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JP6646058B2 - 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス - Google Patents

接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス Download PDF

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Description

本発明は、タンタル酸リチウム単結晶基板又はニオブ酸リチウム単結晶基板をベース基板に接合した接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイスに関する。
携帯電話などの周波数調整・選択用の部品として、圧電基板上に弾性表面波を励起するための櫛形電極（IDT; Interdigital Transducer）が形成された弾性表面波（SAW; Surface Acoustic Wave）デバイスが用いられている。
この弾性表面波デバイスには、小型で挿入損失が小さく、不要波を通さない性能が要求 されるため、その材料として、タンタル酸リチウム（LiTaO３; LT）やニオブ酸リチウム（LiNbO３; LN）などの圧電材料が用いられる。
近年の携帯電話で用いられる通信バンドは、バンド間の間隔が狭く、かつ個々のバンド幅が広くなる傾向があり、そのため温度が変動すると特性が変化してしまう弾性表面波デバイスにとって、その温度による特性変化が少ないことが求められている。
こうした要求に合致する圧電材料の一例として、例えば、非特許文献１には、タンタル酸リチウムとサファイアを接合した基板を用いることにより、弾性表面波デバイスの周波数の温度による変動を小さくできることが報告されている。
M. Miura, T. Matsuda, Y. Satoh, M. Ueda, O. Ikata, Y. Ebata,and H. Takagi, "Temperature Compensated LiTaO3/Sapphire Bonded SAW Substrate with Low Loss and High Coupling Factor Suitable for US-PCS Application," Proc. IEEE. Ultrason. Symp., pp. 1322-1325, 2004.
しかしながら、非特許文献１で報告されている基板では、音響インピーダンスの異なる２種の部材を組み合わせるため、タンタル酸リチウム表面で励振した弾性波動が接合界面で反射し不要な応答として顕在化するという問題がある。また、同文献ではタンタル酸リチウムの厚みを厚くすることで前記の不要な応答が減少することが示されている。
本発明者らが独自に調べたところ、前記接合基板のタンタル酸リチウムの厚みを増すと弾性表面波デバイスの基本要素である弾性表面波共振子または疑似弾性表面波共振子のＱ値が通常のタンタル酸リチウム並みに低下してしまう問題が有ることが判った。
そこで、本発明は、上記実情に鑑みなされたものであり、その目的は、温度特性に優れ、Ｑ値の大きな接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイスを提供することである。
本発明者らは、接合基板を構成するLiTaO3基板について鋭意検討を重ねたところ、LiTaO3基板の接合面側のLi濃度がLiTaO3基板の表面側のLi濃度より大きいと、弾性波の波動がLi濃度の小さい領域（速度の遅い領域）へ向かおうとする性質があるため、弾性波の速度が遅いLiTaO3基板の表面側付近（Li濃度の小さい領域）にエネルギーが閉じ込められ、そこに弾性波動エネルギーが集中するため共振子のＱ値が増大することを発見し、本発明に至ったものである。
すなわち、本発明は、LiTaO3基板とベース基板を接合して構成される接合基板であって、該LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差が、0.1mol%以上であり、前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲であり、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲であるとともに、前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度の範囲は、前記LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の0.1〜4倍にわたって形成され、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度の範囲は、前記接合基板のLiTaO3基板側表面からLiTaO3基板の接合面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜20倍にわたって形成されることを特徴とする。
さらに、接合基板におけるLiTaO3基板の厚みは、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5倍より大きく20倍より小さい厚みであることが好ましい。
さらに、本発明の接合基板は、LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲を有することが好ましく、そのLi濃度が減少する範囲は、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の１〜5倍にわたって形成されていることが好ましい。
本発明のLiTaO3基板の結晶方位は、回転36°Y〜49°Yカットであることが好ましく、また、本発明で用いるベース基板は、Si、SiC、スピネル、サファイアから選択されることが好ましい。
本発明の接合基板の製造方法は、基板内部よりも基板表面の方がLi濃度の大きいLiTaO3基板とベース基板とを接合して、該LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きくなるように、接合面の反対側のLiTaO3基板表層を除去することを特徴とする。
そして、本発明の接合基板は、弾性表面波デバイスに用いられることが好ましい。
本発明によれば、弾性表面波用の接合基板のＱ値を向上できる。そのため、不要な反射波による応答を除去するために圧電層を厚くすることができ、ロスが小さく、フィルタにしたときの帯域外の抑圧度合を向上できる弾性表面波用の接合基板を提供することが可能となる。
実施例１及び実施例２の接合基板を構成するLiTaO3基板のLi含有量プロファイルのモデルを示す図である。 実施例１の接合基板と比較例2の接合基板上に形成した共振子の入力インピーダンス波形を示す図である。 実施例１の接合基板と比較例2の接合基板上に形成した共振子のQ値を測定した結果を示す図である。 実施例２の接合基板と比較例１の接合基板上に形成した共振子の入力インピーダンス波形を示す図である。 実施例２の接合基板と比較例１の通常LiTaO3基板上に形成した共振子のQ値を測定した結果を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は、これに何ら限定されるものではない。
本発明の接合基板は、LiTaO3基板とベース基板を接合して構成されている。LiTaO3基板とベース基板との接合方法については、公知の方法を用いればよいが、基板の反りに与える影響を考慮すると、常温接合法を用いることが好ましい。
また、LiTaO3基板とベース基板との間には、SiO2、SiO2±0.5、a-Si、p-Si、a-SiC、Al2O3等の介在層が存在していてもよい。
本発明の接合基板は、そのLiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きいことを特徴とするものである。そのため、ベース基板に接合されるLiTaO3基板は、その厚み方向においてLi濃度に差があることになる。
また、LiTaO3基板とベース基板との間に介在層が存在している場合は、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面は、LiTaO3基板の介在層と接する接合面のことを指す。
このようなLiTaO3基板は、例えば、気相拡散法等の公知の手法により、LiTaO3基板の表面からLiを拡散させることによって得られる。そして、このようにして得られた基板は、基板表面のLi濃度が大きく、基板内部のLi濃度が小さいため、その基板表面をベース基板との接合面とするように、LiTaO3基板の内部を露出させるような研削、研磨等の加工を施せば、本発明の接合基板を得ることができる。
また、本発明の接合基板を構成するLiTaO3基板は、複数のLiTaO3基板からなる接合基板であってもよい。Li濃度の小さいLiTaO3基板とLi濃度の大きいLiTaO3基板を準備し、ベース基板に接合することによっても本発明の接合基板を作製することができる。例えば、Li濃度の小さいLiTaO3基板として、通常の引き上げ法により製造された一致溶融（コングルーエント）組成のLiTaO3基板を使用し、一方、Li濃度の大きいLiTaO3基板として、二重るつぼ法により製造された化学量論（ストイキオメトリー）組成のLiTaO3基板を使用することができる。
さらに、本発明の接合基板を構成するLiTaO3基板には、必要に応じてFe等の金属元素がドープされていてもよいし、焦電性抑制のために還元処理が施されていてもよい。
本発明では、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差は、0.1mol%以上であることが好ましく、より好ましくは0.25mol%以上であり、さらに好ましくは0. 5mol%以上である。また、この差の上限は、化学量論（ストイキオメトリー）組成（50±0.5mol%）と一致溶融（コングルーエント）組成（48.5±0.5mol%）との差であり、好ましくは2.5mol%以下、より好ましくは2.0mol%以下、さらに好ましくは1.5mol%以下である。
本発明では、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲であり、好ましくは-1.0＜α＜0.5の範囲であり、より好ましくは-0.8＜α＜0.5の範囲であり、さらに好ましくは-0.8＜α≦0の範囲である。
本発明の接合基板を構成するLiTaO3基板は、その作製の容易さや製造コストの観点から、通常の引き上げ法により製造された一致溶融（コングルーエント）組成のLiTaO3基板に、気相法によるLi拡散処理を施して作製することが好ましい。そして、このようにしてLiTaO3基板を作製したとき、基板表面のLi濃度は、化学量論（ストイキオメトリー）組成に近いLi/(Li+Ta)×100=(50+α) mol %で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲となる。
また、Li拡散処理を施す場合にその時間が長いほど、基板に反りやワレが生じやすくなるため、Li濃度がLi/(Li+Ta)×100=(50+α) mol %で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲は、LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の0.1〜4倍程度にわたって形成されていることが好ましい。このようにすれば、基板の反りやワレの発生を抑えるとともに、接合基板のQ値を増大させることができる。
さらに、本発明では、LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲を有することが好ましい。気相法によるLi拡散処理を施したLiTaO3基板を接合基板のLiTaO3基板として用いることにより、このような接合基板を作製することができる。この場合、Liの濃度変化が急峻な接合基板では、共振子のQ値を増大させることはできるが、急峻なLi濃度変化による応答ノイズが発生する可能性がある。そのため、LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲は、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜5倍にわたって形成されていることが好ましい。このようにすれば、作製が容易なだけでなく、急峻なLi濃度変化による応答ノイズを抑えることができる。
本発明の接合基板は、そのLiTaO3基板の接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(50+α) mol %で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲であるが、一方で、そのLiTaO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β) mol %で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲であり、一致溶融（コングルーエント）組成であることが好ましい。
本発明の接合基板は、前述のとおり、その作製の容易さや製造コストの観点から、通常の引き上げ法により製造された一致溶融（コングルーエント）組成のLiTaO3基板に、気相法によるLi拡散処理を施して作製することが好ましい。したがって、LiTaO3基板内部のLi濃度は、一致溶融（コングルーエント）組成に近いLi/(Li+Ta)×100=(48.5+β) mol%（-0.5＜β＜0.5）となり、このLiTaO3基板をベース基板と接合した後に、LiTaO3基板の内部を露出させるように研削、研磨等の加工を施せば、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度が、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β) mol %で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲の接合基板を得ることができる。
また、Li濃度がLi/(Li+Ta)×100=(48.5+β) mol %で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲は、任意に定めることができる。もっとも、接合基板を構成するLiTaO3基板の厚さに対してこの範囲を狭くすると、Li拡散処理時間を長くする必要があり、基板に反りやワレが生じやすくなるため、このLi濃度である範囲は、ある程度広い方が好ましい。接合基板のLiTaO3基板側表面からLiTaO3基板の接合面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜20倍程度にわたって形成されていることが好ましい。
本発明の接合基板におけるLiTaO3基板の厚みは、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5倍より大きく20倍より小さいことが好ましい。
このようにすれば、接合界面における弾性波の反射による不要な応答を抑制することができる。
本発明において、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長は、接合基板を弾性表面波デバイスとして使用する際の弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長であって、接合基板（表面弾性波デバイス）に入力される電気信号の周波数と表面波（リーキー波）の速度によって決定される。表面波の速度は、材料によって異なり、LiTaO3では約4000m/sである。したがって、LiTaO3を圧電単結晶基板として用いた複合基板から、1GHzの弾性表面波デバイスを製造する場合において、弾性表面波の波長は約4μmとなる。また、2GHzの弾性表面波デバイスを製造する場合において、弾性表面波の波長は約2μmであり、800MHzの弾性表面波デバイスを製造する場合において、弾性表面波の波長は約5μmである。
本発明を構成するLiTaO3基板の結晶方位については、任意に選択することが可能であるが、特性上の観点から回転36°Y〜49°Yカットであることが好ましい。また、ベース基板として用いる基板については、特に制限はないが、Si、SiC、スピネル、サファイアから選択されることが好ましい。
本発明を構成するLiTaO3基板に代えてLiNbO3基板を用いても、LiTaO3基板を用いた接合基板と同様にＱ値を向上できる。
すなわち、本発明は、LiNbO3基板とベース基板を接合して構成される接合基板であって、該LiNbO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、該複合基板のLiNbO3基板側表面のLi濃度よりも大きいことを特徴とする。
また、LiNbO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と、接合基板のLiNbO3基板側表面のLi濃度との差は、0.1mol%以上であることが好ましい。
LiNbO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Nb)×100=(50+α)mol%で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲であることが好ましく、接合基板のLiNbO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Nb)×100=(48.5+β)mol%で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲であることが好ましい。
さらに、接合基板におけるLi Nb O3基板の厚みは、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5倍より大きく20倍より小さい厚みであることが好ましい。
また、本発明のLiNbO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度の範囲は、LiNbO3基板の接合面から接合基板のLiNbO3基板側表面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の0.1〜4倍にわたって形成されていることが好ましい。
さらに、本発明の接合基板は、LiNbO3基板の接合面から接合基板のLiNbO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲を有することが好ましく、そのLi濃度が減少する範囲は、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の１〜5倍にわたって形成されていることが好ましい。加えて、本発明の接合基板のLiNbO3基板側表面のLi濃度の範囲は、前記接合基板のLiNbO3基板側表面からLiNbO3基板の接合面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜20倍にわたって形成されていることが好ましい。
本発明のLiNbO3基板の結晶方位は、回転0°Y〜30°Yカット又は128°±5°Yカットであることが好ましく、また、本発明で用いるベース基板は、Si、SiC、スピネル、サファイアから選択されることが好ましい。
本発明のこのような接合基板を用いて弾性表面波デバイスを作製すれば、Qが大きな共振子を構成できるため好ましい。
本発明の接合基板は、基板内部よりも基板表面の方がLi濃度の大きいLiTaO3基板とベース基板とを接合して、該LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きくなるように、接合面の反対側のLiTaO3基板表層を除去することで製造することができる。
このとき、基板内部よりも基板表面の方がLi濃度の大きいLiTaO3基板の両側にベース基板を接合して、LiTaO3基板を厚さ方向に分割するようにして製造してもよい。このようにすれば、１枚のLiTaO3基板から２枚の接合基板が得られるため、コスト的にも好ましい。
このような製造方法は、LiNbO3基板の場合についても同様に適用することができる。
本発明の接合基板を構成するLiTaO3基板及びLiNbO3基板のLi濃度については、公知の方法により測定すればよいが、例えば、ラマン分光法により評価することができる。LiTaO3単結晶については、ラマンシフトピークの半値幅とLi濃度（Li/(Li+Ta)の値）との間に、おおよそ線形な関係があることが知られている（2012 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings、Page(s):1252-1255、Applied Physics A 56、311-315 (1993)参照）。
したがって、このような関係を表す式を用いれば、酸化物単結晶基板の任意の位置における組成を評価することが可能である。
ラマンシフトピークの半値幅とLi濃度との関係式は、その組成が既知であって、Li濃度が異なる幾つかの試料のラマン半値幅を測定することによって得られるが、ラマン測定の条件が同じであれば、文献などで既に明らかになっている関係式を用いてもよい。
例えば、タンタル酸リチウム単結晶については、下記式（１）を用いてもよい（2012 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings, Page(s):1252-1255参照）。
Li/(Li+Ta)=(53.15-0.5FWHM1)/100 （１）
ここで、「FWHM1」は、600cm-1付近のラマンシフトピークの半値幅である。測定条件の詳細については文献を参照されたい。
本発明の接合基板上に形成したSAW共振子及び比較例のSAW共振子のQ値は、公知文献 2010 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings Page(s):861〜863のｐ.861に記載された下記式（２）によって求めた。同式は、前記文献中では式（１）だが、前記式番号と重複するので式（２）として示す。
Q(f) = ω*τ(f)*|Γ|/(1-|Γ|2) （２）
但し、ωは角周波数、τ(f)は群遅延時間、Γはネットワークアナライザで測定される反射係数である。
以下、本発明の実施例及び比較例についてより具体的に説明する。
<実施例１>
実施例１では、最初に、単一分極処理を施したLi:Ta=48.4：51.6である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットをスライスして、42°回転YカットのLiTaO3基板を370μm厚に切り出した。その後、必要に応じて、各スライスウエハの面粗さをラップ工程により算術平均粗さRａ値で0.15μmに調整し、その仕上がり厚みを350μmとした。
次に、表裏面を平面研磨によりRａ値で0.01μmの準鏡面に仕上げた基板を、Li3TaO4を主成分とするLi、Ta、Oから成る粉体の中に埋め込んだ。このとき、Li3TaO4を主成分とする粉体として、Li2CO3:Ta2O5粉をモル比で7:3の割合に混合し、1300℃で12時間焼成したものを用いた。そして、このようなLi3TaO4を主成分とする粉体を小容器に敷き詰め、Li3TaO4粉中にスライスウエハを複数枚埋め込んだ。
そして、この小容器を電気炉にセットし、その炉内をN２雰囲気として、900℃で20時間加熱して、スライスウエハの表面から中心部へLiを拡散させた。その後、この処理の降温過程において、800℃で12時間アニール処理を施すとともに、ウエハをさらに降温する過程の770℃〜500℃の間に、概略＋Z軸方向に4000V/mの電界を印可した後、温度を室温まで下げる処理を行った。なお電界を印可以降は炉内雰囲気を大気としてもよい。
また、この処理の後に、その粗面側をサンドブラストによりRa値で約0.15μmに仕上げ加工を行うとともに、その概略鏡面側を3μmの研磨加工を行って、複数枚のLiTaO3単結晶基板を作製した。
次に、このLiTaO3基板と230μｍ厚のSi基板を「Takagi H. et al、“Room-temperature wafer bonding using argonbeam activation”From Proceedings-Electrochemical Society (2001),99-35(Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications V), 265-274.」に記載されている常温接合法により接合して、接合基板を作製した。
具体的には、高真空のチャンバー内に洗浄した基板をセットし、イオンビームを中性化したアルゴンの高速原子ビームを基板表面に照射して活性化処理を行った後、LiTaO3単結晶基板とSi基板とを接合した。また、この接合基板の接合界面からLiTaO3側に28μｍの範囲までを残すように、研削・研磨を施して、Liを拡散させた回転YカットLiTaO3基板とSi基板との接合基板を作製した。
そして、このように作製した接合基板の１枚について、レーザーラマン分光測定装置（HORIBA Scientific社製LabRam HRシリーズ、Arイオンレーザー、スポットサイズ1μm、室温）を用いて、この接合基板の中央部について、LiTaO3側表面から深さ方向にわたってLi拡散量の指標である600ｃｍ-1付近のラマンシフトピークの半値幅「FWHM1」を測定し、前記式（１）より Li濃度を求めたところ、図１に示すLi濃度のプロファイルが得られた。
この図１の結果によれば、この接合基板では、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が49.6 mol%、α値が-0.4であり、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度が48.4 mol % 、β値が-0.1であるから、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きくなっていることが確認された。また、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差は、1.2mol%であった。
また、接合界面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって0μm〜約0.5μmの範囲にかけては、Li/(Li+Ta)=49.6mol%と疑似ストイキオメトリー組成を示す値となっていた。接合基板の表層に近い範囲については、接合基板のLiTaO3基板側表面に近いほどLi濃度が減少する遷移層を約20μm程度の範囲にわたって有しており、接合基板のLiTaO3基板側表面から約8μmの深さにかけては、Li/(Li+Ta)=48.4 mol %と概略コングルーエント組成を示すLi濃度を有していることが確認された。
さらに、この接合基板の反りをレーザ光による干渉方式で測定したところ、その値は、200μmとやや大きい値であり、ワレやヒビは観測されなかった。
次に、このようにして得られた接合基板のLiTaO3基板側表面に、スパッタ法により0.2μm厚のAl膜を形成するとともに、g線を光源としたフォトリソグラフィーによって、１波長が約4μmのSAW共振子を形成した。なお、Al電極の形成は、RIE(reactive ion etching)により行うとともに、このRIEのガスは、BCl3,Cl2,CF4,N2の混合ガスを用いた。
このとき、接合基板におけるLiTaO3基板の厚みは28μｍであり、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長は約4μmであることから、7倍の厚みとなっている。
そして、この作製した評価用SAW共振子の特性をRFプローバーにより測定したところ、その測定結果は、図２に示すとおりである。この図２の結果によれば、実施例１では、概ね良好な共振波形が得られていることが確認された。
次に、上記のRFプローバーによるS11と群遅延時間の測定値をネットワークアナライザより記録媒体に読み込み、前記式（２）によりQ値を求め、その結果を図３に示す。この図３の結果によれば、Qの最大値は1280であった。
<実施例２>
実施例２では、最初に、単一分極処理を施したLi:Ta=48.75：51.25である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットをスライスして、42°回転YカットのLiTaO3基板を370μm厚に切り出した。その後、必要に応じて、各スライスウエハの面粗さをラップ工程により算術平均粗さRａ値で0.15μmに調整し、その仕上がり厚みを350μmとした。
次に、表裏面を平面研磨によりRａ値で0.01μmの準鏡面に仕上げた基板を、Li3TaO4を主成分とするLi、Ta、Oから成る粉体の中に埋め込んだ。このとき、Li3TaO4を主成分とする粉体として、Li2CO3:Ta2O5粉をモル比で7:3の割合に混合し、1300℃で12時間焼成したものを用いた。そして、このようなLi3TaO4を主成分とする粉体を小容器に敷き詰め、Li3TaO4粉中にスライスウエハを複数枚埋め込んだ。
そして、この小容器を電気炉にセットし、その炉内をN２雰囲気として、900℃で10時間加熱して、スライスウエハの表面から中心部へLiを拡散させた。その後、この処理の降温過程において、800℃で12時間アニール処理を施すとともに、ウエハをさらに降温する過程の770℃〜500℃の間に、概略＋Z軸方向に4000V/mの電界を印可した後、温度を室温まで下げる処理を行った。なお電界を印可以降は炉内雰囲気を大気としてもよい。
また、この処理の後に、実施例１と同様の方法によって接合基板を作製し、この接合基板の接合界面からLiTaO3側に40μｍの範囲までを残すように、研削・研磨を施して、Liを拡散させた回転YカットLiTaO3基板とSi基板との接合基板を作製した。
そして、このように作製した接合基板の１枚について、レーザーラマン分光測定装置（HORIBA Scientific社製LabRam HRシリーズ、Arイオンレーザー、スポットサイズ1μm、室温）を用いて、この接合基板の中央部について、LiTaO3側表面から深さ方向にわたってLi拡散量の指標である600ｃｍ-1付近のラマンシフトピークの半値幅「FWHM1」を測定し、前記式（１）より Li濃度を求めたところ、図１に示すLi濃度のプロファイルが得られた。
この図１の結果によれば、この接合基板では、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が49.4 mol%、α値が-0.6であり、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度が48.75mol % 、β値が0.25であるから、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きくなっていることが確認された。また、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差は、0.65mol%であった。
また、接合界面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって0μm〜約2μmの範囲にかけては、Li/(Li+Ta)=49.4mol%と疑似ストイキオメトリー組成を示す値となっていた。接合基板の表層に近い範囲については、接合基板のLiTaO3基板側表面に近いほどLi濃度が減少する遷移層を約8μm程度の範囲にわたって有しており、接合基板のLiTaO3基板側表面から約30μmの深さにかけては、Li/(Li+Ta)=48.75mol %と概略コングルーエント組成を示すLi濃度を有していることが確認された。
さらに、この接合基板の反りをレーザ光による干渉方式で測定したところ、その値は、40μmと小さい値であり、ワレやヒビは観測されなかった。
次に、この接合基板を用いて、実施例１と同様の方法によって１波長が約4μmのSAW共振子を作製し、この作製した評価用SAW共振子の特性をRFプローバーにより測定したところ、その測定結果は、図４に示すとおりである。この図４の結果によれば、実施例２でも、概ね良好な共振波形が得られていることが確認された。
このとき、接合基板におけるLiTaO3基板の厚みは40μｍであり、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長は約4μmであることから、10倍の厚みとなっている。
また、上記のRFプローバーによるS11と群遅延時間の測定値をネットワークアナライザより記録媒体に読み込み、前記式（２）によりQ値を求め、その結果を図５に示す。この図５の結果によれば、Qの最大値は1380であった。
<比較例１>
比較例１では、実施例１と同じ単一分極処理を施したLi:Ta=48.4：51.6である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットを同様に処理して、その仕上がり厚みが350μmのウエハを作製した。
次に、このラップ後のウエハの両面の面粗さを平面研磨によりRａ値で0.0001μmの鏡面に仕上げ、複数枚の概略コングルーエント組成のLiTaO3単結晶基板を作製した。
そして、このように作製したLiTaO3単結晶基板の１枚について、実施例１と同様に、レーザーラマン分光測定装置を用いて、この基板の中央部について、表面から深さ方向にわたって、Li拡散量の指標である600ｃｍ-1付近のラマンシフトピークの半値幅「FWHM1」を測定し、前記式（１）より Li濃度を求めたところ、LiTaO3基板のLi濃度は、深さ方向にわたってほぼ一定で48.4mol%の概略コングルーエント組成であった。
また、この基板の反りをレーザ光による干渉方式で測定したところ、その値は、40μmと小さい値であり、ワレやヒビは観測されなかった。
次に、このようにして得られた基板の表面に、スパッタ法により0.2μm厚のAl膜を形成するとともに、g線を光源としたフォトリソグラフィーによって、１波長が約4μmのSAW共振子を形成した。なお、Al電極の形成は、RIE(reactive ion etching)により行うとともに、このRIEのガスは、BCl3,Cl2,CF4,N2の混合ガスを用いた。
そして、この作製した評価用SAW共振子の特性をRFプローバーにより測定したところ、その測定結果は、図４に示すとおりである。図４の結果によれば、比較例１では、概ね良好な共振波形が得られていることが確認された。
次に、上記のRFプローバーによるS11と群遅延時間の測定値をネットワークアナライザより記録媒体に読み込み、前記式（２）によりQ値を求め、その結果を図５に示す。この図５の結果によれば、Qの最大値は900であり、実施例１及び実施例２のQ値より小さかった。
<比較例２>
比較例２では、実施例１と同じ単一分極処理を施したLi:Ta=48.4：51.6である概略コングルーエント組成の4インチ径LiTaO3単結晶インゴットを同様に処理して、その仕上がり厚みが350μmのウエハを作製した。次に、このウエハの両面を比較例１と同様に、平面研磨によりRａ値で0.0001μmの鏡面に仕上げて、複数枚の概略コングルーエント組成のLiTaO3単結晶基板を作製した。その後、実施例１と同様に、このLiTaO3基板と230μｍ厚のSi基板を接合し、さらに、この接合基板の接合界面からLiTaO3側に28μｍの範囲までを残すように、研削・研磨を施して、回転YカットLiTaO3基板とSi基板との接合基板を作製した。
そして、このように作製した接合基板の１枚について、実施例１と同様に、レーザーラマン分光測定装置を用いて、この接合基板の中央部について、LiTaO3側表面から深さ方向にわたって、Li拡散量の指標である600ｃｍ-1付近のラマンシフトピークの半値幅「FWHM1」を測定し、前記式（１）より Li濃度を求めたところ、接合基板を構成するLiTaO3基板のLi濃度は、深さ方向にわたってほぼ一定で48.4mol%の概略コングルーエント組成を示したため、LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度とLiTaO3基板側表面のLi濃度はほぼ同じであった。
また、この接合基板の反りをレーザ光による干渉方式で測定したところ、その値は、40μmと小さい値であり、ワレやヒビは観測されなかった。
次に、この接合基板を用いて、実施例１と同様の方法によって１波長が約4μmのSAW共振子を作製し、この作製した評価用SAW共振子の特性をRFプローバーにより測定したところ、その測定結果は、図２に示すとおりである。この図２の結果によれば、比較例２では、概ね良好な共振波形が得られていることが確認された。
次に、上記のRFプローバーによるS11と群遅延時間の測定値をネットワークアナライザより記録媒体に読み込み、前記式（２）によりQ値を求め、その結果を図３に示す。この図３の結果によれば、Qの最大値は1020であり、実施例１及び実施例２のQ値より小さかった。
以上の実施例１及び２と比較例１及び２との比較から、本発明の接合基板であれば、通常のLiTaO3基板よりもQが大きく、Li濃度変化がない効果を奏することが確認された。また、本発明の接合基板の特にαが-1.2＜α≦-0.5の範囲であり、βが-0.5＜β＜0.5の範囲であると、Q値がさらに大きく、反りが小さい接合基板が得られ、弾性表面波素子として好ましい高いQ値が得られることが明らかとなった。

Claims (8)

  1. LiTaO3基板とベース基板を接合して構成される接合基板であって、該LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度と前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度との差が、0.1mol%以上であり、前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%で、αが-1.2＜α＜0.5の範囲であり、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度は、Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%で、βが-0.5＜β＜0.5の範囲であるとともに、前記LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度の範囲は、前記LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の0.1〜4倍にわたって形成され、前記接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度の範囲は、前記接合基板のLiTaO3基板側表面からLiTaO3基板の接合面に向かって、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の1〜20倍にわたって形成されることを特徴とする接合基板。
  2. 前記接合基板におけるLiTaO3基板の厚みは、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5倍より大きく20倍より小さいことを特徴とする請求項１に記載の接合基板。
  3. 前記LiTaO3基板の接合面から接合基板のLiTaO3基板側表面に向かって、Li濃度が減少する範囲を有する請求項１または２に記載の接合基板。
  4. 前記Li濃度が減少する範囲は、弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の１〜5倍にわたって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の接合基板。
  5. 前記LiTaO3基板の結晶方位は、回転36°Y〜49°Yカットであることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の接合基板。
  6. 前記ベース基板は、Si、SiC、スピネル、サファイアから選択されることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の接合基板。
  7. 前記請求項１から６の何れかに記載の接合基板を用いて構成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
  8. 基板内部よりも基板表面の方がLi濃度の大きいLiTaO3基板とベース基板とを接合して、該LiTaO3基板のベース基板と接する接合面におけるLi濃度が、接合基板のLiTaO3基板側表面のLi濃度よりも大きくなるように、接合面の反対側のLiTaO3基板表層を除去することを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の接合基板の製造方法。
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