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JP6620892B2 - Semiconductor lamp - Google Patents

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JP6620892B2
JP6620892B2 JP2018541838A JP2018541838A JP6620892B2 JP 6620892 B2 JP6620892 B2 JP 6620892B2 JP 2018541838 A JP2018541838 A JP 2018541838A JP 2018541838 A JP2018541838 A JP 2018541838A JP 6620892 B2 JP6620892 B2 JP 6620892B2
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卓生 村井
大介 松原
大介 松原
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勇人 吉野
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  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体ランプに関する。  The present invention relates to a semiconductor lamp.

発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体光源を備えた半導体ランプが広く用いられている。下記特許文献１には、Ｈｉｇｈ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ（ＨＩＤ）ランプの代替として使用することを目的とした半導体ランプが開示されている。この半導体ランプでは、半導体光源が実装される実装基板を有する平板状の光源ユニットの裏面を内側に向け、ランプ軸線の周りに複数の光源ユニットを配置している。それらの光源ユニットの裏面側に、放熱フィン、及び、空気が流通する空間を設けている。  Semiconductor lamps equipped with a semiconductor light source such as a light emitting diode (LED) are widely used. Patent Document 1 listed below discloses a semiconductor lamp intended to be used as an alternative to a High Intensity Discharge (HID) lamp. In this semiconductor lamp, a plurality of light source units are arranged around a lamp axis line with a back surface of a flat light source unit having a mounting substrate on which a semiconductor light source is mounted facing inward. On the back side of these light source units, there are provided heat radiating fins and a space through which air flows.

日本特許第５５５９８２４号公報Japanese Patent No. 5559824

大光束の半導体ランプでは、半導体光源の温度が高くなりやすい。半導体光源が発熱により高温になると、エネルギー効率が低下したり、半導体光源の寿命が短くなったりする。そのため、半導体光源が高温にならないように、半導体光源の熱を散逸させる放熱性を良好にすることが望まれている。大光束のランプは、例えば、天井のように気温の高い環境に設置されたり、街路灯のように密閉される器具に組み込まれたりするので、半導体光源の温度上昇を抑制することが難しい。特許文献１のランプでは、放熱フィンが複数の光源ユニットで囲まれた内側の空間にあるため、当該空間に熱がこもり易く、放熱フィンからの放熱性が良くない。  In a semiconductor lamp with a large luminous flux, the temperature of the semiconductor light source tends to be high. When the semiconductor light source becomes high temperature due to heat generation, the energy efficiency is lowered or the life of the semiconductor light source is shortened. Therefore, it is desired to improve the heat dissipation property that dissipates the heat of the semiconductor light source so that the semiconductor light source does not reach a high temperature. For example, a lamp with a high luminous flux is installed in a high-temperature environment such as a ceiling, or is incorporated in a sealed device such as a street light, and thus it is difficult to suppress an increase in the temperature of the semiconductor light source. In the lamp of Patent Document 1, since the heat radiating fins are in the inner space surrounded by the plurality of light source units, heat is easily trapped in the space, and the heat dissipation from the heat radiating fins is not good.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、放熱性に優れ、かつ、輝度ムラを軽減できる半導体ランプを提供することを目的とする。  The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a semiconductor lamp that is excellent in heat dissipation and can reduce luminance unevenness.

本発明の半導体ランプは、ヒートシンクと、少なくとも一つの半導体光源を有する光源基板と、照明手段と、を備える。ヒートシンクは、半導体ランプの外側に面する第一面と、第一面と反対側の第二面とを有する板状のベース部と、ベース部の第一面から突出するフィンとを備える。光源基板は、ベース部の第二面に設置される。照明手段は、ベース部の第一面を照らす。  The semiconductor lamp of the present invention includes a heat sink, a light source substrate having at least one semiconductor light source, and illumination means. The heat sink includes a plate-like base portion having a first surface facing the outside of the semiconductor lamp, a second surface opposite to the first surface, and a fin protruding from the first surface of the base portion. The light source substrate is installed on the second surface of the base portion. The illumination means illuminates the first surface of the base portion.

本発明の半導体ランプによれば、ヒートシンクのベース部の第一面を照らす照明手段を備えたことで、放熱性に優れ、かつ、輝度ムラを軽減することが可能となる。  According to the semiconductor lamp of the present invention, by providing the illumination means for illuminating the first surface of the base portion of the heat sink, it is excellent in heat dissipation and it is possible to reduce luminance unevenness.

実施の形態１による半導体ランプを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to Embodiment 1. FIG. 図１に示す半導体ランプから側面カバー及びリフレクターを除去した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which removed the side cover and the reflector from the semiconductor lamp shown in FIG. 図１に示す半導体ランプが備える側面カバー及びリフレクターを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the side cover and reflector with which the semiconductor lamp shown in FIG. 1 is provided. 図１に示す半導体ランプをランプ軸線に沿う視線で見た図である。It is the figure which looked at the semiconductor lamp shown in FIG. 1 with the eyes | visual_axis along a lamp | ramp axis line. 実施の形態１の半導体ランプの断面図である。2 is a cross-sectional view of the semiconductor lamp of the first embodiment. FIG. 比較例の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。It is a graph which shows typically distribution of brightness when the semiconductor lamp of a comparative example is seen from the outer peripheral side. 実施の形態１の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。It is a graph which shows typically distribution of brightness when the semiconductor lamp of Embodiment 1 is seen from the perimeter side. 実施の形態２による半導体ランプを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to a second embodiment. 実施の形態３による半導体ランプを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor lamp according to a third embodiment. 実施の形態４による半導体ランプを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to a fourth embodiment. 実施の形態５による半導体ランプを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to a fifth embodiment. 実施の形態６による半導体ランプを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to a sixth embodiment. 実施の形態７による半導体ランプの一部を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a part of a semiconductor lamp according to a seventh embodiment. 実施の形態８による半導体ランプを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a semiconductor lamp according to an eighth embodiment. 図１４に示す半導体ランプをランプ軸線に沿う視線で見た図である。It is the figure which looked at the semiconductor lamp shown in FIG. 14 with the eyes | visual_axis along a lamp | ramp axis line. 図１４に示す半導体ランプの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor lamp shown in FIG. 実施の形態９による半導体ランプの一部を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a part of a semiconductor lamp according to a ninth embodiment.

以下、図面を参照して実施の形態について説明する。各図において共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。本開示は、以下の各実施の形態で説明する構成のうち、組合わせ可能な構成のあらゆる組合わせを含み得る。  Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the drawings, common or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is simplified or omitted. The present disclosure may include any combination of configurations that can be combined among the configurations described in the following embodiments.

実施の形態１．
図１は、実施の形態１による半導体ランプ１を示す斜視図である。図１に示す本実施の形態の半導体ランプ１の用途は、特に限定されるものではない。本実施の形態の半導体ランプ１は、例えば、街路灯、道路灯、公園灯、高天井灯などの、屋内及び屋外の照明器具（図示せず）が備える電気ソケットに対して取り付け可能である。半導体ランプ１は、例えば水銀ランプのような、従来のＨｉｇｈ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ（ＨＩＤ）ランプの代替として使用されるものでもよい。Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor lamp 1 according to the first embodiment. The application of the semiconductor lamp 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 is not particularly limited. The semiconductor lamp 1 of the present embodiment can be attached to an electrical socket provided in indoor and outdoor lighting fixtures (not shown) such as street lights, road lights, park lights, high ceiling lights, and the like. The semiconductor lamp 1 may be used as an alternative to a conventional High Intensity Discharge (HID) lamp, such as a mercury lamp.

半導体ランプ１は、口金２を備える。本実施の形態における口金２は、電気ソケットに対してねじ込むことで接続可能なねじ込み式の口金である。照明器具が備える電気ソケットに口金２をねじ込むことで、半導体ランプ１を当該照明器具に取り付けることができる。半導体ランプ１は、図示のようなねじ込み式の口金２に代えて、差し込み式の口金を備えるものでもよい。以下の説明では、口金２側の半導体ランプ１の端を「近位端」とし、口金２と反対側の半導体ランプ１の端を「遠位端」とする。また、近位端から遠位端に向かう方向を「遠位方向」とし、遠位端から近位端に向かう方向を「近位方向」とする。  The semiconductor lamp 1 includes a base 2. The base 2 in the present embodiment is a screw-type base that can be connected to the electrical socket by screwing. The semiconductor lamp 1 can be attached to the lighting fixture by screwing the cap 2 into an electric socket provided in the lighting fixture. The semiconductor lamp 1 may be provided with a plug-in base instead of the screw-in base 2 as shown. In the following description, the end of the semiconductor lamp 1 on the base 2 side is referred to as “proximal end”, and the end of the semiconductor lamp 1 on the side opposite to the base 2 is referred to as “distal end”. The direction from the proximal end to the distal end is referred to as “distal direction”, and the direction from the distal end to the proximal end is referred to as “proximal direction”.

半導体ランプ１は、近位端から遠位端へ延びるランプ軸線ＡＸを有する。ランプ軸線ＡＸは、口金２の中心を通る。ランプ軸線ＡＸは、半導体ランプ１の中心軸に相当する。半導体ランプ１は、口金２が上向きまたは斜め上向き、口金２が下向きまたは斜め下向き、口金２が横向き、などのいかなる姿勢で使用されてもよい。  The semiconductor lamp 1 has a lamp axis AX that extends from the proximal end to the distal end. The lamp axis AX passes through the center of the base 2. The lamp axis AX corresponds to the central axis of the semiconductor lamp 1. The semiconductor lamp 1 may be used in any posture such that the base 2 is upward or diagonally upward, the base 2 is downward or diagonally downward, and the base 2 is lateral.

半導体ランプ１は、ランプ軸線ＡＸを中心とする周方向に間隔をおいて配置された複数の発光ユニット３を備える。これらの発光ユニット３は、互いに同一または類似の構成を有する。複数の発光ユニット３のそれぞれは、ヒートシンク４及び光源基板５を備える。ヒートシンク４は、高い熱伝導率を有する材料、例えば金属材料で形成されることが望ましい。  The semiconductor lamp 1 includes a plurality of light emitting units 3 arranged at intervals in the circumferential direction around the lamp axis AX. These light emitting units 3 have the same or similar configuration. Each of the plurality of light emitting units 3 includes a heat sink 4 and a light source substrate 5. The heat sink 4 is desirably formed of a material having high thermal conductivity, for example, a metal material.

以下の説明では、「周方向」とは、特に断らない限り、ランプ軸線ＡＸを中心とする周方向を意味する。「半径方向」とは、特に断らない限り、ランプ軸線ＡＸを中心とする半径方向を意味する。  In the following description, “circumferential direction” means a circumferential direction around the lamp axis AX unless otherwise specified. The “radial direction” means a radial direction around the lamp axis AX unless otherwise specified.

半導体ランプ１は、側面カバー６を備える。側面カバー６は、光を透過させる。本実施の形態における側面カバー６は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円柱面に沿う曲面を有する。  The semiconductor lamp 1 includes a side cover 6. The side cover 6 transmits light. Side cover 6 in the present embodiment has a curved surface along a cylindrical surface with lamp axis AX as the center.

半導体ランプ１は、リフレクター７を備える。リフレクター７は、ランプ軸線ＡＸの方向の位置に関して、口金２と複数の発光ユニット３との間の位置にある。リフレクター７の形状は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円形である。  The semiconductor lamp 1 includes a reflector 7. The reflector 7 is located between the base 2 and the plurality of light emitting units 3 with respect to the position in the direction of the lamp axis AX. The shape of the reflector 7 is a circle centered on the lamp axis AX.

図２は、図１に示す半導体ランプ１から側面カバー６及びリフレクター７を除去した状態を示す斜視図である。図２に示すように、ヒートシンク４は、板状のベース部８と、複数のフィン９とを備える。ベース部８は、第一面８ａ及び第二面８ｂを有する。第一面８ａは、半導体ランプ１の外側に面する。第二面８ｂは、第一面８ａと反対側の面である。第二面８ｂは、半導体ランプ１の内側に面する。フィン９は、第一面８ａから突出する。フィン９は、半導体ランプ１の外側に面する。本実施の形態では、フィン９の形状は、板状である。平行する複数のフィン９が設けられている。本実施の形態におけるフィン９は、ランプ軸線ＡＸと平行に延びる。フィン９の形状は、板状に限らず、ピン形でもよい。フィン９は、ベース部８と一体的に形成されたものでもよい。フィン９を備えたことで、ヒートシンク４の表面積を大きくできるので、放熱を促進できる。  FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the side cover 6 and the reflector 7 are removed from the semiconductor lamp 1 shown in FIG. As shown in FIG. 2, the heat sink 4 includes a plate-like base portion 8 and a plurality of fins 9. The base portion 8 has a first surface 8a and a second surface 8b. The first surface 8 a faces the outside of the semiconductor lamp 1. The second surface 8b is a surface opposite to the first surface 8a. The second surface 8 b faces the inside of the semiconductor lamp 1. The fin 9 protrudes from the first surface 8a. The fin 9 faces the outside of the semiconductor lamp 1. In the present embodiment, the fin 9 has a plate shape. A plurality of parallel fins 9 are provided. The fins 9 in the present embodiment extend in parallel with the lamp axis AX. The shape of the fin 9 is not limited to a plate shape, and may be a pin shape. The fin 9 may be formed integrally with the base portion 8. Since the fins 9 are provided, the surface area of the heat sink 4 can be increased, so that heat dissipation can be promoted.

第一面８ａ及び第二面８ｂは、ランプ軸線ＡＸに対して平行である。このような構成に限らず、第一面８ａ及び第二面８ｂがランプ軸線ＡＸに対して傾斜していてもよい。  The first surface 8a and the second surface 8b are parallel to the lamp axis AX. Not limited to such a configuration, the first surface 8a and the second surface 8b may be inclined with respect to the lamp axis AX.

光源基板５は、ヒートシンク４のベース部８の第二面８ｂに設置されている。光源基板５は、少なくとも一つの半導体光源５ａを有する。本実施の形態では、光源基板５は、複数の半導体光源５ａを有する。光源基板５は、半導体ランプ１の内側に面する。半導体光源５ａは、半導体ランプ１の内側に向かって光を放射する。  The light source substrate 5 is installed on the second surface 8 b of the base portion 8 of the heat sink 4. The light source substrate 5 has at least one semiconductor light source 5a. In the present embodiment, the light source substrate 5 includes a plurality of semiconductor light sources 5a. The light source substrate 5 faces the inside of the semiconductor lamp 1. The semiconductor light source 5 a emits light toward the inside of the semiconductor lamp 1.

半導体光源５ａは、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。半導体光源５ａは、例えば、表面実装型ＬＥＤパッケージ、チップ・スケール・パッケージのＬＥＤ、砲弾型ＬＥＤパッケージ、配光レンズ付きＬＥＤパッケージ、のいずれかでもよい。また、光源基板５は、チップ・オン・ボード（ＣＯＢ）タイプのＬＥＤパッケージであってもよい。半導体光源５ａは、ＬＥＤ素子に限らず、例えば、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子、半導体レーザ素子などでもよい。  The semiconductor light source 5a is, for example, a light emitting diode (LED) element. The semiconductor light source 5a may be, for example, any one of a surface mount LED package, a chip scale package LED, a bullet-type LED package, and an LED package with a light distribution lens. The light source substrate 5 may be a chip-on-board (COB) type LED package. The semiconductor light source 5a is not limited to an LED element, and may be, for example, an organic electroluminescence (EL) element or a semiconductor laser element.

半導体光源５ａは、指向性の低い配光を有する拡散発光源となるものが好ましい。本実施の形態における光源基板５は、ランプ軸線ＡＸに平行な方向を長手方向とする形状を有する。本実施の形態では、光源基板５の長手方向に沿って複数の半導体光源５ａが並んでいるとともに、その長手方向に垂直な方向に沿って複数の半導体光源５ａが並んでいる。図示の構成に限らず、光源基板５は、ランプ軸線ＡＸに対して傾斜した方向を長手方向とする形状でもよい。  The semiconductor light source 5a is preferably a diffused light source having a light distribution with low directivity. The light source substrate 5 in the present embodiment has a shape whose longitudinal direction is a direction parallel to the lamp axis AX. In the present embodiment, a plurality of semiconductor light sources 5a are arranged along the longitudinal direction of the light source substrate 5, and a plurality of semiconductor light sources 5a are arranged along a direction perpendicular to the longitudinal direction. The light source substrate 5 is not limited to the illustrated configuration, and the light source substrate 5 may have a shape whose longitudinal direction is inclined with respect to the lamp axis AX.

以下の説明では、光源基板５から放射される光の光度が最高になる方向に沿う軸を当該光源基板５の「光軸」と呼ぶ。本実施の形態において、光源基板５の光軸は、ベース部８の第二面８ｂに対して垂直でもよい。光源基板５の光軸は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直でもよい。あるいは、光源基板５の光軸は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜していてもよい。  In the following description, the axis along the direction in which the luminous intensity of the light emitted from the light source substrate 5 becomes maximum is referred to as the “optical axis” of the light source substrate 5. In the present embodiment, the optical axis of the light source substrate 5 may be perpendicular to the second surface 8 b of the base portion 8. The optical axis of the light source substrate 5 may be perpendicular to the lamp axis AX. Alternatively, the optical axis of the light source substrate 5 may be inclined with respect to a plane perpendicular to the lamp axis AX.

光源基板５の半導体光源５ａと反対側の面は、ヒートシンク４のベース部８に対して熱的に接続される。ベース部８は、光源基板５及びフィン９を支える。光源基板５の半導体光源５ａで発生した熱は、ベース部８へ熱伝導し、ベース部８からフィン９へ熱伝導する。ベース部８及びフィン９の表面から対流及び輻射により熱が散逸する。光源基板５と、ベース部８の第二面８ｂとの間に、例えば、熱伝導性グリス、熱伝導性シート、熱伝導性接着剤、熱伝導性両面粘着テープのような熱伝導性材料（図示せず）が挟まれていてもよい。光源基板５をベース部８に固定する方法は、例えば、ネジ止め、接着など、いかなる方法でもよい。あるいは、光源基板５の金属基板と、ベース部８とが一体的に形成されていてもよい。  The surface of the light source substrate 5 opposite to the semiconductor light source 5 a is thermally connected to the base portion 8 of the heat sink 4. The base portion 8 supports the light source substrate 5 and the fins 9. The heat generated in the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 is thermally conducted to the base portion 8 and is conducted from the base portion 8 to the fins 9. Heat is dissipated from the surfaces of the base portion 8 and the fins 9 by convection and radiation. Between the light source board | substrate 5 and the 2nd surface 8b of the base part 8, heat conductive materials (for example, heat conductive grease, a heat conductive sheet, a heat conductive adhesive, a heat conductive double-sided adhesive tape ( (Not shown) may be sandwiched. The light source substrate 5 may be fixed to the base portion 8 by any method such as screwing or bonding. Alternatively, the metal substrate of the light source substrate 5 and the base portion 8 may be integrally formed.

本実施の形態におけるヒートシンク４のベース部８は、ランプ軸線ＡＸに対して平行な方向を長手方向とする形状を有する。ベース部８の長手方向の長さを長くすることで、半導体ランプ１の配光特性に影響することなく、光源基板５の面積を大きくできる。このため、半導体ランプ１の大光束化への対応に有利である。本実施の形態の構成に代えて、ヒートシンク４のベース部８の形状は、ランプ軸線ＡＸに対して傾斜した方向を長手方向とする形状でもよい。その場合でも、本実施の形態と類似の効果が得られる。  The base portion 8 of the heat sink 4 in the present embodiment has a shape whose longitudinal direction is a direction parallel to the lamp axis AX. By increasing the length of the base portion 8 in the longitudinal direction, the area of the light source substrate 5 can be increased without affecting the light distribution characteristics of the semiconductor lamp 1. For this reason, it is advantageous to cope with the large luminous flux of the semiconductor lamp 1. Instead of the configuration of the present embodiment, the shape of the base portion 8 of the heat sink 4 may be a shape whose longitudinal direction is a direction inclined with respect to the lamp axis AX. Even in that case, an effect similar to that of the present embodiment can be obtained.

半導体ランプ１は、支持体１０及び口金保持部１１を備える。各々の発光ユニット３は、支持体１０により支持されている。支持体１０に対して近位側に口金保持部１１が接続されている。口金保持部１１に対して近位側に口金２が接続されている。支持体１０は、各々の発光ユニット３へ向かって放射状に突出する複数の腕部１０ａを有する。ヒートシンク４のベース部８は、腕部１０ａに対して固定されている。ヒートシンク４を支持体１０に固定する方法は、例えば、ネジ止め、凹部と凸部との嵌合、差し込み、スライド、接着、溶接など、いかなる方法でもよい。  The semiconductor lamp 1 includes a support 10 and a base holder 11. Each light emitting unit 3 is supported by a support 10. A base holding part 11 is connected to the support 10 on the proximal side. The base 2 is connected to the base holding part 11 on the proximal side. The support body 10 has a plurality of arm portions 10 a that project radially toward the respective light emitting units 3. The base portion 8 of the heat sink 4 is fixed to the arm portion 10a. The method of fixing the heat sink 4 to the support 10 may be any method such as screwing, fitting between a concave portion and a convex portion, insertion, sliding, adhesion, and welding.

支持体１０は、高い熱伝導率を有する材料、例えば金属材料で構成されることが望ましい。ベース部８から支持体１０へ熱伝導することで、支持体１０の表面からも放熱でき、放熱性がさらに向上する。口金保持部１１の少なくとも一部は、絶縁性を有する樹脂材料で構成されてもよい。口金保持部１１は、耐熱性及び放熱性に優れた樹脂材料、金属材料、またはこれらの組み合わせにより構成されることが望ましい。  The support 10 is preferably made of a material having high thermal conductivity, for example, a metal material. By conducting heat from the base portion 8 to the support 10, heat can be radiated from the surface of the support 10, and heat dissipation is further improved. At least a part of the base holding part 11 may be made of an insulating resin material. The base holding part 11 is preferably composed of a resin material, a metal material, or a combination thereof excellent in heat resistance and heat dissipation.

半導体ランプ１が備える複数の発光ユニット３は、ランプ軸線ＡＸから等距離、かつ、ランプ軸線ＡＸの周りに等角度間隔で配置されている。本実施の形態１では、３個の発光ユニット３が１２０°間隔で配置されている。各々の発光ユニット３は、他の発光ユニット３をランプ軸線ＡＸを中心に回転移動した位置にある。各々の発光ユニット３は、隣り合う発光ユニット３をランプ軸線ＡＸを中心に１２０°回転移動した位置にある。  The plurality of light emitting units 3 included in the semiconductor lamp 1 are arranged at an equal distance from the lamp axis AX and at equal angular intervals around the lamp axis AX. In the first embodiment, three light emitting units 3 are arranged at intervals of 120 °. Each light emitting unit 3 is in a position where the other light emitting units 3 are rotationally moved around the lamp axis AX. Each light emitting unit 3 is located at a position where the adjacent light emitting units 3 are rotated by 120 ° about the lamp axis AX.

図３は、図１に示す半導体ランプ１が備える側面カバー６及びリフレクター７を示す斜視図である。図４は、図１に示す半導体ランプ１をランプ軸線ＡＸに沿う視線で見た図である。図４は、半導体ランプ１を遠位側から見た図である。  FIG. 3 is a perspective view showing the side cover 6 and the reflector 7 provided in the semiconductor lamp 1 shown in FIG. FIG. 4 is a view of the semiconductor lamp 1 shown in FIG. 1 as viewed along the lamp axis AX. FIG. 4 is a view of the semiconductor lamp 1 as seen from the distal side.

図４に示すように、側面カバー６は、周方向に隣り合う２個の発光ユニット３同士の間の開口を覆う。本実施の形態の半導体ランプ１は、発光ユニット３と同数の側面カバー６を備える。複数の発光ユニット３及び側面カバー６は、周方向に沿って交互に配置される。半導体ランプ１は、複数の発光ユニット３及び側面カバー６により囲まれるランプ内部空間を有する。ランプ内部空間は、半導体ランプ１の内側の空間である。光源基板５からランプ内部空間へ発せられた光は、側面カバー６を透過して、半導体ランプ１の外側の空間へ出射する。以下の説明では、半導体ランプ１の外側の空間を「ランプ外部空間」と呼ぶことがある。  As shown in FIG. 4, the side cover 6 covers an opening between two light emitting units 3 adjacent in the circumferential direction. The semiconductor lamp 1 of the present embodiment includes the same number of side covers 6 as the light emitting units 3. The plurality of light emitting units 3 and the side covers 6 are alternately arranged along the circumferential direction. The semiconductor lamp 1 has a lamp internal space surrounded by a plurality of light emitting units 3 and a side cover 6. The lamp internal space is a space inside the semiconductor lamp 1. The light emitted from the light source substrate 5 to the lamp internal space passes through the side cover 6 and is emitted to the space outside the semiconductor lamp 1. In the following description, the space outside the semiconductor lamp 1 may be referred to as “lamp external space”.

側面カバー６は、ランプ外部空間へ向けて凸になるように湾曲した曲面を有する。本実施の形態であれば、側面カバー６を備えたことで、ランプ内部空間へ光が出射する出射面の表面積を大きくできるので、優れた照明効率及び配光特性が得られる。  The side cover 6 has a curved surface that is curved to be convex toward the lamp external space. In the present embodiment, since the side cover 6 is provided, the surface area of the exit surface from which light is emitted to the lamp internal space can be increased, so that excellent illumination efficiency and light distribution characteristics can be obtained.

側面カバー６は、光を拡散透過させることが望ましい。側面カバー６が光を拡散透過させる場合には、側面カバー６からランプ外部空間へ放射される光は、側面カバー６の表面の法線方向に放射されるだけでなく、側面カバー６の表面からあらゆる方向へ向かって放射される。その結果、半導体ランプ１の配光特性がより良好になる。  The side cover 6 desirably diffuses and transmits light. When the side cover 6 diffuses and transmits light, the light emitted from the side cover 6 to the lamp external space is not only emitted in the normal direction of the surface of the side cover 6 but also from the surface of the side cover 6. Radiated in all directions. As a result, the light distribution characteristic of the semiconductor lamp 1 becomes better.

側面カバー６は、光拡散剤となる粒子が基材に分散された乳白色の樹脂材料で構成されてもよい。側面カバー６は、高い曇り度すなわちヘーズと、高い全光線透過率とを有することが望ましい。側面カバー６の基材は、例えば、優れた強度耐性、耐熱性、及び耐水性を有するポリカーボネート樹脂でもよい。側面カバー６の基材がポリカーボネート樹脂である場合には、側面カバー６の表面及び裏面にアクリル系樹脂のハードコート処理を施すことで、耐光性すなわち耐変色性をさらに向上してもよい。側面カバー６の基材は、その他の樹脂、例えば、アクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂などでもよい。側面カバー６の光拡散剤は、例えば、シリコーン系微粒子、アクリル系微粒子、ポリスチレン微粒子などでもよい。側面カバー６は、上記の構成に代えて、透明基材の表面にディンプル加工あるいはシボ加工のような微細な凹凸を形成したものでもよい。  The side cover 6 may be made of a milky white resin material in which particles serving as a light diffusing agent are dispersed in a base material. The side cover 6 desirably has a high haze or haze and a high total light transmittance. The base material of the side cover 6 may be, for example, a polycarbonate resin having excellent strength resistance, heat resistance, and water resistance. When the base material of the side cover 6 is a polycarbonate resin, light resistance, that is, discoloration resistance, may be further improved by subjecting the front and back surfaces of the side cover 6 to a hard coat treatment with an acrylic resin. The base material of the side cover 6 may be another resin, such as an acrylic resin or a polystyrene resin. The light diffusing agent for the side cover 6 may be, for example, silicone fine particles, acrylic fine particles, polystyrene fine particles, or the like. The side cover 6 may be one in which fine irregularities such as dimple processing or embossing are formed on the surface of the transparent substrate, instead of the above configuration.

側面カバー６は、発光ユニット３との間に隙間が生じないように取り付けられることが望ましい。本実施の形態では、側面カバー６の縁部がフィン９に接する。側面カバー６とフィン９との接触部１２にて側面カバー６がフィン９に固定されてもよい。そのようにすることで、側面カバー６をヒートシンク４によって支持できる。  It is desirable that the side cover 6 be attached so that no gap is generated between the side cover 6 and the light emitting unit 3. In the present embodiment, the edge of the side cover 6 contacts the fin 9. The side cover 6 may be fixed to the fin 9 at the contact portion 12 between the side cover 6 and the fin 9. By doing so, the side cover 6 can be supported by the heat sink 4.

本実施の形態では、ベース部８の第一面８ａ及びフィン９が、半導体ランプ１の外側に面する。換言すれば、ベース部８の第一面８ａ及びフィン９が、ランプ外部空間の方を向く。これにより、以下の効果が得られる。ベース部８の第一面８ａ及びフィン９の近くに熱気がこもらない。ベース部８の第一面８ａ及びフィン９への通気性を良好にできる。このため、対流及び輻射によるヒートシンク４の放熱効率を高くできる。その結果、半導体光源５ａの温度を低くでき、半導体光源５ａの発光効率を高くでき、半導体光源５ａの寿命を長くできる。特に、光源基板５の半導体光源５ａの搭載個数を多くした場合でも、放熱面積を十分に確保可能であるため、半導体光源５ａの温度を低くして発光効率を向上できる。よって、半導体ランプ１の大光束化への対応に有利である。  In the present embodiment, the first surface 8 a and the fin 9 of the base portion 8 face the outside of the semiconductor lamp 1. In other words, the first surface 8a of the base portion 8 and the fins 9 face the lamp external space. Thereby, the following effects are acquired. Hot air does not accumulate near the first surface 8 a of the base portion 8 and the fins 9. The air permeability to the first surface 8a of the base portion 8 and the fins 9 can be improved. For this reason, the heat dissipation efficiency of the heat sink 4 by convection and radiation can be increased. As a result, the temperature of the semiconductor light source 5a can be lowered, the luminous efficiency of the semiconductor light source 5a can be increased, and the life of the semiconductor light source 5a can be extended. In particular, even when the number of semiconductor light sources 5a mounted on the light source substrate 5 is increased, a sufficient heat radiation area can be secured, so that the light emission efficiency can be improved by lowering the temperature of the semiconductor light source 5a. Therefore, it is advantageous for dealing with the increase in the luminous flux of the semiconductor lamp 1.

図３に示すように、周方向に隣り合う２個の側面カバー６同士は、連結部１３を介して連結されている。複数の側面カバー６が連結部１３を介して連結されることで、全体として円筒形の部品が形成される。連結部１３は、側面カバー６と同じ材質であることが望ましい。側面カバー６及び連結部１３が一体形成されてもよい。側面カバー６の近位側の部分が連結部１３に連結されている。  As shown in FIG. 3, the two side covers 6 adjacent to each other in the circumferential direction are connected to each other via a connecting portion 13. By connecting the plurality of side surface covers 6 via the connecting portion 13, a cylindrical part as a whole is formed. The connecting portion 13 is preferably made of the same material as the side cover 6. The side cover 6 and the connecting portion 13 may be integrally formed. A proximal portion of the side cover 6 is connected to the connecting portion 13.

連結部１３を介して連結された複数の側面カバー６の近位端は、円形の開口を形成する。リフレクター７は、当該開口を覆うように配置される。側面カバー６の近位端がリフレクター７の外縁に固定されていてもよい。リフレクター７は、中央部分に円形開口７ａを有する。図１に示すように、口金２は、リフレクター７の円形開口７ａから近位方向へ突出する。円形開口７ａの内縁部が口金保持部１１の外周部に固定されることで、リフレクター７が支持される。  Proximal ends of the plurality of side covers 6 connected via the connecting portion 13 form a circular opening. The reflector 7 is disposed so as to cover the opening. The proximal end of the side cover 6 may be fixed to the outer edge of the reflector 7. The reflector 7 has a circular opening 7a in the central portion. As shown in FIG. 1, the base 2 projects in a proximal direction from a circular opening 7 a of the reflector 7. The reflector 7 is supported by fixing the inner edge part of the circular opening 7 a to the outer peripheral part of the base holding part 11.

図５は、実施の形態１の半導体ランプ１の断面図である。図５は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。図５では、側面カバー６を除去した状態にしている。  FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor lamp 1 of the first embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view in a plane including the lamp axis AX. In FIG. 5, the side cover 6 is removed.

図５に示すように、口金２と光源基板５との間は、配線１４を介して電気的に接続されている。口金２に印加された直流電力が配線１４により光源基板５へ供給されることで、半導体光源５ａが点灯する。配線１４は、口金２、口金保持部１１及び支持体１０の内部に形成された空洞に収納されている。本実施の形態であれば、光源基板５に給電する配線１４が外部空間に露出せずに収納されていることで、配線１４を汚れなどから確実に保護できる。光源基板５は、配線１４と接続されるコネクタ５ｂを備える。半導体ランプ１の組立時に、コネクタ５ｂにより配線１４を光源基板５に電気的に接続できるので、組立性を良好にできる。  As shown in FIG. 5, the base 2 and the light source substrate 5 are electrically connected via a wiring 14. When the DC power applied to the base 2 is supplied to the light source substrate 5 by the wiring 14, the semiconductor light source 5a is turned on. The wiring 14 is accommodated in a cavity formed in the base 2, the base holding part 11, and the support 10. According to the present embodiment, the wiring 14 that supplies power to the light source substrate 5 is accommodated without being exposed to the external space, so that the wiring 14 can be reliably protected from dirt and the like. The light source substrate 5 includes a connector 5 b connected to the wiring 14. Since the wiring 14 can be electrically connected to the light source substrate 5 by the connector 5b when the semiconductor lamp 1 is assembled, the assemblability can be improved.

上記の構成に代えて、半導体ランプ１は、口金２に印加された交流電力を直流電力に変換する電源回路（図示省略）を内蔵し、口金２からその電源回路を介して光源基板５へ給電するように構成されていてもよい。  Instead of the above configuration, the semiconductor lamp 1 has a built-in power supply circuit (not shown) that converts AC power applied to the base 2 into DC power, and feeds power from the base 2 to the light source substrate 5 via the power supply circuit. It may be configured to.

リフレクター７の、遠位方向に向く面は、光を反射させる反射面となる。リフレクター７は、光を反射させる反射部７ｂを有する。反射部７ｂは、ヒートシンク４及びベース部８の長手方向の一端側すなわち近位端側に配置されている。反射部７ｂと、ベース部８の近位端との間には、空間がある。  The surface of the reflector 7 facing in the distal direction is a reflection surface that reflects light. The reflector 7 has a reflecting portion 7b that reflects light. The reflection portion 7 b is disposed on one end side in the longitudinal direction of the heat sink 4 and the base portion 8, that is, on the proximal end side. There is a space between the reflecting portion 7 b and the proximal end of the base portion 8.

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部７ｂに到達する。図５中の光線Ｒ１は、光源基板５の半導体光源５ａから放射されて反射部７ｂに到達する光の一例である。反射部７ｂは、その光を拡散反射させる。反射部７ｂにより拡散反射された光の一部は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。図５中の光線Ｒ２は、反射部７ｂにより反射されて第一面８ａに照射される光の一例である。このようにして、反射部７ｂは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部７ｂは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部７ｂにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部７ｂは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  A part of the light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 reaches the reflecting portion 7b. A light ray R1 in FIG. 5 is an example of light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 and reaching the reflecting portion 7b. The reflection unit 7b diffuses and reflects the light. Part of the light diffusely reflected by the reflecting portion 7 b is irradiated on the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. A light ray R2 in FIG. 5 is an example of light that is reflected by the reflecting portion 7b and applied to the first surface 8a. In this way, the reflecting portion 7 b reflects a part of the light emitted from the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. The reflection part 7b in this Embodiment is an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a. A part of the light reflected by the reflecting portion 7 b is also applied to the fins 9 of the heat sink 4. Therefore, the reflection part 7b is also an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a and the fin 9. FIG.

なお、反射部７ｂにて鏡面反射した光がベース部８の第一面８ａへ照射されるように反射部７ｂの傾斜角度が適合されている構成にしてもよい。その場合には、反射部７ｂは、光を鏡面反射させるように構成されていてもよい。  In addition, you may make it the structure by which the inclination angle of the reflection part 7b was adapted so that the light which specularly reflected by the reflection part 7b was irradiated to the 1st surface 8a of the base part 8. FIG. In that case, the reflection part 7b may be comprised so that light may be specularly reflected.

図４に示すように、リフレクター７の反射面のうち、ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たときにベース部８の第一面８ａより外側になる領域が、反射部７ｂに相当する。  As shown in FIG. 4, the region of the reflecting surface of the reflector 7 that is outside the first surface 8 a of the base portion 8 when viewed with a line of sight along the lamp axis AX corresponds to the reflecting portion 7 b.

以下の説明では、本実施の形態１の半導体ランプ１からリフレクター７を除去したものを比較例の半導体ランプとする。すなわち、比較例の半導体ランプは、反射部７ｂを備えない。図６は、比較例の半導体ランプを外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。図６の横軸は、周方向の位置を示す。図６に示すように、比較例の半導体ランプにおける輝度の分布は、以下のようになる。発光ユニット３同士の間の位置においては、側面カバー６の表面から光が出射するため、輝度が高くなる。これに対し、ヒートシンク４の位置においては、光がランプ外部空間へ放射されないので、実質的に輝度がゼロとなる。このように、比較例の半導体ランプを外周側から見た場合には、周方向において大きな輝度ムラが生じる。  In the following description, a semiconductor lamp of the comparative example is obtained by removing the reflector 7 from the semiconductor lamp 1 of the first embodiment. That is, the semiconductor lamp of the comparative example does not include the reflecting portion 7b. FIG. 6 is a graph schematically showing a luminance distribution when the semiconductor lamp of the comparative example is viewed from the outer peripheral side. The horizontal axis in FIG. 6 indicates the position in the circumferential direction. As shown in FIG. 6, the luminance distribution in the semiconductor lamp of the comparative example is as follows. Since the light is emitted from the surface of the side cover 6 at the position between the light emitting units 3, the luminance is increased. On the other hand, at the position of the heat sink 4, no light is emitted to the lamp external space, so that the luminance is substantially zero. Thus, when the semiconductor lamp of the comparative example is viewed from the outer peripheral side, large luminance unevenness occurs in the circumferential direction.

図７は、実施の形態１の半導体ランプ１を外周側から見たときの輝度の分布を模式的に示すグラフである。図７の横軸は、周方向の位置を示す。図７に示すように、実施の形態１の半導体ランプ１における輝度の分布は、以下のようになる。発光ユニット３同士の間の位置においては、側面カバー６の表面から光が出射するため、輝度が高くなる。ヒートシンク４の位置においては、反射部７ｂにより反射された光でベース部８の第一面８ａが照らされることで、比較例よりも輝度が高くなる。このように、実施の形態１の半導体ランプ１によれば、比較例に比べて、周方向における輝度ムラを軽減できる。  FIG. 7 is a graph schematically showing a luminance distribution when the semiconductor lamp 1 of the first embodiment is viewed from the outer peripheral side. The horizontal axis in FIG. 7 indicates the position in the circumferential direction. As shown in FIG. 7, the luminance distribution in the semiconductor lamp 1 of the first embodiment is as follows. Since the light is emitted from the surface of the side cover 6 at the position between the light emitting units 3, the luminance is increased. At the position of the heat sink 4, the first surface 8 a of the base portion 8 is illuminated with the light reflected by the reflecting portion 7 b, so that the luminance is higher than that of the comparative example. Thus, according to the semiconductor lamp 1 of Embodiment 1, the brightness nonuniformity in the circumferential direction can be reduced as compared with the comparative example.

リフレクター７の材質は、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂のような樹脂材料でもよいし、アルミニウムまたはその合金、ステンレス鋼のような金属材料でもよいし、樹脂材料と金属材料との組み合わせでもよい。リフレクター７の表面に高反射白色塗装が施されてもよい。リフレクター７は、例えば蒸着によって形成された金属の反射膜を備えたものでもよい。  The material of the reflector 7 may be, for example, a resin material such as a polycarbonate resin or an acrylic resin, a metal material such as aluminum or an alloy thereof, stainless steel, or a combination of a resin material and a metal material. A highly reflective white coating may be applied to the surface of the reflector 7. The reflector 7 may include a metal reflective film formed by vapor deposition, for example.

ベース部８の第一面８ａ及びフィン９の表面特性は、光拡散性及び高反射性を有することが望ましい。例えば、それらの表面に、高反射白色塗装が施されてもよい。これらの構成によれば、半導体ランプ１の周囲への光の拡散を向上でき、さらに広配光化が図れる。ベース部８の第二面８ｂ、支持体１０、及び口金保持部１１の表面特性についても、上記と同様にすることが望ましい。  The surface characteristics of the first surface 8a of the base portion 8 and the fins 9 are desirably light diffusive and highly reflective. For example, highly reflective white paint may be given to those surfaces. According to these configurations, the diffusion of light around the semiconductor lamp 1 can be improved, and a wider light distribution can be achieved. The surface characteristics of the second surface 8b of the base portion 8, the support body 10, and the base holding portion 11 are desirably the same as described above.

半導体ランプ１において、側面カバー６及びリフレクター７を固定する方法は、特に限定されず、例えば、凹部と凸部との嵌合、差し込み、スライド、ネジ止め、接着、溶接、またはこれらのうちの二以上の組み合わせ、などの方法でもよい。  The method of fixing the side cover 6 and the reflector 7 in the semiconductor lamp 1 is not particularly limited. For example, fitting, insertion, sliding, screwing, adhesion, welding, or two of these is possible. A combination of the above may be used.

本実施の形態であれば、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光を反射部７ｂが反射させることでヒートシンク４のベース部８の第一面８ａを照らすことができる。このため、ベース部８の第二面８ｂに設置された光源基板５以外の別途の光源を設ける必要がないという利点がある。  In the present embodiment, the light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 is reflected by the reflecting portion 7b so that the first surface 8a of the base portion 8 of the heat sink 4 can be illuminated. For this reason, there is an advantage that it is not necessary to provide a separate light source other than the light source substrate 5 installed on the second surface 8 b of the base portion 8.

本実施の形態では、反射部７ｂは、ヒートシンク４のベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に反射部７ｂが配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を反射部７ｂが遮らないようにできる。  In the present embodiment, the reflecting portion 7 b is located between the base 2 and the base portion 8 with respect to the longitudinal position of the base portion 8 of the heat sink 4. By disposing the reflection portion 7b at such a position, it is possible to prevent the reflection portion 7b from blocking the light emitted to the lamp external space.

本実施の形態における反射部７ｂは、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。本発明における照明部は、反射部７ｂのように、他の光源から発せられた光を反射させることで第一面８ａを照らすものでもよいし、あるいは、自ら光を放つことで第一面８ａを照らすものでもよい。自ら光を放つ照明部の例については、実施の形態８にて説明する。  The reflection part 7b in this Embodiment is an example of the illumination part which illuminates the 1st surface 8a from the end of the longitudinal direction of the base part 8, ie, a proximal end. In this way, by configuring the illuminating unit to illuminate the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base unit 8, the illuminating unit can be prevented from blocking light emitted to the lamp external space. The illuminating unit in the present invention may illuminate the first surface 8a by reflecting light emitted from another light source, like the reflecting unit 7b, or may emit the light itself to illuminate the first surface 8a. It may illuminate. An example of an illumination unit that emits light itself will be described in Embodiment 8.

図５に示すように、ランプ軸線ＡＸから反射部７ｂの外縁までの最大距離をＬ１とし、ランプ軸線ＡＸからフィン９の末端までの最大距離をＬ２とする。図５に示す例では、Ｌ１＞Ｌ２となっている。Ｌ１≧Ｌ２であれば、反射部７ｂからヒートシンク４に照射される光量がより多くなり、ヒートシンク４をより明るく照らすことが可能となる。図示の構成に代えて、Ｌ１＜Ｌ２となるように構成してもよい。Ｌ１＜Ｌ２の場合には、リフレクター７の外縁と側面カバー６の近位端部との間に形成される開口を空気が通過可能になるので、放熱性がより良好になり、半導体光源５ａの温度をさらに低くできる。  As shown in FIG. 5, the maximum distance from the lamp axis AX to the outer edge of the reflecting portion 7b is L1, and the maximum distance from the lamp axis AX to the end of the fin 9 is L2. In the example shown in FIG. 5, L1> L2. If L1 ≧ L2, the amount of light emitted from the reflecting portion 7b to the heat sink 4 increases, and the heat sink 4 can be illuminated more brightly. Instead of the illustrated configuration, L1 <L2 may be configured. In the case of L1 <L2, air can pass through the opening formed between the outer edge of the reflector 7 and the proximal end portion of the side cover 6, so that the heat dissipation becomes better and the semiconductor light source 5a The temperature can be further lowered.

口金２の近位端とリフレクター７との間の最短距離をＬ３とする。照明器具のグローブに半導体ランプ１を入れて使用する場合には、当該グローブとリフレクター７とが接触することのないように、Ｌ３の寸法が設定されればよい。  The shortest distance between the proximal end of the base 2 and the reflector 7 is L3. When using the semiconductor lamp 1 in a glove of a lighting fixture, the dimension of L3 may be set so that the glove and the reflector 7 do not come into contact with each other.

発光ユニット３は、光源基板５の半導体光源５ａ側の面を覆う光源カバー（図示省略）をさらに備えてもよい。当該光源カバーは、光を正透過させることが望ましい。当該光源カバーは、光源基板５の全体を覆うようにして、ベース部８の第二面８ｂに対して取り付けられてもよい。すなわち、当該光源カバー及びベース部８で囲まれる閉空間に光源基板５が収納されてもよい。当該光源カバーは、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂などの樹脂材料で構成されてもよい。当該光源カバーの表面にハードコート処理が施されてもよい。当該光源カバーは、防水性を有してもよい。当該光源カバーとベース部８との接合部に、防水性を有するシール材または接着剤（図示省略）が備えられてもよい。当該シール材または接着剤は、例えば、軟性樹脂材料、シリコーン系などのシーリング材料、ゴム系材料などで構成されてもよい。当該光源カバーを設けることで、光源基板５を汚れあるいは水などから確実に保護することができ、半導体光源５ａの劣化あるいは故障を確実に抑制できる。  The light emitting unit 3 may further include a light source cover (not shown) that covers the surface of the light source substrate 5 on the semiconductor light source 5a side. It is desirable that the light source cover transmits light normally. The light source cover may be attached to the second surface 8 b of the base portion 8 so as to cover the entire light source substrate 5. That is, the light source substrate 5 may be stored in a closed space surrounded by the light source cover and the base portion 8. The light source cover may be made of a resin material such as polycarbonate resin, acrylic resin, or polystyrene resin. The surface of the light source cover may be subjected to a hard coat process. The light source cover may be waterproof. A waterproof sealing material or adhesive (not shown) may be provided at the joint between the light source cover and the base portion 8. The sealing material or adhesive may be made of, for example, a soft resin material, a sealing material such as silicone, or a rubber material. By providing the light source cover, the light source substrate 5 can be reliably protected from dirt or water, and the deterioration or failure of the semiconductor light source 5a can be reliably suppressed.

本実施の形態では、半導体ランプ１は、その外径がランプ軸線ＡＸに沿ってほぼ一定になる形状を有する。半導体ランプ１の形状は、このような形状に限定されない。例えば、ランプ軸線ＡＸの中央部分において半導体ランプ１の外径が最大になり、その中央部分から遠位方向及び近位方向にむかって半導体ランプ１の外径が漸減する形状にしてもよい。  In the present embodiment, the semiconductor lamp 1 has a shape in which the outer diameter is substantially constant along the lamp axis AX. The shape of the semiconductor lamp 1 is not limited to such a shape. For example, the outer diameter of the semiconductor lamp 1 may be maximized at the central portion of the lamp axis AX, and the outer diameter of the semiconductor lamp 1 may gradually decrease from the central portion in the distal direction and the proximal direction.

光源基板５の半導体光源５ａから、反射部７ｂ以外の部分のリフレクター７に到達した光は、ランプ内部空間へ向けて反射される。そのようにしてランプ内部空間へ向けて反射された光が、側面カバー６を透過してランプ外部空間へ出射することで、光量を増加させることができる。  The light that has reached the reflector 7 in the portion other than the reflection portion 7b from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 is reflected toward the lamp internal space. The light reflected in this way toward the lamp inner space passes through the side cover 6 and is emitted to the lamp outer space, whereby the amount of light can be increased.

本実施の形態では、発光ユニット３を複数組み合わせることで、半導体ランプ１の主要部を組み立てることが可能である。このため、半導体ランプ１は、組立性に優れており、製造コストの低減に有利である。また、発光ユニット３の搭載個数を変えることで、光束クラスの異なるランプを容易に製造できる。  In the present embodiment, the main part of the semiconductor lamp 1 can be assembled by combining a plurality of light emitting units 3. For this reason, the semiconductor lamp 1 is excellent in assemblability and is advantageous in reducing the manufacturing cost. Further, by changing the number of the light emitting units 3 mounted, lamps having different luminous flux classes can be easily manufactured.

側面カバー６に代えて、各々の発光ユニット３が個別の透光性カバーを備えるように構成してもよい。その場合には、当該透光性カバーは、発光ユニット３の長手方向に平行な中心軸を有する筒状の形状を有し、光を拡散透過させるものであることが望ましい。  Instead of the side cover 6, each light emitting unit 3 may be provided with an individual translucent cover. In that case, it is desirable that the translucent cover has a cylindrical shape having a central axis parallel to the longitudinal direction of the light emitting unit 3 and diffuses and transmits light.

本実施の形態では、半導体ランプ１が備える発光ユニット３の数が三個の例を説明した。このような構成に限らず、本発明の半導体ランプが備える発光ユニット３の数は、一個でも、二個でも、四個またはそれ以上でもよい。複数の発光ユニット３が備えられる場合には、それらの発光ユニット３は、ランプ軸線ＡＸから等距離、かつ、ランプ軸線ＡＸの周りに等角度間隔で配置されることが望ましい。半導体ランプが三個またはそれ以上の発光ユニット３を備える場合には、周方向における配光ムラ及び輝度ムラを小さくする上で特に有利になる。  In the present embodiment, the example in which the number of the light emitting units 3 included in the semiconductor lamp 1 is three has been described. The number of the light emitting units 3 provided in the semiconductor lamp of the present invention is not limited to such a configuration, and may be one, two, four or more. When a plurality of light emitting units 3 are provided, it is desirable that the light emitting units 3 are arranged at an equal distance from the lamp axis AX and at equal angular intervals around the lamp axis AX. When the semiconductor lamp is provided with three or more light emitting units 3, it is particularly advantageous for reducing uneven light distribution and uneven brightness in the circumferential direction.

半導体ランプが発光ユニット３を一個のみ備える場合でも、ベース部８の第一面８ａを照らす照明手段を備えることで、ベース部８の第一面８ａ側の輝度の低下を軽減でき、周方向の輝度ムラを小さくできる。  Even in the case where the semiconductor lamp includes only one light emitting unit 3, by providing the illumination means for illuminating the first surface 8a of the base portion 8, it is possible to reduce a decrease in luminance on the first surface 8a side of the base portion 8, and to reduce the circumferential direction. Uneven brightness can be reduced.

実施の形態２．
次に、図８を参照して、実施の形態２について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 2. FIG.
Next, the second embodiment will be described with reference to FIG. 8. The difference from the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. Is used to simplify or omit redundant descriptions.

図８は、実施の形態２による半導体ランプ１５を示す斜視図である。半導体ランプ１５は、実施の形態１の半導体ランプ１と同じ構成に加えて、リフレクター１６をさらに備える。リフレクター１６の材質は、リフレクター７と同一または類似である。リフレクター１６は、半導体ランプ１の遠位端に配置されている。リフレクター１６の形状は、ランプ軸線ＡＸを中心とする円形である。リフレクター１６は、側面カバー６の遠位端によって囲まれる開口を覆う。  FIG. 8 is a perspective view showing a semiconductor lamp 15 according to the second embodiment. In addition to the same configuration as the semiconductor lamp 1 of the first embodiment, the semiconductor lamp 15 further includes a reflector 16. The material of the reflector 16 is the same as or similar to that of the reflector 7. The reflector 16 is disposed at the distal end of the semiconductor lamp 1. The shape of the reflector 16 is a circle centered on the lamp axis AX. The reflector 16 covers the opening surrounded by the distal end of the side cover 6.

リフレクター１６の、近位方向に向く面は、光を反射させる反射面となる。リフレクター１６は、光を反射させる反射部１６ａを有する。リフレクター１６の反射面のうち、ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たときにベース部８の第一面８ａより外側になる領域が、反射部１６ａに相当する。反射部１６ａは、ヒートシンク４及びベース部８の長手方向の他端側すなわち遠位端側に配置されている。反射部１６ａと、ベース部８の遠位端との間には、空間がある。  The surface of the reflector 16 that faces in the proximal direction is a reflection surface that reflects light. The reflector 16 has a reflecting portion 16a that reflects light. Of the reflecting surface of the reflector 16, a region that is outside the first surface 8a of the base portion 8 when viewed with a line of sight along the lamp axis AX corresponds to the reflecting portion 16a. The reflecting portion 16a is disposed on the other end side in the longitudinal direction of the heat sink 4 and the base portion 8, that is, on the distal end side. There is a space between the reflecting portion 16 a and the distal end of the base portion 8.

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部１６ａに到達する。反射部１６ａは、その光を拡散反射させる。反射部１６ａにより拡散反射された光の一部は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部１６ａは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部１６ａは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部１６ａにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部１６ａは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  A part of the light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 reaches the reflecting portion 16a. The reflection part 16a diffuses and reflects the light. A part of the light diffusely reflected by the reflecting portion 16 a is irradiated on the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. In this way, the reflecting portion 16 a reflects a part of the light emitted from the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. The reflection part 16a in this Embodiment is an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a. A part of the light reflected by the reflecting portion 16 a is also applied to the fins 9 of the heat sink 4. Therefore, the reflection part 16a is also an example of the illumination means for illuminating the first surface 8a and the fins 9.

本実施の形態であれば、ベース部８の第一面８ａは、反射部７ｂ及び反射部１６ａの双方から照らされる。このため、実施の形態１に比べて、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをさらに軽減できる。  In the present embodiment, the first surface 8a of the base portion 8 is illuminated from both the reflection portion 7b and the reflection portion 16a. For this reason, compared with Embodiment 1, the heat sink 4 can be illuminated more brightly, and the brightness nonuniformity in the circumferential direction can be further reduced.

実施の形態１で説明したように、反射部７ｂは、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす第一照明部の例である。本実施の形態の反射部１６ａは、ベース部８の長手方向の他端すなわち遠位端から第一面８ａを照らす第二照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の両端から第一面８ａを照らすように照明部を備えたことで、以下の効果が得られる。ランプ外部空間へ放射される光をこれらの照明部が遮らないようにし、かつ、ヒートシンク４をより明るく照らすことができる。  As described in the first embodiment, the reflection portion 7b is an example of a first illumination portion that illuminates the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base portion 8, that is, the proximal end. The reflection part 16a of this Embodiment is an example of the 2nd illumination part which illuminates the 1st surface 8a from the other end of the longitudinal direction of the base part 8, ie, a distal end. Thus, the following effects are acquired by providing the illumination part so that the 1st surface 8a may be illuminated from the longitudinal direction both ends of the base part 8. FIG. It is possible to prevent the light emitted from the lamp outside space from being blocked by these illuminating units, and to illuminate the heat sink 4 more brightly.

光源基板５の半導体光源５ａから、反射部１６ａ以外の部分のリフレクター１６に到達した光は、ランプ内部空間へ向けて反射される。そのようにしてランプ内部空間へ向けて反射された光が、側面カバー６を透過してランプ外部空間へ出射することで、光量を増加させることができる。  The light that has reached the reflector 16 in a portion other than the reflecting portion 16a from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 is reflected toward the lamp internal space. The light reflected in this way toward the lamp inner space passes through the side cover 6 and is emitted to the lamp outer space, whereby the amount of light can be increased.

実施の形態３．
次に、図９を参照して、実施の形態３について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 3 FIG.
Next, the third embodiment will be described with reference to FIG. 9. The difference from the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. Is used to simplify or omit redundant descriptions.

図９は、実施の形態３による半導体ランプ１７を示す断面図である。図９は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。半導体ランプ１７は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えてリフレクター１８を備える点で異なる。リフレクター１８は、リフレクター７と比べて、形状が異なる。リフレクター１８の材質は、リフレクター７と同一または類似である。  FIG. 9 is a sectional view showing a semiconductor lamp 17 according to the third embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view in a plane including the lamp axis AX. The semiconductor lamp 17 is different from the semiconductor lamp 1 of the first embodiment in that a reflector 18 is provided instead of the reflector 7. The shape of the reflector 18 is different from that of the reflector 7. The material of the reflector 18 is the same as or similar to that of the reflector 7.

リフレクター１８は、光を反射させる反射部１８ａを有する。リフレクター１８は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜した部分を有する。その傾斜した部分は、半径方向外方へ向かって遠位方向へ移行するように傾斜している。反射部１８ａは、この傾斜した部分にある。  The reflector 18 has a reflecting portion 18a that reflects light. The reflector 18 has a portion inclined with respect to a plane perpendicular to the lamp axis AX. The sloped portion is sloped to transition distally radially outward. The reflection part 18a exists in this inclined part.

リフレクター１８は、上記傾斜した部分に比べてランプ軸線ＡＸに近い部分である内周部分１８ｂを有する。内周部分１８ｂは、口金保持部１１の外周を環状に取り囲む。内周部分１８ｂは、ランプ軸線ＡＸに対して垂直な板状である。  The reflector 18 has an inner peripheral portion 18b that is a portion closer to the lamp axis AX than the inclined portion. The inner peripheral portion 18b surrounds the outer periphery of the base holding portion 11 in an annular shape. The inner peripheral portion 18b has a plate shape perpendicular to the lamp axis AX.

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部１８ａに到達する。図９中の光線Ｒ３は、光源基板５の半導体光源５ａから放射されて反射部１８ａに到達する光の一例である。反射部１８ａは、その光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部１８ａにより反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。図９中の光線Ｒ４は、反射部１８ａにより反射されて第一面８ａに照射される光の一例である。このようにして、反射部１８ａは、光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部を、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部１８ａは、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部１８ａにより反射された光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、反射部１８ａは、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  A part of the light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 reaches the reflecting portion 18a. A light ray R3 in FIG. 9 is an example of light emitted from the semiconductor light source 5a of the light source substrate 5 and reaching the reflecting portion 18a. The reflection unit 18a diffuses or specularly reflects the light. The light reflected by the reflecting portion 18 a is applied to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. A light ray R4 in FIG. 9 is an example of light that is reflected by the reflecting portion 18a and applied to the first surface 8a. In this way, the reflecting portion 18 a reflects a part of the light emitted from the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. The reflection part 18a in this Embodiment is an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a. A part of the light reflected by the reflecting portion 18 a is also applied to the fins 9 of the heat sink 4. Therefore, the reflection portion 18a is also an example of an illumination unit that illuminates the first surface 8a and the fins 9.

本実施の形態であれば、実施の形態１の効果に加えて、リフレクター１８を上記の形状にしたことで、さらに以下の効果が得られる。光源基板５からの光を反射部１８ａがより効率良く反射させることができる。このため、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをより小さくできる。照明器具のグローブに半導体ランプ１７を入れて使用する場合に、当該グローブとリフレクター１８とが接触しにくくなる。  If it is this Embodiment, in addition to the effect of Embodiment 1, the following effects are further acquired by making the reflector 18 into said shape. The reflection part 18a can reflect the light from the light source substrate 5 more efficiently. For this reason, the heat sink 4 can be illuminated more brightly, and luminance unevenness in the circumferential direction can be further reduced. When the semiconductor lamp 17 is used in a glove of a lighting fixture, the glove and the reflector 18 are difficult to contact.

実施の形態４．
次に、図１０を参照して、実施の形態４について説明するが、前述した実施の形態との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 4 FIG.
Next, the fourth embodiment will be described with reference to FIG. 10. The difference from the above-described embodiment will be mainly described, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. In addition, the overlapping description is simplified or omitted.

図１０は、実施の形態４による半導体ランプ２０を示す斜視図である。図１０に示す半導体ランプ２０は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えてリフレクター２１を備える点で異なる。リフレクター２１は、実施の形態３のリフレクター１８に類似した構成を有する。リフレクター２１は、リフレクター１８のうちの内周部分１８ｂを除去したものに相当する。  FIG. 10 is a perspective view showing a semiconductor lamp 20 according to the fourth embodiment. The semiconductor lamp 20 shown in FIG. 10 differs from the semiconductor lamp 1 of the first embodiment in that a reflector 21 is provided instead of the reflector 7. The reflector 21 has a configuration similar to the reflector 18 of the third embodiment. The reflector 21 corresponds to the reflector 18 from which the inner peripheral portion 18b is removed.

半導体ランプ２０は、光を透過させる端面カバー２２を備える。端面カバー２２は、上記除去された内周部分１８ｂを塞ぐように配置される。端面カバー２２は、口金保持部１１の外周を環状に取り囲む。端面カバー２２は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直な板状である。端面カバー２２は、光源基板５からの光を、ベース部８の長手方向へ向かって透過させる。端面カバー２２は、光源基板５からの光を、近位方向へ透過させる。端面カバー２２は、光を拡散透過させることが望ましい。端面カバー２２の材質は、側面カバー６と同一または類似の材質とすることができる。本実施の形態であれば、端面カバー２２を備えたことで、近位方向にも良好に配光できる。  The semiconductor lamp 20 includes an end surface cover 22 that transmits light. The end surface cover 22 is disposed so as to block the removed inner peripheral portion 18b. The end surface cover 22 surrounds the outer periphery of the base holding part 11 in an annular shape. The end surface cover 22 has a plate shape perpendicular to the lamp axis AX. The end surface cover 22 transmits light from the light source substrate 5 toward the longitudinal direction of the base portion 8. The end surface cover 22 transmits light from the light source substrate 5 in the proximal direction. The end surface cover 22 desirably diffuses and transmits light. The material of the end surface cover 22 can be the same as or similar to that of the side surface cover 6. In the present embodiment, the end surface cover 22 is provided, so that light can be distributed well in the proximal direction.

リフレクター２１は、複数の反射部２１ａを備える。各々の発光ユニット３に対して反射部２１ａが設けられている。反射部２１ａの構成及び機能は、実施の形態３における反射部１８ａと同じである。反射部２１ａは、端面カバー２２に隣接する。端面カバー２２に対して半径方向外方に反射部２１ａが位置する。本実施の形態であれば、反射部２１ａが端面カバー２２に隣接するように構成したことで、反射部２１ａ及び端面カバー２２を小さいスペースに設けることが可能となる。  The reflector 21 includes a plurality of reflecting portions 21a. A reflecting portion 21 a is provided for each light emitting unit 3. The configuration and function of the reflecting portion 21a are the same as those of the reflecting portion 18a in the third embodiment. The reflection portion 21 a is adjacent to the end surface cover 22. The reflecting portion 21 a is located radially outward with respect to the end surface cover 22. According to the present embodiment, since the reflecting portion 21a is configured to be adjacent to the end surface cover 22, the reflecting portion 21a and the end surface cover 22 can be provided in a small space.

本実施の形態では、半導体ランプ２０の近位端側に端面カバー２２を配置する例を説明した。このような構成に限らず、半導体ランプ２０の遠位端側にも端面カバーを備えてもよい。光源基板５からの光を、遠位端側の端面カバーから、ベース部８の長手方向へ向かって透過させることで、遠位方向にも良好に配光できる。  In the present embodiment, the example in which the end surface cover 22 is disposed on the proximal end side of the semiconductor lamp 20 has been described. Not only such a configuration but also an end face cover may be provided on the distal end side of the semiconductor lamp 20. By transmitting the light from the light source substrate 5 toward the longitudinal direction of the base portion 8 from the end face cover on the distal end side, the light can be distributed well in the distal direction.

実施の形態５．
次に、図１１を参照して、実施の形態５について説明するが、前述した実施の形態との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 5 FIG.
Next, the fifth embodiment will be described with reference to FIG. 11. The difference from the above-described embodiment will be mainly described, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. In addition, the overlapping description is simplified or omitted.

図１１は、実施の形態５による半導体ランプ２３を示す斜視図である。半導体ランプ２３は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えて、複数のリフレクター２４を備える点で異なる。各々のリフレクター２４は、各々の発光ユニット３に対して設けられている。近位端側から半導体ランプ２３を見たとき、複数のリフレクター２４は、中央部分から複数の発光ユニット３の方向へ放射状に突出する。複数のリフレクター２４は、実施の形態３のリフレクター１８を部分的に切り取ったものに相当する。リフレクター２４は、反射部２４ａを備える。反射部２４ａの構成及び機能は、実施の形態３における反射部１８ａと同じである。  FIG. 11 is a perspective view showing a semiconductor lamp 23 according to the fifth embodiment. The semiconductor lamp 23 differs from the semiconductor lamp 1 of the first embodiment in that a plurality of reflectors 24 are provided instead of the reflector 7. Each reflector 24 is provided for each light emitting unit 3. When the semiconductor lamp 23 is viewed from the proximal end side, the plurality of reflectors 24 project radially from the central portion toward the plurality of light emitting units 3. The plurality of reflectors 24 corresponds to a part of the reflector 18 according to the third embodiment cut out. The reflector 24 includes a reflecting portion 24a. The configuration and function of the reflection unit 24a are the same as those of the reflection unit 18a in the third embodiment.

周方向に隣り合う２個のリフレクター２４同士の間に、開口２５が形成される。開口２５は、リフレクター２４の縁部と側面カバー６の近位端とで囲まれて形成される。ランプ内部空間からランプ外部空間へ、またはその逆へ、開口２５を通って空気が通過可能である。これにより、ランプ内部空間に熱気がこもることを防止できるので、半導体光源５ａの温度をより低くでき、半導体光源５ａの発光効率をより高くでき、半導体光源５ａの寿命をより長くできる。  An opening 25 is formed between the two reflectors 24 adjacent in the circumferential direction. The opening 25 is formed by being surrounded by the edge of the reflector 24 and the proximal end of the side cover 6. Air can pass through the opening 25 from the lamp interior space to the lamp exterior space or vice versa. Thereby, since it is possible to prevent hot air from being trapped in the lamp internal space, the temperature of the semiconductor light source 5a can be lowered, the luminous efficiency of the semiconductor light source 5a can be further increased, and the life of the semiconductor light source 5a can be extended.

実施の形態６．
次に、図１２を参照して、実施の形態６について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 6 FIG.
Next, the sixth embodiment will be described with reference to FIG. 12. The difference from the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. Is used to simplify or omit redundant descriptions.

図１２は、実施の形態６による半導体ランプ２６を示す斜視図である。半導体ランプ２６は、実施の形態１の半導体ランプ１の構成に加えて、反射部２７及び２８をさらに備える。反射部２７及び２８は、側面カバー６と一体的に形成されている。反射部２７及び２８は、側面カバー６に隣接する。側面カバー６の内面及び外面は、反射部２７及び２８の内面及び外面に連続する。  FIG. 12 is a perspective view showing a semiconductor lamp 26 according to the sixth embodiment. The semiconductor lamp 26 further includes reflecting portions 27 and 28 in addition to the configuration of the semiconductor lamp 1 of the first embodiment. The reflecting portions 27 and 28 are formed integrally with the side cover 6. The reflecting portions 27 and 28 are adjacent to the side cover 6. The inner and outer surfaces of the side cover 6 are continuous with the inner and outer surfaces of the reflecting portions 27 and 28.

反射部２７は、ベース部８の長手方向の中央部分において第一面８ａと対向する。ヒートシンク４は、フィン９が切り欠かれた切欠き部２９を有する。切欠き部２９は、反射部２７と対向する位置のフィン９が切り欠かれた領域である。  The reflecting portion 27 faces the first surface 8 a at the center portion in the longitudinal direction of the base portion 8. The heat sink 4 has a notch 29 in which the fin 9 is notched. The notch 29 is an area where the fin 9 at a position facing the reflecting portion 27 is notched.

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、切欠き部２９を通って反射部２７の内面に到達する。反射部２７は、その光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部２７により反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部２７は、光源基板５からの光を、ベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部２７は、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部２７により反射された光の一部は、フィン９にも照射される。よって、反射部２７は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  A part of the light emitted from the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 reaches the inner surface of the reflecting portion 27 through the notch portion 29. The reflector 27 diffuses or specularly reflects the light. The light reflected by the reflecting portion 27 is applied to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. In this way, the reflection unit 27 reflects the light from the light source substrate 5 to the first surface 8 a of the base unit 8. The reflection part 27 in this Embodiment is an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a. A part of the light reflected by the reflecting portion 27 is also applied to the fin 9. Therefore, the reflection unit 27 is also an example of an illumination unit that illuminates the first surface 8 a and the fins 9.

本実施の形態における反射部２７は、ベース部８の長手方向の中央部分から第一面８ａを照らす中央照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の中央部分から中央照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ベース部８の長手方向の中央部分及びその近くをより明るく照らすことが可能となる。  The reflection portion 27 in the present embodiment is an example of a central illumination portion that illuminates the first surface 8 a from the central portion in the longitudinal direction of the base portion 8. In this way, by configuring the central illumination unit to illuminate the first surface 8a from the longitudinal central portion of the base portion 8, it is possible to illuminate the longitudinal central portion of the base portion 8 and its vicinity more brightly. It becomes.

反射部２７は、一部の光を反射させ、残りの光を透過させてもよい。すなわち、光源基板５から切欠き部２９を通って反射部２７の内面に到達した光の一部は、反射部２７を透過してランプ外部空間へ出射してもよい。  The reflection unit 27 may reflect a part of the light and transmit the remaining light. That is, a part of the light that has reached the inner surface of the reflecting portion 27 from the light source substrate 5 through the notch 29 may pass through the reflecting portion 27 and be emitted to the lamp external space.

半導体ランプ２６では、ヒートシンク４の近位端とリフレクター７との距離が実施の形態１に比べて大きい。反射部２８は、ヒートシンク４の近位端と、リフレクター７の外縁との間にある。  In the semiconductor lamp 26, the distance between the proximal end of the heat sink 4 and the reflector 7 is larger than that in the first embodiment. The reflector 28 is between the proximal end of the heat sink 4 and the outer edge of the reflector 7.

光源基板５の半導体光源５ａから発せられた光の一部は、反射部２８の内面に到達する。光源基板５からの光が、直接、反射部２８の内面に到達してもよい。光源基板５からの光が、リフレクター７で反射した後に反射部２８の内面に到達してもよい。反射部２８は、それらの光を拡散反射または鏡面反射させる。反射部２８により反射された光は、ヒートシンク４のベース部８の第一面８ａに照射される。このようにして、反射部２８は、光源基板５からの光を、ベース部８の第一面８ａへ反射させる。本実施の形態における反射部２８は、第一面８ａを照らす照明手段の例である。反射部２８により反射された光の一部は、フィン９にも照射される。よって、反射部２８は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  A part of the light emitted from the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 reaches the inner surface of the reflecting portion 28. The light from the light source substrate 5 may directly reach the inner surface of the reflection unit 28. The light from the light source substrate 5 may reach the inner surface of the reflecting portion 28 after being reflected by the reflector 7. The reflector 28 diffuses or specularly reflects the light. The light reflected by the reflecting portion 28 is applied to the first surface 8 a of the base portion 8 of the heat sink 4. In this way, the reflection unit 28 reflects the light from the light source substrate 5 to the first surface 8 a of the base unit 8. The reflection part 28 in this Embodiment is an example of the illumination means to illuminate the 1st surface 8a. A part of the light reflected by the reflection unit 28 is also applied to the fin 9. Therefore, the reflection part 28 is also an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a and the fin 9. FIG.

本実施の形態では、反射部２８は、ベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に反射部２８が配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を反射部２８が遮らないようにできる。  In the present embodiment, the reflecting portion 28 is located between the base 2 and the base portion 8 with respect to the longitudinal position of the base portion 8. By disposing the reflection portion 28 at such a position, it is possible to prevent the reflection portion 28 from blocking the light emitted to the lamp external space.

本実施の形態における反射部２８は、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。反射部２８は、一部の光を反射させ、残りの光を透過させてもよい。すなわち、光源基板５から反射部２８の内面に到達した光の一部は、反射部２８を透過してランプ外部空間へ出射してもよい。  The reflection portion 28 in the present embodiment is an example of an illumination portion that illuminates the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base portion 8, that is, the proximal end. In this way, by configuring the illuminating unit to illuminate the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base unit 8, the illuminating unit can be prevented from blocking light emitted to the lamp external space. The reflection unit 28 may reflect part of the light and transmit the remaining light. That is, a part of the light that has reached the inner surface of the reflecting portion 28 from the light source substrate 5 may pass through the reflecting portion 28 and be emitted to the lamp external space.

本実施の形態であれば、反射部２７及び２８を側面カバー６と一体的に形成したことで、部品点数を増やすことなく、周方向の輝度ムラをさらに小さくすることが可能となる。  In the present embodiment, since the reflection portions 27 and 28 are formed integrally with the side cover 6, the luminance unevenness in the circumferential direction can be further reduced without increasing the number of components.

実施の形態７．
次に、図１３を参照して、実施の形態７について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 7 FIG.
Next, the seventh embodiment will be described with reference to FIG. 13. The description will focus on the differences from the first embodiment described above, and the same or corresponding elements as those described above are denoted by the same reference numerals. Is used to simplify or omit redundant descriptions.

図１３は、実施の形態７による半導体ランプ３０の一部を示す斜視図である。半導体ランプ３０の光源基板５は、半導体光源５ａに加えて、少なくとも一つの第二半導体光源５ｃをさらに備える。光源基板５へ供給された直流電力により第二半導体光源５ｃが点灯する。半導体光源５ａは、第一半導体光源に相当する。半導体光源５ａの光軸方向は、ランプ軸線ＡＸに対して垂直である。半導体光源５ａの光軸方向は、ベース部８の第二面８ｂに対して垂直である。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、半導体光源５ａの光軸方向とは異なる方向である。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、ランプ軸線ＡＸに垂直な平面に対して傾斜している。第二半導体光源５ｃの光軸方向は、リフレクター７の反射部７ｂに近づくように延びる。第二半導体光源５ｃは、リフレクター７の反射部７ｂに向かって光を放射する。  FIG. 13 is a perspective view showing a part of the semiconductor lamp 30 according to the seventh embodiment. The light source substrate 5 of the semiconductor lamp 30 further includes at least one second semiconductor light source 5c in addition to the semiconductor light source 5a. The second semiconductor light source 5c is turned on by the DC power supplied to the light source substrate 5. The semiconductor light source 5a corresponds to a first semiconductor light source. The optical axis direction of the semiconductor light source 5a is perpendicular to the lamp axis AX. The optical axis direction of the semiconductor light source 5 a is perpendicular to the second surface 8 b of the base portion 8. The optical axis direction of the second semiconductor light source 5c is different from the optical axis direction of the semiconductor light source 5a. The optical axis direction of the second semiconductor light source 5c is inclined with respect to a plane perpendicular to the lamp axis AX. The optical axis direction of the second semiconductor light source 5 c extends so as to approach the reflecting portion 7 b of the reflector 7. The second semiconductor light source 5 c emits light toward the reflecting portion 7 b of the reflector 7.

本実施の形態であれば、第二半導体光源５ｃを備えたことで、反射部７ｂで反射してベース部８の第一面８ａに照射される光の量をより多くすることができる。このため、実施の形態１に比べて、ヒートシンク４をより明るく照らすことができ、周方向における輝度ムラをさらに軽減できる。  In the present embodiment, by providing the second semiconductor light source 5c, it is possible to increase the amount of light reflected by the reflecting portion 7b and applied to the first surface 8a of the base portion 8. For this reason, compared with Embodiment 1, the heat sink 4 can be illuminated more brightly, and the brightness nonuniformity in the circumferential direction can be further reduced.

実施の形態８．
次に、図１４から図１６を参照して、実施の形態８について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 8 FIG.
Next, the eighth embodiment will be described with reference to FIG. 14 to FIG. 16. The difference from the first embodiment will be mainly described, and the elements common or corresponding to the elements described above are as follows. The same reference numerals are attached, and overlapping descriptions are simplified or omitted.

図１４は、実施の形態８による半導体ランプ３２を示す斜視図である。図１５は、図１４に示す半導体ランプ３２をランプ軸線ＡＸに沿う視線で見た図である。図１５は、半導体ランプ３２を遠位側から見た図である。図１６は、図１４に示す半導体ランプ３２の断面図である。図１６は、ランプ軸線ＡＸを含む平面での断面図である。  FIG. 14 is a perspective view showing a semiconductor lamp 32 according to the eighth embodiment. FIG. 15 is a view of the semiconductor lamp 32 shown in FIG. 14 as viewed along the lamp axis AX. FIG. 15 is a view of the semiconductor lamp 32 as viewed from the distal side. FIG. 16 is a cross-sectional view of the semiconductor lamp 32 shown in FIG. FIG. 16 is a cross-sectional view in a plane including the lamp axis AX.

これらの図に示す半導体ランプ３２は、実施の形態１の半導体ランプ１と比べて、リフレクター７に代えて、基板部３３を備える点で異なる。図１４に示すように、基板部３３は、ヒートシンク４の近位端に設置されている。  The semiconductor lamp 32 shown in these drawings is different from the semiconductor lamp 1 of the first embodiment in that a substrate portion 33 is provided instead of the reflector 7. As shown in FIG. 14, the substrate portion 33 is installed at the proximal end of the heat sink 4.

図１５に示すように、基板部３３は、少なくとも一つの半導体光源３３ａを有する。半導体光源３３ａとしては、半導体光源５ａについて説明したようなものを用いることができる。本実施の形態における基板部３３は、複数の半導体光源３３ａを有する。ランプ軸線ＡＸに沿う視線で見たとき、複数の半導体光源３３ａは、それぞれ、フィン９同士の間に位置する。基板部３３の半導体光源３３ａから発せられた光の少なくとも一部は、フィン９同士の間を通って、ベース部８の第一面８ａに照射される。半導体光源３３ａは、図示しない透明カバーにより覆われることで保護されることが望ましい。  As shown in FIG. 15, the substrate unit 33 includes at least one semiconductor light source 33a. As the semiconductor light source 33a, the one described for the semiconductor light source 5a can be used. The substrate portion 33 in the present embodiment has a plurality of semiconductor light sources 33a. When viewed with a line of sight along the lamp axis AX, the plurality of semiconductor light sources 33a are respectively positioned between the fins 9. At least a part of the light emitted from the semiconductor light source 33 a of the substrate unit 33 passes between the fins 9 and is applied to the first surface 8 a of the base unit 8. The semiconductor light source 33a is preferably protected by being covered with a transparent cover (not shown).

本実施の形態における基板部３３は、ベース部８の第一面８ａを照らす照明手段の例である。基板部３３が発した光の一部は、ヒートシンク４のフィン９にも照射される。よって、基板部３３は、第一面８ａ及びフィン９を照らす照明手段の例でもある。  The substrate portion 33 in the present embodiment is an example of an illumination unit that illuminates the first surface 8 a of the base portion 8. A part of the light emitted from the substrate unit 33 is also applied to the fins 9 of the heat sink 4. Therefore, the board | substrate part 33 is also an example of the illumination means which illuminates the 1st surface 8a and the fin 9. FIG.

本実施の形態であれば、基板部３３から発せられた光が第一面８ａを照らすことで、実施の形態１と同一または類似の効果が得られる。すなわち、周方向における輝度ムラを軽減できる。  In the present embodiment, the same or similar effect as in the first embodiment can be obtained by the light emitted from the substrate unit 33 illuminating the first surface 8a. That is, uneven brightness in the circumferential direction can be reduced.

本実施の形態では、基板部３３は、ヒートシンク４のベース部８の長手方向の位置に関して、口金２とベース部８との間の位置にある。このような位置に基板部３３が配置されることで、ランプ外部空間へ放射される光を基板部３３が遮らないようにできる。  In the present embodiment, the substrate portion 33 is located between the base 2 and the base portion 8 with respect to the longitudinal position of the base portion 8 of the heat sink 4. By arranging the substrate part 33 at such a position, it is possible to prevent the substrate part 33 from blocking the light emitted to the lamp external space.

本実施の形態における基板部３３は、ベース部８の長手方向の一端すなわち近位端から第一面８ａを照らす照明部の例である。このように、ベース部８の長手方向の一端から照明部が第一面８ａを照らすように構成することで、ランプ外部空間へ放射される光を当該照明部が遮らないようにできる。  The substrate portion 33 in the present embodiment is an example of an illumination portion that illuminates the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base portion 8, that is, the proximal end. In this way, by configuring the illuminating unit to illuminate the first surface 8a from one end in the longitudinal direction of the base unit 8, the illuminating unit can be prevented from blocking light emitted to the lamp external space.

本実施の形態であれば、基板部３３から発せられた光を、直接、ベース部８の第一面８ａに照射できる。このため、実施の形態１に比べて、ベース部８の第一面８ａの輝度をさらに高くできる。  In the present embodiment, the light emitted from the substrate unit 33 can be directly applied to the first surface 8 a of the base unit 8. For this reason, compared with Embodiment 1, the brightness | luminance of the 1st surface 8a of the base part 8 can be made still higher.

図１６に示すように、口金２からの配線１４は、光源基板５だけでなく、基板部３３にも接続されている。口金２に印加された電力により、光源基板５の半導体光源５ａと、基板部３３の半導体光源３３ａとの双方が点灯する。本実施の形態であれば、簡単な構成で光源基板５及び基板部３３の双方に電力を供給できる。  As shown in FIG. 16, the wiring 14 from the base 2 is connected not only to the light source substrate 5 but also to the substrate portion 33. Both the semiconductor light source 5 a of the light source substrate 5 and the semiconductor light source 33 a of the substrate portion 33 are lit by the power applied to the base 2. In the present embodiment, power can be supplied to both the light source substrate 5 and the substrate unit 33 with a simple configuration.

本実施の形態では、ヒートシンク４の近位端に基板部３３を設置した例を説明した。このような構成に代えて、ヒートシンク４の遠位端に基板部３３を設置してもよい。ヒートシンク４の近位端及び遠位端の両方に基板部３３を設置してもよい。  In the present embodiment, the example in which the substrate portion 33 is installed at the proximal end of the heat sink 4 has been described. Instead of such a configuration, the substrate portion 33 may be installed at the distal end of the heat sink 4. You may install the board | substrate part 33 in both the proximal end of the heat sink 4, and a distal end.

実施の形態９．
次に、図１７を参照して、実施の形態９について説明するが、前述した実施の形態１との相違点を中心に説明し、前述した要素と共通または対応する要素には、同一の符号を付して、重複する説明を簡略化または省略する。Embodiment 9 FIG.
Next, the ninth embodiment will be described with reference to FIG. 17. The description will focus on the differences from the first embodiment described above, and elements that are the same as or correspond to the elements described above have the same reference numerals. Is used to simplify or omit redundant descriptions.

図１７は、実施の形態９による半導体ランプ３４の一部を示す斜視図である。半導体ランプ３４は、実施の形態５で説明したリフレクター２４と、実施の形態８で説明した基板部３３との双方を備える。本実施の形態であれば、リフレクター２４からの反射光と、基板部３３から直接照射される光との両方でベース部８の第一面８ａを照らすことができる。このため、ベース部８の第一面８ａの輝度をさらに高くでき、周方向における輝度ムラをより小さくできる。基板部３３は、実施の形態５以外の他の実施の形態にも組み合わせ可能であることは言うまでもない。  FIG. 17 is a perspective view showing a part of the semiconductor lamp 34 according to the ninth embodiment. The semiconductor lamp 34 includes both the reflector 24 described in the fifth embodiment and the substrate unit 33 described in the eighth embodiment. In the present embodiment, the first surface 8 a of the base portion 8 can be illuminated with both the reflected light from the reflector 24 and the light directly irradiated from the substrate portion 33. For this reason, the brightness | luminance of the 1st surface 8a of the base part 8 can be made still higher, and the brightness nonuniformity in the circumferential direction can be made smaller. It goes without saying that the substrate section 33 can be combined with other embodiments other than the fifth embodiment.

１ 半導体ランプ、 ２ 口金、 ３ 発光ユニット、 ４ ヒートシンク、 ５ 光源基板、 ５ａ 半導体光源、 ５ｃ 第二半導体光源、 ６ 側面カバー、 ７ リフレクター、 ７ｂ 反射部、 ８ ベース部、 ８ａ 第一面、 ８ｂ 第二面、 ９ フィン、 １０ 支持体、 １１ 口金保持部、 １４ 配線、 １５ 半導体ランプ、 １６ リフレクター、 １６ａ 反射部、 １７ 半導体ランプ、 １８ リフレクター、 １８ａ 反射部、 ２０ 半導体ランプ、 ２１ リフレクター、 ２１ａ 反射部、 ２２ 端面カバー、 ２３ 半導体ランプ、 ２４ リフレクター、 ２４ａ 反射部、 ２６ 半導体ランプ、 ２７，２８ 反射部、 ３０，３２ 半導体ランプ、 ３３ 基板部、 ３３ａ 半導体光源、 ３４ 半導体ランプDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor lamp, 2 Base, 3 Light emitting unit, 4 Heat sink, 5 Light source board, 5a Semiconductor light source, 5c 2nd semiconductor light source, 6 Side cover, 7 Reflector, 7b Reflecting part, 8 Base part, 8a 1st surface, 8b 1st Two surfaces, 9 fins, 10 support, 11 base holding part, 14 wiring, 15 semiconductor lamp, 16 reflector, 16a reflecting part, 17 semiconductor lamp, 18 reflector, 18a reflecting part, 20 semiconductor lamp, 21 reflector, 21a reflecting part , 22 end face cover, 23 semiconductor lamp, 24 reflector, 24a reflector, 26 semiconductor lamp, 27, 28 reflector, 30, 32 semiconductor lamp, 33 substrate part, 33a semiconductor light source, 34 semiconductor lamp

Claims (13)

半導体ランプにおいて、
前記半導体ランプの外側に面する第一面と、前記第一面と反対側の第二面とを有する板状のベース部と、前記ベース部の前記第一面から突出するフィンとを備えるヒートシンクと、
前記ベース部の前記第二面に設置され、少なくとも一つの半導体光源を有する光源基板と、
前記ベース部の前記第一面を照らす照明手段と、
を備える半導体ランプ。In semiconductor lamps,
A heat sink comprising: a plate-like base portion having a first surface facing the outside of the semiconductor lamp; a second surface opposite to the first surface; and a fin projecting from the first surface of the base portion. When,
A light source substrate installed on the second surface of the base portion and having at least one semiconductor light source;
Illumination means for illuminating the first surface of the base portion;
A semiconductor lamp comprising: ランプ軸線を中心とする周方向に間隔をおいて配置された複数の発光ユニットを備え、
前記複数の発光ユニットのそれぞれは、前記ヒートシンク及び前記光源基板を備え、
前記複数の発光ユニットのそれぞれの前記光源基板が前記半導体ランプの内側に面する請求項１に記載の半導体ランプ。A plurality of light emitting units arranged at intervals in the circumferential direction around the lamp axis,
Each of the plurality of light emitting units includes the heat sink and the light source substrate,
The semiconductor lamp according to claim 1, wherein the light source substrate of each of the plurality of light emitting units faces the inside of the semiconductor lamp. 前記複数の発光ユニットは、前記周方向に隣り合う第一発光ユニット及び第二発光ユニットを含み、
前記第一発光ユニット及び前記第二発光ユニットの間の開口を覆い、光を透過させる側面カバーを備える請求項２に記載の半導体ランプ。The plurality of light emitting units includes a first light emitting unit and a second light emitting unit adjacent to each other in the circumferential direction,
The semiconductor lamp according to claim 2, further comprising a side cover that covers an opening between the first light emitting unit and the second light emitting unit and transmits light. 前記照明手段は、前記光源基板からの光を前記ベース部の前記第一面へ反射させる少なくとも一つの反射部を備え、
前記少なくとも一つの反射部は、前記側面カバーと一体的に形成された反射部を含む請求項３に記載の半導体ランプ。The illuminating means includes at least one reflecting portion that reflects light from the light source substrate to the first surface of the base portion,
The semiconductor lamp according to claim 3, wherein the at least one reflecting portion includes a reflecting portion formed integrally with the side cover. 前記照明手段は、前記光源基板からの光を前記ベース部の前記第一面へ反射させる少なくとも一つの反射部を備える請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ランプ。  4. The semiconductor lamp according to claim 1, wherein the illuminating unit includes at least one reflecting portion that reflects light from the light source substrate to the first surface of the base portion. 5. 電気ソケットに対して接続可能な口金を備え、
前記少なくとも一つの反射部は、前記ベース部の長手方向の位置に関して前記口金と前記ベース部との間の位置にある反射部を含む請求項４または請求項５に記載の半導体ランプ。With a base that can be connected to an electrical socket,
6. The semiconductor lamp according to claim 4, wherein the at least one reflecting portion includes a reflecting portion located between the base and the base portion with respect to a longitudinal position of the base portion. 前記光源基板からの光を前記ベース部の長手方向へ向かって透過させる端面カバーを備え、
前記少なくとも一つの反射部は、前記端面カバーに隣接する反射部を含む請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の半導体ランプ。An end surface cover that transmits light from the light source substrate in the longitudinal direction of the base portion;
The semiconductor lamp according to claim 4, wherein the at least one reflecting portion includes a reflecting portion adjacent to the end surface cover. 前記光源基板の前記少なくとも一つの半導体光源は、第一半導体光源及び第二半導体光源を含み、
前記第二半導体光源の光軸方向は、第一半導体光源の光軸方向とは異なる方向であり、
前記第二半導体光源は、少なくとも一つの前記反射部に向かって光を放射する請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ランプ。The at least one semiconductor light source of the light source substrate includes a first semiconductor light source and a second semiconductor light source,
The optical axis direction of the second semiconductor light source is a direction different from the optical axis direction of the first semiconductor light source,
The semiconductor lamp according to any one of claims 4 to 7, wherein the second semiconductor light source emits light toward at least one of the reflecting portions. 前記照明手段は、半導体光源を有する基板部を備え、
前記照明手段の前記基板部から発せられた光が前記ベース部の前記第一面へ照射される請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の半導体ランプ。The illumination means includes a substrate portion having a semiconductor light source,
The semiconductor lamp according to any one of claims 1 to 8, wherein light emitted from the substrate portion of the illuminating means is applied to the first surface of the base portion. 電気ソケットに対して接続可能な口金を備え、
前記口金に印加された電力により、前記光源基板の前記少なくとも一つの半導体光源と、前記照明手段の前記半導体光源との双方が点灯する請求項９に記載の半導体ランプ。With a base that can be connected to an electrical socket,
The semiconductor lamp according to claim 9, wherein both of the at least one semiconductor light source of the light source substrate and the semiconductor light source of the illuminating unit are turned on by electric power applied to the base. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の一端から前記第一面を照らす照明部を備える請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体ランプ。  The said illumination means is a semiconductor lamp as described in any one of Claims 1-10 provided with the illumination part which illuminates said 1st surface from the end of the longitudinal direction of the said base part. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の一端から前記第一面を照らす第一照明部と、前記ベース部の長手方向の他端から前記第一面を照らす第二照明部とを備える請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体ランプ。  The illumination means includes a first illumination unit that illuminates the first surface from one longitudinal end of the base unit, and a second illumination unit that illuminates the first surface from the other longitudinal end of the base unit. The semiconductor lamp as described in any one of Claims 1-10. 前記照明手段は、前記ベース部の長手方向の中央部分から前記第一面を照らす中央照明部を備える請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の半導体ランプ。  The semiconductor lamp according to any one of claims 1 to 12, wherein the illumination unit includes a central illumination unit that illuminates the first surface from a longitudinal central portion of the base unit.
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