[go: up one dir, main page]

JP6710603B2 - 基板載置方法及び基板載置装置 - Google Patents

基板載置方法及び基板載置装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6710603B2
JP6710603B2 JP2016154382A JP2016154382A JP6710603B2 JP 6710603 B2 JP6710603 B2 JP 6710603B2 JP 2016154382 A JP2016154382 A JP 2016154382A JP 2016154382 A JP2016154382 A JP 2016154382A JP 6710603 B2 JP6710603 B2 JP 6710603B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
mounting
mounting table
mounting surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016154382A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018022822A (ja
Inventor
敏章 藤里
敏章 藤里
芦澤　宏明
宏明 芦澤
太一 門田
太一 門田
康 藤井
康 藤井
裕 布重
裕 布重
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016154382A priority Critical patent/JP6710603B2/ja
Priority to TW106124717A priority patent/TWI749033B/zh
Priority to US15/660,622 priority patent/US10340176B2/en
Priority to KR1020170096855A priority patent/KR102011563B1/ko
Priority to CN201710661418.0A priority patent/CN107689341B/zh
Publication of JP2018022822A publication Critical patent/JP2018022822A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6710603B2 publication Critical patent/JP6710603B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板を載置台に載置する基板載置方法及び基板載置装置に関する。
基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）をチャンバ内に収容し、チャンバ内に導入した処理ガスやチャンバ内で生じさせたプラズマを用いてウエハに所望の処理、例えば、成膜処理やプラズマ処理を施す基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、ウエハに所望の処理を施す際、ウエハをチャンバ内に配置されたステージとしてのサセプタに載置する。
ウエハはサセプタにおけるウエハの載置面（以下、単に「載置面」という。）の所定の位置へ載置する必要があるが、載置されたウエハが載置面の所定の位置からずれる場合がある。この場合、例えば、ウエハへ成膜処理としての熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）処理を施す際、ウエハがサセプタに内蔵されるヒータからずれてウエハを均等に加熱することができず、ウエハに形成される膜の厚さが均一とならない。また、例えば、ウエハへプラズマ処理としてのエッチング処理を施す際、ウエハのエッジ部においてウエハのずれに起因するインピーダンスの偏りが生じ、ウエハの表面上に形成されるシースの厚みが不均一となり、ウエハの各部におけるエッチング量を均一にすることができない。
そこで、載置面にウエハの直径よりもやや大きい直径の窪みからなるポケットを設け、ポケットの側面にウエハの位置決め用の突起を設け、ポケットにウエハを収容する際に各突起に形成されたテーパ面に沿ってウエハを下降させることにより、ポケット内の適切な位置にウエハを収める技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
ところで、通常、ウエハをサセプタに載置する場合、まず、サセプタの載置面から上方へ突出する複数のリフトピンによってウエハを搬送アームから受け取り、搬送アームがチャンバ内から退出した後、リフトピンが下降し、若しくは、サセプタが上昇することにより、ウエハをサセプタに載置させる。
特開２０００−２６０８５１号公報
しかしながら、ウエハをサセプタに載置する際、ウエハが載置面に均等に当接せず、片当たりすることがある。この場合、例え、載置面にポケットが形成されていても、載置面からの抗力がウエハの垂直方向に対して微小に傾斜してウエハへ作用し、当該抗力のウエハと平行な方向における分力が移動力としてウエハに作用し、ウエハがサセプタの載置面における所定の位置からずれるという問題がある。特に、ウエハが大口径化した場合、ウエハと載置面の当接面積の増加に伴い、抗力、ひいては分力も増加してウエハのずれが顕著となるおそれがある。
本発明の目的は、基板を載置台に載置する際に基板がずれるのを抑制することができる基板載置方法及び基板載置装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の基板載置方法は、載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物の前記載置面からの突出量を相対的に減少させることによって前記基板を前記載置台へ近接させて載置させる基板載置方法であって、前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記基板の前記載置台への近接動作を停止し、前記基板の前記載置台への近接動作を停止した後に、前記基板の前記載置台への近接動作を再開することを特徴とする。
本発明によれば、基板の少なくとも一部が載置面に当接した後、基板の載置台への近接動作を停止し、基板の載置台への近接動作を停止した後に、基板の載置台への近接動作を再開するので、基板は一旦静止され、基板と載置面の当接に起因する抗力によって生じる基板の振動を基板のダンピング効果によって減衰させることができる。これにより、抗力を消滅させて該抗力が基板の移動力として作用するのを防止することができる。その結果、基板を載置台に載置する際に基板がずれるのを抑制することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図１（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図１（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。 ウエハをサセプタに載置する際、ウエハが載置面の所定の位置からずれる理由を説明するための工程図である。 本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図である。 図３の基板載置方法のシーケンス図である。 図３の基板載置方法の変形例のシーケンス図であり、図５（Ａ）は第１の変形例を示し、図５（Ｂ）は第２の変形例を示す。 本発明の第２の実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図６（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図６（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。 本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図である。 図７の基板載置方法のシーケンス図である。 図７の基板載置方法の変形例のシーケンス図であり、図９（Ａ）は第１の変形例を示し、図９（Ｂ）は第２の変形例を示す。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板載置装置及び基板載置方法について説明する。
図１は、本実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図１（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図１（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）において、基板処理装置１０は、ウエハを収容する筐体状のチャンバ１１と、チャンバ１１内の下方に配置される台状のサセプタ１２（載置台）と、サセプタ１２の上面からなるウエハの載置面から上方へ向けて突出する複数、例えば、３本のリフトピン１３（突起物）（２本のみを図示する）とを備える。なお、サセプタ１２及び各リフトピン１３は、本実施の形態に係る基板載置装置を構成する。チャンバ１１の側壁には開口であるゲート１４が設けられ、該ゲート１４を介してウエハＷを保持する搬送アーム１５がチャンバ１１内へ進入する。ゲート１４の高さは各リフトピン１３の先端の高さとほぼ一致するため、搬送アーム１５に保持されたウエハＷはチャンバ１１内において各リフトピン１３の先端の近傍且つ上方に位置し、搬送アーム１５が微量に下降、または、リフトピン１３が微量に上昇することにより、ウエハＷが各リフトピン１３へ受け渡される。ウエハＷを各リフトピン１３へ受け渡した搬送アーム１５はチャンバ１１内から退出する。また、チャンバ１１の側方にはゲート１４を開閉自在なゲートバルブ１６が設けられ、搬送アーム１５がチャンバ１１内から退出すると、ゲートバルブ１６はゲート１４を塞ぐ。
各リフトピン１３はチャンバ１１の底部から立設し、サセプタ１２を上下方向に貫通する。各リフトピン１３は移動しないように構成される一方、サセプタ１２は上下方向に移動可能に構成され、各リフトピン１３がウエハＷを支持した後、サセプタ１２は上方へ移動（上昇）することにより、支持されたウエハＷをサセプタ１２の載置面へ近接させ、そのまま載置面へウエハＷを載置させる。サセプタ１２はヒータや冷媒流路（いずれも図示しない）を内蔵し、載置されたウエハＷの温度を制御する。なお、各リフトピン１３は上下動可能に構成してもよい。
また、基板処理装置１０は処理ガス導入機構、排気機構やプラズマ発生機構（いずれも図示しない）を備え、例えば、チャンバ１１内を減圧した上で、処理ガスやプラズマによってウエハＷへ所望の処理、例えば、成膜処理やプラズマ処理を施す。
ところで、基板処理装置１０では、ウエハＷをサセプタ１２の載置面へ安定的に載置させるために、載置面と、各リフトピン１３の先端によって形成される仮想平面（以下、「ウエハ支持面」という。）とは平行をなすように、各リフトピン１３やサセプタ１２が配置される。しかしながら、各リフトピン１３やサセプタ１２の機械的公差、さらにはサセプタ１２の移動時のがたつきにより、載置面とウエハ支持面は完全に平行とはならず、例えば、ウエハ支持面が載置面に対して微小に傾斜する場合がある（図２（Ａ））。この場合、サセプタ１２が上昇してウエハＷを載置面に近接させる、すなわち、近接動作を行うと、ウエハＷは全体が同時に載置面へ当接することなく、ウエハＷの一部、例えば、ウエハＷのエッジ部が最初に載置面へ当接する（図２（Ｂ））。このとき、ウエハＷのエッジ部には当接に起因する抗力Ｎが作用するが、抗力Ｎは載置面に対して垂直に作用する。一方、上述したように、ウエハ支持面は載置面に対して微小に傾斜するため、ウエハＷも載置面に対して傾斜する。したがって、抗力ＮはウエハＷに対して垂直に作用せず、ウエハＷの垂直方向に対して微小に傾斜して作用するため、ウエハＷに対して抗力Ｎの分力Ｆが水平方向に移動力として作用し、ウエハＷは水平方向にずれる。
さらに、サセプタ１２の上昇が継続してウエハＷと載置面の当接が進行する間、進行する当接に伴って抗力ＮがウエハＷに作用しつづけるため、ウエハＷに対して分力Ｆが水平方向に移動力として作用し続ける（図２（Ｃ））。また、ウエハＷと載置面の当接の進行が途切れることなく継続されると、ガス、例えば、処理ガスや希釈ガスがウエハＷと載置面の間に残留する場合がある。この場合、特にウエハＷへ所望の処理を施すためにチャンバ１１内が減圧されていると、ウエハＷと載置面の間、及びチャンバ１１内の圧力差が大きくなり、ウエハＷが載置面から浮いてずれやすくなるため、上述した移動力によるウエハＷの水平方向のずれをさらに助長する。その結果、ウエハＷが水平方向に大きく移動し、ウエハＷが載置面の所定の位置からずれることがある。
本実施の形態では、これに対応して、サセプタ１２が上昇する際、ウエハＷに対して分力Ｆが作用するのを防止する。
図３は、本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図であり、図４は、図３の基板載置方法のシーケンス図である。
まず、ウエハＷが各リフトピン１３へ受け渡され、各リフトピン１３がウエハＷを支持すると、サセプタ１２は、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接するまで上昇する（図３（Ａ））。ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、ウエハＷには載置面からの抗力Ｎが作用する（図３（Ｂ））。通常、板状物に外力が加わると、当該板状物は振動する。すなわち、板状物において外力が振動へ変換されるが、本実施の形態では、ウエハＷに作用する抗力ＮがウエハＷの振動へ変換される（図３（Ｃ））。一方、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、サセプタ１２は一旦、上昇を停止する。通常、板状物を静止させ続けると、当該板状物の振動は板状物のダンピング効果によって減衰されるが、サセプタ１２が一旦、上昇を停止すると、ウエハＷと載置面の当接の進行が途切れてウエハＷは静止する。また、本実施の形態では、サセプタ１２の上昇の停止が所定の時間、例えば、０．５秒間に亘って継続される。すなわち、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎから変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部と載置面の当接に起因する抗力Ｎが、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
次いで、サセプタ１２の上昇の停止が所定の時間に亘って継続された後、サセプタ１２の上昇が再開されるが、サセプタ１２は所定量、例えば、０．１ｍｍほど上昇すると、再度、上昇を所定の時間に亘って停止する。このとき、ウエハＷには、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って抗力ＮがウエハＷに作用し（図３（Ｄ））、ウエハＷに作用する抗力ＮがウエハＷの振動へ変換される（図３（Ｅ））が、ここでも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎから変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態では、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って生じる抗力Ｎが、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
その後、サセプタ１２の所定の時間に亘る上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開が、ウエハＷと載置面の当接が進行してウエハＷの全面が載置面に完全に当接するまで繰り返される（図４）。なお、サセプタ１２の上昇の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間、例えば、０．５秒間に設定される。
本実施の形態によれば、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後、サセプタ１２の上昇を停止し、所定の時間に亘ってサセプタ１２の上昇を停止した後に、サセプタ１２の上昇を再開する。すなわち、サセプタ１２の上昇を停止した際にウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、ウエハＷと載置面の当接に起因する抗力Ｎによって生じるウエハＷの振動をウエハＷのダンピング効果によって減衰し、抗力Ｎを消滅させることができる。さらに、ウエハＷと載置面の当接が進行する間、サセプタ１２の上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開を繰り返すので、ウエハＷと載置面の当接が進行して抗力Ｎが生じる度、当該抗力Ｎによって生じるウエハＷの振動を減衰することにより、抗力Ｎを消滅させることができる。これにより、抗力ＮがウエハＷの水平方向の移動力として作用するのを防止することができる。その結果、ウエハＷをサセプタ１２に載置する際にウエハＷが載置面の所定の位置からずれるのを抑制することができる。
また、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後やウエハＷと載置面の当接が進行する間、所定の時間に亘ってサセプタ１２の上昇が停止されるため、ウエハＷと載置面の近接動作が所定の時間に亘って停止されてウエハＷと載置面の間からガスを十分に拡散させることができる。その結果、ウエハＷと載置面の間にガスが残留するのを防止することができ、チャンバ１１内が減圧環境下であっても、ウエハＷが載置面から浮いてずれるのを防止することができる。
上述した本実施の形態では、サセプタ１２の上昇の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間に設定されたが、最初にウエハＷと載置面が当接したときの抗力Ｎは、その後のウエハＷと載置面の当接の進行に起因する抗力Ｎよりも大きいと考えられることから、最初にウエハＷと載置面が当接したときのサセプタ１２の上昇の停止時間を、その後のサセプタ１２の上昇の停止における停止時間よりも長く設定するのが好ましい（図５（Ａ））。これにより、最初にウエハＷと載置面が当接したときの大きい抗力Ｎによって生じるウエハＷの大きな振動を確実に減衰することができる。また、最初にウエハＷと載置面が当接した後のウエハＷと載置面の当接の進行に起因する抗力Ｎは非常に小さいと考えられることから、最初にウエハＷと載置面が当接したときのみ、サセプタ１２の上昇を所定の時間に亘って停止してもよい（図５（Ｂ））。これにより、ウエハＷのサセプタ１２への載置に要する時間を短縮することができ、もって、スループットを向上することができる。
さらに、上述した本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後に初めてサセプタ１２の上昇を停止するが、ウエハＷやサセプタ１２の熱膨張によって想定よりも早くウエハＷのエッジ部が載置面に当接する場合もあるため、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接する前から、サセプタ１２の所定の時間に亘る上昇の停止、及びサセプタ１２の上昇の再開を繰り返してもよい。
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板載置装置及び基板載置方法について説明する。
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
図６は、本実施の形態に係る基板載置装置を内蔵する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図であり、図６（Ａ）はウエハをリフタピンへ受け渡す場合を示し、図６（Ｂ）はウエハをサセプタへ載置した場合を示す。
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）において、基板処理装置６０は、チャンバ１１内の下方に配置される台状のサセプタ６１（載置台）と、サセプタ６１の載置面から上方へ向けて突出する複数、例えば、３本のリフトピン６２（突起物）（２本のみを図示する）とを備える。なお、サセプタ６１及び各リフトピン６２は、本実施の形態に係る基板載置装置を構成する。突出時の各リフトピン６２の先端の高さはゲート１４の高さとほぼ一致するため、搬送アーム１５に保持されたウエハＷはチャンバ１１内において各リフトピン６２の先端の近傍且つ上方に位置し、搬送アーム１５が微量に下降、または、リフトピン６２が微量に上昇することにより、ウエハＷが各リフトピン６２へ受け渡される。
サセプタ６１は上下方向に移動しないように構成される一方、各リフトピン６２は、サセプタ６１に内蔵された上下機構によって上下方向に移動可能に構成され、各リフトピン６２はウエハＷを支持した後に下方へ移動（下降）することにより、支持されたウエハＷをサセプタ６１の載置面へ近接させ、そのまま載置面へウエハＷを載置させる。
図７は、本実施の形態に係る基板載置方法を示す工程図であり、図８は、図７の基板載置方法のシーケンス図である。
まず、ウエハＷが各リフトピン６２へ受け渡され、各リフトピン６２はウエハＷを支持すると、支持したウエハＷのエッジ部が載置面に当接するまで下降する（図７（Ａ））。
次いで、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、ウエハＷには載置面からの抗力Ｎ１が作用し（図７（Ｂ））、当該抗力Ｎ１はウエハＷの振動へ変換される（図７（Ｃ））。ここで、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接すると、各リフトピン６２は一旦、下降を停止してウエハＷを静止させ、下降の停止を所定の時間に亘って継続する。すなわち、本実施の形態でも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、ウエハＷのエッジ部と載置面の当接に起因する抗力Ｎ１が、ウエハＷの振動に変換された後、ウエハＷのダンピング効果によって減衰されて消滅する。
次いで、各リフトピン６２の下降の停止が所定の時間に亘って継続された後、各リフトピン６２の下降が再開されるが、各リフトピン６２は所定量下降すると、再度、下降を所定の時間に亘って停止する。このとき、ウエハＷには、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って抗力Ｎ１がウエハＷに作用し（図７（Ｄ））、ウエハＷに作用する抗力Ｎ１がウエハＷの振動へ変換される（図７（Ｅ））が、ここでも、ウエハＷは所定の時間に亘って静止され続けるため、抗力Ｎ１から変換されたウエハＷの振動はウエハＷのダンピング効果によって減衰される。したがって、本実施の形態でも、ウエハＷと載置面の当接の進行に伴って生じる抗力Ｎ１が、ウエハＷの振動に変換された後、減衰されることによって消滅する。
その後、各リフトピン６２の所定の時間に亘る下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開が、ウエハＷと載置面の当接が進行してウエハＷの全面が載置面に完全に当接するまで繰り返される（図８）。なお、各リフトピン６２の下降の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間も、第１の実施の形態と同様に、全て同じ時間に設定される。
本実施の形態によれば、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後、各リフトピン６２の下降を停止してウエハＷを所定の時間に亘って静止させ続けるため、抗力Ｎ１によって生じるウエハＷの振動を減衰させることにより、抗力Ｎ１を消滅させることができる。さらに、ウエハＷと載置面の当接が進行する間、各リフトピン６２の下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開を繰り返すので、ウエハＷと載置面の当接が進行して抗力Ｎ１が生じる度、当該抗力Ｎ１によって生じるウエハＷの振動を減衰させることにより、抗力Ｎ１を消滅させることができる。これにより、抗力Ｎ１がウエハＷの水平方向の移動力として作用するのを防止することができる。
また、本実施の形態では、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接した後やウエハＷと載置面の当接が進行する間、所定の時間に亘って各リフトピン６２の下降が停止されるため、ウエハＷと載置面の間にガスが残留するのを防止することができる。
上述した本実施の形態では、各リフトピン６２の下降の停止の繰り返しにおける停止の所定の時間は全て同じ時間に設定されたが、最初にウエハＷと載置面が当接したときの各リフトピン６２の下降の停止時間を、その後の各リフトピン６２の下降の停止における停止時間よりも長く設定してもよく（図９（Ａ））、また、最初にウエハＷと載置面が当接したときのみ、各リフトピン６２の下降を所定の時間に亘って停止してもよい（図９（Ｂ））。さらに、ウエハＷのエッジ部が載置面に当接する前から、各リフトピン６２の所定の時間に亘る下降の停止、及び各リフトピン６２の下降の再開を繰り返してもよい。
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記各実施の形態では、ウエハＷがサセプタ１２（６１）に載置されたが、上述した各実施の形態に係る基板載置方法は、板状物の種類を問わず、当該板状物を台状物に載置する際に適用することができる。特に、板状物がＦＰＤ（Flat Panel Display）である場合、ＦＰＤはウエハよりも遙かに大きく、台状物に片当たりして位置ずれを起こす可能性が高いため、上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用することによって位置ずれを抑制することによって得られる利得は、ウエハに上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用する場合よりも遙かに大きい。
また、上記各実施の形態では、チャンバ１１内が減圧されたが、チャンバ１１内が減圧されていなくても、上述した各実施の形態に係る基板載置方法を適用することにより、ウエハＷが水平方向にずれるのを抑制することができる。
さらに、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、基板処理装置１０，６０の制御部（図示しない）に供給し、該制御部のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによって上記制御部に供給されてもよい。
また、ＣＰＵが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、上記制御部に接続された機能拡張カードや機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張カードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
Ｗ ウエハ
１０，６０ 基板処理装置
１２，６１ サセプタ
１３，６２ リフトピン

Claims (7)

  1. 載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物の前記載置面からの突出量を相対的に減少させることによって前記基板を前記載置台へ近接させて載置させる基板載置方法であって、
    前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記基板の前記載置台への近接動作を停止し、
    前記基板の前記載置台への近接動作を停止した後に、前記基板の前記載置台への近接動作を再開することを特徴とする基板載置方法。
  2. 前記基板の前記載置台への近接動作の停止、及び前記基板の前記載置台への近接動作の再開を繰り返すことを特徴とする請求項１記載の基板載置方法。
  3. 最初の前記基板の前記載置台への近接動作の停止における停止時間は、その後の前記基板の前記載置台への近接動作の停止における停止時間よりも長いことを特徴とする請求項２記載の基板載置方法。
  4. 前記載置台が前記複数の突起物に支持された前記基板へ向けて上昇することによって前記基板を前記載置台へ近接させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板載置方法。
  5. 前記複数の突起物が前記載置台へ向けて下降することによって前記基板を前記載置台へ近接させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板載置方法。
  6. 減圧環境下で前記基板を前記載置台へ近接させて載置させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板載置方法。
  7. 載置台と、前記載置台における基板の載置面から突出し、且つ前記基板を支持する複数の突起物とを備え、前記載置台が前記複数の突起物に支持された前記基板へ向けて上昇することによって前記基板を前記載置台へ載置させる基板載置装置において、
    前記基板の少なくとも一部が前記載置面に当接した後、前記載置台の上昇を停止し、
    前記載置台の上昇を停止した後に、前記載置台の上昇を再開することを特徴とする基板載置装置。
JP2016154382A 2016-08-05 2016-08-05 基板載置方法及び基板載置装置 Active JP6710603B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016154382A JP6710603B2 (ja) 2016-08-05 2016-08-05 基板載置方法及び基板載置装置
TW106124717A TWI749033B (zh) 2016-08-05 2017-07-24 基板載置方法及基板載置裝置
US15/660,622 US10340176B2 (en) 2016-08-05 2017-07-26 Substrate mounting method and substrate mounting device
KR1020170096855A KR102011563B1 (ko) 2016-08-05 2017-07-31 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치
CN201710661418.0A CN107689341B (zh) 2016-08-05 2017-08-04 基板载置方法和基板载置装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016154382A JP6710603B2 (ja) 2016-08-05 2016-08-05 基板載置方法及び基板載置装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018022822A JP2018022822A (ja) 2018-02-08
JP6710603B2 true JP6710603B2 (ja) 2020-06-17

Family

ID=61069528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016154382A Active JP6710603B2 (ja) 2016-08-05 2016-08-05 基板載置方法及び基板載置装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10340176B2 (ja)
JP (1) JP6710603B2 (ja)
KR (1) KR102011563B1 (ja)
CN (1) CN107689341B (ja)
TW (1) TWI749033B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190244787A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-08 Wei-Chuan Chou Plasma etching reaction chamber
CN108666244A (zh) * 2018-05-15 2018-10-16 长江存储科技有限责任公司 斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法
KR102633336B1 (ko) * 2020-07-28 2024-02-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3357311B2 (ja) 1999-02-12 2002-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP4250184B2 (ja) * 2006-12-05 2009-04-08 シャープ株式会社 基板処理装置
JP2008198739A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法
KR100939933B1 (ko) 2007-06-27 2010-02-04 피에스케이 주식회사 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
JP2010016053A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 被検査体の受け渡し機構
JP5356769B2 (ja) * 2008-10-15 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 載置台
US9360772B2 (en) 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101360585B1 (ko) * 2012-07-23 2014-02-10 우리에이텍(주) 다이 본더의 다이 픽업 제어 방법, 이 방법으로 구동되는 다이 픽업 장치 및 이를 구비한 다이 본더
JP6114060B2 (ja) * 2013-02-27 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板受渡位置確認方法及び基板処理システム
KR101891990B1 (ko) 2013-11-18 2018-08-28 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 방법
JP5944429B2 (ja) * 2014-03-20 2016-07-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP5775633B1 (ja) * 2014-09-29 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6109224B2 (ja) * 2015-03-30 2017-04-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
JP5940199B1 (ja) * 2015-06-26 2016-06-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180016281A (ko) 2018-02-14
TWI749033B (zh) 2021-12-11
US20180040503A1 (en) 2018-02-08
TW201820518A (zh) 2018-06-01
JP2018022822A (ja) 2018-02-08
CN107689341B (zh) 2021-03-26
KR102011563B1 (ko) 2019-08-16
US10340176B2 (en) 2019-07-02
CN107689341A (zh) 2018-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6710603B2 (ja) 基板載置方法及び基板載置装置
JP4795899B2 (ja) 基板載置機構および基板受け渡し方法
JP3802871B2 (ja) 半導体製造装置
JP6711168B2 (ja) 基板載置装置及び基板載置方法
JP2013191601A (ja) 基板保持装置及び基板保持方法
JP2017183415A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN106971961B (zh) 具有提升销组件的基板处理装置
TWI610337B (zh) 熱處理裝置、熱處理方法及記錄媒體
TW201320226A (zh) 熱處理設備及傳送基板至該設備之方法
JP2014165439A (ja) 基板搬送装置、基板受渡位置確認方法及び基板処理システム
TW201606927A (zh) 電漿處理裝置
WO2016052023A1 (ja) 半導体製造装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
KR20180069383A (ko) 진공척
KR20060078545A (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 사용한 화학기상증착장비
KR100542629B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치 및 방법
JP6453081B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6863747B2 (ja) 減圧乾燥装置
KR101738844B1 (ko) 박막증착장치
KR100558494B1 (ko) 웨이퍼 리프팅 장치를 가진 반도체 제조설비
KR20240034649A (ko) 기판 보유 지지구 및 기판 처리 장치
KR20190063286A (ko) 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치
JP4802893B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20130048592A (ko) 기판처리장치
KR100489484B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 이송아암, 리프트 핀, 가이드의위치를 설정하는 방법
KR20240041237A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200413

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200527

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6710603

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250