JP6659617B2 - 光検出器 - Google Patents
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Description
ガイガーモードで動作するAPDは、SPADと呼ばれ、逆バイアス電圧としてブレイクダウン電圧よりも高い電圧を印加することにより動作する。なお、SPADは、Single
Photon Avalanche Diode の略である。
このため、この種の光検出器においては、パルスレートが増大する環境下では、SPADを含む受光部の感度を調整して、パルスレートを低下させることが必要であり、そのための装置として、特許文献1に記載の技術が提案されている。
また、感度調整を行うには、参照受光素子を用いて測定した光量に応じて逆バイアス電圧等の制御値を設定する必要があることから、制御値設定のために、光量−制御値変換データが必要になる。このため、感度調整用の制御部を設計する際には、光量−制御値変換データを実測等で予め求めておく必要があり、制御部の設計に手間がかかるという問題もある。
[第1実施形態]
図1に示すように本実施形態の光検出器は、フォトンの入射に応答するSPAD4を備えた複数の受光部2を備える。複数の受光部2は、縦・横方向に格子状に配置されることにより、光検出用の一つの画素を構成する受光部アレイ10を構成している。
SPAD4は、上述したようにガイガーモードで動作可能なAPDであり、クエンチ抵抗6は、SPAD4への通電経路に直列接続されている。
また、パルス出力部8は、SPAD4とクエンチ抵抗6との接続点に接続されている。
そして、パルス出力部8は、SPAD4がブレイクダウンして、クエンチ抵抗6に電流が流れ、クエンチ抵抗6の両端に閾値電圧以上の電圧が発生したときに、上述したパルス信号として、値1となるデジタルパルスを出力する。
すなわち、パルスレート制御部20は、S100にて、受光部2から出力されるパルス信号のパルスレートを測定し、続くS200にて、その測定結果と、パルスレートの目標値となる設定値と比較する。そして、続くS300では、測定したパルスレートと設定値との差が零若しくは所定値以下となるように、受光部2の感度を制御する。
光部2の感度調整を行う必要がないので、光量測定用の参照受光素子を設ける必要がなく、装置構成を簡単にすることができる。
[第2実施形態]
第1実施形態では、パルスレート制御部20は、受光部アレイ10を構成する受光部2毎にパルスレートを測定して、そのパルスレートが設定値若しくは設定範囲内になるように、対応する受光部2の感度を調整するものとして説明した。
つまり、図3に示す加算回路22は、受光部アレイ10の全受光部2から所定の測定時間内に出力されたパルス信号の数を加算することで、受光部アレイ10の各受光部2から出力されるパルス信号のパルスレートを平均化した値を求める。
定値を外部信号により入力できるように構成してもよい。このようにすれば、各受光部2若しくは受光部アレイ10から出力されるパルス信号のパルスレートを、外部から任意に設定できるようになる。
[第3実施形態]
上記受光部アレイ10を測距装置で利用する場合、受光部アレイ10の各受光部2からのパルス信号は、図4に示すように、閾値判定部30に入力されるように構成するとよい。
カウンタ26は、閾値判定部30から出力される検出信号の数をカウントするものであり、制御回路28は、カウンタ26にて所定の測定時間内にカウントされたカウント値を、閾値判定部30から出力される検出信号のパルスレートとして測定する。
[第4実施形態]
次に、上記第3実施形態では、閾値判定部30から出力される検出信号のパルスレートを設定値若しくは設定範囲内に制御することで、後段の処理回路の負荷が増加して、後段
の処理回路が飽和状態になるのを抑制するようにしている。
なお、可変閾値判定部32に設ける閾値判定部30の数は、複数であればよく、2つでも、4つ以上であってもよい。
定されることなく、種々変形して実施することができる。
[第1変形例]
第2実施形態〜第4実施形態の光検出器において、受光部アレイ10にて構成される画素の感度調整を行う際には、SPAD4に印加する逆バイアス電圧若しくは受光部2の他のパラメータを変化させることにより行うものとして説明した。
[第2変形例]
上記各実施形態においてパルスレート制御部20により制御される、受光部アレイ10若しくは各受光部2の感度、或いは、閾値判定部30の閾値は、周囲の光量等、使用環境によっても変化するが、受光部アレイ10や周辺回路の特性劣化によっても変化する。
[第3変形例]
上記各実施形態では、パルスレート制御部20は、測定したパルスレートが設定値若しくは設定範囲となるように、受光部アレイ10若しくは受光部アレイ10を構成する各受光部2の感度、若しくは、閾値判定部30を調整する。
このため、パルスレート制御部20は、起動時等に診断モードで動作しているときに、図9に示す手順で動作するようにするとよい。
ことができる。また、使用者に対しては、光検出器が故障したことを通知し、修理等の対策を速やかに実施させることができる。
[第4変形例]
上述したように、パルスレート制御部20を、制御回路24,28,29に対して設定値を外部から入力できるように構成した場合、図10に例示するように、閾値判定部30からの検出信号を処理する処理回路を含む後段処理部60から、設定値を入力するようにしてもよい。
Claims (9)
- フォトンの入射に応答するSPAD(4)を備え、SPADが応答するとパルス信号を出力する複数の受光部(2)と、
前記複数の受光部から出力される前記パルス信号の単位時間当たりの出力数であるパルスレートの平均が、予め設定された設定値、該設定値を含む設定範囲内、該設定値以上、又は、該設定値以下となるように、前記複数の受光部の感度を制御するよう構成されたパルスレート制御部(20)と、
前記複数の受光部の中から、前記パルス信号を出力する受光部を選択する個別出力スイッチ(40)と
を備え、
前記パルスレート制御部は、前記個別出力スイッチを介して、前記パルス信号を出力する前記受光部の数を変化させることにより、前記複数の受光部の感度を制御するよう構成されている、光検出器。 - 前記パルスレート制御部は、前記複数の受光部からの前記パルス信号の出力をカウントすることで前記パルスレートを測定するよう構成されている、請求項1に記載の光検出器。
- フォトンの入射に応答するSPAD(4)を備え、SPADが応答するとパルス信号を出力するよう構成された複数の受光部(2)と、
前記複数の受光部から出力されるパルス信号の数をカウントし、カウント値が閾値以上であるとき、前記複数の受光部にて構成される受光部アレイに所定レベル以上の光が入射したと判断して、検出信号を出力する閾値判定部(30)と、
前記閾値判定部からの前記検出信号の単位時間当たりの出力数であるパルスレートが、予め設定された設定値、該設定値を含む設定範囲内、該設定値以上、又は、該設定値以下となるように、前記複数の受光部の感度及び前記閾値判定部の閾値の少なくとも一方を制御するパルスレート制御部(20)と、
を備えている、光検出器。 - 前記閾値が異なる値に設定された複数の前記閾値判定部を備え、該複数の閾値判定部から出力される検出信号の1つを選択して出力する可変閾値判定部(32)、
を備え、前記パルスレート制御部は、前記可変閾値判定部に設けられた複数の前記閾値判定部から出力される検出信号をそれぞれカウントすることで前記パルスレートを測定すると共に、該測定結果に基づき前記可変閾値判定部が選択する前記閾値判定部を設定するよう構成されている、請求項3に記載の光検出器。 - 前記パルスレート制御部は、前記SPADに印加する逆バイアス電圧を変化させることにより、前記受光部の感度を制御するよう構成されている請求項3又は請求項4に記載の光検出器。
- 前記複数の受光部の中から、前記閾値判定部にパルス信号を出力する受光部を選択する個別出力スイッチ(40)を備え、
前記パルスレート制御部は、前記個別出力スイッチを介して、前記閾値判定部にパルス信号を出力する前記受光部の数を変化させることにより、前記受光部の感度を制御するよう構成されている、請求項3又は請求項4に記載の光検出器。 - 前記パルスレート制御部は、前記設定値を外部信号により設定可能に構成されている、請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の光検出器。
- 前記パルスレート制御部にて前記パルスレートの制御のために設定される制御値を、当該光検出器の性能を表すデータとして記憶する性能モニタ部(50)、
を備えている、請求項1〜請求項7の何れか1項に記載の光検出器。 - 前記パルスレート制御部は、前記パルスレートの制御結果に基づき、当該光検出器の故障判定を行うように構成されている、請求項1〜請求項8の何れか1項に記載の光検出器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017079163A JP6659617B2 (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 光検出器 |
PCT/JP2018/014938 WO2018190299A1 (ja) | 2017-04-12 | 2018-04-09 | 光検出器 |
CN201880024309.0A CN110622324B (zh) | 2017-04-12 | 2018-04-09 | 光检测器 |
US16/598,295 US11411130B2 (en) | 2017-04-12 | 2019-10-10 | Photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017079163A JP6659617B2 (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 光検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018182051A JP2018182051A (ja) | 2018-11-15 |
JP6659617B2 true JP6659617B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=63793719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017079163A Active JP6659617B2 (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 光検出器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11411130B2 (ja) |
JP (1) | JP6659617B2 (ja) |
CN (1) | CN110622324B (ja) |
WO (1) | WO2018190299A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019007950A (ja) | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 株式会社デンソー | 光測距装置 |
JP6881074B2 (ja) | 2017-06-22 | 2021-06-02 | 株式会社デンソー | 光検出器 |
JP6852041B2 (ja) | 2018-11-21 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP7218191B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2023-02-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体 |
WO2020261278A1 (en) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 5D Sensing Ltd. | Digital readout enabling 2d and 3d analysis for silicon photo multiplier |
JP2021131249A (ja) * | 2020-02-18 | 2021-09-09 | アズビル株式会社 | 光検出システムおよび放電確率算出方法 |
JP7527871B2 (ja) | 2020-07-10 | 2024-08-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
JP7476033B2 (ja) | 2020-08-24 | 2024-04-30 | 株式会社東芝 | 受光装置及び電子装置 |
DE112021005860T5 (de) | 2020-11-02 | 2023-08-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Fotodetektor und optisches detektonssystem |
CN113711080B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-08-04 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 激光雷达的探测方法、计算机可读存储介质和激光雷达 |
JP7265828B2 (ja) | 2021-03-10 | 2023-04-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
DE102023100975A1 (de) * | 2023-01-17 | 2024-07-18 | Vega Grieshaber Kg | Verfahren zur rauschdiagnose, verfahren zur signalregelung, diagnoseeinrichtung und radiomatrische füllstandmessvorrichtung |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102246058B (zh) * | 2008-12-15 | 2014-06-11 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于硅光电倍增管和其他单光子计数器的温度补偿电路 |
WO2010100574A2 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Advanced temperature compensation and control circuit for single photon counters |
US9417326B2 (en) * | 2009-06-22 | 2016-08-16 | Toyota Motor Europe Nv/Sa | Pulsed light optical rangefinder |
JP5644294B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-12-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 光検出器 |
KR101822847B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2018-01-30 | 한국전자통신연구원 | 단일 광자 검출장치 및 광자 수 분해 검출장치 |
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JP6225411B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2017-11-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 光学的測距装置 |
JP2014241543A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社東芝 | 光検出装置およびct装置 |
DE102014115304A1 (de) * | 2014-10-21 | 2016-04-21 | Reis Gmbh & Co. Kg Maschinenfabrik | Verfahren zum Überwachen einer Strahlung |
PL3265851T3 (pl) * | 2015-03-04 | 2021-05-31 | Rapiscan Systems, Inc. | Detektor wieloenergetyczny |
JP6477083B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2019-03-06 | 株式会社豊田中央研究所 | 光学的測距装置 |
GB2542811A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Stmicroelectronics (Research & Development) Ltd | Sensing apparatus having a light sensitive detector |
FR3043797A1 (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-19 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | |
EP3185039B1 (en) * | 2015-12-23 | 2021-09-08 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Apparatus and method for range detection and communication |
-
2017
- 2017-04-12 JP JP2017079163A patent/JP6659617B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-09 WO PCT/JP2018/014938 patent/WO2018190299A1/ja active Application Filing
- 2018-04-09 CN CN201880024309.0A patent/CN110622324B/zh active Active
-
2019
- 2019-10-10 US US16/598,295 patent/US11411130B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018182051A (ja) | 2018-11-15 |
CN110622324B (zh) | 2023-03-14 |
US11411130B2 (en) | 2022-08-09 |
WO2018190299A1 (ja) | 2018-10-18 |
CN110622324A (zh) | 2019-12-27 |
US20200044109A1 (en) | 2020-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200206 |
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