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JP6717372B2 - Charge transport varnish - Google Patents

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JP6717372B2
JP6717372B2 JP2018503122A JP2018503122A JP6717372B2 JP 6717372 B2 JP6717372 B2 JP 6717372B2 JP 2018503122 A JP2018503122 A JP 2018503122A JP 2018503122 A JP2018503122 A JP 2018503122A JP 6717372 B2 JP6717372 B2 JP 6717372B2
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Description

本発明は、電荷輸送性ワニスに関する。 The present invention relates to a charge transporting varnish.

有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機EL素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ELディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機EL素子の正孔注入層に適用した場合に優れたEL素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている(例えば特許文献1〜5参照)。
しかし、正孔注入層用のウェットプロセス材料に関しては常に改善が求められており、特に、電荷輸送性に優れた薄膜を与えるウェットプロセス材料が求められている。
In an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, a charge transporting thin film made of an organic compound is used as a light emitting layer and a charge injection layer. In particular, the hole injecting layer plays a role of transferring charges between the anode and the hole transporting layer or the light emitting layer, and plays an important function for achieving low voltage driving and high brightness of the organic EL element.
The method for forming the hole injection layer is roughly classified into a dry process typified by a vapor deposition method and a wet process typified by a spin coating method. Comparing each of these processes, the wet process is flat in a large area. A highly efficient thin film can be efficiently manufactured. Therefore, as the area of an organic EL display is being increased, a hole injection layer that can be formed by a wet process is desired.
In view of such circumstances, the inventors of the present invention are applicable to various wet processes, and when applied to a hole injection layer of an organic EL device, the present invention provides a thin film capable of realizing excellent EL device characteristics. Materials and compounds with good solubility in organic solvents used for them have been developed (see, for example, Patent Documents 1 to 5).
However, there is a constant demand for improvements in wet process materials for hole injection layers, and in particular, there is a demand for wet process materials that provide thin films with excellent charge transport properties.

国際公開第2008/032616号International Publication No. 2008/032616 国際公開第2008/129947号International Publication No. 2008/129947 国際公開第2006/025342号International Publication No. 2006/025342 国際公開第2010/058777号International Publication No. 2010/058777 特開2014−205624号公報JP, 2014-205624, A

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜を再現性よく与える電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a charge-transporting varnish that gives a charge-transporting thin film excellent in charge-transporting property, flatness, and uniformity with good reproducibility.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、電荷輸送性物質と、所定のオニウムボレート塩とを有機溶媒に溶解させて得られるワニスから、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜が再現性よく得られること、並びに当該薄膜を正孔注入層として用いることで、優れた輝度特性の有機EL素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。 The present inventors have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, from a varnish obtained by dissolving a charge-transporting substance and a predetermined onium borate salt in an organic solvent, the charge-transporting property and the flatness are obtained. It was found that a charge transporting thin film excellent in uniformity and uniformity can be obtained with good reproducibility, and that an organic EL device having excellent brightness characteristics can be obtained by using the thin film as a hole injection layer, and the present invention has been completed. It was

すなわち、本発明は、
1. 電荷輸送性物質と、オニウムボレート塩と、有機溶媒とを含み、前記オニウムボレート塩が、式(a1)で表されるアニオンと対カチオンからなるオニウムボレート塩を含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス、

Figure 0006717372
(式中、Rは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のフルオロアルキル基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数7〜10のフルオロアラルキル基を表す。)
2. 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体およびチオフェン誘導体から選ばれる少なくとも1種である1の電荷輸送性ワニス、
3. 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体である2の電荷輸送性ワニス、
4. 1〜3のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
5. 4の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
6. 1〜3のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法
を提供する。That is, the present invention is
1. A charge transporting material comprising a charge transporting substance, an onium borate salt, and an organic solvent, wherein the onium borate salt comprises an onium borate salt consisting of an anion represented by formula (a1) and a counter cation. varnish,
Figure 0006717372
(In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, or a fluoroaralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.)
2. 1. The charge-transporting varnish, wherein the charge-transporting substance is at least one selected from aniline derivatives and thiophene derivatives,
3. 2. The charge-transporting varnish according to 2, wherein the charge-transporting substance is an aniline derivative,
4. A charge-transporting thin film produced by using the charge-transporting varnish according to any one of 1 to 3,
5. An organic electroluminescent device having a charge transporting thin film of 4;
6. Provided is a method for producing a charge-transporting thin film, which comprises applying the charge-transporting varnish of any one of 1 to 3 onto a substrate and evaporating the solvent.

本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜が得られる。
また、このような特性を有する電荷輸送性薄膜は、有機EL素子をはじめとした電子デバイス用薄膜として好適に用いることができる。特に、この薄膜を有機EL素子の正孔注入層に適用することで、低駆動電圧の有機EL素子を得ることができる。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機EL素子の分野における進展にも十分対応できる。
そして、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、電荷輸送性に優れることから、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層、帯電防止膜等として使用されることも期待できる。
By using the charge-transporting varnish of the present invention, a charge-transporting thin film having excellent charge-transporting property, flatness and uniformity can be obtained.
Further, the charge transporting thin film having such characteristics can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL elements. In particular, by applying this thin film to the hole injection layer of an organic EL element, an organic EL element with a low driving voltage can be obtained.
Furthermore, the charge-transporting varnish of the present invention can produce a thin film excellent in charge-transporting property with good reproducibility even when using various wet processes capable of forming a film on a large area, such as a spin coating method and a slit coating method. It can sufficiently cope with the recent progress in the field of organic EL devices.
Since the thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention is excellent in charge-transporting property, it can be expected to be used as an anode buffer layer, an antistatic film or the like of an organic thin-film solar cell.

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質と、オニウムボレート塩と、有機溶媒とを含み、オニウムボレート塩が、式(a1)で表されるアニオンと対カチオンからなるオニウムボレート塩を含むものである。
なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性とも同義である。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The charge-transporting varnish according to the present invention contains a charge-transporting substance, an onium borate salt, and an organic solvent, and the onium borate salt is an onium borate salt comprising an anion represented by the formula (a1) and a counter cation. It includes.
Note that the charge-transporting property has the same meaning as the conductivity and the hole-transporting property. Further, the charge-transporting varnish of the present invention may have charge-transporting properties by itself, or the solid film obtained by using the varnish may have charge-transporting properties.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

式(a1)において、Rは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のフルオロアルキル基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数7〜10のフルオロアラルキル基を表す。
炭素数1〜10のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の炭素数1〜10の直鎖または分岐鎖状アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数3〜10の環状アルキル基などが挙げられるが、炭素数1〜8のアルキル基が好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がより好ましい。
In formula (a1), R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, or a fluoroaralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.
The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, and s. -Butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like straight or branched having 1 to 10 carbon atoms. Chain alkyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, bicyclobutyl group, bicyclopentyl group, bicyclohexyl group, bicycloheptyl group, bicyclooctyl group Examples thereof include a cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms such as a group, a bicyclononyl group, and a bicyclodecyl group, but an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable.

炭素数7〜10のアラルキル基としては、アルキル基の水素原子の少なくとも1つをアリール基で置換した基が挙げられ、例えば、ベンジル基、1−ナフチルメチレン基、2−ナフチルメチレン基、フェニルエチレン基、1−ナフチルエチレン基、2−ナフチルメチレン基等が挙げられるが、炭素数7〜9のアラルキル基が好ましい。 Examples of the aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms include groups in which at least one hydrogen atom of an alkyl group is substituted with an aryl group, and examples thereof include a benzyl group, a 1-naphthylmethylene group, a 2-naphthylmethylene group, and phenylethylene. Group, a 1-naphthylethylene group, a 2-naphthylmethylene group, and the like, but an aralkyl group having 7 to 9 carbon atoms is preferable.

炭素数1〜10のフルオロアルキル基の具体例としては、炭素数1〜10のアルキル基の水素原子の少なくとも1つをフッ素原子で置換した基が挙げられる。
その具体例としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル基、2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル基、ノナフルオロブチル基、4,4,4−トリフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,5−ノナフルオロペンチル基、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル基、トリデカフルオロヘキシル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6−ウンデカフロオロヘキシル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロヘキシル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Specific examples of the fluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms include groups in which at least one hydrogen atom of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is substituted with a fluorine atom.
Specific examples thereof include fluoromethyl group, difluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, heptafluoropropyl group, 2,2,3,3,3- Pentafluoropropyl group, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl group, 2,2,2-trifluoro-1-(trifluoromethyl)ethyl group, nonafluorobutyl group, 4,4,4-trifluoro group Butyl group, undecafluoropentyl group, 2,2,3,3,4,4,5,5,5-nonafluoropentyl group, 2,2,3,3,4,5,5-octafluoro group Pentyl group, tridecafluorohexyl group, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-undecafluorohexyl group, 2,2,3,3,4,4,4 5,5,6,6-decafluorohexyl group, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl group and the like can be mentioned.

炭素数7〜10のフルオロアラルキル基の具体例としては、炭素数7〜10のアラルキル基の水素原子の少なくとも1つをフッ素原子で置換した基が挙げられる。
その具体例としては、パーフルオロベンジル基、ペンタフルオロフェニルメチレン基、ヘプタフルオロ−1−ナフチルメチレン基、ヘプタフルオロ−2−ナフチルメチレン基、ヘプタフルオロ−1−ナフチルエチレン基、ヘプタフルオロ−2−ナフチルエチレン基等が挙げられる。
Specific examples of the fluoroaralkyl group having 7 to 10 carbon atoms include groups in which at least one hydrogen atom of the aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms is substituted with a fluorine atom.
Specific examples thereof include a perfluorobenzyl group, a pentafluorophenylmethylene group, a heptafluoro-1-naphthylmethylene group, a heptafluoro-2-naphthylmethylene group, a heptafluoro-1-naphthylethylene group, and a heptafluoro-2-naphthyl group. Examples thereof include ethylene group.

本発明で好適に用いることのできるアルキルアリールボレートとしては下記式で示されるものが挙げられるが、これに限定されるものではない。 Examples of the alkylaryl borate that can be preferably used in the present invention include those represented by the following formulas, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

一方、対カチオンは、特に限定されるものではないが、式(c1)で表されるカチオンが好ましい。

Figure 0006717372
On the other hand, the counter cation is not particularly limited, but a cation represented by the formula (c1) is preferable.
Figure 0006717372

式(c1)におけるEは、15〜17族の原子価nの元素を表し、したがって、nは、Eの原子価に対応して1〜3の整数を表す。
上記R′は、n+1個がEに結合しており、それらは互いに独立して一価の有機基を表すが、2個以上のR′が互いに直接または−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−NH−、−CO−、−COO−、−CONH−、アルキレン基もしくはフェニレン基を介して結合して元素Eとともに環構造を形成してもよい。
一価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、またはZで置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、Zで置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましい。
E in the formula (c1) represents an element having a valence of n of group 15 to 17, and therefore n represents an integer of 1 to 3 corresponding to the valence of E.
In the above R', n+1 units are bonded to E, and they independently represent a monovalent organic group, but two or more R's are mutually directly or —O—, —S—, —SO. -, - SO 2 -, - NH -, - CO -, - COO -, - CONH-, may form a ring structure together with the element E is attached via an alkylene group or a phenylene group.
The monovalent organic group is not particularly limited, but is substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, or Z. Optionally, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be substituted with Z.

炭素数1〜20のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、上記炭素数1〜10のアルキル基で例示した基に加え、例えば、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコサニル基等が挙げられるが、炭素数1〜18のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましい。 The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be, for example, n-undecyl group or n-, in addition to the groups exemplified as the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosanyl group and the like, but the number of carbon atoms An alkyl group having 1 to 18 is preferable, and an alkyl group having 1 to 8 carbons is more preferable.

炭素数2〜20のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、n−1−プロペニル基、n−2−プロペニル基、1−メチルエテニル基、n−1−ブテニル基、n−2−ブテニル基、n−3−ブテニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−2−プロペニル基、1−エチルエテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、1−メチル−2−プロペニル基、n−1−ペンテニル基、n−1−デセニル基、n−1−エイコセニル基等が挙げられる。
炭素数2〜20のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、n−1−プロピニル基、n−2−プロピニル基、n−1−ブチニル基、n−2−ブチニル基、n−3−ブチニル基、1−メチル−2−プロピニル基、n−1−ペンチニル基、n−2−ペンチニル基、n−3−ペンチニル基、n−4−ペンチニル基、1−メチル−n−ブチニル基、2−メチル−n−ブチニル基、3−メチル−n−ブチニル基、1,1−ジメチル−n−プロピニル基、n−1−ヘキシニル基、n−1−デシニル基、n−1−ペンタデシニル基、n−1−エイコシニル基等が挙げられる。
Specific examples of the alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethenyl group, n-1-propenyl group, n-2-propenyl group, 1-methylethenyl group, n-1-butenyl group, n-2-butenyl group, n-3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, n- Examples thereof include a 1-pentenyl group, an n-1-decenyl group, an n-1-eicosenyl group and the like.
Specific examples of the alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethynyl group, n-1-propynyl group, n-2-propynyl group, n-1-butynyl group, n-2-butynyl group and n-3-butynyl group. Group, 1-methyl-2-propynyl group, n-1-pentynyl group, n-2-pentynyl group, n-3-pentynyl group, n-4-pentynyl group, 1-methyl-n-butynyl group, 2- Methyl-n-butynyl group, 3-methyl-n-butynyl group, 1,1-dimethyl-n-propynyl group, n-1-hexynyl group, n-1-decynyl group, n-1-pentadecynyl group, n- Examples thereof include a 1-eicosynyl group.

炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基等が挙げられるが、炭素数6〜14のアリール基が好ましい。 Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group and 2-phenanthryl group. Group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group and the like, but an aryl group having 6 to 14 carbon atoms is preferable.

Zは、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜8のハロアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、ニトロ基、水酸基、シアノ基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素数1〜20のアシル基、炭素数1〜20のアシロキシ基、炭素数1〜8のアルキルチオ基、炭素数6〜20のアリールチオ基、ジ炭素数1〜8アルキルアミノ基、ジ炭素数6〜20アリールアミノ基、アミノ基またはハロゲン原子を表す。
これら、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
Z is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a carbon number. 2-20 heteroaryl group, nitro group, hydroxyl group, cyano group, C1-8 alkoxy group, C6-20 aryloxy group, C1-20 acyl group, C1-20 It represents an acyloxy group, an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, an arylthio group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 8 carbon atoms, an arylamino group having 6 to 20 carbon atoms, an amino group or a halogen atom.
Examples of the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group and aryl group include the same ones as described above.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

炭素数2〜20のヘテロアリール基の具体例としては、2−チエニル基、3−チエニル基、2−フラニル基、3−フラニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、3−イソオキサゾリル基、4−イソオキサゾリル基、5−イソオキサゾリル基等の含酸素ヘテロアリール基、2−チアゾリル基、4−チアゾリル基、5−チアゾリル基、3−イソチアゾリル基、4−イソチアゾリル基、5−イソチアゾリル基等の含硫黄ヘテロアリール基、2−イミダゾリル基、4−イミダゾリル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、2−ピラジル基、3−ピラジル基、5−ピラジル基、6−ピラジル基、2−ピリミジル基、4−ピリミジル基、5−ピリミジル基、6−ピリミジル基、3−ピリダジル基、4−ピリダジル基、5−ピリダジル基、6−ピリダジル基、1,2,3−トリアジン−4−イル基、1,2,3−トリアジン−5−イル基、1,2,4−トリアジン−3−イル基、1,2,4−トリアジン−5−イル基、1,2,4−トリアジン−6−イル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基、1,2,4,5−テトラジン−3−イル基、1,2,3,4−テトラジン−5−イル基、2−キノリニル基、3−キノリニル基、4−キノリニル基、5−キノリニル基、6−キノリニル基、7−キノリニル基、8−キノリニル基、1−イソキノリニル基、3−イソキノリニル基、4−イソキノリニル基、5−イソキノリニル基、6−イソキノリニル基、7−イソキノリニル基、8−イソキノリニル基、2−キノキサニル基、5−キノキサニル基、6−キノキサニル基、2−キナゾリニル基、4−キナゾリニル基、5−キナゾリニル基、6−キナゾリニル基、7−キナゾリニル基、8−キナゾリニル基、3−シンノリニル基、4−シンノリニル基、5−シンノリニル基、6−シンノリニル基、7−シンノリニル基、8−シンノリニル基等の含窒素ヘテロアリール基などが挙げられる。 Specific examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-furanyl group, 3-furanyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, Oxygen-containing heteroaryl groups such as 3-isoxazolyl group, 4-isoxazolyl group, 5-isoxazolyl group, 2-thiazolyl group, 4-thiazolyl group, 5-thiazolyl group, 3-isothiazolyl group, 4-isothiazolyl group, 5-isothiazolyl group Groups such as sulfur-containing heteroaryl groups, 2-imidazolyl groups, 4-imidazolyl groups, 2-pyridyl groups, 3-pyridyl groups, 4-pyridyl groups, 2-pyrazyl groups, 3-pyrazyl groups, 5-pyrazyl groups, 6 -Pyrazyl group, 2-pyrimidyl group, 4-pyrimidyl group, 5-pyrimidyl group, 6-pyrimidyl group, 3-pyridazyl group, 4-pyridazyl group, 5-pyridazyl group, 6-pyridazyl group, 1,2,3- Triazin-4-yl group, 1,2,3-triazin-5-yl group, 1,2,4-triazin-3-yl group, 1,2,4-triazin-5-yl group, 1,2, 4-triazin-6-yl group, 1,3,5-triazin-2-yl group, 1,2,4,5-tetrazin-3-yl group, 1,2,3,4-tetrazin-5-yl Group, 2-quinolinyl group, 3-quinolinyl group, 4-quinolinyl group, 5-quinolinyl group, 6-quinolinyl group, 7-quinolinyl group, 8-quinolinyl group, 1-isoquinolinyl group, 3-isoquinolinyl group, 4-isoquinolinyl group Group, 5-isoquinolinyl group, 6-isoquinolinyl group, 7-isoquinolinyl group, 8-isoquinolinyl group, 2-quinoxanyl group, 5-quinoxanyl group, 6-quinoxanyl group, 2-quinazolinyl group, 4-quinazolinyl group, 5-quinazolinyl group Group, 6-quinazolinyl group, 7-quinazolinyl group, 8-quinazolinyl group, 3-cinnolinyl group, 4-cinnolinyl group, 5-cinnolinyl group, 6-cinnolinyl group, 7-cinnolinyl group, 8-cinnolinyl group, etc. Heteroaryl groups and the like can be mentioned.

炭素数1〜8のハロアルキル基の具体例としては、上記で例示したアルキル基のうちで炭素数1〜8のアルキル基の水素原子の少なくとも1つをハロゲン原子で置換した基等が挙げられる。なお、ハロゲン原子は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素原子のいずれでもよい。中でも、フルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。
フルオロアルキル基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
Specific examples of the haloalkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a group obtained by substituting at least one hydrogen atom of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms with a halogen atom among the alkyl groups exemplified above. The halogen atom may be any of chlorine, bromine, iodine and fluorine atom. Among them, a fluoroalkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is more preferable.
Specific examples of the fluoroalkyl group include those similar to the above.

炭素数1〜8のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、c−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキソキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。
炭素数6〜20のアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、1−アントリルオキシ基、2−アントリルオキシ基、9−アントリルオキシ基、1−フェナントリルオキシ基、2−フェナントリルオキシ基、3−フェナントリルオキシ基、4−フェナントリルオキシ基、9−フェナントリルオキシ基等が挙げられる。
Specific examples of the alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, c-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, s-butoxy group, Examples thereof include t-butoxy group, n-pentoxy group, n-hexoxy group, n-heptyloxy group and n-octyloxy group.
Specific examples of the aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 1-anthryloxy group, 2-anthryloxy group, 9-anthryloxy group. , 1-phenanthryloxy group, 2-phenanthryloxy group, 3-phenanthryloxy group, 4-phenanthryloxy group, 9-phenanthryloxy group and the like.

炭素数1〜20のアシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
炭素数1〜20のアシロキシ基の具体例としては、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
Specific examples of the acyl group having 1 to 20 carbon atoms include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, isovaleryl group and benzoyl group.
Specific examples of the acyloxy group having 1 to 20 carbon atoms include formyloxy group, acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, valeryloxy group, isovaleryloxy group and benzoyloxy group. ..

炭素数1〜8のアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、s−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基等が挙げられる。
炭素数6〜20のアリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、1−アントリルチオ基、2−アントリルチオ基、9−アントリルチオ基、1−フェナントリルチオ基、2−フェナントリルチオ基、3−フェナントリルチオ基、4−フェナントリルチオ基、9−フェナントリルチオ基等が挙げられる。
Specific examples of the alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, isopropylthio group, n-butylthio group, isobutylthio group, s-butylthio group, t-butylthio group, n- Examples include a pentylthio group, an n-hexylthio group, an n-heptylthio group, an n-octylthio group and the like.
Specific examples of the arylthio group having 6 to 20 carbon atoms include phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, 1-anthrylthio group, 2-anthrylthio group, 9-anthrylthio group, 1-phenanthrylthio group, 2 -Phenanthrylthio group, 3-phenanthrylthio group, 4-phenanthrylthio group, 9-phenanthrylthio group and the like.

ジ炭素数1〜8アルキルアミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジn−プロピルアミノ基、ジi−プロピルアミノ基、ジn-ブチルアミノ基、ジi−ブチルアミノ基、ジn−ペンチルアミノ基、ジn−ヘキシルアミノ基、ジn−ヘプチルアミノ基、ジn−オクチルアミノ基、メチルエチルアミノ基等が挙げられる。
ジ炭素数6〜20アリールアミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ基、1−ナフチルフェニルアミノ基、ジ(1−ナフチル)アミノ基、1−ナフチル−2−ナフチルアミノ基、ジ(2−ナフチル)アミノ基等が挙げられる。
Specific examples of the alkylamino group having 1 to 8 carbon atoms include a dimethylamino group, a diethylamino group, a di-n-propylamino group, a di-i-propylamino group, a di-n-butylamino group, a di-i-butylamino group, Examples thereof include a di-n-pentylamino group, a di-n-hexylamino group, a di-n-heptylamino group, a di-n-octylamino group and a methylethylamino group.
Specific examples of the C6-20 arylamino group include diphenylamino group, 1-naphthylphenylamino group, di(1-naphthyl)amino group, 1-naphthyl-2-naphthylamino group, di(2-naphthyl). ) Examples include amino groups.

上記Eとしては、15〜17族の元素の中でも、特に、O(酸素)、N(窒素)、P(リン)、S(硫黄)またはI(ヨウ素)が好ましく、特に、安定で取り扱いが容易なオニウムイオンを与えるS、I、N、Pがより好ましく、S、Iがより一層好ましい。対応するオニウムイオンは、オキソニウム、アンモニウム、ホスホニウム、スルホニウム、ヨードニウムである。 Among the elements of Groups 15 to 17, O is preferably O (oxygen), N (nitrogen), P (phosphorus), S (sulfur) or I (iodine) as the above E, and particularly stable and easy to handle. More preferred are S, I, N, and P, which give various onium ions, and even more preferred are S and I. Corresponding onium ions are oxonium, ammonium, phosphonium, sulfonium, iodonium.

上記(R′)n+1−E+で表されるオニウムイオンの具体例としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
オキソニウムイオンの具体例としては、トリメチルオキソニウム、ジエチルメチルオキソニウム、トリエチルオキソニウム、テトラメチレンメチルオキソニウム等のオキソニウム;4−メチルピリリニウム、2,4,6−トリメチルピリリニウム、2,6−ジ−t−ブチルピリリニウム、2,6−ジフェニルピリリニウム等のピリリニウム;2,4−ジメチルクロメニウム、1,3−ジメチルイソクロメニウム等のクロメニウムおよびイソクロメニウムなどが挙げられる。
Specific examples of the onium ion represented by the above (R′) n+1 −E + include, but are not limited to, the following.
Specific examples of the oxonium ion include oxonium such as trimethyloxonium, diethylmethyloxonium, triethyloxonium, and tetramethylenemethyloxonium; 4-methylpyrrinium, 2,4,6-trimethylpyrrinium, 2,6 Examples thereof include pyrinium such as -di-t-butylpyrrinium and 2,6-diphenylpyrrinium; and chromium and isochromen such as 2,4-dimethylchromenium and 1,3-dimethylisochromenium.

アンモニウムイオンの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、エチルトリメチルアンモニウム、ジエチルジメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム等のテトラアルキルアンモニウム;N,N−ジメチルピロリジニウム、N−エチル−N−メチルピロリジニウム、N,N−ジエチルピロリジニウム等のピロリジニウム;N,N’−ジメチルイミダゾリニウム、N,N’−ジエチルイミダゾリニウム、N−エチル−N’−メチルイミダゾリニウム、1,3,4−トリメチルイミダゾリニウム、1,2,3,4−テトラメチルイミダゾリニウム等のイミダゾリニウム;N,N’−ジメチルテトラヒドロピリミジニウム等のテトラヒドロピリミジニウム;N,N’−ジメチルモルホリニウム等のモルホリニウム;N,N’−ジエチルピペリジニウム等のピペリジニウム;N−メチルピリジニウム、N−ベンジルピリジニウム、N−フェナシルピリジウム等のピリジニウム;N,N’−ジメチルイミダゾリウム等のイミダゾリウム;N−メチルキノリウム、N−ベンジルキノリウム、N−フェナシルキノリウム等のキノリウム;N−メチルイソキノリウム等のイソキノリウム;ベンジルベンゾチアゾニウム、フェナシルベンゾチアゾニウム等のチアゾニウム;ベンジルアクリジウム、フェナシルアクリジウム等のアクリジウムなどが挙げられる。 Specific examples of the ammonium ion include tetraalkylammonium such as tetramethylammonium, ethyltrimethylammonium, diethyldimethylammonium, triethylmethylammonium and tetraethylammonium; N,N-dimethylpyrrolidinium, N-ethyl-N-methylpyrrolidinide. Pyrrolidinium such as N, N,N-diethylpyrrolidinium; N,N'-dimethylimidazolinium, N,N'-diethylimidazolinium, N-ethyl-N'-methylimidazolinium, 1,3,3 Imidazolinium such as 4-trimethylimidazolinium and 1,2,3,4-tetramethylimidazolinium; Tetrahydropyrimidinium such as N,N'-dimethyltetrahydropyrimidinium; N,N'-Dimethylmol Morpholinium such as folinium; Piperidinium such as N,N′-diethylpiperidinium; Pyridinium such as N-methylpyridinium, N-benzylpyridinium and N-phenacylpyridinium; Imidazo such as N,N′-dimethylimidazolium Lithium; quinolium such as N-methylquinolium, N-benzylquinolium and N-phenacylquinolium; isoquinolium such as N-methylisoquinolium; Examples thereof include acridium such as benzyl acridium and phenacyl acridium.

ホスホニウムイオンの具体例としては、テトラフェニルホスホニウム、テトラ−p−トリルホスホニウム、テトラキス(2−メトキシフェニル)ホスホニウム、テトラキス(3−メトキシフェニル)ホスホニウム、テトラキス(4−メトキシフェニル)ホスホニウム等のテトラアリールホスホニウム;トリフェニルベンジルホスホニウム、トリフェニルフェナシルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルブチルホスホニウム等のトリアリールホスホニウム;トリエチルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラヘキシルホスホニウム、トリエチルフェナシルホスホニウム、トリブチルフェナシルホスホニウム等のテトラアルキルホスホニウムなどが挙げられる。 Specific examples of the phosphonium ion include tetraphenylphosphonium, tetra-p-tolylphosphonium, tetrakis(2-methoxyphenyl)phosphonium, tetrakis(3-methoxyphenyl)phosphonium, tetrakis(4-methoxyphenyl)phosphonium, and the like. Triarylphosphonium such as triphenylbenzylphosphonium, triphenylphenacylphosphonium, triphenylmethylphosphonium, triphenylbutylphosphonium; triethylbenzylphosphonium, tributylbenzylphosphonium, tetraethylphosphonium, tetrabutylphosphonium, tetrahexylphosphonium, triethylphenacylphosphonium And tetraalkylphosphonium such as tributylphenacylphosphonium.

スルホニウムイオンの具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ−p−トリルスルホニウム、トリ−o−トリルスルホニウム、トリス(4−メトキシフェニル)スルホニウム、1−ナフチルジフェニルスルホニウム、2−ナフチルジフェニルスルホニウム、トリス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、トリ−1−ナフチルスルホニウム、トリ−2−ナフチルスルホニウム、トリス(4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、4−(p−トリルチオ)フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−(4−メトキシフェニルチオ)フェニルビス(4−メトキシフェニル)スルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルビス(4−メトキシフェニル)スルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジ−p−トリルスルホニウム、[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム、[4−(2−チオキサントニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ビス〔4−{ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]スルホニオ}フェニル〕スルフィド、ビス{4−[ビス(4−フルオロフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、ビス{4−[ビス(4−メトキシフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジ−p−トリルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジフェニルスルホニウム、2−[(ジ−p−トリル)スルホニオ]チオキサントン、2−[(ジフェニル)スルホニオ]チオキサントン、4−(9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イル)チオフェニル−9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イルフェニルスルホニウム、4−[4−(4−t−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−[4−(4−t−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジフェニルスルホニウム、4−[4−(ベンゾイルフェニルチオ)]フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−[4−(ベンゾイルフェニルチオ)]フェニルジフェニルスルホニウム、5−(4−メトキシフェニル)チアアンスレニウム、5−フェニルチアアンスレニウム、5−トリルチアアンスレニウム、5−(4−エトキシフェニル)チアアンスレニウム、5−(2,4,6−トリメチルフェニル)チアアンスレニウム等のトリアリールスルホニウム;ジフェニルフェナシルスルホニウム、ジフェニル4−ニトロフェナシルスルホニウム、ジフェニルベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム等のジアリールスルホニウム;フェニルメチルベンジルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、4−メトキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、4−アセトカルボニルオキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニル(2−ナフチルメチル)メチルスルホニウム、2−ナフチルメチルベンジルスルホニウム、2−ナフチルメチル(1−エトキシカルボニル)エチルスルホニウム、フェニルメチルフェナシルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、4−メトキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、4−アセトカルボニルオキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、2−ナフチルメチルフェナシルスルホニウム、2−ナフチルオクタデシルフェナシルスルホニウム、9−アントラセニルメチルフェナシルスルホニウム等のモノアリールスルホニウム;ジメチルフェナシルスルホニウム、フェナシルテトラヒドロチオフェニウム、ジメチルベンジルスルホニウム、ベンジルテトラヒドロチオフェニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム等のトリアルキルスルホニウムなどが挙げられる。 Specific examples of the sulfonium ion include triphenylsulfonium, tri-p-tolylsulfonium, tri-o-tolylsulfonium, tris(4-methoxyphenyl)sulfonium, 1-naphthyldiphenylsulfonium, 2-naphthyldiphenylsulfonium, tris(4 -Fluorophenyl)sulfonium, tri-1-naphthylsulfonium, tri-2-naphthylsulfonium, tris(4-hydroxyphenyl)sulfonium, 4-(phenylthio)phenyldiphenylsulfonium, 4-(p-tolylthio)phenyldi-p-tolyl Sulfonium, 4-(4-methoxyphenylthio)phenylbis(4-methoxyphenyl)sulfonium, 4-(phenylthio)phenylbis(4-fluorophenyl)sulfonium, 4-(phenylthio)phenylbis(4-methoxyphenyl)sulfonium , 4-(phenylthio)phenyldi-p-tolylsulfonium, [4-(4-biphenylylthio)phenyl]-4-biphenylylphenylsulfonium, [4-(2-thioxanthonylthio)phenyl]diphenylsulfonium, bis [4-(diphenylsulfonio)phenyl] sulfide, bis[4-{bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]sulfonio}phenyl]sulfide, bis{4-[bis(4-fluorophenyl)sulfonio]phenyl } Sulfide, bis{4-[bis(4-methylphenyl)sulfonio]phenyl}sulfide, bis{4-[bis(4-methoxyphenyl)sulfonio]phenyl}sulfide, 4-(4-benzoyl-2-chlorophenylthio ) Phenylbis(4-fluorophenyl)sulfonium, 4-(4-benzoyl-2-chlorophenylthio)phenyldiphenylsulfonium, 4-(4-benzoylphenylthio)phenylbis(4-fluorophenyl)sulfonium, 4-(4 -Benzoylphenylthio)phenyldiphenylsulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9,10-dihydroanthracen-2-yldi-p-tolylsulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9 , 10-Dihydroanthracen-2-yldiphenylsulfonium, 2-[(di-p-tolyl)sulfonio]thioxanthone, 2-[(diphenyl)sulfonio]thioxanthone, 4-(9-oxo-9H-thioxanthene-2- Il) thiophenyl- 9-oxo-9H-thioxanthen-2-ylphenylsulfonium, 4-[4-(4-t-butylbenzoyl)phenylthio]phenyldi-p-tolylsulfonium, 4-[4-(4-t-butylbenzoyl) Phenylthio]phenyldiphenylsulfonium, 4-[4-(benzoylphenylthio)]phenyldi-p-tolylsulfonium, 4-[4-(benzoylphenylthio)]phenyldiphenylsulfonium, 5-(4-methoxyphenyl)thiaanthrenium Triarylsulfonium such as 5-phenylthiaanthrenium, 5-tolylthiaanthrenium, 5-(4-ethoxyphenyl)thiaanthrenium, and 5-(2,4,6-trimethylphenyl)thiaanthrenium; diphenylphena Diarylsulfonium such as silsulfonium, diphenyl 4-nitrophenacylsulfonium, diphenylbenzylsulfonium, diphenylmethylsulfonium; phenylmethylbenzylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium, 4-methoxyphenylmethylbenzylsulfonium, 4-acetocarbonyloxyphenyl Methylbenzylsulfonium, 4-hydroxyphenyl(2-naphthylmethyl)methylsulfonium, 2-naphthylmethylbenzylsulfonium, 2-naphthylmethyl(1-ethoxycarbonyl)ethylsulfonium, phenylmethylphenacylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylphenacyl Mono, such as sulfonium, 4-methoxyphenylmethylphenacylsulfonium, 4-acetocarbonyloxyphenylmethylphenacylsulfonium, 2-naphthylmethylphenacylsulfonium, 2-naphthyloctadecylphenacylsulfonium, 9-anthracenylmethylphenacylsulfonium Arylsulfonium; trialkylsulfonium such as dimethylphenacylsulfonium, phenacyltetrahydrothiophenium, dimethylbenzylsulfonium, benzyltetrahydrothiophenium, octadecylmethylphenacylsulfonium, and the like.

ヨードニウムイオンの具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ジ−p−トリルヨードニウム、ビス(4−ドデシルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−メトキシフェニル)ヨードニウム、(4−オクチルオキシフェニル)フェニルヨードニウム、ビス(4−デシルオキシ)フェニルヨードニウム、4−(2−ヒドロキシテトラデシルオキシ)フェニルフェニルヨードニウム、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、4−イソブチルフェニル(p−トリル)ヨードニウム等が挙げられる。 Specific examples of the iodonium ion include diphenyliodonium, di-p-tolyliodonium, bis(4-dodecylphenyl)iodonium, bis(4-methoxyphenyl)iodonium, (4-octyloxyphenyl)phenyliodonium, and bis(4- Decyloxy)phenyliodonium, 4-(2-hydroxytetradecyloxy)phenylphenyliodonium, 4-isopropylphenyl(p-tolyl)iodonium, 4-isobutylphenyl(p-tolyl)iodonium and the like can be mentioned.

本発明において、上記オニウムボレート塩は、1種単独で用いても、2種以上組み合わせて用いてもよい。
また、必要に応じて公知のその他のオニウムボレート塩を併用してもよい。
なお、上記オニウムボレート塩は、例えば、特開2014−205624号公報等に記載された公知の方法で合成することができる。
In the present invention, the onium borate salts may be used alone or in combination of two or more.
Moreover, you may use together well-known other onium borate salt as needed.
The onium borate salt can be synthesized by a known method described in, for example, JP-A-2014-205624.

上記オニウムボレート塩は、電荷輸送性ワニスへの溶解を容易にするため、あらかじめ有機溶媒に溶かしておいてもよい。
このような有機溶媒としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、1,2−ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコールおよびその誘導体類;ジオキサン等の環式エーテル類;蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類などが挙げられ、これらは単独で用いても、2種以上組み合わせて用いてもよい。
有機溶媒を使用する場合、その使用割合は、上記オニウムボレート塩100質量部に対して、15〜1000質量部が好ましく、30〜500質量部がより好ましい。
The onium borate salt may be previously dissolved in an organic solvent in order to facilitate dissolution in the charge transporting varnish.
Examples of such an organic solvent include carbonates such as propylene carbonate, ethylene carbonate, 1,2-butylene carbonate, dimethyl carbonate and diethyl carbonate; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone and 2-heptanone; ethylene. Such as glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Polyhydric alcohols and their derivatives; cyclic ethers such as dioxane; ethyl formate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, Ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3 -Ethanols such as methoxybutyl acetate and 3-methyl-3-methoxybutyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and the like, which may be used alone or in combination of two or more kinds. Good.
When an organic solvent is used, its use ratio is preferably 15 to 1000 parts by mass, and more preferably 30 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the onium borate salt.

本発明で用いる電荷輸送性物質としては、特に限定されるものではなく、従来有機ELの分野等で公知のものから適宜選択して用いることができる。
その具体例としては、オリゴアニリン誘導体、N,N'−ジアリールベンジジン誘導体、N,N,N',N'−テトラアリールベンジジン誘導体等のアリールアミン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、チエノベンゾチオフェン誘導体等のチオフェン誘導体、オリゴピロール等のピロール誘導体などの各種正孔輸送性物質が挙げられるが、中でも、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体が好ましく、アリールアミン誘導体がより好ましく、式(1)または(2)で示されるアニリン誘導体がより一層好ましい。
The charge-transporting substance used in the present invention is not particularly limited, and can be appropriately selected and used from those conventionally known in the field of organic EL and the like.
Specific examples thereof include arylamine derivatives such as oligoaniline derivatives, N,N'-diarylbenzidine derivatives, N,N,N',N'-tetraarylbenzidine derivatives, oligothiophene derivatives, thienothiophene derivatives, thienobenzothiophene. Examples thereof include various hole-transporting substances such as thiophene derivatives such as derivatives and pyrrole derivatives such as oligopyrrole. Among them, arylamine derivatives and thiophene derivatives are preferable, arylamine derivatives are more preferable, and formula (1) or (2 ) An aniline derivative represented by

また、電荷輸送性物質の分子量も特に限定されるものではないが、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、200〜9,000が好ましく、耐溶剤性の高い電荷輸送性を得る観点から、300以上がより好ましく、400以上がより一層好ましく、平坦性の高い薄膜をより再現性よく与える均一なワニスを調製する観点から、8,000以下がより好ましく、7,000以下がより一層好ましく、6,000以下がさらに好ましく、5,000以下が最適である。
なお、薄膜化した場合に電荷輸送性物質が分離することを防ぐ観点から、電荷輸送性物質は分子量分布のない(分散度が1)ことが好ましい(すなわち、単一の分子量であることが好ましい)。
Further, the molecular weight of the charge transporting substance is not particularly limited, but from the viewpoint of preparing a uniform varnish that gives a thin film having high flatness, 200 to 9,000 is preferable, and the charge transporting property with high solvent resistance is high. From the viewpoint of preparing a uniform varnish which gives a highly flat thin film with high reproducibility, 8,000 or less is more preferable, and 8,000 or less is more preferable and 7,000 or less is more preferable. Is more preferable, 6,000 or less is more preferable, and 5,000 or less is most suitable.
From the viewpoint of preventing the charge-transporting substance from separating when it is made into a thin film, it is preferable that the charge-transporting substance does not have a molecular weight distribution (dispersion degree is 1) (that is, a single molecular weight is preferable. ).

Figure 0006717372
Figure 0006717372

式(2)中、R1およびR2は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、これらの具体例としては、上記式(c1)で説明した基と同様のものが挙げられる。In formula (2), R 1 and R 2 are independently of each other a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, which may be substituted with a halogen atom, It represents an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and specific examples thereof include the above formula (c1 ) And the same groups as those described above.

中でも、R1およびR2は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。Among them, R 1 and R 2 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a carbon atom having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom. Is preferred, and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom is preferable, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group or a halogen atom. A group and a phenyl group which may be substituted with a halogen atom are more preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group and a trifluoromethyl group are even more preferable, and a hydrogen atom is most suitable.

上記式(1)および(2)におけるPh1は、式(P1)で表される基を表す。Ph 1 in the above formulas (1) and (2) represents a group represented by the formula (P1).

Figure 0006717372
Figure 0006717372

ここで、R3〜R6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、これらの具体例としては、上記式(c1)で説明した基と同様のものが挙げられる。
特に、R3〜R6としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
Here, R 3 to R 6 are, independently of each other, a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, which may be substituted with a halogen atom, or 2 carbon atoms. To alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms or heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and specific examples thereof are described in the above formula (c1). The same groups as mentioned above can be mentioned.
In particular, R 3 to R 6 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a carbon atom having 6 atoms which may be substituted with a halogen atom. A 20-aryl group and a C2-C20 heteroaryl group which may be substituted with a halogen atom are preferred, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, and a C1-C10 optionally substituted with a halogen atom. An alkyl group and a phenyl group which may be substituted with a halogen atom are more preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group and a trifluoromethyl group are even more preferable, and a hydrogen atom is most suitable.

以下、Ph1として好適な基の具体例を挙げるが、これに限定されるわけではない。Specific examples of groups suitable as Ph 1 will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0006717372
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上記式(1)におけるAr1は、互いに独立して、式(B1)〜(B11)のいずれかで表される基を表すが、特に、式(B1′)〜(B11′)のいずれかで表される基が好ましい。Ar 1 in the above formula (1) independently represents a group represented by any of the formulas (B1) to (B11), and particularly, any one of the formulas (B1′) to (B11′). The group represented by is preferable.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

Figure 0006717372
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ここで、R7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R28およびR29は、互いに独立して、Z1で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基または炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R52は、水素原子、Z4で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはZ1で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ2で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ3で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z3は、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ3で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、これらハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基および炭素数2〜20のヘテロアリール基の具体例としては、上記式(c1)で説明した基と同様のものが挙げられる。Here, R 7 to R 27 , R 30 to R 51, and R 53 to R 154 may independently of each other be substituted with a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or a halogen atom, A diphenylamino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms; R 28 and R 29 each independently represent an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be substituted with Z 1 , and R 52 represents hydrogen. An atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, optionally substituted by Z 4 , an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, or optionally substituted by Z 1 . It represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and Z 1 has 1 to 20 carbon atoms, which may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or Z 2. Represents an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and Z 2 has a carbon number which may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or Z 3. represents a 6-20 aryl group or heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, Z 3 represents a halogen atom, a nitro group or a cyano group, Z 4 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or Z 5, Represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be substituted with, and Z 5 is substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or Z 3. May represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and these halogen atom, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 2 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkenyl group, the alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, the aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms are the same as those described in the above formula (c1). Are listed.

特に、R7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
また、R28およびR29としては、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14のヘテロアリール基が好ましく、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、Z1で置換されていてもよいフェニル基、Z1で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ナフチル基がより一層好ましい。
そして、R52としては、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14のヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14の含窒素ヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよいフェニル基、Z1で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ピリジル基、Z1で置換されていてもよい3−ピリジル基、Z1で置換されていてもよい4−ピリジル基、Z4で置換されていてもよいメチル基がさらに好ましい。
In particular, R 7 to R 27 , R 30 to R 51 and R 53 to R 154 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a diphenylamino group which may be substituted with a halogen atom, or a halogen atom. Preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by a halogen atom, and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by a halogen atom. , A hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, and a phenyl group which may be substituted with a halogen atom are more preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom and methyl. More preferred are groups and trifluoromethyl groups, with hydrogen atoms being most preferred.
As the R 28 and R 29, an aryl group Z 1 is carbon atoms and optionally 6-14 substituted with a heteroaryl group are carbon atoms and optionally from 2 to 14 substituted by Z 1 preferably, Z more preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms optionally substituted with 1, a phenyl group which may be substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 1-naphthyl group, substituted with Z 1 Even more preferred are 2-naphthyl groups.
Then, as R 52, a hydrogen atom, an aryl group of Z 1 is carbon atoms and optionally 6-20 substituted the heteroaryl group which may C2-20 optionally substituted by Z 1, in Z 4 alkyl group is preferably a substituted carbon atoms and optionally 1 to 20, a hydrogen atom, Z 1 in the optionally substituted aryl group having 6 to 14 carbon atoms, Z 1 carbon atoms which may be substituted by 2 To 14 heteroaryl groups, more preferably alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms that may be substituted with Z 4 , hydrogen atom, aryl groups having 6 to 14 carbon atoms that may be substituted with Z 1 , and Z even more preferably an alkyl group which may having 1 to 10 carbon atoms optionally substituted nitrogen-containing heteroaryl group which carbon atoms and optionally from 2 to 14 substituted by Z 4 in 1, hydrogen atom is substituted with Z 1 Optionally substituted phenyl group, 1 -naphthyl group optionally substituted with Z 1 , 2-naphthyl group optionally substituted with Z 1 , 2-pyridyl group optionally substituted with Z 1 , Z A 3-pyridyl group optionally substituted with 1 , a 4-pyridyl group optionally substituted with Z 1 , and a methyl group optionally substituted with Z 4 are more preferable.

また、Ar4は、互いに独立して、ジ炭素数6〜20のアリールアミノ基で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表す。
炭素数6〜20のアリール基、ジ炭素数6〜20のアリールアミノ基の具体例としては、式(c1)で説明した基と同様のものが挙げられる。
Ar4としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基、p−(1−ナフチルフェニルアミノ)フェニル基、p−(ジ(1−ナフチル)アミノ)フェニル基、p−(1−ナフチル−2−ナフチルアミノ)フェニル基、p−(ジ(2−ナフチル)アミノ)フェニル基が好ましく、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基がより好ましい。
Ar 4 independently represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an arylamino group having 6 to 20 carbon atoms.
Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms and the arylamino group having 6 to 20 carbon atoms include the same groups as those described for the formula (c1).
As Ar 4 , phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4- Phenanthryl group, 9-phenanthryl group, p-(diphenylamino)phenyl group, p-(1-naphthylphenylamino)phenyl group, p-(di(1-naphthyl)amino)phenyl group, p-(1-naphthyl- A 2-naphthylamino)phenyl group and a p-(di(2-naphthyl)amino)phenyl group are preferable, and a p-(diphenylamino)phenyl group is more preferable.

以下、Ar1として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。Specific examples of groups suitable as Ar 1 will be shown below, but the invention is not limited thereto.

Figure 0006717372
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Figure 0006717372
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Figure 0006717372
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(式中、R52は、上記と同じ意味を表す。)
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(In the formula, R 52 has the same meaning as above.)

Figure 0006717372
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上記式(1)におけるAr2は、互いに独立して、式(A1)〜(A18)のいずれかで表される基を表す。Ar 2 in the above formula (1) independently represents a group represented by any of the formulas (A1) to (A18).

Figure 0006717372
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ここで、式中、R155は、水素原子、Z4で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはZ1で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R156およびR157は、互いに独立して、Z1で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基または炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、DPAは、ジフェニルアミノ基を表し、Ar4、Z1,Z4は上記と同じ意味を表す。これらハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基および炭素数2〜20のヘテロアリール基の具体例としては、上記式(c1)で説明した基と同様のものが挙げられる。Here, in the formula, R 155 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be substituted with Z 4 . Or, it represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be substituted with Z 1 , wherein R 156 and R 157 are independently substituted with Z 1. Which may be present, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, DPA represents a diphenylamino group, and Ar 4 , Z 1 and Z 4 have the same meanings as described above. Of these halogen atoms, alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl groups having 2 to 20 carbon atoms, aryl groups having 6 to 20 carbon atoms and heteroaryl groups having 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include the same groups as those described in the above formula (c1).

特に、R155としては、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14のヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14の含窒素ヘテロアリール基、Z4で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Z1で置換されていてもよいフェニル基、Z1で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ピリジル基、Z1で置換されていてもよい3−ピリジル基、Z1で置換されていてもよい4−ピリジル基、Z4で置換されていてもよいメチル基がさらに好ましい。
また、R156およびR157としては、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜14のヘテロアリール基が好ましく、Z1で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、Z1で置換されていてもよいフェニル基、Z1で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z1で置換されていてもよい2−ナフチル基がより一層好ましい。
Particularly, as the R 155, a hydrogen atom, an aryl group of Z 1 is carbon atoms and optionally 6-20 substituted the heteroaryl group which may C2-20 optionally substituted by Z 1, in Z 4 alkyl group is preferably a substituted carbon atoms and optionally 1 to 20, a hydrogen atom, Z 1 in the optionally substituted aryl group having 6 to 14 carbon atoms, Z 1 carbon atoms which may be substituted by 2 To 14 heteroaryl groups, more preferably alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms that may be substituted with Z 4 , hydrogen atom, aryl groups having 6 to 14 carbon atoms that may be substituted with Z 1 , and Z even more preferably an alkyl group which may having 1 to 10 carbon atoms optionally substituted nitrogen-containing heteroaryl group which carbon atoms and optionally from 2 to 14 substituted by Z 4 in 1, hydrogen atom is substituted with Z 1 Optionally substituted phenyl group, 1 -naphthyl group optionally substituted with Z 1 , 2-naphthyl group optionally substituted with Z 1 , 2-pyridyl group optionally substituted with Z 1 , Z A 3-pyridyl group optionally substituted with 1 , a 4-pyridyl group optionally substituted with Z 1 , and a methyl group optionally substituted with Z 4 are more preferable.
As the R 156 and R 157, an aryl group Z 1 is carbon atoms and optionally 6-14 substituted with a heteroaryl group are carbon atoms and optionally from 2 to 14 substituted by Z 1 preferably, Z more preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms optionally substituted with 1, a phenyl group which may be substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 1-naphthyl group, substituted with Z 1 Even more preferred are 2-naphthyl groups.

以下、Ar2として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。Specific examples of groups suitable as Ar 2 will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0006717372
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Figure 0006717372
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Figure 0006717372
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Figure 0006717372
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Figure 0006717372
(式中、R155は、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, R 155 has the same meaning as above.)

Figure 0006717372
Figure 0006717372

なお、式(1)においては、得られるアニリン誘導体の合成の容易性を考慮すると、Ar1が全て同一の基であり、Ar2が全て同一の基であることが好ましく、Ar1およびAr2が全て同一の基であることがより好ましい。すなわち、式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(1−1)で表されるアニリン誘導体がより好ましい。
また、後述するように原料化合物として比較的安価なビス(4−アミノフェニル)アミンを用いて比較的簡便に合成できるとともに、有機溶媒に対する溶解性に優れていることからも、式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(1−1)で表されるアニリン誘導体が好ましい。
In the formula (1), in view of the ease of synthesis of the resulting aniline derivative, Ar 1 are all the same group, it is preferable that all of Ar 2 are identical groups, Ar 1 and Ar 2 It is more preferable that all are the same groups. That is, the aniline derivative represented by the formula (1) is more preferably the aniline derivative represented by the formula (1-1).
In addition, as will be described later, since it can be synthesized relatively easily using relatively inexpensive bis(4-aminophenyl)amine as a raw material compound and has excellent solubility in an organic solvent, the formula (1) The aniline derivative represented is preferably an aniline derivative represented by the formula (1-1).

Figure 0006717372
Figure 0006717372

式(1−1)中、Ph1およびkは上記と同じ意味を表し、Ar5は、同時に、式(D1)〜(D13)のいずれかで表される基を表すが、特に、式(D1′)〜(D13′)のいずれかで表される基であることが好ましい。
なお、Ar5の具体例としては、Ar1として好適な基の具体例として上述したものと同様のものが挙げられる。
In formula (1-1), Ph 1 and k have the same meanings as described above, and Ar 5 at the same time represents a group represented by any of formulas (D1) to (D13). It is preferably a group represented by any of D1') to (D13').
Specific examples of Ar 5 include the same groups as those described above as specific examples of groups suitable as Ar 1 .

Figure 0006717372
(式中、R28、R29、R52、Ar4およびDPAは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, R 28 , R 29 , R 52 , Ar 4 and DPA have the same meanings as described above.)

Figure 0006717372
(式中、R28、R29、R52、Ar4およびDPAは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, R 28 , R 29 , R 52 , Ar 4 and DPA have the same meanings as described above.)

また、後述するように原料化合物として比較的安価なビス(4−アミノフェニル)アミンを用いて比較的簡便に合成できるとともに、得られるアニリン誘導体の有機溶媒に対する溶解性に優れていることから、式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(1−2)で表されるアニリン誘導体が好ましい。 Further, as will be described later, it can be synthesized relatively easily using a relatively inexpensive bis(4-aminophenyl)amine as a raw material compound, and the obtained aniline derivative has excellent solubility in an organic solvent. The aniline derivative represented by (1) is preferably the aniline derivative represented by the formula (1-2).

Figure 0006717372
Figure 0006717372

上記Ar6は、同時に、式(E1)〜(E14)のいずれかで表される基を表す。The above Ar 6 simultaneously represents a group represented by any one of formulas (E1) to (E14).

Figure 0006717372
(式中、R52は、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, R 52 has the same meaning as above.)

上記式(2)におけるAr3は、式(C1)〜(C8)のいずれかで表される基を表すが、特に(C1′)〜(C8′)のいずれかで表される基が好ましい。Ar 3 in the above formula (2) represents a group represented by any of the formulas (C1) to (C8), and particularly preferably a group represented by any of (C1′) to (C8′). ..

Figure 0006717372
Figure 0006717372

Figure 0006717372
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上記式(1)におけるkは、1〜10の整数を表すが、化合物の有機溶媒への溶解性を高める観点から、1〜5が好ましく、1〜3がより好ましく、1または2がより一層好ましく、1が最適である。
上記式(2)におけるlは、1または2を表す。
K in the above formula (1) represents an integer of 1 to 10, but from the viewpoint of increasing the solubility of the compound in an organic solvent, 1 to 5 is preferable, 1 to 3 is more preferable, and 1 or 2 is even more preferable. Preferably, 1 is optimum.
L in the above formula (2) represents 1 or 2.

なお、R28、R29、R52およびR155〜R157において、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z2で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜10のアルケニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜10のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z2で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Z2で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基がより一層好ましい。In addition, in R 28 , R 29 , R 52 and R 155 to R 157 , Z 1 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 2 , Z is an alkenyl group having a carbon number of 2 to 10 even if, alkynyl group which may C2-10 optionally substituted by Z 2 preferably substituted by 2, halogen atom, nitro group, cyano group, substituted with Z 2 which may be an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, Z 2 in which may be substituted an alkenyl group having a carbon number of 2-3, an alkynyl group having carbon atoms which may be have 2-3 substituted with Z 2 more preferably, a fluorine atom, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-3 substituted with Z 2, Z 2 substituted by carbon atoms and optionally 2-3 alkenyl group, optionally substituted by Z 2 Even more preferred are good alkynyl groups having 2 to 3 carbon atoms.

28、R29、R52およびR155〜R157において、Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Z5で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、Z5で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。In R 28 , R 29 , R 52, and R 155 to R 157 , Z 4 is preferably a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 5 , and is preferably halogen. An atom, a nitro group, a cyano group, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 5 are more preferable, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with fluorine atom and Z 5 are It is even more preferable, and a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom or Z 5 is further preferable.

28、R29、R52およびR155〜R157において、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、Z3で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。In R 28, R 29, R 52 and R 155 ~R 157, Z 2 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, Z 3 optionally substituted good having 6 to 14 carbon atoms an aryl group preferably a halogen atom , A nitro group, a cyano group and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3 are more preferable, and a fluorine atom and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3 are more preferable. More preferred is a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom or Z 3 , and further preferred.

28、R29、R52およびR155〜R157において、Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜10のアルケニル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜10のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基がより一層好ましい。In R 28, R 29, R 52 and R 155 ~R 157, Z 5 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, Z 3 optionally substituted by an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, with Z 3 An alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms which may be substituted and an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3 are preferable, and substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group or Z 3. an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms which can, Z 3-substituted carbon atoms and optionally 2-3 alkenyl group, Z 3 and more preferably an alkynyl group having carbon atoms which may 2-3 optionally substituted by , a fluorine atom, Z 3 in the optionally substituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, Z 3-substituted carbon atoms and optionally 2-3 alkenyl group, optionally substituted by Z 3 carbon The alkynyl group of the number 2 to 3 is even more preferable.

28、R29、R52およびR155〜R157において、Z3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。In R 28 , R 29 , R 52 and R 155 to R 157 , Z 3 is preferably a halogen atom, and more preferably a fluorine atom.

一方、R7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154において、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z2で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、Z2で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、Z2で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。On the other hand, in R 7 to R 27 , R 30 to R 51, and R 53 to R 154 , Z 1 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with Z 2. group, an alkenyl group carbon atoms which may be have 2-3 substituted with Z 2, an alkynyl group having a carbon number of 2-3 is preferable optionally substituted by Z 2, a halogen atom, optionally substituted by Z 2 A C1-C3 alkyl group is more preferable, and a fluorine atom or a methyl group optionally substituted with Z 2 is even more preferable.

7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154において、Z4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、Z5で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Z5で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。In R 7 to R 27 , R 30 to R 51, and R 53 to R 154 , Z 4 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 5. Of these, a halogen atom and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 5 are more preferable, and a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom and Z 5 are even more preferable.

7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154において、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Z3で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。In R 7 to R 27 , R 30 to R 51, and R 53 to R 154 , Z 2 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3. Of these, a halogen atom and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3 are more preferable, and a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom and Z 3 are even more preferable.

7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154において、Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルケニル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜3のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、Z3で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。In R 7 to R 27 , R 30 to R 51 and R 53 to R 154 , Z 5 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with Z 3 . Z 3 in which may be substituted an alkenyl group having a carbon number of 2-3, an alkynyl group having a carbon number of 2-3 is preferable optionally substituted by Z 3, halogen atom, optionally substituted by Z 3 An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and a methyl group optionally substituted with a fluorine atom or Z 3 is even more preferable.

7〜R27、R30〜R51およびR53〜R154において、Z3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。In R 7 to R 27 , R 30 to R 51, and R 53 to R 154 , Z 3 is preferably a halogen atom, and more preferably a fluorine atom.

上記R52およびR155として好適な基の具体例としては、以下の基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。Specific examples of the groups suitable as R 52 and R 155 include the following groups, but are not limited thereto.

Figure 0006717372
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上記アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは10以下であり、より好ましくは6以下であり、より一層好ましくは4以下である。
また、上記アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは14以下であり、より好ましくは10以下であり、より一層好ましくは6以下である。
The alkyl group, alkenyl group and alkynyl group preferably have 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less carbon atoms, and even more preferably 4 or less carbon atoms.
The aryl group and the heteroaryl group preferably have 14 or less carbon atoms, more preferably 10 or less carbon atoms, and even more preferably 6 or less carbon atoms.

上記式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(3)で表されるアミン化合物と、式(4)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。 The aniline derivative represented by the above formula (1) can be produced by reacting the amine compound represented by the formula (3) with the aryl compound represented by the formula (4) in the presence of a catalyst.

Figure 0006717372
(式中、Xは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ar1、Ar2、Ph1およびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, X represents a halogen atom or a pseudohalogen group, and Ar 1 , Ar 2 , Ph 1 and k have the same meanings as described above.)

特に、式(1−1)で表されるアニリン誘導体は、式(5)で表されるアミン化合物と、式(6)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。 In particular, the aniline derivative represented by the formula (1-1) can be produced by reacting the amine compound represented by the formula (5) with the aryl compound represented by the formula (6) in the presence of a catalyst. ..

Figure 0006717372
(式中、X、Ar5、Ph1およびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, X, Ar 5 , Ph 1 and k have the same meanings as described above.)

また、式(1−2)で表されるアニリン誘導体は、ビス(4−アミノフェニル)アミンと、式(7)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。 Further, the aniline derivative represented by the formula (1-2) can be produced by reacting bis(4-aminophenyl)amine with the aryl compound represented by the formula (7) in the presence of a catalyst.

Figure 0006717372
(式中、XおよびAr6は、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, X and Ar 6 have the same meanings as described above.)

一方、上記式(2)で表されるアニリン誘導体は、式(8)で表されるアミン化合物と、式(9)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。 On the other hand, the aniline derivative represented by the above formula (2) can be produced by reacting the amine compound represented by the formula (8) with the aryl compound represented by the formula (9) in the presence of a catalyst.

Figure 0006717372
(式中、X、R1、R2、Ar3、Ph1およびlは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 0006717372
(In the formula, X, R 1 , R 2 , Ar 3 , Ph 1 and l have the same meanings as described above.)

ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の(フルオロ)アルキルスルホニルオキシ基;ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
Examples of the halogen atom are the same as those mentioned above.
Pseudohalogen groups include (fluoro)alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy group, trifluoromethanesulfonyloxy group, nonafluorobutanesulfonyloxy group; aromatic sulfonyloxy groups such as benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group, etc. Are listed.

式(3)、(5)もしくは(8)で表されるアミン化合物またはビス(4−アミノフェニル)アミンと、式(4)、(6)、(7)または(9)で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物またはビス(4−アミノフェニル)アミンの全NH基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、1〜1.2当量程度が好適である。 An amine compound represented by formula (3), (5) or (8) or bis(4-aminophenyl)amine, and an aryl represented by formula (4), (6), (7) or (9) The charge ratio of the compound to the compound may be equal to or more than the amount of the aryl compound with respect to the amount of all NH groups of the amine compound or bis(4-aminophenyl)amine, but is preferably about 1 to 1.2 equivalents. is there.

上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒;Pd(PPh34(テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム)、Pd(PPh32Cl2(ビス(トリフェニルフォスフィン)ジクロロパラジウム)、Pd(dba)2(ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム)、Pd2(dba)3(トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム)、Pd(P−t−Bu32(ビス(トリ(t−ブチルフォスフィン))パラジウム)、Pd(OAc)2(酢酸パラジウム)等のパラジウム触媒などが挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
このような配位子としては、トリフェニルフォスフィン、トリ−o−トリルフォスフィン、ジフェニルメチルフォスフィン、フェニルジメチルフォスフィン、トリメチルフォスフィン、トリエチルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ−tert−ブチルフォスフィン、ジ−t−ブチル(フェニル)フォスフィン、ジ−tert−ブチル(4−ジメチルアミノフェニル)フォスフィン、1,2−ビス(ジフェニルフォスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジフェニルフォスフィノ)ブタン、1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン等の3級フォスフィン、トリメチルフォスファイト、トリエチルフォスファイト、トリフェニルフォスファイト等の3級フォスファイトなどが挙げられる。
Examples of the catalyst used in the above reaction include copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, copper iodide; Pd(PPh 3 ) 4 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium), Pd(PPh 3 ) 2 Cl 2 (bis(triphenylphosphine)dichloropalladium), Pd(dba) 2 (bis(dibenzylideneacetone)palladium), Pd 2 (dba) 3 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium), Pd(Pt) Examples thereof include palladium catalysts such as —Bu 3 ) 2 (bis(tri(t-butylphosphine))palladium) and Pd(OAc) 2 (palladium acetate). These catalysts may be used alone or in combination of two or more. Further, these catalysts may be used together with a known appropriate ligand.
Examples of such a ligand include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri-tert-butylphosphine. Fin, di-t-butyl(phenyl)phosphine, di-tert-butyl(4-dimethylaminophenyl)phosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, Tertiary phosphines such as 1,4-bis(diphenylphosphino)butane and 1,1′-bis(diphenylphosphino)ferrocene, and tertiary phosphites such as trimethylphosphite, triethylphosphite and triphenylphosphite are available. Can be mentioned.

触媒の使用量は、式(4)、(6)、(7)または(9)で表されるアリール化合物1molに対して、0.2mol程度とすることができるが、0.15mol程度が好適である。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し0.1〜5当量とすることができるが、1〜2当量が好適である。
The amount of the catalyst used can be set to about 0.2 mol, preferably about 0.15 mol, relative to 1 mol of the aryl compound represented by the formula (4), (6), (7) or (9). Is.
Further, when a ligand is used, the amount thereof used can be 0.1 to 5 equivalents with respect to the metal complex used, but 1 to 2 equivalents is preferable.

原料化合物が全て固体である場合あるいは目的とするアニリン誘導体を効率よく得る観点から、上記各反応は溶媒中で行う。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素類(ペンタン、n−ヘキサン、n−オクタン、n−デカン、デカリン等)、ハロゲン化脂肪族炭化水素類(クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、メシチレン等)、ハロゲン化芳香族炭化水素類(クロロベンゼン、ブロモベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、p−ジクロロベンゼン等)、エーテル類(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、1,2−ジエトキシエタン等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−n−ブチルケトン、シクロヘキサノン等)、アミド類(N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等)、ラクタムおよびラクトン類(N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等)、尿素類(N,N−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシド、スルホラン等)、ニトリル類(アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等)などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。 Each of the above reactions is carried out in a solvent when all the raw material compounds are solid or from the viewpoint of efficiently obtaining the desired aniline derivative. When a solvent is used, its type is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction. As specific examples, aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic Group hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl ether, t-butyl methyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, Methyl isobutyl ketone, di-n-butyl ketone, cyclohexanone, etc.), amides (N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, etc.), lactams and lactones (N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, etc.), urea (N,N-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, etc.), sulfoxides (dimethyl sulfoxide, sulfolane, etc.), nitrites (acetonitrile, propionitrile, butyronitrile, etc.), etc., and these solvents are used alone. They may be used or two or more kinds may be mixed and used.

反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、0〜200℃程度が好ましく、20〜150℃がより好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするアニリン誘導体を得ることができる。
The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent used, but is preferably about 0 to 200°C, more preferably 20 to 150°C.
After the completion of the reaction, the desired aniline derivative can be obtained by post-treatment according to a conventional method.

上述の式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法において、原料として用い得る式(3’)で表されるアミン化合物は、式(10)で表されるアミン化合物と、式(11)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて効率よく製造することができる。 In the method for producing the aniline derivative represented by the above formula (1), the amine compound represented by the formula (3′) that can be used as a raw material is the amine compound represented by the formula (10) and the formula (11). The aryl compound represented by can be efficiently produced by reacting with an aryl compound in the presence of a catalyst.

Figure 0006717372
(式中、X、Ar1、Ph1およびkは、上記と同じ意味を表す。ただし、2つのAr1が同時に式(B1)で表される基となることはない。)
Figure 0006717372
(In the formula, X, Ar 1 , Ph 1 and k have the same meanings as described above. However, two Ar 1 's are not a group represented by the formula (B1) at the same time.)

式(3’)で表されるアミン化合物の上記製造方法は、式(10)で表されるアミン化合物と、式(11)で表されるアリール化合物とをカップリング反応させるものであるが、式(10)で表されるアミン化合物と、式(11)で表されるアリール化合物との仕込みは、物質量比で、アミン化合物1に対して、アリール化合物2〜2.4程度が好適である。
その他、当該カップリング反応における触媒、配位子、溶媒、反応温度等に関する諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同じである。
In the above-mentioned method for producing the amine compound represented by the formula (3′), the amine compound represented by the formula (10) and the aryl compound represented by the formula (11) are subjected to a coupling reaction. Regarding the charging of the amine compound represented by the formula (10) and the aryl compound represented by the formula (11), the aryl compound is preferably about 2 to 2.4 with respect to the amine compound 1 in terms of the substance amount ratio. is there.
In addition, various conditions regarding the catalyst, the ligand, the solvent, the reaction temperature, and the like in the coupling reaction are the same as the above-described conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1).

なお、式(1)において、Ar1が、R52が水素原子である式(B4)で表される基または式(B10)で表される基であるか、あるいは、Ar2が、式(A12)で表される基またはR155(式(1−1)におけるR52を含む。)が水素原子である式(A16)で表される基であるアニリン誘導体を製造する場合、上述の反応においては、アミノ基上に公知の保護基を有するアリール化合物を用いてもよい。In the formula (1), Ar 1 is a group represented by the formula (B4) or a group represented by the formula (B10) in which R 52 is a hydrogen atom, or Ar 2 is a group represented by the formula (B4). In the case of producing an aniline derivative which is a group represented by A12) or a group represented by Formula (A16) in which R 155 (including R 52 in Formula (1-1)) is a hydrogen atom, the above reaction In, an aryl compound having a known protecting group on the amino group may be used.

以下、式(1)または(2)で表されるアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。なお、式および表中、「Me」はメチル基を、「Et」はエチル基を、「Prn」はn−プロピル基を、「Pri」はi−プロピル基を、「Bun」はn−ブチル基を、「Bui」はi−ブチル基を、「Bus」はs−ブチル基を、「But」はt−ブチル基を、「DPA」はジフェニルアミノ基を、「SBF」は9,9’−スピロビ[9H−フルオレン]−2−イル基を、それぞれ示す。Specific examples of the aniline derivative represented by the formula (1) or (2) are shown below, but the invention is not limited thereto. In the formulas and tables, "Me" represents a methyl group, "Et" represents an ethyl group, a "Pr n" is n- propyl group, "Pr i" is i- propyl group, "Bu n" is the n- butyl group, "Bu i" is i- butyl group, "Bu s" is s- butyl group, "Bu t" is t- butyl group, "DPA" refers diphenylamino group, "SBF "Represents a 9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-yl group, respectively.

Figure 0006717372
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本発明において、上記オニウムボレート塩と、電荷輸送性物質との比率は、物質量(モル)比で、電荷輸送性物質:オニウムボレート塩=1:0.1〜10程度とすることができる。 In the present invention, the ratio of the onium borate salt to the charge transporting substance may be a charge transporting substance:onium borate salt=1:0.1 to 10 in terms of a substance amount (molar ratio).

電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質およびオニウムボレート塩を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
このような高溶解性溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は1種単独で、または2種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して5〜100質量%とすることができる。
As the organic solvent used when preparing the charge-transporting varnish, a highly soluble solvent capable of favorably dissolving the charge-transporting substance and the onium borate salt can be used.
Examples of such a highly soluble solvent include cyclohexanone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, and diethylene glycol monomethyl ether. Organic solvents are included, but are not limited to. These solvents can be used alone or in combination of two or more, and the amount thereof used can be 5 to 100 mass% with respect to the entire solvent used in the varnish.

また、本発明においては、ワニスに、25℃で10〜200mPa・s、特に35〜150mPa・sの粘度を有し、常圧(大気圧)で沸点50〜300℃、特に150〜250℃の高粘度有機溶媒を少なくとも1種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
高粘度有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、1,3−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよい。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、5〜90質量%が好ましい。
Further, in the present invention, the varnish has a viscosity of 10 to 200 mPa·s at 25° C., especially 35 to 150 mPa·s, and a boiling point of 50 to 300° C., particularly 150 to 250° C. at normal pressure (atmospheric pressure). By containing at least one high-viscosity organic solvent, it becomes easy to adjust the viscosity of the varnish, and as a result, it becomes possible to prepare a varnish according to the coating method, which gives a thin film having high flatness with good reproducibility.
Examples of the high-viscosity organic solvent include cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butanediol, Examples thereof include 2,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, and hexylene glycol, but are not limited thereto. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
The addition ratio of the high-viscosity organic solvent to the entire solvent used in the varnish of the present invention is preferably within a range in which solid does not precipitate, and the addition ratio is preferably 5 to 90 mass% as long as solid does not precipitate.

さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して1〜90質量%、好ましくは1〜50質量%の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、n−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は1種単独で、または2種以上混合して用いることができる。
Further, for the purpose of improving the wettability with respect to the substrate, adjusting the surface tension of the solvent, adjusting the polarity, adjusting the boiling point, etc., other solvents are used in an amount of 1 to 90% by mass, preferably 1 to 90% by mass, based on the whole solvent used for the varnish. It is also possible to mix at a ratio of 1 to 50% by mass.
Examples of such a solvent include propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol. Examples thereof include, but are not limited to, monoethyl ether, diacetone alcohol, γ-butyrolactone, ethyl lactate, and n-hexyl acetate. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

また、本発明の電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含んでいてもよい。有機シラン化合物が含まれることで、ワニスから得られる薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いた場合において、正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることができる。
この有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物またはテトラアルコキシシラン化合物が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明においては、有機シラン化合物は、ジアルコキシシラン化合物およびトリアルコキシシラン化合物から選ばれる1種を含むことが好ましく、トリアルコキシシラン化合物を含むことがより好ましく、フッ素原子含有トリアルコキシシラン化合物を含むことがより一層好ましい。
The charge-transporting varnish of the present invention may contain an organic silane compound. When the thin film obtained from the varnish is used as the hole injecting layer of the organic EL device by including the organic silane compound, the hole injecting layer should be in contact with the hole injecting layer on the side opposite to the anode such as the hole transporting layer or the light emitting layer. It is possible to enhance the hole injecting ability into the layer laminated on the.
Examples of the organosilane compound include dialkoxysilane compounds, trialkoxysilane compounds, and tetraalkoxysilane compounds, and these may be used alone or in combination of two or more kinds.
In the present invention, the organosilane compound preferably contains one kind selected from a dialkoxysilane compound and a trialkoxysilane compound, more preferably contains a trialkoxysilane compound, and contains a fluorine atom-containing trialkoxysilane compound. It is even more preferable.

これらのアルコキシシラン化合物としては、例えば、式(S1)〜(S3)で示されるものが挙げられる。
Si(OR)4 (S1)
SiR′(OR)3 (S2)
Si(R′)2(OR)2 (S3)
Examples of these alkoxysilane compounds include those represented by the formulas (S1) to (S3).
Si(OR) 4 (S1)
SiR'(OR) 3 (S2)
Si(R') 2 (OR) 2 (S3)

式中、Rは、互いに独立して、Z6で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z6で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z6で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z7で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、またはZ7で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R′は、互いに独立して、Z8で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z8で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z8で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z9で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、またはZ9で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。In the formula, R independently of one another, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-20 substituted with Z 6, an alkenyl group optionally having 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 6, with Z 6 an optionally substituted alkynyl group having a carbon number of 2 to 20, Z 7-substituted having 6 to 20 carbon atoms which may have an aryl group or a heteroaryl good 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 7, represents an aryl group, R 'independently of one another, Z 8 alkyl group carbon atoms which may be have 1 to 20 substituted by an alkenyl group which may C2-20 optionally substituted by Z 8, alkynyl group optionally 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 8, which may be substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms in Z 9 or Z 9 carbon atoms, which may be substituted by 2, Represents 20 heteroaryl groups.

6は、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、またはZ10で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z7は、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、またはZ10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基を表す。Z 6 represents a halogen atom, represents a heteroaryl group Z 10 in which may be substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or optionally 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 10,, Z 7 is a halogen atom, may be substituted with Z 10 in the optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group which may C2-20 optionally substituted by Z 10 or Z 10, It represents an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms.

8は、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基(−NHCONH2)、チオール基、イソシアネート基(−NCO)、アミノ基、−NHY1基、または−NY23基を表し、Z9は、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基(−NHCONH2)、チオール基、イソシアネート基(−NCO)、アミノ基、−NHY1基、または−NY23基を表し、Y1〜Y3は、互いに独立して、Z10で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z10で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z10で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、またはZ10で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。
10は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基またはチオール基を表す。
Z 8 represents a halogen atom, Z 10-substituted having 6 to 20 carbon atoms which may have an aryl group, a heteroaryl group which may C2-20 optionally substituted by Z 10, epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group , A methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group (-NHCONH 2 ), a thiol group, an isocyanate group (-NCO), an amino group, a -NHY 1 group, or a -NY 2 Y 3 group, Z 9 is a halogen atom, alkyl group carbon atoms which may be have 1-20 replaced by Z 10, Z 10 in which may be substituted an alkenyl group having a carbon number of 2 to 20, carbon atoms which may be substituted with Z 10 2-20 alkynyl group, an epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group (-NHCONH 2), thiol group, isocyanate group (-NCO), amino group, -NHY 1 group, or -NY 2 Y 3 group the stands, Y 1 to Y 3, independently of one another, Z 10 in the optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group which may C2-20 optionally substituted by Z 10 , Z 10 in optionally substituted alkynyl group having a carbon number of 2 to 20, Z 10-substituted having 6 to 20 carbon atoms which may have an aryl group or Z 10 carbon atoms which may be substituted by 2, ~ 20 heteroaryl groups.
Z 10 represents a halogen atom, an amino group, a nitro group, a cyano group or a thiol group.

式(S1)〜(S3)における、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基、および炭素数2〜20のヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
RおよびR′において、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは10以下であり、より好ましくは6以下であり、より一層好ましくは4以下である。
また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは14以下であり、より好ましくは10以下であり、より一層好ましくは6以下である。
In the formulas (S1) to (S3), a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and Examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include the same ones as described above.
In R and R′, the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group preferably have 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less carbon atoms, and even more preferably 4 or less carbon atoms.
The aryl group and the heteroaryl group preferably have 14 or less carbon atoms, more preferably 10 or less carbon atoms, and even more preferably 6 or less carbon atoms.

Rとしては、Z6で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基もしくは炭素数2〜20のアルケニル基、またはZ7で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、Z6で置換されていてもよい、炭素数1〜6のアルキル基もしくは炭素数2〜6のアルケニル基、またはZ7で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Z6で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基またはZ7で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Z6で置換されていてもよい、メチル基またはエチル基がさらに好ましい。
また、R′としては、Z8で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基またはZ9で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、Z8で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基またはZ9で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、Z8で置換されていてもよい炭素数1〜6のアルキル基、またはZ9で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより一層好ましく、Z8で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基またはZ9で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。
なお、複数のRは、すべて同一でも異なっていてもよく、複数のR′も、すべて同一でも異なっていてもよい。
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 6 , or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 7. Is more preferable, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms that may be substituted with Z 6 , or a phenyl group that may be substituted with Z 7 is more preferable, and Z 6 is An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted or a phenyl group which may be substituted with Z 7 is further preferable, and a methyl group or an ethyl group which may be substituted with Z 6 is further preferable.
R′ is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 8 or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 9 , and is substituted with Z 8. More preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 9 , and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with Z 8. A group or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 9 is more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with Z 8 or substituted with Z 9. Further preferred are phenyl groups.
It should be noted that the plurality of R's may all be the same or different, and the plurality of R'may all be the same or different.

6としては、ハロゲン原子またはZ10で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、フッ素原子またはZ10で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
また、Z7としては、ハロゲン原子またはZ10で置換されていてもよい炭素数6〜20のアルキル基が好ましく、フッ素原子またはZ10で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
As Z 6 , a halogen atom or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 10 is preferable, and a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom or Z 10 is more preferable. That is, non-substitution) is optimal.
As the Z 7, halogen atom or Z preferably is an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with 10, a fluorine atom or an alkyl group of carbon atoms which may be have 1 to 10 substituted by Z 10 Is more preferred, and the absence (ie, non-substitution) is optimal.

一方、Z8としては、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよいフェニル基、Z10で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Z10で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはZ10で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと(すなわち、非置換であること)がより一層好ましい。
また、Z9としては、ハロゲン原子、Z10で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z10で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Z10で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはZ10で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと(すなわち、非置換であること)がより一層好ましい。
そして、Z10としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子または存在しないこと(すなわち、非置換であること)がより好ましい。
On the other hand, the Z 8, a halogen atom, Z a phenyl group optionally substituted with 10, good furanyl group optionally substituted by Z 10, epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group, thiol group, isocyanate group, an amino group, an optionally substituted phenylamino group Z 10 or better diphenylamino group optionally substituted by Z 10 is preferably, more preferably a halogen atom, a fluorine atom or absent, (I.e., non-substituted) is even more preferable.
As the Z 9, a halogen atom, Z 10-substituted carbon atoms and optionally 1 to 20 alkyl group, Z 10 in which may be substituted furanyl group, an epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, acryloxy group, ureido group, a thiol group, isocyanate group, amino group, optionally diphenylamino group preferably be substituted with a which may phenylamino group optionally or Z 10, substituted with Z 10, more preferably a halogen atom, It is even more preferable that the atom be a fluorine atom or not be present (that is, be unsubstituted).
Z 10 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom or absent (that is, unsubstituted).

以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
Specific examples of the organic silane compound that can be used in the present invention will be given below, but the invention is not limited thereto.
Specific examples of the dialkoxysilane compound include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methylethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, and phenylmethyl. Dimethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-(3,4-epoxycyclohexyl)ethylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxy Propylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-(2-aminoethyl)aminopropylmethyldimethoxysilane, 3,3,3 3-trifluoropropyl methyldimethoxysilane etc. are mentioned.

トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ(4−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、ドデシルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、(トリエトキシシリル)シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、3−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ−2−チエニルシラン、3−(トリエトキシシリル)フラン等が挙げられる。 Specific examples of the trialkoxysilane compound, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxysilane, Pentyltrimethoxysilane, Pentyltriethoxysilane, Heptyltrimethoxysilane, Heptyltriethoxysilane, Octyltrimethoxysilane, Octyltriethoxysilane, Dodecyltrimethoxysilane, Dodecyltriethoxysilane, Hexadecyltrimethoxysilane, Hexadecyltriethoxysilane Silane, octadecyltrimethoxysilane, octadecyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, γ- Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, triethoxy(4-(trifluoromethyl)phenyl)silane, dodecyl Triethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, (triethoxysilyl)cyclohexane, perfluorooctylethyltriethoxysilane, triethoxyfluorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydro Octyltriethoxysilane, pentafluorophenyltrimethoxysilane, pentafluorophenyltriethoxysilane, 3-(heptafluoroisopropoxy)propyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyltriethoxysilane, Examples thereof include triethoxy-2-thienylsilane and 3-(triethoxysilyl)furan.

テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。 Specific examples of the tetraalkoxysilane compound include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetrapropoxysilane and the like.

これらの中でも、3,3,3−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ(4−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシランまたはペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシランが好ましい。 Among these, 3,3,3-trifluoropropylmethyldimethoxysilane, triethoxy(4-(trifluoromethyl)phenyl)silane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, perfluorooctylethyltriethoxysilane Alternatively, pentafluorophenyltrimethoxysilane and pentafluorophenyltriethoxysilane are preferable.

本発明の電荷輸送性ワニスが有機シラン化合物を含有する場合、その含有量は、電荷輸送性物質の質量(ドーパント物質を含む場合は電荷輸送性物質およびドーパント物質の合計質量)に対して、通常0.1〜50質量%程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ、上述した陰極側に、当該ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層等に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは0.5〜40質量%程度、より好ましくは0.8〜30質量%程度、より一層好ましくは1〜20質量%程度である。 When the charge-transporting varnish of the present invention contains an organic silane compound, its content is usually relative to the mass of the charge-transporting substance (when the dopant substance is included, the total mass of the charge-transporting substance and the dopant substance). Although it is about 0.1 to 50% by mass, it is possible to suppress the deterioration of the charge transport property of the obtained thin film, and to contact the above-mentioned cathode side with the hole injection layer or the like made of the thin film obtained from the varnish. Considering to enhance the hole injection ability to the layer to be laminated, it is preferably about 0.5 to 40% by mass, more preferably about 0.8 to 30% by mass, still more preferably about 1 to 20% by mass. Is.

本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、25℃で1〜50mPa・sであり、その表面張力は、通常、20〜50mN/mである。
また、電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、0.1〜10.0質量%程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは0.5〜5.0質量%程度、より好ましくは1.0〜3.0質量%程度である。
The viscosity of the varnish of the present invention is appropriately set according to the thickness of the thin film to be produced and the solid content concentration, but is usually 1 to 50 mPa·s at 25° C., and its surface tension is usually 20 to 50 mN/m.
The solid content concentration of the charge transporting varnish is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, etc., but is usually 0.1 to 10.0 mass. %, and from the viewpoint of improving the coating property of the varnish, it is preferably about 0.5 to 5.0% by mass, more preferably about 1.0 to 3.0% by mass.

ワニスの調製法としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記オニウムボレート塩を先に溶媒に溶解させ、そこへ電荷輸送性物質を順次加える手法や、上記オニウムボレート塩と電荷輸送性物質との混合物を溶媒に溶解させる手法が挙げられる。
また、有機溶媒が複数ある場合は、例えば、上記オニウムボレート塩と電荷輸送性物質をよく溶解する溶媒に、まずこれらを溶解させ、そこへその他の溶媒を加えてもよく、複数の有機溶媒の混合溶媒に、上記オニウムボレート塩、電荷輸送性物質を順次、あるいはこれらを同時に溶解させてもよい。
The method for preparing the varnish is not particularly limited, but, for example, a method in which the onium borate salt is first dissolved in a solvent and a charge transporting substance is sequentially added thereto, or the onium borate salt and the charge transporting property are sequentially added. Examples include a method of dissolving a mixture with a substance in a solvent.
Further, when there are a plurality of organic solvents, for example, in the solvent which dissolves the above-mentioned onium borate salt and the charge transporting substance well, these are first dissolved, and other solvent may be added thereto, and a plurality of organic solvents may be added. The onium borate salt and the charge transporting substance may be sequentially dissolved in the mixed solvent, or these may be simultaneously dissolved.

本発明においては、電荷輸送性ワニスは、高平坦性薄膜を再現性よく得る観点から、上記オニウムボレート塩、電荷輸送性化合物等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロオーダーのフィルター等を用いて濾過することが望ましい。 In the present invention, the charge-transporting varnish uses a submicro-order filter or the like after dissolving the onium borate salt, the charge-transporting compound, or the like in an organic solvent, from the viewpoint of obtaining a highly flat thin film with good reproducibility. It is desirable to filter.

本発明の電荷輸送性薄膜は、上記説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
The charge-transporting thin film of the present invention can be formed on a substrate by applying the above-described charge-transporting varnish onto a substrate and baking the varnish.
The method for applying the varnish is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating method, an inkjet method, a spray method, and a slit coating method. It is preferable to adjust the viscosity and surface tension of the varnish accordingly.

また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができるが、電荷輸送性化合物等の種類によっては、ワニスを大気雰囲気下で焼成した方が、より高い電荷輸送性を有する薄膜を再現性よく得られる場合がある。 Further, when using the varnish of the present invention, the firing atmosphere is not particularly limited, and a thin film having a uniform film-forming surface and a high charge-transporting property can be formed not only in the air atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or vacuum. Although it can be obtained, depending on the type of the charge transporting compound or the like, it may be possible to reproducibly obtain a thin film having a higher charge transporting property by firing the varnish in an air atmosphere.

焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、100〜260℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いる場合、140〜250℃程度が好ましく、145〜240℃程度がより好ましい。
なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、2段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
Although the firing temperature is appropriately set within the range of about 100 to 260° C. in consideration of the use of the obtained thin film, the degree of charge transport property imparted to the obtained thin film, the type of solvent and the boiling point, etc. When the obtained thin film is used as a hole injection layer of an organic EL device, the temperature is preferably about 140 to 250°C, more preferably about 145 to 240°C.
It should be noted that the temperature may be changed in two or more steps for the purpose of exhibiting a higher uniform film-forming property or advancing the reaction on the base material during the baking. It suffices to use an appropriate device such as an oven.

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層として用いる場合、5〜200nmが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。 The thickness of the charge transporting thin film is not particularly limited, but when used as a hole injection layer, a hole transport layer or a hole injection transport layer of an organic EL device, it is preferably 5 to 200 nm. As a method of changing the film thickness, there are methods such as changing the solid content concentration in the varnish and changing the amount of the solution on the substrate at the time of coating.

本発明の有機EL素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、上述の本発明の電荷輸送性薄膜を有するものである。
有機EL素子の代表的な構成としては、以下(a)〜(f)が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール(正孔)ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール(正孔)ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。
(a)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(b)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(c)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(d)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(f)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
The organic EL device of the present invention has a pair of electrodes, and the charge transporting thin film of the present invention described above between the electrodes.
Typical configurations of the organic EL element include the following (a) to (f), but are not limited thereto. In the following configuration, if necessary, an electron blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole (hole) blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the cathode. Further, the hole injecting layer, the hole transporting layer or the hole injecting and transporting layer may also have a function as an electron blocking layer, and the electron injecting layer, the electron transporting layer or the electron injecting and transporting layer may be holes (holes). You may also have the function as a block layer etc.
(A) Anode/hole injecting layer/hole transporting layer/light emitting layer/electron transporting layer/electron injecting layer/cathode (b) anode/hole injecting layer/hole transporting layer/light emitting layer/electron injecting/transporting layer/ Cathode (c) Anode/hole injecting/transporting layer/light emitting layer/electron transporting layer/electron injecting layer/cathode (d) anode/hole injecting/transporting layer/light emitting layer/electron injecting/transporting layer/cathode (e) anode/positive Hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode (f) Anode/hole injection/transport layer/light emitting layer/cathode

「正孔注入層」、「正孔輸送層」および「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入(輸送)層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、正孔輸送(発光)層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。
「電子注入層」、「電子輸送層」および「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。
「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
The "hole injection layer", "hole transport layer" and "hole injection transport layer" are layers formed between a light emitting layer and an anode, and transport holes from the anode to the light emitting layer. In the case where only one layer of a hole-transporting material is provided between the light-emitting layer and the anode, which has a function, it is a “hole-injecting and transporting layer”, and between the light-emitting layer and the anode, When two or more layers of the hole transporting material are provided, the layer close to the anode is the “hole injecting layer” and the other layers are the “hole transporting layer”. In particular, as the hole injecting (transporting) layer, a thin film having excellent hole injecting property to the hole transporting (light emitting) layer as well as the hole accepting property from the anode is used.
"Electron injection layer", "electron transport layer" and "electron injection transport layer" are layers formed between a light emitting layer and a cathode and having a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer. When only one layer of the electron transporting material is provided between the light emitting layer and the cathode, it is an “electron injecting and transporting layer”, and a layer of the electron transporting material is provided between the light emitting layer and the cathode. When two or more layers are provided, the layer close to the cathode is the “electron injection layer” and the other layers are the “electron transport layer”.
The “light emitting layer” is an organic layer having a light emitting function and includes a host material and a dopant material when a doping system is adopted. At this time, the host material mainly has a function of promoting recombination of electrons and holes and confining excitons in the light-emitting layer, and the dopant material efficiently emits excitons obtained by the recombination. Have a function. In the case of a phosphorescent device, the host material has a function of mainly confining excitons generated by the dopant in the light emitting layer.

本発明の電荷輸送性薄膜は、有機EL素子において、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層として好適に用いることができ、正孔注入層としてより好適に用いることができる。 The charge transporting thin film of the present invention can be suitably used as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection transport layer in an organic EL device, and can be more preferably used as a hole injection layer.

本発明の電荷輸送性ワニスを用いて有機EL素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にUVオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
Examples of materials used and methods for producing an organic EL device using the charge-transporting varnish of the present invention include, but are not limited to, the following.
The electrode substrate to be used is preferably cleaned in advance by cleaning with a liquid such as detergent, alcohol, pure water, etc. For example, the anode substrate is subjected to surface treatment such as UV ozone treatment and oxygen-plasma treatment immediately before use. It is preferable. However, when the anode material contains an organic material as a main component, surface treatment may not be performed.

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有する有機EL素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。
この正孔注入層の上に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層は、用いる材料の特性等に応じて、蒸着法、塗布法(ウェットプロセス)のいずれかで形成すればよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
An example of a method for producing an organic EL device having a hole injection layer composed of a thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention is as follows.
By the above method, the charge transporting varnish of the present invention is applied onto the anode substrate and baked to form a hole injection layer on the electrode.
A hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are provided in this order on this hole injection layer. The hole-transporting layer, the light-emitting layer, the electron-transporting layer, and the electron-injecting layer may be formed by any one of an evaporation method and a coating method (wet process) depending on characteristics of a material used.
Examples of the anode material include a transparent electrode typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), and a metal anode composed of a metal typified by aluminum or an alloy thereof. Those subjected to a chemical treatment are preferable. A polythiophene derivative or a polyaniline derivative having a high charge transporting property can also be used.
The other metals constituting the metal anode include scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, yttrium, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, cadmium. , Indium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, hafnium, thallium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, titanium, lead , Bismuth, alloys thereof, and the like, but are not limited to these.

正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(α−NPD)、N,N’−ビス(ナフタレン−2−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−ジメチル−フルオレン、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−ジメチル−フルオレン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−ジフェニル−フルオレン、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−ジフェニル−フルオレン、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−2,2’−ジメチルベンジジン、2,2’,7,7’−テトラキス(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン、9,9−ビス[4−(N,N−ビス−ビフェニル−4−イル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン、9,9−ビス[4−(N,N−ビス−ナフタレン−2−イル−アミノ)フェニル]−9H−フルオレン、9,9−ビス[4−(N−ナフタレン−1−イル−N−フェニルアミノ)−フェニル]−9H−フルオレン、2,2’,7,7’−テトラキス[N−ナフタレニル(フェニル)−アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ビス(フェナントレン−9−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン、2,2’−ビス[N,N−ビス(ビフェニル−4−イル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、2,2’−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン、ジ−[4−(N,N−ジ(p−トリル)アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、2,2’,7,7’−テトラ(N,N−ジ(p−トリル))アミノ−9,9−スピロビフルオレン、N,N,N’,N’−テトラ−ナフタレン−2−イル−ベンジジン、N,N,N’,N’−テトラ−(3−メチルフェニル)−3,3’−ジメチルベンジジン、N,N’−ジ(ナフタレニル)−N,N’−ジ(ナフタレン−2−イル)−ベンジジン、N,N,N’,N’−テトラ(ナフタレニル)−ベンジジン、N,N’−ジ(ナフタレン−2−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン−1,4−ジアミン、N1,N4−ジフェニル−N1,N4−ジ(m−トリル)ベンゼン−1,4−ジアミン、N2,N2,N6,N6−テトラフェニルナフタレン−2,6−ジアミン、トリス(4−(キノリン−8−イル)フェニル)アミン、2,2’−ビス(3−(N,N−ジ(p−トリル)アミノ)フェニル)ビフェニル、4,4’,4”−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’,4”−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のトリアリールアミン類、5,5”−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,2”−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類等の正孔輸送性低分子材料などが挙げられる。As the material for forming the hole transport layer, (triphenylamine) dimer derivative, [(triphenylamine) dimer] spiro dimer, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis (Phenyl)-benzidine (α-NPD), N,N′-bis(naphthalen-2-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine, N,N′-bis(3-methylphenyl)- N,N'-bis(phenyl)-benzidine, N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spirobifluorene, N,N'-bis( Naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spirobifluorene, N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9, 9-Dimethyl-fluorene, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene, N,N'-bis(3-methylphenyl) -N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluorene , N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine, 2,2',7,7'-tetrakis(N,N-diphenyl) Amino)-9,9-spirobifluorene, 9,9-bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene, 9,9-bis[4-( N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene, 9,9-bis[4-(N-naphthalen-1-yl-N-phenylamino)-phenyl]-9H-fluorene ,2,2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9,9-spirobifluorene, N,N'-bis(phenanthrene-9-yl)-N,N'- Bis(phenyl)-benzidine, 2,2'-bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]-9,9-spirobifluorene, 2,2'-bis(N,N-diphenylamino) )-9,9-Spirobifluorene, di-[4-(N,N-di(p-tolyl)amino)-phenyl]cyclohexane, 2,2',7,7'-tetra(N,N-di) (P-Tolyl))amino-9,9-spirobifluorene, N,N,N′,N′-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine, N , N,N',N'-tetra-(3-methylphenyl)-3,3'-dimethylbenzidine, N,N'-di(naphthalenyl)-N,N'-di(naphthalen-2-yl)- Benzidine, N,N,N′,N′-tetra(naphthalenyl)-benzidine, N,N′-di(naphthalen-2-yl)-N,N′-diphenylbenzidine-1,4-diamine, N 1 , N 4 - diphenyl -N 1, N 4 - di (m-tolyl) benzene-1,4-diamine, N 2, N 2, N 6, N 6 - tetraphenyl-2,6-diamine, tris (4 -(Quinolin-8-yl)phenyl)amine, 2,2'-bis(3-(N,N-di(p-tolyl)amino)phenyl)biphenyl, 4,4',4"-tris[3- Triarylamines such as methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine (m-MTDATA), 4,4′,4″-tris[1-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (1-TNATA), 5 , 5"-Bis-{4-[bis(4-methylphenyl)amino]phenyl}-2,2':5',2"-terthiophene (BMA-3T) and other hole transporting agents such as oligothiophenes Low molecular weight materials.

発光層を形成する材料としては、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III)(Alq3)、ビス(8−キノリノラート)亜鉛(II)(Znq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)−4−(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)(BAlq)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−t−ブチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2,7−ビス[9,9−ジ(4−メチルフェニル)−フルオレン−2−イル]−9,9−ジ(4−メチルフェニル)フルオレン、2−メチル−9,10−ビス(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−(9,9−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9−スピロビフルオレン、2,7−ビス(9,9−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9−スピロビフルオレン、2−[9,9−ジ(4−メチルフェニル)−フルオレン−2−イル]−9,9−ジ(4−メチルフェニル)フルオレン、2,2’−ジピレニル−9,9−スピロビフルオレン、1,3,5−トリス(ピレン−1−イル)ベンゼン、9,9−ビス[4−(ピレニル)フェニル]−9H−フルオレン、2,2’−ビ(9,10−ジフェニルアントラセン)、2,7−ジピレニル−9,9−スピロビフルオレン、1,4−ジ(ピレン−1−イル)ベンゼン、1,3−ジ(ピレン−1−イル)ベンゼン、6,13−ジ(ビフェニル−4−イル)ペンタセン、3,9−ジ(ナフタレン−2−イル)ペリレン、3,10−ジ(ナフタレン−2−イル)ペリレン、トリス[4−(ピレニル)−フェニル]アミン、10,10’−ジ(ビフェニル−4−イル)−9,9’−ビアントラセン、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’:4’,1’’:4’’,1’’’−クウォーターフェニル]−4,4’’’−ジアミン、4,4’−ジ[10−(ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル]ビフェニル、ジベンゾ{[f,f’]−4,4’,7,7’−テトラフェニル}ジインデノ[1,2,3−cd:1’,2’,3’−lm]ペリレン、1−(7−(9,9’−ビアントラセン−10−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)ピレン、1−(7−(9,9’−ビアントラセン−10−イル)−9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2−イル)ピレン、1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン、1,3,5−トリス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン、4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−2,2’−ジメチルビフェニル、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジメチルフルオレン、2,2’,7,7’−テトラキス(カルバゾール−9−イル)−9,9−スピロビフルオレン、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジ(p−トリル)フルオレン、9,9−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−フェニル]フルオレン、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−スピロビフルオレン、1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−4−メチルフェニルメタン、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン、4,4”−ジ(トリフェニルシリル)−p−ターフェニル、4,4’−ジ(トリフェニルシリル)ビフェニル、9−(4−t−ブチルフェニル)−3,6−ビス(トリフェニルシリル)−9H−カルバゾール、9−(4−t−ブチルフェニル)−3,6−ジトリチル−9H−カルバゾール、9−(4−t−ブチルフェニル)−3,6−ビス(9−(4−メトキシフェニル)−9H−フルオレン−9−イル)−9H−カルバゾール、2,6−ビス(3−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル)ピリジン、トリフェニル(4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル)シラン、9,9−ジメチル−N,N−ジフェニル−7−(4−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、3,5−ビス(3−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル)ピリジン、9,9−スピロビフルオレン−2−イル−ジフェニル−フォスフィン オキサイド、9,9’−(5−(トリフェニルシリル)−1,3−フェニレン)ビス(9H−カルバゾール)、3−(2,7−ビス(ジフェニルフォスフォリル)−9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)−9−フェニル−9H−カルバゾール、4,4,8,8,12,12−ヘキサ(p−トリル)−4H−8H−12H−12C−アザジベンゾ[cd,mn]ピレン、4,7−ジ(9H−カルバゾール−9−イル)−1,10−フェナントロリン、2,2’−ビス(4−(カルバゾール−9−イル)フェニル)ビフェニル、2,8−ビス(ジフェニルフォスフォリル)ジベンゾ[b,d]チオフェン、ビス(2−メチルフェニル)ジフェニルシラン、ビス[3,5−ジ(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジフェニルシラン、3,6−ビス(カルバゾール−9−イル)−9−(2−エチル−ヘキシル)−9H−カルバゾール、3−(ジフェニルフォスフォリル)−9−(4−(ジフェニルフォスフォリル)フェニル)−9H−カルバゾール、3,6−ビス[(3,5−ジフェニル)フェニル]−9−フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。As a material for forming the light emitting layer, tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq 3), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (Znq 2), bis (2-methyl-8-quinolinolato) - 4-(p-phenylphenolato)aluminum(III)(BAlq), 4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl, 9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene, 2-t -Butyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene, 2,7-bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4- Methylphenyl)fluorene, 2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene, 2-(9,9-spirobifluoren-2-yl)-9,9-spirobifluorene, 2,7 -Bis(9,9-spirobifluoren-2-yl)-9,9-spirobifluorene, 2-[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9- Di(4-methylphenyl)fluorene, 2,2'-dipyrenyl-9,9-spirobifluorene, 1,3,5-tris(pyren-1-yl)benzene, 9,9-bis[4-(pyrenyl) )Phenyl]-9H-fluorene, 2,2'-bi(9,10-diphenylanthracene), 2,7-dipyrenyl-9,9-spirobifluorene, 1,4-di(pyren-1-yl)benzene 1,3-di(pyren-1-yl)benzene, 6,13-di(biphenyl-4-yl)pentacene, 3,9-di(naphthalen-2-yl)perylene, 3,10-di(naphthalene) -2-yl)perylene, tris[4-(pyrenyl)-phenyl]amine, 10,10'-di(biphenyl-4-yl)-9,9'-bianthracene, N,N'-di(naphthalene-) 1-yl)-N,N′-diphenyl-[1,1′:4′,1″:4″,1′″-quatphenyl]-4,4″′-diamine, 4,4 '-Di[10-(naphthalen-1-yl)anthracen-9-yl]biphenyl, dibenzo{[f,f']-4,4',7,7'-tetraphenyl}diindeno[1,2,3 -Cd: 1',2',3'-lm]perylene, 1-(7-(9,9'-bianthracene-10-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)pyrene , 1-(7-(9,9'-Bianthracen-10-yl)-9,9-dihexyl-9H -Fluoren-2-yl)pyrene, 1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene, 1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene, 4,4',4"-tris(carbazole -9-yl)triphenylamine, 4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP), 4,4'-bis(carbazol-9-yl)-2,2'-dimethylbiphenyl, 2 ,7-Bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethylfluorene, 2,2',7,7'-tetrakis(carbazol-9-yl)-9,9-spirobifluorene, 2,7- Bis(carbazol-9-yl)-9,9-di(p-tolyl)fluorene, 9,9-bis[4-(carbazol-9-yl)-phenyl]fluorene, 2,7-bis(carbazol-9) -Yl)-9,9-spirobifluorene, 1,4-bis(triphenylsilyl)benzene, 1,3-bis(triphenylsilyl)benzene, bis(4-N,N-diethylamino-2-methylphenyl )-4-Methylphenylmethane, 2,7-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dioctylfluorene, 4,4"-di(triphenylsilyl)-p-terphenyl, 4,4'- Di(triphenylsilyl)biphenyl, 9-(4-t-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole, 9-(4-t-butylphenyl)-3,6-ditrityl -9H-carbazole, 9-(4-t-butylphenyl)-3,6-bis(9-(4-methoxyphenyl)-9H-fluoren-9-yl)-9H-carbazole, 2,6-bis( 3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine, triphenyl(4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl)silane, 9,9-dimethyl-N,N-diphenyl-7 -(4-(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine, 3,5-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl ) Pyridine, 9,9-spirobifluoren-2-yl-diphenyl-phosphine oxide, 9,9'-(5-(triphenylsilyl)-1,3-phenylene)bis(9H-carbazole), 3-( 2,7-bis(diphenylphosphoryl)-9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, 4,4,8,8 , 12,12-hexa(p-tolyl)-4H-8H-12H-12C-azadibenzo[cd,mn]pyrene, 4,7-di(9H-carbazol-9-yl)-1,10-phenanthroline, 2 ,2'-bis(4-(carbazol-9-yl)phenyl)biphenyl, 2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]thiophene, bis(2-methylphenyl)diphenylsilane, bis[ 3,5-di(9H-carbazol-9-yl)phenyl]diphenylsilane, 3,6-bis(carbazol-9-yl)-9-(2-ethyl-hexyl)-9H-carbazole, 3-(diphenyl Phosphoryl)-9-(4-(diphenylphosphoryl)phenyl)-9H-carbazole, 3,6-bis[(3,5-diphenyl)phenyl]-9-phenylcarbazole, and the like, and light emitting property. The emissive layer may be formed by co-evaporating with a dopant.

発光性ドーパントとしては、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)クマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H,11H−10−(2−ベンゾチアゾリル)キノリジノ[9,9a,1gh]クマリン、キナクリドン、N,N’−ジメチル−キナクリドン、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(Ir(ppy)2(acac))、トリス[2−(p−トリル)ピリジン]イリジウム(III)(Ir(mppy)3)、9,10−ビス[N,N−ジ(p−トリル)アミノ]アントラセン、9,10−ビス[フェニル(m−トリル)アミノ]アントラセン、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)、N10,N10,N10’,N10’−テトラ(p−トリル)−9,9’−ビアントラセン−10,10’−ジアミン、N10,N10,N10’,N10’−テトラフェニル−9,9’−ビアントラセン−10,10’−ジアミン、N10,N10’−ジフェニル−N10,N10’−ジナフタレニル−9,9’−ビアントラセン−10,10’−ジアミン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン、1,4−ビス[2−(3−N−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、ビス[3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジル)フェニル−(2−カルボキシピリジル)]イリジウム(III)、4,4’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジナト)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)、N,N’−ビス(ナフタレン−2−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−トリス(9,9−ジメチルフルオレニレン)、2,7−ビス{2−[フェニル(m−トリル)アミノ]−9,9−ジメチル−フルオレン−7−イル}−9,9−ジメチル−フルオレン、N−(4−((E)−2−(6((E)−4−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−2−イル)ビニル)フェニル)−N−フェニルベンゼンアミン、fac−イリジウム(III)トリス(1−フェニル−3−メチルベンズイミダゾリン−2−イリデン−C,C2’)、mer−イリジウム(III)トリス(1−フェニル−3−メチルベンズイミダゾリン−2−イリデン−C,C2’)、2,7−ビス[4−(ジフェニルアミノ)スチリル]−9,9−スピロビフルオレン、6−メチル−2−(4−(9−(4−(6−メチルベンゾ[d]チアゾール−2−イル)フェニル)アントラセン−10−イル)フェニル)ベンゾ[d]チアゾール、1,4−ジ[4−(N,N−ジフェニル)アミノ]スチリルベンゼン、1,4−ビス(4−(9H−カルバゾール−9−イル)スチリル)ベンゼン、(E)−6−(4−(ジフェニルアミノ)スチリル)−N,N−ジフェニルナフタレン−2−アミン、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジナト)(5−(ピリジン−2−イル)−1H−テトラゾレート)イリジウム(III)、ビス(3−トリフルオロメチル−5−(2−ピリジル)ピラゾール)((2,4−ジフルオロベンジル)ジフェニルフォスフィネート)イリジウム(III)、ビス(3−トリフルオロメチル−5−(2−ピリジル)ピラゾレート)(ベンジルジフェニルフォスフィネート)イリジウム(III)、ビス(1−(2,4−ジフルオロベンジル)−3−メチルベンズイミダゾリウム)(3−(トリフルオロメチル)−5−(2−ピリジル)−1,2,4−トリアゾレート)イリジウム(III)、ビス(3−トリフルオロメチル−5−(2−ピリジル)ピラゾレート)(4’,6’−ジフルオロフェニルピリジネート)イリジウム(III)、ビス(4’,6’−ジフルオロフェニルピリジナト)(3,5−ビス(トリフルオロメチル)−2−(2’−ピリジル)ピロレート)イリジウム(III)、ビス(4’,6’−ジフルオロフェニルピリジナト)(3−(トリフルオロメチル)−5−(2−ピリジル)−1,2,4−トリアゾレート)イリジウム(III)、(Z)−6−メシチル−N−(6−メシチルキノリン−2(1H)−イリデン)キノリン−2−アミン−BF2、(E)−2−(2−(4−(ジメチルアミノ)スチリル)−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)マロノニトリル、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−ジュロリジル−9−エニル−4H−ピラン、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン、4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−4−イル−ビニル)−4H−ピラン、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユーロピウム(III)、5,6,11,12−テトラフェニルナフタセン、ビス(2−ベンゾ[b]チオフェン−2−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)、ビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[2−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[4,4’−ジ−t−ブチル−(2,2’)−ビピリジン]ルテニウム(III)・ビス(ヘキサフルオロフォスフェート)、トリス(2−フェニルキノリン)イリジウム(III)、ビス(2−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、2,8−ジ−t−ブチル−5,11−ビス(4−t−ブチルフェニル)−6,12−ジフェニルテトラセン、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、5,10,15,20−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム(II)ビス(3−トリフルオロメチル−5−(2−ピリジン)−ピラゾレート)ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム(II)ビス(3−(トリフルオロメチル)−5−(4−t−ブチルピリジル)−1,2,4−トリアゾレート)ジフェニルメチルフォスフィン、オスミウム(II)ビス(3−(トリフルオロメチル)−5−(2−ピリジル)−1,2,4−トリアゾール)ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム(II)ビス(3−(トリフルオロメチル)−5−(4−t−ブチルピリジル)−1,2,4−トリアゾレート)ジメチルフェニルフォスフィン、ビス[2−(4−n−ヘキシルフェニル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[2−(4−n−ヘキシルフェニル)キノリン]イリジウム(III)、トリス[2−フェニル−4−メチルキノリン]イリジウム(III)、ビス(2−フェニルキノリン)(2−(3−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム(III)、ビス(2−(9,9−ジエチル−フルオレン−2−イル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス(2−フェニルピリジン)(3−(ピリジン−2−イル)−2H−クロメン−2−オネート)イリジウム(III)、ビス(2−フェニルキノリン)(2,2,6,6−テトラメチルヘプタン−3,5−ジオネート)イリジウム(III)、ビス(フェニルイソキノリン)(2,2,6,6−テトラメチルヘプタン−3,5−ジオネート)イリジウム(III)、イリジウム(III)ビス(4−フェニルチエノ[3,2−c]ピリジナト−N,C2’)アセチルアセトネート、(E)−2−(2−t−ブチル−6−(2−(2,6,6−トリメチル−2,4,5,6−テトラヒドロ−1H−ピローロ[3,2,1−ij]キノリン−8−イル)ビニル)−4H−ピラン−4−イリデン)マロノニトリル、ビス(3−トリフルオロメチル−5−(1−イソキノリル)ピラゾレート)(メチルジフェニルフォスフィン)ルテニウム、ビス[(4−n−ヘキシルフェニル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、白金(II)オクタエチルポルフィン、ビス(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[(4−n−ヘキシルフェニル)キソキノリン]イリジウム(III)等が挙げられる。As the luminescent dopant, 3-(2-benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H,11H-10- (2-Benzothiazolyl)quinolidino[9,9a,1gh]coumarin, quinacridone, N,N'-dimethyl-quinacridone, tris(2-phenylpyridine)iridium(III)(Ir(ppy) 3 ), bis(2-phenyl) Pyridine)(acetylacetonate)iridium(III)(Ir(ppy) 2 (acac)), tris[2-(p-tolyl)pyridine]iridium(III)(Ir(mppy) 3 ), 9,10-bis [N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene, 9,10-bis[phenyl(m-tolyl)amino]anthracene, bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc(II), N 10 , N 10, N 10 ', N 10' - tetra (p- tolyl) -9,9'-bi anthracene -10,10'- diamine, N 10, N 10, N 10 ', N 10' - tetraphenyl 9,9'-bi anthracene -10,10'- diamine, N 10, N 10 '- diphenyl -N 10, N 10' - Jinafutareniru 9,9'-bi anthracene -10,10'- diamine, 4 ,4′-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1′-biphenyl, perylene, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene, 1,4-bis[2-(3- N-ethylcarbazolyl)vinyl]benzene, 4,4′-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl, 4-(di-p-tolylamino)-4′-[(di-p- Tolylamino)styryl]stilbene, bis[3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)]iridium(III),4,4′-bis[4-(diphenylamino)styryl] Biphenyl, bis(2,4-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borateiridium(III), N,N'-bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)- Tris(9,9-dimethylfluorenylene), 2,7-bis{2-[phenyl(m-tolyl)amino]-9,9-dimethyl-fluoren-7-yl}-9,9-dimethyl-fluorene , N-(4-((E)-2-(6(( E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine, fac-iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazoline-2-ylidene- C,C2 ' ), mer-iridium(III) tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazoline-2-ylidene-C,C2 ' ), 2,7-bis[4-(diphenylamino)styryl] -9,9-spirobifluorene, 6-methyl-2-(4-(9-(4-(6-methylbenzo[d]thiazol-2-yl)phenyl)anthracen-10-yl)phenyl)benzo[d ] Thiazole, 1,4-di[4-(N,N-diphenyl)amino]styrylbenzene, 1,4-bis(4-(9H-carbazol-9-yl)styryl)benzene, (E)-6- (4-(diphenylamino)styryl)-N,N-diphenylnaphthalen-2-amine, bis(2,4-difluorophenylpyridinato)(5-(pyridin-2-yl)-1H-tetrazolate)iridium( III), bis(3-trifluoromethyl-5-(2-pyridyl)pyrazole)((2,4-difluorobenzyl)diphenylphosphinate)iridium(III), bis(3-trifluoromethyl-5-( 2-Pyridyl)pyrazolate)(benzyldiphenylphosphinate)iridium(III), bis(1-(2,4-difluorobenzyl)-3-methylbenzimidazolium)(3-(trifluoromethyl)-5-( 2-pyridyl)-1,2,4-triazolate)iridium(III), bis(3-trifluoromethyl-5-(2-pyridyl)pyrazolate)(4′,6′-difluorophenylpyridinate)iridium( III), bis(4',6'-difluorophenylpyridinato)(3,5-bis(trifluoromethyl)-2-(2'-pyridyl)pyrrolate)iridium(III), bis(4',6) '-Difluorophenylpyridinato)(3-(trifluoromethyl)-5-(2-pyridyl)-1,2,4-triazolate)iridium(III), (Z)-6-mesityl-N-(6 - mesityl quinolin -2 (IH) - ylidene) quinolin-2-amine -BF 2, (E) -2- ( 2- (4- ( dimethylamino) styryl) -6-methyl -4H- pyran-4 Ylidene) malononitrile, 4-(dissi Anomethylene)-2-methyl-6-jurolidyl-9-enyl-4H-pyran, 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl )-4H-Pyran, 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran, tris(dibenzoyl) Methane)phenanthroline europium (III), 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene, bis(2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridium (III), tris(1) -Phenylisoquinoline)iridium(III), bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III), bis[1-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-isoquinoline](acetyl Acetonate)iridium(III), bis[2-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)quinoline](acetylacetonate)iridium(III), tris[4,4′-di-t- Butyl-(2,2′)-bipyridine]ruthenium(III).bis(hexafluorophosphate), tris(2-phenylquinoline)iridium(III), bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate)iridium( III), 2,8-di-t-butyl-5,11-bis(4-t-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene, bis(2-phenylbenzothiazolate)(acetylacetonate)iridium (III), 5,10,15,20-tetraphenyltetrabenzoporphyrin platinum, osmium(II) bis(3-trifluoromethyl-5-(2-pyridine)-pyrazolate)dimethylphenylphosphine, osmium(II) Bis(3-(trifluoromethyl)-5-(4-t-butylpyridyl)-1,2,4-triazolate)diphenylmethylphosphine, osmium(II) bis(3-(trifluoromethyl)-5- (2-Pyridyl)-1,2,4-triazole)dimethylphenylphosphine, osmium(II)bis(3-(trifluoromethyl)-5-(4-t-butylpyridyl)-1,2,4- Triazolate)dimethylphenylphosphine, bis[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline](acetylacetonate)iridium(II I), tris[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline]iridium(III), tris[2-phenyl-4-methylquinoline]iridium(III), bis(2-phenylquinoline)(2-(3 -Methylphenyl)pyridinate)iridium(III), bis(2-(9,9-diethyl-fluoren-2-yl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazolato)(acetylacetonate)iridium(III) , Bis(2-phenylpyridine)(3-(pyridin-2-yl)-2H-chromen-2-onate)iridium(III), bis(2-phenylquinoline)(2,2,6,6-tetramethyl Heptane-3,5-dionate)iridium(III), bis(phenylisoquinoline)(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)iridium(III), iridium(III)bis(4-) Phenylthieno[3,2-c]pyridinato-N,C2 ' )acetylacetonate, (E)-2-(2-t-butyl-6-(2-(2,6,6-trimethyl-2,2 4,5,6-Tetrahydro-1H-pyrrolo[3,2,1-ij]quinolin-8-yl)vinyl)-4H-pyran-4-ylidene)malononitrile, bis(3-trifluoromethyl-5-( 1-isoquinolyl)pyrazolate)(methyldiphenylphosphine)ruthenium, bis[(4-n-hexylphenyl)isoquinoline](acetylacetonate)iridium(III), platinum(II) octaethylporphine, bis(2-methyldibenzo) Examples include [f,h]quinoxaline)(acetylacetonate)iridium(III) and tris[(4-n-hexylphenyl)xoquinoline]iridium(III).

電子輸送層を形成する材料としては、8−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、2,2’,2”−(1,3,5−ベンジントリル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)、2−(4−ビフェニル)5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム、1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン、6,6’−ビス[5−(ビフェニル−4−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−2−イル]−2,2’−ビピリジン、3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール、4−(ナフタレン−1−イル)−3,5−ジフェニル−4H−1,2,4−トリアゾール、2,9−ビス(ナフタレン−2−イル)−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、2,7−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]−9,9−ジメチルフルオレン、1,3−ビス[2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン、トリス(2,4,6−トリメチル−3−(ピリジン−3−イル)フェニル)ボラン、1−メチル−2−(4−(ナフタレン−2−イル)フェニル)−1H−イミダゾ[4,5f][1,10]フェナントロリン、2−(ナフタレン−2−イル)−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルフォスフィンオキサイド、3,3’,5,5’−テトラ[(m−ピリジル)−フェン−3−イル]ビフェニル、1,3,5−トリス[(3−ピリジル)−フェン−3−イル]ベンゼン、4,4’−ビス(4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン−2−イル)ビフェニル、1,3−ビス[3,5−ジ(ピリジン−3−イル)フェニル]ベンゼン、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム、ジフェニルビス(4−(ピリジン−3−イル)フェニル)シラン、3,5−ジ(ピレン−1−イル)ピリジン等が挙げられる。 As a material for forming the electron transport layer, 8-hydroxyquinolinolate-lithium, 2,2′,2″-(1,3,5-benzintolyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) is used. ), 2-(4-biphenyl)5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 4, 7-diphenyl-1,10-phenanthroline, bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum, 1,3-bis[2-(2,2'-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene, 6,6'-bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'- Bipyridine, 3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole, 4-(naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2 ,4-triazole, 2,9-bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,7-bis[2-(2,2'-bipyridin-6-yl) -1,3,4-Oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene, 1,3-bis[2-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl] Benzene, tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane, 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4. 5f][1,10]phenanthroline, 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, phenyl-dipyrenylphosphine oxide, 3,3′,5,5′- Tetra[(m-pyridyl)-phen-3-yl]biphenyl, 1,3,5-tris[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 4,4'-bis(4,6-diphenyl) -1,3,5-triazin-2-yl)biphenyl, 1,3-bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium, Examples thereof include diphenylbis(4-(pyridin-3-yl)phenyl)silane and 3,5-di(pyren-1-yl)pyridine.

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al23)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、三酸化モリブデン(MoO3)、アルミニウム、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
Materials for forming the electron injection layer include lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), alumina (Al 2 O 3 ), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), magnesium fluoride ( MgF 2 ), cesium fluoride (CsF), strontium fluoride (SrF 2 ), molybdenum trioxide (MoO 3 ), aluminum, Li(acac), lithium acetate, lithium benzoate and the like.
Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, lithium, sodium, potassium and cesium.

また、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有する有機EL素子の作製方法のその他の例は、以下のとおりである。
上記EL素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送層(以下、正孔輸送性高分子層)、発光層(以下、発光性高分子層)を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有する有機EL素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極電極を蒸着して有機EL素子とする。
Further, another example of the method for producing an organic EL device having a hole injection layer formed of a thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention is as follows.
In the above EL device preparation, instead of performing the vacuum deposition operation of the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, a hole transport layer (hereinafter, hole transporting polymer layer), a light emitting layer (hereinafter, By sequentially forming the light-emitting polymer layer), an organic EL device having a charge-transporting thin film formed by the charge-transporting varnish of the present invention can be prepared.
Specifically, the charge transporting varnish of the present invention is applied onto an anode substrate to prepare a hole injecting layer by the above method, and a hole transporting polymer layer and a light emitting polymer layer are sequentially formed thereon. After formation, a cathode electrode is vapor-deposited to obtain an organic EL device.

使用する陰極および陽極材料としては、上述のものと同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
As the cathode and anode materials used, the same materials as those described above can be used, and the same cleaning treatment and surface treatment can be performed.
The hole transporting polymer layer and the light emitting polymer layer can be formed by adding a solvent to the hole transporting polymer material or the light emitting polymer material, or a material obtained by adding a dopant substance to the material and dissolving it. A method of forming a film by uniformly dispersing, coating on the hole injecting layer or the hole transporting polymer layer, and then firing each is described.

正孔輸送性高分子材料としては、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,4−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,1’−ビフェニレン−4,4−ジアミン)]、ポリ[(9,9−ビス{1’−ペンテン−5’−イル}フルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,4−ジアミノフェニレン)]、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ[(9,9−ジジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(4,4’−(N−(p−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。 Examples of the hole transporting polymer material include poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diamino). Phenylene)], poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4- Diamine)], poly[(9,9-bis{1'-penten-5'-yl}fluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1, 4-diaminophenylene)], poly[N,N′-bis(4-butylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine]-endcapped with polysilcisquinoxane, poly[(9,9 -Didioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)] and the like.

発光性高分子材料としては、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等が挙げられる。 Examples of the light emitting polymer material include poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAF) and other polyfluorene derivatives, poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH). -PPV) and other polyphenylene vinylene derivatives, poly(3-alkylthiophene) (PAT) and other polythiophene derivatives, and polyvinylcarbazole (PVCz).

溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
Examples of the solvent include toluene, xylene, chloroform and the like, and examples of the dissolution or uniform dispersion method include stirring, heating stirring, ultrasonic dispersion and the like.
The coating method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method, a spray method, a dip method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, and a brush coating method. The coating is preferably performed under an inert gas such as nitrogen or argon.
Examples of the baking method include a method of heating in an oven or a hot plate under an inert gas or in vacuum.

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔輸送層を有するEL素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
陽極基板上に正孔注入層を形成する。その層の上に、上記の方法により本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、正孔輸送層を作製する。
この正孔輸送層の上に、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。発光層、電子輸送層および電子注入層の形成方法および具体例は上述と同様のものが挙げられる。また、正孔注入層は、用いる材料の特性等に応じて、蒸着法、塗布法(ウェットプロセス)のいずれかで形成すればよい。
An example of a method for producing an EL device having a hole transport layer composed of a thin film obtained from the charge transport varnish of the present invention is as follows.
A hole injection layer is formed on the anode substrate. The charge-transporting varnish of the present invention is applied onto the layer by the above-mentioned method and baked to form a hole-transporting layer.
On this hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are provided in this order. The methods and specific examples of forming the light emitting layer, the electron transporting layer and the electron injecting layer are the same as those described above. In addition, the hole injection layer may be formed by either an evaporation method or a coating method (wet process) depending on characteristics of a material used or the like.

正孔注入層を形成する材料としては、銅フタロシアニン、酸化チタンフタロシアニン、白金フタロシアニン、ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メトキシフェニル)ベンジジン、2,7−ビス[N,N−ビス(4−メトキシ−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、2,2’−ビス[N,N−ビス(4−メトキシ−フェニル)アミノ]−9,9−スピロビフルオレン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ[4−(N,N−ジトリルアミノ)フェニル]ベンジジン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ[4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル]ベンジジン、N4,N4’−(ビフェニル−4,4’−ジイル)ビス(N4,N4’,N4’−トリフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン)N1,N1’−(ビフェニル−4,4’−ジイル)ビス(N1−フェニル−N4,N4’−ジ−m−トリルベンゼン−1,4−ジアミン)、国際公開第2004/043117号、国際公開第2004/105446号、国際公開第2005/000832号、国際公開第2005/043962号、国際公開第2005/042621号、国際公開第2005/107335号、国際公開第2006/006459号、国際公開第2006/025342号、国際公開第2006/137473号、国際公開第2007/049631号、国際公開第2007/099808号、国際公開第2008/010474号、国際公開第2008/032617号、国際公開第2008/032616号、国際公開第2008/129947号、国際公開第2009/096352号、国際公開第2010/041701号、国際公開第2010/058777号、国際公開第2010/058776号、国際公開第2013/042623号、国際公開第2013/129249号、国際公開第2014/115865号、国際公開第2014/132917号、国際公開第2014/141998号および国際公開2014/132834号に記載の電荷輸送材料等が挙げられる。As a material for forming the hole injection layer, copper phthalocyanine, titanium oxide phthalocyanine, platinum phthalocyanine, pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile, N,N,N'. , N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine, 2,7-bis[N,N-bis(4-methoxy-phenyl)amino]-9,9-spirobifluorene, 2,2'-bis[N , N-bis(4-methoxy-phenyl)amino]-9,9-spirobifluorene, N,N'-diphenyl-N,N'-di[4-(N,N-ditolylamino)phenyl]benzidine, N , N'- diphenyl -N, N'- di [4- (N, N- diphenylamino) phenyl] benzidine, N 4, N 4 '- ( biphenyl-4,4'-diyl) bis (N 4, N 4 ', N 4' - triphenyl-biphenyl-4,4'-diamine) N 1, N 1 '- ( biphenyl-4,4'-diyl) bis (N 1 - phenyl -N 4, N 4' - di -M-tolylbenzene-1,4-diamine), International Publication No. 2004/043117, International Publication No. 2004/105446, International Publication No. 2005/000832, International Publication No. 2005/043962, International Publication No. 2005/ 042621, International Publication No. 2005/107335, International Publication No. 2006/006459, International Publication No. 2006/025342, International Publication No. 2006/137473, International Publication No. 2007/049631, International Publication No. 2007/099808. , International Publication No. 2008/010474, International Publication No. 2008/032617, International Publication No. 2008/032616, International Publication No. 2008/129947, International Publication No. 2009/096352, International Publication No. 2010/041701, International Publication No. 2010/058777, International Publication No. 2010/058776, International Publication No. 2013/042623, International Publication No. 2013/129249, International Publication No. 2014/115865, International Publication No. 2014/132917, International Publication No. The charge transport materials described in 2014/141998 and International Publication 2014/132834 can be mentioned.

陽極材料、発光層、発光性ドーパント、電子輸送層および電子ブロック層を形成する材料、陰極材料としては、上述と同じものが挙げられる。 As the anode material, the light emitting layer, the light emitting dopant, the material forming the electron transport layer and the electron blocking layer, and the cathode material, the same ones as described above can be mentioned.

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入輸送層を有する有機EL素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
陽極基板上に正孔注入輸送層を形成し、この正孔注入輸送層の上に、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。発光層、電子輸送層および電子注入層の形成方法および具体例は上述と同様のものが挙げられる。
An example of a method for producing an organic EL device having a hole injecting and transporting layer composed of a thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention is as follows.
A hole injecting and transporting layer is formed on the anode substrate, and a light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and a cathode are provided in this order on the hole injecting and transporting layer. The methods and specific examples of forming the light emitting layer, the electron transporting layer and the electron injecting layer are the same as those described above.

陽極材料、発光層、発光性ドーパント、電子輸送層および電子ブロック層を形成する材料、陰極材料としては、上述と同じものが挙げられる。 As the anode material, the light emitting layer, the light emitting dopant, the material forming the electron transport layer and the electron blocking layer, and the cathode material, the same ones as described above can be mentioned.

なお、電極および上記各層の間の任意の間に、必要に応じてホールブロック層、電子ブロック層等を設けてもよい。例えば、電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。 Note that a hole block layer, an electron block layer, or the like may be provided between the electrodes and any of the above layers, if necessary. For example, as a material for forming the electron block layer, tris(phenylpyrazole)iridium or the like can be given.

陽極と陰極およびこれらの間に形成される層を構成する材料は、ボトムミッション構造、トップエミッション構造のいずれを備える素子を製造するかで異なるため、その点を考慮して、適宜材料選択する。
通常、ボトムエミッション構造の素子では、基板側に透明陽極が用いられ、基板側から光が取り出されるのに対し、トップエミッション構造の素子では、金属からなる反射陽極が用いられ、基板と反対方向にある透明電極(陰極)側から光が取り出されることから、例えば陽極材料について言えば、ボトムエミッション構造の素子を製造する際はITO等の透明陽極を、トップエミッション構造の素子を製造する際はAl/Nd等の反射陽極を、それぞれ用いる。
The materials forming the anode and the cathode and the layers formed between them differ depending on whether the element having the bottom mission structure or the top emission structure is manufactured. Therefore, the material is appropriately selected in consideration of this point.
Normally, in a bottom emission structure element, a transparent anode is used on the substrate side, and light is extracted from the substrate side, whereas in a top emission structure element, a reflective anode made of metal is used, and the light is extracted in the opposite direction to the substrate. Since light is extracted from a certain transparent electrode (cathode) side, for example, regarding an anode material, a transparent anode such as ITO is manufactured when manufacturing a device having a bottom emission structure, and Al is manufactured when manufacturing a device having a top emission structure. A reflective anode such as /Nd is used.

本発明の有機EL素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤などとともに、封止してもよい。 The organic EL device of the present invention may be sealed with a water catching agent and the like according to a conventional method in order to prevent deterioration of characteristics.

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
(1)1H,19F−NMR:JEOL(株)製 核磁気共鳴装置 AL−300
(2)基板洗浄:長州産業(株)製 基板洗浄装置(減圧プラズマ方式)
(3)ワニスの塗布:ミカサ(株)製 スピンコーターMS−A100
(4)膜厚測定:(株)小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダET−4000
(5)膜の表面観察:レーザーテック社製 共焦点レーザー顕微鏡 リアルタイム走査型レーザー顕微鏡 1LM21D
(6)EL素子の作製:長州産業(株)製 多機能蒸着装置システムC−E2L1G1−N
(7)EL素子の輝度等の測定:(有)テック・ワールド製 I−V−L測定システム
(8)EL素子の寿命測定(輝度半減期測定):(株)イーエッチシー製 有機EL輝度寿命評価システムPEL−105S
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. The equipment used is as follows.
(1) 1 H, 19 F-NMR: JEOL's nuclear magnetic resonance apparatus AL-300
(2) Substrate cleaning: Choshu Sangyo Co., Ltd. substrate cleaning equipment (depressurized plasma method)
(3) Application of varnish: Spin coater MS-A100 manufactured by Mikasa Co., Ltd.
(4) Film thickness measurement: manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. Fine shape measuring instrument Surfcoder ET-4000
(5) Surface observation of film: Confocal laser microscope manufactured by Lasertec Co., Ltd. Real-time scanning laser microscope 1LM21D
(6) Manufacture of EL element: Multi-functional vapor deposition system C-E2L1G1-N manufactured by Choshu Sangyo Co., Ltd.
(7) Measurement of brightness of EL element: (Present) Tech World I-V-L measurement system (8) Life measurement of EL element (measurement of brightness half-life): Organic EL brightness manufactured by ETC Life evaluation system PEL-105S

[1]オニウムボレート塩の合成
[合成例1](4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム n−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート塩の合成

Figure 0006717372
[1] Synthesis of onium borate salt [Synthesis example 1] Synthesis of (4-phenylthiophenyl)diphenylsulfonium n-butyl tris(pentafluorophenyl)borate salt
Figure 0006717372

トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(東京化成工業(株)製)38.1質量部、ペンタン1200質量部を反応容器に仕込み、撹拌下、室温にてn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.6M)38.8質量部を滴下し、室温で3時間反応してスラリー状の反応液を得た。
反応液をろ過して得られた結晶物をペンタンにてかけ洗いし、60℃で減圧乾燥して中間体であるリチウム n−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート38.1質量部を得た(収率89%)。
38.1 parts by mass of tris(pentafluorophenyl)borane (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 1200 parts by mass of pentane were charged into a reaction vessel, and a hexane solution of n-butyllithium (1.6M) was stirred at room temperature. 38.8 parts by mass was dropped, and the mixture was reacted at room temperature for 3 hours to obtain a slurry-like reaction liquid.
The crystalline product obtained by filtering the reaction solution was spray washed with pentane and dried under reduced pressure at 60° C. to obtain 38.1 parts by mass of lithium n-butyl tris(pentafluorophenyl)borate as an intermediate (collection). Rate 89%).

続いて、(4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート(サンアプロ(株)製)22.5質量部をジクロロメタン530質量部に溶解させた溶液に、上記で得られたボレート30質量部をイオン交換水400質量部に溶解させた水溶液を加え、撹拌下で1時間混合した。混合後、静置して水層を除き、ジクロロメタン溶液をイオン交換水400質量部で5回洗浄した。水洗後のジクロロメタン溶液を減圧下、脱溶媒し、目的物である(4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム n−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート塩の淡黄色固体40質量部を得た(収率97%)。得られた目的物は、1H−NMRおよび19F−NMRにて同定した。
1H−NMR(DMSO−d6):δ 7.6〜7.8(12H,m),7.4〜7.5(5H,m),7.3(2H,d),1.0〜1.2(4H,m),0.6〜0.8(5H,m)ppm.
19F−NMR(DMSO−d6):δ −132(6F,d),−159.5(3F,t),−163(6F,t)ppm.
Subsequently, 30 parts by mass of the borate obtained above was added to a solution prepared by dissolving 22.5 parts by mass of (4-phenylthiophenyl)diphenylsulfonium hexafluorophosphate (manufactured by San-Apro Ltd.) in 530 parts by mass of dichloromethane. An aqueous solution dissolved in 400 parts by mass of exchanged water was added and mixed for 1 hour with stirring. After mixing, the mixture was allowed to stand to remove the aqueous layer, and the dichloromethane solution was washed 5 times with 400 parts by mass of ion-exchanged water. The dichloromethane solution after washing with water was desolvated under reduced pressure to obtain 40 parts by mass of a pale yellow solid of (4-phenylthiophenyl)diphenylsulfonium n-butyl tris(pentafluorophenyl)borate salt, which is a target substance (yield 97 %). The obtained target product was identified by 1 H-NMR and 19 F-NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6): δ 7.6 to 7.8 (12H, m), 7.4 to 7.5 (5H, m), 7.3 (2H, d), 1.0 to. 1.2 (4H, m), 0.6-0.8 (5H, m) ppm.
19 F-NMR (DMSO-d6): δ-132 (6F, d), -159.5 (3F, t), -163 (6F, t) ppm.

[2]電荷輸送性ワニスの調製
[実施例1−1]
国際公開第2015/050253号の製造例18記載の方法に従って合成した下記式で示されるPCZ5 158mgと、合成例1で得られた(4−フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム n−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート塩105mgとの混合物に、キシレン5gを加えて、室温で超音波を照射しながら撹拌して溶解させ、得られた溶液を、孔径0.2μmのシリンジフィルターでろ過して電荷輸送性ワニスを得た。
[2] Preparation of charge-transporting varnish [Example 1-1]
158 mg of PCZ5 represented by the following formula synthesized according to the method described in Production Example 18 of WO 2015/050253 and (4-phenylthiophenyl)diphenylsulfonium n-butyl tris(pentafluorophenyl) obtained in Synthesis Example 1 To a mixture with 105 mg of borate salt, 5 g of xylene was added and dissolved by stirring while irradiating ultrasonic waves at room temperature, and the resulting solution was filtered with a syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge-transporting varnish. Obtained.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

[3]有機EL素子の作製および特性評価
[実施例2−1]
実施例1−1で得られたワニスを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、80℃で1分間乾燥し、さらに、大気雰囲気下、150℃で10分間焼成し、ITO基板上に100nmの均一な薄膜を形成した。ITO基板としては、インジウム錫酸化物(ITO)が表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去した。
次いで、薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10-5Pa)を用いてα−NPD(N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン)を0.2nm/秒にて30nm成膜した。次に、CBPとIr(PPy)3を共蒸着した。共蒸着はIr(PPy)3の濃度が6%になるように蒸着レートをコントロールし、40nm積層させた。次いで、BAlq、フッ化リチウムおよびアルミニウムの薄膜を順次積層して有機EL素子を得た。この際、蒸着レートは、BAlqおよびアルミニウムについては0.2nm/秒、フッ化リチウムについては0.02nm/秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ20nm、0.5nmおよび120nmとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機EL素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度2ppm以下、露点−85℃以下の窒素雰囲気中で、有機EL素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材(ナガセケムテックス(株)製,XNR5516Z−B1)により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製,HD−071010W−40)を有機EL素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長:365nm、照射量:6,000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
[3] Preparation of organic EL device and characteristic evaluation [Example 2-1]
The varnish obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, dried at 80° C. for 1 minute, and further baked at 150° C. for 10 minutes in the air atmosphere to form an ITO substrate. A 100 nm uniform thin film was formed. As the ITO substrate, a glass substrate of 25 mm×25 mm×0.7 t in which indium tin oxide (ITO) was patterned on the surface with a film thickness of 150 nm was used, and an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) was used before use. To remove impurities on the surface.
Then, α-NPD(N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl was formed on the ITO substrate on which the thin film was formed by using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 1.0×10 −5 Pa). Benzidine) was formed into a 30 nm film at 0.2 nm/sec. Next, CBP and Ir(PPy) 3 were co-evaporated. The co-evaporation was performed by controlling the vapor deposition rate so that the Ir(PPy) 3 concentration was 6%, and stacking 40 nm. Then, thin films of BAlq, lithium fluoride and aluminum were sequentially laminated to obtain an organic EL element. At this time, the vapor deposition rate was 0.2 nm/sec for BAlq and aluminum, and 0.02 nm/sec for lithium fluoride, and the film thickness was 20 nm, 0.5 nm, and 120 nm, respectively.
In order to prevent characteristic deterioration due to the influence of oxygen, water, etc. in the air, the organic EL element was sealed with a sealing substrate and then the characteristics were evaluated. The sealing was performed by the following procedure. In a nitrogen atmosphere having an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of −85° C. or less, the organic EL element is housed between sealing substrates, and the sealing substrates are bonded with an adhesive (XNR5516Z-B1 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.). It was At this time, a water catching agent (HD-071010W-40, manufactured by Dynic Co., Ltd.) was put in the sealing substrate together with the organic EL element. The bonded sealing substrates were irradiated with UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ/cm 2 ) and then annealed at 80° C. for 1 hour to cure the adhesive.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

実施例2−1の素子について、輝度5000cd/m2で駆動した場合における駆動電圧、電流密度および発光効率、並びに輝度の半減期(初期輝度5000cd/m2が半分に達するのに要する時間)を測定した。結果を表19に示す。For the device of Example 2-1, the driving voltage, current density, and luminous efficiency when driven at a luminance of 5000 cd/m 2 and the half-life of the luminance (the time required for the initial luminance of 5000 cd/m 2 to reach half) were obtained. It was measured. The results are shown in Table 19.

Figure 0006717372
Figure 0006717372

表19に示されるように、本発明の電荷輸送性薄膜を備えるEL素子は好適に駆動した。また、寿命特性にも優れていた。 As shown in Table 19, the EL device including the charge transporting thin film of the present invention was favorably driven. It also had excellent life characteristics.

Claims (6)

電荷輸送性物質と、オニウムボレート塩と、有機溶媒とを含み、
前記オニウムボレート塩が、式(a1)で表されるアニオンと対カチオンからなるオニウムボレート塩を含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
Figure 0006717372
(式中、Rは、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のフルオロアルキル基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数7〜10のフルオロアラルキル基を表す。)
Including a charge-transporting substance, an onium borate salt, and an organic solvent,
A charge-transporting varnish characterized in that the onium borate salt contains an onium borate salt consisting of an anion represented by formula (a1) and a counter cation.
Figure 0006717372
(In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, or a fluoroaralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.)
前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体およびチオフェン誘導体から選ばれる少なくとも1種である請求項1記載の電荷輸送性ワニス。 The charge-transporting varnish according to claim 1, wherein the charge-transporting substance is at least one selected from aniline derivatives and thiophene derivatives. 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体である請求項2記載の電荷輸送性ワニス。 The charge-transporting varnish according to claim 2, wherein the charge-transporting substance is an aniline derivative. 請求項1〜3のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。 A charge-transporting thin film produced by using the charge-transporting varnish according to claim 1. 請求項4記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence device comprising the charge transporting thin film according to claim 4. 請求項1〜3のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。 A method for producing a charge-transporting thin film, comprising applying the charge-transporting varnish according to any one of claims 1 to 3 onto a substrate and evaporating the solvent.
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