JP6673780B2 - 入力検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、入力検出装置に関し、特に外部物体の近接を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置に関する。

近年、入力検出装置として、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部物体の近接（以下、接触も含む）を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。

外部物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。

また、外部物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用される。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。

電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術は、例えば特許文献１に記載されている。

特開平１０−４９３０１号公報

電磁誘導方式においては、例えば、入力検出装置に、磁界を発生するコイル（以下、磁界発生コイルとも称する）と磁界を検出するコイル（以下、磁界検出コイルとも称する）が設けられる。また、外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子とが内蔵される。磁界発生コイルで発生した磁界によって、ペン内のコイルが誘起電圧を発生し、容量素子が充電される。容量素子に蓄積された電荷量に従ってペン内のコイルが発生した磁界を磁界検出コイルで検出する。これにより、ペンが近接しているか否かの検出が可能となる。

ペンが近接している位置（領域）を抽出するために、入力検出装置は、互いに異なる位置に配置された複数個の磁界発生コイルを備え、それぞれが異なるタイミングで磁界を発生するように、磁界駆動信号によって駆動される。互いに異なる位置に磁界発生コイルが配置されるため、磁界発生コイルと磁界駆動信号を形成する駆動信号回路との配置を、平面視で見た場合、駆動信号回路に近接した磁界発生コイルと、駆動信号回路から離れた磁界発生コイルとが生じることになる。これにより、離れた磁界発生コイルに、駆動信号回路から駆動信号を供給する信号配線は、近接した磁界発生コイルに駆動信号を供給する信号配線に比べて、長くなる。信号配線が長くなることにより、信号配線に付随する抵抗が大きくなるため、離れた磁界発生コイルにおいて、磁界を発生するときに流れる電流は、近接した磁界発生コイルを流れる電流よりも、小さくなってしまう。流れる電流の大小によって、磁界発生コイルが発生する磁界に強弱が発生することになるため、入力検出装置において、位置（領域）に応じて発生する磁界に強弱のバラツキが生じることになる。すなわち、タッチを検出する面内において、発生する磁界に、位置に依存した強弱の変化が発生することになる。

位置に依存して発生する磁界に、強弱が生じると、ペン内の容量素子に蓄積される電荷量も、タッチする位置に依存して変わることになる。その結果、ペン内のコイルが発生する磁界も、位置に依存して、強弱が発生することになり、検出感度が、位置に依存して変化してしまい、望ましくない。

特許文献１には、電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術が記載されているが、位置に応じて検出感度が変わることは、記載も認識もされていない。

本発明の目的は、位置に依存する検出感度の変化を抑制することが可能な入力検出装置を提供することにある。

本発明の一態様に係わる入力検出装置は、基板と、駆動信号を供給する駆動信号回路に接続された端部を有し、基板上の第１方向に延在する信号配線と、基板上の第１方向に配列された複数の駆動電極と、外部物体の近接を、磁界の変化に基づいて検出するとき、複数の駆動電極から選択された駆動電極の端部を、信号配線に接続する選択駆動回路と、複数の駆動電極のそれぞれに、平面視で重畳し、前記駆動電極に電気的に接続された複数の第１配線パターンを備える。ここで、駆動信号回路に接続された信号配線の端部に近接する駆動電極に接続されている第１配線パターンの配線密度は、駆動信号回路に接続された信号配線の端部から離れた駆動電極に接続されている第１配線パターンの配線密度に比べて小さい。

（Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、磁界検出の原理を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、電界検出の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わるモジュールの構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流を示す特性図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる電流経路の合成抵抗の内訳を示す図である。 実施の形態１に係わる経路の合成抵抗の内訳を示す図である。 実施の形態１に係わるモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる時定数の特性を示す特性図である。 実施の形態１に係わる表示装置の断面を示す断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる表示領域の平面を示す平面図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、実施の形態２に係わる表示領域の平面を示す平面図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、実施の形態３に係わる表示装置の平面を示す平面図である。 実施の形態３に係わる表示装置の断面を示す断面図である。 実施の形態３に係わる表示装置の断面を示す断面図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。以下の説明は、入力検出装置として、タッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べるが、これに限定されるものではない。例えば、入力検出装置は、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置でもよいし、表示機能を有していないタッチパネル等であってもよい。

（実施の形態１）
実施の形態１では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、表示装置とも称する）が提供される。先ず、表示装置の基本的な構成を説明し、次に、この基本的な構成を基にして、ペンによるタッチを検出する磁界検出（以下、磁界タッチ検出とも称する）および指によるタッチを検出する電界検出（以下、電界タッチ検出とも称する）の原理を説明する。

＜表示装置の基本的な構成＞
図１は、表示装置の構成を模式的に示す図である。図１において、１は、表示装置を示しており、図１（Ａ）は、表示装置１の平面を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、表示装置１の断面を示す断面図である。表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第１基板または単に第１基板とも称する）ＴＧＢと、第１基板ＴＧＢに積層されたレイヤ（層）、カラーフィルタＣＦＴ、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第２基板または単に第２基板とも称する）ＣＧＢおよび第２基板ＣＧＢに積層されたレイヤ（層）を備えている。

図１（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。理解を容易にするために、図１（Ａ）では、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、実際には、図１（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。

第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図１（Ｂ）では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタＣＦＴのみが示されている。また、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図１（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。また、図１（Ｂ）において、１３は検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された単位検出回路を示している。

本明細書では、表示装置１を、図１（Ｂ）に示すように、第２基板ＣＧＢおよび第１基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、第２基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図１（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とは、平面視で見たとき、直交していることが望ましいが、平面視で見たときに、駆動電極と検出電極とは傾きを持って交差していてもよい。そのため、以下の説明で用いる「直交」は「交差」も含むものと理解されるべきである。

＜磁界検出の原理＞
図２は、磁界検出の原理を示す説明図である。磁界検出の期間は、磁界を発生する磁界発生期間と磁界を検出する磁界検出期間とによって構成される。図２（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間のときの動作を示しており、図２（Ｂ）は、磁界検出期間のときの動作を示している。説明の都合上、図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１（Ａ）を９０度回転させた状態が示されている。

磁界発生期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、所定の駆動電極間の端部が、電気的に接続され、端部が接続された駆動電極に、所定の電圧（例えば接地電圧Ｖｓ）と磁界駆動信号が供給される。例えば、図１に示した駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）のそれぞれの端部のうち、他方の端部が、図１の右側において電気的に接続される。これにより、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）が、直列的に接続される。駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部に、図１の左側において、接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部に、図１の左側において、磁界駆動信号を供給する。ここで、磁界駆動信号は、その電圧が周期的に変化する信号である。駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）により、この駆動電極により挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界発生コイルが構成され、この磁界発生コイルは、磁界駆動信号の電圧の変化に応じた磁界を、その内側で発生する。

図２（Ａ）において、ＧＸ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）によって構成された磁界発生コイルを示し、ＧＸ（ｎ）〜ＧＸ（ｎ＋４）のそれぞれは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）と同様に、駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（ｐ）によって構成された磁界発生コイルを示している。

図２（Ａ）において、ＣおよびＬ１は、ペンＰｅｎに内蔵されている容量素子およびコイルを示している。容量素子ＣとコイルＬ１は、共振回路を構成するように、並列接続されている。磁界発生期間において、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。磁界駆動信号ＣＬＫが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が、磁界駆動信号ＣＬＫの電圧変化に応じた磁界φ１を発生する。ペンＰｅｎが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）に近接していれば、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）とコイルＬ１との間は電磁結合され、磁界φ１によってコイルＬ１に相互誘導による誘起電圧が発生し、容量素子Ｃが充電される。

次に、図２（Ｂ）に示す磁界検出期間に移行する。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界の検出が行われる。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は一対の端部を有している。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、所定の検出電極間の他方の端部が、互いに電気的に接続される。例えば、図１に示した検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）のそれぞれの他方の端部が、図１の上側において電気的に接続される。これにより、平行に配置された検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）が直列的に接続される。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（３）の一方の端部に所定の電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部が、単位検出回路に接続される。これにより、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）とによって挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界検出コイルが形成され、この磁界検出コイルによって、ペンＰｅｎからの磁界の検出が行われる。

図２（Ｂ）において、ＤＹ（ｎ−２）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）によって構成された磁界検出コイルを示しており、ＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）は、同様に検出電極ＲＬ（２）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルを示している。磁界検出期間のとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部に、所定の電圧Ｖｓが供給され、それぞれの他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ−２）〜Ｒｘ（ｎ＋１）が、単位検出回路に供給される。

磁界発生期間において、容量素子Ｃに充電が行われていれば、磁界検出期間のとき、コイルＬ１は、容量素子Ｃに充電されている電荷に従って、共振回路の共振周波数に応じて変化する磁界φ２を発生する。図２（Ｂ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に、コイルＬ１の中心（一点鎖線）が存在している。そのため、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で電磁結合が発生し、相互誘導によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に誘起電圧が発生する。その結果、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ）は、容量素子Ｃに充電されている電荷量に応じて変化することになる。磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路は、この信号Ｒｘ（ｎ）の変化を検出信号として出力する。これにより、ペンＰｅｎが近接（タッチ）しているか否か、および座標を抽出することが可能となる。また、電荷量に応じて検出信号が変化するため、ペンＰｅｎとの距離を求めることが可能となる。

図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）に続いて移行した磁界発生期間を示している。図２（Ａ）と異なるのは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ＋１）に磁界駆動信号ＣＬＫが供給されていることである。ペンＰｅｎの位置は変化していないため、図２（Ｃ）に示した磁界発生期間においては、コイルＬ１に誘起電圧が発生せず、容量素子Ｃは充電されない。これにより、図２（Ｃ）に続いて移行する磁界検出期間においては、ペンＰｅｎが近接していないと検出される。以降、同様にして、ペンＰｅｎの検出が行われる。

＜電界検出の原理＞
図３は、電界検出の原理を示す説明図である。図３（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、電界駆動信号を出力する単位駆動回路を示し、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位検出回路を示している。また、図３（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動電極ＴＬ（２）へ供給される電界駆動信号Ｔｘ（２）の波形を示している。外部物体として、指がＦＧとして示されている。

駆動電極ＴＬ（２）に、電界駆動信号Ｔｘ（２）が供給されると、図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と、この駆動電極ＴＬ（２）と直交する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、駆動電極ＴＬ（２）の近傍をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として表れ、単位検出回路１３−ｎに供給され、検出信号として出力される。

他の駆動電極についても、同様にして、電界駆動信号を供給することにより、指ＦＧがタッチしているが否かに応じた信号の電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に生じ、検出信号として出力されることになる。これにより、指ＦＧがタッチしているか否か、および座標を抽出することが可能となる。

上記したように、磁界検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、選択された駆動電極に磁界駆動信号が供給され、電界検出の際には、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。一方、表示の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、表示駆動信号が供給される。表示駆動信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、同じ電圧とされるため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、１個の共通電極と見なすことができる。

＜表示装置の全体構成＞
図４は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図４において、表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、制御装置３、ゲートドライバ４およびタッチ制御装置５を備えている。また、表示装置１は、選択駆動回路ＳＤＬ、ＳＤＲおよび検出回路ＤＥＴを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、表示領域を包囲する周辺領域は非アクティブ領域である。図４では、２が、表示領域を示している。

表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有している。画素配列には、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。図４を参照して述べると、画素配列において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、かかる複数の信号線と複数の走査線とが交差することにより形成される空間に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示が行われる。

制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、表示期間のとき、画像情報に従った画像信号を形成し、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給する。また、制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置５からの制御信号ＳＷとを受け、種々の信号を形成する。図４には、制御装置３により形成される信号のうち、説明に必要な信号のみが、代表として描かれている。すなわち、制御装置３は、同期信号ＴＳＨＤおよび制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲを形成する。また、特に制限されないが、制御装置３は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する。すなわち、制御装置３は駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する駆動信号回路６を含む。

同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う表示期間とタッチ検出（磁界タッチ検出および電界タッチ検出）を行うタッチ検出期間とを識別する同期信号である。制御装置３は、この同期信号ＴＳＨＤによって、タッチ制御装置５が、タッチ検出期間の際に動作するように制御する。

ゲートドライバ４は、表示のとき、制御装置３からのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給されている画像信号に従った表示を行う。

検出回路ＤＥＴは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として出力する。

タッチ制御装置５は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受け、タッチされた位置の座標を抽出し、外部端子Ｔｏから出力する。また、タッチ制御装置５は、制御信号ＳＷを出力するとともに、同期信号ＴＳＨＤを受け、表示制御装置３に同期して動作する。

表示領域２は、画素配列の行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列の列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の駆動電極と複数の走査線が配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の信号線と複数の検出電極が配置されている。

選択駆動回路ＳＤＬ、ＳＤＲは、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲおよび駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを備えている。選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲに基づいて、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、駆動電極を選択する選択信号を形成する。

図４において、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれは、信号配線を示している。信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬは、表示領域２の辺２−Ｌに沿って延在しており、駆動回路ＤＲＶＬを貫通している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲは、表示領域２の辺２−Ｒに沿って延在しており、駆動電極ＤＲＶＲを貫通している。駆動回路ＤＲＶＬは、選択回路ＳＥＬＬに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＬまたはＴＳＶＬに接続する。同様に、駆動回路ＤＲＶＲは、選択回路ＳＥＬＲに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＲまたはＴＳＶＲに接続する。

制御装置３に備えられた駆動信号回路６によって形成された駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給される。後で詳しく説明するが、磁界タッチ検出のときには、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、磁界が発生する。また、電界タッチ検出の際には、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＳＶが、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、電界が発生する。また、本明細書においては、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲを第１信号配線（または第２信号配線）、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは第２信号配線（または第１信号配線）とも称する場合がある。

＜表示装置１のモジュール構成＞
図５は、表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図１で示した第１基板ＴＧＢの領域を示し、５０２は、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール５００において、第１基板ＴＧＢは、領域５０１と５０２において一体となっている。また、領域５０２では、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、第１基板ＴＧＢに第２基板ＣＧＢが搭載されている。図５において、５００−Ｕ、５００−Ｄは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｌ、５００−Ｒは、モジュール５００の長辺を示している。

領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域には、図４で示したゲートドライバ４、選択駆動回路ＳＤＬが配置されている。表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の長辺５００−Ｒとの間の領域には、図４で示した選択駆動回路ＳＤＲが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の短辺５００−Ｄとの間の領域には、図４で示した検出回路ＤＥＴおよび制御装置３が配置されている。検出回路ＤＥＴは、領域５０１の第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。平面視で見たとき、検出回路ＤＥＴを覆うように、制御装置３が、第１基板ＴＧＢに実装されている。また、選択駆動回路ＳＤＬ、ＳＤＲを構成する配線および部品も、領域５０２における第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。

図４において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置５に供給される。領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２に設けられたコネクタＣＮを介して、タッチ制御装置５と制御装置３との間で信号の送受信が行われる。

表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配列された画素配列を有しており、画素配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線と、画素配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図５には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と３個の検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）が示されている。図５では、横方向が、画素配列の行方向であり、縦方向が、画素配列の列方向である。そのため、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ），ＴＬ（ｍ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。また、例示した信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置され、例示した検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）のそれぞれは、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。なお、図５では走査線は、省略されているが、走査線は、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在している。

また、図５には、画素配列が、破線ＰＤＭとして示されており、画素配列ＰＤＭに配置されている複数の画素のうち、表示領域２の４個の角に配置されている画素と、例示した駆動電極および信号線との交差部に配置された画素領域が、Ｐｉｘとして示されている。

図４に示した信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｌと表示領域２の辺２−Ｌとの間の領域において、縦方向（画素配列の列方向）に延在している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｒと表示領域２の辺２−Ｒとの間の領域において、縦方向（画素配列の方向：第１方向）に延在している。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の延在方向、すなわち、横方向を第２方向として見た場合、この第２方向と直交（交差を含む）する第１方向に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）および信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲが延在することになる。このとき、省略されている走査線は、第２方向に沿って延在していることになる。

図４では、制御装置３が、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶを形成する例を示したが、これに限定されず、他の回路ブロック等によって形成してもよい。他の回路ブロックで形成する場合、例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、フレキシブルケーブルＦＢ２内の配線に接続され、他の回路ブロックに接続される。図５において、制御装置３に示した破線は、他の回路ブロックによって、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する場合を示している。すなわち、他の回路ブロック（駆動信号回路）によって形成された駆動信号を伝達する信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲにおいて、制御装置３により覆われている部分が、破線として示されている。

＜磁界発生期間の概要＞
駆動電極を用いて磁界検出を行う場合の原理を、図２で説明した。理解を容易にするために、図２では、駆動電極間を電気的に接続することにより、磁界発生コイルを構成する例を示した。本発明者らは、駆動電極間を電気的に接続せずに、磁界を発生する構成を考え、表示装置１に適用している。表示装置１のより具体的な説明をする前に、本発明者らが考えた磁界発生を、説明しておく。

図６は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。図６において、ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、駆動電極を示している。駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、平面視で見たとき、互いに平行に配置されており、それぞれの駆動電極が、一対の端部ｎ１、ｎ２を備えている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、それぞれの一方の端部ｎ１が、表示領域２の辺２−Ｌに沿い、それぞれの他方の端部ｎ２が、表示領域２の辺２−Ｒに沿うように配置されている。

ここでは、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、ペンＰｅｎ（図２）がタッチしているか否かを検出する磁界タッチ検出の期間（以下、磁界タッチ検出期間とも称する）を例にして説明する。この磁界タッチ検出期間において、磁界発生期間のとき、図６（Ａ）に示す駆動状態と図６（Ｂ）に示す駆動状態が、１回を含む複数回路発生するように、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）およびＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が駆動される。

磁界発生期間のとき、平面視において、磁界を発生する駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域を、その間に挟むように配置された一対の駆動電極が選択され、選択された一対の駆動電極において流れる電流の方向が反対になるように、駆動電極が駆動される。図６においては、平面視において、隣り合った３個の駆動電極が、束とされ、束の駆動電極（以下、束駆動電極とも称する）が、対を構成する駆動電極として用いられている。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）が束とされ、束駆動電極が構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が束とされ、束駆動電極が構成されている。

図６（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に、接地電圧のような第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に、第１電圧Ｖｓよりも絶対値の大きな第２電圧Ｖｄが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）のそれぞれにおいて、他方の端部ｎ２から一方の端部ｎ１へ向かう方向の電流Ｉ１が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１１を発生することになる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）では、その一方の端部ｎ１に、第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部２に、第１電圧Ｖｓが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれにおいて、一方の端部ｎ１から他方の端部ｎ２へ向かう方向の電流Ｉ２が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１２を発生することになる。

それぞれの束駆動電極が発生した磁界φ１１、φ１２の方向は、電流Ｉ１と電流Ｉ２の方向が反対のため、反対となり、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域においては重畳されることになるため、この駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。

図６（Ｂ）では、束駆動電極に供給される電圧が、図６（Ａ）とは反対となるようにする。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部ｎ２に第１電圧Ｖｓが供給される。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部ｎ１に第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）を流れる電流の方向が、図６（Ａ）のときの電流の方向とは反転し、電流Ｉ２となる。これにより、発生する磁界の方向も反転し、破線で示す方向の磁界φ１２が発生する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流の方向が反転し、磁界の方向も反転して、破線で示す磁界φ１１となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、磁界φ１１とφ１２とが重畳され、強い磁界が発生することになる。

これにより、駆動電極間を電気的に接続しなくても、所望の駆動電極の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。なお、図６では、第１電圧Ｖｓは、０で示され、第２電圧Ｖｄは、＋で示されている。

磁界発生期間において発生した磁界によって、ペンＰｅｎの容量素子に電荷が蓄積され、磁界検出期間において、ペンＰｅｎが発生する磁界を、磁界検出コイルで検出するのは、先に図２を用いて説明したのと同様である。

＜駆動電極および選択駆動回路ＳＤＬ、ＳＤＲの構成＞
磁界発生期間のとき、図６で説明したように、選択された駆動電極の端部ｎ１、ｎ２に、第１電圧Ｖｓと第２電圧Ｖｄを、交互に供給するよう、図４に示した駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲは、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲによって制御される。このとき、制御装置３は、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを、第１信号配線ＴＰＬＬおよびＴＰＬＲのそれぞれの端部に供給し、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを、第２信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給する。

駆動回路ＤＲＶＬは、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と第１信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された複数の第１スイッチと、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と第２信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された複数の第２スイッチによって構成することができる。この場合、対応する選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって、第１スイッチまたは第２スイッチがオン状態（導通状態）となる。これにより、選択された駆動電極の一方の端部ｎ１に、第１電圧Ｖｓまたは第２電圧Ｖｄを供給することができる。同様に、駆動回路ＤＲＶＲも、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と第１信号配線ＴＰＬＲとの間に接続された複数の第１スイッチと、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と第２信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された複数の第２スイッチによって構成することができる。駆動回路ＤＲＶＲを構成する複数の第１スイッチと第２スイッチを、対応する選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によってスイッチング制御することにより、選択された駆動電極の他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄまたは第１電圧Ｖｓを供給する。

本発明者らは、先ず、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれが、互いに同じ抵抗値を有するように、同じ形状にすることを考えた。また、上記した第１スイッチおよび第２スイッチも、互いに同じサイズにすることを考えた。これにより、平面視で見たとき、図５に示した表示領域２において、同じ形状の駆動電極を繰り返し（周期的に）配置することが可能となる。また、第１スイッチおよび第２スイッチも、同じサイズであるため、同じ形状のスイッチを繰り返し配置することによって、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを構成することが可能となる。

図７は、上記したように構成した場合の駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図面が複雑になるのを避けるために、表示領域２において、辺２−Ｕと辺２−Ｄとの間に、縦方向に平行に配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、図７（Ａ）と図７（Ｂ）に分けて描かれている。ここでは、辺２−Ｕ側に近接した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）が、図７（Ａ）に示され、辺２−Ｄ側に近接した駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｐ）が、図７（Ｂ）に示されている。図７（Ａ）を図７（Ｂ）の上側に配置することにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の平面図が完成する。

図７（Ａ）および（Ｂ）において、第１信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部ｎ１との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第１スイッチＳ１０Ｌに該当する。また、第２信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部ｎ１との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第２スイッチＳ１１Ｌに該当する。同様に、図７（Ａ）および（Ｂ）において、第１信号配線ＴＰＬＲと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部ｎ２との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第１スイッチＳ１０Ｒに該当する。また、第２信号配線ＴＳＶＲと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部ｎ２との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第２スイッチＳ１１Ｒに該当する。なお、図７では、一部の第１スイッチおよび第２スイッチに対してのみ、符合Ｓ１０Ｌ、Ｓ１１Ｌ、Ｓ１０Ｒ、Ｓ１１Ｒが付されている。

図７（Ａ）および（Ｂ）において、ｎＶＬ、ｎＶＲは、第２信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部を示しており、ｎＬＬ、ｎＬＲは、第１信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの端部を示している。図５に示したように、制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２は、表示領域２の辺２−Ｄ側に配置されており、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲは、制御装置３に含まれている駆動信号回路６（図４）またはフレキシブルケーブルＦＢ２に配置される回路ブロックに接続されている。そのため、平面視で見たとき、図７に示した駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）の順に、制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２に近づくことになる。例えば、図７（Ａ）に示した駆動電極ＴＬ（０）は、制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２から最も離れた位置に配置されていることになり、図７（Ｂ）に示した駆動電極ＴＬ（ｐ）は、制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２に最も近接した位置に配置されていることになる。

磁界発生期間において、制御装置３が、駆動信号回路６を介して第２信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＶＬ、ｎＶＲに、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを供給し、第１信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲに、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを供給する。

図７（Ａ）には、辺２−Ｕ側に近接した駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。これに対して、図７（Ｂ）には、辺２−Ｄ側に近接した駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。

図７において、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ上に示されているＲは、それぞれの信号配線に付随する抵抗成分を、分布定数の抵抗として示している。図面が複雑になるのを避けるために、符合Ｒも、一部の抵抗についてのみ、付されている。

図７（Ａ）に示すように、駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生するとき、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態となり、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）には、駆動電極ＴＬ（２）に例示しているような方向の電流Ｉ１Ｆが流れ、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）には、駆動電極ＴＬ（６）に例示しているような方向の電流Ｉ２Ｆが流れることになり、駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界が発生することになる。

同様に、図７（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生するとき、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態となり、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）には、駆動電極ＴＬ（ｐ−６）に例示しているような方向の電流Ｉ１Ｎが流れ、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）には、駆動電極ＴＬ（ｐ−２）に例示しているような方向の電流Ｉ２Ｎが流れることになり、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界が発生することになる。

駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において、磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに、平面視において近接して接続されるため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒは少なくなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒとほぼ同じ値の電流が、電流Ｉ１Ｎ、Ｉ２Ｎとして、これらの駆動電極を流れることになる。これに対して、駆動電極ＴＬ（４）の領域において、磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、信号配線の端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから、平面視において離れて接続されるため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒが多くなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒに比べて小さな値の電流が、電流Ｉ１Ｆ、Ｉ２Ｆとして、これらの駆動電極を流れることになる。

すなわち、駆動信号回路６を備えた制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２から駆動電極までの距離によって、駆動信号を供給する信号配線の長さも変わり、駆動信号回路６から駆動電極までの信号配線が長くなるほど、信号線に付与される抵抗Ｒが増加する。

駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）を流れる電流が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）を流れる電流に比べ、小さくなるため、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）によって発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）によって発生する磁界に比べて弱くなる。その結果として、駆動電極ＴＬ（４）の領域において発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において発生する磁界よりも弱くなる。すなわち、駆動信号回路６に接続された端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから平面視において離れた位置で接続されている駆動電極によって発生する磁界は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接した位置で接続されている駆動電極によって発生する磁界よりも弱くなる。言い換えるならば、平面視において、駆動信号回路６が配置される制御装置３およびフレキシブルケーブルＦＢ２から離れた位置に配置されている駆動電極によって発生する磁界は、近接した位置に配置されている駆動電極によって発生する磁界よりも弱くなる。

図８は、磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流の値を示す特性図である。図８は、本発明者らが測定して、作成した特性図である。図８において、横軸は、駆動電極の位置を示しており、近端は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）を示しており、遠端は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）を示している。駆動電極ＴＬ（ｐ）からＴＬ（０）の順に、信号配線の端部から離れて配置されている。図８の縦軸は、駆動電極を流れている電流の値を示している。図８から理解されるように、磁界発生期間においては、近端から遠端に向かって、駆動電極を流れる電流の値が小さくなっている。また、本発明者らが測定した結果では、近端の駆動電極を流れる電流の値は、遠端の駆動電極を流れる電流に対して、約３倍の値を有している。

駆動電極を流れる電流の値が、近端から遠端に向かって小さくなると、発生する磁界も、近端から遠端に向かって弱くなる。そのため、磁界発生期間において、ペンＰｅｎの容量素子に蓄積される電荷量も、タッチしている位置によって異なることになる。その結果、磁界検出期間において、磁界検出コイルにより検出される変化量も変わることになり、検出感度が位置に依存してばらつくことになる。例えば、図４に示したタッチ制御装置５において、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を調整することにより、検出感度のバラツキを低減し、位置に対して一定にすることが考えられるが、図８に示すように、駆動電極を流れる電流が３倍も異なると、発生する磁界の変化が大きく、検出感度が一定となるように、調整するのは容易ではない。

図９は、実施の形態１に係わる駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図面が複雑になるのを避けるために、図７と同様に、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから平面視において離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）および対応する駆動回路が、図９（Ａ）に示されている。また、平面視において、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｐ）および対応する駆動回路が、図９（Ｂ）に示されている。図９（Ａ）を図９（Ｂ）の上側に配置することにより、表示領域２の辺２−Ｕと辺２−Ｄの間に、縦方向に平行に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、それに対応する駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲの平面図が完成する。なお、完成した平面図は、実際の配置に合わせて描かれている。

図９（Ａ）には、図７（Ａ）と同様に、駆動電極ＴＬ（４）の領域で磁界が発生するように、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされ、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）に接続された第２スイッチＳ１１Ｌおよび第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態にされたときの状態が示されている。また、図９（Ｂ）には、図７（Ｂ）と同様に、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域で磁界が発生するように、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされ、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）に接続された第２スイッチＳ１１Ｌおよび第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態にされたときの状態が示されている。

図７と異なり、この実施の形態１においては、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに、所定のパターン形状を有する導電性の配線パターンＡＵが、それぞれの駆動電極と重なる（重畳する）ように対向し、電気的にオーミック接続されている。配線パターンＡＵは、図９においては、一点鎖線で示されており、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と同様に、横方向（行方向）に延在し、縦方向（列方向）に平行に配置されている。図９には、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｐ−１）およびＴＬ（ｐ）に接続された配線パターンＡＵのみが描かれているが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに、複数の配線パターンＡＵが接続されており、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）に向けて少なくなっている。

図９に示した配線パターンＡＵで説明すると、表示領域２の辺２−Ｕに近接して配置された駆動電極ＴＬ（０）に接続されている配線パターンＡＵの個数が、最も多く、辺２−Ｄに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されている配線パターンＡＵの個数が、最も少なくなっている。表示領域２の辺２−Ｕと辺２−Ｄの間の中間に配置されている駆動電極（例えば、ＴＬ（ｎ））に接続されている配線パターンＡＵの個数は、駆動電極ＴＬ（０）に接続されている配線パターンＡＵの個数と、駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されている配線パターンＡＵの個数との間の個数となっている。

すなわち、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れた位置で接続される駆動電極ＴＬ（０）から、これらの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接した位置で接続される駆動電極ＴＬ（ｐ）に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなっている。

配線パターンＡＵは、導電性であるため、駆動電極と接続されることにより、駆動電極の合成抵抗を小さくする補助電極として機能する。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、互いに同じ抵抗値を有していても、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）に向けて接続されている配線パターンＡＵの個数が、少なくなることにより、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）に向けて、合成抵抗の値は大きくなる。すなわち、平面視において、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて接続される駆動電極ＴＬ（０）から、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して接続される駆動電極ＴＬ（ｐ）に向けて、駆動電極の合成抵抗が、大きくなる。

上記したように、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接した位置から、離れた位置に向かって、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲが有する抵抗Ｒが増えるが、駆動電極の合成抵抗は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れた位置から、近接した位置に向かって、大きくなる。その結果、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して接続される駆動電極（例えば、ＴＬ（ｐ））において磁界を発生するときに形成される電流経路における合成抵抗と、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて接続される駆動電極（例えば、ＴＬ（０））において磁界を発生するときに形成される電流経路における合成抵抗との差を低減することが可能となる。これにより、磁界発生期間において、端部に近接して接続された駆動電極ＴＬ（ｐ）を流れる電流と、端部から離れて接続された駆動電極ＴＬ（０）を流れる電流との差を低減することが可能となり、発生する磁界の強さを同じにすることが可能となる。

平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲからの位置に依存しない強さの磁界を発生することが可能となるため、位置に依存して検出感度が変化するのを低減することが可能となる。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、互いに同じ平面形状を備えている。図６で説明したが、磁界タッチ検出のとき、平面視において、磁界を発生している駆動電極に挟まれた駆動電極の領域において強い磁界が発生する。それぞれの駆動電極の平面形状を同じにすることにより、強い磁界を発生する領域の範囲が、表示領域における位置に依存して変わるのを防ぐことが可能となり、磁界タッチ検出における解像度が位置に依存して変わるのを防ぐことが可能となる。

＜駆動電極および選択駆動回路ＳＤＬ、ＳＤＲの詳細構成＞
図１０は、実施の形態１に係わる駆動電極および駆動回路の構成を示す平面図である。図１０は、図９に示した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、駆動電極ＴＬ（９）〜ＴＬ（ｐ−１）を省略した平面図である。省略した駆動電極に対応する駆動回路も、図１０では省略されている。駆動電極および対応する駆動回路を省略しているが、図示した駆動電極、信号配線等は、実際の配置に合わせて描かれている。

また、図９では、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部として、ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを示したが、図１０では、フレキシブルケーブルＦＢ２（図５参照）に設けられた他の回路ブロック７の出力が、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部に接続されている。図５で説明したように、他の回路ブロック７が、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する場合、特に制限されないが、信号配線の一部が、平面視で見たとき、制御装置３によって覆われている。ここでは、他の回路ブロック７として、第１電圧Ｖｓおよび第２電圧Ｖｄを形成する電源回路を用いる場合を説明する。

図１０でも、駆動電極にオーミック接続された配線パターンＡＵは、一点鎖線で示されている。図面が複雑になるのを避けるために、図１０でも、駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（ｐ）に接続された複数の配線パターンのうち、１個の配線パターンについてのみ、符合ＡＵが付されている。

特に制限されないが、図１０では、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）のそれぞれに、８個の配線パターンＡＵが平行して接続され、駆動電極ＴＬ（２）、（３）のそれぞれに、７個の配線パターンＡＵが平行して接続され、駆動電極ＴＬ（４）〜ＴＬ（６）のそれぞれに、６個の配線パターンＡＵが平行して接続されている。また、駆動電極ＴＬ（７）、ＴＬ（８）のそれぞれには、３個の配線パターンＡＵが平行して接続され、駆動電極ＴＬ（ｐ）には、２個の配線パターンＡＵが接続されている。勿論、それぞれの駆動電極に接続される配線パターンＡＵの個数は、この個数に限定されるものではなく、表示領域２の辺２−Ｕから辺２−Ｄに向かって、駆動電極に接続されている配線パターンの個数が少なくなっていればよい。また、図１０に示すように、隣り合う駆動電極で、同じ個数の配線パターンＡＵが接続されていてもよい。さらに、辺２−Ｄに最も隣接した駆動電極は、配線パターンＡＵが接続されていなくてもよい。

図１０において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒは、図９（Ａ）に示したのと同じ状態になっている。詳しい説明は省略するが、図６（Ａ）に示した駆動状態となっており、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）により形成された束駆動電極が発生している磁界と、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）により形成された束駆動電極が発生している磁界とが、駆動電極ＴＬ（４）において重畳され、強い磁界が発生している。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）、ＴＬ（ｐ）のそれぞれには、複数の配線パターンＡＵが、オーミック接続されているため、駆動電極と配線パターンＡＵとが並列的に接続された状態になっている。そのため、駆動電極の合成抵抗は、駆動電極の抵抗と配線パターンＡＵの抵抗が合成された値となる。図１０では、駆動電極ＴＬ（６）の合成抵抗が、符合ＲＴ（６）として示されている。また、図１０において、ＲＴＲは、第１スイッチまたは第２スイッチがオン状態となったときのオン抵抗を示している。

図１０においても、Ｒは、図９と同様に、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに付随する抵抗を分布定数的な抵抗成分として表した抵抗を示している。また、図１０において、ＲＤは、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲにおいて引き出し部分の抵抗を示し、ＲＰは、実装抵抗および電源インピーダンスを示している。図４に示したように、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、表示領域２の辺２−Ｌ、２−Ｒとモジュール５００の長辺５００−Ｌ、５００−Ｒとの間の領域を、縦方向に延在する部分と、この縦方向に延在する部分とフレキシブルケーブルＦＢ２の端部とを接続する引き出し部分を有している。この引き出し部分の抵抗が、図１０では、符合ＲＤとして示されている。また、フレキシブルケーブルＦＢ２を領域５０１（図５）に実装するときに生じる抵抗等の含む実装抵抗と、電源回路の電源インピーダンスとを含む抵抗が、図１０では、抵抗ＲＰとして示されている。

＜磁界発生期間における合成抵抗内訳＞
図１１は、磁界タッチ検出のときに、選択された駆動電極により形成される電流経路の合成抵抗の内訳を示す図である。同図には、遠端に形成される電流経路と、近端に形成される電流経路の合成抵抗の内訳が示されている。ここで、遠端に形成される電流経路は、平面視において、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れて配置された駆動電極（例えば、ＴＬ（０））が選択され、選択された駆動電極ＴＬ（０）により形成される電流経路を示している。また、近端に形成される電流経路は、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して配置された駆動電極（例えば、ＴＬ（ｐ））が選択され、選択された駆動電極ＴＬ（ｐ）により形成される電流経路を示している。

図１１には、近端に形成される電流経路として、近端と調整後近端の２種類が示されている。図１１において、調整後近端および遠端は、図９、図１０に示したように、フレキシブルケーブルＦＢ２（あるいは信号配線の端部）から離れて接続される駆動電極から、近接して接続される駆動電極に向けて、個数が少なくなるように、配線パターンＡＵが接続されている場合を示している。これに対して、近端は、遠端と同じ個数の配線パターンＡＵが接続されている場合を示している。

図１１では、遠端に形成される電流経路の合成抵抗を１として、抵抗成分の内訳を、棒の長さで表している。図１１に示した棒において、右上がりの斜線で埋めた部分は、抵抗Ｒの合成値を示し、右下がりの斜線で埋めた部分は、駆動電極の合成抵抗（図１１では、ＴＬ抵抗）を示している。また、棒において、ドットで埋めた部分は、第１スイッチまたは第２スイッチのオン抵抗ＲＴＲ（図１１では、スイッチオン抵抗）を示し、菱形で埋められた部分は、引き出し部分の抵抗ＲＤを示し、横線で埋められた部分は、実装抵抗および電源インピーダンスの抵抗ＲＰを示している。

図１１に示すように、遠端、近端および調整後近端のそれぞれにおいて、第１スイッチまたは第２スイッチのオン抵抗（スイッチオン抵抗）、引き出し部分の抵抗ＲＤ（菱形で埋めた部分）および実装抵抗・電源インピーダンスの抵抗ＲＰ（横線で埋めた部分）の占有比は、ほぼ同じである。これに対して、信号配線の抵抗Ｒは、選択された駆動電極が接続されている信号配線の位置に従って変化し、近端および調整後近端に比べ、遠端では、大きくなる。

そのため、駆動電極の抵抗（ＴＬ抵抗）が、図１１に示すように、遠端と近端との間で同じ場合には、近端に形成される電流経路の合成抵抗が、遠端に形成される電流経路の合成抵抗に比べて小さくなる。その結果、磁界発生期間のとき、近端に形成される電流経路を流れる電流が大きくなり、位置に依存して発生する磁界の強さが変化することになる。これに対して、調整後近端では、近端に配置されている駆動電極に接続されている配線パターンの個数が、遠端に比べて少なくされているため、調整後近端に示すように、近端に配置されている駆動電極の合成抵抗（ＴＬ抵抗）を大きくすることが可能となる。その結果、磁界発生期間において、位置に依存して発生する磁界の強さが変化するのを抑制することが可能となり、検出感度の位置依存性を低減することが可能となる。

＜電界タッチ検出＞
この実施の形態１に係わる表示装置１においては、電界タッチ検出も可能となっている。電界タッチ検出の期間（以下、電界タッチ検出期間とも称する）のとき、図４に示した制御装置３は、第１電圧Ｖｓを駆動信号ＴＰＬとして出力し、周期的に電圧が変化する信号を駆動信号ＴＳＶとして出力する。特に制限されないが、駆動信号ＴＳＶの電圧は、電界タッチ検出のとき、周期的に、第１電圧Ｖｓと第２電圧Ｖｄとの間で変化する。なお、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する駆動信号回路として、制御装置３ではなく、電源回路を用いる場合には、電源回路が、電界タッチ検出のとき、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬと周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶを出力することになる。

図４に示した選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、電界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から所望の１個の駆動電極を選択する選択信号を出力する。すなわち、磁界タッチ検出のときには、一対の束駆動電極を構成する６個の駆動電極を選択するが、電界タッチ検出のときには、磁界タッチ検出のときよりも少ない個数の駆動電極を選択する。駆動回路ＤＲＶＬは、選択信号によって指定された１個の駆動電極の一方の端部ｎ１を、第２信号配線ＴＳＶＬに接続し、駆動回路ＤＲＶＲも、選択信号によって指定された１個の駆動電極の他方の端部ｎ２を、第２信号配線ＴＳＶＲに接続する。

例えば、図９（Ａ）および図１０において、電界タッチ検出のとき、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、駆動電極ＴＬ（４）を選択する選択信号を出力する。この選択信号によって、駆動電極ＴＬ（４）の一方の端部ｎ１と第２信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された第２スイッチＳ１１Ｌがオン状態となる。このとき、駆動電極ＴＬ（４）の他方の端部ｎ２と第２信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態となる。これにより、選択された駆動電極ＴＬ（４）の両端部ｎ１、ｎ２には、第２信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝達して、駆動信号ＴＳＶが供給されることになる。その結果、選択された駆動電極ＴＬ（４）の電圧は、駆動信号ＴＳＶの電圧変化に従って変化し、駆動信号ＴＳＶの変化に従って変化する電界を発生する。指が、選択された駆動電極ＴＬ（４）の領域に近接した位置をタッチしているか否かが、図３で説明したように検出される。

この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、平面視において、束駆動電極によって挟まれた１個の駆動電極の領域で強い磁界が発生する。すなわち、磁界タッチ検出のときに、強い磁界を発生する領域と、電界タッチ検出のときに、電界を発生する領域とが、同じ１個の駆動電極の領域となる。これにより、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで、検出の解像度を合わせることが可能となる。

なお、特に制限されないが、電界タッチ検出のとき、選択しない駆動電極、すなわち非選択の駆動電極については、駆動電極の一方の端部ｎ１と第１信号配線ＴＰＬとの間に接続された第１スイッチＳ１０Ｌと、駆動電極の他方の端部ｎ２と第１信号配線ＴＰＲとの間に接続された第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態となる。これにより、非選択の駆動電極の両端部ｎ１、ｎ２は、第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒを介して第１信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに接続されることになる。電界タッチ検出期間のときには、第１信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬが供給されているため、非選択の駆動電極の電圧が変動することを抑制することが可能となり、ノイズの発生を低減することが可能である。この時、駆動信号ＴＰＬに第１電圧Ｖｓと異なる直流電圧を供給してもよい。この直流電圧の値はどのようなものであっても良く、表示期間の共通電極電圧であってもよい。

＜磁界タッチ検出および電界タッチ検出における合成抵抗内訳＞
図９および図１０に示すように、磁界タッチ検出では、隣り合った３個の駆動電極によって１個の束駆動電極が形成される。このように、複数の駆動電極を束とすることにより、電流経路の合成抵抗を小さくし、流れる電流を大きくすることが可能となる。これに対して、電界タッチ検出においては、１個の駆動電極を含む経路が形成され、この経路に、駆動信号（電界駆動信号）ＴＳＶが供給されることになる。すなわち、磁界タッチ検出のときには、３個の電流経路が並列的に形成されるのに対して、電界タッチ検出のときには、１個の経路しか形成されないことになる。

図１２は、磁界タッチ検出の磁界発生期間において形成される電流経路の合成抵抗の内訳と、電界タッチ検出において形成される経路の合成抵抗の内訳を示す図である。図１２は、図１１と同様に、棒の長さによって、合成抵抗の内訳が示されている。図１２においても、縦軸は、それぞれの抵抗成分の占有比を示している。図１２において、横軸に示した遠端ＴＰは、磁界発生期間において、遠端に形成された電流経路を示しており、近端ＴＰは、磁界発生期間において、近端に形成される電流経路を示している。

また、図１２の横軸において、遠端ＴＣは、電界タッチ検出のときに、フレキシブルケーブルＦＢ２の端部（もしくは第２信号配線の端部）から離れた位置で接続された駆動電極を含む経路を示している。図１２において、近端ＴＣは、電界タッチ検出のときに、フレキシブルケーブルＦＢ２の端部（もしくは第２信号配線の端部）に近接した位置で接続された駆動電極を含む経路を示している。

遠端ＴＣは、例えば図１０に示した駆動電極ＴＬ（０）を含む経路を示している。この場合の経路は、図１０に示した第２信号配線ＴＳＶＬ、第２スイッチＳ１１Ｌ、駆動電極ＴＬ（０）、第２スイッチＳ１１Ｒおよび第２信号配線ＴＳＶＲが直列的に接続された経路を含むことになる。また、近端ＴＣは、例えば図１０に示した駆動電極ＴＬ（ｐ）を含む経路を示している。この場合の経路は、図１０に示した第２信号配線ＴＳＶＬ、第２スイッチＳ１１Ｌ、駆動電極ＴＬ（ｐ）、第２スイッチＳ１１Ｒおよび第２信号配線ＴＳＶＲが直列的に接続された経路を含むことになる。

図１２に示した遠端ＴＰは、図１１に示した遠端と同じであり、近端ＴＰは、図１１に示した調整後近端と同じであるため、説明は省略する。図１２でも、遠端ＴＰの合成抵抗を、基準の値１として、遠端ＴＣ、近端ＴＰおよび近端ＴＣのそれぞれの合成抵抗が示されている。また、図１２に示した棒において、抵抗Ｒ、ＴＬ抵抗、スイッチオン抵抗、抵抗ＲＤおよび抵抗ＲＰは、図１１と同じ表記方法で示されている。

図１２において、遠端ＴＰと遠端ＴＣを比べると、遠端ＴＣにおいては、ＴＬ抵抗とスイッチオン抵抗の占有比が大きくなっているため、遠端ＴＣの方が、遠端ＴＰに比べて合成抵抗が、大きくなっている。遠端ＴＰにおいては、磁界発生期間のとき、複数の駆動電極が束として、信号配線に接続されるのに対して、遠端ＴＣでは、１個の駆動電極が、信号配線に接続されるため、図１２に示すような差が生じている。同様の理由で、近端ＴＰと近端ＴＣを比べた場合にも、近端ＴＣにおいては、ＴＬ抵抗とスイッチオン抵抗の占有比が大きくなっているため、近端ＴＣの方が、近端ＴＰに比べて合成抵抗が、大きくなっている。

遠端ＴＣと近端ＴＣを比べた場合、上記したように、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れた位置から近接した位置に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなっているため、ＴＬ抵抗の占有比が大きくなり、近端ＴＣの合成抵抗が、遠端ＴＣの合成抵抗よりも大きくなっている。また、電界タッチ検出においては、駆動電極は束にされないため、遠端ＴＰに比べて、ＴＬ抵抗は３倍に近い抵抗値を有している。

すなわち、電界タッチ検出のときには、フレキシブルケーブＦＢ２に近接して形成される経路の合成抵抗（近端ＴＣ）が、離れて形成される経路の合成抵抗（遠端ＴＣ）よりも大きくなる。しかしながら、電界タッチ検出においては、原理的には、形成される経路を電流が流れず、選択された駆動電極における電圧変化が重要である。すなわち、選択された駆動電極における電圧変化を示す時定数が、フレキシブルケーブルＦＢ２からの位置に依存せずに、一定であることが重要である。

＜電界タッチ検出の時定数＞
図１３は、図５に示したモジュール５００を、さらに簡略化して示した平面図である。図１３において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示領域２に配置された駆動電極を示している。また、図１３は、電界タッチ検出期間のときの状態を示している。

図１３には、一番上側に配置された第２スイッチについてのみ、符合Ｓ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒが付されており、他の第２スイッチについては符合が省略されている。また、図１３では、１個の駆動電極と第２信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとの間に、並列的に接続されている第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの個数によって、配線パターンＡＵの個数が示されている。すなわち、接続されているスイッチの数が多いほど、接続されている配線パターンＡＵの個数が大きいことを示している。また、図１３において、Ｒは、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの抵抗を分布定数的に示す抵抗であり、Ｃｐ１は、信号配線ＴＳＶＬ，ＴＳＶＲの容量を分布定数的に示す容量である。

また、ＲＴ１は、配線パターンＡＵが接続された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の抵抗を分布定数的に示す抵抗であり、Ｃｐ２は、配線パターンが接続された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の容量を分布定数的に示す容量である。なお、図１３では、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（２）およびＴＬ（ｐ−１）〜ＴＬ（ｐ）に接続された第２スイッチが、全てオン状態になっているように示されているが、電界タッチ検出期間のときには、１個の駆動電極が、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに接続され、電界を発生する。

配線パターンＡＵは、駆動電極と同じ方向に延在し、駆動電極と接続されている。そのため、配線パターンＡＵも、分布定数的に容量と抵抗で表すことができる。図１３に示した抵抗ＲＴ１および容量Ｃｐ２は、駆動電極とこの駆動電極に接続された配線パターンＡＵのそれぞれの抵抗および容量の合成を示している。すなわち、接続されている配線パターンＡＵの個数に応じて、分布定数の抵抗ＲＴ１が変わり、分布定数で作用することになる。近端ＴＣにおいては、接続されている配線パターンＡＵの個数が少ないため、遠端ＴＣに比べ、抵抗ＲＴ１は大きくなる（図１２に示した例では、およそ４倍程度）。しかしながら、抵抗ＲＴ１は、容量Ｃｐ２に対して分布定数で作用するため、時定数への影響は、おおまかに見ると１／２となる。そのため、遠端ＴＣにおける抵抗ＲＴ１と近端ＴＣにおける抵抗ＲＴ１との差が、遠端ＴＣの時定数と近端ＴＣの時定数との差（時定数差）として、そのまま現れることはない。さらに、近端ＴＣは、遠端ＴＣに比べて、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して形成される経路であるため、信号配線の抵抗Ｒが、元々小さい。そのため、近端ＴＣにおける時定数と、遠端ＴＣにおける時定数とをほぼ同程度にすることが可能である。

図１４は、電界タッチ検出期間のときの駆動電極における時定数を示す特性図である。図１４において、横軸に示した遠端は、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れた位置に配置された駆動電極（例えばＴＬ（０））を示し、近端は、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接した位置に配置された駆動電極（例えばＴＬ（ｐ））を示している。縦軸は、時定数比を示している。図１４では、電界タッチ検出期間において、遠端の駆動電極に駆動信号ＴＳＶを供給したときの時定数を基準１として、縦軸の時定数比が定められている。図１４に示すように、近端に配置された駆動電極に駆動信号ＴＳＶを供給したときの時定数は、基準１に近い値となっており、近端で時定数の悪化は少ない。すなわち、図９および図１０に示したように、フレキシブルケーブルＦＢ２（あるいは信号配線の端部）から離れた位置に配置されている駆動電極から、近接した位置に配置されている駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなっていても、電界タッチ検出の性能の劣化を抑制することが可能である。

＜配線パターンの構成＞
図１５は、実施の形態１に係わる表示装置１の断面を示す断面図である。ここでは、上記した第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒとして、電界効果型トランジスタ（以下、トランジスタとも称する）を用いる場合を例として説明する。同図において、矢印Ａ−Ａ’で示す右側の領域は、表示領域２を示しており、矢印Ａ−Ａ’の左側の領域は、表示領域２を囲む周辺領域を示している。図１５では、表示領域２の辺２−Ｌ側が、例として示されているが、表示領域２の辺２−Ｒ側も、左右反転で同様な構成を有している。

図１５において、ＴＧＢは、図１（Ｂ）等で説明した第１基板を示している。周辺領域において、第１基板ＣＧＢの第１主面ＴＳＦ１に、符合Ｇ１、Ｇ２で示す導電層が形成される。この導電層Ｇ１およびＧ２が、第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｌを構成するトランジスタのゲート電極となる。以下、Ｇ１、Ｇ２は、ゲート電極とも称する。図１５において、ＧＩは、ゲート絶縁膜を示しており、ゲート絶縁膜ＧＩにおいて、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２の上方に、半導体層ＳＭＲ５、ＳＭＲ４が形成され、半導体層ＳＭＲ４と半導体層ＳＭＲ５との間に、トランジスタの共通ドレイン領域として機能する半導体層ＳＭＲ２が形成されている。また、共通ドレイン領域となる半導体層ＳＭＲ２との間で、半導体層ＳＭＲ４を挟むように、半導体層ＳＭＲ１が形成され、共通ドレイン領域となる半導体層ＳＭＲ２との間で、半導体層ＳＭＲ５を挟むように、半導体層ＳＭＲ３が形成されている。

半導体層ＳＭＲ１は、第２スイッチＳ１１Ｌを構成するトランジスタのソース領域として機能し、半導体層ＳＭＲ３は、第１スイッチＳ１０Ｌを構成するトランジスタのソース領域として機能する。図１５において、ＳＩは、層間絶縁膜を示しており、層間絶縁膜ＳＩに開口部が設けられ、開口部を介して、導電層Ｅ１が、半導体層ＳＭＲ１に接続され、導電層Ｅ２が、半導体層ＳＭＲ２に接続され、導電層Ｅ３が、半導体層ＳＭＲ３に接続されている。ここで、導電層Ｅ１が、第２信号配線ＴＳＶＬを構成し、導電層Ｅ３が、第１信号配線ＴＰＬＬを構成する。図１５において、ＰＩは、平坦化のための有機膜であり、有機膜ＰＩに開口部が設けられ、この開口部を介して、導電層Ｅ２が、有機膜ＰＩ上に形成された駆動電極ＴＬに接続されている。また、駆動電極ＴＬ上には、配線パターンＡＵが形成されている。この実施の形態１においては、配線パターンＡＵと駆動電極ＴＬとが面接触で、オーミック接続するように、駆動電極ＴＬ上に配線パターンＡＵが形成されている。特に限定されないが、駆動電極ＴＬは、この実施の形態１においては、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）のような透明導電性材料によって形成され、配線パターンＡＵは、駆動電極ＴＬよりも導電率が高い材料で形成されていることが好ましい。配線パターンＡＵは、例えばアルミニウム等の金属を含むことが好ましい。すなわち、配線パターンＡＵがアルミニウム等の金属または合金であることが好ましい。また、配線パターンＡＵもＩＴＯのような透明導電性材料によって形成してもよい。

図１５において、ＩＩは絶縁膜を示している。表示領域２において、絶縁膜ＩＩ上には、画素電極ＧＤＥが形成されている。この画素電極ＧＤＥの上側に、図１（Ｂ）で示した液晶層が形成されている。なお、画素電極ＧＤＥは、上記した画素Ｐｉｘに含まれ、表示期間において、信号線ＳＬに接続され、画像信号が供給される。表示期間においては、この画素電極ＧＤＥと駆動電極ＴＬとの間の電位差に従って、液晶層が変位することにより、画像信号に従った表示が行われる。

図１６は、実施の形態１に係わる表示領域２の一部を示す平面図である。図１６（Ａ）は、平面視において、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部）から離れて配置されている駆動電極ＴＬ（例えば、図１０のＴＬ（０））の部分の平面を示している。また、図１６（Ｂ）は、平面視において、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部）に近接して配置されている駆動電極ＴＬ（例えば、図１０のＴＬ（ｐ））の部分の平面を示している。図１５において、矢印Ａ−Ａ’の右側に示した駆動電極ＴＬの部分が、図１６（Ａ）および（Ｂ）に示した駆動電極ＴＬに該当する。また、図１５において、矢印Ａ−Ａ’の右側に示した配線パターンＡＵの部分が、図１６（Ａ）および（Ｂ）に示す複数の配線パターンＡＵのうちの１個の配線パターンＡＵに該当する。

図１６において、ドットで埋められた領域は、上記した画素Ｐｉｘに対応する画素領域を示している。本明細書においては、画素領域も画素と同じ符合Ｐｉｘを用いて説明する。なお、図１６では、一部の画素領域についてのみ、符合Ｐｉｘが付されている。画素領域Ｐｉｘは、平面視で見たとき、表示領域２において、行列状に配置され、それぞれの画素領域Ｐｉｘが、図１５に示した画素電極ＧＤＥを含んでいる。それぞれの画素領域Ｐｉｘは、横方向（第１方向）に幅ＰｉｘＸを有し、縦方向（第２方向）に幅ＰｉｘＹを有している。すなわち、横方向では、幅ＰｉｘＸをピッチとして、画素領域Ｐｉｘが周期的に配列され、縦方向では、幅ＰｉｘＹをピッチとして、画素領域Ｐｉｘが周期的に配列されている。本明細書においては、幅ＰｉｘＸ、ＰｉｘＹを、画素領域Ｐｉｘのピッチとも称する。

配線パターンＡＵは、図１６においては、右上がりの斜線で埋められた領域として示されている。配線パターンＡＵは、平面視において、駆動電極ＴＬと同じ方向に延在し、所定の幅ＡＵＢを有している。この実施の形態１において、配線パターンＡＵは、平面視で見たとき、縦方向に隣り合った画素領域Ｐｉｘの境界領域と重なるように、互いに平行に配置されている。フレキシブルケーブルＦＢ２から離れて配置された駆動電極ＴＬにおいては、図１６（Ａ）に示すように、１個の駆動電極ＴＬに対して多くの配線パターンＡＵが配置されるが、互いに平行して隣接して配置された配線パターンＡＵ間の距離（ピッチ）ＡＵＰは、画素領域Ｐｉｘ間のピッチＰｉｘＹと同じにされている。

一方、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して配置されている駆動電極ＴＬには、図１６（Ｂ）に示すように、１個の駆動電極ＴＬに対して少ない個数の配線パターンＡＵが、平面視において、重なるように配置されている。この場合も、配線パターンＡＵは、縦方向に隣り合った画素領域Ｐｉｘの境界領域と重なるように配置されている。配置されている配線パターンＡＵの個数が少ないため、平面視で見たとき、図１６（Ｂ）に示すように、縦方向で隣り合った画素領域Ｐｉｘ間の境界領域に、配線パターンＡＵが、重なっていない部分が生じている。見方を変えると、図１６（Ａ）に示した状態から、配線パターンＡＵを間引いた状態が、図１６（Ｂ）であると見なすこともできる。

なお、表示領域２を平面視で見たとき、画素領域Ｐｉｘ間には、遮光膜（ブラックマトリクス）が存在する。平面視で見たとき、配線パターンＡＵは、この遮光膜の下側で重なるように配置されている。また、図１６において、破線で示したＳＬは、信号線を例示している。

実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部）から離れて接続される駆動電極から、近接して接続される駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなっている。これにより、磁界タッチ検出のときに、検出感度が位置に依存して変化するのを低減することが可能となる。

（実施の形態２）
図１７は、実施の形態２に係わる表示領域２の一部を示す平面図である。図１７は、図１６に類似しており、ＴＬは駆動電極を示し、ドットで埋めた領域Ｐｉｘは画素領域を示し、ＡＵは配線パターンを示している。ここでも、図１５において、矢印Ａ−Ａ’の右側に示した駆動電極ＴＬの部分が、図１７（Ａ）〜（Ｃ）に示す駆動電極ＴＬに該当する。また、図１５において、矢印Ａ−Ａ’の右側に示した配線パターンＡＵの部分が、図１７（Ａ）〜（Ｃ）に示す複数の配線パターンＡＵのうちの１個の配線パターンＡＵに該当する。

図１７（Ａ）は、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線の端部）から離れて、遠端に配置されている駆動電極ＴＬ（例えば、図９および図１０のＴＬ（０））と、この駆動電極ＴＬに接続されている配線パターンＡＵとを示す平面図である。また、図１７（Ｃ）は、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して、近端に配置されている駆動電極ＴＬ（例えば、図９および図１０のＴＬ（ｐ））と、この駆動電極ＴＬに接続されている配線パターンＡＵとを示す平面図である。さらに、図１７（Ｂ）は、遠端と近端の間の位置（便宜上、中間と称する）に配置されている駆動電極ＴＬ（例えば、図９のＴＬ（ｎ））と、この駆動電極に接続されている配線パターンＡＵとを示す平面図である。図１６と同様に、この実施の形態２においても、配線パターンＡＵは、縦方向に隣り合う画素領域Ｐｉｘ間の境界領域と重なるように配置されている。

実施の形態１では、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線の端部）から離れて配置されている駆動電極から、近接して配置されている駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなるようにされていた。これに対して、実施の形態２においては、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線の端部）から離れて配置されている駆動電極から、近接して配置されている駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの幅ＡＵＢが、小さく（狭く）なるようにされている。

図１７（Ａ）に示すように、遠端に配置された駆動電極ＴＬには、それぞれ所定の幅ＡＵＢ１を有する複数の配線パターンＡＵが接続されている。これに対して、近端に配置された駆動電極ＴＬには、図１７（Ｃ）に示すように、幅ＡＵＢ１よりも狭い幅ＡＵＢ３を有する複数の配線パターンＡＵが接続されている。また、中間に配置されている駆動電極ＴＬには、幅ＡＵＢ１と幅ＡＵＢ３との間の幅ＡＵＢ２を有する複数の配線パターンＡＵが接続されている。

フレキシブルケーブルＦＢ２からの距離とは無関係に、配線パターンＡＵの厚みは、それぞれの配線パターンＡＵにおいて同じにされている。そのため、遠端に配置された駆動電極ＴＬに接続された配線パターンＡＵから近端に配置された駆動電極に接続された配線パターンＡＵに向けて、駆動電極に接続された配線パターンＡＵが駆動電極と重畳する面積が小さくなる。これにより、遠端に配置された駆動電極ＴＬに接続された配線パターンＡＵから近端に配置された駆動電極に接続された配線パターンＡＵに向けて、配線パターンＡＵの抵抗が大きくなる。その結果、遠端に配置された駆動電極から近端に配置された駆動電極に向けて、駆動電極の合成抵抗が大きくなる。これにより、実施の形態１と同様に、磁界発生期間において発生する磁界の強さが、位置に依存して変化するのを低減することが可能となり、検出感度の位置依存性を低減することが可能となる。

図１７では、遠端に配置されている駆動電極、中間に配置されている駆動電極および近端に配置されている駆動電極で、それぞれに接続されている配線パターンＡＵの個数は同じにされている。言い換えるならば、位置に依存せずに、１個の駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数は同じになっている。しかしながら、実施の形態１と組み合わせて、１個の駆動電極に接続される配線パターンＡＵの個数も変えるようにしてもよい。

（実施の形態３）
図１８は、実施の形態３に係わる表示装置の平面の一部を示す平面図である。図１８には、１個の駆動電極ＴＬと、平面視において、この１個の駆動電極と重なるように配置された複数の配線パターンＡＵが示されている。図１８では、図１６および図１７で示した画素領域Ｐｉｘは省略されているが、図４および図５で説明した表示領域２が、二点鎖線で示されている。図１８（Ａ）は、平面視において、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れた遠端に配置されている駆動電極ＴＬと、この駆動電極ＴＬに重なるように配置された複数の配線パターンＡＵを示す平面図である。また、図１８（Ｃ）は、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接した近端に配置されている駆動電極ＴＬと、この駆動電極ＴＬに重なるように配置された複数の配線パターンＡＵを示す平面図である。さらに、図１８（Ｂ）は、遠端と近端との間の中間に配置されている駆動電極ＴＬと、この駆動電極ＴＬに重なるように配置された複数の配線パターンＡＵを示す平面図である。

この実施の形態３においても、実施の形態１および２と同様に、配線パターンＡＵは、縦方向に隣り合う画素領域間の境界領域と重なるように配置されている。この実施の形態３においては、実施の形態１と異なり、駆動電極のそれぞれにおいて、画素領域の縦方向のピッチ（図１６のＰｉｘＹ）と同じピッチで、配線パターンＡＵが配置されている。すなわち、駆動電極と重なるように配置されている配線パターンＡＵ間の距離は、平面視におけるフレキシブルケーブルＦＢ２からの距離とは無関係に、画素領域のピッチＰｉｘＹと同じになっている。図１８（Ａ）に示した遠端に配置された駆動電極ＴＬ、図１８（Ｂ）に示した中間に配置された駆動電極ＴＬおよび図１８（Ｃ）に示した近端に配置された駆動電極ＴＬを例にして説明すると、それぞれの駆動電極ＴＬと重なっている配線パターンＡＵの個数は同じであり、隣り合う配線パターンＡＵ間のピッチＡＵＰは、画素領域間のピッチＰｉｘＹと同じになっている。

また、複数の配線パターンＡＵのそれぞれは、実施の形態２と異なり、同じ幅ＡＵＢを有しており、それぞれの断面積も同じとなっている。

実施の形態１および２においては、図１５に示したように、駆動電極ＴＬと駆動電極ＴＬと重なるように配置された配線パターンＡＵとが、面接触で電気的に接続されるように、駆動電極ＴＬ上に配線パターンＡＵが形成されていた。これに対して、実施の形態３においては、後で説明するが、駆動電極ＴＬと配線パターンＡＵとの間に絶縁膜が介在している。駆動電極ＴＬと配線パターンＡＵとの電気的な接続は、表示領域２の周辺領域において、選択的に行われる。

図１８において、表示領域２の辺２−Ｌ、２−Ｒの外側に設けられた●印は、配線パターンＡＵと駆動電極ＴＬとを電気的に接続するコンタクトＣＴを示している。遠端に配置された駆動電極ＴＬにおいては、図１８（Ａ）に示すように、駆動電極ＴＬと重なるように配置された８個の配線パターンＡＵのそれぞれの端部が、コンタクトＣＴによって、駆動電極ＴＬに電気的に接続されている。これに対して、近端に配置された駆動電極ＴＬにおいては、図１８（Ｃ）に示すように、駆動電極ＴＬと重なるように配置された８個の配線パターンのうち、２個の配線パターンＡＵのそれぞれの端部が、コンタクトＣＴによって、駆動電極ＴＬに接続されている。さらに、中間に配置された駆動電極ＴＬにおいては、この駆動電極ＴＬと重なるように配置された８個の配線パターンＡＵのうち、５個の配線パターンＡＵのそれぞれの端部が、コンタクトＣＴによって、駆動電極ＴＬに接続されている。

これにより、遠端に配置された駆動電極から近端に配置された駆動電極に向けて、駆動電極に、並列的に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなる。その結果、遠端に配置された駆動電極から近端に配置された駆動電極に向けて、駆動電極の合成抵抗が大きくなり、発生する磁界の強さが、位置に依存して変化するのを低減することが可能となり、検出感度の位置依存性を低減することが可能となる。

図１９および図２０は、実施の形態３に係わる表示装置の断面を示す断面図である。図１９および図２０は、図１８において、辺２−Ｌ側の部分の断面を示している。ここで、図１９は、コンタクトＣＴが形成されていない部分の断面を示しており、図２０は、コンタクトＣＴが形成されている部分の断面を示している。

図１９および図２０は、先に説明した図１５に類似しているため、相違点を説明する。図１５においては、駆動電極ＴＬ上に配線パターンＡＵが形成されていた。すなわち、有機膜ＰＩに、ＩＴＯの層が形成され、このＩＴＯ層によって駆動電極ＴＬが形成され、ＩＴＯ層の上に、ＩＴＯ層よりも導電率の高い導電層が形成され、この導電層によって、配線パターンＡＵが構成されていた。これに対して、図１９および図２０では、ＩＴＯ層の上に、絶縁膜ＩＩ２が形成される。この絶縁膜ＩＩ２の上に、ＩＴＯ層よりも導電率の高い導電層が形成され、この導電層によって、配線パターンＡＵが構成される。

図２０においては、駆動電極ＴＬと配線パターンＡＵとを電気的に接続するために、辺２−Ｌの外側である周辺領域において、絶縁膜ＩＩ２に開口部ＯＰが形成される。この開口部ＯＰを通して、配線パターンＡＵを形成する導電層が、駆動電極ＴＬに接続される。図１９においては、駆動電極ＴＬと配線パターンＡＵとを接続するコンタクトＣＴを形成しないため、開口部ＯＰは形成されない。

遠端から近端に向かって配列されている複数の駆動電極（図９および図１０のＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ））のそれぞれにおいて、駆動電極と重なるように配置されている複数の配線パターン（全体配線パターン）ＡＵから、所望の個数の配線パターン（第１配線パターン）ＡＵを選択し、選択した配線パターンＡＵの両端部が、駆動電極に接続されるように、絶縁膜ＩＩ２に開口部ＯＰを形成するようにする。これにより、選択された個数の配線パターンＡＵが、駆動電極と並列接続されることになる。このときの所望の個数は、磁界発生期間において形成される電流経路の合成抵抗が等しくなるように定める。

例えば、近端に配置されている駆動電極（例えばＴＬ（ｐ））に接続される配線パターンＡＵとして、第１の個数の配線パターンＡＵを選択し、選択した第１の個数の配線パターンＡＵが、開口部ＯＰを介して、駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されるようにする。このとき、遠端に配置されている駆動電極（例えばＴＬ（０））に接続される配線パターンＡＵの個数を、上記した第１の個数よりも多い第２の個数とする。この第２の個数の配線パターンＡＵが、開口部ＯＰを介して、駆動電極ＴＬ（０）に接続されるようにする。これによって、近端に配置されている駆動電極ＴＬ（ｐ）に接続されている配線パターンＡＵを、遠端に配置されている駆動電極ＴＬ（０）に接続されている配線パターンＡＵに比べて少なくすることが可能となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｐ）を含む電流経路の合成抵抗と、駆動電極ＴＬ（０）を含む電流経路の合成抵抗とを等しくすることが可能となる。

この実施の形態３においては、同じ平面形状を有する複数の配線パターンＡＵが、全体配線パターンＡＵとして、表示領域２において、周期的に配列されることになる。配線パターンＡＵは、ＩＴＯ層よりも導電率の高い導電層を、例えばエッチングして形成する。配線パターンＡＵを周期的に形成する場合には、それぞれの配線パターンＡＵに対するエッチング量を均一にすることが可能となるため、配線パターンＡＵの製造バラツキを抑制することが可能となる。また、周期的に配列されているため、平坦化を図ることも可能となる。

このとき、表示領域２の全面において配線パターンＡＵの配線密度は均一となる。すなわち駆動電極１本当たりに重畳する配線パターンＡＵの面積の合計はどの駆動電極においても実質的に等しくなる。

平面視で見たとき、表示領域２の全面に、複数の配線パターンＡＵが、例えば同じ間隔となるように配置され、配線密度が均一にされる。この表示領域２の全面に配置された複数の配線パターンＡＵが、全体配線パターンとなる。平面視で見たとき、例えば１個の駆動電極と重なっている（重畳している）配線パターンＡＵのうち、所定の個数の配線パターンＡＵが、開口部ＯＰを通して、重畳している駆動電極と電気的に接続される。このとき、平面視で見て、駆動電極と重畳しているが、開口部ＯＰを通して、駆動電極と電気的に接続していない配線パターンＡＵが存在する。平面視で見たときに、駆動電極と重畳し、電気的に駆動電極に接続されている配線パターンＡＵを第１配線パターンと見なし、駆動電極と重畳しているが、電気的に駆動電極と接続していない配線パターンＡＵを第２配線パターンと見なす。

このように見なした場合、近端に配置された駆動電極と、遠端に配置された駆動電極との間で、駆動電極と重畳している第１配線パターンの個数と第２配線パターンの個数の和は、同じになる。複数の配線パターンの面積は互いに同じであるため、近端に配置された駆動電極と重畳している配線パターンＡＵの面積、すなわち、第１配線パターンと第２配線パターンの合計の面積と、遠端に配置された駆動電極と重畳している配線パターンＡＵの面積（第１配線パターンと第２配線パターンの合計の面積）とは、実質的に等しくなる。また、これらの配線パターンは、同じ層に形成されている。

実施の形態１および３においては、フレキシブルケーブルＦＢ２（信号配線の端部）から離れた位置で接続される駆動電極から、近接した位置で接続される駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの個数が少なくなる。また、実施の形態２においては、離れた位置で接続される駆動電極から、近接した位置で接続される駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの断面積が小さくなる。すなわち、これらの実施の形態においては、離れた位置で接続される駆動電極から、近接した位置で接続される駆動電極に向けて、駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの配線量が少なくなる。駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの配線量を、駆動電極あたりの配線パターンＡＵの配線密度として把握した場合、離れた位置で接続される駆動電極から、近接した位置で接続される駆動電極に向かって、駆動電極あたりの配線パターンＡＵの配線密度は小さくなる。例えば、近接した位置で接続される駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの配線密度は、離れた位置で接続される駆動電極に接続されている配線パターンＡＵの配線密度に比べて、小さくなる。

実施の形態においては、表示領域２に配列されている複数の駆動電極において、駆動電極あたりの配線パターンＡＵの配線密度を調整することにより、発生する磁界の強さが、位置に依存して変化するのを低減することが可能となる。そのため、モジュール５００の長辺側の額縁が大きくなるのを抑制しながら、検出感度の位置依存性を低減することが可能となる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、縦方向に延在し、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている場合を説明したが、縦方向および横方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、信号配線および駆動電極の延在方向が変わっても、本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。

１ タッチ機能付き液晶表示装置
２ 表示領域
３ 制御装置
ＡＵ 配線パターン
ＣＴ コンタクト
ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲ 駆動回路
ＦＢ２ フレキシブルケーブル
ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲ 端部
ＯＰ 開口部
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
Ｓ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒ 第１スイッチ
Ｓ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒ 第２スイッチ
ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲ 選択回路
ＳＤＬ、ＳＤＲ 選択駆動回路
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ 信号配線

Claims (11)

1. 基板と、
   駆動信号を供給する駆動信号回路に接続された端部を有し、前記基板上の第１方向に延在する信号配線と、
   前記基板上の第１方向に配列された複数の駆動電極と、
   外部物体の近接を、磁界の変化に基づいて検出するとき、前記複数の駆動電極から選択された駆動電極の端部を、前記信号配線に接続する選択駆動回路と、
   前記複数の駆動電極のそれぞれに、平面視で重畳し、前記駆動電極に電気的に接続された複数の第１配線パターンと、
   を備え、
   前記駆動信号回路に接続された前記信号配線の端部に近接する駆動電極に接続されている第１配線パターンの配線密度は、前記駆動信号回路に接続された前記信号配線の端部から離れた駆動電極に接続されている第１配線パターンの配線密度に比べて小さい、入力検出装置。
2. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   前記複数の第１配線パターンのそれぞれは、平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に延在する形状を有する、入力検出装置。
3. 請求項２に記載の入力検出装置において、
   前記信号配線の端部に近接して接続される駆動電極には、前記信号配線の端部から離れて接続される駆動電極に接続されている第１配線パターンの個数よりも少ない個数の第１配線パターンが接続されることにより、第１配線パターンの配線密度が小さくされている、入力検出装置。
4. 請求項２に記載の入力検出装置において、
   前記信号配線の端部に近接して接続される駆動電極には、前記信号配線の端部から離れて接続される駆動電極に接続されている第１配線パターンの面積よりも小さい面積を有する第１配線パターンが接続されることにより、第１配線パターンの配線密度が小さくなっている、入力検出装置。
5. 請求項２に記載の入力検出装置において、
   前記入力検出装置は、前記複数の駆動電極に接続されない第２配線パターンを備え、
   前記第２配線パターンは、前記第１配線パターンと同層で、前記第１方向に平行となるように配置され、
   平面視において駆動電極と重なる前記第１配線パターンと前記第２配線パターンの合計の面積が、前記信号配線の前記端部に近接して配置された駆動電極と、離れて配置された駆動電極とで、実質的に等しい、入力検出装置。
6. 請求項５に記載の入力検出装置において、
   前記入力検出装置は、駆動電極と、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとの間に介在する絶縁膜を有し、
   第１の個数の第１配線パターンが、前記絶縁膜に形成された開口部によって、前記信号配線の端部に近接して接続される駆動電極に接続され、
   前記第１の個数よりも多い第２の個数の第２配線パターンが、前記絶縁膜に形成された開口部によって、前記信号配線の端部から離れて接続される駆動電極に接続される、入力検出装置。
7. 請求項２から６のいずれか１項に記載の入力検出装置において、
   前記複数の第１配線パターンは、接続される駆動電極と、平面視において、重なるように、前記複数の駆動電極に対向している、入力検出装置。
8. 請求項２に記載の入力検出装置において、
   磁界の変化に基づいて、前記外部物体の近接を検出するとき、前記複数の駆動電極において、平面視で隣り合う複数の駆動電極が選択され、前記信号配線に接続される、入力検出装置。
9. 請求項８に記載の入力検出装置において、
   前記外部物体の近接を、電界の変化に基づいて検出するとき、磁界の変化に基づいて、前記外部物体の近接を検出するときに比べて、少ない個数の駆動電極が選択され、前記信号配線に接続される、入力検出装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の入力検出装置において、
    前記入力検出装置は、平面視において、前記複数の駆動電極と交差するように配置された複数の検出電極を備え、
    前記外部物体の近接に伴う磁界の変化を、前記複数の検出電極によって検出する、入力検出装置。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の入力検出装置において、
    前記第１配線パターンは、金属である、入力検出装置。

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