挙げられ、このうち直流電圧が好ましい。直流電圧は交流電圧及び重畳電圧に比べ、以下に示す優位性がある。帯電部４２が直流電圧のみを印加すると、像担持体３０に印加される電圧値が一定であるため、像担持体３０の表面を一様に一定電位まで帯電させ易い。また、帯電部４２が直流電圧のみを印加すると、感光層の磨耗量が減少する傾向がある。その結果、好適な画像を形成することができる。

露光部４４は、帯電された像担持体３０の表面を露光する。これにより、像担持体３０の表面に静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置１００に入力された画像データに基づいて形成される。

現像部４６は、像担持体３０の表面にトナーを供給し、静電潜像をトナー像として現像する。現像部４６は、像担持体３０の表面と接触しながら静電潜像をトナー像として現像することができる。

現像部４６は、像担持体３０の表面を清掃することができる。すなわち、画像形成装置１００は、いわゆるブレードクリーナーレス方式を採用することができる。この場合、現像部４６は、像担持体３０の表面の残留成分を除去することができる。通常、クリーニング部（例えば、クリーニングブレード）を備えた画像形成装置は、像担持体の表面の残留成分がクリーニング部により掻き取られる。しかし、ブレードクリーナーレス方式の画像形成装置の場合は、像担持体の表面の残留成分が掻き取られない。そのため、ブレードクリーナーレス方式を採用する画像形成装置では、通常、像担持体の表面に残留成分が残り易い。しかし、画像形成装置１００は、像担持体３０として、耐かぶり性に優れる第一実施形態の感光体を備える。従って、このような感光体を備える画像形成装置１００は、ブレードクリーナーレス方式を採用したとしても、感光体の表面に残留成分、特に記録媒体Ｐの微小成分（例えば、紙粉）が残り難い。その結果、画像形成装置１００は、画像不良の発生を抑制することができる。

現像部４６が現像しつつ像担持体３０の表面を効率的に清掃するためには、以下に示す条件（ａ）及び条件（ｂ）を満たすことが好ましい。条件（ａ）：接触現像方式を採用し、像担持体３０と現像部４６との間に周速（回転速度）差が設けられる。条件（ｂ）：像担持体３０の表面電位と、現像バイアスの電位とが以下の数式（ｂ−１）及び数式（ｂ−２）を満たす。
０（Ｖ）＜現像バイアスの電位（Ｖ）＜像担持体３０の未露光領域の表面電位（Ｖ）・・・（ｂ−１）
現像バイアスの電位（Ｖ）＞像担持体３０の露光領域の表面電位（Ｖ）＞０（Ｖ）・・・（ｂ−２）

条件（ａ）に示す接触現像方式を採用し、像担持体３０と現像部４６との間に周速差が設けられていると、像担持体３０の表面は現像部４６と接触し、像担持体３０の表面の付着成分が現像部４６との摩擦により除去される。現像部４６の周速は、像担持体３０の周速よりも速いことが好ましい。

条件（ｂ）では、現像方式が反転現像方式である場合を想定している。帯電極性が正極性である像担持体３０の電気特性を向上させるためには、トナーの帯電極性と、像担持体３０の未露光領域の表面電位と、像担持体３０の露光領域の表面電位と、現像バイアスの電位とが何れも正極性であることが好ましい。なお、像担持体３０の未露光領域の表面電位と、露光領域の表面電位とは、転写部４８が像担持体３０から記録媒体Ｐへトナー像を転写した後、帯電部４２が像担持体３０の表面を帯電する前に測定される。

条件（ｂ）の数式（ｂ−１）を満たすと、像担持体３０に残留したトナー（以下、残留トナーと記載することがある。）と像担持体３０の未露光領域との間に作用する静電的斥力が、残留トナーと現像部４６との間に作用する静電的斥力に比べ大きくなる。このため、像担持体３０の未露光領域の残留トナーは、像担持体３０の表面から現像部４６へと移動し、回収される。

条件（ｂ）の数式（ｂ−２）を満たすと、残留トナーと像担持体３０の露光領域との間に作用する静電的斥力が、残留トナーと現像部４６との間に作用する静電的斥力に比べ小さくなる。このため、像担持体３０の露光領域の残留トナーは、像担持体３０の表面に保持される。像担持体３０の露光領域に保持されたトナーは、そのまま画像形成に使用される。

転写ベルト５０は、像担持体３０と転写部４８との間に記録媒体Ｐを搬送する。転写ベルト５０は、無端状のベルトである。転写ベルト５０は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。

転写部４８は、現像部４６によって現像されたトナー像を、像担持体３０の表面から記録媒体Ｐへ転写する。像担持体３０から記録媒体Ｐにトナー像が転写されるときに、像担持体３０は記録媒体Ｐと接触している。転写部４８としては、例えば、転写ローラーが挙げられる。

定着部５２は、転写部４８によって記録媒体Ｐに転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部５２は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｐにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｐに画像が形成される。

以上、第二実施形態に係る画像形成装置の一例について説明したが、第二実施形態に係る画像形成装置は、上述した画像形成装置１００に限定されない。例えば、第二実施形態に係る画像形成装置は、モノクロ画像形成装置であってもよい。この場合、画像形成装置は、例えば画像形成ユニットを１つだけ備えていればよい。また、上述した画像形成装置１００はタンデム方式の画像形成装置であったが、第二実施形態に係る画像形成装置はこれに限定されず、例えばロータリー方式の画像形成装置であってもよい。

＜第三実施形態：プロセスカートリッジ＞
第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、像担持体として第一実施形態に係る感光体を備える。引き続き、図２を参照して、第三実施形態に係るプロセスカートリッジの一例について説明する。

第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、例えば、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄ（図２）の各々に相当する。これらのプロセスカートリッジは、ユニット化された部分を含む。ユニット化された部分は、像担持体３０を含む。また、ユニット化された部分は、像担持体３０に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６、及び転写部４８からなる群より選択される少なくとも１つを含んでもよい。プロセスカートリッジには、除電器（不図示）が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジは、例えば画像形成装置１００に対して着脱自在に設計される。この場合のプロセスカートリッジは、取り扱いが容易であり、像担持体３０の感度特性等が劣化した場合に、像担持体３０を含めて容易かつ迅速に交換することができる。

以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。なお、本発明は実施例の範囲に何ら限定されるものではない。

＜実施例及び比較例で用いた材料＞
感光体を製造するための材料として、以下の電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤及びバインダー樹脂を準備した。

［電荷発生剤］
第一実施形態で説明した電荷発生剤（ＣＧＭ−１）を準備した。電荷発生剤（ＣＧＭ−１）は、化学式（ＣＧＭ−１）で表される無金属フタロシアニンであり、その結晶構造はＸ型であった。つまり、用いた電荷発生剤（ＣＧＭ−１）は、Ｘ型無金属フタロシアニンであった。

［電子輸送剤］
第一実施形態で説明した電子輸送剤（ＥＴＭ１−１）を準備した。

［正孔輸送剤］
第一実施形態で説明した正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）を準備した。更に、正孔輸送剤（ＥＴＭ９−１）及び（ＥＴＭ１０−１）も準備した。正孔輸送剤（ＥＴＭ９−１）及び（ＥＴＭ１０−１）は、それぞれ化学式（ＨＴＭ９−１）及び（ＨＴＭ１０−１）で表される正孔輸送剤である。

［バインダー樹脂］
バインダー樹脂として、第一実施形態で説明したポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）を準備した。ポリアリレート樹脂（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）を更に準備した。ポリアリレート樹脂（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）は、それぞれ化学式（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）で表されるポリアリレート樹脂である。

以下に、実施例で使用したポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）の合成方法を説明する。

（ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）の合成方法）
三口フラスコを反応容器として用いた。この反応容器は、温度計、三方コック及び滴下ロートを備えた容量１Ｌの三口フラスコであった。反応容器に１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン１２．２４ｇ（４１．２８ミリモル）と、ｔ−ブチルフェノール０．０６２ｇ（０．４１３ミリモル）と、水酸化ナトリウム３．９２ｇ（９８ミリモル）と、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド０．１２０ｇ（０．３８４ミリモル）とを投入した。次いで、反応容器内をアルゴン置換した。その後、水３００ｍＬを更に反応容器に投入した。反応容器の内温を５０℃に昇温させた反応容器の内温を５０℃に保持して反応容器内の内容物を１時間攪拌した。その後、反応容器の内温を１０℃に冷却した。その結果、アルカリ性水溶液を得た。

一方、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド４．１０ｇ（１６．２ミリモル）と、１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド４．１０ｇ（１６．２ミリモル）とをクロロホルム（アミレン（登録商標）添加品）３００ｇに溶解させた。その結果、クロロホルム溶液を得た。

次いで、上記アルカリ性水溶液の温度を１０℃とした後、上記クロロホルム溶液を滴下ロートからアルカリ性水溶液に１１０分間かけてゆっくりと滴下して、重合反応を開始させた。反応容器の内温を１５±３℃に調節して、反応容器の内容物を４時間攪拌して重合反応を進行させた。

その後、デカントを用いて反応容器の内容物における上層（水層）を除去し、有機層を得た。次いで、容量１Ｌの三口フラスコにイオン交換水４００ｍＬを投入した後に、得られた有機層を投入した。更にクロロホルム４００ｍＬと、酢酸２ｍＬとを投入した。三口フラスコの内容物を室温（２５℃）で３０分攪拌した。その後、デカントを用いて三口フラスコの内容物における上層（水層）を除去し、有機層を得た。水１Ｌを用いて得られた有機層を分液ロートにて５回洗浄した。その結果、水洗した有機層を得た。

次に、水洗した有機層をろ過し、ろ液を得た。容量３Ｌの三角フラスコにメタノール１Ｌを投入した。得られたろ液を上記三角フラスコにゆっくり滴下し、沈殿物を得た。沈殿物をろ過によりろ別した。得られた沈殿物を温度７０℃で１２時間真空乾燥した。その結果、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）を得た。ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）の収量は１２．９ｇであり、収率は８３．５％であった。

［ポリアリレート樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−７）の作製］
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサンをポリアリレート樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−７）の出発物質である芳香族ジオールに変更した。更に、芳香族ジオール誘導体の含有量をモル分率ｒ／（ｒ＋ｔ）に相当する含有量に変更した。また、芳香族ジカルボン酸誘導体（１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド及び２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド）の含有量をｓ／（ｓ＋ｕ）に相当する含有量に変更した。上記変更以外は、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）と同様にしてそれぞれポリアリレート樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−７）を製造した。

次に、プロトン核磁気共鳴分光計（日本分光株式会社製、３００ＭＨｚ）を用いて、合成したポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。溶媒としてＣＤＣｌ₃を用いた。内部標準試料としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。これらのうちポリアリレート樹脂（Ｒ−１）を代表例として挙げる。

図７は、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図７中、横軸は化学シフト（単位：ｐｐｍ）を示し、縦軸は信号強度（単位：任意単位）を示す。また、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）の化学シフト値を以下に示す。

ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）：δ＝９．００−９．０４（ｍ， ２Ｈ）， ８．８５（ｓ， ２Ｈ）， ８．４６（ｓ， ２Ｈ）， ８．２９（ｄ， ２Ｈ）， ８．１２（ｄ， ２Ｈ）， ７．６８−７．７２（ｍ， ２Ｈ）， ７．１１−７．２６（ｍ， １６Ｈ）， ２．２９（ｂｒｓ， １２Ｈ）， １．６１（ｂｒｓ， ８Ｈ）．

上記¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び化学シフト値により、ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）が得られていることを確認した。他のポリアリレート樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−７）も同様にして、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び化学シフト値により、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−７）が得られていることを確認した。

＜感光体の製造＞
［感光体（Ａ−１）］
以下、実施例１に係る感光体（Ａ−１）の製造方法について説明する。電荷発生剤（ＣＧＭ−１）２質量部と、正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）６５質量部と、電子輸送剤（ＥＴＭ１−１）３５質量部と、バインダー樹脂としてのポリアリレート樹脂（Ｒ−１）１００質量部と、溶剤としてのテトラヒドロフラン３００質量部とを容器内に投入した。棒状音波発振子を用いて、容器内の材料（電荷発生剤（ＣＧＭ−１）、正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）、電子輸送剤（ＥＴＭ１−１）及びポリアリレート樹脂（Ｒ−１））と溶剤とを２分間混合させ、材料を溶剤に分散させた。更にボールミルを用いて、容器内の材料と溶剤とを５０時間混合して、材料を溶剤に分散させた。これにより、感光層用塗布液を得た。この感光層用塗布液を、導電性基体としてのアルミニウム製のドラム状支持体上に、ディップコート法を用いて塗布した。塗布した感光層用塗布液を、１００℃で４０分間熱風乾燥させた。これにより、導電性基体上に、単層型感光層（膜厚２５μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。

［感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２０）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）］
バインダー樹脂及び正孔輸送剤として表１及び表２に記載のものを用いたこと以外は、上述の感光体（Ａ−１）と同様の方法で感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２０）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）をそれぞれ得た。なお、表１及び表２中、欄「バインダー樹脂」の「種類」のＲ−１〜Ｒ−７及びＲ−Ｂ１〜Ｒ−Ｂ７は、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）及び（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）を示す。欄「バインダー樹脂」の「分子量」は、バインダー樹脂の粘度平均分子量を示す。欄「正孔輸送剤の種類」のＨＴＭ１−１〜ＨＴＭ１０−１は、それぞれ正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ１０−１）を示す。

＜評価方法＞
［引っ掻き深さの測定］
得られた感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）の各々に対して、感光層（単層型感光層）の引っ掻き深さを測定した。引っ掻き深さは、引っ掻き装置２００（図３参照）を用い、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−５（日本工業規格Ｋ５６００：塗料一般試験方法、第５部：塗膜の機械的性質、第５節：引っ掻き硬度（荷重針法））で規定される方法で測定した。

以下、図３を参照して、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−５で規定される引っ掻き装置２００を説明する。図３は、引っ掻き装置２００の構成の一例を示す図である。引っ掻き装置２００は、固定台２０１と、固定具２０２と、引っ掻き針２０３と、支持腕部２０４と、２つの軸支持部２０５と、基台２０６と、２つのレール部２０７と、分銅皿２０８と、定速モーター（不図示）とを備える。分銅皿２０８には、分銅２０９が載せられる。

図３において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が水平方向であり、Ｚ軸方向が鉛直方向である。Ｘ軸方向は固定台２０１の長手方向を示す。Ｙ軸方向は、固定台２０１の上面２０１ａ（載置面）に平行な面内でＸ軸方向に直交する方向を示す。なお、後述する図４〜６におけるＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向も図３と同様である。

固定台２０１は、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−５における試験板固定台に相当する。固定台２０１は、上面２０１ａと、一端２０１ｂと、他端２０１ｃとを備える。固定台２０１の上面２０１ａは水平面である。一端２０１ｂは、２つの軸支持部２０５に対向している。

固定具２０２は、固定台２０１の上面２０１ａにおける他端２０１ｃの側に設けられる。固定具２０２は、固定台２０１の上面２０１ａに測定対象（感光体１）を固定する。

引っ掻き針２０３は、先端２０３ｂ（図４参照）を有する。先端２０３ｂの構造は、直径１ｍｍの半球状である。先端２０３ｂの材質は、サファイアである。

支持腕部２０４は、引っ掻き針２０３を支持する。支持腕部２０４は、支軸２０４ａを中心として、引っ掻き針２０３が感光体１に接近する方向及び離間する方向に回動する。

２つの軸支持部２０５は、支持腕部２０４を回動可能に支持する。

基台２０６は、上面２０６ａを備える。上面２０６ａの一端側には、２つの軸支持部２０５が設けられる。

２つのレール部２０７は、上面２０６ａの他端側に設けられる。２つのレール部２０７は、互いに平行に対向するように設けられる。２つのレール部２０７は、各々、固定台２０１の長手方向（Ｘ軸方向）と平行に設けられる。２つのレール部２０７の間には、固定台２０１が取り付けられる。レール部２０７に沿って、固定台２０１は、固定台２０１の長手方向（Ｘ軸方向）に水平に移動可能である。

分銅皿２０８は、支持腕部２０４を介して引っ掻き針２０３の上に設けられる。分銅皿２０８には、分銅２０９が載せられる。

定速モーターは、レール部２０７に沿って固定台２０１の長手方向（Ｘ軸方向）に移動させる。

以下、引っ掻き深さの測定方法を説明する。引っ掻き深さの測定方法は、第一ステップと、第二ステップと、第三ステップと、第四ステップとを含む。引っ掻き装置２００として、表面性測定機（新東科学株式会社製「ＨＥＩＤＯＮ ＴＹＰＥ１４」）を使用した。引っ掻き深さの測定は、温度２３℃及び湿度５０％ＲＨの環境下で行った。感光体の形状はドラム状（円筒状）であった。

（第一ステップ）
第一ステップでは、感光体１の長手方向が固定台２０１の長手方向と平行になるように、感光体１を固定台２０１の上面２０１ａに固定した。このとき、感光体１の中心軸Ｌ₂（回転軸）方向が、固定台２０１の長手方向と平行になるように感光体１が取り付けられた。

（第二ステップ）
第二ステップでは、引っ掻き針２０３を感光層３の表面３ａに対して垂直に当接させた。図３に加えて、図４及び図５を参照して、ドラム状の感光体１の感光層３の表面３ａに、引っ掻き針２０３を垂直に当接させる方法を説明する。

図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図であって、感光体１に引っ掻き針２０３を当接させたときの断面図である。図５は、図３に示す固定台２０１と、引っ掻き針２０３と、感光体１との側面図である。

引っ掻き針２０３の中心軸Ａ₁の延長線が固定台２０１の上面２０１ａに対して垂直になるように、引っ掻き針２０３を感光体１に接近させた。次いで、感光体１の感光層３の表面３ａにおいて、固定台２０１の上面２０１ａから垂直方向（Ｚ軸方向）に最も離れた点（当接点Ｐ₂）に、引っ掻き針２０３の先端２０３ｂを当接させた。これにより、引っ掻き針２０３の中心軸Ａ₁が接線Ａ₂に対して垂直になるように、引っ掻き針２０３の先端２０３ｂが感光体１に当接した。このとき、上面２０１ａの接点Ｐ₁と先端２０３ｂの当接点Ｐ₂とを結ぶ線分が、感光体１の中心軸Ｌ₂と直交していた。なお、接線Ａ₂は、中心軸Ｌ₂に対して垂直な感光体１の断面が構成する外周円の当接点Ｐ₂における接線である。

（第三ステップ）
次に、第三ステップについて図３を参照しながら説明する。第三ステップでは、引っ掻き針２０３を感光層３の表面３ａに対して垂直に当接させた状態で、引っ掻き針２０３から感光層３に１０ｇの荷重Ｗを付与した。具体的には、分銅皿２０８に１０ｇの分銅２０９を載せた。この状態で、固定台２０１を移動させた。具体的には、定速モーターを駆動させ、レール部２０７に沿って、固定台２０１の長手方向（Ｘ軸方向）に水平に移動させた。すなわち、固定台２０１の一端２０１ｂを、第一位置Ｎ₁から第二位置Ｎ₂まで移動させた。なお、第二位置Ｎ₂は、第一位置Ｎ₁に対して下流側に位置していた。下流側とは、固定台２０１の長手方向において、固定台２０１が２つの軸支持部２０５から離間する方向に位置する側である。固定台２０１の長手方向への移動に伴い、感光体１も、固定台２０１の長手方向へ水平に移動した。固定台２０１及び感光体１の移動速度は、３０ｍｍ／分であった。また、固定台２０１及び感光体１の移動距離は、３０ｍｍであった。なお、固定台２０１及び感光体１の移動距離は、第一位置Ｎ₁及び第二位置Ｎ₂の間の距離Ｄ_1-2に相当していた。固定台２０１及び感光体１が移動した結果、引っ掻き針２０３によって感光体１の感光層３の表面３ａに引っ掻き傷Ｓが形成された。

次に、図３〜図５に加えて図６を参照して、引っ掻き傷Ｓを説明する。図６は、感光層３の表面３ａに形成された引っ掻き傷Ｓを示す。引っ掻き傷Ｓは、固定台２０１の上面２０１ａ及び接線Ａ₂に対して、それぞれ垂直に形成された。また、引っ掻き傷Ｓは、図５に示す線Ｌ₃を通るように形成された。線Ｌ₃は複数の当接点Ｐ₂から構成される線である。線Ｌ₃は、固定台２０１の上面２０１ａ及び感光体１の中心軸Ｌ₂に対して、それぞれ平行であった。線Ｌ₃は、引っ掻き針２０３の中心軸Ａ₁に対して垂直であった。

（第四ステップ）
第四ステップでは、引っ掻き傷Ｓの深さＤｓの最大値である引っ掻き深さを測定した。具体的には、感光体１を固定台２０１から取り外した。三次元干渉顕微鏡（Ｂｒｕｋｅｒ社の「ＷＹＫＯ ＮＴ−１１００」）を用いて、感光体１の感光層３に形成された引っ掻き傷Ｓを倍率５倍で観察し、引っ掻き傷Ｓの深さＤｓを測定した。引っ掻き傷Ｓの深さＤｓは、接線Ａ₂から、引っ掻き傷Ｓの谷部までの距離とした。引っ掻き傷Ｓの深さＤｓのうち最大値を、引っ掻き深さとした。測定された引っ掻き深さを表１及び表２に示す。

［ビッカース硬度の測定］
得られた感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）の各々に対して、感光層（単層型感光層）のビッカース硬度を測定した。感光層のビッカース硬度は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ２２４４に準拠する方法で測定した。ビッカース硬度の測定には、硬度計（株式会社マツザワ製「マイクロビッカース硬度計 ＤＭＨ−１型」）を用いた。ビッカース硬度の測定は、温度２３℃、ダイヤモンド圧子の荷重（試験力）１０ｇｆ、試験力に到達するまでの所要時間５秒、ダイヤモンド圧子の接近速度２ｍｍ／秒及び試験力の保持時間１秒の条件で行った。測定されたビッカース硬度を表１及び表２に示す。

［耐かぶり性の評価］
得られた感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）の各々に対して、形成される画像における耐かぶり性を評価した。評価機として、画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「モノクロプリンターＦＳ−１３００Ｄ」の改造機）を用いた。この画像形成装置は、直接転写方式、接触現像方式及びクリーナーレス方式を採用している。この画像形成装置では、現像部が感光体上に残留しているトナーを清掃する。また、この画像形成装置の帯電部は、帯電ローラーである。用紙として、京セラドキュメントソリューションズ株式会社が販売する「京セラドキュメントソリューションズブランド紙ＶＭ−Ａ４」（Ａ４サイズ）を使用した。評価機による評価には、一成分現像剤（試作品）を使用した。

評価機を用いて、感光体の回転速度を１６８ｍｍ／秒とし、帯電電位＋６００Ｖの条件で、１２，０００枚の用紙に画像Ｉを連続して印刷した。画像Ｉは、印字率１％の画像であった。続いて、１枚の用紙に白紙画像を印刷した。印刷は、温度３２．５℃及び相対湿度８０％ＲＨの環境下で行った。得られた白紙画像について、白紙画像内の３箇所の画像濃度を、反射濃度計（Ｘ−ｒｉｔｅ社製「ＲＤ９１４」）を用いて測定した。白紙画像の３箇所の画像濃度の和を測定箇所数で除算した。これにより、白紙画像の画像濃度の数平均値を得た。白紙画像の画像濃度の数平均値からベースペーパーの画像濃度を引いた値を、かぶり濃度とした。測定されたかぶり濃度を、下記判定基準に従って判定した。判定がＡ又はＢである感光体を、耐かぶり性が良好であると評価した。また、判定がＣである感光体を、耐かぶり性が不良であると評価した。かぶり濃度（ＦＤ値）及び判定結果を、表１及び表２に示す。

（耐かぶり性の判定基準）
判定Ａ：かぶり濃度が０．０１０以下である。
判定Ｂ：かぶり濃度が０．０１０より大きく、０．０２０以下である。
判定Ｃ：かぶり濃度が０．０２０より大きい。

表１及び表２に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）では、感光層はバインダー樹脂としてポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）の何れかと、正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）の何れかとを含んでいた。ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−７）は、一般式（１）に包含されるポリアリレート樹脂であった。正孔輸送剤（ＨＴＭ１−１）〜（ＨＴＭ８−２）は、一般式（ＨＴＭ１）〜一般式（ＥＴＭ８）の何れかに包含される正孔輸送剤であった。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）では、感光層の引っ掻き深さが０．０８μｍ以上０．４７μｍ以下であった。感光層のビッカース硬度が１９．３ＨＶ以上２５．２ＨＶ以下であった。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）では、耐かぶり性の判定結果が全てＡ（良好）であった。

表２に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）及び（Ｂ−９）では、感光層は、バインダー樹脂としてポリアリレート樹脂（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）の何れかを含んでいた。ポリアリレート樹脂（Ｒ−Ｂ１）〜（Ｒ−Ｂ７）は、一般式（１）に包含されるポリアリレート樹脂ではなかった。感光体（Ｂ−７）及び（Ｂ−８）では、感光層は、正孔輸送剤（ＨＴＭ９−１）及び（ＨＴＭ１０−１）の何れかを含んでいた。正孔輸送剤（ＨＴＭ９−１）及び（ＨＴＭ１０−１）は何れも一般式（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ８）の何れかに包含される正孔輸送剤ではなかった。感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）では、感光層の引っ掻き深さが０．５０μｍを超えていた。感光体（Ｂ−４）、（Ｂ−５）、（Ｂ−７）及び（Ｂ−８）では、感光層のビッカース硬度が１７．０ＨＶ未満であった。感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）では、耐かぶり性の判定結果が全てＣ（不良）であった。

表１及び表２から明らかなように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）に比べ、耐かぶり性に優れている。また、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２０）を備える画像形成装置は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）を備える画像形成装置に比べ、画像不良（かぶり）の発生を抑制することができる。

本発明に係る電子写真感光体は、複合機のような画像形成装置に利用できる。

１ 電子写真感光体
２ 導電性基体
３ 感光層
３ｃ 単層型感光層
４ 中間層

Claims (11)

1. 導電性基体と、感光層とを備える電子写真感光体であって、
   前記感光層は、単層型感光層であり、
   前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを含み、
   前記バインダー樹脂は、ポリアリレート樹脂を含み、
   前記ポリアリレート樹脂は、化学式（Ｒ−１）、化学式（Ｒ−２）、化学式（Ｒ−３）、化学式（Ｒ−４）、化学式（Ｒ−５）、化学式（Ｒ−６）又は化学式（Ｒ−７）で表され、
   前記正孔輸送剤は、一般式（ＨＴＭ１）、一般式（ＨＴＭ２）、一般式（ＨＴＭ３）、一般式（ＨＴＭ４）、一般式（ＨＴＭ５）、一般式（ＨＴＭ６）、一般式（ＨＴＭ７）又は一般式（ＨＴＭ８）で表され、
   前記感光層の引っ掻き深さは、０．５０μｍ以下であり、
   前記感光層のビッカース硬度は、１７．０ＨＶ以上である、電子写真感光体。
   

   

   

   前記一般式（ＨＴＭ１）中、
   Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   ａ１、ａ２、ａ３及びａ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ａ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹¹は互いに同一であっても異なってもよく、
   ａ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹²は互いに同一であっても異なってもよく、
   ａ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹³は互いに同一であっても異なってもよく、
   ａ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴は互いに同一であっても異なってもよく、
   前記一般式（ＨＴＭ２）中、
   Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ３）中、
   Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ４）中、
   Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   ｂ１、ｂ２、ｂ３及びｂ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｂ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴¹は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｂ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴²は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｂ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴³は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｂ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁴⁴は互いに同一であっても異なってもよく、
   前記一般式（ＨＴＭ５）中、
   Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³及びＲ⁵⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｃ４は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｃ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵¹は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｃ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵²は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｃ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵³は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｃ４が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁵⁴は互いに同一であっても異なってもよく、
   前記一般式（ＨＴＭ６）中、
   Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴及びＲ⁶⁵は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ７）中、
   Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   ｄ１、ｄ２及びｄ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｄ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷¹は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｄ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷²は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｄ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁷³は互いに同一であっても異なってもよく、
   Ｒ⁷⁴は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ８）中、
   Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²及びＲ⁸³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   ｅ１、ｅ２及びｅ３は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｅ１が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸¹は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｅ２が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸²は互いに同一であっても異なってもよく、
   ｅ３が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ⁸³は互いに同一であっても異なってもよく、
   Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵及びＲ⁸⁶は、各々独立に、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は水素原子を表す。
2. 前記引っ掻き深さが０．２０μｍ以下であるか、又は前記ビッカース硬度が２２．０ＨＶ以上である、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記正孔輸送剤は、前記一般式（ＨＴＭ１）、前記一般式（ＨＴＭ４）、前記一般式（ＨＴＭ６）、前記一般式（ＨＴＭ７）又は前記一般式（ＨＴＭ８）で表される、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
4. 前記一般式（ＨＴＭ１）中、
   Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   ａ１及びａ３が１を表しａ２及びａ４が０を表すか、又はａ１及びａ３が０を表しａ２及びａ４が１を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ２）中、
   Ｒ²¹及びＲ²²は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   Ｒ²³及びＲ²⁴は、水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ３）中、
   Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ４）中、
   Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   ｂ１及びｂ３が１を表しｂ２及びｂ４が０を表すか、又はｂ１及びｂ３が０を表しｂ２及びｂ４が１を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ５）中、
   Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   ｃ１及びｃ２は１を表し、ｃ２及びｃ４は０を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ６）中、
   Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴及びＲ⁶⁵は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ７）中、
   ｄ１、ｄ２及びｄ３は０を表し、
   Ｒ⁷⁴は水素原子を表し、
   前記一般式（ＨＴＭ８）中、
   Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²及びＲ⁸³は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   ｅ１、ｅ２及びｅ３は、０又は１を表し、
   Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵及びＲ⁸⁶は、各々独立に、フェニル基又は水素原子を表す、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
5. 前記正孔輸送剤は、化学式（ＨＴＭ１−１）、化学式（ＨＴＭ２−１）、化学式（ＨＴＭ３−１）、化学式（ＨＴＭ４−１）、化学式（ＨＴＭ５−１）、化学式（ＨＴＭ６−１）、化学式（ＨＴＭ７−１）、化学式（ＨＴＭ８−１）又は化学式（ＨＴＭ８−２）で表される、請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
   

   
6. 前記電荷発生剤は、Ｘ型無金属フタロシアニンを含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の電子写真感光体。
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
8. 像担持体と、
   前記像担持体の表面を正極性に帯電させる帯電部と、
   帯電された前記像担持体の前記表面を露光して、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
   前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
   前記トナー像を前記像担持体から記録媒体へ転写する転写部と
   を備える画像形成装置であって、
   前記像担持体は、請求項１〜６の何れか一項に記載の電子写真感光体であり、
   前記転写部は、前記像担持体の前記表面と前記記録媒体とを接触させながら前記トナー像を前記像担持体から前記記録媒体へ転写する、画像形成装置。
9. 前記現像部は、前記像担持体の前記表面と接触しながら、前記静電潜像を前記トナー像として現像する、請求項８に記載の画像形成装置。
10. 前記現像部は、前記像担持体の前記表面を清掃する、請求項８又は９に記載の画像形成装置。
11. 前記帯電部は、帯電ローラーである、請求項８〜１０の何れか一項に記載の画像形成装置。
    

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