JP6618745B2 - Electronic components - Google Patents
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Description
本発明は、ベース基板とリッド基板とによって形成されるキャビティ内に電子素子が封入されている電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component in which an electronic element is sealed in a cavity formed by a base substrate and a lid substrate.
従来より、ベース基板とリッド基板とを有し、これらの基板によって形成されるキャビティ内に電子素子を封入する電子部品が知られている。このような電子部品では、ベース基板上に実装された電子素子と、電子部品のパッケージ外部に形成されている外部電極とが電気的に接続されており、外部電極から電子素子に対して電圧を印加することで、当該電子素子が動作するように構成されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, an electronic component that has a base substrate and a lid substrate and encloses an electronic element in a cavity formed by these substrates is known. In such an electronic component, the electronic element mounted on the base substrate and the external electrode formed outside the package of the electronic component are electrically connected, and a voltage is applied from the external electrode to the electronic element. The application is configured such that the electronic element operates when applied.
しかし電子素子の動作時は、電子素子が発熱するので、これにより、電子素子が封入されているパッケージ内の温度が上昇してしまう。その結果、電子素子の性能低下を招き、電子部品の高性能化に対応できない。 However, during operation of the electronic element, the electronic element generates heat, which increases the temperature in the package in which the electronic element is enclosed. As a result, the performance of the electronic element is reduced, and the performance of the electronic component cannot be improved.
そこで従来より、電子素子からの発熱を電子部品のパッケージ外に放熱可能な構成が提案されている。より具体的には、電子素子の上面に金属製ボールを形成し、この金属製ボールを介して電子素子で生じた熱を放熱させる構成（特許文献１）や、電子素子とリッド基板との間に放熱ペーストを介在させる構成（特許文献２）が知られている。 Therefore, conventionally, a configuration has been proposed in which heat generated from an electronic element can be dissipated outside the package of the electronic component. More specifically, a structure in which a metal ball is formed on the upper surface of the electronic element and heat generated in the electronic element is radiated through the metal ball (Patent Document 1), or between the electronic element and the lid substrate. The structure (patent document 2) which interposes a thermal radiation paste in is known.
しかしながら上記従来技術には次の課題がある。
例えば、特許文献１には、電子素子の上面に金属製ボールを形成する技術が開示されているが、金属製ボールを形成する際に、電子素子の上面に予めＡｕめっき層を形成する必要があるので、製造工程の複雑化につながり、低コスト化を実現できない。また、金属製ボールを形成するための装置を電子素子に近接または接触させる必要があるので、金属製ボールを形成する際の装置の作業性、電子素子の耐久性の観点から、電子素子の小型化の要求に対応することは極めて困難である。
However, the above prior art has the following problems.
For example, Patent Document 1 discloses a technique for forming a metal ball on the upper surface of an electronic element. However, when forming a metal ball, it is necessary to previously form an Au plating layer on the upper surface of the electronic element. As a result, the manufacturing process becomes complicated and the cost cannot be reduced. In addition, since it is necessary to bring a device for forming a metal ball close to or in contact with the electronic element, the size of the electronic element is small from the viewpoint of the workability of the device when forming the metal ball and the durability of the electronic element. It is extremely difficult to meet the demands of the development.
また、特許文献２には、放熱ペーストを設ける構成が開示されているが、放熱ペーストから放出されるアウトガスによって、電子部品のパッケージ内部の真空度が低下し、その結果、電子部品の高性能化への要求に対応することができない。 Patent Document 2 discloses a configuration in which a heat dissipating paste is provided. However, the outgas emitted from the heat dissipating paste lowers the degree of vacuum inside the electronic component package, resulting in higher performance of the electronic component. Can't respond to the request.
即ち、従来技術によれば、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することは困難である。そこで本発明は、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することを目的とする。 That is, according to the prior art, it is difficult to provide electronic components corresponding to downsizing and high performance at low cost. Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic component corresponding to downsizing and high performance at a low cost.
上記目的を達成するために本発明の電子部品は、
電子素子が実装されたベース基板と、前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接していることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the electronic component of the present invention includes:
A base substrate on which an electronic element is mounted; and a lid substrate in which the electronic element is sealed in a cavity formed by bonding to the base substrate. The inner surface of the lid substrate is made of at least one metal. A convex portion is formed, and at least a tip of the metallic convex portion is in contact with the electronic element.
かかる構成によれば、金属製凸部の少なくとも先端が、電子素子に当接していることにより、電子素子で生じた熱を金属製凸部を介して効率よくパッケージ外部に放熱することができるので電子部品の高性能化を実現できる。また、金属製凸部がリッド基板の内側面に形成されているので、電子素子と別個に金属製凸部を形成することができる。よって、電子素子を小型化しても、金属製凸部を容易に形成することが可能であるので、電子部品の小型化、低コスト化を実現できる。 According to such a configuration, since at least the tip of the metal convex portion is in contact with the electronic element, the heat generated in the electronic element can be efficiently radiated to the outside of the package via the metal convex portion. High performance electronic components can be realized. Further, since the metal convex portion is formed on the inner surface of the lid substrate, the metal convex portion can be formed separately from the electronic element. Therefore, even if the electronic element is downsized, the metal convex portion can be easily formed, so that downsizing and cost reduction of the electronic component can be realized.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板の内側面にはゲッター膜が形成されていると好適である。
In the present invention,
It is preferable that a getter film is formed on the inner side surface of the lid substrate.
かかる構成によれば、ゲッター膜によってキャビティ内部の真空度を高めることが可能になり、電子部品の高性能化を実現することができる。また、電子素子で生じた熱によってゲッター膜を活性化させることが可能になるので、キャビティ内部の真空度を容易に高めることが可能になる。 According to such a configuration, the degree of vacuum inside the cavity can be increased by the getter film, and high performance of the electronic component can be realized. In addition, since the getter film can be activated by heat generated in the electronic element, the degree of vacuum inside the cavity can be easily increased.
また、本発明にあっては、
前記金属製凸部の表面にはゲッター膜が形成されていると好適である。
In the present invention,
It is preferable that a getter film is formed on the surface of the metal projection.
かかる構成によれば、
金属製凸部の表面は、電子素子で生じた熱が伝わりやすいので、容易にゲッター膜を活性化することができ、キャビティ内部の真空度を容易に高めることが可能になる。また、キャビティの真空度を向上させるために、ゲッター膜を加熱する手段を別途設ける必要がないので、低コスト化と高機能化を両立できる。
According to such a configuration,
Since the heat generated by the electronic element is easily transmitted to the surface of the metal protrusion, the getter film can be easily activated, and the degree of vacuum inside the cavity can be easily increased. In addition, since it is not necessary to separately provide a means for heating the getter film in order to improve the degree of vacuum of the cavity, both cost reduction and high functionality can be achieved.
また、本発明にあっては、
前記金属製凸部は、金属バンプによって形成されていると好適である。
In the present invention,
The metal convex portion is preferably formed by a metal bump.
かかる構成によれば、
金属製凸部を容易に形成することができるので、電子部品の小型化、高機能化を低コストで実現することが可能になる。
According to such a configuration,
Since the metal convex portion can be easily formed, it is possible to realize downsizing and high functionality of the electronic component at low cost.
また、本発明にあっては、
前記金属製凸部は、金属バンプと、前記金属バンプの表面に形成されるめっき層によって形成されていると好適である。
In the present invention,
The metal convex portion is preferably formed by a metal bump and a plating layer formed on the surface of the metal bump.
かかる構成によれば、
金属バンプの表面にめっき層が形成されていることで、めっき層の層厚を調整することで、金属製凸部と電子素子との当接状態を変更することができる。よって、金属バンプの厚みに関わらず、金属製凸部を電子素子に対して確実に当接させることが可能になる。
According to such a configuration,
Since the plating layer is formed on the surface of the metal bump, the contact state between the metal convex portion and the electronic element can be changed by adjusting the layer thickness of the plating layer. Therefore, regardless of the thickness of the metal bump, the metal protrusion can be reliably brought into contact with the electronic element.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板の内側面において、前記電気素子の発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔が、前記対向領域外に形成されている複数の前記金属凸部の間隔よりも狭いことを特徴とする。
In the present invention,
On the inner side surface of the lid substrate, a plurality of metal protrusions formed in a facing region of a region where the heating resistor of the electric element is mounted have a plurality of intervals formed outside the facing region. It is characterized by being narrower than the interval between the metal protrusions.
かかる構成によれば、
放熱量が多い発熱抵抗の対向領域に金属製凸部を密に配置することができるので、電子素子で生じた熱をより効果的に放熱することが可能になり、電子部品の高機能化を容易に実現することができる。
According to such a configuration,
Since the metal protrusions can be densely arranged in the opposing area of the heat generation resistor that has a large amount of heat dissipation, it is possible to dissipate the heat generated by the electronic elements more effectively, and to increase the functionality of the electronic components. It can be easily realized.
また、本発明にあっては、
前記金属製凸部は前記リッド基板側から前記電子素子に向かうにつれて、幅が細くなる形状を有していると好適である。
In the present invention,
It is preferable that the metal convex portion has a shape in which the width becomes narrower from the lid substrate side toward the electronic element.
かかる構成によれば、
金属製凸部の先端の幅が細いので、金属製凸部が電子素子に当接する場合に、先端を変形させつつ当接状態を維持することができ、電子素子で生じた熱をより確実に放熱させることが可能になる。
According to such a configuration,
Since the tip of the metal convex part is narrow, when the metal convex part contacts the electronic element, the contact state can be maintained while the tip is deformed, and the heat generated by the electronic element can be more reliably It is possible to dissipate heat.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板は、ガラス材料、シリコン材料又は金属材料によって形成されていると好適である。さらには、前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されると好適である。
In the present invention,
The lid substrate is preferably formed of a glass material, a silicon material, or a metal material. Furthermore, it is preferable that the lid substrate has a side wall portion made of a glass material and a main surface portion made of a silicon material.
以上説明したように、本発明によれば、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component corresponding to downsizing and high performance at low cost.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 DETAILED DESCRIPTION Exemplary embodiments for carrying out the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. Absent.
[第１実施形態]
図１、図２を参照して、本発明に係る第１実施形態について説明する。
[First embodiment]
A first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
（１：リッド基板の構成）
図１に、本実施形態におけるリッド基板１０の概略構成を示す。リッド基板１０の内側側面には、複数の凸部１２（金属製凸部）が形成されている。本実施形態では、金属製のリッド基板１０に対して、金属製の凸部１２が一体的に形成されている。また、凸部１２は、根元の幅と比較して先端の幅が細くなる形状を有している。なお、リッド基板１０の材料は金属材料に限定されるものではなく、ガラス材料やシリコン材料であってもよい。
(1: Configuration of lid substrate)
FIG. 1 shows a schematic configuration of the lid substrate 10 in the present embodiment. A plurality of convex portions 12 (metal convex portions) are formed on the inner side surface of the lid substrate 10. In the present embodiment, the metal protrusion 12 is integrally formed with the metal lid substrate 10. Moreover, the convex part 12 has a shape where the width | variety of a front-end | tip becomes thin compared with the width | variety of a root. The material of the lid substrate 10 is not limited to a metal material, and may be a glass material or a silicon material.
凸部１２の表面には、ゲッター膜１１が成膜されている。本実施形態では、ゲッター膜１１が凸部１２の表面だけではなく、リッド基板１０のほぼ全面を覆うように成膜されている。ゲッター膜１１は、金属材料によって形成される膜であり、加熱されることにより活性化し、酸素や水素を吸着するゲッタリング機能を有している。 A getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12. In the present embodiment, the getter film 11 is formed so as to cover not only the surface of the convex portion 12 but also almost the entire surface of the lid substrate 10. The getter film 11 is a film formed of a metal material, and is activated by being heated and has a gettering function of adsorbing oxygen and hydrogen.
なお、本実施形態では、断面視コの字状のリッド基板１０を用いているが、本発明におけるリッド基板１０の形状はこれに限られるものではなく、平板状のリッド基板１０であってもよい。また、凸部１２はリッド基板１０の内側側面に少なくとも一つ形成されていればよい。 In this embodiment, the U-shaped lid substrate 10 is used in cross-section, but the shape of the lid substrate 10 in the present invention is not limited to this, and a flat lid substrate 10 may be used. Good. Further, at least one protrusion 12 may be formed on the inner side surface of the lid substrate 10.
（２：電子部品の構成）
図２を参照して、本実施形態に係る電子部品１の構成を説明する。
本実施形態に係る電子部品１は、上述したリッド基板１０とベース基板３０とを有し、これらの基板の間に形成されるキャビティ内に電子素子２０（半導体素子、水晶振動子、ＭＥＭＳ素子など）が封入されている。なお、リッド基板１０とベース基板３０との接合方法は、接着剤等による接合、陽極接合方法による接合、電子ビームによる接合、ろう材を溶融させることによる接合など、基板の材料等に応じて種々の接合方法を採用することができる。
(2: Configuration of electronic components)
With reference to FIG. 2, the structure of the electronic component 1 which concerns on this embodiment is demonstrated.
The electronic component 1 according to the present embodiment includes the lid substrate 10 and the base substrate 30 described above, and an electronic element 20 (semiconductor element, crystal resonator, MEMS element, etc.) in a cavity formed between these substrates. ) Is enclosed. There are various bonding methods for the lid substrate 10 and the base substrate 30 depending on the material of the substrate, such as bonding by an adhesive, bonding by an anodic bonding method, bonding by an electron beam, bonding by melting a brazing material, and the like. The joining method can be adopted.
キャビティ内に封入されている電子素子２０は、ベース基板３０上に形成された電極パターン２２上に金属バンプ２１によって実装されている。 The electronic element 20 sealed in the cavity is mounted on the electrode pattern 22 formed on the base substrate 30 by metal bumps 21.
ベース基板３０には貫通孔３３が形成されており、貫通孔３３の内側面には導電膜３２が成膜されている。導電膜３２は、貫通孔３３の一端において上述の電極パターン２２と接続しており、貫通孔３３の他端において、外部電極３１と接続している。また、貫通孔３３の内部は、めっきによって封止されており、これによって貫通電極が形成されている。 A through hole 33 is formed in the base substrate 30, and a conductive film 32 is formed on the inner surface of the through hole 33. The conductive film 32 is connected to the above-described electrode pattern 22 at one end of the through hole 33 and is connected to the external electrode 31 at the other end of the through hole 33. Further, the inside of the through hole 33 is sealed by plating, thereby forming a through electrode.
かかる構成により、外部電極３１とベース基板３０上に実装された電子素子２０とを電気的に接続しつつ、キャビティ内を確実に封止することができる。なお、本実施形態では、導電膜３２とめっきによって貫通電極を構成しているが、本発明における貫通電極の構成はこれに限られるものではなく、金属部材（金属ピン、金属ワイヤなど）を貫通孔３３に挿入し、ベース基板３０を溶融させることで貫通孔３３を封止する構成であってもよい。 With this configuration, the inside of the cavity can be reliably sealed while electrically connecting the external electrode 31 and the electronic element 20 mounted on the base substrate 30. In the present embodiment, the through electrode is configured by the conductive film 32 and plating. However, the configuration of the through electrode in the present invention is not limited to this, and the metal member (metal pin, metal wire, etc.) is passed through. The through hole 33 may be sealed by inserting the hole 33 and melting the base substrate 30.
電子素子２０がベース基板３０上に実装されている状態において、リッド基板１０に形成された凸部１２の先端は電子素子２０表面に当接している。本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が成膜されているので、凸部１２の先端は、ゲッター膜１１を介して電子素子２０表面に当接していることになる。 In a state where the electronic element 20 is mounted on the base substrate 30, the tip of the convex portion 12 formed on the lid substrate 10 is in contact with the surface of the electronic element 20. In this embodiment, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the tip of the convex portion 12 is in contact with the surface of the electronic element 20 via the getter film 11.
かかる構成により、外部電極３１から電圧が印加されることによって電子素子２０で生じた熱を、凸部１２を経由してリッド基板１０から外部に放熱することが可能になる。これにより、電子素子２０の動作温度を適温に保つことが可能になり、電子部品１の高機能化を実現することができる。さらに、本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が形成されているので、キャビティ内の真空度を高めることができる。その結果、電子部品１のさらなる高機能化を実現することが可能になる。 With this configuration, heat generated in the electronic element 20 by applying a voltage from the external electrode 31 can be radiated from the lid substrate 10 to the outside via the convex portion 12. As a result, the operating temperature of the electronic element 20 can be kept at an appropriate temperature, and the electronic component 1 can be highly functionalized. Furthermore, in this embodiment, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the degree of vacuum in the cavity can be increased. As a result, the electronic component 1 can be further enhanced in functionality.
さらに本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１を形成することで、平板状の基板にゲッター膜を形成する場合と比較すると、ゲッター膜１１の面積を容易に増加させることができ、より好適にキャビティ内の真空度を高めることが可能になる。 Furthermore, in this embodiment, the area of the getter film 11 can be easily increased by forming the getter film 11 on the surface of the convex portion 12 as compared with the case where the getter film is formed on a flat substrate. More preferably, the degree of vacuum in the cavity can be increased.
以上より、本実施形態によれば、リッド基板１０に対して凸部１２を形成し、その凸部１２の少なくとも先端を電子素子２０に当接させることで、電子素子２０で生じた熱を効率的に放熱して電子部品１の高機能化を実現できる。また、凸部１２にゲッター膜１１を成膜することで、キャビティ内の真空度を高め、電子部品２０のさらなる高機能化を実現できる。また、凸部１２は電子素子２０とは別体として形成されているので、電子素子に直接凸部１２を形成する場合と比較すると、電子素子２０を小型化しても容易に凸部１２を形成でき、電子部品１の小型化を実現することが可能になる。また、本実施形態の電子部品１によれば、凸部１２を容易に形成することができるので、低コストに高機能化、小型化を実現することが可能になる。 As described above, according to the present embodiment, the convex portion 12 is formed on the lid substrate 10, and at least the tip of the convex portion 12 is brought into contact with the electronic element 20, thereby efficiently generating heat generated in the electronic element 20. Therefore, it is possible to realize high functionality of the electronic component 1 by radiating heat. In addition, by forming the getter film 11 on the convex portion 12, the degree of vacuum in the cavity can be increased, and further enhancement of the functionality of the electronic component 20 can be realized. Moreover, since the convex part 12 is formed as a separate body from the electronic element 20, the convex part 12 can be easily formed even if the electronic element 20 is downsized as compared with the case where the convex part 12 is formed directly on the electronic element. Thus, the electronic component 1 can be downsized. Moreover, according to the electronic component 1 of this embodiment, since the convex part 12 can be formed easily, it becomes possible to implement | achieve high functionality and size reduction at low cost.
（第２実施形態）
図３を参照して、第２実施形態に係る電子部品２について説明する。なお、第１実施形態と同一の構成に関しては、図１、図２と同一の符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
With reference to FIG. 3, the electronic component 2 which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated. In addition, about the structure same as 1st Embodiment, the code | symbol same as FIG. 1, FIG. 2 is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.
本実施形態では、リッド基板１０が主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとを有しており、主面部分１０ａがシリコン材料によって形成されており、側壁部分１０ｂがガラス材料によって形成されていることを特徴とする。なお、主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとが予め接合されたリッド基板１０を用いてもよいし、側壁部分１０ｂを枠状部材によって構成し、主面部分１０ａを平板状のリッド基板によって構成してもよい。 In the present embodiment, the lid substrate 10 has a main surface portion 10a and a side wall portion 10b, the main surface portion 10a is formed of a silicon material, and the side wall portion 10b is formed of a glass material. Features. Note that the lid substrate 10 in which the main surface portion 10a and the side wall portion 10b are bonded in advance may be used, the side wall portion 10b is configured by a frame-shaped member, and the main surface portion 10a is configured by a flat plate-shaped lid substrate. May be.
そして凸部１２は、主面部分１０ａの内側面に形成されている。なお、凸部１２の構成は第１実施形態で説明したものと同一であるので、ここでは説明を省略する。また、ゲッター膜１１は主面部分１０ａと側壁部分１０ｂの両方に形成されている。 And the convex part 12 is formed in the inner surface of the main surface part 10a. In addition, since the structure of the convex part 12 is the same as what was demonstrated in 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted here. The getter film 11 is formed on both the main surface portion 10a and the side wall portion 10b.
かかる構成によれば、側壁部分１０ｂをガラス材料によって形成しているので、側壁部分１０ｂにおいてレーザ光を透過させることができる。よって、レーザ光によってゲッター膜１１を加熱してゲッター膜のゲッタリング機能をさらに高めることも可能になる。即ち、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 According to such a configuration, since the side wall portion 10b is formed of the glass material, the laser light can be transmitted through the side wall portion 10b. Accordingly, the getter film 11 can be heated by the laser beam to further enhance the gettering function of the getter film. In other words, it is possible to provide electronic components corresponding to downsizing and high performance at low cost.
（第３実施形態）
図４を参照して、第３実施形態に係る電子部品のリッド基板１０について説明する。なお、リッド基板１０以外の構成は第１実施形態、又は第２実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。
(Third embodiment)
With reference to FIG. 4, the lid substrate 10 of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment is demonstrated. Note that the configuration other than the lid substrate 10 can adopt the configuration described in the first embodiment or the second embodiment as appropriate, and thus the description thereof is omitted here.
本実施形態では、リッド基板１０の内側側面に形成された凸部１２が金属バンプによって形成されており、さらにその表面にめっき層１８が形成されていることが特徴である。なお、めっき層１８の表面には第１実施形態では説明したゲッター膜１１が形成されている。 The present embodiment is characterized in that the convex portions 12 formed on the inner side surface of the lid substrate 10 are formed by metal bumps, and the plating layer 18 is further formed on the surface thereof. The getter film 11 described in the first embodiment is formed on the surface of the plating layer 18.
かかる構成によれば凸部１２の先端と電子素子２０の表面との間隔が広く、凸部１２の先端を電子素子２０の表面に接触させることが困難な場合であっても、めっき層１８を形成することで、めっき層１８を介して凸部１２と電子素子２０とを当接させることが可能になる。よって、確実に電子素子２０の発熱を放熱させることが可能になる。 According to such a configuration, even when the distance between the tip of the convex portion 12 and the surface of the electronic element 20 is wide and it is difficult to bring the tip of the convex portion 12 into contact with the surface of the electronic element 20, the plating layer 18 is formed. By forming, the convex part 12 and the electronic element 20 can be brought into contact with each other through the plating layer 18. Therefore, the heat generated by the electronic element 20 can be reliably radiated.
また、凸部１２とめっき層１８の材料は同一である必要はない。例えば、凸部１２よりも熱伝導率の高い材料によってめっき層１８を形成することで、電子素子２０の発熱をより効果的に放熱することが可能になる。なお、本実施形態では、金属バンプによって凸部１２を形成しているが、リッド基板１０と一体に凸部１２を形成し、その表面にめっき層１８を形成してもよい。このように本実施形態によれば、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 Moreover, the material of the convex part 12 and the plating layer 18 does not need to be the same. For example, by forming the plating layer 18 with a material having a higher thermal conductivity than the convex portion 12, it is possible to dissipate the heat generated by the electronic element 20 more effectively. In the present embodiment, the convex portion 12 is formed by the metal bump, but the convex portion 12 may be formed integrally with the lid substrate 10 and the plating layer 18 may be formed on the surface thereof. As described above, according to this embodiment, it is possible to provide an electronic component corresponding to downsizing and high performance at low cost.
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第３実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. Note that this embodiment can be appropriately combined with the above-described first to third embodiments.
本実施形態では、リッド基板１０の内側側面において、電子素子２０の発熱抵抗（不図示）と対向する領域に「密に」凸部１２を配置している。即ち、発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている凸部１２の間隔が、発熱抵抗の対向領域外に形成されている凸部１２の間隔よりも狭くなっている。 In the present embodiment, on the inner side surface of the lid substrate 10, the convex portions 12 are arranged “closely” in a region facing a heating resistor (not shown) of the electronic element 20. That is, the interval between the convex portions 12 formed in the opposing region of the region where the heating resistor is mounted is narrower than the interval between the convex portions 12 formed outside the opposing region of the heating resistor.
かかる構成によれば、電子素子２０において、特に発熱量の多い領域に凸部１２を密に配置するので、より効果的に電子素子２０の発熱を放熱させることが可能になる。よって、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 According to such a configuration, in the electronic element 20, the convex portions 12 are densely arranged particularly in a region where a large amount of heat is generated. Therefore, it is possible to dissipate the heat generated by the electronic element 20 more effectively. Therefore, it is possible to provide an electronic component corresponding to downsizing and high performance at low cost.
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第４実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described. Note that this embodiment can be appropriately combined with the first to fourth embodiments described above.
第１実施形態では、リッド基板１０に形成されている凸部１２の先端が、電子素子２０の表面と当接するとして説明したが、凸部１２の先端以外の領域と電子素子２０表面とが当接する形態であってもよい。例えば凸部１２の側面部分と電子素子２０の表面とを当接させる構成であってもよい。凸部１２の先端のみを当接させる場合と比較すると、凸部１２と電子素子２０との接触面積をより広くすることができるので、より効果的に電子素子２０の発熱を放熱させることができる。 In the first embodiment, the tip of the convex portion 12 formed on the lid substrate 10 has been described as being in contact with the surface of the electronic element 20, but the region other than the tip of the convex portion 12 and the surface of the electronic element 20 are in contact with each other. The form which touches may be sufficient. For example, the structure which contact | abuts the side part of the convex part 12 and the surface of the electronic element 20 may be sufficient. Compared with the case where only the tip of the convex portion 12 is brought into contact, the contact area between the convex portion 12 and the electronic element 20 can be made wider, so that the heat generated by the electronic element 20 can be radiated more effectively. .
１・・・電子部品、１０・・・リッド基板、１１・・・ゲッター膜、１２・・・凸部、２０・・・電子素子、３０・・・ベース基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component, 10 ... Lid substrate, 11 ... Getter film, 12 ... Convex part, 20 ... Electronic element, 30 ... Base substrate
Claims (11)
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記金属製凸部の表面にはゲッター膜が形成されていることを特徴とする電子部品。 A base substrate on which electronic elements are mounted;
A lid substrate in which the electronic element is enclosed in a cavity formed by bonding with the base substrate,
At least one metal protrusion is formed on the inner surface of the lid substrate, and at least the tip of the metal protrusion is in contact with the electronic element,
An electronic component comprising a getter film formed on a surface of the metal projection.
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記リッド基板の内側面において、前記電子素子の発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔が、前記対向領域外に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔よりも狭いことを特徴とする電子部品。 A base substrate on which electronic elements are mounted;
And a lid substrate which the electronic element is sealed in a cavity formed by bonding with the base substrate,
At least one metal protrusion is formed on the inner surface of the lid substrate, and at least the tip of the metal protrusion is in contact with the electronic element,
In the inner surface of the lid substrate, a plurality of spacing of the plurality of metallic protrusions which heating resistors are formed in the region opposed to a region that is implemented in the electronic device is formed outside the opposing region An electronic component characterized by being narrower than the interval between the metal projections.
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記金属製凸部は、前記リッド基板側から前記電子素子側に向かうにつれて、幅が細くなる形状を有していることを特徴とする電子部品。 A base substrate on which electronic elements are mounted;
And a lid substrate which the electronic element is sealed in a cavity formed by bonding with the base substrate,
At least one metal protrusion is formed on the inner surface of the lid substrate, and at least the tip of the metal protrusion is in contact with the electronic element,
The electronic component, wherein the metal protrusion has a shape that becomes narrower from the lid substrate side toward the electronic element side.
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されていることを特徴とする電子部品。 A base substrate on which electronic elements are mounted;
And a lid substrate which the electronic element is sealed in a cavity formed by bonding with the base substrate,
At least one metal protrusion is formed on the inner surface of the lid substrate, and at least the tip of the metal protrusion is in contact with the electronic element,
The lid substrate is an electronic component wherein a side wall portion is formed of a glass material and a main surface portion is formed of a silicon material.
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