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JP6633172B2 - High frequency transmission equipment - Google Patents

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JP6633172B2
JP6633172B2 JP2018243737A JP2018243737A JP6633172B2 JP 6633172 B2 JP6633172 B2 JP 6633172B2 JP 2018243737 A JP2018243737 A JP 2018243737A JP 2018243737 A JP2018243737 A JP 2018243737A JP 6633172 B2 JP6633172 B2 JP 6633172B2
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Description

本発明は、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置に関する。   The present invention relates to a high-frequency transmission device provided with a plurality of signal lines.

複数の高周波信号を伝送するための多チャンネル高周波伝送基板として、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置が広く利用されている。このような高周波伝送装置においては、或る信号ラインを伝送される高周波信号が他の信号ラインに乗り移るクロストークと呼ばれる現象が知られている。   As a multi-channel high-frequency transmission board for transmitting a plurality of high-frequency signals, a high-frequency transmission device having a plurality of signal lines is widely used. In such a high-frequency transmission device, a phenomenon called crosstalk in which a high-frequency signal transmitted on a certain signal line is transferred to another signal line is known.

このようなクロストークを抑えた高周波伝送装置として、特許文献1に記載の信号伝送基板が知られている。特許文献1に記載の信号伝送基板においては、互いに隣接する信号ライン(特許文献1における「信号伝送線路」)の間に、基板に埋設された接地線路を配置することによって、クロストークの低減を図っている。   As a high-frequency transmission device that suppresses such crosstalk, a signal transmission board described in Patent Document 1 is known. In the signal transmission board described in Patent Literature 1, the crosstalk is reduced by arranging a ground line buried in the board between adjacent signal lines (“signal transmission line” in Patent Literature 1). I'm trying.

特開平11−266015号公報(1999年9月28日公開)JP-A-11-266015 (published September 28, 1999)

しかしながら、従来の高周波伝送装置においては、そのサイズを小型化すると、クロストークが大きくなるという問題があった。   However, in the conventional high-frequency transmission device, there is a problem that when the size is reduced, crosstalk increases.

すなわち、高周波伝送装置のサイズを小型化することは、(1)信号ライン同士の間隔を狭くすること、及び、(2)信号ライン間に配置されるグランドパターンの幅を狭くすることを意味する。そして、上記(1)及び(2)の構造変更は、何れも、クロストークを大きくする方向に作用する。   In other words, reducing the size of the high-frequency transmission device means (1) reducing the distance between signal lines and (2) reducing the width of the ground pattern disposed between the signal lines. . Each of the structural changes (1) and (2) acts in a direction to increase crosstalk.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置において、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくすることである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce the crosstalk generated between signal lines in a high-frequency transmission device having a plurality of signal lines while reducing the area required for mounting the same. It is to make it smaller.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る高周波伝送装置は、複数の高周波伝送基板と、上記複数の高周波伝送基板を収容する筐体とを備え、上記複数の高周波伝送基板の各々は、(1)誘電体基板と、(2)上記誘電体基板の表面に形成された表面側の信号ラインと、(3)上記誘電体基板の表面に形成された表面側のグランドパターンであって、上記表面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなる表面側のグランドパターンと、(4)該表面側の信号ラインと対向するように該誘電体基板の裏面に形成された裏面側のグランドパターンと、を備えており、上記複数の高周波伝送基板は、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板の表面側の信号ラインが他方の高周波伝送基板の裏面側のグランドパターンに対向するように上記筐体により支持されている、ことを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention includes a plurality of high-frequency transmission substrates and a housing that houses the plurality of high-frequency transmission substrates. Each is composed of (1) a dielectric substrate, (2) a signal line on the front surface formed on the surface of the dielectric substrate, and (3) a ground pattern on the front surface formed on the surface of the dielectric substrate. And (4) a rear surface of the dielectric substrate facing the signal line on the front side, the ground pattern including a pair of ground patterns disposed so as to sandwich the signal line on the front side. A plurality of high-frequency transmission boards, wherein the signal line on the front side of one of the two high-frequency transmission boards is the other high-frequency transmission board. Week It is supported by the housing so as to face the rear surface side of the ground pattern of the transmission substrate, characterized in that.

上記の構成によれば、複数の高周波伝送基板が重ねて配置される。したがって、複数の高周波伝送基板が並べて配置される場合と比べて、高周波信号伝送装置の実装に要する面積を小さくすることができる。しかも、各高周波伝送基板の信号ラインは、該高周波伝送基板のグランドパターンと、該高周波伝送基板に隣接する高周波伝送基板のグランドパターンとに挟まれ、これら2つのグランドパターンにより遮蔽されている。したがって、各高周波伝送基板の信号ライン間のクロストークを抑制することができる。   According to the above configuration, the plurality of high-frequency transmission boards are arranged in an overlapping manner. Therefore, the area required for mounting the high-frequency signal transmission device can be reduced as compared with the case where a plurality of high-frequency transmission substrates are arranged side by side. Moreover, the signal line of each high-frequency transmission board is sandwiched between the ground pattern of the high-frequency transmission board and the ground pattern of the high-frequency transmission board adjacent to the high-frequency transmission board, and is shielded by these two ground patterns. Therefore, crosstalk between signal lines of each high-frequency transmission board can be suppressed.

したがって、上記高周波伝送装置は、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置において、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくすることができる。   Therefore, in the high-frequency transmission device provided with a plurality of signal lines, the area required for mounting can be reduced while suppressing crosstalk generated between the signal lines.

そのうえで、上記の構成によれば、誘電体基板の表面に形成された信号ラインと、1対のグランドパターンとにより、コプレナーウェーブガイドを構成することができる。   In addition, according to the above configuration, a coplanar waveguide can be configured by the signal lines formed on the surface of the dielectric substrate and the pair of ground patterns.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記表面側の信号ラインの各々が伝送する高周波信号の実効波長のうち最も短い実効波長をλとして、上記表面側の信号ラインを挟み込む上記表面側のグランドパターン同士の間隔は、0.1×λ以下である、ことが好ましい。 In the high frequency transmission apparatus according to an embodiment of the present invention, the shortest effective wavelength of the effective wavelength of a high-frequency signal, each of the signal lines of the surface side is transmitted as lambda 1, the surface side sandwiching the signal lines of the surface-side Is preferably 0.1 × λ 1 or less.

上記の構成によれば、誘電体基板の表面に形成された信号ライン及び1対のグランドパターンは、良好なコプレナーウェーブガイドとして機能する。   According to the above configuration, the signal lines and the pair of ground patterns formed on the surface of the dielectric substrate function as good coplanar waveguides.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の裏面に形成された裏面側の信号ラインを更に備えており、
上記裏面側のグランドパターンは、上記裏面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなり、
上記複数の高周波伝送基板は、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板の表面側のグランドパターンが他方の高周波伝送基板の裏面側の信号ラインに対向するように、上記筐体により支持されており、
上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの各々が伝送する高周波信号の実効波長のうち最も短い実効波長をλとして、上記表面側の信号ラインを挟み込む上記表面側のグランドパターン同士の間隔と、上記裏面側の信号ラインを挟み込む上記裏面側のグランドパターン同士の間隔とは、それぞれ0.1×λ以下である、ことが好ましい。
In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission substrates further includes a signal line on a back surface formed on a back surface of the dielectric substrate,
The ground pattern on the back side includes a pair of ground patterns arranged so as to sandwich the signal line on the back side.
The plurality of high-frequency transmission boards are arranged such that, of the two high-frequency transmission boards adjacent to each other, the ground pattern on the front side of one high-frequency transmission board faces the signal line on the back side of the other high-frequency transmission board. Supported by the body,
As lambda 1 shortest effective wavelength of the effective wavelength of a high-frequency signal, each of the signal lines and the back surface side of the signal line of the surface side is transmitted, the ground patterns of the above-mentioned surface side sandwiching the signal lines of the surface-side and spacing, and the spacing of the ground patterns of the above rear surface side sandwiching the signal line of the back surface side is 0.1 × lambda 1 or less, it is preferable.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されており、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの一方又は両方は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されている、ことが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, when each of the plurality of high-frequency transmission boards includes the front-side signal line, both ends of the front-side signal line have the high-frequency transmission line. Insulated from other members constituting the substrate, and when each of the plurality of high-frequency transmission substrates includes the signal line on the front side and the signal line on the back side, the signal line on the front side and the back side It is preferable that one or both of the signal lines on both sides are insulated at both ends from other members constituting the high-frequency transmission board.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、且つ/又は、上記裏面側の信号ラインの各々は、該裏面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の裏面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されている、ことが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, when each of the plurality of high-frequency transmission boards includes the front-side signal line, each of the front-side signal lines has the front-side signal line. Only the surface of the formed dielectric substrate is formed so as to extend from one end to the other end of the dielectric substrate, and each of the plurality of high-frequency transmission substrates is a signal line on the front side. And when the signal line on the back side is provided, each of the signal lines on the front side is provided only on one surface of the dielectric substrate on which the signal line on the front side is formed, and one end of the dielectric substrate is provided. And / or each of the signal lines on the back side is formed only on the back surface of the dielectric substrate on which the signal lines on the back side are formed. Body board from one end to the other Is formed so as to reach the end, it is preferable.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記表面側のグランドパターンの上記表面側の信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された第1の短絡ポスト群であって、上記表面側のグランドパターンと上記裏面側のグランドパターンとを短絡する第1の短絡ポスト群を更に備えている、ことが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one aspect of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission boards is arranged in a fence shape along a side of the front-side ground pattern facing the signal line on the front side. It is preferable that the short-circuit post group further includes a first short-circuit post group that short-circuits the ground pattern on the front surface and the ground pattern on the rear surface.

上記の構成によれば、第1の短絡ポスト群は、信号ラインが伝送する高周波信号がつくる電界の遮蔽壁として機能する。これにより、信号ラインが伝送する高周波信号が、隣接する高周波伝送基板の誘電体基板に設けられた信号ラインが伝送する別の高周波信号に乗り移ることを抑制することができる。したがって、上記高周波伝送装置は、信号ライン間のクロストークを更に抑制することができる。   According to the above configuration, the first group of short-circuit posts functions as a shielding wall for an electric field generated by the high-frequency signal transmitted by the signal line. Accordingly, it is possible to prevent a high-frequency signal transmitted by a signal line from being transferred to another high-frequency signal transmitted by a signal line provided on a dielectric substrate of an adjacent high-frequency transmission substrate. Therefore, the high-frequency transmission device can further suppress crosstalk between signal lines.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の裏面に形成された裏面側の信号ラインを更に備え、上記裏面側のグランドパターンは、上記裏面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなり、上記複数の高周波伝送基板の各々は、裏面側のグランドパターンの裏面側の信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された、表面側のグランドパターンと裏面側のグランドパターンとを短絡する第2の短絡ポスト群と、を更に備えている、ことが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one aspect of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission substrates further includes a rear-side signal line formed on a rear surface of the dielectric substrate, and the rear-side ground pattern is Each of the plurality of high-frequency transmission boards includes a pair of ground patterns arranged so as to sandwich the signal line on the back side, and each of the plurality of high-frequency transmission boards is shaped like a fence along a side facing the signal line on the back side of the ground pattern on the back side. And a second short post group for short-circuiting the ground pattern on the front surface and the ground pattern on the rear surface, which are arranged in the second group.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されており、
上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの一方又は両方は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されている、ことが好ましい。
In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, when each of the plurality of high-frequency transmission boards includes the front-side signal line, both ends of the front-side signal line have the high-frequency transmission line. Insulated from other members that make up the board,
When each of the plurality of high-frequency transmission boards includes the signal line on the front side and the signal line on the back side, one or both of the signal line on the front side and the signal line on the back side have both ends. Is preferably insulated from other members constituting the high-frequency transmission board.

本発明の一態様に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、上記複数の高周波伝送基板の各々が上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインを備えている場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、且つ/又は、上記裏面側の信号ラインの各々は、該裏面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の裏面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されている、ことが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, when each of the plurality of high-frequency transmission boards includes the front-side signal line, each of the front-side signal lines has the front-side signal line. Only the surface of the formed dielectric substrate is formed so as to extend from one end to the other end of the dielectric substrate, and each of the plurality of high-frequency transmission substrates is a signal line on the front side. And when the signal line on the back side is provided, each of the signal lines on the front side is provided only on one surface of the dielectric substrate on which the signal line on the front side is formed, and one end of the dielectric substrate is provided. And / or each of the signal lines on the back side is formed only on the back surface of the dielectric substrate on which the signal lines on the back side are formed. Body board from one end to the other Is formed so as to reach the end, it is preferable.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置が備えている上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記表面側の信号ラインと、上記裏面側のグランドパターンとは、互いに対向しており、且つ、上記裏面側の信号ラインと、上記表面側のグランドパターンとは、互いに対向している、ことが好ましい。   In each of the plurality of high-frequency transmission boards provided in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, the signal line on the front side and the ground pattern on the back side are opposed to each other, In addition, it is preferable that the signal line on the back side and the ground pattern on the front side face each other.

上記の構成によれば、高周波伝送基板の各々において、表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとが互いに対向している場合と比較して、(1)表面側の信号ライン及び裏面側の信号ラインの各々は、その四方を導電体によって囲まれており、且つ、(2)表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとの間の距離は、離れている。したがって、本高周波伝送装置は、表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとの間に生じ得るクロストークを抑制することができる。   According to the above configuration, in each of the high-frequency transmission boards, (1) the signal line on the front side and the signal line on the back side are compared with the case where the signal line on the front side and the signal line on the back side are opposed to each other. Each of the signal lines is surrounded on all sides by a conductor, and (2) the distance between the signal line on the front side and the signal line on the back side is large. Therefore, the present high-frequency transmission device can suppress crosstalk that can occur between the signal line on the front side and the signal line on the back side.

また、複数の高周波伝送基板を備えた本高周波伝送装置は、誘電体基板の表裏にそれぞれ表面側の信号ライン及び裏面側の信号ラインが形成されている。そのため、誘電体基板の表裏の何れか一方に信号ラインが形成されている場合と比較して、本高周波伝送装置は、2倍の数の信号ラインを備えている。したがって、本高周波伝送装置は、誘電体基板の表裏の何れか一方に信号ラインが形成されている高周波伝送装置と同じサイズでありながら信号ラインの実装密度を2倍に高めることができる。   In the high-frequency transmission device including a plurality of high-frequency transmission boards, a signal line on the front side and a signal line on the back side are formed on the front and back of the dielectric substrate, respectively. Therefore, the present high-frequency transmission device has twice as many signal lines as compared to the case where signal lines are formed on one of the front and back surfaces of the dielectric substrate. Therefore, the present high-frequency transmission device can double the signal line mounting density while having the same size as the high-frequency transmission device in which signal lines are formed on one of the front and back surfaces of the dielectric substrate.

以上のように、本高周波伝送装置は、誘電体基板の表裏の何れか一方に信号ラインが形成されている高周波伝送装置と比較して、表面側の信号ライン及び裏面側の信号ラインとの間に生じるクロストークを抑制しつつ、信号ラインの実装密度を2倍に高めることができる。別の言い方をすれば、表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとの間に生じ得るクロストークを抑制しつつ、そのサイズを更に小型化することができる。   As described above, the present high-frequency transmission device has a larger gap between the signal line on the front surface and the signal line on the rear surface as compared with the high-frequency transmission device in which the signal line is formed on one of the front and back surfaces of the dielectric substrate. , The mounting density of signal lines can be doubled while suppressing crosstalk occurring at the same time. In other words, the size can be further reduced while suppressing crosstalk that may occur between the signal line on the front side and the signal line on the back side.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置が備えている上記複数の高周波伝送基板の各々は、第1の誘電体層、第2の誘電体層、及び、上記第1の誘電体層と上記第2の誘電体層との間に介在し、且つ、上記第1の誘電体層と上記第2の誘電体層とを隔てる内層であって、導電体からなる内層を備えている、ことが好ましい。   Further, each of the plurality of high-frequency transmission boards included in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention includes a first dielectric layer, a second dielectric layer, and the first dielectric layer. An inner layer interposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer, and separating the first dielectric layer and the second dielectric layer, the inner layer being made of a conductor. Is preferred.

上記の構成によれば、誘電体基板に設けられた内層は、誘電体基板の表裏に設けられた表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとを、電磁気的に遮蔽する。したがって、本高周波伝送装置は、同じ誘電体基板に設けられた表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとの間に生じ得るクロストークを抑制することができる。   According to the above configuration, the inner layer provided on the dielectric substrate electromagnetically shields the signal lines on the front surface and the signal lines on the rear surface provided on the front and back surfaces of the dielectric substrate. Therefore, the present high-frequency transmission device can suppress crosstalk that can occur between the signal line on the front surface and the signal line on the rear surface provided on the same dielectric substrate.

本発明によれば、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置において、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくすることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the high frequency transmission apparatus provided with several signal lines, the area required for the mounting can be reduced, suppressing the crosstalk which arises between signal lines.

(a)は、本発明の第1の実施形態に係る高周波伝送装置の構成を示す斜視図である。(b)は、(a)に示した高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す斜視図である。FIG. 1A is a perspective view illustrating a configuration of a high-frequency transmission device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2B is a perspective view illustrating a configuration of a high-frequency transmission board included in the high-frequency transmission device illustrated in FIG. (a)は、図1の(b)に示した高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(b)は、図1の(b)に示した高周波伝送基板の構成を示す断面図であって、(a)に示したA−A’線における断面図である。(A) is a top view which shows the structure of the high frequency transmission board shown in (b) of FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a configuration of the high-frequency transmission substrate illustrated in FIG. 1B, and is a cross-sectional view taken along line A-A ′ illustrated in FIG. (a)は、本発明の第2の実施形態に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(b)は、(a)に示した高周波伝送基板の構成を示す断面図であって、(a)に示したB−B’線における断面図である。(A) is a top view showing a configuration of a high-frequency transmission board provided in a high-frequency transmission device according to a second embodiment of the present invention. (B) is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency transmission board shown in (a), and is a cross-sectional view taken along line B-B 'shown in (a). (a)は、本発明の第1の変形例に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(b)は、上記高周波伝送装置の正面図であって、上記高周波伝送装置に収容された4つの上記高周波伝送基板の配置を示す正面図である。(A) is a top view showing a configuration of a high-frequency transmission board provided in a high-frequency transmission device according to a first modification of the present invention. (B) is a front view of the high-frequency transmission device, and is a front view showing an arrangement of four of the high-frequency transmission substrates accommodated in the high-frequency transmission device. (a)及び(b)は、本発明の第2の変形例に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(c)は、上記高周波伝送装置の正面図であって、上記高周波伝送装置に収容された4枚の上記高周波伝送基板の配置を示す正面図である。(A) And (b) is a top view which shows the structure of the high frequency transmission board | substrate with which the high frequency transmission device concerning the 2nd modification of this invention is provided. (C) is a front view of the high-frequency transmission device, and is a front view showing an arrangement of four high-frequency transmission boards accommodated in the high-frequency transmission device. (a)及び(b)は、本発明の第3の変形例に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(c)は、上記高周波伝送装置の構成を示す側面図である。(A) And (b) is a top view which shows the structure of the high frequency transmission board with which the high frequency transmission device concerning the 3rd modification of this invention is provided. (C) is a side view showing a configuration of the high-frequency transmission device. (a)は、本発明の第3の実施形態に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(b)は、(a)に示した高周波伝送基板の構成を示す断面図であって、(a)に示したC−C’線における断面図である。(A) is a top view showing a configuration of a high-frequency transmission board provided in a high-frequency transmission device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating the configuration of the high-frequency transmission board illustrated in FIG. 1A, and is a cross-sectional view taken along line C-C ′ illustrated in FIG. 本発明の第4の実施形態に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。It is a top view showing the composition of the high frequency transmission board with which the high frequency transmission device concerning a 4th embodiment of the present invention is provided. (a)は、本発明の第5の実施形態に係る高周波伝送装置が備えている高周波伝送基板の構成を示す上面図である。(b)は、上記高周波伝送装置の構成を示す正面図である。(A) is a top view which shows the structure of the high frequency transmission board with which the high frequency transmission device concerning 5th Embodiment of this invention is provided. (B) is a front view showing a configuration of the high-frequency transmission device. (a)は、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置を適用した高周波信号送信装置の構成を示すブロック図である。(b)は、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置を適用した高周波信号送受信装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1A is a block diagram illustrating a configuration of a high-frequency signal transmission device to which a high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention is applied. (B) is a block diagram showing a configuration of a high-frequency signal transmitting / receiving device to which the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention is applied.

〔第1の実施形態〕
本発明の第1の実施形態に係る高周波伝送装置1について、図1及び図2を参照して説明する。図1の(a)は、本実施形態に係る高周波伝送装置1の構成を示す斜視図である。図1の(b)は、図1の(a)に示した高周波伝送装置1が備えている高周波伝送基板10の構成を示す斜視図である。図2の(a)は、図1の(b)に示した高周波伝送基板10の構成を示す上面図である。図2の(b)は、図1の(b)に示した高周波伝送基板10の構成を示す断面図であって、図2の(a)に示したA−A’線における断面図である。
[First Embodiment]
A high-frequency transmission device 1 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a perspective view illustrating a configuration of a high-frequency transmission device 1 according to the present embodiment. FIG. 1B is a perspective view illustrating a configuration of a high-frequency transmission board 10 included in the high-frequency transmission device 1 illustrated in FIG. FIG. 2A is a top view illustrating the configuration of the high-frequency transmission board 10 illustrated in FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating the configuration of the high-frequency transmission substrate 10 illustrated in FIG. 1B, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ illustrated in FIG. .

高周波伝送装置1は、複数の高周波信号を伝送する多チャンネル高周波伝送装置であり、図1の(a)に示すように、複数の高周波伝送基板10と筐体20とを備えている。   The high-frequency transmission device 1 is a multi-channel high-frequency transmission device that transmits a plurality of high-frequency signals, and includes a plurality of high-frequency transmission substrates 10 and a housing 20 as shown in FIG.

高周波伝送基板10のそれぞれは、図1の(b)に示すように、誘電体基板11、信号ライン12、1対のグランドパターン13、及びグランドパターン14を備えている。   Each of the high-frequency transmission substrates 10 includes a dielectric substrate 11, a signal line 12, a pair of ground patterns 13, and a ground pattern 14, as shown in FIG.

誘電体基板11は、例えばガラスエポキシなどの誘電体からなる基板である。誘電体基板11は、図1に図示された座標系において、表(おもて)面11a及び裏面11bがxy面と平行になり、裏面11bから表面11aに向かう向きがz軸正方向と一致するように配置される。   The dielectric substrate 11 is a substrate made of a dielectric such as glass epoxy. In the coordinate system shown in FIG. 1, the dielectric substrate 11 has the front (front) surface 11a and the back surface 11b parallel to the xy plane, and the direction from the back surface 11b to the front surface 11a matches the positive direction of the z-axis. It is arranged to be.

誘電体基板11の表面11aには、信号ライン12と1対のグランドパターン13とが形成されている。図2の(a)に示すように、1対のグランドパターン13は、信号ライン12を挟み込むように配置されたグランドパターンであり、グランドパターン131とグランドパターン132とからなる。信号ライン12と1対のグランドパターン13とは、コプレナーウェーブガイドを構成する。本実施形態において、信号ライン12及び1対のグランドパターン13は、図2の(a)に図示された座標軸においてy軸方向に延伸している。   On the surface 11a of the dielectric substrate 11, a signal line 12 and a pair of ground patterns 13 are formed. As shown in FIG. 2A, the pair of ground patterns 13 is a ground pattern arranged so as to sandwich the signal line 12, and includes a ground pattern 131 and a ground pattern 132. The signal line 12 and the pair of ground patterns 13 form a coplanar waveguide. In the present embodiment, the signal line 12 and the pair of ground patterns 13 extend in the y-axis direction on the coordinate axes illustrated in FIG.

誘電体基板11の裏面11bには、裏面側のグランドパターン14が形成されている。図2の(b)に示すように、グランドパターン14は、誘電体基板11を介して信号ライン12と対向するように配置されている。   On the rear surface 11b of the dielectric substrate 11, a ground pattern 14 on the rear surface side is formed. As shown in FIG. 2B, the ground pattern 14 is arranged to face the signal line 12 with the dielectric substrate 11 interposed therebetween.

グランドパターン13,14は、後述するように筐体20の把持部21を介して接地されている。   The ground patterns 13 and 14 are grounded via a grip 21 of the housing 20 as described later.

信号ライン12、グランドパターン13、及びグランドパターン14は、何れも銅、アルミニウムなどの導電体からなる薄膜である。   Each of the signal line 12, the ground pattern 13, and the ground pattern 14 is a thin film made of a conductor such as copper or aluminum.

本実施形態において、筐体20は、図1の(a)に示すように、4枚の高周波伝送基板10を支持するとともに収容する。また、本実施形態において、筐体20は、導電体からなり接地されている。   In the present embodiment, the housing 20 supports and accommodates the four high-frequency transmission boards 10 as shown in FIG. In the present embodiment, the housing 20 is made of a conductor and grounded.

本実施形態において、筐体20が収容する4枚の高周波伝送基板10を互いに区別する場合には、z軸負方向側の高周波伝送基板10から順番にa〜dの添え字を付すことによって区別する。すなわち、最もz軸負方向側に配置された高周波伝送基板から順番に、高周波伝送基板10a,10b,10c,10dとする。   In the present embodiment, when the four high-frequency transmission boards 10 housed in the housing 20 are distinguished from each other, the four high-frequency transmission boards 10 are distinguished from each other by sequentially adding subscripts a to d from the high-frequency transmission board 10 on the z-axis negative direction side. I do. That is, the high-frequency transmission boards 10a, 10b, 10c, and 10d are arranged in order from the high-frequency transmission board that is arranged closest to the negative side of the z-axis.

筐体20は、高周波伝送基板10a〜10dを次のように支持するとともに収容する。すなわち、筐体20は、
(1)筐体20の側壁と、高周波伝送基板10aのグランドパターン14とが対向し、
(2)高周波伝送基板10aの信号ライン12と、隣接する高周波伝送基板10bのグランドパターン14とが対向し、
(3)高周波伝送基板10bの信号ライン12と、隣接する高周波伝送基板10cのグランドパターン14とが対向し、
(4)高周波伝送基板10cの信号ライン12と、隣接する高周波伝送基板10dのグランドパターン14とが対向し、
(5)高周波伝送基板10cの信号ライン12と、筐体20の側壁とが対向するように、高周波伝送基板10a〜10dを支持するとともに収容する。
The housing 20 supports and accommodates the high-frequency transmission boards 10a to 10d as follows. That is, the housing 20 is
(1) The side wall of the housing 20 faces the ground pattern 14 of the high-frequency transmission board 10a,
(2) The signal line 12 of the high-frequency transmission board 10a faces the ground pattern 14 of the adjacent high-frequency transmission board 10b,
(3) The signal line 12 of the high-frequency transmission board 10b faces the ground pattern 14 of the adjacent high-frequency transmission board 10c,
(4) The signal line 12 of the high-frequency transmission board 10c faces the ground pattern 14 of the adjacent high-frequency transmission board 10d,
(5) The high-frequency transmission boards 10a to 10d are supported and accommodated such that the signal line 12 of the high-frequency transmission board 10c and the side wall of the housing 20 face each other.

換言すれば、複数の高周波伝送基板10a〜10dは、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板10の信号ライン12が他方の高周波伝送基板10のグランドパターン14に対向するように、筐体20により支持されている。   In other words, the plurality of high-frequency transmission boards 10a to 10d are configured such that the signal line 12 of one of the two high-frequency transmission boards 10 faces the ground pattern 14 of the other high-frequency transmission board 10 among the two adjacent high-frequency transmission boards. Are supported by the housing 20.

上述のように高周波伝送基板10a〜10dを支持するために、筐体20は、把持部21を備えている(図1の(a)参照)。把持部21は、高周波伝送基板10a〜10dを把持する。本実施形態において、把持部21は、筐体20の下壁に設けられた、高周波伝送基板10a〜10dの下端を把持する把持部21aと、筐体20の上壁に設けられた、高周波伝送基板10a〜10dの上端を把持する把持部21bとにより構成されている。   In order to support the high-frequency transmission boards 10a to 10d as described above, the housing 20 is provided with the grip 21 (see FIG. 1A). The holding unit 21 holds the high-frequency transmission boards 10a to 10d. In the present embodiment, the holding unit 21 includes a holding unit 21 a provided on the lower wall of the housing 20 for holding the lower ends of the high-frequency transmission boards 10 a to 10 d and a high-frequency transmission provided on the upper wall of the housing 20. It comprises a holding portion 21b for holding the upper ends of the substrates 10a to 10d.

上述のように、筐体20は、導電体からなり且つ接地されているため、筐体20の一部である把持部21も導電体からなり接地されている。したがって、高周波伝送基板10が備えている誘電体基板11の表裏両面に形成されたグランドパターン13,14は、把持部21を介して接地されている。   As described above, since the housing 20 is made of a conductive material and is grounded, the grip 21 as a part of the housing 20 is also made of a conductive material and is grounded. Therefore, the ground patterns 13 and 14 formed on the front and back surfaces of the dielectric substrate 11 included in the high-frequency transmission substrate 10 are grounded via the grip 21.

なお、本実実施形態において、把持部21は、筐体20の上壁及び下壁に設けられており、高周波伝送基板10a〜10dの上端及び下端を把持することによって高周波伝送基板10a〜10dを支持するものとして説明した。しかし、把持部21は、筐体20の上壁又は下壁の何れかに設けられており、高周波伝送基板10a〜10dの上端又は下端の何れかを把持することによって高周波伝送基板10a〜10dを支持するように構成されていてもよい。   In the present embodiment, the holding unit 21 is provided on the upper wall and the lower wall of the housing 20, and holds the high-frequency transmission boards 10a to 10d by holding the upper and lower ends of the high-frequency transmission boards 10a to 10d. It has been described as supporting. However, the holding unit 21 is provided on either the upper wall or the lower wall of the housing 20, and holds the high-frequency transmission boards 10a to 10d by holding either the upper end or the lower end of the high-frequency transmission boards 10a to 10d. It may be configured to support.

高周波伝送装置1によれば、複数の高周波伝送基板10が重ねて配置される。したがって、複数の高周波伝送基板が並べて配置される場合と比べて、高周波信号伝送装置の実装に要する面積を小さくすることができる。しかも、高周波伝送基板10aを例にすると、高周波伝送基板10aの信号ライン12は、高周波伝送基板10aのグランドパターン14と、高周波伝送基板10aに隣接する高周波伝送基板10bのグランドパターン14とに挟まれ、これら2つのグランドパターンにより遮蔽されている。高周波伝送基板10b〜10dの信号ライン12についても、高周波伝送基板10aの信号ライン12と同様に、2つのグランドパターンにより遮蔽されている。したがって、高周波伝送装置1によれば、各高周波伝送基板10の信号ライン12間のクロストークを抑制することができる。   According to the high-frequency transmission device 1, a plurality of high-frequency transmission substrates 10 are arranged in an overlapping manner. Therefore, the area required for mounting the high-frequency signal transmission device can be reduced as compared with the case where a plurality of high-frequency transmission substrates are arranged side by side. Moreover, taking the high-frequency transmission board 10a as an example, the signal line 12 of the high-frequency transmission board 10a is sandwiched between the ground pattern 14 of the high-frequency transmission board 10a and the ground pattern 14 of the high-frequency transmission board 10b adjacent to the high-frequency transmission board 10a. , Are shielded by these two ground patterns. The signal lines 12 of the high-frequency transmission boards 10b to 10d are also shielded by two ground patterns, similarly to the signal lines 12 of the high-frequency transmission board 10a. Therefore, according to the high-frequency transmission device 1, crosstalk between the signal lines 12 of each high-frequency transmission board 10 can be suppressed.

したがって、上記高周波伝送装置は、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置において、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくすることができる。   Therefore, in the high-frequency transmission device provided with a plurality of signal lines, the area required for mounting can be reduced while suppressing crosstalk generated between the signal lines.

更に、高周波伝送基板10の各々が備える信号ライン12は、誘電体基板11の表面11aに設けられた1対のグランドパターン13に挟み込まれている。換言すれば、高周波伝送基板10の各々が備える信号ライン12は、その四方を接地された導電体に囲まれている。したがって、高周波伝送装置1は、信号ライン12間に生じるクロストークを更に抑制することができる。   Further, the signal lines 12 included in each of the high-frequency transmission boards 10 are sandwiched between a pair of ground patterns 13 provided on the surface 11 a of the dielectric board 11. In other words, the signal lines 12 included in each of the high-frequency transmission boards 10 are surrounded on all sides by conductors that are grounded. Therefore, the high-frequency transmission device 1 can further suppress crosstalk generated between the signal lines 12.

また、高周波伝送装置1は、その実装に要する面積を小さくするために1対のグランドパターン13の幅を狭める必要がないため、抑制された低いクロストークを、(1)高周波信号の周波数が高くなっても維持することができ、(2)高周波信号の信号電力が高くなっても維持することができる。   In addition, the high-frequency transmission device 1 does not need to reduce the width of the pair of ground patterns 13 in order to reduce the area required for mounting, and therefore suppresses suppressed low crosstalk and (1) increases the frequency of the high-frequency signal. (2) It can be maintained even when the signal power of the high-frequency signal increases.

また、上記のように構成された高周波伝送装置1は、信号ライン12が延伸する方向から平面視した場合の形状を正方形に近づけることができる。換言すれば、高周波伝送装置1は、信号ライン12が延伸する方向から平面視した場合に、幅に対する高さの比であるアスペクト比を大きくすることができる。   In addition, the high-frequency transmission device 1 configured as described above can make the shape when viewed in a plan view from the direction in which the signal line 12 extends close to a square. In other words, the high-frequency transmission device 1 can increase the aspect ratio, which is the ratio of height to width, when viewed in a plan view from the direction in which the signal line 12 extends.

高周波伝送装置1を適用する一例として、その一方の端部に統合アンテナを接続し、その他方の端部に高周波信号を伝送するケーブルを接続した高周波信号送信装置があげられる。より具体的には、自動車に搭載される車載用統合アンテナシステムがあげられる。このような適用例においては、ケーブルが接続された高周波伝送装置1を狭い空間に通すことによって自動車の車体に実装することが求められる。上述のように高周波伝送装置1の実装に要する面積が小さくされており、かつ、上記アスペクト比が大きいことによって、高周波伝送装置1を狭い空間に通すことが容易になり、その結果として自動車の車体などに実装することが容易になる。   One example of applying the high-frequency transmission device 1 is a high-frequency signal transmission device in which an integrated antenna is connected to one end and a cable for transmitting a high-frequency signal is connected to the other end. More specifically, a vehicle-mounted integrated antenna system mounted on a vehicle is exemplified. In such an application example, it is required that the high-frequency transmission device 1 to which the cable is connected is mounted on the body of an automobile by passing through the narrow space. As described above, the area required for mounting the high-frequency transmission device 1 is reduced, and the high aspect ratio facilitates the passage of the high-frequency transmission device 1 through a narrow space. It becomes easy to mount it on the like.

(表側のグランドパターン同士の間隔)
以下において、高周波伝送基板10a〜10dのそれぞれに設けられた各信号ライン12が伝送する高周波信号の実効波長のうち、最も短い実効波長をλとする。各信号ライン12を挟み込む表面側のグランドパターン13の間隔、より具体的には、グランドパターン131とグランドパターン132との間隔を幅W13とする。高周波伝送装置1において、幅W13は、0.1×λ以下であることが好ましい。
(Spacing between ground patterns on the front side)
In the following, among the effective wavelength of the high-frequency signal the signal lines 12 provided in each of the high frequency transmission substrate 10a~10d transmits, to the shortest effective wavelength and lambda 1. Spacing of the surface side of the ground pattern 13 sandwiching the respective signal lines 12, and more specifically, the distance between the ground pattern 131 and the ground pattern 132 and the width W 13. In the high frequency transmission apparatus 1, the width W 13 is preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、信号ライン12とグランドパターン13とは、より良好なコプレナーウェーブガイドを形成する。したがって、信号ライン12間におけるクロストークをより低減することができる。   According to the above configuration, the signal line 12 and the ground pattern 13 form a better coplanar waveguide. Therefore, crosstalk between the signal lines 12 can be further reduced.

(通風口)
また、図1の(a)に示すように、筐体20は、その壁面に設けられた通風口22を備えていることが好ましい。通風口22は、特許請求の範囲に記載の筐体の壁面に形成された開口に対応する。本実施形態においては、筐体20は、その上側壁面に設けられた通風口22aと、その側方壁面に設けられた通風口22bとを備えている。
(Ventilation port)
Further, as shown in FIG. 1A, the housing 20 preferably includes a ventilation port 22 provided on a wall surface thereof. The ventilation port 22 corresponds to an opening formed on the wall surface of the housing described in the claims. In the present embodiment, the housing 20 includes a ventilation port 22a provided on an upper wall surface thereof and a ventilation port 22b provided on a side wall surface thereof.

そして、筐体20の上下壁面が水平面とおよそ平行になるように高周波伝送装置1を配置した場合、高周波伝送基板10の主面(表面及び裏面)は、鉛直方向と平行に配置されるように、4枚の高周波伝送基板10が筐体20に収容されている。   When the high-frequency transmission device 1 is arranged such that the upper and lower wall surfaces of the housing 20 are substantially parallel to the horizontal plane, the main surface (the front surface and the back surface) of the high-frequency transmission substrate 10 is arranged so as to be parallel to the vertical direction. The four high-frequency transmission boards 10 are housed in the housing 20.

上記の構成によれば、高周波伝送基板10同士を隔てる空間において空気の対流が起こりやすく、筐体20の内部の空気を循環させることができる。したがって、大電力の高周波信号が信号ライン12のそれぞれに入力される場合であっても、高周波伝送基板10を冷却することができる。   According to the above configuration, convection of air is likely to occur in the space separating the high-frequency transmission boards 10, and the air inside the housing 20 can be circulated. Therefore, even when a high-power high-frequency signal is input to each of the signal lines 12, the high-frequency transmission board 10 can be cooled.

〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係る高周波伝送装置について、図3を参照して説明する。本実施形態に係る高周波伝送装置は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1が備えている高周波伝送基板10(図1参照)を、図3に示す高周波伝送基板30で置き換えたものである。以下では、本実施形態に係る高周波伝送基板30について説明する。なお、上述した高周波伝送基板10と同様の部材に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図3に示す高周波伝送基板30を筐体20に収容した本実施形態に係る高周波伝送装置3に関しては、その図示を省略する。
[Second embodiment]
A high-frequency transmission device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The high-frequency transmission device according to the present embodiment is obtained by replacing the high-frequency transmission substrate 10 (see FIG. 1) provided in the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment with a high-frequency transmission substrate 30 shown in FIG. . Hereinafter, the high-frequency transmission board 30 according to the present embodiment will be described. The same members as those of the high-frequency transmission board 10 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment in which the high-frequency transmission board 30 shown in FIG.

高周波伝送基板30は、具体的には図3に示すように構成されている。図3の(a)は、高周波伝送基板30の構成を示す上面図である。図3の(b)は、高周波伝送基板30の構成を示す断面図であって、図3の(a)に示したB−B’線における断面図である。第1の実施形態に係る高周波伝送基板10と比較して、高周波伝送基板30の各々においては、信号ライン32に、信号ライン32が伝送する高周波信号を増幅する増幅器群35(特許請求の範囲に記載の増幅器)が挿入されている。   The high-frequency transmission board 30 is specifically configured as shown in FIG. FIG. 3A is a top view illustrating the configuration of the high-frequency transmission board 30. FIG. FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating the configuration of the high-frequency transmission board 30 and is a cross-sectional view taken along line B-B ′ illustrated in FIG. Compared to the high-frequency transmission board 10 according to the first embodiment, in each of the high-frequency transmission boards 30, the signal line 32 includes an amplifier group 35 for amplifying the high-frequency signal transmitted by the signal line 32 (see the claims). Described amplifier).

本実施形態において、増幅器群35は、信号ライン32に挿入された増幅器であって初段の増幅器である増幅器351と、信号ライン32に挿入された増幅器であって次段の増幅器である増幅器352とを備えている。また、信号ライン32は、高周波信号を入力される入力側の信号ライン321と、増幅器351と増幅器352とを接続する信号ライン322と、高周波信号を出力する出力側の信号ライン323とを備えている。   In the present embodiment, the amplifier group 35 includes an amplifier 351 which is an amplifier inserted in the signal line 32 and is a first-stage amplifier, and an amplifier 352 which is an amplifier inserted in the signal line 32 and is a next-stage amplifier. It has. The signal line 32 includes a signal line 321 on the input side to which a high-frequency signal is input, a signal line 322 connecting the amplifier 351 and the amplifier 352, and a signal line 323 on the output side for outputting a high-frequency signal. I have.

初段の増幅器351は、入力端子、出力端子、及び2つのグランド端子を備えている。増幅器351の入力端子は信号ライン321に接続されており、出力端子は信号ライン322に接続されており、2つのグランド端子は、それぞれグランドパターン131及びグランドパターン132に接続されている。   The first-stage amplifier 351 has an input terminal, an output terminal, and two ground terminals. The input terminal of the amplifier 351 is connected to the signal line 321, the output terminal is connected to the signal line 322, and the two ground terminals are connected to the ground pattern 131 and the ground pattern 132, respectively.

また、次段の増幅器352も同様に、入力端子、出力端子、及び2つのグランド端子を備えている。増幅器352の入力端子は信号ライン322に接続されており、出力端子は信号ライン323に接続されており、2つのグランド端子は、それぞれグランドパターン131及びグランドパターン132に接続されている。   Similarly, the next-stage amplifier 352 also has an input terminal, an output terminal, and two ground terminals. The input terminal of the amplifier 352 is connected to the signal line 322, the output terminal is connected to the signal line 323, and the two ground terminals are connected to the ground pattern 131 and the ground pattern 132, respectively.

初段の増幅器351は、信号ライン321から入力された高周波信号を所定のゲインで増幅した後に信号ライン322に出力する。次段の増幅器352は、増幅器351が増幅した高周波信号を、更に所定のゲインで増幅した後に信号ライン323に出力する。   The first-stage amplifier 351 amplifies the high-frequency signal input from the signal line 321 with a predetermined gain, and outputs the amplified signal to the signal line 322. The next-stage amplifier 352 amplifies the high-frequency signal amplified by the amplifier 351 with a predetermined gain, and outputs the amplified signal to the signal line 323.

初段の増幅器351には、LNA(Low Noise Amplifier)と呼ばれるタイプの増幅器を用いることが好ましい。LNAは、ゲインが小さいものの発生するノイズが少ない増幅器であり、入力された第1高周波信号のS/N比をより向上させることができる。   It is preferable to use an amplifier of a type called an LNA (Low Noise Amplifier) for the first-stage amplifier 351. The LNA is an amplifier that has a small gain but generates little noise, and can further improve the S / N ratio of the input first high-frequency signal.

次段の増幅器352には、LNAと比較してゲインの大きな増幅器を用いることが好ましい。ゲインの大きな増幅器を用いることによって、高周波伝送基板30の後段、に好適な振幅を有する高周波信号を出力することができる。   It is preferable to use an amplifier having a larger gain than the LNA as the amplifier 352 at the next stage. By using an amplifier having a large gain, it is possible to output a high-frequency signal having an amplitude suitable for the subsequent stage of the high-frequency transmission board 30.

このように構成されていることによって、高周波伝送基板30は、信号ライン32に入力された高周波信号を伝送し、且つ、増幅して後段に出力することができる。換言すれば、高周波伝送基板30は、高周波増幅基板としても機能する。したがって、本実施形態に係る高周波伝送装置3は、高周波増幅装置としても機能する。   With such a configuration, the high-frequency transmission board 30 can transmit, amplify, and output the high-frequency signal input to the signal line 32 to a subsequent stage. In other words, the high-frequency transmission board 30 also functions as a high-frequency amplification board. Therefore, the high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment also functions as a high-frequency amplifier.

高周波伝送基板30を平面視した場合に、表面側の信号ライン32と裏面側のグランドパターン14とが互いに対向している。したがって、図3の(b)に示すように、高周波伝送基板30を断面視した場合に、信号ライン32に挿入された増幅器群35は、誘電体基板11を介してグランドパターン14に対向する。また、図1の(a)から明らかなように、ある誘電体基板11の表面側に設けられた増幅器群35は、隣接する誘電体基板11の裏面側に設けられたグランドパターン14に対向する。   When the high-frequency transmission board 30 is viewed in a plan view, the signal lines 32 on the front surface and the ground patterns 14 on the rear surface face each other. Therefore, as shown in FIG. 3B, when the high-frequency transmission board 30 is viewed in cross section, the amplifier group 35 inserted into the signal line 32 faces the ground pattern 14 via the dielectric board 11. Further, as is clear from FIG. 1A, the amplifier group 35 provided on the front surface side of a certain dielectric substrate 11 faces the ground pattern 14 provided on the back surface side of the adjacent dielectric substrate 11. .

以上のように、本実施形態に係る高周波伝送装置3において、増幅器群35は、その上下方向からグランドパターン14によって挟み込まれている。また、増幅器群35は、その左右方向から筐体20の上下壁面によって囲まれている。   As described above, in the high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment, the amplifier group 35 is sandwiched between the ground patterns 14 from above and below. The amplifier group 35 is surrounded by upper and lower wall surfaces of the housing 20 from the left and right directions.

増幅器群35がその四方を接地された導電体に囲まれていることによって、増幅器群35が高周波信号を増幅することに伴って生じるノイズや、増幅された高周波信号がつくる電界は、上記接地された導電体によって遮蔽される。したがって、本実施形態に係る高周波伝送装置3は、該ノイズなどが他の誘電体基板11上に設けられた信号ライン32が伝送する高周波信号に乗り移ることを抑制することができる。したがって、本実施形態に係る高周波伝送装置3のように信号ライン32に高周波信号を増幅する増幅器が挿入されている場合であっても、信号ライン32間に生じるクロストークを抑制することができる。   Since the amplifier group 35 is surrounded on all sides by a conductor that is grounded, noise generated when the amplifier group 35 amplifies a high-frequency signal and an electric field generated by the amplified high-frequency signal are grounded. Shielded by the conductive material. Therefore, the high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment can suppress transfer of the noise and the like to the high-frequency signal transmitted by the signal line 32 provided on another dielectric substrate 11. Therefore, even when an amplifier for amplifying a high-frequency signal is inserted into the signal line 32 as in the high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment, crosstalk generated between the signal lines 32 can be suppressed.

また、筐体20の上下壁面が水平面とおよそ平行になるように高周波伝送装置3を配置した場合、高周波伝送基板30の主面(表面及び裏面)は、鉛直方向と平行に配置される。この場合、高周波伝送基板30同士を隔てる空間において空気の対流が起こりやすいので、高周波伝送基板30の放熱効率を高めることができ、結果として、増幅器群35の動作安定性が高まる。   When the high-frequency transmission device 3 is arranged such that the upper and lower wall surfaces of the housing 20 are substantially parallel to the horizontal plane, the main surfaces (the front surface and the back surface) of the high-frequency transmission substrate 30 are arranged in parallel with the vertical direction. In this case, convection of air is likely to occur in the space separating the high-frequency transmission boards 30, so that the radiation efficiency of the high-frequency transmission board 30 can be increased, and as a result, the operational stability of the amplifier group 35 increases.

また、グランドパターン13及びグランドパターン14は、増幅器群35が高周波信号を増幅する際に発する熱を筐体20へ散逸させる散逸層としても機能する。したがって、増幅器群35の発熱量が多い場合であっても、増幅器群35を効率よく冷却することができる。   Further, the ground pattern 13 and the ground pattern 14 also function as a dissipation layer that dissipates heat generated when the amplifier group 35 amplifies a high-frequency signal to the housing 20. Therefore, even when the amount of heat generated by the amplifier group 35 is large, the amplifier group 35 can be efficiently cooled.

また、本実施形態に係る高周波伝送装置3においても、筐体20は、壁面に設けられた通風口22を備えていることが好ましい。通風口22を備えていることによって、筐体20の内部の空気を循環することができるため、増幅器群35をより効率よく冷却することができる。   Also, in the high-frequency transmission device 3 according to the present embodiment, it is preferable that the housing 20 includes a ventilation port 22 provided on a wall surface. Since the air vent 22 is provided, the air inside the housing 20 can be circulated, so that the amplifier group 35 can be cooled more efficiently.

このように増幅器群35をより効率よく冷却することができることによって、熱雑音によるS/N比の劣化を抑制することができる。   Since the amplifier group 35 can be cooled more efficiently, deterioration of the S / N ratio due to thermal noise can be suppressed.

なお、本実施形態において、増幅器群35は、2段の増幅器351,352によって構成されるものとして記載した。しかし、増幅器群35を構成する増幅器の段数は、2段に限定されるものではない。増幅器群35は、単独の増幅器によって構成されてもよいし、3段以上の増幅器によって構成されてもよい。   In the present embodiment, the amplifier group 35 has been described as being configured by the two-stage amplifiers 351 and 352. However, the number of stages of the amplifiers constituting the amplifier group 35 is not limited to two. The amplifier group 35 may be configured by a single amplifier, or may be configured by three or more stages of amplifiers.

〔第1の変形例〕
第2の実施形態の第1の変形例に係る高周波伝送装置について、図4を参照して説明する。本変形例に係る高周波伝送装置4は、図3に示す高周波伝送基板30における信号ライン32及び増幅器群35の配置を、図4に示す高周波伝送基板40のように変形することによって得られる。以下では、本変形例に係る高周波伝送基板40について説明する。
[First Modification]
A high-frequency transmission device according to a first modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. The high-frequency transmission device 4 according to the present modification is obtained by modifying the arrangement of the signal lines 32 and the amplifier groups 35 in the high-frequency transmission substrate 30 shown in FIG. 3 like the high-frequency transmission substrate 40 shown in FIG. Hereinafter, the high-frequency transmission board 40 according to the present modification will be described.

図4の(a)は、高周波伝送基板40の構成を示す上面図である。図4の(b)は、本変形例に係る高周波伝送装置4の正面図であって、高周波伝送装置4に収容された4枚の高周波伝送基板40a,40b,40c,40dの配置を示す正面図である。高周波伝送装置4の正面図とは、高周波伝送装置4を、信号ライン42が延設されている方向である第1の方向(図4の(b)に図示された座標系におけるy軸方向)の負方向側から見た場合に得られる平面図のことを意味する。なお、図4の(b)においては、説明を分かりやすくするために筐体20を図示してない。これらは、後述する図5、図6及び図9についても同様である。   FIG. 4A is a top view illustrating the configuration of the high-frequency transmission board 40. FIG. FIG. 4B is a front view of the high-frequency transmission device 4 according to the present modification, showing the arrangement of the four high-frequency transmission substrates 40a, 40b, 40c, and 40d accommodated in the high-frequency transmission device 4. FIG. The front view of the high-frequency transmission device 4 refers to the first direction (the y-axis direction in the coordinate system illustrated in FIG. 4B) in which the signal line 42 extends in the first direction. Means a plan view obtained when viewed from the negative direction side. In FIG. 4B, the housing 20 is not shown for easy understanding. These also apply to FIGS. 5, 6 and 9 described later.

図4の(a)に示すように、高周波伝送基板40の誘電体基板11の表面側には、信号ライン42と、信号ライン42を挟み込むように設けられたグランドパターン43と、信号ライン42に挿入された増幅器群45とが設けられている。信号ライン42は、信号ライン421,422,423からなる。増幅器群45は、初段の増幅器451と次段の増幅器452とからなる。高周波伝送基板40の誘電体基板11の裏面側には、信号ライン42に対向するグランドパターン14が設けられている。   As shown in FIG. 4A, a signal line 42, a ground pattern 43 provided so as to sandwich the signal line 42, and a signal line 42 are formed on the surface of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission substrate 40. An inserted amplifier group 45 is provided. The signal line 42 includes signal lines 421, 422, and 423. The amplifier group 45 includes a first-stage amplifier 451 and a second-stage amplifier 452. The ground pattern 14 facing the signal line 42 is provided on the back side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission board 40.

高周波伝送基板40において、表面側のグランドパターン43のうち、一方のグランドパターン431の幅は、他方のグランドパターン432の幅より広くなるように形成されている。   In the high-frequency transmission board 40, the width of one ground pattern 431 of the ground patterns 43 on the front side is formed to be wider than the width of the other ground pattern 432.

高周波伝送基板40が高周波伝送装置4の筐体20に収容された場合、図4の(b)に示すように、増幅器群45(増幅器451,452)は、筐体20の内部における低い位置に配置される。換言すれば、複数の高周波伝送基板40は、表面及び裏面が図4の(b)に図示された座標系におけるxy面と平行になるように配置されており、複数の高周波伝送基板40の各々において、信号ライン42はy軸方向に延設されており、複数の高周波伝送基板40の各々において信号ライン42に挿入された増幅器群45(特許請求の範囲に記載の増幅器)は、x軸方向に偏心して配置されている。   When the high-frequency transmission board 40 is accommodated in the housing 20 of the high-frequency transmission device 4, the amplifier group 45 (amplifiers 451 and 452) is located at a low position inside the housing 20 as shown in FIG. Be placed. In other words, the plurality of high-frequency transmission boards 40 are arranged such that the front surface and the back surface are parallel to the xy plane in the coordinate system illustrated in FIG. , The signal line 42 extends in the y-axis direction, and the amplifier group 45 (the amplifier described in the claims) inserted into the signal line 42 in each of the plurality of high-frequency transmission boards 40 is in the x-axis direction. It is arranged eccentrically.

この場合、高周波伝送基板40において放熱フィンとして機能するグランドパターン431の幅は、図3に示した高周波伝送基板30が備えるグランドパターン131の幅と比較して広い。したがって、グランドパターン431は、より効率よく増幅器群45の熱を空気中に散逸させ、より効率よく増幅器群45を冷却することができる。   In this case, the width of the ground pattern 431 functioning as a radiation fin in the high-frequency transmission board 40 is wider than the width of the ground pattern 131 included in the high-frequency transmission board 30 shown in FIG. Therefore, the ground pattern 431 can more efficiently dissipate the heat of the amplifier group 45 into the air and cool the amplifier group 45 more efficiently.

また、筐体20の内部において、増幅器群45が発する熱によって暖められた空気は筐体20の内部の高い位置に対流し、筐体20の内部の低い位置には、筐体20の外部からより冷たい空気が流れ込んでくる。   Further, inside the housing 20, the air warmed by the heat generated by the amplifier group 45 convects to a high position inside the housing 20, and a low position inside the housing 20 from the outside of the housing 20. Colder air flows in.

したがって、高周波伝送装置4によれば、筐体20の内部のより温度が低い位置に増幅器群45を配置することができる。したがって、増幅器群45の無用な温度の上昇を避けることができる。   Therefore, according to the high-frequency transmission device 4, the amplifier group 45 can be arranged at a position inside the housing 20 where the temperature is lower. Therefore, unnecessary rise in the temperature of the amplifier group 45 can be avoided.

〔第2の変形例〕
第2の実施形態の第2の変形例に係る高周波伝送装置について、図5を参照して説明する。本変形例に係る高周波伝送装置5は、図3に示す高周波伝送基板30における信号ライン32及び増幅器群35の配置を、図5に示す高周波伝送基板50のように変形することによって得られる。以下では、本変形例に係る高周波伝送基板50について説明する。
[Second Modification]
A high-frequency transmission device according to a second modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. The high-frequency transmission device 5 according to this modification is obtained by modifying the arrangement of the signal lines 32 and the amplifier groups 35 in the high-frequency transmission substrate 30 shown in FIG. 3 as in the high-frequency transmission substrate 50 shown in FIG. Hereinafter, the high-frequency transmission board 50 according to the present modification will be described.

図5の(a)及び(b)は、高周波伝送基板50の構成を示す上面図である。図5の(c)は、本変形例に係る高周波伝送装置5の構成を示す正面図(筐体20を図示せず)であって、高周波伝送装置5に収容された4枚の高周波伝送基板50a,50b,50c,50dの配置を示す正面図である。   FIGS. 5A and 5B are top views illustrating the configuration of the high-frequency transmission board 50. FIG. FIG. 5C is a front view showing the configuration of the high-frequency transmission device 5 according to the present modification (the housing 20 is not shown), and includes four high-frequency transmission substrates housed in the high-frequency transmission device 5. It is a front view showing arrangement of 50a, 50b, 50c, and 50d.

図5の(a)及び(c)に示すように、高周波伝送基板50a,50cの誘電体基板11の表面側には、信号ライン52aと、信号ライン52aを挟み込むように設けられたグランドパターン53aと、信号ライン52aに挿入された増幅器群55aとが設けられている。信号ライン52aは、信号ライン521,522,523からなる。増幅器群55aは、初段の増幅器551と次段の増幅器552とからなる。高周波伝送基板50a,50cの誘電体基板11の裏面側には、信号ライン52aに対向するグランドパターン14が設けられている。   As shown in FIGS. 5A and 5C, on the front side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 50a and 50c, a signal line 52a and a ground pattern 53a provided so as to sandwich the signal line 52a are provided. And an amplifier group 55a inserted into the signal line 52a. The signal line 52a includes signal lines 521, 522, and 523. The amplifier group 55a includes a first-stage amplifier 551 and a second-stage amplifier 552. The ground pattern 14 facing the signal line 52a is provided on the back side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 50a and 50c.

高周波伝送基板50a,50cにおいて、表面側のグランドパターン53aのうち、一方のグランドパターン531の幅は、他方のグランドパターン532の幅より広くなるように形成されている。   In the high-frequency transmission boards 50a and 50c, of the ground patterns 53a on the front surface side, the width of one ground pattern 531 is formed to be wider than the width of the other ground pattern 532.

一方、図5の(b)及び(c)に示すように、高周波伝送基板50b,50dの誘電体基板11の表面側には、信号ライン52bと、信号ライン52bを挟み込むように設けられたグランドパターン53bと、信号ライン52bに挿入された増幅器群55bとが設けられている。信号ライン52bは、信号ライン524,525,526からなる。増幅器群55bは、初段の増幅器553と次段の増幅器554とからなる。高周波伝送基板50b,50dの誘電体基板11の裏面側には、信号ライン52bに対向するグランドパターン14が設けられている。   On the other hand, as shown in FIGS. 5B and 5C, a signal line 52b and a ground provided so as to sandwich the signal line 52b are provided on the surface side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 50b and 50d. A pattern 53b and an amplifier group 55b inserted into the signal line 52b are provided. The signal line 52b includes signal lines 524, 525, and 526. The amplifier group 55b includes a first-stage amplifier 553 and a second-stage amplifier 554. The ground pattern 14 facing the signal line 52b is provided on the back side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 50b and 50d.

高周波伝送基板50b,50dにおいて、表面側のグランドパターン53bのうち、一方のグランドパターン533の幅は、他方のグランドパターン534の幅より狭くなるように形成されている。   In the high-frequency transmission boards 50b and 50d, of the ground patterns 53b on the front surface side, the width of one ground pattern 533 is formed to be smaller than the width of the other ground pattern 534.

高周波伝送基板50が高周波伝送装置5の筐体20に収容された場合、図5の(b)に示すように、高周波伝送基板50a,50cの増幅器群55a(増幅器551,552)は、筐体20の内部における低い位置に配置され、高周波伝送基板50b,50dの増幅器群55b(増幅器553,554)は、筐体20の内部の高い位置に配置される。   When the high-frequency transmission board 50 is housed in the housing 20 of the high-frequency transmission device 5, the amplifier group 55a (amplifiers 551 and 552) of the high-frequency transmission boards 50a and 50c is, as shown in FIG. The amplifier group 55b (amplifiers 553, 554) of the high-frequency transmission boards 50b, 50d is arranged at a high position inside the housing 20.

換言すれば、複数の高周波伝送基板50は、表面及び裏面が図5の(b)に図示された座標系におけるxy面と平行になるように配置されており、複数の高周波伝送基板50の各々において、信号ライン52a,52bはy軸方向に延設されており、複数の高周波伝送基板50の各々において信号ライン52a,52bにそれぞれ挿入された増幅器群55a,55b(特許請求の範囲に記載の増幅器)は、x軸方向にずれて配置されている。   In other words, the plurality of high-frequency transmission boards 50 are arranged such that the front surface and the back surface are parallel to the xy plane in the coordinate system illustrated in FIG. , The signal lines 52a and 52b are extended in the y-axis direction, and the amplifier groups 55a and 55b respectively inserted into the signal lines 52a and 52b in each of the plurality of high-frequency transmission boards 50 (see the claims). Amplifiers) are arranged offset in the x-axis direction.

上記の構成によれば、第2の実施形態に係る高周波伝送装置3及び第1の変形例に係る高周波伝送装置4と比較して、隣接した誘電体基板11に配置された各増幅器(増幅器群55a及び増幅器群55b)間の距離を遠ざけることができる。   According to the above configuration, each of the amplifiers (amplifier group) arranged on the adjacent dielectric substrate 11 is different from the high-frequency transmission device 3 according to the second embodiment and the high-frequency transmission device 4 according to the first modification. The distance between 55a and the amplifier group 55b) can be increased.

したがって、高周波伝送装置5は、隣接した誘電体基板11に配置された各増幅器(増幅器群55a及び増幅器群55b)間における熱の影響を更に抑制することができる。結果として、熱雑音によるS/N比の劣化を更に抑制することができる。   Therefore, the high-frequency transmission device 5 can further suppress the influence of heat between the amplifiers (the amplifier group 55a and the amplifier group 55b) arranged on the adjacent dielectric substrate 11. As a result, deterioration of the S / N ratio due to thermal noise can be further suppressed.

〔第3の変形例〕
第2の実施形態の第3の変形例に係る高周波伝送装置について、図6を参照して説明する。本変形例に係る高周波伝送装置6は、図3に示す高周波伝送基板30における信号ライン32及び増幅器群35の配置を、図6の(a)及び(b)に示す高周波伝送基板60のように変形することによって得られる。換言すると、本変形例に係る高周波伝送装置6は、図5に示す第2の変形例に係る高周波伝送装置5に収容されている高周波伝送基板50a,50b,50c,50dを、図6の(a)及び(b)に示す高周波伝送基板60a,60b,60c,60dに置き換えたものであり、第2の変形例に係る高周波伝送基板50における増幅器群55a,55bを、信号ライン52a,52bが延設されている方向である第1の方向にずらして配置することによって得られる。以下では、本変形例に係る高周波伝送基板60について説明する。
[Third Modification]
A high-frequency transmission device according to a third modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. In the high-frequency transmission device 6 according to this modification, the arrangement of the signal line 32 and the amplifier group 35 in the high-frequency transmission substrate 30 shown in FIG. 3 is changed to a high-frequency transmission substrate 60 shown in FIGS. Obtained by deformation. In other words, the high-frequency transmission device 6 according to the present modification differs from the high-frequency transmission substrates 50a, 50b, 50c, and 50d housed in the high-frequency transmission device 5 according to the second modification shown in FIG. The amplifier groups 55a and 55b in the high-frequency transmission board 50 according to the second modification are replaced with the high-frequency transmission boards 60a, 60b, 60c, and 60d shown in FIGS. It is obtained by displacing in the first direction which is the extending direction. Hereinafter, the high-frequency transmission board 60 according to the present modification will be described.

図6の(a)及び(b)は、高周波伝送基板60の構成を示す上面図である。図6の(c)は、本変形例に係る高周波伝送装置6の構成を示す側面図(筐体20を図示せず)であって、高周波伝送装置6に収容された4枚の高周波伝送基板60a,60b,60c,60dに配置された増幅器群65a,65bのxy面上の相対関係を示す側面図である。   6A and 6B are top views showing the configuration of the high-frequency transmission board 60. FIG. FIG. 6C is a side view showing the configuration of the high-frequency transmission device 6 according to the present modification (the housing 20 is not shown), and four high-frequency transmission substrates accommodated in the high-frequency transmission device 6. It is a side view which shows the relative relationship on the xy plane of amplifier group 65a, 65b arrange | positioned at 60a, 60b, 60c, 60d.

図6の(a)に示すように、高周波伝送基板60a,60cの誘電体基板11の表面側には、信号ライン62aと、信号ライン62aを挟み込むように設けられたグランドパターン53aと、信号ライン62aに挿入された増幅器群65aとが設けられている。信号ライン62aは、信号ライン621,622,623からなる。増幅器群65aは、初段の増幅器651と次段の増幅器652とからなる。高周波伝送基板60a,60cの誘電体基板11の裏面側には、信号ライン62aに対向するグランドパターン14が設けられている。高周波伝送基板60a,60cにおいて、増幅器群65aがy軸負方向側に偏心して配置されている。   As shown in FIG. 6A, a signal line 62a, a ground pattern 53a provided so as to sandwich the signal line 62a, and a signal line are provided on the surface side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 60a and 60c. And an amplifier group 65a inserted in 62a. The signal line 62a includes signal lines 621, 622, and 623. The amplifier group 65a includes a first-stage amplifier 651 and a second-stage amplifier 652. The ground pattern 14 facing the signal line 62a is provided on the back side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 60a and 60c. In the high-frequency transmission boards 60a and 60c, the amplifier group 65a is eccentrically arranged in the negative y-axis direction.

一方、図6の(b)に示すように、高周波伝送基板60b,60dの誘電体基板11の表面側には、信号ライン62bと、信号ライン62bを挟み込むように設けられたグランドパターン53bと、信号ライン62bに挿入された増幅器群65bとが設けられている。信号ライン62bは、信号ライン624,625,626からなる。増幅器群65bは、初段の増幅器653と次段の増幅器654とからなる。高周波伝送基板60b,60dの誘電体基板11の裏面側には、信号ライン62bに対向するグランドパターン14が設けられている。高周波伝送基板60b,60dにおいて、増幅器群65bがy軸正方向側に偏心して配置されている。   On the other hand, as shown in FIG. 6B, on the surface side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 60b and 60d, a signal line 62b, a ground pattern 53b provided so as to sandwich the signal line 62b, And an amplifier group 65b inserted into the signal line 62b. The signal line 62b includes signal lines 624, 625, and 626. The amplifier group 65b includes a first-stage amplifier 653 and a second-stage amplifier 654. The ground pattern 14 facing the signal line 62b is provided on the back side of the dielectric substrate 11 of the high-frequency transmission boards 60b and 60d. In the high-frequency transmission boards 60b and 60d, the amplifier group 65b is eccentrically arranged in the positive y-axis direction.

換言すれば、複数の高周波伝送基板60は、表面及び裏面が図6の(b)に図示された座標系におけるxy面と平行になるように配置されており、複数の高周波伝送基板60の各々において、信号ライン62a,62bはy軸方向に延設されており、複数の高周波伝送基板60の各々において信号ライン62a,62bにそれぞれ挿入された増幅器群65a,65b(特許請求の範囲に記載の増幅器)は、x軸方向及びy軸方向にずれて配置されている。増幅器群65a,65bがx軸方向及びy軸方向に互いにずれて配置されていることによって、図6の(c)の側面図に示すように増幅器群65aと増幅器群65bとの距離をより遠ざけることができる。   In other words, the plurality of high-frequency transmission boards 60 are arranged such that the front and back surfaces are parallel to the xy plane in the coordinate system shown in FIG. , The signal lines 62a and 62b extend in the y-axis direction, and the amplifier groups 65a and 65b inserted into the signal lines 62a and 62b in each of the plurality of high-frequency transmission boards 60 (see the claims). Amplifiers) are arranged offset from each other in the x-axis direction and the y-axis direction. Since the amplifier groups 65a and 65b are arranged so as to be shifted from each other in the x-axis direction and the y-axis direction, the distance between the amplifier groups 65a and 65b is further increased as shown in the side view of FIG. be able to.

したがって、高周波伝送装置6によれば、隣接した誘電体基板11に配置された各増幅器(増幅器群65a及び増幅器群65b)間における熱の影響を、第2の変形例に係る高周波伝送装置5に比べて更に抑制することができる。結果として、熱雑音によるS/N比の劣化を更に抑制することができる。   Therefore, according to the high-frequency transmission device 6, the influence of heat between the amplifiers (the amplifier group 65a and the amplifier group 65b) arranged on the adjacent dielectric substrate 11 is reduced by the high-frequency transmission device 5 according to the second modification. It can be further suppressed. As a result, deterioration of the S / N ratio due to thermal noise can be further suppressed.

〔第3の実施形態〕
本発明の第3の実施形態に係る高周波伝送装置について、図7を参照して説明する。図7の(a)は、本実施形態に係る高周波伝送装置7が備えている高周波伝送基板70の構成を示す上面図である。図7の(b)は、高周波伝送基板70の構成を示す断面図であって、図7の(a)に示したC−C’線における断面図である。
[Third embodiment]
A high-frequency transmission device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a top view illustrating a configuration of a high-frequency transmission board 70 included in the high-frequency transmission device 7 according to the present embodiment. FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating a configuration of the high-frequency transmission board 70, and is a cross-sectional view taken along line CC ′ illustrated in FIG.

本実施形態に係る高周波伝送装置7は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1が備えている高周波伝送基板10(図1参照)を、図7に示す高周波伝送基板70で置き換えたものである。以下では、本実施形態に係る高周波伝送基板70について説明する。なお、上述した高周波伝送基板10と同様の部材に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図7に示す高周波伝送基板70を筐体20に収容した本実施形態に係る高周波伝送装置7に関しては、その図示を省略する。   The high-frequency transmission device 7 according to the present embodiment is obtained by replacing the high-frequency transmission substrate 10 (see FIG. 1) provided in the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment with a high-frequency transmission substrate 70 shown in FIG. is there. Hereinafter, the high-frequency transmission board 70 according to the present embodiment will be described. The same members as those of the high-frequency transmission board 10 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The high-frequency transmission device 7 according to the present embodiment in which the high-frequency transmission board 70 shown in FIG.

図7の(a)に示すように、高周波伝送基板70は、第1の実施形態に係る高周波伝送基板10と比較して、表面側のグランドパターン131,132の信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された短絡ポスト群16aを更に備えている点が異なる。短絡ポスト群16aは、複数の短絡ポスト16ai(iは正の整数)からなる。   As shown in FIG. 7A, the high-frequency transmission board 70 is located along the side of the front-side ground patterns 131 and 132 facing the signal line as compared with the high-frequency transmission board 10 according to the first embodiment. The difference is that a short post group 16a arranged in a fence shape is further provided. The short post group 16a includes a plurality of short posts 16ai (i is a positive integer).

また、高周波伝送基板70の各々は、誘電体基板71の表面側のグランドパターン13を構成する4辺のうち筐体20の把持部21によって把持される辺に沿って柵状に配置された短絡ポスト群16bを備えていてもよい。短絡ポスト群16bは、複数の短絡ポスト16bi(iは正の整数)からなる。   Further, each of the high-frequency transmission boards 70 is a short-circuit arranged in a fence along the side gripped by the grip portion 21 of the housing 20 among the four sides forming the ground pattern 13 on the front surface side of the dielectric substrate 71. A post group 16b may be provided. The short post group 16b includes a plurality of short posts 16bi (i is a positive integer).

短絡ポスト群16a,16bは、何れも、表側のグランドパターン13と裏側のグランドパターン14とを短絡する。なお、本実施形態において、短絡ポスト群16a,16bを区別する必要がない場合には、単に短絡ポスト群16と総称する。   Each of the short-circuit post groups 16a and 16b short-circuits the ground pattern 13 on the front side and the ground pattern 14 on the rear side. In the present embodiment, when it is not necessary to distinguish the short-circuit post groups 16a and 16b, they are simply referred to as a short-circuit post group 16.

短絡ポスト群16を構成する複数の短絡ポストの各々は、誘電体基板71を貫通するように形成されたスルーホールの内側に充填された導電体、又は、上記スルーホールの内壁に形成された導電体からなる。短絡ポスト群16の上端は、グランドパターン13に接触し、短絡ポスト群16の下端は、グランドパターン14に接触している。すなわち、短絡ポスト群16は、互いに対向するグランドパターン13とグランドパターン15とを短絡する。   Each of the plurality of shorting posts forming the shorting post group 16 is a conductor filled inside a through hole formed to penetrate the dielectric substrate 71 or a conductive member formed on an inner wall of the through hole. Consists of a body. The upper end of the group of shorting posts 16 contacts the ground pattern 13, and the lower end of the group of shorting posts 16 contacts the ground pattern 14. That is, the shorting post group 16 short-circuits the ground pattern 13 and the ground pattern 15 facing each other.

複数の短絡ポスト群16aが信号ライン12を挟み込むグランドパターン131とグランドパターン132とをグランドパターン14を介して短絡することによって、短絡ポスト群16aを備えない場合と比較して、コプレナーウェーブガイドにおけるグランドパターンとして機能するグランドパターン131,132の電位を互いによく一致させることができる。   The plurality of shorting post groups 16a short-circuit the ground pattern 131 and the ground pattern 132 sandwiching the signal line 12 via the ground pattern 14, so that the short-circuiting post group 16a does not have the short-circuiting post group 16a. The potentials of the ground patterns 131 and 132 functioning as ground patterns can be made to match each other well.

上記の構成によれば、信号ライン12とグランドパターン131,132とからなるコプレナーウェーブガイドの伝送特性をより向上させることができる。   According to the above configuration, the transmission characteristics of the coplanar waveguide including the signal line 12 and the ground patterns 131 and 132 can be further improved.

また、複数の短絡ポスト群16bを備えていることによって、グランドパターン13は、信号ライン12に対向する辺に加えて、筐体20の把持部21によって把持される辺に沿ってグランドパターン14と短絡される。したがって、グランドパターン13とグランドパターン14とをより多くの短絡ポストで短絡できるため、グランドパターン13の電位分布とグランドパターン14の電位分布をより均一にすることができる。   In addition, by providing the plurality of short-circuit post groups 16b, the ground pattern 13 is in contact with the ground pattern 14 along the side gripped by the grip portion 21 of the housing 20, in addition to the side facing the signal line 12. Short-circuited. Therefore, since the ground pattern 13 and the ground pattern 14 can be short-circuited by more short-circuit posts, the potential distribution of the ground pattern 13 and the potential distribution of the ground pattern 14 can be made more uniform.

(短絡ポスト同士の間隔)
ここでは、4枚の高周波伝送基板70の各々が備える信号ライン12が伝送する高周波信号の実効波長のうち最も短い実効波長をλとする。また、図7の(a)及び(b)に示すように、短絡ポスト群16aに属する2つの短絡ポストのうち、信号ライン12を介して対向する2つの短絡ポスト16aの中心軸間隔を幅W16axとする。高周波伝送装置7において、幅W16axは、0.1×λ以下であることが好ましい。
(Spacing between shorting posts)
Here, the signal lines 12 included in each of the four high frequency transmission substrate 70 is to lambda 1 shortest effective wavelength of the effective wavelength of a high-frequency signal to be transmitted. Further, as shown in FIGS. 7A and 7B, the center axis interval between two short-circuit posts 16 ai facing each other via the signal line 12 among the two short-circuit posts belonging to the short-circuit post group 16 a is set to a width. W 16ax . In the high frequency transmission apparatus 7, the width W 16Ax is preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、信号ライン12を伝送する高周波信号は、その信号ライン12を挟み込むグランドパターン131,132が一点接地されているものと見なすことができる。したがって、高周波伝送基板70は、高周波伝送基板10と比較してよりよいコプレナーウェーブガイドとして機能する。   According to the above configuration, the high-frequency signal transmitted through the signal line 12 can be regarded as one in which the ground patterns 131 and 132 sandwiching the signal line 12 are grounded at one point. Therefore, the high-frequency transmission board 70 functions as a better coplanar waveguide than the high-frequency transmission board 10.

また、図7の(a)に示すように、短絡ポスト群16aに属する2つの短絡ポストのうち表面側のグランドパターン13の同一の辺に沿って配置された互いに隣接する2つの短絡ポスト16a,16ai+1の中心軸間隔を幅W16ayとする。高周波伝送装置7において、幅W16ayは、0.1×λ以下であることが好ましい。 As shown in FIG. 7A, two adjacent short-circuit posts 16a i arranged along the same side of the ground pattern 13 on the front surface among the two short-circuit posts belonging to the short-circuit post group 16a. , 16a i + 1 is defined as a width W 16ay . In the high frequency transmission apparatus 7, the width W 16Ay is preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、信号ライン12に沿った一対の短絡ポスト群である短絡ポスト群16aは、信号ライン12が伝送する高周波信号がつくる電界の遮蔽壁として機能する。したがって、短絡ポスト群16aは、信号ライン12が伝送する高周波信号と、隣接する誘電体基板71に設けられた信号ライン12が伝送する高周波信号とにおけるクロストークを更に抑制することができる。   According to the above configuration, the short-circuit post group 16a, which is a pair of short-circuit post groups along the signal line 12, functions as a shielding wall for an electric field generated by the high-frequency signal transmitted by the signal line 12. Therefore, the short-circuit post group 16a can further suppress crosstalk between the high-frequency signal transmitted by the signal line 12 and the high-frequency signal transmitted by the signal line 12 provided on the adjacent dielectric substrate 71.

なお、本実施形態においては、短絡ポスト群16bに属する2つの短絡ポストのうち互いに隣接する2つの短絡ポストの中心軸間隔は、幅W16ayと等しいように構成されている。 In the present embodiment, the center axis interval between two short-circuit posts adjacent to each other among the two short-circuit posts belonging to the short-circuit post group 16b is configured to be equal to the width W16ay .

〔第4の実施形態〕
本発明の第4の実施形態に係る高周波伝送装置について、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態に係る高周波伝送装置8が備えている高周波伝送基板80の構成を示す上面図である。本実施形態に係る高周波伝送装置8は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1が備えている高周波伝送基板10(図1参照)を、図8に示す高周波伝送基板80で置き換えたものである。以下では、本実施形態に係る高周波伝送基板80について説明する。なお、上述した高周波伝送基板10と同様の部材に関しては、同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図8に示す高周波伝送基板80を筐体20に収容した本実施形態に係る高周波伝送装置8に関しては、その図示を省略する。
[Fourth embodiment]
A high-frequency transmission device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a top view showing the configuration of the high-frequency transmission board 80 provided in the high-frequency transmission device 8 according to the present embodiment. The high-frequency transmission device 8 according to the present embodiment is obtained by replacing the high-frequency transmission substrate 10 (see FIG. 1) provided in the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment with a high-frequency transmission substrate 80 shown in FIG. is there. Hereinafter, the high-frequency transmission board 80 according to the present embodiment will be described. The same members as those of the high-frequency transmission board 10 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Further, the high-frequency transmission device 8 according to the present embodiment in which the high-frequency transmission board 80 illustrated in FIG.

本実施形態に係る高周波伝送基板80は、第1の変形例に係る高周波伝送基板40に切欠801を追加することによって得られる。具体的には、図8に示すように、高周波伝送基板80の各々には、誘電体基板81の表面側の空間と裏面側の空間とを連通させるための切欠801が形成されている。   The high-frequency transmission board 80 according to the present embodiment is obtained by adding a notch 801 to the high-frequency transmission board 40 according to the first modification. Specifically, as shown in FIG. 8, a cutout 801 is formed in each of the high-frequency transmission boards 80 so that the space on the front side and the space on the back side of the dielectric substrate 81 communicate with each other.

以上のように、高周波伝送基板80が切欠801を備えていることによって、表面側の空間の空気と裏面側の空間の空気とは、互いに対流可能となる。換言すれば、4枚の高周波伝送基板80が筐体20に収容された高周波伝送装置8において、筐体20の内部の空間であって、4枚の高周波伝送基板80によって区切られた空間は、すべて連通した状態になる。また、筐体20の壁面に形成された通風口22を介して、筐体20の内部の空間と外部の空間とは、連通した状態になる。   As described above, by providing the notch 801 in the high-frequency transmission board 80, the air in the space on the front side and the air in the space on the back side can convect each other. In other words, in the high-frequency transmission device 8 in which the four high-frequency transmission boards 80 are accommodated in the housing 20, the space inside the housing 20 and divided by the four high-frequency transmission boards 80 is: All are in communication. Further, the space inside the case 20 and the space outside the case 20 communicate with each other via the ventilation hole 22 formed in the wall surface of the case 20.

このように構成された高周波伝送装置8によれば、筐体20の外部に存在する冷たい空気は、(1)筐体20の側面に設けられた通風口22bから筐体20の内部に流入し、(2)高周波伝送基板80に設けられた切欠801を介して上記4枚の高周波伝送基板80によって区切られた空間のそれぞれに拡散する。   According to the high-frequency transmission device 8 configured as described above, the cold air existing outside the housing 20 (1) flows into the inside of the housing 20 from the ventilation port 22 b provided on the side surface of the housing 20. (2) Diffusion through the notch 801 provided in the high-frequency transmission board 80 into each of the spaces partitioned by the four high-frequency transmission boards 80.

上記4枚の高周波伝送基板80によって区切られた空間に拡散した冷たい空気は、主たる発熱源である増幅器群45を冷却することによって暖かい空気に変化する。この暖かい空気は、(3)上記4枚の高周波伝送基板80によって区切られた空間の上部に対流し、(4)筐体20の上面に設けられた通風口22aから筐体20の外部に排出される。   The cool air diffused into the space defined by the four high-frequency transmission boards 80 changes to warm air by cooling the amplifier group 45, which is a main heat source. This warm air (3) convects to the upper part of the space defined by the four high-frequency transmission boards 80, and (4) is discharged to the outside of the housing 20 from the ventilation port 22 a provided on the upper surface of the housing 20. Is done.

したがって、高周波伝送装置8は、筐体20の内部において発生する熱(主に増幅器群45が発生する熱)を効率よく筐体20の外部に排出することができる。換言すれば、高周波伝送装置8は、効率よく高周波伝送基板80(主に増幅器群45)を冷却することができる。   Therefore, the high-frequency transmission device 8 can efficiently discharge heat generated inside the housing 20 (mainly heat generated by the amplifier group 45) to the outside of the housing 20. In other words, the high-frequency transmission device 8 can efficiently cool the high-frequency transmission board 80 (mainly the amplifier group 45).

本実施形態において、高周波伝送基板80の各々は、3個の切欠801を備えている。しかし、高周波伝送基板80の各々が備える切欠801の数は、3個に限定されるものではない。   In the present embodiment, each of the high-frequency transmission boards 80 has three notches 801. However, the number of cutouts 801 provided in each of the high-frequency transmission boards 80 is not limited to three.

また、本実施形態において、切欠801は、高周波伝送基板80の2つの長辺(筐体20の把持部21によって把持される辺)のうち一方の辺から切り込むように形成されている。しかし、高周波伝送基板80は、切欠801の代わりに、誘電体基板81の表面側の空間と裏面側の空間とを連通させるための開口を備えていてもよい。なお、切欠801及び高周波伝送基板80に形成された開口の形状は、矩形に限定されるものではない。   In the present embodiment, the notch 801 is formed so as to cut out from one of two long sides (sides held by the holding unit 21 of the housing 20) of the high-frequency transmission board 80. However, the high-frequency transmission board 80 may include an opening for communicating the space on the front side and the space on the back side of the dielectric substrate 81 instead of the notch 801. Note that the shapes of the notch 801 and the opening formed in the high-frequency transmission board 80 are not limited to rectangles.

また、本実施形態において、切欠801は、信号ライン42を挟み込むグランドパターン83の一方のグランドパターン831にのみ設けられている。しかし、切欠801は、グランドパターン83の両方のグランドパターン831,832に設けられていてもよい。   In the present embodiment, the notch 801 is provided only in one of the ground patterns 831 of the ground pattern 83 that sandwiches the signal line 42. However, the notch 801 may be provided in both ground patterns 831 and 832 of the ground pattern 83.

〔第5の実施形態〕
本発明の第5の実施形態に係る高周波伝送装置について、図9を参照して説明する。図9の(a)は、本実施形態に係る高周波伝送装置9が備えている高周波伝送基板90の構成を示す上面図である。図9の(b)は、高周波伝送装置9の構成を示す正面図(筐体20を図示せず)であって、高周波伝送装置9に収容された4枚の高周波伝送基板90の配置を示す正面図である。
[Fifth Embodiment]
A high-frequency transmission device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9A is a top view illustrating a configuration of a high-frequency transmission board 90 included in the high-frequency transmission device 9 according to the present embodiment. FIG. 9B is a front view showing the configuration of the high-frequency transmission device 9 (the housing 20 is not shown) and shows the arrangement of four high-frequency transmission substrates 90 housed in the high-frequency transmission device 9. It is a front view.

本実施形態に係る高周波伝送装置は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1が備えている高周波伝送基板10(図1参照)を、図9に示す高周波伝送基板90で置き換えたものである。以下では、本実施形態に係る高周波伝送基板90について説明する。   The high-frequency transmission device according to the present embodiment is obtained by replacing the high-frequency transmission substrate 10 (see FIG. 1) provided in the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment with a high-frequency transmission substrate 90 shown in FIG. . Hereinafter, the high-frequency transmission board 90 according to the present embodiment will be described.

本実施形態に係る高周波伝送基板90は、第1の実施形態に係る高周波伝送基板10と比較して、誘電体基板の表裏に、それぞれ信号ラインが設けられている点が異なる。以下では、この点について図9を参照して説明する。   The high-frequency transmission board 90 according to the present embodiment is different from the high-frequency transmission board 10 according to the first embodiment in that signal lines are provided on the front and back of the dielectric substrate, respectively. Hereinafter, this point will be described with reference to FIG.

高周波伝送基板90の誘電体基板91は、信号ライン92と、グランドパターン93と、信号ライン96と、グランドパターン97とを備えている。   The dielectric substrate 91 of the high-frequency transmission substrate 90 includes a signal line 92, a ground pattern 93, a signal line 96, and a ground pattern 97.

信号ライン92は、誘電体基板91の表面に設けられた信号ラインであって、図9の(a)に図示された座標系のy軸方向に延伸する信号ラインである。   The signal line 92 is a signal line provided on the surface of the dielectric substrate 91 and extends in the y-axis direction of the coordinate system shown in FIG.

グランドパターン93は、誘電体基板91の表面に設けられたグランドパターンであって、信号ライン92を挟み込むように設けられている。グランドパターン93は、グランドパターン931,932からなる。   The ground pattern 93 is a ground pattern provided on the surface of the dielectric substrate 91, and is provided so as to sandwich the signal line 92. The ground pattern 93 includes ground patterns 931 and 932.

信号ライン96は、誘電体基板91の裏面に設けられた信号ラインであって、図9の(a)に図示された座標系のy軸方向に延伸する信号ラインである。   The signal line 96 is a signal line provided on the back surface of the dielectric substrate 91 and extends in the y-axis direction of the coordinate system shown in FIG.

グランドパターン97は、誘電体基板91の裏面に設けられたグランドパターンであって、信号ライン96を挟み込むように設けられている。グランドパターン97は、グランドパターン971,972からなる。   The ground pattern 97 is a ground pattern provided on the back surface of the dielectric substrate 91, and is provided so as to sandwich the signal line 96. The ground pattern 97 includes ground patterns 971 and 972.

図9の(a)及び(b)に示すように、信号ライン92は、誘電体基板91を介してグランドパターン972に対向しており、信号ライン96は、誘電体基板91を介してグランドパターン931に対向している。   As shown in FIGS. 9A and 9B, the signal line 92 is opposed to the ground pattern 972 via the dielectric substrate 91, and the signal line 96 is connected to the ground pattern via the dielectric substrate 91. 931.

したがって、高周波伝送基板90を第1の実施形態に係る高周波伝送基板10と比較した場合に、誘電体基板91は、裏面側に配置された高周波信号を伝送する信号ライン96を更に備え、裏面側の信号ライン96は、裏面側のグランドパターン97に挟み込まれるとともに、表面側のグランドパターン93に対向するとも表現できる。   Therefore, when the high-frequency transmission board 90 is compared with the high-frequency transmission board 10 according to the first embodiment, the dielectric substrate 91 further includes a signal line 96 for transmitting a high-frequency signal disposed on the back side, Signal line 96 is sandwiched between the ground pattern 97 on the back side and can also be expressed as opposing the ground pattern 93 on the front side.

図9の(b)に示すように、4枚の高周波伝送基板90のうち高周波伝送基板90a〜90cにおいて、表面側の信号ライン92は、(1)その上下方向(図9の(b)に図示された座標系におけるz軸方向)を裏面側のグランドパターン972によって挟まれており、(2)その左右方向(図9の(b)に図示された座標系におけるx軸方向)を表面側のグランドパターン93によって挟み込まれている。   As shown in FIG. 9B, in the high-frequency transmission boards 90a to 90c of the four high-frequency transmission boards 90, the signal line 92 on the front side is (1) in the vertical direction (in FIG. 9B) The z-axis direction in the illustrated coordinate system) is sandwiched by the ground pattern 972 on the back side, and (2) its left-right direction (x-axis direction in the coordinate system illustrated in FIG. 9B) is on the front side. Are sandwiched between the ground patterns 93.

また、4枚の高周波伝送基板90のうち高周波伝送基板90dにおいて、表面側の信号ライン92は、(1)その上下方向を裏面側のグランドパターン972と筐体20の壁面とによって挟まれており、(2)その左右方向(図9の(b)に図示された座標系におけるx軸方向)を表面側のグランドパターン93によって挟み込まれている。   In the high-frequency transmission board 90d of the four high-frequency transmission boards 90, the signal line 92 on the front surface side is (1) vertically interposed between the ground pattern 972 on the back side and the wall surface of the housing 20. , (2) the horizontal direction (x-axis direction in the coordinate system shown in FIG. 9B) is sandwiched by the ground pattern 93 on the front surface side.

したがって、高周波伝送基板90の表面側の信号ライン92は、その四方を接地された導電体によって囲まれていると表現できる。   Therefore, it can be said that the signal line 92 on the front surface side of the high-frequency transmission board 90 is surrounded on all sides by a grounded conductor.

一方、4枚の高周波伝送基板90の裏面側の信号ライン96についても、表面側の信号ライン92と等価に構成されているため、裏面側の信号ライン96は、その四方を接地された導電体によって囲まれていると表現できる。   On the other hand, the signal lines 96 on the back side of the four high-frequency transmission boards 90 are also configured equivalently to the signal lines 92 on the front side, so that the signal lines 96 on the back side are conductors grounded on all sides. Can be described as being surrounded by

また、信号ライン92がグランドパターン97に対向し、信号ライン96がグランドパターン93に対向するため、信号ライン92と信号ライン96とは、対向しない。したがって、隣接する高周波伝送基板90のそれぞれに形成された信号ライン92と信号ライン96との距離は、隣接する高周波伝送基板90のそれぞれに形成された表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとが対向する場合と比較して離れている。   Further, since the signal line 92 faces the ground pattern 97 and the signal line 96 faces the ground pattern 93, the signal line 92 does not face the signal line 96. Therefore, the distance between the signal line 92 and the signal line 96 formed on each of the adjacent high-frequency transmission boards 90 is equal to the distance between the signal line on the front side and the signal line on the back side formed on each of the adjacent high-frequency transmission boards 90. Are farther apart than when they face each other.

上記の構成によれば、信号ライン92,96の四方が接地された導電体によって囲まれており、且つ、信号ライン92,96間の距離が離れているため、信号ライン92,96間に生じ得るクロストークを抑制することができる。   According to the above configuration, since the four sides of the signal lines 92 and 96 are surrounded by the grounded conductor and the distance between the signal lines 92 and 96 is large, the signal lines 92 and 96 are formed between the signal lines 92 and 96. The obtained crosstalk can be suppressed.

また、4枚の高周波伝送基板90を備えた高周波伝送装置9は、誘電体基板91の表裏にそれぞれ信号ライン92,96を備えるため、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1と比較して2倍の数の信号ラインを備えている。換言すれば、本実施形態に係る高周波伝送装置9は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1(図1参照)と同じサイズでありながら信号ラインの実装密度を2倍に高めることができる。   In addition, the high-frequency transmission device 9 including the four high-frequency transmission substrates 90 includes the signal lines 92 and 96 on the front and back of the dielectric substrate 91, respectively, and thus is compared with the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment. It has twice as many signal lines. In other words, the high-frequency transmission device 9 according to the present embodiment can double the signal line mounting density while having the same size as the high-frequency transmission device 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment. .

別の言い方をすれば、図1に示す高周波伝送装置1と同じ数の信号ラインを備えた高周波伝送装置を、図9に示す高周波伝送基板90を用いて実現する場合、該高周波伝送装置は、2枚の高周波伝送基板90を備えていればよい。したがって、上記高周波伝送装置は、信号ラインの数を減らすことなくそのサイズを更に小型化することができる。   In other words, when a high-frequency transmission device provided with the same number of signal lines as the high-frequency transmission device 1 shown in FIG. 1 is realized using the high-frequency transmission board 90 shown in FIG. It suffices if two high-frequency transmission boards 90 are provided. Therefore, the size of the high-frequency transmission device can be further reduced without reducing the number of signal lines.

以上のように、本実施形態に係る高周波伝送装置は、第1の実施形態に係る高周波伝送装置1と比較して、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、信号ラインの実装密度を2倍に高めることができる。別の言い方をすれば、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、そのサイズを更に小型化することができる。   As described above, the high-frequency transmission device according to the present embodiment suppresses the crosstalk generated between the signal lines and reduces the mounting density of the signal lines by 2 in comparison with the high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment. Can be doubled. In other words, the size can be further reduced while suppressing the crosstalk generated between the signal lines.

なお、本実施形態に係る高周波伝送装置において、第2〜第4の各実施形態に記載したように、信号ラインのそれぞれには、増幅器(又は増幅器群)が挿入されていてもよい。   Note that, in the high-frequency transmission device according to the present embodiment, as described in each of the second to fourth embodiments, an amplifier (or an amplifier group) may be inserted into each of the signal lines.

信号ライン92,96のそれぞれに増幅器が挿入されている場合、これらの増幅器が誘電体基板91の表裏両面にバランスよく配置される。したがって、発熱源である増幅器が誘電体基板91の片面に集中することがないため、誘電体基板91の熱収縮による反りという課題を解決できる。また、誘電体基板91の表裏両面にバランスよく増幅器が配置されるため、誘電体基板の片面の温度が上昇することに起因して増幅器の動作が不安定になる、及び、増幅器における熱雑音が増加して高周波信号のS/N比が劣化するという課題を解決することができる。   When amplifiers are inserted in each of the signal lines 92 and 96, these amplifiers are arranged on both sides of the dielectric substrate 91 in a balanced manner. Therefore, the amplifier, which is a heat source, does not concentrate on one surface of the dielectric substrate 91, and the problem of warpage due to thermal contraction of the dielectric substrate 91 can be solved. Further, since the amplifiers are arranged on both the front and back surfaces of the dielectric substrate 91 in a well-balanced manner, the operation of the amplifier becomes unstable due to a rise in the temperature of one surface of the dielectric substrate, and thermal noise in the amplifier is reduced. It is possible to solve the problem that the S / N ratio of the high frequency signal is deteriorated due to the increase.

(内層)
また、高周波伝送基板90の誘電体基板91は、図9の(b)に示すように、第1の誘電体層911と第2の誘電体層912とを隔てる内層913を備えていることが好ましい。内層913は、導電体からなる薄膜又は薄板であって、把持部21を介して接地されている。すなわち、内層913は、グランドとして機能する。
(Inner layer)
Further, as shown in FIG. 9B, the dielectric substrate 91 of the high-frequency transmission substrate 90 may include an inner layer 913 that separates the first dielectric layer 911 and the second dielectric layer 912. preferable. The inner layer 913 is a thin film or a thin plate made of a conductor, and is grounded via the grip 21. That is, the inner layer 913 functions as a ground.

誘電体基板91に設けられた内層913は、誘電体基板91の表裏に設けられた信号ライン92と信号ライン96とを、電磁気的に遮蔽する。したがって、誘電体基板91が内層913を備えていることによって、同じ誘電体基板91に設けられた信号ライン92,96間のクロストークを抑制することができる。   The inner layer 913 provided on the dielectric substrate 91 electromagnetically shields the signal lines 92 and 96 provided on the front and back of the dielectric substrate 91. Therefore, since the dielectric substrate 91 includes the inner layer 913, crosstalk between the signal lines 92 and 96 provided on the same dielectric substrate 91 can be suppressed.

〔本発明の適用例〕
本発明の適用例について、図10を参照しながら説明する。図10の(a)は、第2の実施形態に係る高周波伝送装置3を含む高周波信号送信システム100の構成を示すブロック図であり、図10の(b)は、高周波伝送装置3を含む高周波信号送受信システム110の構成を示すブロック図である。
(Application example of the present invention)
An application example of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10A is a block diagram illustrating a configuration of a high-frequency signal transmission system 100 including the high-frequency transmission device 3 according to the second embodiment, and FIG. FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a signal transmission / reception system 110.

高周波信号送信システム100は、基地局から送信された高周波信号を受信するアンテナ101と、アンテナ101が受信した高周波信号を受信する受信機102と、アンテナ101から受信機102へ高周波信号を伝送する伝送ケーブル103とを備えている(図10の(a)参照)。伝送ケーブル103は、メタルケーブルであってもよいし、アクティブ光ケーブルであってもよい。   The high-frequency signal transmission system 100 includes an antenna 101 that receives a high-frequency signal transmitted from a base station, a receiver 102 that receives a high-frequency signal received by the antenna 101, and a transmission that transmits a high-frequency signal from the antenna 101 to the receiver 102. And a cable 103 (see FIG. 10A). The transmission cable 103 may be a metal cable or an active optical cable.

このような高周波信号送信システム100において、高周波伝送装置3は、アンテナ101と伝送ケーブル103との接続部、及び、伝送ケーブル103と受信機102との接続部に挿入して利用することができる。   In such a high-frequency signal transmission system 100, the high-frequency transmission device 3 can be used by being inserted into a connection between the antenna 101 and the transmission cable 103 and a connection between the transmission cable 103 and the receiver 102.

なお、本適用例では、信号ラインが伝送する高周波信号を増幅する増幅器を含む高周波伝送基板30(図3参照)を筐体20に収容した高周波伝送装置3を例として説明しているが、図3に示す高周波伝送基板30の代わりに、増幅器を含まない高周波伝送基板を筐体20に収容した高周波伝送装置を適用することもでき、例えば、図1及び図2に示す高周波伝送基板10を筐体20に収容した第1の実施形態に係る高周波伝送装置1や、図9に示す高周波伝送基板90を筐体20に収容した第5の実施形態に係る高周波伝送装置9を上述の高周波信号送信システムに適用することもできる。その場合は、高周波伝送装置1及び9の後段に別個の増幅器を挿入してもよい。   Note that, in this application example, the high-frequency transmission device 3 in which the high-frequency transmission board 30 (see FIG. 3) including the amplifier that amplifies the high-frequency signal transmitted by the signal line is accommodated in the housing 20 is described as an example. Instead of the high-frequency transmission board 30 shown in FIG. 3, a high-frequency transmission device in which a high-frequency transmission board not including an amplifier is housed in the housing 20 can be applied. For example, the high-frequency transmission board 10 shown in FIGS. The high-frequency transmission device 1 according to the first embodiment housed in the body 20 or the high-frequency transmission device 9 according to the fifth embodiment in which the high-frequency transmission board 90 shown in FIG. It can also be applied to systems. In that case, a separate amplifier may be inserted after the high-frequency transmission devices 1 and 9.

もちろん、その他にも、図7に示す高周波伝送基板70を筐体20に収容した第3の実施形態に係る高周波伝送装置7や、図8に示す高周波伝送基板80を筐体20に収容した第4の実施形態に係る高周波伝送装置8を上述の高周波信号送信システムに適用することもできる。   Of course, in addition to the above, the high-frequency transmission device 7 according to the third embodiment in which the high-frequency transmission board 70 shown in FIG. The high-frequency transmission device 8 according to the fourth embodiment can also be applied to the above-described high-frequency signal transmission system.

また、高周波信号送受信システム110は、アンテナ111と、高周波送受信機112と、伝送ケーブル113a、113bと、デュプレクサ114とを備えている。アンテナ111は、高周波信号を送受信可能なアンテナである。高周波送受信機112は、アンテナ111が受信した高周波信号を受信し、また、アンテナ111を介して送信する高周波信号を生成する。伝送ケーブル113aは、アンテナ111から高周波送受信機112へ高周波信号を伝送する伝送ケーブルであり、伝送ケーブル113bは、高周波送受信機112からアンテナ111へ高周波信号を伝送する伝送ケーブルである。デュプレクサ114は、高周波信号の受信経路と送信経路とを電気的に分離し、アンテナ111の共用を可能にするものである。   The high-frequency signal transmission / reception system 110 includes an antenna 111, a high-frequency transmission / reception device 112, transmission cables 113a and 113b, and a duplexer 114. The antenna 111 is an antenna that can transmit and receive a high-frequency signal. The high-frequency transceiver 112 receives a high-frequency signal received by the antenna 111 and generates a high-frequency signal to be transmitted via the antenna 111. The transmission cable 113a is a transmission cable for transmitting a high-frequency signal from the antenna 111 to the high-frequency transceiver 112, and the transmission cable 113b is a transmission cable for transmitting a high-frequency signal from the high-frequency transceiver 112 to the antenna 111. The duplexer 114 electrically separates the reception path and the transmission path of the high-frequency signal, and enables the antenna 111 to be shared.

このような高周波信号送受信システム110においても、高周波伝送装置3は、デュプレクサ114と伝送ケーブル113aとの接続部、伝送ケーブル113aと高周波送受信機112との接続部、高周波送受信機112と伝送ケーブル113bとの接続部、及び、伝送ケーブル113bとデュプレクサ114との接続部に挿入して利用することができる。   Also in such a high-frequency signal transmission / reception system 110, the high-frequency transmission device 3 includes a connection portion between the duplexer 114 and the transmission cable 113a, a connection portion between the transmission cable 113a and the high-frequency transceiver 112, and a high-frequency transmission / reception device 112 and the transmission cable 113b. And the connection between the transmission cable 113b and the duplexer 114 can be used.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

〔まとめ〕
信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくするために、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置は、複数の高周波伝送基板と、上記複数の高周波伝送基板を収容する筐体とを備え、上記複数の高周波伝送基板の各々は、誘電体基板と、該誘電体基板の表面に形成された信号ラインと、該信号ラインと対向するように該誘電体基板の裏面に形成されたグランドパターンとを備えており、上記複数の高周波伝送基板は、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板の信号ラインが他方の高周波伝送基板のグランドパターンに対向するように、上記筐体により支持されていることを特徴とする。
[Summary]
In order to reduce the area required for mounting while suppressing crosstalk between signal lines, a high-frequency transmission device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of high-frequency transmission boards and the plurality of high-frequency transmission boards. A housing for accommodating, each of the plurality of high-frequency transmission substrates includes a dielectric substrate, a signal line formed on a surface of the dielectric substrate, and a dielectric line of the dielectric substrate facing the signal line. A ground pattern formed on the back surface, wherein the plurality of high-frequency transmission boards are configured such that, of two adjacent high-frequency transmission boards, a signal line of one high-frequency transmission board is connected to a ground pattern of the other high-frequency transmission board. It is characterized by being supported by the housing so as to face each other.

上記の構成によれば、複数の高周波伝送基板が重ねて配置される。したがって、複数の高周波伝送基板が並べて配置される場合と比べて、高周波信号伝送装置の実装に要する面積を小さくすることができる。しかも、各高周波伝送基板の信号ラインは、該高周波伝送基板のグランドパターンと、該高周波伝送基板に隣接する高周波伝送基板のグランドパターンとに挟まれ、これら2つのグランドパターンにより遮蔽されている。したがって、各高周波伝送基板の信号ライン間のクロストークを抑制することができる。   According to the above configuration, the plurality of high-frequency transmission boards are arranged in an overlapping manner. Therefore, the area required for mounting the high-frequency signal transmission device can be reduced as compared with the case where a plurality of high-frequency transmission substrates are arranged side by side. Moreover, the signal line of each high-frequency transmission board is sandwiched between the ground pattern of the high-frequency transmission board and the ground pattern of the high-frequency transmission board adjacent to the high-frequency transmission board, and is shielded by these two ground patterns. Therefore, crosstalk between signal lines of each high-frequency transmission board can be suppressed.

したがって、本高周波伝送装置は、複数の信号ラインを備えた高周波伝送装置において、信号ライン間に生じるクロストークを抑制しつつ、その実装に要する面積を小さくすることができる。   Therefore, in the high-frequency transmission device having a plurality of signal lines, the area required for mounting the high-frequency transmission device can be reduced while suppressing crosstalk between the signal lines.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の表面に形成されたグランドパターンであって、上記信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンを更に備えていることが好ましい。   Further, in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission substrates is a ground pattern formed on a surface of the dielectric substrate, and is arranged so as to sandwich the signal line. It is preferable to further include a pair of ground patterns.

上記の構成によれば、誘電体基板の表面に形成された信号ラインと、1対のグランドパターンとにより、コプレナーウェーブガイドを構成することができる。   According to the above configuration, a coplanar waveguide can be formed by the signal lines formed on the surface of the dielectric substrate and the pair of ground patterns.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記信号ラインが伝送する高周波信号の実効波長をλとして、該信号ラインを挟み込む上記1対のグランドパターンの間隔は、0.1×λ以下であることが好ましい。 In the high frequency transmission apparatus according to an embodiment of the present invention, the plurality in each of the high frequency transmission substrate, the effective wavelength of a high-frequency signal from which the signal line is transmitted as lambda 1, the pair of sandwiching the signal line interval of the ground pattern is preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、誘電体基板の表面に形成された信号ライン及び1対のグランドパターンは、良好なコプレナーウェーブガイドとして機能する。したがって、上記高周波伝送基板は、表面側の信号ラインと裏面側の信号ラインとにおけるクロストークをより抑制することができる。   According to the above configuration, the signal lines and the pair of ground patterns formed on the surface of the dielectric substrate function as good coplanar waveguides. Therefore, the high-frequency transmission board can further suppress the crosstalk between the signal line on the front side and the signal line on the back side.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記1対のグランドパターンの上記信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された短絡ポストであって、上記1対のグランドパターンと上記グランドパターンとを短絡する短絡ポスト群を更に備えていることが好ましい。   Further, in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission boards is a short-circuit post arranged in a fence along a side of the pair of ground patterns facing the signal line. Preferably, the apparatus further includes a group of short-circuit posts for short-circuiting the pair of ground patterns and the ground pattern.

上記の構成によれば、信号ラインを挟み込む1対のグランドパターンは、裏面に形成されたグランドパターンを介して短絡される。そのため、信号ラインを挟み込む1対のグランドパターンの電位は、信号ラインの近傍領域においてよりよく一致する。これにより、本高周波伝送回路は、よりよいコプレナーウェーブガイドとして機能する。   According to the above configuration, the pair of ground patterns sandwiching the signal line is short-circuited via the ground pattern formed on the back surface. Therefore, the potentials of the pair of ground patterns sandwiching the signal line better match in the vicinity of the signal line. Thereby, the high-frequency transmission circuit functions as a better coplanar waveguide.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記信号ラインが伝送する高周波信号の実効波長をλとして、上記短絡ポスト群に属する2つの短絡ポストのうち、上記信号ラインを介して対向する2つの短絡ポストの中心軸間隔は、0.1×λ以下であることが好ましい。 In the high frequency transmission apparatus according to an embodiment of the present invention, in each of the plurality of high frequency transmission substrate, the effective wavelength of a high-frequency signal from which the signal line is transmitted as lambda 1, 2 single shorting belonging to the short posts group among the post, the central axis spacing of two short posts opposing each other via the signal line is preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、信号ラインの各々を挟み込む2つのグランドパターンを一点接地された状態と見なすことができる。これにより、本高周波伝送回路は、よりよいコプレナーウェーブガイドとして機能する。   According to the above configuration, two ground patterns sandwiching each of the signal lines can be regarded as being in a state of being grounded at one point. Thus, the high-frequency transmission circuit functions as a better coplanar waveguide.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記信号ラインが伝送する高周波信号の実効波長をλとして、上記短絡ポスト群に属する2つの短絡ポストのうち、上記1対のグランドパターンの同一の辺に沿って配置された互いに隣接する2つの短絡ポストの中心軸間隔は、0.1×λ以下であることが好ましい。 In the high frequency transmission apparatus according to an embodiment of the present invention, in each of the plurality of high frequency transmission substrate, the effective wavelength of a high-frequency signal from which the signal line is transmitted as lambda 1, 2 single shorting belonging to the short posts group among the post, the central axis spacing of two short posts adjacent to each other disposed along the same side of the ground pattern of the pair, preferably at 0.1 × lambda 1 or less.

上記の構成によれば、短絡ポスト群は、信号ラインが伝送する高周波信号がつくる電界の遮蔽壁として機能する。これにより、信号ラインが伝送する高周波信号が、隣接する高周波伝送基板の誘電体基板に設けられた信号ラインが伝送する別の高周波信号に乗り移ることを抑制することができる。したがって、本高周波伝送装置は、信号ライン間のクロストークを更に抑制することができる。   According to the above configuration, the short-circuit post group functions as a shielding wall for an electric field generated by the high-frequency signal transmitted by the signal line. Accordingly, it is possible to prevent a high-frequency signal transmitted by a signal line from being transferred to another high-frequency signal transmitted by a signal line provided on a dielectric substrate of an adjacent high-frequency transmission substrate. Therefore, the present high-frequency transmission device can further suppress crosstalk between signal lines.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置においては、上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記信号ラインに、該信号ラインが伝送する高周波信号を増幅する増幅器が挿入されていることが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, in each of the plurality of high-frequency transmission boards, an amplifier that amplifies a high-frequency signal transmitted by the signal line is inserted in the signal line. preferable.

上記の構成によれば、表面側の信号ラインが伝送する高周波信号を増幅することができる。すなわち、本高周波伝送装置は、高周波増幅装置としても機能する。   According to the above configuration, it is possible to amplify the high-frequency signal transmitted by the signal line on the front side. That is, the present high-frequency transmission device also functions as a high-frequency amplifier.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の表面及び裏面がxy面と平行になるように配置されており、上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記信号ラインはy軸方向に延設されており、上記複数の高周波伝送基板の各々において上記信号ラインに挿入された増幅器は、x軸方向及び/又はy軸方向にずれて配置されていることが好ましい。   Further, in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission substrates is arranged such that the front and back surfaces of the dielectric substrate are parallel to the xy plane, In each of the high-frequency transmission boards, the signal line extends in the y-axis direction, and in each of the plurality of high-frequency transmission boards, the amplifier inserted in the signal line is arranged in the x-axis direction and / or the y-axis direction. It is preferable that they are staggered.

上記の構成によれば、隣接する高周波伝送基板のそれぞれに設けられている増幅器同士の距離を遠ざけることができる。これによれば、隣接する誘電体基板のそれぞれに設けられている増幅器同士における熱の影響を更に抑制することができるため、熱雑音によるS/N比の劣化を更に抑制することができる。   According to the above configuration, the distance between the amplifiers provided on each of the adjacent high-frequency transmission boards can be increased. According to this, since the influence of heat between the amplifiers provided on the respective adjacent dielectric substrates can be further suppressed, the deterioration of the S / N ratio due to thermal noise can be further suppressed.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々には、該高周波伝送基板の表面側の空間と裏面側の空間とを連通させるための開口又は切欠が形成されていることが好ましい。   In the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission boards has an opening or notch for communicating a space on the front side and a space on the back side of the high-frequency transmission board. Preferably, it is formed.

上記の構成によれば、筐体の内部の空間であって、誘電体基板によって区切られている空間は、互いに連通する。これによれば、誘電体基板によって区切られている空間同士における空気の流れが促進されるため、筐体の内部の各部をより効率よく冷却することができる。   According to the above configuration, the space inside the housing and separated by the dielectric substrate communicates with each other. According to this, since the flow of the air in the space divided by the dielectric substrate is promoted, each part inside the housing can be cooled more efficiently.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の表面及び裏面が鉛直方向と平行になるように配置されており、上記筐体の壁面には、開口が形成されていることが好ましい。   Further, in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, each of the plurality of high-frequency transmission boards is arranged so that a front surface and a back surface of the dielectric substrate are parallel to a vertical direction, and It is preferable that an opening is formed in the wall surface.

上記の構成によれば、筐体の外部の冷たい空気は、筐体の開口を介して容易に筐体の内部に流入できる。また、筐体の内部において高周波伝送基板によって暖められた空気は、筐体の開口を介して容易に筐体の外部に流出できる。これによれば、筐体内外の空気の自然対流(鉛直方向の循環)が容易になるため、高周波伝送基板をより効率よく冷却することができる。   According to the above configuration, the cold air outside the housing can easily flow into the housing through the opening of the housing. In addition, the air warmed by the high-frequency transmission board inside the housing can easily flow out of the housing through the opening of the housing. According to this, the natural convection (circulation in the vertical direction) of the air inside and outside the housing is facilitated, so that the high-frequency transmission board can be cooled more efficiently.

また、本発明の一実施形態に係る高周波伝送装置において、上記筐体は、導電体からなり接地され、上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記グランドパターンが上記筐体を介して接地されていることが好ましい。   Further, in the high-frequency transmission device according to one embodiment of the present invention, the housing is made of a conductor and grounded, and each of the plurality of high-frequency transmission boards is such that the ground pattern is grounded via the housing. Is preferred.

上記の構成によれば、複数の高周波伝送基板の各々が備える信号ラインは、その四方を接地された導電体に囲まれる。これにより、遮蔽効果をより向上することができる。   According to the above configuration, the signal lines included in each of the plurality of high-frequency transmission boards are surrounded on all sides by a conductor that is grounded. Thereby, the shielding effect can be further improved.

なお、本明細書において「A及び/又はB」は、「A及びB」及び「A又はB」の双方を表す。また、本明細書において「A且つ/又はB」は、「A且つB」及び「A又はB」の双方を表す。   In this specification, "A and / or B" represents both "A and B" and "A or B". Further, in this specification, “A and / or B” represents both “A and B” and “A or B”.

本発明は、高周波信号を伝送する信号ラインを複数備えた高周波伝送装置に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be utilized for the high frequency transmission apparatus provided with the several signal line which transmits a high frequency signal.

1,3,4,5,6,7,8,9 高周波伝送装置
10,30,40,50,60,70,80,90 高周波伝送基板
11,71,81,91 誘電体基板
11a 表面
11b 裏面
12,32,42,52a,52b,62a,62b,92 信号ライン(表面側)
13,43,53a,53b,83,93 グランドパターン(表面側)
14,84,87 グランドパターン(裏面側)
20 筐体
21 把持部
22 通風口(開口)
35,45,55a,55b,65a,65b, 増幅器群(増幅器)
801 切欠
96 信号ライン(裏面側)
913 内層
1,3,4,5,6,7,8,9 High frequency transmission device 10,30,40,50,60,70,80,90 High frequency transmission substrate 11,71,81,91 Dielectric substrate 11a Front surface 11b Back surface 12, 32, 42, 52a, 52b, 62a, 62b, 92 Signal line (front side)
13, 43, 53a, 53b, 83, 93 Ground pattern (front side)
14, 84, 87 Ground pattern (back side)
Reference Signs List 20 housing 21 gripping part 22 ventilation opening (opening)
35, 45, 55a, 55b, 65a, 65b, Amplifier group (amplifier)
801 notch 96 signal line (back side)
913 Inner layer

Claims (11)

複数の高周波伝送基板と、上記複数の高周波伝送基板を収容する筐体とを備え、
上記複数の高周波伝送基板の各々は、(1)誘電体基板と、(2)上記誘電体基板の表面に形成された表面側の信号ラインと、(3)上記誘電体基板の表面に形成された表面側のグランドパターンであって、上記表面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなる表面側のグランドパターンと、(4)該表面側の信号ラインと対向するように該誘電体基板の裏面に形成された裏面側のグランドパターンと、を備えており、
上記複数の高周波伝送基板は、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板の表面側の信号ラインが他方の高周波伝送基板の裏面側のグランドパターンに対向するように上記筐体により支持されている、
ことを特徴とする高周波伝送装置。
A plurality of high-frequency transmission boards, and a housing for housing the plurality of high-frequency transmission boards,
Each of the plurality of high-frequency transmission boards is (1) a dielectric board, (2) a signal line on the front side formed on the surface of the dielectric board, and (3) a signal line formed on the surface of the dielectric board. A ground pattern on the front side, the ground pattern including a pair of ground patterns arranged so as to sandwich the signal line on the front side; and (4) facing the signal line on the front side. A ground pattern on the back surface formed on the back surface of the dielectric substrate,
The plurality of high-frequency transmission boards are arranged such that, of the two high-frequency transmission boards adjacent to each other, the signal line on the front side of one of the high-frequency transmission boards faces the ground pattern on the back side of the other high-frequency transmission board. Supported by
A high-frequency transmission device characterized by the above-mentioned.
上記表面側の信号ラインの各々が伝送する高周波信号の実効波長のうち最も短い実効波長をλとして、上記表面側の信号ラインを挟み込む上記表面側のグランドパターン同士の間隔は、0.1×λ以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波伝送装置。
The shortest effective wavelength of the effective wavelength of a high-frequency signal, each of the signal lines of the surface side is transmitted as lambda 1, the spacing of the ground patterns of the above-mentioned surface side sandwiching the signal lines of the surface side, 0.1 × λ 1 or less,
The high-frequency transmission device according to claim 1, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の裏面に形成された裏面側の信号ラインを更に備えており、
上記裏面側のグランドパターンは、上記裏面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなり、
上記複数の高周波伝送基板は、互いに隣接する2つの高周波伝送基板のうち、一方の高周波伝送基板の表面側のグランドパターンが他方の高周波伝送基板の裏面側の信号ラインに対向するように、上記筐体により支持されており、
上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの各々が伝送する高周波信号の実効波長のうち最も短い実効波長をλとして、上記表面側の信号ラインを挟み込む上記表面側のグランドパターン同士の間隔と、上記裏面側の信号ラインを挟み込む上記裏面側のグランドパターン同士の間隔とは、それぞれ0.1×λ以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波伝送装置。
Each of the plurality of high-frequency transmission boards further includes a signal line on the back side formed on the back side of the dielectric substrate,
The ground pattern on the back side includes a pair of ground patterns arranged so as to sandwich the signal line on the back side.
The plurality of high-frequency transmission boards are arranged such that, of two adjacent high-frequency transmission boards, the ground pattern on the front side of one high-frequency transmission board faces the signal line on the back side of the other high-frequency transmission board. Supported by the body,
As lambda 1 shortest effective wavelength of the effective wavelength of a high-frequency signal, each of the signal lines and the back surface side of the signal line of the surface side is transmitted, the ground patterns of the above-mentioned surface side sandwiching the signal lines of the surface-side The interval between the ground patterns on the back side sandwiching the signal line on the back side is 0.1 × λ 1 or less, respectively.
The high-frequency transmission device according to claim 1, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ラインのみである場合、上記表面側の信号ラインの各々は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されており、
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの両方である場合、上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの一方又は両方は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されている、
ことを特徴とする請求項2または3に記載の高周波伝送装置。
In the case where the signal lines provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards are only the signal lines on the front side, each of the signal lines on the front side has other members whose both ends constitute the high-frequency transmission board. Insulated from
When the signal line provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards is both the front-side signal line and the back-side signal line, one of the front-side signal line and the back-side signal line or Both are insulated at both ends from other members constituting the high-frequency transmission board,
The high-frequency transmission device according to claim 2 or 3, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ラインのみである場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの両方である場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、且つ/又は、上記裏面側の信号ラインの各々は、該裏面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の裏面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されている、
ことを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の高周波伝送装置。
When the signal lines provided on each of the plurality of high-frequency transmission boards are only the signal lines on the front side, each of the signal lines on the front side is the dielectric substrate on which the signal lines on the front side are formed. Is formed only on the surface of the dielectric substrate from one end to the other end of the dielectric substrate,
When the signal lines provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards are both the signal line on the front side and the signal line on the back side, each of the signal lines on the front side is the signal line on the front side. Is formed only on the front surface of the dielectric substrate on which is formed from one end of the dielectric substrate to the other end, and / or each of the signal lines on the back surface side is Only on the back surface of the dielectric substrate on which the signal line on the back surface is formed, it is formed so as to extend from one end of the dielectric substrate to the other end,
The high-frequency transmission device according to any one of claims 2 to 4, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記表面側のグランドパターンの上記表面側の信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された第1の短絡ポスト群であって、上記表面側のグランドパターンと上記裏面側のグランドパターンとを短絡する第1の短絡ポスト群を更に備えている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波伝送装置。
Each of the plurality of high-frequency transmission boards is a first short-circuit post group arranged in a fence along a side of the ground pattern on the front side facing the signal line on the front side, and A first short-circuit post group that short-circuits the ground pattern and the ground pattern on the back side;
The high-frequency transmission device according to claim 1, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々は、上記誘電体基板の裏面に形成された裏面側の信号ラインを更に備え、
上記裏面側のグランドパターンは、上記裏面側の信号ラインを挟み込むように配置された1対のグランドパターンからなり、
上記複数の高周波伝送基板の各々は、裏面側のグランドパターンの裏面側の信号ラインに対向する辺に沿って柵状に配置された、表面側のグランドパターンと裏面側のグランドパターンとを短絡する第2の短絡ポスト群と、を更に備えている、
ことを特徴とする請求項6に記載の高周波伝送装置。
Each of the plurality of high-frequency transmission substrates further includes a signal line on the back surface formed on the back surface of the dielectric substrate,
The ground pattern on the back side includes a pair of ground patterns arranged so as to sandwich the signal line on the back side.
Each of the plurality of high-frequency transmission boards short-circuits the ground pattern on the front surface and the ground pattern on the rear surface, which are arranged in a fence along the side facing the signal line on the rear surface of the ground pattern on the rear surface. A second group of shorting posts;
The high-frequency transmission device according to claim 6, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ラインのみである場合、上記表面側の信号ラインの各々は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されており、
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの両方である場合、上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの一方又は両方は、その両端部が該高周波伝送基板を構成する他の部材から絶縁されている、
ことを特徴とする請求項7に記載の高周波伝送装置。
In the case where the signal lines provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards are only the signal lines on the front side, each of the signal lines on the front side has other members whose both ends constitute the high-frequency transmission board. Insulated from
When the signal line provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards is both the front-side signal line and the back-side signal line, one of the front-side signal line and the back-side signal line or Both are insulated at both ends from other members constituting the high-frequency transmission board,
The high-frequency transmission device according to claim 7, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ラインのみである場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、
上記複数の高周波伝送基板の各々が備えている信号ラインが上記表面側の信号ライン及び上記裏面側の信号ラインの両方である場合、上記表面側の信号ラインの各々は、該表面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の表面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されており、且つ/又は、上記裏面側の信号ラインの各々は、該裏面側の信号ラインが形成された上記誘電体基板の裏面のみに、該誘電体基板の一方の端部から他方の端部に至るように形成されている、
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の高周波伝送装置。
When the signal lines provided on each of the plurality of high-frequency transmission boards are only the signal lines on the front side, each of the signal lines on the front side is the dielectric substrate on which the signal lines on the front side are formed. Is formed only on the surface of the dielectric substrate from one end to the other end of the dielectric substrate,
When the signal lines provided in each of the plurality of high-frequency transmission boards are both the signal line on the front side and the signal line on the back side, each of the signal lines on the front side is the signal line on the front side. Is formed only on the front surface of the dielectric substrate on which is formed from one end of the dielectric substrate to the other end, and / or each of the signal lines on the back surface side is Only on the back surface of the dielectric substrate on which the signal line on the back surface is formed, it is formed so as to extend from one end of the dielectric substrate to the other end,
The high-frequency transmission device according to claim 7 or 8, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々において、上記表面側の信号ラインと、上記裏面側のグランドパターンとは、互いに対向しており、且つ、上記裏面側の信号ラインと、上記表面側のグランドパターンとは、互いに対向している、
ことを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載の高周波伝送装置。
In each of the plurality of high-frequency transmission boards, the signal line on the front side and the ground pattern on the back side are opposed to each other, and the signal line on the back side and the ground pattern on the front side. Are facing each other,
The high-frequency transmission device according to any one of claims 7 to 9, wherein:
上記複数の高周波伝送基板の各々は、第1の誘電体層、第2の誘電体層、及び、上記第1の誘電体層と上記第2の誘電体層との間に介在し、且つ、上記第1の誘電体層と上記第2の誘電体層とを隔てる内層であって、導電体からなる内層を備えている、
ことを特徴とする請求項7〜10の何れか1項に記載の高周波伝送装置。
Each of the plurality of high-frequency transmission boards is a first dielectric layer, a second dielectric layer, and interposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer, and An inner layer separating the first dielectric layer and the second dielectric layer, the inner layer including an inner layer made of a conductor;
The high-frequency transmission device according to any one of claims 7 to 10, wherein:
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