JP6645395B2 - 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
従って、この熱を放熱する多くの方法が提案されている。特に発熱量の多い電子部品では、電子部品とヒートシンク等の部材の間に熱伝導性グリースや熱伝導性シートの熱伝導性材料を介在させて熱を逃がす方法が提案されている。
窒化アルミニウムの熱伝導率は70〜270W/mKであり、これより熱伝導性の高い材料として熱伝導率900〜2,000W/mKのダイヤモンドがある。特開2002−30217号公報(特許文献5)には、シリコーン樹脂に、ダイヤモンド、酸化亜鉛、分散剤を用いた熱伝導性シリコーン組成物が開示されている。
更には熱伝導率の高い銀粉末を充填剤として用いている特許3130193号公報(特許文献8)、特許3677671号公報(特許文献9)なども開示されている。
しかし、いずれの熱伝導性材料や熱伝導性グリースも、最近のCPU等の集積回路素子の発熱量には不十分なものとなってきている。
すなわち、本発明は、次の熱伝導性シリコーン組成物等を提供するものである。
下記、成分(A)及び(B)を含有する熱伝導性シリコーン組成物。
(A)下記平均組成式(1)
R1 aSiO(4−a)/2 (1)
〔式中、R1は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜18の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される1種若しくは2種以上の基を示し、aは1.8≦a≦2.2である。〕
で表される、25℃における動粘度が10〜100,000mm2/sのオルガノポリシロキサン
(B)タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下の銀粉末:成分(A)100質量部に対して、300〜11,000質量部
成分(B)の銀粉末のアスペクト比が2.0以上150.0以下である<1>記載の熱伝導性シリコーン組成物。
<3>
成分(A)の全部又は一部が、成分(C)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン及び/又は、成分(D)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである<1>又は<2>記載の熱伝導性シリコーン組成物。
更に、硬化触媒を含む<1>〜<3>の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物。
更に、成分(E)として、下記一般式(2)
R2 bSi(OR3)4−b (2)
〔式中、R2は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される1種又は2種以上の基を示し、R3は一価炭化水素基を示し、bは1≦b≦3である。〕
で表されるオルガノシランを、成分(A)100質量部に対して0〜10質量部含む<1>〜<4>の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物。
発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置であって、前記発熱性電子部品と放熱体との間に、<1>〜<5>の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物が介在していることを特徴とする半導体装置。
<7>
<1>〜<5>の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物を、発熱性電子部品と放熱体との間で、0.01MPa以上の圧力を掛けられた状態で80℃以上に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
成分(A):
成分(A)のオルガノポリシロキサンは、下記平均組成式(1)
R1 aSiO(4−a)/2 (1)
〔式中、R1は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜18の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される1種若しくは2種以上の基を示し、aは1.8≦a≦2.2である。〕
で表される、25℃における動粘度が10〜100,000mm2/sのオルガノポリシロキサンである。
また、本発明で使用するオルガノポリシロキサンの25℃における動粘度は、10mm2/sより低いと組成物にした時にオイルブリードが出やすくなるし、100,000mm2/sより大きくなると組成物にしたときの粘度が高くなることから取り扱いが乏しくなるため、25℃で10〜100,000mm2/sであることが必要であり、特に30〜10,000mm2/sであることが好ましい。なお、オルガノポリシロキサンの動粘度はオストワルド粘度計で測定した25℃の値である。
成分(A)の全部又は一部は、成分(C)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン及び/又は、成分(D)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることが好ましい。
このような成分(C)の分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、環状、分岐鎖状、三次元網状等が挙げられるが、基本的に主鎖がジオルガノシロキサン単位(D単位)の繰り返しからなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキサン、又は該直鎖状のジオルガノポリシロキサンと分岐鎖状あるいは三次元網状のオルガノポリシロキサンの混合物が好ましい。
成分(D)のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、水素原子以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基などが挙げられ、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。
上記式(3)で示されるオルガノポリシロキサンは、シリコーン組成物中に粉末を高充填することを補助する。また、該オルガノポリシロキサンによって粉末の表面を疎水化処理することもできる。
上記式(3)中、R4は、炭素数1〜6のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数1〜6のアルキル基等が挙げられるが、特にメチル基、エチル基が好ましい。R5は、互いに独立に、炭素数1〜18、好ましくは炭素数1〜10の、飽和または不飽和の、非置換または置換の一価炭化水素基である。該一価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、及びオクタデシル基等のアルキル基;シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、及びアリル基等のアルケニル基;フェニル基、及びトリル基等のアリール基;2−フェニルエチル基、及び2−メチル−2−フェニルエチル基等のアラルキル基;又は、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えば、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2−(パーフルオロブチル)エチル基、2−(パーフルオロオクチル)エチル基、p−クロロフェニル基等が挙げられる。この内、特にメチル基が好ましい。上記式(3)中、cは5〜120の整数であり、好ましくは10〜90の整数である。
成分(B)は、タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下の銀粉末である。
成分(B)の銀粉末のタップ密度は、3.0g/cm3より小さいと成分(B)の組成物への充填率が上げられなくなり、組成物の粘度が上がってしまい、作業性が悪くなるため、3.0g/cm3〜10.0g/cm3の範囲がよく、好ましくは4.5g/cm3〜10.0g/cm3、より好ましくは6.0g/cm3〜10.0g/cm3である。
成分(B)の銀粉末の比表面積は、2.0m2/gより大きいと成分(B)の組成物への充填率が上げられなくなり、組成物の粘度が上がってしまい、作業性が悪くなるため0.08m2/g〜2.0m2/gの範囲がよく、好ましくは0.08m2/g〜1.0m2/g、より好ましくは0.08m2/g〜0.5m2/gである。
尚、本明細書記載のタップ密度は、銀粉末100gをはかり、ロートで100mlメスシリンダーに静かに落とした後、シリンダーをタップ密度測定器にのせて落差距離20mm、60回/分の速さで600回落下させ、圧縮した銀粉末の容積から算出した値である。
また、比表面積は、銀粉末約2gをサンプルにとり、60±5℃で10分間脱ガスした後、比表面積自動測定装置(BET法)にて総表面積を測定した。その後、サンプル量をはかり、下記式(4)で計算し、算出したものである。
また、本発明組成物は、硬化触媒を配合することにより、硬化性の組成物とすることができる。本発明組成物がヒドロシリル化反応により硬化する場合には、成分(A)として成分(C)及び成分(D)と、白金系触媒を添加する。成分(D)の配合量は、成分(C)のアルケニル基1モルに対して成分(D)のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルの範囲内となる量であることが好ましく、さらに、0.1〜5モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に、0.1〜3.0モルの範囲内となる量であることが好ましい。
白金系触媒は本発明組成物の硬化を促進するための触媒であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体が挙げられる。
本発明組成物において、白金系触媒の含有量は、本発明組成物の硬化に必要な量、所謂触媒量であり、具体的には、(A)成分に対して本成分中の白金金属が質量単位で0〜500ppmの範囲内となる量であることが好ましく、特に、0〜200ppmの範囲内となる量であることが好ましい。
このシランもしくはシロキサンオリゴマーの含有量は、本発明組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、(A)成分100質量部に対して0.01〜20質量部の範囲内が好ましく、特に、0.1〜10質量部の範囲内が好ましい。
本発明組成物において、この縮合反応用触媒の含有量は任意量であり、配合する場合は、具体的には、(A)成分100質量部に対して0.01〜20質量部の範囲内とすることが好ましく、特に、0.1〜10質量部の範囲内とすることが好ましい。
更に、本発明組成物には、成分(E)として、下記一般式(2)
R2 bSi(OR3)4−b (2)
〔式中、R2は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される1種又は2種以上の基を示し、R3は一価炭化水素基を示し、bは1≦b≦3である。〕
で表されるオルガノシランを配合してもよい。
C10H21Si(OCH3)3
C12H25Si(OCH3)3
C12H25Si(OC2H5)3
C10H21Si(CH3)(OCH3)2
C10H21Si(C6H6)(OCH3)2
C10H21Si(CH3)(OC2H5)2
C10H21Si(CH=CH2)(OCH3)2
C10H21Si(CH2CH2CF3)(OCH3)2
CH2=C(CH3)COOC8H16Si(OCH3)3
本発明の半導体装置は、発熱性電子部品の表面と放熱体との間に、本発明の熱伝導性シリコーン組成物が介在することを特徴とする。本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、10〜200umの厚さで介在させることが好ましい。
代表的な構造を図1に示すが本発明はこれに限定されるものではない。本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、図1の3に示すものである。
〔粘度〕
組成物の絶対粘度は、マルコム粘度計(タイプPC−1TL)を用いて25℃で測定した。
実施例1〜13および比較例1〜8は各組成物を6mm厚の型に流し込み、0.1MPaの圧力を掛けられた状態で170℃に加熱した後、京都電子工業(株)社製のTPS−2500Sにより、いずれも25℃において熱伝導率を測定した。実施例14、15については各組成物を6mm厚の型に流し込み、23±2℃/50±5%RHに7日間放置した後、京都電子工業(株)社製のTPS−2500Sにより、25℃において熱伝導率を測定した。
成分(A)
A−1:両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、25℃における動粘度が600mm2/sのジメチルポリシロキサン
A−2:((CH3)3SiO1/2)単位及び((CH3)2SiO)単位からなり、25℃における動粘度が5,000mm2/sのオルガノポリシロキサン
B−1:タップ密度が6.2g/cm3、比表面積が0.48m2/g、アスペクト比が13の銀粉末
B−2:タップ密度が6.4g/cm3、比表面積が0.28m2/g、アスペクト比が8の銀粉末
B−3:タップ密度が9.0g/cm3、比表面積が0.16m2/g、アスペクト比が30の銀粉末
B−4:タップ密度が3.0g/cm3、比表面積が2.0m2/g、アスペクト比が50の銀粉末
B−6(比較例):タップ密度が3.3g/cm3、比表面積が2.11m2/g、アスペクト比が1の銀粉末
B−7(比較例):タップ密度が2.8g/cm3、比表面積が1.8m2/g、アスペクト比が2の銀粉末
K−1:下記式で表されるオルガノポリシロキサン
E−1:下記式で表されるオルガノシラン
F−1:白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のA−1溶液、白金原子として1wt%含有
G−1:1−エチニル−1−シクロヘキサノール
H−1:パーオキサイド(日本油脂(株)製の商品名パーヘキサC)
I−1:ビニルトリ(イソプロペノキシ)シラン
J−1:テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン
下記表1〜3に示す組成で、次のように混合して実施例1〜15および比較例1〜8の組成物を得た。
即ち、5リットルプラネタリーミキサー(井上製作所(株)社製)に成分(A)、(K)及び(E)を取り、成分(B)を加え25℃で1.5時間混合した。次に成分(F)、(G)、(H)、(I)又は(J)を加えて均一になるように混合した。
2.発熱性電子部品(CPU)
3.熱伝導性シリコーン組成物層
4.放熱体(リッド)
Claims (6)
- 下記、成分(A)及び(B)を含有する熱伝導性シリコーン組成物。
(A)下記平均組成式(1)
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
〔式中、R1は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜18の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される1種もしくは2種以上の基を示し、aは1.8≦a≦2.2である。〕
で表される、25℃における動粘度が10〜100,000mm2/sのオルガノポリシロキサン
(B)タップ密度が4.5〜10.0g/cm 3 であり、比表面積が0.08〜1.0m 2 /gであり、アスペクト比が2.0以上150.0以下の銀粉末:成分(A)100質量部に対して、300〜11,000質量部 - 成分(A)の全部又は一部が、成分(C)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン及び/又は、成分(D)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである請求項1記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- 更に、硬化触媒を含む請求項1又は2記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- 更に、成分(E)として、下記一般式(2)
R2 bSi(OR3)4-b (2)
〔式中、R2は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される1種又は2種以上の基を示し、R3は一価炭化水素基を示し、bは1≦b≦3である。〕
で表されるオルガノシランを、成分(A)100質量部に対して0〜10質量部含む請求項1〜3の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物。 - 発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置であって、前記発熱性電子部品と放熱体との間に、請求項1〜4の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物が介在していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4の何れか1項記載の熱伝導性シリコーン組成物を、発熱性電子部品と放熱体との間で、0.01MPa以上の圧力を掛けられた状態で80℃以上に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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