JP6661370B2 - 力率改善回路およびその制御回路、電子機器、電源アダプタ - Google Patents
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Description
これにより、負荷の状態を適切に検出し、モード制御に反映させることができる。
これにより、負荷の状態を適切に検出し、モード制御に反映させることができる。
コンパレータの出力にもとづいて、モードを選択できる。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
TOFF>VIN/(VOUT−VIN)×TON
したがって、セット信号生成部212は、上記式に相当するオフ時間TOFFを測定するアナログあるいはデジタルのタイマー回路で構成してもよい。あるいはタイマー回路とゼロクロス検出手段を組み合わせて構成してもよい。
実施の形態では、M=2チャンネルの構成について説明したが、本発明は3チャンネル以上の構成にも適用可能である。任意のチャンネル数Mに関して、制御回路200は以下のように動作すればよい。
パルス変調器204は、(i)Mチャンネルのパルス変調信号Sp1〜SpMを、360°/Mの位相差で順にオンレベルに遷移させる。
パルス変調器204は、(ii)連続する複数のスイッチング周期を周期群TGとし、周期群TGに含まれる各スイッチング周期においては、1個のチャンネルのパルス変調信号がオンレベルに遷移した後にオフレベルに遷移し、残りの(M−1)個のチャンネルのパルス変調信号はオフレベルを維持する。また1つの周期群TGの間に、各パルス変調信号は少なくとも1回、オンレベルに遷移した後にオフレベルに遷移する。
図14(a)では、M=2の別の例が示される。この変形例では、4個のスイッチング周期T1〜T4を1周期群TGとして動作する。そして、1個目、2個目のスイッチング周期T1,T2では第1チャンネルCH1がオン、オフし、3個目、4個目のスイッチング周期T3,T4では第2チャンネルCH2がオン、オフする。
Claims (15)
- 力率改善回路の制御回路であって、
前記力率改善回路は、2チャンネルで構成され、チャンネルごとに設けられたスイッチングトランジスタ、インダクタ、整流素子を含み、
前記制御回路は、
前記力率改善回路の出力電圧に応じたフィードバック信号とその目標値の誤差を増幅し、誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記誤差信号に応じて、電流臨界モードにて、第1パルス変調信号および第2パルス変調信号を生成するパルス変調器と、
前記第1パルス変調信号にもとづいて第1チャンネルの前記スイッチングトランジスタを駆動する第1ドライバと、
前記第2パルス変調信号にもとづいて第2チャンネルの前記スイッチングトランジスタを駆動する第2ドライバと、
を備え、
前記パルス変調器は、(i)前記第1パルス変調信号と前記第2パルス変調信号の位相差が180°である第1モードと、(ii)スイッチング周期ごとに、前記第1チャンネルと前記第2チャンネルが排他的に交互に使用される第2モードと、が切りかえ可能であり、
前記力率改善回路は、当該力率改善回路の入力電流の経路上に挿入されたセンス抵抗をさらに含み、
前記制御回路は、
前記センス抵抗の電圧降下としきい値電圧との比較結果にもとづいて、前記第1モードと前記第2モードを切りかえるモードコントローラをさらに備えることを特徴とする制御回路。 - 前記パルス変調器は、
前記誤差信号にもとづいて、前記第1チャンネルの前記スイッチングトランジスタのオン時間を規定する第1リセット信号を生成する第1リセット信号生成部と、
前記誤差信号にもとづいて、前記第2チャンネルの前記スイッチングトランジスタのオン時間を規定する第2リセット信号を生成する第2リセット信号生成部と、
前記第1チャンネルの前記スイッチングトランジスタのオフ時間を規定する第1セット信号を生成する第1セット信号生成部と、
前記第2チャンネルの前記スイッチングトランジスタのオフ時間を規定する第2セット信号を生成する第2セット信号生成部と、
前記第1セット信号、前記第1リセット信号、前記第2セット信号、前記第2リセット信号にもとづいて、前記第1パルス変調信号および前記第2パルス変調信号を生成するロジック回路と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 力率改善回路の制御回路であって、
前記力率改善回路は、複数M(Mは2以上の整数)チャンネルで構成され、チャンネルごとに設けられたスイッチングトランジスタ、インダクタ、整流素子を有しており、
前記制御回路は、
前記力率改善回路の出力電圧に応じたフィードバック信号とその目標値の誤差を増幅し、誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記誤差信号に応じて、電流臨界モードにて、Mチャンネルのパルス変調信号を生成するパルス変調器と、
Mチャンネルに対応するM個のドライバであって、それぞれが、対応する前記パルス変調信号にもとづいて対応する前記スイッチングトランジスタを駆動するM個のドライバと、
を備え、
前記パルス変調器は、(i)Mチャンネルの前記パルス変調信号が360°/Mの位相差で順にオンレベルに遷移する第1モードと、(ii)連続する複数のスイッチング周期を周期群とし、前記周期群に含まれる各スイッチング周期においては、1個のチャンネルの前記パルス変調信号がオンレベルに遷移した後にオフレベルに遷移し、残りの(M−1)個のチャンネルの前記パルス変調信号はオフレベルを維持し、かつ、前記周期群の間に、各パルス変調信号は少なくとも1回、オンレベルに遷移した後にオフレベルに遷移する第2モードと、が切りかえ可能であり、
前記力率改善回路は、当該力率改善回路の入力電流の経路上に挿入されたセンス抵抗をさらに含み、
前記制御回路は、
前記センス抵抗の電圧降下としきい値電圧との比較結果にもとづいて、前記第1モードと前記第2モードを切りかえるモードコントローラをさらに備えることを特徴とする制御回路。 - M=2であり、前記周期群は、2個のスイッチング周期を含むことを特徴とする請求項3に記載の制御回路。
- 前記パルス変調器は、
それぞれが、前記誤差信号にもとづいて、対応するチャンネルの前記スイッチングトランジスタのオン時間を規定するリセット信号を生成するM個のリセット信号生成部と、
それぞれが、対応するチャンネルの前記スイッチングトランジスタのオフ時間を規定するセット信号を生成するM個のセット信号生成部と、
Mチャンネルの前記リセット信号およびMチャンネルの前記セット信号にもとづいて、前記Mチャンネルの前記パルス変調信号を生成するロジック回路と、
を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の制御回路。 - 前記第1セット信号生成部は、
前記第1チャンネルの前記インダクタに流れる電流がゼロになるとアサートされる第1ゼロクロス検出信号を生成する第1ゼロクロス検出コンパレータと、
前記第1ゼロクロス検出信号を遅延させて、前記第1セット信号を生成する第1遅延回路と、
を含み、
前記第2セット信号生成部は、
前記第2チャンネルの前記インダクタに流れる電流がゼロになるとアサートされる第2ゼロクロス検出信号を生成する第2ゼロクロス検出コンパレータと、
前記第2ゼロクロス検出信号を遅延させて、前記第2セット信号を生成する第2遅延回路と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の制御回路。 - 前記第1ゼロクロス検出コンパレータは、前記第1チャンネルの前記スイッチングトランジスタと前記インダクタの接続点の電圧にもとづいて、前記第1ゼロクロス検出信号を生成し、
前記第2ゼロクロス検出コンパレータは、前記第2チャンネルの前記スイッチングトランジスタと前記インダクタの接続点の電圧にもとづいて、前記第2ゼロクロス検出信号を生成することを特徴とする請求項6に記載の制御回路。 - 各チャンネルの前記セット信号生成部は、
対応するチャンネルの前記インダクタに流れる電流がゼロになるとアサートされるゼロクロス検出信号を生成するゼロクロス検出コンパレータと、
前記ゼロクロス検出信号を遅延させて、前記セット信号を生成する遅延回路と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の制御回路。 - 各チャンネルの前記ゼロクロス検出コンパレータは、対応するチャンネルの前記スイッチングトランジスタと前記インダクタの接続点の電圧にもとづいて、前記ゼロクロス検出信号を生成することを特徴とする請求項8に記載の制御回路。
- 前記遅延回路の遅延量は、外付けの回路部品にもとづいて設定可能であることを特徴とする請求項8に記載の制御回路。
- 前記モードコントローラは、
外付けの第1抵抗を接続するための抵抗接続端子と、
前記抵抗接続端子に、第2抵抗を介して基準電圧を供給する電圧源と、
前記センス抵抗の電圧降下と、前記抵抗接続端子に生ずる前記しきい値電圧を比較するコンパレータと、
を含むことを特徴とする請求項1または3に記載の制御回路。 - ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の制御回路。
- 請求項1から12のいずれかに記載の制御回路を備えることを特徴とする力率改善回路。
- 交流電圧を整流する整流回路と、
前記整流回路の出力電圧を受ける請求項13に記載の力率改善回路と、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 交流電圧を整流する整流回路と、
前記整流回路の出力電圧を受ける請求項13に記載の力率改善回路と、
を備えることを特徴とする電源アダプタ。
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